[go: up one dir, main page]

TWI435991B - 整合式氣體分配盤裝置 - Google Patents

整合式氣體分配盤裝置 Download PDF

Info

Publication number
TWI435991B
TWI435991B TW96131216A TW96131216A TWI435991B TW I435991 B TWI435991 B TW I435991B TW 96131216 A TW96131216 A TW 96131216A TW 96131216 A TW96131216 A TW 96131216A TW I435991 B TWI435991 B TW I435991B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
flow path
main flow
branch flow
block
gas
Prior art date
Application number
TW96131216A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200825315A (en
Inventor
Kazuhiro Oya
Tatsuya Hayashi
Original Assignee
Horiba Stec Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Horiba Stec Co filed Critical Horiba Stec Co
Publication of TW200825315A publication Critical patent/TW200825315A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI435991B publication Critical patent/TWI435991B/zh

Links

Classifications

    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F16—ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
    • F16K—VALVES; TAPS; COCKS; ACTUATING-FLOATS; DEVICES FOR VENTING OR AERATING
    • F16K27/00—Construction of housing; Use of materials therefor
    • F16K27/003—Housing formed from a plurality of the same valve elements
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F15—FLUID-PRESSURE ACTUATORS; HYDRAULICS OR PNEUMATICS IN GENERAL
    • F15B—SYSTEMS ACTING BY MEANS OF FLUIDS IN GENERAL; FLUID-PRESSURE ACTUATORS, e.g. SERVOMOTORS; DETAILS OF FLUID-PRESSURE SYSTEMS, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F15B13/00—Details of servomotor systems ; Valves for servomotor systems
    • F15B13/02—Fluid distribution or supply devices characterised by their adaptation to the control of servomotors
    • F15B13/06—Fluid distribution or supply devices characterised by their adaptation to the control of servomotors for use with two or more servomotors
    • F15B13/08—Assemblies of units, each for the control of a single servomotor only
    • F15B13/0803—Modular units
    • F15B13/0821—Attachment or sealing of modular units to each other
    • F15B13/0825—Attachment or sealing of modular units to each other the modular elements being mounted on a common member, e.g. on a rail
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F17—STORING OR DISTRIBUTING GASES OR LIQUIDS
    • F17D—PIPE-LINE SYSTEMS; PIPE-LINES
    • F17D1/00—Pipe-line systems
    • F17D1/02—Pipe-line systems for gases or vapours
    • F17D1/04—Pipe-line systems for gases or vapours for distribution of gas
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/6719—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T137/00—Fluid handling
    • Y10T137/5109—Convertible
    • Y10T137/5283—Units interchangeable between alternate locations
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T137/00—Fluid handling
    • Y10T137/8593—Systems
    • Y10T137/877—With flow control means for branched passages
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T137/00—Fluid handling
    • Y10T137/8593—Systems
    • Y10T137/877—With flow control means for branched passages
    • Y10T137/87885—Sectional block structure

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Fluid Mechanics (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Valve Housings (AREA)
  • Pipeline Systems (AREA)
  • Branch Pipes, Bends, And The Like (AREA)
  • Flow Control (AREA)
  • Feeding, Discharge, Calcimining, Fusing, And Gas-Generation Devices (AREA)

Description

整合式氣體分配盤裝置
本發明係關於一整合式氣體分配盤裝置，用於半導體製程等。
所謂整合式氣體分配盤裝置係用來將用於半導體裝置製造等之複數種氣體分別予以控制流量並最終加以混合，以供給至成膜腔室者，係為將由在此以前之管道構造所構成之氣體供給控制線加以縮小所開發而成。具體而言，如專利文獻1中示有一例，係將閥或質量流量控制器等氣體控制設備安裝於略呈面板狀之分配盤體而構成者。在分配盤體內部例如形成有：複數之分支流路，安裝有該氣體控制設備；及一主要流路，連接該等分支流路，令流經該等分支流路之各氣體匯流。
近年來吾人對如此之整合式氣體分配盤裝置施加各種改良，例如，吾人已知一整合式氣體分配盤裝置等，適當連設數種類塊體以組合成該分配盤體，俾使其可採取對應所使用之氣體種類數等之柔軟之流路構成。
【專利文獻1】日本特開平10－169881公報
在習知之此種裝置中，分支流路並列配置於主要流路之一方側，各分支流路與主要流路之匯流部位係依分支流路排列順序，自主要流路上游朝下游大致呈等間隔配置。
然而，以如此之構成，若例如分支流路增加許多，主要流路長度即相當程度需加以延長而導致氣體抵達最終出口之抵達時間延長，其會對液壓迴路系統之反應性造成不良影響。明顯受此影響者係來自位於主要流路上游側之分支流路之氣體或流量小之氣體。而其結果會導致難以實現對如要求具有短時間內之高速反應性之過程進行充分之處理。且反應性不佳亦會導致氣體濃度易不穩定之問題發生。
特別是在半導體步驟中，藉由製造步驟之高速氣體處理所造成之處理時間之縮短(至啟動穩定為止之排氣時間/結束時清洗時間之縮短等)已成為一重要因素，如此之反應性劣化所造成之問題並不為人所喜。
且例如在半導體製程中，吾人要求最終所供給之複數種氣體係處於充分混合之狀態。此係由於供給氣體之混合狀態中若有不均即會導致裝置之品質劣化，針對此點，過去皆設法將此整合式氣體分配盤裝置以後之管道長度加以延長以促進混合，亦或更在此後段設置氣體混合器。
然而，以如此之構成，雖可進行充分之混合，但會使管道容量增加而相當程度導致對反應性不良之影響，與上述相同，會導致難以實現對如要求具有短時間內之高速反應性之過程進行充分之處理。且反應性不佳亦會相當程度對氣體濃度之啟動穩定性等造成影響。且來自一部分分支流路之氣體流量小時，由於此氣體抵達時間長，反應性不佳，且易因流經主要流路之氣體壓力變動等，導致此小流量氣體之匯流量變動，最終有時會造成氣體濃度之不穩定化愈為明顯。
且習知之此種裝置中，分支流路並列配置於主要流路之一方側，各分支流路與主要流路之匯流部位係依分支流路排列順序，自主要流路上游朝下游大致呈等間隔配置，因此會發生各分支流路中，在主要流路之上游側匯流者與在下游側匯流者之氣體抵達最終出口之抵達時間不同之問題。此時，來自位於最上游側之分支流路之氣體抵達時間長，此氣體抵達時間會對此液壓迴路系統之反應性造成決定性的影響。
且吾人無法保證來自各分支流路之氣體抵達時間之同時性，因此在啟動狀態中氣體濃度分布易發生不穩定。
且若分支流路增加許多，主要流路長度即相當程度需加以延長，此亦會對液壓迴路系統之反應性造成不良影響。
換言之，根據習知之構成，會導致難以實現對如要求具有短時間內之高速反應性之過程進行充分之處理，且容易發生氣體濃度不穩定等問題。
為解決此等問題，本發明之主要目的在於提供一整合式氣體分配盤裝置，可獲得格外優異之反應性，亦可實現氣體濃度之穩定化，且可維持習知之分配盤型之形狀原形而不導致構造之複雜化或龐大化，或甚至可使其精簡化。
亦即，依申請專利範圍第1項之發明係一種整合式氣體分配盤裝置，包含：複數之分支流路，途中設有閥或質量流量控制器等氣體控制設備，可控制流經內部之氣體；一主要流路，來自該等分支流路之氣體流入其中並匯流；及多歧管型分配盤體，藉由組裝複數之塊體，於其內部形成有該分支流路及主要流路；該整合式氣體分配盤裝置之特徵在於該分配盤體包含：主要流路用塊體，形成該主要流路；及分支流路用塊體，分別配置成以該主要流路用塊體為中心而沿左右兩側對向，形成該分支流路。
依此構成可將習知之僅配置於主要流路之一方側之分支流路配置於主要流路之左右，因此可縮短主要流路之長度。而其結果可縮短氣體抵達最終出口之抵達時間而可提昇反應性。此亦有助於氣體濃度之穩定化。且可將形成各流路之塊體配置在一平面上，而構成與習知者相同之分配盤體，因此可順利取代習知裝置。
縮短主要流路之最佳態樣中，可舉以下者為例：與夾著該主要流路相反方向之一分支流路及另一分支流路相對之該主要流路之各匯流部位沿該主要流路之延伸方向幾乎設定於同一位置。所謂沿主要流路之延伸方向幾乎同一位置意指除匯流部位完全一致外，亦包含主要流路之相互對向之管側壁部位或垂直之管側壁部位等。
為更提昇反應性、氣體濃度穩定性，宜在該主要流路用塊體內形成連通其內部之主要流路之插入孔；且在內部具有該分支流路出口部分之分支流路用塊體內設置使該分支流路朝外側突出之突出管道；在該突出管道插入該插入孔，以組裝該主要流路用塊體與分支流路用塊體之狀態下，該突出管道之前端比該主要流路之內側面更朝內方突出。
且依申請專利範圍第5項之發明係一種整合式氣體分配盤裝置，包含：複數之分支流路，途中設有閥或質量流量控制器等氣體控制設備，可控制流經內部之氣體；主要流路，來自該等分支流路之氣體流入其中；及分配盤體，藉由組裝複數之塊體，於其內部形成該分支流路及主要流路；該整合式氣體分配盤裝置之特徵在於：該塊體中，在內部具有該主要流路之主要流路用塊體內形成有連通其內部之主要流路之插入孔；且在內部具有該分支流路出口部分之分支流路用塊體內設置有使該分支流路朝外側突出之突出管道；在該突出管道插入該插入孔，以組裝該主要流路用塊體與分支流路用塊體之狀態下，該突出管道之前端比該主要流路之內側面更朝內方突出。
依此構成，在分支流路與主要流路之連接部分，係分支流路出口之突出管道突出於主要流路內，使此流路口徑變窄，因此藉由此部分之緊縮效果將分支流路內之氣體強力吸入主要流路內，且可藉由產生於突出管道後方之亂流等使此氣體擴散，因此可大幅促進流經主要流路之氣體與分支流路之氣體之混合。
因此，與習知者相比，可在此氣體分配盤裝置內進行氣體充分之混合，藉由縮小或省略原應配置於其後段之管道長度或氣體混合器之容量，與習知者相比，可成為就高速反應性而言係格外優異者。且藉此亦可提昇啟動時等之氣體濃度穩定性。
且即使分支流路內之氣體流量小，亦可將其確實吸入主要流路，因此此流量小之氣體匯流時不易發生流量變動，自此點而言亦可提昇氣體濃度穩定性。
且基本上可使突出管道恰自分支流路用塊體突出既定長度，因此幾乎不導致些許構造上之複雜化，在組裝狀態下，此突出管道隱藏於內部，因此可維持其與習知者在外形上幾乎完全相同。
為順利促進氣體之混合，以橫剖面觀之，該突出管道之前端宜突出至該主要流路之中央附近。
且依申請專利範圍第8項之發明係一種立體整合式氣體分配盤裝置，其特徵在於包含：複數之分支流路，途中設有閥或質量流量控制器等氣體控制設備，可控制流經內部之氣體；一主要流路，來自該等分支流路之氣體流入其中並匯流；分支流路用塊體，內部形成有一分支流路，係以底面為安裝面之長條狀分配盤；及中心塊體，以形成於側周面之固持面固持複數之分支流路用塊體，俾使此等之縱長方向相互平行；且於該中心塊體形成有該主要流路，並形成有中間流路，分別自設定於該主要流路之匯流部位朝安裝於該中心塊體之側周面之分支流路用塊體之分支流路延伸。
依此構成，使過去被展開為平面狀之分支流路用塊體得以立體配置，因此變得更為精簡而可實現流路長度之縮短，可提昇反應性。且由於其係立體之構成因此提高了各流路之配置自由度，藉由調整其流路長度或匯流部位，可實現氣體匯流時點同時性之提昇，或進一步實現氣體濃度穩定性之提昇。
更具體而言，為藉由縮短主要流路以實現反應性之提昇，宜將該匯流部位設定於主要流路之一處。特別是通常在中心塊體之端面安裝有出口端口，因此若能將匯流部位設定於例如中心塊體之端部即可縮短主要流路長度，因此可在可及之範圍內實現反應性之提昇。
為提昇氣體匯流時點之同時性，宜藉由該各固持面構成為以中央塊體之軸線為中心之旋轉對稱形，且將該匯流部位設置在該軸線上，設定各中間流路其長度相等。
此時，若沿該軸線設置該主要流路，即可在可及之範圍內有助於主要流路長度之縮短。
為更為提昇同時性，可應氣體流量使中間流路之口徑或分支流路中特別是質量流量控制器以後之流路之口徑不同(氣體流量愈小口徑愈小)。
考慮到製造之容易性，具體之實施態樣中，該中心塊體宜為正多角柱狀。
本發明之效果特別明顯，可發揮其有用性之具體之實施態樣中，可舉將其使用在半導體製程中者為例。
依如此構成之申請專利範圍第1項之發明，可縮短主要流路長度，因此可提昇反應性或啟動時等之氣體濃度穩定性。且可維持與習知者相同之平面狀，因此可順利取代習知裝置。
依申請專利範圍第5項之發明，可大幅促進流經主要流路之氣體與分支流路之氣體之混合，因此藉由縮小或省略原應配置於其後段之管道長度或氣體混合器之容量，與習知者相比，可提昇高速反應性，進一步可提昇啟動時等之氣體濃度穩定性。且基本上可使突出管道恰自分支流路用塊體突出既定長度，因此幾乎不導致些許構造上之複雜化，在組裝狀態下，此突出管道隱藏於內部，因此可維持其與習知者在外形上幾乎完全相同。
依申請專利範圍第8項之發明，如上述，使分支流路用塊體立體配置，因此可實現精簡化或設計自由度之提昇，其結果使反應性或氣體濃度穩定性亦得以提昇。
以下參照圖示説明本發明之數種實施形態。又，各實施形態中，會對對應構件賦予同一符號。但若為同一功能而形狀相異，或相反之情況者等，亦可能賦予不同之符號。
第1實施形態
參照圖1至圖5說明第1實施形態。
依此實施形態之整合式氣體分配盤裝置1構成半導體製造系統之一部分，此概要如圖1所示，用來將成膜用之各種氣體自未經圖示之氣體供給源分別導入，混合此等者再供給至半導體成膜腔室(未經圖示)。
在此首先參照圖2説明此整合式氣體分配盤裝置1之流體迴路構造，亦包含其周邊迴路。
在此整合式氣體分配盤裝置1中包含：複數之分支流路R1，迴路上來看係並列者；及一主要流路R2，連接該等各分支流路R1之出口。
