WO2009014144A1 - Procédé de fabrication de substrat semi-conducteur - Google Patents
Procédé de fabrication de substrat semi-conducteur Download PDFInfo
- Publication number
- WO2009014144A1 WO2009014144A1 PCT/JP2008/063198 JP2008063198W WO2009014144A1 WO 2009014144 A1 WO2009014144 A1 WO 2009014144A1 JP 2008063198 W JP2008063198 W JP 2008063198W WO 2009014144 A1 WO2009014144 A1 WO 2009014144A1
- Authority
- WO
- WIPO (PCT)
- Prior art keywords
- semiconductor substrate
- cleaning
- treatment
- drying
- oxide film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Ceased
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
- H01L21/02052—Wet cleaning only
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
L'invention porte sur un procédé de fabrication de substrat semi-conducteur dans lequel l'adhésion de métaux lourds tels que Fe, Ni, Cr et Cu et l'adhésion de particules sont éliminées et la génération d'une contamination de liquide est également éliminée. Le procédé de fabrication de substrat semi-conducteur comprend une étape consistant à former un film d'oxyde sur la surface entière d'un substrat semi-conducteur; une étape consistant à revêtir un film d'oxyde sur la surface arrière et la surface latérale du substrat semi-conducteur par un film de résist; une étape de nettoyage consistant à nettoyer le substrat semi-conducteur; et une étape consistant à développer une couche épitaxiale par épitaxie en phase vapeur sur la face avant du dispositif semi-conducteur après l'étape de nettoyage. L'étape de nettoyage comprend un traitement consistant à retirer le film d'oxyde de surface avant de substrat semi-conducteur à l'aide d'un acide fluorhydrique tamponné ajouté avec un agent tensioactif, un traitement consistant à retirer le film de résist de surface arrière de substrat semi-conducteur par nettoyage à l'acide sulfurique/peroxyde d'hydrogène sans sécher le substrat semi-conducteur, un traitement consistant à nettoyer le substrat semi-conducteur par nettoyage SC-1 sans sécher le substrat semi-conducteur, et un traitement consistant à sécher le substrat semi-conducteur.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2009524497A JP4947393B2 (ja) | 2007-07-24 | 2008-07-23 | 半導体基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2007-192235 | 2007-07-24 | ||
| JP2007192235 | 2007-07-24 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| WO2009014144A1 true WO2009014144A1 (fr) | 2009-01-29 |
Family
ID=40281393
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PCT/JP2008/063198 Ceased WO2009014144A1 (fr) | 2007-07-24 | 2008-07-23 | Procédé de fabrication de substrat semi-conducteur |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4947393B2 (fr) |
| WO (1) | WO2009014144A1 (fr) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9831088B2 (en) | 2010-10-06 | 2017-11-28 | Entegris, Inc. | Composition and process for selectively etching metal nitrides |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5895819A (ja) * | 1981-12-02 | 1983-06-07 | Toshiba Corp | 半導体ウエ−ハ |
| JPH0737796A (ja) * | 1993-07-17 | 1995-02-07 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 半導体基板の製造方法及びその装置 |
| JPH08264500A (ja) * | 1995-03-27 | 1996-10-11 | Sony Corp | 基板の洗浄方法 |
| JPH1187281A (ja) * | 1997-09-08 | 1999-03-30 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | シリコンウエーハの洗浄方法 |
| WO2005095567A1 (fr) * | 2004-03-03 | 2005-10-13 | 3M Innovative Properties Company | Tensioactifs de sulfonamide fluores pour solutions de nettoyage aqueuses |
-
2008
- 2008-07-23 JP JP2009524497A patent/JP4947393B2/ja active Active
- 2008-07-23 WO PCT/JP2008/063198 patent/WO2009014144A1/fr not_active Ceased
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5895819A (ja) * | 1981-12-02 | 1983-06-07 | Toshiba Corp | 半導体ウエ−ハ |
| JPH0737796A (ja) * | 1993-07-17 | 1995-02-07 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 半導体基板の製造方法及びその装置 |
| JPH08264500A (ja) * | 1995-03-27 | 1996-10-11 | Sony Corp | 基板の洗浄方法 |
| JPH1187281A (ja) * | 1997-09-08 | 1999-03-30 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | シリコンウエーハの洗浄方法 |
| WO2005095567A1 (fr) * | 2004-03-03 | 2005-10-13 | 3M Innovative Properties Company | Tensioactifs de sulfonamide fluores pour solutions de nettoyage aqueuses |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9831088B2 (en) | 2010-10-06 | 2017-11-28 | Entegris, Inc. | Composition and process for selectively etching metal nitrides |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPWO2009014144A1 (ja) | 2010-10-07 |
| JP4947393B2 (ja) | 2012-06-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| WO2009062123A3 (fr) | Réduction de pas à l'aide d'un espaceur d'oxyde | |
| US8748885B2 (en) | Soft material wafer bonding and method of bonding | |
| WO2009155122A3 (fr) | Empilements et procédés de retraits épitaxiaux | |
| JP2009533844A5 (fr) | ||
| WO2008143885A3 (fr) | Couche de protection utilisee dans la fabrication d'une cellule solaire | |
| WO2007149991A3 (fr) | Dépôt diélectrique et processus de gravure en retrait pour remplissage de vide de bas en haut | |
| EP2458620A3 (fr) | Fabrication de dispositifs électroniques à graphène utilisant un contour de surface étagée | |
| US9209083B2 (en) | Integrated circuit manufacturing for low-profile and flexible devices | |
| WO2010141814A3 (fr) | Processus de passivation pour la fabrication d'une photopile | |
| WO2008005832A3 (fr) | Pré-nettoyage de substrat dans des chambres d'épitaxie | |
| WO2009085974A3 (fr) | Film de nitrure de silicium à basse vitesse de décapage par procédé humide | |
| WO2007145679A3 (fr) | Planarisation du gan par une technique photorésistante au moyen d'un plasma couplé inductivement | |
| WO2008002669A3 (fr) | Nettoyage d'une surface de tranche après la gravure au moyen d'un ménisque de liquide | |
| WO2009102617A3 (fr) | Dispositif comportant une couche noire de génération d'énergie et son procédé de fabrication | |
| WO2005086868A3 (fr) | Tampon metamorphique sur substrats a petites constantes de reseau | |
| US6187653B1 (en) | Method for attractive bonding of two crystalline substrates | |
| WO2010022849A8 (fr) | Décapage des bords de modules solaires en couches minces | |
| JP2013080897A (ja) | 複合基板の製造方法 | |
| WO2008147756A3 (fr) | Elimination de photorésine in situ pendant la gravure par plasma d'un masque dur actif | |
| WO2008020191A3 (fr) | Procédé de décapage de plasma | |
| WO2010102089A3 (fr) | Procédés de dépôt de couches présentant une contamination interfaciale réduite | |
| KR20170128777A (ko) | 사전 패터닝된 메사들을 통한 스트레인 경감 에피택셜 리프트-오프 | |
| WO2015084868A1 (fr) | Fabrication de dispositifs électroniques à film mince avec réutilisation non destructrice de plaquette | |
| WO2009072631A1 (fr) | Procédé de fabrication d'élément semi-conducteur en nitrure, et élément semi-conducteur en nitrure | |
| WO2009014144A1 (fr) | Procédé de fabrication de substrat semi-conducteur |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| 121 | Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application |
Ref document number: 08791455 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A1 |
|
| ENP | Entry into the national phase |
Ref document number: 2009524497 Country of ref document: JP Kind code of ref document: A |
|
| NENP | Non-entry into the national phase |
Ref country code: DE |
|
| 122 | Ep: pct application non-entry in european phase |
Ref document number: 08791455 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A1 |