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WO2004092111A1 - 芳香族アミン誘導体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents

芳香族アミン誘導体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 Download PDF

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Definitions

  • the present invention relates to an aromatic amine derivative and an organic electroluminescent device using the same.
  • the present invention provides an organic EL device in which at least one organic thin film layer including at least one light emitting layer is sandwiched between a cathode and an anode, wherein at least one of the organic thin film layers is the aromatic amine. It is intended to provide an organic EL device containing a derivative alone or as a component of a mixture. It is preferable that the luminescent polishing agent contains the aromatic amine derivative alone or as a component of a mixture.
  • FIG. 2 is a view showing an NMR spectrum of the compound (7) which is an example of the aromatic amine derivative of the present invention.
  • Examples of the light-emitting material or the doping material that can be used in the light-emitting layer together with the compound of the general formula (1) include, for example, anthracene, naphthalene, penanthrene, pyrene, tetracene, coronene, chrysene, fluorescein, perylene, phthalate perylene, naphthalene perylene.
  • Examples of the metal complex compound include lithium 8-hydroxyquinolinato, bis (8-hydroxyquinolinato), zinc, bis (8-hydroxyquinolinato), copper, and bis (8-hydroxyquinolinato).
  • a material having a work function greater than 4 eV is suitable, and carbon, aluminum, vanadium, iron, cobalt, nickel, tungsten, silver, gold, platinum, and palladium Etc. and their alloys, I Metal oxides such as tin oxide and indium oxide used for TO and NESA substrates, and organic conductive resins such as polythiophene and polypyrrole are used.
  • the conductive material used for the cathode those having a work function of less than 4 eV are suitable, and magnesium, calcium, tin, lead, titanium, itdium, lithium, ruthenium, manganese, aluminum, aluminum, and fluorine are suitable.
  • the substrate is transparent.
  • the transparent electrode is set so as to secure a predetermined translucency by a method such as vapor deposition or sputtering using the above conductive material.
  • the electrode on the light emitting surface preferably has a light transmittance of 10% or more.
  • the substrate is not limited as long as it has mechanical and thermal strengths and is transparent, and includes a glass substrate and a transparent resin film.
  • the material for forming each layer is dissolved or dispersed in an appropriate solvent such as ethanol, chloroform, tetrahydrofuran, dioxane, etc. to form a thin film. good.
  • an appropriate resin or additive may be used to improve film forming properties, prevent pinholes in the film, and the like.
  • Resins that can be used include insulating resins such as polystyrene, polycarbonate, polyarylate, polyester, polyamide, polyurethane, polysulfone, polymethyl methacrylate, polymethyl acrylate, cellulose, and copolymers thereof.
  • a photoconductive resin such as poly-N-Bulbazole and polysilane
  • a conductive resin such as polythiophene and polypyrrole