各分支流路R1，其基端分別連接進入端口PI，透過連接此進入端口PI之外部管道(未經圖示)分別將來自該氣體供給源之數種類氣體送入各分支流路R1。在各分支流路R1之途中設置有閥V或質量流量控制器MFC等氣體控制設備，藉由此等之動作，可分別控制流經各分支流路R1之氣體流量或朝清洗氣體之切換等。
另一方面，主要流路R2如上述係單一流路構造，上述之與各分支流路R1之連接部分CN不集中於1處，沿此路徑跳躍設置。此實施形態中，在此整合式氣體分配盤裝置1之下游，亦即主要流路R2之下游，配置有氣體混合器MIX，用以攪拌混合匯流之氣體，更在此下游設置有流量比率控制器FRC，將由氣體混合器MIX所混合之氣體依既定流量比率分配，自排出端口PO朝各成膜腔室輸出。又，此等氣體混合器MIX或流量比率控制器FRC、排出端口PO等不顯示於圖1。
藉由如此之構成，由各氣體供給源所供給之氣體，其流量分別在此整合式氣體分配盤裝置1之分支流路R1中受到控制再被導入主要流路R2，其後由氣體混合器MIX充分加以混合，由流量比率控制器FRC依既定之流量比自各排出端口PO分別輸出。
又，於圖2除主要流路R2、分支流路R1外亦記載有上述之清洗氣體流路或其入口端口PX、出口端口PY等。且以符號MFM所示之構件係一檢驗機，用以確認質量流量控制器所示之流量是否正確。
其次參照圖1等並説明此整合式氣體分配盤裝置1之物理性構成。
此氣體分配盤裝置1包含：分配盤體2，略呈面板狀，內部形成有該主要流路R2或分支流路R1；該氣體控制設備V、MFC，安裝於此分配盤體2；及附屬管道具，係進入端口PI等。
如圖1所示，分配盤體2係由複數之塊體在一平面上連設而構成之面板狀者。此塊體雖有數種類，但在此至少使用有：分支流路用塊體31，構成分支流路R1；及主要流路用塊體32，構成主要流路R2。
分支流路用塊體31係扁平之方形平板狀者，具有閥搭載用者或質量流量控制器搭載用者等內部管道不同者若干種。一分支流路R1係將複數之如此之分支流路用塊體31直列而形成為長條板狀者，但更可將如此直列之分支流路用塊體31之列(以下亦稱為分支流路塊體列5)橫向排列成面板狀，藉此構成迴路，如上述令複數之分支流路R1並列配置。
主要流路用塊體32係例如為一片長條板狀者，沿此縱長方向(延伸方向)在內部延伸有主要流路R2。且上下(沿與分配盤體2之平面方向垂直之方向)堆疊在分支流路用塊體31之下方而連接。此時主要流路用塊體32之延伸方向與該分支流路塊體列5之延伸方向垂直。
又，依此實施形態，以主要流路用塊體32為中心，左右對稱分別排列有複數(例如單側4支等)之分支流路用塊體列5。藉此如圖3所示之自平面方向所見之示意圖，以主要流路R2為中心，在其左右兩側對稱配置有分支流路R1。
且與夾著主要流路R2相反方向之一分支流路R1及另一分支流路R1相對之該主要流路R2之各連接部分(以下亦稱為匯流部位)CN沿該主要流路R2之延伸方向位於同一位置，設定於主要流路R2之相互對向之側部。又，該各連接部分CN沿主要流路R2之延伸方向位於同一位置即可，若因零件配置等設計上之狀況需使一方位於主要流路之底部另一方位於側部等亦可。
依如此構成之此氣體分配盤裝置1，過去僅配置於主要流路之一方側之分支流路R1被配置於主要流路R2之左右，因此可將主要流路R2中設置有各匯流部位CN之區域長度縮短至約過去的一半。其結果，可縮短氣體抵達最終出口之抵達時間，因此可提昇反應性，同時亦可提昇啟動時等之氣體濃度之穩定化。
且在一平面上配置塊體以構成與習知者相同之分配盤體2，維持了平面形狀，因此可順利取代例如已知之裝置。
其次説明本實施形態之變形(以下之變形例中對與該實施形態對應之構件賦予同一符號)。
亦可例如圖4所示意，令左右分支流路R1以交錯狀連接主要流路R2。依如此之構成，與相反方向之一分支流路及另一分支流路相對之主要流路之各匯流部位CN沿該主要流路R2之延伸方向位於不同之位置，與該實施形態之情形相比，主要流路R2長度稍微變長。然而與如習知者將分支流路僅配置於主要流路之一方側之情形相比，還是可格外縮短主要流路R2之長度，可期待與該實施形態發揮幾乎相同之作用效果。
且依如此之構成，如以下説明，在匯流部位CN中，令分支流路R1之出口管道311在主要流路R2內恰突出既定長度時，此出口管道311不互相干擾而可順利構成。
關於此匯流部位CN之構造，在此詳述其一例。
在此例中，如圖5所示，令該主要流路用塊體32之表面開口以形成插入孔321，使此插入孔321連通內部之主要流路R2，另一方面，將自該分支流路R1表面突出之圓筒狀出口管道(以下亦稱突出管道)311一體(分開亦可)設置在分支流路用塊體31之最下游者，亦即具有分支流路R1之出口部分之分支流路用塊體31(1)上。
然後，在將該突出管道311插入插入孔321以將主要流路用塊體32與分支流路用塊體31(1)加以組裝之狀態下，該突出管道311之前端比該主要流路R2之內側面R2a(示於圖5)更朝內方突出。此突出尺寸，以橫剖面觀之，例如突出管道311之前端係突出至約主要流路R2之中央附近。
且在此組裝狀態下，令O形環等密封構件6介在於主要流路用塊體32與分支流路用塊體31(1)所對向之平面間並沿推力方向密接，以防止氣體在此連接部分CN發生洩漏。
依如此之構成，在分支流路R1與主要流路R2之連接部分CN，係分支流路R1出口之突出管道311突出於主要流路R2內，使此流路口徑狹窄，因此此部分主要流路R2之氣體流速增加壓力降低，可將分支流路R1內之氣體強力吸入主要流路R2內。然後在主要流路R2中將此被吸入之氣體藉由產生於突出管道311後方之亂流等加以擴散，因此可將流經主要流路R2之氣體更均勻地混合。亦即與習知者相比，可預先在分配盤體2內部充分進行氣體之混合。
因此可將如習知者為進行氣體之充分混合而延長設定之連接部分以後之管道長度加以縮短，且亦可縮小氣體混合器MIX之容量或依情形省略之。而如此縮小流路容量可相當程度更為提昇此液壓迴路系統之反應性。
亦即若將此構成適用於該實施形態，即可同時實現主要流路R2之分支流路匯流處之長度縮短與此以後之流路長度縮短，可格外促進反應性之提昇與因此之啟動時等之氣體濃度穩定性之提昇。
且如上述，即使分支流路R1內之氣體流量小，亦可將其確實吸入主要流路R2，因此自此點而言最終亦可更為提昇混合氣體之濃度穩定性。
且在構造上與習知者大幅不同的除使分支流路用塊體對向設置外，僅有自分支流路用塊體31突出既定長度之突出管道311之部分，因此幾乎不導致些許構造上之複雜化，在組裝狀態下此突出管道311隱藏於內部，因此在此接合部分可與習知者在外形上相容。
做為其他之變形例，亦可應各氣體之流量設定例如各分支流路之內徑(流量愈少內徑愈小)。
藉此各氣體流速更為接近，與習知者相比可提昇主要流路內之各氣體匯流時點之同時性，因此可不為氣體流量所左右，在更短時間內供給混合氣體。
塊體除方形外亦可為例如圓板狀。惟為使其係一推力密封構造在相反方向處宜有平面部。
第2實施形態
以下參照圖6~圖10説明本發明之第2實施形態。
依此實施形態之整合式氣體分配盤裝置1構成半導體製造系統之一部分，其概要如圖6所示，用來將成膜用之各種氣體自未經圖示之氣體供給源分別導入，混合此等者再供給至半導體之成膜腔室(未經圖示)。
在此首先參照圖7説明此整合式氣體分配盤裝置1之流體迴路構造，亦包含其周邊迴路。
在此整合式氣體分配盤裝置1中設有：複數之分支流路R1，並列設置；及一主要流路R2，連接該等各分支流路R1之出口。
各分支流路R1之基端分別連接有進入端口PI，自該氣體供給源(未經圖示)將數種類氣體透過連接此進入端口PI之外部管道(未經圖示)分別送入各分支流路R1。在各分支流路R1之途中設置有閥V或質量流量控制器MFC等氣體控制設備，藉由此等之動作，可分別控制流經各分支流路R1之氣體流量或朝清洗氣體之切換等。
另一方面，主要流路R2如上述係單一流路構造，上述之與各分支流路R1之連接部分CN不集中於1處，沿此路徑跳躍設置。此實施形態中，在此整合式氣體分配盤裝置1之下游，亦即主要流路R2之下游，配置有氣體混合器MIX，用以攪拌混合匯流之氣體，更在此下游設置有流量比率控制器FRC，將由氣體混合器MIX所混合之氣體依既定流量比率分配，自排出端口PO朝各成膜腔室輸出。又，此等氣體混合器MIX或流量比率控制器FRC、排出端口PO等不顯示於圖6。
藉由如此之構成，由各氣體供給源所供給之氣體，其流量分別在此整合式氣體分配盤裝置1之分支流路R1中受到控制再被導入主要流路R2，其後由氣體混合器MIX充分加以混合，由流量比率控制器FRC依既定之流量比自各排出端口PO分別輸出。
又，於圖7除主要流路R2、分支流路R1外亦記載有上述之清洗氣體流路或其入口端口PX、出口端口PY等。且以符號MFM所示之構件係一檢驗機，用以確認質量流量控制器所示之流量是否正確。
其次參照圖6等並説明此整合式氣體分配盤裝置1之物理性構成。
此氣體分配盤裝置1包含：分配盤體2，略呈面板狀，內部形成有該主要流路R2或分支流路R1；該氣體控制設備，安裝於此分配盤體2；及附屬管道具，係進入端口PI等。
如圖6所示，分配盤體2係由複數之塊體在一平面上連設而構成之面板狀者。此塊體雖有數種類，但在此至少使用有：分支流路用塊體31，構成分支流路R1；及主要流路用塊體32，構成主要流路R2。
分支流路用塊體31係扁平之方形平板狀者，具有閥搭載用者或質量流量控制器搭載用者等內部管道不同者若干種。一分支流路R1係將複數之如此之分支流路用塊體31直列而形成為長條板狀者，但更可將如此直列之分支流路用塊體31之列(以下亦稱為分支流路塊體列5)橫向排列成面板狀，藉此構成迴路，如上述令複數之分支流路R1並列形成。
主要流路用塊體32係例如為一片長條板狀者，沿此縱長方向在內部形成有主要流路R2。且上下(沿與分配盤體之平面方向垂直之方向)堆疊在分支流路用塊體31之下方而連接。此時主要流路用塊體32之延伸方向與該分支流路塊體列5之延伸方向垂直。而藉此如上述，主要流路R2連接各分支流路R1之出口。
又，在此實施形態中，主要流路R2與分支流路R1之連接部分CN採用如以下之構成。
