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WO2002085080A1 - Procede et dispositif de generation de lumiere dans l'extreme ultraviolet notamment pour la lithographie - Google Patents

Procede et dispositif de generation de lumiere dans l'extreme ultraviolet notamment pour la lithographie Download PDF

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WO2002085080A1
WO2002085080A1 PCT/FR2002/001306 FR0201306W WO02085080A1 WO 2002085080 A1 WO2002085080 A1 WO 2002085080A1 FR 0201306 W FR0201306 W FR 0201306W WO 02085080 A1 WO02085080 A1 WO 02085080A1
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WO
WIPO (PCT)
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xenon
liquid
nozzle
rare gas
pressure
Prior art date
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Ceased
Application number
PCT/FR2002/001306
Other languages
English (en)
Inventor
Martin Schmidt
Olivier Sublemontier
Tiberio Ceccotti
Marc Segers
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA
Original Assignee
Commissariat a lEnergie Atomique CEA
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Commissariat a lEnergie Atomique CEA filed Critical Commissariat a lEnergie Atomique CEA
Priority to US10/473,597 priority Critical patent/US20040129896A1/en
Priority to KR10-2003-7013509A priority patent/KR20030090745A/ko
Priority to JP2002582673A priority patent/JP2004533704A/ja
Priority to EP02738200A priority patent/EP1382230A1/fr
Publication of WO2002085080A1 publication Critical patent/WO2002085080A1/fr
Anticipated expiration legal-status Critical
Ceased legal-status Critical Current

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    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
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    • G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
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    • H05G2/003—Production of X-ray radiation generated from plasma the plasma being generated from a material in a liquid or gas state
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    • H05G2/009—Auxiliary arrangements not involved in the plasma generation
    • H05G2/0094—Reduction, prevention or protection from contamination; Cleaning

Definitions

  • the present invention relates to a method and a device for generating light in the extreme ultraviolet range, in particular intended for lithography by means of such light.
  • the increase in the power of integrated circuits and the integration of more and more functions in a small space require a significant technological leap in the lithography technique, traditionally used for the manufacture of these integrated circuits.
  • EUV extreme ultraviolet
  • this radiation whose wavelength is between 10 nm and 15 n, many techniques have already been proposed.
  • irradiating a target with focused laser radiation seems to be the most promising technique for obtaining good performance in the medium term both in terms of average power, spatial and temporal stability, and reliability. Optimization of these performances is obtained by using a fog jet as target. dense and directional of micrometric droplets.
  • the use of this target produces very little debris, and the directivity of the jet makes it possible to considerably reduce the amount of debris produced indirectly by erosion of the nozzle emitting the jet, erosion which is caused by the plasma formed by the impact of laser radiation on the target.
  • a significant part of the laser light is thus absorbed, which promotes the creation of a plasma by heating of the aggregates.
  • the local density of atoms in each aggregate is relatively high, which therefore involves a large number of atoms.
  • the large number of aggregates having a sufficiently high average number of atoms, and being in the focusing zone of the laser beam makes the emission in the extreme ultraviolet relatively intense.
  • significant material debris can result from erosion of the nozzle when it is placed too close to the area illuminated by the laser.
  • the proximity of the illuminated area and the nozzle can cause the nozzle to heat up, deteriorating the characteristics of the jet.
  • the average size of the aggregates thus formed by condensation from gaseous xenon can not be more than 1 order of a few hundred nanometers and in all cases remains well below 1 ⁇ m due to the training method used.
  • the interaction with a YAG type pulse laser, which is typically used for this application and whose pulse duration is between 3 ns and 80 ns, is optimal, in terms of intensity of the EUV radiation produced, with grains of material having an average size greater than 1 ⁇ m, and typically lying in the range from 5 ⁇ m to 50 ⁇ m.
  • the jet of dense xenon fog propagates in a vacuum at a speed of the order of several tens of m / s.
  • the target is therefore renewed quickly enough to allow irradiation of this target by a pulse laser with a high repetition rate (greater than or equal to 10 kHz).
  • a laser of this type is required to obtain the average power necessary for the industrial production of integrated circuits using an industrial photo-repeater.
  • the xenon is transported in gaseous form to a reservoir adjoining an outlet nozzle.
  • the gaseous xenon injected into the tank is locally liquefied by cryogenic means. Spraying the liquid xenon at the outlet of the nozzle gives rise to the formation of a dense and directive jet of xenon droplets.
  • the jet can be continuous or pulsed by electromechanical or piezoelectric means.
  • the pressure of the injected gas and the temperature of the liquid contained in the tank can be regulated.
  • the irradiation of the jet thus formed - by a focused laser generates the creation of a plasma capable of exhibiting an EUV radiation emission peak between 13 and 14 nm, this radiation being usable as a light source for lithography.
  • the device which is the subject of the invention may further comprise: a wall which delimits a secondary zone and which is provided with a hole facing the nozzle, this hole being located on the axis of this nozzle, and
  • the wall comprises a knife (English "ski sea”) whose axis coincides with the axis of the nozzle and the orifice of which v is the drilling of the wall.
  • the device which is the subject of the invention may further comprise a heat shield which is pierced opposite the nozzle to allow the jet formed by the dense mist to pass.
  • the device which is the subject of the invention may further comprise a collector capable of directing or focusing the light generated, towards means of using this light.
  • a mask comprising the pattern determined in an enlarged form, a device for generating light in the extreme ultraviolet range according to the invention
  • This tank 2 is intended to contain liquid xenon 6.
  • Cryogenic means 8 are provided to produce this liquid xenon 6 from gaseous xenon 10.
  • the liquid xenon 6 is pressurized by this gaseous xenon 10.
  • the latter is injected in the tank 2 via a line 12 and liquefied by the cryogenic means 8 to form the liquid xenon 6.
  • these cryogenic means comprise a pipe 8a which encloses the tank and the nozzle, only portions of this pipe being shown in phantom in Figure 1, and this pipe is traversed by a cryogenic fluid, for example nitrogen.
  • the dense mist 20 forms a jet which is strongly confined on the axis X of the nozzle which is also the axis of the hole 18 of this nozzle.
  • the EUV radiation emitted by the droplets of liquid xenon is symbolized by the arrows 30 oriented in all directions.
  • the greatest amount of EUV light is produced by the plasma hemisphere facing the laser beam, this plasma resulting from the interaction between the dense fog and the laser beam.
  • This material must be electrically insulating, to avoid possible phenomena of electric discharge between the nozzle 4 and the plasma, formed by interaction. between the laser beam and the target
  • the electrical resistivity of this material must be greater than 10 8 ⁇ .cm and may preferably be of the order of 10 14 ⁇ .cm.
  • the material preferably used for the nozzle is a ceramic, preferably aluminum nitride (AlN).
  • AlN aluminum nitride
  • other ceramics can be used, for example alumina or silicon nitride.
  • the part of the fog which has not undergone the interaction with the laser beam passes through the debarker 32 to be pumped ⁇ into the part * 36, or lower part, of the vacuum chamber 14.
  • the pressure can reach approximately 10 Pa without the operation of the EUV radiation source being deteriorated.
  • the means 16 for pumping the upper part 34 of the vacuum chamber 14 may consist, for example, of one or more pumps of the turbomolecular type with magnetic bearings, associated with dry primary pumps.
  • the means 16a for pumping the lower part 36 of the vacuum chamber 14 may consist of one or more dry primary pumps.
  • a heat shield 39 may be provided between the nozzle 4 and the point 0 of interaction of the beam 24 with the target 20, so as to reduce the heating of the nozzle which could be induced by the plasma resulting from this interaction.
  • this heat shield 39 is formed from a material having the same physical characteristics as the material of the nozzle. (for example AIN), and fixed on a part 4a of the means for generating the mist, this part being cooled by the cryogenic means 8. This part surrounds the nozzle 4 in the example shown.
  • the thermal screen is cooled by the cryogenic means 8. More generally, this thermal screen is preferably provided with cooling means which can be the means used to liquefy the xenon gas but which can also be distinct from the latter.
  • the geometry of the nozzle 4 is one of the parameters influencing the directivity of the jet 20.
  • FIGS. 2 and 3 respectively represent two examples of this geometry of the nozzle. Under the pressure conditions of the injected xenon gas 10 (between 5 ⁇ 10 5 Pa and 50 ⁇ 10 5 Pa) and the temperature conditions of the nozzle and of the reservoir
  • the minimum diameter d of the nozzle or more precisely the minimum diameter of the hole 18 thereof is between 60 ⁇ m and 600 ⁇ m.
  • the hole 18 of the nozzle 4 may generally have the shape of a cone over the entire length of the nozzle, as shown in FIG. 2.
  • the diameter of this cone increases in the direction of propagation of the jet 20
  • the half-angle at the top ⁇ of this cone can be between 1 degree and 10 degrees.
  • the invention also preferably includes means intended to protect the optics of the device (for example portholes, focusing devices) from any debris from the source, even if the source according to the invention generates very little.
  • These means may be means for causing a slight blowing, in front of the surface exposed to EUV radiation, of the ambient gas of the enclosure, even if it is under very low pressure. They can also consist of means capable of generating a slight heating of these optics.
  • they can also be made up of means capable of generating a positive polarization of the metal layer that these optics generally comprise, at a voltage sufficient to remove ionic debris, for example a few hundred volts or more.
  • the part of the diagram, located at the top left of this curve corresponds to liquid xenon (L) while the part located at the bottom and right corresponds to gaseous xenon.
  • This FIG. 5 makes it possible to highlight the difference in intensity of the EUV radiation produced with a jet of conventional xenon aggregates and a dense mist of liquid xenon droplets.
  • Part I The measured temperature of tank 2 and nozzle 4 is less than -25 ° C.
  • the phase diagram of the xenon clearly shows that the xenon is liquid under these conditions of temperature and pressure.
  • Tank 2 contains only liquid xenon. We are therefore in the presence of a jet of dense mist of xenon droplets, formed by the spraying of the liquid xenon present upstream of the nozzle 4. The flow of EUV radiation produced is high.
  • Part II The measured temperature of the tank and the nozzle is between -25 ° C and about -21.3 ° C.
  • the phase diagram of the xenon shows that the xenon goes from the liquid state to the gaseous state.
  • the reservoir 2 contains both liquid xenon and gaseous xenon. This is the liquid-vapor phase transition.
  • the EUV radiation flux produced decreases.
  • FIG. 6 very schematically illustrates the use of EUV radiation obtained with a device according to the invention for nanolithography.
  • the nanolithography apparatus schematically represented in this FIG. 6 comprises a device 40 for generating EUV radiation of the kind of the EUV radiation source which has been described with reference to FIG. 1.
  • optics 50 provided for shaping EUV radiation referenced 52, coming from device 40, and bringing this radiation 52 to mask 48 which then provides an image of the pattern in enlarged form, and optics 54 provided for reducing this enlarged image and projecting the reduced image onto the layer 46 of photosensitive resin.
  • the support 42, the mask 48 and the optics 50 and 54 are arranged in a vacuum chamber (not shown) which, for the sake of simplification, is preferably the vacuum chamber in which the EUV irradiation radiation 52 is formed.
  • the invention does not only apply to lithography, in order to manufacture integrated circuits with a very high degree of integration: the EUV radiation produced by the present invention has many other applications, in particular in materials science and microscopy. Furthermore, the invention is not limited to xenon. Other rare gases can be used, such as argon to form dense fog and produce EUV radiation.
  • the invention aims to produce light
  • EUV Extreme-V
  • it produces a large number of lines ranging from the visible range to soft X-rays, and can be used for all the wavelengths produced.

