TWI651423B - 蒸鍍遮罩 - Google Patents
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Abstract
本發明提供一種蒸鍍遮罩，其包括框架、主體膜，所述框架貫設有一第一開口，所述主體膜蓋設於所述第一開口上，所述主體膜上開設有複數個第二開口；所述主體膜包括塑膠膜，每一個所述第二開口貫穿所述塑膠膜，所述第一開口與每一個所述第二開口連通；所述蒸鍍遮罩還包括支架；所述支架固定於所述框架上且跨越所述第一開口，所述框架與所述支架共同支撐所述主體膜。本發明的蒸鍍遮罩採用塑膠材質且藉由支架進一步支撐蒸鍍遮罩，改善蒸鍍遮罩下垂問題，減少陰影效應的影響。
Description
本發明涉及一種蒸鍍遮罩。
目前之有機電致發光顯示面板藉由在基板上蒸鍍有機發光材料以將有機發光材料形成在基板上。隨著有機電致發光顯示技術的發展，有機電致發光顯示裝置的尺寸在不斷增加，亦要求蒸鍍遮罩的尺寸要不斷增大。但隨著蒸鍍遮罩尺寸的增大，會由於重力作用而加重蒸鍍遮罩下垂問題，隨之導致蒸鍍遮罩在蒸鍍過程中發生對位不良，影響生產良率。
蒸鍍遮罩一般選用金屬材質，蒸鍍時藉由一磁鐵將基板與蒸鍍遮罩緊密接合，蒸鍍遮罩上之遮罩圖案通常藉由蝕刻方式進行加工。然，於金屬材質上加工圖案的精細程度較難控制，從而影響蒸鍍之精度。若蒸鍍遮罩採用塑膠材質，雖可滿足對加工圖案精細化的要求，但塑膠材質不具有磁性，無法藉由磁鐵使基板與蒸鍍遮罩緊密貼合，令蒸鍍過程中塑膠蒸鍍遮罩與基板之間存在一間隙，進而導致基板上的蒸鍍形成的有機發光材料圖案的實際尺寸大於預設尺寸(shadow effect，陰影效應)，影響蒸發品質。
鑒於此，有必要提供一種能夠改善陰影效應的蒸鍍遮罩。
一種蒸鍍遮罩，其包括框架、主體膜，所述框架貫設有一第一開口，所述主體膜蓋設於所述第一開口上，所述主體膜上開設有複數個第二開口；所述主體膜包括塑膠膜，每一個所述第二開口貫穿所述塑膠膜，所述第一開口與每一個所述第二開口連通；所述蒸鍍遮罩還包括支架；所述支架固定於所述框架上且跨越所述第一開口，所述框架與所述支架共同支撐所述主體膜。
優選地，所述主體膜還包括與所述塑膠膜層疊設置的金屬膜，每一個所述第二開口貫穿所述金屬膜。
優選地，每一個所述第二開口包括貫穿所述塑膠膜的第一子開口和貫穿所述金屬膜的第二子開口，所述第二子開口與所述第一子開口連通，所述第二子開口的內徑大於所述第一子開口的內徑。
優選地，所述塑膠膜包括中央區和周邊區，其中所述複數個第二開口對應所述中央區設置；所述金屬膜覆蓋所述塑膠膜的周邊區。
優選地，所述框架與所述支架位於所述主體膜的同一側。
優選地，所述框架與所述支架均位於所述主體膜具有所述金屬膜的一側。
優選地，所述支架包括縱向延伸的至少一個第一支架和橫向延伸的至少一個第二支架中至少一種。
優選地，每一個所述第一支架具有相對的兩端，每一個所述第一支架的兩端固定於所述框架上；每一個所述第二支架具有相對的兩端，每一個所述第二支架的兩端固定於所述框架上。
優選地，所述主體膜為一非連續的層，其包括至少兩個間隔設置的子膜。
優選地，所述第一支架和所述第二支架中至少一者包括支撐部和由所述支撐部延伸形成的延伸部，所述支撐部用於支撐相鄰的兩個所述子膜，所述延伸部位於相鄰的兩個所述子膜之間。
相較於習知技術，本發明的蒸鍍遮罩採用塑膠材質且藉由支架進一步支撐蒸鍍遮罩，改善蒸鍍遮罩下垂問題，減少陰影效應的影響。
100、200、300、400、500、600、700、800‧‧‧蒸鍍遮罩
11、21、31、41、51、61、71、81‧‧‧主體膜
410、510、610、710、810‧‧‧子膜
111‧‧‧塑膠膜
112‧‧‧金屬膜
1111‧‧‧中央區
