[go: up one dir, main page]

WO2008108244A1 - Dispositif électronique, procédé de fabrication du dispositif électronique, structure de film d'étanchéité, appareil de fabrication du dispositif électronique, et équipement de traitement par plasma - Google Patents

Dispositif électronique, procédé de fabrication du dispositif électronique, structure de film d'étanchéité, appareil de fabrication du dispositif électronique, et équipement de traitement par plasma Download PDF

Info

Publication number
WO2008108244A1
WO2008108244A1 PCT/JP2008/053402 JP2008053402W WO2008108244A1 WO 2008108244 A1 WO2008108244 A1 WO 2008108244A1 JP 2008053402 W JP2008053402 W JP 2008053402W WO 2008108244 A1 WO2008108244 A1 WO 2008108244A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
electronic device
plasma
gas
generated
supplied
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/JP2008/053402
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Inventor
Kazuki Moyama
Yasunori Torii
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Publication of WO2008108244A1 publication Critical patent/WO2008108244A1/fr
Anticipated expiration legal-status Critical
Ceased legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H10K50/8445—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

L'invention vise à protéger un élément par un film d'étanchéité dont la contrainte interne est réduite tout en conservant une performance d'étanchéité du film. A cet effet, un équipement de traitement par plasma micro-onde comprend un suscepteur (411) pour monter un substrat G sur lequel un élément électroluminescent organique est formé, et une source d'alimentation en gaz (443) pour alimenter un gaz à l'intérieur d'un conteneur de traitement. Le plasma est généré à partir du gaz alimenté à l'intérieur du conteneur de traitement et le substrat G est traité par le plasma ainsi généré. Tout d'abord, la source d'alimentation en gaz (443) alimente un premier gaz contenant un composant de carbone, et un plasma est généré à partir du premier gaz ainsi alimenté. Un film de relâchement de contrainte (530) contenant une quantité prédéterminée de composant de carbone est laminé par le plasma ainsi généré sur une électrode métallique (520) formé sur le substrat G monté sur le suscepteur (411). Ensuite, un second gaz ne contenant pas de composant de carbone est alimenté à partir de la source d'alimentation en gaz (443), un plasma est généré à partir du second gaz ainsi alimenté, et une couche barrière (540) ne contenant pas de composant de carbone est laminée sur le film de relâchement de contrainte (530) par le plasma ainsi généré.
PCT/JP2008/053402 2007-03-08 2008-02-27 Dispositif électronique, procédé de fabrication du dispositif électronique, structure de film d'étanchéité, appareil de fabrication du dispositif électronique, et équipement de traitement par plasma Ceased WO2008108244A1 (fr)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007058528A JP2008226472A (ja) 2007-03-08 2007-03-08 電子デバイス、電子デバイスの製造方法、封止膜の構造体、電子デバイスを製造する製造装置およびプラズマ処理装置
JP2007-058528 2007-03-08

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2008108244A1 true WO2008108244A1 (fr) 2008-09-12

Family

ID=39738129

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2008/053402 Ceased WO2008108244A1 (fr) 2007-03-08 2008-02-27 Dispositif électronique, procédé de fabrication du dispositif électronique, structure de film d'étanchéité, appareil de fabrication du dispositif électronique, et équipement de traitement par plasma

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP2008226472A (fr)
TW (1) TW200901814A (fr)
WO (1) WO2008108244A1 (fr)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012064479A (ja) * 2010-09-17 2012-03-29 Casio Comput Co Ltd 発光装置

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101347471B1 (ko) 2009-09-29 2014-01-02 샤프 가부시키가이샤 유기 ｅｌ 디바이스 및 유기 ｅｌ 디바이스의 제조 방법
JP5683245B2 (ja) * 2010-12-08 2015-03-11 富士フイルム株式会社 撮像素子及び撮像素子の製造方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000208253A (ja) * 1999-01-19 2000-07-28 Denso Corp 有機ｅｌ素子およびその製造方法
JP2004047409A (ja) * 2001-10-30 2004-02-12 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置
JP2004063304A (ja) * 2002-07-30 2004-02-26 Shimadzu Corp 保護膜製造方法および有機ｅｌ素子
JP2005116483A (ja) * 2003-10-10 2005-04-28 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
JP2005166400A (ja) * 2003-12-02 2005-06-23 Samco Inc 表面保護膜
JP2005203321A (ja) * 2004-01-19 2005-07-28 Pioneer Electronic Corp 保護膜および有機ｅｌ素子

