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WO2009092426A3 - Pile solaire et procédé de production d'une pile solaire - Google Patents

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WO2009092426A3
WO2009092426A3 PCT/EP2008/010713 EP2008010713W WO2009092426A3 WO 2009092426 A3 WO2009092426 A3 WO 2009092426A3 EP 2008010713 W EP2008010713 W EP 2008010713W WO 2009092426 A3 WO2009092426 A3 WO 2009092426A3
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WO
WIPO (PCT)
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metallization
solar cell
base
emitter
region
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PCT/EP2008/010713
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German (de)
English (en)
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WO2009092426A2 (fr
Inventor
Oliver Schultz-Wittmann
Filip Granek
Martin Hermle
Jan Benick
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Albert Ludwigs Universitaet Freiburg
Fraunhofer Gesellschaft zur Foerderung der Angewandten Forschung eV
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Albert Ludwigs Universitaet Freiburg
Fraunhofer Gesellschaft zur Foerderung der Angewandten Forschung eV
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Abstract

L'invention concerne une pile solaire présentant une face avant pour injecter un rayonnement électromagnétique et une face arrière, comprenant au moins une métallisation de base (3) et au moins une métallisation émettrice (6), ainsi qu'une structure semi-conductrice, qui présente au moins une zone de base (1) d'un premier type de dopage et au moins une zone émettrice (2) d'un second type de dopage opposé au premier type de dopage, pour former une jonction pn entre la base et la partie émettrice. La métallisation de base (3) est reliée de manière électroconductrice à la zone de base (1) et la métallisation émettrice (6) est reliée de manière éelctroconductrice à la zone émettrice (2). La métallisation de base (3) et la métallisation émettrice (6) sont disposées l'une et l'autre sur une face de métallisation de la pile solaire, qui constitue la face avant ou la face arrière de ladite pile solaire. La zone émettrice (2) s'étend au moins en partie le long de la face de métallisation de la pile solaire. L'invention se caractérise en ce que la zone émettrice (2) s'étend au moins en partie dans la zone de la face de métallisation recouverte par la métallisation de base (3) et en ce que la structure semi-conductrice comporte également une zone d'isolation (4) du premier type de dopage, qui s'étend le long de la face de métallisation de la pile solaire, au moins en partie entre la métallisation de base (3) et la zone émettrice (2). L'invention concerne en outre un procédé permettant de produire une pile solaire.
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL2006966C2 (en) 2011-06-17 2012-12-18 Stichting Energie Photovoltaic system and connector for a photovoltaic cell with interdigitated contacts.

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060060238A1 (en) * 2004-02-05 2006-03-23 Advent Solar, Inc. Process and fabrication methods for emitter wrap through back contact solar cells
DE102005025125A1 (de) * 2005-05-29 2006-12-14 Hahn-Meitner-Institut Berlin Gmbh Verfahren zur Herstellung einer einseitig kontaktierten Solarzelle und einseitig kontaktierte Solarzelle
US20070256728A1 (en) * 2006-05-04 2007-11-08 Sunpower Corporation Solar cell having doped semiconductor heterojunction contacts

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5053083A (en) * 1989-05-08 1991-10-01 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Bilevel contact solar cells
DE102004050269A1 (de) * 2004-10-14 2006-04-20 Institut Für Solarenergieforschung Gmbh Verfahren zur Kontakttrennung elektrisch leitfähiger Schichten auf rückkontaktierten Solarzellen und Solarzelle

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060060238A1 (en) * 2004-02-05 2006-03-23 Advent Solar, Inc. Process and fabrication methods for emitter wrap through back contact solar cells
DE102005025125A1 (de) * 2005-05-29 2006-12-14 Hahn-Meitner-Institut Berlin Gmbh Verfahren zur Herstellung einer einseitig kontaktierten Solarzelle und einseitig kontaktierte Solarzelle
US20070256728A1 (en) * 2006-05-04 2007-11-08 Sunpower Corporation Solar cell having doped semiconductor heterojunction contacts

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