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WO2000045360A1 - Electrooptic panel, projection display, and method for manufacturing electrooptic panel - Google Patents

Electrooptic panel, projection display, and method for manufacturing electrooptic panel Download PDF

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Publication number
WO2000045360A1
WO2000045360A1 PCT/JP2000/000368 JP0000368W WO0045360A1 WO 2000045360 A1 WO2000045360 A1 WO 2000045360A1 JP 0000368 W JP0000368 W JP 0000368W WO 0045360 A1 WO0045360 A1 WO 0045360A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
electro
substrates
optical panel
sealing material
pair
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/JP2000/000368
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Hiromi Saitoh
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP2000596545A priority Critical patent/JP3624834B2/ja
Priority to US09/622,838 priority patent/US6636192B1/en
Publication of WO2000045360A1 publication Critical patent/WO2000045360A1/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Ceased legal-status Critical Current

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    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1339Gaskets; Spacers; Sealing of cells

Definitions

  • Electro-optical panel, projection display device, and method of manufacturing electro-optical panel are Electro-optical panel, projection display device, and method of manufacturing electro-optical panel.
  • the present invention relates to an electro-optical panel in which an electro-optical material such as a liquid crystal is sealed between a pair of substrates, a projection display device using the electro-optical panel, and a method of manufacturing the electro-optical panel. More specifically, the present invention relates to a technique for securing a gap of a predetermined size between a pair of substrates. (Background technology)
  • a pixel electrode 8 and a thin film transistor for pixel switching are formed on the surface of a transparent substrate such as quartz glass.
  • a transparent substrate such as quartz glass.
  • TFT TFT array substrate
  • an electro-optical material 39 such as a liquid crystal enclosed and sandwiched between these substrates.
  • the TFT array substrate 2 and the opposing substrate 3 are adhered to each other by a predetermined gap with a sealing material 200 ′ containing a gap material, and an electro-optical material 39 is sealed in the gap.
  • the region 37 is defined by the sealing material 200 '.
  • a sealing material 200 ′ containing a gap material a material obtained by combining glass beads or the like with an epoxy resin or acryl resin adhesive component as a gap material has been used.
  • the pixel electrode 8 is opposed to the pixel electrode 8 on the TFT array substrate 2 by a data line (not shown) and an image signal applied to the pixel # 18 via the TFT 10.
  • the alignment state of the electro-optical material 39 is controlled for each pixel between the two, and a predetermined image corresponding to the image signal is displayed. Therefore, in the TFT array substrate 2, it is necessary to supply an image signal to the pixel electrode 8 via the data line and the TFT 10 and to apply a predetermined potential to the counter electrode 32. Therefore, in the electro-optical panel 1 ′, the data line etc.
  • the first electrode 47 for inter-substrate conduction is formed with the help of the formation process of the counter electrode, while the second electrode for the inter-substrate conduction is formed on the side of the counter substrate 3 with the help of the formation process of the counter electrode 32.
  • a pole 48 is formed, and the first electrode 47 and the second electrode 48 for inter-substrate conduction are connected to an epoxy resin-based or acryl resin-based adhesive component by silver powder or gold-coated fiber. Electrical conduction is achieved by a conductive material 56 containing one or more conductive particles. Therefore, in the electro-optical panel 1 ′, the flexible wiring board 999 etc.
  • a predetermined signal can be input to both the TFT array substrate 2 and the opposing substrate 3.
  • attempts have been made to improve the display quality by narrowing the gap dimension (cell thickness) between the TFT array substrate 2 and the counter substrate 3 to about 2 ⁇ m. If such a thin cell thickness is to be ensured only by the gap material blended into the surrounding sealing material 200 ', the variation will increase as much as the cell thickness is reduced.
  • the thickness variation of the layer of the electro-optical material 39 becomes large, which causes unnatural light and darkness on the display screen and variation in the response speed of the electro-optical material 39, thereby deteriorating the display quality.
  • the thickness variation of the layer of the electro-optical material 39 becomes large, which causes unnatural light and darkness on the display screen and variation in the response speed of the electro-optical material 39, thereby deteriorating the display quality.
  • the electro-optical panel 1 ′ In the electro-optical panel 1 ′, an attempt has been made to improve the display quality by narrowing the gap dimension (cell thickness) between the TFT array substrate 2 and the counter substrate 3 to about 2 ⁇ m. However, if such a thin cell thickness is to be ensured only by the gap material blended into the peripheral sealing material 200 ′, the variation becomes large due to the thin cell thickness. As a result, the variation in the thickness of the layer of the electro-optical material 39 becomes large, causing unnatural light and darkness on the display screen and the variation in the response speed of the electro-optical material 39, thereby deteriorating the display quality. However, there is a problem that it decreases.
  • the cell thickness is controlled by spraying a spacer material on the image display area 37.
  • Controlled configuration is conceivable.
  • the electro-optical panel 1 ′ in which a spacer material is scattered in the image display area 37 is used for a projection display device, the scattered spacer material is densely gathered, and the light transmittance is reduced at a place where the spreader material is gathered. Therefore, there is a problem that such a defect is directly enlarged and projected on a screen.
  • an object of the present invention is to provide an electro-optical panel having a high gap size accuracy and a uniform gap size over the entire image display area, a projection display device using the electro-optical panel, And a method for manufacturing an electro-optical panel.
  • an electro-optical material is sandwiched between a pair of substrates, and the pair of substrates is bonded and fixed to each other with a sealing material.
  • an electro-optical panel having an image display area including a plurality of pixels
  • one of the pair of substrates has a projection protruding toward the other substrate and abutting on the other substrate. And the protrusion is formed in a region surrounding the pixel region.
  • the gap dimension (cell thickness) between the substrates is controlled by bringing the protrusion formed on one substrate into contact with the other substrate.
  • the gap size can be controlled with a higher degree of accuracy than a control configuration.
  • the projection is formed so as to surround the image display area, it is possible to suppress variation in the gap size between the substrates over the entire image display area. Therefore, it is possible to realize an electro-optical panel having high accuracy of the gap size even in a narrow gap and having a uniform gap size over the entire image display area. Also, since there is no need to put a gap material in the seal material, even if there is a self-line under the seal material, it is possible to prevent these lines from being crushed and broken by the gap material. it can.
  • the protrusion is formed, for example, along one of an inner peripheral edge and an outer peripheral edge of the formation region of the sealing material.
  • the protrusion has a first protrusion along an inner peripheral edge of a formation region of the seal material and a second protrusion along an outer peripheral edge
  • the seal material includes the first protrusion and the second protrusion.
  • it is formed in a region sandwiched between the protrusions. Configuration like this Then, the seal material is blocked by the first protrusion and the second protrusion, so that when the unhardened seal material is applied or when the seal material is heated, the seal material may protrude to an unnecessary part. Absent. Therefore, a thermosetting material can be used as the seal material.
  • an electro-optical substance is sandwiched between a pair of substrates, the pair of substrates is bonded and fixed to each other with a sealant, and a plurality of pixels are formed in a formation region of the sealant.
  • An electro-optical panel having an image display area, wherein one of the pair of substrates has a projection protruding toward the other substrate and abutting on the other substrate.
  • a conductive material forming region for electrically connecting conductive layers formed on each of the substrates For example, it is preferable that the projection is formed so as to surround a region where the conductive material is formed.
  • thermosetting adhesive can be used as the adhesive component of the conductive material.
  • the sealing material is formed so as to at least partially overlap with a light shielding film formed around the image display area.
  • the seal material extends to the light-shielding film, so that the adhesion by the seal material can be improved.
  • the protrusion is made of an elastically deformable material and is crushed between the pair of substrates. With this configuration, a force is applied between the substrates to expand the substrates so that the crushed protrusions return to the original ⁇ e, while the substrates are fixed to each other with a sealant.
  • the gap size between the substrates can be made uniform.
  • the pair of substrates includes, for example, a transistor array substrate in which pixel electrodes and pixel switching thin film transistors are formed in a matrix, and a counter substrate in which counter electrodes are formed.
  • a projection display device using such an electro-optical panel
  • a light source a condensing optical system for guiding light emitted from the light source to the electro-optical panel
  • An expansion projection optical system for expanding and projecting the modulated light is arranged.
  • the sealing material is applied, and then the pair of substrates is pressed. The sealing material is hardened.
  • the sealing material is applied to a region sandwiched between the first projection and the second projection, and then the sealing material is hardened while pressing the pair of substrates. With this configuration, when the uncured sealing material is applied, the sealing material is blocked by the projections, so that it does not protrude to an unnecessary part.
  • the conductive material is applied to a region surrounded by the protrusion.
  • the pair of substrates be pressed to stiffen the sealing material and the conductive material simultaneously or separately.
  • the conductive material is blocked by the projections, so that it does not protrude to an unnecessary part.
  • a sealing material is applied to the one substrate, and then It is preferable that the projection is elastically deformed while pressing the pair of substrates, and the sealing material is hardened in this state.
  • an electro-optical substance is sandwiched between a pair of substrates, the pair of substrates is bonded and fixed to each other with a sealing material, and an image including a plurality of pixels is formed inside a formation region of the sealing material.
  • the electro-optical panel having a display area one of the pair of substrates is formed with a projection protruding toward the other substrate and abutting on the other substrate. It is characterized by being scattered at a predetermined position in the area.
  • the gap dimension (cell thickness) between the substrates is controlled by bringing the protrusions formed on one substrate into contact with the other substrate.
  • the gap size can be controlled with higher accuracy as compared with a configuration in which the gap size is controlled by using.
  • the projections are formed so as to be scattered in the image display area, There is no variation in the gap size between the substrates in the entire region. Therefore, it is possible to realize an electro-optical panel having high accuracy of the gap size even in a narrow gap and having a uniform gap size over the entire image display area. Further, in such an electro-optical panel, even when the projection is formed in the image display area, the projection does not concentrate on a certain area in the image display area. Further, since it is not necessary to put a gap material in the seal material, even if wires are provided below the seal material, it is possible to prevent the wires from being crushed by the gap material and being disconnected.
  • the protrusion is formed in a non-opening area through which light does not pass in each pixel formed in the image display area.
  • the protrusion is formed at the same position in each pixel formed in the image display area. That is, it is preferable that the protrusions are formed on the same coordinates in each pixel. With this configuration, the projections are formed at the same height in each pixel, so that the gap size between the substrates can be made more constant. Therefore, even when a substrate having a large step is used, a certain gap can be secured between the substrate and the other substrate.
  • the protrusion has a cylindrical column ⁇ K.
  • the protrusion is formed at a higher density in a peripheral region in the image display region than in a central region.
  • the center of the panel may swell depending on the timing of injecting an electro-optical material such as liquid crystal between the substrates.
  • the electro-optical material is injected into the image display area, the central area expands, and the gap in this area is increased. Even if the size is slightly larger, such an increase is absorbed by the difference in the gap size before the electro-optical material is injected. Be relaxed. Therefore, the size of the gap between the substrates can be made uniform over the entire image display area.
  • the protrusions are formed at a higher density in one region in the image display region than in the other region.
  • a sealing material is applied, and then the sealing material is hardened while applying a force to fill a gap between the pair of substrates. If a region where the magnitude of the force is constantly generated when pressing a pair of substrates is known, the protrusions may be formed at a density that absorbs and relaxes the region. That is, since the projections are formed on one of the substrates with a predetermined distribution in consideration of the habit of an apparatus for bonding the substrates, the gap between the substrates can be made uniform over the entire image display area.
  • the protrusion is made of an elastically deformable material and is crushed between the pair of substrates.
  • the crushed projections between the substrates apply a force to spread the substrates in order to return to the original shape.
  • the dimension of the gap between the substrates can be made uniform.
  • the pair of substrates includes, for example, a transistor array substrate in which pixel electrodes and pixel switching thin film transistors are formed in a matrix, and a counter substrate in which counter electrodes are formed.
  • a projection display device using such an electro-optical panel
  • a light source a condensing optical system for guiding light emitted from the light source to the electro-optical panel
  • An expansion projection optical system for expanding and projecting the modulated light is arranged.
  • the sealing material is applied, and then the sealing is performed while pressing the pair of substrates. It is characterized in that the material is hardened.
  • a sealing material is applied to the one substrate, and then It is preferable that the pair of substrates is pressed to elastically deform the protrusion, and the sealing material is cured in this state. With this configuration, Between the substrates, the crushed projections return to the original dog, and a force is applied to expand the substrates.On the other hand, the substrates are fixed with a sealing material, so the gap between the substrates is uniform. Can be
  • an electro-optical substance is sandwiched between a pair of substrates, the pair of substrates is adhered and fixed by a sealant, and an image display including a plurality of pixels is formed in a region where the sealant is formed.
  • the electro-optical panel having a region one of the pair of substrates has a protrusion protruding toward the other substrate and abutting on the other substrate, and the protrusion defines the pixel region. It is characterized by being arranged so as to face a light-shielding film formed in a surrounding region.
  • the gap dimension (cell thickness) between the substrates is controlled by bringing the protrusions formed on one substrate into contact with the other substrate, so that the gap material is mixed with the sealing material.
  • the gap size can be controlled with higher accuracy as compared with the configuration for controlling the size.
  • the projection is formed so as to surround the image display area, it is possible to suppress variation in the gap size between the substrates over the entire image display area.
  • the projection is provided so as to face the light-shielding film, the projection can be provided by effectively using the non-display area. .
  • the present invention is characterized in that the projections are arranged so as to fit within the width of the light-shielding film in plan view. According to the present invention, since the projection is within the width of the light shielding film in a plan view, it is possible to prevent the projection from affecting the display area.
  • FIG. 1 is a plan view of the electro-optical panel according to Embodiment 1 of the present invention when viewed from a counter substrate side.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view of the electro-optical panel taken along the line ⁇ _ ⁇ ′ in FIG.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view of a panel end showing a TFT array substrate, a counter substrate, and a bonding structure of these substrates when cut along a line ⁇ ′— ⁇ in FIG.
  • FIG. 4 is a block diagram schematically showing the configuration of the electro-optical panel shown in FIG.
  • FIG. 5 is a plan view of a part of the pixel of the electro-optical panel shown in FIG.
  • Fig. 6 shows the electro-optical panel when cut at the position corresponding to the line A-A 'in Fig. 5. It is sectional drawing.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view showing a state immediately before bonding the substrates as shown in FIG.
  • FIG. 8 is a plan view of the electro-optical panel according to Embodiment 2 of the present invention when viewed from the counter substrate side.
  • FIGS. 9A and 9B are a cross-sectional view of the electro-optical panel and a plan view of a conductive portion between the substrates, respectively.
  • Fig. 10 shows (A) and (B), respectively, a cross-sectional view of the end of the electro-optical panel showing the state before the substrates are attached to each other as shown in Fig. 9 (A), and the conduction between the substrates FIG.
  • FIG. 11 is a plan view of the electro-optical panel according to Embodiment 3 of the present invention when viewed from the counter substrate side.
