[go: up one dir, main page]

JP4359195B2 - 半導体発光装置及びその製造方法並びに半導体発光ユニット - Google Patents

半導体発光装置及びその製造方法並びに半導体発光ユニット Download PDF

Info

Publication number
JP4359195B2
JP4359195B2 JP2004174455A JP2004174455A JP4359195B2 JP 4359195 B2 JP4359195 B2 JP 4359195B2 JP 2004174455 A JP2004174455 A JP 2004174455A JP 2004174455 A JP2004174455 A JP 2004174455A JP 4359195 B2 JP4359195 B2 JP 4359195B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
lead
semiconductor light
light emitting
resin
emitting device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2004174455A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2005353914A (ja
Inventor
博明 押尾
初男 武沢
毅 宮川
岩夫 松本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP2004174455A priority Critical patent/JP4359195B2/ja
Priority to US11/149,461 priority patent/US7291866B2/en
Priority to CNB2005100778983A priority patent/CN100463238C/zh
Publication of JP2005353914A publication Critical patent/JP2005353914A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4359195B2 publication Critical patent/JP4359195B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/857—Interconnections, e.g. lead-frames, bond wires or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93—Batch processes
    • H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/858—Means for heat extraction or cooling
    • H10H20/8585—Means for heat extraction or cooling being an interconnection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/32257—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic the layer connector connecting to a bonding area disposed in a recess of the surface of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48257—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a die pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/49105—Connecting at different heights
    • H01L2224/49109—Connecting at different heights outside the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/91—Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L2224/80 - H01L2224/90
    • H01L2224/92—Specific sequence of method steps
    • H01L2224/922—Connecting different surfaces of the semiconductor or solid-state body with connectors of different types
    • H01L2224/9222—Sequential connecting processes
    • H01L2224/92242—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector
    • H01L2224/92247—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector the second connecting process involving a wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/93—Batch processes
    • H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L2224/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L24/10, H01L24/18, H01L24/26, H01L24/34, H01L24/42, H01L24/50, H01L24/63, H01L24/71
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01019—Potassium [K]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01046—Palladium [Pd]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01078—Platinum [Pt]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/0132—Binary Alloys
    • H01L2924/01322—Eutectic Alloys, i.e. obtained by a liquid transforming into two solid phases
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12041—LED
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/35—Mechanical effects
    • H01L2924/351—Thermal stress
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/8506—Containers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/858—Means for heat extraction or cooling
    • H10H20/8582—Means for heat extraction or cooling characterised by their shape