亦即，如圖8~圖10所示，令該主要流路用塊體32之上部平面開口以形成插入孔321，使此插入孔321連通內部之主要流路R2，另一方面，將自該分支流路R1之下部平面突出之圓筒狀突出管道311一體設置在分支流路用塊體31之最下游者，亦即具有分支流路R1之出口部分之分支流路用塊體31(1)上。又，此突出管道311之外徑與插入孔321之內徑幾乎一致。
然後，在將該突出管道311插入插入孔321以將主要流路用塊體32與分支流路用塊體31(1)加以組裝之狀態下，該突出管道311之前端比該主要流路R2之內側面R2a(示於圖10)更朝內方突出。此突出尺寸，以橫剖面觀之，例如突出管道311之前端係突出至約主要流路R2之中央附近。
且在此組裝狀態下，令O形環等密封構件6介在於主要流路用塊體32與分支流路用塊體31(1)所對向之平面間並沿推力方向密接，以防止氣體在此連接部分CN發生洩漏。又，符號322係刮削部，設於主要流路用塊體32，用以儲存密封構件6。此刮削部322亦可設於分支流路用塊體31。
依如此構成之本實施形態，在分支流路R1與主要流路R2之連接部分CN，係分支流路R1出口之突出管道311突出於主要流路R2內，使此流路口徑狹窄，因此此部分主要流路R2之氣體流速增加壓力降低，可將分支流路R1內之氣體強力吸入主要流路R2內。然後在主要流路R2中將此被吸入之氣體藉由產生於突出管道311後方之亂流等加以擴散，因此可將流經主要流路R2之氣體更均勻地混合。亦即與習知者相比，可預先在分配盤體2內部充分進行氣體之混合，可縮小其後段之氣體混合器MIX容量，或依情形省略之。而其結果可格外提昇反應性。且藉此亦可提昇啟動時等之氣體濃度穩定性。
且即使分支流路R1內之氣體流量小，亦可將其確實吸入主要流路R2，因此自此點而言最終亦可更為提昇混合氣體之濃度穩定性。
且在構造上與習知者大幅不同的僅有自分支流路用塊體31突出既定長度之突出管道311之部分，因此幾乎不導致些許構造上之複雜化，在組裝狀態下此突出管道311隱藏於內部，因此可與習知者在外形上相容。
且採用有推力密封構造，在各塊體31(1)、32所對向之平面間夾著密封構件6，因此可輕易且確實地使防止連接部分CN之氣體洩漏得以實現。
又，亦可使本實施形態變形。例如突出管道之外徑至少較主要流路內徑小即可，朝主要流路突出之尺寸，在此雖被認為宜突出至主要流路之中央附近，但事實上考慮氣體流量設定於最適合混合之狀態即可。
且亦可應各氣體流量設定(流量愈少內徑愈小)各突出管道之內徑(質量流量控制器以後之分支流路內徑則更佳)，藉此即使氣體流量小流速亦與其他氣體同等，可縮短抵達時間，因此可提昇各氣體在主要流路中之匯流時點之同時性。亦即不為氣體流量所左右，可在更短時間內供給混合氣體。
且突出管道不限於圓筒狀，亦可為多角形筒，亦可考慮為其他各種形狀。
且突出管道不僅可一體設置於分支流路用塊體，亦可與分支流路用塊體分別設置再加以組裝。
塊體除方形外亦可為例如圓板狀。惟為使其係一推力密封構造在相反方向處宜有平面部。
第3實施形態
以下參照圖11~圖14説明本發明之第3實施形態。
依此實施形態之立體整合式氣體分配盤裝置1構成半導體製造系統之一部分，此概要如圖11所示，用來將成膜用之各種氣體自未經圖示之氣體供給源分別導入，混合此等者再供給至半導體成膜腔室(未經圖示)。
在此首先參照圖12説明此立體整合式氣體分配盤裝置1之流體迴路構造，亦包含其周邊迴路。
在此立體整合式氣體分配盤裝置1中包含：複數之分支流路R1，迴路上來看係並列者；一主要流路R2，連接該等各分支流路R1之出口；及複數之中間流路R3，連通該等分支流路R1及主要流路。
各分支流路R1，其基端分別連接進入端口PI，透過連接此進入端口PI之外部管道(未經圖示)分別將來自該氣體供給源之數種類氣體送入各分支流路R1。在各分支流路R1之途中設置有閥V或質量流量控制器MFC等氣體控制設備，藉由此等之動作，可分別控制流經各分支流路R1之氣體流量或朝清洗氣體之切換等。
中間流路R3分別連續連接各分支流路R1之前端(出口)，使主要流路R2連通各分支流路R1。
主要流路R2如上述係一單一流路構造，而此實施形態中，在此主要流路R2之下游，亦即立體整合式氣體分配盤裝置1之下游，配置有氣體混合器MIX，用以攪拌混合匯流之氣體，更在此下游設置有流量比率控制器FRC，將由氣體混合器MIX所混合之氣體依既定流量比率分配，自排出端口PO朝各成膜腔室輸出。又，此等氣體混合器MIX或流量比率控制器FRC、排出端口PO等不顯示於圖11。
藉由如此之構成，由各氣體供給源所供給之氣體，其流量分別在此立體整合式氣體分配盤裝置1之分支流路R1中受到控制後經過中間流路R3再被導入主要流路R2，其後由氣體混合器MIX充分加以混合，由流量比率控制器FRC依既定之流量比自各排出端口PO分別輸出。
又，於圖12除主要流路R2、分支流路R1外亦記載有上述之清洗氣體流路或其入口端口PX、出口端口PY等。且以符號MFM所示之構件係一檢驗機，用以確認質量流量控制器MFC所示之流量是否正確。
其次參照圖11、圖13等並説明此立體整合式氣體分配盤裝置1之物理性構成。
此立體整合式氣體分配盤裝置1包含：分支流路用塊體3，係長條平板狀之分配盤，內部形成有一分支流路R1；中心塊體4，為正多角柱狀(在此為正八角柱狀)，形成有主要流路R2或中間流路R3；該氣體控制設備V、MFC，安裝於該分支流路用塊體3；及附屬管道具，係進入端口PI等。
在此所謂一分支流路R1意指複數之分支流路中之一者。
分支流路用塊體3在此係由複數之扁平之方形平板狀塊體要素31直列而構成。此塊體要素31中，具有閥搭載用者或質量流量控制器搭載用者等內部管道不同者若干種。當然亦可不分割此分支流路用塊體3而使其為完整一片之構成。
如上述，中心塊體4呈以軸線為中心之旋轉對稱形，即正八角柱狀，將各分支流路用塊體3之安裝面即底面3a分別與係固持面之其各側周面41對向並固持之。
在此中心塊體4之一方之端部，沿其軸線C設有主要流路R2。於此主要流路R2之前端(該端部側之一端)安裝有出口端口P，用以與外部管道連接，自中心塊體4之端面4a突出。且在此主要流路R2之基端(與該端部相反之一側之一端)設定有匯流部位CN，與該軸線C垂直，自此匯流部位CN且朝中心塊體4之各側周面41呈放射狀延伸有中間流路R3。此等中間流路R3互相具有相等之長度。
依如此者，自各分支流路R1至主要流路R2之流路長度(中間流路R3之長度)相等，且所有中間流路R3匯流於設於主要流路R2之一處之匯流部位CN，因此自各分支流路R1至最終出口端口P之距離相等。藉此可格外提昇各氣體抵達時間之同時性。
且主要流路R2位於出口端口P之附近，即中心塊體4之端部，其距離非常短，因此反應性非常優異。此亦可說是活用了立體構造之特性所造成之效果。
且將習知之展開為平面狀之各種構件加以立體配置，因此亦可使其精簡化。
又，當然可使本實施形態變形。
例如為更加提昇同時性，可應氣體流量使中間流路之口徑或分支流路中特別是質量流量控制器以後之流路之口徑不同(氣體流量愈小口徑愈小)。除此之外，可應氣體流量使中間流路之長度不同(氣體流量愈小長度愈短)。此時，例如可使中間塊體保持旋轉對稱形原形，使匯流部位自中間塊體之軸線偏位，亦或使中間塊體本身為不同形狀，以令中間流路之長度不同。
且就此中心塊體而言，其不限於係單一構造者，亦可將複數之塊體要素組合而構成。且就形狀而言不限於正多角柱，重點係其藉由各固持面41而構成以軸線為中心之複數旋轉對稱形者即可。可舉例如圖14所示者為例。
且亦可在實質上對反應性之影響不造成問題之範圍內，因製造時之狀況或形狀上之限制等而不將匯流處訂於一處，設置於主要流路上稍微錯開之複數處。
除此之外本發明亦可將以上於各實施形態所述之構成之一部分適當組合，在不逸脫其趣旨之範圍內可進行各種變形。
1．．．(立體)(整合式)氣體分配盤裝置
2．．．分配盤體
3、31．．．分支流路用塊體(塊體要素)
3a．．．分支流路用塊體之安裝面(底面)
4．．．中心塊體
4a．．．中心塊體之端面
5．．．分支流路塊體列
6．．．密封構件
31(1)．．．具有分支流路出口部分之分支流路用塊體
32．．．主要流路用塊體
41．．．中心塊體之各側周面(固持面)
311．．．出口管道(突出管道)
321．．．插入孔
322．．．刮削部
R1．．．分支流路
R2．．．主要流路
R2a．．．主要流路之內側面
R3．．．中間流路
PI．．．進入端口
PO．．．排出端口
PX．．．入口端口
PY、P．．．出口端口
V．．．閥
MFC．．．質量流量控制器
CN．．．主要流路與分支流路之連接部分(匯流部位)
MIX．．．氣體混合器
FRC．．．流量比率控制器
MFM．．．檢驗機
C．．．軸線
圖1係本發明之第1實施形態中整合式氣體分配盤裝置之整體立體圖。
圖2係同實施形態中整合式氣體分配盤裝置之流體迴路圖。
圖3係自平面方向所見之顯示同實施形態中之連接部分之示意圖。
圖4係同實施形態之變形例中，自平面方向所見之顯示整合式氣體分配盤裝置連接部分之示意圖。
圖5係顯示同變形例中整合式氣體分配盤裝置之主要流路之重要部位縱剖面圖。
圖6係本發明之第2實施形態中整合式氣體分配盤裝置之整體立體圖。
圖7係同實施形態中整合式氣體分配盤裝置之流體迴路圖。
圖8係同實施形態中整合式氣體分配盤裝置之重要部位部分剖面圖。
圖9係顯示同實施形態中連接部分之分解立體圖。
圖10係同實施形態中整合式氣體分配盤裝置之重要部位部分剖面圖。
圖11係將本發明之第3實施形態中立體整合式氣體分配盤裝置內部部分斷開並加以顯示之整體立體圖。
圖12係同實施形態中立體整合式氣體分配盤裝置之流體迴路圖。
圖13係顯示同實施形態中匯流部位之示意橫端視圖。
圖14係同實施形態之變形例中中心塊體之示意橫剖面圖。
1．．．(立體)(整合式)氣體分配盤裝置
2．．．分配盤體
5．．．分支流路塊體列
31．．．分支流路用塊體(塊體要素)
32．．．主要流路用塊體
PI．．．進入端口
V．．．閥
MFC．．．質量流量控制器