  • FIG. 12 is a plan view showing a part of pixels of the electro-optical panel shown in FIG.
  • FIG. 13 is a cross-sectional view of the electro-optical panel when cut at a position corresponding to line AA ′ in FIG.
  • FIG. 14 is a cross-sectional view showing a state before the substrates are bonded to each other as shown in FIG.
  • FIG. 15 is an explanatory diagram showing a distribution of protrusions in an electro-optical panel according to an improved example of Embodiment 3 of the present invention.
  • FIG. 16 is an explanatory diagram showing a distribution of protrusions in an electro-optical panel according to another improved example of Embodiment 3 of the present invention.
  • FIGS. 17A and 17B are explanatory diagrams showing states in which projections and sealing materials are formed or applied to different substrates in an electro-optical panel according to a modification of Embodiment 1 of the present invention.
  • FIG. 3 is an explanatory view showing a state in which these substrates are bonded together.
  • FIG. 18 is a general view of a projection display (projector) showing an example of use of an electro-optical panel to which the present invention is applied.
  • FIG. 19 is a plan view of a conventional electro-optical panel viewed from a counter substrate side.
  • FIG. 20 is a cross-sectional view of the electro-optical panel taken along line H′-H ⁇ in FIG. 19 and a plan view of a conductive portion between the substrates.
  • FIG. 21 is an explanatory view showing a state where projections are formed and substrates are bonded to each other in the electro-optical panel according to Embodiment 4 of the present invention.
  • FIG. 1 is a plan view of the electro-optical panel according to the present embodiment as viewed from a counter substrate side.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view of the electro-optical panel taken along line HH ′ in FIG.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view of a panel end showing a TFT array substrate, a counter substrate, and a bonding structure of these substrates used in the electro-optical panel of the present embodiment.
  • an electro-optical panel 1 used for a projection display device or the like is a TFT array substrate in which transparent pixel electrodes 8 are formed in a matrix on a surface of quartz glass 30. 2, a counter substrate 3 also having a transparent counter surface 32 formed on the surface of quartz glass 31, and an electro-optical material 39 such as a liquid crystal sealed or sandwiched between these substrates. ing.
  • the TFT array substrate 2 and the opposing substrate 3 are adhered to each other by a sealing material 200 formed along the outer peripheral edge of the opposing substrate 3 via a predetermined gap. Further, between the TFT array substrate 2 and the counter substrate 3, an electro-optical material enclosing region 40 is defined by a sealing material 200, and the electro-optical material 3 such as a liquid crystal is formed in the image display region 37. 9 is enclosed.
  • the gap size (cell thickness) between the TFT array substrate 2 and the counter substrate 3 is ensured by a protrusion protruding from the TFT array substrate 2 toward the counter substrate 3 as described later. Therefore, it is not necessary for the sealing material 200 used in the present embodiment to contain a gap material, unlike the related art.
  • the opposing substrate 3 is smaller than the TFT array substrate 2, and the peripheral portion of the TFT array substrate 2 is bonded so as to protrude from the outer peripheral edge of the opposing substrate 3. Therefore, the driving circuit (scanning line driving circuit 70 ⁇ de-emphasis line driving circuit 60) and the input / output terminals 45 of the TFT array substrate 2 are exposed from the opposite substrate 3, and Flexible wiring board 99 can be connected.
  • the sealing material 200 is partially interrupted, the electro-optical material injection port 241 is formed by the interrupted portion.
  • the electro-optical material 39 can be removed from the electro-optical material inlet 24 1.
  • the electro-optical material injection port 241 may be closed with a sealant 242.
  • a light-shielding film 55 is formed on the counter substrate 3 around the image display area 37 inside the formation area of the sealant 200.
  • the counter substrate 3 has a TFT array.
  • a light-shielding film 6 is formed in a region corresponding to a boundary region between the pixel electrodes 8 on the substrate 2
  • the electro-optical panel 1 of the present embodiment is used, for example, in a projection display device (projector).
  • a projection display device projector
  • three electro-optical panels 1 are used as light knobs for R GB, respectively, and each of the electro-optical panels 1 is disassembled through a dichroic mirror for R GB color separation. The light of each color is incident as projection light. Therefore, no color filter is formed on the electro-optical panel 1 of the present embodiment.
  • a color display device such as a color liquid crystal television is constructed in addition to the projection display device by forming a color filter of R GB in a region facing each pixel electrode 8 on the counter substrate 3 together with its protective film. can do.
  • a dichroic filter that creates RGB colors using light interference may be formed. According to the counter substrate with the dichroic fill, a brighter color display can be performed. Further, on the light incident side surface or the light emitting side of the opposing substrate 3 and the TFT array substrate 2, the type of electro-optical material 39 used, that is, TN (twisted nematic) mode, STN (super TN) ) Mode, D-STN (Double-STN) mode, etc., and the polarizing film, retardation film, polarizing plate, etc. are arranged in a predetermined direction according to the normal white mode / normally black mode. You.
  • the TFT array substrate 2 uses a pixel line (not shown) and an image signal applied to the pixel via the TFT 10 to generate a signal between the pixel and the opposite S 232. During this time, the orientation state of the electro-optical material 39 is controlled for each pixel, and a predetermined image corresponding to the image signal is displayed. Therefore, in the TFT array substrate 2, it is necessary to supply an image signal to the pixel electrode 8 via the data line and the TFT 10, and to apply a predetermined potential to the counter electrode 32.
  • a portion of the surface of the TFT array substrate 2 facing each corner of the opposing substrate 3 is formed of an aluminum film (light-shielding material) with the aid of a formation process such as a delineation line.
  • a first electrode 47 for inter-substrate conduction is formed.
  • the formation process of the counter electrode 3 is applied to a part of each corner of the counter substrate 3.
  • a second SIS 48 for inter-substrate conduction is formed of a transparent conductive film (Indium Tin Oxide: IT ⁇ film).
  • the first electrode 47 and the second electrode 48 for inter-substrate conduction are formed of an epoxy resin-based acryl resin-based adhesive component mixed with conductive particles such as silver powder and gold-plated fiber.
  • the flexible wiring board 99 is connected only to the TFT array substrate 2 without connecting the flexible wiring board and the like to the TFT array substrate 2 and the opposing substrate 3 only.
  • a predetermined signal can be input to both the TFT array substrate 2 and the counter substrate 3.
  • FIG. 4 is a block diagram schematically showing a configuration of the electro-optical panel
  • FIG. 5 is a plan view showing by extracting a part of the pixel in the electro-optical panel
  • FIG. 4 is a cross-sectional view of the TFT array substrate taken along line ⁇ - ⁇ ′.
  • each of a plurality of pixels formed in a matrix forming an image display area 37 of the electro-optical panel 1 includes a scanning line 91 and a data line.
  • a data line 90 which includes a line 90, a pixel electrode 8, and a TFT 10 for controlling the pixel Sffi8, is supplied with an image signal.
  • the data line 90 is electrically connected to a source of the TFT 10.
  • the scanning lines 91 of the TFT 10 are configured such that the scanning signals G 1, G 2,...
  • the pixel is electrically connected to the drain of the TFT 10, and by closing the switch of the TFT 10 for a certain period, the image signals Sl, S2, Write at the timing.
  • the image signals S 1, S 2,..., Sn of a predetermined level written in the liquid crystal via the pixel electrodes 8 are held for a certain period between the counter electrodes 32 formed on the counter substrate 3.
  • the electro-optic material 39 modulates light by changing the orientation and order of molecular assemblies according to the voltage level applied, and enables P-like display.
  • a storage capacitor 40 is added in parallel with the electro-optical material formed between the pixel # 8 and the counterpart # 32.
  • a capacitor line 92 which is a wiring for forming a capacitor may be provided, or a capacitance between the storage line 40 and a preceding scanning line 91 will be described later.
  • FIG. 5 shows a partial plan view of the pixel.
  • the data line 90 is electrically connected to a source region 16 of a semiconductor layer made of a polysilicon film through a contact hole, and the pixel S @ 8 is electrically connected to a drain region 17 through a contact hole. Connected to. Further, the scanning line 91 extends so as to face the channel region 15.
  • the storage capacitor 40 is a silicon film 10a (semiconductor film / region shaded in FIG. 5) for forming a TFT 10 for pixel switching, and is a recon film 40a corresponding to an extended portion of the silicon film 10a. (Semiconductor film / area shaded in FIG. 5) is a conductive layer, and the lower part is 1 and the lower part 41 is overlapped with the capacitance line 92 on the upper side.
  • a cross section taken along line AA ′ of the pixel thus configured is represented as shown in FIG.
  • an insulating underlying protective film 3 is formed on the surface of quartz glass 30, which is the substrate of the TFT array substrate 2, and an island-shaped silicon J3 is formed on the surface of the underlying protective film 301. 0a and 40a are formed.
  • a gate insulating film 13 is formed on the surface of the silicon J3 10a, and a scanning line (gate 91) is formed on the gate insulating film 13.
  • the region facing the scanning line 91 via the gate insulating film 13 is a channel region 15. On one side of the channel region 15, a low-concentration source region 16 is provided.
  • a source region 16 including 1 and a high-concentration source region 16 2 is formed, and a drain region 17 including a low-concentration drain region 17 1 and a high-concentration drain region 17 2 is formed on the other side.
  • the first interlayer insulating film 18 and the second interlayer insulating film 19 are formed on the surface side of the TFT 10 for pixel switching thus configured, and are formed on the surface of the first interlayer insulating film 18.
  • the formed data line 90 passes through a contact hole formed in the first interlayer insulating film 18.
  • the pixel is electrically connected to the concentration source region 16 2.
  • the pixel is connected to the high concentration drain region 17 through contact holes formed in the first interlayer insulating film 18 and the second interlayer insulating film 19.
  • the lower miS 41 composed of the high-concentration region is formed on the silicon film 40a extending from the high-concentration drain region 172.
  • the capacitance line 92 is opposed to the gate electrode via an insulating film (dielectric J3) formed simultaneously with the gate insulating film 13.
  • a storage capacitor is formed.
  • the TFT 10 preferably has an LDD structure as described above, but may have an offset structure, or implants high-concentration impurity ions using the scanning line 91 as a mask. Alternatively, a self-aligned TFT in which self-aligned high-concentration source and drain regions are formed may be used.
  • a light-shielding film 6, a counter 2 and an alignment film 49 are formed in this order in a region facing the TFT 10 for pixel switching.
  • the surface of the TFT array substrate 2 (the surface on the side where the electro-optical material 39 is sandwiched)
  • a projection 21 is formed along the inner peripheral edge of the formation region of the sealing material 200 so as to surround the image display region 37.
  • the protrusion 21 protrudes toward the opposing substrate 3 and abuts on the opposing substrate 3 to secure a gap (cell thickness) of 2 ⁇ m between the TFT array substrate 2 and the opposing electrode 3. . That is, the protrusion 21 is made of an elastically deformable material, and is in a state of being crushed between the TFT array substrate 2 and the counter electrode 3 which are bonded and fixed by the sealing material 200.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view showing a state immediately before bonding the substrates as shown in FIG.
  • the counter substrate 3 is formed by sequentially forming the light shielding film 6 and the counter electrode 32 on the surface of an insulating substrate such as quartz glass 31.
  • a thin polyimide resin 49 for forming an alignment film is applied on the surface of the counter electrode 32.
  • the polyimide resin 49 is thermoset at a temperature of about 150 ° C. to about 200 ° C. After forming the layer of the polyimide resin 49 on the side of the counter substrate 3 in this way, a rubbing treatment is performed.
  • a TFT 10 and a pixel electrode 8 are sequentially formed on the surface of quartz glass 30 by using a well-known semiconductor process.
  • the resin is patterned using a photolithography technique,
  • the projection 21 is formed in a region surrounding the indication region 37.
  • the target value of the gap size between the substrates is, for example, 2 ⁇ m
  • the protrusion 21 is formed slightly thicker than the target value of the gap size (2 ⁇ m).
  • a thin polyimide resin 46 for forming an alignment film is formed on the surface of the TFT array substrate 2, and then a rubbing process is performed.
  • an unhardened sealing material 200 is applied to the surface of the TFT array substrate 2 while discharging it from a dispenser so as to surround the outside of the projection 21.
  • an uncured conductive material 56 for substrate-to-substrate conduction is applied to the outer periphery of the surface of the TFT array substrate 2 slightly from the application region of the sealing material 200 while discharging the material from a dot-type dispenser.
  • the conductive material 56 is made of an epoxy resin-based or acryl resin-based adhesive component having a light-hardening property or a thermosetting property mixed with conductive particles such as silver powder and a gold-coated fiber. Used.
  • sealing material 200 an epoxy resin-based or acryl resin-based adhesive having photo-curing or thermosetting properties is used as in the case of the conductive material 56.
  • This sealing material 200 does not contain a gap material. Therefore, since there is no need to insert a gap material into the seal material 200, even if there are wires on the lower layer side of the seal material 200, these wires are crushed by the gap material and cut off. I do not want to.
  • the second electrode 48 for inter-substrate conduction formed on the opposite substrate 3 is opposed to the first 47 for inter-substrate conduction formed on the TFT array substrate 2.
  • the opposing substrate 3 and the TFT array substrate 2 are aligned, the opposing substrate 3 is pressed toward the TFT array substrate 2 and the projection 21 is slightly crushed to a height of 2 / m.
  • the conductive material 56 and the sealing material 200 are hardened by irradiating the sealing material 200 with ultraviolet light from the side of the counter substrate 3 or by heating.
  • both the conductive material 56 and the seal material 200 may be applied and then cured at once, but the conductive material 56 and the seal material 200 may be separately applied and cured. You may. Further, the curing may be performed in two stages of temporary curing and main curing.
  • the opposing substrate 3 and the TFT array substrate 2 are bonded together with a protrusion 21 as a spacer with a gap of 2 ⁇ m therebetween.
  • the first 7 for inter-substrate conduction formed on the TFT array substrate 2 and the second electrode 48 for inter-substrate conduction formed on the opposite substrate 3 form a conductive material 56. Electrical connection via
  • the inside area of the sealing material 200 is depressurized, and the electric
  • the optical substance 39 is injected with 3 ⁇ 4E, and then the electro-optical substance injection port 241 is closed with the sealant 242.
  • the protrusion 21 formed on the TFT array substrate 2 is elastically deformed between the TFT substrate 2 and the counter substrate 3 so as to control the gap size (cell thickness) between the two. Therefore, compared to a configuration in which the gap size is controlled by the gap material mixed with the sealing material, even a narrow gap size of 2 m can be controlled with high accuracy. Also. Since the projection 21 is formed so as to surround the image display area 37, the gap size is controlled in the entire image display area 37, and the gap size between the substrates does not vary from place to place. Therefore, it is possible to realize the electro-optical panel 1 in which the accuracy of the gap dimension is high even in a narrow gap and the gap dimension is uniform over the entire image display area 37. Therefore, when display is performed using the electro-optical panel 1, display quality is improved, for example, there is no display unevenness, a high contrast ratio, and a bright display can be performed.