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Description

本発明は、半導体発光装置及びその製造方法並びに半導体発光ユニットに関し、特に液晶ディスプレイのバックライトや高出力ＬＥＤ（light emitting diode）ランプのように大電流駆動が必要とされる用途に好適な半導体発光装置及びその製造方法、並びにこの半導体発光装置を搭載した半導体発光ユニットに関する。
近年、半導体発光装置なかでもＬＥＤは、蛍光体の紫外光励起を応用した白色発光型ＬＥＤなども含めて技術の進展が著しい。ＣＩＥ（国際照明協会）座標上のあらゆる表示色の発光が可能となったため、車載用途（ストップランプ、テールランプ、ダッシュボードなど）、信号機、携帯機器を含めた各種ＬＥＤディスプレイ、液晶ディスプレイバックライトなど新しい用途がますます拡大している。これらの特に新しい用途では、装置の小型化や高密度実装が要求されるので表面実装型（Surface Mount Device：ＳＭＤ）が必要となる（例えば、特許文献１）。
特開２００３−６０２４０号公報
従来の表面実装型の半導体発光装置は熱抵抗が高いため、その駆動電流の上限は５０ミリアンペア程度であり、小電流駆動しかできなかった。このため、高出力が必要な用途では、多数のＬＥＤを搭載しなければならなかった。
一方、パワートランジスタ用に開発された大電流用パッケージでは、チップがダイボンディングされたリードフレームを熱伝導率の高い接着剤などでヒートシンクと接合して大電流動作に対応している。しかし、この構造では、以下の点に改善の余地がある。
１．接着剤層の熱抵抗が未だ十分に低いとはいえない。
２．組み立て工数が多く、組み立てコストが増加する。
３．部品点数が増えるために、コストが増加する（ヒートシンク、リードフレーム、接着剤など）。
また一方、半導体発光装置において、ＬＥＤを大電流で駆動するためにリードフレームの熱伝導率を高くすると、半田リフロー工程における熱ストレスが大きくなる。つまり、半田リフロー工程において、リフローの熱がＬＥＤにまで達しやすくなる。このため、ＬＥＤのマウントの接着剤として銀ペーストなどの耐熱性の低いものを用いると、接着強度の低下など信頼性の低下が起こる場合がある。そこで、ＬＥＤのマウントの接着剤としては、共晶半田などの耐熱性の高い材料を用いることが望ましい。しかし、従来のＳＭＤでは、リードフレームのインナーリード部分をモールドする樹脂の耐熱温度が低いため、共晶半田を用いてＬＥＤをマウントすることが困難であるという問題もあった。
本発明はかかる課題の認識に基づいてなされたものであり、その目的は、ＬＥＤからの放熱特性を改善し、且つ組み立ても容易で信頼性も高い半導体発光装置及びその製造方法並びに半導体発光ユニットを提供することにある。
本発明の一態様によれば、埋め込み樹脂と、前記埋め込み樹脂の一側面から突出した第１のアウターリード部を有する第１のリードと、前記埋め込み樹脂の前記一側面に対向する側面から突出した第２のアウターリード部を有する第２のリードと、前記埋め込み樹脂の上面に設けられた凹部の中に露出した前記第１のリードのインナーリード部にマウントされた半導体発光素子と、前記半導体発光素子と前記第２のリードとを接続するワイヤと、前記凹部の中に設けられた半導体発光素子及び前記ワイヤを封止する封止樹脂と、を備え、前記第１のリードは、前記インナーリード部の前記半導体発光素子がマウントされた部分の裏面側から前記アウターリード部の裏面まで前記埋め込み樹脂に覆われず連続的に露出した部分を有し、前記第１のリードの前記インナーリード部の前記半導体発光素子がマウントされた部分の厚みは、前記第１のアウターリード部の先端部の厚みよりも大なることを特徴とする半導体発光装置が提供される。
または、本発明の他の一態様によれば、凹部が設けられた第１のリードと、前記第１のリードと略同一直線上に延在し対向配置された第２のリードと、を有するリードフレームの前記凹部の底面に、前記凹部の深さよりも小なる厚みの半導体発光素子をマウントする工程と、前記凹部の上部開口端に成形金型を当接させ前記凹部内への樹脂の侵入を防いだ状態で、前記半導体発光素子がマウントされた部分とは反対側の前記第１のリードのインナーリード部の裏面から前記第１のリードのアウターリード部の裏面まで連続して露出する部分が形成されるように、前記第１及び第２のリードのインナーリード部を樹脂により埋め込む工程と、を備えたことを特徴とする半導体発光装置の製造方法が提供される。
また、本発明のさらに他の一態様によれば、
第１の電極パッドと、第２の電極パッドと、前記第１及び第２の電極パッドの間に設けられた第３の電極パッドと、を有する実装基板と、
上記記載の半導体発光装置と、
を備え、
前記第１及び第２のリードのアウターリード部のいずれか一方は、前記第１及び第２のリードの電極パッドのいずれか一方に接続され、
前記第１及び第２のリードのアウターリード部のいずれか他方は、前記第１及び第２のリードの電極パッドのいずれか他方に接続され、
前記第１のリードの前記インナーリード部のうちで前記半導体発光素子がマウントされた部分の裏面側は、前記第３の電極パッドに接続されたことを特徴とする半導体発光ユニットが提供される。
本発明によれば、ＬＥＤからの放熱特性を改善し、且つ組み立ても容易で信頼性も高い半導体発光装置及びその製造方法並びに半導体発光ユニットを提供することができ、産業上のメリットは多大である。
以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について説明する。
図１は、本発明の実施の形態にかかる半導体発光装置の要部構成を例示する模式断面図である。
また、図２は、この半導体発光装置を斜め上方から眺めた模式斜視図である。
さらに、図３は、この半導体発光装置を斜め下方から眺めた模式斜視図である。
すなわち、本実施形態の半導体発光装置は、いわゆる表面実装型（ＳＭＤ）の発光装置であり、一対のリード２０、３０と、これらリードのインナーリード部２０Ｂ、３０Ｂを包み込むように形成された埋め込み樹脂４０と、を有する。リード２０には、半導体発光素子１０（以下、「ＬＥＤチップ」という）１０がマウントされている。この半導体発光装置は、例えば、各種の実装基板の電極パターンの上にアウターリード部２０Ａ、３０Ａを半田付けあるいは溶接によりマウントできる。
そして、本実施形態においては、図３に表したように、半導体発光装置の底面（マウント面）において、リードのインナーリード部２０Ｂ、３０Ｂの裏面が露出している。つまり、リード２０の半導体発光素子（以下、「ＬＥＤチップ」という）１０の直下の部分が樹脂４０に覆われずに露出して剥き出しにされている。
このように剥き出しにされたＬＥＤチップ１０の直下の部分を図示しない実装基板などに半田付けすることにより、ＬＥＤチップ１０において生じた熱を実装基板に向けて効率的に放出させることができる。なお、図３において、半導体発光装置の裏面側に、アンカーホール１８０に充填された樹脂４０が表れているが、これについては、後に図５を参照しつつ詳述する。
本実施形態においては、リード２０のＬＥＤチップ１０の直下の厚みＴ２は、アウターリード部２０Ａの先端（半田付けされる部分）の厚みＴ３より厚い。このようにすると、ＬＥＤチップ１０直下の金属厚が大きいためにヒートシンクとしての効果が大きく冷却が促進される。一方、アウターリード２０Ａ、３０Ａの先端部は、後に詳述するリードカット工程や実装基板への接続を考慮すると、従来以上に厚くしないことが望ましい。
なお、リード３０のインナーリード部３０Ｂの厚みは、必ずしもインナーリード部２０Ｂの厚みＴ１と同一である必要はない。ただし、これらの厚みを同じ程度とすると、ＬＥＤチップ１０から接続するワイヤ６０の両端の高さを同じ程度にでき、ワイアボンディングが容易になる。
図４は、本実施形態の半導体発光装置を基板に実装した半導体発光ユニットを表す模式断面図である。
すなわち、本実施形態の半導体発光ユニットは、プリント基板などの基板９０と、その上にマウントされた半導体発光装置と、を有する。半田リフローなど方法により半導体発光装置を基板９０に半田付けする際に、予め基板９０に半田パッド部を設け、半田ペーストなどをスクリーン印刷などで塗布しておく。そして、アウターリード２０Ａおよびアウターリード３０Ａが、基板９０上の電極パターンに半田８１よりそれぞれ接続される。また同時に、リード２０のチップ直下の部分が、基板９０上の電極パターンに半田８２により接続される。
本実施形態の半導体発光装置は、チップ直下のリードが底面に剥きだしであるため、半田８２を介して基板９０の電極パッド部に接合できる。ＬＥＤチップ１０のｐ−ｎ接合に注入される大電流により発生する熱は、同図に矢印で表したように、チップ１０の直下の半田接合８２を介して基板９０に効率よく放散される。その結果として、大電流を流しても安定した高出力動作が可能となり、例えば、液晶ディスプレイのバックライトや、高輝度の表示板、車載用ストップランプ、テールランプ、ヘッドランプ、あるいはトイレや各種空間のスポット照明など、従来の半導体発光ユニットでは照度が不足であった各種の用途に用いることが可能となる。