Claims (13)

  1. 一種整合式氣體分配盤裝置，包含：複數之分支流路，途中設有閥或質量流量控制器等氣體控制設備，可控制流經內部之氣體；一主要流路，來自該等分支流路之氣體流入其中並匯流；及歧管型分配盤體，藉由組裝複數之塊體，於其內部形成該分支流路及主要流路；該整合式氣體分配盤裝置之特徵在於該分配盤體包含：主要流路用塊體，形成該主要流路；及分支流路用塊體，形成平板狀，配置成以該主要流路用塊體為中心而對向，形成該分支流路；其中，以該主要流路用塊體作為中心，分別在其左右設置複數列的該分支流路用塊體，在該等分支流路用塊體列整齊並排於一平面上而形成面板狀的同時，以該主要流路為中心並在其左右兩側配置沿著該平面延伸的該分支流路。
  2. 如申請專利範圍第1項之整合式氣體分配盤裝置，其中夾著該主要流路對向之一分支流路及另一分支流路之與該主要流路相對之各匯流部位沿該主要流路之延伸方向幾乎設定於同一位置。
  3. 如申請專利範圍第2項之整合式氣體分配盤裝置，其中在該匯流部位，分支流路之出口配管比主要流路之內側面更朝內方突出既定長度。
  4. 如申請專利範圍第1項之整合式氣體分配盤裝置，其中該氣體被使用在半導體製程中。
  5. 一種整合式氣體分配盤裝置，包含：複數之分支流路，途中設有閥或質量流量控制器等氣體控制設備，可控制流經內部之氣體；主要流路，來自該等分支流路之氣體流入其中；及分配盤體，藉由組裝複數之塊體，於其內部形成該分支流路 及主要流路；該整合式氣體分配盤裝置之特徵在於：該塊體中，在內部具有該主要流路之主要流路用塊體內形成連通其內部之主要流路之插入孔；且在內部具有該分支流路出口部分之分支流路用塊體內設置有使該分支流路朝外側突出之突出配管；在該突出配管插入該插入孔，以組裝該主要流路用塊體與分支流路用塊體之狀態下，該突出配管之前端比該主要流路之內側面更朝內方突出，使來自分支流路的氣體與流經主要流路的氣體混合。
  6. 如申請專利範圍第5項之整合式氣體分配盤裝置，其中以橫剖面觀之，該突出配管之前端突出至主要流路之中央附近。
  7. 如申請專利範圍第5項之整合式氣體分配盤裝置，其中該氣體被使用在半導體製程中。
  8. 一種立體整合式氣體分配盤裝置，包含：複數之分支流路，途中設有閥或質量流量控制器等氣體控制設備，可控制流經內部之氣體；一主要流路，來自該等分支流路之氣體流入其中並匯流；分支流路用塊體，內部形成有一分支流路，係以底面為安裝面之長條狀分配盤；及中心塊體，以形成於側周面之固持面固持複數之分支流路用塊體，俾使此等之縱長方向相互平行；且於該中心塊體形成有該主要流路，並形成有中間流路，分別自設定於該主要流路之匯流部位，朝安裝於該中心塊體之側周面之分支流路用塊體之分支流路延伸。
  9. 如申請專利範圍第8項之立體整合式氣體分配盤裝置，其中該匯流部位係設定於主要流路之一處。
  10. 如申請專利範圍第9項之立體整合式氣體分配盤裝置，其中藉由該各固持面構成為以中央塊體之軸線為中心之旋轉對稱 形，且將該匯流部位設置在該軸線上，設定各中間流路其長度相等。
  11. 如申請專利範圍第8項之立體整合式氣體分配盤裝置，其中該主要流路係沿該軸線設置。
  12. 如申請專利範圍第8項之立體整合式氣體分配盤裝置，其中該中心塊體係正多角柱狀。
  13. 如申請專利範圍第8項之立體整合式氣體分配盤裝置，其中該氣體被使用在半導體製程中。
TW96131216A 2006-08-23 2007-08-23 整合式氣體分配盤裝置 TWI435991B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006226970 2006-08-23
JP2006227224 2006-08-23
JP2006226874 2006-08-23

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200825315A TW200825315A (en) 2008-06-16
TWI435991B true TWI435991B (zh) 2014-05-01

Family

ID=39106796

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW96131216A TWI435991B (zh) 2006-08-23 2007-08-23 整合式氣體分配盤裝置

Country Status (6)

Country Link
US (2) US8196609B2 (zh)
JP (2) JP5037510B2 (zh)
KR (1) KR101466998B1 (zh)
CN (1) CN101506561B (zh)
TW (1) TWI435991B (zh)
WO (1) WO2008023711A1 (zh)

