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WO1994015260A1 - Materiau formant un motif - Google Patents

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Publication number
WO1994015260A1
WO1994015260A1 PCT/JP1993/001858 JP9301858W WO9415260A1 WO 1994015260 A1 WO1994015260 A1 WO 1994015260A1 JP 9301858 W JP9301858 W JP 9301858W WO 9415260 A1 WO9415260 A1 WO 9415260A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
compound
group
pattern
irradiation
acid
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/JP1993/001858
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Takanori Kudo
Seiya Masuda
Yoshiaki Kinoshita
Klaus Jürgen PRZYBILLA
Hajime Endo
Natsmui Suehiro
Hiroshi Okazaki
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sanofi Aventis KK
Original Assignee
Hoechst Japan Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hoechst Japan Ltd filed Critical Hoechst Japan Ltd
Priority to EP94903042A priority Critical patent/EP0633502B1/en
Priority to DE69331736T priority patent/DE69331736T2/de
Priority to KR1019940702943A priority patent/KR100330636B1/ko
Publication of WO1994015260A1 publication Critical patent/WO1994015260A1/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Ceased legal-status Critical Current

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Classifications

    • GPHYSICS
    • G04HOROLOGY
    • G04BMECHANICALLY-DRIVEN CLOCKS OR WATCHES; MECHANICAL PARTS OF CLOCKS OR WATCHES IN GENERAL; TIME PIECES USING THE POSITION OF THE SUN, MOON OR STARS
    • G04B37/00Cases
    • G04B37/14Suspending devices, supports or stands for time-pieces insofar as they form part of the case
    • G04B37/16Fastening the case to the bracelet
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/0045Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors

Definitions

  • the present invention relates to a pattern forming material used to form a desired pattern on a substrate in the manufacture of a semiconductor device or the like. More specifically, the present invention provides a pattern which provides a pattern having a large exposure latitude and a small pattern dimensional change in response to a change in exposure energy. Forming materials
  • an acid is generated by irradiation with actinic radiation, and this is used as a catalyst to decompose (thermally) or crosslink (thermally) the polymer, and to dissolve the polymer.
  • a catalyst to decompose (thermally) or crosslink (thermally) the polymer, and to dissolve the polymer.
  • chemical width-type registers that form a pattern by changing the pattern. For example
  • a substance that generates an acid by heating and a substance that generates a base by irradiation with actinic radiation are combined, and heating is performed after irradiation, and heating is performed in unexposed areas.
  • the polymer is thermally cross-linked using the acid generated as a catalyst, and the exposed portion is neutralized with the base generated by irradiation to neutralize the acid, and then heat cross-linked with the acid.
  • a method of forming a pattern after stopping For example, ii. S. Matuszazak et al. 1. J. Mater. Cheni., 1, 1045 (1991) describes a particularly high-sensitivity registry.
  • a photosensitive composition is added with a photochromic dye such as spiropyran.
  • a sensitive photochromic dye or a desensitizing photochromic dye For example, adjust the sensitivity by adding a sensitive photochromic dye or a desensitizing photochromic dye to the resist.
  • a sensitive photochromic dye or a desensitizing photochromic dye By adding spirovirane to a posi-type resist, it is possible to form either a posi-type or negative-type pattern.
  • Resist material Japanese Patent Laid-Open No. 56-315130
  • a negative resist for electronic beams a positive resist for ultraviolet rays
  • a photochromic There is a photo resist (Japanese Patent Publication No. 3-3210) that mixes a mix material and improves the adhesion to the substrate and the resolution.
  • the chemical amplification type resist containing a substance that generates an acid upon irradiation and a substance that generates a base or increases the basicity upon irradiation, and the above chemicals.
  • An effective method for improving the exposure latitude of an amplification type registry has not yet been known.
  • An object of the present invention is to provide a pattern forming material having a wide exposure latitude and a small pattern dimensional change in response to a change in exposure amount.
  • the present inventors have conducted intensive studies in view of the above situation, and as a result, have produced acids by irradiation and used as a catalyst to decompose or crosslink polymers. Irradiation produces bases or increases the basicity of chemically amplified resists, which form patterns by changing the solubility of the polymer. It was found that the addition of the compound significantly improved the exposure latitude.
  • the pattern-forming material according to the present invention also comprises (A) a compound which generates an acid upon irradiation with actinic radiation, and (B) a base which forms upon irradiation with actinic radiation. Or compounds with increased basicity,
  • (C) a compound that has at least one bond that can be cleaved by an acid, and (D) is insoluble in water but is soluble in aqueous alkaline solutions. It is characterized by containing a compound that is soluble.
  • RS 0 3 H ('s a other R is A Ruki group, an aromatic group or Ru Ah at full O b A Noreki Le group.)
  • R 4 and R 5 each represent an alkyl group, a cycloalkyl group, an aromatic group or a heteroaryl group.
  • Examples of the base that is produced by the above-mentioned actinic ray irradiation are, for example, a calvameter group represented by the following general formula (especially, a 212-benzyl group) (Canolebamate group) ⁇ Those that have a snolephone amide group are selected. These produce the base, amine, by irradiation with actinic radiation, for example, by the following reaction.
  • R is a nitrogen-substituted aromatic group or an aromatic group
  • R 1 , R 2 and R 3 are a hydrogen atom, an alkyl group or an aromatic group
  • X Represents an alkylene group.
  • the two-port benzene nozzle has a non-return function
  • the two-return function has a low-power function
  • 3, 5 Dimensions of the nozzle, 3, 3, 4, 5, 6, 6, 6, 6
  • Compounds that increase in basicity by actinic radiation include, for example, spiropyrans and spiroxazines represented by the following general formulas: Classification is performed, and these undergo the next isomerization upon irradiation.
  • R 1 , R 2 and R 3 are each a hydrogen atom or an alkyl group, and they may be the same or different.
  • X and ⁇ are an alkyl group, an alkoxy group, a halogen atom, a nitro group, or a hydrogen atom, and may be different from each other. May be the same.
  • Trimethylindolinobenzoylosyllan 1, 3, 3 — Trimethylindolino 1 ' Benzopyrirospirane, 1,3,3-Trimethylindolinol beta -Naphthopyrirospirane, 1,3,3 -trine Methylindolinolnaphtospiroxazine, 1, 3, 3 — Trimethylindolinolino 6 '— 2-trobenzopyrilos Pyran, 1, 3, 3 — Trimethylindolinol 6 '— Bromobenzopyrilospiran, 1, 3, 3 — Trimethylinray And drinor 6 '— Hydroxybenzopyrirospirane etc.
  • a substance that produces a base or a substance with increased basicity by the above-mentioned actinic ray irradiation generates an acid by the actinic ray irradiation, and decomposes the polymer by using this as a catalyst.
  • it can be used as a pattern-forming material of the present invention when added to a chemically amplified resist to be crosslinked.
  • the total content of the compound (B), whose base is formed or its basicity is increased by irradiation, may decrease in sensitivity and resolution as it increases.
  • the content of the compound (A) which produces an acid upon irradiation is in the range of 200 mol% to 0.1 mol%, more preferably 50 ⁇ 1. % To 0.2 mol%.
  • a light source for irradiation for example, 190 no! ⁇ 450 nm, preferably 200 no! UV irradiation in the region from 400 nm to 400 nm, particularly preferably from 200 nm to 300 nm, is used, but electron beam and X-ray irradiation are also suitable.
  • C an acid of (C)
  • a compound represented by the following general formula is suitable.
  • R 1 is an alkylene group having 1 to 4 carbon atoms
  • R 2 is an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms
  • R d is an alkyl or aryl having 1 to 10 carbon atoms.
  • X is one CO —, one OCO — or — NHC is a group selected from 0-, and M is an integer of 1 or more.
  • Examples of a) are D ⁇ -A 2, 6 10, 8 4 2 and
  • Compounds falling under (D) include phenolic resins such as polyvinyl butyral, novolac resins, and derivatives thereof.