1112‧‧‧周邊區
101‧‧‧第一開口
102‧‧‧第二開口
1021‧‧‧第一子開口
1022‧‧‧第二子開口
12、22、32、42、52、62、72、82‧‧‧支架
121、321、521、621、721、821‧‧‧第一支架
122、222、422、622、722、822‧‧‧第二支架
5211、7211、8211‧‧‧第二延伸部
5212、7212、8212‧‧‧第二支撐部
4221、6221、8221‧‧‧第一延伸部
4222、6222、8222‧‧‧第一支撐部
13、23、33、43、53、63、73、83‧‧‧框架
14‧‧‧基板
圖1是本發明第一實施例的蒸鍍遮罩平面結構示意圖。
圖2是圖1沿II-II剖面線剖開的剖面結構示意圖。
圖3是本發明第一實施例的主體膜剖面結構示意圖。
圖4是本發明一較佳實施例的主體膜剖面結構示意圖。
圖5是本發明第一實施例的蒸鍍遮罩與基板的剖面結構示意圖。
圖6是本發明第二實施例的蒸鍍遮罩的平面結構示意圖。
圖7是本發明第三實施例的蒸鍍遮罩平面結構示意圖。
圖8是本發明第四實施例的蒸鍍遮罩平面結構示意圖。
圖9是本發明第五實施例的蒸鍍遮罩平面結構示意圖。
圖10是本發明第六實施例的蒸鍍遮罩平面結構示意圖。
圖11是本發明第七實施例的蒸鍍遮罩平面結構示意圖。
圖12是本發明第八實施例的蒸鍍遮罩平面結構示意圖。
圖13是圖8沿XIII-XIII剖面線剖開的剖面結構示意圖。
請一併參考圖1、圖2及圖5，圖1是本發明第一實施例的蒸鍍遮罩100平面結構示意圖，圖2是圖1沿II-II剖面線剖開的剖面結構示意圖，圖5
是本發明第一實施例的蒸鍍遮罩100與基板14的剖面結構示意圖。本發明第一實施例提供一種蒸鍍遮罩100，用於在基板14上形成有機發光材料層。具體地，所述蒸鍍遮罩100可用於在顯示面板(例如手機顯示面板或電腦顯示面板等)(圖未示)的基板14上形成有機發光材料層。
請一併參考圖1和圖2，蒸鍍遮罩100包括主體膜11、支架12以及框架13，根據主體膜11是否具有磁性，可在基板14上方選擇性設置一磁鐵以吸附主體膜11(圖未示)。所述框架13具有一第一開口101，本實施例中，所述第一開口101為矩形，但不限於此。在其他實施例中，該第一開口101可為圓形、菱形等其他形狀。所述主體膜11蓋設於所述第一開口101上，即所述框架13固設於該主體膜11的周緣。所述框架13和所述支架12位於主體膜11的同一側。在本實施例中所述支架12包括沿X方向(橫向)延伸的第一支架121和沿Y方向(縱向)延伸的第二支架122。每一個第一支架121具有相對的兩端，每一個第一支架121的兩端固定於該框架13上且跨越第一開口101。每一個第二支架122具有相對的兩端，每一個第二支架122的兩端固定於該框架13上且跨越第一開口101。所述第一支架121和第二支架122相交共同支撐主體膜11。
請一併參考圖1、圖2和圖3，其中，圖3是本發明第一實施例的主體膜11剖面結構示意圖。所述主體膜11開設有蒸鍍所需要的複數個第二開口102。主體膜11包括中央區1111和圍繞中央區1111的周邊區1112，其中所述複數個第二開口102對應設置在中央區1111。本實施例中，所述複數個第二開口102呈矩陣排列。
在本實施例中，所述主體膜11包括層疊設置的塑膠膜111和金屬膜112。其中，所述框架13和所述支架12位於金屬膜112的同一表面。每一個第二開口102貫穿該塑膠膜111和金屬膜112。如圖2所示，每一個第二開口