  • FIG. 8 is a plan view of the electro-optical panel according to the present embodiment as viewed from the counter substrate side.
  • FIGS. 9A and 9B are a cross-sectional view of the electro-optical panel and a plan view of a conductive portion between the substrates, respectively, taken along the line H ′ in FIG.
  • FIGS. 10 (A) and 10 (B) are a cross-sectional view of the electro-optical panel showing a state immediately before bonding the substrates together as shown in FIG. 9, and a plan view of a conductive portion between the substrates.
  • portions common to the electro-optical panel according to Embodiment 1 will be denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted.
  • the protrusions 21 for controlling the cell thickness are formed only along the inner peripheral edge of the formation region of the sealing material 200.
  • W 5 CP Of the surface of the TFT array substrate 2, W 5 CP
  • an inner peripheral projection 22 and an outer peripheral projection 23 are formed along both outer peripheral edges. Further, in this embodiment, as shown in FIG. 9 (B), the outer peripheral side projection 23 has a circular portion 24 surrounding the region where the conductive material 56 for conducting the sickle is formed. I have. In the example shown here, the circular portion 24 surrounding the formation region of the conductive material 56 and the outer peripheral side projection 23 are integrated, but they may be formed independently.
  • a method for manufacturing the electro-optical panel 1 having such a configuration will be described with reference to FIGS. 9 and 10, and also a method for securing a predetermined gap between the substrates will be described in detail.
  • a light-shielding film 6, a counter electrode 32, and a polyimide resin are formed on the surface of the quartz glass 31 used for the counter substrate 3.
  • An alignment film made of 49 is formed.
  • TFT 10 and pixel electrode 8 are formed on the surface of quartz glass 30 used for TFT array substrate 2.
  • the outer peripheral side projection 23 including the inner peripheral side projection 22 and the circular portion 24 is formed.
  • the inner projection 22 and the outer projection 23 if the target value of the gap size between the substrates is 2, the inner projection 22 and the outer projection 23 are set to the target value of the gap size. (2 ⁇ m) is formed slightly thicker.
  • the circular portion 24 is formed by the first electrode 47 for conducting the substrates through the conductive material 56. It is formed to surround it.
  • a polyimide resin 46 is formed on the surface of the TFT array substrate 2 and a rubbing treatment is performed, so that the polyimide resin 46 layer is used as an alignment film.
  • an uncured sealing material 200 is applied from a dispenser to a region of the surface of the TFT array substrate 2 which is sandwiched between the inner peripheral projections 22 and the outer peripheral projections 23, while being discharged from a dispenser.
  • an uncured conductive material 56 for inter-substrate conduction is applied to a region surrounded by the circular portion 24 of the outer peripheral side projection 23 while being discharged from a dot type dispenser.
  • the conductive material 56 may be made of an epoxy resin or acryl resin adhesive component having photo-curing or thermosetting properties, such as silver powder or gold-coated fiber. W 00 T / JP
  • sealing material 200 an epoxy resin-based or acryl resin-based adhesive having a light-hardening property or a heat-hardening property is used, and no gap material is blended in the sealing material 200. .
  • the second S! 47 for inter-substrate conduction formed on the TFT array substrate 2 and the second! 3 ⁇ 44 After aligning the opposing substrate 3 and the TFT array substrate 2 so that 8 faces each other, press the opposing substrate 3 toward the TFT array substrate 2 to raise the heights of the projections 2 2, 2 3, and 24.
  • the conductive material 56 is hardened by irradiating ultraviolet rays to the sealing material 200 from the side of the counter substrate 3 or by heat treatment while the crushed material is crushed to a level of 2 / m. 0 0 is hardened.
  • the opposing substrate 3 and the TFT array substrate 2 are bonded to each other with a predetermined gap therebetween, and the first substrate for conduction between the substrates formed on the TFT array substrate 2 is formed.
  • This electrode 47 is electrically connected to a second electrode 48 formed on the opposite substrate 3 for inter-substrate conduction through a conductive material 56.
  • the inner protrusions 22 and the outer protrusions 23 formed on the TFT array substrate 2 are brought into contact with the opposing substrate 3, whereby the gap size between the substrates (cell thickness) is obtained. Since the gap size is controlled, the gap size can be controlled with higher accuracy compared to a configuration in which the gap size is controlled by the gap material mixed with the seal material. Also. Since the inner peripheral projections 22 and the outer peripheral projections 23 are formed so as to surround the image display area 37, no variation occurs in the gap size between the substrates in the entire image display area 37. Therefore, it is possible to realize the electro-optical panel 1 in which the accuracy of the gap dimension is high and the gap dimension is uniform over the entire image display area 37.
  • thermosetting material can be used as the adhesive component of the sealing material 200 and the conductive material 56.
  • the thermosetting material is used as the sealing material 200 or the conductive material 56, unlike the case of using the ultraviolet hardening material, It is possible to avoid the situation that the polyimide resins 46 and 49 constituting the alignment film are deteriorated by the irradiation of ultraviolet rays.
  • FIG. 11 is a plan view of the electro-optical panel according to the present embodiment as viewed from a counter substrate side.
  • FIGS. 12 and 13 are a plan view and a cross-sectional view of a pixel of the electro-optical panel, respectively.
  • FIG. 14 is a cross-sectional view of a pixel showing a state immediately before bonding the substrates as shown in FIG.
  • the same parts as those in the electro-optical panel according to Embodiment 1 are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted.
  • the protrusions 21, 22, and 23 for controlling the cell thickness are formed along the formation region of the sealing material 200.
  • a projection for controlling cell thickness and the like are not formed along the formation region of the sealing material 200, and have substantially the same plane as the conventional electro-optical panel described with reference to FIG. I have.
  • a large number of columnar projections 25 are formed at predetermined positions scattered in the image display area 37 of the liquid crystal panel 1. Since a large number of these projections 25 are interposed between the TFT array substrate 2 bonded with the sealing material 200 and the counter substrate 3, a predetermined gap is secured between the substrates. .
  • any pixel formed in the image display area 37 is formed in a non-opening area through which light does not transmit. That is, in each pixel, of the pixels described with reference to FIG. 5, a silicon film 10a for forming a TFT 10 for pixel switching (semiconductor film / a shaded region in FIG. 5) Silicon film 40a (semiconductor) corresponding to the extension of Projections 25 are formed in the body film / the region shaded in FIG. 5) and in the region where the storage capacitor 40 is formed using the capacitor line 92.
  • a method of manufacturing the electro-optical panel 1 having such a configuration will be described with reference to FIGS. 11, 12, 13, and 14, and at the same time, a predetermined gap between the substrates will be secured. The details are described below.
  • a light-shielding film 6, a counter electrode 32, and polyimide resin 49 are formed on the surface of the quartz glass 31 used for the counter substrate 3. Is formed.
  • a resin of a type that can be elastically deformed even after curing over the entire surface of the TFT array substrate 2 it is patterned by using a photolithography technique as shown in FIGS.
  • a projection 25 of a column ⁇ K is formed in a relatively flat region where the storage capacitor 40 is formed.
  • the protrusion 25 is formed to be slightly thicker than the target value of the gap dimension (2 ⁇ m) if the target value of the gap dimension between the substrates is 2 ⁇ m.
  • an alignment film composed of a polyimide resin 46 layer is formed on the surface of the TFT array substrate 2 by forming a polyimide resin 46 and performing a rubbing treatment.
  • an unhardened sealing material 200 is applied from a dispenser to a region of the surface of the TFT array substrate 2 which overlaps the outer peripheral edge of the counter substrate 3.
  • An unhardened conductive material 56 for substrate-to-substrate conduction is applied to the outer peripheral side of the application region of the sealing material 200 while being discharged from a dot type dispenser.
  • conductive particles such as silver powder, gold-finished fino, and one are combined with an epoxy resin-based or acryl resin-based adhesive component having photo-curing or thermosetting properties as the conductive material 56. Use what was done.
  • the sealing material 200 an epoxy resin-based or acryl resin-based adhesive having a light-hardening property or a heat-hardening property is used, and a gap material is used as the sealing material 200. Either the compounded material or the material without the gap material may be used.
  • the seal material 200 in which the gap material is not combined is used, even if there is a wiring on the lower layer side of the seal material 200, these wirings are used. The wire can be prevented from being crushed by the gap material and broken.
  • the second electrode 48 for inter-substrate conduction formed on the counter substrate 3 is opposed to the first electrode 47 for inter-substrate conduction formed on the TFT array substrate 2.
  • the opposing substrate 3 is pressed toward the TFT array substrate 2 so that the height of the projections 25 increases as shown in FIG.
  • the conductive material 56 is hardened by irradiating the sealing material 200 with ultraviolet light from the side of the counter substrate 3 or by heat treatment while keeping it slightly crushed to a level of 2 / m, and the sealing is performed.
  • the material 20 ° is hardened.
  • the opposing substrate 3 and the TFT array substrate 2 are bonded to each other with a predetermined gap therebetween, and the substrate for conduction between the substrates formed on the TFT array substrate 2 is formed.
  • the first electrode 47 and the second substrate 148 formed on the opposite substrate 3 for inter-substrate conduction are electrically connected via the conductive material 56.
  • the inner region of the sealing material 200 is evacuated to a pressure from the electro-optical material injection port 2 41.
  • the electro-optical substance injection port 241 is closed with the sealing agent 242.
  • the protrusion 25 has a cylindrical shape, the electro-optical material 39 such as a liquid crystal smoothly goes around the protrusion 25 without being disturbed by the protrusion 25. Will be charged. Therefore, the filling failure of the electro-optical material 39 does not occur.
  • the gap dimension (cell thickness) between the substrates is controlled by bringing the protrusions 25 formed on the TFT array substrate 2 into contact with the opposing substrate 3, and thus the gap mixed with the sealing material is used.
  • the gap size can be controlled with higher precision compared to a configuration in which the gap size is controlled by the material. Also. Since the projections 25 are interposed between the TFT array substrate 2 and the opposing substrate 3 at many positions scattered in the image display area 37, the gap size between the substrates varies in the entire image display area 37. Does not occur. Therefore, it is possible to realize the electro-optical panel 1 in which the accuracy of the gap dimension is high even in a narrow gap and the gap dimension is uniform over the entire image display area 37.
  • the projections 25 functioning as spacers are formed on the TFT array substrate 2, the display quality is deteriorated unlike the case where the spacers are sprayed on the image display area 37.
  • the protrusions 25 can be selectively formed only in the non-opening areas through which light does not pass in each pixel, avoiding the positions where the protrusions are caused.
  • the protrusions 25 can be selectively formed in the flat region where the storage capacitor 40 is formed. Therefore, even when the electro-optical panel 1 is used as a light valve of a projection display device, the projection 25 is not enlarged and projected as an image.
  • the protrusions 25 are formed at the same location in each pixel (the area where the storage capacitor 40 is formed), that is, on the same coordinates of each pixel, the protrusions 25 have the same height in each pixel. It is formed at the position. Therefore, since the position of the height of the projection 25 is the same for each pixel, the gap size between the substrates can be more reliably made constant. Therefore, even when the TFT array substrate 2 having a large step is used, a certain gap can be secured between the TFT array substrate 2 and the counter substrate 3.
  • FIG. 15 is an explanatory diagram showing the distribution of protrusions on the electro-optical panel according to the improved example of the third embodiment.
  • FIG. 16 is a diagram illustrating the distribution of protrusions on the electro-optical panel according to another improved example of the third embodiment. It is explanatory drawing which shows a distribution.
  • the example in which the columnar projections 25 are formed with the same density in the image display area 37 is described.
  • the image display area 37 is formed.
  • the protrusions 25 are formed at a high density in a specific region, and the protrusions 25 are formed only at a low density in other regions.
  • the surrounding area is a protrusion 25 (in FIG. 15, a black circle is attached).
  • the projections 25 are formed in all the pixels as the high-density formation region of (), whereas the projections 25 are formed only in some pixels in the central region as the low-density formation region of the projections 25. ing.
  • the gap between the substrates is reduced in the central region of the image display area 37.
  • the center of the electro-optical device W, 1 may swell, but the substrates can be bonded together in anticipation of such swelling. . That is, when the electro-optical material 39 was injected under reduced pressure into the image display area 37, Even if the core region expands and the gap size increases, such an increase is absorbed and reduced by the difference in the gap size before the electro-optical material 39 is injected. Therefore, the dimension of the gap between the substrates can be made uniform over the entire image display area 37.
  • the device for pressing the counter substrate 3 toward the TFT array substrate 2 is used.
  • the projections 25 are formed with a distribution that offsets such variations. For example, if the pressing force on the TFT array substrate 2 is large on the left side in FIG. 16 and the pressing force on the TFT array substrate 2 on the right side is small, in the image display area 37 in FIG. In the left region, the number of pixels forming the protrusion 25 is increased as a high-density formation region of the protrusion 25. For example, the protrusion 25 is formed in all the pixels. On the other hand, in the right region as viewed in FIG. The protrusion 25 is formed only in some pixels as a density formation region.
  • the density of the protrusions 25 interposed between the facing substrate 3 and the TFT array substrate 2 is set accordingly.
  • the gap between the substrates can be made uniform over the entire area 37.
  • FIG. 17A shows a first modification of the first embodiment.
  • the protrusions 21 are formed around the sealing material forming region on the TFT array substrate 2 and the sealing material 200 is also formed on the TFT array substrate 2.
  • the projection 21 is formed at a predetermined position on the side of the counter substrate 3, while the sealing material 200 is formed on the TFT array substrate 2. And pasted together.
  • the position where the projection 21 is formed and the position where the sealant 200 is applied may be shifted as in the first embodiment.
  • the sealing material 200 may be applied to the overlapping position. In this case, as shown in FIG.
  • the sealing material 200 is interposed between the projection 21 and the TFT array substrate 2.
  • the projection 21 and the TFT array substrate 2 are bonded and fixed.
  • Other configurations are the same as those of the first embodiment. Therefore, corresponding portions are denoted by the same reference numerals and description thereof will be omitted. Note that such a configuration can be adopted in Embodiments 2 and 3, but the description thereof is omitted.
  • Embodiment 4 is shown in FIG.
  • a projection 21 is formed around and inside the sealing material forming area on the TFT array substrate 2, and the sealing material 200 is also moved toward the TFT array substrate 2.
  • it is formed on the side of the counter substrate 3 or on the side of the TFT array substrate 2 so as to face the light shielding film 55 around the display area, Thereafter, the TFT array substrate 2 and the counter substrate 3 are bonded together.
  • the light-shielding film 55 is a film formed to separate a display region where pixels are formed in a matrix form from a non-display region around the display region.
  • the position where the protrusion 21 is formed may be different from the position where the light-shielding film 55 is applied, but if the protrusion 21 is formed so as to be within the width of the light-shielding film 55, the step of the light-shielding film 55 will be reduced.
  • the gap between the substrates can be controlled by the protrusion 21 without being affected.
  • the projection 21 overlaps the light-blocking block 55 and is hidden by the light-blocking block 55 in a plan view, it is possible to prevent the projection 21 from affecting the display.
  • the protrusions 21 may be formed along the light shielding film 55 so as to surround the non-display region, or may be dotted along the light shielding film 55.
  • the sealing material 200 is interposed between the protrusion 21 and the TFT array substrate 2, and the protrusion 21 and the TFT array substrate 2 are bonded and fixed.
  • the projection 21 may be provided so as to face four corners of the light shielding film 55 on the TFT array substrate side, and the TFT array substrate and the counter substrate may be bonded to each other. In that case, the projection 21 provided on the TFT array substrate side can function as an alignment mark for bonding to the counter substrate.
  • Other configurations are the same as those of the first embodiment, and corresponding portions are denoted by the same reference numerals and description thereof will be omitted.
  • FIG. FIG. 18 is an overall configuration diagram of a projection display (electro-optical device) showing an example of use of the electro-optical panel 1 to which the present invention is applied.
  • the projection display device 110 is a projector that uses the electro-optical panel 1 as light valves 100 R, 100 G, and 100 B for RGB, respectively.
  • this LCD projector 110 when the projection light is emitted from a lamp unit 1102 of a white light source such as a metal halide lamp, three mirrors 1106 and two dichroic mirrors 110 According to 08, the light components R, G, and B corresponding to the three primary colors of R GB are separated, and guided to the light valves 100 R, 100 G, and 100 B corresponding to the respective colors.
  • the B light passes through a relay lens system 1 1 2 1 consisting of an input lens 1 1 2 2, a relay lens 1 1 2 3, and an output lens 1 1 2 4 in order to prevent light loss due to a long optical path. Led.
  • the light components corresponding to the three primary colors modulated by the light valves 100 R, 100 G, and 100 B, respectively, are recombined by the dichroic prism 111, and then projected onto the projection lens 111.
  • the image is projected as a blank image on the screen 1120 via 14.
  • the gap dimension (cell thickness) between the substrates is controlled by bringing the protrusions formed on one substrate into contact with the other substrate.
  • the gap size can be controlled with higher accuracy than the configuration that controls the gap size.
  • the projections do not cause variations in the gap size between the substrates so as to surround the image display area or to cover the screen projection area over the entire image display area. Therefore, it is possible to realize an electro-optical panel in which even if the gap is narrow, the gap dimension accuracy is high and the gap dimension is uniform over the entire image display area. Further, since there is no need to insert a gap material in the seal material, even if there are wires under the seal material, there is no possibility that these wires are crushed by the gap material and cut off.

Landscapes

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Description

明細書
電気光学パネル、 投射型表示装置、 および電気光学パネルの製造方法 画分野〕
本発明は、 一対の基板間に液晶などの電気光学物質が封入された電気光学パネ ル、 この電気光学パネルを用いた投射型表示時装置、 および電気光学パネルの製 造方法に関するものである。 さらに詳しくは、 一対の基板間に所定寸法の隙間を 確保するための技術に関するものである。 〔背景技術〕
一対の基板間に液晶などの電気光学物質が封入された電気光学パネルでは、 図 1 9および図 2 0に示すように、 石英ガラスなどの透明基板の表面に画素電極 8 および画素スイッチング用の薄膜トランジスタ (以下、 T F Tという。 ) 1 0が 形成された T F Tアレイ基板 (トランジスタアレイ基板) 2と、 ネオセラムなど の高耐熱性のガラス基板の表面に対向電極 3 2が形成された対向基板 3と、 これ らの基板間に封入、 挟持されている液晶などの電気光学物質 3 9とから概略構成 されている。 T F Tアレイ基板 2と対向基板 3とはギヤップ材含有のシール材 2 0 0 ' によって所定の隙間を介して貼り合わされているとともに、 この隙間内に は、 電気光学物質 3 9が封入された画像表示領域 3 7がシール材 2 0 0 ' によつ て区画形成されている。 このようなギャップ材含有のシール材 2 0 0 ' として、 従来は、 エポキシ樹脂系あるいはァクリル樹脂系の接着剤成分にガラスビーズな どがギヤップ材として酉己合されたものが用いられている。
このように構成した電気光学パネル 1 ' では、 T F Tアレイ基板 2において、 デ一夕線 (図示せず。 ) および T F T 1 0を介して画素 ¾18に印加した画像信 号によって、 画素電極 8と対向 2との間において電気光学物質 3 9の配向 状態を画素毎に制御し、 画像信号に対応した所定の画像を表示する。 従って、 T F Tアレイ基板 2では、 データ線および T F T 1 0を介して画素電極 8に画像信 号を供給するとともに、 対向電極 3 2にも所定の電位を印加する必要がある。 そこで、 電気光学パネル 1 ' では、 T F Tアレイ基板 2の側にはデータ線など の形成プロセスを援用して基板間導通用の第 1の電極 4 7を形成する一方、 対向 基板 3の側には対向電極 3 2の形成プロセスを援用して基板間導通用の第 2の電 極 4 8を形成しておき、 これらの基板間導通用の第 1の電極 4 7と第 2の電極 4 8とを、 エポキシ樹脂系あるいはァクリル樹脂系の接着剤成分に銀粉や金めつき ファイバ一などの導電粒子を配合した導通材 5 6によって電気的に導通させてい る。 それ故、 電気光学パネル 1 ' では、 T F Tアレイ基板 2および対向基板 3の それそれにフレキシブル配線基板などを接続しなくても、 T F Tアレイ基板 2の 入出力端子 4 5のみにフレキシブル配線基板 9 9などを接続するだけで、 T F T アレイ基板 2および対向基板 3の双方に所定の信号を入力することができる。 しかしながら、 電気光学パネル 1 ' では、 T F Tアレイ基板 2と対向基板 3と の隙間寸法 (セル厚) を 2〃m位にまで狭めて表示品位の向上を図ろうとする試 みがなされているが、 周辺のシール材 2 0 0 ' に配合したギヤヅプ材のみによつ てこのような薄いセル厚を確保しょうとすると、 セル厚が薄い分だけ、 ばらつき が大きくなつてしまう。 その結果、 電気光学物質 3 9の層の厚さのばらつきが大 になるので、 表示画面において不自然な明暗や電気光学物質 3 9の応答速度のば らつきなどが発生し、 表示品位が逆に低下するという問題点がある。
そこで、 画像表示領域 3 7にスぺーサ材を散布することによって、 セル厚を制 御する構成が考えられる。 しかしながら、 画像表示領域 3 7にスぺ一サ材を散布 した電気光学パネル 1 ' を投射型表示装置に用いると、 散布したスぺ一サ材が密 に集まっている箇所で光透過性が低下するので、 このような不具合がそのままス クリ一ン上に拡大投射されてしまうという問題点がある。
また、 電気光学パネル 1 ' では、 T F Tアレイ基板 2と対向基板 3との隙間寸 法 (セル厚) を 2〃m位にまで狭めて表示品位の向上を図ろうとする試みがなさ れているが、 周辺のシール材 2 0 0 ' に配合したギャップ材のみによってこのよ うな薄いセル厚を確保しょうとすると、 セル厚が薄い分だけ、 ばらつきが大きく なってしまう。 その結果、 電気光学物質 3 9の層の厚さのばらつきが大になるの で、 表示画面において不自然な明暗や電気光学物質 3 9の応答速度のばらつきな どが発生し、 表示品位が逆に低下するという問題点がある。
そこで、 画像表示領域 3 7にスぺ一サ材を散布することによって、 セル厚を制 御する構成が考えられる。 しかしながら、 画像表示領域 3 7にスぺーサ材を散布 した電気光学パネル 1 ' を投射型表示装置に用いると、 散布したスぺ一サ材が密 に集まって 、る箇所で光透過性が低下するので、 このような不具合がそのままス クリーン上に拡大投射されてしまうという問題点がある。
以上の問題点に鑑みて、 本発明の課題は、 隙間寸法の精度が高く、 かつ、 隙間 寸法が画像表示領域全面において均一な電気光学パネル、 この電気光学パネルを 用いた投射型表示時装置、 および電気光学パネルの製造方法を提供することにあ る。
〔発明の開示〕
上記課題を解決するために、 本発明では、 一対の基板間に電気光学物質が挟持 されてなり、 前記一対の基板同士はシール材により接着固定されてなり、 前記シ 一ル材の形成領域内には複数の画素からなる画像表示領域を有する電気光学ノ ネ ルにおいて、 前記一対の基板のうちの一方の基板には、他方の基板に向けて突出 して該他方の基板に当接する突起を有し、 該突起は、 前記画素領域を囲む領域に 形成されていることを特徴とする。
本発明では、 一方の基板に形成された突起を他方の基板に当接させることによ り、 基板間の隙間寸法 (セル厚) を制御するので、 シール材に配合したギャップ 材で隙間寸法を制御する構成と比較して、 隙間寸法を高い精度で制御できる。 ま た、 突起は、 画像表示領域を囲むように形成されているので、 画像表示領域全域 において、 基板間の隙間寸法にばらつきを抑えることができる。 それ故、 狭い隙 間であっても隙間寸法の精度が高く、 かつ、 隙間寸法が画像表示領域全面におい て均一な電気光学パネルを実現できる。 また、 シール材にギャップ材を入れなく てよいので、 シ一ル材の下層側に ϊ己線があっても、 これらの 線がギャップ材で 押し潰されて断線してしまうのを防ぐことができる。
本発明において、 前記突起は、 たとえば、 前記シール材の形成領域の内周縁お よび外周縁のうちの一方の縁に沿って形成される。
本発明において、 前記突起は、 前記シール材の形成領域の内周縁に沿った第 1 突起と外周縁に沿った第 2突起とを有し、 前記シール材は、 前記第 1突起と前記 第 2突起とに挟まれた領域内に形成されていることが好ましい。 このように構成 すると、 シ一ル材が第 1突起および第 2突起によってせき止められるので、 未硬 化のシール材を塗布した際、 あるいはシール材を加熱した際に、 シール材が不要 な個所にまではみ出ることがない。 それ故、 シ一ル材として熱硬化性のものを用 いることができる。
本発明の別の形態では、 一対の基板間に電気光学物質が挟持されてなり、 前記 一対の基板同士はシール材により接着固定されてなり、 前記シール材の形成領域 内には複数の画素からなる画像表示領域を有する電気光学パネルにおいて、 前記 一対の基板のうちの一方の基板には、 他方の基板に向けて突出して該他方の基板 に当接する突起を有し、 該突起は、 前記一対の基板の夫々に形成された導電層間 を電気的に接続する導通材の形成領域の周りに形成されていることを特徴とする。 たとえば、 前記突起は、 前記導通材の形成領域の周りを囲むように形成されて いることが好ましい。 このように構成すると、 導通材が突起によってせき止めら れるので、 未硬化の導通材を塗布した際、 あるいは導通材を加熱した際に、 導通 材が不要な個所にまではみ出ることがない。 それ故、 導通材の接着剤成分として 熱硬ィ匕性のものを用いることができる。
前記シール材は前記画像表示領域の周辺に形成された遮光膜と少なくとも一部 で重なるように形成されていることを特徴とする。 このような構成により、 シ一 ル材が遮光膜まで延在されるため、 シール材による密着性高めることができる。 本発明において、 前記突起は、 弾性変形可能な材料から構成され、 前記一対の 基板間で押し潰されていることが好ましい。 このように構成すると、 基板間にお いて、 押し潰された突起が元の开娥に復帰しようと基板間を広げようとする力が 加わる一方、 基板同士はシール材で固着されているので、 基板間の隙間寸法を均 一にすることができる。
本発明において、 前記一対の基板は、 たとえば、 画素電極および画素スィッチ ング用の薄膜トランジスタがマトリクス状に形成されたトランジスタアレイ基板 と、 対向電極が形成された対向基板とからなる。
このような電気光学パネルを用いた投射型表示装置 (電気光学装置) では、 光 源と、 該光源から出射された光を前記電気光学パネルに導く集光光学系と、 当該 電気光学パネルで光変調した光を拡大投射する拡大投射光学系とを配置する。 本発明に係る電気光学パネルの製造方法では、 前記一対の基板のうちの一方の 謝反に前記突起を形成した後、 前記シ一ル材を塗布し、 しかる後に前記一対の基 板を押圧して前記シール材を硬ィ匕させることを特徴とする。
本発明に係る電気光学パネルの製造方法では、 前記突起を前記シール材を形成 する予定の領域の内周縁に沿った第 1突起と外周縁に沿った第 2突起とを形成し た後、前記第 1突起と前記第 2突起とに挟まれた領域内に前記シール材を塗布し、 しかる後に前記一対の基板を押圧しながら前記シール材を硬ィ匕させることが好ま しい。 このように構成すると、 未硬化のシール材を塗布した際などに、 シール材 が突起によってせき止められるので、 不要なところまではみ出ることがない。 本発明に係る電気光学パネルの製造方法では、 前記導通材を形成する予定の領 域の周りを囲むように前記突起を形成した後、 該突起により囲まれた領域内に前 記導通材を塗布し、 しかる後に前記一対の基板を押圧して前記シール材ぉよび前 記導通材を同時あるいは別々に硬ィ匕させることが好ましい。 このように構成する と、未硬ィ匕の導通材を塗布した際に、導通材が突起によってせき止められるので、 不要なところまではみ出ることがない。
本発明に係る電気光学パネルの製造方法では、 前記一対の基板のうちの一方の 基板に前記突起を弾性変形可能な材料により形成した後、 当該一方の基板にシー ル材を塗布し、 しかる後に前記一対の基板を押圧しながら前記突起を弾性変形さ せ、 この状態で前記シール材を硬ィ匕させることが好ましい。
また本発明では、 一対の基板間に電気光学物質が挟持されてなり、 前記一対の 基板同士はシール材により接着固定されてなり、 前記シール材の形成領域の内側 には複数の画素からなる画像表示領域を有する電気光学パネルにおいて、 前記一 対の基板のうちの一方の基板には、 他方の基板に向けて突出して該他方の基板に 当接する突起が形成され、 該突起は、 前記画像表示領域内の所定位置に点在され ていることを特徴とする。
本発明では、 一方の基板に形成された突起を他方の基板に当接させることによ り、 基板間の隙間寸法 (セル厚) を制御するので、 シ一ル材に酉 S合したギャップ 材で隙間寸法を制御する構成と比較して、 隙間寸法を高い精度で制御できる。 ま た、 突起は、 画像表示領域内で点在するように形成されているので、 画像表示領 域全域において基板間の隙間寸法にばらつきが発生しない。 それ故、 狭い隙間で あっても隙間寸法の精度が高く、 かつ、 隙間寸法が画像表示領域全面において均 一な電気光学パネルを実現できる。 また、 このような電気光学パネルでは、 画像 表示領域内に突起を形成しても、 画像表示領域内のある領域に突起が集中してし まうこともない。 さらに、 シール材にギヤヅプ材を入れなくてよいので、 シール 材の下層側に配線があっても、 これらの配線がギヤヅプ材で押し潰されて断線し てしまうのを防ぐことができる。
本発明において、 前記突起は、 前記画像表示領域内に形成されている各画素に おいて光の透過しない非開口領域に形成されていることが好ましい。 このように 構成すると、 画像表示領域内に突起を形成しても、 突起が表示に写し出されるこ とがない。 よって、 本発明は、 電気光学パネルを投射型表示装置のライトバルブ として用いる場合に効果的である。
本発明において、 前記突起は、 前記画像表示領域内に形成されている各画素に おいて同一個所に形成されていることがこのましい。 すなわち、 前記突起は、 各 画素内における同一座標上に形成されていることが好ましい。 このように構成す ると、 各画素において同じ高さの位置に突起を形成することになるので、 基板間 の隙間寸法をより一定にすることができる。 それ故、 段差の大きな基板を用いた 場合でも、 他方の基板との間に一定の隙間を確保できる。
本発明において、 前記突起は円柱开^ Kを有していることが好ましい。 このよう に構成すると、 液晶などの電気光学物質を充填する際に突起の周りをスムーズに 回りこむので、 電気光学物質の充填不良が発生しない。
本発明において、 前記突起は、 前記画像表示領域内における周囲領域では中心 領域に比較して高密度に形成されていることが好ましい。このように構成すると、 液晶などの電気光学物質を基板間に注入するタイミングによってはパネルの中心 が膨らむことがあるが、 このような膨らみの発生を見越して基板同士を貼り合わ せることが好ましい。 すなわち、 基板同士を貼り合わせた直後は、 画像表示領域 の中心領域で基板間の隙間が狭くなるが、 画像表示領域内に電気光学物資を注入 したときに中心領域が膨らんで、 この領域における隙間寸法が多少、 大きくなつ ても、 このような拡大分は、 電気光学物質を注入する前の隙間寸法の差で吸収、 緩和される。 それ故、 基板間の隙間寸法を画像表示領域全面において均一化する ことができる。
本発明において、 前記突起は、 前記画像表示領域内における一方側領域では他 方側領域に比較して高密度に形成されていることが好ましい。 本発明に係る電気 光学パネルを製造する際には、 一方の基板に突起を形成した後、 シール材を塗布 し、 しかる後に一対の基板間の隙間を詰めるような力を加えながらシール材を硬 化させることになるが、 一対の基板を押圧する際に、 その力に大小が常に発生す る領域がわかっておれば、 それを吸収、 緩和するような密度で突起を形成すれば よい。 すなわち、 基板を貼り合わす装置のくせを踏まえた上で一方の基板に突起 を所定の分布で形成するので、 画像表示領域の全面において基板間の隙間を均一 にすることができる。
本発明において、 前記突起は、 弾性変形可能な材料から構成され、 前記一対の 基板間で押し潰されていることが好ましい。 このように構成すると、 基板間にお いて、 押し潰された突起が元の形 ί犬に復帰しようと基板間を広げようとする力が 加わる一方、 基板同士はシール材で固着されているので、 基板間の隙間寸法を均 一にすることができる。
本発明において、 前記一対の基板は、 たとえば、 画素電極および画素スィッチ ング用の薄膜トランジスタがマトリクス状に形成されたトランジスタアレイ基板 と、 対向電極が形成された対向基板とからなる。
このような電気光学パネルを用いた投射型表示装置 (電気光学装置) では、 光 源と、 該光源から出射された光を前記電気光学パネルに導く集光光学系と、 当該 電気光学パネルで光変調した光を拡大投射する拡大投射光学系とを配置する。 本発明に係る電気光学パネルの製造方法では、 前記一対の基板のうちの一方の 基板に前記突起を形成した後、 前記シール材を塗布し、 しかる後に前記一対の基 板を押圧しながら前記シール材を硬ィ匕させることを特徴とする。
本発明に係る電気光学パネルの製造方法では、 前記一対の基板のうちの一方の 基板に前記突起を弾性変形可能な材料により形成した後、 当該一方の基板にシー ル材を塗布し、 しかる後に前記一対の基板を押圧して前記突起を弾性変形させ、 この状態で前記シール材を硬化させることが好ましい。 このように構成すると、 基板間において、 押し潰された突起が元の开 犬に復帰しょうと基板間を広げよう とする力が加わる一方、 基板同士はシール材で固着されているので、 基板間の隙 間寸法を均一にすることができる。
本発明は、 一対の基板間に電気光学物質が挟持されてなり、 前記一対の基板同 士はシール材により接着固定されてなり、 前記シール材の形成領域内には複数の 画素からなる画像表示領域を有する電気光学パネルにおいて、 前記一対の基板の うちの一方の基板には、 他方の基板に向けて突出して該他方の基板に当接する突 起を有し、 該突起は、 前記画素領域を囲む領域に形成された遮光膜に対向するよ うに配置されていることを特徴とする。
本発明によれば、 一方の基板に形成された突起を他方の基板に当接させること により、 基板間の隙間寸法 (セル厚) を制御するので、 シール材に配合したギヤ ップ材で隙間寸法を制御する構成と比較して、隙間寸法を高い精度で制御できる。 また、 突起は、 画像表示領域を囲むように形成されているので、 画像表示領域全 域において、 基板間の隙間寸法にばらつきを抑えることができる。 また、 突起は 遮光膜に対向するように設けられているため、 非表示領域を有効に利用して突起 を設けることができる。 。
また、 本発明は、 前記突起は、 平面的にみて前記遮光膜の幅以内に収まるよう に配置されていることを特徴とする。 この発明によれば、 突起は平面的にみて遮 光膜の幅以内に収まるため、 突起が表示領域に対して影響することを防ぐことが できる。
〔図面の簡単な説明〕
図 1は、 本発明の実施の形態 1に係る電気光学パネルを対向基板の側からみた 平面図である。
図 2は、 図 1の Η _ Η' 線で切断したときの電気光学パネルの断面図である。 図 3は、 図 1の Η' —Η〃線で切断したときの T F Tアレイ基板、 対向基板お よびこれらの基板の貼り合わせ構造を示すパネル端部の断面図である。
図 4は、 図 1に示す電気光学パネルの構成を模式的に示すプロック図である。 図 5は、 図 1に示す電気光学パネルの画素の一部の平面図である。
図 6は、 図 5の A— A' 線に相当する位置で切断したときの電気光学パネルの 断面図である。
図 7は、 図 3に示すように基板同士を貼り合わせる直前の様子を示す断面図で ある。
図 8は、 本発明の実施の形態 2に係る電気光学パネルを対向基板の側からみた 平面図である。
図 9は、 (A)、 (B) はそれそれ、 電気光学パネルの断面図、 および基板間 導通部分の平面図である。
図 1 0は、 (A)、 (B) はそれそれ、 図 9 (A) に示すように基板同士を貼 りつける前の状態を示す電気光学パネル端部の断面図、 および基板間導通部分の 平面図である。
図 1 1は、 本発明の実施の形態 3に係る電気光学パネルを対向基板の側からみ た平面図である。
図 1 2は、 図 1 1に示す電気光学パネルの画素の一部を抜き出して示す平面図 である。
図 1 3は、 図 1 2の A— A' 線に相当する位置で切断したときの電気光学パネ ルの断面図である。
図 1 4は、 図 1 3に示すように基板同士を貼り合わせる前の様子を示す断面図 である。
図 1 5は、 本発明の実施の形態 3の改良例に係る電気光学パネルにおける突起 の分布を示す説明図である。
図 1 6は、 本発明の実施の形態 3の別の改良例に係る電気光学パネルにおける 突起の分布を示す説明図である。
図 1 7は、 (A), (B ) はそれそれ、 本発明の実施形態 1の変形例に係る電 気光学パネルにおいて突起およびシール材をそれそれ異なる基板に形成あるいは 塗布した状態を示す説明図、 およびこれらの基板同士を貼り合わせた状態を示す 説明図である。
図 1 8は、 本発明を適用した電気光学パネルの使用例を示す投射型表示装置 ( プロジェクタ) の全体 成図である。
図 1 9は、 従来の電気光学パネルを対向基板の側からみた平面図である。 図 2 0は、 図 1 9の H ' —H〃線で切断したときの電気光学パネルの断面図お よび基板間導通部分の平面図である。
図 2 1は、 本発明の実施形態 4に係る電気光学パネルにおいて突起を形成して 基板同士を貼り合わせた状態を示す説明図である。
〔符号の説明〕
1 電気光学パネル
2 T F Tアレイ纏
3 対向基板
8 画素電極
1 0 画素スイッチング用の T F T
2 1、 2 2、 2 3、 2 5 基板間の隙間寸法制御用の突起
3 0、 3 1 石英ガラス
3 2 対向電極
3 7 画像表示領域
3 9 電気光学物質
4 7 基板間導通用の第 1の電極
4 8 基板間導通用の第 2の電極
9 0 データ線
9 1 走査線
2 0 0 シール材
2 4 1 電気光学物質注入口
2 4 2 封止剤
〔発明を実施するための最良の形態〕
図面を参照して、 本発明の実施の形態を説明する。 なお、 本形態に係る電気光 学パネルにおいて、 従来の電気光学パネルと共通する部分には同一の符号を付し て説明する。
[実施の形態 1 ]
(電気光学パネルの全体構成)
図 1は、 本形態に係る電気光学パネルを対向基板の側からみた平面図である。 図 2は、 図 1の H— H ' 線で切断したときの電気光学パネルの断面図である。 図 3は、 本形態の電気光学パネルに用いた T F Tアレイ基板、 対向基板およびこれ らの基板の貼り合わせ構造を示すパネル端部の断面図である。
図 1、 図 2および図 3に示すように、 投射型表示装置などに用いられる電気光 学パネル 1は、 石英ガラス 3 0の表面に透明な画素電極 8がマトリクス状に形成 された T F Tアレイ基板 2と、 同じく石英ガラス 3 1の表面に透明な対向 « 3 2が形成された対向基板 3と、 これらの基板間に封入、 挟持されている液晶など の電気光学物質 3 9とから概略構成されている。
T F Tアレイ基板 2と対向基板 3とは、 対向基板 3の外周縁に沿って形成され たシール材 2 0 0によって所定の隙間を介して貼り合わされている。 また、 T F Tアレイ基板 2と対向基板 3との間には、 シール材 2 0 0によって電気光学物質 封入領域 4 0が区画形成され、 この画像表示領域 3 7内に液晶などの電気光学物 質 3 9が封入されている。
本形態において、 T F Tアレイ基板 2と対向基板 3との間の隙間寸法 (セル厚 ) は、 後述するように、 T F Tアレイ基板 2から対向基板 3に向けて突出してい る突起によって確保されている。 従って、 本形態で用いるシール材 2 0 0には、 従来と違って、 ギヤヅプ材が配合されている必要はない。
電気光学パネル 1において、 対向基板 3は T F Tアレイ基板 2よりも小さく、 T F Tアレイ基板 2の周辺部分は、 対向基板 3の外周縁よりはみ出た状態に貼り 合わされる。 従って、 T F Tアレイ基板 2の駆動回路 (走査線駆動回路 7 0ゃデ 一夕線駆動回路 6 0 ) や入出力端子 4 5は、 対向基板 3から露出した状態にあり 、 入出力端子 4 5に対するフレキシブル配線基板 9 9の接続が可能である。 ここ で、 シール材 2 0 0は部分的に途切れているので、 この途切れ部分によって、 電 気光学物質注入口 2 4 1が構成されている。 このため、 対向基板 3と T F Tァレ ィ基板 2とを貼り合わせた後、 シール材 2 0 0の内側領域を減圧状態にすれば、 電気光学物質注入口 2 4 1から電気光学物質 3 9を減圧注入でき、 電気光学物質 3 9を封入した後、 電気光学物質注入口 2 4 1を封止剤 2 4 2で塞げばよい。 な お、 対向基板 3には、 シール材 2 0 0の形成領域の内側において、 画像表示領域 3 7の周囲に遮光膜 5 5が形成されている。 また、 対向基板 3には、 T F Tァレ ィ基板 2の各画素電極 8の境界領域に対応する領域に遮光膜 6が形成されている o
本形態の電気光学パネル 1は、 たとえば、 投射型表示装置 (プロジェクタ) に おいて使用される。 この場合、 3枚の電気光学パネル 1が R GB用のライトノヽっレ ブとして各々使用され、 各電気光学パネル 1の各々には、 R GB色分解用のダイ クロイツクミラーを介して分解された各色の光が投射光として各々入射されるこ とになる。 従って、 本形態の電気光学パネル 1にはカラ一フィル夕が形成されて いない。 但し、 対向基板 3において各画素電極 8に対向する領域に R GBのカラ —フィル夕をその保護膜とともに形成することにより、 投射型表示装置以外にも 、 カラー液晶テレビなどといったカラー表示装置を構成することができる。 また 、 対向基板 3に何層もの屈折率の異なる干渉層を積層することにより、 光の干渉 作用を利用して、 R GB色をつくり出すダイクロイックフィル夕を形成してもよ い。 このダイクロイツクフィル夕付きの対向基板によれば、 より明るいカラー表 示を行うことができる。 さらに、 対向基板 3および T F Tアレイ基板 2の光入射 側の面あるいは光出射側には、 使用する電気光学物質 3 9の種類、 すなわち、 T N (ッイステツドネマティック) モード、 S T N (スーパ一 T N) モード、 D— S T N (ダブル一S T N) モード等々の動作モードや、 ノ一マリホワイトモード /ノーマリブラックモードの別に応じて、 偏光フィルム、 位相差フィルム、 偏光 板などが所定の向きに配置される。
このように構成した電気光学パネル 1において、 T F Tアレイ基板 2では、 デ 一夕線 (図示せず。 ) および T F T 1 0を介して画素 に印加した画像信号 によって、 画素 と対向 S¾ 3 2との間において電気光学物質 3 9の配向状 態を画素毎に制御し、 画像信号に対応した所定の画像を表示する。 従って、 T F Tアレイ基板 2では、 データ線および T F T 1 0を介して画素電極 8に画像信号 を供給するとともに、 対向電極 3 2にも所定の電位を印加する必要がある。 そこで、 電気光学パネル 1では、 T F Tアレイ基板 2の表面のうち、 対向基板 3の各コーナー部に対向する部分には、 デ一夕線などの形成プロセスを援用して アルミニウム膜 (遮光性材料) からなる基板間導通用の第 1の電極 4 7が形成さ れている。 一方、 対向基板 3の各コーナ一部には、 対向電極 3の形成プロセスを 援用して透明導電膜 (Indium Tin Oxide: I T〇膜)からなる基板間導通用の第 2 の SIS 48が形成されている。 さらに、 これらの基板間導通用の第 1の ¾ 47 と第 2の電極 48とは、 エポキシ樹脂系ゃァクリル樹脂系の接着剤成分に銀粉や 金めつきファィバーなどの導電粒子が配合された導通材 56によつて電気的に導 通している。 それ故、 電気光学パネル 1では、 T FTアレイ基板 2および対向基 板 3のそれそれにフレキシブル配線基板などを接続しなくても、 TFTアレイ基 板 2のみにフレキシブル配線基板 99を接続するだけで、 TFTアレイ基板 2お よび対向基板 3の双方に所定の信号を入力することができる。
(T FTアレイ基板の構成)
図 4は、 電気光学パネルの構成を模式的に示すブロック図、 図 5は、 この電気 光学パネルにおける画素の一部を抜き出して示す平面図、 図 6は、 図 5における
Α-Α'線における TFTアレイ基板の断面図である。
図 1および図 4に示すように、 本実施の形態による電気光学パネル 1の画像表 示領域 37を構成するマトリクス状に形成された複数の画素の夫々は、 走査線 9 1と、 デ一夕線 90と、 画素電極 8と、 画素 Sffi8を制御するための TFT 10 とからなり、 画像信号が供給されるデータ線 90が当該 TFT 10のソースに電 気的接続されている。 また、 TFT 10の走査線 91にはパルス的に走査信号 G 1、 G2、 ···、 Gmが、 この順に線順次で印加するように構成されている。 画素 は、 T FT 10のドレインに電気的接続されており、 TFT10を一定期 間だけそのスィッチを閉じることにより、 データ線 90から供給される画像信号 Sl、 S2、 ·'·、 Snを所定のタイミングで書き込む。 画素電極 8を介して液晶 に書き込まれた所定レベルの画像信号 S 1、 S2、 ···、 Snは、 対向基板 3に形 成された対向電極 32との間で一定期間保持される。 電気光学物質 39は、 カロ される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、 光を変調 し、 P皆調表示を可能にする。 ここで、 保持された画像信号がリークするのを防ぐ ために、 画素 ¾8と対向 ¾ 32との間に形成される電気光学物質と並列に蓄 積容量 40を付加する。 尚、 このように蓄積容量 40を形成する方法としては、 容量を形成するための配線である容量線 92を設けても良いし、 後述のように前 段の走査線 91との間で容量を形成しても良い。 図 5は一部の画素平面図を示す。 データ線 9 0は、 コンタクトホールを介して ポリシリコン膜からなる半導体層のうち、 ソース領域 1 6に電気的に接続され、 画素 S@ 8は、 コンタクトホールを介してドレイン領域 1 7に電気的に接続して いる。 また、 チャネル領域 1 5に対向するように走査線 9 1が延びている。 なお 、 蓄積容量 4 0は、 画素スイッチング用の T F T 1 0を形成するためのシリコン 膜 1 0 a (半導体膜/図 5に斜線を付した領域) の延設部分に相当する リコン 膜 4 0 a (半導体膜/図 5に斜線を付した領域) を導電ィ匕したものを下 1 とし、 この下 ¾ 4 1に対して容量線 9 2が上 として重なった構造になって いる。
このように構成した画素の A— A ' 線における断面は、 図 6に示すように表さ れる。 まず、 T F Tアレイ基板 2の基体たる石英ガラス 3 0の表面には絶縁性の 下地保護膜 3ひ 1が形成され、 この下地保護膜 3 0 1の表面には、 島状のシリコ ン J3莫 1 0 a、 4 0 aが形成されている。 また、 シリコン J3莫 1 0 aの表面にはゲー ト絶縁膜 1 3が形成され、 このゲート絶縁膜 1 3の上に走査線 (ゲート 9 1が形成されている。 シリコン ^莫 1 0 aのうち、 走査線 9 1に対してゲート絶縁 膜 1 3を介して対峙する領域がチャネル領域 1 5になっている。 このチャネル領 域 1 5に対して一方側には、 低濃度ソース領域 1 6 1および高濃度ソース領域 1 6 2を備えるソース領域 1 6が形成され、 他方側には低濃度ドレイン領域 1 7 1 および高濃度ドレイン領域 1 7 2を備えるドレイン領域 1 7が形成されている。 このように構成された画素スイッチング用の T F T 1 0の表面側には、 第 1層間 絶縁膜 1 8および第 2層間絶縁 fl莫 1 9が形成され、 第 1層間絶縁膜 1 8の表面に 形成されたデータ線 9 0は、 第 1層間絶縁膜 1 8に形成されたコンタクトホール を介して高濃度ソース領域 1 6 2に電気的に接続している。 また、 画素 は 、 第 1層間絶縁膜 1 8および第 2層間絶縁膜 1 9に形成されたコンタクトホール を介して高濃度ドレイン領域 1 7 2に電気的に接続している。 また、 高濃度ドレ イン領域 1 7 2から延設されたシリコン膜 4 0 aには高濃度領域からなる下 miS 4 1が形成され、 この下電極 4 1に対しては、 ゲート絶縁膜 1 3と同時形成され た絶縁膜 (誘電体 J3莫) を介して容量線 9 2が対向している。 このようにして蓄積 容量が形成されている。 ここで、 T F T 1 0は、 好ましくは上述のように L D D構造をもつが、 オフセ ット構造を有していてもよいし、 あるいは走査線 9 1をマスクとして高濃度で不 純物イオンを打ち込み、 自己整合的に高濃度ソースおよびドレイン領域を形成し たセルファライン型の T F Tであってもよい。 対向基板 3上には画素スィッチン グ用の T F T 1 0に対向する領域に遮光膜 6と、 対向 2と配向膜 4 9がこ の順に形成されている。
(基板間の隙間寸法の制御)
このように構成した電気光学パネル 1において、 本形態では、 図 1、 図 2およ び図 3に示すように、 T F Tアレイ基板 2の表面 (電気光学物質 3 9を挟持して いる側の面) には、 画像表示領域 3 7の周りを囲むように、 シール材 2 0 0の形 成領域の内周縁に沿って突起 2 1が形成されている。 この突起 2 1は、 対向基板 3に向けて突き出て対向基板 3に当接することにより、 T F Tアレイ基板 2と対 向電極 3との間に 2〃 mの隙間 (セル厚) を確保している。 すなわち、 突起 2 1 は、 弾性変形可能な材料から構成され、 シール材 2 0 0によって接着固定された T F Tアレイ基板 2と対向電極 3との間で押し潰された状態にある。
(製造方法)
この状態を、 図 1、 図 2、 図 3および図 7を参照して、 電気光学パネル 1の製 造方法とともに詳述する。 図 7は、 図 3に示すように基板同士を貼り合わせる直 前の様子を示す断面図である。
本形態の電気光学パネル 1を製造するにあたって、 まず、 対向基板 3を形成す るには、 石英ガラス 3 1等の絶縁基板の表面に遮光膜 6および対向電極 3 2を順 次形成した後、 対向電極 3 2の表面に、 配向膜を形成するためのポリィミド樹脂 4 9を薄く塗布する。 次に、 ポリイミド樹脂 4 9を 1 5 0 °Cから 2 0 0 °C位の温 度で熱硬ィ匕させる。 このようにして対向基板 3の側にポリイミド樹脂 4 9の層を 形成した後、 ラビング処理を行う。
一方、 T F Tアレイ基板 2を形成するには、 まず、 周知の半導体プロセスを利 用して、 石英ガラス 3 0の表面に T F T 1 0および画素電極 8を順次形成する。 次に、 T F Tアレイ基板 2の表面全体に、 硬ィ匕後も弾性変形可能な種類の樹脂 を塗布した後、 それをフォトリソグラフィ技術を用いてパターニングし、 画像表 示領域 3 7の周りを囲む領域に突起 2 1を形成する。 ここで、 基板間の隙間寸法 のねらい値が例えば 2〃mであれば、 突起 2 1を隙間寸法のねらい値 (2〃m) よりもやや厚めに形成する。
次に、 T F Tアレイ基板 2の表面に、 配向膜を形成するためのポリイミド樹脂 4 6を薄く形成し、 しかる後にラビング処理を行う。
次に、 突起 2 1の外側を囲むように、 T F Tアレイ基板 2の表面に未硬ィ匕のシ —ル材 2 0 0をデイスペンザから吐出しながら塗布する。 また、 T F Tアレイ基 板 2の表面のうち、 シール材 2 0 0の塗布領域よりやや外周側には、 基板間導通 用の未硬化の導通材 5 6を打点式のディスペンザから吐出しながら塗布する。 本 形態では、 導通材 5 6として、 光硬ィ匕性あるいは熱硬化性を有するエポキシ樹脂 系あるいはァクリル樹脂系の接着剤成分に銀粉や金めつきファイバ一などの導電 粒子が配合されたものを用いる。 また、 シール材 2 0 0として、 導通材 5 6と同 様、 光硬化性あるいは熱硬化性を有するエポキシ樹脂系あるいはァクリル樹脂系 の接着剤を用いる。 このシール材 2 0 0にはギャップ材が配合されていない。 従 つて、 シール材 2 0 0にギャップ材を入れなくてよいので、 シ一ル材 2 0 0の下 層側に配線があつても、 これらの配線がギヤヅプ材で押し潰されて断線してしま うということがない。
次に、 T F Tアレイ基板 2に形成されている基板間導通用の第 1の 4 7に 対して対向基板 3に形成されて 、る基板間導通用の第 2の電極 4 8が対向するよ うに、 対向基板 3と T F Tアレイ基板 2とを位置合わせした後、 T F Tアレイ基 板 2に向けて対向基板 3を押圧し、 突起 2 1を高さが 2 /mになる位までかるく 押し潰した状態のまま、 対向基板 3の側からシール材 2 0 0への紫外線照射、 あ るいは加熱処理により、 導通材 5 6およびシール材 2 0 0を硬ィ匕させる。
ここで、 導通材 5 6およびシール材 2 0 0について双方を塗布してから一括し て硬化させてもよいが、 導通材 5 6およびシール材 2 0 0をそれそれ別々に塗布 し、 硬化させてもよい。 また、 硬化は、 仮硬ィ匕と本硬化の 2段階に分けて行って もよい。
その結果、 図 1ないし図 3に示すように、 対向基板 3と T F Tアレイ基板 2と は、 突起 2 1をスぺーサとして介在させた状態で 2〃mの隙間を介して貼り合わ され、 かつ、 T F Tアレイ基板 2に形成されている基板間導通用の第 1の 7と、 対向基板 3に形成されている基板間導通用の第 2の電極 4 8とが導通材 5 6を介して電気的に接続する。
このようにして対向基板 3と T F Tアレイ基板 2とを貼り合わせた後は、 図 1 に示すように、 シール材 2 0 0の内側領域を減圧状態にして電気光学物質注入口 2 4 1から電気光学物質 3 9を ¾E注入し、 しかる後に電気光学物質注入口 2 4 1を封止剤 2 4 2で塞く、。
このように、 本形態では、 T F Tアレイ基板 2に形成した突起 2 1を対向基板 3との間に弾性変形させた状態で介在させることにより、 謝反間の隙間寸法 (セ ル厚) を制御するので、 シール材に配合したギャップ材で隙間寸法を制御する構 成と比較して、 たとえ 2 mという狭い隙間寸法であっても、 高い精度で制御で きる。 また。 突起 2 1は、 画像表示領域 3 7を囲むように形成されているので、 画像表示領域 3 7全域において隙間寸法が制御され、 基板間の隙間寸法に場所毎 のばらつきが発生しない。 それ故、 狭い隙間であっても隙間寸法の精度が高く、 かつ、 隙間寸法が画像表示領域 3 7全面において均一な電気光学パネル 1を実現 できる。 よって、 この電気光学パネル 1を用いて表示を行うと、 表示のむらがな く、 かつ、 コントラスト比が高くて、 しかも明るい表示を行うことができるなど 、 表示の品位が向上する。
[実施の形態 2 ]
図 8は、 本形態に係る電気光学パネルを対向基板の側からみた平面図である。 図 9 (A)、 (B ) はそれそれ、 図 8の H' 線で切断したときの電気光学 パネルの断面図および基板間導通部分の平面図である。 図 1 0 (A)、 (B) は それそれ、 図 9に示すように基板同士を貼り合わす直前の様子を示す電気光学パ ネルの断面図、 および基板間導通部分の平面図である。 なお、 本形態に係る電気 光学パネルにおいて、 実施の形態 1に係る電気光学パネルと共通する部分には同 一の符号を付して図示することにして、 それらの説明を省略する。
実施の形態 1では、 シール材 2 0 0の形成領域の内周縁のみに沿ってセル厚制 御用の突起 2 1を形成したが、 本形態では、 図 8および図 9 (A) に示すように 、 T F Tアレイ基板 2の表面のうち、 シ一ル材 2 0 0の形成領域の内周縁および W 5 C P
18 外周縁の双方に沿って内周側突起 2 2および外周側突起 2 3が形成されている。 また、 本形態では、 図 9 (B ) に示すように、 外周側突起 2 3には、 鎌間の導 通を行う導通材 5 6の形成領域の周りを囲む円形部分 2 4が形成されている。 こ こに示す例では、 導通材 5 6の形成領域の周りを囲む円形部分 2 4と外周側突起 2 3とが一体になつているが、 これらが独立して形成される場合もある。
このような構成の電気光学パネル 1の製造方法を、 図 9および図 1 0を参照し て説明しながら、 併せて基板間に所定の隙間寸法を確保する方法を詳述する。 本形態の電気光学パネル 1を製造するにあたって、 まず、 図 1 0 (A) に示す ように、 対向基板 3に用いた石英ガラス 3 1の表面に遮光膜 6、 対向電極 3 2、 およびポリイミド樹脂 4 9からなる配向膜を形成する。
一方、 T F Tアレイ基板 2に用いた石英ガラス 3 0の表面に、 まず、 T F T 1 0および画素電極 8などを形成する。
次に、 T F Tアレイ基板 2の表面全体に、 硬ィ匕後も弾性変形可能な種類の樹脂 を塗布した後、 それをフォトリソグラフィ技術を用いてパターニングし、 画像表 示領域 3 7の周りを囲むように内周側突起 2 2、 および円形部分 2 4を備える外 周側突起 2 3を形成する。 ここで、 内周側突起 2 2および外周側突起 2 3は、 基 板間の隙間寸法のねらい値が 2 であれば、 内周側突起 2 2および外周側突起 2 3を隙間寸法のねらい値 (2〃m) よりもやや厚めに形成する。 また、 図 1 0 ( B ) に示すように、 外周側突起 2 3の角部分において、 円形部分 2 4は、 導通 材 5 6を介して基板同士を導通させるための第 1の電極 4 7の周りを囲むように 形成する。
次に、 T F Tアレイ基板 2の表面に、 ポリイミド樹脂 4 6の形成、 およびラビ ング処理を行なって、 ポリイミド樹脂 4 6の層を配向膜とする。
次に、 T F Tアレイ基板 2の表面のうち、 内周側突起 2 2および外周側突起 2 3に挟まれた領域に対して未硬化のシール材 2 0 0をデイスペンザから吐出しな がら塗布する。 また、 外周側突起 2 3の円形部分 2 4で囲まれた領域内には、 基 板間導通用の未硬化の導通材 5 6を打点式のディスペンザから吐出しながら塗布 する。 本形態でも、 導通材 5 6として、 光硬化性あるいは熱硬化性を有するェポ キシ樹脂系あるいはァクリル樹脂系の接着剤成分に銀粉や金めつきファイバ一な W 00 T/JP
19 どの導電粒子が配合されたものを用いる。 また、 シール材 2 0 0として、 光硬ィ匕 性あるいは熱硬ィ匕性を有するエポキシ樹脂系あるいはァクリル樹脂系の接着剤を 用い、 このシール材 2 0 0にはギャップ材が配合されていない。
次に、 T F Tアレイ基板 2に形成されている基板間導通用の第 1の S@4 7に 対して対向基板 3に形成されている基板間導通用の第 2の! ¾4 8が対向するよ うに、 対向基板 3と T F Tアレイ基板 2とを位置合わせした後、 T F Tアレイ基 板 2に向けて対向基板 3を押圧して、 突起 2 2、 2 3、 2 4の高さが 2 /mにな る位まで押し潰した状態のまま、 対向基板 3の側からシール材 2 0 0への紫外線 照射、 あるいは加熱処理により、 導通材 5 6を硬化させるとともに、 シール材 2 0 0を硬ィ匕させる。
その結果、 図 8ないし図 9に示すように、 対向基板 3と T F Tアレイ基板 2と は所定の隙間を介して貼り合わされ、 かつ、 T F Tアレイ基板 2に形成されてい る基板間導通用の第 1の電極 4 7と、 対向基板 3に形成されている基板間導通用 の第 2の電極 4 8とが導通材 5 6を介して電気的に接続する。
このように、 本形態では、 T F Tアレイ基板 2に形成した内周側突起 2 2およ び外周側突起 2 3を対向基板 3に当接させることにより、 基板間の隙間寸法 (セ ル厚) を制御するので、 シール材に配合したギャップ材で隙間寸法を制御する構 成と比較して、 隙間寸法を高い精度で制御できる。 また。 内周側突起 2 2および 外周側突起 2 3は、 画像表示領域 3 7を囲むように形成されているので、 画像表 示領域 3 7全域において、 基板間の隙間寸法にばらつきが発生しない。 それ故、 隙間寸法の精度が高く、 かつ、 隙間寸法が画像表示領域 3 7全面において均一な 電気光学パネル 1を実現できる。
また、 未硬化のシ一ル材 2 0 0は、 内周側突起 2 2および外周側突起 2 3に挟 まれた領域内に塗布するので、 塗布する際および加熱した際に余分な領域にはみ 出ることがない。 さらに、 未硬化の導通材 5 6は、 外周側突起 2 3の円形部分 2 4の内側に塗布するので、 塗布する際および加熱した際余分な領域にはみ出るこ とがない。 それ故、 シール材 2 0 0および導通材 5 6の接着剤成分として、 熱硬 化性のものを用いることができる。 ここで、 熱硬ィ匕性のものをシール材 2 0 0あ るいは導通材 5 6として用いると、 紫外線硬ィ匕性のものを用いた場合と違って、 紫外線照射によって配向膜を構成するポリイミド樹脂 4 6、 4 9が劣化するとい う事態を回避できる。 それ故、 紫外線照射する際に所定領域を遮光するという手 間のかかる工程が不要である。 また、 紫外線硬ィ匕性のシール材 2 0 0を用いた際 にはシール材 2 0 0に紫外線が届くように、 シール材 2 0 0と重なる領域には各 種の回路や配線などを形成できないという制約があるが、 熱硬化性のシール材 2 0 0であれば、 それと重なる領域を有効利用でき、 そこに各種の回路や配線を配 置することができる。 また、 シール材 2 0 0の形成領域を画像表示領域 3 7の周 辺に形成された遮光膜 5 5と少なくとも部分的に重なる位置まで拡張することに より、 そのシール性を高めることもできる。
[実施の形態 3 ]
図 1 1は、 本形態に係る電気光学パネルを対向基板の側からみた平面図である 。 図 1 2および図 1 3はそれそれ、 電気光学パネルの画素の平面図および断面図 である。 また、 図 1 4は、 図 1 3に示すように基板同士を貼り合わす直前の様子 を示す画素の断面図である。 なお、 本形態に係る電気光学パネルにおいて、 実施 の形態 1に係る電気光学パネルと共通する部分には同一の符号を付して図示する ことにして、 それらの説明を省略する。
実施の形態 1、 2では、 シール材 2 0 0の形成領域に沿ってセル厚制御用の突 起 2 1、 2 2、 2 3を形成したが、 本形態では、 図 1 1に示すように、 シール材 2 0 0の形成領域に沿ってセル厚制御用の突起などが形成されておらず、 図 1 9 を参照して説明した従来の電気光学パネルと略同一の平面开 を有している。 その代わりに、 本形態では、 図 1 2および図 1 3に示すように、 液晶パネル 1 の画像表示領域 3 7内の点在する所定の位置に、 円柱形状の多数の突起 2 5が形 成され、 これらの多数の突起 2 5が、 シール材 2 0 0で貼り合わされた T F Tァ レイ基板 2と対向基板 3との間に介在することによって、 基板間には所定の隙間 が確保されている。 本形態では、 突起 2 5を形成する位置として、 画像表示領域 3 7内に形成されているいずれの画素においても、 光の透過しない非開口領域に 形成されている。 すなわち、 各画素において、 図 5を参照して説明した画素のう ち、 画素スイッチング用の T F T 1 0を形成するためのシリコン膜 1 0 a (半導 体膜/図 5に斜線を付した領域) の延設部分に相当するシリコン膜 4 0 a (半導 体膜/図 5に斜線を付した領域) 、 および容量線 9 2を利用して蓄積容量 4 0が 形成されている領域に突起 2 5が形成されている。
このような構成の電気光学パネル 1の製造方法を、 図 1 1、 図 1 2、 図 1 3お よび図 1 4を参照して説明しながら、 併せて、 基板間に所定の隙間寸法を確保す る方法を詳述する。
本形態の電気光学パネル 1を製造するにあたって、 まず、 図 1 4に示すように 、 対向基板 3に用いた石英ガラス 3 1の表面に遮光膜 6、 対向電極 3 2、 および ポリイミ ド樹脂 4 9からなる配向膜を形成する。
一方、 T F Tアレイ基板 2に用いた石英ガラス 3 0の表面には、 T F T 1 0お よび画素 S@ 8などを形成する。
次に、 T F Tアレイ基板 2の表面全体に硬化後も弾性変形可能な種類の樹脂を 塗布した後、 図 1 2および図 1 4に示すように、 それをフォトリソグラフィ技術 を用いてパターニングし、 T F Tアレイ基板 2の表面のうち、 蓄積容量 4 0が形 成されている比較的、 平坦な領域に円柱开^ Kの突起 2 5を形成する。 ここで、 突 起 2 5は、 基板間の隙間寸法のねらい値が 2〃mであれば、 突起 2 5を隙間寸法 のねらい値 (2〃m) よりもやや厚めに形成する。
次に、 T F Tアレイ基板 2の表面に、 ポリイミド樹脂 4 6の形成、 およびラビ ング処理によって、 ポリイミド樹脂 4 6の層からなる配向膜を形成する。
次に、 図 1 1に示すように、 T F Tアレイ基板 2の表面のうち、 対向基板 3の 外周縁に重なる領域に未硬ィ匕のシール材 2 0 0をデイスペンザから吐出しながら 塗布する。 また、 シール材 2 0 0の塗布領域の外周側には、 基板間導通用の未硬 化の導通材 5 6を打点式のディスペンザから吐出しながら塗布する。 本形態でも 、 導通材 5 6として、 光硬化性あるいは熱硬ィ匕性を有するエポキシ樹脂系あるい はァクリル樹脂系の接着剤成分に銀粉や金めつきファイノ、一などの導電粒子が配 合されたものを用いる。 ここで、 シール材 2 0 0としては、 光硬ィ匕性あるいは熱 硬ィ匕性を有するエポキシ樹脂系あるいはァクリル樹脂系の接着剤を用い、 このシ ール材 2 0 0にはギャップ材が配合されているもの、 ギャップ材が配合されてい ないもののいずれを用いてもよい。 ここで、 ギャップ材が西己合されていないシ一 ル材 2 0 0を用いれば、 シ一ル材 2 0 0の下層側に配線があっても、 これらの配 線がギャップ材で押し潰されて断線するのを防ぐことができる。
次に、 T F Tアレイ基板 2に形成されて t、る基板間導通用の第 1の電極 4 7に 対して対向基板 3に形成されている基板間導通用の第 2の電極 4 8が対向するよ うに、 対向基板 3と T F Tアレイ勘反 2とを位置合わせした後、 T F Tアレイ基 板 2に向けて対向基板 3を押圧して、 図 1 3に示すように、 突起 2 5の高さが 2 /mになる位までかるく押し潰した状態のまま、 対向基板 3の側からシール材 2 0 0への紫外線照射、 あるいは加熱処理により、 導通材 5 6を硬ィ匕させるととも に、 シール材 2 0◦を硬ィ匕させる。
その結果、 図 1 1および図 1 3に示すように、 対向基板 3と T F Tアレイ基板 2とは所定の隙間を介して貼り合わされ、 かつ、 T F Tアレイ基板 2に形成され ている基板間導通用の第 1の電極 4 7と、 対向基板 3に形成されている基板間導 通用の第 2の€14 8とが導通材 5 6を介して電気的に接続する。
このようにして対向基板 3と T F Tアレイ基板 2とを貼り合わせた後は、 図 1 1に示すように、 シール材 2 0 0の内側領域を減圧状態にして電気光学物質注入 口 2 4 1から液晶などの電気光学物質 3 9を減圧注入し、 電気光学物質 3 9を充 填した後、 電気光学物質注入口 2 4 1を封止剤 2 4 2で塞ぐ。 この際に、 突起 2 5は円柱形状であるため、 液晶などの電気光学物質 3 9は、 突起 2 5に邪魔され ること無く、 スムーズに突起 2 5を回り込むので、 電気光学物質 3 9は適正に充 填される。 従って、 電気光学物質 3 9の充填不良が発生しない。
このように、 本形態では、 T F Tアレイ基板 2に形成した突起 2 5を対向基板 3に当接させることにより、 基板間の隙間寸法 (セル厚) を制御するので、 シー ル材に配合したギヤップ材で隙間寸法を制御する構成と比較して、 隙間寸法を高 い精度で制御できる。 また。 突起 2 5は、 画像表示領域 3 7内に点在する多数の 位置で T F Tアレイ基板 2と対向基板 3との間に介在するので、 画像表示領域 3 7全域において、 基板間の隙間寸法にばらつきが発生しない。 それ故、 狭い隙間 であっても隙間寸法の精度が高く、 かつ、 隙間寸法が画像表示領域 3 7全面にお いて均一な電気光学パネル 1を実現できる。
また、 スぺーサとして機能する突起 2 5を T F Tアレイ基板 2に作りこむので 、 画像表示領域 3 7に対してスぺーサを散布した場合と違って、 表示品位を低下 させるような位置を避けて、 各画素において光の透過しない非開口領域のみに突 起 2 5を選択的に形成できる。 たとえば、 本形態のように、 蓄積容量 4 0が形成 された平坦な領域に突起 2 5を選択的に形成できる。 従って、 電気光学パネル 1 を投射型表示装置のライトバルブとして用いても、 突起 2 5が像として拡大投射 されることはない。
また、 突起 2 5は、 各画素における同一個所 (蓄積容量 4 0の形成領域)、 す なわち各画素における同一座標上に形成されているので、 突起 2 5は、 いずれも 各画素において同じ高さの位置に形成されている。 それ故、 突起 2 5の高さの位 置が各画素間で同一であるので、 基板間の隙間寸法をより確実に一定にすること ができる。 よって、 段差の大きな T F Tアレイ基板 2を用いた場合であっても、 T F Tアレイ基板 2と対向基板 3との間に一定の隙間を確保できる。
[実施の形態 3の改良例]
図 1 5は、 実施の形態 3の改良例に係る電気光学パネルにおける突起の分布を 示す説明図、 図 1 6は、 実施の形態 3の別の改良例に係る電気光学パネルにおけ る突起の分布を示す説明図である。
実施の形態 3に係る電気光学パネル 1では、 画像表示領域 3 7において円柱形 状の突起 2 5を等しい密度で形成する例であったが、 ここに説明する例では、 画 像表示領域 3 7のうち、 ある特定の領域では突起 2 5を高密度に形成し、 他の領 域では突起 2 5を低密度にしか形成しない。
すなわち、 図 1 5に示す例では、 電気光学パネル 1の画像表示領域 3 7におい てマトリクス状に並ぶ多数の画素のうち、 周囲領域は突起 2 5 (図 1 5において 黒丸を付してある。 ) の高密度形成領域として、 全ての画素に突起 2 5が形成さ れているのに対して、 中心領域は突起 2 5の低密度形成領域として一部の画素に のみ突起 2 5が形成されている。
