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WO2008123132A1 - Appareil de génération d'ondes de surface élastiques - Google Patents

Appareil de génération d'ondes de surface élastiques Download PDF

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WO2008123132A1
WO2008123132A1 PCT/JP2008/055247 JP2008055247W WO2008123132A1 WO 2008123132 A1 WO2008123132 A1 WO 2008123132A1 JP 2008055247 W JP2008055247 W JP 2008055247W WO 2008123132 A1 WO2008123132 A1 WO 2008123132A1
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WO
WIPO (PCT)
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idt electrode
standardized
surface wave
elastic surface
film
Prior art date
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Ceased
Application number
PCT/JP2008/055247
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Inventor
Michio Kadota
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co Ltd filed Critical Murata Manufacturing Co Ltd
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    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
    • H03H9/02543—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles
    • H03H9/02574—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles of combined substrates, multilayered substrates, piezoelectrical layers on not-piezoelectrical substrate

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)

Abstract

Cette invention concerne un appareil de génération d'ondes de surface élastiques peu susceptible de provoquer un changement des propriétés lors d'une variation de température et qui a un coefficient de réflexion élevé par doigt d'électrode de IDT et peut facilement rétrécir la bande. Dans l'appareil de génération d'ondes de surfaces élastiques (1), une électrode IDT (3) et un film de SiO2 (7) ayant la même épaisseur qu'un doigt d'électrode dans l'électrode IDT (3) sont formés sur un substrat piézoélectrique (2) constitué de quartz dont l'angle d'Euler est de 0° ± 5°, 0° à 140° et 0° ± 40°, de façon à former une électrode IDT (3). Un film piézoélectrique, constitué d'un film de ZnO (4) aligné sur l'axe c, est formé de façon à couvrir l'électrode IDT (3) et le film de SiO2 (7), et une onde de Rayleigh est utilisée comme onde de surface élastique. L'électrode IDT (3) est formée dans un matériau métallique composé principalement de Au, Ta, W, Pt, Cu, Ni et Mo. Lorsque la longueur de l'onde de surface élastique est λ, le métal comme constituant principal dans l'électrode IDT(3), l'épaisseur du film standardisé par λ de l'électrode IDT (3) et l'épaisseur du film standardisé par λ du film de ZnO (4) s'inscrivent dans une plage de combinaisons individuelles spécifiées dans la Table 1 ci-après. Table 1: AA métal comme constituant principal de l'
PCT/JP2008/055247 2007-03-30 2008-03-21 Appareil de génération d'ondes de surface élastiques Ceased WO2008123132A1 (fr)

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JP2007092127 2007-03-30
JP2007-092127 2007-03-30

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