Families Citing this family (406)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5377513B2 (ja) * 2007-12-27 2013-12-25 ラム リサーチ コーポレーション ショートエッチングレシピのためのガス輸送遅延の解消のための装置、方法、及びプログラム格納デバイス
JP4700095B2 (ja) * 2008-11-03 2011-06-15 シーケーディ株式会社 ガス供給装置、ブロック状フランジ
US10378106B2 (en) 2008-11-14 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming insulation film by modified PEALD
WO2010101077A1 (ja) * 2009-03-04 2010-09-10 株式会社堀場エステック ガス供給装置
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
TWI426197B (zh) * 2010-05-13 2014-02-11 Hon Hai Prec Ind Co Ltd 旋轉接頭及採用該旋轉接頭之旋轉工作台
US8950433B2 (en) * 2011-05-02 2015-02-10 Advantage Group International Inc. Manifold system for gas and fluid delivery
US8746284B2 (en) 2011-05-11 2014-06-10 Intermolecular, Inc. Apparatus and method for multiple symmetrical divisional gas distribution
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
FR2976337B1 (fr) * 2011-06-08 2014-08-29 Air Liquide Dispositif de repartition de gaz pour installation de conditionnement de bouteilles de gaz
US10364496B2 (en) 2011-06-27 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Dual section module having shared and unshared mass flow controllers
US10854498B2 (en) 2011-07-15 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Wafer-supporting device and method for producing same
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
WO2013046660A1 (ja) * 2011-09-30 2013-04-04 株式会社フジキン ガス供給装置
KR101940325B1 (ko) * 2011-10-05 2019-01-18 가부시키가이샤 호리바 에스텍 유체 기구 및 상기 유체 기구를 구성하는 지지 부재 및 유체 제어 시스템
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
GB201201986D0 (en) * 2012-02-03 2012-03-21 Parker Hannifin Mfg Ltd Modular fluid control system
US8985152B2 (en) * 2012-06-15 2015-03-24 Novellus Systems, Inc. Point of use valve manifold for semiconductor fabrication equipment
US9659799B2 (en) 2012-08-28 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
JP5616416B2 (ja) * 2012-11-02 2014-10-29 株式会社フジキン 集積型ガス供給装置
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US9589770B2 (en) 2013-03-08 2017-03-07 Asm Ip Holding B.V. Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species
US9484191B2 (en) 2013-03-08 2016-11-01 Asm Ip Holding B.V. Pulsed remote plasma method and system
US9454158B2 (en) 2013-03-15 2016-09-27 Bhushan Somani Real time diagnostics for flow controller systems and methods
US9240412B2 (en) 2013-09-27 2016-01-19 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process
US10683571B2 (en) * 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
TWI693638B (zh) 2014-04-07 2020-05-11 美商蘭姆研究公司 獨立於配置的氣體輸送系統
CN104975271B (zh) * 2014-04-11 2018-01-19 北京北方华创微电子装备有限公司 进气装置以及半导体加工设备
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US9657845B2 (en) 2014-10-07 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Variable conductance gas distribution apparatus and method
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US10557197B2 (en) 2014-10-17 2020-02-11 Lam Research Corporation Monolithic gas distribution manifold and various construction techniques and use cases therefor
CN105714271B (zh) * 2014-12-22 2020-07-31 株式会社堀场Stec 汽化系统
KR102263121B1 (ko) 2014-12-22 2021-06-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 및 그 제조 방법
US10658222B2 (en) 2015-01-16 2020-05-19 Lam Research Corporation Moveable edge coupling ring for edge process control during semiconductor wafer processing
JP2016148403A (ja) * 2015-02-12 2016-08-18 株式会社五洋電子 流体制御ユニット
US10529542B2 (en) 2015-03-11 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Cross-flow reactor and method
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
JP6193284B2 (ja) * 2015-03-18 2017-09-06 株式会社東芝 流路構造、吸排気部材、及び処理装置
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
GB201511463D0 (en) * 2015-06-30 2015-08-12 Ge Healthcare Bio Sciences Ab Improvements in and relating to fluid path networks
US10600673B2 (en) 2015-07-07 2020-03-24 Asm Ip Holding B.V. Magnetic susceptor to baseplate seal
US10022689B2 (en) 2015-07-24 2018-07-17 Lam Research Corporation Fluid mixing hub for semiconductor processing tool
US10083836B2 (en) 2015-07-24 2018-09-25 Asm Ip Holding B.V. Formation of boron-doped titanium metal films with high work function
US10957561B2 (en) * 2015-07-30 2021-03-23 Lam Research Corporation Gas delivery system
US10118263B2 (en) 2015-09-02 2018-11-06 Lam Researech Corporation Monolithic manifold mask and substrate concepts
US9960072B2 (en) 2015-09-29 2018-05-01 Asm Ip Holding B.V. Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings
US10192751B2 (en) 2015-10-15 2019-01-29 Lam Research Corporation Systems and methods for ultrahigh selective nitride etch
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
JP6082082B2 (ja) * 2015-10-29 2017-02-15 株式会社堀場エステック 流体機構及び該流体機構を構成する支持部材
US10322384B2 (en) 2015-11-09 2019-06-18 Asm Ip Holding B.V. Counter flow mixer for process chamber
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10825659B2 (en) 2016-01-07 2020-11-03 Lam Research Corporation Substrate processing chamber including multiple gas injection points and dual injector
US9879795B2 (en) 2016-01-15 2018-01-30 Lam Research Corporation Additively manufactured gas distribution manifold
US10215317B2 (en) 2016-01-15 2019-02-26 Lam Research Corporation Additively manufactured gas distribution manifold
US10147588B2 (en) 2016-02-12 2018-12-04 Lam Research Corporation System and method for increasing electron density levels in a plasma of a substrate processing system
US10699878B2 (en) 2016-02-12 2020-06-30 Lam Research Corporation Chamber member of a plasma source and pedestal with radially outward positioned lift pins for translation of a substrate c-ring
US10651015B2 (en) 2016-02-12 2020-05-12 Lam Research Corporation Variable depth edge ring for etch uniformity control
US10438833B2 (en) 2016-02-16 2019-10-08 Lam Research Corporation Wafer lift ring system for wafer transfer
US10468251B2 (en) 2016-02-19 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10501866B2 (en) 2016-03-09 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system
US10343920B2 (en) 2016-03-18 2019-07-09 Asm Ip Holding B.V. Aligned carbon nanotubes
US9892913B2 (en) 2016-03-24 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Radial and thickness control via biased multi-port injection settings
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
KR102592471B1 (ko) 2016-05-17 2023-10-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10662527B2 (en) 2016-06-01 2020-05-26 Asm Ip Holding B.V. Manifolds for uniform vapor deposition
US10388509B2 (en) 2016-06-28 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Formation of epitaxial layers via dislocation filtering
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
KR102354490B1 (ko) 2016-07-27 2022-01-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
US10395919B2 (en) 2016-07-28 2019-08-27 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10410832B2 (en) 2016-08-19 2019-09-10 Lam Research Corporation Control of on-wafer CD uniformity with movable edge ring and gas injection adjustment
KR101863697B1 (ko) * 2016-09-01 2018-06-01 서치수 포집튜브용 유량 밸브 조절기
US10410943B2 (en) 2016-10-13 2019-09-10 Asm Ip Holding B.V. Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10435790B2 (en) 2016-11-01 2019-10-08 Asm Ip Holding B.V. Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap
US10643904B2 (en) 2016-11-01 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures
US10134757B2 (en) 2016-11-07 2018-11-20 Asm Ip Holding B.V. Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US10340135B2 (en) 2016-11-28 2019-07-02 Asm Ip Holding B.V. Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride
KR102762543B1 (ko) 2016-12-14 2025-02-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
KR102700194B1 (ko) 2016-12-19 2024-08-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10983538B2 (en) 2017-02-27 2021-04-20 Flow Devices And Systems Inc. Systems and methods for flow sensor back pressure adjustment for mass flow controller
WO2018180449A1 (ja) * 2017-03-28 2018-10-04 株式会社フジキン 継手ブロックおよびこれを用いた流体制御装置
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10283353B2 (en) 2017-03-29 2019-05-07 Asm Ip Holding B.V. Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10446393B2 (en) 2017-05-08 2019-10-15 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10504742B2 (en) 2017-05-31 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using hydrogen plasma
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10312055B2 (en) 2017-07-26 2019-06-04 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing film by PEALD using negative bias
US10605530B2 (en) 2017-07-26 2020-03-31 Asm Ip Holding B.V. Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
TWI815813B (zh) 2017-08-04 2023-09-21 荷蘭商Ａｓｍ智慧財產控股公司 用於分配反應腔內氣體的噴頭總成
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
USD900036S1 (en) 2017-08-24 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
JP6759167B2 (ja) * 2017-09-05 2020-09-23 株式会社日立ハイテク プラズマ処理装置
US10607895B2 (en) 2017-09-18 2020-03-31 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10927459B2 (en) * 2017-10-16 2021-02-23 Asm Ip Holding B.V. Systems and methods for atomic layer deposition
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
CN118380375A (zh) 2017-11-21 2024-07-23 朗姆研究公司 底部边缘环和中部边缘环
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
JP7206265B2 (ja) 2017-11-27 2023-01-17 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． クリーン・ミニエンバイロメントを備える装置
KR102597978B1 (ko) 2017-11-27 2023-11-06 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배치 퍼니스와 함께 사용하기 위한 웨이퍼 카세트를 보관하기 위한 보관 장치
US10290508B1 (en) 2017-12-05 2019-05-14 Asm Ip Holding B.V. Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
CN111630203A (zh) 2018-01-19 2020-09-04 Asm Ip私人控股有限公司 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
US10535516B2 (en) 2018-02-01 2020-01-14 Asm Ip Holdings B.V. Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US11685991B2 (en) 2018-02-14 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10658181B2 (en) 2018-02-20 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US10510536B2 (en) 2018-03-29 2019-12-17 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
KR102600229B1 (ko) 2018-04-09 2023-11-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 장치, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102709511B1 (ko) 2018-05-08 2024-09-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 산화물 막을 주기적 증착 공정에 의해 증착하기 위한 방법 및 관련 소자 구조
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
US12272527B2 (en) 2018-05-09 2025-04-08 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for use with hydrogen radicals and method of using same
TWI816783B (zh) 2018-05-11 2023-10-01 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 用於基板上形成摻雜金屬碳化物薄膜之方法及相關半導體元件結構
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
TWI840362B (zh) 2018-06-04 2024-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
TWI815915B (zh) 2018-06-27 2023-09-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於形成含金屬材料及包含含金屬材料的膜及結構之循環沉積方法
US11492703B2 (en) 2018-06-27 2022-11-08 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
KR102686758B1 (ko) 2018-06-29 2024-07-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US10483099B1 (en) 2018-07-26 2019-11-19 Asm Ip Holding B.V. Method for forming thermally stable organosilicon polymer film
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102707956B1 (ko) 2018-09-11 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344B (zh) 2018-10-01 2024-10-25 Asmip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US10381219B1 (en) 2018-10-25 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film
US12378665B2 (en) 2018-10-26 2025-08-05 Asm Ip Holding B.V. High temperature coatings for a preclean and etch apparatus and related methods
US11346505B2 (en) * 2018-10-26 2022-05-31 Fujikin Incorporated Fluid supply system, fluid control device, and semiconductor manufacturing device
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR102748291B1 (ko) 2018-11-02 2024-12-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10559458B1 (en) 2018-11-26 2020-02-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming oxynitride film
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
TWI874340B (zh) 2018-12-14 2025-03-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統
CN118841306A (zh) * 2018-12-20 2024-10-25 应用材料公司 用于供应改良的气流至处理腔室的处理空间的方法和设备
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR102727227B1 (ko) 2019-01-22 2024-11-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
US11346460B2 (en) * 2019-02-05 2022-05-31 Swagelok Company Integrated actuator manifold for multiple valve assembly
KR102638425B1 (ko) 2019-02-20 2024-02-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 내에 형성된 오목부를 충진하기 위한 방법 및 장치
KR20200102357A (ko) 2019-02-20 2020-08-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법
TWI845607B (zh) 2019-02-20 2024-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR102782593B1 (ko) 2019-03-08 2025-03-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
US11742198B2 (en) 2019-03-08 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOCN layer and method of forming same
KR102858005B1 (ko) 2019-03-08 2025-09-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
US11492701B2 (en) 2019-03-19 2022-11-08 Asm Ip Holding B.V. Reactor manifolds
JP2020167398A (ja) 2019-03-28 2020-10-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
KR102809999B1 (ko) 2019-04-01 2025-05-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
CN113994460B (zh) * 2019-04-15 2025-05-20 朗姆研究公司 用于气体输送的模块部件系统
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
WO2020217601A1 (ja) * 2019-04-26 2020-10-29 株式会社堀場エステック 流路形成装置
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR102869364B1 (ko) 2019-05-07 2025-10-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP7612342B2 (ja) 2019-05-16 2025-01-14 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP7598201B2 (ja) 2019-05-16 2024-12-11 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR20200141931A (ko) 2019-06-10 2020-12-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 석영 에피택셜 챔버를 세정하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
CN112242318A (zh) 2019-07-16 2021-01-19 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理装置
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
KR102860110B1 (ko) 2019-07-17 2025-09-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
CN112242295B (zh) 2019-07-19 2025-12-09 Asmip私人控股有限公司 形成拓扑受控的无定形碳聚合物膜的方法
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309900B (zh) 2019-07-30 2025-11-04 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
US12169361B2 (en) 2019-07-30 2024-12-17 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
CN112309899B (zh) 2019-07-30 2025-11-14 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN118422165A (zh) 2019-08-05 2024-08-02 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
CN112342526A (zh) 2019-08-09 2021-02-09 Asm Ip私人控股有限公司 包括冷却装置的加热器组件及其使用方法
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
KR102806450B1 (ko) 2019-09-04 2025-05-12 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR102733104B1 (ko) 2019-09-05 2024-11-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US12469693B2 (en) 2019-09-17 2025-11-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a carbon-containing layer and structure including the layer
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TWI846953B (zh) 2019-10-08 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理裝置
TW202128273A (zh) 2019-10-08 2021-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氣體注入系統、及將材料沉積於反應室內之基板表面上的方法
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
TWI846966B (zh) 2019-10-10 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR102845724B1 (ko) 2019-10-21 2025-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210048408A (ko) 2019-10-22 2021-05-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 증착 반응기 매니폴드
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR102890638B1 (ko) 2019-11-05 2025-11-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR102861314B1 (ko) 2019-11-20 2025-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
CN112951697B (zh) 2019-11-26 2025-07-29 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN120998766A (zh) 2019-11-29 2025-11-21 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693B (zh) 2019-11-29 2025-06-10 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11885013B2 (en) 2019-12-17 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming vanadium nitride layer and structure including the vanadium nitride layer
KR20210080214A (ko) 2019-12-19 2021-06-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
KR20210089079A (ko) 2020-01-06 2021-07-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 채널형 리프트 핀
JP7730637B2 (ja) 2020-01-06 2025-08-28 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ガス供給アセンブリ、その構成要素、およびこれを含む反応器システム
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR102882467B1 (ko) 2020-01-16 2025-11-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고 종횡비 피처를 형성하는 방법
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TWI889744B (zh) 2020-01-29 2025-07-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 污染物捕集系統、及擋板堆疊
TW202513845A (zh) 2020-02-03 2025-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 半導體裝置結構及其形成方法
KR20210100010A (ko) 2020-02-04 2021-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
TW202146691A (zh) 2020-02-13 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氣體分配總成、噴淋板總成、及調整至反應室之氣體的傳導率之方法
KR20210103956A (ko) 2020-02-13 2021-08-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 수광 장치를 포함하는 기판 처리 장치 및 수광 장치의 교정 방법
TWI855223B (zh) 2020-02-17 2024-09-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於生長磷摻雜矽層之方法
TWI895326B (zh) 2020-02-28 2025-09-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 專用於零件清潔的系統
TW202139347A (zh) 2020-03-04 2021-10-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 反應器系統、對準夾具、及對準方法
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR102775390B1 (ko) 2020-03-12 2025-02-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법
US12173404B2 (en) 2020-03-17 2024-12-24 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing epitaxial material, structure formed using the method, and system for performing the method
JP7466686B2 (ja) 2020-03-23 2024-04-12 ラム リサーチ コーポレーション 基板処理システムにおける中間リング腐食補償
KR102755229B1 (ko) 2020-04-02 2025-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TWI887376B (zh) 2020-04-03 2025-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 半導體裝置的製造方法
TWI888525B (zh) 2020-04-08 2025-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
KR20210128343A (ko) 2020-04-15 2021-10-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
TW202143328A (zh) 2020-04-21 2021-11-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於調整膜應力之方法
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
KR20210132612A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 화합물들을 안정화하기 위한 방법들 및 장치
TW202208671A (zh) 2020-04-24 2022-03-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括硼化釩及磷化釩層的結構之方法
KR20210132576A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 나이트라이드 함유 층을 형성하는 방법 및 이를 포함하는 구조
KR102783898B1 (ko) 2020-04-29 2025-03-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
JP7726664B2 (ja) 2020-05-04 2025-08-20 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板を処理するための基板処理システム
JP7736446B2 (ja) 2020-05-07 2025-09-09 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同調回路を備える反応器システム
KR102788543B1 (ko) 2020-05-13 2025-03-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202146699A (zh) 2020-05-15 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102795476B1 (ko) 2020-05-21 2025-04-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
KR20210145079A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판을 처리하기 위한 플랜지 및 장치
KR102702526B1 (ko) 2020-05-22 2024-09-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치
KR20210146802A (ko) 2020-05-26 2021-12-06 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 붕소 및 갈륨을 함유한 실리콘 게르마늄 층을 증착하는 방법
TWI876048B (zh) 2020-05-29 2025-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202212620A (zh) 2020-06-02 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法
TW202208659A (zh) 2020-06-16 2022-03-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積含硼之矽鍺層的方法
KR20210158809A (ko) 2020-06-24 2021-12-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘이 구비된 층을 형성하는 방법
TWI873359B (zh) 2020-06-30 2025-02-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
US12431354B2 (en) 2020-07-01 2025-09-30 Asm Ip Holding B.V. Silicon nitride and silicon oxide deposition methods using fluorine inhibitor
KR102707957B1 (ko) 2020-07-08 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
TWI864307B (zh) 2020-07-17 2024-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於光微影之結構、方法與系統
KR20220011092A (ko) 2020-07-20 2022-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 전이 금속층을 포함하는 구조체를 형성하기 위한 방법 및 시스템
TWI878570B (zh) 2020-07-20 2025-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
TW202219303A (zh) 2020-07-27 2022-05-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 薄膜沉積製程
KR20220021863A (ko) 2020-08-14 2022-02-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
TW202228863A (zh) 2020-08-25 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 清潔基板的方法、選擇性沉積的方法、及反應器系統
TW202534193A (zh) 2020-08-26 2025-09-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成金屬氧化矽層及金屬氮氧化矽層的方法
TW202229601A (zh) 2020-08-27 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、裝置結構、及基板處理系統
KR20220033997A (ko) 2020-09-10 2022-03-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 갭 충진 유체를 증착하기 위한 방법 그리고 이와 관련된 시스템 및 장치
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
KR20220036866A (ko) 2020-09-16 2022-03-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 산화물 증착 방법
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
TWI889903B (zh) 2020-09-25 2025-07-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
KR20220045900A (ko) 2020-10-06 2022-04-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치
CN114293174A (zh) 2020-10-07 2022-04-08 Asm Ip私人控股有限公司 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
KR102873665B1 (ko) 2020-10-15 2025-10-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자의 제조 방법, 및 ether-cat을 사용하는 기판 처리 장치
TW202217037A (zh) 2020-10-22 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202229620A (zh) 2020-11-12 2022-08-01 特文特大學 沉積系統、用於控制反應條件之方法、沉積方法
TW202229795A (zh) 2020-11-23 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 具注入器之基板處理設備
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
US12255053B2 (en) 2020-12-10 2025-03-18 Asm Ip Holding B.V. Methods and systems for depositing a layer
TW202233884A (zh) 2020-12-14 2022-09-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成臨限電壓控制用之結構的方法
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202232639A (zh) 2020-12-18 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 具有可旋轉台的晶圓處理設備
TW202242184A (zh) 2020-12-22 2022-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 前驅物膠囊、前驅物容器、氣相沉積總成、及將固態前驅物裝載至前驅物容器中之方法
TW202226899A (zh) 2020-12-22 2022-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 具匹配器的電漿處理裝置
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
CN112941492B (zh) * 2021-01-19 2022-06-03 华中科技大学 原子层沉积装置与方法
US12494383B2 (en) 2021-03-19 2025-12-09 Tokyo Electron Limited Gas supply device and semiconductor manufacturing apparatus
CN114165727A (zh) * 2021-03-29 2022-03-11 佛山市顺德区美的饮水机制造有限公司 进气装置及气泡水机
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate
US12424414B2 (en) * 2021-10-19 2025-09-23 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing system with a manifold for equal splitting and common divert architecture
USD1099184S1 (en) 2021-11-29 2025-10-21 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1060598S1 (en) 2021-12-03 2025-02-04 Asm Ip Holding B.V. Split showerhead cover