102與第一開口101連通。第二開口102包括貫穿塑膠膜111的第一子開口1021和貫穿金屬膜112的第二子開口1022，所述第一子開口1021與所述第二子開口1022相互連通。其中，所述第二子開口1022的內徑大於所述第一子開口1021的內徑。蒸鍍材料藉由的第二開口102的第一子開口1021和第二子開口1022可在基板上蒸鍍形成高精細的圖元圖案。所述金屬膜112具有磁性，可由設置在基板14上方的磁鐵(圖未示)將主體膜11吸附至靠近基板14的方向。
所述支架12在主體膜11上的投影不與所述複數個第二開口102重疊。在本實施例中，如圖1所示，第一支架121的數量為一，第二支架122的數量為三。所述第一支架121和第二支架122的兩端可藉由焊接的方式固定在框架13上，但不限於此。例如，框架13上可設置複數個與支架12兩端對應的凹槽(圖未示)，所述支架12的兩端容納於所述凹槽中，從而使支架12跨越框架13。
請參考圖4，圖4是上述主體膜11的一變更實施例，所述主體膜11包括塑膠膜111和金屬膜112。所述金屬膜112僅設置在主體膜11的周邊區1112，每一個第二開口102僅貫穿所述塑膠膜111與第一開口101連通。蒸鍍材料藉由位於中央區1111的第二開口102可在基板上蒸鍍形成高精細的蒸鍍圖案。所述金屬膜112具有磁性，可由設置在基板14上方的磁鐵將主體膜11吸附至靠近基板14的方向。
在另一變更實施例中，所述主體膜11可僅包括一塑膠膜111。每一個第二開口102僅貫穿該塑膠膜111與第一開口101連通。蒸鍍材料藉由位於中央區1111的第二開口102在基板上蒸鍍形成高精細的蒸鍍圖案。
所述塑膠膜111的材質可選自聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚碳酸酯(PC)、聚乙烯(PE)、聚醚醚酮(PEEK)、聚醚醯亞胺(PEI)、聚醯亞胺
(PI)、聚醯胺(PA)、聚四氟乙烯(PTFE)、矽(SI)、聚丙烯(PP)、聚苯硫醚(PPS)、聚乙烯奈(PEN)中的一種，但不以此為限。優選地，所述塑膠膜111的熱膨脹值介於1.0ppm至15.0ppm/K之間。優選地，所述塑膠膜111的厚度介於3μm至100μm之間。
所述金屬膜112的材質可以選自鈷(Co)、鎳(Ni)、鐵(Fe)、鈦(Ti)和因瓦合金(Invar Alloy)中的一種，但不以此為限。優選地，所述金屬膜112的厚度介於5μm至50μm之間。
所述支架12的材質可以選自因瓦(Invar)、鎳(Ni)、不銹鋼等中的一種，但不以此為限。所述框架13的材質可以選自因瓦(Invar)、鎳(Ni)、不銹鋼等中的一種，但不以此為限。
所述主體膜11在框架13和支架12的共同支撐下，其彎曲撓度可小於80μm。所述彎曲撓度為蒸鍍過程中蒸鍍遮罩100與基板14之間由於蒸鍍遮罩100形變所產生的間距。具體的，由於蒸鍍遮罩100與基板14之間的間距減小，使蒸鍍材料能夠更加準確地形成於基板對應開口區域的位置，使蒸鍍圖案X方向上的形變小於5μm，在Y方向上的形變小於5μm。當主體膜11包括有一金屬膜112時，可藉由設置在基板14上方的磁鐵，將主體膜11吸附至靠近基板14方向，減小蒸鍍遮罩100的下垂程度。因此，所述蒸鍍遮罩100可以有效減少陰影效應的影響，提高蒸鍍良率。
下述實施例中，與第一實施例結構和功能相同的元件將不再重複累述。
請參考圖6，圖6是本發明第二實施例的蒸鍍遮罩200平面結構示意圖。所述蒸鍍遮罩200包括主體膜21、支架22、框架23。其中，支架22僅包括沿Y軸方向延伸的複數個第二支架222。所述支架22與框架23共同支撐主體膜21。可選地，相鄰的兩個第二支架222之間的間距相等。
請參考圖7，圖7是本發明第三實施例的蒸鍍遮罩300平面結構示意圖。所述蒸鍍遮罩300包括主體膜31、支架32、框架33。其中，支架32僅包括沿X軸方向延伸的第一支架321。所述支架32與框架33共同支撐主體膜31。可選地，相鄰的兩個第一支架321之間的間距相等。