  • the 0H group of the above-mentioned vinyl resin is replaced with a tetrahydrofuranyl group, a tetrahydrofuranyl group, and a t-butoxycanolepoxyl group. Even if a C-10-C bond that is protected by an acetoxyl group and cleavable by an acid is introduced, it does not work.
  • polystyrenes and their alkyl derivatives for example, 3—methyl-4—hydroxy.
  • Polystyrene homo- or copolymers or aromatic compounds containing acrylic acid and phenol groups It is an essence or an amide.
  • the same effect can be obtained by using a homopolymer or a copolymer of male imid.
  • Polystyrene, substituted polystyrene, vinyl ether, vinyl ether ester, vinyl silyl compound, and (meth) acrylic acid ester polyester are also common. Can be used as
  • a styrene copolymer may be used with a comonomer that increases the solubility in aqueous alkaline solutions, for example, anhydrous maleic. Contains carboxylic acid, maleic acid half-ester, etc. ⁇
  • the material for pattern formation according to the present invention is, for example, ethyl alcohol, glycol alcohol, ethanol, glycol alcohol, etc.
  • aliphatic esters eg, g-ethyl acetate, n-butyl acetate, propylene glycol, propylene glycol, phenolic ester
  • propylene glycol monomethyl acetate or amino acetate ketone (for example, methyl ethyl ketone) , Cyclopentanone, cyclohexane), dimethino honole amide, dimethino acetoamide, hexamethyl lin Acid amides, N-methyl pyrrolidon, ptyrrolactone, tetrahydrofuran and their Dissolved in a compound.
  • Glycol ethers, aliphatic esters and ketones are particularly preferred.
  • Solutions prepared with the components of this pattern-forming material generally contain 5 to 60% by weight, preferably up to 50% by weight, of solids.
  • the mixing ratio of the essential components of the material for forming the pattern is determined by the sensitivity of the light to be irradiated at the time of forming the pattern, the shape of the pattern, and the like.
  • the above mixing ratio varies depending on the type of material to be combined, but, for example, the content of the compound that generates an acid by the irradiation of (A) is based on the total weight of the solid content. And generally from 0.5 to 25% by weight, preferably from 1 to: L 0% by weight
  • the content of the compound having at least one bond that can be cleaved by the acid of (C) is 1 to 60% by weight, preferably 1 to 60% by weight, based on the total weight of solids. And 5 to 35% by weight.
  • the content of the compound (D) which is insoluble in water but soluble in the aqueous alkaline solution is 1 to 90% by weight, especially 5 to 9% by weight, based on the total weight of solids. 0% by weight, preferably 50 to 90% by weight.
  • (C) and (D) may be the same compound, in which case it is 75 to 99.5% by weight, preferably about 75% by weight based on the total weight of solids. It is 80 to 99% by weight.
  • Suitable substrates to which the materials of the present invention are applied include any of the construction or manufacture of capacitors, semiconductors, multilayer printed circuit boards or integrated circuits. Materials can be used. In particular, it may be thermally oxidized and / or doped, if desired; an anolymium-coated gay material, and the like. Ru is for illustrative another example if nitride gain b arsenide, gas re U beam arsenide, and general substrates with Li Nkai down di ⁇ beam soil semiconductor technology 0
  • substrates known in the manufacture of liquid crystal display devices such as glass And metal oxides, metal plates, metal fins (for example, anolymium, copper or zinc), or metal-deposited surfaces, If desired, an aluminum-coated Sio 2 paper or the like is suitable.
  • These substrates may be heat-treated, surface-polished, etched, or treated with a reagent to improve properties, for example, to enhance hydrophilicity.
  • an adhesion promoter may be included.
  • Silane coupling agents such as minopropyl triethoxysilane can be applied.
  • the thickness of the layers depends on the field of application, but is, for example, from 0.1 to 100 ⁇ m, in particular from 1 to: L0 ⁇ m.
  • the method of applying the present invention to a substrate includes, for example, spray coating, roll coating, spin coating, and dicing in the form of a solution. It can be applied to the substrate by the step coating. Next, the solvent is removed by evaporation, and the pattern forming material is left on the substrate. Removal of the solvent can be facilitated by heating or / and reducing pressure, if desired. It is important that the heating temperature does not cause deterioration of the pattern-forming material and the base material, for example, it can be heated to 150 ° C. Wear . Then, illuminate the layer to reflect the pattern. Next, the layer is treated with a developer and the material is irradiated. Dissolve the cut part to reveal the pattern.
  • the irradiated part is insolubilized, and it is possible to dissolve the unirradiated part to reveal a pattern.
  • heating and development may be used.
  • sensitivity can be further improved by this heating.
  • the heating temperature it is desirable that the shape of the pattern and the base material do not deteriorate, for example, the heating can be performed at 200 ° C or less. .
  • Examples of the developer include alkali metal and / or alkaline earth metal, particularly ammonium ion silicate, metal silicate, and hydroxide. Products, hydrogen phosphate, ammonia, etc. are used.
  • developer containing no metal ion for example, a known developer described in US-A4, 7229, 941, EP-A0, 062, 733, etc. is used. can do .
  • a film for the purpose of, for example, preventing reflection, improving contrast, etc. may be applied to the upper layer or the Z layer and the lower layer made of the pattern forming material of the present invention.
  • the fact that the pattern forming material of the present invention exhibits excellent exposure latitude is based on the following mechanism based on the knowledge obtained so far. It is estimated to be .
  • the present invention since the present invention includes a compound that generates a base or increases basicity by irradiation, the proton concentration increases with an increase in irradiation amount. On the other hand, the concentration of bases that neutralize them also increases. Therefore, the change in the port density due to the change in the irradiation dose is alleviated, and a kind of buffering effect is obtained, so that the exposure latitude is improved.
  • a material for pattern formation having the following composition was prepared.
  • A a'-bis (4—close-mouthed phenyl) diazometer, a compound that generates an acid upon irradiation in 30 parts by weight After adding 2 parts by weight of the solvent, it was dissolved in 400 parts by weight of propylene glycol monomethyl ether acetate.
  • the copy material was irradiated with ultraviolet light at a wavelength of 248 nm using a KrF excimer laser under the original image. 60 on the hot plate after irradiation. After heating with C for 1 minute, the film was developed with an aqueous solution of 0.27N tetramethylammonium hydroxide.
  • Table 1 shows the results of the inspection of the pattern profile of the registry using a scanning electron microscope.
  • Example 3 In place of the poly (3-methyl styrene 4-hydroxy styrene-CO-4-hydrid, D xy styrene), the poly (3-methyl styrene) The same procedure as in Example 1 was carried out with the use of hydroxystyrene.
  • Example 1 Trimethylino-Lindrino-8'-Metoxybenzopirilo Spirane Changed to 0.8 mo 1% was done in a similar manner.
  • Example 1 Trimethylino-Lindolino-8 'Methoxy Benzopyriro Spirane without adding pattern A solution of the forming material was prepared and performed in a similar manner. Comparative Example 2
  • Example 3 Trimethylino-Lindrino-8'-Metoxybenzopirillovirane Pattern formation without adding A solution of the ingredients was prepared and performed in the same manner.
  • Table 1 shows the results of Examples 1 to 4 and Comparative Examples 1 and 2.
  • a compound that generates an acid by irradiation with actinic radiation and a compound that generates the acid are used.
  • a compound that forms more bases or increases basicity it has an excellent exposure latitude because it has a buffering effect against changes in irradiation dose.
  • the following pattern forming material can be obtained.
  • the present invention is effective for both a material for forming a pattern of a positive shape and a material of a negative shape, and uses a visible light X-ray or an electron beam in addition to ultraviolet light as a light source. There is no way to be effective. Further, a film for the purpose of preventing reflection, improving contrast, etc. is applied to the upper layer, the lower layer, or the upper layer and the lower layer of the material for pattern formation of the present invention. It can be widely used for practical use, and its industrial utility value is extremely large.

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Description

明 細 書 パ タ ー ン形成用材料 技 術 分 野
本発明 は、 半導体装置等の製造 に お い て所望のパ タ ー ン を基板上に形成す る の に使用 さ れ る パ タ ー ン形成用材 料に関す る 。 よ り 詳 し く は、 本発明 は、 特 に露光裕度が 大 き く 、 露光エ ネ ルギー変化に対 し てパ タ ー ン寸法変化 の少な いパ タ ー ン を与え る パ タ ー ン形成用 材料 に 関す る
背 景 技 術
従来 よ り 活性線の照射 に よ り 酸を発生 さ せ、 こ れを触 媒 と し て、 ポ リ マ ー を (熱) 分解あ る い は (熱) 架橋 さ せ ポ リ マ ー の溶解度を変化 さ せてパ タ ー ン を形成す る 化 学增幅型 レ ジ ス 卜 が多数知 ら れて い る 。 例え ば
E. Reichraanis . S. A. MacDomal d .T.1 way anag i , ACS Syrap. Ser..412.25 - 112 ( 1989 ) に記載 さ れて い る 。 こ れ ら の 化 学増幅型 レ ジ ス ト は感度、 解像度の比較的優れた も の と し て知 ら れて い る 。
ま た、 加熱に よ り 酸を生成す る 物質 と 活性線の照射 に よ り 塩基を生成す る 物質を組み あ わせ、 照射後加熱す る こ と に よ り 未露光部で は加熱に よ っ て生成 し た酸を触媒 と し て ポ リ マ ー を熱架橋 さ せ、 露光部で は、 照射 に よ つ て生成 し た塩基で上記酸を中和 し て、 酸 に よ る 熱架橋を そ止 し てパ タ ー ン を形成す る 方法 も知 ら れて い る 。 例え ii S.Matuszazak et a 1. J . Mater . Cheni . , 1 , 1045 (1991)で は、 特 に高感度 レ ジ ス 卜 と し て記載 さ れて い る 。
—方、 上記化学増幅型 レ ジ ス ト と は別に 、 感光性組成 物に ス ピ ロ ピ ラ ン等の フ ォ ト ク ロ ミ ッ ク 性色素を添加 し た も の も 知 ら れて い る 。
例え ば增感作用 の あ る フ ォ ト ク ロ ミ ッ ク 性色素 も し く は減感作用 の あ る フ ォ ト ク ロ ミ ッ ク 性色素を レ ジ ス ト に 加え て感度を調整す る 方法 (特公昭 6 1 — 3 2 6 6 2 ) ポ ジ型 レ ジ ス ト に ス ピ ロ ビラ ン を加え ポ ジ型及びネ ガ型 いずれのパ タ ー ンで も形成で き る よ う に し た レ ジ ス ト 材 料 (特開昭 5 6 — 3 5 1 3 0 ) 、 電子 ビー ム用 ネ ガ型 レ ジ ス ト と 紫外線用 ポ ジ型 レ ジ ス ト と フ ォ ト ク ロ ミ ッ ク 材 料を配合 し 、 基板に対す る 密着性及び解像力 を改良 し た ホ 卜 レ ジ ス ト (特公平 3 — 3 2 1 0 ) 等があ る 。
し か し な力《 ら 、 照射に よ り 酸を生成す る 物質 と 照射に よ り 塩基を生成 も し く は塩基性の増大す る 物質を含む化 学増幅型 レ ジ ス ト 及び上記化学増幅型 レ ジ ス 卜 の露光裕 度を向上 さ せ る 有効な方法は未だ知 ら れてい な い。
上記の よ う な従来技術に お い て は、 半導体装置等の製 造に適用す る 際の プ ロ セ ス制御性につ い て は配慮 さ れて お ら ず、 特 にィヒ学増幅型 レ ジ ス ト に お い て は、 露光量の 変動に よ り パ タ ー ン寸法が大幅に変化す る 問題があ つ た 例え ば、 ラ イ ン と ス ペ ー ス のパ タ ー ン を用 い て、 露光 す る と 露光量の わずかな増加 に よ り 、 ポ ジ型 レ ジ ス ト で は、 ラ イ ン が細 く な り 、 ネ ガ型で は ラ イ ン が太 く な る た め、 パ タ ー ン寸法の制御 は困難であ っ た。
本発明 の 目 的 は、 露光裕度が広 く 、 露光量変化に対 し てパ タ ー ン寸法変化の少な いパ タ ー ン形成材料を提供す る と に あ る o
発 明 の 開 示
本発明者 ら は、 上記の状況に鑑みて鋭意研究を行な つ た結果、 照射 に よ り 酸を発生 さ せ、 こ れを触媒 と し て ポ リ マ ー を分解あ る い は架橋 さ せ、 ポ リ マ ー の溶解度を変 化 さ せてパ タ ー ン を形成す る 化学増幅型 レ ジ ス ト に対 し 、 照射に よ り 塩基を生成あ る い は塩基性の増大す る 化合物 を加え る こ と に よ り 、 露光裕度が大幅に改善 さ れ る こ と を見出 し た。
すな わ ち、 本発明 に よ る パ タ ー ン形成用材料は、 ( A ) 活性線の照射 に よ り 酸を生成す る 化合物、 ( B ) 活性線 照射に よ り 塩基を生成 も し く は塩基性の増大す る 化合物、
( C ) 酸に よ り 開裂 し う る 結合を少な く と も 1 つ有す る 化合物、 お よ びノ ま た は ( D ) 水に不溶であ る が、 ア ル カ リ 水溶液に は可溶であ る 化合物、 を含む こ と を特徴 と す る も のであ る 。
発明を実施す る た めの最良の形態
上記の活性線照射に よ り 酸を生成す る 化合物 と し て は、 例え ば H S b F 6 、 H A s F „ 、 ま た は H P F 6 ( J .V.Crivel 1 o . Po 1 y in . Eng . Sc i . , 2_3.953 ( 1983 ) ) 、
R S 0 3 H ( た だ し R は ア ルキ ル基、 芳香族基又 は フ ル ォ ロ ア ノレキ ル基で あ る 。 ) の ジ ァ ゾニ ゥ ム 塩、 ホ ス ホ ニ ゥ ム 塩、 ス ノレ ホ ニ ゥ ム 塩 ま た は ィ ォ ドニ ゥ ム 塩 ; ハ ロ ゲ ン化合物 (特開平 1 — 1 0 6 0 3 9 、 E P — A 0 2 3 2 9 7 2、 U S — A 3, 6 1 5 , 4 5 5、 U S - A 3 , 6 8 6 , 0 8 4 、 U S — A 3 , 1 2 , 6 1 6 参 照) 、
特 に ト リ ク ロ ロ メ チ ノレ ト リ ア ジ ン誘導体 ( D E — A
1 2 9 8 4 1 4 , D E - A 2 , 2 4 3 , 6 2 1 、 D E - A 2 , 3 0 6 , 2 4 8、 D E - A 2 , 3 0 6 , 2 4 9 、 U S — A 4 , 6 1 9 , 9 9 8 、 及 び 4 , 6 9 6 8 8 8 参照) 、 ま た は、 ト リ ク ロ ロ メ チ ノレオ キ サ ジ ァ ゾ ー ル誘導体 ( U S - A 4 , 2 1 2 , 9 7 0 、 U S - A
4 , 2 7 9 , 9 8 2、 U S - A 4 , 3 7 1 , 1 0 6 U S — A 4 , 3 7 1 , 6 0 6 参照) ; ス ル ホ ン 酸 フ エ ノ リ ッ ク エ ス テ ノレ ( T.Ueno et a 1 - .Polymers for
Microelectronics..413-424(1990) ) ま た はニ ト ロ ベ ン ジ ノレエ ス テ ノレ ( F,M,Houl ian et al .. Macroraol .. 21 ,
2001 ( 1988 )) ; ビ ス ス ル ホ ニ ル ジ ァ ゾメ タ ン (特開平 3 - 1 0 3 8 5 4 ) 等力 あ げ ら れ る 。 ビス ス ノレ ホ ニ ル ジ ァ ゾ メ タ ン は、 た と え ば以下の よ う な 一般的で示 さ れ る 。 S Oo -c S O 一 R'
(式中 、 R 4 、 R 5 は そ れぞれ ア ル キ ル基、 シ ク ロ ア ル キ ル基、 芳 香族基又 はへ テ ロ ア リ ー ル基を表わ す。 )
上記 の 活性線照射 に よ り 塩基を生成す る も の と し て は 例 え ば、 次の一般式で示 さ れ る カ ルバ メ 一 卜 基 (特 に 2 一 二 ト ロ べ ン ジ ル カ ノレ バ メ ー ト 基) ゃ ス ノレ ホ ン ア ミ ド基 を有す る も の が あ げ ら れ る 。 こ れ ら は活性線照射 に よ り 例 え ば次 の反応 に よ っ て塩基で あ る ア ミ ン を生成す る 。
0
II RJ
A r CHOCN A rC0R3+C0 o + NH
、R' 光嚇 R'
R
0 0
ArCHOCN-X-NCOCHA
R3 R1 R2 R3
R丄、
2A r COR 3° + 2C00 + NXN
丽 H 、H
A r SOり N
1
A S
、R;
Figure imgf000007_0001
(式中、 A r はニ ト ロ 置換芳香族基、 ま た は芳 香族基、 R 1 、 R 2 お よ び R 3 は水素原子、 ア ルキ ル基 ま た は芳 香族基、 X は ア ル キ レ ン 基を表わ す。 )
よ り 具体的 に は 、 二 ト 口 べ ン ジ ル シ ク 口 へ キ シ ル カ ノレノ< メ ー ト 、 二 ト ロ ペ ン ジ ノレ シ ク ロ へ キ シ ノレ 力 ノレ ノく メ 一 ト 、 3 , 5 — ジ メ ト キ シ ペ ン ジ ノレ シ ク ロ へ キ シ ノレ カ ノレ ノく メ 一 ト 、 3 — ニ ト ロ フ エ ニ ル シ ク ロ へ キ シ ノレ カ ノレ バ メ ー ト 、 ペ ン ジ ノレ シ ク ロ へ キ シ ル カ ノレ ノく メ ー ト 、 [ [ ( 2 — 二 ト 口 べ ン ジ ノレ ) ォ キ シ ] カ ル ボニ ル ] シ ク ロ へ キ シ ル ア ミ ン 、 [ [ ( 2 — ニ ト ロ べ ン ジ ノレ ) ォ キ シ ] カ ル ボニ ル ] ピ ぺ リ ジ ン 、 ビ ス [ [ ( 2 — 二 ト ロ ベ ン ジ ル ) ォ キ シ ] カ ル ボ ニ ル ] ピぺ ラ ジ ン 、 ビ ス [ [ ( 2 — 二 ト ロ べ ン ジ ル ) ォ キ シ ] カ ル ボ ニ ル ] へ キ セ ン 一 1 , 6 — ジ ァ ミ ン 、
[ [ ( 2 , 6 — ジ ニ ト ロ べ ン ジ ノレ ) ォ キ シ ] カ ル ボニ ル ] シ ク ロ へ キ シ ノレ ア ミ ン 、 ビ ス [ [ ( 2 , 6 — ジ ニ ト ロ べ ン ジ ノレ) ォ キ シ ] カ ル ボニ ル ] へ キ セ ン 一 1 , 6 — ジ ァ ミ ン 、 N — [ [ ( 2 — ニ ト ロ フ エ 二 ノレ ) 一 1 — メ チ ル メ ト キ シ ] カ ル ボ ニ ル ] シ ク ロ へ キ シ ノレ ア ミ ン 、 N — [
[ ( 2 — 二 ト ロ フ エ ニ ル ) 一 1 ー メ チ ノレ メ ト キ シ ] カ ル ボニ ル ] ォ ク タ デ シ ノレ ア ミ ン 、 ビ ス [ [ ( α — メ チ ノレ ー 2 — 二 ト ロ べ ン ジ ノレ ) ォ キ シ ] カ ル ボニ ル ] へ キ サ ン 一 1 , 6 - ジ ァ ミ ン 、 Ν — [ [ ( 2 , 6 — ジ ニ ト ロ フ エ 二 ル) 一 1 ー メ チ ノレ メ ト キ シ ] カ ル ボ ニ ル ] シ ク ロ へ キ シ ル ァ ミ ン 、 Ν — [ [ ( 2 — 二 ト ロ フ エ 二 ノレ ) 一 1 — ( 2 ' 一 二 ト ロ フ エ ニ ル ) メ ト キ シ ] カ ル ボ ニ ノレ シ ク ロ へ キ シ ノレ ア ミ ン 、 N - [ [ ( 2 , 6 - ジ ニ ト ロ フ エ 二 ノレ ) - 1 - ( 2 ' , 6 ' ー ジ ニ ト ロ フ エ 二 ノレ ) メ ト キ シ ] カ ル ボニ ル ] シ ク ロ へ キ シ ノレ ア ミ ン 、 N — シ ク ロ へ キ シ ル 一 4 ー メ チ ノレ フ エ ニ ノレ ス ノレ ホ ン ア ミ ド 、 N — シ ク ロ へ キ シ ル ー 2 — ナ フ チ ノレ ス ノレ ホ ン ア ミ ド 等 カ 好 ま し い 。
ま た、 活性線照射に よ り 塩基性の増大す る 化合物 と し て は 、 例 え ば 、 次 の 一般式で 示 さ れ る ス ピ ロ ピ ラ ン 類 、 ス ピ ロ ォ キ サ ジ ン 類が あ げ ら れ 、 こ れ ら は 照射 に よ り 次 の異性化を行な う 。
Figure imgf000009_0001
Figure imgf000009_0002
Figure imgf000009_0003
Y
Figure imgf000010_0001
(式中、 R 1 、 R 2 お よ び R 3 は、 それぞれ、 水素原子 ま た は ア ルキ ル基であ り 、 そ れ ら は同一で あ っ て も よ い し 、 た力《い に異な っ て い て も よ い。 X お よ び Υ は、 ア ル キル基、 ア ル コ キ シ基、 ハ ロ ゲ ン原子、 ニ ト ロ 基 ま た は 水素原子で あ り 、 そ れ ら は同一であ つ て も よ い。 )
こ れ ら の化合物 は、 分子中 に ア ミ ノ 基を有す る た め塩 基性で あ る が、 照射 に よ り 異性化 し て フ エ ノ ラ 一 ト イ ォ ン を生 じ る た め塩基性が増大す る 。
上記ス ピ ロ ピ ラ ン類、 ス ピ ロ ォ キサ ジ ン類 と し て、 具 体的 に は、 次の化合物を例示す る こ と 力く で き る 。
1 , 3 , 3 — 卜 リ メ チ ノレ イ ン ド リ ノ ベ ン ゾ ピ リ ロ ス ビ ラ ン 、 1 , 3 , 3 — ト リ メ チ ノレ イ ン ド リ ノ 一 8 ' — メ ト キ シ ベ ン ゾ ピ リ ロ ス ピ ラ ン 、 1 , 3 , 3 — ト リ メ チ ノレ イ ン ド リ ノ ー β — ナ フ ト ピ リ ロ ス ピ ラ ン 、 1 , 3 , 3 - ト リ メ チ ノレ イ ン ド リ ノ ナ フ ト ス ピ ロ ォ キ サ ジ ン 、 1 , 3 , 3 — ト リ メ チ ノレ イ ン ド リ ノ ー 6 ' — 二 ト ロ べ ン ゾ ピ リ ロ ス ピ ラ ン 、 1 , 3 , 3 — ト リ メ チ ノレ イ ン ド リ ノ ー 6 ' — ブ ロ モ ベ ン ゾ ピ リ ロ ス ピ ラ ン 、 1 , 3 , 3 — ト リ メ チ ノレ イ ン ド リ ノ ー 6 ' — ヒ ド ロ キ シ ベ ン ゾ ピ リ ロ ス ピ ラ ン 等 で め る 上記活性線照射に よ り 塩基を生成す る 物質 も し く は塩 基性の増大す る 物質を活性線照射 に よ り 酸を発生 さ せ こ れを触媒 と し て ポ リ マ ー を分解あ る い は架橋 さ せ る 化学 増幅型 レ ジ ス ト に添加 し 、 本発明 のパ タ ー ン形成用材料 と し て使用で き る 。
