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WO2009031381A1 - 金属酸化物半導体の製造方法、及びその方法により得られた薄膜トランジスタ - Google Patents

金属酸化物半導体の製造方法、及びその方法により得られた薄膜トランジスタ Download PDF

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WO2009031381A1
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oxide semiconductor
thin film
semiconductor manufacturing
film transistor
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Makoto Honda
Katsura Hirai
Hiroshi Kita
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Konica Minolta Inc
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Konica Minolta Inc
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    • H10D30/60—Insulated-gate field-effect transistors [IGFET]
    • H10D30/67—Thin-film transistors [TFT]
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  • Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
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Abstract

　本発明は、ｏｆｆ電流等のばらつきを改善し、移動度を向上させ、ＴＦＴ素子の安定化をもたらし、さらには樹脂基板上に連続的に塗布、印刷等の方法で形成を可能にすることで生産効率の向上とフレキシビリティを付与できる新しい金属酸化物半導体の製造方法、及びこれを用いた薄膜トランジスタを提供する。本発明の金属酸化物半導体の製造方法は、基板上に、金属酸化物半導体の前駆体を含む薄膜を形成した後、該薄膜に対し、酸素の存在下で電磁波を照射することにより、金属酸化物半導体を製造することを特徴とする。
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