以下、図１乃至図４を参照しつつ、本実施形態の半導体発光装置の各部の構成についてさらに詳しく説明する。
リード２０のインナーリード部２０Ｂには、カップ状の凹部２０Ｃが設けられている。一方、埋め込み樹脂４０には凹部４０Ｃが設けられ、その底部には、リードの凹部２０Ｃを含むインナーリード部２０Ｂ、３０Ｂの一部が露出している。そして、リード２０の凹部２０Ｃの底面にＬＥＤチップ１０がダイボンディングされている。ダイボンディングの接着剤としては、共晶半田、導電性ペーストあるいは金（Ａｕ）バンプなどを用いることができる。また、ＬＥＤチップ１０の電極は、ボンディングワイヤ６０により、もう一方のインナーリード部３０Ｂに接続されている。
カップ状の凹部２０Ｃには傾斜した側壁が設けられ、ＬＥＤチップ１０から放出される光に対して反射機能を有する。また、埋め込み樹脂４０の凹部４０Ｃの側壁も反射機能を有する。その結果として、光取り出し効率を向上できる。凹部２０Ｃの側壁をＲ形状などの曲面状にすれば、所望の配光特性を維持しつつ光反射率を高めて高い光取り出し効率が得られる。
ここで、ＬＥＤチップ１０を凹部２０Ｃのほぼ中心に配置することにより、均一な配光特性が得られやすくなる。また、埋め込み樹脂４０に設けられた凹部４０Ｃは、例えば図２に表したように、ＬＥＤチップ１０を中心とした第１の円錐状の部分と、ワイヤ６０を収容するために付設された第２の円錐状の部分と、を有する。凹部４０Ｃをこのように形成すると、ＬＥＤチップ１０からの光を効率よく上方に反射させ光の取り出し効率を上げることができる。
一方、後に詳述するように、ＬＥＤチップ１０を凹部２０Ｃの中に収容することにより、埋め込み樹脂４０によるインサート成形工程において樹脂の鋳型がＬＥＤチップ１０に接触することを防止できる。つまり、リード２０にＬＥＤチップ１０をマウントした後に、埋め込み樹脂４０にインサート成形できる。その結果として、ＬＥＤチップ１０のボンディングの接着剤として、融点の高い共晶半田などを用いることができるという効果も得られる。
ＬＥＤチップ１０としては、各種の可視光型のＬＥＤチップを用いることができる。さらに、紫外光型のＬＥＤチップと蛍光体とを適宜組み合わせることにより、白色光をはじめとする各種の発光色が得られる。このようにして、ＣＩＥ（国際照明協会）規格の比視感度曲線で表されるあらゆる色が実現可能である。
ＬＥＤチップ１０やボンディングワイヤ６０を内包する埋め込み樹脂４０の凹部４０Ｃは、封止樹脂５０によって埋め込まれている。なお、図２においては内部構造を表すために封止樹脂５０を省略している。
ＬＥＤチップ１０として、ＩｎＧａＡｌＰ系化合物半導体などを用いて赤色などの可視光を放出するチップを用いた場合には、封止樹脂５０の材料として、例えばエポキシ樹脂を用いることができる。
一方、ＬＥＤチップ１０として、紫外線を放出するチップを用いた場合には、封止樹脂５０の材料として、シリコーン系樹脂を用いることが望ましい。エポキシ樹脂は紫外線の照射によって変色する場合があるが、シリコーン系樹脂を用いた場合には変色は生じず、長期に亘って高い光透過率を維持できるからである。またこの時、封止樹脂５０に蛍光体を適宜混合することにより、所望の発光色が得られる。
一対のリード２０、３０は、金属により形成することが望ましい。例えば、銅（Ｃｕ）系の合金を用いると、高い熱伝導率が得られ有利である。また、その表面にメッキなどの方法によりコーティングを施すと、カップ状の凹部２０Ｃの側壁における光反射率を高め、また、アウターリード部２０Ａ、３０Ａ及びチップ１０直下のリード２０裏面における半田の接合強度を上げることができる。そのようなコーティングとしては、例えば、銀（Ａｇ）や、ニッケル（Ｎｉ）／パラジウム（Ｐｄ）／金（Ａｕ）をこの順に積層したものを挙げることができる。銀をコーティングする場合の厚みは、例えば、１０マイクロメータ程度とすることができる。また、後者の積層構造の場合には、例えば、ニッケルを１マイクロメータ程度、パラジウムを０．０３マイクロメータ程度、金を０．００８マイクロメータ程度とすることができる。このようなコーティングを施すことにより、凹部２０Ｃでの反射率を上げ、半田付けの接合強度も上げることができる。
インナーリード部２０Ｂ、３０Ｂの厚みＴ１は、例えば１．２ミリメータ、ＬＥＤチップ１０がマウントされる凹部２０Ｃの部分の厚みＴ２は、例えば０．７ミリメータ、アウターリード部２０Ａ、３０Ａの厚みＴ３は、例えば０．５ミリメータ程度とすることができる。また、ＬＥＤチップ１０のサイズは、例えば、高出力型の場合には、一辺が１ミリメータの正方形状とすることができる。
埋め込み樹脂４０の材料としては、例えば、熱可塑性樹脂を用いることができる。そのような樹脂としては、例えば、ポリフタルアミド（ＰＰＡ）などのナイロン系樹脂を挙げることができる。リード２０、３０は、このような熱可塑性の埋め込み樹脂４０によりインサート成形することができる。また、埋め込み樹脂４０に反射率が高い材料を混合または混入することにより、凹部４０Ｃの側壁での反射作用を促進できる。例えば、チタン酸カリウムの粉末を樹脂４０に混合するとよい。
埋め込み樹脂４０の外寸は、例えば長さＬを７ミリメータ、幅Ｗを５ミリメータ、高さＨを２ミリメータ程度とすることができる。
一方、本実施形態においては、リード２０、３０の裏面が埋め込み樹脂４０の底面に露出する構造であるため、これらリードと埋め込み樹脂４０とが剥離しないように接合強度を上げる構造を採用することが望ましい。
図５は、リード２０、３０と樹脂４０との接合強度を増強する構造を例示する模式図である。
すなわち、リード２０（３０）を貫通するアンカーホール１８０を設け、埋め込み樹脂４０がこのアンカーホール１８０の内部に充填されるようにすると、リードとインジェクション成形体の「ぶれ」を抑制し、密着強度および接触面積を増加させてリードと樹脂４０との剥離を抑制できる。
また、リード２０、３０のインナーリード部の先端に凹凸２０Ｐ、３０Ｐを設けることにより、樹脂４０との「食いつき」が向上し、接合強度を増強できる。
また、図５（ｂ）にＡ−Ａ線断面図として表したように、リード２０（３０）の側面に、裏面に向けてその幅が縮小するテーパ部２０Ｔ（３０Ｔ）を設けてもよい。このようにすると、これらテーパ部２０Ｔ（３０Ｔ）においてリード２０（３０）は樹脂４０によって斜め下方から支持されることとなり、樹脂４０の剥離を抑制できる。
以上説明したアンカーホール１８０や、凹凸２０Ｐ（３０Ｐ）、テーパ部２０Ｔ（３０Ｔ）は、リード２０、３０のプレス加工により形成できる。そして、これらを設けることにより、リードとインジェクション成形体の「ぶれ」を抑制し、密着強度および接触面積を増加させてリードと樹脂４０との剥離を抑制できる。
以下、本実施形態の半導体発光装置について、その製造方法を参照しつつさらに詳細に説明する。
図６乃至図１０は、本実施形態の半導体発光装置の製造工程の要部を例示する工程断面図である。
まず、図６に表したように、リード２０の凹部２０ＣにＬＥＤチップ１０をマウントする。ここで、リード２０、３０は、いわゆる「リードフレーム」の形態で供給することが望ましい。
図１１は、このようなリードフレームの具体例を表す模式図である。
また、図１２は、図１１に例示したリードフレームの一対のリード２０、３０の部分を拡大した模式図である。
本具体例のリードフレームの場合、図５に関して前述したようなアンカーホール１８０、凹凸２０Ｐ（３０Ｐ）、テーパ部２０Ｔ（３０Ｔ）などが設けられている。なお、アンカーホール１８０は、リード２０の側面に切り欠き状に設けられている。
ＬＥＤチップ１０のダイボンディングには、銀ペーストや共晶半田（ＡｕＳｎ、ＡｕＧｅ、ＡｕＳｉなど）あるいは金（Ａｕ）バンプを用いることができる。高出力型ＬＥＤ（大電流でもある）では、ｐ−ｎ接合温度が上昇するため高温動作に耐える接着材料を用いることが望ましい。このため、高温で安定した接合強度が得られる共晶半田や金バンプを用いることが望ましい。例えば、ＡｕＳｎの溶融温度は、およそ摂氏２８０度であるため、銀ペーストに比べて高温動作時の信頼性が高い。ＡｕＳｎ共晶半田によるマウントは、摂氏３２０度程度で実施する場合が多い。
ＬＥＤチップ１０をマウントしたら、次に、埋め込み樹脂４０をインサート成形する。
図７は、樹脂４０の成形金型１４０にリードフレームをインサートした状態を表す。
本実施形態においては、ＬＥＤチップ１０はリード２０の凹部２０Ｃに収容されているので、成形金型１４０がＬＥＤチップ１０に当たることがなくインサート成形が可能となる。つまり、ＬＥＤチップ１０をマウントした後に、樹脂４０をインサート成形できる。
埋め込み樹脂４０の材料としてＰＰＡなどの熱可塑性樹脂を用いる場合、その耐熱温度は摂氏２９０度程度である。これに対して、共晶半田を用いる場合には、ボンディング温度を摂氏３２０度程度まで加熱する必要がある。つまり、埋め込み樹脂４０をインサート成形した後に、共晶半田によりＬＥＤチップ１０を共晶半田マウントすることは容易でない。