  • examples of the additive include an antioxidant, an ultraviolet absorber, and a plasticizer.
  • An organic EL device was fabricated in the same manner as in Example 1, except that the compound (9) was used instead of the compound (6).
  • a current test was performed on the obtained organic EL device. At a voltage of 6.8 V and a current density of 1 OmA / cm 2 , a yellow light emission with a luminous efficiency of 9 cd / A and a luminance of 987 cd / m 2 was obtained. (Maximum wavelength: 5.55 nm) was obtained. Further, when a continuous energization test was performed in the same manner as in Example 1, the half life was as short as 1,500 hours.

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Abstract

本発明は、置換アントラセン構造と置換基を有するベンゼン環で置換されたアミン構造が連結した特定構造を有する芳香族アミン誘導体、及び陰極と陽極間に少なくとも発光層を含む一層又は複数層からなる有機薄膜層が挟持されている有機エレクトロルミネッセンス素子において、該有機薄膜層の少なくとも1層が、前記芳香族アミン誘導体を単独又は混合物の成分として含有する有機エレクトロルミネッセンス素子であり、発光輝度及び発光効率が高く、寿命が長い有機エレクトロルミネッセンス素子及びそれを実現する新規な芳香族アミン誘導体を提供する。

Description

明 細 書 芳香族ァミン誘導体及びそれを用いた有機エレクト口ルミネッセンス素子 技術分野
本発明は、 新規な芳香族ァミン誘導体及びそれを用いた有機エレクトロルミネ ッセンス素子に関し、 特に、 発光輝度及び発光効率が高く、 寿命が長い有機エレ クトロルミネッセンス素子及びそれを実現する新規な芳香族ァミン誘導体に関す るものである。 背景技術
有機エレク トロルミネッセンス素子 (有機 EL素子) は、 電界を印加すること より、 陽極より注入された正孔と陰極より注入された電子の再結合エネルギ一に より蛍光性物質が発光する原理を利用した自発光素子である。
イーストマン ·コダック社の C. W. Tan gらによる積層型素子による低電 圧駆動有機 EL素子の報告 (C. W. Tang, S. A. Vans 1 yke, アプライ ドフィジックスレタ一ズ (Ap p 1 i e d Ph s i c s Le t t e r s) , 5 1卷、 91 3頁、 1987年等) がなされて以来、 有機材料を構成 材料とする有機 EL素子に関する研究が盛んに行われている。
Tangらは、 トリス ( 8—ヒドロキシキノリノールアルミニウム) を発光層 に、 トリフヱ二ルジァミン誘導体を正孔輸送層に用いた積層構造を採用している 。 積層構造の利点としては、 発光層への正孔の注入効率を高めることができ、 陰 極より注入された電子をブロックして再結合により生成する励起子の生成効率を 高めることができ、 発光層内で生成した励起子を閉じ込めることができる等が挙 げられる。 この例のように有機 EL素子の素子構造としては、 正孔輸送 (注入) 層、 電子輸送発光層の 2層型、 または正孔輸送 (注入) 層、 発光層、 電子輸送 ( 注入) 層の 3層型等がよく知られている。 こうした積層型構造素子では、 注入さ れた正孔と電子の再結合効率を高めるために、 素子構造や形成方法に種々の工夫 がなされている。
発光材料としてはトリス (8—キノリノラート) アルミニウム錯体等のキレー ト錯体、 クマリン誘導体、 テトラフヱニルブタジエン誘導体、 ビススチリルァリ 一レン誘導体、 ォキサジァゾ一ル誘導体等の発光材料が知られており、 それらか らは青色から赤色までの可視領域の発光が得られることが報告されており、 カラ 一表示素子の実現が期待されている (例えば、 特開平 8— 2 3 9 6 5 5号公報、 特開平 7— 1 3 8 5 6 1号公報、 特開平 3— 2 0 0 2 8 9号公報等) が、 その発 光効率や寿命が実用可能なレベルにまで到達せず不十分であつた。
また、 特開 2 0 0 1 _ 2 0 7 1 6 7号公報には、 アミノアントラセン誘導体を 緑色発光材料として用いた素子が開示されている。 しかしながら、 この材料から は、 長寿命かつ高効率発光が得られないことから、実用に供することができなか つた。
近年、 高輝度且つ長寿命の有機 E L素子が開示あるいは報告されてはいるが、 未だ必ずしも充分なものとはいえない。 そのため、 より優れた発光効率を有する 有機 E L素子用材料の開発が強く求められている。 発明の開示
本発明は、 前記の課題を解決するためになされたもので、 発光輝度及び発光効 率が高く、 寿命が長い有機 E L素子及びそれを実現する新規な芳香族ァミン誘導 体を提供することを目的とするものである。
本発明者らは、 前記の好ましい性質を有する有機 E L素子用材料及びそれを使 用した有機 E L素子を開発すべく鋭意研究を重ねた結果、 下記一般式 ( 1 ) で表 される、 置換アントラセン構造と置換基を有するべンゼン環で置換されたァミン 構造が連結した芳香族ァミン誘導体を用いることにより、 その目的を達成し得る ことを見出した。 本発明は、 かかる知見に基づいて完成したものである。
すなわち、 本発明は、 下記一般式 ( 1 ) で表される芳香族アミン誘導体を提供 するものである。
Figure imgf000004_0001
(式中、 A 1 〜A 2 は、 それぞれ独立に、 水素原子、 置換もしくは無置換の炭素 数 1〜 1 0のアルキル基、 置換もしくは無置換の核炭素数 5〜5 0のァリール基 、 置換もしくは無置換の核炭素数 3〜 2 0のシクロアルキル基、 置換もしくは無 置換の炭素数 1〜 1 0のアルコキシル基、 置換もしくは無置換の核炭素数 5〜 5 0のァリールォキシ基、 置換もしくは無置換の核炭素数 5〜 5 0のァリ一ルァミ ノ基、 置換もしくは無置換の炭素数 1〜 1 0のアルキルアミノ基、 又はハロゲン 原子を表し、 p及び qはそれぞれ 1〜 5の整数であり、 sは 1〜9の整数である 。 p, qがそれぞれ 2以上の場合、 複数の A 1 , A 2 は、 それぞれ同一でも異な つていてもよく、 互いに連結して飽和もしくは不飽和の環を形成していてもよい 。 ただし、 A 1 及び A 2 の両方が水素原子である場合はない。
