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WO2011115066A1 - ジアミン誘導体の結晶およびその製造方法 - Google Patents

ジアミン誘導体の結晶およびその製造方法 Download PDF

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WO2011115066A1
WO2011115066A1 PCT/JP2011/055955 JP2011055955W WO2011115066A1 WO 2011115066 A1 WO2011115066 A1 WO 2011115066A1 JP 2011055955 W JP2011055955 W JP 2011055955W WO 2011115066 A1 WO2011115066 A1 WO 2011115066A1
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WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
crystal
formula
compound
crystals
powder
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/JP2011/055955
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
鈴木　徹也
小野　誠
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Daiichi Sankyo Co Ltd
Original Assignee
Daiichi Sankyo Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
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Priority to CA2793413A priority patent/CA2793413C/en
Priority to EP11756251.2A priority patent/EP2548879B1/en
Priority to BR112012023649-0A priority patent/BR112012023649B1/pt
Priority to KR1020127023919A priority patent/KR101708528B1/ko
Priority to ES11756251.2T priority patent/ES2560955T3/es
Priority to JP2012505678A priority patent/JP5692873B2/ja
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    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D513/00—Heterocyclic compounds containing in the condensed system at least one hetero ring having nitrogen and sulfur atoms as the only ring hetero atoms, not provided for in groups C07D463/00, C07D477/00 or C07D499/00 - C07D507/00
    • C07D513/02—Heterocyclic compounds containing in the condensed system at least one hetero ring having nitrogen and sulfur atoms as the only ring hetero atoms, not provided for in groups C07D463/00, C07D477/00 or C07D499/00 - C07D507/00 in which the condensed system contains two hetero rings
    • C07D513/04—Ortho-condensed systems
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    • A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
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    • A61K31/33—Heterocyclic compounds
    • A61K31/395—Heterocyclic compounds having nitrogen as a ring hetero atom, e.g. guanethidine or rifamycins
    • A61K31/41—Heterocyclic compounds having nitrogen as a ring hetero atom, e.g. guanethidine or rifamycins having five-membered rings with two or more ring hetero atoms, at least one of which being nitrogen, e.g. tetrazole
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    • A61K31/429—Thiazoles condensed with heterocyclic ring systems
    • A—HUMAN NECESSITIES
    • A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
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    • A—HUMAN NECESSITIES
    • A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
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    • A61P7/02—Antithrombotic agents; Anticoagulants; Platelet aggregation inhibitors
    • A—HUMAN NECESSITIES
    • A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
    • A61P—SPECIFIC THERAPEUTIC ACTIVITY OF CHEMICAL COMPOUNDS OR MEDICINAL PREPARATIONS
    • A61P9/00—Drugs for disorders of the cardiovascular system
    • A—HUMAN NECESSITIES
    • A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
    • A61P—SPECIFIC THERAPEUTIC ACTIVITY OF CHEMICAL COMPOUNDS OR MEDICINAL PREPARATIONS
    • A61P9/00—Drugs for disorders of the cardiovascular system
    • A61P9/10—Drugs for disorders of the cardiovascular system for treating ischaemic or atherosclerotic diseases, e.g. antianginal drugs, coronary vasodilators, drugs for myocardial infarction, retinopathy, cerebrovascula insufficiency, renal arteriosclerosis
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07B—GENERAL METHODS OF ORGANIC CHEMISTRY; APPARATUS THEREFOR
    • C07B2200/00—Indexing scheme relating to specific properties of organic compounds
    • C07B2200/13—Crystalline forms, e.g. polymorphs

Definitions

  • the present invention relates to a crystal of a compound which exhibits an inhibitory action on activated blood coagulation factor X (FXa) and is useful as a prophylactic and / or therapeutic agent for thrombotic diseases.
  • FXa activated blood coagulation factor X
  • An object of the present invention is to provide a novel crystal of Compound I.
  • the present inventors tried to obtain new crystals of Compound I, the slurry agitation method and recrystallization method that are usually used for the search for crystal polymorphs can be obtained by changing the crystallization conditions. New crystals could not be obtained stably with good reproducibility.
  • the present inventor has found that a new crystal (hereinafter referred to as “compound I of compound I”) is produced for the first time by a special condition that Compound I is once made an amorphous or low crystalline solid and then exposed to solvent vapor.
  • the terms “Form II crystal of Compound I” and “Form II crystal” are used interchangeably throughout this specification.)
  • the present invention was completed by finding that it can be obtained stably.
  • the present invention relates to the following.
  • diffraction angle (2 ⁇ ) of powder X-ray diffraction obtained using Cu—K ⁇ ray peaks at 22.3 ⁇ 0.2 and 23.2 ⁇ 0.2 (°) are included
  • [6] The crystal according to [1], which shows a differential thermal analysis (DTA) profile having at least one endothermic peak at any one of 160 ° C. to 170 ° C. or 215 ° C. to 225 ° C .; [7] As described in [1], including any one absorption band selected from the group consisting of 3313 ⁇ 5, 839 ⁇ 1 and 828 ⁇ 1 (cm ⁇ 1 ) as a Fourier transform infrared absorption spectrum pattern crystal; [8] The following (a) to (d): (A) a differential thermal analysis profile having at least one endothermic peak at 160 ° C. to 170 ° C., 215 ° C. to 225 ° C. and 260 ° C.
  • DTA differential thermal analysis
  • a Fourier transform infrared absorption spectrum pattern showing the absorption bands described in 1 and their intensities The crystal according to [1], having at least one characteristic selected from the group consisting of: [9] As a diffraction angle (2 ⁇ ) of powder X-ray diffraction obtained using Cu—K ⁇ ray, a peak at 22.3 ⁇ 0.2 (°) or 23.2 ⁇ 0.2 (°) is included.
  • a process for producing Form II crystals of Compound I comprising: (A) making Compound I an amorphous or low crystalline solid, then (b) exposing the amorphous or low crystalline solid to solvent vapor; [10] The method according to [9], wherein in step (a), the amorphous or low crystalline solid is prepared by grinding, melting and cooling, freeze drying or spray drying of Compound I; [11] The method according to [9], wherein in step (a), the amorphous or low crystalline solid is prepared by lyophilization of Compound I; [12] The method according to [9], wherein in the step (a), the amorphous or low crystalline solid is prepared by dissolving Compound I in water, dioxane, hydrous dioxane or dimethyl sulfoxide and then freeze-drying.
  • step (a) The method according to [9], wherein, in the step (a), the amorphous or low crystalline solid is prepared by dissolving Compound I in hydrous dioxane and then freeze-drying; [14] The method according to [9], wherein in step (b), the solvent exposed to vapor is anisole, acetone, 2-butanone, toluene, acetonitrile, dimethoxyethane or dimethoxymethane; [15] The method according to [9], wherein in step (b), the temperature to which the steam is exposed is 0 ° C.
  • step (b) The method according to [9], wherein in step (b), the time period for which the vapor exposure is performed is 1 to 10 days; [17] The method according to [9], wherein compound I in step (a) is Form I crystal of compound I; [18] As the diffraction angle (2 ⁇ ) of powder X-ray diffraction obtained by using Form II crystals using Cu—K ⁇ rays, 22.3 ⁇ 0.2 (°) and 23.2 ⁇ 0.2 (° ), The method according to [9]; [19] As the diffraction angle (2 ⁇ ) of powder X-ray diffraction obtained by using Form II crystals using Cu—K ⁇ rays, either 21.5 ⁇ 0.2 or 22.0 ⁇ 0.2 (°) The method according to [9], further comprising: [20] As a diffraction angle (2 ⁇ ) by powder X-ray diffraction obtained by Form II crystals using Cu—K ⁇ rays, 13.9 ⁇ 0.2, 14.2 ⁇ 0.2
  • the method according to [9], comprising peaks at 2 and 24.3 ⁇ 0.2 (°); [21] The method according to [9], wherein the Form II crystal shows the pattern of either FIG. 1 (a) (2) or FIG. 3 as powder X-ray diffraction obtained using Cu—K ⁇ rays. ; [22] The method according to [9], wherein the Form II crystal exhibits a differential thermal analysis (DTA) profile having at least one endothermic peak at any one of 160 ° C. to 170 ° C. or 215 ° C.
  • DTA differential thermal analysis
  • a Form II crystal includes any one absorption band selected from the group consisting of 3313 ⁇ 5, 839 ⁇ 1 and 828 ⁇ 1 (cm ⁇ 1 ) as a Fourier transform infrared absorption spectrum pattern. 9]; [24] A Form II crystal has the following (a) to (d): (A) a differential thermal analysis (DTA) profile having at least one endothermic peak at 160 ° C. to 170 ° C., 215 ° C. to 225 ° C. and 260 ° C. to 270 ° C., respectively; (B) Differential thermal analysis (DTA) and thermal mass measurement (TG) profiles represented in FIG.
  • DTA differential thermal analysis
  • TG thermal mass measurement
  • a pharmaceutical composition comprising a crystal and a pharmaceutically acceptable carrier; and [31] a pharmaceutical composition comprising compound I, according to any one of [1] to [8] or [25]
  • a Form II crystal of Compound I or a Form II crystal of Compound I obtained by the method according to any one of [9] to [24] is 0.01% relative to the total weight of Compound I in the pharmaceutical composition.
  • a pharmaceutical composition comprising from 9% to 99.9% by weight.
  • FIG. 3 shows a powder X-ray diffraction pattern of Compound I obtained by freeze drying-solvent vapor exposure method in Example 3 (4).
  • the vertical axis represents intensity (cps) and the horizontal axis represents diffraction angle (2 ⁇ (°)).
  • Each figure is the result of the powder X-ray diffraction of the crystals obtained using (a) acetonitrile, (b) water, or (c) ethanol as the solvent to be exposed to vapor.
  • (1) is a powder X-ray diffraction pattern of the starting material (Form I crystal) before lyophilization
  • (2) is obtained after lyophilization-solvent vapor exposure.
  • the DTA profile (top) and TG profile (bottom) of Form II crystal obtained in Example 4 are shown.
  • the vertical axis represents heat ( ⁇ V), and the horizontal axis represents temperature (° C.).
  • the vertical axis represents weight change (%), and the horizontal axis represents temperature (° C.).
  • the infrared absorption spectrum pattern of Form II crystal obtained in Example 4 is shown.
  • the vertical axis represents the transmittance (%), and the horizontal axis represents the wave number (cm ⁇ 1 ).
  • the characteristic absorption band, attribution, and intensity of the infrared absorption spectrum of Form II crystal obtained in Example 4 are shown.
  • the adsorption / desorption behavior of the Form II crystal obtained in Example 4 is shown.
  • the vertical axis represents weight (% change), and the horizontal axis represents relative humidity (%).
  • Dissolution behavior of Form II crystals obtained in Example 4 in water (black circles) or pH 4.5 acetate buffer (open circles) and Form I crystals in water (black squares) or pH 4.5 acetate buffers The dissolution behavior for the liquid (open square) is shown.
  • the vertical axis represents the concentration (mg / mL), and the horizontal axis represents the time (hour) after dissolution in each solution.
  • the powder X-ray diffraction pattern of the Form I crystal obtained in Example 2 is shown.
  • the vertical axis represents intensity (cps), and the horizontal axis represents diffraction angle (2 ⁇ (°)).
  • the DTA profile and TG profile of Form I crystal obtained in Example 2 are shown.
  • the vertical axis indicates the amount of heat ( ⁇ V) and weight change (%), and the horizontal axis indicates the temperature (° C.).
  • 2 shows an infrared absorption spectrum pattern of Form I crystal of Compound I obtained in Example 2.
  • the vertical axis represents the transmittance (%), and the horizontal axis represents the wave number (cm ⁇ 1 ).
  • Compound II is a free form of Compound I, and International Nonproprietary Names (INN) are designated as E
  • the method for producing Compound II is not particularly limited, and for example, it can be produced by the methods described in Patent Documents 1 to 9 or a method analogous thereto.
  • JAN Japanese name of the Japanese generic name
  • Edoxaban Tosylate Hydrate the English name is called Edoxaban Tosylate Hydrate.
  • the method for producing Compound I is not particularly limited, but, for example, the methods described in Patent Documents 1 to 9 or methods similar thereto, for example, adding ethanol solution of p-toluenesulfonic acid to Compound II and adding hydrous ethanol Can be obtained as a crystalline compound by dissolving the compound II and then cooling the reaction solution to precipitate crystals.
  • the compound I crystal synthesized in this way has the powder X-ray diffraction as shown in FIG. 10 as the diffraction angle (2 ⁇ (°)) of the powder X-ray diffraction obtained using Cu—K ⁇ ray.
  • diffraction angles (2 ⁇ (°)) are 5.38 ⁇ 0.2, 8.08 ⁇ 0.2, 10.8 ⁇ 0.2, 13.5 ⁇ 0.2, 15.0. ⁇ 0.2, 16.9 ⁇ 0.2, 17.6 ⁇ 0.2, 20.5 ⁇ 0.2, 21.1 ⁇ 0.2, 22.7 ⁇ 0.2, 23.5 ⁇ 0 .2, 26.0 ⁇ 0.2, 27.3 ⁇ 0.2, 27.6 ⁇ 0.2 and 30.0 ⁇ 0.2 (°) with characteristic peaks.
  • a crystal of Compound I produced by the method described in Patent Documents 1 to 9 or a method similar thereto and exhibiting the powder X-ray diffraction pattern shown in FIG.
  • Form I crystal of Compound I is referred to as “Form I crystal of Compound I”. Alternatively, it may be referred to as “Form I crystal”.
  • the terms “Form I crystal of Compound I” and “Form I crystal” are used interchangeably herein.
  • Form I crystals of Compound I are further represented by the following (v) to (z): (V) a DTA profile having two endothermic peaks at about 250 ° C. to about 270 ° C .; (W) DTA profile represented in FIG.
  • amorphous means an amorphous solid having no regular three-dimensional crystal structure. Whether or not the target compound is amorphous is, for example, when the compound is subjected to powder X-ray diffraction analysis, a specific peak does not exist and a broad powder X-ray diffraction profile (halo) is generated. It is confirmed to be amorphous.
  • low crystalline solid means a metastable crystal having a low powder X-ray diffraction profile, which does not show a broader powder X-ray diffraction profile as amorphous, but has a low peak of powder X-ray diffraction. To do.
  • amorphous and “low crystalline solid” may be collectively referred to as amorphous or the like.
  • One form of the invention relates to Form II crystals of Compound I.
  • the results of powder X-ray diffraction analysis obtained using Cu-K ⁇ rays of Form II crystals of the present invention are shown in (2) of FIG. 1 (a), FIG. 3 or FIG.
  • the value of the powder X-ray diffraction analysis is a value obtained using Cu—K ⁇ ray.
  • One form of the invention is that of Compound I containing a peak at 22.3 ⁇ 0.2 (°) as the diffraction angle (2 ⁇ (°)) of powder X-ray diffraction obtained using Cu—K ⁇ rays.
  • Form II crystal Another aspect of the present invention provides a compound X comprising a peak at 23.2 ⁇ 0.2 (°) as the diffraction angle (2 ⁇ (°)) of powder X-ray diffraction obtained using Cu—K ⁇ rays.
  • Form II crystal crystal.
  • the diffraction angle (2 ⁇ (°)) of powder X-ray diffraction obtained using Cu—K ⁇ rays is 22.3 ⁇ 0.2 (°) and 23.2 ⁇ 0.
  • the diffraction angle (2 ⁇ (°)) of powder X-ray diffraction obtained using Cu—K ⁇ rays is 22.3 ⁇ 0.2 (°) or 23.2 ⁇ 0. .Related to Form II crystals of Compound I containing either 21.5 ⁇ 0.2 or 22.0 ⁇ 0.2 (°) peaks in addition to the peak at 2 (°).
  • the diffraction angle (2 ⁇ (°)) of powder X-ray diffraction obtained using Cu—K ⁇ rays is 13.9 °, 14.2 °, 15.8 °. , 16.2 [deg.], 18.2 [deg.], 21.5 [deg.], 22.0 [deg.], 22.3 [deg.], 23.2 [deg.], And 24.3 [deg.].
  • the diffraction angle (2 ⁇ (°)) of powder X-ray diffraction obtained using Cu—K ⁇ rays is 22.3 ⁇ 0.2 (°) or 23. Crystals containing peaks at any of 2 ⁇ 0.2 (°) are preferred, 21.5 ⁇ 0.2, 22.0 ⁇ 0.2, 22.3 ⁇ 0.2, and 23.2 ⁇ 0.2. Even more preferred is a crystal comprising at least two peaks selected from the group consisting of (°).
  • the diffraction angle (2 ⁇ (°)) of powder X-ray diffraction obtained using Cu—K ⁇ rays is shown as (2) in FIG.
  • a crystal having a chart or a peak represented by 3 or FIG. 4 is preferable. These peaks are particularly useful in distinguishing Compound I from the Fotom I crystals.
  • FIG. 1 (a) (1), FIG. 1 (a) (2), FIG. 1 (b) (1), and FIG. 1 (c) (1) show sharp peaks, and thus are judged to be crystals. be able to.
  • the signal / background ratio (S / B ratio) of the powder X-ray diffraction pattern of Form II crystals is smaller than that of Form I crystals, and Form II crystals are considered to have lower crystallinity than Form I crystals.
  • the crystal form having a small signal / background ratio is signal / background due to the nature of powder X-ray diffraction analysis. It may be difficult to detect because it is hidden behind a crystal peak with a large ratio.
  • FIG. 5 shows the results of differential thermal analysis (DTA) and thermal mass measurement (TG) of Form II crystals of Compound I of the present invention.
  • DTA differential thermal analysis
  • TG thermal mass measurement
  • One form of the invention is a compound I that exhibits a DTA profile having at least one endothermic peak at about 160 ° C. to about 170 ° C. or a DTA profile having at least one endothermic peak at about 215 ° C. to about 225 ° C. Of Form II crystals.
  • Another form of the present invention shows a DTA profile having at least one endothermic peak at about 160 ° C. to about 170 ° C., about 215 ° C. to about 225 ° C. and about 260 ° C. to about 270 ° C., respectively, or represented in FIG.
  • Form II crystals of Compound I exhibiting a DTA profile and a TG profile.
  • the Form II crystals of the present invention preferably exhibit a DTA profile having at least one endothermic peak at about 160 ° C. to about 170 ° C. or about 215 ° C. to about 225 ° C.
  • the Fourier transform infrared (FT-IR) absorption spectrum pattern of the compound of the present invention is shown in FIGS.
  • the infrared absorption spectrum was measured using Fourier transform infrared spectroscopy unless otherwise specified.
  • Each absorption band in the infrared absorption spectral pattern does not vary substantially from the values described herein as long as it is measured using the same type of infrared spectroscopy.
  • substantially not fluctuating means that each peak of the infrared absorption spectrum is recognized by those skilled in the art of crystallography (for example, the 15th revision, Japanese Pharmacopoeia, 2006 B-211-B -217, meaning that it can vary within the error range.
  • One embodiment of the present invention relates to a Form II crystal of Compound I having an absorption band at 3313 ⁇ 5 (cm ⁇ 1 ) as a Fourier transform infrared absorption spectrum. Another embodiment of the present invention relates to a Form II crystal of Compound I having an absorption band at 3354 ⁇ 5 (cm ⁇ 1 ) as a Fourier transform infrared absorption spectrum. One embodiment of the present invention relates to a Form II crystal of Compound I having an absorption band at 839 ⁇ 1 (cm ⁇ 1 ) as a Fourier transform infrared absorption spectrum.
  • One embodiment of the present invention relates to a Form II crystal of Compound I having an absorption band at 828 ⁇ 1 (cm ⁇ 1 ) as a Fourier transform infrared absorption spectrum.
  • Form II crystals of Compound I of the present invention preferably comprise any one absorption band selected from the group consisting of 3313 ⁇ 5, 828 ⁇ 1 and 839 ⁇ 1 (cm ⁇ 1 ).
  • Form II crystals of Compound I of the present invention preferably have the following characteristics in addition to the characteristics of the powder X-ray diffraction pattern described above: (A) a DTA profile having at least one endothermic peak at 160 ° C. to 170 ° C., 215 ° C. to 225 ° C. and 260 ° C. to 270 ° C., respectively; (B) DTA and TG profiles represented in FIG. 5; (C) Fourier transform infrared absorption spectrum pattern represented in FIG. 6, and (d) Fourier transform infrared absorption spectrum pattern indicating the absorption bands described in Table A and their intensities, Any one feature selected from the group consisting of:
  • One embodiment of the present invention relates to a method for producing Form II crystals of Compound I.
  • the method includes (a) making Compound I an amorphous or low crystalline solid and then (b) exposing the amorphous or low crystalline solid to solvent vapor.
  • Compound I used as a starting material in step (a) is compound I, regardless of the crystalline state.
  • Form I crystal, a mixture of Form I crystal and amorphous or low crystalline solid of compound I, as impurities Form I crystal including Form II crystal, Compound I whose crystal state has not been confirmed, Compound I in a form other than Form I crystal or Form II crystal, Form I including Compound I in a form other than Form I crystal or Form II crystal as impurities A crystal etc. are mentioned.
  • Compound I used as starting material in step (a) is preferably Form I crystals of Compound I.
  • Examples of the method for producing an amorphous or the like of Compound I include a method of pulverizing Compound I, a method of melting and cooling, a method of freezing and drying, or a method of spraying and drying, and preferably a method of melting and cooling or
  • the method of freeze-drying is mentioned, More preferably, the method of freeze-drying is mentioned, However, It is not limited to these.
  • the solvent is not particularly limited.
  • the water content is not particularly limited. For example, 5%, 10%, 20%, 30%, 40%, 50%, 60%, 70%, 80%, 90% or 95 % Water content solvents, preferably 30%, 40%, 50%, 60% or 70% water content solvents, even more preferably 40%, 50% or 60%.
  • a solvent with a water content is mentioned.
  • the amount of the solvent is not particularly limited.
  • the solvent is 100 mL to 500 mL with respect to 1 g of compound, and preferably 200 mL to 400 mL with respect to 1 g of compound.
  • the lyophilization temperature and time are not particularly limited. For example, lyophilization can be performed at a temperature between ⁇ 80 ° C. and 30 ° C. over several hours to 24 hours or more.
  • the Form II crystal of Compound I can be produced by exposing the amorphous or low crystalline solid of Compound I thus obtained to solvent vapor.
  • a method for producing Form II crystals by exposing an amorphous compound I to solvent vapor include the following methods. First, a first container (preferably an airtight container) and a second container that is smaller than the first container and can be accommodated in the first container are prepared, the exposure solvent is put into the first container, and the second container Amorphous I of Compound I is placed in the container and left until exposure temperature conditions are satisfied. When each container is in the exposure temperature condition, the second container is put in the first container without sealing, and the second container is put in the first container, and the lid of the first container The first container is sealed with parafilm or the like.
  • the hermetic stopper of the first container After exposing amorphous or the like to the solvent at the target temperature and time, the hermetic stopper of the first container is opened, and the crystals in the second container are recovered, so that Form II crystals of Compound I can be obtained.
  • the kind of the first container and the second container is not particularly limited, and examples thereof include a beaker and a vial, and can be appropriately selected according to the amount of Form II crystals of Compound I to be produced.
  • the materials of the first container and the second container are not particularly limited, and examples thereof include glass and metal containers, and can be appropriately selected by those skilled in the art.
  • the temperature at the time of solvent vapor exposure is not particularly limited, but is, for example, 0 ° C. to 50 ° C., preferably 5 ° C. to 40 ° C., more preferably 5 ° C., 25 ° C. or 40 ° C. More preferably, it is 5 ° C.
  • the time of exposure to the solvent vapor is not particularly limited and can be appropriately adjusted according to the exposure temperature, but is usually 1 day to 10 days, preferably 2 days to 5 days, more preferably, 3 days, 4 days or 5 days.
  • the amount of the solvent put into the first container is not particularly limited, but is usually an amount from the amount covering the entire bottom of the first container to about 1 cm below the edge of the second container, preferably the first container This is an amount that is 1 cm thick from the bottom of the container.
  • Examples of the solvent exposed to vapor include water, acetone, anisole, 1-butanol, 2-butanol, tert-butyl methyl ether, cumene, ethyl acetate, diethyl ether, isopropyl acetate, methyl acetate, methyl ethyl ketone (2-butanone),
  • Examples include 2-methyl-1-propanol, 1-propanol, 2-propanol, toluene, acetonitrile, dimethoxyethane, dimethoxymethane or acetic acid.
  • Preferred examples of the solvent exposed to vapor include anisole, acetone, 2-butanone, toluene, acetonitrile, dimethoxyethane, and dimethoxymethane, and more preferable examples include acetone, acetonitrile, and dimethoxymethane.
  • the temperature is not particularly limited, but is usually 0 ° C. to 50 ° C., preferably 5 ° C. to 40 ° C., more preferably 5 ° C., 25 ° C., 40 ° C. ° C, even more preferably 5 ° C.
  • the amount of acetonitrile put in the first container is not particularly limited, but is usually an amount from the amount covering the entire bottom of the first container to about 1 cm below the edge of the second container, preferably the first container The amount is 1 cm from the bottom of one container.
  • the time of exposure to acetonitrile vapor is not particularly limited, but is usually 2 to 10 days, preferably 3 days, 4 days, or 5 days.
  • the obtained crystals can be used in various devices useful for crystal analysis, including powder X-ray diffractometers, such as infrared spectrometers, thermal analyzers (for example, differential thermal analyzers or thermal mass spectrometers), water vapor adsorption. Its physical properties can be examined using a measuring device.
  • powder X-ray diffractometers such as infrared spectrometers, thermal analyzers (for example, differential thermal analyzers or thermal mass spectrometers), water vapor adsorption. Its physical properties can be examined using a measuring device.
  • Form II crystals of the compound I of the present invention are activated blood coagulation factor X (also referred to as FXa) inhibitor, blood coagulation inhibitor, thrombus or embolism prevention and / or. It is useful as a therapeutic agent.
  • blood coagulation factor X also referred to as FXa
  • FXa blood coagulation factor X
  • thrombus thrombus or embolism prevention and / or. It is useful as a therapeutic agent.
  • Form II crystals of compound I of the present invention are pharmaceuticals for mammals including humans, activated blood coagulation factor X inhibitors, blood coagulation inhibitors, thrombotic and / or embolic preventive and / or therapeutic agents, thrombotic Drugs for preventing and / or treating diseases, as well as cerebral infarction, cerebral embolism, pulmonary infarction, pulmonary embolism, myocardial infarction, angina pectoris, acute coronary syndrome (Acute Coronary Syndrome), non-valvular atrial fibrillation Thrombosis and / or embolism associated with Fibrilation (NVAF), deep vein thrombosis, deep vein thrombosis after surgery, thrombus formation after prosthetic valve / joint replacement, after total hip replacement (THR) Thromboembolism, total knee replacement (total knee replacement) nt, TKR), thromboembolism after hip fracture surgery (HFS), thrombus formation and / or reocclusion after revascularization
  • the medicament comprising the Form II crystal of the compound I of the present invention as an active ingredient is preferably a pharmaceutical composition comprising the Form II crystal of the compound I of the present invention and one or more pharmaceutically acceptable carriers.
  • Provided in the form of The dosage form of the medicament of the present invention is not particularly limited and can be administered orally or parenterally, but is preferably administered orally.
  • the present invention also relates to a pharmaceutical composition comprising Compound I.
  • the pharmaceutical composition of the present invention contains at least a part of the Form II crystal of the present invention as Compound I.
  • a crystal form other than Form II crystals (for example, Form I crystals) may exist as Compound I.
  • the ratio of Form II contained in the pharmaceutical composition is in the range of 0.01% by weight to 99.9% by weight, for example, 0.01% by weight or more, 0% with respect to the whole compound I in the pharmaceutical composition.
  • Examples of the pharmaceutically acceptable carrier used in the production of the above pharmaceutical composition include, for example, excipients, disintegrants or disintegration aids, binders, lubricants, coating agents, dyes, diluents, bases, Examples include, but are not limited to, a solubilizer or a solubilizer, an isotonic agent, a pH adjuster, a stabilizer, a propellant, or an adhesive.
  • preparations suitable for oral administration include tablets, powders, granules, capsules, solutions, syrups, elixirs, oily or aqueous suspensions, and the like.
  • preparations suitable for parenteral administration include injections, drops, suppositories, inhalants, and patches.
  • the dosage of the pharmaceutical composition containing the compound of the present invention, a pharmaceutically acceptable salt thereof or a solvate thereof as an active ingredient is not particularly limited, and depends on various conditions such as the age, weight, and symptoms of the patient.
  • the active ingredient is preferably 1 mg to 1000 mg, preferably 5 mg to 500 mg, more preferably 5 mg to 300 mg, still more preferably 5 mg to 100 mg per day for adults once to several times per day. Is preferably administered once or twice daily depending on the symptoms.
  • Example 3 Search for Crystal Polymorph of Compound I
  • Radiation source Cu-K ⁇ ray
  • filter none
  • detector proportional counter
  • tube voltage 40 kV
  • tube current 50 mA
  • scan mode continuous
  • scan speed 0.015 ° 2 ⁇ / s
  • apparatus X'pert MPD PW3040 (manufactured by Panalical)
  • Slurry stirring method About 100 mg of Form I crystals of Compound I were weighed into 32 glass vials, respectively, and 32 kinds of solvents (water, acetone, anisole, 1-butanol, 2-butanol, n-butyl acetate) , T-butyl methyl ether, cumene, ethanol, ethyl acetate, diethyl ether, ethyl formate, heptane, isobutyl acetate, isopropyl
  • the sample to which diethyl ether and pentane were added was stirred at a constant temperature of 20 ° C. for 61 hours or more.
  • the sample with the other solvent added was stirred at 50 ° C. for 50 hours and then cooled to 20 ° C.
  • the sample after stirring the slurry was centrifuged, the supernatant was removed with a Pasteur pipette, the remaining solvent was removed with filter paper, and then air-dried overnight.
  • Form I crystals of Compound I were heated and dissolved in the same manner as in methanol except that the solvent was changed to water, ethanol, acetonitrile, dimethyl sulfoxide or dimethylformamide, and recrystallization was attempted.
  • the obtained freeze-dried cake was placed in a metal drum (Mihiro Astec, stainless steel container, 4 L, CTH-18) containing a small amount of each solvent for vapor exposure (water, ethanol, or acetonitrile) together with a beaker. For any solvent vapor exposure, two beakers were exposed for reproducibility. After storing the metal drum in the refrigerator for 5 days, the freeze-dried cake was taken out of the container and dried overnight at normal pressure. The lyophilized cake exposed to solvent vapor was lightly mixed with a spatula.
  • FIG. 1 shows a powder X-ray diffraction pattern of Compound I obtained by freeze drying-solvent vapor exposure method. Reproducibility was obtained between two beakers for each solvent vapor exposure.
  • FIG. 1 shows representative results for Compound I obtained from either beaker for each solvent vapor exposure.
  • the sample exposed to acetonitrile vapor had a S / B ratio of 5 or more and showed a clear diffraction line, so it was determined to have crystallinity.
  • the sample exposed to acetonitrile vapor is different from the Form I crystal in both the diffraction angle and diffraction pattern of the main diffraction line, so the sample exposed to acetonitrile vapor was considered to have a different crystal form from the Form I crystal ( FIG. 1 (a) and FIG. 2).
  • the sample exposed to water vapor had an S / B ratio of 5 or more, but the number of diffraction lines was two or three, which was very small compared to a normal crystalline sample, and the shape of the diffraction lines was very broad. Therefore, it was determined that the crystallinity was low (FIG. 1 (b) and FIG. 2).
  • the sample exposed to ethanol vapor had a S / B ratio of 5 or more and showed a clear diffraction line, and thus was determined to be crystalline.
  • the crystal form of the sample exposed to ethanol vapor was considered to be a Form I crystal based on the diffraction angle of the main diffraction line and the equivalence of the diffraction pattern (FIG. 1 (c) and FIG. 2).
  • Form II crystal of Compound I 2.5 g of Form I crystal of Compound I was dissolved by adding 1000 mL of a water / 1,4-dioxane (1: 1) mixed solution, and about 80 mL of each solution was dissolved in 14 100 mL glasses. Dispensed into a beaker and lyophilized.
  • the obtained freeze-dried cake was placed in a metal drum (Mihiro Astec, stainless steel container, 4 L, CTH-18) containing a small amount of acetonitrile together with a beaker, and exposed to solvent vapor in a refrigerator (about 5 ° C.) for 8 days. .
  • the freeze-dried cake was taken out of the container and stored at room temperature for 6 days in a desiccator containing silica gel.
  • the freeze-dried cake exposed to the solvent vapor was collected from 14 glass beakers into one, and this was used for the following Test Examples 1 to 5.
  • Example 1 The Form II crystal obtained in Example 4 was prepared, and the crystal form was measured using a powder X-ray measuring apparatus.
  • the conditions for the powder X-ray measurement are the same as those in Example 3.
  • FIG. 3 shows the result of the powder X-ray diffraction pattern
  • FIG. 4 shows the characteristic peak and its relative intensity.
  • Example 2 The Form II crystal obtained in Example 4 was prepared, and thermal analysis (TG / DTA) measurement was performed.
  • Thermal analysis (TG / DTA) measurement conditions atmosphere: nitrogen 200 mL / min, temperature rising rate: 10 ° C./min, sample amount: about 3 mg, apparatus: TG / DTA6200 (manufactured by SII Nano Technologies)
  • the results are shown in FIG.
  • the crystals obtained in Example 4 exhibit a thermal analysis (DTA) profile with at least one endothermic peak at about 160 ° C. to about 170 ° C., about 215 ° C. to about 225 ° C. and about 260 ° C. to about 270 ° C., respectively. It was.
  • Example 3 The Form II crystal obtained in Example 4 was prepared, and the infrared absorption spectrum was measured. Conditions for infrared absorption spectrum measurement: measurement method: KBr tablet method, apparatus: FT-720 (manufactured by HORIBA) The results are shown in FIG. 6 and FIG.
  • the crystal obtained in Example 4 showed an infrared absorption spectrum pattern having characteristic absorption bands in the vicinity of 3300 to 3400 (cm ⁇ 1 ) and in the vicinity of 900 to 700 (cm ⁇ 1 ).
  • Test Example 4 Using a water vapor adsorption measuring apparatus (SGA-100.VTI Corporation), the change in weight over time in a relative humidity (RH) range of 10 to 90% of about 20 mg of Form II crystals obtained in Example 4 was measured.
  • RH relative humidity
  • Test Example 5 The solubility of Form II crystals obtained in Example 4 and Form I crystals of Compound I in water and acetate buffer (pH 4.5) at 37 ° C. was measured.
  • Form II crystals (40.4 mg), mannitol (99.2 mg), partially pregelatinized starch (42.0 mg), crospovidone (10.7 mg), hydroxypropylcellulose (6.1 mg), magnesium stearate (1 .6 mg) is manufactured according to known methods. Tablets can be coated as needed.

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Abstract

　本発明の課題は、血栓性および／または塞栓性疾患の予防および／または治療用の医薬化合物として有用な活性化血液凝固第Ｘ因子阻害作用を有する化合物の新規な結晶形を提供することである。本発明により、Ｎ１－（５－クロロピリジン－２－イル）－Ｎ２－（（１Ｓ，２Ｒ，４Ｓ）－４－［（ジメチルアミノ）カルボニル］－２－{［（５－メチル－４，５，６，７－テトラヒドロチアゾロ［５，４－ｃ］ピリジン－２－イル）カルボニル］アミノ}シクロヘキシル）エタンジアミド　ｐ－トルエンスルホン酸塩　一水和物の新規な結晶形およびその製造方法が提供される。

Description

ジアミン誘導体の結晶およびその製造方法
　本発明は、活性化血液凝固第Ｘ因子（ＦＸａ）の阻害作用を示し、血栓性疾患の予防剤および／または治療剤として有用な化合物の結晶に関する。
　活性化血液凝固第Ｘ因子（ＦＸａ）の阻害作用を示し、血栓性疾患の予防および／または治療薬として有用な化合物として、下記の式（Ｉ）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000015
で表されるＮ１－（５－クロロピリジン－２－イル）－Ｎ２－（（１Ｓ，２Ｒ，４Ｓ）－４－［（ジメチルアミノ）カルボニル］－２－｛［（５－メチル－４，５，６，７－テトラヒドロチアゾロ［５，４－ｃ］ピリジン－２－イル）カルボニル］アミノ｝シクロヘキシル）エタンジアミド　ｐ－トルエンスルホン酸塩　１水和物（本明細書中、化合物Ｉと称する場合がある。）が知られている（特許文献１～９）。化合物Ｉの結晶としては、特許文献９に記載の結晶（本明細書中、「化合物IのＦｏｒｍ　Ｉ結晶」または「Ｆｏｒｍ　Ｉ結晶」と称する場合がある。）が知られている。
ＷＯ０３／０００６５７ ＷＯ０３／０００６８０ ＷＯ０３／０１６３０２ ＷＯ０４／０５８７１５ ＷＯ０５／０４７２９６ ＷＯ０７／０３２４９８ ＷＯ０８／１２９８４６ ＷＯ０８／１５６１５９ 特開２０１０－２５４６１５
　本発明の課題は、化合物Ｉの新規な結晶を提供することにある。
　本発明者らが化合物Ｉの新規な結晶の獲得を試みたところ、結晶多形の探索のために通常用いられるスラリー攪拌法や再結晶法では、結晶化条件を種々変えてみても化合物Ｉの新規な結晶を再現性よく安定して得ることはできなかった。しかし、試行錯誤の結果、本発明者は、化合物Ｉを一旦アモルファスまたは低結晶性固体にし、次いで、溶媒蒸気に曝露させるという特殊な条件によって初めて新規な結晶（本明細書中、「化合物ＩのＦｏｒｍ　ＩＩ結晶」または「Ｆｏｒｍ　ＩＩ結晶」と称する場合がある。用語「化合物ＩのＦｏｒｍ　ＩＩ結晶」および「Ｆｏｒｍ　ＩＩ結晶」は、本明細書中、交換可能に使用される。）を再現性よく安定して得ることができることを見出し、本発明を完成した。
　すなわち、本発明は、以下に関する。
［１］Ｃｕ－Ｋα線を使用して得られる粉末Ｘ線回折の回折角（２θ）として、２２．３±０．２または２３．２±０．２（°）におけるピークを含む、化合物ＩのＦｏｒｍ　ＩＩ結晶；
［２］Ｃｕ－Ｋα線を使用して得られる粉末Ｘ線回折の回折角（２θ）として、２２．３±０．２および２３．２±０．２（°）におけるピークを含む、［１］に記載の結晶；
［３］Ｃｕ－Ｋα線を使用して得られる粉末Ｘ線回折の回折角（２θ）として、２１．５±０．２または２２．０±０．２（°）のいずれかのピークをさらに含む、［１］に記載の結晶；
［４］Ｃｕ－Ｋα線を使用して得られる粉末Ｘ線回折による回折角（２θ）として、１３．９±０．２、１４．２±０．２、１５．８±０．２、１６．２±０．２、１８．２±０．２、２１．５±０．２、２２．０±０．２、２２．３±０．２、２３．２±０．２および２４．３±０．２（°）におけるピークを含む、［１］に記載の結晶；
［５］Ｃｕ－Ｋα線を使用して得られる粉末Ｘ線回折が、図１（ａ）（２）または図３のいずれかのパターンを示す、［１］に記載の結晶；
［６］１６０℃～１７０℃または２１５℃～２２５℃のいずれか１つに少なくとも１つの吸熱ピークを有する示差熱分析（Ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌ　Ｔｈｅｒｍａｌ　Ａｎａｌｙｓｉｓ、ＤＴＡ）プロフィールを示す、［１］に記載の結晶；
［７］フーリエ変換型赤外吸収スペクトルパターンとして３３１３±５、８３９±１および８２８±１（ｃｍ－１）からなる群から選択されるいずれか１つの吸収帯を含む、［１］に記載の結晶；
［８］下記の（ａ）～（ｄ）：
（ａ）１６０℃～１７０℃、２１５℃～２２５℃および２６０℃～２７０℃にそれぞれ少なくとも１つの吸熱ピークを有する示差熱分析プロフィール；
（ｂ）図５で表される示差熱分析（ＤＴＡ）プロフィールおよび熱質量測定（Ｔｈｅｒｍｏｇｒａｖｉｍｅｔｒｙ、ＴＧ）プロフィール；
（ｃ）図６で表されるフーリエ変換型赤外吸収スペクトルパターン；および
（ｄ）次の表Ａ
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000016
に記載の吸収帯およびそれらの強度を示すフーリエ変換型赤外吸収スペクトルパターン、
からなる群から選択される少なくとも１つの特徴を有する、［１］に記載の結晶；
［９］Ｃｕ－Ｋα線を使用して得られる粉末Ｘ線回折の回折角（２θ）として、２２．３±０．２（°）または２３．２±０．２（°）におけるピークを含む、化合物ＩのＦｏｒｍ　ＩＩ結晶の製造方法であって、
（ａ）化合物Ｉをアモルファスまたは低結晶性固体にする工程、次いで、（ｂ）該アモルファスまたは低結晶性固体を溶媒蒸気に曝露する工程、を包含する、方法；
［１０］工程（ａ）において、前記アモルファスまたは低結晶性固体を、化合物Ｉの粉砕、融解冷却、凍結乾燥または噴霧乾燥により作製する、［９］に記載の方法；
［１１］工程（ａ）において、前記アモルファスまたは低結晶性固体を、化合物Ｉの凍結乾燥により作製する、［９］に記載の方法；
［１２］工程（ａ）において、前記アモルファスまたは低結晶性固体を、化合物Ｉを水、ジオキサン、含水ジオキサンまたはジメチルスルホキシドに溶解した後、凍結乾燥することにより作製する、［９］に記載の方法；
［１３］工程（ａ）において、前記アモルファスまたは低結晶性固体を、化合物Ｉを含水ジオキサンに溶解した後、凍結乾燥することにより作製する、［９］に記載の方法；
［１４］工程（ｂ）において、蒸気曝露させる溶媒が、アニソール、アセトン、２－ブタノン、トルエン、アセトニトリル、ジメトキシエタンまたはジメトキシメタンである、［９］に記載の方法；
［１５］工程（ｂ）において、蒸気曝露させる温度が０℃～５０℃である、［９］に記載の方法；
［１６］工程（ｂ）において、蒸気曝露させる時間が１日～１０日である、［９］に記載の方法；
［１７］工程（ａ）の化合物Ｉが、化合物ＩのＦｏｒｍ　Ｉ結晶である、［９］に記載の方法；
［１８］Ｆｏｒｍ　ＩＩ結晶が、Ｃｕ－Ｋα線を使用して得られる粉末Ｘ線回折の回折角（２θ）として、２２．３±０．２（°）および２３．２±０．２（°）のピークを含む、［９］に記載の方法；
［１９］Ｆｏｒｍ　ＩＩ結晶が、Ｃｕ－Ｋα線を使用して得られる粉末Ｘ線回折の回折角（２θ）として、２１．５±０．２または２２．０±０．２（°）のいずれかのピークをさらに含む、［９］に記載の方法；
［２０］Ｆｏｒｍ　ＩＩ結晶が、Ｃｕ－Ｋα線を使用して得られる粉末Ｘ線回折による回折角（２θ）として、１３．９±０．２、１４．２±０．２、１５．８±０．２、１６．２±０．２、１８．２±０．２、２１．５±０．２、２２．０±０．２、２２．３±０．２、２３．２±０．２および２４．３±０．２（°）におけるピークを含む、［９］に記載の方法；
［２１］Ｆｏｒｍ　ＩＩ結晶が、Ｃｕ－Ｋα線を使用して得られる粉末Ｘ線回折として、図１（ａ）（２）または図３のいずれかのパターンを示す、［９］に記載の方法；
［２２］Ｆｏｒｍ　ＩＩ結晶が、１６０℃～１７０℃または２１５℃～２２５℃のいずれか１つに少なくとも１つの吸熱ピークを有する示差熱分析（ＤＴＡ）プロフィールを示す、［９］に記載の方法；
［２３］Ｆｏｒｍ　ＩＩ結晶が、フーリエ変換型赤外吸収スペクトルパターンとして３３１３±５、８３９±１および８２８±１（ｃｍ－１）からなる群から選択されるいずれか１つの吸収帯を含む、［９］に記載の方法；
［２４］Ｆｏｒｍ　ＩＩ結晶が、下記の（ａ）～（ｄ）：
（ａ）１６０℃～１７０℃、２１５℃～２２５℃および２６０℃～２７０℃にそれぞれ少なくとも１つの吸熱ピークを有する示差熱分析（ＤＴＡ）プロフィール；
（ｂ）図５で表される示差熱分析（ＤＴＡ）および熱質量測定（ＴＧ）プロフィール；
（ｃ）図６で表されるフーリエ変換型赤外吸収スペクトルパターン；および
（ｄ）上記の表Ａに記載の吸収帯およびそれらの強度を示すフーリエ変換型赤外吸収スペクトルパターン、
からなる群から選択される少なくとも１つの特徴を有する、［９］に記載の方法；
［２５］［９］～［２４］のいずれか１に記載の方法で得られる化合物ＩのＦｏｒｍ　ＩＩ結晶；
［２６］［１］～［８］もしくは［２５］のいずれか１に記載の化合物ＩのＦｏｒｍ　ＩＩ結晶または［９］～［２４］のいずれか１に記載の方法で得られる化合物ＩのＦｏｒｍ　ＩＩ結晶を含有する医薬；
［２７］活性化血液凝固第Ｘ因子阻害剤である、［２６］に記載の医薬；
［２８］血栓または塞栓の予防および／または治療剤である、［２７］に記載の医薬；
［２９］脳梗塞、脳塞栓、肺梗塞、肺塞栓、心筋梗塞、狭心症、急性冠症候群、非弁膜性心房細動（ＮＶＡＦ）に伴う血栓および／または塞栓症、深部静脈血栓症、外科的手術後の深部静脈血栓症、人工弁／関節置換後の血栓形成、股関節全置換術（ＴＨＲ）後の血栓塞栓症、膝関節全置換術（ＴＫＲ）後の血栓塞栓症、股関節骨折手術（ＨＦＳ）後の血栓塞栓症、血行再建後の血栓形成および／または再閉塞、バージャー病、汎発性血管内凝固症候群、全身性炎症性反応症候群（ＳＩＲＳ）、多臓器不全（ＭＯＤＳ）、体外循環時の血栓形成あるいは採血時の血液凝固の予防剤および／または治療剤である、［２８］に記載の医薬；
［３０］［１］～［８］もしくは［２５］のいずれか１に記載の化合物ＩのＦｏｒｍ　ＩＩ結晶または［９］～［２４］のいずれか１に記載の方法で得られる化合物ＩのＦｏｒｍ　ＩＩ結晶及び薬学的に許容される担体を含む、医薬組成物；および
［３１］化合物Ｉを含む医薬組成物であって、［１］～［８］もしくは［２５］のいずれか１に記載の化合物ＩのＦｏｒｍ　ＩＩ結晶または［９］～［２４］のいずれか１に記載の方法で得られる化合物ＩのＦｏｒｍ　ＩＩ結晶を、当該医薬組成物中の化合物Ｉ全重量に対して、０．０１重量％～９９．９重量％含む、医薬組成物。
　本発明によれば、化合物Ｉの新規な結晶形およびその製造方法が提供される。
実施例３（４）の凍結乾燥－溶媒蒸気曝露法で得られた化合物Ｉの粉末Ｘ線回折パターンを示す。（ａ）～（ｃ）の各図とも、縦軸に強度（ｃｐｓ）を横軸に回折角（２θ（°））を示す。各図は、それぞれ、蒸気曝露させる溶媒として（ａ）アセトニトリル、（ｂ）水、または（ｃ）エタノールを用いて得られた結晶の粉末Ｘ線回折の結果である。（ａ）～（ｃ）の各図において、（１）は、凍結乾燥前の出発物質（Ｆｏｒｍ　Ｉ結晶）の粉末Ｘ線回折パターンであり、（２）は、凍結乾燥－溶媒蒸気曝露後に得られた物質の粉末Ｘ線回折パターンである。 実施例３（４）の凍結乾燥－溶媒蒸気曝露法により得られた物質の最大回折線と２θ＝１０°付近のバックグランドの係数比（Ｓ／Ｂ比）と結晶形の判定結果をまとめる。 実施例４で得られたＦｏｒｍ　ＩＩ結晶の粉末Ｘ線回折パターンを示す。縦軸に強度（ｃｐｓ）を横軸に回折角（２θ（°））を示す。 実施例４で得られたＦｏｒｍ　ＩＩ結晶の粉末Ｘ線回折の特徴的ピーク（２θ（°））、ｄ値（Å）および相対強度（％）を示す。 実施例４で得られたＦｏｒｍ　ＩＩ結晶のＤＴＡプロフィール（上）およびＴＧプロフィール（下）を示す。ＤＴＡの図は、縦軸に熱量（μＶ）を、横軸に温度（℃）を示す。ＴＧの図は、縦軸に重量変化（％）を、横軸に温度（℃）を示す。 実施例４で得られたＦｏｒｍ　ＩＩ結晶の赤外吸収スペクトルパターンを示す。縦軸に透過率（％）を、横軸に波数（ｃｍ－１）を示す。 実施例４で得られたＦｏｒｍ　ＩＩ結晶の赤外吸収スペクトルの特徴的な吸収帯、帰属および強度を示す。 実施例４で得られたＦｏｒｍ　ＩＩ結晶の吸脱湿挙動を示す。縦軸に重量（％変化）を、横軸に相対湿度（％）を示す。 実施例４で得られたＦｏｒｍ　ＩＩ結晶の、水（黒丸）またはｐＨ４．５酢酸緩衝液（白抜き丸）に対する溶解挙動、ならびに、Ｆｏｒｍ　Ｉ結晶の、水（黒四角）またはｐＨ４．５酢酸緩衝液（白抜き四角）に対する溶解挙動を示す。縦軸は、濃度（ｍｇ／ｍＬ）を、横軸は各溶液に溶解させてからの時間（時間）を示す。 実施例２で得られたＦｏｒｍ　Ｉ結晶の粉末Ｘ線回折パターンを示す。縦軸に強度（ｃｐｓ）を横軸に回折角（２θ（°））を示す。 実施例２で得られたＦｏｒｍ　Ｉ結晶のＤＴＡプロフィールおよびＴＧプロフィールを示す。縦軸に熱量（μＶ）と重量変化（％）、横軸に温度（℃）を示す。 実施例２で得られた化合物ＩのＦｏｒｍ　Ｉ結晶の赤外吸収スペクトルパターンを示す。縦軸に透過率（％）を、横軸に波数（ｃｍ－１）を示す。
　以下に、本発明を詳細に説明する。
　下記の式（ＩＩ）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000017
で表される、Ｎ１－（５－クロロピリジン－２－イル）－Ｎ２－（（１Ｓ，２Ｒ，４Ｓ）－４－［（ジメチルアミノ）カルボニル］－２－｛［（５－メチル－４，５，６，７－テトラヒドロチアゾロ［５，４－ｃ］ピリジン－２－イル）カルボニル］アミノ｝シクロヘキシル）エタンジアミド（N1-(5-chloropyridin-2-yl)-N2-((1S, 2R,4S)-4-[(dimethylamino)carbonyl］-2-{[(5-methyl-4, 5, 6,7-tetrahydrothiazolo[5, 4-c] pyridin-2-yl)carbonyl]amino}cyclohexyl） ethanediamide）（以下、化合物ＩＩと称する場合がある。）は、化合物Ｉのフリー体であり、国際一般名称（International Nonproprietary Names、INN)を、エドキサバン（edoxaban）、Ｎ－（５－クロロピリジン－２－イル）－Ｎ’－［（１Ｓ，２Ｒ，４Ｓ）－４－（Ｎ，Ｎ－ジメチルカルバモイル）－２－（５－メチル－４，５，６，７－テトラヒドロ［１，３］チアゾロ［５，４－ｃ］ピリジン－２－カルボキサミド）シクロヘキシル］オキサミド（N-(5-chloropyridin-2-yl)-N'-[(1S, 2R, 4S)-4-(N,N-dimethylcarbamoyl)-2-(5-methyl-4, 5, 6, 7-tetrahydro[1, 3]thiazolo[5,4-c]pyridine-2-carboxamido)cyclohexyl]oxamide）という。
　化合物ＩＩを製造する方法は特に限定されないが、例えば、特許文献１～９に記載の方法またはこれらに準ずる方法で製造することができる。
　化合物Ｉは、日本の医薬品一般的名称（ＪＡＮ）の日本名をエドキサバントシル酸塩水和物といい、英名をＥｄｏｘａｂａｎ　Ｔｏｓｉｌａｔｅ　Ｈｙｄｒａｔｅという。
　化合物Ｉを製造する方法は特に限定されないが、例えば、特許文献１～９に記載の方法またはこれらに準ずる方法、例えば、化合物ＩＩにｐ－トルエンスルホン酸のエタノール溶液を添加後、含水エタノールを追加で添加して化合物ＩＩを溶解し、次いで、反応液を冷却して結晶を析出させることによって、結晶性の化合物として得ることができる。このようにして合成された化合物Ｉの結晶は、Ｃｕ－Ｋα線を使用して得られる粉末Ｘ線回折の回折角（２θ（°））として、図１０で表されるような粉末Ｘ線回折パターンを示し、回折角（２θ（°））としては、５．３８±０．２、８．０８±０．２、１０．８±０．２、１３．５±０．２、１５．０±０．２、１６．９±０．２、１７．６±０．２、２０．５±０．２、２１．１±０．２、２２．７±０．２、２３．５±０．２、２６．０±０．２、２７．３±０．２、２７．６±０．２および３０．０±０．２（°）に特徴的ピークを有する。本明細書中、特許文献１～９に記載の方法またはこれらに準ずる方法で製造され、図１０で表される粉末Ｘ線回折パターンを示す化合物Ｉの結晶を、「化合物ＩのＦｏｒｍ　Ｉ結晶」または「Ｆｏｒｍ　Ｉ結晶」と称する場合がある。用語「化合物ＩのＦｏｒｍ　Ｉ結晶」および「Ｆｏｒｍ　Ｉ結晶」は、本明細書中、交換可能に使用される。化合物ＩのＦｏｒｍ　Ｉ結晶は、さらに、下記の（ｖ）～（ｚ）：
（ｖ）約２５０℃～約２７０℃に２本の吸熱ピークを有するＤＴＡプロフィール；
（ｗ）図１１で表されるＤＴＡプロフィール；
（ｘ）赤外吸収スペクトルとして３３４４±５、１６７５±２、１６１４±２、１５０３±２、１２２２±１、１１７１±１、１０３３±１、１０１２±１、８４３±１、８２５±１および８０２±１（ｃｍ－１）からなる群から選択されるいずれか１つの吸収帯を含む；
（ｙ）図１２で表される赤外吸収スペクトルパターン；および／または
（ｚ）融点（分解）が約２４６℃～約２５０℃；
の群から選択されるいずれかの特徴を有する。
　本明細書において、「アモルファス」とは、規則的な三次元の結晶構造を持たない非晶質固体のことをいう。目的の化合物がアモルファスであるかどうかは、例えば、当該化合物を粉末Ｘ線回折解析にかけた場合に、特定のピークが存在せずブロードな粉末Ｘ線回折のプロファイル（ハロー）が生成される場合、アモルファスであることが確認される。
　本明細書において、「低結晶性固体」とは、アモルファスほどブロードな粉末Ｘ線回折のプロフィールは示さないが、粉末Ｘ線回折のピークが弱い、結晶性の低い準安定な結晶のことを意味する。
　本明細書において、「アモルファス」および「低結晶性固体」を総称して、アモルファス等と称する場合がある。
　本発明の１つの形態は、化合物ＩのＦｏｒｍ　ＩＩ結晶に関する。
　本発明のＦｏｒｍ　ＩＩ結晶のＣｕ－Ｋα線を使用して得られる粉末Ｘ線回折分析の結果を、図１（ａ）の（２）、図３または図４に示す。本明細書において、特に記載されない限り、粉末Ｘ線回折分析の値はＣｕ－Ｋα線を使用して得られた値である。Ｃｕ－Ｋα線以外のＸ線を用いた場合、２θ（°）は、式２ｄｓｉｎθ＝ｎλ（ｄは２つの面の間隔、ｎは任意の整数、λはＸ線の波長）の式に従って変動するが、これらは本願発明のＦｏｒｍ　ＩＩ結晶を実質的に等価な別の表現方法によって表現したものに過ぎず、本願発明の範囲に含まれ、このことは結晶分野の当業者によって容易に理解され得る。また、これらのチャートによって示されるピークの相対強度は、例えば、サンプルの結晶化の程度または調製方法などに依存して変動し得る。２θ（°）は、実質的に変動しないが、結晶分野の当業者によって認識されている程度の誤差範囲（一般に、±０．２°の範囲）内で変動し得る。
　本発明の１つの形態は、Ｃｕ－Ｋα線を使用して得られる粉末Ｘ線回折の回折角（２θ（°））として、２２．３±０．２（°）におけるピークを含む化合物ＩのＦｏｒｍ　ＩＩ結晶に関する。本発明の別の形態は、Ｃｕ－Ｋα線を使用して得られる粉末Ｘ線回折の回折角（２θ（°））として、２３．２±０．２（°）におけるピークを含む化合物ＩのＦｏｒｍ　ＩＩ結晶に関する。本発明の別の形態は、Ｃｕ－Ｋα線を使用して得られる粉末Ｘ線回折の回折角（２θ（°））として、２２．３±０．２（°）および２３．２±０．２（°）におけるピークを含む化合物ＩのＦｏｒｍ　ＩＩ結晶に関する。本発明のさらに別の形態は、Ｃｕ－Ｋα線を使用して得られる粉末Ｘ線回折の回折角（２θ（°））として、２２．３±０．２（°）または２３．２±０．２（°）におけるピークに加えて、２１．５±０．２または２２．０±０．２（°）のいずれかのピークを含む化合物ＩのＦｏｒｍ　ＩＩ結晶に関する。また、本発明のさらに別の形態は、Ｃｕ－Ｋα線を使用して得られる粉末Ｘ線回折の回折角（２θ（°））として、１３．９°、１４．２°、１５．８°、１６．２°、１８．２°、２１．５°、２２．０°、２２．３°、２３．２°、２４．３°にピークを含む化合物ＩのＦｏｒｍ　ＩＩ結晶に関する。
　本発明の化合物ＩのＦｏｒｍ　ＩＩ結晶としては、Ｃｕ－Ｋα線を使用して得られる粉末Ｘ線回折の回折角（２θ（°））として、２２．３±０．２（°）または２３．２±０．２（°）のいずれかにおけるピークを含む結晶が好ましく、２１．５±０．２、２２．０±０．２、２２．３±０．２及び２３．２±０．２（°）からなる群から選択される少なくとも２つのピークを含む結晶がさらにより好ましい。また、本発明の化合物ＩのＦｏｒｍ　ＩＩ結晶としては、Ｃｕ－Ｋα線を使用して得られる粉末Ｘ線回折の回折角（２θ（°））として、図１（ａ）の（２）、図３または図４で表されるチャートまたはピークを有する結晶が好ましい。これらのピークは、化合物ＩのＦｏｔｍ　Ｉ結晶との識別において特に有用である。
　化合物が結晶性であるかどうかは、粉末Ｘ線回折の結果から判断することができる。例えば、図１（ａ）（１）、図１（ａ）（２）、図１（ｂ）（１）および図１（ｃ）（１）は、シャープなピークを示すので、結晶と判断することができる。一方、図１（ｂ）（２）は、２θ＝１７．５付近のピーク以外はブロードであり、結晶性が低い化合物を判断することができる。Ｆｏｒｍ　ＩＩ結晶の粉末Ｘ線回折パターンのシグナル／バックグランド比（Ｓ／Ｂ比）はＦｏｒｍ　Ｉ結晶のそれに比べ小さく、Ｆｏｒｍ　ＩＩ結晶はＦｏｒｍ　Ｉ結晶と比べて結晶性が低いと考えられる。粉末Ｘ線回折を用いて結晶を分析する場合、試料中に２以上の多形が含まれると、粉末Ｘ線回折分析の性質上、シグナル／バックグランド比が小さい結晶形は、シグナル／バックグランド比が大きい結晶形のピークに隠れて検出が困難になることがある。
　本発明の化合物ＩのＦｏｒｍＩＩ結晶の示差熱分析（ＤＴＡ）および熱質量測定（ＴＧ）の結果を図５に示す。本発明の１つの形態は、約１６０℃～約１７０℃に少なくとも１つの吸熱ピークを有するＤＴＡプロフィールを示すかまたは約２１５℃～約２２５℃に少なくとも１つの吸熱ピークを有するＤＴＡプロフィールを示す化合物ＩのＦｏｒｍ　ＩＩ結晶に関する。本発明の別の形態は、約１６０℃～約１７０℃、約２１５℃～約２２５℃および約２６０℃～約２７０℃にそれぞれ少なくとも１つの吸熱ピークを有するＤＴＡプロフィールを示すか、図５で表されるＤＴＡプロフィールおよびＴＧプロフィールを示す化合物ＩのＦｏｒｍ　ＩＩ結晶に関する。本発明のＦｏｒｍ　ＩＩ結晶は、好ましくは、約１６０℃～約１７０℃または約２１５℃～約２２５℃に少なくとも１つの吸熱ピークを有するＤＴＡプロフィールを示す。
　本発明の化合物のフーリエ変換型赤外（ＦＴ－ＩＲ）吸収スペクトルパターンを図６、図７および表Ａに示す。本明細書において、赤外吸収スペクトルは、特に記載されない限り、フーリエ変換型赤外分光法を用いて測定した。赤外吸収スペクトルパターンにおける各吸収帯は、同じ型の赤外分光法を用いて測定される限り、本明細書に記載される値から実質的に変動しない。ここで、実質的に変動しないとは、赤外吸収スペクトルの各ピークは、結晶分野の当業者によって認識されている程度（例えば、第十五改正　日本薬局方解説書　２００６年Ｂ－２１１～Ｂ－２１７を参照のこと。）の誤差範囲内で変動し得ることを意味する。
　本発明の１つの形態は、フーリエ変換型赤外吸収スペクトルとして３３１３±５（ｃｍ－１）に吸収帯を有する化合物ＩのＦｏｒｍ　ＩＩ結晶に関する。本発明の別の形態は、フーリエ変換型赤外吸収スペクトルとして３３５４±５（ｃｍ－１）に吸収帯を有する化合物ＩのＦｏｒｍ　ＩＩ結晶に関する。本発明の１つの形態は、フーリエ変換型赤外吸収スペクトルとして８３９±１（ｃｍ－１）に吸収帯を有する化合物ＩのＦｏｒｍ　ＩＩ結晶に関する。本発明の１つの形態は、フーリエ変換型赤外吸収スペクトルとして８２８±１（ｃｍ－１）に吸収帯を有する化合物ＩのＦｏｒｍ　ＩＩ結晶に関する。本発明の化合物ＩのＦｏｒｍ　ＩＩ結晶は、好ましくは、３３１３±５、８２８±１および８３９±１（ｃｍ－１）からなる群から選択されるいずれか１つの吸収帯を含む。
　さらに、本発明の化合物ＩのＦｏｒｍ　ＩＩ結晶は、好ましくは、上述した粉末Ｘ線回折パターンによる特徴に加え、下記の：
（ａ）１６０℃～１７０℃、２１５℃～２２５℃および２６０℃～２７０℃にそれぞれ少なくとも１つの吸熱ピークを有するＤＴＡプロフィール；
（ｂ）図５で表されるＤＴＡおよびＴＧプロフィール；
（ｃ）図６で表されるフーリエ変換型赤外吸収スペクトルパターン、および
（ｄ）上記の表Ａに記載の吸収帯およびそれらの強度を示すフーリエ変換型赤外吸収スペクトルパターン、
からなる群から選択されるいずれか１つの特徴を有する。
　本発明の１つの形態は、化合物ＩのＦｏｒｍ　ＩＩ結晶の製造方法に関する。当該方法は、（ａ）化合物Ｉをアモルファスまたは低結晶性固体にする工程、次いで、（ｂ）該アモルファスまたは低結晶性固体を溶媒蒸気に曝露する工程、を包含する。工程（ａ）において出発材料として用いられる化合物Ｉは、化合物Ｉであれば結晶の状態を問わず、例えば、Ｆｏｒｍ　Ｉ結晶、Ｆｏｒｍ　Ｉ結晶と化合物Ｉのアモルファスや低結晶固体との混合物、不純物としてＦｏｒｍ　ＩＩ結晶を含むＦｏｒｍ　Ｉ結晶、結晶状態が未確認の化合物Ｉ、Ｆｏｒｍ　Ｉ結晶やＦｏｒｍ　ＩＩ結晶以外の形態の化合物Ｉ、不純物としてＦｏｒｍ　Ｉ結晶やＦｏｒｍ　ＩＩ結晶以外の形態の化合物Ｉを含むＦｏｒｍ　Ｉ結晶等が挙げられる。工程（ａ）において出発材料として用いられる化合物Ｉは、好ましくは、化合物ＩのＦｏｒｍ　Ｉ結晶である。
　化合物Ｉのアモルファス等を作成する方法としては、例えば、化合物Ｉを粉砕する方法、融解し冷却する方法、凍結し乾燥する方法または噴霧し乾燥する方法が挙げられ、好ましくは、融解冷却する方法または凍結乾燥する方法が挙げられ、より好ましくは、凍結乾燥する方法が挙げられるが、これらに限定されない。
　化合物Ｉを溶媒に溶解した後、凍結乾燥することで化合物Ｉをアモルファス等にする場合、当該溶媒は特に限定されないが、例えば、水、ジオキサン、含水ジオキサン、ジメチルスルホキシド、ジオキサン／ジメチルスルホキシド混液、水／ジオキサン／ジメチルスルホキシド混液、メタノール、アセトニトリル、テトラヒドロフラン、含水テトラヒドロフラン、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミドが挙げられ、好ましくは、１，４－ジオキサン、含水１，４－ジオキサン、１，４－ジオキサン／ジメチルスルホキシド混液、水／１，４－ジオキサン／ジメチルスルホキシド混液が挙げられ、より好ましくは、含水１，４－ジオキサンが挙げられる。当該溶媒が含水溶媒である場合、含水率は特に限定されないが、例えば、５％、１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％または９５％の含水率の溶媒が挙げられ、好ましくは、３０％、４０％、５０％、６０％または７０％の含水率の溶媒が挙げられ、さらにより好ましくは、４０％、５０％または６０％の含水率の溶媒が挙げられる。溶媒の量は特に限定されないが、例えば、化合物１ｇに対し溶媒１００ｍＬ～５００ｍＬ、好ましくは、化合物１ｇに対し溶媒２００ｍＬ～４００ｍＬである。凍結乾燥温度と時間は特に限定されないが、例えば、－８０℃から３０℃の間で数時間～２４時間以上かけて凍結乾燥させることができる。
　このようにして得られた化合物Ｉのアモルファスまたは低結晶性固体を溶媒蒸気に曝露することで、化合物ＩのＦｏｒｍ　ＩＩ結晶を作製することができる。化合物Ｉのアモルファス等を溶媒蒸気に曝露してＦｏｒｍ　ＩＩ結晶を作製する方法としては、例えば、以下のような方法が挙げられる。まず、第１の容器（気密容器が好ましい）と、第１の容器よりも小型で第１の容器内に収納できる第２の容器を用意し、第１の容器に曝露溶媒を入れ、第２の容器に化合物Ｉのアモルファス等を入れ、それぞれ、曝露温度条件になるまで放置する。それぞれの容器が曝露温度条件になったところで、第２の容器を密封することなく第１の容器に入れ、第２の容器が第１の容器に入った状態で、第１の容器の蓋やパラフィルム等で第１の容器を密封する。目的の温度および時間でアモルファス等を溶媒に曝露した後、第１の容器の密栓を開け、第２の容器内の結晶を回収することで化合物ＩのＦｏｒｍ　ＩＩ結晶を得ることができる。ここで、第１の容器および第２の容器の種類は特に限定されず、例えば、ビーカーやバイアル瓶が挙げられ、作製したい化合物ＩのＦｏｒｍ　ＩＩ結晶の量に応じて、適宜選択され得る。第１の容器および第２の容器の材質も特に限定されず、例えば、ガラス製や金属製の容器が挙げられ、当業者によって適宜選択され得る。
　溶媒蒸気曝露の際の温度は特に限定されないが、例えば、０℃～５０℃であり、好ましくは、５℃～４０℃であり、より好ましくは、５℃、２５℃または４０℃であり、さらにより好ましくは、５℃である。
　溶媒蒸気に曝露させる時間は特に限定されず、また、曝露温度に応じて適宜調節され得るが、通常、１日から１０日であり、好ましくは、２日から５日であり、より好ましくは、３日、４日または５日である。
　第１の容器に入れる溶媒の量は、特に限定されないが、通常、第１の容器の底全体を覆う量から第２の容器の縁から約１ｃｍ下までの量であり、好ましくは、第１の容器の底から１ｃｍの量の厚さとなる量である。
　蒸気曝露させる溶媒としては、例えば、水、アセトン、アニソール、１－ブタノール、２－ブタノール、ｔｅｒｔ－ブチルメチルエーテル、クメン、酢酸エチル、ジエチルエーテル、酢酸イソプロピル、酢酸メチル、メチルエチルケトン（２－ブタノン）、２－メチル－１－プロパノール、１－プロパノール、２－プロパノール、トルエン、アセトニトリル、ジメトキシエタン、ジメトキシメタンまたは酢酸が挙げられる。蒸気曝露させる溶媒として、好ましくは、アニソール、アセトン、２－ブタノン、トルエン、アセトニトリル、ジメトキシエタン、ジメトキシメタンが挙げられ、より好ましくは、アセトン、アセトニトリル、およびジメトキシメタンが挙げられる。
　蒸気曝露させる溶媒としてアセトニトリルを用いる場合、その温度は特に限定されないが、通常、０℃～５０℃であり、好ましくは、５℃～４０℃であり、より好ましくは、５℃、２５℃、４０℃であり、さらにより好ましくは、５℃である。また、第１の容器に入れるアセトニトリルの量は特に限定されないが、通常、第１の容器の底全体を覆う量から第２の容器の縁から約１ｃｍ下までの量であり、好ましくは、第１の容器の底から１ｃｍの量の厚さとなる量である。アセトニトリル蒸気に曝露する時間は特に限定されないが、通常、２日から１０日であり、好ましくは、３日、４日または５日である。
　得られた結晶は、粉末Ｘ線回折装置をはじめとして、結晶解析に有用な種々の機器、例えば、赤外分光装置、熱分析装置（例えば、示差熱分析装置または熱質量測定装置）、水蒸気吸着測定装置を用いてその物理学的性質を調べることができる。
　このようにして得られた本発明の化合物ＩのＦｏｒｍ　ＩＩ結晶は、活性化血液凝固第Ｘ因子（ＦＸａと称する場合もある。）阻害剤、血液凝固抑制剤、血栓または塞栓の予防および／または治療剤として有用である。本発明の化合物ＩのＦｏｒｍ　ＩＩ結晶は、ヒトを含む哺乳類のための医薬、活性化血液凝固第Ｘ因子阻害剤、血液凝固抑制剤、血栓および／または塞栓の予防および／または治療剤、血栓性疾患の予防および／または治療薬、さらには脳梗塞、脳塞栓、肺梗塞、肺塞栓、心筋梗塞、狭心症、急性冠症候群（Ａｃｕｔｅ　Ｃｏｒｏｎａｒｙ　Ｓｙｎｄｒｏｍｅ）、非弁膜性心房細動（Ｎｏｎ－Ｖａｌｖｕｌａｒ　Ａｔｒｉａｌ　Ｆｉｂｒｉｌｌａｔｉｏｎ、ＮＶＡＦ）に伴う血栓および／または塞栓症、深部静脈血栓症、外科的手術後の深部静脈血栓症、人工弁／関節置換後の血栓形成、股関節全置換術（Ｔｏｔａｌ　Ｈｉｐ　Ｒｅｐｌａｃｅｍｅｎｔ、ＴＨＲ）後の血栓塞栓症、膝関節全置換術（Ｔｏｔａｌ　Ｋｎｅｅ　Ｒｅｐｌａｃｅｍｅｎｔ、ＴＫＲ）後の血栓塞栓症、股関節骨折手術（Ｈｉｐ　Ｆｒａｃｔｕｒｅ　Ｓｕｒｇｅｒｙ、ＨＦＳ）後の血栓塞栓症、血行再建後の血栓形成および／または再閉塞、バージャー病、汎発性血管内凝固症候群、全身性炎症性反応症候群（Ｓｙｔｅｍｉｃ　Ｉｎｆｌａｍｍａｔｏｒｙ　Ｒｅｓｐｏｎｓｅ　Ｓｙｎｄｒｏｍｅ、ＳＩＲＳ）、多臓器不全（Ｍｕｌｔｉｐｌｅ　Ｏｒｇａｎ　Ｄｙｓｆｕｎｃｔｉｏｎ　Ｓｙｎｄｒｏｍｅ、ＭＯＤＳ）、体外循環時の血栓形成あるいは採血時の血液凝固の予防剤（本明細書において、予防とは２次予防を含む。）および／または治療剤、あるいは、これら予防剤および／または治療剤の医薬品原体として有用である。
　本発明の化合物ＩのＦｏｒｍ　ＩＩ結晶を有効成分として含む医薬は、好ましくは、本発明の化合物ＩのＦｏｒｍ　ＩＩ結晶と１種または２種以上の薬学的に許容可能な担体とを含む医薬組成物の形態で提供される。本発明の医薬の投与形態は特に制限されず、経口的または非経口的に投与することができるが、好ましくは、経口的に投与される。
　本発明はまた、化合物Ｉを含む医薬組成物に関する。本発明の医薬組成物は、化合物Ｉとして本発明のＦｏｒｍ　ＩＩ結晶を少なくとも一部含む。当該医薬組成物には、化合物ＩとしてＦｏｒｍ　ＩＩ結晶以外の結晶形（例えば、Ｆｏｒｍ　Ｉ結晶）が存在していてもよい。当該医薬組成物に含まれるＦｏｒｍ　ＩＩの割合は、当該医薬組成物中の化合物Ｉ全体に対して、０．０１重量％～９９．９重量％の範囲、例えば、０．０１重量％以上、０．０５重量％以上、０．１重量％以上、０．５重量％以上、１重量％以上、２重量％以上、３重量％以上、４重量％以上、５重量％以上、１０重量％以上、２０重量％以上、３０重量％以上、４０重量％以上、５０重量％以上、６０重量％以上、７０重量％以上、８０重量％以上、９０重量％以上、９５重量％以上、９６重量％以上、９７重量％以上、９８重量％以上、９９重量％以上、９９．５重量％以上、９９．６重量％以上、９９．７重量％以上、９９．８重量％以上または９９．９重量％以上含まれていればよい。化合物ＩのＦｏｒｍ　ＩＩ結晶が医薬組成物に含まれているかどうかは、本明細書に記載される機器分析方法（例えば、粉末Ｘ線回折、熱分析、赤外吸収スペクトル等）により確認することができる。
　上記の医薬組成物の製造に用いる薬学的に許容可能な担体としては、例えば、賦形剤、崩壊剤ないし崩壊補助剤、結合剤、滑沢剤、コーティング剤、色素、希釈剤、基剤、溶解剤ないし溶解補助剤、等張化剤、ｐＨ調節剤、安定化剤、噴射剤または粘着剤を挙げることができるが、これらに限定されることはない。
　経口投与に適する製剤の例としては、例えば、錠剤、散剤、顆粒剤、カプセル剤、溶液剤、シロップ剤、エリキシル剤、油性ないし水性の懸濁液等を例示できる。また、非経口投与に適する製剤としては、例えば、注射剤、点滴剤、坐剤、吸入剤または貼付剤を挙げることができる。
　本発明の化合物、その薬学的に許容される塩またはそれらの溶媒和物を有効成分として含む医薬組成物の投与量は特に限定されず、患者の年齢、体重、症状などの種々の条件に応じて適宜選択することができるが、有効成分を成人１日当たり１ｍｇ～１０００ｍｇ、好ましくは５ｍｇ～５００ｍｇ、より好ましくは５ｍｇ～３００ｍｇ、さらにより好ましくは、５ｍｇ～１００ｍｇを、１日当り１回～数回好ましくは１日当たり１回または２回、症状に応じて投与することが望ましい。
　以下に実施例を記載するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
　（実施例１）Ｎ１－（５－クロロピリジン－２－イル）－Ｎ２－（（１Ｓ，２Ｒ，４Ｓ）－４－［（ジメチルアミノ）カルボニル］－２－｛［（５－メチル－４，５，６，７－テトラヒドロチアゾロ［５，４－ｃ］ピリジン－２－イル）カルボニル］アミノ｝シクロヘキシル）エタンジアミド（化合物ＩＩ）の合成
　化合物ＩＩは、特許文献１～９に記載の方法に準じて合成した。
　（実施例２）Ｎ１－（５－クロロピリジン－２－イル）－Ｎ２－（（１Ｓ，２Ｒ，４Ｓ）－４－［（ジメチルアミノ）カルボニル］－２－｛［（５－メチル－４，５，６，７－テトラヒドロチアゾロ［５，４－ｃ］ピリジン－２－イル）カルボニル］アミノ｝シクロヘキシル）エタンジアミド　ｐ－トルエンスルホン酸塩　一水和物（化合物Ｉ）のＦｏｒｍ　Ｉ結晶の合成
　実施例１で得た化合物４．１ｇを６０℃にて１５％含水エタノール５０ｍＬに懸濁させ、１ｍｏｌ／Ｌ　ｐ－トルエンスルホン酸エタノール溶液７．４２ｍＬを添加後、１５％含水エタノール４０ｍＬを追加し、溶解した。その後、室温まで冷却し、１日撹拌した。析出晶を濾取し、エタノールで洗浄後、室温にて２時間減圧乾燥し、標記結晶４．７ｇ（８６％）を得た。融点（分解）２４６～２５０℃。
　（実施例３）化合物Ｉの結晶多形の探索
　本実施例において、粉末Ｘ線回折測定は、以下の条件で行った。
線源：Ｃｕ－Ｋα線、フィルター：なし、検出器：比例計数管、管電圧：４０　ｋＶ、管電流：５０　ｍＡ、スキャンモード：ｃｏｎｔｉｎｕｏｕｓ、走査速度：０．０１５°　２θ／ｓ、走査範囲：２θ＝５－４０°、装置：Ｘ’ｐｅｒｔ　ＭＰＤ　ＰＷ３０４０（パナリティカル社製）
　（１）スラリー攪拌法
　３２本のガラス製バイアルに、それぞれ、化合物ＩのＦｏｒｍＩ結晶　約１００ｍｇを計量し、３２種類の溶媒（水、アセトン、アニソール、１－ブタノール、２－ブタノール、酢酸　ｎ－ブチル、ｔ－ブチルメチルエーテル、クメン、エタノール、酢酸エチル、ジエチルエーテル、ギ酸エチル、ヘプタン、酢酸イソブチル、酢酸イソプロピル、酢酸メチル、３－メチル－１ブタノール、メチルエチルケトン（ブタノン）、メチルイソブチルケトン（３－メチル－２－ブタノン）、２－メチル－１－プロパノール、ペンタン、１－ペンタノール、１－プロパノール、２－プロパノール、酢酸プロピル、トルエン、ジクロロメタン、アセトニトリル、１，４－ジオキサン、テトラヒドロフラン、ジメトキシエタン、ジメトキシメタン）を１ｍＬずつ加えた。ジエチルエーテルとペンタンを加えた試料は２０℃の一定温度で６１時間以上攪拌した。他の溶媒を加えた試料は５０℃で５０時間スラリー攪拌した後、２０℃まで冷却した。
　スラリー攪拌後の試料を遠心分離し、上清をパスツールピペットにて除き、更に濾紙にて残余の溶媒を除いた後、一晩風乾した。
　各溶媒を用いて得られた３２種類の結晶はいずれも、スラリー攪拌前のＦｏｒｍ　Ｉ結晶と同等の粉末Ｘ線回折パターンを示した。従って、スラリー攪拌方法では、化合物Ｉの新たな多形を得ることはできなかった。
　（２）単一溶媒を用いた再結晶法
　化合物ＩのＦｏｒｍＩ結晶　約５００ｇにメタノール８ｍＬを加えて温浴（６０℃）にて加熱溶解した後、室温で放置し結晶を析出させ、得られた結晶をろ取し、一晩風乾した。
　溶媒を、水、エタノール、アセトニトリル、ジメチルスルホキシドまたはジメチルホルムアミドに変えた以外はメタノールの場合と同様にして化合物ＩのＦｏｒｍ　Ｉ結晶を加熱溶解し、再結晶を試みた。
　メタノール、水、エタノール、アセトニトリルまたはジメチルホルムアミドをそれぞれ単一溶媒として用いた場合、結晶が析出した。しかし、これらの結晶はいずれも、再結晶前のＦｏｒｍ　Ｉ結晶と同等の粉末Ｘ線回折パターンを示した。ジメチルスルホキシドを単一溶媒として用いた場合、固体が析出しなかった。
　（３）含水溶媒を用いた再結晶法
　化合物ＩのＦｏｒｍ　Ｉ結晶　約５００ｍｇに１０％含水メタノール１０ｍＬを加えて温浴（６０℃）にて加熱溶解し、溶液を熱時ろ過した。ろ液を室温で放置し結晶を析出させ、得られた結晶をろ取し、一晩風乾した。
　溶媒を、２０％含水メタノール、５０％含水メタノール、８０％含水メタノール、１０％含水エタノール、２０％含水エタノール、５０％含水エタノール、８０％含水エタノール、１０％含水アセトン、２０％含水アセトン、５０％含水アセトン、８０％含水アセトン、１０％含水アセトニトリル、２０％含水アセトニトリル、５０％含水アセトニトリル、８０％含水アセトニトリル、１０％含水１－プロパノール、２０％含水１－プロパノール、５０％含１－プロパノール、８０％含水１－プロパノール、１０％含水２－プロパノール、２０％含水２－プロパノール、５０％含水２－プロパノールまたは８０％含水２－プロパノールに変えた以外は１０％含水メタノールを溶媒として用いたときと同じように化合物ＩのＦｏｒｍ　Ｉ結晶を加熱溶解し、再結晶を試みた。
　２４種類のいずれの溶媒を用いた場合も、結晶が析出した。しかし、これらの結晶はいずれも、再結晶前のＦｏｒｍ　Ｉ結晶と同等の粉末Ｘ線回折パターンを示した。
　（４）凍結乾燥－溶媒蒸気曝露法
　水１２０ｍＬと１，４－ジオキサン１２０ｍＬを混ぜ、水／１，４－ジオキサン（１：１）混液を調製した。化合物ＩのＦｏｒｍ　Ｉ結晶　約５００ｍｇに水／１，４－ジオキサン（１：１）混液２００ｍＬを加え溶かし、１００ｍＬのビーカー６個に分けて、凍結乾燥した。
　得られた凍結乾燥ケーキをビーカーごと少量の各々の蒸気曝露用溶媒（水、エタノール、またはアセトニトリル）を入れた金属ドラム（三広アステック、ステンレス容器、４Ｌ、ＣＴＨ－１８）中に入れた。いずれの溶媒蒸気曝露についても、再現性のために２個のビーカーで曝露を行った。金属ドラムを冷蔵庫に５日間保存した後、凍結乾燥ケーキを容器から取り出し、一晩常圧にて乾燥した。溶媒蒸気に曝露した凍結乾燥ケーキはスパーテルで軽く混合した。
　図１に凍結乾燥－溶媒蒸気曝露法により得られた化合物Ｉの粉末Ｘ線回折パターンを示す。いずれの溶媒蒸気曝露においても、それぞれ２個のビーカー間で再現性が得られた。図１は、各溶媒蒸気曝露についての、いずれか一方のビーカーから得られた化合物Ｉの代表的な結果を示す。
　水蒸気に曝露した試料とアセトニトリル蒸気に曝露した試料は、Ｆｏｒｍ　Ｉ結晶とは異なる回折パターンを示した（図１（ａ））。
　図２に凍結乾燥－溶媒蒸気曝露法により得られた化合物Ｉの最大回折線と２θ＝１０°付近のバックグランドの係数比（Ｓ／Ｂ比）、主な回折線の回折角、結晶形の判定結果をまとめる。
　アセトニトリル蒸気に曝露した試料はＳ／Ｂ比が５以上で、明確な回折線を示したため結晶性を有すると判定された。アセトニトリル蒸気に曝露した試料は、主要回折線の回折角および回折パターンともに、Ｆｏｒｍ　Ｉ結晶とは異なることから、アセトニトリル蒸気に曝露した試料はＦｏｒｍ　Ｉ結晶とは異なる結晶形であると考えられた（図１（ａ）および図２）。
　水蒸気に曝露した試料はＳ／Ｂ比は５以上であったが、回折線の数が２、３本と通常の結晶性の試料に較べて極めて少ない上、回折線の形状も非常にブロードであったため、低結晶性と判定した（図１（ｂ）および図２）。
　エタノール蒸気に曝露した試料はＳ／Ｂ比が５以上で、明確な回折線を示したため結晶性と判定された。エタノール蒸気に曝露した試料の結晶形は主要回折線の回折角、回折パターンの同等性からＦｏｒｍ　Ｉ結晶であると考えられた（図１（ｃ）および図２）。
　（実施例４）化合物ＩのＦｏｒｍ　ＩＩ結晶
　化合物ＩのＦｏｒｍ　Ｉ結晶　２．５ｇを水／１，４－ジオキサン（１：１）混液１０００ｍＬを加え溶かし、溶液約８０ｍＬずつを１４個の１００ｍＬのガラスビーカーに分注し、凍結乾燥した。
　得られた凍結乾燥ケーキをビーカーごと少量のアセトニトリルを入れた金属ドラム（三広アステック、ステンレス容器、４Ｌ、ＣＴＨ－１８）中に入れ、冷蔵庫（約５℃）で８日間、溶媒蒸気曝露させた。凍結乾燥ケーキを容器から取り出し、シリカゲルを入れたデシケーター中で６日間、室温保存した。１４個のガラスビーカーから溶媒蒸気に曝露した凍結乾燥ケーキを回収して１つにし、これを次の試験例１～５に供した。
　（試験例１）
　実施例４で得られたＦｏｒｍＩＩ結晶を調整し、粉末Ｘ線測定装置を用いて結晶形の測定を実施した。粉末Ｘ線測定の条件は、実施例３の条件と同じである。
　粉末Ｘ線回折パターンの結果を図３に、特徴的なピークおよびその相対強度を図４に示す。
　（試験例２）
　実施例４で得られたＦｏｒｍＩＩ結晶を調整し、熱分析（ＴＧ／ＤＴＡ）の測定を実施した。熱分析（ＴＧ／ＤＴＡ）測定の条件：雰囲気：窒素２００ｍＬ／分、昇温速度：１０℃／分、サンプル量：約３ｍｇ、装置：ＴＧ／ＤＴＡ６２００（エスアイアイナノテクノロジーズ社製）
　結果を図５に示す。実施例４で得られた結晶は、約１６０℃～約１７０℃、約２１５℃～約２２５℃および約２６０℃～約２７０℃にそれぞれ少なくとも１つの吸熱ピークを有する熱分析（ＤＴＡ）プロフィールを示した。
　（試験例３）
　実施例４で得られたＦｏｒｍＩＩ結晶を調整し、赤外吸収スペクトルの測定を実施した。赤外吸収スペクトル測定の条件：測定法：ＫＢｒ錠剤法、装置：ＦＴ－７２０（ＨＯＲＩＢＡ社製）
　結果を図６および図７に示す。実施例４で得られた結晶は、３３００～３４００（ｃｍ－１）付近および９００～７００（ｃｍ－１）付近に特徴的な吸収帯を有する赤外吸収スペクトルパターンを示した。
　（試験例４）
　水蒸気吸着測定装置（ＳＧＡ－１００．ＶＴＩコーポレーション）を用いて、実施例４で得られたＦｏｒｍＩＩ結晶約２０ｍｇの相対湿度（ＲＨ）範囲１０～９０％での経時的重量変化を測定した。
　結果を図８に示す。
　（試験例５）
　実施例４で得られたＦｏｒｍＩＩ結晶と化合物ＩのＦｏｒｍ　Ｉ結晶の、３７℃における水および酢酸緩衝液（ｐＨ４．５）の溶解度を測定した。
　結果を図９に示す。
　（製剤例）
　化合物のＦｏｒｍ　ＩＩ結晶（４０．４ｍｇ）、マンニトール（９９．２ｍｇ）、部分α化デンプン（４２．０ｍｇ）、クロスポビドン（１０．７ｍｇ）、ヒドロキシプロピルセルロース（６．１ｍｇ）、ステアリン酸マグネシウム（１．６ｍｇ）を、周知の方法に従って、錠剤を製造する。錠剤は、必要に応じてコーティングを施すことができる。

Claims (31)

  1. Ｃｕ－Ｋα線を使用して得られる粉末Ｘ線回折の回折角（２θ）として、２２．３±０．２（°）または２３．２±０．２（°）のいずれかにおけるピークを含む、下記の式（Ｉ）
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000001
    で表される、Ｎ１－（５－クロロピリジン－２－イル）－Ｎ２－（（１Ｓ，２Ｒ，４Ｓ）－４－［（ジメチルアミノ）カルボニル］－２－｛［（５－メチル－４，５，６，７－テトラヒドロチアゾロ［５，４－ｃ］ピリジン－２－イル）カルボニル］アミノ｝シクロヘキシル）エタンジアミド　ｐ－トルエンスルホン酸塩　１水和物のＦｏｒｍ　ＩＩ結晶。
  2. Ｃｕ－Ｋα線を使用して得られる粉末Ｘ線回折の回折角（２θ）として、２２．３±０．２（°）および２３．２±０．２（°）におけるピークを含む、請求項１に記載の結晶。
  3. Ｃｕ－Ｋα線を使用して得られる粉末Ｘ線回折の回折角（２θ）として、２１．５±０．２または２２．０±０．２（°）のいずれかのピークをさらに含む、請求項１に記載の結晶。
  4. Ｃｕ－Ｋα線を使用して得られる粉末Ｘ線回折による回折角（２θ）として、１３．９±０．２、１４．２±０．２、１５．８±０．２、１６．２±０．２、１８．２±０．２、２１．５±０．２、２２．０±０．２、２２．３±０．２、２３．２±０．２および２４．３±０．２（°）におけるピークを含む、請求項１に記載の結晶。
  5. Ｃｕ－Ｋα線を使用して得られる粉末Ｘ線回折が、次の図の（２）
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000002
     または次の図
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000003
    のいずれかのパターンを示す、請求項１に記載の方法。
  6. １６０℃～１７０℃または２１５℃～２２５℃のいずれか１つに少なくとも１つの吸熱ピークを有する示差熱分析プロフィールを示す、請求項１に記載の結晶。
  7. フーリエ変換型赤外吸収スペクトルとして３３１３±５、８３９±１および８２８±１（ｃｍ－１）からなる群から選択されるいずれか１つの吸収帯を含む、請求項１に記載の結晶。
  8. 下記の（ａ）～（ｄ）：
    （ａ）１６０℃～１７０℃、２１５℃～２２５℃および２６０℃～２７０℃にそれぞれ少なくとも１つの吸熱ピークを有する示差熱分析プロフィール；
    （ｂ）下記の図
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000004
    Figure JPOXMLDOC01-appb-I000005

    で表される示差熱分析および熱質量測定プロフィール；
    （ｃ）次の図
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000006
    で表されるフーリエ変換型赤外吸収スペクトルパターン；および
    （ｄ）次の表Ａ
    Figure JPOXMLDOC01-appb-T000007
     に記載の吸収帯およびそれらの強度を示すフーリエ変換型赤外吸収スペクトルパターン、
    からなる群から選択される少なくとも１つの特徴を有する、請求項１に記載の結晶。
  9. Ｃｕ－Ｋα線を使用して得られる粉末Ｘ線回折の回折角（２θ）として２２．３±０．２（°）または２３．２±０．２（°）のいずれかにおけるピークを含む下記の式（Ｉ）
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000008
    で表されるＮ１－（５－クロロピリジン－２－イル）－Ｎ２－（（１Ｓ，２Ｒ，４Ｓ）－４－［（ジメチルアミノ）カルボニル］－２－｛［（５－メチル－４，５，６，７－テトラヒドロチアゾロ［５，４－ｃ］ピリジン－２－イル）カルボニル］アミノ｝シクロヘキシル）エタンジアミド　ｐ－トルエンスルホン酸塩　１水和物のＦｏｒｍ　ＩＩ結晶の製造方法であって、
    （ａ）式（Ｉ）で表される化合物をアモルファスまたは低結晶性固体にする工程、次いで、
    （ｂ）該アモルファスまたは低結晶性固体を溶媒蒸気に曝露する工程、
    を包含する。
  10. 工程（ａ）において、前記アモルファスまたは低結晶性固体を、式（Ｉ）で表される化合物の粉砕、融解冷却、凍結乾燥または噴霧乾燥により作製する、請求項９に記載の方法。
  11. 工程（ａ）において、前記アモルファスまたは低結晶性固体を、式（Ｉ）で表される化合物の凍結乾燥により作製する、請求項９に記載の方法。
  12. 工程（ａ）において、前記アモルファスまたは低結晶性固体を、式（Ｉ）で表される化合物を水、ジオキサン、含水ジオキサンまたはジメチルスルホキシドに溶解した後、凍結乾燥することにより作製する、請求項９に記載の方法。
  13. 工程（ａ）において、前記アモルファスまたは低結晶性固体を、式（Ｉ）で表される化合物を含水ジオキサンに溶解した後、凍結乾燥することにより作製する、請求項９に記載の方法。
  14. 工程（ｂ）において、蒸気曝露させる溶媒が、アニソール、アセトン、２－ブタノン、トルエン、アセトニトリル、ジメトキシエタンまたはジメトキシメタンである、請求項９に記載の方法。
  15. 工程（ｂ）において、蒸気曝露させる温度が０℃～５０℃である、請求項９に記載の方法。
  16. 工程（ｂ）において、蒸気曝露させる時間が１日～１０日である、請求項９に記載の方法。
  17. 工程（ａ）の式（Ｉ）で表される化合物が、式（Ｉ）で表される化合物のＦｏｒｍ　Ｉ結晶である、請求項９に記載の方法。
  18. Ｆｏｒｍ　ＩＩ結晶が、Ｃｕ－Ｋα線を使用して得られる粉末Ｘ線回折の回折角（２θ）として、２２．３±０．２（°）および２３．２±０．２（°）のピークを含む、請求項９に記載の方法。
  19. Ｆｏｒｍ　ＩＩ結晶が、Ｃｕ－Ｋα線を使用して得られる粉末Ｘ線回折の回折角（２θ）として、２１．５±０．２または２２．０±０．２（°）のいずれかのピークをさらに含む、請求項９に記載の方法。
  20. Ｆｏｒｍ　ＩＩ結晶が、Ｃｕ－Ｋα線を使用して得られる粉末Ｘ線回折による回折角（２θ）として、１３．９±０．２、１４．２±０．２、１５．８±０．２、１６．２±０．２、１８．２±０．２、２１．５±０．２、２２．０±０．２、２２．３±０．２、２３．２±０．２および２４．３±０．２（°）におけるピークを含む、請求項９に記載の方法。
  21. Ｆｏｒｍ　ＩＩ結晶が、Ｃｕ－Ｋα線を使用して得られる粉末Ｘ線回折として、次の図の（２）
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000009
     または次の図

    のいずれかのパターンを示す、請求項９に記載の方法。
  22. Ｆｏｒｍ　ＩＩ結晶が、１６０～１７０℃または２１５℃～２２５℃のいずれか１つに少なくとも１つの吸熱ピークを有する示差熱分析プロフィールを示す、請求項９に記載の方法。
  23. Ｆｏｒｍ　ＩＩ結晶が、フーリエ変換型赤外吸収スペクトルとして３３１３±５、８３９±１および８２８±１（ｃｍ－１）からなる群から選択されるいずれか１つの吸収帯を含む、請求項９に記載の方法。
  24. Ｆｏｒｍ　ＩＩ結晶が、下記の（ａ）～（ｄ）：
    （ａ）１６０℃～１７０℃、２１５℃～２２５℃および２６０℃～２７０℃にそれぞれ少なくとも１つの吸熱ピークを有する示差熱分析プロフィール；
    （ｂ）下記の図
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000011
    Figure JPOXMLDOC01-appb-I000012

    で表される示差熱分析および熱質量測定プロフィール；
    （ｃ）次の図
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000013
    で表されるフーリエ変換型赤外吸収スペクトルパターン；および
    （ｄ）次の表Ａ
    Figure JPOXMLDOC01-appb-T000014
     に記載の吸収帯およびそれらの強度を示すフーリエ変換型赤外吸収スペクトルパターン、
    からなる群から選択される少なくとも１つの特徴を有する、請求項９に記載の方法。
  25. 請求項９～２４のいずれか１項に記載の方法で得られる式（Ｉ）で表される化合物のＦｏｒｍ　ＩＩ結晶。
  26. 請求項１～８もしくは２５のいずれか１項に記載の式（Ｉ）で表される化合物のＦｏｒｍ　ＩＩ結晶または請求項９～２４のいずれか１項に記載の方法で得られる式（Ｉ）で表される化合物のＦｏｒｍ　ＩＩ結晶を含有する医薬。
  27. 活性化血液凝固第Ｘ因子（ＦＸａ）阻害剤である、請求項２６に記載の医薬。
  28. 血栓または塞栓の予防および／または治療剤である、請求項２７に記載の医薬。
  29. 脳梗塞、脳塞栓、肺梗塞、肺塞栓、心筋梗塞、狭心症、急性冠症候群、非弁膜性心房細動に伴う血栓および／または塞栓症、深部静脈血栓症、外科的手術後の深部静脈血栓症、人工弁／関節置換後の血栓形成、股関節全置換術後の血栓塞栓症、膝関節全置換術後の血栓塞栓症、股関節骨折手術後の血栓塞栓症、血行再建後の血栓形成および／または再閉塞、バージャー病、汎発性血管内凝固症候群、全身性炎症性反応症候群、多臓器不全、体外循環時の血栓形成あるいは採血時の血液凝固の予防剤および／または治療剤である、請求項２８に記載の医薬。
  30. 請求項１～８もしくは２５のいずれか１項に記載の式（Ｉ）で表される化合物のＦｏｒｍ　ＩＩ結晶または請求項９～２４のいずれか１項に記載の方法で得られる式（Ｉ）で表される化合物のＦｏｒｍ　ＩＩ結晶及び薬学的に許容される担体を含む、医薬組成物。
  31. 式（Ｉ）で表される化合物を含む医薬組成物であって、請求項１～８もしくは２５のいずれか１項に記載の式（Ｉ）で表される化合物のＦｏｒｍ　ＩＩ結晶または請求項９～２４のいずれか１項に記載の方法で得られた式（Ｉ）で表される化合物のＦｏｒｍ　ＩＩ結晶を、当該医薬組成物中の化合物Ｉ全重量に対して、０．０１重量％～９９．９重量％含む、医薬組成物。
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