Landscapes

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  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

Selon l'invention, on fait interagir un faisceau laser (24) et un brouillard dense (20) de micro-gouttelettes d'un gaz rare liquéfié. On utilise en particulier le xénon liquide (6), on produit ce dernier par liquéfaction de xénon gazeux (10) avec lequel on pressurise le xénon liquide à une pression de 5x10<5> Pa à 50x10<5> Pa, et l'on maintient ce xénon liquide à une température de -70 DEG C à -20 DEG C, on injecte le xénon liquide pressurisé dans une buse (4) dont le diamètre intérieur minimal va de 60 mu m à 600 mu m, cette buse débouchant dans une zone où la pression est égale ou inférieure à 10<-1> Pa.

Description

PROCEDE ET DISPOSITIF DE GENERATION DE LUMIERE DANS L'EXTRÊME ULTRAVIOLET NOTAMMENT POUR LA LITHOGRAPHIE.
DESCRIPTION
DOMAINE TECHNIQUE
La présente invention concerne un procédé et un dispositif de génération de lumière dans le domaine extrême ultraviolet, notamment destinés à la lithographie au moyen d'une telle lumière. L'accroissement de la puissance des circuits intégrés et l'intégration de fonctions de plus en plus nombreuses dans un faible espace requièrent un saut technologique important dans la technique de lithographie, traditionnellement utilisée pour la fabrication de ces circuits intégrés.
L'industrie de la micro-électronique prévoit notamment l'utilisation d'un rayonnement du domaine extrême ultraviolet (EUV) pour l'insolation de résines photosensibles afin d'atteindre, sur le silicium, des dimensions critiques inférieures ou égales à 50 nanomètres .
Pour produire ce rayonnement, dont la longueur d'onde est comprise entre 10 nm et 15 n , de nombreuses techniques ont déjà été proposées. En particulier, l'irradiation d'une cible par un rayonnement laser focalisé semble être la technique la plus prometteuse pour obtenir à moyen terme de bonnes performances à la fois en termes de puissance moyenne, de stabilité spatiale et temporelle, et de fiabilité. L'optimisation de ces performances est obtenue en utilisant comme cible un jet de brouillard dense et directif de gouttelettes micrométriques. En outre, l'utilisation de cette cible produit très peu de débris, et la directivité du jet permet de réduire considérablement la quantité de débris produits indirectement par érosion de la buse émettant le jet, érosion qui est provoquée par le plasma formé par l'impact du rayonnement laser sur la cible.
ETAT DE LA TECHNIQUE ANTERIEURE
On connaît diverses techniques de production d'un rayonnement EUV, par exemple celle qui consiste à irradier par un faisceau laser une cible placée sous vide.
En particulier, dans le domaine de la lithographie des circuits intégrés, il faut trouver une cible qui soit susceptible d'être irradiée par un laser pour la production de lumière dans l'extrême ultraviolet et qui soit compatible avec une exploitation industrielle de la lithographie.
La génération d'un rayonnement EUV, par irradiation d'un jet dense d'agrégats (en anglais
« clusters ») de xénon sur lequel on focalise un faisceau émis par un laser nan seconde, est connue par les documents suivants :
[1] Paul D. Roc ett et al . , « A high-po er laser-produced plasma UVL source for ETS », 2nd International Workshop on EUV Lithography (San Francisco, octobre 2000)
[2] Kubiak et Richardson, « Cluster beam targets for laser plasma extrême ultraviolet and soft x-ray sources », US 5 577 092 A.
On se reportera aussi au document suivant : [3] Haas et al., « Energy Emission System for Photolithography », WO 99 51357 A.
Dans ce document [3], on ne mentionne pas précisément l'utilisation d'un jet d'agrégats de xénon comme cible mais on suppose clairement que la formation de la cible est obtenue par agrégation d'atomes d'un gaz .
On rappelle que les agrégats de xénon sont des grains de taille moyenne bien inférieure à 1 μm, qui sont obtenus par agrégation de xénon gazeux lors d'une expansion adiabatique de celui-ci à travers une buse, dans une enceinte à vide.
L'irradiation de ces agrégats par un faisceau laser dans le proche infrarouge produit un plasma qui émet un rayonnement plus énergétique dont la longueur d'onde est située dans l'extrême ultraviolet. Le couplage entre le laser et la cible, et donc l'efficacité de ce processus de conversion, peuvent être importants dans le cas de l'irradiation d'un jet d'agrégats de xénon dans la gamme de longueur d'onde d' intérêt .
Une partie importante de la lumière laser est ainsi absorbée, ce qui favorise la création d'un plasma par échauffement des agrégats . De plus, la densité locale des atomes dans chaque agrégat est relativement élevée, ce qui fait donc intervenir un grand nombre d'atomes. En outre, le grand nombre d'agrégats comportant un nombre moyen d'atomes suffisamment élevé, et se trouvant dans la zone de focalisation du faisceau laser, rend l'émission dans l'extrême ultraviolet relativement intense. Par contre, des débris matériels importants peuvent résulter de l'érosion de la buse lorsque celle- ci est placée trop près de la zone illuminée par le laser . En outre, la proximité de la zone illuminée et de la buse peut provoquer un échauffement de celle- ci, détériorant les caractéristiques du jet.
L'utilisation d'un jet, qui constitue une cible renouvelable, permet de travailler à haute cadence (de l'ordre de 10 kHz et au-delà), ce qui est parfaitement adapté aux appareils de lithographie pour la fabrication de circuits intégrés à très haut degré d' intégration.
L'utilisation de xénon comme gaz d'agrégation donne les meilleurs résultats en ce qui concerne l'émission de rayonnement extrême ultraviolet car ce gaz dispose d'un grand nombre de raies d'émission dans la gamme spectrale considérée, notamment entre 13 nm et 14 nm. La source de rayonnement EUV, qui est connue par les documents [1] et [2], présente cependant un certain nombre d'inconvénients que l'on mentionne ci-après.
- Selon ces documents [1] et [2], la densité des agrégats décroît fortement lorsqu'on s'éloigne de la buse que comporte la source, ce qui est le signe d'une divergence trop importante du jet d'agrégats. C'est pourquoi l'excitation par le faisceau laser doit avoir lieu à proximité immédiate de la buse, ce qui entraîne une érosion importante de cette buse par l'impact d'ions issus du plasma engendré ou par décharge électrique. L'érosion de la buse réduit de façon significative sa durée de vie, et donc la fiabilité de la source de rayonnement EUV, et engendre d'importantes quantités de débris, susceptibles de détériorer prématurément les optiques d'un appareil de lithographie utilisant une telle source .
- La mauvaise directivité du jet d'agrégats de xénon induit un phénomène de réabsorption du rayonnement EUV par le jet d'agrégats lui-même, l'interaction avec le laser ayant lieu au centre du jet d'agrégats, ce qui diminue sensiblement l'intensité du rayonnement EUV effectivement utilisable.
— La taille moyenne des agrégats ainsi formés par condensation à partir de xénon gazeux ne peut être au maximum que de 1 ' ordre de quelques centaines de nanomètres et reste dans tous les cas bien inférieure à 1 μm du fait de la méthode de formation utilisée. Or, l'interaction avec un laser impulsionnel de type YAG, qui est typiquement utilisé pour cette application et dont la durée d'une impulsion est comprise entre 3 ns et 80 ns, est optimale, en terme d'intensité du rayonnement EUV produit, avec des grains de matière ayant une taille moyenne supérieure à 1 μm, et typiquement comprise dans l'intervalle allant de 5 μm à 50 μm.
On se reportera aussi au document suivant : [4] Richardson et al., « Water laser plasma x-ray point sources », US 5 577 091 A. Ce document [4] divulgue une source de rayonnement EUV qui utilise, en tant que cible, un jet de microcristaux de glace. Il s'agit d'une succession de microcristaux à très haute cadence de répétition où chaque microcristal a typiquement un diamètre moyen supérieur à 50 μm.
De tels microcristaux sont trop gros pour que la pénétration du faisceau laser d'excitation soit complète. Une réduction du diamètre de chaque microcristal permet d'améliorer l'interaction avec le laser, mais on réduit alors le nombre d'émetteurs de photons EUV dans le plasma. La technique décrite dans le document [4] ne satisfait donc pas aux critères d'obtention d'une source de rayonnement EUV suffisamment intense.
On se reportera en outre au document suivant :
[5] Hertz et al., « Me hod and apparatus for generating x-ray or EUV radiation » WO 97 40650 A.
On connaît par ce document [5] une autre source de rayonnement EUV, fondée sur l'irradiation d'un micro-jet continu de xénon liquide. Ce genre de cible présente également l'inconvénient de contenir une quantité de matière beaucoup trop faible pour avoir un nombre suffisant d'émetteurs EUv potentiels. Ceci est dû au diamètre relativement faible (environ 10 μm) du jet de xénon liquide.
De plus, les sources connues par les documents [4] et [5] sont peu stables du point de vue de l'intensité. Dans le cas du document [4], il est difficile d'irradier de la même façon chaque microcristal de glace du fait d'un problème de synchronisation avec le laser. Dans le cas du document [5], les variations d'intensité EUV sont dues aux instabilités du jet continu de xénon.
EXPOSÉ DE L'INVENTION
La présente invention concerne un générateur de brouillard dense de gouttelettes micrométriques d'un gaz rare, en particulier le xénon, et plus particulièrement l'utilisation de ce brouillard pour la production de lumière dans l'extrême ultraviolet (10 nm à 15 nm) , par irradiation laser de ce brouillard dense.
L'invention est fondée sur la production d'un jet dense et directif de brouillard de gouttelettes micrométriques sous vide, à partir d'un gaz rare liquéfié, en particulier le xénon liquide. Les inventeurs ont trouvé que l'utilisation de ce gaz rare liquéfié, en particulier le xénon liquide, donne les meilleures performances en terme d'intensité du rayonnement EUV produit dans un intervalle de longueur d'onde allant de 13 nm à 14 nm, correspondant parfaitement aux caractéristiques des optiques réflectives utilisées dans des photo-répéteurs industriels .
