WO2009008124A1 - Montage de traitement thermique pour une tranche et nacelle de traitement thermique verticale pourvue du montage - Google Patents
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Abstract
L'invention concerne un montage de traitement thermique du type plaque pour une tranche. Le montage supporte la tranche de silicium semi-conductrice par son placement horizontalement sur le montage pour le traitement thermique. Le montage a la forme d'un tore comportant un trou pénétrant dans la partie centrale. Une section saillante en forme de bague est formée sur une surface pour le placement de la tranche de silicium semi-conductrice. La section saillante en forme de bague fait saillie sous la forme d'une bague entière sans découpe, et supporte la tranche de silicium semi-conductrice placée. Le montage comporte trois sections saillantes en forme de bague ou plus qui sont formées concentriquement avec la même hauteur. Ainsi, au moment de l'application du traitement thermique à la tranche de silicium semi-conductrice dans un four de traitement thermique vertical, un déplacement par glissement est supprimé. La nacelle de traitement thermique verticale pourvue de ce montage est également présentée.
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Citations (6)
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|---|---|---|---|---|
| JPS63102225A (ja) * | 1986-10-20 | 1988-05-07 | Deisuko Haitetsuku:Kk | 縦形半導体熱処理装置のウエ−ハボ−ト |
| JP2000021796A (ja) * | 1998-06-23 | 2000-01-21 | Samsung Electron Co Ltd | 半導体ウェ―ハボ―ト |
| JP2001060559A (ja) * | 1999-08-20 | 2001-03-06 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 半導体ウェーハ熱処理用保持具および熱処理方法 |
| JP2002033284A (ja) * | 2000-07-14 | 2002-01-31 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | 縦型ｃｖｄ用ウェハホルダー |
| JP2003037112A (ja) * | 2001-07-23 | 2003-02-07 | Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp | 半導体シリコン基板の熱処理治具 |
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Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63102225A (ja) * | 1986-10-20 | 1988-05-07 | Deisuko Haitetsuku:Kk | 縦形半導体熱処理装置のウエ−ハボ−ト |
| JP2000021796A (ja) * | 1998-06-23 | 2000-01-21 | Samsung Electron Co Ltd | 半導体ウェ―ハボ―ト |
| JP2001060559A (ja) * | 1999-08-20 | 2001-03-06 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 半導体ウェーハ熱処理用保持具および熱処理方法 |
| JP2002033284A (ja) * | 2000-07-14 | 2002-01-31 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | 縦型ｃｖｄ用ウェハホルダー |
| JP2003037112A (ja) * | 2001-07-23 | 2003-02-07 | Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp | 半導体シリコン基板の熱処理治具 |
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