これに対して、本実施形態によれば、リードの凹部２０Ｃの中にＬＥＤチップ１０をマウントすることにより、成形金型１４０がチップ１０に当たることなく、インサート成形が可能となる。その結果として、共晶半田による高温でのダイボンディングの後に、樹脂のインサート成形が可能となり、樹脂４０を熱劣化させることなく、熱信頼性の高い共晶半田を用いることが可能となる。
図８は、インサート成形が終了し成形金型１４０からリードフレームを抜き取った状態を表す。
また、図１３は、樹脂４０がモールドされたリードフレームの具体例を表す模式図である。
また、図１４は、図１３に例示した状態のリードフレームのリード２０、３０の部分を拡大した模式図である。
このように、複数のリード２０、３０が並列配置されたリードフレームを成形金型１４０にインサートすることにより、樹脂４０を一度に成型できる。
しかる後に、図９に表したように、ＬＥＤチップ１０に設けられた電極（図示せず）と、樹脂の凹部４０Ｃの底部の露出したリード３０のインナーリード部３０Ｂとを、金（Ａｕ）線などでワイヤボンディングする。
その後、図１０に表したように、埋め込み樹脂４０の凹部４０Ｃに樹脂を封入してＬＥＤチップ１０及びワイヤ６０を封止する。
この後、リードフレームにより連結されている一連の半導体発光装置をリードカットすることにより、半導体発光装置が個々に分離されて製造工程が完了する。なお上記の各工程に用いられる製造装置（ダイボンダー、ワイヤボンダー、成形機、リードカット装置など）を自動化すると、高い生産性と高い信頼性を確保できる。
以上、本発明の実施の形態にかかる半導体発光装置及びその製造方法について説明した。
以下、本実施形態の半導体発光装置の変型例について説明する。
図１５は、本実施形態の半導体発光装置の第１の変型例の要部を表す模式断面図である。
すなわち、同図（ａ）に表したように、凹部２０Ｃの深さＤをＬＥＤチップ１０の厚みよりも大きくすることにより、前述した如く、成形金型１４０からＬＥＤチップ１０を保護できる。そして、ＬＥＤチップ１０から放出された光は、凹部２０Ｃの側壁で反射され、上方に取り出すことができる。
さらに、図１５（ｂ）に表したように、凹部２０Ｃのチップ１０の周辺に凸部１００を設け、その外側に高反射率を有する材料２００を充填すると、同図に矢印で表したようにチップ１０から横方向に放出された光を高い効率で反射させ、上方に取り出すことができる。例えば、高い反射率を有する材料２００としては、例えば、チタン酸カリウムの微粒子を挙げることができる。このような微粒子を樹脂に混ぜて充填することにより、ＬＥＤチップ１０からの光を高い効率で反射させることが可能となる。すなわち、図１５（ａ）に表したように、凹部２０Ｃの側壁において反射を生じさせる場合よりも反射位置がチップ１０に近づくことと、材料２００による高反射率のために、光取り出し効率を大幅に上げることが可能となる。
図１６は、本実施形態の半導体発光装置の第２の変型例を表す模式断面図である。
本変型例においては、ＬＥＤチップ１０を封止する第１の封止樹脂５２と、その外側をさらに封止する第２の封止樹脂５４と、が設けられている。
例えば、第１の封止樹脂５２として、硬度が比較的低く、機械的に柔らかい樹脂を用いることにより、ＬＥＤチップ１０に付加される機械的な応力を緩和し、クラックや剥がれなどの問題を抑制できる。この場合、第２の封止樹脂５４としては、機械的な強度が高い樹脂を用いることにより、外力や衝撃の付加に耐えることができる。
また、例えば、ＬＥＤチップ１０として、紫外線発光型の素子を用い、第１の封止樹脂５２としては、シリコーン樹脂に蛍光体を分散させたものを用い、第２の封止樹脂５４としてエポキシ樹脂を用いることができる。ＬＥＤチップ１０から放出される紫外線は、第１の封止樹脂５２に含まれる蛍光体により波長変換され、例えば可視光に変換される。この可視光はエポキシ樹脂からなる第２の封止樹脂を透過して外部に取り出すことができる。紫外線が蛍光体により波長変換されるので、エポキシ樹脂からなる第２の封止樹脂５４に変色などの問題が生ずることはない。また、第２の封止樹脂５４の材料として、エポキシ樹脂を用いることにより、外力や衝撃に対する耐久性を向上できる。
図１７は、本実施形態の半導体発光装置の第３の変型例を表す模式断面図である。
本変型例においては、第１のワイヤ６０ＡによりＬＥＤチップ１０とリード３０とが接続され、第２のワイヤ６０ＢによりＬＥＤチップ１０とリード２０とが接続されている。これは、例えば、ＬＥＤチップ１０が絶縁性基板の上に形成されているような場合に有効である。すなわち、窒化ガリウム系の半導体材料をエピタキシャル成長させる場合の基板として、サファイアが用いられることがある。このような場合には、ＬＥＤチップ１０のアノードとカソードは、チップ１０の上面に設けられる。従って、第２のワイヤ６０Ｂによりリード２０に接続する必要がある。
また、ＬＥＤチップ１０とともに、保護用ダイオードなどの他の半導体素子（図示せず）をマウントした場合にも、このように第２のワイヤ６０Ｂにより接続できる。
図１８は、本実施形態の半導体発光装置の第４の変型例を表す模式断面図である。
本変型例においては、リード２０、３０とリードフレームとの接続部３００の幅がリード２０、３０の幅よりも狭く形成されている。本実施形態の半導体発光装置をリードフレームから製造する場合、例えば、図１３に例示した如くつながっているリードフレームから切断することにより半導体発光装置を分離する必要がある。
しかし、リードフレームに銀などをメッキした場合には、切断部にはメッキされていない母材面が露出して半田付け性の劣化などが生ずることがある。これに対して、本変型例の如く接続部３００を幅狭に形成することによって、リードカット後の母材面の剥きだし部分の面積を小さくし、半田付け性の低下を抑制できる。
図１９は、本実施形態の半導体発光ユニットに用いる実装基板の一例を表す平面図である。
本具体例の場合、実装基板９０には、複数の半導体発光装置を並列に配置可能な電極パターンが設けられている。すなわち、それぞれの半導体発光装置のリードのアウターリード部２０Ａ、３０Ａに対応して、電極パターン９０Ａ、９０Ｂが設けられている。さらに、それぞれの半導体発光装置のチップ直下の部分において半田付けをするための電極パターン９０Ｃが設けれている。
このように本実施形態においては、チップ直下において実装基板に半田付けを可能とすることにより、図４に関して前述したように、熱の放出を促進させ、大電流を流した場合でも、安定して高出力動作させる半導体発光ユニットを提供できる。
以上、具体例を参照しつつ本発明の実施の形態について説明した。しかし、本発明はこれら具体例に限定されるものではない。
例えば、ＬＥＤチップとして用いることができるものは、ＩｎＧａＡｌＰ系やＧａＮ系に限定されず、その他、ＧａＡｌＡｓ系、ＩｎＰ系をはじめとする各種のIII−Ｖ族化合物半導体や、その他、II−VI族化合物半導体あるいはそれ以外の各種の半導体を用いたものであってもよい。
その他、半導体発光装置を構成するＬＥＤチップ、リード、埋め込み樹脂、封止樹脂などの各要素の形状、サイズ、材質、配置関係などに関して当業者が各種の設計変更を加えたものであっても、本発明の要旨を有する限りにおいて本発明の範囲に包含される。
本発明の実施の形態にかかる半導体発光装置の要部構成を例示する模式断面図である。 本発明の実施形態の半導体発光装置を斜め上方から眺めた模式斜視図である。 本発明の実施形態の半導体発光装置を斜め下方から眺めた模式斜視図である。 本実施形態の半導体発光装置を基板に実装した状態を表す模式断面図である。 リード２０、３０と樹脂４０との接合強度を増強する構造を例示する模式図である。 本実施形態の半導体発光装置の製造工程の要部を例示する工程断面図である。 本実施形態の半導体発光装置の製造工程の要部を例示する工程断面図である。 本実施形態の半導体発光装置の製造工程の要部を例示する工程断面図である。 本実施形態の半導体発光装置の製造工程の要部を例示する工程断面図である。 本実施形態の半導体発光装置の製造工程の要部を例示する工程断面図である。 リードフレームの具体例を表す模式図である。 図１１に例示したリードフレームのリード２０、３０の部分を拡大した模式図である。 樹脂４０がモールドされたリードフレームの具体例を表す模式図である。 図１３に例示した状態のリードフレームのリード２０、３０の部分を拡大した模式図である。 本実施形態の半導体発光装置の第１の変型例の要部を表す模式断面図である。 本実施形態の半導体発光装置の第２の変型例を表す模式断面図である。 本実施形態の半導体発光装置の第３の変型例を表す模式断面図である。 本実施形態の半導体発光装置の第４の変型例を表す模式断面図である。 本実施形態の半導体発光ユニットに用いる実装基板の一例を表す平面図である。
符号の説明
１０ ＬＥＤチップ（半導体発光素子）
２０、３０ リード
２０Ａ、３０Ａ アウターリード部
２０Ｂ、３Ｂ インナーリード部
２０Ｃ 凹部
２０Ｐ 凹凸
２０Ｔ テーパ部
４０ 埋め込み樹脂
４０Ｃ 凹部
５０、５２、５４ 封止樹脂
６０、６０Ａ、６０Ｂ ワイヤ
８１、８２ 半田
９０ 基板
９０Ａ、９０Ｃ 電極パターン
１００ 凸部
１４０ 成形金型
１８０ アンカーホール
２００ 高反射材料
３００ 接続部