Family Cites Families (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS616076U (ja) 1984-06-16 1986-01-14 東横化学株式会社 半導体装置用複合エアバルブ
JPS618127A (ja) 1984-06-22 1986-01-14 Oval Eng Co Ltd ガスブレンド装置
JPS6162265U (zh) * 1984-09-28 1986-04-26
JPS639785A (ja) 1986-06-30 1988-01-16 Daiwa Handotai Sochi Kk 半導体プロセス用ガス供給制御バルブ装置
JPS6396375A (ja) 1986-10-07 1988-04-27 トル−バ・エ・コ−バン マニホ−ルド
US4911201A (en) * 1989-04-12 1990-03-27 Cryoloab, Inc. Valved manifold
US5178191A (en) 1990-09-05 1993-01-12 Newmatic Controls Inc. Modular pneumatic control systems
JP2731080B2 (ja) * 1991-05-31 1998-03-25 株式会社本山製作所 ガス制御装置
US5368062A (en) 1992-01-29 1994-11-29 Kabushiki Kaisha Toshiba Gas supplying system and gas supplying apparatus
JPH061946U (ja) * 1992-06-09 1994-01-14 株式会社ベンカン ガス高速切換弁
JPH061946A (ja) 1992-06-16 1994-01-11 Yasuhara Chem Kk ポリエステル系ホットメルト接着剤
US5605179A (en) * 1995-03-17 1997-02-25 Insync Systems, Inc. Integrated gas panel
JP3546275B2 (ja) * 1995-06-30 2004-07-21 忠弘 大見 流体制御装置
US6394138B1 (en) * 1996-10-30 2002-05-28 Unit Instruments, Inc. Manifold system of removable components for distribution of fluids
US5992463A (en) 1996-10-30 1999-11-30 Unit Instruments, Inc. Gas panel
US5836355A (en) * 1996-12-03 1998-11-17 Insync Systems, Inc. Building blocks for integrated gas panel
JPH10169881A (ja) 1996-12-03 1998-06-26 Benkan Corp 集積化ガスパネル及びその組立方法
DE19711227C2 (de) 1997-03-18 2000-11-30 Festo Ag & Co Ventilanordnung
US6068016A (en) * 1997-09-25 2000-05-30 Applied Materials, Inc Modular fluid flow system with integrated pump-purge
DE69830857T2 (de) 1998-01-02 2006-05-24 Fluid Management Systems, Inc., Waltham Magnetventil mit Fluidkanälen mit harten Rohren im Ventilsitz und flexiblem Dichtdiaphragma
KR20010083048A (ko) * 1998-06-12 2001-08-31 제이. 그레고리 홀링스헤드 통합된 모듈식 화학물질 전달 블럭
JP4463896B2 (ja) 1999-04-13 2010-05-19 株式会社オムニ研究所 ガス供給装置
JP2001033000A (ja) 1999-07-21 2001-02-06 Nippon Sanso Corp ガス供給装置
EP1710504A2 (en) 1999-12-15 2006-10-11 Osaka Gas Co., Ltd. Burner Apparatus, Gas Turbine Engine and Cogeneration System
US6283143B1 (en) * 2000-03-31 2001-09-04 Lam Research Corporation System and method for providing an integrated gas stick
JP2002089798A (ja) * 2000-09-11 2002-03-27 Ulvac Japan Ltd 流体制御装置およびこれを用いたガス処理装置
JP4002060B2 (ja) * 2000-09-26 2007-10-31 株式会社島津製作所 液体材料供給装置
DE10063471A1 (de) * 2000-12-19 2002-06-20 Claas Industrietechnik Gmbh Kontaktierungsvorrichtung und eine Magnetspule
JP4435999B2 (ja) * 2001-02-26 2010-03-24 株式会社堀場エステック マスフローコントローラを用いた流体供給機構および取替基板ならびにアタプタ
JP2002349797A (ja) * 2001-05-23 2002-12-04 Fujikin Inc 流体制御装置
US6834669B2 (en) * 2001-11-12 2004-12-28 Otto Herman Seyfarth Integrated pneumatic manifold
US6907904B2 (en) * 2003-03-03 2005-06-21 Redwood Microsystems, Inc. Fluid delivery system and mounting panel therefor
JP4319434B2 (ja) * 2003-03-11 2009-08-26 東京エレクトロン株式会社 ゲートバルブ及び真空容器
WO2005005109A1 (ja) * 2003-07-14 2005-01-20 Kuroda Precision Industries, Ltd. 切換弁装置
US7146999B2 (en) * 2005-03-08 2006-12-12 Gregory C. Giese Modular fluid handling device
US7726331B1 (en) * 2007-05-23 2010-06-01 Giese Gregory C Modular fluid handling device II
US8307849B2 (en) * 2008-06-03 2012-11-13 Jergens, Inc. Rotary coupler and method of using same

