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WO2008105155A1 - 不揮発性メモリ装置、および不揮発性メモリ装置におけるデータ書込方法 - Google Patents

不揮発性メモリ装置、および不揮発性メモリ装置におけるデータ書込方法 Download PDF

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Kazuhiko Shimakawa
Takeshi Takagi
Yoshikazu Katoh
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Abstract

　第１の平面内において互いに平行に形成された複数の第１の電極配線（ＷＬ）と第１の平面に平行な第２の平面内において互いに平行にかつ複数の第１の電極配線と立体交差するように形成された複数の第２の電極配線（ＢＬ）と第１の電極配線および第２の電極配線の立体交差点のそれぞれに対応して設けられ対応する第１の電極配線と対応する第２の電極配線との間に供給される電流パルスに応じて可逆的に抵抗値が変化する可変抵抗層を有する不揮発性記憶素子（１１）とを備えたメモリアレイ（１０２）と、第１の電極配線を選択する第１の選択装置（１３）とを備え、さらに第１の電極配線に接続されて第１の電極配線に印加される電圧を所定の上限値以下に制限する電圧制限手段（１５）をメモリアレイの内部あるいは外部に備え、第１の選択装置と電圧制限手段とを接続するひとつの第１の電極配線に不揮発性記憶素子が複数接続されている、不揮発性メモリ装置。
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CN2008800060414A CN101622673B (zh) 2007-02-23 2008-02-22 非易失性存储装置及非易失性存储装置中的数据写入方法
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Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010041302A1 (ja) * 2008-10-06 2010-04-15 株式会社 東芝 抵抗変化メモリ
JP2010251479A (ja) * 2009-04-14 2010-11-04 Sharp Corp 不揮発性半導体記憶装置とその製造方法
WO2012042828A1 (ja) * 2010-09-27 2012-04-05 パナソニック株式会社 メモリ素子、半導体記憶装置、メモリ素子の製造方法および半導体記憶装置の読み出し方法
WO2012153488A1 (ja) * 2011-05-11 2012-11-15 パナソニック株式会社 クロスポイント型抵抗変化不揮発性記憶装置およびその読み出し方法
JP5146847B2 (ja) * 2007-03-29 2013-02-20 日本電気株式会社 半導体集積回路
JP2022086822A (ja) * 2020-11-30 2022-06-09 日本ゼオン株式会社 抵抗変化型記憶装置および抵抗変化型記憶装置の使用方法
KR20220143564A (ko) * 2021-04-16 2022-10-25 샌디스크 테크놀로지스 엘엘씨 교차점 어레이에서의 전압 클램핑을 이용한 강제된 전류 액세스
JP2022553949A (ja) * 2019-10-22 2022-12-27 マイクロン テクノロジー，インク． メモリセルにおける読み出しディスターブの低減のための電圧プロファイル

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5085405B2 (ja) * 2008-04-25 2012-11-28 株式会社東芝 不揮発性半導体記憶装置
US8227788B2 (en) * 2008-11-19 2012-07-24 Panasonic Corporation Nonvolatile memory element, and nonvolatile memory device
KR20110061912A (ko) * 2009-12-02 2011-06-10 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 셀 및 이를 포함하는 비휘발성 메모리 장치
KR20110074354A (ko) * 2009-12-24 2011-06-30 삼성전자주식회사 메모리소자 및 그 동작방법
US8942050B2 (en) 2010-09-07 2015-01-27 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Method of inspecting variable resistance nonvolatile memory device and variable resistance nonvolatile memory device
US9378817B2 (en) 2011-03-25 2016-06-28 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Variable resistance nonvolatile memory element writing method and variable resistance nonvolatile memory device
US9087573B2 (en) 2012-03-13 2015-07-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device and driving method thereof
JP2014238897A (ja) * 2013-06-06 2014-12-18 パナソニック株式会社 抵抗変化型不揮発性記憶装置およびその制御方法
US9478308B1 (en) 2015-05-26 2016-10-25 Intel IP Corporation Programmable memory device sense amplifier
KR102657562B1 (ko) * 2016-12-02 2024-04-17 에스케이하이닉스 주식회사 비휘발성 메모리 장치
JP6894012B2 (ja) * 2018-01-23 2021-06-23 ヌヴォトンテクノロジージャパン株式会社 不揮発性メモリ装置およびその書込み方法
JP2019160368A (ja) * 2018-03-13 2019-09-19 東芝メモリ株式会社 半導体記憶装置
US11487346B2 (en) 2020-06-02 2022-11-01 Micron Technogy, Inc. Grouping power supplies for a sleep mode
JP7150787B2 (ja) * 2020-07-31 2022-10-11 ウィンボンド エレクトロニクス コーポレーション 抵抗変化型クロスバーアレイ装置
KR20220151056A (ko) 2021-05-04 2022-11-14 삼성전자주식회사 메모리 장치

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006028117A1 (ja) * 2004-09-09 2006-03-16 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 抵抗変化素子とその製造方法
WO2006137111A1 (ja) * 2005-06-20 2006-12-28 Fujitsu Limited 不揮発性半導体記憶装置及びその書き込み方法
WO2008012871A1 (fr) * 2006-07-25 2008-01-31 Fujitsu Limited Dispositif à mémoire à semi-conducteur rémanente

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6531371B2 (en) 2001-06-28 2003-03-11 Sharp Laboratories Of America, Inc. Electrically programmable resistance cross point memory
US6678189B2 (en) * 2002-02-25 2004-01-13 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Method and system for performing equipotential sensing across a memory array to eliminate leakage currents
KR100682895B1 (ko) 2004-11-06 2007-02-15 삼성전자주식회사 다양한 저항 상태를 지닌 저항체를 이용한 비휘발성메모리 소자 및 그 작동 방법
US8036013B2 (en) * 2005-03-30 2011-10-11 Ovonyx, Inc. Using higher current to read a triggered phase change memory

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006028117A1 (ja) * 2004-09-09 2006-03-16 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 抵抗変化素子とその製造方法
WO2006137111A1 (ja) * 2005-06-20 2006-12-28 Fujitsu Limited 不揮発性半導体記憶装置及びその書き込み方法
WO2008012871A1 (fr) * 2006-07-25 2008-01-31 Fujitsu Limited Dispositif à mémoire à semi-conducteur rémanente

Cited By (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5146847B2 (ja) * 2007-03-29 2013-02-20 日本電気株式会社 半導体集積回路
WO2010041302A1 (ja) * 2008-10-06 2010-04-15 株式会社 東芝 抵抗変化メモリ
JP5398727B2 (ja) * 2008-10-06 2014-01-29 株式会社東芝 抵抗変化メモリ
US8335102B2 (en) 2008-10-06 2012-12-18 Kabushiki Kaisha Toshiba Resistance change memory
JP2010251479A (ja) * 2009-04-14 2010-11-04 Sharp Corp 不揮発性半導体記憶装置とその製造方法
JPWO2012042828A1 (ja) * 2010-09-27 2014-02-03 パナソニック株式会社 メモリ素子、半導体記憶装置、メモリ素子の製造方法および半導体記憶装置の読み出し方法
WO2012042828A1 (ja) * 2010-09-27 2012-04-05 パナソニック株式会社 メモリ素子、半導体記憶装置、メモリ素子の製造方法および半導体記憶装置の読み出し方法
US8811061B2 (en) 2010-09-27 2014-08-19 Panasonic Corporation Memory device, semiconductor storage device, method for manufacturing memory device, and reading method for semiconductor storage device
WO2012153488A1 (ja) * 2011-05-11 2012-11-15 パナソニック株式会社 クロスポイント型抵抗変化不揮発性記憶装置およびその読み出し方法
US8982603B2 (en) 2011-05-11 2015-03-17 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Cross point variable resistance nonvolatile memory device and method of reading thereby
JP5144843B2 (ja) * 2011-05-11 2013-02-13 パナソニック株式会社 クロスポイント型抵抗変化不揮発性記憶装置およびその読み出し方法
JP2022553949A (ja) * 2019-10-22 2022-12-27 マイクロン テクノロジー，インク． メモリセルにおける読み出しディスターブの低減のための電圧プロファイル
JP2022086822A (ja) * 2020-11-30 2022-06-09 日本ゼオン株式会社 抵抗変化型記憶装置および抵抗変化型記憶装置の使用方法
KR20220143564A (ko) * 2021-04-16 2022-10-25 샌디스크 테크놀로지스 엘엘씨 교차점 어레이에서의 전압 클램핑을 이용한 강제된 전류 액세스
JP2022164558A (ja) * 2021-04-16 2022-10-27 サンディスク テクノロジーズ エルエルシー クロスポイントアレイ内の電圧クランプを用いた強制電流アクセス
JP7241940B2 (ja) 2021-04-16 2023-03-17 サンディスク テクノロジーズ エルエルシー クロスポイントアレイ内の電圧クランプを用いた強制電流アクセス
US11682442B2 (en) 2021-04-16 2023-06-20 Sandisk Technologies Llc Forced current access with voltage clamping in cross-point array
US11688446B2 (en) 2021-04-16 2023-06-27 Sandisk Technologies Llc Forced current access with voltage clamping in cross-point array
KR102613291B1 (ko) * 2021-04-16 2023-12-12 샌디스크 테크놀로지스 엘엘씨 교차점 어레이에서의 전압 클램핑을 이용한 강제된 전류 액세스

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