Claims (5)

  1. 埋め込み樹脂と、
    前記埋め込み樹脂の一側面から突出した第１のアウターリード部を有する第１のリードと、
    前記埋め込み樹脂の前記一側面に対向する側面から突出した第２のアウターリード部を有する第２のリードと、
    前記埋め込み樹脂の上面に設けられた凹部の中に露出した前記第１のリードのインナーリード部にマウントされた半導体発光素子と、
    前記半導体発光素子と前記第２のリードとを接続するワイヤと、
    前記凹部の中に設けられた半導体発光素子及び前記ワイヤを封止する封止樹脂と、
    を備え、
    前記第１のリードは、前記インナーリード部の前記半導体発光素子がマウントされた部分の裏面側から前記アウターリード部の裏面まで前記埋め込み樹脂に覆われず連続的に露出した部分を有し、
    前記第１のリードの前記インナーリード部の前記半導体発光素子がマウントされた部分の厚みは、前記第１のアウターリード部の先端部の厚みよりも大なることを特徴とする半導体発光装置。
  2. 前記第１のリードの前記インナーリード部の先端と、前記第２のリードのインナーリード部の先端と、の少なくともいずれかに前記埋め込み樹脂に覆われた凹凸が設けられたことを特徴とする請求項１記載の半導体発光装置。
  3. 前記第１のリードの前記インナーリード部の側面と、前記第２のリードのインナーリード部の側面と、の少なくともいずれかに、裏面に向けて前記インナーリード部の幅が縮小するテーパ部が設けられ、
    前記テーパ部は、前記埋め込み樹脂に覆われたことを特徴とする請求項１または２に記載の半導体発光装置。
  4. 凹部が設けられた第１のリードと、前記第１のリードと略同一直線上に延在し対向配置された第２のリードと、を有するリードフレームの前記凹部の底面に、前記凹部の深さよりも小なる厚みの半導体発光素子をマウントする工程と、
    前記凹部の上部開口端に成形金型を当接させ前記凹部内への樹脂の侵入を防いだ状態で、前記半導体発光素子がマウントされた部分とは反対側の前記第１のリードのインナーリード部の裏面から前記第１のリードのアウターリード部の裏面まで連続して露出する部分が形成されるように、前記第１及び第２のリードのインナーリード部を樹脂により埋め込む工程と、
    を備えたことを特徴とする半導体発光装置の製造方法。
  5. 第１の電極パッドと、第２の電極パッドと、前記第１及び第２の電極パッドの間に設けられた第３の電極パッドと、を有する実装基板と、
    請求項１〜３のいずれか１つに記載の半導体発光装置と、
    を備え、
    前記第１及び第２のアウターリード部のいずれか一方は、前記第１及び第２の電極パッドのいずれか一方に接続され、
    前記第１及び第２のアウターリード部のいずれか他方は、前記第１及び第２の電極パッドのいずれか他方に接続され、
    前記第１のリードの前記インナーリード部のうちで前記半導体発光素子がマウントされた部分の裏面側は、前記第３の電極パッドに接続されたことを特徴とする半導体発光ユニット。
JP2004174455A 2004-06-11 2004-06-11 半導体発光装置及びその製造方法並びに半導体発光ユニット Expired - Fee Related JP4359195B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004174455A JP4359195B2 (ja) 2004-06-11 2004-06-11 半導体発光装置及びその製造方法並びに半導体発光ユニット
US11/149,461 US7291866B2 (en) 2004-06-11 2005-06-10 Semiconductor light emitting device and semiconductor light emitting unit
CNB2005100778983A CN100463238C (zh) 2004-06-11 2005-06-13 半导体发光器件及其制造方法、以及半导体发光组件

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004174455A JP4359195B2 (ja) 2004-06-11 2004-06-11 半導体発光装置及びその製造方法並びに半導体発光ユニット

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2005353914A JP2005353914A (ja) 2005-12-22
JP4359195B2 true JP4359195B2 (ja) 2009-11-04

Family

ID=35479710

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004174455A Expired - Fee Related JP4359195B2 (ja) 2004-06-11 2004-06-11 半導体発光装置及びその製造方法並びに半導体発光ユニット

Country Status (3)

Country Link
US (1) US7291866B2 (ja)
JP (1) JP4359195B2 (ja)
CN (1) CN100463238C (ja)

Families Citing this family (155)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4009097B2 (ja) * 2001-12-07 2007-11-14 日立電線株式会社 発光装置及びその製造方法、ならびに発光装置の製造に用いるリードフレーム
JP4711715B2 (ja) 2005-03-30 2011-06-29 株式会社東芝 半導体発光装置及び半導体発光ユニット
JP2007123777A (ja) * 2005-10-31 2007-05-17 Sharp Corp 半導体発光装置
US20070126020A1 (en) * 2005-12-03 2007-06-07 Cheng Lin High-power LED chip packaging structure and fabrication method thereof
US8044412B2 (en) 2006-01-20 2011-10-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd Package for a light emitting element
JP2007299775A (ja) * 2006-04-03 2007-11-15 Nichia Chem Ind Ltd 発光ユニット及び照明装置
JP2012178567A (ja) * 2006-04-06 2012-09-13 Hitachi Chem Co Ltd 光反射用熱硬化性樹脂組成物、これを用いた光半導体素子搭載用基板とその製造方法および光半導体装置
US20070241339A1 (en) * 2006-04-12 2007-10-18 Jui-Kang Yen Light-emitting diode with low thermal resistance
KR100735325B1 (ko) * 2006-04-17 2007-07-04 삼성전기주식회사 발광다이오드 패키지 및 그 제조방법
JP4952233B2 (ja) * 2006-04-19 2012-06-13 日亜化学工業株式会社 半導体装置
US20070262341A1 (en) * 2006-05-09 2007-11-15 Wen-Huang Liu Vertical led with eutectic layer
KR100735432B1 (ko) * 2006-05-18 2007-07-04 삼성전기주식회사 발광소자 패키지 및 발광소자 패키지 어레이
US9502624B2 (en) 2006-05-18 2016-11-22 Nichia Corporation Resin molding, surface mounted light emitting apparatus and methods for manufacturing the same
EP2034526B1 (en) * 2006-06-02 2019-12-25 Hitachi Chemical Company, Ltd. Package for mounting optical semiconductor element and optical semiconductor device employing the same
JP4611937B2 (ja) * 2006-06-07 2011-01-12 日亜化学工業株式会社 表面実装型発光装置及びその製造方法
JP2007329219A (ja) * 2006-06-07 2007-12-20 Nichia Chem Ind Ltd 樹脂成形体及び表面実装型発光装置並びにそれらの製造方法
TWI428396B (zh) 2006-06-14 2014-03-01 Shinetsu Chemical Co 填充磷光體之可固化聚矽氧樹脂組成物及其固化產物
JP5057707B2 (ja) * 2006-06-16 2012-10-24 日亜化学工業株式会社 発光装置
US20070290220A1 (en) * 2006-06-20 2007-12-20 Bily Wang Package for a light emitting diode and a process for fabricating the same
US7960819B2 (en) * 2006-07-13 2011-06-14 Cree, Inc. Leadframe-based packages for solid state emitting devices
US8044418B2 (en) * 2006-07-13 2011-10-25 Cree, Inc. Leadframe-based packages for solid state light emitting devices
US7961470B2 (en) * 2006-07-19 2011-06-14 Infineon Technologies Ag Power amplifier
JP4865525B2 (ja) * 2006-08-03 2012-02-01 イッツウェル カンパニー リミテッド Ｓｍｌ型発光ダイオードランプ用素子およびその製造方法
US20080054274A1 (en) * 2006-08-30 2008-03-06 Unity Opto Technology Co., Ltd. Edge-emitting light-emitting diode
TWI313943B (en) * 2006-10-24 2009-08-21 Chipmos Technologies Inc Light emitting chip package and manufacturing thereof
JP4961978B2 (ja) * 2006-11-30 2012-06-27 日亜化学工業株式会社 発光装置およびその製造方法
JP5380774B2 (ja) 2006-12-28 2014-01-08 日亜化学工業株式会社 表面実装型側面発光装置及びその製造方法
EP2109157B1 (en) * 2006-12-28 2018-11-28 Nichia Corporation Light emitting device and method for manufacturing the same
JP5608955B2 (ja) * 2007-02-06 2014-10-22 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法並びに発光装置用成形体
WO2008099531A1 (ja) * 2007-02-16 2008-08-21 Sharp Kabushiki Kaisha バックライト装置およびそれを用いた平面表示装置
KR20090124906A (ko) * 2007-03-12 2009-12-03 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 고출력 발광 장치 및 그것에 이용하는 패키지
JP5122172B2 (ja) 2007-03-30 2013-01-16 ローム株式会社 半導体発光装置
US7858198B2 (en) * 2007-04-10 2010-12-28 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Phosphor-containing adhesive silicone composition, composition sheet formed of the composition, and method of producing light emitting device using the sheet
JP5233170B2 (ja) 2007-05-31 2013-07-10 日亜化学工業株式会社 発光装置、発光装置を構成する樹脂成形体及びそれらの製造方法
KR100880638B1 (ko) 2007-07-06 2009-01-30 엘지전자 주식회사 발광 소자 패키지
JP5114773B2 (ja) * 2007-08-10 2013-01-09 スタンレー電気株式会社 表面実装型発光装置
KR101320514B1 (ko) * 2007-08-21 2013-10-22 삼성전자주식회사 칩-온-보드 방식에 의한 ｌｅｄ 패키지
KR101365621B1 (ko) 2007-09-04 2014-02-24 서울반도체 주식회사 열 방출 슬러그들을 갖는 발광 다이오드 패키지
JP2009065002A (ja) * 2007-09-07 2009-03-26 Nichia Corp 発光装置
EP2051298B1 (en) * 2007-10-18 2012-09-19 Sencio B.V. Integrated Circuit Package
US7985980B2 (en) * 2007-10-31 2011-07-26 Sharp Kabushiki Kaisha Chip-type LED and method for manufacturing the same
KR100998233B1 (ko) * 2007-12-03 2010-12-07 서울반도체 주식회사 슬림형 ｌｅｄ 패키지
KR101488448B1 (ko) * 2007-12-06 2015-02-02 서울반도체 주식회사 Ｌｅｄ 패키지 및 그 제조방법
CN101465395A (zh) * 2007-12-21 2009-06-24 富士迈半导体精密工业（上海）有限公司 发光二极管
KR20090069146A (ko) * 2007-12-24 2009-06-29 삼성전기주식회사 발광 다이오드 패키지
WO2009101551A1 (en) * 2008-02-12 2009-08-20 Koninklijke Philips Electronics N.V. Light emitting device
JP5416975B2 (ja) * 2008-03-11 2014-02-12 ローム株式会社 半導体発光装置
KR100869376B1 (ko) * 2008-05-20 2008-11-19 주식회사 정진넥스텍 발광다이오드 칩 실장용 리드 프레임 어셈블리와 그의 제조방법
KR101088910B1 (ko) * 2008-05-29 2011-12-07 삼성엘이디 주식회사 Ｌｅｄ 패키지 및 그 제조방법
US8258526B2 (en) * 2008-07-03 2012-09-04 Samsung Led Co., Ltd. Light emitting diode package including a lead frame with a cavity
TW201003991A (en) * 2008-07-03 2010-01-16 jia-han Xie Package structure of LED and light bar using the same
WO2010002226A2 (ko) 2008-07-03 2010-01-07 삼성엘이디 주식회사 Led 패키지 및 그 led 패키지를 포함하는 백라이트 유닛
JP5294741B2 (ja) * 2008-07-14 2013-09-18 日亜化学工業株式会社 樹脂成形体及び表面実装型発光装置並びにそれらの製造方法
JP5217800B2 (ja) 2008-09-03 2013-06-19 日亜化学工業株式会社 発光装置、樹脂パッケージ、樹脂成形体並びにこれらの製造方法
US10021742B2 (en) 2014-09-28 2018-07-10 Jiaxing Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd LED tube lamp
JP5440010B2 (ja) 2008-09-09 2014-03-12 日亜化学工業株式会社 光半導体装置及びその製造方法
KR100888236B1 (ko) * 2008-11-18 2009-03-12 서울반도체 주식회사 발광 장치
KR101007131B1 (ko) * 2008-11-25 2011-01-10 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지
JP2010161139A (ja) * 2009-01-07 2010-07-22 Toshiba Corp 発光装置
JP5368809B2 (ja) * 2009-01-19 2013-12-18 ローム株式会社 Ｌｅｄモジュールの製造方法およびｌｅｄモジュール
JP5493389B2 (ja) * 2009-02-27 2014-05-14 日亜化学工業株式会社 発光素子用回路基板及び発光装置並びにそれらの製造方法
KR101020992B1 (ko) * 2009-03-02 2011-03-09 엘지이노텍 주식회사 발광 모듈 및 이를 구비한 라이트 유닛
TWI399873B (zh) * 2009-03-03 2013-06-21 億光電子工業股份有限公司 發光二極體封裝結構及其製作方法
DE102009012517A1 (de) * 2009-03-10 2010-09-16 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauelement
TWI485878B (zh) * 2009-04-01 2015-05-21 光寶科技股份有限公司 形成發光二極體之透鏡結構之方法及其相關架構
JP2010245359A (ja) * 2009-04-08 2010-10-28 Iwatani Internatl Corp 半導体装置
JP5496570B2 (ja) 2009-08-05 2014-05-21 シャープ株式会社 発光装置
JP5347877B2 (ja) * 2009-09-29 2013-11-20 豊田合成株式会社 発光装置
US8502257B2 (en) * 2009-11-05 2013-08-06 Visera Technologies Company Limited Light-emitting diode package
WO2011059137A1 (ko) * 2009-11-16 2011-05-19 (주)포인트 엔지니어링 광소자 디바이스 및 그 제조 방법
JP5367668B2 (ja) * 2009-11-17 2013-12-11 スタンレー電気株式会社 発光装置およびその製造方法
KR101760535B1 (ko) * 2009-11-19 2017-07-21 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤 반도체용 패키지 및 방열형 리드 프레임
TW201128812A (en) 2009-12-01 2011-08-16 Lg Innotek Co Ltd Light emitting device
JP5573176B2 (ja) * 2010-01-14 2014-08-20 大日本印刷株式会社 リードフレームおよびその製造方法、ならびに半導体装置およびその製造方法