Le jet de brouillard dense de xénon se propage dans le vide à une vitesse de l'ordre de plusieurs dizaines de m/s. La cible est donc renouvelée suffisamment rapidement pour permettre l'irradiation de cette cible par un laser à impulsions à haute cadence de répétition (supérieure ou égale à 10 kHz) . Un laser de ce type est requis pour obtenir la puissance moyenne nécessaire à la production industrielle de circuits intégrés à l'aide d'un photo-répéteur industriel.
Par "vide" nous entendons une pression qui est suffisamment faible pour ne pas entraver la propagation de ce jet, et qui peut être de l'ordre de quelques Pa. Toutefois, pour éviter la réabsorption de la lumière, il faut, comme on le verra plus loin, avoir un vide beaucoup plus poussé que celui qui est nécessaire ici. Dans l'invention, on utilise des moyens cryogéniques afin de produire le gaz rare liquéfié, en particulier le xénon liquide.
Le xénon est acheminé sous forme gazeuse jusqu'à un réservoir jouxtant une buse de sortie. Le xénon gazeux injecté dans le réservoir y est localement liquéfié par les moyens cryogéniques . La pulvérisation du xénon liquide à la sortie de la buse donne lieu à la formation d'un jet dense et directif de gouttelettes de xénon. Le jet peut être continu ou puisé par des moyens électromécaniques ou piézoélectriques. La pression du gaz injecté et la température du liquide contenu dans le réservoir peuvent être régulées.
L'irradiation du jet ainsi formé -par un laser focalisé engendre la création d'un plasma susceptible de présenter un pic d'émission de rayonnement EUV entre 13 et 14 nm, ce rayonnement étant utilisable comme source de lumière pour la lithographie.
La présente invention propose une technique de génération de rayonnement EUV qui ne présente pas les inconvénients mentionnés plus haut. Plus généralement, la présente invention concerne un procédé et un dispositif de génération d'un brouillard dense de gouttelettes d'un liquide, ce procédé et ce dispositif étant utilisables pour la production de rayonnement EUV et ayant aussi une grande fiabilité ainsi qu'une grande simplicité, ce qui est essentiel pour une utilisation industrielle.
De façon précise, la présente invention a pour objet un procédé de génération de lumière dans l'extrême ultraviolet par création d'un plasma d'interaction entre un faisceau laser et une cible, ce procédé étant caractérisé en ce que : la cible est constituée d'un brouillard dense composé de micro-gouttelettes de liquide, ce liquide étant un gaz rare liquéfié, en particulier le xénon liquide, on produit ce liquide par liquéfaction du gaz rare, on pressurise le liquide par ce gaz rare, à une pression comprise dans l'intervalle allant de 5xl05 Pa à 50xl05 Pa dans le cas du xénon, tout en maintenant ce xénon liquide à une température comprise dans l'intervalle allant de -70°C à -20°C, la pression et la température du gaz étant en outre choisies pour que le gaz rare soit sous forme liquide, on injecte le liquide ainsi pressurisé dans une buse dont le diamètre intérieur minimal est compris dans l'intervalle allant de 60 μm à 600 μ , cette buse débouchant dans une zone où la pression est égale ou inférieure à 10"1 Pa, et l'on engendre ainsi, dans la zone, à la sortie de la buse, un brouillard dense et directif de gouttelettes du gaz rare liquéfié dont la taille moyenne est supérieure à 1 μm, en particulier comprise dans l'intervalle allant de 5 μm à 50 μm dans le cas du xénon, ce brouillard dense formant un jet qui est dirigé suivant l'axe de la buse, et on focalise en outre un faisceau laser sur le brouillard dense ainsi obtenu, ce faisceau laser étant apte à interagir avec ce brouillard dense pour engendrer une lumière dans le domaine extrême ultraviolet.
Selon un mode de mise en œuvre préféré du procédé objet de l'invention, le gaz rare est le xénon et l'on pressurise le xénon liquide par le xénon gazeux à une pression comprise dans l'intervalle allant de 15xl05 Pa à 25xl05 Pa et l'on maintient ce xénon liquide à une température comprise dans l'intervalle allant de -45°C à -30°C.
Lorsque le gaz rare est de préférence le xénon, on peut utiliser la lumière engendrée dans le domaine extrême ultraviolet pour l'insolation d'un substrat sur lequel est déposée une couche de résine photosensible.
La présente invention a également pour objet un dispositif de génération de lumière dans l'extrême ultraviolet par bréation d'un - plasma d'interaction entre un faisceau laser et un brouillard dense composé de micro-gouttelettes d'un liquide, ce dispositif étant caractérisé en ce que le liquide est un gaz rare liquéfié, en particulier le xénon liquide, et en ce que le dispositif comprend : un réservoir destiné à contenir le liquide, - des moyens d'injection du gaz rare sous pression dans le réservoir, prévus pour pressuriser, par ce gaz rare, le liquide contenu dans le réservoir et soumettre ce liquide à une pression comprise dans l'intervalle allant de 5xl05 Pa à 50xl05 Pa dans le cas du xénon, des moyens de production du liquide contenu dans le réservoir, par liquéfaction du gaz rare qui est injecté dans ce réservoir, le liquide, lorsque le gaz rare est le xénon, étant maintenu à une température comprise dans l'intervalle allant de -70°C à -20°C, une buse dont le diamètre intérieur minimal est compris dans l'intervalle allant de 60 μm à 600 μm et qui est reliée au réservoir,
- une chambre à vide contenant la buse,
- des moyens permettant de faire pénétrer dans la chambre à vide un faisceau laser apte à interagir avec le brouillard, - des moyens permettant de récupérer la lumière produite, en vue de l'utilisation de cette lumière, et des premiers moyens de pompage prévus pour établir dans cette chambre à vide une première pression environ égale ou inférieure à 10"1 Pa, les moyens d'injection et les moyens de production du liquide étant placés dans des conditions de fonctionnement maintenant le gaz rare liquide dans la buse et permettant d'engendrer , dans la chambre à vide, à la sortie de la buse, un brouillard dense et directif de gouttelettes du gaz rare liquéfié dont la taille moyenne est supérieure à 1 μm, en particulier comprise dans l'intervalle allant de 5 μm à 50 μm dans le cas du xénon, ce brouillard dense formant un jet qui est dirigé suivant l'axe de la buse. Selon un mode de réalisation préféré du dispositif objet de l'invention, le gaz rare est le xénon et la pression à laquelle est soumis le xénon liquide contenu dans le réservoir est comprise dans l'intervalle allant de 15xl05 Pa à 25xl05 Pa et la température à laquelle est maintenu le xénon liquide est comprise dans l'intervalle allant de -45°C à -30°C.
Le dispositif objet de l'invention peut comprendre en outre : une paroi qui délimite une zone secondaire et qui est pourvue d'un perçage en regard de la buse, ce perçage se trouvant sur l'axe de cette buse, et
- des deuxièmes moyens de pompage prévus pour établir dans cette zone secondaire une deuxième pression supérieure à la première pression.
De préférence, la paroi comporte un écorceur (en anglais « ski mer ») dont l'axe coïncide avec l'axe de la buse et dontv l'orifice constitue le perçage de la paroi. Le dispositif objet de l'invention peut comprendre en outre un écran thermique qui est percé en regard de la buse pour laisser passer le jet formé par le brouillard dense.
De préférence, la résistivité du matériau constitutif de la buse est supérieure ou égale à 108 Ω.cm, la conductivité thermique de ce matériau est supérieure ou égale à 40 W/mK et l'indice de dureté Vickers du matériau est supérieure ou égale à 8000 N/mm2.
Ce matériau est par exemple une céramique. Cette céramique est de préférence du nitrure d'aluminium.
Le dispositif objet de l'invention peut comprendre en outre un collecteur apte à diriger ou à focaliser la lumière engendrée, vers des moyens d'utilisation de cette lumière.
Ce collecteur peut comporter au moins un réflecteur concave.
Selon un mode de réalisation particulier du dispositif objet de l'invention, ce dispositif comprend en outre des moyens de protection des optiques susceptibles d'être contenues dans le dispositif vis-à- vis d'éventuels débris.
Selon divers modes de réalisation particuliers, ces moyens de protection sont : - des moyens de circulation du gaz rare de la chambre à vide devant la surface de ces optiques qui est exposée à ces débris,
- ou des moyens de chauffage de la -surface de ces optiques qui est exposée à ces débris, - ou des moyens de polarisation positive d'une couche métallique que comportent ces optiques.
La présente invention concerne en outre un appareil de lithographie de substrats semiconducteurs, cet appareil comprenant : - des moyens de support d'un substrat semiconducteur sur lequel est déposée une couche de résine photosensible qui est destinée à être insolée suivant un motif déterminé,
- un masque comprenant le motif déterminé sous une forme agrandie, - un dispositif de génération de lumière dans le domaine extrême ultraviolet conforme à 1' invention,
- des moyens optiques de transmission de la lumière au masque, ce dernier fournissant une image du motif sous forme agrandie, et
- des moyens optiques de réduction de cette image et de projection de l'image réduite sur la couche de résine photosensible.
BRÈVE DESCRIPTION DES DESSINS La présente invention sera mieux comprise à la lecture de la description d'exemples de réalisation donnés ci-après, à titre purement indicatif et nullement limitatif, en faisant référence aux dessins annexés sur lesquels : " la figure 1 est une vue schématique d'un mode de réalisation particulier du dispositif objet de l'invention, pour la génération d'un brouillard dense de gouttelettes de xénon,
• les figures 2 et 3 sont des vues schématiques d'exemple de buses utilisables dans le dispositif de la figure 1,
" la figure 4 est une partie du diagramme de phase du xénon, montrant au dessus de la courbe de pression de vapeur saturante le domaine de fonctionnement du dispositif de la figure 1 (hachuré) et le domaine de fonctionnement optimal de ce dispositif (hachures croisées) , " la figure 5 est une courbe expérimentale représentant l'évolution de l'intensité relative du rayonnement EUV produit en fonction de la température de la buse et du /réservoir du dispositif de la figure 1, et " la figure 6 est une vue schématique d'un appareil de lithographie conforme à l'invention. EXPOSÉ DÉTAILLÉ DE MODES DE RÉALISATION PARTICULIERS
Le dispositif A de génération de brouillard conforme à l'invention, qui est schématiquement représenté sur la figure 1, comprend un réservoir 2 et une buse 4. Cette buse 4 est disposée à proximité du réservoir 2 et communique avec celui-ci.
Ce réservoir 2 est destiné à contenir du xénon liquide 6. Des moyens cryogéniques 8 sont prévus pour produire ce xénon liquide 6 à partir de xénon gazeux 10. De plus, le xénon liquide 6 est pressurisé par ce xénon gazeux 10. Ce dernier est injecté dans le réservoir 2 par l'intermédiaire d'une canalisation 12 et liquéfié par les moyens cryogéniques 8 pour former le xénon liquide 6. A titre d'exemple, ces moyens cryogéniques comprennent un tuyau 8a qui enserre le réservoir et la buse, seules des portions de ce tuyau étant représentées en traits mixtes sur la figure 1, et ce tuyau est parcouru par un fluide cryogénique, par exemple l'azote. En outre, ces moyens cryogéniques 8 comprennent des moyens de régulation (non représentés) , aptes à maintenir le xénon liquide à une température fixe T, avec -70°C<T<-20°C et de préférence -45°C<T<-30°C.
Les conditions de température de la buse 4 et du réservoir 2 et les conditions de pression du xénon gazeux 10 injecté dans le réservoir 2 constituent les paramètres essentiels déterminant la taille des gouttelettes de xénon liquide issues de la buse 4.
Cette buse 4 débouche dans une chambre à vide (« vacuum chamber ») 14 qui est munie de moyens de pompage 16 permettant d'y établir une pression très inférieure à la pression du xénon gazeux 10. Le xénon liquide 6, qui arrive dans la buse
4, est ainsi violemment expulsé à travers le trou 18 de celle-ci dans la chambre à vide 14 et y forme un brouillard dense 20, formé par Tes gouttelettes de xénon liquide. Le brouillard dense 20 forme un jet qui est fortement confiné sur l'axe X de la buse qui est aussi l'axe du trou 18 de cette buse.
On considère maintenant l'application du brouillard dense 20 de gouttelettes de xénon liquide à la génération d'un rayonnement EUV.
Pour exciter ce brouillard 20, on utilise par exemple un laser 22 impulsionnel de type YAG, dont l'énergie par impulsion est de préférence comprise entre 0,2 J et 2 J, et dont la durée d'impulsion est de préférence comprise entre 3 ns et 80 ns . En outre, des moyens de focalisation doivent permettre au faisceau laser d'atteindre, sur la cible, un éclairerαent suffisant pour allumer le plasma, c'est à dire, pour le xénon, un éclairement égal ou supérieur à 5X1011 W/cm2.
Le faisceau 24 fourni par le laser 22 est focalisé, à l'aide d'une lentille 26 ou d'un miroir, sur le brouillard 20.
On précise que, dans l'exemple représenté, le faisceau laser 24 est introduit dans la chambre à vide 14 à travers un hublot 28 transparent à ce faisceau laser et monté sur une paroi de la chambre à vide.
Sur la figure 1, le rayonnement EUV émis par les gouttelettes de xénon liquide est symbolisé par les flèches 30 orientées selon toutes les directions. Toutefois la plus grande quantité de lumière EUV est produite par la demi-sphère de plasma faisant face au faisceau laser, ce plasma résultant de l'interaction entre le brouillard dense et le faisceau laser.
Un ou plusieurs hublots (non représentés) sont prévus sur une ou plusieurs parois de la chambre
14 pour récupérer le rayonnement EUV en vue de son utilisation. Toutefois, on ne sortirait pas du cadre de l'invention en intégrant la so rce à l'intérieur d'un appareil destiné à utiliser le rayonnement produit, notamment si cet appareil fonctionne dans le même environnement gazeux que la source et permet ainsi de se dispenser du hublot. Dans ce cas, la fonction de 1 ' enceinte 14 est remplie par 1 ' enceinte de 1 ' appareil entier. Pour que l'interaction entre le brouillard dense 20 et le faisceau laser focalisé 24 produise un rayonnement EUV 30 optimisé, la taille moyenne des gouttelettes est ajustée en agissant sur la pression du xénon gazeux injecté et sur la température de la buse 4 et du réservoir 2. Préférentiellement, lorsque le gaz rare est du xénon, la pression du xénon gazeux injecté peut être comprise entre 15 bars (15xl05 Pa) et 25 bars (25xl05 Pa) et la température de la buse et du réservoir entre -45°C et -30°C pour que la taille moyenne des gouttelettes soit comprise entre 5 μm et 50 μm.
La régulation de la température de la buse et du réservoir peut être réalisée en utilisant conjointement de l'azote liquide et un moyen quelconque d'apport de chaleur pour maintenir une température donnée. Elle peut aussi être réalisée en utilisant un ou plusieurs modules à effet Peltier ou en utilisant un système réfrigérant classique, ou encore un système fonctionnant en pompe à chaleur. Pour un fonctionnement optimal de la source de rayonnement EUV produit par interaction du faisceau laser focalisé 24 avec le brouillard 20, le matériau de la buse 4, par laquelle le :xénon liquide passe du réservoir 2 à la chambre à vide 14 en étant pulvérisé en gouttelettes, doit avoir les propriétés physiques mentionnées ci-après.
1) Ce matériau doit être électriquement isolant, pour éviter d'éventuels phénomènes de décharge électrique entre la buse 4 et le plasma, formé par interaction . entre le faisceau laser et la cible
(brouillard dense) . La résistivité électrique de ce matériau doit -être supérieure à 108 Ω.cm et peut être préférentiellement de l'ordre de 1014 Ω.cm.
2) Ce matériau doit être un bon conducteur thermique, de manière à garder le xénon à l'état liquide entre l'entrée et la sortie de la buse 4. La conductivité thermique de ce matériau doit être supérieure à 40 W/mK. Préférentiellement , elle peut être de l'ordre de 180 W/mK.
3) Ce matériau doit être suffisamment dur, pour résister à l'écoulement du xénon liquide à travers la buse 4 et à l'abrasion éventuellement provoquée par le plasma qui résulte de l'interaction entre le faisceau laser et la cible formée par le brouillard dense. Son indice de dureté « Vickers » doit être supérieur à 8000 N/mm2 et peut être préférentiellement de l'ordre de 12000 N/mm2.
Le matériau utilisé préférentiellement pour la buse est une céramique, de préférence le nitrure d'aluminium (AlN) . Cependant d'autres céramiques sont utilisables, par exemple l'alumine ou le nitrure de silicium.
Un diaphragme, c'est à dire une simple membrane munie d'un orifice calibré, ou un écorceur 32 peut être prévu dans la chambre à vide 14 et placé face à la buse 4 en vue de faciliter le pompage de la chambre à vide 14, en séparant celle-ci en deux parties distinctes 34 et 36, 1 ' écorceur se distinguant du diaphragme en ce que sa forme en pointe lui permet de moins intercepter le rayonnement EUV, ce qui le rend plus avantageux. Pour ce faire, comme on le voit sur la figure 1, une paroi 38 est prévue pour délimiter la partie 36 par rapport à l'autre partie 34 et l' écorceur 32 prolonge cette paroi 38. L'axe de cet écorceur 32 est confondu avec l'axe X de la buse 4. De plus, cet écorceur est placé à une distance D de la buse 4, qui est comprise entre le voisinage de la zone éclairée et une distance à la buse de 10 mm, et le diamètre intérieur de cet écorceur est compris entre 1 mm et 4 mm.
La partie 34 de la chambre à vide 14, partie qui contient la buse 4 ainsi que le plasma formé par interaction entre le faisceau laser et le jet de gouttelettes, est pompée, par les moyens de pompage 16, jusqu'à l'obtention d'une pression inférieure ou égale à 10"1 Pa dans cette partie 34. Cette valeur de 10"1 Pa est une valeur maximale admissible pour éviter un phénomène de réabsorption trop important du rayonnement EUV par le xénon gazeux présent dans cette partie 34, ou partie supérieure, de la chambre à vide 14.
La partie du brouillard qui n'a pas subi l'interaction avec le faisceau laser traverse l' écorceur 32 pour être pompée^ dans la partie* 36, ou partie inférieure, de la chambre à vide 14. Dans cette partie inférieure 36 de la chambre à vide 14, la pression peut atteindre environ 10 Pa sans que le fonctionnement de la source de rayonnement EUV ne soit détérioré.
Il est préférable que le pompage des deux parties 34 et 36 de la chambre 14 n'engendre aucun hydrocarbure, de manière à ne pas polluer chimiquement les optiques (non représentées) de collection du rayonnement EUV.
Les moyens 16 de pompage de la partie supérieure 34 de la chambre à vide 14 peuvent être constitués, par exemple, d'une ou plusieurs pompes de type turbomoléculaire à paliers magnétiques, associées à des pompes primaires sèches.
Les moyens 16a de pompage de la partie inférieure 36 de la chambre à vide 14 peuvent être constitués d'une ou plusieurs pompes primaires sèches.
De préférence, le matériau de l' écorceur possède les propriétés physiques mentionnées plus haut à propos de la buse 4, afin d'éviter l'érosion de cet écorceur. Le matériau utilisé préférentiellement pour cet écorceur est le nitrure d'aluminium (AIN) ou d'autres céramiques telles que l'alumine ou le nitrure de silicium.
On précise que l' écorceur 32 peut être remplacé par un simple diaphragme formé par une plaque plane fermant la paroi 38 et pourvue d'un perçage situé sur l'axe X, en regard du trou 18 de la buse 4, cette plaque étant faite du même matériau que l' écorceur.
Un écran thermique 39 peut être prévu entre la buse 4 et le point 0 d'interaction du faisceau 24 avec la cible 20, de manière à réduire 1 ' échauffement de la buse qui pourrait être induit par le plasma résultant de cette interaction.
De préférence, cet écran thermique 39 est formé d'un matériau présentant les mêmes caractéristiques physiques que le matériau de la buse (par exemple AIN) , et fixé sur une partie 4a des moyens de génération du brouillard, cette partie étant refroidie par les moyens cryogéniques 8. Cette partie entoure la buse 4 dans l'exemple représenté. Ainsi l'écran thermique est-il refroidi par les moyens cryogéniques 8. Plus généralement, cet écran thermique est de préférence muni de moyens de refroidissement qui peuvent être les moyens servant à liquéfier le xénon gazeux mais qui peuvent aussi être distincts de ces derniers.