上述實施例所述的主體膜11、主體膜21、主體膜31均為一連續的層。請一併參考圖8和圖13，圖8是本發明第四實施例的蒸鍍遮罩400平面結構示意圖，圖13是圖8沿XIII-XIII剖面線剖開的剖面結構示意圖。所述蒸鍍遮罩400包括主體膜41、支架42、框架43。其中，支架42僅包括沿Y軸方向延伸的第二支架422。所述主體膜41為一非連續的層，其包括間隔設置的至少兩個子膜410。在本實施中，所述主體膜41包括四個子膜410。所述每一個第二支架422包括第一支撐部4222和由第一支撐部4222延伸形成的第一延伸部4221，第一支撐部4222支撐相鄰的兩個子膜410，第一延伸部4221位於相鄰的兩個子膜410之間以將相鄰的兩個子膜410間隔開來。本實施例中，所述支撐部4222的寬度(沿垂直主體膜41的厚度D方向)大於第一延伸部4221的寬度(沿垂直主體膜41的厚度D方向)。
本實施例中，所述第一延伸部4221的厚度與主體膜41的厚度D相等，此時，第一延伸部4221與主體膜41平齊。可變更的，所述第一延伸部4221的厚度可以大於主體膜41的厚度D，此時，第一延伸部4221相對凸出於主體膜41；所述第一延伸部4221的厚度亦可以小於主體膜41的厚度D。所述支架42與框架43共同支撐主體膜41。具體地，每一子膜410由其對應的第二支架422的第一支撐部4222和框架43共同支撐。在本實施例中，將主體膜41分隔為複數個子膜410，可進一步減小蒸鍍遮罩400的形變程度。
請參考圖9，圖9是本發明第五實施例的蒸鍍遮罩500平面結構示意圖。所述蒸鍍遮罩500包括主體膜51、支架52、框架53。其中，支架52僅包
括沿X軸方向延伸的第一支架521。所述主體膜51為一非連續的層，其包括間隔設置的至少兩個子膜510。在本實施中，所述主體膜51包括四個子膜510。所述每一個第一支架521包括第二支撐部5212和由第二支撐部5212延伸形成的第二延伸部5211，第二支撐部5212支撐相鄰的兩個子膜510，第二延伸部5211位於相鄰的兩個子膜510之間以將相鄰的兩個子膜510間隔開來。本實施例中，所述第二支撐部5212的寬度(沿垂直主體膜51的厚度D方向)大於第二延伸部5211的寬度(沿垂直主體膜51的厚度D方向)。
本實施例中，所述第二延伸部5211的厚度與主體膜51的厚度D相等，此時，第二延伸部5211與主體膜51平齊。可變更的，所述第二延伸部5211的厚度可以大於主體膜51的厚度D，此時，第二延伸部5211相對凸出於主體膜51；所述第二延伸部5211的厚度亦可以小於主體膜51的厚度D。所述支架52與框架53共同支撐主體膜51。具體地，每一子膜510由其對應的第一支架521的第二支撐部5212和框架53共同支撐。在本實施例中，將主體膜51分隔為複數個子膜510，可進一步減小蒸鍍遮罩500的形變程度。
請參考圖10，圖10是本發明第六實施例的蒸鍍遮罩600平面結構示意圖。所述蒸鍍遮罩600包括主體膜61、支架62、框架63。其中，支架52包括沿X方向延伸的第一支架621和沿Y方向延伸的第二支架622。所述主體膜61為一非連續的層，其包括間隔設置的至少兩個子膜610。在本實施中，所述主體膜61包括四個子膜610。所述每一個第二支架622包括第一支撐部6222和由第一支撐部6222延伸形成的第一延伸部6221，第一支撐部6222支撐相鄰的兩個子膜610，第一延伸部6221位於相鄰的兩個子膜610之間以將相鄰的兩個子膜610間隔開來。本實施例中，所述支撐部6222的寬度(沿垂直主體膜61的厚度D方向)大於第一延伸部6221的寬度(沿垂直主體膜61的厚度D方向)。
本實施例中，所述第一延伸部6221的厚度與主體膜61的厚度D相等，此時，第一延伸部6221與主體膜61平齊。可變更的，所述第一延伸部6221的厚度可以大於主體膜61的厚度D，此時，第一延伸部6221相對凸出於主體膜61；所述第一延伸部6221的厚度亦可以小於主體膜61的厚度D。所述支架62與框架63共同支撐主體膜61。具體地，每一子膜610由其對應的第二支架622的第一支撐部6222、第一支架621和框架63共同支撐。在本實施例中，將主體膜61分隔為複數個子膜610，可進一步減小蒸鍍遮罩600的形變程度。
請參考圖11，圖11是本發明第七實施例的蒸鍍遮罩平面結構示意圖。所述蒸鍍遮罩700包括主體膜71、支架72、框架73。其中，支架52包括沿X方向延伸的第一支架721和沿Y方向延伸的第二支架722。所述主體膜71為一非連續的層，其包括間隔設置的至少兩個子膜710。在本實施中，所述主體膜71包括二個子膜710。所述每一個第一支架721包括第二支撐部7212和由第二支撐部7212延伸形成的第二延伸部7211，第二支撐部7212支撐相鄰的兩個子膜710，第二延伸部7211位於相鄰的兩個子膜710之間以將相鄰的兩個子膜710間隔開來。本實施例中，所述第二支撐部7212的寬度(沿垂直主體膜71的厚度D方向)大於第二延伸部7211的寬度(沿垂直主體膜71的厚度D方向)。
本實施例中，所述第二延伸部7211的厚度與主體膜71的厚度D相等，此時，第二延伸部7211與主體膜71平齊。可變更的，所述第二延伸部7211的厚度可以大於主體膜71的厚度D，此時，第二延伸部7211相對凸出於主體膜71；所述第二延伸部7211的厚度亦可以小於主體膜71的厚度D。所述支架72與框架73共同支撐主體膜71。具體地，每一子膜710由其對應的第一支架721的第二支撐部7212、第二支架722和框架73共同支撐。在本實施例
中，將主體膜71分隔為複數個子膜710，可進一步減小蒸鍍遮罩700的形變程度。
請參考圖12，圖12是本發明第八實施例的蒸鍍遮罩平面結構示意圖。所述蒸鍍遮罩800包括主體膜81、支架82、框架83。其中，支架82包括沿X方向延伸的第一支架821和沿Y方向延伸的第二支架822。第一支架821與第二支架822在相交處重合。所述主體膜81為一非連續的層，其包括間隔設置的至少兩個子膜810。在本實施中，所述主體膜81包括八個子膜810。所述每一個第一支架821包括第二支撐部8212和由第二支撐部8212延伸形成的第二延伸部8211，第二支撐部8212支撐相鄰的兩個子膜810，第二延伸部8211位於相鄰的兩個子膜810之間以將相鄰的兩個子膜810間隔開來。本實施例中，所述第二支撐部8212的寬度(沿垂直主體膜81的厚度D方向)大於第二延伸部8211的寬度(沿垂直主體膜81的厚度D方向)。所述每一個第二支架822包括第一支撐部8222和由第一支撐部8222延伸形成的第一延伸部8221，第一支撐部8222支撐相鄰的兩個子膜810，第一延伸部8221位於相鄰的兩個子膜810之間以將相鄰的兩個子膜810間隔開來。本實施例中，所述支撐部8222的寬度(沿垂直主體膜81的厚度D方向)大於第一延伸部8221的寬度(沿垂直主體膜81的厚度D方向)。
本實施例中，所述第二延伸部8211的厚度與主體膜81的厚度D相等，此時，第二延伸部8211與主體膜81平齊。可變更的，所述第二延伸部8211的厚度可以大於主體膜81的厚度D，此時，第二延伸部8211相對凸出於主體膜81；所述第二延伸部8211的厚度亦可以小於主體膜81的厚度D。本實施例中，所述第一延伸部8221的厚度與主體膜81的厚度D相等，此時，第一延伸部8221與主體膜81平齊。可變更的，所述第一延伸部8221的厚度可以大於主體膜81的厚度D，此時，第一延伸部8221相對凸出於主體膜81；所述
第一延伸部8221的厚度亦可以小於主體膜81的厚度D。所述支架82與框架83共同支撐主體膜81。具體地，每一子膜810由其對應的第一支架821的第二支撐部8212、第二支架822的第一支撐部8222和框架83共同支撐。在本實施例中，將主體膜81分隔為複數個子膜810，可進一步減小蒸鍍遮罩800的形變程度。
以上實施例僅用以說明本發明的技術方案而非限制，儘管參照較佳實施對本發明進行了詳細說明，本領域的普通技術人員應當理解，可以對本發明的技術方案進行修改或等同替換，而不脫離本發明技術方案的精神和範圍。
Claims (7)
- 一種蒸鍍遮罩，其包括框架、主體膜，所述框架貫設有一第一開口，所述主體膜蓋設於所述第一開口上，所述主體膜上開設有複數個第二開口；所述主體膜包括塑膠膜，每一個所述第二開口貫穿所述塑膠膜，所述第一開口與每一個所述第二開口連通，其改良在於：所述蒸鍍遮罩還包括支架；所述支架固定於所述框架上且跨越所述第一開口，所述框架與所述支架共同支撐所述主體膜；所述支架包括縱向延伸的至少一個第一支架和橫向延伸的至少一個第二支架中至少一種；所述主體膜為一非連續的層，其包括至少兩個間隔設置的子膜；所述第一支架和所述第二支架中至少一者包括支撐部和由所述支撐部延伸形成的延伸部，所述支撐部用於支撐相鄰的兩個子膜，所述延伸部位於相鄰的兩個所述子膜之間以使相鄰的兩個子膜相互間隔；所述延伸部的厚度與所述子膜的厚度相等。
- 如請求項1所述的蒸鍍遮罩，其中：所述主體膜還包括與所述塑膠膜層疊設置的金屬膜，每一個所述第二開口貫穿所述金屬膜。
- 如請求項2所述的蒸鍍遮罩，其中：每一個所述第二開口包括貫穿所述塑膠膜的第一子開口和貫穿所述金屬膜的第二子開口，所述第二子開口與所述第一子開口連通，所述第二子開口的內徑大於所述第一子開口的內徑。
- 如請求項2所述的蒸鍍遮罩，其中：所述塑膠膜包括中央區和周邊區，其中所述複數個第二開口對應所述中央區設置；所述金屬膜覆蓋所述塑膠膜的周邊區。
- 如請求項1或2所述的蒸鍍遮罩，其中：所述框架與所述支架位於所述主體膜的同一側。
- 如請求項2或4所述的蒸鍍遮罩，其中：所述框架與所述支架均位於所述主體膜具有所述金屬膜的一側。
- 如請求項1所述的蒸鍍遮罩，其中：每一個所述第一支架具有相對的兩端，每一個所述第一支架的兩端固定於所述框架上；每一個所述第二支架具有相對的兩端，每一個所述第二支架的兩端固定於所述框架上。
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Citations (2)
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|---|---|---|---|---|
| TW201348472A (zh) * | 2012-01-12 | 2013-12-01 | 大日本印刷股份有限公司 | 拼版蒸鍍遮罩之製造方法及由此所得拼版蒸鍍遮罩以及有機半導體元件之製造方法 |
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Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US20160122860A1 (en) * | 2014-11-05 | 2016-05-05 | Samsung Display Co., Ltd. | Mask frame assembly and method of manufacturing the same |
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