R 1 は、 置換もしくは無置換の炭素数 3〜 1 0の 2級又は 3級のアルキル基を 表し、 tは 1〜9の整数である。 tが 2以上の場合、 複数の R 1 は同一でも異な つていてもよい。 R 2 は、 水素原子、 置換もしくは無置換の炭素数 1〜 0のァ ルキル基、 置換もしくは無置換の核炭素数 5〜 5 0のァリール基、 置換もしくは 無置換の核炭素数 3〜2 0のシクロアルキル基、 置換もしくは無置換の炭素数 1 〜 1 0のアルコキシル基、 置換もしくは無置換の核炭素数 5〜5 0のァリールォ キシ基、 置換もしくは無置換の核炭素数 5〜 5 0のァリ一ルァミノ基、 置換もし くは無置換の炭素数 1〜1 0のアルキルアミノ基、 又はハロゲン原子を表し、 u は 0〜8の整数である。 uが 2以上の場合、 複数の R2 は同一でも異なっていて もよい。 s + t + i^ 2〜l 0の整数である。 )
また、 本発明は、 陰極と陽極間に少なくとも発光層を含む一層又は複数層から なる有機薄膜層が挟持されている有機 EL素子において、 該有機薄膜層の少なく とも 1層が、 前記芳香族ァミン誘導体を単独又は混合物の成分として含有する有 機 EL素子を提供するものである。 前記発光磨が、 前記芳香族ァミン誘導体を単 独又は混合物の成分として含有すると好ましい。 図面の簡単な説明
図 1は、 本発明の芳香族ァミン誘導体の一例である化合物 (6) の NMRスぺク トルを示す図である。
図 2は、 本発明の芳香族ァミン誘導体の一例である化合物 (7) の NMRスぺク トルを示す図である。
図 3は、 本発明の芳香族ァミン誘導体の一例である化合物 (8) の NMRスぺク トルを示す図である。
図 4は、 本発明の芳香族ァミン誘導体の一例である化合物 (9) の NMRスぺク トルを示す図である。
図 5は、 本発明の芳香族ァミン誘導体の一例である化合物 (10) の NMRスぺ クトルを示す図である。
図 6は、 本発明の芳香族ァミン誘導体の一例である化合物 ( 1 1 ) の NMRスぺ クトルを示す図である。 発明を実施するための最良の形態
本発明の新規な芳香族ァミン誘導体は、 下記一般式 ( 1 ) で表されるものであ る。
Figure imgf000006_0001
一般式 ( 1 ) において、 A' 〜A2 は、 それぞれ独立に、 水素原子、 置換もし くは無置換の炭素数 1〜 1 0 (好ましくは、 炭素数 1〜 6 ) のアルキル基、 置換 もしくは無置換の核炭素数 5〜 5 0 (好ましくは、 核炭素数 5〜 1 0 ) のァリ一 ル基、 置換もしくは無置換の核炭素数 3〜 2 0 (好ましくは、 核炭素数 5〜 1 0 ) のシクロアルキル基、 置換もしくは無置換の炭素数 1〜 1 0 (好ましくは、 炭 素数 1〜6) のアルコキシル基、 置換もしくは無置換の核炭素数 5~5 0 (好ま しくは、 核炭素数 5〜 1 0) のァリールォキシ基、 置換もしくは無置換の核炭素 数 5〜5 0 (好ましくは、 核炭素数 5〜 2 0) のァリールアミノ基、 置換もしく は無置換の炭素数 1〜 1 0 (好ましくは、 炭素数 1 ~6 ) のアルキルアミノ基、 又はハロゲン原子を表す。
A1 〜A2 の置換もしくは無置換のアルキル基としては、 例えば、 メチル基、 ェチル基、 プロピル基、 イソプロピル基、 ブチル基、 s e c—ブチル基、 t e r t—ブチル基、 ペンチル基、 へキシル基、 ヘプチル基、 ォクチル基、 ステアリル 基、 2—フヱニルイソプロピル基、 トリクロロメチル基、 トリフルォロメチル基 、 ベンジル基、 α—フエノキシベンジル基、 α, α—ジメチルベンジル基、 ひ, α—メチルフヱニルベンジル基、 α, α—ジトリフルォロメチルベンジル基、 ト リフエ二ルメチル基、 α—べンジルォキシベンジル基等が挙げられる。
A1 〜Α2 の置換もしくは無置換のァリール基としては、 例えば、 フヱニル基 、 2—メチルフヱニル基、 3—メチルフヱニル基、 4ーメチルフヱニル基、 4一 ェチルフヱニル基、 ビフヱニル基、 4ーメチルビフヱニル基、 4—ェチルビフエ ニル基、 4ーシクロへキシルビフヱニル基、 ターフヱニル基、 3, 5—ジクロ口 フエニル基、 ナフチル基、 5—メチルナフチル基、 アントリル基、 ピレニル基等 が挙げられる。
A1 〜A2 の置換もしくは無置換のシクロアルキル基としては、 例えば、 シク 口プロピル基、 シクロブチル基、 シクロペンチル基、 シクロへキシル基、 ノルボ ルネル基、 ァダマンチル基等が挙げられる。
A1 〜A2 の置換もしくは無置換のアルコキシル基としては、 例えば、 メ トキ シ基, エトキシ基, プロポキシ基, イソプロポキシ基, ブトキシ基, イソブトキ シ基, s e c一ブトキシ基, t e r t—ブトキシ基、 各種ペンチルォキシ基, 各 種へキシルォキシ基等が挙げられる。
A' 〜A2 の置換もしくは無置換のァリールォキシ基としては、 例えば、 フエ ノキシ基, トリルォキシ基, ナフチルォキシ基等が挙げられる。
A1 〜A2 の置換もしくは無置換のァリールアミノ基としては、 例えば、 ジフ ェニルァミノ基, ジトリルァミノ基, ジナフチルァミノ基, ナフチルフヱニルァ ミノ基等が挙げられる。
A1 〜A2 の置換もしくは無置換のアルキルアミノ基としては、 例えば、 ジメ チルァミノ基、 ジェチルァミノ基、 ジへキシルァミノ基等が挙げられる。
A' 〜A2 のハロゲン原子としては、 例えば、 フッ素原子, 塩素原子, 臭素原 子等が挙げられる。
ただし、 一般式 ( 1 ) において、 A' 及び A2 の両方が水素原子である場合は ない。
一般式 ( 1 ) において、 A' は、 2級もしくは 3級のアルキル基又は 2級もし くは 3級のシクロアルキル基であると好ましく、 2級のアルキル基又は 2級のシ クロアルキル基であるとさらに好ましい。 また、 A2 は、 1級もしくは 2級のァ ルキル基であると好ましく、 メチル基、 ェチル基、 プロピル基、 イソプロピル基 、 ブチル基、 s—ブチル基又は t—ブチル基であるとさらに好ましい。 一般式 ( 1 ) において、 p及び qはそれぞれ 1〜5の整数であり、 1〜3であ ると好ましい。 さらに、 pは 1であるとさらに好ましく、 qは 1又は 2であると さらに好ましい。
p , qがそれぞれ 2以上の場合、 複数の A1 , A 2 は、 それぞれ同一でも異な つていてもよく、 互いに連結して飽和もしくは不飽和の環を形成していてもよい また、 sは 1〜9の整数であり、 1〜3であると好ましい。
R1 は、 置換もしくは無置換の炭素数 3〜 1 0の 2級又は 3級のアルキル基、 又は置換もしくは無置換の炭素数 3 ~ 1 0の 2級又は 3級のシクロアルキル基を 表す。
R1 の置換もしくは無置換の炭素数 3〜1 0の 2級又は 3級のアルキル基とし ては、 例えば、 イソプロピル基、 t e r t—ブチル基、 s e c—ブチル基、 t e r t—ペンチル基、 1—メチルブチル基、 1ーメチルペンチル基、 1, Γ ージ メチルペンチル基、 1, Γ —ジェチルプロピル基、 1 _ベンジル— 2—フエ二 ルェチル基、 1ーメ トキシェチル基、 1 _フエ二ルー 1—メチルェチル基等が挙 げられる。
R' の置換もしくは無置換の炭素数 3〜1 0の 2級又は 3級のシクロアルキル 基としては、 例えば、 シクロペンチル基、 シクロへキシル基、 ノルポルネル基、 ァダマンチル基等が挙げられる。
一般式 ( 1 ) において、 R1 は、 3級のアルキル基又は 2級のシクロアルキル 基であると好ましく、 t—プチル基又はシクロへキシル基であるとさらに好まし く、 シクロへキシル基であると特に好ましい。
一般式 ( 1 ) において、 tは 1〜9の整数であり、 1 ~3であると好ましい。 tが 2以上の場合、 複数の R' は同一でも異なっていてもよい。
