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WO1999003112A1 - Resistor and method for manufacturing the same - Google Patents

Resistor and method for manufacturing the same Download PDF

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WO1999003112A1
WO1999003112A1 PCT/JP1998/003051 JP9803051W WO9903112A1 WO 1999003112 A1 WO1999003112 A1 WO 1999003112A1 JP 9803051 W JP9803051 W JP 9803051W WO 9903112 A1 WO9903112 A1 WO 9903112A1
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WO
WIPO (PCT)
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layer
resistance
resistor
substrate
trimming groove
Prior art date
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Ceased
Application number
PCT/JP1998/003051
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Shogo Nakayama
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to DE69808499T priority Critical patent/DE69808499T2/de
Priority to US09/462,578 priority patent/US6304167B1/en
Priority to EP98929864A priority patent/EP1011110B1/en
Publication of WO1999003112A1 publication Critical patent/WO1999003112A1/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Ceased legal-status Critical Current

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Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01C—RESISTORS
    • H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01C—RESISTORS
    • H01C17/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
    • H01C17/006—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for manufacturing resistor chips
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01C—RESISTORS
    • H01C17/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
    • H01C17/22—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for trimming
    • H01C17/24—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for trimming by removing or adding resistive material

Definitions

  • the present invention relates to a resistor used in a high-density wiring circuit and a method for manufacturing the resistor.
  • FIG. 8 is a sectional view of a conventional resistor.
  • reference numeral 1 denotes an insulating substrate.
  • Reference numeral 2 denotes first upper electrode layers provided on both left and right ends of the upper surface of the insulating substrate 1.
  • Reference numeral 3 denotes a resistance layer provided so as to partially overlap the first upper electrode layer 2.
  • Reference numeral 4 denotes a first protective layer provided so as to cover only the entire resistive layer 3.
  • Reference numeral 5 denotes a trimming groove provided in the resistance layer 3 and the first protection layer 4 to correct the resistance value.
  • Reference numeral 6 denotes a second protective layer provided only on the upper surface of the first protective layer 4.
  • Reference numeral 7 denotes a second upper electrode layer provided on the upper surface of the first upper electrode layer 2 so as to extend to the full width of the insulating substrate 1.
  • Reference numeral 8 denotes a side surface electrode layer provided on the side surface of the insulating substrate 1.
  • Reference numerals 9 and 10 denote nickel plating layers provided on the surfaces of the second upper electrode layer 7 and the side electrode layer 8, and solder. It is a spoiled layer.
  • FIG. 9 is a process chart showing a conventional method for manufacturing a resistor.
  • the first upper electrode layer 2 is formed by coating on both left and right ends of the upper surface of the insulating substrate 1.
  • a resistive layer 3 is applied on the upper surface of the insulating substrate 1 so as to partially overlap the first upper electrode layer 2.
  • FIG. 9 (c) after forming the first protective layer 4 by coating so as to cover only the entire resistive layer 3, the total resistance value of the resistive layer 3 is reduced to a predetermined resistance value.
  • a trimming groove 5 is formed in the resistance layer 3 and the first protective layer 4 by using a laser or the like so as to fall within the range.
  • the second protective layer 6 is formed by coating only on the upper surface of the first protective layer 4.
  • a second upper electrode layer 7 is formed on the upper surface of the first upper electrode layer 2 so as to extend to the full width of the insulating substrate 1.
  • the first and second upper electrode layers 2 and 7 are electrically connected to the left and right side surfaces of the first upper electrode layer 2 and the insulating substrate 1, respectively.
  • the side electrode layer 8 is applied and formed as described above.
  • the nickel plating layer 9 and the solder-coated layer 10 are formed by soldering. To produce a conventional resistor.
  • the resistor according to the above-mentioned conventional configuration and manufacturing method In order to improve the resistance value accuracy, a trimming groove 5 is formed in the resistance layer 3 and the first protective layer 4 by a laser or the like, so that the current noise of the resistor is large. Had the problem of becoming
  • FIG. 10 (a) is a diagram showing the relationship between the current value noise and the resistance correction magnification of a 100-k ⁇ resistor having a resistance value of 100 k ⁇ according to the conventional configuration and manufacturing method. is there.
  • the noise increases as the resistance correction factor increases. Basically, if the resistance value correction magnification increases, the effective resistance area of the resistive layer decreases and the noise worsens, but in addition to this, the resistance around the trimming groove is also increased. Since the layer is deteriorated due to heat at the time of correcting the resistance value and generation of cracks at the opening of the microphone, current noise is further deteriorated.
  • the reason why the current noise after the correction of the resistance value varies is that the degree of deterioration of the resistance layer varies.
  • FIGS. 10 (b) and 10 (c) are diagrams showing changes in the current noise of the resistance layer after each step.
  • FIG. 10 (b) shows the case where the second protective layer is a resin
  • FIG. 10 (c) shows the case where the second protective layer is a glass.
  • the second protective layer is made of resin
  • the current noise that has deteriorated to the finished product remains.
  • the second protective layer is glass
  • sufficient heat is applied to recover the resistance when the second protective layer is fired, but the resistive layer is covered with the first fired first protective layer. Resistance caused by trimming
  • the glass component does not penetrate into the micro crack of the layer, and the recovery of the deteriorated resistance layer does not progress. That is, the current noise hardly recovers.
  • An object of the present invention is to solve the above-mentioned conventional problems, and to provide a resistor excellent in current noise and resistance value accuracy and a method of manufacturing the same. Disclosure of the invention
  • a resistor according to the present invention includes a substrate, a pair of upper electrode layers provided on a side portion of an upper surface of the substrate, and a resistor provided so as to be electrically connected to the upper electrode layer.
  • the first resistor provided by cutting the resistance layer is provided. Since the resistance recovery layer is provided so as to cover the trimming groove, the glass component of the resistance recovery layer softened and melted during firing of the resistance recovery layer, and the glass component of the resistance recovery layer was generated by the first trimming.
  • the current noise after the formation of the resistance recovery layer is first trimmed because the deteriorated resistance layer is repaired by penetrating the micro clock of the layer. Since the current noise can be significantly reduced compared to the subsequent current noise, and since the resistance layer and the resistance recovery layer are cut to provide the second trimming grooves, the resistance recovery layer is formed.
  • the resistance distribution which has sometimes deteriorated slightly, can be finely corrected to a predetermined resistance value by the second trimming, and as a result, the current noise is reduced to the finished product. Resistance value can be corrected while maintaining excellent condition Because, those that can have possible to get an excellent resistor also current Bruno I's and resistance accuracy.
  • FIG. 1 (a) is a cross-sectional view of the resistor according to the first embodiment of the present invention
  • FIG. 1 (b) is a perspective view from above the resistor
  • FIGS. 2 (a) to (d) are 3 (e) are process drawings showing the method of manufacturing the resistor
  • FIGS. 4 (a) and 4 (b) are diagrams showing the steps after each step of the manufacturing method.
  • FIG. 5 (a) is a cross-sectional view of a resistor according to a second embodiment of the present invention
  • FIG. 5 (b) is a cross-sectional view of the resistor according to the second embodiment of the present invention.
  • FIGS. 6 (a) to (d) are process diagrams showing a method for manufacturing the resistor
  • FIG. 6 is a diagram showing a relationship between a resistance value correction magnification and a current noise in a detector.
  • FIG. 1 (a) is a cross-sectional view of a resistor according to a first embodiment of the present invention
  • FIG. 1 (b) is a view seen through from above the resistor.
  • reference numeral 21 denotes a substrate made of aluminum or the like.
  • Reference numeral 22 denotes a pair of upper electrode layers provided on the side of the upper surface of the substrate 21 and made of a mixed material of silver and glass or the like.
  • Numeral 23 denotes a pair of lower electrode layers made of a mixed material of silver and glass and the like provided on the side of the lower surface of the substrate 21 as necessary.
  • Reference numeral 24 denotes a mixed material of ruthenium oxide and glass or silver or palladium provided so as to partially overlap the upper electrode layer 22 on the upper surface of the substrate 21 so as to be electrically connected. This is a resistance layer made of a material mixed with glass.
  • Reference numeral 25 denotes a first trimming groove provided on the resistance layer 24 by a laser or the like to correct the resistance value to a predetermined resistance value.
  • Reference numeral 26 denotes a resistance recovery layer made of lead borate-based glass or the like having a softening point of 500 to 600 and provided so as to cover at least the resistance layer 24.
  • Reference numeral 27 denotes a second trimming groove provided in the resistance layer 24 by a laser or the like to finely correct the resistance value to a predetermined resistance value.
  • Reference numeral 28 denotes a protective layer made of a lead borate-based glass or the like or an epoxy-based resin provided so as to cover at least the resistance layer 24.
  • Reference numeral 30 denotes a first plating layer made of nickel plating or the like provided to cover the side electrode layer 29, the exposed portion of the upper electrode layer 22 and the exposed portion of the lower electrode layer 23 as necessary. is there.
  • Reference numeral 31 denotes a second plating layer provided as necessary to cover the first plating layer 30.
  • FIGS. 2 and 3 are process diagrams showing a method for manufacturing a resistor according to the first embodiment of the present invention.
  • a mixed paste of silver and glass spans the dividing grooves 41 of a sheet 42 made of aluminum or the like having vertical and horizontal dividing grooves 41.
  • the material is screen printed and dried and fired in a belt-type continuous firing furnace at a temperature of about 850 ° C with a profile of about 45 minutes to form the top electrode layer 43. I do.
  • a paste material of a mixture of silver and glass is screen-printed and dried at a position opposite to the upper electrode layer 43 on the lower surface of the sheet 42 to form the upper electrode layer.
  • a lower electrode layer (not shown) may be formed.
  • a mixed base material of ruthenium oxide and glass is used to electrically connect the upper electrode layers 43 to each other.
  • a change in the process up to the finished product is taken into consideration by using a laser or the like, and 85% of the completed resistance value is taken into account.
  • the first trimming groove 45 is formed by trimming to the resistance value.
  • a lead phosphate glass-based paste is screen-printed and dried so as to cover the upper surface of the resistance layer 4, and is then applied to a belt-type continuous continuous firing furnace for about 6 hours. Baking is performed at a temperature of 20 ° C. with a profile for about 45 minutes to form a resistance recovery layer 46.
  • trimming is performed with a laser or the like to form a second trimming groove 47. I do.
  • a lead borate glass-based paste is screened so as to cover at least the upper surface of the resistive layer 44 (not shown in this drawing). After drying, it is fired in a belt-type continuous firing furnace at a temperature of about 60 ° C. with a profile for about 45 minutes to form a protective layer 48.
  • the strip-shaped substrate 49 is divided along the dividing groove 41 of the sheet 42 so that the upper electrode layer 43 is exposed from the side surface of the substrate.
  • a mixed space of silver and glass is superimposed on a side surface of the strip-shaped substrate 49 so as to overlap a part of the upper electrode layer 43.
  • the transfer material is printed and dried and then fired in a belt-type continuous firing furnace at a temperature of about 62 ° C with a profile of about 45 minutes to obtain a side electrode layer 5 Form a 0.
  • the strip-shaped substrate 49 is divided into individual pieces to form individual pieces of the substrate 51.
  • a first plating layer made of nickel plating or the like so as to cover the exposed portions of the upper electrode layer 43 and the lower electrode layer and the side electrode layer 50.
  • a second plating layer made of an alloy of tin and lead so as to cover the first plating layer to manufacture a resistor. It is.
  • a material using a mixed material of silver and glass has been described as a material for the protective layer.
  • an epoxy-based or fuanol-based resin material is used. It is the same as above.
  • the side electrode layer 50 is described as using a mixed material of silver and glass as the material, but a Nigel-based phenol resin material or the like is used. It is the same as above.
  • FIG. 4 is a diagram showing the relationship between the current noise of the resistance layer and the resistance value accuracy after each step of the resistor in the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 4 (a) shows the case where the protective layer which is the main part in the first embodiment of the present invention is glass
  • FIG. 4 (b) shows the case where the protective layer which is the main part is resin.
  • the current noise after the step of forming the resistance recovery layer is significantly lower than that after the first trimming step. This is because the glass component of the resistance recovery layer softened and melted during baking of the resistance recovery layer penetrated into the crack opening of the resistance layer generated by the first trimming, and the deteriorated resistance layer was repaired. Is because is there.
  • the second trimming step is a fine correction step for accurately adjusting the resistance value distribution, which has become slightly worse at the time of forming the resistance recovery layer, to a predetermined resistance value, so that the first trimming step is performed.
  • the resistance correction magnification in the second trimming step can be adjusted to the value before the second trimming step. It can be less than 1.3 times the resistance value, and the current noise can be suppressed to a slightly worse extent. Conversely, if trimming is performed at a magnification of 1.3 times or more, the current noise will not be as great as that of a conventional resistor, but it will degrade considerably.
  • the resistor in the first embodiment of the present invention can correct the resistance value while maintaining the excellent state of the current noise until the finished product, and the resistor having the excellent current noise Can be obtained.
  • the resistance value accuracy when the protective layer is made of glass, a process change occurs due to baking, and the variation is slightly larger than that after the second trimming step. This is the same phenomenon in the conventional resistor.
  • the degree of deterioration of the resistor layer of the first embodiment of the present invention before the firing of the protective layer is larger than that of the conventional resistor.
  • the smaller the amount the smaller the variation in process change, and a resistor excellent in resistance value accuracy can be obtained.
  • the protective layer is made of resin, there is almost no process change in the protective layer forming step and the subsequent steps, so that the second trimming accuracy is maintained as it is, and the resistance value accuracy of the finished product is improved. Become. Therefore, compared to the case where the protective layer is made of glass, the resistance value accuracy is more excellent. A resistor can be obtained.
  • the trimming accuracy in the second trimming step that finally determines the resistance value is important, and the first trimming accuracy is the second trimming accuracy.
  • the accuracy is not required as high as the trimming accuracy of 2. Therefore, from the viewpoint of mass productivity, the length equivalent to the cutting length of the resistive layer per laser pulse in the first trimming process is reduced by the byte size of the second trimming. It can be much larger.
  • the resistor according to the first embodiment of the present invention can be stably mounted on the mounting board regardless of which side of the resistor faces up. can do.
  • Table 1 shows the current noise and the trimming accuracy distribution of the conventional resistor and the resistor according to the first embodiment of the present invention.
  • the resistor in the first embodiment of the present invention has smaller current noise and resistance value accuracy than the conventional resistor.
  • FIG. 5 (a) is a sectional view of a resistor according to a second embodiment of the present invention
  • FIG. 5 (b) is a view seen through from the top of the resistor.
  • reference numeral 61 denotes a substrate made of alumina or the like.
  • Reference numeral 62 denotes a pair of upper electrode layers made of a mixed material of silver and glass or the like provided on the side of the upper surface of the substrate 61.
  • Reference numeral 63 denotes a mixed material of ruthenium oxide and glass or silver, palladium and glass, which is provided on the upper surface of the substrate 6 1 so as to partially overlap the upper electrode layer 62 so as to be electrically connected. Is a resistance layer made of a mixed material or the like.
  • Reference numeral 64 denotes a first trimming groove provided on the resistance layer 63 by a laser or the like to correct the resistance value to a predetermined resistance value.
  • Reference numeral 65 denotes a resistance recovery layer made of a lead borate-based glass or the like having a softening point of 500 ° C. to 600 ° C. provided at least so as to cover the resistance layer 63.
  • 6 6 Denotes a second trimming groove provided in the resistance layer 63 by a laser or the like to finely correct the resistance value to a predetermined resistance value.
  • Reference numeral 67 denotes a protective layer made of a lead borate-based glass or the like or an epoxy-based resin provided so as to cover at least the resistance layer 63.
  • Reference numeral 68 denotes a first plating layer formed by nickel plating or the like provided so as to cover the exposed portion of the upper electrode layer 62 as necessary.
  • Reference numeral 69 denotes a second plating layer provided as necessary to cover the first plating layer 68.
  • FIG. 6 and FIG. 7 are process drawings showing a method for manufacturing a resistor according to the second embodiment of the present invention.
  • the mixing pace of silver and glass is set so as to straddle the dividing groove 71 of the sheeter 2 made of aluminum etc. having vertical and horizontal dividing grooves 71.
  • the screen material is screen-printed. Dry and fired in a belt-type continuous firing furnace at a temperature of about 850 ° C with a profile of about 45 minutes to obtain a top electrode layer.
  • a paste material mixed with ruthenium oxide and glass is applied to the upper electrode layer ⁇ 3 so that the upper electrode layer 73 is electrically connected.
  • trimming is performed with a laser or the like, and the first trimming is performed.
  • a groove 75 is formed.
  • a lead borate glass-based paste is screen-printed so as to cover the upper surface of the resistive layer 74. Approximately 620, depending on the furnace. Baking at a temperature of C for about 45 minutes using a profile to form a resistance recovery layer 76
  • trimming is performed with a laser or the like to finely correct the resistance value of the resistance layer 74, and the second trimming groove 7 is formed.
  • a lead borate glass-based paste is screen-printed and dried so as to cover the upper surface of the resistive layer 74 (not shown in this drawing). Then, it is fired by a profile of about 45 minutes at a temperature of about 62 ° C. by a belt type continuous firing furnace to form a protective layer 78.
  • the strip-shaped substrate 79 is divided along the division groove 71 of the sheet 72 so that the upper electrode layer 73 is exposed from the side surface of the substrate. Form.
  • the strip-shaped substrate 79 (not shown in this drawing) is divided into individual pieces to form individual pieces of the substrate 80.
  • a first plating layer (not shown) made of nickel plating or the like is formed so as to cover the exposed portion of the upper electrode layer 73, and this first plating layer is formed.
  • a second plating layer (not shown) made of alloy plating of tin and lead or the like is formed so as to cover the metal, and a resistor is manufactured.
  • silver and gas are used as the material of the protective layer.
  • the operation of the resistor configured as described above is the same as that of the first embodiment of the present invention, and therefore the description thereof is omitted, and the resistor in the second embodiment of the present invention is described below.
  • the current noise and resistance value accuracy of the resistor are compared with those of a conventional resistor.
  • the current noise and the resistance value distribution were measured for a conventional resistor having a completed resistance value of 105 k ⁇ of 10 k ⁇ and a resistor having a protective layer of resin according to the second embodiment of the present invention, respectively. did. Note that the current noise was measured using mod 1315 C manufactured by Quan-tech.
  • Table 2 shows the current noise and the trimming accuracy distribution of the conventional resistor and the resistor according to the second embodiment of the present invention.
  • Resistance accuracy 3 X standard deviation / average resistance value X 1 0 0 (%)
  • the resistor in the second embodiment of the present invention has smaller current noise and resistance value accuracy than the conventional resistor.
  • a resistor according to the present invention includes a substrate, a pair of upper electrode layers provided on a side portion of an upper surface of the substrate, and a resistor layer provided so as to be electrically connected to the upper electrode layer.
  • a first trimming groove provided by cutting the resistance layer; a resistance recovery layer provided so as to cover at least the first trimming groove; A second trimming groove formed by cutting the recovery layer, and a protective layer provided so as to cover at least the resistance layer and the second trimming groove.
  • the deteriorated resistance layer is repaired, so that the current noise after the formation of the resistance recovery layer is reduced by the current noise after the first trimming.
  • the resistance layer and the resistance recovery layer are cut to form the second trimming groove, the resistance is slightly deteriorated when the resistance recovery layer is formed.
  • the resistance value distribution can also be fine-corrected to the specified resistance value accurately by the second trimming, and as a result, the resistor maintains excellent current noise until the finished product Since the resistance value can be corrected as it is, a resistor excellent in both the current noise and the resistance value accuracy can be obtained.

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Description

明 細 書 抵抗器およびその製造方法 技術分野
本発明は、 高密度配線回路に用いられる抵抗器およびその製 造方法に関するものである。 背景技術
従来のこの種の抵抗器と しては、 特開平 4 一 1 0 2 3 0 2号 公報に開示されたものが知られている。
以下、 従来の抵抗器およびその製造方法について、 図面を参 照しながら説明する。
第 8図は従来の抵抗器の断面図である。
第 8図において、 1 は絶縁基板である。 2は絶縁基板 1の上 面の左右両端部に設けられた第 1の上面電極層である。 3は第 1の上面電極層 2に一部が重なるように設けられた抵抗層であ る。 4は抵抗層 3の全体のみを覆うように設けられた第 1 の保 護層である。 5は抵抗値を修正するために抵抗層 3および第 1 の保護層 4に設けられた ト リ ミ ング溝である。 6は第 1の保護 層 4の上面にのみ設けられた第 2の保護層である。 7は第 1の 上面電極層 2の上面に絶縁基板 1 の幅一杯まで延びるように設 けられた第 2の上面電極層である。 8は絶縁基板 1の側面に設 けられた側面電極層である。 9， 1 0は第 2の上面電極層 7お よび側面電極層 8の表面に設けられたニッケルめっき層、 はん だめつき層である。
以上のように構成された従来の抵抗器について、 以下にその 製造方法を図面を参照しながら説明する。
第 9図は従来の抵抗器の製造方法を示す工程図である。
まず、 第 9図 (a)に示すように、 絶縁基板 1の上面の左右両端 部に、 第 1 の上面電極層 2を塗着形成する。
次に、 第 9図 (b)に示すように、 第 1の上面電極層 2に一部が 重なるように絶縁基板 1の上面に抵抗層 3を塗着形成する。 次に、 第 9図 (c)に示すように、 抵抗層 3の全体のみを覆うよ うに第 1の保護層 4を塗着形成した後、 抵抗層 3における全抵 抗値が所定の抵抗値の範囲内に入るようにレーザ等により抵抗 層 3および第 1 の保護層 4に ト リ ミ ング溝 5を施す。
次に、 第 9図 (d)に示すように、 第 1の保護層 4の上面にのみ 第 2 の保護層 6を塗着形成する。
次に、 第 9図 (e)に示すように、 第 1の上面電極層 2の上面に 絶縁基板 1 の幅一杯まで延びるように第 2の上面電極層 7を塗 着形成する。
次に、 第 9図 (f)に示すように、 第 1の上面電極層 2および絶 縁基板 1 の左右両端の側面に第 1、 第 2の上面電極層 2， 7 と 電気的に接続するように側面電極層 8を塗着形成する。
最後に、 第 2 の上面電極層 7および側面電極層 8 の表面に ニ ッ ケルめっきを施した後、 はんだめつきを施すことにより、 ニ ッ ケルめっき層 9、 はんだめつき層 1 0を形成し、 従来の抵 抗器を製造していた。
しかしながら、 上記従来の構成および製造方法による抵抗器 では、 抵抗値精度を向上させるために、 レーザ等により、 抵抗 層 3および第 1の保護層 4に 卜 リ ミ ング溝 5を施すようにして いるため、 抵抗器の電流ノ ィ ズが大き く なるという課題を有し ていた。
以下にそのメ カ ニズムを図を参照しながら説明する。
第 1 0図 (a)は、 従来の構成および製造方法による 1 0 0 5サ ィズの抵抗値 1 0 k Ωの抵抗器の抵抗値修正倍率と電流ノ ィ ズ との関係を示す図である。 これより明らかなように、 抵抗値修 正倍率が増加すればするほど、 ノ イ ズが悪化する。 基本的に抵 抗値修正倍率が増加すると、 抵抗層の有効抵抗面積が減少する ため、 ノ イ ズが悪化するのであるが、 実際にはこれに加えて、 ト リ ミ ング溝周辺部の抵抗層が抵抗値修正時の熱およびマイ ク 口ク ラ ッ クの発生等により劣化するため、 さ らに電流ノ ィ ズが 悪化する。 第 1 0図 (a)において、 抵抗値修正後の電流ノィ ズが ばらついているのは、 その抵抗層の劣化の度合いにばらつきを 有しているためである。
次に、 第 1 0図 (b) (c)は各工程後における抵抗層の電流ノ ィズ の変遷を示す図である。 第 1 0図 (b)は第 2の保護層が樹脂の場 合、 第 1 0図 (c)は第 2 の保護層がガラ スの場合である。 これよ り、 前述の通り、 ト リ ミ ング工程にて電流ノ イ ズは悪化するこ とがわかる。 そ して、 第 2の保護層が樹脂の場合、 完成品に至 るまで悪化した電流ノイ ズはそのままである。 また、 第 2の保 護層がガラ スの場合、 第 2の保護層焼成時に抵抗回復のために 十分な熱が加えられるのであるが、 既に焼成された第 1 の保護 層で抵抗層が覆われているため、 ト リ ミ ングにより生じた抵抗 層のマイ ク ロ ク ラ ッ クにガラス成分が浸透せず、 劣化した抵抗 層の回復が進まない。 即ち、 電流ノ イ ズはやはりほとんど回復 しない。
また、 焼成温度を抵抗層のガラ ス成分が軟化し、 マイ ク ロ ク ラ ッ ク等が修復されるまで高温にすると、 電流ノ ィズは回復す るが、 ト リ ミ ング後の抵抗値精度は完成品まで維持できない。 以上のように、 従来の構成および製造方法では、 所定の抵抗 値を有する抵抗器において、 抵抗値を所定の抵抗値に修正する 際に生じた ト リ ミ ング溝周辺部の熱およびマイ ク ロ ク ラ ッ ク等 による抵抗層の劣化により、 抵抗器の電流ノ ィ ズが大き く なる という課題を有していた。
本発明は、 上記従来の課題を解決するもので、 電流ノ イ ズお よび抵抗値精度と もに優れた抵抗器およびその製造方法を提供 する こ とを目的とする ものである。 発明の開示
上記課題を解決するために本発明の抵抗器は、 基板と、 前記 基板の上面の側部に設けられた一対の上面電極層と、 前記上面 電極層と電気的に接続するように設けられた抵抗層と、 前記抵 抗層を切削して設けられた第 1の ト リ ミ ング溝と、 少なく と も 前記第 1 の ト リ ミ ング溝を覆う よ う に設けられた抵抗回復層 と、 前記抵抗層と抵抗回復層とを切削して設けられた第 2の ト リ ミ ング溝と、 少なく と も前記抵抗層および第 2の ト リ ミ ング 溝を覆うように設けられた保護層とを備えたものである。
上記した抵抗器によれば、 抵抗層を切削して設けられた第 1 の ト リ ミ ング溝を覆うように抵抗回復層を設けているため、 こ の抵抗回復層の焼成時に軟化 · 溶融した抵抗回復層のガラス成 分が第 1の ト リ ミ ングにより生じた抵抗層のマイ ク ロ ク ラ ッ ク に浸透することになり、 これによ り、 劣化した抵抗層の修復が 行われるため、 抵抗回復層形成後の電流ノ ィズを第 1の ト リ ミ ング後の電流ノイズより著し く減少させる ことができ、 また前 記抵抗層と抵抗回復層とを切削して第 2の ト リ ミ ング溝を設け るようにしているため、 前記抵抗回復層形成時に若干悪く なつ た抵抗値分布も この第 2の ト リ ミ ングによ り所定の抵抗値に精 度よく微修正するこ とができ、 その結果、 この抵抗器は、 完成 品まで電流ノ ィ ズの優れた状態を保持したまま抵抗値を修正す るこ とができるため、 電流ノ ィズおよび抵抗値精度と もに優れ た抵抗器を得る こ とができ る ものである。 図面の簡単な説明
第 1図 (a)は本発明の第 1の実施例における抵抗器の断面図、 第 1図 (b)は同抵抗器の上面から透視した図、 第 2図 (a)〜(d)は同 抵抗器の製造方法を示す工程図、 第 3図 ( 〜 (e)は同抵抗器の製 造方法を示す工程図、 第 4図 (a) (b)は同製造方法の各工程後にお ける抵抗層の電流ノィ ズと抵抗値精度との関係を示す図、 第 5 図 (a)は本発明の第 2の実施例における抵抗器の断面図、 第 5図 (b)は同抵抗器の上面から透視した図、 第 6図 (a)〜(d)は同抵抗器 の製造方法を示す工程図、 第 7図 (a)〜(d)は同抵抗器の製造方法 を示す工程図、 第 8図は従来の抵抗器の断面図、 第 9図 (a)〜(f) は同抵抗器の製造方法を示す工程図、 第 1 0図 )〜 (c)は同抵抗 器における抵抗値修正倍率と電流ノィ ズとの関係を示す図であ る。 発明を実施するための最良の形態
(第 1 の実施例）
以下、 本発明の第 1の実施例における抵抗器およびその製造 方法について、 図面を参照しながら説明する。
第 1図 (a)は本発明の第 1 の実施例における抵抗器の断面図、 第 1図 (b)は同抵抗器の上面から透視した図である。
第 1図において、 2 1 はアル ミ ナ等からなる基板である。 2 2は基板 2 1の上面の側部に設けられた銀とガラスとの混合 材料等からなる一対の上面電極層である。 2 3は必要により基 板 2 1の下面の側部に設けられた銀とガラ ス との混合材料等か らなる一対の下面電極層である。 2 4は基板 2 1の上面に上面 電極層 2 2に、 一部が重畳して電気的に接続するように設けら れた酸化ルテニ ウムと ガラ ス との混合材料または銀、 パラ ジゥ ム と ガラ ス との混合材料等からなる抵抗層である。 2 5は抵抗 値を所定の抵抗値に修正するため抵抗層 2 4にレーザ等によつ て設けられた第 1の ト リ ミ ング溝である。 2 6は少なく と も抵 抗層 2 4を覆うように設けられた軟化点 5 0 0で〜 6 0 0での ホウゲイ酸鉛系ガラス等からなる抵抗回復層である。 2 7は抵 抗値を所定の抵抗値に微修正するためにレーザ等によつて抵抗 層 2 4に設けられた第 2の ト リ ミ ング溝である。 2 8は少なく と も抵抗層 2 4を覆うように設けられたホ ウゲイ酸鉛系ガラ ス 等またはエポキシ系樹脂等からなる保護層である。 2 9は必要 により基板 2 1 の側面に上面電極層 2 2および下面電極層 2 3 と電気的に接続するように設けられた銀とガラスとの混合材料 等からなる側面電極層である。 3 0 は必要によ り側面電極層 2 9、 上面電極層 2 2 の露出部および下面電極層 2 3 の露出部 を覆うように設けられたニッケルめっき等からなる第 1のめつ き層である。 3 1 は必要により第 1 のめつき層 3 0を覆うよう に設けられた第 2のめつき層である。
以上のように構成された抵抗器について、 以下に、 その製造 方法を図面を参照しながら説明する。
第 2図、 第 3図は本発明の第 1の実施例における抵抗器の製 造方法を示す工程図である。
まず、 第 2図 (a)に示すように、 縦横の分割溝 4 1を有するァ ルミ ナ等からなる シー ト 4 2 の分割溝 4 1を跨ぐように銀とガ ラ ス との混合ペース ト材料をスク リ ー ン印刷 ' 乾燥して、 ベル ト式連続焼成炉により約 8 5 0 °Cの温度で、 約 4 5分のプロ フ ァ イ ルによって焼成し、 上面電極層 4 3を形成する。 また、 このとき必要により シー ト 4 2の下面の上面電極層 4 3 と相対 する位置に銀と ガラ ス と の混合ペース ト材料をス ク リ ー ン印 刷 ， 乾燥して、 上面電極層形成と同時に下面電極層 （図示せ ず） を形成してもよい。
次に、 第 2図 (b)に示すように、 上面電極層 4 3間を電気的に 接続するよ う に、 酸化ルテニゥム と ガラ ス との混合べ一ス ト材 料を上面電極層 4 3の一部に重畳するよ う に シー ト 4 2 の上面 にス ク リ ーン印刷 · 乾燥して、 ベル ト式連続焼成炉により、 約 8 5 0 °Cの温度で、 約 4 5分のプロ フ ァ イ ルによって焼成し、 抵抗層 4 4を形成する。
次に、 第 2図 (c)に示すように、 抵抗層 4 4の抵抗値を修正す るために、 レーザ等により、 完成品までの工程変化を考慮し、 完成抵抗値の 8 5 %の抵抗値に ト リ ミ ングし、 第 1の ト リ ミ ン グ溝 4 5を形成する。
次に、 第 2図 (d)に示すように、 抵抗層 4 の上面を覆うよう に、 ホゥケィ酸鉛ガラス系ペース トをスク リーン印刷 ·乾燥して、 ベルト式連続連続焼成炉により、 約 6 2 0 °Cの温度で、 約 4 5分 のプロ フ ァイルによって焼成し、 抵抗回復層 4 6を形成する。 次に、 第 3図 (a)に示すように、 抵抗層 4 の抵抗値を微修正 するために、 レーザ等により、 ト リ ミ ングし、 第 2の ト リ ミ ン グ溝 4 7を形成する。
次に、 第 3図 (b)に示すように、 少なく と も抵抗層 4 4 (本図 では図示せず） の上面を覆う よ う に、 ホウゲイ酸鉛ガラ ス系 ペース トをス ク リ ー ン印刷 . 乾燥して、 ベル ト式連続焼成炉に より、 約 6 2 0 °Cの温度で、 約 4 5分のプロ フ ァイルによって 焼成し、 保護層 4 8を形成する。
次に、 第 3図 (c)に示すように、 基板側面から上面電極層 4 3 が露出するようにシー ト 4 2の分割溝 4 1 に沿って分割して、 短冊状の基板 4 9を形成する。
次に、 必要により、 第 3図 (d)に示すように、 短冊状の基板 4 9 の側面に、 上面電極層 4 3の一部に重畳するよ うに、 銀とガラ スとの混合ぺース ト材料を口一ラ一転写印刷 · 乾燥して、 ベル ト式連銃焼成炉により、 約 6 2 0での温度で、 約 4 5分のプロ フ ァ イ ルによって焼成し、 側面電極層 5 0を形成する。 次に、 第 3図 (e こ示すように、 短冊状の基板 4 9を個片に分 割して、 個片状の基板 5 1を形成する。
最後に、 必要によ り、 上面電極層 4 3 と下面電極層の露出部 および側面電極層 5 0を覆うようにニ ッ ケルめっ き等からなる 第 1 のめつ き層 （図示せず） を形成すると と もに、 この第 1 の めっき層を覆うようにスズと鉛の合金めつ き等からなる第 2の めっき層 （図示せず） を形成して、 抵抗器を製造する ものであ る。
なお、 本発明の第 1の実施例では保護層の材料と して銀とガ ラ ス との混合材料を用いたものについて説明したが、 エポキ シ 系またはフユ ノ ール系樹脂材料等を用いても同様である。
また、 本発明の第 1の実施例では側面電極層 5 0の材料と し て銀とガラスとの混合材料を用いたものについて説明したが、 二ッゲル系フヱ ノ ール樹脂材等を用いても同様である。
以上のように構成 · 製造された抵抗器について、 その作用を 図を用いて説明する。
第 4図は本発明の第 1の実施例における抵抗器の各工程後に おける抵抗層の電流ノ ィ ズと抵抗値精度との関係を示す図であ る。 第 4図 (a)は本発明の第 1の実施例における要部である保護層 がガラ スの場合、 第 4図 (b)は同要部である保護層が樹脂の場合 である。これより明らかなように、抵抗回復層形成工程後の電流 ノ イ ズは第 1 の ト リ ミ ング工程後のそれよ り も著しく減少して いる。 これは、 抵抗回復層の焼成時に軟化 · 溶融した抵抗回復層 のガラス成分が第 1の ト リ ミ ングにより生じた抵抗層のマイ ク 口 ク ラ ッ クに浸透し、 劣化した抵抗層の修復が行われるためで ある。
さ らに第 2の ト リ ミ ング工程は抵抗回復層形成工程時に若干 悪く なつた抵抗値分布を所定の抵抗値に精度よ く調整するため の微修正工程であるため、 第 1の ト リ ミ ング工程での修正抵抗 値を所定の抵抗値の 8 0 %以上にしておく ことで、 第 2の ト リ ミ ング工程での抵抗値修正倍率を第 2の ト リ ミ ング工程前の抵 抗値の 1 . 3倍以下にするこ とができ、 電流ノ ィ ズは若干悪く なる程度で抑えられる。 逆に 1 . 3倍以上の倍率で ト リ ミ ン グ を施すと電流ノ ィ ズは従来の抵抗器ほどではないが、 かなり悪 ィ匕してしま う。
以上の作用により、 本発明の第 1の実施例における抵抗器は 完成品まで電流ノィ ズの優れた状態を保持したまま、 抵抗値を 修正することができ、 電流ノ ィ ズの優れた抵抗器を得ることが できる。
また、 抵抗値精度においては、 保護層がガラ スの場合には、 その焼成のため、 工程変化が生じ、 第 2の ト リ ミ ング工程後に 比べ、 若干ばらつきが大き く なる。 これは従来の抵抗器におい ても同様の現象であるが、 従来の抵抗器と比較すると、 本発明 の第 1 の実施例の抵抗器の方が保護層焼成前の抵抗層の劣化の 度合いが少ない分だけ、 工程変化のばらつき も小さ く なり、 抵 抗値精度の点においても優れた抵抗器を得ることができる。 ま た、 保護層が樹脂の場合には、 保護層形成工程およびそれ以後 の工程での工程変化がほとんどないため、 第 2の ト リ ミ ン グ精 度がそのまま、 完成品の抵抗値精度となる。 したがって、 保護 層がガラ スの場合に比べ、 さ らに抵抗値精度の点でより優れた 抵抗器を得ることができる。
そ してまた、 この抵抗値精度においては、 最終的に抵抗値を 定める第 2の ト リ ミ ング工程での ト リ ミ ング精度が重要であ り、 第 1 の ト リ ミ ング精度は第 2 の ト リ ミ ング精度ほど精度が 要求されない。 したがって、 量産性の面から、 第 1の ト リ ミ ン グ工程でのレーザ 1 パルス当たりの抵抗層切削長さに相当する ノ、、ィ トサイ ズを第 2の ト リ ミ ングのバイ トサイ ズよ り も大き く することができる。
以上の作用により、 電流ノ ィ ズおよび抵抗値精度と もに優れ た抵抗器を得ることができる。
また、 必要により、 下面電極層および側面電極層を設けるこ とにより、 本発明の第 1の実施例における抵抗器は実装基板に この抵抗器の表裏どちらの面を上にしても安定して実装するこ とができる。
以下に、 本発明の第 1の実施例における抵抗器の電流ノ イ ズ と抵抗値精度を従来の抵抗器と比較したものを説明する。
(実験方法）
1 0 0 5サイ ズの完成抵抗値が 1 0 k Ωである従来の抵抗器 と本発明の第 1の実施例における保護層がガラスおよび樹脂の 抵抗器について、 電流ノ イ ズと抵抗値分布をそれぞれ測定し た。 なお、 電流ノ イ ズの測定については Q u a n— t e c h社 製 m o d e l 3 1 5 Cを用いた。
(実験結果）
(第 1表） に従来の抵抗器と本発明の第 1の実施例における 抵抗器の電流ノ ィ ズおよび ト リ ミ ング精度分布を示す。 (第 1表）
Figure imgf000014_0001
抵抗値精度 = 3 X標準偏差ノ平均抵抗値 X 1 0 0 ( % )
(第 1表） から明らかなように、 本発明の第 1の実施例にお ける抵抗器は電流ノィ ズおよび抵抗値精度と もに従来の抵抗器 より も小さい。
(第 2 の実施例）
以下、 本発明の第 2の実施例における抵抗器およびその製造 方法について、 図面を参照しながら説明する。
第 5図 (a)は本発明の第 2の実施例における抵抗器の断面図、 第 5図 (b)は同抵抗器の上面から透視した図である。
第 5図において、 6 1 はアルミ ナ等からなる基板である。 6 2は基板 6 1の上面の側部に設けられた銀とガラスとの混合 材料等からなる一対の上面電極層である。 6 3は基板 6 1の上 面に上面電極層 6 2に一部が重畳して電気的に接続するように 設けられた酸化ルテニウム と ガラ ス との混合材料または銀、 パ ラ ジウムとガラスとの混合材料等からなる抵抗層である。 6 4は 抵抗値を所定の抵抗値に修正するため抵抗層 6 3にレーザ等に よって設けられた第 1の ト リ ミ ング溝である。 6 5は少なく と も抵抗層 6 3を覆うように設けられた軟化点 5 0 0 °C〜 6 0 0 °Cのホウゲイ酸鉛系ガラ ス等からなる抵抗回復層である。 6 6 は抵抗値を所定の抵抗値に微修正するためにレーザ等によって 抵抗層 6 3に設けられた第 2 の ト リ ミ ング溝である。 6 7は少 なく と も抵抗層 6 3を覆うように設けられたホ ウゲイ酸鉛系ガ ラ ス等またはェポキシ系樹脂等からなる保護層である。 6 8は 必要によ り上面電極層 6 2 の露出部を覆う よ う に設けられた ニ ッ ケルめっき等からなる第 1のめつき層である。 6 9は必要 により第 1のめつき層 6 8を覆うように設けられた第 2のめつ き層である。
以上のように構成された抵抗器について、 以下に、 その製造 方法を図面を参照しながら説明する。
第 6図、 第 7図は本発明の第 2の実施例における抵抗器の製 造方法を示す工程図である。
まず、 第 6図 (a)に示すように、 縦横の分割溝 7 1を有するァ ル ミ ナ等からなる シー ト ァ 2 の分割溝 7 1を跨ぐように銀とガ ラ ス との混合ペース ト材料をス ク リ ー ン印刷 . 乾燥して、 ベル ト式連続焼成炉によ り約 8 5 0 °Cの温度で、 約 4 5分のプロ フ ァ イ ルによって焼成し、 上面電極層 7 3を形成する。
次に、 第 6図 (b)に示すように、 上面電極層 7 3間を電気的に 接続するよ う に、 酸化ルテニ ウム と ガラ ス との混合ペース ト材 料を上面電極層 Ί 3の一部に重畳するようにシー ト 7 2 の上面 にスク リ ーン印刷 ·乾燥して、 ベルト式連続焼成炉により、 約 8 5 0 °Cの温度で、 約 4 5分のプロ フ ァ イ ルによって焼成し、 抵抗層 7 4を形成する。
次に、 第 6図 (c)に示すように、 抵抗層 7 4の抵抗値を修正す るために、 レーザ等により、 ト リ ミ ングし、 第 1の ト リ ミ ング 溝 7 5を形成する。
次に、 第 6図 (d)に示すように、 抵抗層 7 4の上面を覆うよう に、 ホ ウゲイ酸鉛ガラ ス系ペース ト をスク リ ー ン印刷 . 乾燥し て、 ベル ト式連続焼成炉により、 約 6 2 0。Cの温度で、 約 4 5 分のプロ フ ァ イ ルによ っ て焼成し、 抵抗回復層 7 6を形成す
O。
次に、 第 7図 (a>に示すように、 抵抗層 7 4の抵抗値を微修正 するために、 レーザ等によ り、 ト リ ミ ングし、 第 2の ト リ ミ ン グ溝 7 7を形成する。
次に、 第 7図 (b)に示すように、 抵抗層 7 4 (本図では図示せ ず） の上面を覆うように、 ホ ウゲイ酸鉛ガラ ス系ペース ト をス ク リーン印刷 ·乾燥して、 ベルト式連続焼成炉により、 約 6 2 0 °Cの温度で、 約 4 5分のプロ フ ァ イ ルによつて焼成し、 保護層 7 8を形成する。
次に、 第 7図 (c)に示すように、 基板側面から上面電極層 7 3 が露出するようにシー ト 7 2 の分割溝 7 1 に沿つて分割して、 短冊状の基板 7 9を形成する。
次に、 第 7図 (d)に示すように、 短冊状の基板 7 9 (本図では 図示せず） を個片に分割して、 個片状の基板 8 0を形成する。 最後に、 必要により、 上面電極層 7 3の露出部を覆うように ニ ッ ケルめっき等からなる第 1のめつき層 （図示せず） を形成 すると と もに、 この第 1のめつき層を覆うようにスズと鉛の合 金めつ き等からなる第 2のめつき層 （図示せず） を形成して、 抵抗器を製造する ものである。
なお、 本発明の第 2の実施例では保護層の材料と して銀とガ ラスとの混合材料を用いたものについて説明したが、 ェポキ シ 系またはフ ユ ノ ール系樹脂材料等を用いても同様である。
以上のように構成 · 製造された抵抗器においても、 その作用 は本発明の第 1の実施例と同様であるため、 説明は省略し、 以 下に、 本発明の第 2の実施例における抵抗器の電流ノ イ ズと抵 抗値精度を従来の抵抗器と比較したものを説明する。
(実験方法）
1 0 0 5サイズの完成抵抗値が 1 0 k Ωである従来の抵抗器と 本発明の第 2の実施例における保護層が樹脂の抵抗器について、 電流ノ イ ズと抵抗値分布をそれぞれ測定した。 なお、 電流ノ ィ ズの測定については Q u a n - t e c h社製 m o d e 1 3 1 5 C を用いた。
(実験結果）
(第 2表） に従来の抵抗器と本発明の第 2の実施例における 抵抗器の電流ノ ィ ズおよびト リ ミ ング精度分布を示す。
(第 2表）
Figure imgf000017_0001
抵抗値精度 = 3 X標準偏差/平均抵抗値 X 1 0 0 ( % )
(第 2表） から明らかなように、 本発明の第 2の実施例にお ける抵抗器は電流ノィ ズおよび抵抗値精度と もに従来の抵抗器 より も小さい。 産業上の利用可能性
以上のように本発明の抵抗器は、 基板と、 前記基板の上面の 側部に設けられた一対の上面電極層と、 前記上面電極層と電気 的に接続するように設けられた抵抗層と、 前記抵抗層を切削し て設けられた第 1 の ト リ ミ ング溝と、 少なく と も前記第 1 の ト リ ミ ング溝を覆うように設けられた抵抗回復層と、 前記抵抗層 と抵抗回復層とを切削して設けられた第 2の ト リ ミ ング溝と、 少なく と も前記抵抗層および第 2の ト リ ミ ング溝を覆うように 設けられた保護層とを備えたものであり、 この構成によれば、 抵抗層を切削して設けられた第 1 の ト リ ミ ング溝を覆うように 抵抗回復層を設けているため、 この抵抗回復層の焼成時に軟 ィ匕 · 溶融した抵抗回復層のガラス成分が第 1の ト リ ミ ングによ り生じた抵抗層のマイ ク ロ ク ラ ッ クに浸透することになり、 こ れによ り、 劣化した抵抗層の修復が行われるため、 抵抗回復層 形成後の電流ノィ ズを第 1の ト リ ミ ング後の電流ノイ ズより著 しく 減少させることができ、 また前記抵抗層と抵抗回復層とを 切削して第 2の ト リ ミ ング溝を設けるようにしているため、 前 記抵抗回復層形成時に若干悪く なった抵抗値分布も この第 2の ト リ ミ ングにより所定の抵抗値に精度よく微修正することがで き、 その結果、 この抵抗器は、 完成品まで電流ノ イ ズの優れた 状態を保持したまま抵抗値を修正することができるため、 電流 ノィ ズおよび抵抗値精度と もに優れた抵抗器を得ることができ るものである。

Claims

請 求 の 範 囲
1 . 基板と、 前記基板の上面の側部に設けられた一対の上面電 極層と、 前記上面電極層と電気的に接続するように設けら
5 れた抵抗層と、 前記抵抗層を切削して設けられた第 1の ト リ ミ ン グ溝と、 少なく と も前記第 1の ト リ ミ ン グ溝を覆う ように設けられた抵抗回復層と、 前記抵抗層と抵抗回復層 とを切削して設けられた第 2の ト リ ミ ン グ溝と、 少なく と も前記抵抗層および第 2の ト リ ミ ング溝を覆うように設け 10 られた保護層とを備えた抵抗器。
2 . 基板と、 前記基板の上面の側部に設けられた一対の上面電 極層と、 前記上面電極層と電気的に接続するように設けら れた抵抗層と、 前記抵抗層を切削して設けられた第 1の ト リ ミ ング溝と、 少なく と も前記第 1の ト リ ミ ング溝を覆う
15 ように設けられた抵抗回復層と、 前記抵抗層を切削して設 けられた第 2の ト リ ミ ン グ溝と、 少なく と も前記抵抗層を 覆うように設けられた保護層とを備えた抵抗器。
3 . 請求の範囲第 1項または第 2項において、 基板の下面の側 部に設けられた一対の下面電極層と、 基板の側面に上面電 0 極層と前記下面電極層とを電気的に接続するように設けら れた側面電極層とを有する抵抗器。
4 . 請求の範囲第 1項、 第 2項または第 3項において、 第 1の ト リ ミ ン グ溝の切削長さは、 修正抵抗値を目的とする抵抗 値の 8 0 %以上に修正してなる長さに設けた抵抗器。
25 5 . 請求の範囲第 1項、 第 2項または第 3項において、 第 2の ト リ ミ ング溝の切削長さは、 第 2 の ト リ ミ ングでの抵抗値 修正倍率を第 2の ト リ ミ ング溝切削前の抵抗値の 1 . 3倍 以下に修正してなる長さに設けた抵抗器。
6 . 請求の範囲第 1項、 第 2項または第 3項において、 抵抗回 復層は、 軟化点 5 0 0 °C〜 6 0 0 °Cのホ ウゲイ酸鉛系ガラ スからなる抵抗器。
7 . 請求の範囲第 1項、 第 2項または第 3項において、 保護層 は、 エポキシ系またはフユノール系樹脂材料からなる抵抗器。
8 . 請求の範囲第 1項または第 2項において、 基板の側面に、 上面電極層と電気的に接続する一対の側面電極層を設けた ίκ ί亢 o
9 . 分割溝を有するシー ト状の基板の分割溝の上面を跨ぐよう に上面電極層を設け、 前記上面電極層間を電気的に接続す るように抵抗層を設け、 前記抵抗層を切削して抵抗値を修 正する第 1の ト リ ミ ング溝を設け、 少なく と も前記第 1の ト リ ミ ング溝を覆うように抵抗回復層を設け、 前記抵抗層 および前記抵抗回復層を切削して抵抗値を微修正する第 2 の ト リ ミ ング溝を形成し、 少なく と も前記抵抗層と第 2の ト リ ミ ング溝との上面を覆うように保護層を設け、 前記保 護層を形成してなる分割溝を有するシー ト状の基板を短冊 状に分割し、 前記短冊状に分割された基板を個片に分割し てなる抵抗器の製造方法。
10. 分割溝を有するシー ト状の基板の分割溝の上面を跨ぐよう に上面電極層を設け、 前記上面電極層間を電気的に接続す るように抵抗層を設け、 前記抵抗層を切削して抵抗値を修 正する第 1の ト リ ミ ング溝を設け、 少なく と も前記第 1の ト リ ミ ング溝を覆うように抵抗回復層を設け、 前記抵抗層 を切削して抵抗値を微修正する第 2の ト リ ミ ン グ溝を設 け、 少なく と も前記抵抗層の上面を覆うように保護層を設 け、 前記保護層を形成してなる分割溝を有するシー ト状の 基板を短冊状に分割し、 前記短冊状に分割された基板を個 片に分割してなる抵抗器の製造方法。
11. 請求の範囲第 9項または第 1 0項において、 分割溝を有す る シー ト状の基板の分割溝の下面を跨ぐように下面電極層 を形成すると と もに、 短冊状に分割された基板の側面に上 面電極層と前記下面電極層とを電気的に接続するように側 面電極層を形成する工程を有する抵抗器の製造方法。
12. 請求の範囲第 9項、 第 1 0項または第 1 1項において、 第 2の ト リ ミ ング溝を形成する際のパイ トサイ ズは、 第 1の ト リ ミ ン グ溝を形成する際のバイ トサイ ズより も小さ く し た抵抗器の製造方法。
13. 請求の範囲第 9項、 第 1 0項または第 1 1項において、 抵 抗回復層を形成する工程は、 軟化点 5 0 0 °C〜 6 0 0 °Cの ホ ウゲイ酸鉛系ガラ スをス ク リ ーン印刷し、 かつ軟化点よ り も 3 0 °C〜 1 0 0 °C高い温度で焼成してなる工程である 抵抗器の製造方法。
14. 請求の範囲第 9項、 第 1 0項または第 1 1項において、 保 護層を形成する工程は、 エポキ シ系またはフ ヱ ノ ール系樹 脂材料をスク リ ーン印刷し、 かつ 1 5 0 °C〜 2 0 0 °Cの温 度で硬化してなる工程である抵抗器の製造方法。
15. 請求の範囲第 9項または第 1 0項において、 シー ト状の基 板を短冊状の基板に分割した後に、 上面電極層と電気的に 接続するように前記短冊状の基板の側面に側面電極層を設 けてなる抵抗器の製造方法。
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