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000208253A (ja) * 1999-01-19 2000-07-28 Denso Corp 有機ｅｌ素子およびその製造方法
JP2004047409A (ja) * 2001-10-30 2004-02-12 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置
JP2004063304A (ja) * 2002-07-30 2004-02-26 Shimadzu Corp 保護膜製造方法および有機ｅｌ素子
JP2005116483A (ja) * 2003-10-10 2005-04-28 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
JP2005166400A (ja) * 2003-12-02 2005-06-23 Samco Inc 表面保護膜
JP2005203321A (ja) * 2004-01-19 2005-07-28 Pioneer Electronic Corp 保護膜および有機ｅｌ素子

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012064479A (ja) * 2010-09-17 2012-03-29 Casio Comput Co Ltd 発光装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP2008226472A (ja) 2008-09-25
TW200901814A (en) 2009-01-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9023693B1 (en) Multi-mode thin film deposition apparatus and method of depositing a thin film
WO2010013476A1 (fr) Appareil de traitement par plasma et procédé de fabrication de dispositif électronique
WO2008024566A3 (fr) Réduction globale de défauts pour des films de dépôt chimique en phase vapeur activé par plasma (pecvd)
WO2005087974A3 (fr) Précurseurs liquides pour le dépôt cvd de films de carbone amorphe
WO2004070788A3 (fr) Procede de depot d'un film a faible constante dielectrique
TW200607384A (en) Electroluminescent (EL) device and electronic apparatus
CN104916787A (zh) 密封结构的形成方法、制造装置、以及有机el器件结构、其制造方法、及其制造装置
WO2008117582A1 (fr) Procédé de formation d'un film métallique utilisant un matériau carbonyle, procédé de formation d'une structure de câblage multicouche, procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur, et appareil de formation de film
TW200625443A (en) Film formation apparatus and method for semiconductor process
TWI269608B (en) Organic electroluminescent device, method of manufacture thereof and electronic apparatus
KR102057176B1 (ko) 박막 캡슐화를 위한 ｎ2ｏ 희석 프로세스에 의한 배리어 막 성능의 개선
US10519549B2 (en) Apparatus for plasma atomic layer deposition
WO2012087002A3 (fr) Appareil de dépôt chimique en phase vapeur et procédé pour la fabrication de dispositifs électroluminescents l'utilisant
TW200741027A (en) Method and apparatus for growing plasma atomic layer
TW200642131A (en) Organic electroluminescence display apparatus, organic transistor, and method for manufacturing thereof
US20090321895A1 (en) Silicon thin-film and method of forming silicon thin-film
WO2009078153A1 (fr) Appareil et procédé de fabrication d'éléments de conversion photoélectriques et élément de conversion photoélectrique associé
CN202808936U (zh) 气相沉积装置
TW200741970A (en) Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device
JP2007190844A (ja) ガスバリア性樹脂基材および有機エレクトロルミネッセンスデバイス
WO2008108244A1 (fr) Dispositif électronique, procédé de fabrication du dispositif électronique, structure de film d'étanchéité, appareil de fabrication du dispositif électronique, et équipement de traitement par plasma
US20090064933A1 (en) Film coating system and isolating device thereof
TW200601883A (en) Organic electroluminescent device, method of manufacture thereof and electronic apparatus
TW200501801A (en) Organic electroluminescence device and method for producing the same
TW200601881A (en) Method for manufacturing an organic electroluminescent element, system for manufacturing an organic electroluminescent element, and elemtronice equipment

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 08712024

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 08712024

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1