[go: up one dir, main page]

TWI490919B - 反應室 - Google Patents

反應室 Download PDF

Info

Publication number
TWI490919B
TWI490919B TW098137301A TW98137301A TWI490919B TW I490919 B TWI490919 B TW I490919B TW 098137301 A TW098137301 A TW 098137301A TW 98137301 A TW98137301 A TW 98137301A TW I490919 B TWI490919 B TW I490919B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
chamber
wall
reaction
gas
reaction chamber
Prior art date
Application number
TW098137301A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201023250A (en
Inventor
Michael Givens
Matthew G Goodman
Mark Hawkins
Brad Halleck
Herbert Terhorst
Original Assignee
Asm Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Asm Inc filed Critical Asm Inc
Publication of TW201023250A publication Critical patent/TW201023250A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI490919B publication Critical patent/TWI490919B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/6719—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45502—Flow conditions in reaction chamber
    • C23C16/45504—Laminar flow
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45587—Mechanical means for changing the gas flow
    • C23C16/45589—Movable means, e.g. fans
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45587—Mechanical means for changing the gas flow
    • C23C16/45591—Fixed means, e.g. wings, baffles

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Fluid Mechanics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Description

反應室 【相關申請案】
本申請案主張優先權為2008年11月7日所申請的臨時專利申請號61/112,604，其完整揭露內容在此併入本文參考。
本發明是有關於一種半導體處理系統(semiconductor processing system)，且特別是有關於一種用於半導體處理系統之反應室(reaction chamber)。
於諸如電晶體、二極體及積體電路(integrated circuit)等半導體裝置之處理中，通常於一半導體材料薄片(例如基板(substrate)、晶圓(wafer)或工件)上同時製作多個此種裝置。於此種半導體裝置之製造過程之半導體處理步驟之一實例中，通常將基板傳送至反應室中，且於反應室中將材料薄膜或層沈積於晶圓之外露表面上。一旦已將所期望厚度之半導體材料層沈積於基板之表面上，便將基板傳送出反應室以供包裝或進一步處理。
用以將材料薄膜沈積於基板表面的已知方法包括(但不限於)(常壓或低壓)氣相沈積、濺鍍(sputtering)、噴塗及退火(spray-and-anneal)及原子層沈積(atomic layer deposition)。例如，化學氣相沈積(Chemical vapor deposition；CVD)係為藉由某些氣態化合物於反應室內發生熱反應或分解，而於受熱基板上形成穩定之化合物。反 應室提供受控環境，以於基板上安全地沈積穩定化合物。
用於特定工具或製程之反應室之類型可視所執行製程之類型而異。常用於CVD製程之一種反應室是水平流式冷壁型反應室(horizontal flow,cold-wall reaction chamber)，其中此反應室包括大致細長之室，而欲處理之基板即插入此室中。將製程氣體噴射入或引入反應室之一端，且沿縱向長度流動，穿過基板後自相對端排出反應室。當製程氣體穿過反應室內之受熱基板時，於基板之表面處發生反應而使一材料層沈積於基板上。
當氣體沿水平流式反應室之長度流動時，流型(flow pattern)可能會不均勻，或者是因為氣體接觸反應室內之各種結構(例如基座、基板或反應室本身之壁)而形成局部區域之紊流。當局部區域之紊流與所處理之基板之表面交疊時，基板表面上之沈積均勻性將變差。與基板反應之製程氣體所造成的局部區域紊流可能導致形成凸塊、脊或其它會降低沈積均勻性之局部沈積物。由於至少有一部分通過反應室的是非層狀且不穩定的氣體流，因此沈積後之基板表面輪廓(profile)變得不可預測。
故，需要一種改良之反應室，此改良之反應室是可調節的，以減少或消除穿過反應室之製程氣體流有不均勻的現象或者是在局部區域為紊流，進而於所處理基板上提高沈積之均勻性或產生可預測之沈積輪廓。
於本發明之一態樣中，提供一種反應室。此反應室包括： 上室，具有固定的上壁；以及第一入口，與上室流體連通。第一入口經配置以容許至少一種氣體引入上室。此反應室亦包括具有下壁之下室。此下室與上室流體連通。此反應室更包括板，用於分隔上室之至少一部分與下室之至少一部分。此板與上壁以第一距離間隔開，且此板與下壁以第二距離間隔開。出口與第一入口相對地設置。上室為可調節的，以藉由調整第一距離而於第一入口與出口之間形成實質穩定之氣體層流。
於本發明之另一態樣中，提供一種方法，使在半導體處理工具的反應器中之基板上的沈積均勻性達到最佳化。此方法包括提供分流式反應室。分流式反應室包括上室及下室，其中上室及下室藉由板而至少部分地隔開，氣體可引入上室與下室中。此方法更包括提供位於分流式反應室內之基座，其中基座設置於上室與下室之間。基座經配置以支撐至少一個基板。此方法更包括調節分流式反應室之尺寸，以於上室內形成實質穩定之氣體層流。
於本發明之又一態樣中，提供一種反應室。此反應室包括上壁、下壁及一對相對的側壁，此一對相對的側壁連接上壁與下壁，以於其中界定出反應空間。入口位於反應空間之一端，且出口位於反應空間之相對端。可藉由相對於下壁而調整上壁，以調節流過反應空間之至少一種氣體之速度，進而形成流過反應空間之所述至少一種氣體的實質穩定之層流。
於本發明之再一態樣中，提供一種反應室。此反應室包括反應空間，基板可支撐於此反應空間中，且反應空間 具有體積。此反應室亦包括：入口，至少一種氣體可透過入口引入反應空間中；出口，反應空間內之氣體透過出口排出反應空間。此體積為可調節的，以提供流過反應空間之實質穩定之氣體層流。
於本發明之另一態樣中，提供一種反應室。此反應室包括由第一壁、第二壁、相對的側壁、位於第一壁及第二壁之一端之入口、及位於第一壁及第二壁之相對端之出口所界定之體積。氣體可以第一流動速度流過此體積。第一壁為可調整的，以改變體積，且體積之此種改變使第一速度會相應地增大或減小，進而得到流過體積之氣體之第二速度。流過此體積之氣體之第二速度於入口與出口之間提供實質穩定之氣體層流。
於本發明之又一態樣中，提供一種反應室。此反應室包括反應空間，此反應空間由一寬度、一長度及一高度所界定。此反應室亦包括控制器，控制器經配置以形成氣體之氣體流動速度，其中所述氣體可流過反應空間。寬度、長度、高度、及氣體流動速度至少其中之一為可調整的，以形成流過反應空間之氣體之實質穩定之層流。
於本發明之又一態樣中，提供一種反應室。此反應室包括：上壁；下壁；一對相對的側壁，連接上壁與下壁，以於其中界定出反應空間；入口，位於此反應空間之一端；以及出口，位於此反應空間之相對端。上壁與下壁以第一距離間隔開，相對的側壁以第二距離間隔開，且入口與出口以第三距離間隔開。利用建模軟體選擇第一距離、第二 距離及第三距離，以形成流過此反應空間之至少一種氣體之實質穩定之層流。
為讓本發明之上述和其他目的、特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下。
參見圖1，其繪示為半導體處理系統10之一例示性實施例。半導體處理系統10包括噴射器總成12、反應室總成14及排氣口總成16。半導體處理系統10經配置以接收欲於反應室總成14內處理之基板18(圖2)。噴射器總成12經配置以將各種氣體引入反應室總成14，其中於反應室總成14內，在所引入之氣體與基板18之間發生至少一種化學反應，基板18支撐於反應室總成14中。然後，經排氣口總成16自反應室總成14移除未反應之製程氣體及廢氣。
如圖1與圖2所示，噴射器總成12之一實施例包括多個噴射器20，噴射器20可操作地連接至進氣集管22。於一實施例中，進氣集管22包括第一氣體管線24及第二氣體管線26。第一氣體管線24經配置以將氣體自噴射器20經進氣集管22傳送至反應室總成14之反應室30之上部。第二氣體管線26可操作地連接至氣體源且經配置以將氣體自氣體源經進氣集管22傳送至反應室總成14之反應室30之下部。熟習此項技術者應理解，進氣集管22可包括任何數量之用於載送欲引入反應室30之氣體之氣體管 線。於一實施例中，排氣口總成16可移除地連接至反應室總成14之反應室30之出口32。
於一實施例中，如圖2與圖3所示，反應室總成14包括反應室30、基板支撐總成34及基座環總成36。基板支撐總成34包括基座38、可操作地連接至基座38之基座支撐構件40、及可操作地連接至基座支撐構件40並由基座支撐構件40延伸之管子42。於操作過程中，基板18支撐於基座38上。基板支撐總成34係為可旋轉的，若沈積製程中需要旋轉基板18時，則基板支撐總成34用以於操作過程中旋轉基板18。
於一實施例中，如圖2與圖3所示，基座環總成36包括基座環44及基座環支架46。基座環44經配置以圍繞基座38，以消除或減少於處理過程中自基座38之外徑向邊緣所損失之熱量。基座環支架46自反應室30之下表面延伸並可操作地連接至基座環44，以使基座環相對於基板支撐總成34保持處於實質固定之位置。
參見圖2至圖6，其繪示為反應室30之一例示性實施例。所示反應室30係為一水平流(horizontal flow)、單程(single pass)、分流式(split flow)冷壁型室。儘管所示反應室30是以分流式室為例，然熟習此項技術者應理解，改良之反應室30可為分流式室或單室。於一實施例中，反應室30是由石英製成。圖1與圖2中所示之反應室30通常用於反應室30內之壓力處於或接近大氣壓之製程。熟習此項技術者應理解，以下所論述之概念是與所示之常壓反應室 30相關，但相同之概念亦可與反應室內之壓力小於大氣壓之減壓反應室結合。反應室30包括入口28、出口32及位於入口28與出口32之間的反應空間48。入口28及出口32由凸緣50圍繞。噴射器總成12(圖1)可操作地連接至圍繞入口28之凸緣50，排氣口總成16(圖1)則可操作地連接至圍繞出口32之凸緣50。反應室30包括上室52及下室54，其中上室52藉由鄰近入口28之第一板56及鄰近出口32之第二板58而與下室54隔開。第一板56與第二板58是在縱向上間隔開，以留出配置基板支撐總成34及基座環總成36的空間。如圖2所示，第一板56、第二板58、基板支撐總成34及基座環總成36界定出上室52與下室54之間的邊界。於一實施例中，上室52與下室54流體連通。於另一實施例中，上室52與下室54之間實質上為密封隔絕。
於一實施例中，如圖2至圖6所示，反應室30包括上壁60、下壁62及於上壁60與下壁62之間延伸的相對的側壁64。於一實施例中，上壁60與下壁62實質相互平行。於另一實施例中，上壁60與下壁62則不相互平行。例如，於一實施例中，上壁60(圖未示出)於相對的側壁64之間向上彎曲，使上壁60具有半圓形。於另一實施例中，上壁60自相對的側壁64向上傾斜以形成縱向接合部，此縱向接合部實質平行於反應室30之縱軸。熟習此項技術者應理解，反應室30之上壁60及/或下壁62可形成為平面壁或非平面壁。熟習此項技術者亦應理解，上壁60及下壁 62可形成為相同或不同之形狀。上壁60、下壁62及側壁64延伸於相對之凸緣50之間，以於反應室30內形成一體積。反應空間48是反應室30內之總體積的至少一部分，且製程氣體與設置於反應空間48內之基板18反應，以於基板18上形成一沈積層。
在分流式反應室30的一實施例中，如圖2至圖6所示，反應空間48是大致由上壁60、第一板56、第二板58、基板支撐總成34、基座環總成36、側壁64、入口28及出口32所界定的體積。反應空間48通常是分流式反應室30之上室52內所界定的體積。熟習此項技術者應理解，於單室式反應室30(圖未示出)之一實施例中，反應空間48是由上壁60、下壁62、側壁64、入口28及出口32所界定。單室式反應室30之反應空間48可被界定為反應室30之總體積。反應空間48亦可被界定為緊鄰所處理基板18之上外露表面之體積。反應空間48提供使基板18(圖2)與引入反應室30之製程氣體之間在其中進行化學反應之體積。
於一實施例中，如圖2至圖6所示，第一板56是與反應室30之側壁64一體成型。於另一實施例中，第一板56則與反應室30分別形成，且第一板56於組裝期間插入反應室30中。當分別形成時，例如是可將第一板56設置於與反應室30之側壁64一體成型之一對突沿上(圖未示出)。於一實施例中，第一板56以實質水平之方式定向，或以實質平行於反應室30之上壁60及下壁62之方式定 向。於另一實施例中，第一板56則以與上壁60及下壁62之間夾有一夾角之方式定向。於一實施例中，第一板56之前緣實質對準圍繞入口28之凸緣50的正面。於另一實施例中，第一板56之前緣自圍繞入口28之凸緣50之正面向內間隔開。在鄰近反應室30之入口28處的上室52與下室54之間，第一板56提供障壁。
於一實施例中，如圖2至圖4及圖6所示，第一板56劃分入口28，以為反應室30之上室52及下室54提供單獨且不同之入口。於一實施例中，入口28可包括上入口70與下入口72，上入口70與上室52流體連通以引入氣體於上室52中，下入口72則與下室54流體連通以引入氣體於下室54中。於一實施例中，可將上入口70及/或下入口72分為多個相間隔之入口，其中每一相間隔之入口將氣體引入分流式反應室30之同一室中。於一實施例中，第一板56之前緣實質對準鄰近於入口28的凸緣50正面，使第一板56接觸進氣集管22(圖2)，藉此將來自第一氣體管線24之氣體與來自第二氣體管線26之氣體分開。
於一實施例中，第二板58與反應室30之側壁64一體成型。於另一實施例中，如圖2、圖3及圖6所示，第二板58則與反應室30分別形成，且第二板58於組裝期間插入反應室30。當分別形成時，例如是可將第二板58設置於與反應室30之側壁64一體成型的一對相對突沿66上。於一實施例中，第二板58是以實質水平之方式定向，或以實質平行於反應室30之上壁60及下壁62之方式定向。於 另一實施例中，第二板58是以與上壁60及下壁62之間夾有一夾角之方式定向。於一實施例中，第二板58自緊鄰基座環44之後緣之位置延伸。於一實施例中，第二板58之後緣實質對準圍繞出口32之凸緣50的後表面。於另一實施例中，第二板58之後緣自圍繞出口32之凸緣50之後表面向內間隔開。第二板58在鄰近反應室30之出口32處的上室52與下室54之間提供障壁。
於一實施例中，如圖2及圖5所示，指向出口32之第二板58之邊緣自出口32向內間隔開，使出口32包含單個開孔，自第一氣體管線24及第二氣體管線26引入反應室30之全部氣體皆透過此開孔排出反應室30。於另一實施例中，第二板58之朝後表面與圍繞出口32之凸緣50實質上共面，使第二板58提供上出口(圖未示出)及下出口(圖未示出)，其中引入上室52之氣體透過上出口排出反應室30並且引入下室54之至少一部分的氣體透過下出口排出反應室30。
於一實施例中，如圖2所示，第二板58包含自其向下延伸之擋板68。擋板68延伸至鄰近或接觸反應室30之下壁62之位置。於一實施例中，擋板68實質上延伸至相對的側壁64之間的整個距離。於另一實施例中，擋板68僅延伸至相對的側壁64之間的一部分寬度。擋板68經配置以於入口28及出口32之間阻擋下室54內之至少一部分氣體流。於操作中，擋板68更可經配置以於下室54與上室52之間產生壓力差，使下室54內之壓力大於上室52內之 壓力，藉此迫使引入下室54之氣體之至少一部分進入上室52。例如，下室54內之氣體可藉由流經基座環總成36與板56、58之間的間隙或流經基座環總成36與基板支撐總成34之間的間隙而流至上室52。藉由迫使引入下室54之氣體之至少一部分流入上室52，流入上室52之氣體流可減少或消除可能由上室52流至下室54的製程氣體。
噴射器20經配置以將至少一種氣體引入至分流式反應室30之上室52。噴射器20經由入口28引入氣體，以於入口28與出口32之間在反應空間48內形成氣體之流動速度，其中氣體之流動速度沿實質水平之流動路徑。一般而言，可提供由電腦操作的控制器，用於控制來自各種來源及噴射器20之氣體流。噴射器20是可調節的或可調整的，以於反應空間48內形成不同之流動速度。可別調整各個噴射器20，藉以修改或調整自噴射器排至反應室30之氣體之流量剖面(flow profile)。例如，排出每一噴射器20之氣體的速度可相同或不同，以形成自入口集管22引入反應室30之氣體之總體流量剖面，此流量剖面於入口28與出口32之間具有實質上穩定之層流。於一實施例中，噴射器20為可調整的，以引入氣體至反應室30之上室52中，以在反應室30內且在實質大氣壓下進行的製程中，形成介於5公分/秒-100公分/秒、特別是介於約15公分/秒-40公分/秒之氣體流動速度。於另一實施例中，噴射器20為可調整的，以在反應室30內且在實質大氣壓下進行的製程中，形成介於20公分/秒-25公分/秒之氣體流動速度。熟 習此項技術者應理解，對於在減低之壓力下或在低於大氣壓之壓力下進行之製程，流經反應室30之氣體之流動速度可有所不同。
改良之反應室30經配置以穩定氣流，或減少及/或消除在入口28與出口32之間發生的製程氣體的局部區域紊流，藉此提高於反應室30內進行處理之基板18上的沈積均勻性。改良之反應室30亦經配置以最佳化流經反應空間48之氣流，以改善氣體之層流。入口28與出口32之間之此種穩定氣體層流使基板18表面上之沈積更為均勻。熟習此項技術者應理解，所處理基板上之更均勻沈積將提供如下所述的沈積輪廓：儘管其並非必定為平面，但是只要是在穩定之氣體層流流過基板之表面的條件下，其將至少為較可預測之輪廓。此改良之反應室30可用於處理任何規格之基板18，包括但不限於150毫米基板、200毫米基板、300毫米基板及450毫米基板。以下所討論的反應室30之尺寸是針對用於處理300毫米基板之反應室30為例，但熟習此項技術者應理解，用於在處理300毫米基板之反應室內改善層流及均勻沈積之最佳化技術同樣可用於在經配置以處理其它規格基板之反應室30中，以改善氣體之層流及基板上之均勻沈積。
於用於處理300毫米基板18之分流式反應室30之一例示性實施例中，如圖2與圖3所示，反應空間48是上室52內所涵蓋之體積的至少一部分。相對的側壁64之間提供一寬度W，且上壁60於上壁60與第一板56之間提供 第一高度H1 、並於上壁60與第二板58之間提供第二高度H2 。於一實施例中，上壁60與第一板56之間之第一高度H1 相同於上壁60與第二板58之間之第二高度H2 。於另一實施例中，上壁60與第一板56之間之第一高度H1 不同於上壁60與第二板58之間之第二高度H2 。相對的側壁64之間之寬度W寬至足以使基座38及基座環44配置於其間。於一實施例中，如第2圖所示，反應空間48在沿反應室30之長度的方向上具有實質為矩形之截面，此截面由寬度W及各凸緣50之間之長度所界定。儘管反應室30之長度及寬度可加以修改，然熟習此項技術者應理解，由於受限於反應室30內將安裝的工具尺寸，在各種反應室30中，反應室30之此等尺寸將可能保持實質恒定。
於一實施例中，上壁60與側壁64一體成型，以界定出上室52之一部分。當上壁60與側壁64一體成型時，上室52為可調節的，以於上室52內之入口28與出口32之間形成實質穩定之氣體層流。於一實施例中，可利用建模程式調節上室52，此建模程式對上室52內之氣流進行建模以最佳化流過上室之氣體流。於最佳化流過反應室30之上室52之氣流的過程中，可修改第一高度H1 及第二高度H2 、寬度W、反應空間48之長度、及/或上室52內之流經入口28與出口32之間之氣體的速度。此建模程式可用於預先確定上室52之尺寸，以最佳化流過上室52之氣體流。此種建模亦可用於預先確定由氣體噴射器20引入反應室之氣體之氣體速度及流量剖面。
於用於調節上室52之一實施例中，上室52之尺寸是固定的，且對來自噴射器20之氣體速度及流量剖面進行建模，以最佳化來自每一噴射器20之流動速度及排出入口集管22之氣體的流量剖面，進而於入口28與出口32之間提供實質穩定之氣體層流。於用於調節上室52之另一實施例中，來自每一噴射器20之流動速度及排出入口集管22之氣體之流量剖面是固定的，且對上室52之尺寸進行建模，以使尺寸最佳化，進而於入口28與出口32之間提供實質穩定之氣體層流。
於用於調節上室52之再一實施例中，可修改第一高度H1 及第二高度H2 ，同時亦修改引入上室52之氣體之流動速度及流量剖面。藉由調整上壁60以增大或減小第一高度H1 及第二高度H2 而對反應室30之上壁60進行建模。由於是相對於第一板56及第二板58來調整上壁60之高度，故排出噴射器之氣體之速度亦得到調整，以保持排出入口集管22之氣體之預定流量剖面或最佳化排出入口集管22之氣體之預定流量剖面。例如，以形成預定流動速度為約20公分/秒-25公分/秒之以實質穩定層流形式流過上室52之製程氣體為例，當上壁60被建模成與第一板56及第二板58相距為更大距離時，調整噴射器20以引入更多之氣體至上室52內，藉此保持流過上室52之氣體之預定流動速度。可藉由比較流過上室52之各氣體之流型而調節上室52，以最佳化第一高度H1 及第二高度H2 ，進而以預定流動速度來形成實質穩定之層流。熟習此項技術者應理解， 可修改及建模(例如，例如建模軟體)上室之尺寸、來自噴射器20之氣體速度、排出入口集管22之氣體之流量剖面、或其任意組合，以最佳化上室52內之氣流，進而於所處理基板之表面提供實質穩定之氣體層流，藉此形成沈積於基板上之實質均勻之材料層。
於一實施例中，上室52(或整個反應室30)之尺寸於操作過程中是固定不變的，且藉由使用建模軟體來預先確定反應空間48之尺寸，而於操作之前確定對上室60之調整。於一實施例中，於處理過程中，上室60為可移動的，例如藉由搭配使用一頂篷嵌件80(如下所述)與一自動化位置控制系統而達成。
於採用錯流式(cross-flow)反應室30(諸如圖2所示之反應室)之實施例中，基板18自正面之上入口70送入反應室30，於此等實施例中，可藉由調整上壁60與第一及第二板56、58之間之相對距離而最佳化反應室30之上室52之體積。熟習此項技術者應理解，不應減小第一高度H1 ，否則基板18將無法載入上室52並設置於基座38上。第一高度H1 應至少大到足以容許透過上入口70插入及移除一末端執行器(圖未示出)。然而，對於基座38的位置較低之反應室(圖未示出)而言，由於基板18設置於基座38上之實質低於第一板56及第二板58的位置處，因此可將第一高度H1 及第二高度H2 減小至第一板56及第二板58幾乎觸及上壁60、但仍於其間保持一較小間隙為止，以容許製程氣體流過上室52。
於一實施例中，藉由使上壁60保持於使第一高度H1 及第二高度H2 保持固定值之預定位置而可調節上室52，並調整噴射器20以修改引入上室52之流動速度及/或流量剖面。調整噴射器20以增大或減小氣體之流動速度，其中氣體經入口集管22流入上室52，並對流經反應室之所得流型進行建模。
於又一實施例中，可藉由調整上壁60相對於第一板56及第二板58之位置以修改第一高度H1 及第二高度H2 以及藉由調整噴射器20來對流過上室52之氣體之流型進行建模，藉此可調節上室52，其中將上室52之體積以及引入上室52之氣體之流動速度及流量剖面最佳化，以形成流過上室52之實質穩定之氣體層流。
於調節用於處理300毫米基板之分流式反應室30之上室52之一例示性製程中，上壁60在第一板56及第二板58上方並與其間隔開，以提供約1.2英吋(3.05公分)之第一高度H1 及第二高度H2 並於相對的側壁64之間提供約17英吋(43.18公分)之寬度W，其中上室52之體積約為590立方英吋(9.67升)。利用約為20公分/秒-25公分/秒之氣體流動速度及上述例示性尺寸進行之流體動力學建模(dynamic modeling)顯示，形成穿過上室52且實質穩定之層流，藉此使於反應室30內處理之基板上之沈積均勻性達到最佳化。於調節用於處理300毫米基板之分流式反應室30之上室52之另一例示性製程中，上壁60在第一板56及第二板58上方並與其間隔開，以提供約0.8英吋(2.03 公分)之第一高度H1 及第二高度H2 並於相對的側壁64之間提供約17英吋(43.18公分)之寬度，其中上室52之體積約為393立方英吋(6.44升)。利用約為20公分/秒-25公分/秒之氣體流動速度及上述例示性尺寸進行之流體動力學建模顯示，形成穿過上室52且實質穩定之層流，藉此使於反應室30內處理之基板上之沈積均勻性達到最佳化。熟習此項技術者應理解，可利用第一高度H1 及第二高度H2 與引入上室52之流動速度及流量剖面之任意組合來形成穿過上室52之實質穩定之氣體層流，以於在反應室30中製作之基板上提供最佳之沈積均勻性。
一旦完成對上室52之建模而使流過上室52之氣體流達到最佳化，因而形成實質穩定之層流以於基板上形成更均勻之沈積，便可將反應室30建造成在建模過程中所確定之尺寸。於反應室30安裝於半導體處理系統10中之後，將噴射器20校準至在建模過程中所確定之設定值，以形成所確定之流動速度及流量剖面。熟習此項技術者應理解，為了使流過上室52之氣體流達到完全最佳化，可能需要對噴射器20進行更精細之調整，以於在反應室30中處理之基板18上形成更均勻之沈積。
於另一實施例中，如圖7所示，將頂篷嵌件80嵌入反應室30之上室52中。頂篷嵌件80為上室52內之反應空間48提供可調整之上邊界。頂篷嵌件80相對於第一板56及第二板58為可移動的。於一實施例中，可手動調整頂篷嵌件80，以改變高度H1 及高度H2 。於另一實施例中，可 藉由一機械調整器(圖未示出)以機械方式調整頂篷嵌件80，以於各基板處理循環之間或於一基板處理循環期間調整頂篷嵌件80。熟習此項技術者將容易瞭解，有許多種不同之機械及/或機電結構及裝置可用於調整頂篷嵌件80之位置以改變高度H1 及高度H2 ，並且在慮及尺寸與出入條件下，則可採用任何此等結構及裝置。頂篷嵌件80為可調整的，以藉由避免來自噴射器20之製程氣體流過頂篷嵌件80與反應室30之上壁60之間來增大或減小上室52之有效體積。藉由調整頂篷嵌件80之相對位置可調節上室52，以使流過反應空間48之氣體流型達到最佳化，進而於入口28與出口32之間形成實質線性之流型。頂篷嵌件80使得能夠針對不同的製程或製程配方而可輕易地調節上室52，而無需製作及安裝全新之反應室30。亦可調整頂篷嵌件80以控制前後及/或左右斜度，使頂篷嵌件80實質不平行於上壁60或第一板56及第二板58。以此方式調整頂篷嵌件80之能力可有助於控制或消除上室52內的製程損耗(process depletion)或其它不對稱效應(asymmetric effects)。
於一實施例中，藉由利用頂篷嵌件80使基板18上之沈積均勻性達到最佳化來調節上室52的步驟包括：於頂篷嵌件80處於第一高度H1 時，處理反應室30內之基板18，以確定基板18上之沈積均勻性。然後，將頂篷嵌件80調整至第二高度H2 ，並處理另一基板18，以確定基板18上之沈積均勻性。可對基板18進行進一步的處理，以進一步使引入反應空間48內之氣體之流動速度及流量剖面達到 最佳化，藉此於在反應室30中處理之基板18上形成更均勻之沈積。熟習此項技術者應理解，一旦確定出能達到完全最佳化之上室52之尺寸及/或形狀，便可將頂篷嵌件80固定(即不可移動的)於反應室30內，或者頂篷嵌件80仍為可調整的，以針對反應室30內之不同製程或配方進行進一步最佳化。熟習此項技術者亦應理解，一旦確定出頂篷嵌件80相對於完全最佳化之上室52之位置，便可製造如下反應室30並將其安裝於半導體處理系統10中：此反應室30具有處於完全最佳化位置之上室52，其中反應室30之上壁60位於頂篷嵌件80之位置上。
雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為准。
10‧‧‧半導體處理系統
12‧‧‧噴射器總成
14‧‧‧反應室總成
16‧‧‧排氣口總成
18‧‧‧基板
20‧‧‧噴射器
22‧‧‧進氣集管
24‧‧‧第一氣體管線
26‧‧‧第二氣體管線
28‧‧‧入口
30‧‧‧反應室
32‧‧‧出口
34‧‧‧基板支撐總成
36‧‧‧基座環總成
38‧‧‧基座
40‧‧‧基座支撐構件
42‧‧‧管子
44‧‧‧基座環
46‧‧‧基座環支架
48‧‧‧反應空間
50‧‧‧凸緣
52‧‧‧上室
54‧‧‧下室
56‧‧‧第一板
58‧‧‧第二板
60‧‧‧上壁
62‧‧‧下壁
64‧‧‧側壁
66‧‧‧突沿
68‧‧‧擋板
70‧‧‧上入口
72‧‧‧下入口
80‧‧‧頂篷嵌件
H1 ‧‧‧高度
H2 ‧‧‧高度
W‧‧‧寬度
圖1是一半導體處理系統之立體圖。
圖2是圖1之半導體處理系統之一部分之側面剖視圖。
圖3是圖2之半導體處理系統之一部分之俯視圖。
圖4是反應室之一實施例之仰視立體圖。
圖5是圖4之反應室之俯視立體圖。
圖6是沿圖3之線6-6' 之反應室的側面剖視圖。
圖7是半導體處理系統之另一實施例之側面剖視圖。
28‧‧‧入口
30‧‧‧反應室
32‧‧‧出口
50‧‧‧凸緣
52‧‧‧上室
54‧‧‧下室
56‧‧‧第一板
60‧‧‧上壁
62‧‧‧下壁
66‧‧‧突沿
70‧‧‧上入口
72‧‧‧下入口

Claims (33)

  1. 一種反應室，包括：上室，具有上壁；第一入口，與所述上室流體連通，所述第一入口經配置以容許至少一種氣體引入所述上室；下室，具有下壁，所述下室與所述上室流體連通；基板支撐件，經配置以將一基板支撐於低於所述上壁的位置處；板，與所述基板支撐件分開，且用於分隔所述上室之至少一部分與所述下室之至少一部分，所述板與所述上壁間隔開，且所述板與所述下壁間隔開；以及出口，與所述第一入口相對地設置，反應空間位於所述第一入口與所述出口之間；其中藉由相對於所述板而調整所述上壁的垂直位置可調節所述上室，以及其中所述上室、所述第一入口與所述出口經配置以於所述第一入口與所述出口之間形成平行於所述上壁與所述板的氣體水平層流。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之反應室，其中頂篷嵌件設置於所述板與所述上壁之間，且所述頂篷嵌件為可調整的，以最佳化所述尺寸。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之反應室，其中所述頂篷嵌件可藉由手動調整來調整。
  4. 如申請專利範圍第2項所述之反應室，其中所述頂篷嵌件可藉由機械方式來調整。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之反應室，其中利用建模程式，藉由預先確定所述尺寸而調節所述上室。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之反應室，其中所述反應室經配置，以使引入所述下室之氣體之至少一部分流入所述上室。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之反應室，其中所述上壁在處理過程中是可移動的。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之反應室，其中所述上壁包括石英。
  9. 一種方法，使在半導體處理工具的反應器中之基板上的沈積均勻性達到最佳化，所述方法包括：提供分流式反應室，所述分流式反應室包括上室及下室，所述上室及所述下室藉由板而至少部分地隔開，將氣體引入所述上室與所述下室中；提供位於所述分流式反應室內之基座，所述基座與所述板分開，其中所述基座設置於所述上室與所述下室之間，且所述基座經配置以支撐至少一個基板；以及調節所述分流式反應室之尺寸，以於所述上室內形成實質穩定之氣體層流。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之方法，其中調節所述分流式反應室包括：對所述分流式反應室進行建模，以預先確定所述反應室之尺寸，進而形成流過所述反應室之實質層流。
  11. 如申請專利範圍第9項所述之方法，其中所述調節 步驟包括調整界定出所述上室之至少一個壁，以形成流過所述上室之實質層流。
  12. 如申請專利範圍第9項所述之方法，更包括將頂篷嵌件嵌入所述上室之所述板與所述上壁之間，所述頂篷嵌件為可調整的，以最佳化所述板與反應空間之上邊界之間的距離，其中所述反應空間位於所述上室內。
  13. 一種反應室，包括：上壁、下壁以及一對相對的側壁，所述一對相對的側壁連接所述上壁與所述下壁，以於其中界定出反應空間；入口，位於所述反應空間之一端；出口，位於所述反應空間之相對端；以及其中藉由相對於所述下壁而調整所述上壁的垂直位置可調節流過所述反應空間之至少一種氣體之速度，以及其中所述反應空間、所述入口與所述出口經配置以形成流過所述反應空間之所述至少一種氣體的平行於所述上壁與所述下壁之水平層流。
  14. 如申請專利範圍第13項所述之反應室，其中所述上壁、所述下壁以及所述相對的側壁在操作過程中彼此相對固定，並且於操作之前，利用建模軟體確定所述上壁相對於所述下壁之調整，以預先確定所述反應空間之尺寸。
  15. 如申請專利範圍第13項所述之反應室，其中於處理過程中所述上壁為可移動的，以使所述上壁相對於所述下壁為可調整的，進而形成流過所述反應空間之所述至少一種氣體之水平層流。
  16. 如申請專利範圍第13項所述之反應室，其中所述上壁包括石英。
  17. 一種反應室，包括：基板支撐件，經配置以支撐一基板；反應空間，可將所述基板支撐於所述反應空間中的所述基板支撐件上，所述反應空間具有形成於上壁與板之間的體積，所述板與所述基板支撐件分開；入口，至少一種氣體透過所述入口引入所述反應空間中；出口，所述反應空間內之氣體透過所述出口排出所述反應空間；以及其中藉由相對於所述反應空間的下壁而調整所述反應空間的所述上壁的垂直高度可調節所述體積，以及其中所述反應空間、所述入口與所述出口經配置以提供流過所述反應空間之平行於所述上壁與所述下壁的氣體水平層流。
  18. 如申請專利範圍第17項所述之反應室，其中所述上壁包括石英。
  19. 一種反應室，包括由第一壁、第二壁、相對的側壁、入口以及出口所界定之體積，所述體積至少部分被板與基板支撐件分成上室與下室，其中所述入口位於所述第一壁及所述第二壁之一端以及所述出口位於所述第一壁及所述第二壁之相對端，其中氣體可以第一流動速度及第一流量剖面流過所述體積，並且其中所述第一壁為可調整的，以 改變所述體積，且所述體積之此種改變引起所述第一速度及所述第一流量剖面之相應增大或減小，進而得到流過所述體積之所述氣體之第二速度及第二流量剖面，且流過所述體積之所述氣體之所述第二速度及所述第二流量剖面於所述入口與所述出口之間提供實質穩定之氣體層流。
  20. 如申請專利範圍第19項所述之反應室，其中所述第一壁、所述第二壁及所述相對的側壁於操作過程中彼此相對固定，且於操作之前利用建模軟體調整所述第一壁。
  21. 如申請專利範圍第19項所述之反應室，其中於處理過程中所述第一壁為可移動的，以改變所述體積。
  22. 如申請專利範圍第19項所述之反應室，其中所述第二速度約為5公分/秒至100公分/秒。
  23. 如申請專利範圍第19項所述之反應室，其中所述第二速度約為20公分/秒至25公分/秒。
  24. 一種反應室，包括：反應空間，由一寬度、一長度及一垂直高度所界定，所述垂直高度由室的上壁與下壁所界定，其中板與基板支撐件位於所述上壁與所述下壁之間以形成上室與下室；控制器，經配置以形成氣體之氣體流動速度，其中所述氣體可流過所述反應空間；以及其中所述垂直高度為可調整的，以及其中所述反應空間經配置以形成平行於所述反應空間之所述上壁與所述下壁之所述氣體之水平層流。
  25. 如申請專利範圍第24項所述之反應室，其中可增 大或可減小所述氣體流動速度，以提供平行於所述反應空間之所述上壁與所述下壁之所述氣體之水平層流。
  26. 如申請專利範圍第24項所述之反應室，其中所述高度約為2.16公分，所述長度約為63公分，且所述寬度約為27.8公分。
  27. 如申請專利範圍第26項所述之反應室，其中所述氣體之所述氣體流動速度介於約10公分/秒與18公分/秒之間。
  28. 如申請專利範圍第26項所述之反應室，其中所述氣體之所述氣體流動速度約為14公分/秒。
  29. 如申請專利範圍第24項所述之反應室，其中所述高度約為1.2英吋，所述長度約為29.87英吋，所述寬度約為17英吋，且流過所述反應空間之所述氣體流動速度約為22.5公分/秒。
  30. 如申請專利範圍第24項所述之反應室，其中所述氣體之所述氣體流動速度介於約15公分/秒與40公分/秒之間。
  31. 如申請專利範圍第24項所述之反應室，其中所述氣體之所述氣體流動速度約為22.5公分/秒。
  32. 一種用於調節反應室之方法，包括：提供由一寬度、一長度及一垂直高度所界定之反應空間，所述垂直高度由室的上壁與下壁所界定，其中板與基板支撐件位於所述上壁與所述下壁之間以形成上室與下室； 以一氣體流動速度，將至少一種氣體引入所述反應空間中；以及調整所述垂直高度，以提供平行於所述反應空間之所述上壁與所述下壁之所述至少一種氣體之水平層流。
  33. 一種反應室，包括：上壁；下壁，所述上壁與所述下壁以第一距離間隔開；一對相對的側壁，連接所述上壁與所述下壁，以於其中界定出反應空間，所述相對的側壁以第二距離間隔開；入口，位於所述反應空間之一端；以及出口，位於所述反應空間之相對端，所述入口與所述出口以第三距離間隔開；其中利用建模軟體選擇所述第一距離、所述第二距離及所述第三距離，以形成流過所述反應空間之至少一種氣體之實質穩定之層流。
TW098137301A 2008-11-07 2009-11-03 反應室 TWI490919B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US11260408P 2008-11-07 2008-11-07

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201023250A TW201023250A (en) 2010-06-16
TWI490919B true TWI490919B (zh) 2015-07-01

Family

ID=42153505

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW098137301A TWI490919B (zh) 2008-11-07 2009-11-03 反應室

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20100116207A1 (zh)
EP (1) EP2353176A4 (zh)
KR (1) KR101714660B1 (zh)
CN (1) CN102203910B (zh)
TW (1) TWI490919B (zh)
WO (1) WO2010053866A2 (zh)

Families Citing this family (366)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8067061B2 (en) * 2007-10-25 2011-11-29 Asm America, Inc. Reaction apparatus having multiple adjustable exhaust ports
US10378106B2 (en) 2008-11-14 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming insulation film by modified PEALD
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
KR101685629B1 (ko) * 2011-04-29 2016-12-12 한국에이에스엠지니텍 주식회사 수평 흐름 원자층 증착 장치
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US10364496B2 (en) 2011-06-27 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Dual section module having shared and unshared mass flow controllers
US10854498B2 (en) 2011-07-15 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Wafer-supporting device and method for producing same
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US20130052806A1 (en) * 2011-08-22 2013-02-28 Soitec Deposition systems having access gates at desirable locations, and related methods
US9644285B2 (en) 2011-08-22 2017-05-09 Soitec Direct liquid injection for halide vapor phase epitaxy systems and methods
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
US9659799B2 (en) 2012-08-28 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US9589770B2 (en) 2013-03-08 2017-03-07 Asm Ip Holding B.V. Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species
US9484191B2 (en) 2013-03-08 2016-11-01 Asm Ip Holding B.V. Pulsed remote plasma method and system
US9240412B2 (en) 2013-09-27 2016-01-19 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US9657845B2 (en) 2014-10-07 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Variable conductance gas distribution apparatus and method
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
KR102263121B1 (ko) 2014-12-22 2021-06-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 및 그 제조 방법
US10529542B2 (en) * 2015-03-11 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Cross-flow reactor and method
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10145011B2 (en) 2015-03-30 2018-12-04 Globalwafers Co., Ltd. Substrate processing systems having multiple gas flow controllers
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10600673B2 (en) 2015-07-07 2020-03-24 Asm Ip Holding B.V. Magnetic susceptor to baseplate seal
US10083836B2 (en) 2015-07-24 2018-09-25 Asm Ip Holding B.V. Formation of boron-doped titanium metal films with high work function
US9960072B2 (en) 2015-09-29 2018-05-01 Asm Ip Holding B.V. Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US10322384B2 (en) 2015-11-09 2019-06-18 Asm Ip Holding B.V. Counter flow mixer for process chamber
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10468251B2 (en) 2016-02-19 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning
US10501866B2 (en) 2016-03-09 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system
US10343920B2 (en) 2016-03-18 2019-07-09 Asm Ip Holding B.V. Aligned carbon nanotubes
US9892913B2 (en) 2016-03-24 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Radial and thickness control via biased multi-port injection settings
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
WO2017189135A1 (en) * 2016-04-25 2017-11-02 Applied Materials, Inc. Chemical delivery chamber for self-assembled monolayer processes
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
KR102592471B1 (ko) 2016-05-17 2023-10-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10388509B2 (en) 2016-06-28 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Formation of epitaxial layers via dislocation filtering
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
KR102354490B1 (ko) 2016-07-27 2022-01-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10395919B2 (en) 2016-07-28 2019-08-27 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US10410943B2 (en) 2016-10-13 2019-09-10 Asm Ip Holding B.V. Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10643904B2 (en) 2016-11-01 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10435790B2 (en) 2016-11-01 2019-10-08 Asm Ip Holding B.V. Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap
US10134757B2 (en) 2016-11-07 2018-11-20 Asm Ip Holding B.V. Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US10340135B2 (en) 2016-11-28 2019-07-02 Asm Ip Holding B.V. Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride
KR102762543B1 (ko) 2016-12-14 2025-02-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
KR102700194B1 (ko) 2016-12-19 2024-08-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10283353B2 (en) 2017-03-29 2019-05-07 Asm Ip Holding B.V. Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10446393B2 (en) 2017-05-08 2019-10-15 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10504742B2 (en) 2017-05-31 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using hydrogen plasma
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
CN107385417A (zh) * 2017-06-16 2017-11-24 南京工业大学 一种反应腔导流装置
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10312055B2 (en) 2017-07-26 2019-06-04 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing film by PEALD using negative bias
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10605530B2 (en) 2017-07-26 2020-03-31 Asm Ip Holding B.V. Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace
TWI815813B (zh) 2017-08-04 2023-09-21 荷蘭商Ａｓｍ智慧財產控股公司 用於分配反應腔內氣體的噴頭總成
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
USD900036S1 (en) 2017-08-24 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10607895B2 (en) 2017-09-18 2020-03-31 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
CN111344522B (zh) 2017-11-27 2022-04-12 阿斯莫Ip控股公司 包括洁净迷你环境的装置
US11127617B2 (en) 2017-11-27 2021-09-21 Asm Ip Holding B.V. Storage device for storing wafer cassettes for use with a batch furnace
US10290508B1 (en) 2017-12-05 2019-05-14 Asm Ip Holding B.V. Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TWI852426B (zh) 2018-01-19 2024-08-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沈積方法
KR102695659B1 (ko) 2018-01-19 2024-08-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 플라즈마 보조 증착에 의해 갭 충진 층을 증착하는 방법
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
US10535516B2 (en) 2018-02-01 2020-01-14 Asm Ip Holdings B.V. Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
EP3737779A1 (en) 2018-02-14 2020-11-18 ASM IP Holding B.V. A method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10658181B2 (en) 2018-02-20 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
US10510536B2 (en) 2018-03-29 2019-12-17 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
KR102600229B1 (ko) 2018-04-09 2023-11-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 장치, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
TWI811348B (zh) 2018-05-08 2023-08-11 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
US12272527B2 (en) 2018-05-09 2025-04-08 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for use with hydrogen radicals and method of using same
TWI879056B (zh) 2018-05-11 2025-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於基板上形成摻雜金屬碳化物薄膜之方法及相關半導體元件結構
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
TWI840362B (zh) 2018-06-04 2024-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
JP7515411B2 (ja) 2018-06-27 2024-07-12 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 金属含有材料ならびに金属含有材料を含む膜および構造体を形成するための周期的堆積方法
TWI871083B (zh) 2018-06-27 2025-01-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於形成含金屬材料之循環沉積製程
KR102686758B1 (ko) 2018-06-29 2024-07-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US10483099B1 (en) 2018-07-26 2019-11-19 Asm Ip Holding B.V. Method for forming thermally stable organosilicon polymer film
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
KR102707956B1 (ko) 2018-09-11 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344B (zh) 2018-10-01 2024-10-25 Asmip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US10381219B1 (en) 2018-10-25 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film
US12378665B2 (en) 2018-10-26 2025-08-05 Asm Ip Holding B.V. High temperature coatings for a preclean and etch apparatus and related methods
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR102748291B1 (ko) 2018-11-02 2024-12-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10559458B1 (en) 2018-11-26 2020-02-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming oxynitride film
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
TWI874340B (zh) 2018-12-14 2025-03-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統
TWI866480B (zh) 2019-01-17 2024-12-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ 私人控股有限公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR102727227B1 (ko) 2019-01-22 2024-11-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
TWI845607B (zh) 2019-02-20 2024-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
TWI838458B (zh) 2019-02-20 2024-04-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於3d nand應用中之插塞填充沉積之設備及方法
TWI873122B (zh) 2019-02-20 2025-02-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR102782593B1 (ko) 2019-03-08 2025-03-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
US11742198B2 (en) 2019-03-08 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOCN layer and method of forming same
KR102858005B1 (ko) 2019-03-08 2025-09-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200116033A (ko) 2019-03-28 2020-10-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치
KR102809999B1 (ko) 2019-04-01 2025-05-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR102869364B1 (ko) 2019-05-07 2025-10-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP7598201B2 (ja) 2019-05-16 2024-12-11 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP7612342B2 (ja) 2019-05-16 2025-01-14 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR20200141931A (ko) 2019-06-10 2020-12-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 석영 에피택셜 챔버를 세정하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR102895115B1 (ko) 2019-07-16 2025-12-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102860110B1 (ko) 2019-07-17 2025-09-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
CN112242295B (zh) 2019-07-19 2025-12-09 Asmip私人控股有限公司 形成拓扑受控的无定形碳聚合物膜的方法
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
KR20210015655A (ko) 2019-07-30 2021-02-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 방법
CN112309899B (zh) 2019-07-30 2025-11-14 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309900B (zh) 2019-07-30 2025-11-04 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
KR20210018759A (ko) 2019-08-05 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서
KR20210018761A (ko) 2019-08-09 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 냉각 장치를 포함한 히터 어셈블리 및 이를 사용하는 방법
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR102806450B1 (ko) 2019-09-04 2025-05-12 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR102733104B1 (ko) 2019-09-05 2024-11-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US12469693B2 (en) 2019-09-17 2025-11-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a carbon-containing layer and structure including the layer
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
TW202128273A (zh) 2019-10-08 2021-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氣體注入系統、及將材料沉積於反應室內之基板表面上的方法
TWI846953B (zh) 2019-10-08 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理裝置
KR102879443B1 (ko) 2019-10-10 2025-11-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR102845724B1 (ko) 2019-10-21 2025-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR102890638B1 (ko) 2019-11-05 2025-11-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR102861314B1 (ko) 2019-11-20 2025-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
CN112951697B (zh) 2019-11-26 2025-07-29 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
US11450529B2 (en) 2019-11-26 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface
CN112885693B (zh) 2019-11-29 2025-06-10 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692B (zh) 2019-11-29 2025-08-15 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN113025995B (zh) * 2019-12-09 2023-05-09 苏州新材料研究所有限公司 一种mocvd反应系统
JP7703317B2 (ja) 2019-12-17 2025-07-07 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化バナジウム層および窒化バナジウム層を含む構造体を形成する方法
KR20210080214A (ko) 2019-12-19 2021-06-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
TWI887322B (zh) 2020-01-06 2025-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 反應器系統、抬升銷、及處理方法
JP7730637B2 (ja) 2020-01-06 2025-08-28 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ガス供給アセンブリ、その構成要素、およびこれを含む反応器システム
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR102882467B1 (ko) 2020-01-16 2025-11-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고 종횡비 피처를 형성하는 방법
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TWI889744B (zh) 2020-01-29 2025-07-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 污染物捕集系統、及擋板堆疊
TWI871421B (zh) 2020-02-03 2025-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 包括釩或銦層的裝置、結構及其形成方法、系統
KR20210100010A (ko) 2020-02-04 2021-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
KR20210103956A (ko) 2020-02-13 2021-08-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 수광 장치를 포함하는 기판 처리 장치 및 수광 장치의 교정 방법
TW202146691A (zh) 2020-02-13 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氣體分配總成、噴淋板總成、及調整至反應室之氣體的傳導率之方法
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TWI895326B (zh) 2020-02-28 2025-09-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 專用於零件清潔的系統
KR20210113043A (ko) 2020-03-04 2021-09-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 정렬 고정구
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
KR102775390B1 (ko) 2020-03-12 2025-02-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법
US12173404B2 (en) 2020-03-17 2024-12-24 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing epitaxial material, structure formed using the method, and system for performing the method
KR102755229B1 (ko) 2020-04-02 2025-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TWI887376B (zh) 2020-04-03 2025-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 半導體裝置的製造方法
TWI888525B (zh) 2020-04-08 2025-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
KR20210128343A (ko) 2020-04-15 2021-10-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
TW202143328A (zh) 2020-04-21 2021-11-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於調整膜應力之方法
TW202208671A (zh) 2020-04-24 2022-03-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括硼化釩及磷化釩層的結構之方法
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
CN113555279A (zh) 2020-04-24 2021-10-26 Asm Ip私人控股有限公司 形成含氮化钒的层的方法及包含其的结构
KR102866804B1 (ko) 2020-04-24 2025-09-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리
KR20210132612A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 화합물들을 안정화하기 위한 방법들 및 장치
KR102783898B1 (ko) 2020-04-29 2025-03-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
JP7726664B2 (ja) 2020-05-04 2025-08-20 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板を処理するための基板処理システム
JP7736446B2 (ja) 2020-05-07 2025-09-09 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同調回路を備える反応器システム
KR102788543B1 (ko) 2020-05-13 2025-03-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202146699A (zh) 2020-05-15 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統
TW202147383A (zh) 2020-05-19 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備
KR102795476B1 (ko) 2020-05-21 2025-04-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
KR20210145079A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판을 처리하기 위한 플랜지 및 장치
KR102702526B1 (ko) 2020-05-22 2024-09-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치
TW202212650A (zh) 2020-05-26 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積含硼及鎵的矽鍺層之方法
TWI876048B (zh) 2020-05-29 2025-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202212620A (zh) 2020-06-02 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法
TW202208659A (zh) 2020-06-16 2022-03-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積含硼之矽鍺層的方法
KR20210158809A (ko) 2020-06-24 2021-12-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘이 구비된 층을 형성하는 방법
TWI873359B (zh) 2020-06-30 2025-02-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TWI896694B (zh) 2020-07-01 2025-09-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積方法、半導體結構、及沉積系統
KR102707957B1 (ko) 2020-07-08 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
KR20220010438A (ko) 2020-07-17 2022-01-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법
TWI878570B (zh) 2020-07-20 2025-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
KR20220011092A (ko) 2020-07-20 2022-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 전이 금속층을 포함하는 구조체를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US12322591B2 (en) 2020-07-27 2025-06-03 Asm Ip Holding B.V. Thin film deposition process
KR20220021863A (ko) 2020-08-14 2022-02-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
TW202228863A (zh) 2020-08-25 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 清潔基板的方法、選擇性沉積的方法、及反應器系統
US11725280B2 (en) 2020-08-26 2023-08-15 Asm Ip Holding B.V. Method for forming metal silicon oxide and metal silicon oxynitride layers
TW202229601A (zh) 2020-08-27 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、裝置結構、及基板處理系統
KR20220033997A (ko) 2020-09-10 2022-03-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 갭 충진 유체를 증착하기 위한 방법 그리고 이와 관련된 시스템 및 장치
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
KR20220036866A (ko) 2020-09-16 2022-03-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 산화물 증착 방법
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
TWI889903B (zh) 2020-09-25 2025-07-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
KR20220045900A (ko) 2020-10-06 2022-04-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치
CN114293174A (zh) 2020-10-07 2022-04-08 Asm Ip私人控股有限公司 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
KR102873665B1 (ko) 2020-10-15 2025-10-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자의 제조 방법, 및 ether-cat을 사용하는 기판 처리 장치
TW202217037A (zh) 2020-10-22 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202229620A (zh) 2020-11-12 2022-08-01 特文特大學 沉積系統、用於控制反應條件之方法、沉積方法
TW202229795A (zh) 2020-11-23 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 具注入器之基板處理設備
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
KR20220076343A (ko) 2020-11-30 2022-06-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터
US12255053B2 (en) 2020-12-10 2025-03-18 Asm Ip Holding B.V. Methods and systems for depositing a layer
TW202233884A (zh) 2020-12-14 2022-09-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成臨限電壓控制用之結構的方法
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202232639A (zh) 2020-12-18 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 具有可旋轉台的晶圓處理設備
TW202242184A (zh) 2020-12-22 2022-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 前驅物膠囊、前驅物容器、氣相沉積總成、及將固態前驅物裝載至前驅物容器中之方法
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
TW202226899A (zh) 2020-12-22 2022-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 具匹配器的電漿處理裝置
TWI771939B (zh) * 2021-03-04 2022-07-21 漢民科技股份有限公司 前驅物循環式原子層沉積設備與方法
TWI859426B (zh) * 2021-03-08 2024-10-21 凌嘉科技股份有限公司 基板製程設備
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate
USD1099184S1 (en) 2021-11-29 2025-10-21 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1060598S1 (en) 2021-12-03 2025-02-04 Asm Ip Holding B.V. Split showerhead cover
CN114457321B (zh) * 2022-01-21 2023-03-28 深圳市纳设智能装备有限公司 一种进气装置及cvd设备
CN114457323B (zh) * 2022-04-12 2022-08-02 成都纽曼和瑞微波技术有限公司 一种反应腔装置及微波等离子体气相沉积系统
CN116949426A (zh) * 2022-04-19 2023-10-27 中微半导体设备(上海)股份有限公司 一种基片处理装置及腔室内衬

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6093252A (en) * 1995-08-03 2000-07-25 Asm America, Inc. Process chamber with inner support
US20010018272A1 (en) * 2000-01-26 2001-08-30 Hiroshi Haji Plasma treatment apparatus and method
JP2005116689A (ja) * 2003-10-06 2005-04-28 Sharp Corp 気相成長方法および気相成長装置
WO2008101982A1 (de) * 2007-02-24 2008-08-28 Aixtron Ag Vorrichtung und verfahren zum abscheiden kristalliner schichten wahlweise mittels mocvd oder hvpe

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4846102A (en) * 1987-06-24 1989-07-11 Epsilon Technology, Inc. Reaction chambers for CVD systems
US5032205A (en) * 1989-05-05 1991-07-16 Wisconsin Alumni Research Foundation Plasma etching apparatus with surface magnetic fields
US5077875A (en) * 1990-01-31 1992-01-07 Raytheon Company Reactor vessel for the growth of heterojunction devices
JP3038524B2 (ja) * 1993-04-19 2000-05-08 コマツ電子金属株式会社 半導体製造装置
JPH07147236A (ja) * 1993-11-25 1995-06-06 Sony Corp 有機金属化学気相成長法
US5573566A (en) * 1995-05-26 1996-11-12 Advanced Semiconductor Materials America, Inc. Method of making a quartz dome reactor chamber
JP3917237B2 (ja) * 1997-05-20 2007-05-23 東京エレクトロン株式会社 レジスト膜形成方法
KR20010031714A (ko) * 1997-11-03 2001-04-16 러셀 엔. 페어뱅크스, 쥬니어 수명이 긴 고온 공정 챔버
US20030164225A1 (en) * 1998-04-20 2003-09-04 Tadashi Sawayama Processing apparatus, exhaust processing process and plasma processing
JP3132489B2 (ja) * 1998-11-05 2001-02-05 日本電気株式会社 化学的気相成長装置及び薄膜成膜方法
US6143079A (en) * 1998-11-19 2000-11-07 Asm America, Inc. Compact process chamber for improved process uniformity
DE10057134A1 (de) * 2000-11-17 2002-05-23 Aixtron Ag Verfahren zum Abscheiden von insbesondere kristallinen Schichten sowie Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens
US20030037723A9 (en) * 2000-11-17 2003-02-27 Memc Electronic Materials, Inc. High throughput epitaxial growth by chemical vapor deposition
JP4765169B2 (ja) * 2001-01-22 2011-09-07 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置と熱処理方法
US6626997B2 (en) * 2001-05-17 2003-09-30 Nathan P. Shapiro Continuous processing chamber
KR100413482B1 (ko) * 2001-06-12 2003-12-31 주식회사 하이닉스반도체 화학적 강화제(ｃｅ) 처리 챔버
US6820570B2 (en) * 2001-08-15 2004-11-23 Nobel Biocare Services Ag Atomic layer deposition reactor
US20050028933A1 (en) * 2001-12-20 2005-02-10 Jean-Pierre Voigtmann Device for treating objects by plasma deposition
US20030116432A1 (en) * 2001-12-26 2003-06-26 Applied Materials, Inc. Adjustable throw reactor
US20050011459A1 (en) * 2003-07-15 2005-01-20 Heng Liu Chemical vapor deposition reactor
US7108753B2 (en) * 2003-10-29 2006-09-19 Asm America, Inc. Staggered ribs on process chamber to reduce thermal effects
US7169233B2 (en) * 2003-11-21 2007-01-30 Asm America, Inc. Reactor chamber
US20060062914A1 (en) * 2004-09-21 2006-03-23 Diwakar Garg Apparatus and process for surface treatment of substrate using an activated reactive gas
JP2006176826A (ja) * 2004-12-22 2006-07-06 Canon Anelva Corp 薄膜処理装置
DE102006018515A1 (de) * 2006-04-21 2007-10-25 Aixtron Ag CVD-Reaktor mit absenkbarer Prozesskammerdecke
US20100000470A1 (en) * 2008-07-02 2010-01-07 Asm Japan K.K. Wafer-positioning mechanism

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6093252A (en) * 1995-08-03 2000-07-25 Asm America, Inc. Process chamber with inner support
US20010018272A1 (en) * 2000-01-26 2001-08-30 Hiroshi Haji Plasma treatment apparatus and method
JP2005116689A (ja) * 2003-10-06 2005-04-28 Sharp Corp 気相成長方法および気相成長装置
WO2008101982A1 (de) * 2007-02-24 2008-08-28 Aixtron Ag Vorrichtung und verfahren zum abscheiden kristalliner schichten wahlweise mittels mocvd oder hvpe

Also Published As

Publication number Publication date
TW201023250A (en) 2010-06-16
US20100116207A1 (en) 2010-05-13
WO2010053866A2 (en) 2010-05-14
KR101714660B1 (ko) 2017-03-22
CN102203910B (zh) 2014-12-10
WO2010053866A3 (en) 2010-08-19
KR20110088544A (ko) 2011-08-03
EP2353176A2 (en) 2011-08-10
CN102203910A (zh) 2011-09-28
EP2353176A4 (en) 2013-08-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI490919B (zh) 反應室
US11555246B2 (en) Substrate processing apparatus and method of manufacturing semiconductor device
US12180589B2 (en) Showerhead for process tool
TWI675936B (zh) 氣體分配系統、包含該系統的反應器、以及使用該系統和反應器的方法
US9551069B2 (en) Reaction apparatus having multiple adjustable exhaust ports
CN115867692A (zh) 用于晶片弯曲补偿的背面沉积和局部应力调节
CN112136206A (zh) 具有气隙隔离充气室的喷头和高架式隔离气体分配器
TW201423902A (zh) 半導體反應室之噴淋頭
US20040231588A1 (en) System and method for preferential chemical vapor deposition
CN116334590A (zh) 反应腔室的进气机构、反应腔室及外延生长设备
CN116411258B (zh) 一种薄膜处理装置及其方法
CN116397214B (zh) 一种薄膜处理装置
WO2019124099A1 (ja) 成膜装置
KR20120082369A (ko) 기판 처리 장치
JP2745316B2 (ja) 化学蒸着反応器用ガス注入装置
CN110400768B (zh) 反应腔室
TWI502096B (zh) 用於化學氣相沉積的反應裝置及反應製程
CN116508141A (zh) 用于输送气体至工艺腔室的设备及系统
JP4255237B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
KR100795487B1 (ko) 층류유동제어장치 및 이를 구비한 화학기상증착반응기
CN223688445U (zh) 薄膜应力的调整装置和半导体器件的工艺设备
CN120443149A (zh) 一种半导体生产设备及其控制方法、控制装置
TW202526084A (zh) 進氣組件及氣相沉積設備
JPH0971866A (ja) 減圧ｃｖｄ装置
JP2024530499A (ja) アトミック・レイヤー・デポジッション・リアクション・チャンバおよびアトミック・レイヤー・デポジッション・リアクタ