[go: up one dir, main page]

WO2009131363A2 - 점착 필름 및 이를 사용한 백그라인딩 방법 - Google Patents

점착 필름 및 이를 사용한 백그라인딩 방법 Download PDF

Info

Publication number
WO2009131363A2
WO2009131363A2 PCT/KR2009/002082 KR2009002082W WO2009131363A2 WO 2009131363 A2 WO2009131363 A2 WO 2009131363A2 KR 2009002082 W KR2009002082 W KR 2009002082W WO 2009131363 A2 WO2009131363 A2 WO 2009131363A2
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
sensitive adhesive
pressure
film
adhesive film
weight
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/KR2009/002082
Other languages
English (en)
French (fr)
Other versions
WO2009131363A9 (ko
WO2009131363A3 (ko
Inventor
김세라
백윤정
김장순
손현희
홍종완
박현우
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
LG Chem Ltd
Original Assignee
LG Chem Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by LG Chem Ltd filed Critical LG Chem Ltd
Priority to JP2011506192A priority Critical patent/JP6176432B2/ja
Priority to CN200980114076.4A priority patent/CN102015937B/zh
Priority to US12/988,774 priority patent/US20110091676A1/en
Priority to EP09735160.5A priority patent/EP2267090B8/en
Publication of WO2009131363A2 publication Critical patent/WO2009131363A2/ko
Publication of WO2009131363A9 publication Critical patent/WO2009131363A9/ko
Publication of WO2009131363A3 publication Critical patent/WO2009131363A3/ko
Anticipated expiration legal-status Critical
Ceased legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/20—Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
    • C09J7/22—Plastics; Metallised plastics
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2203/00—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2203/326—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils for bonding electronic components such as wafers, chips or semiconductors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2423/00—Presence of polyolefin
    • C09J2423/006—Presence of polyolefin in the substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2427/00—Presence of halogenated polymer
    • C09J2427/006—Presence of halogenated polymer in the substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2433/00—Presence of (meth)acrylic polymer
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2467/00—Presence of polyester
    • C09J2467/006—Presence of polyester in the substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2475/00—Presence of polyurethane
    • C09J2475/006—Presence of polyurethane in the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68381—Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or wafer
    • H01L2221/68386—Separation by peeling
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/14—Layer or component removable to expose adhesive
    • Y10T428/1476—Release layer
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/26—Web or sheet containing structurally defined element or component, the element or component having a specified physical dimension
    • Y10T428/263—Coating layer not in excess of 5 mils thick or equivalent
    • Y10T428/264—Up to 3 mils
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/26—Web or sheet containing structurally defined element or component, the element or component having a specified physical dimension
    • Y10T428/266—Web or sheet containing structurally defined element or component, the element or component having a specified physical dimension of base or substrate
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/28—Web or sheet containing structurally defined element or component and having an adhesive outermost layer
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/28—Web or sheet containing structurally defined element or component and having an adhesive outermost layer
    • Y10T428/2852—Adhesive compositions
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/28—Web or sheet containing structurally defined element or component and having an adhesive outermost layer
    • Y10T428/2852—Adhesive compositions
    • Y10T428/2878—Adhesive compositions including addition polymer from unsaturated monomer
    • Y10T428/2887—Adhesive compositions including addition polymer from unsaturated monomer including nitrogen containing polymer [e.g., polyacrylonitrile, polymethacrylonitrile, etc.]
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/28—Web or sheet containing structurally defined element or component and having an adhesive outermost layer
    • Y10T428/2852—Adhesive compositions
    • Y10T428/2878—Adhesive compositions including addition polymer from unsaturated monomer
    • Y10T428/2891—Adhesive compositions including addition polymer from unsaturated monomer including addition polymer from alpha-beta unsaturated carboxylic acid [e.g., acrylic acid, methacrylic acid, etc.] Or derivative thereof

Definitions

  • the present invention relates to an adhesive film and a backgrinding method.
  • the backgrinding process is a process of mechanically or chemically polishing and thinning the surface of a wafer having a highly integrated wiring circuit. In this process, for example, in the case of an 8-inch wafer, it was common to perform polishing to about 200 ⁇ m to 400 ⁇ m, which is about half before the process through the backgrinding process.
  • the protective film is also used as a reinforcement for handling the thin wafer in addition to the protection of the wafer during polishing.
  • the role of the protective film for processing the wafer is becoming more important.
  • Korean Patent No. 662193 discloses a pressure-sensitive adhesive film that can be used in the backside processing of an adherend having a large difference in surface irregularities by limiting the dynamic viscoelastic tan ⁇ of the base film in a specific temperature range.
  • Korean Patent Laid-Open Publication No. 2006-0047526 discloses a pressure-sensitive adhesive film for protecting a semiconductor wafer having a limited storage modulus at a specific temperature, even when the thickness of the semiconductor wafer is thin, which can be prevented from being damaged.
  • the effect of preventing breakage of the wafer at the time of back grinding can be obtained to some extent, but there is a problem that the cutting property is remarkably poor at the time of cutting the wafer in the process.
  • the semiconductor processing process may be discontinuously performed due to a problem of cut failure of the film during the semiconductor processing process performed in the in-line process. The efficiency will be reduced.
  • the present invention has been made in consideration of the above-described problems of the prior art, for example, excellent cutting properties and adhesion in the semiconductor manufacturing process, excellent cushioning properties, excellent peeling properties, water resistance and wettability to the wafer, etc.
  • An object of the present invention is to provide an adhesive film and a method of using the same.
  • the present invention provides a means for solving the above problems, a base film having a toughness value of less than 240 Kg ⁇ mm at 23 °C;
  • It provides an adhesive film comprising an adhesive layer formed on the base film.
  • the present invention is another means for solving the above problems, the first step of attaching the adhesive film according to the invention on a semiconductor wafer; And
  • a backgrinding method comprising a second step of grinding the back surface of a semiconductor wafer to which an adhesive film is attached.
  • the cutting property and the adhesive property are excellent in the semiconductor manufacturing process, and also have excellent cushioning properties, and the production efficiency can be remarkably improved in the semiconductor manufacturing process such as wafer backgrinding.
  • the present invention can provide an adhesive film excellent in peeling properties, re-peelability, and wettability to a wafer and a backgrinding method using the same while exhibiting excellent water resistance. According to the present invention, when a protective film is attached to a wafer and cut according to its shape, no foreign matter is generated in the film, and the cut surface is clean, thereby minimizing burr generation.
  • the present invention it is possible to solve the problem of operational delay that may occur in the semiconductor process, and to minimize the occurrence of burrs on the film cutting surface, the wafer due to the penetration of water and other materials in the backgrinding process Contamination and damage can be minimized.
  • the film has an excellent cushioning property, there is an advantage that can prevent the occurrence of warpage of the wafer, thereby solving the problems of the existing semiconductor process, it is possible to improve the efficiency of the continuous process operation.
  • 1 is a diagram illustrating an example of a tensile curve.
  • FIG 2 and 3 are cross-sectional views of an adhesive film according to one embodiment of the present invention.
  • This invention is a base film whose toughness value is less than 240 Kg * mm at 23 degreeC;
  • It relates to an adhesive film comprising an adhesive layer formed on the base film.
  • the pressure-sensitive adhesive film of the present invention is characterized in that it comprises a base film having an optimized toughness value in a tensile test performed under specific conditions.
  • tension test used in the present invention measures the physical properties of the specimens through the relationship between the applied loads (forces) and the elongation of the specimens when a standardized specimen is loaded at a constant speed. Means testing.
  • the results of the tensile test as described above can be expressed through the tensile curve indicating the degree of deformation of the specimen with respect to the applied load.
  • the tension curve is typically a load-versus-elongation curve (left curve of FIG. 1) expressed as a relation of elongation (mm) with respect to the applied load (load, 10 3 N);
  • a stress-versus-strain curve (right curve in FIG. 1), which is expressed as a relationship of engineering strain to nominal stress (engineering stress).
  • Equations 1 and 2 ⁇ represents a nominal stress (MPa), P represents a load (N) applied to the specimen, A o represents the initial cross-sectional area of the specimen (mm 2 ), ⁇ represents the nominal stress (mm) / mm), l o denotes the initial length of the specimen (mm), and l denotes the final length of the specimen (mm) after the tensile test.
  • toughness value used in the present invention is a physical property measured through the tensile test as described above, and specifically means a numerical value indicating the degree of stiffness and ductility of the material.
  • Such toughness values can be calculated, for example, by integrating a load (or nominal stress) -deformation degree (or nominal strain) curve from the tensile curve until the specimen breaks.
  • the adhesive film of this invention is a base material whose toughness value at the temperature of 23 degreeC, Preferably 20 degreeC-25 degreeC, More preferably, 15 degreeC-30 degreeC is less than 240 Kg * mm, Preferably it is -210Kg * mm or less Film may be included.
  • the toughness value of such a base film can be measured by the method shown below, for example.
  • a film-shaped specimen of a predetermined size is produced from a base film on which toughness is to be measured.
  • the specimen is, for example, a film-like specimen
  • the longitudinal length may be about 15 mm
  • the horizontal length may be about 15 mm.
  • the size of the specimen in the above means the size excluding the tapered portion for fixing the specimen during the test.
  • the longitudinal direction of the specimen was installed in the direction orthogonal to the machine (tension tester) direction, and from about 180 mm / min to about 220 mm / min in the longitudinal direction, preferably about 200 Applying the width and thickness of the film (test piece), the force graph measured according to the distance until the test piece was cut, while applying a tensile rate of mm / min, showed elongation and tensile strength ( It is shown by the graph of tensile strength (X-axis: elongation, Y-axis: tensile strength).
  • the tensile modulus of the specimen may be measured through the initial slope of the curve, and the toughness value of the specimen may be measured through the area of the curve.
  • the above toughness is 240 Kg ⁇ mm or more
  • the elastic modulus of the base film due to the increase in the elastic modulus of the base film, excessively hard properties may be exhibited and the cutting property of the film may be deteriorated.
  • the toughness value of the base film is excessively increased, the cushioning property is weakened, and, for example, when the adhesive film of the present invention is applied to the back surface grinding process of the wafer, the effect of the adhesive film that relieves the stress applied to the wafer is reduced. May fall, resulting in a decrease in polishing accuracy or wafer damage.
  • the lower limit thereof is not particularly limited as long as the toughness value of the base film falls within the above range.
  • the toughness value of the base film becomes too small, the softening of the film may occur excessively, and the crack or damage of the wafer may occur when the film is entangled in a roll or attached to the wafer while unwinding the film from the rolled roll.
  • the toughness value of the base film can be appropriately adjusted in the range of 60 Kg ⁇ mm or more.
  • the base film included in the pressure-sensitive adhesive film of the present invention may also have an elongation of less than 700%, preferably 650% or less, more preferably 600% or less, as measured by the tensile test as described above. If the elongation is 700% or more, there is a possibility that cracking or damage of the wafer may occur during the wafer attaching step.
  • the lower limit of the elongation is not particularly limited, and for example, the elongation of the base film may be adjusted in a range of 20% or more.
  • the base film included in the pressure-sensitive adhesive film of the present invention also preferably has a storage modulus of 1 ⁇ 10 7 Pa to 1 ⁇ 10 9 Pa at about 20 ° C. If the storage modulus is less than 1 ⁇ 10 7 Pa, cracking or damage of the wafer may occur in a wafer attaching step or the like, and if the storage elastic modulus is greater than 1 ⁇ 10 9 Pa, the cutability, cushioning property, and polishing accuracy of the film may be reduced Damage may occur.
  • the structure of the base film contained in the adhesive film of this invention is not specifically limited as long as it contains the film which has the above-mentioned physical property.
  • the adhesive film of the present invention may be composed of a single layer of the base film having the above-described physical properties, as shown in FIG.
  • the base film of the pressure-sensitive adhesive film of the present invention may be formed by stacking two or more films. In this case, one or more of the multilayer base films satisfy the above-mentioned range, or the multilayer structure
  • the laminated base film may exhibit physical properties in the above-described range as a whole.
  • the specific kind of base film used by this invention is not specifically limited as long as the physical property of the range mentioned above is satisfied.
  • the method for producing the base film as described above is not particularly limited, and can be produced, for example, by a (T die) extrusion method, an inflation method, a casting method, or a calendaring method.
  • the thickness of the base film as described above is not particularly limited, but in order to obtain a base film having a toughness value in the above-described range, it is preferable to set it in the range of about 50 ⁇ m to 300 ⁇ m or about 100 ⁇ m to 200 ⁇ m. Do.
  • the base film as described above may be subjected to surface treatment such as primer treatment or corona treatment, and may be given a suitable color for the efficiency of the semiconductor process. .
  • the pressure-sensitive adhesive film of the present invention also includes a pressure-sensitive adhesive layer 20 formed on the base film 10 as described above, for example, as shown in FIG. 2.
  • Specific kinds of the adhesive layer 20 included in the adhesive film of the present invention are not particularly limited as long as they can prevent the lifting phenomenon of the adhesive film during wafer polishing while having low pollution to the wafer surface.
  • a silicone pressure sensitive adhesive, a synthetic rubber pressure sensitive adhesive, a natural rubber pressure sensitive adhesive or an acrylic pressure sensitive adhesive can be used as the pressure sensitive adhesive layer.
  • the pressure sensitive adhesive may include, for example, 90 parts by weight to 99.9 parts by weight of a (meth) acrylic acid ester monomer; And a copolymer of a monomer containing 0.1 to 10 parts by weight of the crosslinkable functional group-containing monomer.
  • the kind of the (meth) acrylic acid ester monomer is not particularly limited, and alkyl (meth) acrylate can be used, for example.
  • alkyl (meth) acrylate can be used, for example.
  • T g glass transition temperature
  • alkyl having an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms Preference is given to using meth) acrylates.
  • Examples of such monomers include methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, n-propyl (meth) acrylate, isopropyl (meth) acrylate, n-butyl (meth) acrylate, t-butyl ( Meth) acrylate, sec-butyl (meth) acrylate, pentyl (meth) acrylate, 2-ethylhexyl (meth) acrylate, 2-ethylbutyl (meth) acrylate, n-octyl (meth) acrylate, Isooctyl (meth) acrylate, isobonyl (meth) acrylate, isononyl (meth) acrylate, lauryl (meth) acrylate and tetradecyl (meth) acrylate.
  • the acrylic adhesive resin includes the (meth) acrylic acid ester monomer
  • the content thereof is preferably 10 parts by weight to 99.9 parts by weight. If the content is less than 10 parts by weight, there is a fear that the initial adhesive strength of the pressure-sensitive adhesive is lowered, if it exceeds 99.9 parts by weight, there is a fear that a problem in durability due to the decrease in cohesion force.
  • isobornyl (meth) acrylate can be included as an essential component among the alkyl (meth) acrylate components as described above.
  • the isobornyl (meth) acrylate is a hard type monomer and has a characteristic of showing low hydrophilicity. Accordingly, when isobornyl (meth) acrylate is included in the above-mentioned copolymer, the adhesive layer has high crosslinking density and low adhesive force and excellent water resistance.
  • the isobonyl (meth) acrylate is copolymerized with another copolymerizable monomer having a low glass transition temperature, for example, when the wafer is applied to a protective film, wettability to the wafer surface, water resistance and There exists an advantage that the adhesive which is more excellent in peeling property can be obtained.
  • the content in the adhesive layer of the isobonyl (meth) acrylate is not particularly limited, and for example, about 1 part by weight to 30 parts by weight, preferably 5 parts by weight to 25 parts by weight, based on 100 parts by weight of the total monomer components. It may be included in an amount by weight. If the content is less than 1 part by weight, there is a fear that the effect of improving the water resistance is lowered. If the content is more than 30 parts by weight, soft peeling may not be performed during peeling, or a stick-slip phenomenon may occur.
  • the crosslinkable functional group-containing monomer which can be included in the acrylic polymer of the present invention, for example, by giving a copolymer a crosslinkable functional group that can react with the polyfunctional crosslinking agent described later, to control the durability, cohesion and cohesion Can play a role.
  • Examples of the crosslinkable functional group-containing monomer that can be used at this time include, but are not limited to, hydroxy group-containing monomers, carboxyl group-containing monomers and nitrogen-containing monomers.
  • Examples of the hydroxy group-containing monomers above include 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, 4-hydroxybutyl (meth) acrylate, 6-hydroxyhexyl (meth) Acrylate, 8-hydroxyoctyl (meth) acrylate, 2-hydroxyethylene glycol (meth) acrylate or 2-hydroxypropylene glycol (meth) acrylate
  • examples of the carboxyl group-containing monomer include ( Meta) acrylic acid, 2- (meth) acryloyloxy acetic acid, 3- (meth) acryloyloxy propyl acid, 4- (meth) acryloyloxy butyl acid, acrylic acid duplex, itaconic acid, maleic acid and male Acid anhydrides, and examples of nitrogen
  • the crosslinkable functional group-containing monomer is preferably included in an amount of 0.1 to 10 parts by weight in the aforementioned copolymer. If the content is less than 0.1 part by weight, the durability reliability of the pressure-sensitive adhesive may be lowered. If it exceeds 10 parts by weight, the adhesiveness and / or peeling force may be lowered.
  • the acrylic copolymer of the present invention may further include a comonomer having a high glass transition temperature in view of providing additional adhesive force and cohesive force.
  • the type of comonomer which may be included at this time is not particularly limited as long as it performs the above-described action, for example, may be a compound represented by the following formula (1).
  • R 1 to R 3 each independently represent hydrogen or alkyl, and R 4 is cyano; Phenyl unsubstituted or substituted with alkyl; Acetyloxy; Or COR 5 , wherein R 5 represents amino or glycidyloxy unsubstituted or substituted with alkyl or alkoxyalkyl.
  • Alkyl or alkoxy in the definition of R 1 to R 5 in the above formula means alkyl or alkoxy having 1 to 8 carbon atoms, preferably methyl, ethyl, methoxy, ethoxy, propoxy or butoxy.
  • the monomer of Formula 1 include (meth) acrylates such as methyl (meth) acrylate or ethyl (meth) acrylate; Nitrogen-containing monomers such as (meth) acrylonitrile, (meth) acrylamide, N-methyl (meth) acrylamide or N-butoxy methyl (meth) acrylamide; Styrene-based monomers such as styrene or methyl styrene; Glycidyl (meth) acrylate; Or a carboxylic acid vinyl ester such as vinyl acetate, or the like, or a heterogeneous compound, but is not limited thereto.
  • the content thereof is preferably 20 parts by weight or less.
  • the content exceeds 20 parts by weight, there is a fear that the flexibility and / or peeling force of the pressure-sensitive adhesive composition is lowered.
  • Copolymers containing each of the aforementioned components also preferably have a glass transition temperature of -50 ° C to 15 ° C.
  • the glass transition temperature of the pressure-sensitive adhesive is less than -50 ° C, the peeling force is greatly increased depending on the peeling rate, and for example, the peeling force at the normal peeling rate (about 1.0 m / min) in the wafer processing process is increased. Wafer damage may occur.
  • the glass transition temperature exceeds 15 ° C., the wettability to adherends such as wafers may decrease, or there may be a lifting phenomenon.
  • the copolymer preferably has a weight average molecular weight of 50,000 to 700,000. If the weight average molecular weight of the pressure-sensitive adhesive is less than 50,000, the cohesive force is low, there is a fear that contamination due to transfer may occur, if it exceeds 700,000, there is a fear that the adhesive characteristics are lowered.
  • the method for producing the acrylic pressure-sensitive adhesive is not particularly limited, and for example, may be prepared through a general polymerization method such as solution polymerization, photopolymerization, bulk polymerization, suspension polymerization or emulsion polymerization.
  • a solution polymerization method it is particularly preferable to use a solution polymerization method, and solution polymerization is preferably performed at a polymerization temperature of 50 ° C to 140 ° C by mixing an initiator in a state where each monomer is uniformly mixed.
  • initiators examples include azo polymerization initiators such as azobis isobutyronitrile or azobiscyclohexane carbonitrile; And / or conventional initiators such as peroxides such as benzoyl peroxide or acetyl peroxide, and one or a mixture of two or more of them may be used.
  • azo polymerization initiators such as azobis isobutyronitrile or azobiscyclohexane carbonitrile
  • peroxides such as benzoyl peroxide or acetyl peroxide, and one or a mixture of two or more of them may be used.
  • the pressure-sensitive adhesive of the present invention may further include 0.1 to 10 parts by weight of the crosslinking agent with respect to 100 parts by weight of the acrylic copolymer, together with the aforementioned components.
  • the crosslinking agent may adjust the adhesive properties of the pressure-sensitive adhesive according to the amount of use, and in some cases it may react with the crosslinkable functional groups contained in the pressure-sensitive adhesive, thereby improving the cohesive force of the pressure-sensitive adhesive.
  • the kind of specific crosslinking agent that can be used in the present invention is not particularly limited, and for example, a general crosslinking agent such as an isocyanate compound, an epoxy compound, an aziridine compound and a metal chelate compound may be used.
  • a general crosslinking agent such as an isocyanate compound, an epoxy compound, an aziridine compound and a metal chelate compound may be used.
  • examples of the isocyanate compound include tolylene diisocyanate, xylene diisocyanate, diphenylmethane diisocyanate, hexamethylene diisocyanate, isoform diisocyanate, tetramethylxylene diisocyanate, naphthalene diisocyanate and any one of the above polyols ( ex. trimethylol propane);
  • examples of epoxy compounds include ethylene glycol diglycidyl ether, triglycidyl ether, trimethylolpropane triglycidyl ether, N, N, N'N 'tetraglycidyl ethylenediamine and glycerin diglycidyl ether.
  • aziridine compound examples include N, N'toluene-2,4-bis (1-aziridinecarboxamide), N, N'diphenylmethane-4,4'bis (1-aziridinecarboxamide), And one or more selected from the group consisting of triethylene melamine, bisisoprotaloyl-1- (2-methylaziridine) and tri-1-aziridinylphosphineoxide.
  • examples of the metal chelate-based compound may be a compound in which a polyvalent metal such as aluminum, iron, zinc, tin, titanium, antimony, magnesium, and / or vanadium is coordinated with acetyl acetone, ethyl acetoacetate, or the like. It is not limited.
  • Such a crosslinking agent is preferably included in an amount of 0.1 to 10 parts by weight based on 100 parts by weight of the copolymer described above.
  • the content is less than 0.1 part by weight, the cohesive force of the pressure-sensitive adhesive is dropped, there is a fear that cohesive failure occurs under high temperature or high humidity conditions, 10 If it exceeds the weight part, durability reliability may fall, such as interlayer peeling and a lifting phenomenon, or there exists a possibility that compatibility or flow characteristics may fall.
  • the pressure-sensitive adhesive of the present invention also has a tackifying resin, a low molecular weight, an epoxy resin, a curing agent, an ultraviolet stabilizer, an antioxidant, a colorant, a reinforcing agent, an antifoaming agent, and a surfactant in addition to the above components within a range that does not affect the effect of the invention. It may further comprise one or more additives selected from the group consisting of blowing agents, organic salts, thickeners and flame retardants.
  • the method of forming such an adhesion layer on the base film mentioned above is not specifically limited.
  • coating an adhesive to the surface of a peelable base material, and drying, then transferring the adhesive layer formed in the surface of the said peelable base material to the surface of a base material, etc. can be used.
  • the pressure-sensitive adhesive layer of the pressure-sensitive adhesive film of the present invention preferably has a crosslinking density of 80 to 99%. If the crosslinking density is less than 80%, the cohesion force of the adhesive layer is lowered, and the adhesive layer component may be transferred to an adherend such as a wafer, and the residue may remain. In addition, when the crosslinking density of the pressure-sensitive adhesive layer exceeds 99%, the peeling force is lowered, there is a fear that water immersion by water spray during wafer processing occurs.
  • the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer is out of the above range, it is difficult to obtain a uniform pressure-sensitive adhesive layer, there is a fear that the physical properties of the film is uneven.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating an adhesive film in which an adhesive layer 20 is formed on one surface of a base film 10 and a release film 30 is formed on the adhesive layer 20 according to an aspect of the present invention.
  • the specific kind of the release film is not particularly limited, and for example, a film obtained by releasing one or both surfaces of a polyethylene terephthalate (PET) film or an olefin-based film with a release agent of a silicon or alkyd series may be used.
  • PET polyethylene terephthalate
  • the thickness of the release film as described above is not particularly limited to be appropriately set according to the use thereof, and may be appropriately selected in the range of 10 ⁇ m to 70 ⁇ m, for example.
  • the adhesive film of this invention can be used for the film for semiconductor processing, such as a protective film at the time of grinding a semiconductor wafer back surface, for example.
  • Such an adhesive film of the present invention exhibits excellent cutting properties, adhesion, buffering properties, and cushioning properties due to the use of a base film satisfying the above-described characteristic physical properties, thereby producing a product in a process such as grinding the back surface of a wafer. The efficiency can be improved.
  • the present invention also includes a first step of attaching the adhesive film according to the present invention to a semiconductor wafer;
  • It relates to a backgrinding method comprising a second step of grinding the back surface of a semiconductor wafer with an adhesive film attached.
  • the backgrinding method is characterized in that the above-described film of the present invention is used as a protective film for wafer processing, and other specific process conditions are not particularly limited.
  • the adhesive film described above may be laminated to the wafer by means such as a press method or a hot roll lamination method, and then fixed to a grinding tool such as a polishing machine, followed by a backgrinding process.
  • the adhesive film of the present invention has excellent wettability, peelability, and water resistance to the wafer, and thus can be effectively applied to the backgrinding process.
  • general semiconductor packaging processes such as dicing, die bonding, wire bonding, and molding of the wafer may be continuously performed, and specific conditions thereof are not particularly limited.
  • Isobornyl acrylate (IBOA) as a monomer component in an amount of 5 parts by weight, and isobornyl acrylate, methyl acrylate, ethyl acrylate, n-butyl acrylate and 2 so that the glass transition temperature of the resin is -25 ° C.
  • Hydroxy ethyl acrylate was mixed to prepare a monomer mixture (100 parts by weight), and then polymerized to prepare an acrylic adhesive resin having a solid content of 45% by weight.
  • an isocyanate-based curing agent was added to the prepared pressure-sensitive adhesive in an amount of 2 parts by weight based on 100 parts by weight of the pressure-sensitive adhesive resin.
  • an ethylene-vinyl acetate copolymer film having a toughness value of 137 Kg ⁇ mm, a storage modulus of 5 ⁇ 10 7 Pa, an elongation of 434%, and a tensile strength of 139 Kg / cm 2 at 20 ° C. (EVA ) was applied and dried to prepare an adhesive film.
  • EVA ethylene-vinyl acetate copolymer film having a toughness value of 137 Kg ⁇ mm, a storage modulus of 5 ⁇ 10 7 Pa, an elongation of 434%, and a tensile strength of 139 Kg / cm 2 at 20 ° C.
  • the specimen was prepared, and then the longitudinal direction of the specimen (orthogonal to the machine direction). Wrap the specimen by 10 mm length at the top and bottom, respectively. Then, with a measuring instrument, the tapered portions (10 mm) are fixed to the top and bottom of the specimen, and tensioned under the conditions of a tensile speed of 200 mm / min, while the distance until the specimen is cut.
  • the tensile modulus can be calculated from the initial slope of the graph, and the toughness can be known from the area of the graph.
  • it is possible to compare the toughness values of the specimens by applying a notch of 1 mm to the center portion in the longitudinal direction of the specimens and tensioning in the same manner as described above.
  • the film is cut to a size of 30 mm in the machine direction of the measuring instrument and 5 mm in the direction orthogonal to the machine direction to prepare the specimen.
  • the measuring device dynamic viscoelasticity measuring device, Q800, TA (manufactured)
  • the prepared specimen was stored at a frequency of 1 Hz while being heated at a rate of 3 ° C / min in a temperature range of -10 ° C to 100 ° C. Measure the modulus of elasticity.
  • An adhesive film was prepared in the same manner as in Example 1, except that the type and physical properties of the base film were changed as shown in Table 1 below.
  • Adhesion films (protective films) prepared in Examples and Comparative Examples were attached to 8-inch silicon wafers (Si-Wafer) with a wafer mounter, and the film was expanded with an expander (Expender, HS-1810, Hugle electronics Inc). Cut to fit wafer shape. Next, the height of the stage was adjusted to 3, and the cut surface of the adhesive film was observed. Specifically, the starting point and the middle part of the cutting were observed under an optical microscope, and the degree of generation of the burrs on the cutting surface and the area of the torn portion during cutting were compared to compare the cutting property based on the following criteria.
  • the adhesive film is attached to an 8-inch silicon wafer, and the surface of the attached wafer is observed to count the lami bubbles. (Circle) as the number of generated bubbles was three or less, (triangle

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Adhesive Tapes (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)

Abstract

본 발명은 점착 필름 및 이를 사용한 반도체 웨이퍼의 백그라인딩 방법에 관한 것이다. 본 발명에서는, 예를 들면, 반도체 제조 공정에서 절단성 및 부착성이 탁월하고, 또한 우수한 쿠션성을 가져, 웨이퍼 백그라인딩의 반도체 제조 공정에서 생산 효율을 현저하게 향상시킬 수 있는 점착 필름이 제공된다. 또한, 본 발명에서는, 탁월한 내수성을 나타내면서도, 박리 특성, 재박리성 및 웨이퍼로의 젖음성이 우수한 점착 필름 및 이를 사용한 백그라인딩 방법을 제공할 수 있다.

Description

점착 필름 및 이를 사용한 백그라인딩 방법
본 발명은 점착 필름 및 백그라인딩 방법에 관한 것이다.
최근 전자 제품의 소형화 및 경량화 등이 급격히 진행되고 있으며, 이에 따라 반도체 패키지의 리드레스(leadless)화, 박형화 및 칩의 고집적화에 대한 요구도 증가하고 있다. 이러한 요구에 대응하여, 상기 반도체 패키지에 포함되는 웨이퍼의 대구경화 및 박형화에 대한 요구 역시 증가하고 있다.
반도체 웨이퍼의 대구경화 및 초박형화 추세에 효과적으로 대응하기 위해서는, 웨이퍼 연마공정인 백그라인딩(back grinding) 공정 및 개편화 공정인 다이싱(dicing) 공정의 정밀한 제어가 중요하며, 이를 위해서는 상기 공정들을 제어할 수 있는 고성능 기술이 필요하다. 상기 중 백그라인딩 공정은 고집적 배선회로를 갖는 웨이퍼의 표면을 기계적 또는 화학적으로 연마하여 얇게 하는 공정이다. 이 공정에서는, 예를 들어 8 인치 웨이퍼의 경우 백그라인딩 공정을 통하여 공정 전의 절반 가량인 약 200 ㎛ 내지 400 ㎛ 정도까지 연마를 수행하는 것이 일반적이었다. 그러나, 전술한 박형화의 요구에 따라 현재는 웨이퍼를 200 ㎛ 이하로 연마하는 것이 요구되고, 이에 따라 연마 시에 웨이퍼의 보호에 추가로 박형 웨이퍼를 핸들링하기 위한 보강의 용도로도 보호 필름을 사용하는 경우가 발생하고 있다. 또한, 대구경화의 진행에 따라 백그라인딩 공정 중 웨이퍼 오염 및 균열 발생과 같은 웨이퍼의 손상이 빈번히 발생하고 있으며, 이에 따라 웨이퍼 가공용 보호 필름의 역할이 더욱 중요시되고 있다.
한국 등록특허 제624293호는 특정 온도 범위에서 기재 필름의 동적 점탄성 tanδ 한정하여, 표면의 요철차이가 큰 피착제의 이면 가공 시에 사용될 수 있는 점착 필름을 개시한다. 또한, 한국 공개특허 제2006-0047526호는 반도체 웨이퍼의 두께가 박형화되는 경우에도, 그 파손을 방지할 수 있는 것으로서, 특정 온도에서 저장탄성률이 한정된 반도체 웨이퍼 보호용 점착 필름을 개시한다.
그러나, 전술한 종래 기술에서 제시하는 점착 필름의 경우, 이면 연삭 시에 웨이퍼의 파손 방지 효과는 어느 정도 얻을 수 있으나, 공정 과정에서 웨이퍼의 절단 시에 절단성이 현저히 열악하다는 문제점이 있다. 이와 같이, 보호필름의 절단성이 떨어질 경우, 인-라인(in-line) 공정으로 행해지는 반도체 가공 공정 도중에 필름의 절단 불량 문제로 인해 반도체 가공 공정이 불연속적으로 행하여 질 수 밖에 없어서, 공정의 효율성이 저하되게 된다.
본 발명은 전술한 종래 기술의 문제점을 고려하여 된 것으로, 예를 들면, 반도체 제조 공정에서 절단성 및 부착성이 탁월하고, 또한 우수한 쿠션성을 가지며, 박리 특성, 내수성 및 웨이퍼로의 젖음성 등이 우수한 점착 필름 및 그 이용 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은 상기 과제를 해결하기 위한 수단으로서, 23℃에서 인성값이 240 Kg·mm 미만인 기재 필름; 및
상기 기재 필름 상에 형성된 점착층을 포함하는 점착 필름을 제공한다.
본 발명은 상기 과제를 해결하기 위한 또 다른 수단으로서, 반도체 웨이퍼에 본 발명에 따른 점착 필름을 부착하는 제 1 단계; 및
점착 필름이 부착된 반도체 웨이퍼의 이면을 연삭하는 제 2 단계를 포함하는 백그라인딩 방법을 제공한다.
본 발명에서는, 예를 들면, 반도체 제조 공정에서 절단성 및 부착성이 탁월하고, 또한 우수한 쿠션성을 가져, 웨이퍼 백그라인딩 등의 반도체 제조 공정에서 생산 효율을 현저하게 향상시킬 수 있다. 또한, 본 발명에서는, 탁월한 내수성을 나타내면서도, 박리 특성, 재박리성 및 웨이퍼로의 젖음성이 우수한 점착 필름 및 및 이를 사용한 백그라인딩 방법을 제공할 수 있다. 본 발명에 따르면, 웨이퍼에 보호 필름을 부착하고, 그 형상에 따라 절단할 때에, 필름에서 이물이 발생되지 않고, 절단면이 깨끗하여 버 발생을 최소화할 수 있다. 이에 따라, 본 발명에 따르면, 반도체 공정에서 발생할 수 있는 작업상 지연의 문제를 해결할 수 있고, 필름 절단면에서의 버(Burr) 발생을 최소화하여, 백그라인딩 공정에서 물 및 기타 물질의 침투로 인한 웨이퍼의 오염 및 손상을 최소화할 수 있다. 또한, 본 발명에 따르면, 필름이 우수한 쿠션성을 가져, 웨이퍼의 휨 발생을 방지할 수 있다는 이점이 있으며, 이에 따라 기존의 반도체 공정상의 문제를 해결하고, 연속공정 작업을 효율성을 향상시킬 수 있다.
도 1은 인장 곡선의 예시를 나타내는 도면이다.
도 2 및 3은 본 발명의 일 태양에 따른 점착 필름의 단면도를 나타내는 도면이다.
본 발명은, 23℃에서 인성(toughness)값이 240 Kg·mm 미만인 기재 필름; 및
상기 기재 필름 상에 형성된 점착층을 포함하는 점착 필름에 관한 것이다.
이하, 본 발명에 따른 점착 필름을 보다 상세히 설명한다.
본 발명의 점착 필름은 특정 조건에서 수행되는 인장 시험에서의 인성(toughness)값이 최적화된 기재 필름을 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에서 사용하는 용어 「인장 시험」은 표준화된 시편에 일정한 속도로 하중을 가하여 당길 때, 가해진 하중(힘, stress) 및 시편의 늘어난 정도(elongation)의 관계를 통해, 그 시편의 물성을 측정하는 시험을 의미한다. 한편, 상기와 같은 인장 시험의 결과는, 가해진 하중에 대한 시편의 변형 정도를 표시한 인장 곡선을 통해 표현될 수 있다. 이 때, 인장 곡선은 대표적으로 가해진 하중(load, 103 N)에 대한 연신 정도(elongation, mm)의 관계로 표시되는 인장곡선(Load-versus-elongation curve)(도 1의 좌측 곡선); 및 공칭응력(engineering stress)에 대한 공칭변형(engineering strain)의 관계로 표시되는 인장곡선(Stress-versus-strain curve)(도 1의 우측 곡선)으로 분류될 수 있다.
한편, 상기에서 사용한 용어 「공칭응력」 및 「공칭변형」은 가해진 하중 및 그에 따른 변형을 표준화(normalization)한 수치로서, 이는 각각 하기 수학식 1 및 2로 표시될 수 있다.
수학식 1
Figure PCTKR2009002082-appb-M000001
수학식 2
Figure PCTKR2009002082-appb-M000002
상기 수학식 1 및 2에서, σ는 공칭응력(MPa)을 나타내고, P는 시편에 가해진 하중(N)을 나타내며, Ao는 시편의 초기 단면적(mm2)을 나타내고, ε는 공칭응력(mm/mm)을 나타내며, lo는 시편의 초기 길이(mm)를 나타내고, l는 인장 시험 후에 시편의 최종 길이(mm)를 나타낸다.
한편, 본 발명에서 사용하는 용어 「인성(toughness)값」은 상기한 바와 같은 인장 시험을 통해 측정되는 물성으로서, 구체적으로는 재료의 강성과 연성의 정도를 나타내는 수치를 의미한다. 이와 같은 인성값은 예를 들면, 인장 곡선에서 시편이 파괴될 때까지의 하중(또는 공칭응력)-변형 정도(또는 공칭변형) 곡선을 적분하여 계산될 수 있다.
본 발명의 점착 필름은 23℃, 바람직하게는 20℃ 내지 25℃, 보다 바람직하게는 15℃ 내지 30℃의 온도에서의 인성값이 240 Kg·㎜ 미만, 바람직하게는 내지 210 Kg·㎜ 이하인 기재 필름을 포함할 수 있다.
상기와 같은 기재 필름의 인성값은, 예를 들면, 하기에 나타난 방법으로 측정될 수 있다. 우선, 인성값을 측정할 기재 필름으로 소정 크기의 필름 형상의 시편을 제작한다. 이 때 상기 시편은, 예를 들면, 필름상의 시편으로서, 세로의 길이가 약 15 mm이고, 가로의 길이가 약 15 mm일 수 있다. 상기에서 시편의 크기는 테스트 시 시편의 고정을 위해 테이핑되는 부분을 제외한 크기를 의미한다.
상기와 같은 조건의 시편을 제조한 후, 시편의 세로 방향을 기계(인장 시험기) 방향과 직교하는 방향으로 설치하고, 세로방향으로 약 180 mm/min 내지 약 220 mm/min, 바람직하게는 약 200 mm/min의 인장 속도로 가하면서, 시편이 절단될 때까지의 거리(distance)에 따라 측정된 하중(force) 그래프를 필름(시편)의 넓이 및 두께를 적용하여 연신율(elongation) 및 인장 강도(tensile strength)의 그래프(X축: elongation, Y축: tensile strength)로 나타낸다. 상기와 같은 방식으로 인장 곡선을 작성할 경우, 상기 곡선의 초기 기울기를 통해 시편의 인장 탄성계수(tensile modulus)를, 그리고 상기 곡선의 면적을 통해 시편의 인성값을 측정할 수 있다.
본 발명에서 상기와 같은 인성값이 240 Kg·mm 이상이면, 기재 필름의 탄성률 증가로 인해, 지나치게 딱딱한 성질을 나타내고, 필름의 절단성이 저하될 우려가 있다. 또한, 기재 필름의 인성값이 지나치게 증가할 경우, 쿠션성이 약화되어, 예를 들어 본 발명의 점착 필름을 웨이퍼의 이면 연삭 공정에 적용할 경우, 웨이퍼에 가해지는 스트레스를 완화시켜 주는 점착 필름의 효과가 떨어져서 연마 정밀도의 감소 또는 웨이퍼 손상이 발생할 우려가 있다.
본 발명에서 기재 필름의 인성값이 상기 범위에 속하는 한, 그 하한은 특별히 한정되지 않는다. 다만, 기재 필름의 인성값이 지나치게 작아질 경우, 필름의 연화가 지나치게 발생하여, 필름을 롤에 귄취하거나, 권취된 롤에서 필름을 풀면서 웨이퍼에 부착할 시에, 웨이퍼의 균열 또는 손상이 발생할 우려가 있다. 이에 따라서, 본 발명에서는, 예를 들면, 상기 기재 필름의 인성값이 60 Kg·mm 이상의 범위에서 적절히 조절될 수 있다.
본 발명의 점착 필름에 포함되는 기재 필름은 또한 상기한 바와 같은 인장 시험으로 측정된 연신율(elongation)이 700% 미만, 바람직하게는 650% 이하, 보다 바람직하게는 600% 이하일 수 있다. 상기 연신율이 700% 이상이면, 웨이퍼 부착 공정 시에 웨이퍼의 균열 또는 손상이 발생할 우려가 있다. 본 발명에서 상기 연신율의 하한은 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면, 기재 필름의 연신율은 20% 이상의 범위에서 조절될 수 있다.
본 발명의 점착 필름에 포함되는 기재 필름은 또한, 약 20℃에서 저장 탄성률(storage modulus)가 1 × 107 Pa 내지 1 × 109 Pa인 것이 바람직하다. 상기 저장 탄성률이 1 × 107 Pa 미만이면, 웨이퍼의 부착 공정 등에서 웨이퍼의 균열 또는 손상이 발생할 우려가 있고, 1 × 109 Pa를 초과하면, 필름의 절단성, 쿠션성, 연마 정밀도의 감소 도는 웨이퍼 손상이 발생할 우려가 있다.
본 발명의 점착 필름에 포함되는 기재 필름의 구조는 전술한 물성을 가지는 필름을 포함하는 한, 특별히 한정되지 않는다. 예를 들면, 본 발명의 점착 필름은 도 2에 나타난 바와 같이, 전술한 물성을 가지는 기재 필름의 단층으로 구성될 수 있다. 또한, 경우에 따라서는, 본 발명의 점착 필름의 기재 필름은 두 개 이상의 필름이 적층되어 구성될 수 있으며, 이 경우, 상기 다층의 기재 필름 중 하나 이상이 전술한 범위를 만족하거나, 혹은 다층 구조로 적층된 기재 필름이 전체적으로 전술한 범위의 물성을 나타낼 수 있다.
본 발명에서 사용하는 기재 필름의 구체적인 종류는, 전술한 범위의 물성을 만족하는 한, 특별히 한정되지 않는다. 본 발명에서는 예를 들면, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 에틸렌-초산 비닐 공중합체, 에틸렌-알킬(메타)아크릴레이트 공중합체(상기에서, 알킬은 탄소수 1 내지 4의 알킬기일 수 있다.), 에틸렌-α-올레핀 공중합체 또는 프로필렌-α-올레핀 공중합체 등의 폴리올레핀; 폴리에틸렌테레프탈레이트 또는 폴리부틸렌테레프탈레이트 등의 폴리에스테르; 폴리비닐클로라이드; 폴리에스테르 엘라스토머; 또는 우레탄계 등의 고분자로 이루어지는 기재 필름을 사용할 수 있다. 본 발명에서 상기와 같은 기재 필름을 제조하는 방법은 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면, (T 다이) 압출법, 인플레이션법, 캐스팅법 또는 카렌다링법 등을 통하여 제조할 수 있다.
본 발명에서 상기와 같은 기재 필름의 두께는 특별히 한정되지 않으나, 전술한 범위의 인성값을 가지는 기재 필름을 얻기 위하여, 약 50 ㎛ 내지 300 ㎛ 또는 약 100 ㎛ 내지 200 ㎛의 범위로 설정하는 것이 바람직하다.
본 발명에서는 또한, 점착층과의 밀착성 향상의 관점에서, 상기와 같은 기재 필름에 프라이머 처리 또는 코로나 처리 등과 같은 표면 처리가 되어 있을 수 있으며, 반도체 공정의 효율성을 위하여 적절한 색상이 부여되어 있을 수도 있다.
본 발명의 점착 필름은 또한, 예를 들면, 도 2에 나타난 바와 같이, 상기와 같은 기재 필름(10)상에 형성된 점착층(20)을 포함한다.
본 발명의 점착 필름에 포함되는 점착층(20)의 구체적인 종류는, 웨이퍼 표면에 대한 저오염성을 가지면서, 웨이퍼 연마 시에 점착 필름의 들뜸 현상을 방지할 수 있는 것이라면, 특별히 한정되지 않는다. 본 발명에서는, 예를 들면, 점착층으로서, 실리콘계 점착제, 합성 고무계 점착제, 천연 고무계 점착제 또는 아크릴계 점착제를 사용할 수 있다.
본 발명에서 기재 필름상에 형성되는 점착제로서 아크릴계 점착제를 사용할 경우, 상기 점착제는, 예를 들면, (메타)아크릴산 에스테르계 단량체 90 중량부 내지 99.9 중량부; 및 가교성 관능기 함유 단량체 0.1 중량부 내지 10 중량부를 함유하는 단량체의 공중합체를 포함할 수 있다.
상기에서 (메타)아크릴산 에스테르계 단량체의 종류는 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 알킬 (메타)아크릴레이트를 사용할 수 있다. 이 때, 단량체에 포함되는 알킬기가 지나치게 장쇄가 되면, 점착제의 응집력이 저하되고, 유리전이온도(Tg) 또는 점착성의 조절이 어려워질 우려가 있으므로, 탄소수가 1 내지 12인 알킬기를 갖는 알킬 (메타)아크릴레이트를 사용하는 것이 바람직하다. 이와 같은 단량체의 예로는 메틸 (메타)아크릴레이트, 에틸 (메타)아크릴레이트, n-프로필 (메타)아크릴레이트, 이소프로필 (메타)아크릴레이트, n-부틸 (메타)아크릴레이트, t-부틸 (메타)아크릴레이트, sec-부틸 (메타)아크릴레이트, 펜틸 (메타)아크릴레이트, 2-에틸헥실 (메타)아크릴레이트, 2-에틸부틸 (메타)아크릴레이트, n-옥틸 (메타)아크릴레이트, 이소옥틸 (메타)아크릴레이트, 이소보닐 (메타)아크릴레이트, 이소노닐 (메타)아크릴레이트, 라우릴 (메타)아크릴레이트 및 테트라데실 (메타)아크릴레이트를 들 수 있으며, 본 발명에서는 상기 중 일종 또는 이종 이상의 혼합을 사용할 수 있다. 아크릴계 점착 수지가 상기 (메타)아크릴산 에스테르계 단량체를 포함할 경우, 그 함량은 10 중량부 내지 99.9 중량부인 것이 바람직하다. 상기 함량이 10 중량부보다 작으면, 점착제의 초기 접착력이 저하될 우려가 있고, 99.9 중량부를 초과하면, 응집력 저하로 인해 내구성에 문제가 발생할 우려가 있다.
본 발명의 일 태양에서는, 상기와 같은 알킬 (메타)아크릴레이트 성분 중, 이소보닐 (메타)아크릴레이트를 필수 성분으로서 포함시킬 수 있다. 상기 이소보닐 (메타)아크릴레이트는 하드 타입(hard type)의 단량체이면서도, 낮은 친수성을 나타내는 특성을 가지고 있다. 이에 따라, 전술한 공중합체에 이소보닐 (메타)아크릴레이트를 포함시킬 경우, 점착층은 높은 가교 밀도 및 낮은 점착력을 가지면서도 우수한 내수성을 가지게 된다. 또한, 본 발명에서 상기 이소보닐 (메타)아크릴레이트를 유리전이온도가 낮은 다른 공중합성 단량체와 공중합시킬 경우, 예를 들어, 웨이퍼의 보호 필름으로의 적용 시에, 웨이퍼 표면으로의 젖음성, 내수성 및 재박리성이 보다 우수한 점착제를 얻을 수 있는 이점이 있다.
상기 이소보닐 (메타)아크릴레이트의 점착층 내에서의 함량을 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면, 전체 단량체 성분 100 중량부를 기준으로 약 1 중량부 내지 30 중량부, 바람직하게는 5 중량부 내지 25 중량부의 양으로 포함될 수 있다. 상기 함량이 1중량부 미만이면, 내수성 개선 효과가 저하될 우려가 있고, 30중량부를 초과하면, 박리 시에 부드러운 박리가 이루어지지 않거나, 스틱-슬립(stick-slip) 현상이 발생할 우려가 있다.
한편, 본 발명의 상기 아크릴계 중합체에 포함될 수 있는 가교성 관능기 함유 단량체는, 예를 들면 후술하는 다관능성 가교제와 반응할 수 있는 가교성 관능기를 공중합체에 부여하여, 내구신뢰성, 점착력 및 응집력을 조절하는 역할을 할 수 있다.
이 때 사용될 수 있는 가교성 관능기 함유 단량체의 예로는 히드록시기 함유 단량체, 카복실기 함유 단량체 및 질소 함유 단량체를 들 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 상기에서 히드록시기 함유 단량체의 예로는, 2-히드록시에틸 (메타)아크릴레이트, 2-히드록시프로필 (메타)아크릴레이트, 4-히드록시부틸 (메타)아크릴레이트, 6-히드록시헥실 (메타)아크릴레이트, 8-히드록시옥틸 (메타)아크릴레이트, 2-히드록시에틸렌글리콜 (메타)아크릴레이트 또는 2-히드록시프로필렌글리콜 (메타)아크릴레이트를 들 수 있고, 카복실기 함유 단량체의 예로는 (메타)아크릴산, 2-(메타)아크릴로일옥시 아세트산, 3-(메타)아크릴로일옥시 프로필산, 4-(메타)아크릴로일옥시 부틸산, 아크릴산 이중체, 이타콘산, 말레산 및 말레산 무수물을 들 수 있으며, 질소 함유 단량체의 예로는 (메타)아크릴아미드, N-비닐 피롤리돈 또는 N-비닐 카프로락탐을 들 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 본 발명에서는 상기 중 일종 또는 이종 이상의 혼합을 사용할 수 있다.
상기 가교성 관능기 함유 단량체는 전술한 공중합체 내에 0.1 중량부 내지 10 중량부의 양으로 포함되는 것이 바람직하다. 상기 함량이 0.1 중량부 미만이면, 점착제의 내구 신뢰성이 저하될 우려가 있고, 10 중량부를 초과하면, 점착성 및/또는 박리력이 저하될 우려가 있다.
본 발명의 아크릴계 공중합체에는 또한, 추가적인 점착력 및 응집력 부여 등의 관점에서, 높은 유리전이온도를 가지는 공단량체가 추가적으로 포함될 수 있다. 이 때 포함될 수 있는 공단량체의 종류는 전술한 작용을 수행하는 한, 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 하기 화학식 1로 표시되는 화합물일 수 있다.
화학식 1
Figure PCTKR2009002082-appb-C000001
상기 식에서, R1 내지 R3는 각각 독립적으로 수소 또는 알킬을 나타내고, R4는 시아노; 알킬로 치환 또는 비치환된 페닐; 아세틸옥시; 또는 COR5를 나타내며, 이 때 R5는 알킬 또는 알콕시알킬로 치환 또는 비치환된 아미노 또는 글리시딜옥시를 나타낸다.
상기 식의 R1 내지 R5의 정의에서 알킬 또는 알콕시는 탄소수 1 내지 8의 알킬 또는 알콕시를 의미하며, 바람직하게는 메틸, 에틸, 메톡시, 에톡시, 프로폭시 또는 부톡시이다.
상기 화학식 1의 단량체의 구체적인 예로는 메틸 (메타)아크릴레이트 또는 에틸 (메타)아크릴레이트 등의 (메타)아크릴레이트; (메타)아크릴로니트릴, (메타)아크릴아미드, N-메틸 (메타)아크릴아미드 또는 N-부톡시 메틸 (메타)아크릴아미드와 같은 질소 함유 단량체; 스티렌 또는 메틸 스티렌과 같은 스티렌계 단량체; 글리시딜 (메타)아크릴레이트; 또는 비닐 아세테이트와 같은 카르본산 비닐 에스테르 등의 일종 또는 이종 이상을 들 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 상기와 같은 공단량체가 아크릴계 점착 수지에 포함될 경우에는, 그 함량이 20 중량부 이하인 것이 바람직하다. 상기 함량이 20 중량부를 초과하면, 점착제 조성물의 유연성 및/또는 박리력이 저하될 우려가 있다.
전술한 각각의 성분을 포함하는 공중합체는 또한 그 유리전이온도가 -50℃ 내지 15℃인 것이 바람직하다. 점착제의 유리전이온도가 -50℃ 미만이면, 박리 속도에 따라서, 박리력이 크게 증가하여, 예를 들면, 웨이퍼 가공 공정에서의 통상적인 박리속도(약 1.0 m/min)에서의 박리력이 높아져 웨이퍼 손상 등이 발생할 우려가 있다. 또한, 상기 유리전이온도가 15℃를 초과하면, 웨이퍼 등의 피착체로의 젖음성이 저하되거나, 들뜸 현상이 발생할 우려가 있다.
또한, 본 발명에서 상기 공중합체는 중량평균분자량이 5만 내지 70만인 것이 바람직하다. 점착제의 중량평균분자량이 5만 미만이면, 응집력이 낮아져 전사로 인한 오염이 발생할 우려가 있고, 70만을 초과하면, 점착 특성이 저하될 우려가 있다.
본 발명에서 상기와 같은 아크릴계 점착제를 제조하는 방법은 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 용액 중합, 광중합, 벌크 중합, 서스펜션 중합 또는 에멀션 중합과 같은 일반적인 중합법을 통하여 제조할 수 있다. 본 발명에서는 특히 용액 중합법을 사용하는 것이 바람직하며, 용액 중합은 각각의 단량체가 균일하게 혼합된 상태에서 개시제를 혼합하여, 50℃ 내지 140℃의 중합 온도로 수행하는 것이 바람직하다. 사용될 수 있는 개시제의 예로는 아조비스 이소부티로니트릴 또는 아조비스시클로헥산 카르보니트릴과 같은 아조계 중합 개시제; 및/또는 과산화 벤조일 또는 과산화 아세틸과 같은 과산화물 등의 통상의 개시제를 들 수 있고, 상기 중 일종 또는 이종 이상의 혼합을 사용할 수 있다.
본 발명의 점착제는 또한 전술한 성분과 함께, 아크릴계 공중합체 100 중량부에 대하여 0.1 중량부 내지 10 중량부의 가교제를 추가로 포함할 수 있다. 상기 가교제는 사용량에 따라 점착제의 점착 특성을 조절할 수 있으며, 경우에 따라서는 점착제에 포함되어 있는 가교성 관능기와 반응하여, 점착제의 응집력을 향상시키는 작용을 할 수 있다.
본 발명에서 사용될 수 있는 구체적인 가교제의 종류는 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 이소시아네이트계 화합물, 에폭시계 화합물, 아지리딘계 화합물 및 금속 킬레이트계 화합물과 같은 일반적인 가교제를 사용할 수 있다.
이 때 이소시아네이트계 화합물의 예로는 톨리렌 디이소시아네이트, 크실렌 디이소시아네이트, 디페닐메탄 디이소시아네이트, 헥사메틸렌 디이소시아네이트, 이소포름 디이소시아네이트, 테트라메틸크실렌 디이소시아네이트, 나프탈렌 디이소시아네이트 및 상기 중 어느 하나의 폴리올(ex. 트리메틸롤 프로판)과의 반응물로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상을 들 수 있고; 에폭시계 화합물의 예로는 에틸렌글리콜 디글리시딜에테르, 트리글리시딜에테르, 트리메틸올프로판 트리글리시딜에테르, N,N,N'N'테트라글리시딜 에틸렌디아민 및 글리세린 디글리시딜에테르로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상을 들 수 있으며; 아지리딘계 화합물의 예로는 N,N'톨루엔-2,4-비스(1-아지리딘카르복사미드), N,N'디페닐메탄-4,4' 비스(1-아지리딘카르복사미드), 트리에틸렌 멜라민, 비스이소프로탈로일-1-(2-메틸아지리딘) 및 트리-1-아지리디닐포스핀옥시드로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상을 들 수 있다. 또한, 상기 금속 킬레이트계 화합물의 예로는, 알루미늄, 철, 아연, 주석, 티탄, 안티몬, 마그네슘 및/또는 바나듐과 같은 다가 금속이 아세틸 아세톤 또는 아세토초산 에틸 등에 배위하고 있는 화합물을 사용할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
이와 같은 가교제는 전술한 공중합체 100 중량부에 대하여 0.1 중량부 내지 10 중량부의 양으로 포함되는 것이 바람직하다. 상기 함량이 0.1 중량부보다 작으면, 점착제의 응집력이 떨어져서 고온 또는 고습 조건 하에서 응집 파괴가 일어날 우려가 있고, 10 중량부를 초과하면, 층간 박리나 들뜸 현상이 발생하는 등 내구신뢰성이 저하되거나, 또는 상용성이나 유동 특성이 감소될 우려가 있다.
본 발명의 점착제는 또한, 발명의 효과에 영향을 미치지 않는 범위 내에서, 상기 성분에 추가로 점착성 부여 수지, 저분자량체, 에폭시 수지, 경화제, 자외선 안정제, 산화 방지제, 조색제, 보강제, 소포제, 계면 활성제, 발포제, 유기염, 증점제 및 난연제로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 첨가제를 추가로 포함할 수 있다.
본 발명에서, 상기와 같은 점착층을 전술한 기재 필름 상에 형성하는 방법은 특별히 한정되지 않는다. 예를 들면, 본 발명에서는 기재 필름 표면에 직접 바코트, 나이프 코트, 롤 코트, 스프레이 코트, 그라비어 코트, 커튼 코트, 콤마 코트 및/또는 립 코트 등의 수단을 사용하여 전술한 성분을 포함하는 코팅액을 도포 및 건조시키는 방법, 점착제를 박리성 기재 표면에 도포하고 건조시킨 후, 상기 박리성 기재 표면에 형성된 점착제 층을 기재 표면에 전사하고 숙성시키는 방법 등을 사용할 수 있다.
본 발명에서는 상기와 같은 점착층의 형성 단계에서 적절한 건조 및 숙성 과정을 거쳐, 점착층의 가교 구조를 조절하는 것이 바람직하다. 이와 같은 가교 구조의 조절을 통하여, 탄성을 가지고, 응집력이 강한 점착층을 얻을 수 있으며, 이에 따라 점착 필름의 내구신뢰성 등의 점착물성 및 절단성을 향상시킬 수 있다. 구체적으로, 본 발명의 점착 필름의 점착층은 80 내지 99%의 가교 밀도를 가지는 것이 바람직하다. 상기 가교밀도가 80% 미만이면, 점착층의 응집력이 저하되고, 점착층 성분이 웨이퍼 등 피착체로 전사되어 잔사가 남게 될 우려가 있다. 또한, 상기 점착층의 가교 밀도가 99%를 초과하면, 박리력이 저하되어 웨이퍼 가공 시 수분사에 의한 수침이 발생할 우려가 있다.
본 발명의 점착 필름에서 상기와 같은 점착층의 두께는 0.5 ㎛ 내지 50 ㎛인 것이 바람직하고, 1 ㎛ 내지 30 ㎛인 것이 보다 바람직하다. 점착층의 두께가 상기 범위를 벗어나는 경우 균일한 점착층을 얻기 어려워 필름의 물성이 불균일해 질 우려가 있다.
본 발명의 점착 필름에서는 또한 점착층으로의 이물 유입의 방지 등의 관점에서, 점착층 상에 박리 필름을 형성하여 둘 수 있다. 첨부된 도 3은 본 발명의 일 태양에 따라 기재 필름(10)의 일면에 점착층(20)이 형성되고, 상기 점착층(20) 상에 박리 필름(30)이 형성된 점착 필름을 나타내는 단면도이다. 상기와 같은 박리 필름의 구체적인 종류는 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 필름 또는 올레핀계 필름 등의 일면 또는 양면을 실리콘 또는 알키드 계열의 이형제로 이형처리한 필름을 사용할 수 있다. 상기와 같은 박리 필름의 두께는 그 용도에 따라 적절히 설정되는 것으로 특별히 한정되지 않고, 예를 들면 10 ㎛ 내지 70 ㎛의 범위에서 적절히 선택될 수 있다.
본 발명의 점착 필름은, 예를 들면, 반도체 웨이퍼 이면 연삭 시의 보호 필름 등의 반도체 가공용 필름으로 이용될 수 있다. 이와 같은 본 발명의 점착 필름은 전술한 바와 같은 특징적인 물성을 만족하는 기재 필름의 사용으로 인해, 우수한 절단성, 부착성, 완충성 및 쿠션성을 나타내서, 웨이퍼의 이면 연삭 등의 공정에서 제품의 양산 효율을 향상시킬 수 있다.
즉, 본 발명은 또한, 반도체 웨이퍼에 전술한 본 발명에 따른 점착 필름을 부착하는 제 1 단계; 및
점착 필름이 부착된 반도체 웨이퍼의 이면을 연삭하는 제 2 단계를 포함하는 백그라인딩(backgrinding) 방법에 관한 것이다.
상기 백그라인딩 방법은 전술한 본 발명의 필름을 웨이퍼 가공용 보호 필름으로 사용한 것을 특징으로 하며, 그 외의 구체적인 공정 조건은 특별히 한정되지 않는다. 예를 들면, 본 발명에서는 전술한 점착 필름을 프레스법 또는 핫 롤 라미네이트법 등의 수단으로 웨이퍼에 합판하고, 이를 연마기와 같은 연삭 공구에 고정시킨 후 백그라인딩 공정을 수행할 수 있다. 상기한 바와 같이 본 발명의 점착 필름은 웨이퍼에 대한 젖음성, 박리성 및 내수성 등이 우수하여 상기 백그라인딩 공정에 효과적으로 적용될 수 있다. 본 발명의 방법에서는 또한 상기 백그라인딩 공정을 수행한 후, 웨이퍼의 다이싱, 다이본딩, 와이어 본딩 및 몰딩 등과 같은 일반적인 반도체 패키징 공정을 연속하여 수행할 수 있고, 그 구체적인 조건은 특별히 한정되지 않는다.
이하 본 발명에 따르는 실시예 및 본 발명에 따르지 않는 비교예를 통하여 본 발명을 보다 상세히 설명하나, 본 발명의 범위가 하기 제시된 실시예에 의해 제한되는 것은 아니다.
실시예1
단량체 성분으로서 이소보닐 아크릴레이트(IBOA)를 5중량부의 양으로 포함하고, 수지의 유리전이온도가 -25℃가 되도록 이소보닐 아크릴레이트, 메틸 아크릴레이트, 에틸 아크릴레이트, n-부틸 아크릴레이트 및 2-히드록시 에틸아크릴레이트를 혼합하여 단량체 혼합물(100중량부)을 제조한 후, 이를 중합하여 고형분 함량이 45 중량%인 아크릴계 점착 수지를 제조하였다. 이어서, 제조된 점착 수지에 이소시아네이트계 경화제를 점착 수지 100 중량부 대비 2중량부의 양으로 첨가하였다. 이어서, 인성값이 137 Kg·mm, 20℃에서의 저장 탄성률이 5 × 107 Pa, 연신율이 434%, 인장강도(tensile strength)가 139 Kg/cm2인 에틸렌-초산비닐 공중합체 필름(EVA)에 도포 및 건조하여 점착 필름을 제조하였다. 이 때, 기재 필름의 인성값, 저장탄성률, 연신률 및 인장 강도는 하기의 방법으로 평가하였다.
(1) 인성값, 연신율 및 인장 강도의 측정
측정 기기(XP plus, TA(제))의 기계 방향으로 15 mm, 기계 방향과 직교하는 방향으로 35 mm의 크기로 기재 필름을 재단하여 시편을 제조한 후, 시편의 세로 방향(기계 방향과 직교하는 방향)으로 상단과 하단에 각각 10 mm의 길이만큼 테이프로 시편을 감싼다. 이어서, 측정 기기로 시편의 상단 및 하단에 테이핑(taping)된 부분(10 mm)을 고정시키고, 200 mm/min의 인장 속도의 조건으로 인장하면서, 시편이 절단될 때까지의 거리(distance)에 따라 측정된 하중(force)의 그래프(X축: distance, Y축: force)를 필름의 넓이 및 두께를 적용해 연신율(elongation)과 인장 강도(tensile strength)의 그래프(X축: elongation, Y축: tensile strength)로 나타낸다. 이와 같이 도시된 그래프의 초기 기울기 값을 통해 인장 탄성계수(tensile modulus)를 계산할 수 있고, 그래프의 면적을 통해 인성값(toughness)을 알 수 있다. 또한, 시편의 세로방향에서 가운데 부분에 1 mm씩의 노취(notch)를 가하여 상기와 같은 방식으로 인장하면서, 시편의 인성값(toughness)을 비교할 수 있다.
(2) 저장 탄성률의 측정
필름을 측정 기기의 기계 방향 30 mm 및 기계 방향과 직교하는 방향 5 mm의 크기로 재단하여 시편을 제조한다. 제조된 시편에 대하여 측정 기기(동적 점탄성 측정장치, Q800, TA(제))를 사용하여, 1 Hz의 주파수로, -10℃ 내지 100℃의 온도 범위에서 3℃/분의 속도로 승온하면서 저장 탄성율을 측정한다.
실시예2 내지 4 및 비교예 1 내지 3
기재 필름의 종류 및 물성을 하기 표 1에 제시된 바와 같이 변경한 것을 제외하고는, 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 점착 필름을 제조하였다.
표 1
Figure PCTKR2009002082-appb-T000001
상기와 같이 제조된 실시예 및 비교예의 점착 필름을 사용하여 하기 제시된 방법으로 물성을 평가하였다.
1. 절단성
웨이퍼 마운터(Wafer Mounter)로 8인치 실리콘 웨이퍼(Si-Wafer)에 실시예 및 비교예에서 제조된 점착 필름(보호 필름)을 부착하고, 익스펜더(Expender, HS-1810, Hugle electronics Inc)로 필름을 웨이퍼 모양에 맞추어 잘랐다. 이어서, 스테이지(stage)의 높이를 3으로 맞추고, 점착 필름의 절단면을 관찰하였다. 구체적으로 절단(cutting) 시작점과 중간 부분을 현미경(Optical Microscope)으로 관측하여 절단면의 이바리 생성 정도와 절단(cutting) 시 찢겨진 부분의 면적을 구하여 하기 기준으로 절단성을 비교하였다.
○: 필름의 절단 시작 부분을 50배율로 관찰할 때, 해상도 640 × 480의 면적 부분에서 보이는 필름 전면적에 대해 찢겨짐으로 인해 생성된 부분의 면적의 비가 3 % 미만인 경우
△:: 필름의 절단 시작 부분을 50배율로 관찰할 때, 해상도 640 × 480의 면적 부분에서 보이는 필름 전면적에 대해 찢겨짐으로 인해 생성된 부분의 면적의 비가 4% 내지 7 %인 경우
×: 필름의 절단 시작 부분을 50배율로 관찰할 때, 해상도 640 × 480의 면적 부분에서 보이는 필름 전면적에 대해 찢겨짐으로 인해 생성된 부분의 면적의 비가 8 % 이상인 경우
2. 보호필름 부착성
웨이퍼 마운터(Wafer Mounter; DS Precision Inc. DYWMDS-8')를 사용하여, 8인치의 실리콘 웨이퍼에 점착 필름을 부착하고, 부착된 웨이퍼의 표면을 관찰하여 라미 기포가 발생된 부분을 계수한 후, 발생된 기포의 수가 3개 이하이면 ○, 4 내지 7개이면 △, 8개 이상이면 ×로 평가하였다.
3. 웨이퍼 연삭성
웨이퍼 마운터(Wafer Mounter)로 8인치의 실리콘 웨이퍼에 점착 필름을 부착한 후, 익스텐더(Expender)에서 필름을 웨이퍼 형상에 맞추어 절단한 후, 웨이퍼 이면 연삭기(SVG-502MKII8)를 사용하여, 웨이퍼의 손상 및 균열의 횟수를 평가하였다. 구체적으로, 연삭을 5회 실시하여 웨이퍼 손상의 횟수가 0회이면 ○, 1회이면 △, 2회 이상이면 ×로 평가하였다.
상기 방법에 따라 측정한 결과를 하기 표 2에 정리하여 기재하였다.
표 2
Figure PCTKR2009002082-appb-T000002
상기 표 2의 결과로부터 알 수 있는 바와 같이, 본 발명에 따른 실시예의 경우, 절단성, 부착성 및 연삭성에서 모두 우수한 결과를 나타내었으나, 비교예의 경우 열악한 물성을 나타내었다.
특히, 기재 필름의 인성값이 지나치게 높은 비교예 2의 경우, 특히 절단성에서 매우 열악한 결과를 나타내었고, 연신율 및 인성값이 모두 지나치게 높은 비교예 3의 경우, 절단성, 부착성 및 연삭성 측면에서 모두 열악한 결과를 나타내었다.

Claims (16)

  1. 23℃에서 인성값이 240 Kg·mm 미만인 기재 필름; 및
    상기 기재 필름 상에 형성된 점착층을 포함하는 점착 필름.
  2. 제 1 항에 있어서, 기재 필름은 20℃ 내지 25℃의 온도에서 인성값이 240 Kg·mm 이하인 것을 특징으로 하는 점착 필름.
  3. 제 1 항에 있어서, 기재 필름은 인성값이 210 Kg·mm 이하인 것을 특징으로 하는 점착 필름.
  4. 제 1 항에 있어서, 기재 필름은 연신율이 700% 미만인 것을 특징으로 하는 점착 필름.
  5. 제 1 항에 있어서, 기재 필름은 20?에서의 저장 탄성률이 1 × 107 Pa 내지 1 × 109 Pa인 것을 특징으로 하는 점착 필름.
  6. 제 1 항에 있어서, 기재 필름은 폴리올레핀 필름; 폴리에스테르 필름; 폴리비닐클로라이드; 폴리에스테르 엘라스토머; 또는 우레탄계 필름인 것을 특징으로 하는 점착 필름.
  7. 제 1 항에 있어서, 기재 필름은 두께가 50 ㎛ 내지 300 ㎛인 것을 특징으로 하는 점착 필름.
  8. 제 1 항에 있어서, 점착층은 실리콘계 점착제, 합성 고무계 점착제, 천연 고무계 점착제 또는 아크릴계 점착제를 포함하는 것을 특징으로 하는 점착 필름.
  9. 제 8 항에 있어서, 아크릴계 점착제는 (메타)아크릴산 에스테르계 단량체 90 중량부 내지 99.9 중량부; 및 가교성 관능기 함유 단량체 0.1 중량부 내지 10 중량부를 함유하는 단량체의 공중합체를 포함하는 것을 특징으로 하는 점착 필름.
  10. 제 9 항에 있어서, (메타)아크릴산 에스테르계 단량체는 이소보닐 (메타)아크릴레이트를 포함하는 것을 특징으로 하는 점착 필름.
  11. 제 9 항에 있어서, 공중합체는 유리전이온도가 -50℃ 내지 15℃인 것을 특징으로 하는 점착 필름.
  12. 제 9 항에 있어서, 공중합체는 중량평균분자량이 5만 내지 70만인 것을 특징으로 하는 점착 필름.
  13. 제 9 항에 있어서, 점착제는 공중합체 100 중량부에 대하여 0.1 중량부 내지 10 중량부의 가교제를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 점착 필름.
  14. 제 1 항에 있어서, 점착층은 두께가 0.5 ㎛ 내지 50 ㎛인 것을 특징으로 하는 점착 필름.
  15. 제 1 항에 있어서, 점착층 상에 형성된 박리 필름을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 점착 필름.
  16. 반도체 웨이퍼에 제 1 항에 따른 점착 필름을 부착하는 제 1 단계; 및 점착 필름이 부착된 반도체 웨이퍼의 이면을 연삭하는 제 2 단계를 포함하는 백그라인딩 방법.
PCT/KR2009/002082 2008-04-21 2009-04-21 점착 필름 및 이를 사용한 백그라인딩 방법 Ceased WO2009131363A2 (ko)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011506192A JP6176432B2 (ja) 2008-04-21 2009-04-21 粘着フィルム及びこれを使用したバックグラインディング方法
CN200980114076.4A CN102015937B (zh) 2008-04-21 2009-04-21 压敏粘合剂膜和使用该压敏粘合剂膜的背磨方法
US12/988,774 US20110091676A1 (en) 2008-04-21 2009-04-21 Pressure-sensitive adhesive film and back-grinding method using the same
EP09735160.5A EP2267090B8 (en) 2008-04-21 2009-04-21 Pressure-sensitive adhesive film and back-grinding method using the same

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2008-0036718 2008-04-21
KR20080036718 2008-04-21

Publications (3)

Publication Number Publication Date
WO2009131363A2 true WO2009131363A2 (ko) 2009-10-29
WO2009131363A9 WO2009131363A9 (ko) 2010-01-21
WO2009131363A3 WO2009131363A3 (ko) 2010-03-11

Family

ID=41217255

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/KR2009/002082 Ceased WO2009131363A2 (ko) 2008-04-21 2009-04-21 점착 필름 및 이를 사용한 백그라인딩 방법

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20110091676A1 (ko)
EP (1) EP2267090B8 (ko)
JP (2) JP6176432B2 (ko)
CN (1) CN102015937B (ko)
TW (1) TWI553083B (ko)
WO (1) WO2009131363A2 (ko)

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2267090B8 (en) * 2008-04-21 2018-10-17 LG Chem, Ltd. Pressure-sensitive adhesive film and back-grinding method using the same
US20110139347A1 (en) * 2008-05-14 2011-06-16 Lg Chem Ltd. Adhesive composition, adhesive sheet, and back grinding method for semiconductor wafer
TWI507501B (zh) * 2009-06-15 2015-11-11 Lg Chemical Ltd 用於處理晶圓的薄片
US8298041B2 (en) * 2010-10-08 2012-10-30 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. System and method for wafer back-grinding control
JP5361092B2 (ja) 2011-09-16 2013-12-04 リンテック株式会社 ダイシングシート用基材フィルムおよびダイシングシート
US8486214B2 (en) * 2011-09-27 2013-07-16 Source Photonics, Inc. Ramped, variable power UV adhesive cure process for improved alignment
KR101539133B1 (ko) * 2012-07-10 2015-07-23 (주)엘지하우시스 반도체 웨이퍼 표면보호 점착필름 및 그의 제조방법
KR102070091B1 (ko) 2013-02-20 2020-01-29 삼성전자주식회사 기판 연마 방법 및 이를 이용한 반도체 발광소자 제조방법
JP6256729B2 (ja) * 2013-06-19 2018-01-10 エルジー・ケム・リミテッド 積層体
JP5700466B2 (ja) * 2013-07-19 2015-04-15 日東電工株式会社 再剥離粘着剤組成物、粘着シート及びテープ
TWI693268B (zh) * 2015-07-03 2020-05-11 日商三井化學東賽璐股份有限公司 半導體晶圓表面保護膜以及半導體裝置的製造方法
JP6673734B2 (ja) * 2016-03-29 2020-03-25 リンテック株式会社 ガラスダイシング用粘着シートおよびその製造方法
JP6661438B2 (ja) * 2016-03-29 2020-03-11 リンテック株式会社 ガラスダイシング用粘着シートおよびその製造方法
JP6623098B2 (ja) * 2016-03-29 2019-12-18 リンテック株式会社 ガラスダイシング用粘着シートおよびその製造方法
DE102016205822A1 (de) * 2016-04-07 2017-10-12 Tesa Se Haftklebmasse

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20060047526A (ko) 2004-04-28 2006-05-18 미쓰이 가가쿠 가부시키가이샤 반도체 웨이퍼 표면보호필름 및 상기 보호필름을 사용하는반도체 웨이퍼의 보호 방법
KR100624293B1 (ko) 1998-06-02 2006-09-13 린텍 가부시키가이샤 점착 시이트 및 그 이용 방법

Family Cites Families (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5712641A (en) * 1980-06-27 1982-01-22 Toray Industries Laminated film
JPS58101054A (ja) * 1981-12-10 1983-06-16 東レ株式会社 ポリアミド系複合二軸配向フイルム
JP3177149B2 (ja) * 1996-03-15 2001-06-18 リンテック株式会社 粘着テープ用基材、該基材を用いた粘着テープ、および該基材の製造方法
JP3763636B2 (ja) * 1996-09-18 2006-04-05 ダイセル化学工業株式会社 架橋性ポリマー組成物およびその架橋成形体
JP2000003892A (ja) * 1998-04-13 2000-01-07 Mitsui Chemicals Inc 半導体ウエハの製造方法
US6159827A (en) * 1998-04-13 2000-12-12 Mitsui Chemicals, Inc. Preparation process of semiconductor wafer
JP3383227B2 (ja) * 1998-11-06 2003-03-04 リンテック株式会社 半導体ウエハの裏面研削方法
JP2002069396A (ja) * 2000-08-29 2002-03-08 Mitsui Chemicals Inc 半導体ウエハ保護用粘着フィルム及びそれを用いる半導体ウエハの裏面加工方法
JP2002285105A (ja) * 2001-01-22 2002-10-03 Sony Chem Corp 粘着剤組成物及び粘着シート
JP2003200533A (ja) * 2001-08-09 2003-07-15 Teijin Ltd 積層体の製造方法
JP2003173993A (ja) * 2001-12-04 2003-06-20 Sekisui Chem Co Ltd バックグラインドテープ及び半導体ウエハの研磨方法
US6893718B2 (en) * 2002-05-20 2005-05-17 3M Innovative Properties Company Pressure sensitive adhesive composition, articles made therewith and method of use
JP4519409B2 (ja) * 2003-02-24 2010-08-04 リンテック株式会社 粘着シートおよびその使用方法
JPWO2004090962A1 (ja) * 2003-04-08 2006-07-06 帝人デュポンフィルム株式会社 半導体ウェハ加工用ベースフィルム
KR100696287B1 (ko) * 2004-01-28 2007-03-19 미쓰이 가가쿠 가부시키가이샤 반도체 웨이퍼의 보호방법
JP2006013452A (ja) * 2004-05-21 2006-01-12 Nitto Denko Corp 半導体装置の製造方法、及びそれに用いる半導体基板加工用の粘着シート
JP4452127B2 (ja) * 2004-06-01 2010-04-21 三井化学株式会社 半導体ウェハ表面保護用粘着フィルム及び該粘着フィルムを用いる半導体ウェハ保護方法
JP2006156754A (ja) * 2004-11-30 2006-06-15 Furukawa Electric Co Ltd:The ダイシングダイボンドテープ
NL1028411C2 (nl) * 2005-02-25 2006-08-29 Nat Starch & Chemical B V Pressure sensitive kleefmiddelsamenstelling alsmede werkwijzen voor het aanbrengen en de bereiding daarvan.
JP4841866B2 (ja) * 2005-06-01 2011-12-21 リンテック株式会社 接着シート
JP4711777B2 (ja) * 2005-08-11 2011-06-29 日東電工株式会社 粘着シートとその製造方法、及び、製品の加工方法
JP2007100064A (ja) * 2005-09-07 2007-04-19 Furukawa Electric Co Ltd:The ダイシング用粘着テープ
JP4608422B2 (ja) * 2005-12-05 2011-01-12 共同技研化学株式会社 粘接着フィルム
JP2007238802A (ja) * 2006-03-09 2007-09-20 Sekisui Chem Co Ltd 電子部品の加工方法
EP1997138B1 (en) * 2006-03-21 2011-09-14 Promerus LLC Methods and materials useful for chip stacking, chip and wafer bonding
JP2007262213A (ja) * 2006-03-28 2007-10-11 Nitto Denko Corp 再剥離用粘着シート
TW200800584A (en) * 2006-04-03 2008-01-01 Gunze Kk Surface protective tape used for back grinding of semiconductor wafer and base film for the surface protective tape
JP2007314636A (ja) * 2006-05-24 2007-12-06 Nitto Denko Corp 粘着シート
EP2267090B8 (en) * 2008-04-21 2018-10-17 LG Chem, Ltd. Pressure-sensitive adhesive film and back-grinding method using the same

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100624293B1 (ko) 1998-06-02 2006-09-13 린텍 가부시키가이샤 점착 시이트 및 그 이용 방법
KR20060047526A (ko) 2004-04-28 2006-05-18 미쓰이 가가쿠 가부시키가이샤 반도체 웨이퍼 표면보호필름 및 상기 보호필름을 사용하는반도체 웨이퍼의 보호 방법

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP2267090A4

Also Published As

Publication number Publication date
WO2009131363A9 (ko) 2010-01-21
JP2011518251A (ja) 2011-06-23
JP2016047933A (ja) 2016-04-07
EP2267090B1 (en) 2018-09-12
JP6176432B2 (ja) 2017-08-09
WO2009131363A3 (ko) 2010-03-11
TW201009036A (en) 2010-03-01
EP2267090A2 (en) 2010-12-29
EP2267090B8 (en) 2018-10-17
CN102015937A (zh) 2011-04-13
CN102015937B (zh) 2014-11-12
TWI553083B (zh) 2016-10-11
US20110091676A1 (en) 2011-04-21
EP2267090A4 (en) 2016-05-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2009131363A2 (ko) 점착 필름 및 이를 사용한 백그라인딩 방법
WO2009139584A2 (ko) 점착제 조성물, 점착 시트 및 반도체 웨이퍼 이면연삭 방법
KR100922684B1 (ko) 점착층용 광경화 조성물 및 이를 포함하는 다이싱 테이프
CN101077963B (zh) 压敏粘着片
KR101351622B1 (ko) 다이싱 다이 본딩 필름
WO2012121547A2 (ko) 웨이퍼 가공 필름용 점착제 조성물
CN113412316A (zh) 粘合片
US20110097576A1 (en) Re-peelable adhesive sheet
WO2011126263A2 (ko) 점착제 조성물, 점착시트 및 터치 패널
KR101114358B1 (ko) 점착 필름 및 이를 사용한 백라인딩 방법
TW202136455A (zh) 半導體加工用黏著片材
WO2010147356A2 (ko) 웨이퍼 가공용 기재
WO2010147363A2 (ko) 웨이퍼 가공용 시트
KR20220169929A (ko) 반도체 웨이퍼 가공용 점착 시트
KR102370312B1 (ko) 다이싱 테이프
TWI868165B (zh) 半導體器件生產用耐熱性壓敏黏合片
KR101217907B1 (ko) 표면 보호막을 구비하는 반도체 웨이퍼의 백그라인딩용 점착필름

Legal Events

Date Code Title Description
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 200980114076.4

Country of ref document: CN

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 09735160

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A2

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2011506192

Country of ref document: JP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2009735160

Country of ref document: EP

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 12988774

Country of ref document: US