照射に よ り 塩基を生成 も し く は塩基性の増大す る 化合 物 ( B ) の全含有率 は、 増大す る に し たがい感度、 解像 度が低下す る こ と があ る た め、 照射に よ り 酸を生成す る 化合物 ( A ) に対 し て 2 0 0 mol % 〜 0 . l raol %であ る こ と が好ま し く 、 さ ら に好ま し く は、 5 0 ιπο1 % 〜 0 . 2 mol %であ る 。
照射に用 い る 光源 と し て は、 例え ば、 1 9 0 no!〜 4 5 0 nm、 好ま し く は、 2 0 0 no!〜 4 0 0 nm、 特 に好ま し く は、 2 0 0 〜 3 0 0 nm領域の U V照射を使用す る が 電子線及び X 線照射 も好適であ る 。
( C ) の酸に よ り 開裂 し う る 結合、 好ま し く は C 一 0 一 C 結合お よ び ま た は C — N — C 結合を少 く と も 1 つ 有す る 物質 と し て、 特に次の一般式で示 さ れ る 化合物が 好適であ る 。
R 3 R ώ
[ C H - 0 - R 丄 - X - Ν ] η
(式中、 R 1 は炭素数 1 〜 4 の ア ルキ レ ン基、 R 2 は炭 素数 1 〜 4 の ア ルキ ル基、 R d は炭素数 1 〜 1 0 の ア ル キル又はァ リ ー ノレ基、 X は 一 C O —、 一 O C O —又 は — N H C 0 - よ り 選 ばれ る 基で あ り 、 M は 1 以上 の 整数で あ る 。 )
よ り 具体的 に は 、 下記の も の が好適で あ る 。
a ) 少 く と も 1 つ の ォ ル ト カ ル ボ ン 酸エ ス テ ル お よ び ノ又 は 力 ル ボ ン 酸 ア ミ ド ァ セ タ ー ル基を含む化合物。 b ) 主鎖中 に反復 ァ セ タ ー ルお よ び Z又 は ケ タ ー ノレ基 を含むォ リ ゴマ 一 又 は ポ リ マ ー 。
c ) 少 く と も 1 つ の ェ ノ ー ノレエ 一 テ ル又 は N — ァ シ ル ァ ミ ノ カ ー ボネ ー ト 基を含む化合物。
d ) β — ケ ト エ ス テ ル又 は ;3 — ケ ト ア ミ ド の環状 ァ セ タ ー ル ま た は ケ タ ー ノレ 。
e ) 3 級 ァ ノレ コ ー ノレ !^ の エ ー テ ノレ 。
f ) 3 級 ァ リ ル位 ま た は ペ ン ジ ノレ ア ノレ コ ー ノレ の 力 ル ボ ン 酸ェ ス テ ル及び炭酸ェ ス テ ル。
よ り 具体的 に は 、
a ) の 例 と し て D Ε - A 2 , 6 1 0 , 8 4 2 及 び
2 , 9 2 8 , 6 3 6
b ) と し て D E - C 2 , 3 0 6 , 2 4 8 及 び
2 , 7 1 8 , 2 5 4
c ) と し て Ε P - A 0 . 0 0 6 , 6 2 6 及 び
0 , 0 0 6 6 2 7
d ) と し て Ε P - A 0 2 0 2 , 1 9 6
e ) と し て U S - A 4 6 0 3 , 1 0 1
f ) と し て U S - A 4 4 9 1 , 6 2 8 及 び J .M. Frechet et a 1. J . Imaging Sci . , 30 , 59 - 64 ( 1986 ) に 開示 さ れて い る も の 力《 あ げ ら れ、 こ の 他 に も D E — A
3 , 7 3 0 , 7 8 3、 G. Powlowski et al .. J . Photopoly m Sci , Technoし, 5_.55 - 60 ( 1992 ) 、 特公平 1 - 1 0 6 0 4 1 、 特公昭 6 0 — 2 0 7 3 8 、 等 に 記載の ァ セ 夕 ー ル樹脂 や M. J .0 ' Brien et al . , SPI E Symp. Proc . , 920 ,
42 ( 1980 )に 記載の t — ブ ト キ シ カ ノレ ボキ シ レ ー 卜 等があ げ ら れ る 。 ま た 、 ( C ) の 化合物 と し て、 好 ま し く は以 下の一般式で示 さ れ る 化合物が用 い ら れ る 。
Figure imgf000013_0001
( D ) に 該当す る 化合物 と し て は、 ポ リ ビニ ル フ ユ 1 — ル、 ノ ボ ラ ッ ク 樹脂等の フ エ ノ ー ル樹脂及 びそ れ ら の 誘導体が あ げ ら れ る 。 ま た上記 フ ヱ ノ ー ル樹脂 の 0 H 基 を テ ト ラ ヒ ド ロ フ ラ ニ ル基、 テ ト ラ 匕 ド ロ ビ ラ ニ ル基、 t 一 ブ ト キ シ カ ノレ ポキ シ ル基、 ァ セ ト キ シ 基等で保護 し 酸 に よ り 開裂 し う る C 一 0 — C 結合 を導入 し た も の を用 い て も 力、 ま わ な い。
好適 な も の と し て よ り 具体的 に は、 ポ リ ヒ ド ロ キ シ ス チ レ ン 及 び そ の ア ルキ ル誘導体、 例 え ば 3 — メ チ ル ー 4 — ヒ ド ロ キ シ ス チ レ ン の ホ モ ポ リ マ 一 又 は コ ポ リ マ ー ま た は、 ア ク リ ル酸 と フ ヱ ノ ー ル基を含 む芳香族化合物 と の エ ス テ ノレ 又 は ア ミ ド で あ る 。 ス チ レ ン 、 メ タ ク リ ノレ 酸 メ タ ク リ レ ー ト 、 ァ ク リ ノレ 酸 メ タ ク リ レ 一 卜 等 を コ ポ リ マ ー 中 の コ モ ノ マ ー と し て 使用 す る こ と も 可 能 で あ る 。
ゲ イ 素 を 含む ビニ ル モ ノ マ ー 例 え ば ビニ ル ト リ メ チ ル シ ラ ン を用 い て上記種類の コ ポ リ マ ー を調製す る と 特 に プ ラ ズマ エ ッ チ ン グ に 対す る 耐性を高 め た 材料が得 ら れ る 。 こ れ ら の 材料の透明度 は 問題 と な る 領域 に お い て一 般 に 高 い の で 、 パ タ ー ン 形状を改善す る こ と が で き る 。
マ レ イ ン イ ミ ド の ホ モ ポ リ マ ー 又 は コ ポ リ マ ー を使用 し て も 同様の効果が得 ら れ る 。
ス チ レ ン 、 置換 ス チ レ ン 、 ビニ ル エ ー テ ル 、 ビニ ノレ エ ス テ ノレ 、 ビニ ル シ リ ノレ化合物、 ( メ タ ) ァ ク リ ノレ酸 エ ス テ ノレ も コ モ ノ マ ー と し て 使用 で き る 。
ス チ レ ン の コ ポ リ マ ー を水性 ア ル カ リ 溶液 に お け る 溶 解性を増加 さ せ る コ モ ノ マ ー と 共 に 使用 し て も よ く 、 例 え ば無水マ レ イ ン 酸、 マ レ イ ン 酸半エ ス テ ル等が含 ま れ る ο
ま た 、 上記材料を混合 し た も の を用 い て も か ま わ な い さ ら に所望 に よ り 染料、 顔料、 湿潤剤及び レ べ リ ン グ剤 の他 に ポ リ グ リ コ ー ル、 セ ノレ ロ ー ス エ ス テ ル等を本発明 に よ る パ タ ー ン 形成用 材料 に 加 え て成膜性、 塗布性、 密 着性、 等の 特性の 改善 も 可能で あ る 。 好 ま し く は 、 本発 明 のパ タ ー ン 形成用 材料 は、 例え ばエ チ レ ン ダ リ コ ー ル グ リ コ ー ル エ ー テ ノレ 、 グ リ コ ー ノレ モ ノ メ チ ノレ エ ー テ ノレ 、 グ リ コ ー ル ジ メ チ ル ェ 一 テ ル 、 グ リ コ ー ル モ ノ ェ チ ル ェ 一テ ル 、 又 は プ ロ ピ レ ン グ リ コ 一 ノレ モ ノ ア ノレ キ ノレ エ 一 テ ル、 脂肪族エ ス テル (例え ば、 g乍酸ェ チ ル、 酢酸 n — ブ チ ノレ 、 プ ロ ピ レ ン グ リ コ ー ノレ モ ノ ア ノレ キ ノレ エ 一 テ ル ァ セ テ ー ト 、 特 に プ ロ ピ レ ン グ リ コ ー ノレ モ ノ メ チ ノレ エ ー テ ル ア セ テ ー ト 又 は酢酸ア ミ ノレ ) 、 ケ ト ン (例え ばメ チ ノレ エ チ ノレ ケ ト ン 、 シ ク ロ ペ ン 夕 ノ ン 、 シ ク ロ へ キ サ ノ ン ) 、 ジ メ チ ノレ ホ ノレ ム ア ミ ド 、 ジ メ チ ノレ ア セ ト ア ミ ド 、 へ キ サ メ チ ル リ ン 酸 ア ミ ド 、 N — メ チ ノレ ピ ロ リ ド ン 、 プ チ ロ ラ ク ト ン 、 テ ト ラ ヒ ド ロ フ ラ ン及び こ れ ら の混合物に溶解 す る 。 グ リ コ ー ルエ ー テル、 脂肪族エ ス テ ル及びケ ト ン が特に好ま し い。
最終的に は溶剤の選択は、 使用す る 塗布方法、 望ま し い膜の厚 さ 、 及び乾燥条件に応 じ て決ま る 。 こ のパ タ ー ン形成用材料の成分で調製 し た溶液は原則的 に 5 〜 6 0 重量%、 好 ま し く は 5 0 重量% ま での 固形分を含有す る ま た、 パ タ ー ン形成用材料の必須成分の混合比は、 パ タ ー ン形成時の照射す る 光の感度、 パタ ー ン形状等か ら 決め ら れ る 。
上記混合比は組み合わせ る 材料の種類に よ っ て も 混合 比は異な る が、 例え ば ( A ) の照射に よ り 酸を生成す る 化合物の含有量は、 固形分の総重量に対 し て一般に 〇 . 5 〜 2 5 重量%、 好ま し く は、 1 〜 : L 0 重量%であ n
3 ( C ) の酸 に よ り 開裂 し う る 結合を少 く と も 1 つ有す る 化合物の 含有量は、 固形分の総重量 に対 し て 1 〜 6 0 重量%、 好 ま し く は、 5 〜 3 5 重量%であ る 。
( D ) の水に不溶であ る がア ルカ リ 水溶液 に は可溶で あ る 化合物の 含有量 は、 固形分の総重量に対 し て、 1 〜 9 0 重量%、 特 に 5 〜 9 0 重量%、 好ま し く は 5 0 〜 9 〇 重量%であ る 。 ま た ( C ) と ( D ) は、 同一の化合 物であ っ て も よ く 、 そ の場合は固形分の総重量に対 し て 7 5 〜 9 9 . 5 重量%、 好ま し く は 8 0 〜 9 9 重量%で あ な 。
上記化学増幅型 レ ジ ス 卜 の具体例 と し て は、
E . Rei chmani s et aに, ACS Syrap . Ser .. 412 , 25-112 ( 1989 ) E . Rei chmani s et al .. Chem . Mater . , 8. 394- 407 ( 1991 )、 L. Schl egel et a 1. , Mi croe 1 ec . Eng . , , 33 ( 1991 )に記載の も のがあ げ ら れ る 。
本発明 の材料を塗布す る 好適な基材 し て は、 キ ャ パ シ タ ー 、 半導体、 多層 プ リ ン 卜 基板回路又 は集積回路を構 成 も し く は製造す る あ ら ゆ る 材料を使用で き る 。 特に、 熱的に酸化 し た ゲ イ 素材料お よ び /又は所望 に よ り ドー ビ ン グ し て あ っ て も よ い ; ァ ノレ ミ ニ ゥ ム被覆 し た ゲ イ 素 材料、 そ の他例 え ば窒化ゲ イ 素、 ガ リ ウ ム ヒ 素、 及び リ ン化ィ ン ジ ゥ ム な ど半導体技術で一般的な基材を例示で さ る 0
さ ら に、 液晶表示装置製造で公知の基材、 例え ばガラ ス 及 び酸化 イ ン ジ ウ ム ス ズ、 さ ら に 金属板、 及 び金属 ホ ィ ノレ (例 え ばァ ノレ ミ ニ ゥ ム 、 銅又 は亜鉛) 、 あ る い は金 属蒸着面、 所望 に よ り ア ル ミ ニ ウ ム 被覆 し た S i 0 2 材 紙な どが好適で あ る 。
こ れ ら の 基材 は、 加熱処理、 表面研磨、 エ ッ チ ン グ、 又 は試薬で処理 し て、 特性の 改良例え ば親水性の 強化な どを し て も よ い。
具体例 と し て、 レ ジ ス ト と 基板間 の 密着性を改良す る た め に 、 密着性促進剤を含 め て も よ く 、 ゲ イ 素、 二酸化 ゲ イ 素の場合、 3 — ァ ミ ノ プ ロ ピル ト リ エ ト キ シ シ ラ ン へキ サ メ チ ル ジ シ ラ ザ ン 等の シ ラ ン カ ッ プ リ ン グ剤を適 用 で き る 。
層 の厚 さ は、 応用分野 に よ り 異 な る が例 え ば 0 . 1 〜 1 0 0 ^ m 、 特 に 1 〜 : L O ^ m の範囲 に あ る 。
本発明 を基材 に 適用 す る 方法 と し て は 、 例え ば溶液の かた ち に し て 、 ス プ レ ー 流 し 塗 り 、 ロ ー ル塗布、 ス ピ ン コ ー ト 、 デ ィ ッ プ塗布 に よ り 基板 に 塗布す る こ と がで き る 。 次 い で、 溶剤を蒸発 に よ り 除去 し 、 パ タ ー ン 形成用 材料 を基材上 に残す。 溶剤 の 除去 は、 所望 に よ り 加熱 も し く は /及 び減圧 に よ り 促進す る こ と がで き る 。 加熱温 度 は、 上記パ タ ー ン形成用材料及 び基材の 劣化がお こ ら な い こ と が重要で あ り 、 例 え ば 1 5 0 °C ま で加熱す る こ と がで き る 。 次 い で、 そ の層 にパ タ ー ン を映す よ う に照 射す る 。 次 い で、 そ の 層 を現像液で処理 し 、 材料の照射 さ れた部分を溶解 し 、 パ タ ー ン を 出現 さ せ る 。 材料に よ つ て は、 照射 さ れた部分が不溶化 さ れ、 未照射部分を溶 解 し てパ タ ー ン を 出現 さ せ る こ と も 可能で あ る 。 ま た照 射後、 加熱 し た後現像 し て も よ い。 こ の加熱 に よ り 例え ば感度を さ ら に 向上 さ せ る こ と がで き る 。 加熱温度 と し て は、 パ タ ー ン の形状、 基材の劣化等がお こ ら な い こ と が望 ま し く 、 例え ば 2 0 0 °C以下で行 う こ と がで き る 。
現像液 と し て は、 例え ばア ル カ リ 金属及び ま た は ァ ルカ リ 土類金属、 特 に ア ン モニ ゥ ム イ オ ン の ゲ イ 酸塩、 メ タ ケ イ 酸塩、 水酸化物、 リ ン酸水素塩、 ア ン モ ニ ア等 を使用す る 。
金属 ィ ォ ン を含ま な い現像剤 と し て例え ば U S 一 A 4 , 7 2 9 , 9 4 1 、 E P - A 0、 0 6 2 , 7 3 3 等 に記載の公知の も の を使用す る こ と がで き る 。
ま た、 本発明 のパ タ ー ン形成用材料か ら な る 層の上層 ま た は Z及び下層 に例え ば反射防止、 コ ン ト ラ ス ト 向上 等の 目 的の膜を適用す る こ と も 可能であ り 、 例え ば、 C. F. Cyons et al . ,SP1E Proc . , 1674, 523 (1992)、
T . Tanaka et a 1.. J . E 1 ect rochem . Soc . , 137 , 3990 ( 1990 )、 T . I wayanag i et 1.. J . E 1 ect rochem . Soc . , 134
963 ( 1987 ) 、 S . Uchi no et a 1. . ACS Symposium Series . 346 , 188 ( 1987 )等があ げ ら れ る 。
本発明のパ タ ー ン形成用材料が優れた露光裕度を示す の は、 こ れま で得 ら れた知見よ り 、 次の機構 に よ る も の と 推定 さ れ る 。
すな わ ち 従来の化学増幅型 レ ジ ス 卜 の よ う に照射 に よ り 塩基を生成 も し く は塩基性の増大す る 化合物を含 ま な い場合、 照射量の増大 に よ り パ タ ー ン形成反応の触媒で あ る プ ロ ト ン濃度が急激 に増大す る の で 、 パ タ ー ン寸法 が大 き く 変化す る 。
し 力、 し 、 本発明で は、 照射に よ り 塩基を生成 も し く は 塩基性の増大す る 化合物を含むた め、 照射量の増大 に伴 つ て プ ロ ト ン 濃度が増大す る 一方、 こ れ ら を中和す る 塩 基の濃度 も 増大す る 。 し たが っ て照射量の変動に よ る プ 口 ト ン濃度変化が緩和 さ れ、 一種の緩衝効果が得 ら れ る た め、 露光裕度が向上す る のであ る 。
以下、 実施例 に よ り 本発明 を具体的 に説明す る 。 本発 明 は、 こ れ ら 実施例の記載に よ り 限定 さ れ る も の で はな い o
実施例 1
下記組成のパ タ ー ン形成用材料を調製 し た。
ポ リ [ ( 3 — メ チ ノレ ー 4 — ヒ ド ロ キ シ ス チ レ ン ) „ 一 C O — ( 4 — ヒ ド ロ キ シ ス チ レ ン ) 2 ] (平均分子量 M W : 1 6 , 0 0 0 ) 7 0 重量部、
構造式
0
C H2 C H2 0
Figure imgf000019_0001
7 一 で示 さ れ る ポ リ ア セ タ ー ル (平均分子量 M W :
2 , 8 0 0 ) 3 0 重量部 に 、 照射 に よ り 酸 を発生す る 化 合物で あ る 、 ひ , a ' — ビス ( 4 — ク ロ 口 フ エ 二 ノレ ) ジ ァ ゾ メ タ ン 2 重量部 を加 え 、 プ ロ ピ レ ン グ リ コ 一 ノレ モ ノ メ チ ルエ ー テ ル ァ セ テ 一 ト 4 0 0 重量部 に 溶解 し た。
上記溶液 に 1 , 3 , 3 — ト リ メ チ ノレ イ ン ド リ ノ ー 8 ' ー メ ト キ シ ベ ン ゾ ピ リ ロ ス ピ ラ ン ( S P と 略記) を α , a ' 一 ビス ( 4 一 ク ロ 口 フ エ 二 ノレ) ジ ァ ゾ メ タ ン に 対 し て 1 , 6 m o 1 % 添加 し た。 こ れを細孔径 0 . 2 / m の フ ィ ル タ ー を用 い て ろ 過 し 、 密着性促進剤 (へキ サ メ チ ル ジ シ ラ ザ ン ) で 処理 し た ウ ェ ハ 一 に 3 5 ◦ 0 rpm で ス ピ ン コ ー ト し た。 ホ ッ ト プ レ ー ト 上 1 2 0 °C で 1 分 間加 熱後 の膜厚 は 1 , 0 // m で あ っ た。
複写材料を原画 の下で K r F エ キ シ マ 一 レ ー ザー を用 い て波長 2 4 8 nmの紫外光照射を行 っ た。 照射後 ホ ッ ト プ レ ー ト 上 6 0 。C で 1 分間加熱後、 0 . 2 7 N テ ト ラ メ チ ル ア ン モ ニ ゥ ム ヒ ド ロ キ シ ド水溶液で現像 し た。
走査電子顕微鏡を使 っ た レ ジ ス 卜 のパ タ ー ン プ ロ フ ァ ィ ル の検査の結果を第 1 表 に示す。
実施例 2
1 , 3 , 3 - ト リ メ チ ノレ イ ン ド リ ノ 一 8 ' — メ ト キ シ ベ ン ゾ ピ リ ロ ス ピ ラ ン を 1 . 6 m o l % 力、 ら 6 . 4 m o 1 % に変更 し 、 実施例 1 と 同様の 方法で行 っ た。
実施例 3 ポ リ ( 3 — メ チ ノレ ー 4 ー ヒ ド ロ キ シ ス チ レ ン 一 C O — 4 — ヒ ド、 D キ シ ス チ レ ン ) の か わ り に ポ リ ( 3 — メ チ ル ヒ ド ロ キ シ ス チ レ ン ) を用 い て実施例 1 と 同様の方法で 行 っ た。
実施例 4
実 例 1 に お い て 1 , 3 , 3 — ト リ メ チ ノレ イ ン ド リ ノ - 8 ' ー メ ト キ シ ベ ン ゾ ピ リ ロ ス ピ ラ ン 0 . 8 m o 1 % に変更 し 、 同様の方法で行 っ た。
比較例 1
実施例 1 に お い て 1 , 3 , 3 — ト リ メ チ ノレ イ ン ド リ ノ - 8 ' ー メ ト キ シ ベ ン ゾ ピ リ ロ ス ピ ラ ン を 加 え ず に パ タ 一 ン形成用材料の溶液を調製 し 、 同様の方法で行 っ た。 比較例 2
実施例 3 に お い て 1 , 3 , 3 — ト リ メ チ ノレ イ ン ド リ ノ - 8 ' ー メ ト キ シ ベ ン ゾ ピ リ ロ ス ビ ラ ン を加えずにパ タ ― ン形成用材料の溶液を調製 し 、 同様の方法で行 っ た。
実施例 1 〜 4 お よ び比較例 1 , 2 の結果を第 1 表に示 す。
第 1表
m 例及び S Pの ^¾生剤に対する 露光量 ± 10%の変化に 比較例番号 添加量 (mo 1 %) 対するパターン形状変化
Figure imgf000021_0001
m 2 6. 4 ◦ , 60±0 ; m 識例 3 1. 6 0. 45±0. 02 m 纖例 4 〇. 8 0. 45±0. 02/im 比較例 1 0 0. 45±0. 05 m 比較例 2 0 0. 45±0. 05 m
9 以上の実施例 1 〜 5 及び比較例 1 , 2 か ら 次の こ と が わ力、 る 。 比較例 1 , 2 に お い て は露光量が ± 1 0 %変化 し た場合、 パ タ ー ン の寸法が I 1 0 %以上変化 し た の に 対 し 、 実施例 1 〜 1 0 で は 、 パ タ ー ン寸法変化がいずれ も 0 . 〇 1 〜 0 . 0 2 m と 1 5 %以内であ り 、 本発明 のパ タ ー ン形成用材料は、 いずれ も 良好な露光裕度を示 す こ と がわ力、 る 。
以上詳細 に説明 し た ご と く 、 本発明 のパ タ ー ン形成用 材料の露光裕度を向上 さ せ る 方法に お い て は活性線照射 に よ り 酸を生成す る 化合物 と 照射に よ り 塩基を生成 も し く は塩基性の増大す る 化合物を含んでい る こ と に よ り 、 照射量変化に対 し て緩衝効果が得 ら れ る た め優れた露光 裕度を有す る パ タ ー ン形成用材料が得 ら れ る 。
産業上の利用可能性
本発明 は、 ポ ジ形、 ネ ガ形いずれのパ タ ー ン形成用材 料につ い て も 有効であ り 、 光源 と し て紫外光他に可視光 X線、 電子線を用 い る も の に対 し て も有効であ る こ と は い う ま で も な い。 ま た本発明 のパ タ ー ン形成用材料の上 層あ る い は下層 も し く は上層 と 下層 に例え ば反射防止、 コ ン ト ラ ス 卜 の 向上等の 目 的の膜を適用す る こ と も 可能 であ り 、 広 く 実用化が可能で工業上の利用価値は極めて 大 き い。

Claims

1 . ( A ) 活性線の照射 に よ り 酸を生成す る 化合物
( B ) 活性線照射 に よ り 塩基を生成 も し く は塩基性の 増大す る 化合物、
( C ) 酸に よ り 開裂 し う る 結合を少な く と も 1 つ有す る 化合物、 お よ び ま た は
( D ) 水 に不溶であ青 る が、 ア ルカ リ 水溶液 に は可溶で あ る 化合物、
を含む こ と を特徴 と す る 、 パの タ ー ン形成用材料。
2 . 前記 ( C ) の酸に よ り 開裂 し う る 結合力く C — 0 — C 結合お よ び ま た は C 一 N — 囲 C 結合であ る こ と を特 徴 と す る 、 請求項 1 に記載のパ タ ー ン形成用材料。
3 . 化合物 ( B ) と し て、 次の一般式 ( I ) な い し ( I I I)で示 さ れ る 、 活性線の照射に よ り 塩基を生成す る 化合物を少 く と も 1 つ、
A r
(I)
Figure imgf000023_0001
0 0
A r CHOCNXNCOCHA
R 3 R1 R2 R3 (II)
A r S 02 N
、R (III) (式中、 A r は二 ト 口 置換芳香族基、 ま た は芳香族基、 R 1 , R 2 , R 。 は水素原子、 ア ル キ ル基、 又 は芳香族 基、 X は ア ル キ レ ン 基を表わす。 )
及びノ又 は次の一般式 UV) 〜 ( VI I)で示 さ れ る 、 活 性線の照射 に よ り 塩基性の増大す る 化合物を少 く と も 1 つ含む こ と を特徴 と す る 、 請求項 1 ま た は 2 に記載のパ タ ー ン形成用材料。
Figure imgf000024_0001
Figure imgf000024_0002
Figure imgf000024_0003
Figure imgf000024_0004
(式中、 R 1 , R 2 及び R 3 は、 それぞれ水素原子又は ア ルキル基であ り 、 それ ら は同一であ っ て も よ い し 、 た 力《い に異な っ て い て も よ い。 X 及び Y は ア ルキル基、 ァ ル コ キ シ基、 ハ ロ ゲ ン基、 ニ ト ロ 基又 は水素原子であ り それ ら は 同一であ っ て も よ い。 )
4 . 活性線の照射に よ り 酸を発生す る 化合物 ( A ) と し て、 次の ( 1 ) 〜 ( 4 ) の化合物を少 く と も 1 つ含 む こ と を特徴す る 、 請求項 1 〜 3 の いずれか 1 項に記載 のパ タ ー ン形成用材料。
(1) H S b F ft 、 H A s F 。 、 H P F „ 、 又は
R S 0 „ H ( た だ し R は ア ルキル基、 芳香族又は フ ルォ 口 ア ルキル基) の ジ ァ ゾニ ゥ ム塩、 ホ ス ホ ニ ゥ ム塩及び ィ ォ ドニ ゥ ム塩
(2) ト リ ク ロ ロ メ チ ノレ ト リ ア ジ ン 、 ト リ ク ロ ロ メ チ ルォ キサ ジ ァ ゾ一 ル及びそ れ ら の誘導体
(3) ス ノレ ホ ン 酸 フ エ ノ リ ッ ク エ ス テ儿 又 はニ ト ロ べ ン ジ ノレ エ ス テ ル
(4) ビス ス ノレ ホ ニル ジ ァ ゾメ タ ン
5 . 活性線の照射に よ り 酸を発生す る 化合物 ( A ) と し て、 次の一般式で示 さ れ る ビ ス ス ノレホ ニル ジ ァ ゾメ タ ン を含む こ と を特徴 と す る 、 請求項 4 に記載のパ タ ー ン形成用材料。
R4 一 SOり -C-SO0 -R5
2 II 2
N2 (VI 11)
(式中、 R 4 、 R 5 は それぞれア ルキル基、 シ ク ロ ア ル キ ル基、 芳香族基、 又はへテ ロ ア リ ー ル基を表わす。 )
6. 酸に よ り 開裂 し う る C — 0 — C 結合お よ びま た は C 一 N — C 結合を少 く と も 1 つ有す る 化合物が一般式
( IX) で示 さ れ る 化合物であ る こ と を特徴 と す る 、 請求 項 1 〜 5 の いずれか 1 項に記載のパ タ ー ン形成用材料。
R3 R2
— {CH-0-R1 - X - N]~n (IX)
(式中、
R 1 は炭素数 1 〜 4 の ア ルキ レ ン基、
R 2 は炭素数 1 ~ 4 の ア ル キ ル基、
R 3 は炭素数 1 〜 1 0 の ア ルキル又はァ リ ー ル基、 X は — C O —、 一 O C O — 又は 一 N H C O — よ り 選ば れ る 基であ り 、 Mは 1 以上の整数であ る。 )
7 . 水に不溶であ る が、 ァ ノレ力 リ 水溶液に は可溶で あ る 化合物 と し て、 フ ユ ノ ー ル性水酸基を有す る 化合物 であ る こ と を特徴 と す る 、 請求項 1 〜 6 の いずれか 1 項 に記載のパ タ ー ン形成用材料。
8. 水に不溶であ る が、 ア ル力 リ 水溶液に は可溶で あ る 化合物 と し て ビニルフ エ ノ ー ル、 ア ルキル置換 ビニ ルフ エ ノ ー ノレの ホ モ ポ リ マ ー あ る い はそれ ら の コ ポ リ マ 一、 あ る い は それ ら の混合物 も し く は それ ら と 他の フ ユ ノ ー ル性水酸基を有す る 化合物 と の混合物であ る こ と を 特徴 と す る 、 請求項 1 〜 7 の いずれか 1 項 に記載のバ タ 一 ン形成用材料。
9 . 照射 に よ り 塩基を生成 も し く は塩基性の増大す る 化合物 ( B ) の 全含有率が、 照射 に よ り 酸を生成す る 化合物 ( A ) に対 し て 2 0 〇 m o 1 % 〜 〇 . l m o 1 % であ る こ と を特徴 と す る 、 請求項 1 〜 8 の いずれか 1 項 に記載のパ タ ー ン成形用材料。
1 0 . 照射 に よ り 塩基を生成 も し く は塩基性の増大 す る 化合物 ( B ) の 全含有率が、 照射に よ り 酸を生成す る 化合物 ( A ) に対 し て 5 0 m o 1 % ~ 0 . 2 m o 1 % であ る こ と を特徴 と す る 、 請求項 9 に記載のパ タ ー ン成 形用材料。
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