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WO2008132878A1 - Procédé de formation d'une couche semi-conductrice organique et procédé de formation d'un transistor à couches minces organiques - Google Patents

Procédé de formation d'une couche semi-conductrice organique et procédé de formation d'un transistor à couches minces organiques Download PDF

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WO2008132878A1
WO2008132878A1 PCT/JP2008/053950 JP2008053950W WO2008132878A1 WO 2008132878 A1 WO2008132878 A1 WO 2008132878A1 JP 2008053950 W JP2008053950 W JP 2008053950W WO 2008132878 A1 WO2008132878 A1 WO 2008132878A1
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WO
WIPO (PCT)
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organic semiconductor
thin film
semiconductor layer
forming
film transistor
Prior art date
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Ceased
Application number
PCT/JP2008/053950
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Inventor
Jun Yamada
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Konica Minolta Inc
Original Assignee
Konica Minolta Inc
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Filing date
Publication date
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Abstract

La présente invention concerne un procédé de formation d'une couche semi-conductrice organique qui est caractérisé par la réalisation, dans l'ordre suivant, d'une étape destinée à appliquer une solution semi-conductrice organique sur un substrat dans un motif souhaité, laquelle solution est obtenue par dissolution ou dispersion d'un matériau semi-conducteur organique dans un solvant mixte d'au moins deux solvants présentant des points d'ébullition différents à un rapport tel que le matériau semi-conducteur organique est hyper saturé par rapport à la quantité du solvant ayant un point d'ébullition supérieur contenu dans le solvant mixte; une étape destinée à volatiliser le solvant ayant un point d'ébullition inférieur contenu dans la solution semi-conductrice organique appliquée dans le motif souhaité; et une étape destinée à former une couche mince cristalline par la croissance d'un cristal du matériau semi-conducteur organique contenu dans la solution semi-conductrice organique.
PCT/JP2008/053950 2007-04-20 2008-03-05 Procédé de formation d'une couche semi-conductrice organique et procédé de formation d'un transistor à couches minces organiques Ceased WO2008132878A1 (fr)

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