R2 は、 水素原子、 置換もしくは無置換の炭素数 1〜 1 0のアルキル基 (好ま しくは、 炭素数 1〜 6 ) 、 置換もしくは無置換の核炭素数 5〜 5 0のァリ一ル基 (好ましくは、 核炭素数 5〜 1 0 ) 、 置換もしくは無置換の核炭素数 3〜 20の シクロアルキル基 (好ましくは、 核炭素数 5〜10) 、 置換もしくは無置換の炭 素数 1〜1 0のアルコキシル基 (好ましくは、 炭素数 1〜6) 、 置換もしくは無 置換の核炭素数 5〜 50のァリールォキシ基 (好ましくは、 核炭素数 5〜1 0) 、 置換もしくは無置換の核炭素数 5〜 50のァリールアミノ基 (好ましくは、 核 炭素数 5〜20) 、 置換もしくは無置換の炭素数 1〜10のアルキルアミノ基 ( 好ましくは、 炭素数 1〜6) 、 又はハロゲン原子を表す。
R2 の置換もしくは無置換のアルキル基、 ァリール基、 シクロアルキル基、 ァ ルコキシル基、 ァリールォキシ基、 ァリールアミノ基、 アルキルアミノ基及びハ ロゲン原子の具体例としては、 前記 A1 ~A2 と同様のものが挙げられる。
一般式 (1) において、 R2 は、 3級のアルキル基又は 2級のシクロアルキル 基であると好ましく、 t—プチル基又はシクロへキシル基であるとさらに好まし く、 シクロへキシル基であると特に好ましい。
一般式 ( 1 ) において、 uは 0〜8の整数であり、 0〜2であると好ましい。 uが 2以上の場合、 複数の R2 は同一でも異なっていてもよい。
また、 一般式 ( 1 ) において、 s + t +Uは 2 ~ 1 0の整数であり、 2〜6で あると好ましい。
また、 本発明の一般式 ( 1 ) で表される構造としては、 下記一般式 ( 2 ) 、 ( 2_ 1:) 〜 (2— 3)及び (3) 〜 (5) のいずれかで表されるものであると好 ましい。
Figure imgf000010_0001
O OOO請 Zdf/ェ:) d UU60/ 00Z OAV
Figure imgf000011_0001
Figure imgf000011_0002
一般式 (2) 、 (2— 1 ) 〜 (2— 3) 及び( 3) 〜 (5 ) 中、 A1 、 A2 、 p、 q、 R1 及び R2 は、 前記一般式 ( 1 ) と同じであり、 R3 及び は、 そ れぞれ R2 と同じであり、 好ましい基も同じである。
本発明の一般式 ( 1 ) ( ( 2 ) 、 ( 2— 1 )〜 ( 2— 3 ) 及び ( 3 ) ~ ( 5 ) ) で表される芳香族ァミン誘導体の具体例を以下に示すが、 これら例示化合物に 限定されるものではない。 なお、 Meはメチル基を示す。
Figure imgf000012_0001
(1) (2) (4)
Figure imgf000012_0002
(5) (6) (7) (8)
Figure imgf000012_0003
(9) do) (11) (12)
I ΐ
Figure imgf000013_0001
000請 Zdf/ェ:) d ΐΐΐΖ60請 OAV ε I
Figure imgf000014_0001
0 000請 Zdf/ェ:) d UU60/ 00Z OAV I
Figure imgf000015_0001
Ο ΟΟΟ請 Zdf/ェ:) d 9 1
Figure imgf000016_0001
OWOOO/tOOZdf/IDd i 60 Z ΟΛ\
Figure imgf000017_0001
Figure imgf000017_0002
Figure imgf000017_0003
Figure imgf000017_0004
O OOO請 Zdf/ェ:) d UU60/ 00Z OAV 本発明の一般式 ( 1 ) で表される化合物は、 置換アントラセン構造と置換基を 有するベンゼン環で置換されたァミン構造が連結していることにより、 化合物同 士の会合が防止されるため、 寿命が長くなる。 また、 アントラセン骨格に嵩高い 置換基である 2級又は 3級のアルキル基もしくはシクロアルキル基を持たせるこ とでァミン構造との立体反発が大きくなるため、 さらに寿命等の性能が向上する 。 また、 固体状態で強い蛍光性を持ち、 電場発光性にも優れ、 蛍光量子効率が 0 . 3以上である。 さらに、 金属電極又は有機薄膜層からの優れた正孔注入性及び 正孔輸送性、 金属電極又は有機薄膜層からの優れた電子注入性及び電子輸送性を 併せて持ち合わせているので、 有機 E L素子用発光材料として有効に用いられ、 さらに、 他の正孔輸送性材料、電子輸送性材料又はドーピング材料を使用しても さしっかえない。
本発明の有機 E L素子は、 陽極と陰極間に一層又は多層の有機薄膜を形成した 素子である。 一層型の場合、 陽極と陰極との間に発光層を設けている。 発光層は 、 発光材料を含有し、 それに加えて陽極から注入した正孔、 又は陰極から注入し た電子を発光材料まで輸送させるために、 正孔注入材料又は電子注入材料を含有 しても良い。 一般式 ( 1 ) の化合物は、 高い発光特性を持ち、 優れた正孔注入性 、 正孔車俞送特性及び電子注入性、 電子輸送特性を有しているので、 発光材料とし て発光層に使用することができる。
本発明の有機 E L素子においては、 発光層が、 本発明の有機 E L素子用材料を 0 . 1〜2 0重量%含有すると好ましく、 1〜 1 0重量%含有するとさらに好ま しい。 また、 本発明の有機 E L素子用材料は、 極めて高い蛍光量子効率、 高い正 孔輸送能力及び電子輸送能力を併せ持ち、 均一な薄膜を形成することができるの で、 本発明の発光材料のみで発光層を形成することも可能である。
多層型の有機 E L素子としては、 (陽極/正孔注入層/発光層/陰極) 、 (陽 極/発光層/電子注入層/陰極) 、 (陽極/正孔注入層/発光層/電子注入層/ 陰極) 等の多層構成で積層したものが挙げられる。 発光層には、 必要に応じて、 本発明の一般式 ( 1 ) の化合物に加えてさらなる 公知の発光材料、 ドーピング材料、 正孔注入材料や電子注入材料を使用すること もできる。 有機 E L素子は、 多層構造にすることにより、 クェンチングによる輝 度や寿命の低下を防ぐことができる。 必要があれば、 発光材料、 ドーピング材料 、 正孔注入材料や電子注入材料を組み合わせて使用することができる。 また、 ド 一ビング材料により、 発光輝度や発光効率の向上、 赤色や青色の発光を得ること もできる。 また、 正孔注入層、 発光層、 電子注入層は、 それぞれ二層以上の層構 成により形成されても良い。 その際には、 正孔注入層の場合、 電極から正孔を注 入する層を正孔注入層、 正孔注入層から正孔を受け取り発光層まで正孔を輸送す る層を正孔輸送層と呼ぶ。 同様に、 電子注入層の場合、 電極から電子を注入する 層を電子注入層、 電子注入層から電子を受け取り発光層まで電子を輸送する層を 電子輸送層と呼ぶ。 これらの各層は、 材料のエネルギー準位、 耐熱性、 有機層又 は金属電極との密着性等の各要因により選択されて使用される。
