WO2003009320A1

WO2003009320A1 - Production method for solid electrolytic capacitor

Info

Publication number: WO2003009320A1
Application number: PCT/JP2002/007218
Authority: WO
Inventors: Katsumasa Miki; Yuji Mido; Tatsuo Fujii; Makoto Nakano; Suzushi Kimura
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 2001-07-17
Filing date: 2002-07-16
Publication date: 2003-01-30
Anticipated expiration: 2004-01-17
Also published as: US20030182781A1; JPWO2003009320A1; EP1408521A4; JP3982496B2; US6852137B2; EP1408521A1; CN1465078A; CN100339918C

Description

明細書

固体電解コンデンサの製造方法技術分野

本発明は、各種電子機器に利用される固体電解コンデンサの製造方法に関する。背景技術

近年、電子機器の小型化、高性能化に伴い、電子部品である固体電解コンデンサ（以下 S E Cと表す）では小型大容量化、低 E S R (等価直列抵抗）、低 E S L (等価直列インダクタンス）が求められている。大容量、低 E S Rの S E Cについては、 U S P 5 3 7 7 0 7 3号と特開平 1 1 — 2 7 4 0 0 2号公報に開示されているように、コンデンサ素子を積層したチップ型コンデンサが知られている。上記従来の S E Cは、アルミニウムやタンタル等の弁作用を有する金属の箔ゃ焼結体を電極部とし、この金属の箔ゃ焼結体の表面に誘電体層を形成し、その表面に固体電解質層を形成し、この固体電解質層の表面に集電体層を形成してさらに電極層を設けてコンデンサ素子を構成する。さらに、このコンデンサ素子の電極部および電極層をそれぞれ接続端子に接続し、この接続端子を表出するように外装を設けて S E Cを構成していた。

従来の S E Cを半導体部品と同じように回路基板に表面実装するためには、外部端子を介して接続しなければならない。

そのため、電極部、電極層から接続端子までの伝導経路だけでなく、回路基板上の配線部分も高周波特性に影響を与える。その結果、 E S Lが大きくなり高周波特性の改善が困難であつた。本発明は上記課題を解決し、半導体部品と直接接続でき、低 E S R、低 E S Lを実現し、高周波特性の優れた S E Cの製造方法を提供することを目的とするものである。発明の開示

上記課題を解決するために本発明は、アルミニウム箔の片面にレジスト膜を形成する工程と、前記アルミニウム箔の所定の位置に第一のスルーホールを形成する工程と、前記アルミニウム箔の前記レジスト膜形成面とは反対の面および前記第一のスルーホール内を埋めるように絶縁膜を形成する工程と、前記レジスト膜を除去した部分の前記アルミニウム箔を粗面化する工程と、粗面化された前記アルミニウム箔の表面に誘電体層を形成する工程と、前記第一のスルーホールを埋めている前記絶縁膜内に第二のスル一ホールを形成する工程と、前記第二のスルーホール内にスルホ —ル電極を形成する工程に続いて前記誘電体層の表面に固体,電解質層を形成する工程と、前記固体電解質の表面に集電体層を形成する工程と、前記絶縁膜に開口部を形成する工程と、前記開口部に第一の接続端子を形成する工程と、前記スルホ一ル電極の表出面に第二の接続端子を形成する工程とを有する S E Cの製造方法を提供する。図面の簡単な説明

図 1 は本発明の実施の形態 1 における S E Cの斜視図である。図 2は本発明の実施の形態 1 における S E Cの断面図である。図 3は本発明の実施の形態 1 における S E Cの要部の拡大断面図である。