Also Published As

Publication number Publication date
KR20090053822A (ko) 2009-05-27
US8196609B2 (en) 2012-06-12
TW200825315A (en) 2008-06-16
CN101506561B (zh) 2012-04-18
KR101466998B1 (ko) 2014-12-01
JP5037510B2 (ja) 2012-09-26
JP5579783B2 (ja) 2014-08-27
CN101506561A (zh) 2009-08-12
US20120227848A1 (en) 2012-09-13
US20090320754A1 (en) 2009-12-31
US8820360B2 (en) 2014-09-02
JP2012229807A (ja) 2012-11-22
JPWO2008023711A1 (ja) 2010-01-14
WO2008023711A1 (en) 2008-02-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI435991B (zh) 整合式氣體分配盤裝置
JP5022074B2 (ja) 二流体ノズルとそれを用いた噴霧方法
TWI589726B (zh) 使用多區域氣體進料器之電漿處理室中的共用氣體面板
US9115889B2 (en) Rich-lean combustion burner and combustion apparatus
US8291935B1 (en) Flexible gas mixing manifold
CN112941626A (zh) 工艺腔室的进气组件、进气装置及半导体加工设备
TWI824691B (zh) 半導體熱處理設備的氣體噴射裝置及半導體熱處理設備
CN102650428A (zh) 浓淡火焰燃烧器及燃烧装置
CN116240525A (zh) 喷淋板、喷淋方法及处理装置
JP2004183743A (ja) 流体制御装置
CN216639641U (zh) 气体混合装置和半导体工艺设备
CN116575016A (zh) 喷头及薄膜制备装置
WO2005005053B1 (en) Nozzle arrangements
KR20230128823A (ko) 2유체 분사 노즐
CN102041484A (zh) 气体分布板及其装置
CN223357748U (zh) 穿腔气路结构及薄膜沉积设备
TW202533302A (zh) 氣液混合器以及液體材料氣化裝置
TW202242960A (zh) 氣體供給裝置及半導體製造裝置
JPH11141814A (ja) ガスバーナ
CN118932316A (zh) 气体扩散板、组合体及装置
JP2006021149A (ja) ガス供給方法及びガス供給装置
JPH05118510A (ja) ガスバーナ
JPH01198016A (ja) 横形プラズマｃｖｄ装置
JPH0771723A (ja) 燃焼装置
JPH0719420A (ja) 燃焼装置

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees