JP2003068573A - 固体電解コンデンサの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 高周波特性に優れた固体電解コンデンサの製
造方法を提供することを目的とする。 【解決手段】 片面が粗面化されたアルミニウム箔２０
の他面に第一の接続端子３１を形成する部分を除いて保
護膜２１を形成した後他面全面にレジスト膜２２２を形
成し、片面に誘電体被膜２７を形成した後この表面に固
体電解質層２９、集電体層３０さらにはレジスト膜２３
を形成し、スルホール電極２８を形成する部分にスルホ
ール孔２４を形成した後スルホール孔２４の内壁に絶縁
膜２５を形成し、続いてスルホール電極２８を形成した
後アルミニウム箔２０の他面および片面のレジスト膜２
２、２３をそれぞれ除去して第一の接続端子３１、第二
の接続端子３２、接続電極３８をそれぞれ形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は固体電解コンデンサ
の製造方法に関するものであり、さらに言えば等価直列
抵抗（以下ＥＳＲと記す）および等価直列インダクタン
ス（以下ＥＳＬと記す）を低減し、かつ、半導体部品に
直接接続可能な固体電解コンデンサの製造方法に関する
ものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、電子機器のポータブル化、高性能
化に伴い、電子部品である固体電解コンデンサにも高周
波特性に優れた大容量のものが求められてきている。こ
の市場の要求に応えるために電極部の表面状態、誘電体
被膜の形成方法、固体電解質層の開発、改善、電極層の
表面状態、コンデンサ素子の構造などさまざまな角度か
ら検討がなされている。

【０００３】従来の固体電解コンデンサとしては、アル
ミニウムやタンタル等の弁作用を有する金属の箔や焼結
体を電極部とし、この金属の箔や焼結体の表面に陽極酸
化により誘電体被膜を形成し、その表面にＭｎなどの遷
移金属酸化物を用いた固体電解質層を形成し、この固体
電解質層の表面に集電体層を形成して電極層を設けてコ
ンデンサ素子を構成し、このコンデンサ素子の電極部お
よび電極層をそれぞれ接続端子に接続し、この接続端子
を表出するように外装を形成して構成されていた。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
固体電解コンデンサは接続端子を介して回路基板上に実
装するため、回路としての固体電解コンデンサの特性を
見た場合、電極部、電極層から接続端子までの伝導経路
だけでなく、回路基板上の配線部分も高周波特性に影響
をおよぼす。そのため、ＥＳＬが大きくなり高周波特性
が劣っていた。

【０００５】本発明は上記課題を解決し、第一の接続端
子と第二の接続端子を同一面上に配置することにより半
導体部品と直接接続でき、かつ、スルホール電極と集電
体層とを電気的に接続する接続電極を集電体層の表面お
よびスルホール電極の片面側の表出面に設けることによ
り効率的に電荷を運ぶことができることにより、さらな
る低ＥＳＲ化、低ＥＳＬ化を実現し、高周波特性のより
優れた固体電解コンデンサの製造方法を提供することを
目的とするものである。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明の請求項１に記載の発明は、片面が粗面化され
たアルミニウム箔の他面に第一の接続端子を形成する部
分を除いて保護膜を形成した後他面全面にレジスト膜を
形成し、片面に誘電体被膜を形成した後この表面に固体
電解質層、集電体層さらにはレジスト膜を形成し、スル
ホール電極を形成する部分にスルホール孔を形成した後
スルホール孔の内壁に絶縁膜を形成し、続いてスルホー
ル孔内にスルホール電極を形成した後アルミニウム箔の
他面および片面のレジスト膜をそれぞれ除去して第一の
接続端子を形成する部分に第一の接続端子を、スルホー
ル電極の表出面に第二の接続端子を、集電体層の表面お
よびスルホール電極の片面側の表出面に接続電極をそれ
ぞれ形成する固体電解コンデンサの製造方法であり、半
導体部品を直接接続でき、かつ、接続電極を設けること
により集電体層に集電された電荷を効率よくスルホール
電極に運ぶことができるため高周波特性のより優れた固
体電解コンデンサを容易に提供することができる。

【０００７】さらに、アルミニウム箔の他面全面にレジ
スト膜を形成することにより、誘電体被膜の表面に固体
電解質層を形成する際アルミニウム箔の他面の保護膜に
固体電解質が付着するのを防止し、その結果としてショ
ートの発生を抑制することができる。

【０００８】加えて、第一の接続端子を形成する部分を
除いて保護膜を形成するため、製造工程の後半で保護膜
に第一の接続端子を形成する部分を機械的に設けるより
も、コンデンサ素子に与える機械的なストレスが大幅に
抑制され、その結果として、固体電解コンデンサの信頼
性が向上するものである。

【０００９】本発明の請求項２に記載の発明は、片面が
粗面化されたアルミニウム箔の他面に第一の接続端子を
形成する部分を除いて保護膜を形成した後他面全面にレ
ジスト膜を形成し、片面に誘電体被膜を形成した後この
表面に固体電解質層、集電体層さらにはレジスト膜を形
成し、スルホール電極を形成する部分にスルホール孔を
形成した後スルホール孔の内壁に絶縁膜を形成し、片面
のレジスト膜を除去した後スルホール孔内にスルホール
電極を形成し、集電体層の表面およびスルホール電極の
片面側の表出面に接続電極を形成した後他面のレジスト
膜を除去し、第一の接続端子を形成する部分に第一の接
続端子を、スルホール電極の表出面に第二の接続端子を
それぞれ形成する固体電解コンデンサの製造方法であ
り、請求項１の作用に加えて、片面のレジスト膜を除去
した後スルホール電極を形成することにより、アルミニ
ウム箔の片面側におけるスルホール電極の表出面が集電
体層の表面と同一面になるため接続電極として金属箔と
導電性接着剤を用いる場合においても、接続電極の形成
が容易になるという利点を有する。

【００１０】本発明の請求項３に記載の発明は、片面が
粗面化されたアルミニウム箔の他面に第一の接続端子を
形成する部分を除いて保護膜を形成した後他面全面にレ
ジスト膜を形成し、片面に誘電体被膜を形成した後この
表面に固体電解質層、集電体層さらにはレジスト膜を形
成し、スルホール電極を形成する部分にスルホール孔を
形成した後スルホール孔の内壁に絶縁膜を形成した後片
面のレジスト膜を除去し、スルホール孔内にスルホール
電極を形成した後他面のレジスト膜を除去し、第一の接
続端子を形成する部分に第一の接続端子を、スルホール
電極の表出面に第二の接続端子を、集電体層の表面およ
びスルホール電極の片面側の表出面に接続電極をそれぞ
れ形成する固体電解コンデンサの製造方法であり、請求
項２の作用に加えて、第一の接続端子および接続電極を
形成する順序は任意であり、かつ、それぞれの形成方法
の選択肢およびまたは形成材料の選択肢はその順序によ
り左右されないという点でプロセス設計の自由度が高い
という利点を有する。

【００１１】本発明の請求項４に記載の発明は、片面が
粗面化されたアルミニウム箔の他面に第一の接続端子を
形成する部分を除いて保護膜を形成した後他面全面にレ
ジスト膜を形成し、片面に誘電体被膜を形成した後この
表面に固体電解質層、集電体層さらにはレジスト膜を形
成し、スルホール電極を形成する部分にスルホール孔を
形成した後スルホール孔の内壁に絶縁膜を形成し、続い
てアルミニウム箔の他面のレジスト膜を除去し、スルホ
ール孔内にスルホール電極を形成した後片面のレジスト
膜を除去して第一の接続端子を形成する部分に第一の接
続端子を、スルホール電極の表出面に第二の接続端子
を、集電体層の表面およびスルホール電極の片面側の表
出面に接続電極をそれぞれ形成する固体電解コンデンサ
の製造方法であり、請求項１の作用に加えて、他面のレ
ジスト膜を除去した後スルホール電極を形成することに
より、アルミニウム箔の他面側におけるスルホール電極
の表出面が第一の接続端子の表面と同一面になる。これ
により以下の利点を有する。

【００１２】すなわち、固体電解コンデンサに半導体部
品を実装する場合接続バンプを介して行われるが、半導
体の実装性を考慮した場合、上記接続バンプの公差精度
が問題となる。

【００１３】この接続バンプは固体電解コンデンサの接
続端子の表面に形成されるが、第一の接続端子およびス
ルホール電極の表出面もしくは第二の接続端子が同一面
である本発明の場合上記公差精度を特に考慮する必要が
ないため、接続バンプの形成が容易になる効果を有す
る。

【００１４】本発明の請求項５に記載の発明は、片面が
粗面化されたアルミニウム箔の他面に第一の接続端子を
形成する部分を除いて保護膜を形成した後他面全面にレ
ジスト膜を形成し、片面に誘電体被膜を形成した後この
表面に固体電解質層、集電体層さらにはレジスト膜を形
成し、スルホール電極を形成する部分にスルホール孔を
形成した後スルホール孔の内壁に絶縁膜を形成し、続い
てアルミニウム箔の他面のレジスト膜を除去し、スルホ
ール孔内にスルホール電極を形成し、第一の接続端子を
形成する部分に第一の接続端子を、スルホール電極の表
出面に第二の接続端子をそれぞれ形成し、片面のレジス
ト膜を除去した後集電体層の表面およびスルホール電極
の片面側の表出面に接続電極を形成する固体電解コンデ
ンサの製造方法であり、請求項４の作用に加えて、接続
端子とスルホール電極を形成するのに導電性接着剤を用
いた場合、アルミニウム箔の他面側から導電性接着剤の
塗布により接続端子とスルホール電極を同時に形成する
ことができるので工程の簡略化を図ることができる。

【００１５】本発明の請求項６に記載の発明は、片面が
粗面化されたアルミニウム箔の他面に第一の接続端子を
形成する部分を除いて保護膜を形成した後他面全面にレ
ジスト膜を形成し、片面に誘電体被膜を形成した後この
表面に固体電解質層、集電体層さらにはレジスト膜を形
成し、スルホール電極を形成する部分にスルホール孔を
形成した後スルホール孔の内壁に絶縁膜を形成し、他面
および片面のレジスト膜をそれぞれ除去してスルホール
孔内にスルホール電極を形成した後第一の接続端子を形
成する部分に第一の接続端子を、スルホール電極の表出
面に第二の接続端子を、集電体層の表面およびスルホー
ル電極の片面側の表出面に接続電極をそれぞれ形成する
固体電解コンデンサの製造方法であり、請求項２および
請求項４の作用に加えて、接続端子、スルホール電極お
よび接続電極を形成するのに導電性接着剤を用いる場
合、接続端子、スルホール電極および接続電極を形成す
る工程を連続して一つの工程で行うことができるのでさ
らなる工程の簡略化を図ることができるものである。

【００１６】本発明の請求項７に記載の発明は、接続電
極の材料として金属箔と導電性接着剤もしくは導電性接
着剤を用いる請求項１〜６のいずれか一つに記載の固体
電解コンデンサの製造方法であり、集電体層とスルホー
ル電極とを電気的に接合し、集電体層によって引き出さ
れた固体電解コンデンサの電荷をスルホール電極に運ぶ
働きをするものである。

【００１７】金属箔と導電性接着剤を用いる場合、電気
伝導度の比較的高い金属箔を用いることによりさらに高
周波特性を向上することができる。

【００１８】また、導電性接着剤を用いる場合、塗布や
硬化が容易であるので効率よく接続電極を形成すること
ができる。

【００１９】本発明の請求項８に記載の発明は、誘電体
被膜としてポリアクリル酸樹脂、ポリカルボン酸樹脂、
ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、ポリプロピレン樹
脂、ポリエチレン樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹
脂、ポリフェニレンスルファイド樹脂のいずれかもしく
は上記樹脂にパイ電子共役高分子およびまたはこれ以外
の導電性高分子を含んだものを用いる請求項１〜６のい
ずれか一つに記載の固体電解コンデンサの製造方法であ
り、これによりアルミニウム箔と密着性がよく耐熱性に
優れた無極性の有機誘電体被膜を得ることができ、耐熱
性の優れた信頼性の高い固体電解コンデンサを製造する
ことができる。

【００２０】なお、上記樹脂にパイ電子共役高分子およ
びまたはこれ以外の導電性高分子を含んだものを用いる
場合、有機誘電体被膜の誘電率が向上し、その結果とし
て固体電解コンデンサの静電容量の向上に寄与する効果
を有する。

【００２１】本発明の請求項９に記載の発明は、誘電体
被膜を形成する方法として電着法、浸漬法のいずれかの
方法を用いる請求項１〜６のいずれか一つに記載の固体
電解コンデンサの製造方法であり、これにより粗面化さ
れたアルミニウム箔の表面に誘電体被膜を均一かつ効率
よく形成することができ、その結果として固体電解コン
デンサの性能を安定させ信頼性の向上を図ることができ
る。

【００２２】本発明の請求項１０に記載の発明は、保護
膜としてエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、シリコン樹
脂、アクリル樹脂、フェノール樹脂のいずれかを用いる
請求項１〜６のいずれか一つに記載の固体電解コンデン
サの製造方法であり、請求項１の作用を補完するもので
ある。

【００２３】加えて、上記保護膜は絶縁性、耐溶剤性、
耐熱性、電極部であるアルミニウム箔との密着性に優れ
ているため、製造過程におけるアルミニウム箔の表面を
溶剤、酸等から保護するだけでなく固体電解コンデンサ
を外部環境から保護する効果も有するとともに電極間の
絶縁性に優れた固体電解コンデンサを提供することがで
きる。

【００２４】本発明の請求項１１に記載の発明は、保護
膜の形成方法として感光性樹脂を用い、フォトリソ法を
用いる請求項１〜６のいずれか一つに記載の固体電解コ
ンデンサの製造方法であり、アルミニウム箔の表面に容
易かつ高精度に任意パターンを形成する効果を有する。
これにより精度よく接続端子を配置することができるた
め固体電解コンデンサの信頼性が向上するとともに半導
体部品と精度よく接続することができる。

【００２５】本発明の請求項１２に記載の発明は、片面
のレジスト膜として感光性樹脂または接着性を有する有
機フィルムのいずれかを用いる請求項１〜６のいずれか
一つに記載の固体電解コンデンサの製造方法であり、ア
ルミニウム箔の表面に容易かつ高精度に任意パターンを
形成する効果を有する。これにより精度よく接続端子の
配置をすることができるため固体電解コンデンサの信頼
性が向上するとともに半導体部品と精度よく接続するこ
とができる。

【００２６】本発明の請求項１３に記載の発明は、保護
膜、片面のレジスト膜の形成方法として浸漬、スピンコ
ータ、スクリーン印刷、フィルム接着法、スプレー法の
いずれかの方法を用いる請求項１〜６のいずれか一つに
記載の固体電解コンデンサの製造方法であり、アルミニ
ウム箔の表面に容易かつ均一に膜を形成することができ
るため固体電解コンデンサの信頼性の向上を図ることが
できる。加えて、生産性の向上に寄与する効果も有す
る。

【００２７】本発明の請求項１４に記載の発明は、他面
のレジスト膜として感光性樹脂を用いる請求項１〜６の
いずれか一つに記載の固体電解コンデンサの製造方法で
あり、アルミニウム箔の表面に容易かつ高精度に任意パ
ターンを形成する効果を有する。これにより精度よく接
続端子の配置をすることができるため固体電解コンデン
サの信頼性が向上するとともに半導体部品と精度よく接
続することができる。

【００２８】本発明の請求項１５に記載の発明は、他面
のレジスト膜の形成方法として浸漬、スピンコータ、ス
クリーン印刷、スプレー法のいずれかの方法を用いる請
求項１〜６のいずれか一つに記載の固体電解コンデンサ
の製造方法であり、アルミニウム箔の表面に容易かつ均
一に膜を形成することができるため固体電解コンデンサ
の信頼性の向上を図ることができる。加えて、生産性の
向上に寄与する効果も有する。

【００２９】本発明の請求項１６に記載の発明は、スル
ホール孔の形成方法としてレーザー加工法、パンチング
加工法、ドリル加工法のうちの少なくとも一つを用いる
請求項１〜６のいずれか一つに記載の固体電解コンデン
サの製造方法であり、スルホール孔を簡便かつ高精度に
形成することができる。その結果として、固体電解コン
デンサの性能の安定化および信頼性の向上に効果を有す
る。

【００３０】本発明の請求項１７に記載の発明は、絶縁
膜の形成方法として電着法により絶縁樹脂を形成する請
求項１〜６のいずれか一つに記載の固体電解コンデンサ
の製造方法であり、信頼性の優れた絶縁膜を所望の箇所
に均一に形成することができるため、アルミニウム箔と
スルホール電極の絶縁性が向上する。その結果として、
固体電解コンデンサの信頼性が向上する効果を有する。

【００３１】本発明の請求項１８に記載の発明は、絶縁
膜として電着法により絶縁性の樹脂を第１層目として形
成し、その後１層目に比べ抵抗率が高くマイクロジェル
とカーボン微粒子と酸化チタン微粒子を混合した絶縁性
の樹脂を第２層目として形成する請求項１〜６のいずれ
か一つに記載の固体電解コンデンサの製造方法であり、
性質の異なる樹脂を２層重ねることにより、スルホール
孔の内壁およびエッジ部のそれぞれを完全に被覆し、か
つ耐熱性や膜厚確保など、両者の特性をあわせもった絶
縁膜を得ることができる。

【００３２】本発明の請求項１９に記載の発明は、スル
ホール電極を形成するのに導電性接着剤を充填した後硬
化する方法を用いる請求項１〜６のいずれか一つに記載
の固体電解コンデンサの製造方法であり、スルホール孔
内への充填、硬化が容易であるため、生産性の向上に寄
与する効果を有する。

【００３３】本発明の請求項２０に記載の発明は、固体
電解質層を構成する材料としてパイ電子共役高分子およ
びまたはこれ以外の導電性高分子を含む組成物を用いる
請求項１〜６のいずれか一つに記載の固体電解コンデン
サの製造方法であり、請求項１の作用を補完するもので
ある。なお、固有抵抗の低い導電性高分子を用いる場
合、さらなるＥＳＲの低減ができ、高周波特性の向上に
寄与する効果を有する。

【００３４】本発明の請求項２１に記載の発明は、固体
電解質層を形成する方法として、複素環式モノマーを酸
化剤を用いて重合する化学重合、複素環式モノマーを電
界の印加により重合する電解重合、導電性高分子の粉末
縣濁液の塗布、導電性高分子水溶液の塗布のうちの少な
くとも一つの方法を用いる請求項１〜６のいずれか一つ
に記載の固体電解コンデンサの製造方法であり、請求項
１〜６の作用を補完するものである。上記形成方法によ
れば微細なエッチングピット孔内の誘電体被膜の表面に
も固体電解質層を形成することができるため、固体電解
コンデンサの静電容量を有効に引き出す効果を有する。

【００３５】本発明の請求項２２に記載の発明は、固体
電解質層を形成する方法として、硝酸マンガンを熱分解
することにより二酸化マンガンを形成する方法を用いる
請求項１〜６のいずれか一つに記載の固体電解コンデン
サの製造方法であり、硝酸マンガンを塗布した部分に選
択的に電極を形成することができるとともに、安価に生
産できる効果も有する。

【００３６】本発明の請求項２３に記載の発明は、固体
電解質層を形成する方法として、硝酸マンガンを熱分解
することにより二酸化マンガンを形成した後、複素環式
モノマーを酸化剤を用いて重合する化学重合、複素環式
モノマーを電界の印加により重合する電解重合、導電性
高分子の粉末縣濁液の塗布、導電性高分子水溶液の塗布
のうちの少なくとも一つの方法を用いる請求項１〜６の
いずれか一つに記載の固体電解コンデンサの製造方法で
あり、誘電体被膜の表面に二酸化マンガン層を形成する
ことにより、導電性高分子が均一かつ緻密に形成できる
ため、高周波特性の向上に寄与する効果を有する。

【００３７】本発明の請求項２４に記載の発明は、集電
体材料として、カーボン微粒子の懸濁液および導電性接
着剤、もしくはカーボン微粒子の懸濁液および導電性塗
料を用いる請求項１〜６のいずれか一つに記載の固体電
解コンデンサの製造方法であり、実質の電極である固体
電解質層と見かけの電極である集電体層との密着性を向
上させることにより、ＥＳＲを低減し、高周波特性の向
上に寄与する効果を有する。

【００３８】本発明の請求項２５に記載の発明は、接続
端子を構成する材料として導電性接着剤を用いた請求項
１〜６のいずれか一つに記載の固体電解コンデンサの製
造方法であり、塗布、硬化が容易であるため、生産性の
向上に寄与する効果を有する。

【００３９】本発明の請求項２６に記載の発明は、接続
端子を形成する方法として電気めっき、無電解めっきの
いずれかの方法を用いる請求項１〜６のいずれか一つに
記載の固体電解コンデンサの製造方法であり、接続端子
を所望の箇所に均一かつ簡便に一括形成することができ
る。その結果として固体電解コンデンサの信頼性が向上
するとともに生産性の向上に寄与する効果も有する。

【００４０】

【発明の実施の形態】以下、本発明の固体電解コンデン
サの製造方法について実施の形態および図面を用いて説
明する。

【００４１】（実施の形態１）本発明の実施の形態１お
よび図１〜図１５により請求項１、７〜２８に記載の発
明を説明する。

【００４２】図１は本発明の実施の形態１における固体
電解コンデンサの斜視図であり、図２は同断面図、図３
は同要部の拡大断面図である。

【００４３】図１〜図３において、２０は片面側が粗面
化されたアルミニウム箔であり、このアルミニウム箔２
０の片面に誘電体被膜２７を形成している。さらにその
表面には実質の電極となる固体電解質層２９が形成さ
れ、アルミニウム箔２０とともにコンデンサとして機能
する。アルミニウム箔２０の粗面化は電極部の表面積を
拡大し、固体電解コンデンサの静電容量を向上させるた
めに行っている。

【００４４】上記固体電解質層２９の表面には、外部へ
の電極取り出しを容易にするため集電体層３０、さらに
この表面には接続電極３８が設けられており、この接続
電極３８はスルホール電極２８を介して第二の接続端子
３２と接続されている。

【００４５】なお、図２〜図３において接続電極３８は
集電体層３０の表面を覆うように形成されているが、集
電体層３０によって集電された電荷を効率よく取り出し
スルホール電極２８に運ぶためには、図２〜図３に示す
ような接続電極３８の形状が望ましい。

【００４６】しかし、スルホール電極２８と集電体層３
０を電気的に接続すれば接続電極３８としての役割を果
たすものであるため、例えば図３０に示すような接続電
極３８の形状でも可能である。

【００４７】上記スルホール電極２８はスルホール孔２
４の内部に導電体を充填することによって形成され、ア
ルミニウム箔２０とは絶縁膜２５によって電気的に絶縁
されている。

【００４８】第一の接続端子３１はアルミニウム箔２０
と直接接続されており、第一の接続端子３１と第二の接
続端子３２は保護膜２１により電気的に絶縁されてい
る。また、第一、第二の接続端子３１、３２には半導体
部品と直接接続するために、第一、第二の接続バンプ３
３、３４がそれぞれ設けられている。

【００４９】上記のように第一の接続端子３１および第
二の接続端子３２を同一面上に配置する構成にすること
により、固体電解コンデンサに直接、半導体部品を接続
することができる。これにより、部品間の配線を大幅に
短縮することができ、ＥＳＲやＥＳＬの低減が可能とな
る。さらに図１で示すような接続端子の配置とすること
によって、逆方向の電流の流れになるため、これにより
磁界が打ち消しあいＥＳＬが低減できる効果が得られ
る。

【００５０】図４〜図１５は固体電解コンデンサの製造
工程を示す断面図である。

【００５１】図４はエッチングにより片面を粗面化され
たアルミニウム箔２０の他面に第一の接続端子３１を形
成する部分を除いて保護膜２１を形成したものであり、
この保護膜２１はエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、シリ
コン樹脂、アクリル樹脂、フェノール樹脂のいずれかで
あって、アルミニウム箔２０を外部環境から保護すると
ともに、絶縁層としての役割を果たす。

【００５２】この保護膜２１の形成方法としては、浸
漬、スピンコータ、スクリーン印刷、フィルム接着法、
スプレー法を用いることが挙げられ、いずれも容易かつ
生産性高くこれらの膜を形成することができる。

【００５３】その後上記アルミニウム箔２０の他面全面
に感光性樹脂を用いてレジスト膜２２を形成したものが
図５であり、この他面のレジスト膜２２の形成方法とし
ては浸漬、スピンコータ、スクリーン印刷、スプレー法
が挙げられる。いずれも容易かつ生産性高くこれらの膜
を形成することができる。

【００５４】このようにアルミニウム箔２０の他面全面
にレジスト膜２２を形成することにより、誘電体被膜２
７の表面に固体電解質層２９を形成する際保護膜２１に
固体電解質が付着するのを防止できる。これによりショ
ートの発生を抑制する効果を有する。

【００５５】粗面化されたアルミニウム箔２０の表面に
誘電体被膜２７を形成したものが図６であり、誘電体被
膜２７としてポリアクリル酸樹脂、ポリカルボン酸樹
脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、ポリプロピレン
樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリエチレンテレフタレート
樹脂、ポリフェニレンスルファイド樹脂のいずれかもし
くは上記樹脂にパイ電子共役高分子およびまたはこれ以
外の導電性高分子を含んだものを用い、誘電体被膜２７
の形成方法としては、上記材料を含む溶液およびまたは
前駆体溶液への浸漬を行い所定の電界印加を行う電着
法、もしくは、上記材料を含む溶液または上記材料の前
駆体溶液への浸漬を行う浸漬法によって形成される。

【００５６】上記の形成方法により粗面化されたアルミ
ニウム箔２０の表面に誘電体被膜２７を均一かつ効率よ
く形成することができ、その結果として信頼性の高い固
体電解コンデンサを実現することができる。

【００５７】また、誘電体被膜２７の形成方法としては
従来行われている陽極酸化法を用いることも可能であ
る。この誘電体被膜２７を形成する方法としては、例え
ばアジピン酸アンモニウム水溶液にアルミニウム箔２０
を浸漬し、所定の電界を印加する方法が挙げられる。こ
の場合、形成された誘電体被膜２７は極性を持つため、
極性を持った固体電解コンデンサを提供することができ
る。

【００５８】次に図７は誘電体被膜２７の表面に固体電
解質層２９を形成したものである。固体電解質層２９
は、ピロール、チオフェンなどの複素環式モノマーを硫
酸第二鉄などの酸化剤を用いて重合する化学重合、複素
環式モノマー溶液中にアルミニウム箔２０を浸漬し電界
を印加する電界重合により導電性を有する高分子を形成
する方法、硝酸マンガンを熱分解することにより二酸化
マンガンを形成する方法、導電性高分子の粉末縣濁液を
塗布する方法、導電性高分子水溶液を塗布する方法など
があり、上記の方法を組み合わせて行うことも可能であ
る。

【００５９】これらの材料および方法によれば、微細な
エッチングピット孔内の誘電体被膜２７の表面にも固体
電解質層２９を形成できるため、固体電解コンデンサの
静電容量を有効に引き出すことができる。また、固体電
解質層２９が有機材料の場合、膜が柔軟性に富むため、
工程中等における破壊が防止できる。

【００６０】続いて上記固体電解質層２９の表面に集電
体層３０を形成したものが図８であり、形成方法として
は、カーボン微粒子の懸濁液および導電性接着剤、もし
くはカーボン微粒子の懸濁液および導電性塗料の塗布が
挙げられる。上記の方法により実質の電極である固体電
解質層２９と見かけの電極である集電体層３０との密着
性が向上することにより、ＥＳＲを低減し、高周波特性
の向上に寄与する効果を有する。

【００６１】ここまでの工程によりアルミニウム箔２０
を電極部とし、このアルミニウム箔２０の表面に誘電体
被膜２７を形成し、この表面に固体電解質層２９を形成
し、この固体電解質層２９の表面に集電体層３０を形成
して電極層を設けたコンデンサ素子が製造される。

【００６２】図９は上記集電体層３０の表面にレジスト
膜２３を形成したものであり、片面のレジスト膜２３と
して感光性樹脂または接着性を有する有機フィルムのい
ずれかを用いるものであり、この片面のレジスト膜２３
の形成方法としては、浸漬、スピンコータ、スクリーン
印刷、フィルム接着法、スプレー法のいずれかの方法を
用いる。これらの方法により容易かつ生産性高くこれら
の膜を形成することができる。

【００６３】ここで図９に示すコンデンサ素子は他面お
よび片面にレジスト膜２２、２３が形成されているの
で、このコンデンサ素子を外部環境から保護し、その結
果として長期の保存も可能である。

【００６４】図１０は上記コンデンサ素子にスルホール
孔２４を形成したものであり、このスルホール孔２４の
形成方法としてはレーザー加工法、パンチング加工法、
ドリル加工法が挙げられ、所望の位置に簡便かつ精度よ
くスルホール孔２４を形成することができる。

【００６５】次に上記スルホール孔２４の内壁に絶縁膜
２５を形成したものが図１１であり、電着法により絶縁
樹脂を形成する方法を用いることによりスルホール孔２
４の内壁に信頼性の優れた絶縁膜２５を均一に形成する
ことができる。この絶縁膜２５の材料はアクリルやエポ
キシ樹脂などであって、アルミニウム箔２０のスルホー
ル孔２４の内壁にのみ電着され、他面および片面のレジ
スト膜２２、２３の上には電着されないので、選択的に
絶縁膜２５の形成を行うことができる。

【００６６】ただし、スルホール孔２４が１００μｍ以
下の微細孔の場合、エッジカバーリング性の高い樹脂を
用いると形成される絶縁膜２５が厚いためスルホール孔
２４が埋まる可能性が高い。そこで、電着プロセスを２
回に分け、絶縁性の樹脂を第１層目として形成し、その
後マイクロジェルとカーボン微粒子と酸化チタン微粒子
を混合した１層目に比べ抵抗率の高い絶縁性の樹脂を第
２層目として形成する方法が有効である。

【００６７】すなわち、上記の方法によれば、１層目に
抵抗率の高い絶縁膜を薄く形成しエッジカバーリング性
が高い混合樹脂を２層目に形成することにより、膜厚が
薄くかつ絶縁不良率の少ない絶縁膜２５をスルホール孔
２４の内壁にも形成することができるためスルホール孔
２４が埋まることがなく絶縁性の高い絶縁膜２５を形成
することができる。

【００６８】次に上記スルホール孔２４にスルホール電
極２８を形成したものが図１２であり、導電性接着剤を
充填した後硬化する方法によりこのスルホール電極２８
が形成される。スルホール孔２４の内部への導電性接着
剤の充填及び硬化が容易でスルホール電極２８を容易に
形成することができる。

【００６９】図１３は薬液への浸漬などにより他面およ
び片面のレジスト膜２２、２３を除去したものであり、
図１４は第一の接続端子３１を形成する部分に第一の接
続端子３１を、集電体層３０の表面に接続電極３８をそ
れぞれ形成したものである。

【００７０】第一の接続端子３１を形成する方法として
は、導電性接着剤を塗布した後硬化する方法や電気めっ
き、無電解めっき等が挙げられる。

【００７１】また、接続電極３８を形成する方法として
は、金属箔と導電性接着剤を用いる方法や導電性接着剤
を塗布した後硬化する方法が挙げられる。

【００７２】接続電極３８を形成する方法として金属箔
と導電性接着剤を用いる場合、導電性接着剤を集電体層
３０の表面に形成した後の導電性接着剤の表面がスルホ
ール電極２８の片面側の表出面と同一面となるように導
電性接着剤を集電体層３０の表面に塗布し、この表面に
金属箔を接合する。

【００７３】これにより集電体層３０とスルホール電極
２８を接続する伝導経路として、導電性接着剤による接
続電極３８に加え、金属箔による接続電極３８を設ける
ことになるため電荷の移動がしやすくなり、その結果と
して高周波特性が向上するものである。

【００７４】したがって、金属箔としては電気伝導度の
比較的高い金属、例えば銀、銅などを用いるのが望まし
い。

【００７５】第一の接続端子３１および接続電極３８を
形成するのに導電性接着剤を用いる場合、導電性接着剤
の塗布、硬化が容易であるため、生産性を向上すること
ができるとともに、他面および片面のレジスト膜２２、
２３の除去を連続して同一の工程で行うことができ、か
つ、第一の接続端子３１および接続電極３８を形成する
工程も連続して同一の工程で行うことができるため工程
の簡略化が可能となる。

【００７６】また、第一の接続端子３１を形成するのに
電気めっき、無電解めっきのいずれかの方法を用いる場
合は、他面および片面のレジスト膜２２、２３を除去し
接続電極３８を形成後、スルホール電極２８の表出面お
よび接続電極３８を絶縁テープ等を用いて被覆保護する
ことにより、第一の接続端子３１を均一かつ簡便に一括
形成することができる。

【００７７】第二の接続端子３２はスルホール電極２８
の表出面に形成されるが、半導体部品との接続を良好に
するために必要に応じて電気めっき、無電解めっきを行
い第二の接続端子３２を形成してもよい。その際は、上
記絶縁テープ等を用いて接続電極３８を被覆保護するこ
とにより、第一の接続端子３１および第二の接続端子３
２を一括形成することができる。

【００７８】図１５は図１４の第一の接続端子３１およ
びスルホール電極２８の表出面の上に半田、金、錫や銀
などからなる第一、第二の接続バンプ３３、３４を形成
したものであり、これにより半導体部品との直接接続が
可能となる。

【００７９】以上のような製造方法によれば、低ＥＳＲ
化、低ＥＳＬ化を実現し、高周波特性の優れた固体電解
コンデンサを容易かつ生産性高く提供することができ
る。

【００８０】（実施の形態２）本発明の実施の形態２お
よび図１６〜図１９により請求項２、２９に記載の発明
を説明する。

【００８１】図１６は、実施の形態１の図１１にあるよ
うにスルホール孔２４の内壁に絶縁膜２５を形成したも
のを薬液の浸漬などをして片面のレジスト膜２３を除去
したものである。このとき他面のレジスト膜２２を保護
テープ等で被覆保護して、片面のレジスト膜２３のみを
除去する。

【００８２】次にスルホール孔２４にスルホール電極２
８を形成したものが図１７であり、さらに接続電極３８
を形成したのが図１８である。

【００８３】ここで接続電極３８の形成方法としては、
導電性接着剤を塗布した後硬化する方法や導電性接着剤
と金属箔を用いる方法が挙げられる。

【００８４】図１８において接続電極３８は集電体層３
０の表面を覆うように形成されているが、集電体層３０
によって集電された電荷を効率よく取り出しスルホール
電極２８に運ぶためには、図１８に示すような接続電極
３８の形状が望ましい。

【００８５】しかし、スルホール電極２８と集電体層３
０を電気的に接続すれば接続電極３８としての役割を果
たすものであるため、例えば図３０に示すように、スル
ホール電極２８の片面側の表出面と集電体層３０の表面
の一部を接続した接続電極３８の形状にすることも可能
である。

【００８６】また、導電性接着剤と金属箔を用いる方法
の場合、集電体層３０とスルホール電極２８を接続する
伝導経路として、導電性接着剤による接続電極３８に加
え、金属箔による接続電極３８を設けることにより、電
荷の移動がしやすくなり、その結果として高周波特性が
向上するものである。

【００８７】したがって、金属箔としては電気伝導度の
比較的高い金属、例えば銀、銅などを用いるのが望まし
い。

【００８８】なお、スルホール電極２８と接続電極３８
の形成の順序を逆に行うことも可能である。ただし、そ
の場合には接続電極３８の形成方法としては導電性接着
剤と金属箔を用いる方法に限られる。

【００８９】次に他面のレジスト膜２２を薬液の浸漬な
どにより除去し、第一の接続端子３１を形成したものが
図１９であり、第一の接続端子３１およびスルホール電
極２８の表出面の上に半田、金、錫や銀などからなる第
一、第二の接続バンプ３３、３４を形成し、半導体部品
との直接接続が可能となる。

【００９０】以上は実施の形態１と同様の工法により製
造される。

【００９１】なお、第二の接続端子３２も必要に応じて
実施の形態１と同様、電気めっき、無電解めっきを行い
第二の接続端子３２を形成してもよい。

【００９２】本実施の形態２の特徴は、片面のレジスト
膜２３を除去した後スルホール電極２８を形成すること
により、アルミニウム箔２０の片面側におけるスルホー
ル電極２８の表出面が集電体層３０の表面と同一面にな
るため接続電極３８として金属箔と導電性接着剤を用い
る場合においても、接続電極３８の形成が容易になると
いう利点を有するものである。

【００９３】（実施の形態３）本発明の実施の形態３お
よび図２０により請求項３に記載の発明を説明する。

【００９４】実施の形態２と同様の工法により図１７に
示すようにスルホール孔２４にスルホール電極２８を形
成した後他面のレジスト膜２２を薬液の浸漬などにより
除去したものが図２０である。

【００９５】続いて第一の接続端子３１および接続電極
３８を形成したものが図１９であり、第一の接続端子３
１およびスルホール電極２８の表出面の上に半田、金、
錫や銀などからなる第一、第二の接続バンプ３３、３４
を形成し、半導体部品との直接接続が可能となる。

【００９６】ここで接続電極３８の形成方法としては、
導電性接着剤を塗布した後硬化する方法や導電性接着剤
と金属箔を用いる方法が挙げられる。図１９において接
続電極３８は集電体層３０の表面を覆うように形成され
ているが、集電体層３０によって集電された電荷を効率
よく取り出しスルホール電極２８に運ぶためには、図１
８に示すような接続電極３８の形状が望ましい。

【００９７】しかし、スルホール電極２８と集電体層３
０を電気的に接続すれば接続電極３８としての役割を果
たすものであるため、例えば図３０に示すように、スル
ホール電極２８の片面側の表出面と集電体層３０の表面
の一部を接続した接続電極３８の形状にすることも可能
である。

【００９８】また、導電性接着剤と金属箔を用いる方法
の場合、集電体層３０とスルホール電極２８を接続する
伝導経路として、導電性接着剤による接続電極３８に加
え、金属箔による接続電極３８を設けることにより、電
荷の移動がしやすくなり、その結果として高周波特性が
向上するものである。

【００９９】したがって、金属箔としては電気伝導度の
比較的高い金属、例えば銀、銅などを用いるのが望まし
い。

【０１００】以上は実施の形態１と同様の工法により製
造される。

【０１０１】なお、第二の接続端子３２は必要に応じて
実施の形態１と同様、電気めっき、無電解めっきを行い
第二の接続端子３２を形成してもよい。

【０１０２】本実施の形態３の特徴は、片面のレジスト
膜２３を除去した後スルホール電極２８を形成すること
により、アルミニウム箔２０の片面側におけるスルホー
ル電極２８の表出面が集電体層３０の表面と同一面にな
るため接続電極３８として金属箔と導電性接着剤を用い
る場合においても、接続電極３８の形成が容易になると
いう利点を有するものである。

【０１０３】また、実施の形態２との相違点は他面のレ
ジスト膜２２を除去した後第一の接続端子３１および接
続電極３８をそれぞれ形成する点である。

【０１０４】実施の形態２ではスルホール電極２８と接
続電極３８の形成順序を逆に行うことにより接続電極３
８の形成方法として導電性接着剤と金属箔を用いる方法
に限られるが、本実施の形態３ではそのようなことがな
く、プロセス設計の自由度が高いという利点を有する。

【０１０５】（実施の形態４）本発明の実施の形態４お
よび図２１〜図２４により請求項４に記載の発明を説明
する。

【０１０６】図２１は、実施の形態１の図１１にあるよ
うにスルホール孔２４の内壁に絶縁膜２５を形成したも
のを薬液に浸漬するなどして他面のレジスト膜２２を除
去したものであり、このとき片面のレジスト膜２３を保
護テープ等により被覆保護することにより、他面のレジ
スト膜２２のみを除去する。

【０１０７】次にスルホール孔内にスルホール電極２８
を形成したものが図２２であり、実施の形態１と同様の
工法によりスルホール電極２８が形成される。

【０１０８】続いて、図２３は片面のレジスト膜２３を
薬液の浸漬などにより除去したものであり、さらに第一
の接続端子３１および接続電極３８を形成したのが図２
４であり、実施の形態１と同様の工法により第一の接続
端子３１および接続電極３８が形成され、第一の接続端
子３１およびスルホール電極２８の表出面の上に半田、
金、錫や銀などからなる第一、第二の接続バンプ３３、
３４を形成し、半導体部品との直接接続が可能となる。

【０１０９】なお、第二の接続端子３２も必要に応じて
実施の形態１と同様、電気めっき、無電解めっきを行い
第二の接続端子３２を形成してもよい。

【０１１０】ここで図２４において接続電極３８は集電
体層３０の表面を覆うように形成されているが、スルホ
ール電極２８と集電体層３０を電気的に接続すれば接続
電極３８としての役割を果たすものであるため、例えば
図３０に示すような接続電極３８の形状にすることも可
能である。

【０１１１】本実施の形態４の特徴は、他面のレジスト
膜２２を除去した後スルホール電極２８を形成すること
により、アルミニウム箔２０の他面側におけるスルホー
ル電極２８の表出面も第一の接続端子３１の表面と同一
面になる。これにより以下の利点を有する。

【０１１２】すなわち、固体電解コンデンサに半導体部
品を実装する場合第一、第二の接続バンプ３３、３４を
介して行われるが、半導体の実装性を考慮した場合、上
記第一、第二の接続バンプ３３、３４の公差が問題とな
る。

【０１１３】この第一の接続バンプ３３は固体電解コン
デンサの第一の接続端子３１の表面に、第二の接続バン
プ３４は固体電解コンデンサの第二の接続端子３２の表
面もしくはスルホール電極２８の表面にそれぞれ形成さ
れるが、第一の接続端子３１および第二の接続端子３２
もしくはスルホール電極２８の表出面が同一面である本
発明の場合上記公差を特に考慮する必要がないため、第
一、第二の接続バンプ３３、３４を容易に形成すること
ができる。

【０１１４】（実施の形態５）本発明の実施の形態５お
よび図２５〜図２６により請求項５に記載の発明を説明
する。

【０１１５】図２５は、実施の形態４の図２１にあるよ
うに他面のレジスト膜２２を除去した後スルホール電極
２８および第一の接続端子３１をそれぞれ形成したもの
であり、次に片面のレジスト膜２３を除去したものが図
２６である。続いて接続電極３８を形成したものが図２
４であり、第一の接続端子３１およびスルホール電極２
８の表出面の上に半田、金、錫や銀などからなる第一、
第二の接続バンプ３３、３４を形成し、半導体部品との
直接接続が可能となる。

【０１１６】ここで接続電極３８の形状に関しては実施
の形態４と同様である。

【０１１７】なお、第二の接続端子３２も必要に応じて
実施の形態１と同様、電気めっき、無電解めっきを行い
第二の接続端子３２を形成してもよい。

【０１１８】本実施の形態５の特徴は、実施の形態４と
同様、他面のレジスト膜２２を除去した後スルホール電
極２８を形成することにより、アルミニウム箔２０の他
面側におけるスルホール電極２８の表出面も第一の接続
端子３１の表面と同一面になる。これにより以下の利点
を有する。

【０１１９】すなわち、固体電解コンデンサに半導体部
品を実装する場合第一、第二の接続バンプ３３、３４を
介して行われるが、半導体部品の実装性を考慮した場
合、上記第一、第二の接続バンプ３３、３４の公差が問
題となる。

【０１２０】この第一の接続バンプ３３は固体電解コン
デンサの第一の接続端子３１の表面に、第二の接続バン
プ３４は固体電解コンデンサの第二の接続端子３２の表
面もしくはスルホール電極２８の表面にそれぞれ形成さ
れるが、第一の接続端子３１および第二の接続端子３２
もしくはスルホール電極２８の表出面が同一面である本
発明の場合上記公差を特に考慮する必要がないため、第
一、第二の接続バンプ３３、３４を容易に形成すること
ができる。

【０１２１】加えて、接続端子３１とスルホール電極２
８を形成するのにともに導電性接着剤を用い、かつ、ア
ルミニウム箔２０の他面側から導電性接着剤の塗布によ
り接続端子３１とスルホール電極２８を同時に形成する
ことができるので、その結果として、工程の簡略化を図
ることができる。

【０１２２】（実施の形態６）本発明の実施の形態６お
よび図２７〜図２９により請求項６に記載の発明を説明
する。

【０１２３】図２７は、実施の形態１の図１１にあるよ
うにスルホール孔２４の内壁に絶縁膜２５を形成したも
のを薬液への浸漬などにより他面および片面のレジスト
膜２２、２３を除去したものである。

【０１２４】次に図２８でスルホール電極２８および第
一の接続端子３１をそれぞれ形成し、接続電極３８を形
成したのが図２９であり、第一の接続端子３１およびス
ルホール電極２８の表出面の上に半田、金、錫や銀など
からなる第一、第二の接続バンプ３３、３４を形成し、
半導体部品との直接接続が可能となる。

【０１２５】なお、第二の接続端子３２も必要に応じて
実施の形態１と同様、電気めっき、無電解めっきを行い
第二の接続端子３２を形成してもよい。

【０１２６】ここで接続電極３８の形成方法としては、
導電性接着剤を塗布した後硬化する方法や導電性接着剤
と金属箔を用いる方法が挙げられる。図２９において接
続電極３８は集電体層３０の表面を覆うように形成され
ているが、集電体層３０によって集電された電荷を効率
よく取り出しスルホール電極２８に運ぶためには、図１
８に示すような接続電極３８の形状が望ましい。

【０１２７】しかし、スルホール電極２８と集電体層３
０を電気的に接続すれば接続電極３８としての役割を果
たすものであるため、例えば図３０に示すように、スル
ホール電極２８の片面側の表出面と集電体層３０の表面
の一部を接続した接続電極３８の形状にすることも可能
である。

【０１２８】また、導電性接着剤と金属箔を用いる方法
の場合、集電体層３０とスルホール電極２８を接続する
伝導経路として、導電性接着剤による接続電極３８に加
え、金属箔による接続電極３８を設けることにより、電
荷の移動がしやすくなり、その結果として高周波特性が
向上するものである。

【０１２９】したがって、金属箔としては電気伝導度の
比較的高い金属、例えば銀、銅などを用いるのが望まし
い。

【０１３０】本実施の形態６の特徴は他面および片面の
レジスト膜２２、２３を除去した後スルホール電極２８
を形成することにより、アルミニウム箔２０の片面側に
おけるスルホール電極２８の表出面が集電体層３０の表
面と同一面になるため接続電極３８として金属箔と導電
性接着剤を用いる場合においても、接続電極３８の形成
が容易になるという利点を有するものである。

【０１３１】また、上記と同様の理由により、アルミニ
ウム箔２０の他面側におけるスルホール電極２８の表出
面が第一の接続端子３１の表面と同一面になる。これに
より以下の利点を有する。

【０１３２】すなわち、固体電解コンデンサに半導体部
品を実装する場合第一、第二の接続バンプ３３、３４を
介して行われるが、半導体の実装性を考慮した場合、上
記第一、第二の接続バンプ３３、３４の公差が問題とな
る。

【０１３３】この第一の接続バンプ３３は固体電解コン
デンサの第一の接続端子３１の表面に、第二の接続バン
プ３４は固体電解コンデンサの第二の接続端子３２の表
面もしくはスルホール電極２８の表面にそれぞれ形成さ
れるが、第一の接続端子３１および第二の接続端子３２
もしくはスルホール電極２８の表出面が同一面である本
発明の場合上記公差を特に考慮する必要がないため、第
一、第二の接続バンプ３３、３４を容易に形成すること
ができる。

【０１３４】加えて、第一の接続端子３１、スルホール
電極２８および接続電極３８を形成するのに導電性接着
剤を用いるため、第一の接続端子３１、スルホール電極
２８および接続電極３８を形成する工程を連続して一つ
の工程で行うことができ、その結果として、さらなる工
程の簡略化を図ることができるものである。

【０１３５】

【発明の効果】上記の通り本発明は、低ＥＳＲ化、低Ｅ
ＳＬ化を実現し、高周波特性の優れた固体電解コンデン
サを容易に提供でき、かつ高い生産性を実現することが
できるものであり、その工業的価値は大なるものであ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態における固体電解コンデン
サの斜視図

【図２】同断面図

【図３】同要部の拡大断面図

【図４】同アルミニウム箔に保護膜を形成した状態の断
面図

【図５】同アルミニウム箔の他面にレジスト膜を形成し
た状態の断面図

【図６】同アルミニウム箔の表面に誘電体被膜を形成し
た状態の断面図

【図７】同誘電体被膜上に固体電解質層を形成した状態
の断面図

【図８】同固体電解質層上に集電体層を形成した状態の
断面図

【図９】同集電体層上にレジスト膜を形成した状態の断
面図

【図１０】同アルミニウム箔にスルホール孔を形成した
状態の断面図

【図１１】同スルホール孔の内壁に絶縁膜を形成した状
態の断面図

【図１２】同スルホール孔内に導電体を充填した状態の
断面図

【図１３】同アルミニウム箔の他面および片面のレジス
ト膜を除去した状態の断面図

【図１４】同アルミニウム箔に接続電極および接続端子
を形成した状態の断面図

【図１５】同接続バンプを形成した状態の断面図

【図１６】同集電体層上のレジスト膜を除去した状態の
断面図

【図１７】同スルホール孔内に導電体を充填した状態の
断面図

【図１８】同アルミニウム箔に接続電極を形成した状態
の断面図

【図１９】同アルミニウム箔に接続端子を形成した状態
の断面図

【図２０】同アルミニウム箔の他面のレジスト膜を除去
した状態の断面図

【図２１】同アルミニウム箔の他面のレジスト膜を除去
した状態の断面図

【図２２】同スルホール孔内に導電体を充填した状態の
断面図

【図２３】同アルミニウム箔の片面のレジスト膜を除去
した状態の断面図

【図２４】同アルミニウム箔に接続電極および接続端子
を形成した状態の断面図

【図２５】同アルミニウム箔に接続端子を形成し、同ス
ルホール孔内に導電体を充填した状態の断面図

【図２６】同アルミニウム箔の片面のレジスト膜を除去
した状態の断面図

【図２７】同アルミニウム箔の他面および片面のレジス
ト膜を除去した状態の断面図

【図２８】同アルミニウム箔に接続端子を形成し、同ス
ルホール孔内に導電体を充填した状態の断面図

【図２９】同アルミニウム箔に接続電極を形成した状態
の断面図

【図３０】本発明の実施の形態における固体電解コンデ
ンサの断面図

【符号の説明】

２０ アルミニウム箔 ２１ 保護膜 ２２ レジスト膜 ２３ レジスト膜 ２４ スルホール孔 ２５ 絶縁膜 ２７ 誘電体被膜 ２８ スルホール電極 ２９ 固体電解質層 ３０ 集電体層 ３１ 第一の接続端子 ３２ 第二の接続端子 ３３ 第一の接続バンプ ３４ 第二の接続バンプ ３８ 接続電極

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） (72)発明者 藤井 達雄 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 中野 慎 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 木村 涼 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内

Claims (26)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 片面が粗面化されたアルミニウム箔の他
   面に第一の接続端子を形成する部分を除いて保護膜を形
   成した後他面全面にレジスト膜を形成し、片面に誘電体
   被膜を形成した後この表面に固体電解質層、集電体層さ
   らにはレジスト膜を形成し、スルホール電極を形成する
   部分にスルホール孔を形成した後スルホール孔の内壁に
   絶縁膜を形成し、続いてスルホール孔内にスルホール電
   極を形成した後アルミニウム箔の他面および片面のレジ
   スト膜をそれぞれ除去して第一の接続端子を形成する部
   分に第一の接続端子を、スルホール電極の表出面に第二
   の接続端子を、集電体層の表面およびスルホール電極の
   片面側の表出面に接続電極をそれぞれ形成する固体電解
   コンデンサの製造方法。
2. 【請求項２】 片面が粗面化されたアルミニウム箔の他
   面に第一の接続端子を形成する部分を除いて保護膜を形
   成した後他面全面にレジスト膜を形成し、片面に誘電体
   被膜を形成した後この表面に固体電解質層、集電体層さ
   らにはレジスト膜を形成し、スルホール電極を形成する
   部分にスルホール孔を形成した後スルホール孔の内壁に
   絶縁膜を形成し、片面のレジスト膜を除去した後スルホ
   ール孔内にスルホール電極を形成し、集電体層の表面お
   よびスルホール電極の片面側の表出面に接続電極を形成
   した後他面のレジスト膜を除去し、第一の接続端子を形
   成する部分に第一の接続端子を、スルホール電極の表出
   面に第二の接続端子をそれぞれ形成する固体電解コンデ
   ンサの製造方法。
3. 【請求項３】 片面が粗面化されたアルミニウム箔の他
   面に第一の接続端子を形成する部分を除いて保護膜を形
   成した後他面全面にレジスト膜を形成し、片面に誘電体
   被膜を形成した後この表面に固体電解質層、集電体層さ
   らにはレジスト膜を形成し、スルホール電極を形成する
   部分にスルホール孔を形成した後スルホール孔の内壁に
   絶縁膜を形成した後片面のレジスト膜を除去し、スルホ
   ール孔内にスルホール電極を形成した後他面のレジスト
   膜を除去し、第一の接続端子を形成する部分に第一の接
   続端子を、スルホール電極の表出面に第二の接続端子
   を、集電体層の表面およびスルホール電極の片面側の表
   出面に接続電極をそれぞれ形成する固体電解コンデンサ
   の製造方法。
4. 【請求項４】 片面が粗面化されたアルミニウム箔の他
   面に第一の接続端子を形成する部分を除いて保護膜を形
   成した後他面全面にレジスト膜を形成し、片面に誘電体
   被膜を形成した後この表面に固体電解質層、集電体層さ
   らにはレジスト膜を形成し、スルホール電極を形成する
   部分にスルホール孔を形成した後スルホール孔の内壁に
   絶縁膜を形成し、続いてアルミニウム箔の他面のレジス
   ト膜を除去し、スルホール孔内にスルホール電極を形成
   した後片面のレジスト膜を除去して第一の接続端子を形
   成する部分に第一の接続端子を、スルホール電極の表出
   面に第二の接続端子を、集電体層の表面およびスルホー
   ル電極の片面側の表出面に接続電極をそれぞれ形成する
   固体電解コンデンサの製造方法。
5. 【請求項５】 片面が粗面化されたアルミニウム箔の他
   面に第一の接続端子を形成する部分を除いて保護膜を形
   成した後他面全面にレジスト膜を形成し、片面に誘電体
   被膜を形成した後この表面に固体電解質層、集電体層さ
   らにはレジスト膜を形成し、スルホール電極を形成する
   部分にスルホール孔を形成した後スルホール孔の内壁に
   絶縁膜を形成し、続いてアルミニウム箔の他面のレジス
   ト膜を除去し、スルホール孔内にスルホール電極を形成
   し、第一の接続端子を形成する部分に第一の接続端子
   を、スルホール電極の表出面に第二の接続端子をそれぞ
   れ形成し、片面のレジスト膜を除去した後集電体層の表
   面およびスルホール電極の片面側の表出面に接続電極を
   形成する固体電解コンデンサの製造方法。
6. 【請求項６】 片面が粗面化されたアルミニウム箔の他
   面に第一の接続端子を形成する部分を除いて保護膜を形
   成した後他面全面にレジスト膜を形成し、片面に誘電体
   被膜を形成した後この表面に固体電解質層、集電体層さ
   らにはレジスト膜を形成し、スルホール電極を形成する
   部分にスルホール孔を形成した後スルホール孔の内壁に
   絶縁膜を形成し、他面および片面のレジスト膜をそれぞ
   れ除去してスルホール孔内にスルホール電極を形成した
   後第一の接続端子を形成する部分に第一の接続端子を、
   スルホール電極の表出面に第二の接続端子を、集電体層
   の表面およびスルホール電極の片面側の表出面に接続電
   極をそれぞれ形成する固体電解コンデンサの製造方法。
7. 【請求項７】 接続電極の材料として金属箔と導電性接
   着剤もしくは導電性接着剤を用いる請求項１〜６のいず
   れか一つに記載の固体電解コンデンサの製造方法。
8. 【請求項８】 誘電体被膜としてポリアクリル酸樹脂、
   ポリカルボン酸樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹
   脂、ポリプロピレン樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリエチ
   レンテレフタレート樹脂、ポリフェニレンスルファイド
   樹脂のいずれかもしくは上記樹脂にパイ電子共役高分子
   およびまたはこれ以外の導電性高分子を含んだものを用
   いる請求項１〜６のいずれか一つに記載の固体電解コン
   デンサの製造方法。
9. 【請求項９】 誘電体被膜を形成する方法として電着
   法、浸漬法のいずれかの方法を用いる請求項１〜６のい
   ずれか一つに記載の固体電解コンデンサの製造方法。
10. 【請求項１０】 保護膜としてエポキシ樹脂、ポリイミ
    ド樹脂、シリコン樹脂、アクリル樹脂、フェノール樹脂
    のいずれかを用いる請求項１〜６のいずれか一つに記載
    の固体電解コンデンサの製造方法。
11. 【請求項１１】 保護膜の形成方法として感光性樹脂を
    用い、フォトリソ法を用いる請求項１〜６のいずれか一
    つに記載の固体電解コンデンサの製造方法。
12. 【請求項１２】 片面のレジスト膜として感光性樹脂ま
    たは接着性を有する有機フィルムのいずれかを用いる請
    求項１〜６のいずれか一つに記載の固体電解コンデンサ
    の製造方法。
13. 【請求項１３】 保護膜、片面のレジスト膜の形成方法
    として浸漬、スピンコータ、スクリーン印刷、フィルム
    接着法、スプレー法のいずれかの方法を用いる請求項１
    〜６のいずれか一つに記載の固体電解コンデンサの製造
    方法。
14. 【請求項１４】 他面のレジスト膜として感光性樹脂を
    用いる請求項１〜６のいずれか一つに記載の固体電解コ
    ンデンサの製造方法。
15. 【請求項１５】 他面のレジスト膜の形成方法として浸
    漬、スピンコータ、スクリーン印刷、スプレー法のいず
    れかの方法を用いる請求項１〜６のいずれか一つに記載
    の固体電解コンデンサの製造方法。
16. 【請求項１６】 スルホール孔の形成方法としてレーザ
    ー加工法、パンチング加工法、ドリル加工法のうちの少
    なくとも一つを用いる請求項１〜６のいずれか一つに記
    載の固体電解コンデンサの製造方法。
17. 【請求項１７】 絶縁膜の形成方法として電着法により
    絶縁樹脂を形成する請求項１〜６のいずれか一つに記載
    の固体電解コンデンサの製造方法。
18. 【請求項１８】 絶縁膜として電着法により絶縁性の樹
    脂を第１層目として形成し、その後１層目に比べ抵抗率
    が高くマイクロジェルとカーボン微粒子と酸化チタン微
    粒子を混合した絶縁性の樹脂を第２層目として形成する
    請求項１〜６のいずれか一つに記載の固体電解コンデン
    サの製造方法。
19. 【請求項１９】 スルホール電極を形成するのに導電性
    接着剤を充填した後硬化する方法を用いる請求項１〜６
    のいずれか一つに記載の固体電解コンデンサの製造方
    法。
20. 【請求項２０】 固体電解質層を構成する材料としてパ
    イ電子共役高分子およびまたはこれ以外の導電性高分子
    を含む組成物を用いる請求項１〜６のいずれか一つに記
    載の固体電解コンデンサの製造方法。
21. 【請求項２１】 固体電解質層を形成する方法として、
    複素環式モノマーを酸化剤を用いて重合する化学重合、
    複素環式モノマーを電界の印加により重合する電解重
    合、導電性高分子の粉末縣濁液の塗布、導電性高分子水
    溶液の塗布のうちの少なくとも一つの方法を用いる請求
    項１〜６のいずれか一つに記載の固体電解コンデンサの
    製造方法。
22. 【請求項２２】 固体電解質層を形成する方法として、
    硝酸マンガンを熱分解することにより二酸化マンガンを
    形成する方法を用いる請求項１〜６のいずれか一つに記
    載の固体電解コンデンサの製造方法。
23. 【請求項２３】 固体電解質層を形成する方法として、
    硝酸マンガンを熱分解することにより二酸化マンガンを
    形成した後、複素環式モノマーを酸化剤を用いて重合す
    る化学重合、複素環式モノマーを電界の印加により重合
    する電解重合、導電性高分子の粉末縣濁液の塗布、導電
    性高分子水溶液の塗布のうちの少なくとも一つの方法を
    用いる請求項１〜６のいずれか一つに記載の固体電解コ
    ンデンサの製造方法。
24. 【請求項２４】 集電体材料として、カーボン微粒子の
    懸濁液および導電性接着剤、もしくはカーボン微粒子の
    懸濁液および導電性塗料を用いる請求項１〜６のいずれ
    か一つに記載の固体電解コンデンサの製造方法。
25. 【請求項２５】 接続端子を構成する材料として導電性
    接着剤を用いた請求項１〜６のいずれか一つに記載の固
    体電解コンデンサの製造方法。
26. 【請求項２６】 接続端子を形成する方法として電気め
    っき、無電解めっきのいずれかの方法を用いる請求項１
    〜６のいずれか一つに記載の固体電解コンデンサの製造
    方法。