JP5710128B2 (ja) * 2010-01-19 2015-04-30 大日本印刷株式会社 樹脂付リードフレームの製造方法
JP5010693B2 (ja) * 2010-01-29 2012-08-29 株式会社東芝 Ｌｅｄパッケージ
JP5010716B2 (ja) 2010-01-29 2012-08-29 株式会社東芝 Ｌｅｄパッケージ
JP4764519B1 (ja) * 2010-01-29 2011-09-07 株式会社東芝 Ｌｅｄパッケージ
CN102194964A (zh) * 2010-03-12 2011-09-21 展晶科技(深圳)有限公司 化合物半导体封装结构及其制造方法
CN102804428B (zh) 2010-03-30 2016-09-21 大日本印刷株式会社 Led用引线框或基板、半导体装置和led用引线框或基板的制造方法
JP5533203B2 (ja) * 2010-04-30 2014-06-25 日亜化学工業株式会社 発光装置および発光装置の製造方法
KR101298406B1 (ko) * 2010-05-17 2013-08-20 엘지이노텍 주식회사 발광소자
JP5734581B2 (ja) * 2010-05-21 2015-06-17 シャープ株式会社 半導体発光装置
KR101719644B1 (ko) * 2010-05-24 2017-04-04 서울반도체 주식회사 Ｌｅｄ패키지
KR101103674B1 (ko) * 2010-06-01 2012-01-11 엘지이노텍 주식회사 발광 소자
WO2012014382A1 (ja) 2010-07-27 2012-02-02 パナソニック株式会社 半導体装置
KR101114197B1 (ko) * 2010-08-09 2012-02-22 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 이를 구비한 조명 시스템
CN102456810B (zh) * 2010-10-26 2014-12-10 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装结构
WO2012060336A1 (ja) 2010-11-02 2012-05-10 大日本印刷株式会社 Ｌｅｄ素子搭載用リードフレーム、樹脂付リードフレーム、半導体装置の製造方法、および半導体素子搭載用リードフレーム
CN102479907B (zh) 2010-11-30 2015-01-07 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装结构
CN102610730B (zh) * 2011-01-24 2014-05-07 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装结构及其制造方法
JP5682340B2 (ja) * 2011-02-01 2015-03-11 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
WO2012117974A1 (ja) 2011-02-28 2012-09-07 日亜化学工業株式会社 発光装置
KR101804892B1 (ko) * 2011-04-14 2017-12-06 엘지디스플레이 주식회사 발광다이오드어셈블리 및 그를 포함한 액정표시장치
TWI508333B (zh) * 2011-05-09 2015-11-11 Lextar Electronics Corp 發光二極體支架結構及其發光二極體單元
US8901578B2 (en) * 2011-05-10 2014-12-02 Rohm Co., Ltd. LED module having LED chips as light source
KR101852886B1 (ko) * 2011-05-31 2018-04-27 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지
JP6205686B2 (ja) * 2011-08-23 2017-10-04 大日本印刷株式会社 光半導体装置
JP2013062337A (ja) * 2011-09-13 2013-04-04 Toshiba Corp 発光装置
JP2013062393A (ja) * 2011-09-14 2013-04-04 Sharp Corp 発光装置
CN103000783A (zh) * 2011-09-19 2013-03-27 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管及其制造方法
US10043960B2 (en) * 2011-11-15 2018-08-07 Cree, Inc. Light emitting diode (LED) packages and related methods
WO2013075309A1 (en) * 2011-11-24 2013-05-30 Cree Huizhou Solid State Lighting Company Limited Water resistant led devices and led display including the same
US8872218B2 (en) * 2012-04-06 2014-10-28 Nichia Corporation Molded package and light emitting device
TW201344971A (zh) * 2012-04-18 2013-11-01 隆達電子股份有限公司 發光元件之封裝結構
KR101957884B1 (ko) * 2012-05-14 2019-03-13 엘지이노텍 주식회사 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 조명 장치
JP5039242B2 (ja) * 2012-05-21 2012-10-03 株式会社東芝 Ｌｅｄパッケージ
US9590155B2 (en) * 2012-06-06 2017-03-07 Cree, Inc. Light emitting devices and substrates with improved plating
JP5431536B2 (ja) * 2012-06-21 2014-03-05 ローム株式会社 半導体発光装置
CN103633229A (zh) * 2012-08-29 2014-03-12 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管模组及其制造方法
JP2014082453A (ja) * 2012-09-25 2014-05-08 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置の製造方法
KR101963221B1 (ko) * 2012-10-15 2019-03-28 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지
DE102012110261A1 (de) * 2012-10-26 2014-04-30 Osram Gmbh Gehäuse für ein optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines Gehäuses
JP6102187B2 (ja) 2012-10-31 2017-03-29 日亜化学工業株式会社 発光装置用パッケージ及びそれを用いた発光装置
JP5701843B2 (ja) * 2012-11-12 2015-04-15 日亜化学工業株式会社 発光装置
KR101373710B1 (ko) 2012-12-12 2014-03-13 (주)포인트엔지니어링 엘이디 금속기판 패키지 및 그 제조방법
JP6107136B2 (ja) 2012-12-29 2017-04-05 日亜化学工業株式会社 発光装置用パッケージ及びそれを備える発光装置、並びにその発光装置を備える照明装置
CN104904025B (zh) * 2013-01-31 2018-04-03 夏普株式会社 发光装置的制造方法和发光装置
TWD156895S (zh) * 2013-02-22 2013-11-01 億光電子工業股份有限公司 發光二極體
JP6303738B2 (ja) * 2013-04-12 2018-04-04 日亜化学工業株式会社 発光装置
DE102013103760A1 (de) * 2013-04-15 2014-10-16 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
JP6484396B2 (ja) 2013-06-28 2019-03-13 日亜化学工業株式会社 発光装置用パッケージ及びそれを用いた発光装置
US20150054017A1 (en) * 2013-08-20 2015-02-26 Prolight Opto Technology Corporation Led chip package
JP5646708B2 (ja) * 2013-08-22 2014-12-24 ローム株式会社 半導体装置
JP5758459B2 (ja) * 2013-08-27 2015-08-05 大日本印刷株式会社 樹脂付リードフレーム、リードフレーム、半導体装置および樹脂付リードフレームの製造方法
JP5908874B2 (ja) * 2013-08-27 2016-04-26 大日本印刷株式会社 樹脂付リードフレーム、リードフレーム、半導体装置および樹脂付リードフレームの製造方法
KR101423455B1 (ko) * 2013-11-28 2014-07-29 서울반도체 주식회사 Led 패키지 및 그 제조방법
JP5646784B2 (ja) * 2014-06-13 2014-12-24 ローム株式会社 半導体発光装置
JP5689558B2 (ja) * 2014-08-28 2015-03-25 ローム株式会社 半導体発光装置
US9689536B2 (en) 2015-03-10 2017-06-27 Jiaxing Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd. LED tube lamp
CN115095808A (zh) 2014-09-28 2022-09-23 嘉兴山蒲照明电器有限公司 一种led直管灯
KR101549383B1 (ko) * 2014-09-29 2015-09-03 서울반도체 주식회사 Led 패키지 및 그 제조방법
JP5878226B2 (ja) * 2014-11-19 2016-03-08 ローム株式会社 半導体発光装置
JP6481349B2 (ja) 2014-12-02 2019-03-13 日亜化学工業株式会社 パッケージの製造方法及び発光装置の製造方法
US10514134B2 (en) 2014-12-05 2019-12-24 Jiaxing Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd LED tube lamp
JP6557968B2 (ja) 2014-12-25 2019-08-14 日亜化学工業株式会社 パッケージ、発光装置及びそれらの製造方法
JP6387824B2 (ja) 2014-12-25 2018-09-12 日亜化学工業株式会社 パッケージ、発光装置及びそれらの製造方法
JP5937242B2 (ja) * 2015-02-16 2016-06-22 ローム株式会社 半導体発光装置
USD786203S1 (en) * 2015-02-24 2017-05-09 Nichia Corporation Light emitting diode
US9851073B2 (en) * 2015-04-02 2017-12-26 Jiaxing Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd. LED tube light with diffusion layer
JP2015149509A (ja) * 2015-05-11 2015-08-20 大日本印刷株式会社 半導体装置およびその製造方法ならびに照明装置
TWI532953B (zh) * 2015-08-27 2016-05-11 Cooling stent structure and manufacturing method thereof
KR20170064673A (ko) * 2015-12-02 2017-06-12 (주)포인트엔지니어링 칩기판
JP6517687B2 (ja) * 2015-12-24 2019-05-22 ローム株式会社 半導体発光装置
JP2017092500A (ja) * 2017-02-15 2017-05-25 大日本印刷株式会社 Ｌｅｄ用リードフレーム、光半導体装置、およびｌｅｄ用リードフレームの製造方法
US10910540B2 (en) * 2017-04-04 2021-02-02 Signify Holding B.V. Solid state light emitter die having a heat spreader between a plurality lead frame
JP6426248B2 (ja) * 2017-09-06 2018-11-21 ローム株式会社 半導体発光装置
JP6435031B2 (ja) * 2017-10-05 2018-12-05 ローム株式会社 Ｌｅｄモジュール
DE102018101813A1 (de) * 2018-01-26 2019-08-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches halbleiterbauteil und verfahren zur herstellung von optoelektronischen halbleiterbauteilen
JP6625701B2 (ja) * 2018-08-09 2019-12-25 ローム株式会社 半導体発光装置
JP6697720B2 (ja) * 2018-10-16 2020-05-27 大日本印刷株式会社 半導体装置およびその製造方法ならびに照明装置
JP7339421B2 (ja) * 2020-03-13 2023-09-05 ローム株式会社 半導体装置
JP7051921B2 (ja) * 2020-03-13 2022-04-11 ローム株式会社 半導体装置
JP7450466B2 (ja) * 2020-06-22 2024-03-15 スタンレー電気株式会社 発光装置及び発光装置の製造方法
JP7469722B2 (ja) * 2022-07-08 2024-04-17 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法及び発光装置

