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WO2008107991A1 - 電磁波吸収体 - Google Patents

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WO2008107991A1
WO2008107991A1 PCT/JP2007/054534 JP2007054534W WO2008107991A1 WO 2008107991 A1 WO2008107991 A1 WO 2008107991A1 JP 2007054534 W JP2007054534 W JP 2007054534W WO 2008107991 A1 WO2008107991 A1 WO 2008107991A1
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electromagnetic absorbing
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PCT/JP2007/054534
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Takao Ochiai
Yutaka Shimizu
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Fujitsu Ltd
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Fujitsu Ltd
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    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K9/00—Screening of apparatus or components against electric or magnetic fields
    • H05K9/0073—Shielding materials
    • H05K9/0081—Electromagnetic shielding materials, e.g. EMI, RFI shielding
    • H05K9/0088—Electromagnetic shielding materials, e.g. EMI, RFI shielding comprising a plurality of shielding layers; combining different shielding material structure

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  • Electromagnetism (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
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Abstract

　電磁波吸収体では、ガラス基板、プラスチック基板、半導体基板、セラミックス基板、粘着テープ等の高分子基材の基材上に、シード層が形成されている。シード層上に、アルミニウム層及び電磁波吸収層（１０）がこの順で形成されている。アルミニウム層及び電磁波吸収層（１０）の総厚は１μｍ程度である。電磁波吸収層（１０）上に、保護膜が形成されている。電磁波吸収層（１０）は、例えばアルミニウム又はアルミニウム合金の陽極酸化により形成された陽極酸化皮膜（４）が含まれている。陽極酸化皮膜（４）には、複数の円筒状のナノホール（５）が形成されている。ナノホール（５）の直径は、数ｎｍ～数百ｎｍ程度であり、ピッチは数十ｎｍ～５００ｎｍ程度である。そして、各ナノホール（５）内に柱状の磁性材（６）が埋め込まれている。磁性材（６）は、例えばＣｏ等の強磁性金属からなる。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010189688A (ja) * 2009-02-17 2010-09-02 Fujifilm Corp 微細構造体の製造方法および微細構造体
CN103194776A (zh) * 2013-03-25 2013-07-10 东莞旭光五金氧化制品有限公司 铝基电磁吸收板材制作方法
US20130176683A1 (en) * 2012-01-06 2013-07-11 Tatung Company Electronic assembly

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003057461A (ja) * 2001-05-10 2003-02-26 Canon Inc 光電融合基板および電子機器
JP2003124680A (ja) * 2001-10-15 2003-04-25 Sumitomo Electric Ind Ltd 電磁波吸収材料とその製造方法
JP2003152382A (ja) * 2001-11-09 2003-05-23 Hitachi Metals Ltd 電磁波吸収体およびその製造方法ならびに電子機器
JP2003229694A (ja) * 2002-02-05 2003-08-15 Sony Corp 電磁波吸収体およびその製造方法
JP2006075946A (ja) * 2004-09-09 2006-03-23 Fujitsu Ltd ナノホール構造体及びその製造方法、並びに、磁気記録媒体及びその製造方法
JP2006075942A (ja) * 2004-09-09 2006-03-23 Fujitsu Ltd 積層構造体、磁気記録媒体及びその製造方法、磁気記録装置及び磁気記録方法、並びに、該積層構造体を用いた素子
JP2006247795A (ja) * 2005-03-11 2006-09-21 Furukawa Electric Co Ltd:The ナノ構造体及びそれを用いた磁気記憶材料、配線基板、アンテナ基材
JP2006322067A (ja) * 2005-04-18 2006-11-30 Fujifilm Holdings Corp 構造体の製造方法
JP2007035149A (ja) * 2005-07-26 2007-02-08 Canon Inc 磁気構造体

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003057461A (ja) * 2001-05-10 2003-02-26 Canon Inc 光電融合基板および電子機器
JP2003124680A (ja) * 2001-10-15 2003-04-25 Sumitomo Electric Ind Ltd 電磁波吸収材料とその製造方法
JP2003152382A (ja) * 2001-11-09 2003-05-23 Hitachi Metals Ltd 電磁波吸収体およびその製造方法ならびに電子機器
JP2003229694A (ja) * 2002-02-05 2003-08-15 Sony Corp 電磁波吸収体およびその製造方法
JP2006075946A (ja) * 2004-09-09 2006-03-23 Fujitsu Ltd ナノホール構造体及びその製造方法、並びに、磁気記録媒体及びその製造方法
JP2006075942A (ja) * 2004-09-09 2006-03-23 Fujitsu Ltd 積層構造体、磁気記録媒体及びその製造方法、磁気記録装置及び磁気記録方法、並びに、該積層構造体を用いた素子
JP2006247795A (ja) * 2005-03-11 2006-09-21 Furukawa Electric Co Ltd:The ナノ構造体及びそれを用いた磁気記憶材料、配線基板、アンテナ基材
JP2006322067A (ja) * 2005-04-18 2006-11-30 Fujifilm Holdings Corp 構造体の製造方法
JP2007035149A (ja) * 2005-07-26 2007-02-08 Canon Inc 磁気構造体

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010189688A (ja) * 2009-02-17 2010-09-02 Fujifilm Corp 微細構造体の製造方法および微細構造体
US20130176683A1 (en) * 2012-01-06 2013-07-11 Tatung Company Electronic assembly
US8891241B2 (en) * 2012-01-06 2014-11-18 Tatung Company Electronic assembly
TWI492704B (zh) * 2012-01-06 2015-07-11 大同股份有限公司 電子組件
CN103194776A (zh) * 2013-03-25 2013-07-10 东莞旭光五金氧化制品有限公司 铝基电磁吸收板材制作方法
CN103194776B (zh) * 2013-03-25 2015-12-02 东莞旭光五金氧化制品有限公司 铝基电磁吸收板材制作方法

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