一般式 ( 1 ) の化合物と共に発光層に使用できる発光材料又はドーピング材料 としては、 例えば、 アントラセン、 ナフタレン、 フヱナントレン、 ピレン、 テト ラセン、 コロネン、 クリセン、 フルォレセィン、 ペリレン、 フタ口ペリレン、 ナ フタ口ペリレン、 ペリノン、 フタ口ペリノン、 ナフタ口ペリノン、 ジフヱニルブ タジェン、 テトラフヱニルブタジエン、 クマリン、 ォキサジァゾール、 アルダジ ン、 ビスべンゾキサゾリン、 ビススチリル、 ピラジン、 シクロペンタジェン、 キ ノリン金属錯体、 アミノキノリン金属錯体、 ベンゾキノリン金属錯体、 ィミ ン、 ジフヱニルエチレン、 ビニルアントラセン、 ジァミノカルバゾ一ル、 ピラン、 チ ォピラン、 ポリメチン、 メロシアニン、 イミダゾ一ルキレート化ォキシノィ ド化 合物、 キナクリ ドン、 ルブレン及び蛍光色素等が挙げられるが、 これらに限定さ れるものではない。
正孔注入材料としては、 正孔を輸送する能力を持ち、 陽極からの正孔注入効果 、 発光層又は発光材料に対して優れた正孔注入効果を有し、 発光層で生成した励 起子の電子注入層又は電子注入材料への移動を防止し、 かつ薄膜形成能力の優れ た化合物が好ましい。 具体的には、 フタロシアニン誘導体、 ナフタロシアニン誘 導体、 ポルフィリン誘導体、 ォキサゾール、 ォキサジァゾ一ル、 トリアゾール、 ィミダゾール、 ィミダゾロン、 イミダゾ一ルチオン、 ビラゾリン、 ビラゾロン、 テトラヒドロイミダゾ一ル、 ォキサゾ一ル、 ォキサジァゾ一ル、 ヒドラゾン、 ァ シルヒドラゾン、 ポリアリールアルカン、 スチルベン、 ブタジエン、 ベンジジン 型トリフヱニルァミン、 スチリルァミン型トリフエニルァミン、 ジァミン型トリ フヱニルァミン等と、 それらの誘導体、 及びポリビニルカルバゾ一ル、 ポリシラ ン、 導電性高分子等の高分子材料が挙げられるが、 これらに限定されるものでは ない。
本発明の有機 E L素子において使用できる正孔注入材料の中で、 さらに効果的 な正孔注入材料は、 芳香族三級アミン誘導体及びフタロシアニン誘導体である。 芳香族三級アミン誘導体としては、 例えば、 トリフヱニルアミン、 トリ トリル ァミン、 トリルジフエニルァミン、 N, N' —ジフエニル一 N, N, 一 (3—メ チルフヱニル) 一 1, Γ ービフヱニル一4, 4 ' ージァミン、 N, N, N, , N, 一 (4一メチルフエニル) 一 1, Γ 一フエニル一 4, 4, ージァミン、 N , N, N' , N, 一 (4—メチルフヱニル) 一1, 1, ービフエ二ルー 4, 4, —ジァミン、 N, N' ージフエ二ルー N, N' —ジナフチル一 1 , Γ —ビフヱ 二ルー 4, 4 ' —ジァミン、 N, N, 一 (メチルフエニル) 一 N, N, _ (4一 n—ブチルフエニル) 一フエナントレン一 9, 1 0—ジァミン、 N, N—ビス ( 4ージ一 4—トリルァミノフエ二ル) 一 4—フエ二ル一シクロへキサン等、 又は これらの芳香族三級ァミン骨格を有したオリゴマーもしくはポリマーであるが、 これらに限定されるものではない。
フタロシアニン (pc)誘導体としては、 例えば、 H2 Pc、 CuPc、 Co Pc、 N i Pc、 ZnPc、 PdPc、 FePc、 MnPc、 C lAl Pc、 C l GaPc、 C l I nPc、 C l SnPc、 C l 2 S i Pc、 (HO) A 1 P c 、 (HO) GaPc、 V〇Pc、 Ti〇Pc、 MoOPc、 GaPc— 0— Ga Pc等のフタロシア二ン誘導体及びナフタロシア二ン誘導体でがあるが、 これら に限定されるものではない。
また、 本発明の有機 EL素子は、 発光層と陽極との間に、 これらの芳香族三級 ァミン誘導体及び/又はフタロシアニン誘導体を含有する層、 例えば、 前記正孔 輸送層又は正孔注入層を形成してなると好ましい。
電子注入材料としては、 電子を輸送する能力を持ち、 陰極からの電子注入効果 、 発光層又は発光材料に対して優れた電子注入効果を有し、 発光層で生成した励 起子の正孔注入層への移動を防止し、 かつ薄膜形成能力の優れた化合物が好まし い。 具体的には、 フルォレノン、 アントラキノジメタン、 ジフエノキノン、 チォ ピランジオキシド、 ォキサゾ一ル、 ォキサジァゾール、 トリァゾール、 イミダゾ ール、 ペリ レンテトラカルボン酸、 フレオレニリデンメ夕ン、 アントラキノジメ タン、 アン卜ロン等とそれらの誘導体が挙げられるが、 これらに限定されるもの ではない。 また、 正孔注入材料に電子受容物質を、 電子注入材料に電子供与性物 質を添加することにより増感させることもできる。
本発明の有機 EL素子において、 さらに効果的な電子注入材料は、 金属錯体化 合物及び含窒素五員環誘導体である。
金属錯体化合物としては、 例えば、 8—ヒドロキシキノリナートリチウム、 ビ ス (8—ヒ ドロキシキノリナート) 亜鉛、 ビス (8—ヒ ドロキシキノリナート) 銅、 ビス (8—ヒ ドロキシキノリナート) マンガン、 ト リス (8—ヒドロキシキ ノ リナ一ト) アルミニウム、 トリス (2—メチルー 8—ヒ ドロキシキノリナート ) アルミニウム、 ト リス (8—ヒドロキシキノリナート) ガリゥム、 ビス ( 1 0 ーヒ ドロキシベンゾ [h] キノリナート) ベリ リウム、 ビス ( 10—ヒドロキシ ベンゾ [ h ] キノリナ一ト) 亜鉛、 ビス ( 2—メチル一 8—キノリナート) クロ 口ガリウム、 ビス (2—メチルー 8—キノリナート) ( 0—クレゾラ一ト) ガリ ゥム、 ビス (2—メチル一8—キノリナ一卜) ( 1—ナフ トラート) アルミニゥ ム、 ビス ( 2—メチルー 8—キノリナ一ト) ( 2—ナフトラート) ガリウム等が 挙げられるが、 これらに限定されるものではない。
また、 含窒素五員誘導体としては、 例えば、 ォキサゾ一ル、 チアゾール、 ォキ サジァゾ一ル、 チアジアゾ一ル、 トリァゾ一ル誘導体が好ましい。 具体的には、 2, 5—ビス ( 1 一フヱニル) 一 1, 3 , 4—ォキサゾール、 ジメチル POF O P、 2 , 5 _ビス ( 1 一フエニル) 一 1 , 3, 4一チアゾ一ル、 2 , 5—ビス (
1 —フエニル) 一 1 , 3, 4一ォキサジァゾ一ル、 2— ( 4, 一 t e r t—ブチ ルフヱニル) 5— (4" —ビフエニル) 1, 3, 4一ォキサジァゾール、 2,
5—ビス ( 1 一ナフチル) 一 1 , 3, 4一ォキサジァゾ一ル、 1, 4—ビス [ 2 - ( 5—フエニルォキサジァゾリル) ] ベンゼン、 し 4 _ビス [ 2— ( 5—フ ェニルォキサジァゾリル) 一 4— t e r t—ブチルベンゼン] 、 — ( 4, 一 t e r t—ブチルフエニル) 一 5— ( 4" ービフエニル) 一 1, 3, 4—チアジア ゾ一ル、 2, 5—ビス ( 1一ナフチル) 一 1, 3 , 4—チアジアゾール、 1, 4 一ビス [ 2— ( 5—フエ二ルチアジァゾリル) ] ベンゼン、 2— (4, 一 t e r t一ブチルフヱニル) 一 5— (4" 一ビフヱニル) 一 1 , 3, 4—トリァゾ一ル 、 2 , 5—ビス ( 1 —ナフチル) 一 1, 3, 4一トリァゾール、 1 , 4一ビス [
2— ( 5—フヱニルトリァゾリル) ] ベンゼン等が挙げられるが、 これらに限定 されるものではない。
