WO2008132878A1 - Procédé de formation d'une couche semi-conductrice organique et procédé de formation d'un transistor à couches minces organiques - Google Patents
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Abstract
La présente invention concerne un procédé de formation d'une couche semi-conductrice organique qui est caractérisé par la réalisation, dans l'ordre suivant, d'une étape destinée à appliquer une solution semi-conductrice organique sur un substrat dans un motif souhaité, laquelle solution est obtenue par dissolution ou dispersion d'un matériau semi-conducteur organique dans un solvant mixte d'au moins deux solvants présentant des points d'ébullition différents à un rapport tel que le matériau semi-conducteur organique est hyper saturé par rapport à la quantité du solvant ayant un point d'ébullition supérieur contenu dans le solvant mixte; une étape destinée à volatiliser le solvant ayant un point d'ébullition inférieur contenu dans la solution semi-conductrice organique appliquée dans le motif souhaité; et une étape destinée à former une couche mince cristalline par la croissance d'un cristal du matériau semi-conducteur organique contenu dans la solution semi-conductrice organique.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2009511706A JP5062252B2 (ja) | 2007-04-20 | 2008-03-05 | 有機薄膜トランジスタの製造方法 |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2007-111544 | 2007-04-20 | ||
| JP2007111544 | 2007-04-20 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| WO2008132878A1 true WO2008132878A1 (fr) | 2008-11-06 |
Family
ID=39925345
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PCT/JP2008/053950 Ceased WO2008132878A1 (fr) | 2007-04-20 | 2008-03-05 | Procédé de formation d'une couche semi-conductrice organique et procédé de formation d'un transistor à couches minces organiques |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP5062252B2 (fr) |
| WO (1) | WO2008132878A1 (fr) |
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-
2008
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPWO2008132878A1 (ja) | 2010-07-22 |
| JP5062252B2 (ja) | 2012-10-31 |
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