図 4は本発明の実施の形態 1 における S E Cのアルミニウム箔にレジスト膜を形成した状態の断面図である。

図 5は本発明の実施の形態 1 における S E Cのアルミニウム箔に第一のスルホールを形成した状態の断面図である。

図 6は本発明の実施の形態 1 における S E Cのアルミニウム箔に絶縁膜を形成した状態の断面図である。

図 7は本発明の実施の形態 1 における S E Cのレジスト膜を除去した状態の断面図である。

図 8は本発明の実施の形態 1 における S E Cの粗面化されたァルミ二ゥム箔の表面に誘電体層を形成した状態の断面図である。

図 9は本発明の実施の形態 1 における S E Cのアルミニウム箔に第二のスルホールを形成した状態の断面図である。

図 1 0は本発明の実施の形態 1 における S E Cの第二のスルホ —ル内に導電体を充填した状態の断面図である。

図 1 1 は本発明の実施の形態 1 における S E Cの誘電体層上に固体電解質層を形成した状態の断面図である。

図 1 2は本発明の実施の形態 1 における S E Cの集電体層を形成した状態の断面図である。

図 1 3は本発明の実施の形態 1 における S E Cの開口部を形成した状態の断面図である。

図 1 4は本発明の実施の形態 1 における S E Cの第一の接続端子を形成した状態の断面図である。

図 1 5は本発明の実施の形態 1 における S E Cの接続バンプを形成した状態の断面図である。

図 1 6は本発明の実施の形態 2 における S E Cの誘電体層上に固体電解質層を形成した状態の断面図である。

図 1 7は本発明の実施の形態 2 における S E Cのアルミニウム箔に第二のスルーホールを形成した状態の断面図である。

図 1 8は本発明の実施の形態 2 における S E Cの第二のスルホール内に導電体を充填した状態の断面図である。

図 1 9は本発明の実施の形態 2 における S E Cの集電体層を形成した状態の断面図である。

図 2 0は本発明の実施の形態 2 における S E Cの開口部を形成した状態の断面図である。

図 2 1は本発明の実施の形態 2 における S E Cの第一の接続端子を形成した状態の断面図である。発明を実施するための最良の形態以下、本発明の固体電解コンデンサ（ S E C) の製造方法について実施の形態および図面を用いて説明する。なお、図面は模式図であり、各位置を寸法的に正しく示したものではない。

(実施の形態 1 )

図 2、図 3 において、アルミニウム箔 2 0は片面側が粗面化されており、この粗面化されたアルミニウム箔 2 0の表面に誘電体層 2 7 を形成している。さらにその表面には実質の電極となる固体電解質層 2 9が形成され、アルミニウム箔 2 0 とともにコンデンサとして機能する。アルミニウム箔 2 0 の粗面化は電極部の表面積を拡大し、 S E Cの静電容量を向上させるために行う。上記固体電解質層 2 9の表面には、外部への電極取り出しを容易にするための集電体層 3 0が設けられる。さらに、この集電体層 3 0はスルホール電極 2 8 を介して第二の接続端子 3 2 と接続されている。上記スルホール電極 2 8は第二のスル一ホール 3 6 の内部に導電体を充填することによって形成され、アルミニウム箔 2 0 とは絶縁膜 2 5 によって電気的に絶縁されている。

第一の接続端子 3 1 はアルミニウム箔 2 0 と直接接続されており、第一の接続端子 3 1 と第二の接続端子 3 2は絶縁膜 2 5 により電気的に絶縁されている。また、それぞれの接続端子 3 1 と 3 2 には半導体部品と直接接続するために、接続バンプ 3 3 と 3 4 がそれぞれ設けられている。

上記のように第一の接続端子 3 1および第二の接続端子 3 2 を同一面上に配置する構成により、 S E Cに直接、半導体部品を接続することができる。これによつて、部品間の配線を大幅に短縮することができ、 E S Rや E S Lの低減が可能となる。

さらに、図 1で示すように接続端子を配置することによって、互いの電流の流れが逆方向になり、これにより発生する磁界が打ち消しあい E S Lが低減できる効果が得られる。

図 4〜図 1 5は S E Cの製造工程を示す断面図である。

図 4において、アルミニウム箔 2 0の片面にレジスト膜 2 3 を形成する。このレジスト膜 2 3 としては感光性樹脂、接着性を有する有機フィルムのいずれかを用いる。これらの形成方法としては、例えば浸漬、スピンコ一ティング、スクリーン印刷、フィルム接着法、スプレー法を用いる。いずれも容易かつ生産性高くこれらの片面のレジスト膜 2 3 を形成することができる。なお、感光性樹脂を用いる場合は、塗布および硬化が容易であるという利点があり、有機フィルムを用いる場合は、ェ程の簡略化が実現できるとともに、後の片面のレジスト膜 2 3 の剥離も容易であるという利点がある。次に図 5 に示すようにアルミニゥム箔 2 0 に第一のスルーホール 2 4 を形成する。

第一のスル一ホール 2 4はレーザー加工法、パンチング加ェ法、ドリル加工法、放電加ェ法の少なくともいずれか一つを用いることにより、任意の位置に高精度に形成することができる。

続いて図 6 に示すように、アルミニウム箔 2 0 のレジスト膜 2 3 を形成した面とは反対側の面および第一のスルーホール内を埋めるように絶縁膜 2 5 を形成する。この絶縁膜 2 5 の材料は好ましくはエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、シリコン樹脂、アクリル樹脂、フエノール樹脂から選ばれる。上記材料は絶縁性、耐溶剤性、耐熱性に優れ、かつ電極部であるアルミニウム笵 2 0 との密着性にも優れている。製造過程におけるアルミニウム箔 2 0 の表面を溶剤、酸等から保護するだけでなく S E Cを外部環境から保護する効果も有する。また、上記絶縁膜 2 5 の形成には、浸潰、スピンコーティング、スクリーン印刷、スプレー法、電着法のうち少なくともいずれか一つの方法を用いる。いずれの方法もアルミニゥム箔 2 0 の表面に容易かつ均一に絶縁膜 2 5 を形成することができる。なお、上記絶縁膜 2 5 の形成工程の前に、アルミ二ゥム箔 2 0 の第一のスル一ホール 2 4のエッジ周辺を面取り加ェしてもよい。これは第一のスルーホール 2 4 を形成する際に発生する可能性のあるバリを除去するために行うものであり、ァルミ二ゥム箔 2 0 の他面においては絶縁膜 2 5 の被 ¾性を高め、その結果としてスルホール電極 2 8 とアルミニウム箔 2 0 との短絡を防止する効果を有する。一方、アルミニウム箔 2 0 の片面においてはアルミニウム箔 2 0 の表面に形成する誘電体層 2 7 の被 ¾性を高め、その結果として固体電解質層 2 9 とアルミニウム箔 2 0 との短絡を防止する効果を有する。以上の効果により S E C の特性が安定するとともに、信頼性の向上を図ることができる。次に図 7 に示すように、レジスト除去剤への浸漬などの方法によってアルミニウム箔 2 0 の片面のレジスト膜 2 3 を除去する。

さらに図 8 に示すように、片面のレジス卜膜 2 3 を除去した部分のアルミニウム箔 2 0 の表面をエッチングにより粗面化し、この粗面化されたアルミニウム箔 2 0 の表面に誘電体層 2 7 を形成する。上記粗面化の方法としてはエッチング法があり、例えば酸溶液へ浸漬しながら所定の電圧印加を行うか、もしくは酸溶液への浸漬のみなどによって行われる。また誘電体層の形成は、例えば、アジピン酸アンモニゥム水溶液中もしくは硼酸と硼砂を混合した水溶液中などでアルミニウム箔 2 0 を陽極酸化する方法などにより行われる。図 9 は第一のスルーホール 2 4 を充填している絶縁膜 2 5 内に、上記絶縁膜 2 5 を第一のスルーホール 2 4 の壁面に残すようにして第二のスルーホール 3 6 を形成した状態を示している。この第二のスルーホール 3 6 はレ一ザ一加工法、パンチング加工法、ドリル加工法のいずれかを用いることにより、第一のスル一ホールを充填している絶縁膜内に高精度に形成することができる。次に第二のスルーホール 3 6 の内部に導電性接着剤を充填し、硬化する方法によりスルホール電極 2 8 を形成した状態を示しているのが図 1 0である。この製造方法によりスルホ一ル電極 2 8 を容易に形成できる。続いて誘電体層 2 7 の表面に困体電解質層 2 9 を形成した状態を示すものが図 1 1 である。

この固体電解質層 2 9 は、ピロ一ル、チォフェンなどの複素環式モノマーを硫酸第二鉄などの酸化剤を用いて重合する化学重合あるいは複素環式モノマ一溶液中にアルミニウム箔 2 0 を浸潰し電圧を印加して重合する電解重合などにより生成した導電性高分子と、硝酸マンガンを熱分解することにより形成した二酸化マンガンと、導電性高分子の粉末懸濁液を塗布して形成した塗膜と、導電性高分子水溶液を塗布して形成した塗膜とからなる群から選ばれた少なくとも一つを用いて構成される。

なお、誘電体層の表面 2 7 に二酸化マンガンを形成した後に、上記各種方法により得られる導電性高分子を形成してもよい。

この方法により、導電性高分子が均一に、かつ緻密に形成される効果が得られる。上記これらの材料および方法用いると、粗面化により形成された微細なエッチングピット内の誘電体層 2 7 の表面にも固体電解質層 2 9 を形成することができるため、 S E C の静電容量増加に寄与することができる。

また、固体電解質層 2 9が有機材料の場合、固体電解質層 2 9 が柔軟性に富むため、工程中等における損傷、破壊が防止できる。次に図 1 2 は固体電解質層 2 9 の表面に集電体層 3 0 を形成した状態を示している。その形成は、カーボン微粒子の懸濁液と、導電性接着剤と、導電性塗料の少なくともいずれか一つを塗布して行われる。この製造方法により、実質の電極である固体電解質屑 2 9 と見かけの電極である集電体層 3 0 との密着性が向上することにより、 E S Rを低減し、高周波特性の向上に寄与する効果を有する。図 1 3は、アルミニウム箔 2 0の他面の第一の接続端子 3 1 を形成するために、絶縁膜の部分にレーザ一加工法あるいは研削法によって開口部 3 7 を形成した状態を示している。

これらの方法により開口部を効率よく形成でき、生産性の向上に寄与する効果を有する。次に上記開口部 3 7 に第一の接続端子 3 1 を設けた状態を示しているのが図 1 4である。

この第一の接続端子 3 1 は他の部品との接続を良好に行うために形成され、アルミニウム箔 2 0に接続されている。

第一の接続端子 3 1 の形成方法としては好ましくは導電性接着剤の塗布や、電気めつき、無電解めつき等が用いられる。

導電性接着剤の塗布の場合、塗布、硬化が容易であるため、生産性を向上することができる。また、電気めつき、無電解めつきを行う場合、開口部 3 7およびスルホール電極 2 8の表出部以外は絶縁膜 2 5で覆われているため、スルホール電極 2 8の表出部および集電体層 3 0 の裏側全面を絶縁テープ等により被 ¾保護することにより、開口部 3 7 に第一の接続端子 3 1 を均一かつ簡便に一括形成することができる。なお、半導体部品との接続を良好にするために必要に応じて、電気めつき、無電解めつきなどの方法によりスルホール電極 2 8の表出部に第二の接続端子 3 2 を形成してもよい。第二の接続端子 3 2 を形成する場合は、集電体層 3 0の裏側全面のみを上記絶縁テープ等により被 ¾保護することにより、第一の接続端子 3 1 および第二の接続端子 3 2 を- -括形成することができる。図 1 5は図 1 4の第一の接続端子 3 1 および第二の接続端子 3 2の上に、半田、金、錫や銀などのうち少なくともいずれか一つからなる第 -の接続バンプ 3 3 と第二の接続バンプ 3 4 を形成した状態を示している。なお、第二の接続端子 3 2 を設けずに、直接第二の接続バンプを形成してもよい。

接続端子が同一面上にあるので、半導体部品との直接接続が可能となる。以上のような製造方法によれば、低 E S R化、低 E S L化を実現し、高周波特性の優れた S E Cを容易に提供することができる。

(実施の形態 2 )

図 1 6 は、実施の形態 1 の図 8 にあるように粗面化されたァルミ二ゥム箔 2 0 の表面に誘電体層 2 7 を形成した後その表面に固体電解質層 2 9 を形成した状態を示している。

この固体電解質層 2 9 は、実施の形態 1 と同様の方法により形成される。実施の形態 1 と異なる点は、この時点でスルホ一ル電極 2 8が形成されていない点であり、これにより以下の利点を有する。すなわち、スルホール電極 2 8 は材料として導電性接着剤を用いるので、固体電解質層 2 9 の形成時に使用される溶剤等から膨潤、溶解、剥離等の影響を受ける可能性がある。

そのため、導電性接着剤の選択の幅が限定される結果となる。しかしながら、本実施の形態 2 のように固体電解質層 2 9 を形成した後、スルホール電極 2 8 を形成する製造方法では、上記溶剤等の影響を考慮する必要がないため、導電性接着剤の選択の幅を広げることができる。続いて、図 1 7 に示すようにレーザ一加ェ法、パンチング加ェ法、ドリル加ェ法、放電加工法などにより第二のスルーホール 3 6 を形成する。次に図 1 8 に示すように、第二のスルーホール 3 6 の内部に導電性接着剤を充填し、硬化する方法によりスルホール電極 2 8 を形成する。図 1 9 は固体電解質層 2 9 の表面に集電体層 3 0 を形成した状態を示している。図 1 9 と実施の形態 1 の図 1 2 の違いとしては、図 1 2 のスルホール電極 2 8 は固体電解質層 2 9 に接続されているのに対して、上記図 1 9 のスルホール電極 2 8 は固体電解質層 2 9 に加え、集電体層 3 0 にも接続されている点である。

これによりさらなる E S Rの低減ができ高周波特性が向上する効果を有する。続いて実施の形態 1 と同様の工法により、図 2 0 と図 2 1 に示すように、開口部 3 7 を設け、この開口部 3 7 に第一の接続端子 3 1 を形成して S E Cを得ることができる。

本発明の製造方法の特徴は、エッチング前のアルミニウム箔 2 0 を製造の出発材料としている点であり、以下の利点が挙げられる。すなわち、第一のスルーホール 2 4 を形成した後アルミニゥム箔 2 0 の片面のレジスト膜 2 3 の除去の工程においても、本発明によればレジスト除去剤として有機溶剤だけでなく、酸、アルカリ溶液の使用も可能になる。出発材料として粗面化されたアルミニゥム箔 2 0 を用いて、片面のレジスト膜 2 3 を除去する際、酸もしくはアルカリ溶液を用いた場合、片面のレジスト膜 2 3 だけでなく、粗面化されたアルミニウム箔 2 0 の表面も溶解し S E C としての静電容量を低下させてしまう可能性が高くなる。

しかし、本発明の製造方法では、片面のレジスト膜 2 3 の除去後、エッチングを行うため、その心配が全くなく、レジスト除去剤を選定する際、選択の幅を広げることができる。

加えて上記実施の形態 2 の製造方法を行った場合、導電性接着剤を選定する際の選択の幅を広げることができる。

以上より、本発明はプロセスの設計自由度が高いため、 S E C の製造を容易とすることができる。本発明を用いて製造された S E Cは以下の特徴を有する。すなわち、第一の接続端子と第二の接続端子が同一面上に配置されており、半導体部品の電源として直接半導体に接続可能であり高周波特性にも優れている。

さらに、誘電体に有機材料を用いるため柔軟性に富み、従来使用が困難であった曲げ応力がかかるような回路や基板などにも装着が可能であるとともに基板への埋設も容易になるため、機器の小型化に大きく貢献する。産業上の利用可能性

上記の通り本発明は、プロセスの設計自由度が高いため、 S E Cの製造を容易かつ高精度に実現でき、また、高い生産性を実現できるものであり、その工業的価値は大なるものである。

Claims

請求の範囲

1 . アルミニウム箔の片面にレジスト膜を形成する工程と、前記アルミニウム箔の所定の位置に第一のスルーホールを形成する工程と、前記アルミニウム箔の前記レジスト膜形成面とは反対の面および前記第一のスルーホール内を埋めるように絶縁膜を形成する工程と、前記レジスト膜を除去した部分の前記アルミニゥム箔を粗面化する工程と、粗面化された前記アルミニウム箔の表面に誘電体層を形成する工程と、前記第一のスル一ホールを埋めている前記絶縁膜内に第二のスルーホールを形成する工程と、前記第二のスル一ホール内にスルホール電極を形成する工程に続いて前記誘電体層の表面に固体電解質層を形成する工程と、前記固体電解質の表面に集電体層を形成する工程と、前記絶縁膜に開口部を形成する工程と、前記開口部に第一の接続端子を形成するェ程と、前記スルホール電極の表出面に第二の接続端子を形成する工程とを有する固体電解コンデンサの製造方法。

2 . アルミニウム箔の片面にレジスト膜を形成する工程と、前記アルミニウム箔の所定の位置に第一のスルーホールを形成する工程と、前記アルミニウム箔の前記レジスト膜形成面とは反対の面および前記第一のスルーホール内を埋めるように絶縁膜を形成する工程と、前記レジスト膜を除去した部分の前記アルミニゥム箔を粗面化する工程と、前記粗面化された前記アルミニウム箔の表面に誘電体層を形成する工程と、前記誘電体層の表面に固体電解質層を形成する工程に続いて前記絶縁膜内に第二のスルーホールを形成し前記第二のスルーホール内にスルホール電極を形成する工程と、前記固体電解質層の表面に集電体層を形成する工程と、前記絶縁膜に開口部を形成する工程と、前記開口部に第一の接続端子を形成する工程と、前記スルホール電極の表出面に第二の接続端子を形成する工程とを有する固体電解コンデンサの製造方法。

3 . 前記第一のスルーホールの形成方法はレーザ一加工法、パンチング加工法、ドリル加工法、放電加工法のうち少なくともいすれか一つである請求項 1 もしくは請求項 2 に記載の固体 ffi解コンデンサの製造方法。

4 . 前記第二のスルーホールの形成方法はレーザ一加工法、パンチング加工法、ドリル加工法のうち少なくともいずれか-一つである請求項 1 もしくは請求項 2 に記載の固体電解コンデンサの製造方法。

5 . 前記第一のスルーホールのエッジの面取り加工に続いて前記絶縁膜を形成するする請求項 1 もしくは請求項 2 に記載の固体電解コンデンサの製造方法。

6 . 前記絶縁膜はエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、シリコン樹脂、アクリル樹脂、フエノール樹脂のうち少なくともいずれか一つである請求項 1 もしくは請求項 2 に記載の固体電解コンデンザの製造方法。

7 . 前記絶縁膜の形成方法は浸漬、スピンコーティング、スクリーン印刷、スプレー法、電着法のうち少なくともいずれか一つである請求項 1 もしくは請求項 2 に記載の固体電解コンデンサの製造方法。

8 . 前記レジスト膜は感光性樹脂または接着性を有する ^機フィルムのうち少なくともいずれかを一つである請求項 1 もしくは請求項 2 に記載の固体電解コンデンサの製造方法。

9 . 前記レジスト膜の形成方法は浸漬、スピンコ一ティング、スクリーン印刷、フィルム接着法、スプレー法、電着法のうち少なくともいずれか一つである請求項 1 もしくは請求項 2 に記載の固体電解コンデンサの製造方法。

1 0 . 前記スルホール電極の形成は導電性接着剤を充填した後硬化する方法を用いる請求項 1 もしくは請求項 2 に記載の固体電解コンデンザの製造方法。

1 1 . 前記第一と前記第二の接続端子を構成する材料は導電性接着剤である請求項 1 もしくは請求項 2 に記載の固体電解コンデンサの製造方法。

1 2 . 前記第一と前記第二の接続端子を形成する方法は電気めっきと無電解めつきの少なくともいずれか一つである請求項 1 もしくは請求項 2 に記載の固体電解コンデンサの製造方法。

1 3 . 前記固体電解質層を構成する材料はパイ電子共役高分子とこれ以外の導電性高分子の少なくともいずれか一つを含む組成物である請求項 1 もしくは請求項 2 に記載の固体電解コンデンサの製造方法。

1 4 . 前記固体電解質層を形成する方法は、複素環式モノマ一を酸化剤を用いて重合する化学重合と、複素環式モノマーを電圧の印加により重合する電解重合と、導電性高分子の粉末懸濁液の塗布と、導電性高分子水溶液の塗布と、硝酸マンガンの熱分解のうちの少なくともいずれか一つである請求項 1 もしくは請求項 2 に記載の固体電解コンデンサの製造方法。

1 5 . 前記固体電解質層を形成する方法は、硝酸マンガンの熱分解による二酸化マンガンの形成に続いて、複素環式モノマ一を酸化剤を用いて重合する化学重合と、複素環式モノマ一を電圧の印加により重合する電解重合と、導電性高分子の粉末懸濁液の塗布と、導電性高分子水溶液の塗布のうち少なくともいずれか一つを行う請求項 1 もしくは請求項 2 に記載の固体電解コンデンサの製造方法。

1 6 . 前記開口部を形成する方法はレーザー加工法と研削法のうちの少なくともいずれか一つである請求項 1 もしくは請求 ¾ 2 に記載の固体電解コンデンサの製造方法。

1 7 . 前記集電体の材料は、カーボン微粒子の懸濁液と、導電性接着剤と、導電性塗料のうちの少なくともいずれか一つである請求項 1 もしくは請求項 2 に記載の固体電解コンデンサの製造方法。