本発明の有機 EL素子においては、 発光層中に、 一般式 ( 1 ) の化合物の他に 、 発光材料、 ドーピング材料、正孔注入材料及び電子注入材料の少なくとも 1種 が同一層に含有されてもよい。 また、 本発明により得られた有機 EL素子の、 温 度、 湿度、 雰囲気等に対する安定性の向上のために、 素子の表面に保護層を設け たり、 シリコンオイル、 樹脂等により素子全体を保護することも可能である。 有機 E L素子の陽極に使用される導電性材料としては、 4 eVより大きな仕事 関数を持つものが適しており、炭素、 アルミニウム、 バナジウム、 鉄、 コバルト 、 ニッケル、 タングステン、 銀、 金、 白金、 パラジウム等及びそれらの合金、 I T O基板、 N E S A基板に使用される酸化スズ、 酸化インジウム等の酸化金属、 さらにはポリチオフヱンゃポリピロール等の有機導電性樹脂が用いられる。 陰極 に使用される導電性物質としては、 4 e Vより小さな仕事関数を持つものが適し ており、 マグネシウム、 カルシウム、 錫、 鉛、 チタニウム、 イツ トリゥム、 リチ ゥム、 ルテニウム、 マンガン、 アルミニウム、 フッ化リチウム等及びそれらの合 金が用いられるが、 これらに限定されるものではない。 合金としては、 マグネシ ゥム /銀、 マグネシウム/インジウム、 リチウム/アルミニウム等が代表例とし て挙げられるが、 これらに限定されるものではない。 合金の比率は、 蒸着源の温 度、 雰囲気、 真空度等により制御され、 適切な比率に選択される。 陽極及び陰極 は、 必要があれば二層以上の層構成により形成されていても良い。
有機 E L素子では、 効率良く発光させるために、 少なくとも一方の面は素子の 発光波長領域において充分透明にすることが望ましい。 また、 基板も透明である ことが望ましい。 透明電極は、 上記の導電性材料を使用して、 蒸着やスパッタリ ング等の方法で所定の透光性が確保するように設定する。 発光面の電極は、 光透 過率を 1 0 %以上にすることが望ましい。 基板は、 機械的、 熱的強度を有し、 透 明性を有するものであれば限定されるものではないが、 ガラス基板及び透明性樹 脂フィルムがある。 透明性樹脂フィルムとしては、 ポリエチレン、 エチレン一酢 酸ビュル共重合体、 エチレン—ビュルアルコール共重合体、 ポリプロピレン、 ポ リスチレン、 ポリメチルメタァクリレート、 ポリ塩化ビュル、 ポリビュルアルコ ール、 ポリビュルブチラール、 ナイロン、 ポリエーテルエーテルケトン、 ポリサ ルホン、 ポリエーテルサルフォン、 テトラフルォロエチレン一パ一フルォロアル キルビニルエーテル共重合体、 ポリビュルフルオラィ ド、 テトラフルォロェチレ ン一エチレン共重合体、 テトラフルォロエチレン一へキサフルォロプロピレン共 重合体、 ポリクロロトリフルォ口エチレン、 ポリビニリデンフルオライ ド、 ポリ エステル、 ポリカーボネート、 ポリウレタン、 ポリイミ ド、 ポリエーテルイミ ド 、 ポリイミ ド、 ポリプロピレン等が挙げられる。 本発明に係わる有機 E L素子の各層の形成は、 真空蒸着、 スパッタリング、 プ ラズマ、 イオンプレーティング等の乾式成膜法やスピンコーティング、 ディツビ ング、 フロ一コ一ティング等の湿式成膜法のいずれの方法を適用することができ る。 膜厚は特に限定されるものではないが、 適切な膜厚に設定する必要がある。 膜厚が厚すぎると、 一定の光出力を得るために大きな印加電圧が必要になり効率 が悪くなる。 膜厚が薄すぎるとピンホール等が発生して、 電界を印加しても充分 な発光輝度が得られない。 通常の膜厚は 5 n m〜 l 0 mの範囲が適しているが 、 Ι Ο η π!〜 0 . 2 の範囲がさらに好ましい。
湿式成膜法の場合、 各層を形成する材料を、 エタノール、 クロ口ホルム、 テト ラヒドロフラン、 ジォキサン等の適切な溶媒に溶解又は分散させて薄膜を形成す るが、 その溶媒はいずれであっても良い。 また、 いずれの有機薄膜層においても 、 成膜性向上、 膜のピンホール防止等のため適切な樹脂や添加剤を使用しても良 い。 使用の可能な樹脂としては、 ポリスチレン、 ポリカーボネート、 ポリアリレ —卜、 ポリエステル、 ポリアミ ド、 ポリウレタン、 ポリスルフォン、 ポリメチル メタクリレ一ト、 ポリメチルァクリレート、 セルロース等の絶縁性樹脂及びそれ らの共重合体、 ポリ一 N—ビュル力ルバゾ一ル、 ポリシラン等の光導電性樹脂、 ポリチオフヱン、 ポリピロール等の導電性樹脂を挙げられる。 また、 添加剤とし ては、 酸化防止剤、 紫外線吸収剤、 可塑剤等を挙げられる。
以上のように、 有機 E L素子の有機薄膜層に本発明の芳香族ァミン誘導体を用 いることにより、 寿命が長く、 発光効率及び発光輝度の高い有機 E L素子を得る ことができる。
本発明の有機 E L素子は、 壁掛けテレビのフラットパネルディスプレイ等の平 面発光体、 複写機、 プリンタ一、 液晶ディスプレイのバックライ ト又は計器類等 の光源、 表示板、 標識灯等に利用できる。 また、 本発明の材料は、 有機 E L素子 だけでなく、 電子写真感光体、 光電変換素子、 太陽電池、 イメージセンサー等の 分野においても使用できる。 次に、 本発明を実施例によりさらに詳細に説明するが、 本発明は、 これらの例 によってなんら限定されるものではない。
合成例 1 (化合物 ( 6 ) の合成)
アルゴン気流下冷却管付き 30 0ミリリットル三口フラスコ中に、 2, 6—ジ ( 1—ァダマンチル) アントラセン 6. 0 g ( 1 Ommo 1 ) 、 4—ィソプロピ ルフエ二ルー p—トリルァミン 5. 6 g (2 5 mmo 1 ) 、 酢酸パラジウム 0. 0 3 g ( 1. 5 m 0 1 %) 、 トリ一 t一ブチルホスフィン 0. 06 g ( 3mo 1 %) 、 t—ブトキシナトリウム 2. 4 g ( 2 5 mm 0 1 ) 、 乾燥トルエン 1 0 0 ミリリットルを加えた後、 1 00°Cにて一晩加熱攪拌した。 反応終了後、 析出し た結晶を濾取し、 トルエン 5 0ミリリッ トル、 メタノール 1 00ミ リ リッ トルに て洗浄し、 淡黄色粉末 7. 2 gを得た。 このものは、 NMRスペク トル (図 1参 照) 及び FD— MS (フィールドデイソ一プシヨンマススペクトル) の測定によ り、 化合物 (6) と同定した (収率 8 2%)。
なお、 NMRスぺクトルは、溶媒が CD C 13 、 (株) 日立製作所製 R— 1 900 (90MHz) フーリェ変換核磁気共鳴装置にて測定した。
合成例 1 (化合物 ( 7 ) の合成)
アルゴン気流下冷却管付き 300ミ リリッ トル三口フラスコ中に、 1、 6—ジ — t—ブチルアントラセン 4. 5 g ( 1 Ommo 1 ) , 4—イソプロピルジフエ ニルァミン 5. 2 g ( 2 5 mm 0 1 ) 、 酢酸パラジゥム 0. 03 g ( 1. 5 mo 1%) 、 トリ一 t—ブチルホスフィン 0. 06 g (3mo l %) 、 t—ブトキシ ナトリウム 2. 4 g ( 2 5 mm 0 1 ) 、 乾燥トルエン 1 00ミリ リッ トルを加え た後、 1 00°Cにて一晩加熱攪拌した。 反応終了後、 析出した結晶を濾取し、 ト ルェン 5 0ミリ リッ トル、 メタノール 1 00ミリリットルにて洗浄し、 淡黄色粉 末 6. O gを得た。 このものは、 NMRスペクトル(図 2参照) 及び FD— MS の測定により、 化合物 (7) と同定した (収率 8 5%) 。 なお、 NMRスぺクト ルは、 合成例 1と同様の条件にて測定した。
合成例 3 (化合物 ( 8 ) の合成)
アルゴン気流下冷却管付き 300ミリリットル三口フラスコ中に、 2, 6—ジ 一 t—ブチルァントラセン 4. 5 g ( 1 0 mm o 1 ) 、 p、 p ' —ジトリルアミ ン 4. 9 g ( 2 5mmo 1 ) 、 酢酸パラジウム 0. 03 g ( 1. 5mo 1 %) 、 トリー t—プチルホスフイン 0. 06 g ( 3mo 1 %) . tーブトキシナトリウ ム 2. 4 g ( 2 5mmo 1 ) 、 乾燥トルエン 1 00ミリ リツ トルを加えた後、 1 00°Cにて一晩加熱攪拌した。 反応終了後、 析出した結晶を濾取し、 トルエン 5 0ミリ リッ トル、 メタノール 1 00ミリリットルにて洗 し、 淡黄色粉末 6. 3 gを.得た。 このものは、 NMRスペク トル(図 3参照) 及び FD— MSの測定に より、 化合物 (8 ) と同定した (収率 9 3%) 。 なお、 NMRスぺクトルは、 合 成例 1と同様の条件にて測定した。
合成例 4 (化合物 ( 9 ) の合成)
アルゴン気流下冷却管付き 300ミリリットル三口フラスコ中に、 2, 6—ジ
— tーブチルアントラセン 4. 5 g ( 1 0mmo l ) 、 4一イソプロピルフエ二 ル一 p—トリルァミン 5. 6 g ( 2 5 mm 0 1 ) 、酢酸パラジゥム 0. 0 3 g ( 1. 5 mo 1 %) 、 トリー t一ブチルホスフィン 0. 0 6 g ( 3 mo 1 %) . t
—ブトキシナトリウム 2. 4 g ( 25 mmo 1 ) 、 乾燥トルエン 1 00ミリ リツ トルを加えた後、 1 00°Cにて一晩加熱攪拌した。 反応終了後、 析出した結晶を 濾取し、 トルエン 50ミリリッ トル、 メタノール 1 00ミリ リッ トルにて洗浄し
、 淡黄色粉末 7. O gを得た。 このものは、 NMRスペクトル (図 4参照) 及び
FD— MSの測定により、 化合物 (9 ) と同定した (収率 9 5%) 。 なお、 NM
Rスぺクトルは、 合成例 1と同様の条件にて測定した。
合成例 5 (化合物 ( 1 0) の合成)
アルゴン気流下冷却管付き 3 00ミ リリッ トル三口フラスコ中に、 , 6—ジ
—シクロへキシルアントラセン 5. 0 g U Ommo 1 ) 、 4一イソプロピルフ ェ二ルー p一トリルァミン 5. 6 g ( 2 5 mm 0 1 ) 、 酢酸パラジゥム 0. 0 3 g ( 1. 5mo 1 %) 、 トリ一 t一ブチルホスフィン 0. 0 6 g ( 3mo 1 %) 、 t一ブトキシナトリウム 2. 4 g ( 2 5mmo 1 ) 、 乾燥トルエン 1 0 0ミリ リツトルを加えた後、 1 0 0°Cにて一晩加熱攪拌した。 反応終了後、 析出した結 晶を濾取し、 トルエン 5 0ミ リ リッ トル、 メタノール 1 0 0ミリリッ トルにて洗 浄し、 淡黄色粉末 7. 1 gを得た。 このものは、 NMRスペクトル (図 5参照) 及び F D— MSの測定により、 化合物 ( 1 0) と同定した (収率 9 0%) 。 なお 、 NMRスぺクトルは、 合成例 1と同様の条件にて測定した。
合成例 6 (化合物 ( 1 1 ) の合成)
アルゴン気流下冷却管付き 3 0 0ミリリットル三口フラスコ中に、 2 , 6—ジ ーシクロへキシルァントラセン 5. 0 g ( 1 0 mmo 1 ) 、 4 _ t一ブチルフエ 二ルー 4—イソプロピルフヱニルァミン 6. 7 g ( 2 5 mmo 1 ) 、 酢酸パラジ ゥム 0. 0 3 g ( 1. 5mo 1 %) 、 トリ _ t—ブチルホスフィン 0. 0 6 g ( 3 m 0 1 %) 、 t一ブトキシナトリウム 2. 4 g ( 2 5 mm 01 ) 、 乾燥トルェ ン 1 0 0ミリリツトルを加えた後、 1 0 0°Cにて一晩加熱攪拌した。 反応終了後 、 析出した結晶を濾取し、 トルエン 5 0ミリリットル、 メタノール 1 0 0ミリリ ットルにて洗浄し、 淡黄色粉末 8. 3 gを得た。 このものは、 NMRスペク トル (図 6参照) 及び FD— MSの測定により、 化合物 ( 1 1 ) と同定した (収率 9 5%) 。 なお、 NMRスぺクトルは、 合成例 1と同様の条件にて測定した。
実施例 1
2 5 X 7 5 X 1. 1 mmサイズのガラス基板上に、 膜厚 1 2 0 nmのィンジゥ ムスズ酸化物からなる透明電極を設けた。 このガラス基板に紫外線及びォゾンを 照射 ·して洗浄したのち、 真空蒸着装置にこの基板を設置した。
まず、 正孔注入層として、 Ν',Ν''—ビス [4— (ジフヱニルァミノ) フヱニ ル] — Ν,, Ν,'一ジフエ二ルビフエ二ルー 4 , 4, ージァミンを 6 0 nmの厚さ に蒸着したのち、 その上に正孔輸送層として、 N, N, Ν', Ν' —テトラキス ( 4—ビフエニル) 一 4, 4, 一べンジジンを 2 0 nmの厚さに蒸着した。 次いで 、 1 0, 1 0, 一ビス [ 1, 1,, 4', Γ,] テルフエ二ルー 2—ィルー 9, 9 ' 一ビアントラセニルと上記化合物 (6) とを、 重量比 40 : 3で同時蒸着し、 厚 さ 4 0 nmの発光層を形成した。
次に、 電子注入層として、 トリス ( 8—ヒドロキシキノリナト) アルミニウム を 2 0 nmの厚さに蒸着した。 次に、 フッ化リチウムを 1 nmの厚さに蒸着し、 次いで、 アルミニウムを 1 5 0 nmの厚さに蒸着した。 このフッ化リチウム/ァ ルミユウム膜は陰極として機能する。 このようにして有機 EL素子を作製した。 得られた有機 EL素子に通電試験を行ったところ、 電圧 7. 0V、 電流密度 1 0 mA/ cm2にて、 発光効率 2 0 c d/A、 発光輝度 20 1 1 c d/m2の緑 色発光 (発光極大波長: 5 3 0 nm) が得られた。 また、 初期輝度 3 0 00 c d Zm2で直流の連続通電試験を行ったところ、 半減寿命は 4 5 00時間であった 実施例 1
実施例 1において、 化合物 (6) の代わりに化合物 (9) を用いた以外は同様 にして有機 EL素子を作製した。
得られた有機 EL素子に通電試験を行ったところ、 電圧 7. 5V、 電流密度 1 OmA/cm2にて、 発光効率 1 9 c d/A、 発光輝度 1 9 1 4 c dZm2の緑 色発光 (発光極大波長: 5 2 7 nm) が得られた。 また、 実施例 1と同様にして 連続通電試験を行ったところ、 半減寿命は 4 00 0時間であった。
実施例 3
実施例 1において、 化合物 ( 6 ) の代わりに化合物 ( 1 0) を用いた以外は同 様にして有機 EL素子を作製した。
得られた有機 EL素子に通電試験を行ったところ、 電圧 7. 0V、 電流密度 1 OmA/cm2にて、 発光効率 2 2 c d/A、 発光輝度 22 0 1 c d/m2の緑 色発光 (発光極大波長: 5 2 9 nm) が得られた。 また、 実施例 1と同様にして 連続通電試験を行ったところ、 半減寿命は 50 00時間であった。
実施例 4
実施例 1において、 化合物 ( 6 ) の代わりに化合物 ( 1 1 ) を用いた以外は同 様にして有機 E L素子を作製した。
得られた有機 EL素子に通電試験を行ったところ、 電圧 7. 0V、 電流密度 1 OmA/cm2にて、 発光効率 24 c d/A、 発光輝度 24 1 1 c dZm2の緑 色発光 (発光極大波長: 5 29 nm) が得られた。 また、 実施例 1と同様にして 連続通電試験を行ったところ、 半減寿命は 6 0 00時間であつた。
比較例 1
実施例 1において、 化合物 ( 6 ) の代わりに 9 , 1 0—ビス (ジフヱニルアミ ノ) アントラセンを用いて、 有機 EL素子を作製した。
得られた有機 EL素子に通電試験を行ったところ、 電圧 6. 8V、 電流密度 1 OmA/ cm2にて、 発光効率 9 c d/A、 発光輝度 9 87 c d/m2の黄色発 光 (発光極大波長: 5 5 5 nm) が得られた。 また、 実施例 1と同様にして連続 通電試験を行ったところ、 半減寿命は 1 500時間と短かった。
比較例 2
実施例 1において、 化合物 (6) の代わりに 2—メチル _ 9, 1 0—ビス (ジ フヱニルアミノ) アントラセンを用いて、 有機 EL素子を作製した。
得られた有機 EL素子に通電試験を行ったところ、 電圧 6. 8V、 電流密度 1 OmA/cm2にて、 発光効率 8 c d/A、 発光輝度 8 05 c d/m2の黄色発 光(発光極大波長: 5 58 nm) が得られた。 また、 実施例 1と同様にして連続 通電試験を行ったところ、 半減寿命は 700時間と短かった。 産業上の利用可能性
本発明の新規な芳香族ァミン誘導体を発光材料として使用した有機 E L素子は 、 低い印加電圧で実用上充分な発光輝度が得られ、 発光効率が高く、 長時間使用 しても劣化しづらく寿命が長い。 このため、 本発明の有機 E L素子は、 実用性が 高く、 各種電子機器の光源等として極めて有用である。

Claims

請求の範囲
1. 下記一般式 ( 1 ) で表される芳香族ァミン誘導体。
Figure imgf000031_0001
(式中、 A1 〜A2 は、 それぞれ独立に、 水素原子、 置換もしくは無置換の炭素 数 1〜 1 0のアルキル基、 置換もしくは無置換の核炭素数 5〜 5 0のァリール基 、 置換もしくは無置換の核炭素数 3〜 2 0のシクロアルキル基、 置換もしくは無 置換の炭素数 1〜 1 0のアルコキシル基、 置換もしくは無置換の核炭素数 5〜 5
0のァリ一ルォキシ基、 置換もしくは無置換の核炭素数 5〜 5 0のァリールァミ ノ基、 置換もしくは無置換の炭素数 1〜 1 0のアルキルアミノ基、 又はハロゲン 原子を表し、 p及び qはそれぞれ 1〜 5の整数であり、 sは 1〜9の整数である 。 p, qがそれぞれ 2以上の場合、 複数の A1 , A 2 は、 それぞれ同一でも異な つていてもよく、 互いに連結して飽和もしくは不飽和の環を形成していてもよい 。 ただし、 A1 及び A2 の両方が水素原子である場合はない。
R1 は、 置換もしくは無置換の炭素数 3~ 1 0の 2級又は 3級のアルキル基、 又は置換もしくは無置換の炭素数 3〜 1 0の 2級又は 3級のシクロアルキル基を 表し、 tは 1〜9の整数である。 tが 2以上の場合、 複数の R1 は同一でも異な つていてもよい。 R2 は、 水素原子、 置換もしくは無置換の炭素数 1〜 1 0のァ ルキル基、 置換もしくは無置換の核炭素数 5〜 5 0のァリ一ル基、 置換もしくは 無置換の核炭素数 3〜 2 0のシクロアルキル基、 置換もしくは無置換の炭素数 1 〜 1 0のアルコキシル基、 置換もしくは無置換の核炭素数 5〜 5 0のァリ一ルォ キシ基、 置換もしくは無置換の核炭素数 5〜 5 0のァリールアミノ基、 置換もし くは無置換の炭素数 1〜1 0のアルキルアミノ基、 又はハロゲン原子を表し、 u は 0〜8の整数である。 uが 2以上の場合、 複数の R 2 は同一でも異なっていて もよい。
s + t + uは 2〜 1 0の整数である。 )
2. 下記一般式 ( 2 ) で表される請求項 1に記載の芳香族ァミン誘導体。
Figure imgf000032_0001
(式中、 A1 、 A2 、 p、 q、 R1 及び R2 は、 前記と同じである。 )
3. 下記一般式 ( 2— 1 ) で表される請求項 1に記載の芳香族ァミン誘導体。
Figure imgf000032_0002
(式中、 A' 、 A2 、 q、 R' 及び R2 は、 前記と同じである。 )
4. 下記一般式 ( 2— 2 ) で表される請求項 1に記載の芳香族ァミン誘導体 c
3 I
Figure imgf000033_0001
(式中、 A1 、 A2 、 R1 及び R2 は、 前記と同じである。 )
5. 下記一般式 ( 2— 3 ) で表される請求項 1に記載の芳香族ァミン誘導体
Figure imgf000033_0002
(式中、 A' 、 A2 、 R1 及び R2 は、 前記と同じである。 )
6. 下記一般式 ( 3 ) で表される請求項 1に記載の芳香族ァミン誘導体。
Figure imgf000033_0003
(式中、 A' 、 A2 、 p、 q、 R' 及び R2 は、 前記と同じである。 R 3 は、 7j素原子、 置換もしくは無置換の炭素数 1〜 1 0のアルキル基、 置換 もしくは無置換の核炭素数 5〜 5 0のァリール基、 置換もしくは無置換の核炭素 数 3〜2 0のシクロアルキル基、 置換もしくは無置換の炭素数 1〜 1 0のアルコ キシル基、 置換もしくは無置換の核炭素数 5〜 5 0のァリールォキシ基、 置換も しくは無置換の核炭素数 5〜 5 0のァリールァミノ基、 置換もしくは無置換の炭 素数 1〜 1 0のアルキルアミノ基、 又はハロゲン原子を表す。 )
7 . 下記一般式 ( 4 ) で表される請求項 1に記載の芳香族ァミン誘導体。
Figure imgf000034_0001
(式中、 A 1 、 A 2 、 p、 q、 R 1 及び R 2 は、 前記と同じである。
R 3 及び R 4 は、 それぞれ独立に、 水素原子、 置換もしくは無置換の炭素数 1 〜 1 0のアルキル基、 置換もしくは無置換の核炭素数 5〜 5 0のァリール基、 置 換もしくは無置換の核炭素数 3〜 2 0のシクロアルキル基、 置換もしくは無置換 の炭素数 1〜 1 0のアルコキシル基、 置換もしくは無置換の核炭素数 5 ~ 5 0の ァリールォキシ基、 置換もしくは無置換の核炭素数 5〜 5 0のァリールアミノ基 、 置換もしくは無置換の炭素数 1 ~ 1 0のアルキルアミノ基、 又はハロゲン原子 を表す。 )
8 . 下記一般式 ( 5 ) で表される請求項 1に記載の芳香族ァミン誘導体。
Figure imgf000035_0001
(式中、 A 1 、 A 2 、 p、 q、 R 1 及び R 2 は、 前記と同じである。
R 3 は、水素原子、 置換もしくは無置換の炭素数 1〜 1 0のアルキル基、 置換 もしくは無置換の核炭素数 5〜 5 0のァリ一ル基、 置換もしくは無置換の核炭素 数 3〜 2 0のシクロアルキル基、 置換もしくは無置換の炭素数 1〜 1 0のアルコ キシル基、置換もしくは無置換の核炭素数 5〜 5 0のァリールォキシ基、 置換も しくは無置換の核炭素数 5〜 5 0のァリールァミノ基、 置換もしくは無置換の炭 素数 1〜 1 0のアルキルァミノ基、 又はハロゲン原子を表す。 )
9 . 陰極と陽極間に少なくとも発光層を含む一層又は複数層からなる有機薄膜 層が挟持されている有機エレクトロルミネッセンス素子において、 該有機薄膜層 の少なくとも 1層が、 請求項 1に記載の芳香族ァミン誘導体を単独又は混合物の 成分として含有する有機エレクトロルミネッセンス素子。
1 0 . 前記発光層が、 前記芳香族ァミン誘導体を含有する請求項 9に記載の有 機エレクトロルミネッセンス素子。
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