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5245620A (en) * 1990-04-28 1993-09-14 Rohm Co., Ltd. Laser diode system for reflecting and maintaining laser light within the system
US6335548B1 (en) 1999-03-15 2002-01-01 Gentex Corporation Semiconductor radiation emitter package
US6517218B2 (en) 2000-03-31 2003-02-11 Relume Corporation LED integrated heat sink
JP2002076434A (ja) * 2000-08-28 2002-03-15 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
JP2003179269A (ja) 2001-01-24 2003-06-27 Nichia Chem Ind Ltd 光半導体素子
JP3417415B1 (ja) 2001-01-24 2003-06-16 日亜化学工業株式会社 エポキシ樹脂組成物、その製造方法、それを用いた光半導体素子
JP3736366B2 (ja) 2001-02-26 2006-01-18 日亜化学工業株式会社 表面実装型発光素子およびそれを用いた発光装置
KR100419611B1 (ko) 2001-05-24 2004-02-25 삼성전기주식회사 발광다이오드 및 이를 이용한 발광장치와 그 제조방법
JP2003017646A (ja) * 2001-06-29 2003-01-17 Matsushita Electric Ind Co Ltd 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法
JPWO2003034508A1 (ja) * 2001-10-12 2005-02-03 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
JP4009097B2 (ja) 2001-12-07 2007-11-14 日立電線株式会社 発光装置及びその製造方法、ならびに発光装置の製造に用いるリードフレーム
JP4269709B2 (ja) 2002-02-19 2009-05-27 日亜化学工業株式会社 発光装置およびその製造方法
TW546799B (en) * 2002-06-26 2003-08-11 Lingsen Precision Ind Ltd Packaged formation method of LED and product structure
JP3783212B2 (ja) * 2002-10-04 2006-06-07 スタンレー電気株式会社 チップタイプｌｅｄランプの製造方法
JP4138586B2 (ja) * 2003-06-13 2008-08-27 スタンレー電気株式会社 光源用ｌｅｄランプおよびこれを用いた車両用前照灯
CN1585143A (zh) 2004-06-01 2005-02-23 佛山市国星光电科技有限公司 功率发光二极管及其制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN1707825A (zh) 2005-12-14
US7291866B2 (en) 2007-11-06
JP2005353914A (ja) 2005-12-22
US20050280017A1 (en) 2005-12-22
CN100463238C (zh) 2009-02-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4359195B2 (ja) 半導体発光装置及びその製造方法並びに半導体発光ユニット
US7846754B2 (en) High power light emitting diode package and method of producing the same
US7557384B2 (en) Semiconductor light emitting device and semiconductor light emitting unit
JP4830768B2 (ja) 半導体発光装置及び半導体発光装置の製造方法
US7795053B2 (en) Light-emitting device manufacturing method and light-emitting device
TWI400819B (zh) 用於線光源之發光二極體模組
US20090321778A1 (en) Flip-chip light emitting diode and method for fabricating the same
US20090078455A1 (en) Light emitting module and method for manufacturing the same
KR100978028B1 (ko) 발광장치
JP2008060344A (ja) 半導体発光装置
JP3991624B2 (ja) 表面実装型発光装置及びその製造方法
WO2008056813A1 (en) Light emitting device and method for manufacturing the same
JP2003168829A (ja) 発光装置
CN102254905B (zh) 半导体发光装置
US20100084673A1 (en) Light-emitting semiconductor packaging structure without wire bonding
KR101111985B1 (ko) 발광 소자 패키지
CN103915427A (zh) 发光装置及其制造方法
JP2004311857A (ja) 半導体発光装置およびその製造方法
CN101536198A (zh) 发光装置及其制造方法
JP5039474B2 (ja) 発光モジュールおよびその製造方法
JP2006344717A (ja) 発光装置およびその製造方法
KR100665182B1 (ko) 고출력 ｌｅｄ 패키지 및 그 제조방법
JPWO2008139981A1 (ja) 発光装置および発光装置用パッケージ集合体
JP2005123657A (ja) チップ型発光素子およびその製造方法
JP2009026840A (ja) 発光装置および発光装置の作製方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20061010

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20090219

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090226

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090427

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20090716

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20090807

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120814

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120814

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120814

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130814

Year of fee payment: 4

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees