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TWI486399B - An adhesive sheet containing a phosphor, and a method of manufacturing the same - Google Patents

An adhesive sheet containing a phosphor, and a method of manufacturing the same Download PDF

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TWI486399B
TWI486399B TW097113030A TW97113030A TWI486399B TW I486399 B TWI486399 B TW I486399B TW 097113030 A TW097113030 A TW 097113030A TW 97113030 A TW97113030 A TW 97113030A TW I486399 B TWI486399 B TW I486399B
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TW
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group
sio
composition
phosphor
unit
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TW097113030A
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English (en)
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TW200906974A (en
Inventor
Tsutomu Kashiwagi
Toshio Shiobara
Original Assignee
Shinetsu Chemical Co
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Publication date
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Description

含螢光體之黏著性薄片、及使用其之發光裝置的製造方法
本發明係關於一種以配置於LED晶片表面，進行黏著，可使LED的藍色光及紫外光變換之未硬化狀態(亦即非加熱處理下)，在室溫下為固體或半固體之附加硬化型含螢光體的黏著性聚矽氧組成物、由該組成物所構成之薄片、加熱硬化該薄片所得到之薄片狀硬化物、利用該聚矽氧組成物薄片之發光裝置的製造方法、以及發光裝置。
在發光二極體(LED)的領域中使用螢光體用以變換波長係已為人知(專利文獻1)。聚矽氧樹脂係耐光性優故用以密封、保護LED晶片被覆之材料已備受矚目(專利文獻2)
一般，在白色LED中係藉由以分散螢光體之聚矽氧樹脂或環氧樹脂被覆LED晶片等之方法使螢光體分散於晶片附近而使藍色光變換成擬似白色光。但，在螢光體之樹脂層中的分散不均一，或偏向一方，故易引起色偏差，為製作均一的白色光係必須螢光體均一地分散於被覆樹脂層中。因此，已研究網版印刷、或使螢光體藉沉澱進行分散之方法等，但有製造步驟複雜化，或所得到之安定化的程度不充分之問題。因此，尋求使螢光體均一地分散於晶片表面的容易技術。
又，在LED等之中係於被覆LED晶片之樹脂層亦尋 求高的耐熱性、耐紫外線性等。進一步，若以習知之製造裝置形成如此之樹脂層，佳。
[專利文獻1]特表2005－524737[專利文獻2]特開2004－339482號公報
 (發明之揭示)
因此，本發明之課題係螢光體均一地分散，而且其分散狀態長時間安定，在室溫下、以未硬化狀態為固體乃至半固體，故為容易處理之加成硬化型黏著性聚矽氧組成物、由該組成物所構成，且可使用習知之組裝裝置而容易地形成於LED晶片的表面上之黏著性聚矽氧組成物薄片。進一步課題亦提供使用該薄片而於含螢光體之硬化聚矽氧樹脂層被覆LED晶片的表面之LED發光裝置的製造方法。
本發明第一係提供一種加成硬化型黏著性聚矽氧組成物，其係含有 (A)樹脂構造之有機聚矽氧烷，其係含有R1 SiO1.5 單元、R2 2 SiO單元、及R3 a R4 b SiO(4－a－b)/2 單元所構成(此處R1 、R2 及R3 係獨立地表示羥基、甲基、乙基、丙基、環己基、或苯基，R4 係獨立地表示乙烯基或烯丙基；a為 0、1或2，b為1或2，且a＋b為2或3)，上述R2 2 SiO單元的至少一部分為連續而重複，其重複數目為5~50個的構造；(B)樹脂構造之有機氫聚矽氧烷，其係含有由R1 SiO1.5 單元、R2 2 SiO單元、及R3 c Hd SiO(4－c－d)/2 單元所構成(此處R1 、R2 及R3 係獨立地如上述般；c為0、1或2，d為1或2，且c＋d為2或3)，且 上述R2 2 SiO單元的至少一部分為連續而重複，其重複數目為5~50個的構造：結合於(B)成分中之矽原子的氫原子對(A)成分中之乙烯基及烯丙基的合計就莫耳比為0.1~4.0之量；(C)鉑族金屬系觸媒：有效量；及(D)螢光體；且在室溫下為固體狀或半固體狀。
在上述黏著性聚矽氧組成物中係(A)成分及(B)成分之一者或兩者含有矽烷醇基者，就該組成物之黏著性成為良好之點，佳。
本發明第二係提供一種使上述加成硬化型聚矽氧組成物成形為薄片狀之黏著性聚矽氧組成物薄片。
具有如下優點：使該聚矽氧組成物薄片硬化所得到之薄片狀硬化物係為硬質樹脂同時為可撓性優，表面之沾黏性少，而且亦可以習知之成型裝置容易地形成。
因此，本發明第三係提供一種可使上述之黏著性聚矽氧組成物薄片加熱硬化所得到之400 nm至可見光區域之 光透過率為90%以上的層狀硬化物。
該層狀硬化物係具有透明性高且於其內部螢光體均一地分散，而且其分散性之安定性高之優點，故可用來作為形成於LED晶片表面之封裝體或被覆。
是故，本發明第四係提供一種發光裝置的製造方法，其係具有被覆LED晶片，該被覆LED晶片係於LED晶片之表面配置上述之黏著性聚矽氧組成物薄片，使該組成物薄片加熱硬化而以含螢光體之硬化聚矽氧樹脂層被覆前述的表面。
在此發明中係於LED晶片之表面配置組成物薄片，至少其表面以硬化聚矽氧樹脂層被覆。不僅半導體晶片的表面，於含有半導體晶片之LED元件的裝置全面可配置組成物薄片，亦可以硬化樹脂層被覆。
繼而，本發明第五係提供一種具有以上述之製造方法所得到的被覆LED晶片之發光裝置。
本發明之黏著性聚矽氧組成物及由其所構成之組成物薄片係以未硬化狀態在室溫下為固體或半固體，故容易處理且作業性良好。因此，該組成物薄片係可容易地配置於LED晶片表面，並進行黏著。又，以未硬化狀態為固體或半固體，故所填充之螢光體於組成物、或組成物薄片之保管中不產生分離亦不產生沉澱。又，該聚矽氧組成物薄片係即使以一般之黏晶裝配機等之裝配裝置亦可容易地配置 於LED晶片表面，並進行黏著。繼而，使如此做法黏著之組成物薄片硬化，可以均一的層厚且效率佳並安定地形成螢光體均一分散之樹脂層。因此，使用該組成物薄片的本發明之LED發光裝置的製造方法係量產性優。又，在含有所得到之含螢光體之聚矽氧樹脂層中係螢光體均一地分散，故很難引起色偏差，演色性良好。進一步，此聚矽氧樹脂層係為硬質樹脂，同時可撓性優，表面之沾黏性少。
(用以實施發明之最佳形態)
以下，更詳細地說明本發明。又，在本說明書中，所謂「室溫」意指15~30℃的溫度。
(加成硬化型黏著性聚矽氧組成物)
－(A)樹脂構造之有機聚矽氧烷－ 本發明之組成物重要的(A)成分之樹脂構造(三次元網狀構造)之有機聚矽氧烷，其係由R1 SiO1.5 單元R2 2 SiO單元、及R3 a R4 b SiO(4－a－b)/2 單元所構成(此處R1 、R2 及R3 係獨立地表示羥基、甲基、乙基、丙基、環己基、或苯基，R4 係獨立地表示乙烯基或烯丙基；a為0、1或2，b為1或2，且a＋b為2或3)，上述R2 2 SiO單元的至少一部分為連續而重複，其重複數目為部分含有5~50個，較佳係8~30個，更佳係10~20個之構造的樹脂構造之有機聚矽氧烷。
上述R2 2 SiO單元的至少一部分為連續而重複，其重複數目為5~50個的構造，意謂以通式(1)：
(此處，m為5~50之整數)
所示之直鏈狀二有機聚矽氧烷鏈構造。
存在於(A)成分之有機聚矽氧烷中的R2 2 SiO單元全體的至少一部分、較佳係50莫耳%以上(50~100莫耳%)、尤宜80莫耳%以上(80~100莫耳%)為於分子中形成以如此之以通式(1)所示的鏈構造。
在(A)成分之分子中係R2 2 SiO單元係使聚合物分子延伸成直鏈狀，R1 SiO1.5 單元係使聚合物分子分枝或三次元網狀化。R3 a R4 b SiO(4－a－b)/2 單元之中的R4 (獨立地乙烯基或烯丙基)係藉由與結合後述之(B)成分具有之R3 c Hd SiO(4－c－d)/2 單元的矽原子之氫原子(亦即，SiH基)進行氫甲矽烷基化加成反應，俾發揮使本發明之組成物的角色。
構成(A)成分之必需的三種矽氧烷單元的莫耳比，亦即，R1 SiO1.5 單元：R2 2 SiO單元：R3 a R4 b SiO(4－a－b)/2 單元的莫耳比係90~24：75~9：50~1，尤其70~28：70~20：10~2(但合計為100)，就所得到之硬化物的物性上，佳。
又，以此(A)成分之凝膠滲透色層分析(GPC)所得到之聚苯乙烯換算重量平均分子量為3000~1000000，尤宜為10000~100000的範圍，該聚合物係為固體或半固體狀，作業性、硬化性等佳。
如此之樹脂構造的有機聚矽氧烷係使成為各單元的原料之化合物以在生成聚合物中上述三種矽氧烷單元成為所需要之莫耳比的方式組合，例如在酸的存在下進行共水解縮合來合成。
是故，R1 SiO1.5 單元的原料係可例示MeSiCl3 、EtSiCl3 、PhSiCl3 、丙基三氯矽烷、環己基三氯矽烷等之氯矽烷類、分別對應於此等之氯矽烷的甲氧基矽烷類等的烷氧基矽烷類等。
R2 2 SiO單元的原料係可例示
(此處，m＝5~50之整數(平均值)，n＝0~50之整數(平均值))等。
又，R3 a R4 b SiO(4－a－b)/2 單元係表示選自R3 R4 SiO單元、R3 2 R4 SiO0.5 單元、R4 2 SiO單元及R3 R4 2 SiO0.5 單元的1 種之矽氧烷單元或2種以上之矽氧烷單元的組合。其原料係可例示Me2 ViSiCl、MeViSiCl2 、Ph2 ViSiCl、PhViSiCl2 等之氯矽烷類、分別對應於此等之氯矽烷的甲氧基矽烷類等的烷氧基矽烷類等。。
又，在本發明中，藉上述之原料化合物的共水解及縮合製造(A)成分的有機聚矽氧烷時係於R1 SiO1.5 單元、R2 2 SiO單元及/或R3 a R4 b SiO(4－a－b)/2 單元中含有具有矽烷醇基之矽氧烷單元。(A)成分的有機聚矽氧烷係使如此之含有矽烷醇基的矽氧烷單元一般相對於全矽烷醇單元含有10莫耳%以下(0~10莫耳%)、宜含有5莫耳%以下(0~5莫耳%)左右。上述含有矽烷醇基的矽氧烷單元係可舉例如R1 (HO)SiO單元、R1 (HO)2 SiO0.5 單元R2 2 (HO)SiO0.5 單元。
－(B)樹脂構造之有機氫聚矽氧烷－ 本發明之組成物重要的(B)成分之樹脂構造(亦即三次元網狀構造)之有機氫聚矽氧烷，係由R1 SiO1.5 單元、R2 2 SiO單元、及R3 c Hd SiO(4－c－d)/2 單元所構成(此處R1 、R2 及R3 係如上述般，c為0、1或2，d為1或2，且c＋d為2或3)，上述R2 2 SiO單元的至少一部分為連續而重複，其重複數目為部分含有5~50個，較佳係8~30個，更佳係10~20個之直鏈狀的矽氧烷構造的樹脂構造之有機氫聚矽氧烷。
又R2 2 SiO單元的至少一部分為連續而重複，其重複數目為5~50個，係意謂有關(A)成分如上述般，存在於(B)成分中之R2 2 SiO單元的至少一部分，較佳係50莫耳%以上(50~100莫耳%)、尤其為80莫耳%以上(80~100莫耳%)於(B)成分之分子中形成以前述通式(1)所示之直鏈狀二有機聚矽氧烷鏈構造。
(B)成分之分子中R2 2 SiO單元係使聚合物分子延伸成直鏈狀般作用，R1 SiO1.5 單元係使聚合物分子分枝或三次元網狀化。結合於R3 c Hd SiO(4－c－d)/2 單元之中的矽之氫原子係藉由與上述(A)成分具有之烯基進行氫甲矽烷基化加成反應，俾發揮使本發明之組成物的角色。
構成(B)成分之必需的三種矽氧烷單元的莫耳比，亦即，R1 SiO1.5 單元：R2 2 SiO單元：R3 c R4 d SiO(4－c－d)/2 單元的莫耳比係90~24：75~9：50~1，尤其70~28：70~20：10~2(但合計為100)，就所得到之硬化物的物性上，佳。
又，以此(B)成分之GPC所得到之聚苯乙烯換算重量平均分子量為3000~1000000，尤宜為10000~100000的範圍者，從作業性、硬化物之特性等之點佳。
如此之樹脂構造的有機氫聚矽氧烷係使成為各單元的原料之化合物以在生成聚合物中上述三種矽氧烷單元成為所需要之莫耳比的方式組合，進行共水解來合成。
是故，R1 SiO1.5 單元的原料係可例示MeSiCl3 、EtSiCl3 、PhSiCl3 、丙基三氯矽烷、環己基三氯矽烷等之 氯矽烷類、分別對應於氯矽烷的甲氧基矽烷等的烷氧基矽烷類等。
R2 2 SiO單元的原料係可例示
(此處，m＝5~50之整數(平均值)，n＝0~50之整數(平均值))等。
又，R3 c Hd SiO(4－c－d)/2 單元係表示選自R3 HSiO單元、R3 2 HSiO0.5 單元、H2 SiO單元及R3 H2 SiO0.5 單元的1種或2種以上之矽氧烷單元的任意組合。其原料係可例示Me2 HSiCl、MeHSiCl2 、Ph2 HSiCl、PhHSiCl2 等之氯矽烷類、對應於此等之氯矽烷的甲氧基矽烷類等的烷氧基矽烷類等。
又，在本發明中，藉上述之原料化合物的共水解及縮合製造(B)成分的有機聚矽氧烷時係於R1 SiO1.5 單元、R2 2 SiO單元及/或R3 a R4 b SiO(4－a－b)/2 單元中含有具矽烷醇基之矽氧烷單元。(B)成分的有機聚矽氧烷係使如此之含矽烷醇基的矽氧烷單元一般相對於全矽烷醇單元含有10莫耳%以下(0~10莫耳%)、宜含有5莫耳%以下(0~5 莫耳%)左右。上述含矽烷醇基的矽氧烷單元係可舉例如R1 (HO)SiO單元、R1 (HO)2 SiO0.5 單元、R2 2 (HO)SiO0.5 單元。
(B)成分之有機氫聚矽氧烷之調配量係結合於(B)成分子中之矽原子的氫原子(SiH基)對(A)成分中之乙烯基及烯丙基的合計量之莫耳比成為0.1~4.0之量，尤宜為0.5~3.0，更宜為0.8~2.0之量。若不足0.1，不進行硬化反應而很難得到聚矽氧硬化物，若超過4.0，未反應之SiH基大量殘存於硬化物中，故成為硬化物之物性護隨時間變化之原因。
在本發明中，為賦予黏著性，宜(A)成分及(B)成分之一者或兩者含有矽烷醇基者。該矽烷醇基之量在(A)成分之有機聚矽氧烷或(B)成分之有機氫聚矽烷氧中為0.01~0.3莫耳/100g，宜為0.05~0.2莫耳/100g。若矽烷醇基之含量太多，硬化後之硬度變化非常不佳。又，若矽烷醇基之含量太少，無法充分發揮黏著性。