このように構成すると、 基板同士を貼り合わせた直後は、 画像表示領域 3 7の 中心領域で基板間の隙間が狭くなる。 すなわち、 液晶などの電気光学物質を基板 間に注入するタイミングによっては電気光学ノ W、ル 1の中心が膨らむことがある が、 このような膨らみの発生を見越して基板同士を貼り合わせることができる。 すなわち、 画像表示領域 3 7内に電気光学物資 3 9減圧注入したとき、 多少、 中 心領域が膨らんで隙間寸法が大きくなつても、 この.ような拡大分は、 電気光学物 質 39を注入する前の隙間寸法の差で吸収、 緩和される。 それ故、 基板間の隙間 寸法を画像表示領域 37全面において均一化することができる。
また、 突起 25の形成密度を変える形態としては、 図 16に示すように、 対向 基板 3と T FTアレイ基板 2とを貼り合わせる際に T FTアレイ基板 2に向けて 対向基板 3を押圧する装置において、 押圧力が場所によってばらつく傾向にある 場合には、 このようなばらつきを相殺するような分布をもって突起 25を形成す る。 たとえば、 図 16に向かって左側において T FTアレイ基板 2への押圧力が 大で、 右側において TFTアレイ基板 2への押圧力が小であれば、 画像表示領域 37のうち、 図 16に向かって左側領域については、 突起 25の高密度形成領域 として突起 25を形成する画素数を増やし、 例えば全ての画素に突起 25を形成 し、 一方、 図 16に向かって右側領域については、 突起 25の低密度形成領域と して一部の画素のみに突起 25を形成する。
このように構成すると、 押圧力が場所によって相違しても、 それに応じて、 対 向基板 3と TFTアレイ基板 2との間に介在する突起 25の密度を設定するので 、 結果としては、 画像表示領域 37の全面において基板間の隙間を均一にするこ とができる。
[その他の実施の形態]
実施形態 1の変形例 1を図 17 (A) に示す。 実施形態 1の形態においては、 TFTアレイ基板 2の方のシール材形成領域の周辺に突起 21を形成し、 かつ、 シール材 200も TFTアレイ基板 2の方に形成する例を示したが、 図 17 (A ) の変形例では、 対向基板 3の側の所定位置に突起 21を形成する一方、 シール 材 200を TFTアレイ基板 2の方に形成し、 しかる後に、 TFTアレイ基板 2 と対向基板 3とを貼り合わせている。 この場合に、 突起 21の形成位置とシール 材 200の塗布位置とは、 前記の実施の形態 1のようにずらしてもよいが、 図 1 7 (A) に示す例のように、 突起 21と重なる位置にシ一ル材 200を塗布して もよく、 この場合には、 図 17 (B) に示すように、 突起 21と TFTアレイ基 板 2との間にシール材 200が介在することになり、 突起 21と TFTアレイ基 板 2とが接着固定される構成となる。 その他の構成は、 前記した実施の形態 1と 同様であるので、 対応する部分には同一の符号を付してそれらの説明を省略する 。 なお、 このような構成は、 実施の形態 2及び 3においても採用することができ るが、 その説明は省略する。
[実施の形態 4 ]
実施形態 4を図 2 1に示す。 実施形態 4の形態においては、 T F Tアレイ基板 2の方のシール材形成領域の周辺であって且つその内側に突起 2 1を形成し、 且 つシール材 2 0 0も T F Tアレイ基板 2の方に形成する例を示したが、 図 2 1の 実施の形態 4では、 表示領域の回りの遮光膜 5 5に対向するように対向基板 3の 側に、 あるいは T F Tアレイ基板 2の側に形成し、 しかる後に、 T F Tアレイ基 板 2と対向基板 3とを貼り合わせている。 尚、 この遮光膜 5 5は、 画素がマトリ クス状に形成された表示領域とその周辺の非表示領域とを仕切るために形成され た膜である。 この場合に、 突起 2 1の形成位置と遮光膜 5 5の塗布位置とはずれ てもよいが、 遮光膜 5 5の幅以内におさまるように突起 2 1を形成すれば遮光膜 5 5の段差に影響されずに突起 2 1により基板間のギャップを制御することがで きる。 しかも平面的にみて突起 2 1が遮光莫 5 5に重なるとともに遮光莫 5 5に より隠れるため突起 2 1の表示への影響を防ぐことができる。 また、 この突起 2 1は、 遮光膜 5 5に沿って同様に非表示領域を囲むように形成してもよいし、 あ るいは遮光膜 5 5に沿って点在させてもよい。 このように、 突起 2 1と T F Tァ レイ基板 2との間にシール材 2 0 0が介在することになり、 突起 2 1と T F Tァ レイ基板 2とが接着固定される構成となる。 また、 突起 2 1を T F Tアレイ基板 側の遮光膜 5 5の 4角に対向するように設けて T F Τアレイ基板と対向基板とを 貼り合わせることもできる。 その場合、 T F Tアレイ基板側に設けられた突起 2 1が対向基板との貼り合わせのァライメントマークとして機能させることができ る。 その他の構成は、 前記した実施の形態 1と同様であるので、 対応する部分に は同一の符号を付してそれらの説明を省略する。
[電気光学パネルの電子機器への適用]
次に、 電気光学パネル 1を備えた電子機器の一例として、 投射型表示装置を説 明する。 図 1 8は、 本発明を適用した電気光学パネル 1の使用例を示す投射型表 示装置 (電気光学装置) の全体構成図である。 図 1 8において、 投射型表示装置 1 1 0 0は、 電気光学パネル 1を各々 R G B 用のライトバルブ 1 0 0 R、 1 0 0 G及び 1 0 0 Bとして用いたプロジェクタで ある。 この液晶プロジェクタ 1 1 0 0では、 メタルハラィドランプ等の白色光源 のランプュニット 1 1 0 2から投射光が発せられると、 3枚のミラー 1 1 0 6及 び 2枚のダイクロイヅクミラー 1 1 0 8によって、 R GBの 3原色に対応する光 成分 R、 G、 Bに分けられ、 各色に対応するライトバルブ 1 0 0 R、 1 0 0 G及 び 1 0 0 Bに各々導かれる。 この際特に B光は、 長い光路による光損失を防ぐた めに、 入射レンズ 1 1 2 2、 リレーレンズ 1 1 2 3及び出射レンズ 1 1 2 4から なるリレ一レンズ系 1 1 2 1を介して導かれる。そして、 ライトバルブ 1 0 0 R、 1 0 0 G及び 1 0 0 Bにより各々変調された 3原色に対応する光成分は、 ダイク ロイックプリズム 1 1 1 2により再度合成された後、 投射レンズ 1 1 1 4を介し てスクリーン 1 1 2 0にカラ一画像として投射される。
〔産業上の利用分野〕
以上のとおり、 本発明では、 一方の基板に形成された突起を他方の基板に当接 させることにより、 基板間の隙間寸法 (セル厚) を制御するので、 シール材に配 合したギヤップ材で隙間寸法を制御する構成と比較して、 隙間寸法を高い精度で 制御できる。 また、 突起は、 画像表示領域を囲むように、 あるいは画面投射領域 を画像表示領域全域において、 基板間の隙間寸法にばらつきが発生しない。 それ 故、 狭い隙間であっても隙間寸法の精度が高く、 かつ、 隙間寸法が画像表示領域 全面において均一な電気光学パネルを実現する。 また、 シール材にギャップ材を 入れなくてよいので、 シール材の下層側に配線があっても、 これらの配線がギヤ ップ材で押し潰されて断線してしまうということがない。

Claims

請求の範囲
1 . 一対の基板間に電気光学物質が挟持されてなり、 前記一対の基板同士はシ —ル材により接着固定されてなり、 前記シール材の形成領域内には複数の画素か らなる画像表示領域を有する電気光学パネルにおいて、
前記一対の基板のうちの一方の基板には、 他方の基板に向けて突出して該他方 の基板に当接する突起を有し、 該突起は、 前記画素領域を囲む領域に形成されて いることを特徴とする電気光学パネル。
2 . 請求讀 1において、 前記突起は、 前記シ一ル材の形成領域の内周縁および外 周縁のうちの一方の縁に沿って形成されていることを特徴とする電気光学パネル。
3 . 請求項 1において、 前記突起は、 前記シ一ル材の形成領域の内周縁に沿って 形成された第 1突起および外周縁の双方に沿って形成された第 2突起を有し、 前 記シール材は、 前記第 1突起と前記第 2突起とに挟まれた領域内に形成されてい ることを特徴とする電気光学パネル。
4 . 一対の基板間に電気光学物質が挟持されてなり、 前記一対の基板同士はシ一 ル材により接着固定されてなり、 前記シ一ル材の形成領域内には複数の画素から なる画像表示領域を有する電気光学パネルにおいて、
前記一対の基板のうちの一方の基板には、 他方の基板に向けて突出して該他方 の基板に当接する突起を有し、 該突起は、 前記一対の基板の夫々に形成された導 電層間を電気的に接続する導通材の形成領域の周りに形成されていることを特徴 とする電気光学パネル。
5 . 請求項 4において、 前記突起は、 前記導通材の形成領域の周りを囲むように 形成されていることを特徴とする電気光学パネル。:
6 . 請求項 1乃至請求項 5のいずれか一項において、 前記突起は、 弾性変形可能 な材料から構成され、 前記一対の基板間で押し潰された状態にあることを特徴と する電気光学パネル。
7 . 請求項 1乃至請求項 6のいずれか一項において、 前記シール材は前記画像表 示領域の周辺に形成された遮光膜と少なくとも一部で重なるように形成されて 1ヽ ることを特徴とする電気光学パネル。
8 . 請求項 1乃至請求項 8のいずれか一項において、 前記一対の基板は、 画素電 極および画素スィヅチング用の薄膜トランジスタがマトリクス状に形成されたト ランジス夕アレイ基板と、 対向電極が形成された対向基板とから構成されている ことを特徴とする電気光学パネル。
9 . 請求項 8に記載の電気光学パネルを用いた拡大投射型表示装置であって、 光 源と、 該光源から出射された光を前記電気光学パネルに導く集光光学系と、 当該 電気光学パネルで光変調した光を拡大投射する拡大投射光学系とを有することを 特徴とする投射型表示装置。
1 0 . 請求項 1乃至請求項 9のいずれか一項に記載の電気光学パネルの製造方法 において、 前記一対の基板のうちの一方の基板に前記突起を形成した後、 前記シ 一ル材を塗布し、 しかる後に前記一対の基板を押圧しながら前記シール材を硬化 させることを特徴とする電気光学ノ、°ネルの製造方法。
1 1 . 請求項 3に記載の電気光学パネルの製造方法において、 前記シール材を形 成する予定の領域の内周縁に沿った第 1突起と外周縁に沿った第 2突起を形成し た後、前記第 1突起と前記第 2突起とに挟まれた領域内に前記シール材を塗布し、 しかる後に前記一対の基板を押圧しながら前記シール材を硬ィ匕させることを特徴 とする電気光学ノ、°ネルの製造方法。
1 2 . 請求項 4に記載の電気光学パネルの製造方法において、 前記導通材を形成 する予定の領域の周りを囲むように前記突起を形成した後、 該突起によって囲ま れた領域内に前記導通材を塗布するとともに、 前記シール材を前記画像表示領域 の周りを囲むように塗布し、 しかる後に前記一対の基板を押圧しながら前記シ一 ル材および前記導通材を同時あるいは別々に硬ィ匕させることを特徴とする電気光 学パネルの製造方法。
1 3 . 請求項 1 1に記載の電気光学パネルの製造方法であって、 前記一対の基板 のうちの一方の基板に前記突起を弾性変形可能な材料により形成した後、 当該一 方の基板にシール材を塗布し、 しかる後に前記一対の基板を押圧しながら前記シ —ル材を硬化させることを特徴とする電気光学パネルの製造方法。
1 4. 請求項 1乃至請求項 1 2のいずれか一項において、 前記一対の基板のうち の一方の基板に前記突起を弾性変形可能な材料により形成する一方、 他方の基板 にシール材を塗布し、 しかる後に前記一対の基板を押圧しながら、 前記シール材 を硬ィ匕させることを特徴とする電気光学パネルの製造方法。
1 5 . —対の基板間に電気光学物質が挟持されてなり、 前記一対の基板同士はシ ール材により接着固定されてなり、 前記シール材の形成領域内には複数の画素か らなる画像表示領域を有する電気光学パネルにおいて、
前記一対の基板のうちの一方の基板には、 他方の基板に向けて突出して該他方 の基板に当接する突起が形成され、 該突起は、 前記画像表示領域内の所定位置に 点在されていることを特徴とする電気光学パネル。
1 6 . 請求項 1 5において、 前記突起は、 前記各画素において光が透過しない非 開口領域に形成されていることを特徴とする電気光学パネル。
1 7 . 請求項 1 5において、 前記突起は、 各画素内における同一座標上に形成さ れていることを特徴とする電気光学パネル。
1 8 . 請求項 1 5乃至請求項 1 7のいずれか一項において、 前記突起は、 円柱形 状を有していることを特徴とする電気光学パネル。
1 9 . 請求項 1 5乃至請求項 1 8のいずれか一項において、 前記突起は、 前記画 像表示領域内における周囲領域では中心領域に比較して高密度に形成されている ことを特徴とする電気光学ノ、'ネル。
2 0 . 請求項 1 5乃至請求項 1 8のいずれか一項において、 前記突起は、 前記画 像表示領域内における一方側領域では他方側領域に比較して高密度に形成されて いることを特徴とする電気光学パネル。
2 1 . 請求項 1 5乃至請求項 2 0のいずれか一項において、 前記突起は、 弾性変 形可能な材料から構成され、 前記一対の基板間で押し潰された状態にあることを 特徴とする電気光学パネル。
2 2 . 請求項 1 5乃至請求項 2 1のいずれか一項において、 前記一対の基板は、 画素電極および画素スィツチング用の薄膜トランジスタがマトリクス状に形成さ れたトランジスタアレイ基板と、 対向電極が形成された対向基板とから構成され ていることを特徴とする電気光学パネル。
2 3 .請求項 2 2に記載の電気光学パネルを用いた拡大投射型表示装置であって、 光源と、 該光源から出射された光を前記電気光学パネルに導く集光光学系と、 当 該電気光学パネルで光変調した光を拡大投射する拡大投射光学系とを有すること を特徴とする投射型表示装置。
2 4 . 請求項 1 5乃至請求項 2 3のいずれか一項に記載の電気光学パネルの製造 方法において、 前記一対の基板のうちの一方の基板に前記突起を形成した後、 前 記シール材を塗布し、 しかる後に前記一対の基板を押圧しながら前記シール材を 硬ィ匕させることを特徴とする電気光学ノ ネルの製造方法。
2 5 . 請求項 2 4に記載の電気光学パネルの製造方法であって、 前記一対の基板 のうちの一方の基板に前記突起を弾性変形可能な材料により形成した後、 当該一 方の基板にシール材を塗布し、 しかる後に前記一対の基板を押圧しながら前記シ —ル材を硬化させることを特徴とする電気光学ノ ネルの製造方法。
2 6 . 請求項 1 5乃至請求項 2 2のいずれか一項に記載の電気光学パネルの製造 方法において、 前記一対の基板のうちの一方の基板に前記突起を弾性変形可能な 材料により形成する一方、 他方の基板にシ一ル材を塗布し、 しかる後に前記一対 の を押圧しながら、 前記シール材を硬ィ匕させることを特徴とする電気光学パ ネルの製造方法。
2 7 . 一対の基板間に電気光学物質が挟持されてなり、 前記一対の基板同士はシ ール材により接着固定されてなり、 前記シール材の形成領域内には複数の画素か らなる画像表示領域を有する電気光学パネルにおいて、
前記一対の基板のうちの一方の基板には、 他方の基板に向けて突出して該他方 の基板に当接する突起を有し、 該突起は、 前記画素領域を囲む領域に形成された 遮光膜に対向するように配置されていることを特徴とする電気光学パネル。
2 8 . 前記突起は、 平面的にみて前記遮光膜の幅以内に収まるように配置されて いることを特徴とする請求項 2 7に記載の電気光学パネル。
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