La géométrie de la buse 4 est l'un des paramètres influant sur la directivité du jet 20. Les figures 2 et 3 représentent respectivement deux exemples de cette géométrie de la buse. Dans les conditions de pression du xénon gazeux injecté 10 (entre 5xl05 Pa et 50xl05 Pa) et les conditions de température de la buse et du réservoir
(entre -70°C et -20°C) , le diamètre minimal d de la buse ou plus précisément le diamètre minimal du trou 18 de celle-ci, est compris entre 60 μm et 600 μm.
Dans ces mêmes conditions, le trou 18 de la buse 4 peut présenter globalement la forme d'un cône sur toute la longueur de la bύse, comme le montre la figure 2. Le diamètre de ce cône augmente dans le sens de propagation du jet 20. Le demi-angle au sommet β de ce cône peut être compris entre 1 degré et 10 degrés.
En variante, le trou • 18 de la buse 4 présente une forme cylindrique de révolution autour de l'axe X. Quelle que soit la forme (cylindrique ou conique) du trou de la buse, l'extrémité 18a de ce trou qui débouche dans la chambre à vide, peut présenter une forme évasée, sur une longueur 1 comprise entre 0,2 mm et 2 mm, conduisant à un accroissement local du diamètre de la buse, comme le montre la figure 3. Cette forme évasée peut suivre (en coupe longitudinale suivant l'axe X) une courbe circulaire, parabolique, hyperbolique, exponentielle ou logarithmique.
Le choix judicieux de la géométrie de la buse 4 permet d'optimiser la directivité du jet sur l'axe X de propagation de ce jet.
Par exemple, une buse de forme intérieure cylindrique, de diamètre moyen 150um et comportant un évasement de forme circulaire en son extrémité 18a, sur une longueur 1 de 1 mm, permet d'obtenir un brouillard de gouttelettes présentant un demi-angle de divergence α d'environ 3 degrés, pour une température de la buse d'environ -35°C et une pression du xénon gazeux injecté d'environ 20xl05 Pa .
Ce demi-angle de divergence est très faible par comparaison avec celui d'un jet d'agrégats classique (de l'ordre de 20 degrés - voir les documents [1] et [2]) et permet de garder une distance suffisamment importante entre la sortie de la buse et le point d'impact du faisceau laser sur le brouillard, sans réduire l'intensité du rayonnement EUV produit.
Si cette distance n'est pas suffisamment importante, comme dans le cas d'un jet d'agrégats classique (documents [1] et [2]) où elle est inférieure ou égale à 1 mm, un échauffement intense de la sortie de la buse est produit par le plasma induit par l'interaction entre le laser et le jet et provoque une détérioration du jet et une érosion de la buse, érosion qui induit des débris .
Le jet de brouillard dense de gouttelettes de xénon liquide peut être suffisamment directif pour pouvoir conserver une distance comprise entre 1 mm et 5 mm, entre la sortie de la buse et le point d'impact du faisceau laser sur ce jet , ce qui permet d'obtenir une source de rayonnement EUV plus intense et pratiquement exempte de débris matériels . La source de lumière EUV selon l'invention comporte aussi, de façon préférentielle, un collecteur de lumière EUV. Un tel collecteur est constitué d'une optique réflective comme par exemple un ou plusieurs miroirs concaves placés autour de la source, de manière à recevoir le plus possible de rayonnement EUV et à le diriger ou le focaliser vers les moyens d'utilisation de cette lumière. Un tel collecteur, bien connu de l'homme du métier, ne sera pas davantage décrit. Il n'est pas non plus représenté sur les dessins, puisque sa position dépend de la position des moyens d'utilisation de cette lumière, et que ces moyens, eux aussi connus de l'homme du métier, n'ont pas été représentés sur la figure 1.
Enfin, l'invention comporte aussi de manière préférentielle des moyens destinés à protéger les optiques du dispositif (par exemple hublots, dispositifs de focalisation) d'éventuels débris issus de la source, même si la source selon l'invention en génère très peu. Ces moyens peuvent être des moyens pour engendrer un léger soufflage, devant la surface exposée au rayonnement EUV, du gaz ambiant de l'enceinte , même s'il est sous très faible pression. Ils peuvent aussi être constitués de moyens aptes à générer une léger chauffage de ces optiques. Enfin, ils peuvent aussi être constitués de moyens aptes à générer une polarisation positive de la couche métallique que ces optiques comportent généralement, à une tension suffisante pour éloigner les débris ioniques, par exemple quelques centaines de volts ou plus .
La figure 4 est une partie du diagramme de phase du xénon, montrant le domaine de fonctionnement de l'invention (hachuré) dont la pression est comprise entre 5xl05 Pa et 50xlOΞ Pa et la température entre -70°C et -20°C, et qui est situé en outre au dessus de la courbe de pression de vapeur saturante. Elle montre aussi le domaine de fonctionnement optimal (hachures croisées) correspondant à une pression comprise entre 15xl05 Pa et 25xl05 Pa et à une température comprise entre -45°C et -30°C. La courbe des variations de la pression de vapeur saturante P est exprimée en bars (1 bar étant égal à 105 Pa) , en fonction de la température t exprimée en °C .
La partie du diagramme, située en haut et à gauche de cette courbe correspond au xénon liquide (L) tandis que la partie située en bas et à droite correspond au xénon gazeux (G) .
La figure 5 montre, pour un point d'impact du laser situé à 3 mm de la buse et pour une pression de xénon gazeux injecté d'environ 24xl05 Pa, l'évolution de l'intensité relative Ir du rayonnement EUV produit, de longueur d'onde voisine de 13,5 nm, en fonction de la température mesurée T (en °C) du réservoir et de la buse.
Cette figure 5 permet de mettre en évidence la différence d'intensité du rayonnement EUV produit avec un jet d'agrégats de xénon classique et un brouillard dense de gouttelettes de xénon liquide.
La figure 5 se décompose en trois parties distinctes :
Partie I : La température mesurée du réservoir 2 et de la buse 4 est inférieure à -25°C. Dans cette partie I, le diagramme de phase du xénon montre clairement que le xénon est liquide dans ces conditions de température et de pression. Le réservoir 2 contient uniquement du xénon liquide. On est donc en présence d'un jet de brouillard dense de gouttelettes de xénon, formées par la pulvérisation du xénon liquide présent en amont de la buse 4. Le flux de rayonnement EUV produit est élevé.
Partie II : La température mesurée du réservoir et de la buse est comprise entre -25°C et environ -21,3°C. Dans cette partie II, le diagramme de phase du xénon montre que le xénon passe de l'état liquide à l'état gazeux. Le réservoir 2 contient à la fois du xénon liquide et du xénon gazeux. Il s'agit la transition de phase liquide-vapeur. Le flux de rayonnement EUV produit baisse.
- Partie III : La température mesurée du réservoir et de la buse est supérieure à -21,3°C. Dans cette partie III, le diagramme de phase du xénon montre clairement que le xénon est gazeux dans ces conditions de température et de pression. Le réservoir 2 contient uniquement du xénon gazeux. Dans ces conditions de température et de pression, et avec une buse d'un diamètre de 500 μm, un jet classique d'agrégats de xénon est formé, par condensation du xénon gazeux présent en amont de la buse. Le flux de rayonnement EUV produit est faible. Il est environ cinq fois plus faible qu'avec un brouillard dense de gouttelettes de xénon .
La figure 6 illustre très schématiquement l'utilisation du rayonnement EUV obtenu avec un dispositif conforme à l'invention pour la nanolithographie .
L'appareil de nanolithographie schématiquement représenté sur cette figure 6 comprend un dispositif 40 de génération de rayonnement EUV du genre de la source de rayonnement EUV qui a été décrite en faisant référence à la figure 1.
Néanmoins, cet appareil fonctionnant lui aussi sous très faible pression, il peut avoir certains éléments en commun avec la source, notamment des moyens de pompage. Il peut aussi comporter des éléments comme le collecteur de lumière EUV, qui fonctionnellement appartient à la source, mais qui peut mécaniquement être fixé sur l'appareil de gravure sans sortir du cadre de l'invention. Les moyens optionnels de nettoyage des optiques vis à vis des débris de la source peuvent également être mécaniquement implantés sur l'appareil de nanolithographie.
L'appareil de nanolithographie de la figure 6 comprend aussi un support 42 pour le substrat semiconducteur 44 que l'on veut traiter et qui est recouvert d'une couche 46 de résine photosensible destinée à être insolée suivant un motif déterminé. L'appareil comprend auss-i :
- un masque 48 comprenant ce motif sous une forme agrandie,
- des optiques 50 prévues pour mettre en forme un rayonnement EUV référencé 52, issu du dispositif 40, et amener ce rayonnement 52 au masque 48 qui fournit alors une image du motif sous forme agrandie, et des optiques 54 prévues pour réduire cette image agrandie et projeter l'image réduite sur la couche 46 de résine photosensible.
Le support 42, le masque 48 et les optiques 50 et 54 sont disposés dans une chambre à vide non représentée qui, par souci de simplification, est de préférence la chambre à vide dans laquelle on forme le rayonnement EUV d'insolation 52.
L'invention ne s'applique pas seulement à la lithographie, en vue de fabriquer des circuits intégrés à très haut degré d'intégration : le rayonnement EUV produit grâce à la présente invention a de nombreuses autres applications, notamment en science des matériaux et en microscopie. En outre, l'invention n'est pas limitée au xénon. On peut utiliser d'autres gaz rares, tels que l'argon pour former le brouillard dense et produire le rayonnement EUV.
Cependant, pour la lithographie, il est préférable d'utiliser le xénon. L'invention vise à la production de lumière
EUV. Toutefois elle produit un grand nombre de raies allant du domaine visible aux rayons X mous, et peut être utilisée pour toutes les longueurs d'onde produites.

Claims

REVENDICATIONS
1. Procédé de génération de lumière (30) dans l'extrême ultraviolet par création d'un plasma d'interaction entre un faisceau laser (24) et une cible, ce procédé étant caractérisé en ce que : la cible est constituée d'un brouillard dense (20) composé de micro-gouttelettes de liquide, ce liquide étant un gaz rare liquéfié, en particulier le xénon liquide, on produit ce liquide par liquéfaction du gaz rare, on pressurise le liquide par ce gaz rare, à une pression comprise dans l'intervalle allant de 5xl05 Pa à 50xl05 Pa dans le cas du xénon, tout en maintenant ce xénon liquide à une température comprise dans l'intervalle allant de -70°C à -20°C, la pression et la température du gaz étant en outre choisies pour que le gaz rare soit sous forme liquide, on injecte le liquide ainsi pressurisé dans une buse (4) dont le diamètre intérieur minimal est compris dans l'intervalle allant de 60 μm à 600 μm, cette buse débouchant dans une zone où la pression est égale ou inférieure à 10"1 Pa, et l'on engendre ainsi, dans la zone, à la sortie de la buse, un brouillard dense et directif de gouttelettes du ga^ rare liquéfié dont la taille moyenne est supérieure à 1 μm, en particulier comprise dans l'intervalle allant de 5 μm à 50 μm dans le cas du xénon, ce brouillard dense formant un jet qui est dirigé suivant l'axe (X) de la buse, et on focalise en outre un faisceau laser sur le brouillard dense ainsi obtenu, ce faisceau laser étant apte à interagir avec ce brouillard dense pour engendrer une lumière dans le domaine extrême ultraviolet .
2. Procédé selon la revendication 1, dans lequel le gaz rare est le xénon et l'on pressurise le xénon liquide par le xénon gazeux à une pression comprise dans l'intervalle allant de 15xl05 Pa à 25xl05 Pa et l'on maintient ce xénon liquide à une température comprise dans l'intervalle allant de -45°C à -30°C.
3. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 et 2 , dans lequel le gaz rare est le xénon et l'on utilise la lumière engendrée dans le domaine extrême ultraviolet pour l'insolation d'un substrat (44) sur lequel est déposée une couche (46) de résine photosensible.
4. Dispositif de génération de lumière (30) dans l'extrême ultraviolet par création d'un plasma d'interaction entre un faisceau laser (24) et un brouillard dense (20) composé de micro-gouttelettes d'un liquide, ce dispositif étant caractérisé en ce que le liquide est un gaz rare liquéfié, en particulier le xénon liquide, et en ce que le dispositif comprend :
- un réservoir (2) v destiné à contenir le liquide, - des moyens (12) d'injection du gaz rare sous pression dans le réservoir, prévus pour pressuriser, par ce gaz rare, le liquide contenu dans le réservoir et soumettre ce liquide à une pression comprise dans l'intervalle allant de 5xl05 Pa à 50xl05 Pa dans le cas du xénon, - des moyens (8) de production du liquide contenu dans le réservoir, par liquéfaction du gaz rare qui est injecté dans ce réservoir, le liquide, lorsque le gaz rare est le xénon, étant maintenu à une température comprise dans l'intervalle allant de -70°C à -20°C,
- une buse (4) dont le diamètre intérieur minimal est compris dans l'intervalle allant de 60 μm à 600 μm et qui est reliée au réservoir, - une chambre à vide (14) contenant la buse, des moyens (28) permettant de faire pénétrer dans la chambre à vide un faisceau laser apte à interagir avec le brouillard, - des moyens permettant de récupérer la lumière produite, en vue de l'utilisation de cette lumière, et des premiers moyens de pompage (16) prévus pour établir dans cette chambre à vide une première pression environ égale ou inférieure à 10_1 Pa, les moyens d'injection et les moyens de production du liquide étant placés dans des conditions de fonctionnement maintenant le gâz rare liquide dans la buse et permettant d'engendrer , dans la chambre à vide, à la sortie de la buse, un brouillard dense et directif de gouttelettes du gaz rare liquéfié dont la taille moyenne est supérieure à 1 μm, en particulier comprise dans l'intervalle allant de 5 μm à 50 μm dans le cas du xénon, ce brouillard dense formant un jet qui est dirigé suivant l'axe (X) de la buse.
5. Dispositif selon la revendication 4, dans lequel le gaz rare est le xénon et la pression à laquelle est soumis le xénon liquide contenu dans le réservoir (2) est comprise dans l'intervalle allant de 15xl05 Pa à 25xl05 Pa et la température à laquelle est maintenu le xénon liquide est comprise dans l'intervalle allant de -45°C à -30°C.
6. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 4 et 5, comprenant en outre : - une paroi (38) qui délimite une zone secondaire et qui est pourvue d'un perçage en regard de la buse, ce perçage se trouvant sur l'axe (X) de cette buse, et des deuxièmes moyens de pompage (16a) prévus pour établir dans cette zone secondaire une deuxième pression supérieure à la première pression.
7. Dispositif selon la revendication 6, dans lequel la paroi comporte un écorceur (32) dont l'axe coïncide avec l'axe (X) de la buse et dont l'orifice constitue le perçage de la paroi.
8. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 5 à 8, comprenant en outre un écran thermique (39) qui est percé ΘTL regard de la buse pour laisser passer le jet formé par le brouillard dense.
9. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 4 à 8, dans lequel la résistivité du matériau constitutif de la buse (4) est supérieure ou égale à 108 Ω.cm, la conductivité thermique de ce matériau est supérieure ou égale à 40 W/mK et l'indice de dureté Vickers du matériau est supérieure ou égale à 8000 N/mm2.
10. Dispositif selon la revendication 9, dans lequel le matériau est une céramique.
11. Dispositif selon la revendication 10, dans lequel la céramique est du nitrure d'aluminium.
12. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 4 à 11, comprenant en outre un collecteur apte à diriger ou à focaliser la lumière engendrée, vers des moyens d'utilisation de cette lumière .
13. Dispositif selon la revendication 12, dans lequel le collecteur comporte au moins un réflecteur concave.
14. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 4 à 13, comprenant en outre des moyens de protection des optiques susceptibles d'être contenues dans le dispositif, vis-à-vis d'éventuels débris .
15. Dispositif selon la revendication 14, dans lequel ces moyens de protection sont des moyens de circulation du gaz rare de la chambre à vide devant la surface de ces optiques qui est exposée à ces débris .
16. Dispositif selon la revendication 14, dans lequel ces moyens de protection sont des moyens de chauffage de la surface de ces optiques qui est exposée à ces débris.
17. Dispositif selon la revendication 14, dans lequel ces moyens de protection sont des moyens de polarisation positive d'une couche métallique que comportent ces optiques .
18. Appareil de lithographie de substrats semiconducteurs, cet appareil comprenant : - des moyens (48) de support d'un substrat semiconducteur (44) sur lequel est déposée une couche de résine photosensible (46) qui est destinée à être insolée suivant un motif déterminé, - un masque (48) comprenant le motif déterminé sous une forme agrandie,
- un dispositif de génération de lumière dans le domaine extrême ultraviolet conforme à l'une quelconque des revendications 4 à 17 , - des moyens optiques (50) de transmission de la lumière au masque, ce dernier fournissant une image du motif sous forme agrandie, et
- des moyens optiques (54) de réduction de cette image et de projection de l'image réduite sur la couche de résine photosensible.
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JP2002582673A JP2004533704A (ja) 2001-04-18 2002-04-16 特にリソグラフィのための極短紫外の光を生成するための方法及び装置
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005019380A (ja) * 2003-06-26 2005-01-20 Northrop Grumman Corp プラズマが隔離されたレーザ生成プラズマｅｕｖ光源
FR2871622A1 (fr) * 2004-06-14 2005-12-16 Commissariat Energie Atomique Dispositif de generation de lumiere dans l'extreme ultraviolet et application a une source de lithographie par rayonnement dans l'extreme ultraviolet
JP2007519193A (ja) * 2004-01-26 2007-07-12 マツクス−プランク−ゲゼルシャフト ツール フエルデルング デル ヴイツセンシャフテン エー フアウ 真空チャンバ内での固体フィラメントの製造のための方法及び装置
CN100391316C (zh) * 2003-03-18 2008-05-28 皇家飞利浦电子股份有限公司 借助于等离子体产生远紫外线和/或软x射线辐射的装置和方法
EP1418796A3 (fr) * 2002-11-06 2009-08-12 University of Central Florida Foundation, Inc. Réduction de l'érosion dans les cibles pour les sources EUV à plasma engendré par laser
US7619232B2 (en) 2003-06-27 2009-11-17 Xtreme Technologies Gmbh Method and device for producing extreme ultraviolet radiation or soft X-ray radiation
WO2011055376A1 (fr) 2009-11-09 2011-05-12 Tata Institute Of Fundamental Research Source ponctuelle de rayons x laser plasma biologique

Families Citing this family (44)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7405416B2 (en) * 2005-02-25 2008-07-29 Cymer, Inc. Method and apparatus for EUV plasma source target delivery
US7476886B2 (en) * 2006-08-25 2009-01-13 Cymer, Inc. Source material collection unit for a laser produced plasma EUV light source
DE10213482B4 (de) * 2002-03-22 2007-09-27 Xtreme Technologies Gmbh Detektoranordnung zur Impulsenergiemessung von gepulster Röntgenstrahlung
DE102004005241B4 (de) * 2004-01-30 2006-03-02 Xtreme Technologies Gmbh Verfahren und Einrichtung zur plasmabasierten Erzeugung weicher Röntgenstrahlung
JP2005235959A (ja) * 2004-02-18 2005-09-02 Canon Inc 光発生装置及び露光装置
DE102004036441B4 (de) * 2004-07-23 2007-07-12 Xtreme Technologies Gmbh Vorrichtung und Verfahren zum Dosieren von Targetmaterial für die Erzeugung kurzwelliger elektromagnetischer Strahlung
TWI305296B (en) * 2004-07-27 2009-01-11 Cymer Inc Systems and methods for reducing the influence of plasma-generated debris on the internal components of an euv light source
JP4517147B2 (ja) * 2004-11-26 2010-08-04 国立大学法人 宮崎大学 極端紫外光源装置
CN100498420C (zh) * 2005-11-04 2009-06-10 中国科学院电工研究所 极紫外激光等离子体光源碎片隔离器
JP5215540B2 (ja) * 2006-07-18 2013-06-19 ギガフォトン株式会社 ターゲット物質供給装置
CN101111119B (zh) * 2006-07-20 2011-05-18 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 一种微流靶激光等离子体软x射线-极紫外光源
JP2008193014A (ja) * 2007-02-08 2008-08-21 Komatsu Ltd Ｌｐｐ型ｅｕｖ光源装置用ターゲット物質供給装置及びシステム
KR100841478B1 (ko) * 2007-08-28 2008-06-25 주식회사 브이엠티 다중 모세관의 장착이 가능한 액체 타겟 공급 장치 및 이를구비한 ｘ선 및 극자외선 광원 발생 장치
JP5133740B2 (ja) 2008-03-10 2013-01-30 ギガフォトン株式会社 極端紫外光源装置
WO2009140270A2 (fr) * 2008-05-13 2009-11-19 The Regents Of The University Of California Système et procédé pour source de lumière utilisant un plasma produit par laser
JP5551426B2 (ja) * 2008-12-19 2014-07-16 ギガフォトン株式会社 ターゲット供給装置
JP5455661B2 (ja) * 2009-01-29 2014-03-26 ギガフォトン株式会社 極端紫外光源装置
WO2011082894A1 (fr) * 2010-01-07 2011-07-14 Asml Netherlands B.V. Source de rayonnement ultraviolet extrême (uve) et dispositif lithographique
KR101748461B1 (ko) 2010-02-09 2017-06-16 에너제틱 테크놀로지 아이엔씨. 레이저 구동 광원
CN102137539A (zh) * 2010-11-19 2011-07-27 成都中核高通同位素股份有限公司 用于反应堆辐照生产碘-125的氙气靶件及其制备方法
JP5973567B2 (ja) * 2011-08-12 2016-08-23 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． 放射源、放射システム、リソグラフィ装置、および燃料液滴を捕集する方法
US8879064B2 (en) * 2011-12-23 2014-11-04 Electro Scientific Industries, Inc. Apparatus and method for transporting an aerosol
JP2012256608A (ja) * 2012-08-17 2012-12-27 Gigaphoton Inc ターゲット物質供給装置
CN103217870B (zh) * 2013-04-19 2014-08-13 中国科学院上海光学精密机械研究所 激光束引导的液滴靶控制系统
IL234727B (en) 2013-09-20 2020-09-30 Asml Netherlands Bv A light source operated by a laser in an optical system corrected for deviations and the method of manufacturing the system as mentioned
IL234729B (en) 2013-09-20 2021-02-28 Asml Netherlands Bv A light source operated by a laser and a method using a mode mixer
US9741553B2 (en) 2014-05-15 2017-08-22 Excelitas Technologies Corp. Elliptical and dual parabolic laser driven sealed beam lamps
US10186416B2 (en) 2014-05-15 2019-01-22 Excelitas Technologies Corp. Apparatus and a method for operating a variable pressure sealed beam lamp
EP3457429B1 (fr) 2014-05-15 2023-11-08 Excelitas Technologies Corp. Lampe étanche à pression réglable commandée par un laser
US10008378B2 (en) 2015-05-14 2018-06-26 Excelitas Technologies Corp. Laser driven sealed beam lamp with improved stability
US9576785B2 (en) 2015-05-14 2017-02-21 Excelitas Technologies Corp. Electrodeless single CW laser driven xenon lamp
US10057973B2 (en) 2015-05-14 2018-08-21 Excelitas Technologies Corp. Electrodeless single low power CW laser driven plasma lamp
US10880979B2 (en) * 2015-11-10 2020-12-29 Kla Corporation Droplet generation for a laser produced plasma light source
EP3214635A1 (fr) * 2016-03-01 2017-09-06 Excillum AB Source de rayons x cible liquide avec outil de mélange à jet
US10310380B2 (en) * 2016-12-07 2019-06-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. High-brightness light source
US10109473B1 (en) 2018-01-26 2018-10-23 Excelitas Technologies Corp. Mechanically sealed tube for laser sustained plasma lamp and production method for same
CN114830026B (zh) * 2019-10-17 2025-07-11 Asml荷兰有限公司 照射源和相关的量测设备
EP3968739A1 (fr) * 2020-09-09 2022-03-16 Deutsches Elektronen-Synchrotron DESY Appareil et procédé de génération de rayons x par irradiation laser de gouttelettes d'hélium superfluide
US11587781B2 (en) 2021-05-24 2023-02-21 Hamamatsu Photonics K.K. Laser-driven light source with electrodeless ignition
US12165856B2 (en) 2022-02-21 2024-12-10 Hamamatsu Photonics K.K. Inductively coupled plasma light source
US12144072B2 (en) 2022-03-29 2024-11-12 Hamamatsu Photonics K.K. All-optical laser-driven light source with electrodeless ignition
US12033845B2 (en) * 2022-04-18 2024-07-09 Kla Corporation Laser-sustained plasma source based on colliding liquid jets
US12156322B2 (en) 2022-12-08 2024-11-26 Hamamatsu Photonics K.K. Inductively coupled plasma light source with switched power supply
US20240431012A1 (en) * 2023-06-22 2024-12-26 Kla Corporation Acoustic Xenon Droplet Generator

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4692934A (en) * 1984-11-08 1987-09-08 Hampshire Instruments X-ray lithography system
EP0858249A1 (fr) * 1997-02-07 1998-08-12 Hitachi, Ltd. Source à rayons X à plasma produit par laser, et appareil pour la lithographie sur semi-conducteur et méthode pour son utilisation
WO1999056521A2 (fr) * 1998-05-06 1999-11-11 American Technologies Group, Inc. Procede et dispositif de production de neutrons et autres particules
US6002744A (en) * 1996-04-25 1999-12-14 Jettec Ab Method and apparatus for generating X-ray or EUV radiation
US6031241A (en) * 1997-03-11 2000-02-29 University Of Central Florida Capillary discharge extreme ultraviolet lamp source for EUV microlithography and other related applications
JP2000098094A (ja) * 1998-09-21 2000-04-07 Nikon Corp Ｘ線発生装置
FR2799667A1 (fr) * 1999-10-18 2001-04-20 Commissariat Energie Atomique Procede et dispositif de generation d'un brouillard dense de gouttelettes micrometriques et submicrometriques, application a la generation de lumiere dans l'extreme ultraviolet notamment pour la lithographie

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5577091A (en) * 1994-04-01 1996-11-19 University Of Central Florida Water laser plasma x-ray point sources
US5577092A (en) * 1995-01-25 1996-11-19 Kublak; Glenn D. Cluster beam targets for laser plasma extreme ultraviolet and soft x-ray sources
US6190835B1 (en) * 1999-05-06 2001-02-20 Advanced Energy Systems, Inc. System and method for providing a lithographic light source for a semiconductor manufacturing process
US6377651B1 (en) * 1999-10-11 2002-04-23 University Of Central Florida Laser plasma source for extreme ultraviolet lithography using a water droplet target
US6324256B1 (en) * 2000-08-23 2001-11-27 Trw Inc. Liquid sprays as the target for a laser-plasma extreme ultraviolet light source
US6760406B2 (en) * 2000-10-13 2004-07-06 Jettec Ab Method and apparatus for generating X-ray or EUV radiation
US6657213B2 (en) * 2001-05-03 2003-12-02 Northrop Grumman Corporation High temperature EUV source nozzle

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4692934A (en) * 1984-11-08 1987-09-08 Hampshire Instruments X-ray lithography system
US6002744A (en) * 1996-04-25 1999-12-14 Jettec Ab Method and apparatus for generating X-ray or EUV radiation
EP0858249A1 (fr) * 1997-02-07 1998-08-12 Hitachi, Ltd. Source à rayons X à plasma produit par laser, et appareil pour la lithographie sur semi-conducteur et méthode pour son utilisation
US6031241A (en) * 1997-03-11 2000-02-29 University Of Central Florida Capillary discharge extreme ultraviolet lamp source for EUV microlithography and other related applications
WO1999056521A2 (fr) * 1998-05-06 1999-11-11 American Technologies Group, Inc. Procede et dispositif de production de neutrons et autres particules
JP2000098094A (ja) * 1998-09-21 2000-04-07 Nikon Corp Ｘ線発生装置
FR2799667A1 (fr) * 1999-10-18 2001-04-20 Commissariat Energie Atomique Procede et dispositif de generation d'un brouillard dense de gouttelettes micrometriques et submicrometriques, application a la generation de lumiere dans l'extreme ultraviolet notamment pour la lithographie

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
HANSSON B A M ET AL: "A Liquid-Xenon-Jet Laser-Plasma X-Ray and EUV Source", MICROELECTRONIC ENGINEERING, ELSEVIER PUBLISHERS BV., AMSTERDAM, NL, vol. 53, no. 1-4, June 2000 (2000-06-01), pages 667 - 670, XP004237859, ISSN: 0167-9317 *
PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 2000, no. 07 29 September 2000 (2000-09-29) *

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1418796A3 (fr) * 2002-11-06 2009-08-12 University of Central Florida Foundation, Inc. Réduction de l'érosion dans les cibles pour les sources EUV à plasma engendré par laser
CN100391316C (zh) * 2003-03-18 2008-05-28 皇家飞利浦电子股份有限公司 借助于等离子体产生远紫外线和/或软x射线辐射的装置和方法
JP2005019380A (ja) * 2003-06-26 2005-01-20 Northrop Grumman Corp プラズマが隔離されたレーザ生成プラズマｅｕｖ光源
US7619232B2 (en) 2003-06-27 2009-11-17 Xtreme Technologies Gmbh Method and device for producing extreme ultraviolet radiation or soft X-ray radiation
JP2007519193A (ja) * 2004-01-26 2007-07-12 マツクス−プランク−ゲゼルシャフト ツール フエルデルング デル ヴイツセンシャフテン エー フアウ 真空チャンバ内での固体フィラメントの製造のための方法及び装置
FR2871622A1 (fr) * 2004-06-14 2005-12-16 Commissariat Energie Atomique Dispositif de generation de lumiere dans l'extreme ultraviolet et application a une source de lithographie par rayonnement dans l'extreme ultraviolet
WO2006000718A1 (fr) * 2004-06-14 2006-01-05 Commissariat A L'energie Atomique Dispositif de generation de lumiere dans l' extreme ultraviolet et application a une source de lithographie par rayonnement dans l'extreme ultraviolet
US7399981B2 (en) 2004-06-14 2008-07-15 Commissariat Energie Atomique Apparatus for generating light in the extreme ultraviolet and use in a light source for extreme ultraviolet lithography
CN100541336C (zh) * 2004-06-14 2009-09-16 原子能源局 产生远紫外区中光的设备及其对利用远紫外区中辐射的光刻源的应用
WO2011055376A1 (fr) 2009-11-09 2011-05-12 Tata Institute Of Fundamental Research Source ponctuelle de rayons x laser plasma biologique

Also Published As

Publication number Publication date
JP2004533704A (ja) 2004-11-04
CN1618259A (zh) 2005-05-18
TW543099B (en) 2003-07-21
KR20030090745A (ko) 2003-11-28
US20040129896A1 (en) 2004-07-08
FR2823949A1 (fr) 2002-10-25
EP1382230A1 (fr) 2004-01-21
RU2003133464A (ru) 2005-01-27

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