－(C)鉑族金屬系觸媒－ 此觸媒成分係調配用以促進本發明之組成物的加成硬化反應者，具有鉑系、鈀系、銠系者。該觸媒係亦可使用以往公知之任一者作為促進氫甲矽烷基化反應者。考慮成本等，可例示鉑、鉑黑、氯化鉑酸等之鉑系者例如H2 PtCl6 ．mH2 O、K2 PtCl6 、KHPtCl6 ．mH2 O、K2 PtCl4 、K2 PtCl4 ．mH2 O、PtO2 ．mH2 O(此處，m係正之整數)等 ，或此等與烯烴等之烴、醇或含乙烯基之有機聚矽氧烷的錯合物等。此等之觸媒係可1種單獨，或組合2種以上而使用。
(C)成分之調配量係可為用以硬化之有效量，一般對於前述(A)成分及(B)成分之合計量就鉑族金屬以質量換算於0.1~500 ppm、尤宜為0.5~100 ppm之範圍來使用。
－(D)螢光體－ (D)成分之螢光體係只要為公知之螢光體，可為任一者，其調配量係相對於(A)~(C)之全成分100質量份，一般宜為0.1~100質量份之範圍，更宜為1~80質量份的範圍，(D)成分之螢光體係例如以Silase雷射測定裝置等的雷射光繞射法所得到之粒度分布測定中的粒徑範圍，一般只要其粒徑為10 nm以上即可，可適宜使用10 nm~10μm，更適宜使用10 nm~1μm左右者，。
螢光物質係例如只要為吸收來自以氮化物系半導體作為發光層之半導體發光二極體的光，變換波長成相異之波長的光即可。例如，選自主要被Eu、Ce等之鑭系元素賦予活性之氮化物系螢光體、氧氮化物系螢光體、主要被Eu等之鑭系、Mn等之過渡金屬系的元素賦予活性之鹼土族鹵化磷灰石(Apatite)螢光體、鹼土族金屬硼酸鹵素螢光體、鹼土族金屬鋁酸鹽螢光體、鹼土族金屬矽酸鹽螢光體、鹼土族硫化物螢光體、鹼土族鎵硫化合物( Thiogallate)螢光體、鹼土族氮化矽螢光體、鍺酸鹽螢光體、或主要被Ce等之鑭系元素賦予活性之稀土族鋁酸鹽螢光體、鹼土族金屬矽酸鹽螢光體或主要被Eu等之鑭系元素賦予活性之有機及有機錯合物螢光體、Ca－Al－Si－O－N系氧氮化物玻璃螢光體等之至少任一種以上。具體例，可使用下述之螢光體，但不限定於此。
主要被Eu、Ce等之鑭系元素賦予活性之氮化物系螢光體係有M2 Si5 N8 ：Eu(M係選自Sr、Ca、Ba、Mg、Zn之至少一種)等。又，M2 Si5 N8 ：Eu之外，亦有MSi7 N10 ：Eu、M1.8 Si5 O0.2 N8 ：Eu、M0.9 Si7 O0.1 N10 ：Eu(M係選自Sr、Ca、Ba、Mg、Zn之至少一種)等。
主要被Eu、Ce等之鑭系元素賦予活性之氧氮化物系螢光體係有MSi2 O2 N2 ：Eu(M係選自Sr、Ca、Ba、Mg、Zn之至少一種)等。
主要被Eu等之鑭系、Mn等之過渡金屬系的元素賦予活性之鹼土族鹵化磷灰石(Apatite)螢光體係選自M5 (PO4 )3 X：R(M係選自Sr、Ca、Ba、Mg、Zn之至少一種。X係F、Cl、Br、I之至少一種。R係Eu、Mn、Eu及Mn之至少一種)等。
於鹼土族金屬硼酸鹵素螢光體中係M2 B5 O9 X：R(M係選自Sr、Ca、Ba、Mg、Zn之至少一種。X係F、Cl、Br、I之至少一種。R係Eu、Mn、Eu及Mn之至少一種)等。
於鹼土族金屬鋁酸鹽螢光體中係SrAl2 O4 ：R、 Sr4 Al14 O25 ：R、CaAl2 O4 ：R、BaMg2 Al16 O27 ：R、BaMg2 Al16 O12 ：R、BaMgAl10 O17 ：R(R係Eu、Mn、Eu及Mn之至少一種)等。
於鹼土族硫化物螢光體中係具有La2 O2 S：Eu、Y2 O2 S：Eu、Gd2 O2 S：Eu等。
主要被Ce等之鑭系元素賦予活性之稀土族鋁酸鹽螢光體中係具有Y3 Al5 O12 ：Ce、(Y0.8 Gd0.2 )3 Al5 O12 ：Ce、Y3 (Al0.8 Ga0.2 )5 O12 ：Ce、(Y,Gd)3 (Al、Ga)5 O12 的組成式所示之YAG系螢光體等。又，亦具有以Tb、Lu等取代Y之一部分或全部之Tb3 Al5 O12 ：Ce、Lu3 Al5 O12 ：Ce等。
其他之螢光體中係具有ZnS：Eu、Zn2 GeO4 ：Mn、MGa2 S4 ：Eu(M係選自Sr、Ca、Ba、Mg、Zn之至少一種。X係F、Cl、Br、I之至少一種)等。
上述之螢光體係亦可依所希望而含有選自Tb、Cu、Ag、Au、Cr、Nd、Dy、Co、Ni、Ti之一種以上取代Eu，或加入Eu。
所謂Ca－Al－Si－O－N系氧氮化物玻璃螢光體就莫耳%表示，使CaCO3 換算成CaO而20~50莫耳%、Al2 O3 0~30莫耳%、SiO 25~60莫耳%、AIN 5~50莫耳%、使稀土族氧化物或過渡金屬氧化物0.1~20莫耳%，使5成分之合計成為100莫耳%的氮氧化物玻璃作為母體材料之螢光體。又，以氮氧化物玻璃作為母體材料之螢光體中係宜氮含量為15重量%以下，於稀土族氧化物離子之外以成為增感劑之其他的稀土族元素離子作為稀土族氧化物而於螢光 玻璃中以0.1~10莫耳%的範圍之含量含有作為共賦予活性劑。
又，亦可使用上述螢光體以外之螢光體，而具有同樣之性能、效果的螢光體。
－其他之調配劑－ 於本發明之組成物中係於上述(A)~(D)成分以外，亦可依需要而調配其本身公知之各種添加劑。
．無機填充劑： 可舉例如氣相二氧化矽、氣相二氧化鈦等之補強性無機填充劑、碳酸鈣、矽酸鈣、二氧化鈦、氧化第二鐵、碳黑、氧化鋅等之非補強性無機填充劑等。此等之無機填充劑就合計可於(A)及(B)成分之合計量每100質量份為600質量份以下(0~600質量份)的範圍進行適當調配。
．黏著助劑： 又，於本發明之組成物中係為賦予黏著性，可依需要而添加黏著助劑。黏著助劑可舉例如選自於一分子中鍵結於矽原子之氫原子(SiH基)、鍵結於矽原子之烯基(例如Si－CH＝CH2 基)、烷氧基甲矽烷基(例如三甲氧基甲矽烷基)、環氧基(例如環氧丙氧基丙基、3,4－環氧基環己基乙基)之官能性基至少2種、較佳係含有2種或3種之直鏈狀或環狀之矽原子數4~50個、較佳係4~20個的有 機聚矽氧烷寡聚物、以下述通式(2)所示之有機氧甲矽烷基改性三聚異氰酸酯化合物及/或其水解縮合物(有機矽氧烷改性三聚異氰酸酯化合物)等。
(式中，R5 係以下述式(3)
(此處，R6 係氫原子或碳原子數1~6的一價烴基，v為1~6，尤宜為1~4之整數)
所示之有機基、或含有脂肪族不飽和鍵之一價烴基，但R5 之至少一個為式(3)之有機基)
在通式(2)中之R5 為含有脂肪族不飽和鍵之一價烴基係可舉例如乙烯基、烯丙基、丙烯基、異丙烯基、丁烯基、異丁烯基、戊烯基、己烯基等之碳原子數2~8，尤其2~6之烯基、環己烯基等之碳原子數6~8的環烯基等。 又，在通式(3)中之R6 的一價烴基係可舉例如甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、第三丁基、戊基、己基、環己基等之烷基、有關上述R5 所示之烯基及環烯基、進一步為苯基等之芳基等的碳原子數1~8，尤其1~6的一價烴基，較佳係烷基。
再者，黏著助劑係可例示1－環氧丙氧基丙基－1,3,5,7－四甲基環四矽氧烷、1,5－環氧丙氧基丙基－1,3,5,7－四甲基環四矽氧烷、1－環氧丙氧基丙基－5－三甲基環甲矽烷基乙基－1,3,5,7－四甲基環四矽氧烷等、以及、於下述式所示之化合物。
(式中，g及h係分別為0~50之範圍的正整數，而且，g＋h為2~50，宜滿足4~20者)
上述之有機矽化合物之中，於所得到之硬化物產生特別良好的黏著性之化合物，係於一分子中具有矽原子鍵結烷氧基、與烯基或矽原子鍵結氫原子(SiH基)之有機矽化合物。
黏著助劑之調配量係相對於(A)成分100質量份，一般可調配10質量份以下(亦即0~10質量份)、較佳 係0.1~8質量份、更宜為0.2~5質量份左右。若太多，恐對硬化物之硬度不良影響，或提高表面沾黏性。
進一步依需要而可添加液狀聚矽氧成分至本發明之聚矽氧組成物薄片在室溫下維持固體乃至半固體且不成為液狀之程度。如此之液狀聚矽氧成分係宜在室溫(25℃)黏度1~100000mPa．s左右者，可舉例如乙烯基矽氧烷、氫矽烷氧、烷氧基矽氧烷、氫氧基矽氧烷及此等之混合物，添加量係聚矽氧組成物薄片在室溫下維持固體乃至半固體為條件，一般相對於聚矽氧組成物薄片全體為50質量%以下。
．硬化抑制劑： 於本發明之組成物中係可依需要而適當調配硬化抑制劑。硬化抑制劑可舉例如四甲基四乙烯基環四矽烷之含有乙烯基的有機聚矽氧烷、三烯丙基三聚異氰酸酯、烷基馬來酸酯、乙炔醇類及其矽烷改性物及矽氧烷改性物、氫過氧化物、四甲基乙二胺、苯並三唑及此等之混合物所構成之群的化合物等。硬化抑制劑係(A)成分每100質量份一般添加0.001~1.0質量份，更宜為0.005~0.5質量份等。
本發明之組成物的一典型例，實質上可舉例如由(A)~(D)成分所構成的組成物。此處，「實質上由(A)~(D)成分所構成」係意指該組成物為(A)~(D)成分以外在無損本發明之目的、效果的範圍，可含有上述 的任意成分的至少一種。
－調製－ 本發明之聚矽氧組成物係可藉由均一地混合所希望的成分。一般以不進行硬化之方式分成2液而保存，使用時混合2液而硬化。當然，亦可少量添加前述之乙炔醇等的硬化抑制劑形成1液而使用。
[黏著性聚矽氧組成物薄片]
本發明之組成物薄片係由上述加成硬化型黏著性聚矽氧組成物所構成之薄片，厚度一般為1~500μm，較佳係10~300μm。可以此厚度依螢光體之含量或所製造之發光裝置的發光效率等而適當調整。
將本發明之組成物加工成薄片狀，例如冷凍而保存。繼而，必要時藉由加熱，立即硬化，可形成高的硬度與無表面沾黏性之可撓性硬化樹脂層。該硬化樹脂層係含有螢光體，故形成於藍色或紫色LED元件等之晶片上俾可形成光變換安定的螢光體層。
就本發明之組成物加工成薄片狀的手段，可舉例如薄膜塗佈器、熱充壓機等。使用此等之機構而使組成物加工成薄片狀，係例如將組成物挾在加壓用底膜與剝離膜之間，使用熱充壓機而一般以60~120℃較佳係70~100℃的溫度，0.5~10t/cm2 、較佳係1~7t/cm2 的壓力下，進行壓縮成形約1~30分鐘，較佳係2~10分鐘。
加壓用底膜係可舉例如PET膜、氟系樹脂膜、聚乙烯膜、聚丙烯膜等，剝離膜可舉例如塗佈有氟系樹脂的PET膜、塗佈有聚矽氧樹脂之PET膜、氟系樹脂膜等。
如此所製作之組成物薄片係在不含有(D)成分的螢光體之狀態下加熱硬化時所得到的硬化聚矽氧樹脂層在400nm~可見光區域中光透過率宜為90%以上，更宜為92%以上。
[發光裝置之製造方法]
若依本發明之發光裝置之製造方法，可於LED晶片之表面配置上述之組成物薄片，使該組成物薄片加熱硬化而以含螢光體之硬化聚矽氧樹脂層被覆前述LED晶片表面。不僅半導體晶片之表面，LED晶片表面之外亦可以硬化聚矽氧樹脂層被覆裝置全面。
具體上，組成物薄片係應被覆之範圍，例如依照晶片表面或含有晶片表面之LED元件的裝置全面之大小而以小片化之狀態使用。亦即，例如，使如上述做法所得到的組成物薄片層合於此之剝離膜切割成晶片大小而進行小片化。剝離所得到之組成物薄片的剝離膜，以接觸於應被覆之表面的方式配置於晶片上，密接之後，使殘存於晶片表面上之組成物薄片加熱成形後，進行硬化而形成於欲被覆之表面進行硬化的含螢光體聚矽氧樹脂層，雖剝離底膜，但底膜亦可先剝離。
又，使組成物薄片壓接於LED晶片時或一邊壓接一 邊加熱硬化時，壓接係使用膜黏著機等之裝置，一般在室溫~300℃以下，以10MPa(一般0.01~10MPa)的加壓下進行，較佳係5MPa以下(例如0.1~5MPa)，尤宜為0.5~5MPa的加壓下。
本發明之組成物薄片的硬化一般係以50~200℃，尤其70~180℃之溫度實施，加熱時間係1~30分鐘，尤其為2~10分鐘。又，可進行二次硬化(後固化)，為此之溫度一般為50~200℃，尤宜為70~180℃，時間係0.1~1小時，尤宜為1~4小時。一般，一次硬化之後，進行二次硬化。
 (實施例)
以下，表示合成例及實施例與此較例，具體地說明本發明，但本發明係不限定於下述之實施例。又，下述例中黏度為25℃之值。又，重量平均分子量係以凝膠滲透色層分析(GPC)所測定之聚苯乙烯換算值。Ph表示苯基，Me表示甲基，Vi表示乙烯基。
[合成例1]
－含乙烯基之有機聚矽氧烷樹脂(A1)－ 使以PhsiCl3 所示之有機矽烷：1142.1g(87.1mol%)ClMe2 SiO(Me2 SiO)33 SiMe2 Cl：529g(3.2mol%)、MeViSiCl2 ：84.6g(9.7mol%)溶解於甲苯溶劑後，滴下 於水中，進行共水解，進一步，水洗，以鹼洗淨中和、脫水後，汽滌溶劑，合成含乙烯基之樹脂(A1)。此樹脂之重量平均分子量為62000，融點為60℃之固體。此物之乙烯基含量為0.10莫耳/100g。
[合成例2]
－含氫甲矽烷基之有機聚矽氧烷樹脂(B1)－ 使以PhsiCl3 所示之有機矽烷：1142.1g(87.1mol%)ClMe2 SiO(Me2 SiO)33 SiMe2 Cl：529g(3.2mol%)MeHsiCl2 ：69g(9.7mol%)溶解於甲苯溶劑後，滴下於水中，進行共水解，進一步，水洗，以鹼洗淨中和、脫水後，汽滌溶劑，合成含氫甲矽烷基之樹脂(B1)。此者之氫甲矽烷基之含量為0.12莫耳/100g。此樹脂之重量平均分子量為58000，融點為58℃之固體。
[合成例3]
－含乙烯基之有機聚矽氧烷樹脂(A2)－ 使以PhsiCl3 所示之有機矽烷：1142.1g(87.1mol%)ClMe2 SiO(Me2 SiO)33 SiMe2 Cl：529g(3.2mol%)、Me2 ViSiCl：72.3g(9.7mol%)溶解於甲苯溶劑後，滴下於水中，進行共水解，進一步，水洗，以鹼洗淨中和、脫水後，汽滌溶劑，合成含乙烯基之樹脂(A2)。此者之乙烯基之含量為0.09莫耳/100g·此樹脂之重量平均分子量為63000，融點為63℃之固體。
[合成例4]
－含氫甲矽烷基之有機聚矽氧烷樹脂(B2)－ 使以PhsiCl3 所示之有機矽烷：1142.1g(87.1mol%)ClMe2 SiO(Me2 SiO)33 SiMe2 Cl：529g(3.2mol%)、Me2 HSiCl：56.7g(9.7mol%)溶解於甲苯溶劑後，滴下於水中，進行共水解，進一步，水洗，以鹼洗淨中和、脫水後，汽滌溶劑，合成含氫甲矽烷基之樹脂(B2)。此者之氫甲矽烷基之含量為0.11莫耳/100g。此樹脂之重量平均分子量為57000，融點為56℃之固體。
(實施例1)
加入合成例1所得到之含乙烯基樹脂(A1)：189g、於合成例2所得到之氫甲矽烷基的樹脂(B1)：189g、作為反應抑制劑之乙炔醇系的乙炔基環己醇：0.2g、氯化鉑酸之辛醇改性溶液：0.1g而調製底材組成物。對於底材組成物90質量份，進一步加入粒徑5μm(平均粒徑)的螢光體(YAG)10質量份，以加溫至60℃之行星式混合機充分攪拌，調製含螢光體之聚矽氧樹脂組成物。此組成物係在25℃中為可塑性之固體。
將如此所得到之組成物供給至下述之測定，進行評估。
1)色度測定 使組成物挾於PET膜(加壓用底膜)與塗佈有氟樹脂之PET膜(剝離膜)之間，使用熱沖壓機而以80℃在5t/cm2 之壓力下進行壓縮成形5分鐘，成形為厚50μm之薄膜狀。使所得到之組成物膜以與剝離膜的層合體之狀態切割成半導體晶片的大小而進行小片化。如圖1所示般，以組成物層側接觸於LED的GaN系半導體晶片1的表面之方式搭載所得到之層合體膜片後，從組成物層除去剝離膜(圖示略)。然後，以薄膜黏著機以150℃/0.5MPa加熱壓接5分鐘而於LED晶片1上形成硬化之含螢光體的聚矽氧樹脂層2。進一步再以150℃加熱60分鐘而硬化2次。使用以如此做法所得到之含螢光體的聚矽氧樹脂層2被覆的LED晶片1，而於陶瓷電路基板3上製作如圖1所示之覆晶構造的發光半導體(LED)裝置。圖中，4為錫球。使如此之LED裝置各3個發光而藉大塚電子製(LP－3400)測定色度。
2)機械特性 使組成物以壓擠成形機進行壓縮成形，以150℃、5分鐘進行加熱成形而得到硬化物。再以150℃、4小時硬化2次者，依據JIS K 6251及JIS K 6253，測定抗拉強度(0.2mm厚)、硬度(使用型式D型彈簧測試機而測定)及延伸率(0.2mm厚)。
3)表面之沾黏性 與上述機械特性之評估同樣地以指觸確認2次硬化之硬化物表面的沾黏性。進一步，於市售之銀粉(平均粒徑5μm)中置放硬化物，取出後，試驗吹出空氣而於表面如塵埃般附著之銀粉是否被取下。
4)螢光體之分散安定性 形成於氧化鋁基盤上之直徑6mm、中央部深度2mm之凹部置入上述之調製後的樹脂組成物，與上述機械特性之評估的情形同樣地，進行加熱硬化而形成厚2mm、直徑6mm之圓盤狀成形物。從此成形物之上部表面層(厚2mm)與下部表面層(厚2mm)分別切取一部分，分別以800℃進行加熱而灰化，測定所得到之灰中的螢光體的含量(質量%)，比較上部與下部中之含量。
進一步，將該組成物保管於－20℃之冷凍庫內3個月後，與上述同樣地形成組成物，同樣做法而比較上部與下部中之螢光體的含量。如此一來測定螢光體之分散安定性。
此等之各測定結果表示於表1中。
(實施例2)
加入合成例3所得到之含乙烯基樹脂(A－2)：189g、於合成例4所得到之氫甲矽烷基的樹脂(B－2)：189g、作為反應抑制劑之乙炔醇系的乙炔基環己醇：0.2g、氯化鉑酸之辛醇改性溶液：0.1g而調製底材組成物。於此底 材組成物70質量份中，進一步加入粒徑5μm(平均粒徑)的螢光體(YAG)30質量份後，再將此等以加溫至60℃之行星式混合機充分攪拌，調製含螢光體之聚矽氧樹脂組成物。此組成物係在25℃中為可塑性之固體。使此組成物與實施例1同樣地進行評估。結果表示於表1中。
(比較例1)
在實施例1中除使用在液體之含乙烯基有機聚矽氧烷樹脂作為主劑之市售的附加硬化型聚矽氧凡立水即KJR－632(商品名，信越化學工業(股)製)90質量份取代底材組成物90質量份以外，其餘係與實施例1同樣地做法而調製含螢光體之聚矽氧樹脂組成物。對於此組成物進行與實施例1同樣地做法而評估各特性。結果表示於表1中。
(比較例2)
在實施例1中除使用在液體之含乙烯基有機聚矽氧烷樹脂作為主劑之市售的附加硬化型聚矽氧凡立水即KJR－632L－1(商品名，信越化學工業(股)製)取代底材組成物。對於此KJR－632L－1 70質量份，加入與實施例1所使用者相同之粒徑5μm(平均粒徑)之螢光體(YAG)30質量份後，以加溫至60℃之行星式混合機充分攪拌，調製含螢光體之聚矽氧樹脂組成物。對於此組成物，與實施例1同樣地做法而評估各特性。結果表示於表1中。
1‧‧‧LED晶片(覆晶)
2‧‧‧含螢光體之聚矽氧樹脂層
3‧‧‧陶瓷電路基板
4‧‧‧金凸塊
圖1係於實施例中表示用以測定色度所製作之覆晶構造的發光半導體(LED)裝置之概略圖。

Claims (4)

  1. 一種黏著性聚矽氧組成物薄片，其係使加成硬化型黏著性聚矽氧組成物成形為薄片狀而成，該加成硬化型黏著性聚矽氧組成物係含有(A)樹脂構造之有機聚矽氧烷，其係含有由R1 SiO1.5 單元、R2 2 SiO單元、及R3 a R4 b SiO(4-a-b)/2 單元所構成(此處R1 、R2 及R3 係獨立地表示羥基、甲基、乙基、丙基、環己基、或苯基，R4 係獨立地表示乙烯基或烯丙基；a為0、1或2，b為1或2，且a+b為2或3)，上述R2 2 SiO單元的至少一部分為連續而重複而成，其重複數目為5~50個的構造；(B)有機氫聚矽氧烷，其係含有由R1 SiO1.5 單元、R2 2 SiO單元、及R3 c Hd SiO(4-c-d)/2 單元所構成(此處R1 、R2 及R3 係獨立地如上述般；c為0、1或2，d為1或2，且c+d為2或3)，上述R2 2 SiO單元的至少一部分為連續而重複而成，其重複數目為5~50個的構造之樹脂構造：(B)成分中結合於矽原子的氫原子對(A)成分中之乙烯基及烯丙基的合計就莫耳比為0.1~4.0之量；(C)鉑族金屬系觸媒：有效量，及(D)螢光體，且在室溫下為固體狀或半固體狀者。
  2. 如申請專利範圍第1項之黏著性聚矽氧組成物薄片，其中(A)成分及(B)成分之一者或兩者為含有矽烷 醇基者。
  3. 一種發光裝置的製造方法，其係具有被覆LED晶片，該被覆LED晶片係於LED晶片之表面配置如申請專利範圍第1或2項之黏著性聚矽氧組成物薄片，使該組成物薄片加熱硬化而以含有螢光體之硬化聚矽氧樹脂層被覆前述LED晶片的表面。
  4. 一種發光裝置，其係具有藉由如申請專利範圍第3項之方法所得到之被覆LED晶片。
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Families Citing this family (68)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5149384B2 (ja) * 2008-07-14 2013-02-20 信越化学工業株式会社 長残光蛍光体の製造方法
JP5107886B2 (ja) * 2008-12-24 2012-12-26 日東電工株式会社 光半導体装置の製造方法
TWM374650U (en) * 2009-04-20 2010-02-21 Hsin I Technology Co Ltd LED packaging structure
US8283412B2 (en) * 2009-05-01 2012-10-09 Nanosys, Inc. Functionalized matrices for dispersion of nanostructures
US8384114B2 (en) 2009-06-27 2013-02-26 Cooledge Lighting Inc. High efficiency LEDs and LED lamps
DE102009040148A1 (de) * 2009-09-04 2011-03-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh Konversionsmittelkörper, optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips
US20100276712A1 (en) * 2009-11-03 2010-11-04 Alexander Shaikevitch Light emitting diode with thin multilayer phosphor film
JP5894723B2 (ja) * 2009-12-29 2016-03-30 株式会社朝日ラバー 半導体発光装置の製造方法
US9480133B2 (en) 2010-01-04 2016-10-25 Cooledge Lighting Inc. Light-emitting element repair in array-based lighting devices
US8653539B2 (en) 2010-01-04 2014-02-18 Cooledge Lighting, Inc. Failure mitigation in arrays of light-emitting devices
US9379296B2 (en) * 2010-01-25 2016-06-28 Lg Chem, Ltd. Silicone resin
EP2537899B1 (en) 2010-02-19 2014-11-26 Toray Industries, Inc. Phosphor-containing cured silicone, process for production of same, phosphor-containing silicone composition, precursor of the composition, sheet-shaped moldings, led package, light -emitting device, and process for production of led-mounted substrate
KR101658446B1 (ko) * 2010-03-24 2016-09-22 삼성전자주식회사 형광체 수지 필름 제조방법 및 이에 의해 제조된 형광체 수지 필름
JP2011219597A (ja) * 2010-04-08 2011-11-04 Nitto Denko Corp シリコーン樹脂シート
JP2011222852A (ja) * 2010-04-13 2011-11-04 Nitto Denko Corp 光半導体装置
KR20130083388A (ko) * 2010-05-20 2013-07-22 다리엔 루밍라이트 컴퍼니 리미티드 벗겨지는 광변환 발광필름
KR101372084B1 (ko) 2010-06-29 2014-03-07 쿨레지 라이팅 인크. 항복형 기판을 갖는 전자 장치
JP5775375B2 (ja) * 2010-07-27 2015-09-09 日東電工株式会社 発光ダイオード装置の製造方法
KR20130128420A (ko) 2010-11-18 2013-11-26 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 폴리실라잔 결합층을 포함하는 발광 다이오드 성분
EP2653502A4 (en) * 2010-12-13 2014-04-30 Toray Industries PHOSPHORUS FILM, LED AND LIGHT EMITTING DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING AN LED
JP2012160664A (ja) * 2011-02-02 2012-08-23 Bridgestone Kbg Co Ltd 青色ｌｅｄから得られた白色光及びこれに用いるシリコーンテープ
CN103339171B (zh) 2011-02-04 2016-05-04 道康宁公司 可固化有机硅氧烷嵌段共聚物乳剂
EP2689458B8 (en) * 2011-03-25 2018-08-29 Lumileds Holding B.V. Patterned uv sensitive silicone-phosphor layer over leds, and method for fabricating the same
KR20140022019A (ko) * 2011-04-20 2014-02-21 가부시키가이샤 에루므 발광장치 및 그 제조방법
JP5287935B2 (ja) 2011-06-16 2013-09-11 東レ株式会社 蛍光体含有シート、それを用いたｌｅｄ発光装置およびその製造方法
US20130005843A1 (en) * 2011-06-30 2013-01-03 Yeung K C Ricky Self-adhesive silicone rubber compositions and articles comprising same
US20130005844A1 (en) * 2011-06-30 2013-01-03 Yeung K C Ricky Self-adhesive silicone rubber compositions and articles comprising same
CN103858243A (zh) * 2011-08-30 2014-06-11 皇家飞利浦有限公司 将衬底接合到半导体发光器件的方法
JP5545601B2 (ja) 2011-11-07 2014-07-09 信越化学工業株式会社 蛍光体高充填波長変換シート、それを用いた発光半導体装置の製造方法、及び該発光半導体装置
JP5583703B2 (ja) * 2012-01-18 2014-09-03 信越化学工業株式会社 光半導体装置の製造方法
JP2013159003A (ja) * 2012-02-03 2013-08-19 Shin-Etsu Chemical Co Ltd 蛍光体含有層と蛍光体非含有層を有する熱硬化性シリコーン樹脂シート、それを使用する発光装置の製造方法及び封止発光半導体装置
JP5652410B2 (ja) * 2012-02-03 2015-01-14 信越化学工業株式会社 蛍光体含有層と白色顔料含有層を有する熱硬化性シリコーン樹脂シート、それを使用する発光装置の製造方法及び封止発光半導体装置
US20130200425A1 (en) * 2012-02-03 2013-08-08 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd Phosphor-containing adhesive silicone composition sheet, and method of producing light-emitting device using same
US8841689B2 (en) * 2012-02-03 2014-09-23 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Heat-curable silicone resin sheet having phosphor-containing layer and phosphor-free layer, method of producing light emitting device utilizing same and light emitting semiconductor device obtained by the method
US9705056B2 (en) 2012-02-09 2017-07-11 Dow Corning Corporation Gradient polymer structures and methods
JP2013221082A (ja) * 2012-04-17 2013-10-28 Shin-Etsu Chemical Co Ltd 付加硬化型シリコーン樹脂組成物、並びに該組成物からなるシート、シート状硬化物、及びダイアタッチ材
JP2013232580A (ja) 2012-05-01 2013-11-14 Dow Corning Toray Co Ltd 熱硬化性フィルム状シリコーン封止材
US9231178B2 (en) 2012-06-07 2016-01-05 Cooledge Lighting, Inc. Wafer-level flip chip device packages and related methods
US20140001948A1 (en) * 2012-06-29 2014-01-02 Nitto Denko Corporation Reflecting layer-phosphor layer-covered led, producing method thereof, led device, and producing method thereof
JP2014093403A (ja) * 2012-11-02 2014-05-19 Shin Etsu Chem Co Ltd 熱硬化性シリコーン樹脂シート及びその製造方法、該熱硬化性シリコーン樹脂シートを使用する発光装置及びその製造方法
JP6250065B2 (ja) * 2012-12-21 2017-12-20 ダウ コーニング コーポレーションＤｏｗ Ｃｏｒｎｉｎｇ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ 圧縮成形又はラミネート用ホットメルト型硬化性シリコーン組成物
JP6387355B2 (ja) 2012-12-21 2018-09-05 ダウ シリコーンズ コーポレーション 層状ポリマー構造及び方法
JP6070498B2 (ja) * 2012-12-21 2017-02-01 信越化学工業株式会社 蛍光体含有層と白色顔料含有層を有する熱硬化性シリコーン樹脂シート、それを使用する発光装置の製造方法及び封止発光半導体装置
JP2013138216A (ja) * 2013-01-30 2013-07-11 Nitto Denko Corp 発光装置
WO2014171268A1 (ja) * 2013-04-15 2014-10-23 シャープ株式会社 オープンリール
JP6709159B2 (ja) * 2014-01-07 2020-06-10 ルミレッズ ホールディング ベーフェー 蛍光変換体を有する接着剤のない発光デバイス
KR20150097947A (ko) 2014-02-19 2015-08-27 다우 코닝 코포레이션 반응성 실리콘 조성물, 이로부터 제조되는 핫멜트 재료, 및 경화성 핫멜트 조성물
KR101714715B1 (ko) 2014-03-11 2017-03-09 제일모직 주식회사 봉지재 조성물, 봉지재, 및 전자 소자
JP6652917B2 (ja) 2014-06-20 2020-02-26 ダウ・東レ株式会社 ホットメルト性シリコーンおよび硬化性ホットメルト組成物
US10208164B2 (en) 2014-09-01 2019-02-19 Dow Corning Toray Co., Ltd. Curable silicone composition, curable hot-melt silicone, and optical device
WO2016103654A1 (ja) 2014-12-26 2016-06-30 東レ・ダウコーニング株式会社 硬化性オルガノポリシロキサン組成物、それからなる半導体用封止剤および半導体装置
JP6707516B2 (ja) * 2015-02-25 2020-06-10 ダウ・東レ株式会社 硬化性粒状シリコーン組成物、およびその製造方法
JP6115593B2 (ja) * 2015-07-10 2017-04-19 信越化学工業株式会社 蛍光体含有層と蛍光体非含有層を有する熱硬化性シリコーン樹脂シート、それを使用する発光装置の製造方法及び封止発光半導体装置
JP6613682B2 (ja) * 2015-07-28 2019-12-04 セイコーエプソン株式会社 電子デバイス、液体吐出ヘッド。
JP6502809B2 (ja) * 2015-09-17 2019-04-17 信越化学工業株式会社 Ｌｅｄ封止材用蛍光体含有シリコーンフィルム及びその製造方法
JP6154447B2 (ja) * 2015-09-20 2017-06-28 株式会社朝日ラバー 圧縮成形用蛍光体含有樹脂組成物
JP6601142B2 (ja) 2015-10-22 2019-11-06 信越化学工業株式会社 付加縮合併用硬化性シリコーン樹脂シート、波長変換シート、及び発光装置の製造方法
US11136437B2 (en) 2016-08-08 2021-10-05 Dow Toray Co., Ltd. Curable particulate silicone composition, semiconductor member comprising curable particulate silicone composition, and method for molding semiconductor member
JP2017011301A (ja) * 2016-10-03 2017-01-12 信越化学工業株式会社 Ｌｅｄ装置の製造方法
JP6622178B2 (ja) 2016-12-05 2019-12-18 信越化学工業株式会社 縮合硬化性シリコーン樹脂組成物シート、縮合硬化性シリコーン樹脂組成物シートの製造方法、及び発光装置の製造方法
CN110312954B (zh) 2017-02-23 2021-10-22 东丽株式会社 荧光体片材、使用其的led芯片及led封装件、led封装件的制造方法、以及包含led封装件的发光装置、背光模组及显示器
CN110291848B (zh) * 2017-03-22 2022-09-02 电化株式会社 电路基板用树脂组合物及使用其的金属基底电路基板
WO2018204068A1 (en) 2017-05-05 2018-11-08 Dow Silicones Corporation Hydrosilylation curable silicone resin
US11555119B2 (en) 2017-06-19 2023-01-17 Dow Toray Co., Ltd. Curable granular silicone composition, semiconductor member comprising same, and forming method thereof
CN109423053A (zh) * 2017-09-05 2019-03-05 南京科矽新材料科技有限公司 一种有机硅导热绝缘复合材料及其制备方法
US12146059B2 (en) 2017-09-21 2024-11-19 Dow Toray Co., Ltd. Curable silicone composition, optical member resin sheet comprising same, and light-emitting device
JP2020007537A (ja) * 2018-06-29 2020-01-16 信越化学工業株式会社 硬化性有機ケイ素樹脂組成物及び半導体装置
US11545597B2 (en) 2018-09-28 2023-01-03 Lumileds Llc Fabrication for precise line-bond control and gas diffusion between LED components

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200404843A (en) * 2002-09-02 2004-04-01 Shinetsu Chemical Co Heat conductive composite sheet and process for producing same
TW200516112A (en) * 2003-09-17 2005-05-16 Shinetsu Chemical Co Organopolysiloxane composition for use in the encapsulation and sealing of precision electronic parts, preventing or retarding the corrosion of the precision electronic part, and silver-containing precision electronic part therewith
TW200708595A (en) * 2005-08-18 2007-03-01 Sumitomo Chemical Co Phosphor particle, phosphor paste and light-emitting device
TW200710167A (en) * 2005-06-07 2007-03-16 Shinetsu Chemical Co Silicone resin composition for die bonding

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS512640B1 (zh) * 1971-07-30 1976-01-27
JPH0689777B2 (ja) * 1987-01-28 1994-11-14 東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社 シリコ−ンゴム被覆ロ−ル
DE59104381D1 (de) * 1990-08-28 1995-03-09 Ciba Geigy Ag Sulfoxide von Alkylthiomethylphenolen.
EP0568318A1 (en) * 1992-04-29 1993-11-03 General Electric Company Trifunctional siloxane hydride fluids
DE4241713A1 (de) * 1992-12-10 1994-06-16 Wacker Chemie Gmbh Zu Elastomeren vernetzbare Organopolysiloxanmassen
JP2849027B2 (ja) * 1993-06-10 1999-01-20 信越化学工業株式会社 １液性硬化性シリコーン組成物
JP2001139894A (ja) * 1999-11-15 2001-05-22 Dow Corning Toray Silicone Co Ltd シリコーン系接着性シート、および半導体装置
TWI226357B (en) * 2002-05-06 2005-01-11 Osram Opto Semiconductors Gmbh Wavelength-converting reaction-resin, its production method, light-radiating optical component and light-radiating semiconductor-body
US7019100B2 (en) * 2003-04-23 2006-03-28 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Curable silicone resin composition
JP4801320B2 (ja) * 2003-12-19 2011-10-26 東レ・ダウコーニング株式会社 付加反応硬化型オルガノポリシロキサン樹脂組成物
JP4359195B2 (ja) * 2004-06-11 2009-11-04 株式会社東芝 半導体発光装置及びその製造方法並びに半導体発光ユニット
US7314770B2 (en) * 2004-11-18 2008-01-01 3M Innovative Properties Company Method of making light emitting device with silicon-containing encapsulant
EP1749861B1 (en) * 2005-08-03 2014-08-20 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Addition curable silicone resin composition for light emitting diode
JP4648146B2 (ja) * 2005-09-26 2011-03-09 信越化学工業株式会社 耐クラック性に優れた付加硬化型シリコーン組成物
JP4781779B2 (ja) 2005-10-27 2011-09-28 信越化学工業株式会社 高分子量オルガノポリシロキサンの製造方法、該高分子量オルガノポリシロキサンを含む組成物およびその硬化物で封止された光半導体装置
JP4781780B2 (ja) 2005-10-27 2011-09-28 信越化学工業株式会社 光関連デバイス封止用樹脂組成物およびその硬化物ならびに半導体素子の封止方法
RU2401846C2 (ru) * 2006-04-25 2010-10-20 Учреждение Российской академии наук Институт синтетических полимерных материалов им. Н.С. Ениколопова РАН (ИСПМ РАН) Функциональные полиорганосилоксаны и композиция, способная к отверждению на их основе
TWI428396B (zh) 2006-06-14 2014-03-01 Shinetsu Chemical Co 填充磷光體之可固化聚矽氧樹脂組成物及其固化產物

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200404843A (en) * 2002-09-02 2004-04-01 Shinetsu Chemical Co Heat conductive composite sheet and process for producing same
TW200516112A (en) * 2003-09-17 2005-05-16 Shinetsu Chemical Co Organopolysiloxane composition for use in the encapsulation and sealing of precision electronic parts, preventing or retarding the corrosion of the precision electronic part, and silver-containing precision electronic part therewith
TW200710167A (en) * 2005-06-07 2007-03-16 Shinetsu Chemical Co Silicone resin composition for die bonding
TW200708595A (en) * 2005-08-18 2007-03-01 Sumitomo Chemical Co Phosphor particle, phosphor paste and light-emitting device

Also Published As

Publication number Publication date
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