[go: up one dir, main page]

WO2005106927A3 - Transistor a electrons chauds - Google Patents

Transistor a electrons chauds Download PDF

Info

Publication number
WO2005106927A3
WO2005106927A3 PCT/US2005/014249 US2005014249W WO2005106927A3 WO 2005106927 A3 WO2005106927 A3 WO 2005106927A3 US 2005014249 W US2005014249 W US 2005014249W WO 2005106927 A3 WO2005106927 A3 WO 2005106927A3
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
transport
electrons
base
electrode
hot electron
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/US2005/014249
Other languages
English (en)
Other versions
WO2005106927A2 (fr
Inventor
Michael J Estes
Blake J Eliasson
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Individual
Original Assignee
Individual
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Individual filed Critical Individual
Priority to EP05739776A priority Critical patent/EP1743379A2/fr
Priority to JP2007510882A priority patent/JP2007535178A/ja
Publication of WO2005106927A2 publication Critical patent/WO2005106927A2/fr
Publication of WO2005106927A3 publication Critical patent/WO2005106927A3/fr
Anticipated expiration legal-status Critical
Ceased legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D48/00—Individual devices not covered by groups H10D1/00 - H10D44/00
    • H10D48/30—Devices controlled by electric currents or voltages
    • H10D48/32—Devices controlled by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H10D48/36—Unipolar devices
    • H10D48/362—Unipolar transistors having ohmic electrodes on emitter-like, base-like, and collector-like regions, e.g. hot electron transistors [HET], metal base transistors [MBT], resonant tunnelling transistors [RTT], bulk barrier transistors [BBT], planar doped barrier transistors [PDBT] or charge injection transistors [CHINT]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D48/00—Individual devices not covered by groups H10D1/00 - H10D44/00
    • H10D48/30—Devices controlled by electric currents or voltages
    • H10D48/32—Devices controlled by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H10D48/34—Bipolar devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching

Landscapes

  • Bipolar Transistors (AREA)

Abstract

L'invention concerne un transistor à électrons chauds qui comprend une électrode d'émission, une électrode de base, une électrode de collecte, et une première structure de transmission tunnel disposée entre les électrodes d'émission et de base afin d'assurer le transport des électrons entre celles-ci. La première structure de transmission tunnel comprend au moins une première couche d'isolation amorphe et une deuxième couche d'isolation différente de sorte que le transport des électrons soit assuré, au moins en partie, par transmission tunnel. Ledit transistor comprend en outre une deuxième structure de transmission tunnel disposée entre les électrodes de base et de collecte. Cette deuxième structure de transmission tunnel sert à transporter au moins une partie des électrons précédemment mentionnés entre les électrodes de base et de collecte par transport balistique de façon que la partie des électrons soit collectée au niveau de l'électrode de collecte. L'invention concerne également un procédé associé de réduction de la réflexion des électrons au niveau d'interfaces dans un transistor à couches minces.
PCT/US2005/014249 2004-04-26 2005-04-25 Transistor a electrons chauds Ceased WO2005106927A2 (fr)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP05739776A EP1743379A2 (fr) 2004-04-26 2005-04-25 Transistor a electrons chauds
JP2007510882A JP2007535178A (ja) 2004-04-26 2005-04-25 ホットエレクトロン・トランジスタ

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US56570004P 2004-04-26 2004-04-26
US60/565,700 2004-04-26

Publications (2)

Publication Number Publication Date
WO2005106927A2 WO2005106927A2 (fr) 2005-11-10
WO2005106927A3 true WO2005106927A3 (fr) 2005-12-29

Family

ID=35242334

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/US2005/014249 Ceased WO2005106927A2 (fr) 2004-04-26 2005-04-25 Transistor a electrons chauds

Country Status (5)

Country Link
EP (1) EP1743379A2 (fr)
JP (1) JP2007535178A (fr)
KR (1) KR20070053160A (fr)
CN (1) CN101015066A (fr)
WO (1) WO2005106927A2 (fr)

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5182775B2 (ja) * 2006-03-22 2013-04-17 国立大学法人大阪大学 トランジスタ素子及びその製造方法、電子デバイス、発光素子並びにディスプレイ
EP2608267B1 (fr) * 2011-12-23 2019-02-27 IHP GmbH-Innovations for High Performance Microelectronics / Leibniz-Institut für innovative Mikroelektronik Transistor de type p avec une base en graphène
DK2834860T3 (en) * 2012-04-04 2016-03-14 Forschungszentrum Juelich Gmbh REPRODUCABLE STEP-EDGE JOSEPHSON CONNECTION
KR102088629B1 (ko) 2012-04-19 2020-03-16 카네기 멜론 유니버시티 금속-반도체-금속(msm) 이종접합 다이오드
WO2014039550A1 (fr) * 2012-09-04 2014-03-13 Carnegie Mellon University Transistor à électrons chauds ayant des bornes en métal
CA2921204A1 (fr) * 2013-08-27 2015-05-14 Georgia State University Research Foundation, Inc. Photodetecteur a porteurs chauds accordable
US9112130B2 (en) * 2013-11-01 2015-08-18 Samsung Electronics Co., Ltd. Quantum interference based logic devices including electron monochromator
JP7068265B2 (ja) * 2016-07-07 2022-05-16 アモルフィックス・インコーポレイテッド アモルファス金属ホットエレクトロントランジスタ
KR102372207B1 (ko) 2017-07-27 2022-03-07 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법
WO2019191674A2 (fr) 2018-03-30 2019-10-03 Amorphyx, Incorporated Transistors en couches minces métalliques amorphes
JP2021175027A (ja) * 2020-04-21 2021-11-01 株式会社村田製作所 電力増幅器、電力増幅回路、電力増幅デバイス
CN116075936A (zh) 2020-06-12 2023-05-05 非结晶公司 包括用于电子器件的非线性部件的电路
CN114242892B (zh) * 2021-11-30 2025-09-02 国家纳米科学中心 有机热电子晶体管及其制备方法、lumo能级检测方法
CN115389891B (zh) * 2022-07-26 2023-07-25 安庆师范大学 一种检测分子半导体材料中电学输运带隙的方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4980312A (en) * 1989-02-27 1990-12-25 U.S. Philips Corporation Method of manufacturing a semiconductor device having a mesa structure

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4980312A (en) * 1989-02-27 1990-12-25 U.S. Philips Corporation Method of manufacturing a semiconductor device having a mesa structure

Also Published As

Publication number Publication date
KR20070053160A (ko) 2007-05-23
WO2005106927A2 (fr) 2005-11-10
CN101015066A (zh) 2007-08-08
EP1743379A2 (fr) 2007-01-17
JP2007535178A (ja) 2007-11-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2005106927A3 (fr) Transistor a electrons chauds
EP1160891A3 (fr) Dispositif organique émetteur de lumière à basse tension
WO2005109543A3 (fr) Oled a tension de commande reduite
WO2008024453A3 (fr) Dispositifs de conversion d'énergie en carbone de type diamant et procédés associés
WO2004006352A3 (fr) Dispositifs electroniques realises avec des couches de transport d'electrons et/ou des couches anti-extinction
EP1729544A4 (fr) Dispositif électroluminescent organique
EP1179862A3 (fr) Diodes organiques electroluminescents avec cathode amelioree
EP0980104A3 (fr) Dispositif organique électroluminescent
WO2005096403A3 (fr) Élément de conversion photoélectrique organique et sa méthode de production, photodiode organique et capteur d’images l’utilisant, diode organique et sa méthode de production
WO2003009325A1 (fr) Emetteur d'electrons et procede de fabrication de ce dernier, element d'emission d'electrons de champ de cathode froide et procede de fabrication de cet element et affichage d'emission d'electrons de champ de cathode froide et procede de fabrication de cet affichage
WO2005038941A3 (fr) Dispositif electroluminescent organique comportant une couche tampon de non blocage de trous
EP1089310A3 (fr) Dispositif à émission de champ
JP2002207443A5 (fr)
WO2005088720A3 (fr) Élément détecteur de lumière et procédé de commande d’élément détecteur de lumière
WO2006116323A3 (fr) Dispositifs de conversion thermoelectriques a depot cda et leurs procedes d'utilisation et de fabrication
WO2004045267A3 (fr) Tube a vide a echelle microscopique ameliore et son procede de fabrication
EP1251720A3 (fr) Dispositif à diode électroluminescente organique et affichage organique électroluminescent
EP1487004A3 (fr) Dispositif d'émission d'électrons, source d'électrons et afficheur d'image à couche dipolaire
EP1315191A3 (fr) Composite pour pate contenant de nanotubes de carbone, dispositif émetteur d'électrons utilisant ce composite et procédé de fabrication
WO2007070529A3 (fr) Empilements d'electrodes pour dispositifs electroactifs, et procedes de fabrication correspondants
WO2002089167A3 (fr) Emetteur par effet tunnel
EP0994517A3 (fr) Dispositif organique électroluminescent
WO2003019696A3 (fr) Dispositif electroluminescent
EP1383152A3 (fr) Emetteur avec couche dielectrique comprenant des centres conducteurs implantes
WO2004086526A3 (fr) Dispositifs generant de l'electroluminescence organique

Legal Events

Date Code Title Description
AK Designated states

Kind code of ref document: A2

Designated state(s): AE AG AL AM AT AU AZ BA BB BG BR BW BY BZ CA CH CN CO CR CU CZ DE DK DM DZ EC EE EG ES FI GB GD GE GH GM HR HU ID IL IN IS JP KE KG KM KP KR KZ LC LK LR LS LT LU LV MA MD MG MK MN MW MX MZ NA NI NO NZ OM PG PH PL PT RO RU SC SD SE SG SK SL SM SY TJ TM TN TR TT TZ UA UG UZ VC VN YU ZA ZM ZW

AL Designated countries for regional patents

Kind code of ref document: A2

Designated state(s): BW GH GM KE LS MW MZ NA SD SL SZ TZ UG ZM ZW AM AZ BY KG KZ MD RU TJ TM AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HU IE IS IT LT LU MC NL PL PT RO SE SI SK TR BF BJ CF CG CI CM GA GN GQ GW ML MR NE SN TD TG

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2005739776

Country of ref document: EP

Ref document number: 2007510882

Country of ref document: JP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 200580013289.X

Country of ref document: CN

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

WWW Wipo information: withdrawn in national office

Ref document number: DE

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 1020067023210

Country of ref document: KR

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 2005739776

Country of ref document: EP