TWI336818B - Lithographic apparatus, device manufacturing method, device manufactured thereby, and controllable patterning device utilizing a spatial light modulator with distributed digital to analog conversion - Google Patents

Description

九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種微影裝置、一種元件製造之方法、藉 此製造之元件及用於圖案化一辕射光束之可控制式圖案化 元件。 【先前技術】 微影裝置是-種將-所要圖案應用至基板之目標部分的 機器。舉例而言，微影裝置可用於製造積體電路⑽、平 板顯示器及包含精細結構之其他元件。在一習知 中，圖案化構件（或稱為光罩或主光罩）可用於產生一對應 於ic(或其他元件）之單獨層的電路圖案’且可將此圖案成 像至一具有一層輻射敏感材料（抗蝕劑）之基板（例如，矽晶 圓或玻璃板）上的目標部分（例如，包含部分、一或若 粒）上。 圖案化構件可包含一單獨可控制式元件陣列來替代光 罩其中6玄陣列用以產生電路圖案。待在目標基板上產生 之圖案可在數位域中產生，且隨後需要轉換成單獨元件之 對應、精確界定之狀態。希望能夠以高速率更新元件之狀 態。靜電力可用以控制可控制式元件的位置（意即，狀 態）。舉例而言，可藉由將一適當控制電壓施加至靠近一 可移動元件配置之一或多個控制電極而達成移動。可使用 其：控制技術。因& ’將所要圖案轉化成適當元件狀態可 包3產生來自數位資料之複數個類比控制電壓，每一者對 應於-個別元件。希望以可控制式圖案化元件中之所有元 110529.doc

L 1336818 • 6 - 1336818 件之狀態能夠以-快速率、低功率消耗、低複·雜性、高可 靠性、機械及電強度及成本低收效大之方式更新的方式達 成此數位對類比轉換。 陣列可含有大量元件，例如高達約兩百五十萬個單獨元 件或甚至更多個。若又藉由將對應複數個數位值連續轉換 成類比控制值而更新元件狀態（組態），則此可導致是否總 體上要求一用於圖案化元件之高更新率的問題。 可由一遠離圖案化元件之DAC(數位對類比轉換器）執行 數位控制訊號（指示所要之元件狀態）至類比控制電壓之轉 換，隨後類比電壓經由一或多個類比輸入通道供應至單獨 單7L。每一通道可為一傳輸線，且由於施加至傳輸線之相 對尚的電壓，所以無法在特性上將其終止。 單獨可控制式元件之陣列可為熱敏感的。一個已知之現 貨DAC及放大器組合含有一具有約1〇 mA之靜態電流的30 V、1 GHz運算放大器。此為1〇〇〇個通道提供3〇〇 w的功率 輸出。此靜態功率隨著熱量大量消耗，若DAC及驅動放大 器組合靠近陣列定位以減少傳輸線的長度，則可能引起元 件陣列出故障。ASIC設計通常較有效，但仍消耗相當量的 功率。 倂入運算放大器之DAC電路的另一問題在於高頻率下的 反饋迴路通常含有一有效串聯電感（對應於運算放大器之 輸出阻抗）。與每一元件（其可具有一較大電容元件）之輸入 端耦接可導致LC諧振器趨向於引起不當振鈴。此可延長供 應至每一元件之電壓的趨穩時間（settling time)，從而降低 110529.doc 陣列之更新率。 電壓之牛寫入動#可界定為涉及向單-元件供應適當控制 陵"驟或系列步驟。根據一種可行更新技術，—單元 之一行元件的最大所需寫入動作之數目等於不同可 -電1值的最大數目(假定同時向要求相同電麼之彼等單 凡供應電壓）。因此，盔 — 為私式化一仃内之所有元件所酌留 之時間必収夠長以致慮及所要求之所有可能類比電壓 :對於8位元系統而言，要求高達256個寫入動作。 —母一類比輸入通道所要求之速度取決於每一通道供應之 疋件數目及陣列之更新率1於製造平板顯示器之微影裝 置可具有約50 kHz之更新率（提供約2〇 μ的更新週期）。單 獨可控制式元件之陣列可具有約1〇〇,〇〇〇個巨集像素每 者包含約25個元件。每一巨集像素可控制為單一單元。 除約20叩的更新週期之外，每一元件之機械趨穩要求約 10 ps。為精確起見，必須允許供應至每一元件之類比電 壓具有足夠時間趨穩至其正瑞值之約0.4%内（對於8位元數 位訊號而言）。趨穩時間取決於輸出電壓跨距、電壓輸出 之轉換率、最大輸出電流及負載之容量。對於一具有25 V 電壓跨距的運算放大器而言，每一類比電壓需要約1〇〇 ns 的趨穩時間。為了在10 gs内程式化所有1〇〇, 〇〇〇個巨集像 素，因此需要約100個類比通道。 歸因於所需之至陣列之大量輸入連接，所以具有i000個 類比輪入通道係不當的。此導致製造陣列的費用增大。另 外，此種大量輸入可導致可靠性問題、高功率消耗、所需 110529.doc 1336818 板空間增大及通道之間的串音干擾問題… 常:Π):影製程，需要單獨控制之元件的數目可能非 改良微影裝置之二外：戶1需更新率有可能增大，藉此 *… 很清楚，堅持以上技術，所需之 b ]入之數目可快速地變得難以操縱。 統需要—種利用更有效且更高效之圖案化構件之系

【發明内容】 根據本發明之一實施例，提供一種微影裝置，其包含: —’、、、明系、统’其用於供應一輻射光束；一可控制式圖案化 π件，其包含用於將一圖案賦予該光束之橫截面中之一單 獨可控制式兀件陣列；一控制系統，其經配置以控制該圖 案化元件；-基板台用於支撐-基板；&一投影系 統，其用於將該經圖案化之光束投射至該基板之一目標部 分上。該圖案化元件包含複數個單元，每一單元包含該等 單獨可控制式元件中之一個別一者及一可控制以產生一判 疋忒個別可控制式元件之組態之個別控制電壓的個別局部 控制電路。該控制系統經調適以輸出一電壓訊號。該裝置 進一步包含一經配置以提供該電壓訊號至每一單元之供應 通道。該控制系統進一步經調適以提供控制訊號至該複數 個局部控制電路。每一局部控制電路包含一連接該電路至 該供應通道之第一個別可控制式切換元件及複數個個別額 外電子組件’且每一局部控制電路回應於該等控制訊號而 110529.doc •9· 1336818 自s亥電壓訊號產生該個別控制電壓。

根據本發明之另一實施例，提供一種元件製造之方法， 其包含以下步驟：提供一基板；制一照明系統提供—輻 射光束η吏用一包含一單獨可控制式元件陣列之可控制式 圖案化元件來將-圖案賦予該光束之㈣面中；且將該經 圖案化之輻射光束投射至該基板之一目標部分上，其中該 圖案化s件包含複數個單元，每—單元包含該等單獨可控 制式元件中之-個別—者及一可控制以產生—判定該個別 可控制式元件之組態的個別控制電壓的個別局部控制電 路、，每-局部控制電路包含一第一個別可控制式切換元件 及複數個個別額外電子組件。該方法進一步包含：提供電 壓訊號至每一單元；提供控制訊號至該複數個局部控制電 路，且每一局部控制電路回應於該等控制訊號而自該電壓 訊號產生該個別控制電壓。

根據本發明之另一實施例，提供一種微影裝置，其包 含.一照明系統，其用於供應一輻射光束；一可控制式圖 案化元件，其包含用於將一圖案賦予該光束之橫截面中之 一單獨可控制式元件陣列；一控制系統，其經配置以控制 該圖案化元件；一基板台，其用於支撐一基板；及一投影 系統，其用於將該經圖案化之光束投射至該基板之一目標 部分上。該控制系統經配置以產生判定個別可控制式元件 之組態的個別控制電壓。該控制系統包含：一數位對類比 轉換器，其經配置以順序地接收一對應於一所要控制電壓 之多位兀數位訊號、將該數位訊號分成至少兩個較短的數 110529.doc • 10- 1336818 位訊號且供應每一較短數位訊號至一個別解多.工器。每一 解多工器經配置以控制連接至複數個電壓輸入線之複數個 切換器。由一第一解多工器控制之切換器之一第一組的輸 出相對於切換器之另—組的輸出按比例縮放，且所有輸出 經共同連接以形成該控制電壓，且該裝置進一步包含一經 配置以供應每一控制電壓至每一個別元件之通道。 根據本發明之另一實施例，提供一種元件製造之方法， 其包含以下步驟：提供一基板；使用一照明系統提供一輻 射光束；使用一包含一單獨可控制式元件陣列之可控制式 圖案化元件來將一圖案賦予該光束之橫截面中；且將該經 圖案化之輻射光束投射至該基板之一目標部分上，其中一 控制系統經配置以產生判定個別可控制式元件之組態的個 別控制電壓。該方法進一步包含：該控制系統順序地接收 對應於該等所要控制電壓之多位元數位訊號；將該等數位 訊號分成至少兩個較短的數位訊號；供應每一較短數位訊 號至一個別解多工器’每一解多工器控制連接至複數個電 壓輸入線之複數個切換器，由一第一解多工器控制之切換 器之一第一組的輸出相對於切換器之另—組的輸出按比例 縮放’共同連接所有輸出以形成該等控制電壓，且供應該 等控制電壓至單獨可控制式元件的該陣列。 根據本發明之另一實施例’提供一種微影裝置，其包 含：一照明系統，其用於一供應輻射光束；一可控制式圖 案化元件，其包含用於將一圖案賦予該光束之橫截面中之 單獨可控制式元件陣列’一控制系統’其經配置以控制 110529.doc • 11 - 1336818 該圖案化元件；一基板台，其用於支撐一基板；及一投影 系統’其用於將該經圖案化之光束投射至該基板之一目標 部分上。該圖案化元件包含複數個單元，每一單元包含該 專單獨可控制式元件之一個別一者及一個別DAC電路。該 控制系統經配置以提供一個別數位訊號至每一 DAC電路， 且每一 DAC電路經配置以自該個別數位訊號產生一個別類 比控制電壓，該個別類比控制電壓判定該單元之該個別可 控制式元件的組態。 根據本發明之另一進一步實施例，提供一種元件製造之 方法’其包含以下步驟：提供一基板；使用一照明系統提 供一輻射光束；使用一包含一單獨可控制式元件陣列之可 控制式圖案化元件來將一圖案賦予該光束之橫截面中；且 將該經圖案化之光束投射至該基板之一目標部分上，其中 該圖案化元件包含複數個單元，每一單元包含該等單獨可 控制式元件中之一個別一者及一個別DAC電路。該方法進 一步包含：提供一個別數位訊號至每一 DAC電路且使用每 一 DAC電路自該個別數位訊號產生一個別類比控制電壓。 該個別類比控制電壓判定該單元之該個別可控制式元件的 組態。 根據本發明之又一進一步實施例，提供一種可控制式圖 案化元件，其包含用於將一圖案賦予一輻射光束之橫戴面 中之一單獨可控制式元件陣列，其中該圖案化元件包含複 數個單元，每一單元包含該等單獨可控制式元件中之—個 別一者及一個別DAC電路，每一 DAC電路經調適以接收一 110529.doc •12- 1336818 個別數位訊號且自該個別數位訊號產生一個別類比控制電 麼’該個別類比控制電壓判定該單元之該個別可控制式元 件的組態。

根據本發明之另一進一步實施例，提供一種可控制式圖 案化元件，其包含用於將一圖案賦予一輻射光束之橫截面 中之一單獨可控制式元件陣列，其中該圖案化元件包含複 數個單元，每一單元包含該等單獨可控制式元件中之一個 別一者及一可控制以產生一判定該個別可控制式元件之組 態之個別控制電壓的個別局部控制電路，每一局部控制電 路匕3可操作以連接該電路至一提供一電壓訊號至每一 單之供應通道的第一個別可控制式切換元件，及複數個 個別額外電子組件，每—局部控制電路經調適以接收控制 訊號且自該電壓訊號產生該個別控制電壓。 根據本發明之另一實施例，提供一種使用 實％例之方法或裝置製造的元件。 一種根據上述

根據本發明之另一實施例，提供一種使 禋根據上述 實施例之方法或裝置製造的卿(平板顯示器） 根：本發明之一進—步實施例，提供一種用於如上所述 之一微影裝置之可控制式圖案化元件。 下文參看隨附圖式詳_少 徵及倀赴 认田描述本發明之進-步實施例、特 做及優點以及本發明之客棚 ^ 令'"之多個實施例的結構及操作。 L貫施方式】 綜述 本發明之一 或多個實施例包含提供—種系統或方法 其 I10529.doc -13· 1336818 增加同時經程式化以增大陣列之更新率的若干元件。另 外’至陣列之所需高速類比輸入的數目減小了。陣列之複 雜性降低了且陣列之最大更新速度增大了。此外，陣列内 之元件的數目可容易地擴大。在實例中，與類比解決方案 相比使用由本發明之某些實施例提供之數位解決方案要 東較ν、功率。以此方式允許製造陣列内之每一單獨可控制 式元件之局部處之CMOS電路過程中的較大可撓性。 在一實例中，可將圖案化元件劃分成複數組單元組且微 影裝置包含複數個供應通道。每一供應通道經配置以提供 電壓訊號至單元之一個別組中的每一單元。以此方式減 少至用於單獨定址每一單元之圖案化元件之所需輪入的數 目。每一控制電壓可包含一允許精確控制個別可控制式元 件之組態的類比電壓值。電壓訊號可包含一系列不同電 壓，且母一局部控制電路可包含一個別積分電路，其回應 於控制訊號而藉由積算來自該系列之至少一個選定個別電 壓而產生個別控制電壓。該系列不同電壓中之每一電壓可 等於一滿標度（full-scale)電壓除以一數目，該數目小於或 等於對應於每一單元之所要控制電壓之數位訊號中之位元 數目。以此方式提供設定每一可控制式元件之控制電壓所 需之寫入階躍之數目的大大減少。 在一實例中’控制訊號包含一數位位址輸入，其經配置 以當電壓訊號處於一對應於彼單元之數位訊號中之處於高 位準之位元位置的電壓位準處時為高位準。以此方式允許 每一單元之所要控制電壓由該系列不同電壓中之的所需電 14- 110529.doc 1 壓階躍構成。 。在-實例中，複數個個別電子組件包含：一第一電容 15 ’其具有第一及第二端子；一運算放大器，其具有第一 及第二輸入以及一輸出，該第二輸入連接至接地；一第二 電容器’其連接於運算放大琴 一 _ 异孜之第—輸入與輸出之間；及 -第二可控制式切換元件’其具有一其中第一電容器之第 …連接至接地的選擇位置及_其中第一電容器之第二 端子連接至運算放大器之第—輸入的取消選擇位置。第一 可控制式切換元件具有一其中第一電容器之第一端子連接 至電壓訊號的選擇位置及—其中第一電容器之第一端子連 接至接地的取消選擇位置。每—局部控制電路經配置以使 第—及第二可控制式切換元件之操作由數位位址輸入控 制使付.田數位位址輸入為高位準時，可控制式切換元 件處於選擇位置且將第一電容器充電至電愿訊號之電磨； 當數位位讀4低位料，可㈣式㈣元件處於取消 選擇位置且儲存於第-電容器上之電荷轉移至第二電容 器；且在電壓訊號之每一系列不同電壓之後，電荷放大器 之輸出上的電壓包含個別可控制式元件之控制電壓。 在一實例中，每一局部控制電路進一步包含一第三可控 制式切換元件，其經配置以與該第二電容器電並聯且由一 重設訊號控制’使得當第一及第二可控制式切換元件處於 取消選擇位置時關閉第三可控制式切換元件，大體上消除 儲存於電容器上之任何電荷且大體上減小控制電磨至零伏 特以此方式允許在用新控制電虔程式化元件陣列 110529.doc •15- 1336818 之前消除每一可控制式元件之控制電壓。 在一實例中，每一局部控制電路進一步包含：一第三電 容器，其具有第一端子及連接至接地之第二端子·，及一第 四可控制式切換元件，其連接於運算放大器之輸出與第三 電容器之第-端子之間；其中第四可控制式切換元件可經 選擇性地關閉’以使第三電容器充電至運算放大器之輸出 電壓’第三電容器上之電壓包含彼單元之個別可控制式元 件的控制電壓。以此方式減少每一程式化週期期間施加至 可控制式元件之控制電壓的不必要變化。第三電容器可包 含個別可控制式元件之輸入電容。 。或者，控制訊號可包含一數位位址輸入及一對應於每一 單元之所要控制電壓的數位訊號，每一局部控制電路經配 置以回應於數位位址輸人而接收其之個別數位訊號。本發 明之此替代實施例允許一用所要控制電壓程式化每一可控 制式元件的純粹數位解決方案。在純粹數位解決方案中， 以一低電壓（例如’約h8 v)操作局部控制電路。因此，控 制電路所消耗之功率量最少。以此方式減少可控制式元件 中所產生之熱量。 在實ί列中，帛一個別可控制式切換元件可經由一第四 電容器連接於供應通道與接地之間’第一個別可控制式切 換元件由中間控制訊號控制且第四電容器上之電壓包含 個別可控制式7C件之控制電|。第四電容器可包含個別可 控制式元件之輪入電容。 在實例中，電壓訊號可包含一電壓，其之量值經配置 110529.doc •16· 1336818 以在一預定時間週期内漸進改變，且每一局部控制電路回 應於控制訊號而藉由控制個別第一可控制式切換元件在該 週期期間的操作時序來判定個別控制電壓。以此方式提供 一藉由在適當時間獨立地子取樣每一可控制式元件之一共 同時變輸入訊號而大體上同時程式化大量可控制式元件之 控制電壓的簡單解決方案。複數個個別額外電子組件可包 含一遞減計數器，其經配置以接收數位訊號、等待一自預 定時間週期開始之與數位訊號之值成比例的時間段且開啟 第一可控制式切換元件。 在一實例中，第一可控制式切換元件可自預定時間週期 開始時關閉。以此方式允許向第四電容器充電一長時間週 期直至電壓訊號之位準，或者，第一可控制式切換元件可 經配置以在其重新開啟之前立即關閉。在後者情形下，第 四電容器上之電壓在每一程式化週期期間變化不大。 或者，電壓訊號可包含一大體上恆定量值之電壓，每一 局部控制電路包含一個別PWM訊號產生器，其經配置以控 制第一個別可控制式切換元件，且來自控制系統之控制訊 號經配置以判定每一 PWM控制訊號之工作循環（duty cycle)。以此方式提供來自單一電壓訊號之供應至每一可 控制式元件之控制電壓的精確控制。 在本發明之某些實施例中，電壓訊號可包含一系列不同 電壓，且每一局部控制電路包含一個別積分電路。可藉由 回應於控制訊號而積算來自系列之至少一個選定個別電壓 來產生個別控制電壓。 110529.doc 1336818 或者’電壓訊號可包一含電壓’其之量值經配置以在一 預定時間週期内漸進改變。可藉由回應於控制訊號而控制 個別第一可控制式切換元件在該週期期間的操作時序來判 定成個別控制電壓。 在一實例中，電壓訊號包含一大體上恆定量值之電壓， 每一局部控制電路包含一個別PWM訊號產生器，其經配置 以控制個別第一可控制式切換元件^可回應於來自控制系 統之控制訊號而判定每一 PWM控制訊號之工作循環。 在多個實例及實施例中，DAC所消耗之功率少於已知之 DAC。以此方式允許在並無歸因於過熱之危險故障的情況 下以更接近陣列之方式製造。每一通道之較小容量是所要 求的。此等兩個態樣至少部分地歸因於不需要緩衝放大 器。 在一實例中，每一切換器可經由一電阻器連接至其之個 別電壓輸入線，連接至切換器之第一組的電阻器大於連接 至切換器之其他組的電阻器。 例示性系統及方法 圖1示意性地描繪本發明之一實施例之微影裝置。裝置 包含一照明系統IL、一圖案化元件pD、一基板台|丁、一 控制器CR及一投影系統PS。 照明系統（照明器）IL經組態以調節輻射光束B(例如， 輻射）》 圖案化元件PD(例如，單獨可控制式元件之陣列）調變投 影光束。大體而言，單獨可控制式元件之陣列的位置將： 110529.doc -18· 1336818 對於投影系統ps而固定。麩而， …而其可替代地連接至一經组 t以根據某些參數精確定位單獨 位器。 早獨了控制式…陣列的定 基板台WT經建構以支撐一其 、 基板（例如，一塗佈有抗蝕劑 的基板）w並連接至一經έ且锥w⑷ 的定位器pw。 m讀據某些參數精確定位基板 影系統(例如，—折射投影透鏡系統)PS經組態以將由 早獨可控制式元件之陣列所 早巧所調變之輻射光束投射至基板w 的-目標部分C(例如，包含一或多個晶粒)上。 照明系統可包括各種類型的0組件，諸如用於導向、 成形或控制輻射之折射、反斛、 心、„ 電磁、靜電或其他類 i的光學組件或其之任何組合。 本文所使用之術語"圖案化元件"應廣泛理解為表示可用 以調變輕射光束之橫截面(諸如，用以在基板之—目標部 分中產生-圖案)的任何元件。應注意，若(例如)圖案包括 相移特徵或所謂的輔助特徵，則賦予輕射光束之圖案可妒 並非精確地對應於基板之目標部分中的所要圖案。類： 地，最終產生於基板上之圖案可能並不對應於任何時刻形 成於單獨可控制式元件之陣列上的圖案。此可為以下配置 之情形：在單獨可控制式元件之陣列及/或基板之相對位 置上的圖案進行改變之一給定時間週期或一給定數目之曝 光内建立形成於基板之每一部分上之最終圖案。 大體而言，產生於基板之目標部分上之圖案將對應於一 創建於目標部分中之元件中的一特定功能層，諸如，一積 110529.doc -19- 丄丄8 平板顯示器(例如，平板顯示器中的彩… 或平板顯不器中的薄膜電晶體 之實例包括(例如m ^ 匕寻圖案化π件 體陣列、發光： 、可m鏡面陣列、雷射二極 一極體陣列、光柵亮度閥及LCD陣列。 ，案借助於電子構件（例如，電腦）程式化之圖案化元件 文中八同稱為’對比元件"，諸如包含複數個可程式化 元件（例如，前句中所提及之除主光罩之外之所有元件）之

圖案化兀件。在—實例中，圖案化^件包含至少10個可程 弋化元件例如至少100個、至少1 〇〇〇個、至少！〇〇〇〇個、 至少100000個、至少1000000個、或至少10000000個可程 式化元件。

可程式化鏡面陣列可包含一具有一黏彈性控制層之矩陣 可疋址表面及一反射表面。此裝置所基於之基本原理為 (例如）反射表面之定址區將入射光反射為繞射光，而未定 址區將入射光反射為非繞射光。可使用一適當之空間濾光 片將非繞射光濾出反射光束，而使得僅繞射光到達基板。 以此方式，光束根據可矩陣可定址表面之定址圖案而變為 經圖案化的。 將瞭解，作為一替代，濾光片可濾出繞射光’而使得非 繞射光到達基板。 繞射光學MEMS元件（微電機械系統元件）之陣列亦可以 對應方式使用。在一實例中，繞射光學MEMS元件包含複 數個反射帶，該等反射帶可相對於彼此變形以形成一將入 射光反射為繞射光之光栅。 110529.doc • 20- 可程式化鏡面陳列夕 早歹j之一進一步替代實例利用微小型鏡面 之一矩陣配置，可兹士# Λ . t 7藉由知加—適當區域化之電場或藉由利 用墨電致動構件，而使每—微小型鏡面單獨地繞軸傾斜。 者兄面係矩陣可定a，使得所定址鏡面將不同方向之 η 2輻射光束反射至未定址鏡面；以此方式，可根據矩陣 可定址鏡面之定址圖案而圊案化反射光束。可使用適當電 子構件執仃所需之矩陣定址。如此處所提及之關於鏡面陣

列之更多k訊可（例如）自美國專利案US 5,296,891及us ,523,193^ ^PCT^. #'J ^ If ^ WO 98/3 8597^. WO 98/3 3 096 收集’該等案全文以引用方式倂人本文中。 另一實例PD為可程式化LCD陣列。此構造之實例在美國 專利案US 5,229,872中給出，該案全文以引用方式倂入本 文中。

微影裝置可包含-或多個對比元件。舉例而言，其可具 有複數組單獨可控制式元件陣列，每一者彼此獨立地受 控在此配置中，-些或所有單獨可控制式元件陣列可具 有一共同照明系統（或照明系統之部件）、一用於該等單獨 可控制式S件陣列之共同支揮結構及/或—共同投影系統 (或投影系統之部件）中之至少一者。 在一實例中，諸如圖丨中所描繪之實施例，基板w具有 一大體上圓形之形狀’且視需要具有一沿其圓周之部分之 凹口及/或平整邊緣。在一實例中，基板具有一多邊形形 狀’例如一矩形形狀。 在基板具有一大體上圓形之形狀之實例中，包括以下實 110529.doc -21 · 1336818 例’其中基板之直徑至少為25 mm，例如至少5〇 mm、至 乂 75 mm、至少 1〇〇 mm、至少 125 mm、至少 150 mm、至 乂 175 mm、至少2〇〇 mm、至少250 mm或至少300 mm °在 一實施例中，基板之直徑至多為5〇〇 mm、至多400 mm、 至多350 mm、至多300 mm、至多250 mm、至多200 mm、 至多150 mm、至多1〇〇 mm或至多75 mm。 在基板為多邊形（例如，矩形）之實例中，包括以下實 例’其中基板之至少一侧’例如至少兩側或至少三側之長 度為至少5 cm，例如至少25 cm、至少50 cm、至少100 cm、至少150 cm、至少200 cm或至少25〇 cm。 在一實例中’基板之至少一側之長度為至多丨〇〇〇 cm， 例如至多750 cm、至多500 cm、至多350 cm、至多250 cm、至多150 cm或至多75 cm。 在一實例中，基板W為一晶圓，例如半導體晶圓。在一 實例_ ’晶圓材料選自由Si、SiGe、SiGeC、SiC、Ge、 GaAs、InP及InAs組成之群。在一實例_，晶圓為一 III/V 族化合物半導體晶圓。在一實例中，晶圓為一矽晶圓。在 一實施例中，基板為一陶瓷基板。在一實例中，基板為一 玻璃基板。在一實例中，基板為一塑膠基板。在一實例 基板為透明的（對於人類裸眼而言）。在—實例中，基 板為彩色的。在一實例中，基板為無色的。 基板之厚度可變化且可在一定範圍内取決於（例如）基板 材料及/或基板尺寸。在一實例中，厚度為至少5〇 pm，例 如至少 100 μπι、至少 200 μηι、至少 300 μηι、至少 4〇〇 μιη、 U0529.doc -22- 1336818 至少500 μΐπ或至少600 μηι。在一實例令，基板之厚度為至 多 5000 μηι，例如至多 3500 μηι、至多25〇〇 μπι、至多 175〇 μηι、至多 1250 μηΐ、至多 1000 μηΊ '至多 8〇〇 μιη、至多 6〇〇 μηι、至多 500 μηι、至多 400 μπι至多 3〇〇 μπι。 . 本文所提及之基板可在曝光之前或之後在一（例如）軌道 (一通常塗覆抗蝕劑層至基板並顯影所曝光之抗蝕劑的工 具） °十里工具及/或一檢測工具中加以處理。在一實例 中’ 一抗蝕劑層提供於基板上。 _ 本文所使用之術語"投影系統"應廣泛理解為涵蓋如適於 所使用之曝光輻射或適於諸如浸潰液體之使用或真空之使 用之其他因素的任何類型之投影系統，包括折射、反射、 反射折射、磁、電磁及靜電光學系統或其之任何組合。本 文之術語"投影透鏡"之任何使用可視為與更通用之術語 投影系統"同義。 投影系統可在單獨可控制式元件之陣列上成像圖案，以 φ 使付圖案一致地形成於基板上。或者，投影系統可成像二 次源，其中對於二次源而言單獨可控制式元件之陣列的元 件充當擋板。在此方面，投影系統可包含例如用以形成二 次源且將光點成像至基板上之聚焦元件之陣列，諸如微透 鏡陣列（已知為MLA)或菲涅耳透鏡陣列。在一實例中，聚 焦το件之陣列（例如，MLA)包含至少丨〇個聚焦元件，例如 至少100個聚焦元件、至少1〇〇〇個聚焦元件、至少1〇〇〇〇個 聚焦元件、至少100000個聚焦元件或至少1〇〇〇〇〇〇個聚焦 元件。在一實例中，圖案化元件中之單獨可控制式元件之 110529.doc •23· 數目等於或大於聚焦元件之陣列中之聚焦元件的數目。在 實例中，聚焦元件之陣列中之一或多個（例如，1000個 s更多、大多數或約每一個）聚焦元件可與單獨可控制式 _件之陣列中之一或多個單獨可控制式元件光學相關聯， /、單獨可控制式元件之陣列中之兩個或兩個以上單獨 可控制式兀件，諸如3個或3個以上、5個或5個以上、10個 〆個以上20個或20個以上、25個或25個以上、35個或 35個以上、或50個或50個以上相關聯。在一實例中，MLA $可移動的（例如，借助於使用致動器），且至少在朝向且 二離基板之方向上（例如，借助於使用一或多個致動器）為 可移動的。能夠將MLA移至且移離基板允許（例如）在無需 移動基板的情況下調節聚焦。 如本文在圖1中所描繪，裝置為反射型的（例如，利用單 獨可控制式元件之反射陣列或者，裝置可為透射型的 (例如，使用單獨可控制式元件之透射陣列）。 微影裝置可為-具有兩個（雙平臺）或兩個以上基板台之 類型。在此種”多平臺"機器中，可平行使用額外台，或可 在-或多個臺上執行預備步驟，同時使用一或多個其他台 來執行曝光。 微影裝置亦可為一類型，其中基板之至少一部分可由具 有相對較高之折射率之"浸潰液體"（例如，水）所覆蓋，以 便填充投影系統與基板之間的空間。浸漬液體亦可應用至 微影裝置中之其他空間’例如圖案化元件與投影系統之 間。浸潰技術係此項技術巾熟知之以增大投料統之數 110529.doc -24· 1336818 值孔徑的技術。如本文所使用之術語"浸潰"並非意謂一結 構（諸如，基板）必須浸沒於液體中，而是僅意謂液體在曝 光期間位於投影系統與基板之間。 再次參看圖1，照明器IL接收一來自輻射源SO之輻射光 束。在一實例中，輕射源提供波長為至少5 nm，例如至少 1 〇 nm、至少 50 nm、至少 100 nm、至少 1 50 nm、至少 175 nm、至少200 nm、至少250 nm、至少275 nm、至少300 nm、至少325 nm、至少350 nm或至少360 nm的輻射。在 一實例中，由輻射源SO所提供之輻射之波長為至多450 nm ’例如至多425 nm、至多375 nm、至多360 nm、至多 325 nm、至多275 nm、至多250 nm、至多225 nm、至多 200 nm或至多175 nm。在一實例中，輻射具有包括436 nm、405 nm、365 nm、355 nm、248 nm、193 nm、157 nm及/或126 nm之波長。在一實例中，輻射包括約365 nm 或約355 nm之波長。在一實例中，輻射包括（例如）涵蓋 365 nm、405 nm及436 nm之寬頻波長。可使用355 nm之雷 射源。舉例而言’當源為準分子雷射時，源及微影裝置可 為獨立實體《在此等情形下’源並非視作形成微影裝置之 部分且輻射光束借助於包含（例如）適當導向鏡及/或光束放 大器之光束傳遞系統BD自源SO通過至照明器几。在其他 情形下’舉例而言’當源為汞燈時，源可為微影裝置之一 體式部分。源S Ο及照明器IL連同光束傳遞系統b d (若需要） 可稱為一輻射系統。 照明器IL可包含一用於調節輻射光束之角強度分佈之調 110529.doc -25- 1336818 節器ad。大體而言，可至少調節照明器之光瞳平面内之 強度分佈的外部及/或内部徑向範圍（通常分別稱為。外部及 α内部）。另外’照明liIL可包含多種其他組件，諸如一積 光器職-聚光器C0。照明器可用以調節輻射光束以使 得在其橫截面中具有-所要之均一性及強度分佈。照明器 IL或與其相關聯之額外組件亦可經配置以將輻射光束劃分 成複數個子光束，每一子光束者可（例如）與單獨可控制式 元件之陣列t之-或複數個單獨可控制式元件相關聯。^ (例如）使用二維繞射光柵將輻射光束分成子光束。在本說

明書中，術語"輻射之光束"及"輻射光束，，涵蓋（但不限於） 光束包含輻射之複數個子光束的情形。 輻射光束B入射至圖案化元件PD(例如，單獨可控制式 7〇件之陣列）上且藉由圖案化元件進行調變。藉由圖案化 7L件PD反射後’輻射光束B通過將光束聚焦至基板w之目 標部分C上的投影系統ps。借助於定位器pw及位置感應器 IF2(例如，干涉量測元件、線性編碼器、電容式感應器及 其類似），基板台WT可精確地移動，例如以使得在輻射光 束B之路徑中定位不同的目標部分C。所使用之處，用於 單獨可控制式元件之陣列的定位構件可用以在（例如）掃描 期間精確地校正圖案化元件PD相對於光束b之路徑的位 置。 在一實例中’基板台WT之移動借助於圖1中並未明確描 繪之長衝程模組（粗定位）及短衝程模組（精定位）實現。在 一實例中，裝置缺乏一用於移動基板台WT之短衝程模 U0529.doc •26, 1336818 、亦可使用一類似系統來定位單獨可控制式元件之陣 ^ °將瞭解’ #管物件台及/或單獨可控制式元件之陣列 =八有一提供所需相對移動之固定位置，但投影光束B可 或者/另外為可移動的。此種配置可輔助限制裝置之尺 寸。作為一可（例如）應用於平板顯示器之製造中之進一步 替代可固定基板台WT之位置及投影系統PS且基板賈可 、呈配置以相對於基板台WT移動。舉例而言，基板台可 具锖以大體上恆定之速度越過基板W而掃描基板W之 系統。 如圖1所示，輻射之光束B可經由一光束分光器BS導向 圖案化tl件PD ’其中該光束分光器經組態以使得輻射最初 由光束刀光器反射且導向圖案化元件pD。應瞭解，輻射之 光束B亦可在並不使用光束分光器的情況下導向圖案化元 件處在一實例中，輻射之光束以〇〇與9〇。之間之一角度 導向圖案化元件，例如.5。與85。之間、15。與75。之間、25。 與65之間或35。與55。之間的角度（圖以斤示之實施例為9〇。 角）。圖案化元件PD調變輻射之光束B且將其反射回將經調 變之光束透射至投景> 系統pS的光束分光器然而，將 瞭解’可使用帛代配置來將辕射之光束8導向圖案化元件 PD且隨後至投影系統ps。詳言之，若使用透射性圖案化 元件’則可不需要諸如圖1所示之配置。 所描繪之裝置可用於以下若干模式： 1.在步進模式中’當將賦予輻射光束之整個圖案—次性 投射至目標部分C上時’使單獨可控制式元件之陣列及基 I10529.doc •27- 1336818 板基本上保持靜止（意即，單次靜態曝光）。基板台Wt隨後 在X及/或Y方向上移動’以便可曝光不同目標部分C。在 步進模式中，曝光場之最大尺寸限制單次靜態曝光中所成 像之目標部分c的尺寸。 2.在掃描方式中’當將賦予輻射光束之圖案投射至目標 部分C上時，同步掃描單獨可控制式元件之陣列及基板（意 即，單次動態曝光）。可藉由投影系統”之放大（縮小）率及

影像反轉特徵而判定基板相對於單獨可控制式元件之陣列 的速度及方^在掃描模式巾，曝光場之最大尺寸限制單 次動態曝光中所成像之目標部分的寬度（在非掃描方向 上），而掃描運動之長度判定目標部分之高度（在掃描方向 上）。 3.在脈衝模式巾，單獨可㈣式元狀陣列基本上保 靜止’且使用-脈衝輻射源將整個圖案投射至基板以之 標部分C上。基板台资以一基本上怪定之速度移動以

得投影光束B越過基板W而掃描行。視需要在在輻射系; 耻衝之間更新單獨可控制式元件之陣列上的圖案且定【 脈衝’以使得將連續的目標部分C曝光於基板W上之所: 處因此投影光束B可越過基板W掃描以便曝光； 板之一條帶的全部圖案。重複該過程直至已逐行曝光全4 基板W為止。 4·在連續掃描模式中，除了基板W以-大體上怪定之王 度相對於1¾射之經調變之光束B被掃描且當投影光㈣ 過基板W掃描且曝光時更新單獨可控制式元件之陣列上戈 110529.doc •28- i^6818 圖案之外，連續掃描模式基本上與脈衝模式相同。可使用 經同步化以更新單獨可控制式元件之降列上之圖案的一大 體上值疋之輻射源或脈衝轄射源。 5.在像素栅格成像模式中，形成於基板w上之圖案藉由 光點之隨後曝光實現，由光點產生器形成之該等光點導向 至圖案化元件PD上。所曝光之光點具有大體上相同之形 狀在基板貿上，光點印刷於大體上一栅格中。在一實例 中，光點尺寸大於一經印刷之像素栅格之間距，但遠遠小 於曝光光點栅格。藉自變化所曝光之光點的強度而實現圖 案。在曝光快閃之間變化光點上的強度分佈。 亦可利用關於所使用之上述模式或所使用之完全不同模 式的組合及/或變體。 根據本發明之一實施例，提供一用於供應具有類比電壓 值之單獨可控制式元件之陣列的控制器CR以便控制每一 元件。控制器CR供應一表示陣列内之每一元件（或元件之 組）之所要類比元件控制訊號電壓的數位控制訊號。 在一實例中，控制器CR可視為分佈數位對類比轉換器 (DAC)之形式。藉由分佈DAC而減少已轉移至陣列之類比 資料的量。 圖2說明根據本發明之一實施例之分佈DAC的示意圖。 單獨可控制式元件之陣列内之每一元件（未圖示）與相關聯 之局部控制電路31相結合以形成一單元之部分3〇 ^每—控 制電路3 1提供元件控制訊號至相關聯元件。 圖2展示單元之一3x3陣列，儘管應瞭解陣列可為非常大 110529.doc •29· 1336818 的。陣列内之每—單亓直古 4人 * 早70 3〇具有一包含一類比輸入之第一輸 入訊號32。此類比輪入32可供應至陣列内之每一單元，或 可存在-小數目之輸人32，每__者服務單元Μ之—行或一 區塊。在多個實例中，类員比輸入32可為一Dc電壓電源， 或八了為時變電魔訊號（連續變化或以離散階躍變化）。

可自一遠端位置供應類比輸入32〇或者，其可產生於定 位於接近單元之陣列上之電路中。每—單元3()亦具有一包 含一位址輸入之第二輸入Μ。位址輸入33實際上可取決於 本發明之特定實施例而為多個位址輸入線。位址輸入”供 應數位位址資訊，其由局部控制電路3丨所使用以便自類比 輸入32導出相關聯元件之元件控制訊號。可取決於本發明 之特定實施例而存在至每一單元3〇之一或多個其他輸入 (一般展示為輸入34)。此等其他輸入可例如為一重設輸 入、其他數位控制輸入或任何其他類型的輸入。 在一實例中，控制器C R分成兩個部分：單一位元參考 類比電壓產生器及一電荷收集器陣列。單獨可控制式元件 之陣列内之每一元件具有一相關聯之電荷收集器，其包含 局部控制電路31。直接鄰接每一元件或位於每一元件之後 而實施電荷收集器。 在一實例中，位元參考產生器又產生一對應於表示每一 元件之所需類比元件控制訊號之數位訊號内的每一可能位 元值的參考類比電壓。每一位元參考類比電壓為最大可能 (滿標度）電壓之一部分。舉例而言，對於一 8位元系統而 言’陣列内之每一元件之所要組態由一 8位元數字表示。 110529.doc -30- 1336818 位元參考類比電壓為最高有效位元（MSB)之滿標度/2及最 低有效位元（LSB)之滿標度/256。可見’藉由將所要位元 之位元參考類比電壓（例如，由表示每一元件之所需類比 電壓之數位訊號之1所表示的彼等電壓）加在一起，隨後可 達成256個類比電壓中之任一者在〇伏特與滿標度χ255/256 伏特之間改變。可能之類比電壓以滿標度/256伏特之規則 增1增大。位元參考產生器又將每一位元參考類比電壓供 應至一行或行之區塊中的所有單元（或供應至整個陣列之 電荷收集器）。 在一實例中，每一電荷收集器經配置以接收與彼電荷收 集器相關聯之元件之數位訊號中每一給定值丨的位元的位 元參考類比電壓。電荷收集器是否接收每一供應位元參考 類比電壓取決於供應至電荷收集器（對應於位址輸入3 3)之 控制數位位址訊號◦對於配置成行之單元之一陣列而言， 母電荷收集器具有對應於行數及列數之兩個數位位址輸 入。為了程式化一行内之單元，彼行之行位址輸入設定為 高位準。對於每一供應位元參考電壓而言，若彼單元要求 彼位元參考電壓，則對應於彼電荷收集器之列位址輸入設 疋為而位準。猎由行與線位址輸入之一組合，可單獨定址 行内之每一電荷收集器。對於每一行或行之區塊而言， 同時更新每一位元之單元。因此，為了程式化具有適當類 比電壓之行或行之區塊内的每一單元，採用8位元系統之8 個週期。 圖2亦為根據本發明之一實施例之可控制式圖案化元件 110529.doc -31 - 1336818 的示意圖。可控制式圖案化元件包含單元之—陣列儿，每 一單元包括一或多個個別可控制式元件及一個別局部〇 A c 電路3 1。個別數位控制訊號34供應至每一單元且隨後由 DAC 3 1轉換成一對應類比控制電壓，其中單元用以判定 (意即，設定）其個別可控制式元件之狀態。除了經由電源 線34之其數位訊號（指示所要元件狀態）之外，每一可 經由一通道32供應一類比參考電壓。 圖3展示根據本發明之一實施例之電荷收集器的實施。 # €荷收集器由四個輸入控制：分別對應於-行選擇輸入及 一列選擇輸入的兩個位址輸、2; 一用於位元參考類比 電壓之輸入3及一重設輸入4。行内之所有電荷收集器共用 位7C參考類比輸入3及重設輸入4。其亦可被陣列内之所有 電荷收集器共用。 ' 2 —實例令，程式化具有等效於單一位元之電壓之行内 的每一單元，存在由三個不同步驟組成之寫入週期：（勾設 φ 定位元參考類比電壓為所需電壓位準；（b)在當前行内選^ 要求對應位元之所有單元；及（c)取消選擇所有單元。 在一實例中，為了程式化具有對應於整個數位訊號之類 比電壓之行中（或行之組/整個陣列中）的所有單元，存在一 寿:式化週期，其包含一數目之寫入週期，該數目等於表示 母—兀件之所要類比元件控制訊號之數位訊號中的位元 目。 在一實例令，在第一位元之程式化週期開始時，供應至 與彼電荷收集器相關聯之元件之輸出電壓v〇設定為零伏 110529.doc •32· —1容ncim上之電荷為零伏特。在寫人週期之第 步驟中’位元參考電壓產生器設定位元參考類比電壓輸 :3上之電壓為第-位元之所需值。此可為MSB或寫入週 月可以任何任意位元開始。對於-8位元系統而言，對應 於數位訊號中之每一位元之所供應的位元參考類比電壓可 如表1所示計算。 鲁

第二位元 第三位元 滿標度/4 2,5 V

第四位元 滿標度/8 滿標度./16 1.25 V 625 mV

第七位元 滿標度/128 78.125 mV

LSB 滿標度/ 2 5 6

39.0625 mV 在步驟1中’取消選擇當前行之所有電荷收集器意 即，切換器S1及S2處於圖3所示之位置中。si連接至接 地，且位元參考電壓輸入3並不連接至電荷收集器。82連 接至一電荷放大器5。當前位元之位元參考電壓由一外部 電路（未圖示）供應至位元參考電壓輸入3。 在步驟2中，經由數位位址輸入1及2選擇要求彼位元之 110529.doc •33- 1336818 位元參考電歷之當前行内的彼等單元。將整個行之行位址 輸入1設定為高位準。將要求當前位元參考電歷之單元的 線位址輸入2設定為高位準。閉極6提供一輸出，若兩 個輸入皆為高位準’則該輸出為高位準。娜閉極6之輸 出控制切換HMS2之位置。當娜_6之輸出為高位 準時，切換器S2切換至接地而S1切換至位元參考電壓輸入 3。因此，電容器。連接於位元參考輸入3與接地之間且被 充電至輸入3上之電壓。 在步驟3中，最簡單地藉由設定行位址輸入i為低位準而 取消選擇當前行之所有單元。或者，可將所有線位址輸入 2设定為低位準。切換回復至其原始位置。電容 器現連接於接地與至電荷放大器5之輸入中之一者之 間:電荷放大器5起作用以改變其輸出電壓直至至電荷放 Da之輸入之間不存在電壓差為止，藉此轉移電容器ο 上之電荷至電容器C2。電荷放大器5處之輸出電壓將上升 至： V〇=CvcixVb(其中’ Vb為位元參考電壓)。 持式化該程式化週期中之下一位元，當所有單元保 、”·、4選擇狀態時在步驟1處開始新寫入週期且在輸入3 上設定下一位亓夫I* >考類比電壓。再次選擇要求此位元參 之所有單元。當取消撰 _ 古 、擇早70時，對於每一電荷收集器而 5電谷器C1上之任柯觉朴姑功 任仃電何轉移至C2。以此方式具有增大 輸出電壓Vo—取決於仞_ A # 、、/疋參考電壓之當前值之進一步量的 ^ °將其添加至自先前寫入週期之輸出處所存在之任何 110529.doc ，34· 1336818 一、乂此，順彳地建立每一元件之數位訊號之每一 的輸出電愿ν〇。以此方式繼續直至已藉由相關聯電荷 /、器建立行中之每—元件的所需元件控制訊號為止。此 類比電屋控制元件之組態，且通常在完成程式化週期之後 固持為恆定達一預定週期。 。。在可用新類比電壓程式化每一單元之前必須重設所有 〇〇 X使得電荷收集器之輸出電壓Vo返回至零伏特。此 f由在所需時間觸發連接至彼行令之每一電荷收集器之重 輸入4而達成。此在打内之所有單元取消選擇（意即，切 換器SWS2處於圖3所示之位置)時完成。重設輸入*關閉 切換器S3。關閉切換器S3使電容器〇短路，以便將輸出電 壓Vo施加至至電荷放大器5之輸入中之一者。電荷放大琴 起作用以減小輸出電壓％直至至電荷放大器5之兩個輸入 之間不存在電Μ差為止。輸出電壓v〇減小至零伏特。移除 儲存於電容器C1上之任何電荷。 、 在寫入週期之步驟3期間（取消選擇行内之所有單元） 類比位it參考電壓仍設定為先前值且施加至輸入3。 :了用：程式化另一行中之單元，意即，藉由在取消選 第-行中之所有單元的同時選擇第二行中之需要當 參考電壓之彼等單元。錢方式可部分地^兩個行 入週期’從而導致程式化陣列内之所有單元所耗費之時門 減少。有效地，程式化週期中之每_位元的所有行丘用^ 入週期之步驟i，且對於當前位元而言每一行僅需要步驟寫1 及2 〇 I10529.doc -35- 圖4展示根據本發明之一實施例之陣列中之若干電荷收 集器的示意圖。圖4中僅展示了 16個電荷收集器（4x4陣 列）’然而’應瞭解此可容易地按比例放大或縮小。每一 電荷收集器如圖3所示。行位址輸入1分別單獨地標記為 Cl_C4。線位址輸入分別標記為L1-L4。 在—實例中’為了程式化整個陣列’程式化週期展示如 下°藉由施加一重設輸入4重設整個陣列，而電荷收集器 處於如圖所示之取消選擇狀態。施加一脈衝（可為正或負） 至重設輸入4達一短週期。以此方式確保每一電荷收集器 之輪出Vo如上所述為零伏特且大體上並無電荷儲存於電容 器上。隨後，在輸入3上設定第一位元之位元參考類比電 壓。藉由施加一選擇電壓至輸入以而選擇rCi。將瞭 解，施加至每一行或線輸入之選擇電壓可為正或負。藉由 施加適當輸入至相關聯線輸入而選定行C1w之需要設定第 一位元的每一單元《隨後藉由反轉每一先前選定單元之線 輸入上的電壓或藉由反轉〇上之行輸入電壓而取消選擇行 ci。同時’可選定另一行（例如，行C2)。隨後寫入週期繼 續用於彼行。一旦已施加當前位元參考類比電壓至整個陣 列中之適當單元，則取消選擇所有單元且施加下一位元之 位元參考類比電壓至輸入3。此過程繼續直至陣列中之每 一單元已程式化所有位元為止。 在一實例中’對於一N位元數位訊號而言，程式化每一 電荷收集器之輸出Vo處之類比電壓所需之寫入動作的數目 可計算如下： 110529.doc -36 - 1336818 寫入動作之數目=位元數x行數+ 1(用於重設） +位元數（用於設定位元參考類比電壓） W=BxC+i+b 選定相位耗費一個時脈週期每行每位元。取消選擇相位 耗費一個時脈週期每位元。重設相位耗卜個時脈週期整 個陣列。 可藉由增大每-行之線數（且藉此減少行數）而減少程式 化整個陣列所需之寫入動作的數目。或者，可一次性程式 化更多行或甚至所有行。然而，所有此等選項之結果在於 增大能夠單獨定址每―單元所需之數位位址輸人的數目。 此可涉及增大定址的複雜性。藉由同時更新兩個行而使寫 入動作的數目減半使得所需位址線㈣目翻倍。 在-實例中’為了進-步減少程式化週期中之寫入動作 的數目，可當使用先前位元參考電壓取消選擇最後一行中 之單元時設定類比位元參考電壓。可在先前程式化週期中 之最後-位元的重設操作期間設定程式化週期中之第一位 元參考類比電壓。以此方式節省—數目之寫入動作，該數 :等於程式化之位元的數目，意即’寫入動作之數目現 為· W=BxC+l 〇 二：供應至輸入3之位元參考電壓變化時’㈣一有限 時間量來趨穩電壓。此可增大每一程式化週期所耗費的時 :。在-實例巾’可藉由將陣列劃分成兩個或兩個以上部 :而增大可用於趨穩位元參考電壓之時間”車列之每一部 分具有一獨立位元參考電壓輸入3且獨立地進行程式化°。 H0529.doc -37- 1336818 當取消選擇陣列之個別部分中之最後一行時，更新每一位 疋參考電壓輸入。陣列之每一部分中的行數減少。因此， 更新陣列之每一部分所需之寫入動作的數目減少。因此， 可用於更新位元參考電壓之時間增大。

圖5示意性地說明根據本發明之一實施例之圖3中所描繪 之電荷收集器的修改。對於某些類型的元件而言，在下一 元件控制訊號之更新期間改變類比元件控制訊號係不當 的。此對於MEMS鏡面型元件而言尤其不當。元件控制訊 號中之不必要改變可導致對鏡面之鉸鏈元件的磨損增大。 在一如上所述之例示性程式化週期中，對於元件控制訊號 自一個程式化週期至下一程式化週期期間並不改變的元件 而言，其仍將導致Vo(等效於元件控制訊號）減小至零伏特 且隨後返回至相同電壓位準。圖5之電路藉由在電荷收集 益之輸出Vo與元件之間引入一取樣及固持電路而減緩此問 題。 在—實例中，取樣及固持電路包含一切換器以及電容器 Cm。Cm表示每一單獨可控制式元件之電容，例如一 鏡面陣列之鏡面電容。-旦在全部程式化週期結束時類比 電壓輸出Vo已穩定，則關閉切換器S4。電容器Cm被充電 至電何收集器之輸出電壓Vo。隨後開啟切換器以，從自電 荷收集器斷開電容器Cm。因此，在下—程式化週期期間 供應至元件之元件控制訊號並不改變直至v〇到達其最終值 為止。尸、|連續之再程式化循冑之間㈣間足夠短以便防 止電容器Cm之有效電容器放電，則供應至元件之電壓並 110529.doc •38- 1336818 不改變直至切換器S4下次關閉為止。必須確保在重設操作 之引進行取樣。可必須使用另一時脈週期進行此取樣在 該情形下程式化週期中之寫入動作的數目為： W=BxC+2。 根據本發明之一實施例，如圖5所說明之取樣及固持電 路可應用至任何局部控制電路。在一實例中，其允許在相 關聯單獨可控制式元件設定為先前控制電壓之狀態時更新 母—單元之控制電壓。此意謂對於一（例如）典型的FpD應 用而言，藉由將此更新與用於可控制式元件之趨穩時間相 重叠’ 20 之全部再程式化循環可用於更新控制電壓。 根據本發明之一實施例之最佳化程式化週期之一進一步 修改在於以一非線性回應實施電荷放大器。陣列内之元件 之位置敏感性通常具有一對元件控制訊號之近似二次回 應。因此，對於一高施加電壓而言，所需之解析度較小。 對於一具有二次回應之電荷放大器（且因此電荷收集器）而 言’所需之位元數可減少。 根據本發明之一替代實施例，自單一類比輸入32更新陣 列内之每一元件。此輪入載運一連續變化或具有細微梯度 的離散訊號’該訊號覆蓋所需電壓範圍之全部。輸入在可 用於更新每一單元處之類比電壓的時間内傾斜上升穿過所 需範圍。輸入可為一在陣列外部導出之類比電壓。此輸入 電壓可為二角形或鑛齒形波形。 圖6描繪根據本發明之一實施例之具有一與陣列的内部 時脈同步化之電壓輸出的低功率CMOS數位對類比轉換 110529.doc •39· 上刈6818 器。此DAC可實施於陣列之局部或可為一外部輸入。 Tpenod為更新每一元件之類比電壓所允許的時間。為 可施加至元件之最大電壓。在此圖中’ {〗為其中正確電壓 位準已儲存於陣列内之每一元件的固持電容上的時間。藉 由在輸入電壓處於正確輸入電壓之一個最低有效位元的時 間内關閉連接於輸入電壓與固持電容之間的類比切換器、 向固持電容充電並再次開啟切換器而儲存電壓。對於一在 具有每一元件之8位元數位訊號之約1〇 (典型地用於平板 顯示器裝置）的再程式化時間期間在零伏特與最大電壓之 間改變的輸入電壓而言，此意謂向固持電容充電的可用時 間t〗為約10 μ8/256=39 ns。在一實例中，對於一具有約2利 恥之可用再程式化時間之光學微影裝置而言，q為約24〇 μβ/256 = 938 ns。 在一實例中，可用於向固持電容充電之時間越少，對同 步化類比切換器、傳播延遲（用於控制切換器）及固持電容 之充電時間常數之要求越嚴格。可藉由當類比電廢輸入開 始自0 V上升時關閉所有切換器且一旦輸入電壓已達到所 需電壓則開啟每一切換器而部分地克服上述情形。以此方 式允許向固持電容充電具有較多時間，從而允許充電時間 常數較尚。以此方式將允許使用具有較高接通電阻值及更 高歐姆訊號線的切換器。供應至在每—程式化週期中不必 要改變之單獨可控制式元件之電壓可存在不當副作用，其 可藉由提供一具有取樣及固持電路的電路而避免。此取樣 及固持電路可包含每單元之一其他切換器及電容器。 110529.doc 圖7描繪根據本發明之一實施例之用於自單一類比輸入 導出所需類比電壓之處於每一元件之局#的控制電路。每 元件屋由單一類比切換器丨丨連接至單一輸入丨〇。電壓輸 10可等效於圖2中之類比輸入32。電容sCm(固持電容） 連接於切換器11與接地之間。電容器⑸上之電壓隨著輸 入10上之電壓的增大而增大。類比切換器i i保持為關閉直 至輸入10上之電壓已達到所要值為止。此時開啟切換器 11 ’以使得電容器Cm上之電壓固持為恆定。可在不同點 處開啟陣㈣之每-單元中的切換器n，以使得每一電容 器Cm上之電壓自一個單元變化至下一個單元。每一電容 器Cm上之電壓包含用於控制彼元件之元件控制訊號。 開啟切換|§ 11之時間由遞減計數器12控制。遞減計數器 12具有一電源17。電源電壓通常為約1.8 V。遞減計數器 12具有三個輸人：例如以25MHz運行之時脈輸人13、位址 輸入叫等效於圖2中之位址輸入33)及數位訊號輸入。。位 址輸入14實際上可包含兩個或兩個以上位址輸入，例如若 7C件按列及行配置且定址。#選擇位址輸人14時遞減轉 換器接收-對應於該單元之所需類比電壓之輸入15上的數 位訊號。此數位訊號用於驅動遞減計數器12，以使得其以 :由時脈輸入㈣動之速率自數位.訊號之值遞減計數/遞 減計數至數位訊號之值後，線16上之一輸出訊號通過至切 換器U以關閉切換器。以此方式每一元件之電容器Cm 上所儲存之㈣可藉由供應於至每—遞減計數器之輪入Μ 上的數位訊號而單獨控制。 ll0529.doc •41 · ^^6818 如圖6所示，在一實例中，一旦輸入10上之電壓已向上 傾斜至其最大值而並未重設至零伏特，則其在下一程式化 週期期間可或者向下傾斜回至零伏特。對於此選項而言， 每一元件之遞減計數器12需要自一等於最大時間週期 period減去供應於輸入i 5上之數位訊號之值的時間週期遞 減計數。 圖8描繪本發明之一進一步實施例，其中供應至陣列内 之每一元件之類比電壓由脈寬調變（PWM)訊號所驅動的單 一類比切換器20判定。類比切換器20連接至一 DC電壓電 源21(等效於圖2中之類比輸入32)，DC電壓電源21可例如 為約10 V或25 V。電容器Cm連接於切換器20與接地之 間。電容器Cm上之電壓包含相關聯元件之元件控制訊 號。PWM訊號供應至線22上之切換器20。類比切換器2〇回 應於PWM訊號而開啟並關閉。當關閉切換器2〇時，電容器 Cm開始充電至電源電壓^ PWM訊號之工作循環中的變化 (高PWM訊號與低PWM訊號之間的比率）判定電容器 所儲存之電壓。 在一實例中’由脈寬調變器23產生PWM訊號。脈寬調變 器23具有三個輸入：可例如以約5 MHz運行之時脈輸入 24、位址輸入25(等效於圖2中之位址輸入33)及一數位訊號 輸入26。脈寬調變器23由一電源27供電。電源電壓通常為 約1.8 V。位址輸入25實際上可包含兩個或兩個以上位址 輸入’例如若元件按列及行配置且定址。當選擇位址輸入 25時，脈寬調變器23接收一對應於元件處之所需類比電壓 110529.doc •42- 1336818 之輸入26上的數位訊號。此數位訊號用於驅動脈寬調變器 23，以使得線22上之PWM訊號輸出具有一與輸入26上之數 位訊遗成比例的工作循環。以此方式，每1 一元件之電容器 Cm上所儲存之電壓可藉由供應於至每一脈寬調變器23之 輸入26上的數位訊號而單獨控制。 在具有供應至陣列内之每一單元之同一恆定參考電壓及 單一供應時脈頻率的情況下，可藉由改變工作循環而改變 輸出電壓之位準。若連續地供應PWM訊號，則未必需要取 樣及固持電路。可藉由使用一較大電容器而減小電容器 Cm上之電壓上之任何漣波的尺寸。若時脈頻率遠遠大於 單獨可控制式元件（例如，可控制式鏡面元件）之機械諧振 頻率，則元件自身可充當一機械濾波器。可控制式鏡面元 件通常具有約1 MHz之機械諧振頻率。若漣波高於此諧振 頻率，則鏡面將無法遵循PWM輸出電壓之高頻改變且因此 其之位置將由輸出電壓之平均值界定。 歸因於有限再程式化可用時間（例如，約丨〇 ，可藉由 倂入一數位輸入鎖存器來修改圖7及圖8中所說明之控制電 路’使得增大輸送量（throughput)。數位訊號輸入（圖7中之 15及圖8中之26)經配置以接收一對應於儲存於電容器上 之所要電壓的多位元數位訊號（例如，8位元訊號）。藉由在 數位訊號輸入上倂入一數位鎖存器（例如，8位元鎖存器）， 在遞減計數器或脈寬調變器中使用當前數位訊號時，可將 下一數位訊號載入至鎖存器中。以此方式減少在每一再程 式化循環開始時將數位訊號載入至遞減計數器或pWM中所 110529.doc •43- 1336818 需之時間量。 將瞭解，可將圖7及圖8中所說明之電路視為一局部dac 電路，每一者適於倂入在體現本發明之可程式化圖案化元 件之單元中的個別一者中。此是因為每一電路經配置以接 收一數位控制訊號且產生一參照一類比輸入電壓（參考電 壓）21、1 0之對應類比輸出控制電壓。 圖9描繪本發明之一進一步實施例，其中提供一替代形 式DAC，該替代形式DAC係用於驅動一供應類比電壓至陣 列内之元件的類比通道。電容器Cm對應於陣列内之一元 件的電容。DAC 40在傳輸線41上供應一類比輸出訊號至 陣列。 每一電容器Cm充電至適當電壓。儲存於一充電電容器 中之能量等MMOV2’其中C為電容且乂為跨電容器施加 之電壓。每一更新週期，陣列中之每一電容器需要充電至 下一電壓設定點。 在一實例中，用於改良DAC内之功率消耗之第一選項在 於向DAC供應可能需求之所有潛在輸出電壓，而並非 自單一電壓電源内部地產生每一輪出電壓。在每一更新週 期期間，DAC可依次連接至每一電壓電源。當在連續電壓 設定點之間切換時，切換中所消耗之能量等於 KxCYAV)2 ’其中Δν為兩個連續電壓之間的差值。為了準 備好與傳統DAC設計進行比較，功率消耗可表達為所轉移 之電荷乘以電壓差值。電荷轉移為相同的，然而傳統放大 器之電壓差值通常較大且高達電源電壓（可高達約3〇 ν)。 110529.doc -44 · 1336818 對於圖9之電路，電壓差值等於步進大小（吻3㈣。 然而，對於8位元數位訊號而言，需要256個參考電壓為 不當的。若數位訊號之精確度進—步增大，則參考電壓之 所需數目將很快變為不可行。作或 乃个』仃作為一替代，可將供應於數 位輸入線43上之8位元數位訊號分成供應至兩個4位元解多 器44及45的兩個4位元訊號。每一 4位元解多工器、45 具有分別連接至16個切換器46、47的16個輸出。每一切換 器經由-電阻器連接至單—參考電壓。切換器46、47經配 置以使得每一參考電壓連接至自16個切換器之每一組的單 一切換器。切換器通常為MOSF]ET且如此加以描繪。 為清楚起見，僅展示三個參考電壓線及三個切換器之兩 個組。剩餘13個電壓線、電阻器及切換器由點表示。供應 至每一電壓參考輸入之電壓與下一參考相差滿標度電壓

Vref之1/16。Vref可為3 v。每一參考電壓輸入能夠降低3 A。粗銅線向電壓參考輸入提供非常低的串聯電阻，以使 得其並不影響傳輸線42上之輸出訊號。 藉由按比例縮放切換器之組中之一者所供應之訊號一因 子16’可藉由將許多切換器之輸出添加在一起而配置25 6 個不同輸出位準。所描繪之所有切換器連接至傳輸線42。 每一切換器藉由電阻器48、49連接至其個別參考電壓。電 阻器48與49之間的電阻比判定切換器之每一組所供應之訊 號的縮放。在一實例中，此比率為一整數，且可為2之幂 (例如’ 16)。電阻器49之電阻大於電阻器48之電阻約16 倍。自切換器46之輸出訊號（對應於4個最高有效位元）將大 110529.doc -45- 丄336818 於自切換器47之輸出訊號約16倍。因為（自切換器”之）最 低有效位元之輸出電阻大於最高有效位元約16倍所以很 少電流可自一個4位元DAC流至另一者。因此，穩定狀態 之功率消耗較少。 在一實例中，整個DAC 40之輸出阻抗約為4〇〇 Ω。已憑 經驗發現此情形提供傳輸線反射之足夠快的減幅及快速趨 穩定時間行為。趨穩時間取決純通遽波器，纟由輸出電 阻及負載電容Cm形成。因此，電阻器48應為約彻ω而電 阻器49應為約6.4 kft。 每一切換器之串聯電阻不可忽略且已加以考慮。此添加 至每一切換器及電阻器對之輸出的總電阻，且因此可分別 影響切換器46及47之輸出的混合比。亦使用具有最小之可 月b串聯電阻之類型的切換器，切換器亦以與電阻器48及Μ 相同之電阻比1:1 6相匹配。此可藉由設計切換器46及47之 通道區的長度/寬度比以改變一因子16而在幾何學上完 成。 MOSFET之通道電阻取決於通道上之電壓。藉由如圖所 不以參考電壓與切換器之間之電阻器配置切換器及電阻 器，可使得通道電壓近似相等，藉此改良匹配。 在一實例令，因為存在一有限類比電路，且並無内部產 生之參考電壓或主動組件，所以DAC 4〇之功率消耗得以 最小化。除了切換器46及47之閘極驅動器之外，數位電路 以一低電壓位準運行。 在一實例令，DAC 40提供一可以自零至最大電流之256 110529.doc • 46 - 個相等階躍變化的電流輸出範圍。此電流輸出對每一元件 處之電容器Cm充電。若需要’可藉由配置dac之輸出與 平行於電容器Cm之地面之間的電阻器而將電流輸出轉換 成電壓輸出。 在一實例中，將訊號趨穩至所需值之約〇.丨％内之傳輸線 上之訊號的趨穩時間等於7τ’其中τ自由DAC 40之輸出電 阻及負載電谷Cm所形成之低通濾波器的階躍回應導出。 階躍回應為 1·ε(·ι/τ)。t=RxC。 熟習此項技術者將顯而易見，其中本發明之實例及/或 實施例意指表示每一元件處之所需類比電壓的數位訊號包 含一 8位元訊號，但數位訊號實際上可為任何長度。在數 位訊號如所述之設定為高或低位準的情況下，將易瞭解此 等任意值可反轉。亦將瞭解，在本發明之實例及/或實施 例中’待曝光之圖案可產生於數位域中，且隨後可以一足 夠高之更新率轉換成陣列之所有單獨可控制式元件之精確 界定的狀態。 轉換鏈中之步驟之一者為數位對電壓轉換。可以靜電力 物理地控制陣列元件，其中該靜電力與一具有一特定精確 度（例如，8位元）之電壓位準有關。對於此種轉換而言，需 要能夠產生具有256個可分辨位準之類比電壓。本發明之 一或多個實施例之目的在於提供轉換技術，以使得可在較 低功率消耗且具有外部及晶載驅動電子之較低複雜性的情 況下達成較高更新率。一或多個實施例亦能夠提供較高可 靠性、經改良之機械及電強度及以較低成本。 110529.doc -47- 1336818 在某些實施例中，數位對類比（電壓）轉換盡可能轉移至 轉換鏈之末端。在某些實施例中，此藉由將DAC置放每一 陣列元件之下方且與低電壓位準數位訊號（給定功率愈 低，相對於串音、干擾等之效能愈好）一起工作而達成。 口在其他實施例中，為了減少功率消耗且為了降低類比訊 號之同步化要求’同時更新在下一曝光圖案期間要求具有 同一狀態的所有陣列元#。此在吾人具有—有限數目之狀

態（例如，256或1024)及一較大數目之陣列元件（例如，高 達約1千萬或更多）之實施例中是需要的。此技術可利用一 新型晶載CMOS架構，且更特定言之一新型定址演算法。 總結 雖然上文已描述本發明之多個實施例，但應瞭解僅經由 實例（且無限制）加以呈現。熟習相關技術者將顯而易見， :在不偏離本發明之精神及㈣的情況下對其形式上及細 節上進行多種改變。因&，本發明之寬度及料不應受限 於上述例示性實施例中之任—者，而應僅根據以下申請專 利範圍及其均等物界定。 將瞭解’實施方式而非發明内容及摘要部分意欲用以解 釋^專利圍。發明内容及摘要部分可闡述如發明者所 A盍之本發明一或多個而並非所有例示性實施例，且因此 並非意欲以任何方式限制本發明及隨附申請專利範圍。 【圖式簡單說明】 圖1捂繪根據本發明之一實施例之一微影裝置。 圖2描繪根據本發明之—實施例之—分佈數位對類比轉 110529.doc •48 1336818 換器。 圖3描繪根據本發明之一實施例之一電荷集電器電路。 圖4描繪根據本發明之一實施例之電荷集電器電路的— 陣列。 圖5描繪根據本發明之一實施例之結合一取樣及固持電 路之圖3的電荷集電器電路。 圖ό描繪根據本發明之一實施例之使用單一傾斜電壓源 之元件再程式化的原理。 圖7描繪根據本發明之一實施例之時換類比電壓程式化 電路。 圖8描繪根據本發明之一實施例之脈寬調變類比電壓程 式化電路。 圖9描繪根據本發明之一實施例之一數位對類比轉換 器。 上文參看隨附圖式描述本發明。在諸圖式中，相同參考 數字可指示相同或功能相似的元件。另外，參考數字之最 左位可識別首先出現該參考數字的圖式。 【主要元件符號說明】 1 行位址輸入 2 線位址輸入 3 位元參考電壓輸入 4 重設輸入 5 電荷放大器 6 AND閘極 110529.doc aq 1336818 10 電壓輸入 11 切換器 12 遞減計數器 13 時脈輸入 14 位址輸入 15 數位訊號輸入 16 線 20 類比切換器 21 DC電壓電源 22 線 23 脈寬調變器 24 時脈輸入 25 位址輸入 26 數位訊號輸入 30 早兀 31 局部控制電路 32 類比輸入 33 位址輸入 34 輸入 40 數位對類比轉換器 41 傳輸線 43 數位輸入線 44 4位元解多工器 45 4位元解多工器 -50- 110529.doc 1336818

46 切換器 47 切換器 48 電阻器 49 電阻器 BD 光束傳遞系統 Cl 電容器 C1-C4 行位址輸入 C2 電容器 Cm 電容器 CO 聚光器 CR 控制器 IF 位置感應器 IL 照明系統 IN 積光器 L1-L4 線位址輸入 PW 定位器 SI 切換器 S2 切換器 S3 切換器 S4 切換器 SO 輻射源 Vo 輸出 W 基板 WT 基板台 110529.doc 51

Claims (1)

1336818 第095119516號專利申請案 中文申凊專利範圍替換本(99年8月） 十、申請專利範圍： 1. -種微影裝置，其包含： 一照明系統，其供應—輻射光束； 可控制圖案化兀件’其包含圖案化該光束之一單獨 可控制元件陣列； 控制系，先’其輸出一電壓訊號且控制該圖案化元 件； -投影系統’其將該經圖案化之光束投射至一基板之 一目標部分上；及 ί、應通道，其耦接於該控制系統與該圖案化元 間， 其中 該圖案化元件包含複數個單元，每一單元包含該等單 可k制7L件中之_個別之一者及一個別局部控制電路 可控制以產生判定該個別可控制元件之—組態的一 控制電壓， 该供應通道提供該電壓訊號至每一單元， 控制系統提供控制訊號至該等複數個局部控制電 路， 电 ^局4控制^•路包含具有一邏輯元件、一切換系統 及-積分電路的—電荷收集器及 每局。卩控制電路回應於該等控制訊號而自該電壓訊 號產生該個別控制電壓。 。 2.如請求項1之微影裝置，其中： 110529-990831.do, 1336818 該圖案化元件被劃分成複數組單元組；及 存在複數個該等供應通道，在該複數個供應通道中之 :-供應通道經配置以提供_訊號至—個別 中的每一單元。 … 3. 如請求項】之微影裝置，1中哕望伽 土 T °哀羊個別控制電壓中之每 --者包含一類比電壓值3 4. 如清求们之微影裝置，其中該電壓訊號包含—系列不 =虔’且該等局部控制電路中之每一者包含該個別積 ，其回應於該等控制訊號而藉由積算來自該系列 之至ν個選疋個別電壓而產&該個別控制電壓。 5.如請求項4之微影裝置’其中該系列不同電壓中之每一 電2於度電壓除以一數目，該數目小於或等於 1號:於°亥等早中之每—者之一所要控制電壓的數位 §亿唬中之位元數目。 6.如清求項4之微影奘罢 , ,、置，其中該等控制訊號包含—數位 位址輸入，其經gp要 、、一置乂對於該等單元中之一個別單元， s該電壓訊號處於— 。。 子應於该個別早元之該數位訊號中 之處於高位準之位开^ 电〜 凡位置的電壓位準時，該數位位址輸 入為1¾位準。 7 ·如凊求項1之微影裝罟，«丄 卜 我置其中在該等局部控制電路中之 母一者中之該積分電路包含： -第-電容器’其具有第—及第二端子； 一運算放大器，盆罝古结 ~ 該第二輸入連接至接地； '、/、有第一及第二輸入以及一輸出， H0529-990831.doc 第一電合益，其連接於該 盥兮 連舁放大器之該第一輸入 與5亥輸出之間；及 在該等局部電路的每一者φ 母考中的該切換系統包含： 等6亥個別局部電路連接5 ·>* /U 接至5亥供應通道的一第一可控制 切換7L件，及 —第二可控制切換元件， /、具有一其中該第一電容器 以第二端子連接至接地之選 <選擇位置，及一其中該第一 电今器之該第二端子遠技5 運接至4運算放大器之該第—輸入 的取消選擇位置； 該第一可控制切換元件具有— 一山 ’具中該第—電容器之該 一端子連接至該電壓tfl號之選擇位置及一纟中該第一 電：器之該第一端子連接至接地的取消選擇位置； 每-局部控制電路經配置，以使該第一可控制切換元 件及該第二可控制切換元件之操作受控於該數位位址輸 入，其中， 當該數位位址輸入為高位準時，該等可控制切換元件 處於該選擇位置且該第—電容器充電至該電壓訊號之電 壓； 當該數位位址輸入為低位準時，該等可控制切換元件 處於該取消選擇位置且儲存於該第一電容器上之電荷轉 移至該第二電容器，及 在該電壓訊號之每一系列不同電壓之後，該電荷放大 器之該輸出上的該電壓包含該個別可控制元件之該控制 電壓。 110529-990831.doc 一：长項7之微影裝置，其中該等局部控制電路中之每 一者進一步包含· 雷二!三可控制切換元件，其經配置以與該第二電容器 元件\且爻控於一重設訊號’使得當該第-可控制切換 ^及邊第二可控制切換元件處於該取消選擇位置時關 r玄第三可控制切換元件，大體上減少儲存於該等電容 u ^何電荷至零，且大體上減小該控制電壓至零伏 9. 如請求項7之微影裝 包含： 置’其中每一局部控制電路進一步 一第三電容器 第一端子；及 其具有一第一端子及一連接至接地之 一第四可控制切換元件，其連接於該運算放大器之該 輸出與該第三電容器之該第一端子之間； 其中’可選擇性關閉該第四可控制切換元件，以使該 第，合器充電至該運算放大器之該輸出電壓，跨該第 二電容器之電壓包含彼單元之該個別可控制元件的該控 10·如凊求項9之微影裝置，其中該第三電容器包含該個別 可控制元件之一輸入電容。 n.如請求項1之微影裝置，其中該等控制訊號包含： 一數位位址輸入；及 -數位訊號，其對應於每一單元之一所要控制電壓， 每-局部控制電路回應於該數位位址輸入而接收該數位 110529-99083I.doc !336818 訊號之一個別一者。 12.如請求項11之微影裝置，其中： 該切換系統經由-第四電容器連接於該供應通道盘接 地之間’該切換系統受控於—中間控制訊號；及 跨該第四電容器之電壓包令 匕3 6玄個別可控制元件之該控 制電壓。 13.

14. 如請求項1 2之微影裝置， 別可控制元件之輸入電容 其中該第四電容器可包含該個 如請求項11之微影裝置，其中： 該電壓訊號包含一電壓，其之量值在一 内漸進改變；及 預定時間週期 ，等局部控制電路中之每—者回應於該等控制訊號， 而藉由在該預定時間週期期間控制該切換系統的一操作 時序來判定該個別控制電壓。

15·如請求項14之微影裝置，其中該等局部控制電路中之每 者中之該複數個個別額外電子組件包含： 一遞減計數器，其接收該數位訊號、等待一自該預定 時間週期開始之根據該數位訊號之值的時間段且隨後開 啟该切換系統中的一切換器。 16·如請求項15之微影裝置，其中可自該預定時間週期開始 時關閉該切換器》 17.如請求項11之微影裝置，其中： 該電壓訊號包含一大體上恆定量值之電壓； 該等局部控制電路中之每一者包含一個別（脈寬調 110529-99083I.doc 1336818 變)PWM訊號產生器，其經配置以產生一控制該切換系 統之P WM控制訊號；及 來自忒控制系統之該等控制訊號經配置以判定每— PWM控制訊號之一工作循環。 18.如請求項丨之微影裝置，其中該個別電荷收集器經級態 以接收位址信號、重設信號及該等控制信號以產生該等 個別控制電壓。 1 9. 一種元件製造之方法，其包含： 提供具有複數個單獨可控制元件之圖案化元件，該圖 案化7C件使用複數個單元，該複數個單元中之每一單元 包含該等單獨可控制元件中之—個別—者及—個別局部 控制電路； 向該等局部控制電路中之每一者提供具有一邏輯元 件、一切換系統及一積分電路的一個別電荷收集器； 用該等局部控制料中之每—者產± -個別控制電 壓； 使用該個別控制電壓判定該個別可控制元件之一 ％ 態； 提供一電壓訊號至該等單元中之每一者； 和:供控制汛號至该等複數個局部控制電路；及 4等局部控制電路中之每—者回應於該等控制訊號而 自該電壓訊號產生該個別控制電壓； 使用該可控制圖案化元件圖案化一輻射光束；及 將6亥經圓案化之輻射光束投射至-基板之-目標部分 H0529-99083I.doc -6 - 1336818 上。 20·如請求項19之方法，其中： 遠電壓訊號係由一系列不同電壓形成；及 忒個別控制電壓係回應於該等控制訊號而藉由積算來 自邊系列之至少一個選定個別電壓而產生。 21. 如請求項19之方法，其中： 该電壓訊號包含一電壓，其之量值在一預定時間週期 内漸進改變；及 在該預定時間週期期間，回應於該等控制訊號，藉由 控制該個別切換系㈣一操㈣序來判定該㈣控制電 壓。 22. 如請求項19之方法，其中： 遠電壓訊號包含一大體上恆定量值之電壓； 忒等局部控制電路中之每一者包含一個別脈寬調變 (PWM)訊號產生器，其產生一控制該個別切換系統之 PWM控制訊號；及 作循環回應於來自該控制系統之該等控制訊號而判 定每一 PWM控制訊號之一工作循環。 23. —種元件製造之方法，其包含： 使用包含一單獨可控制元件陣列之可控制圖案化元件 來圖案化一輻射光束； 將該經圖案化之光束投射至一基板之一目標部分 上；及 使用一控制系統產生個別控制電壓，該等個別控制電 110529-990831.doc m疋4等可控制π件中之個別者的—組態該使用步 驟包含， m序地接收對應於該控制系統處之該等個別控制電 壓之多位元數位訊號； 將-玄等數位訊號分成至少兩個較短數位訊號； 供應每一鲛短數位訊號至複數個解多工器中之一個 別解多工器； 、使用邊個別解多卫器控制連接至複數個電壓輸入線 之複數個切換器； 控制由該等複數個解多工器中之一第一解多工器控 制之該等切換器的一第一組的輸出，以使得該等輸出係 相對於該等切換器之另一組的輸出予以按比例縮放； 24 25. 共同連接所有該等輸出以形成該等控制電壓；及 供應該等控制電壓至該單獨可控制元件陣列。 如清求項23方法，其中每—切換器係經由—電阻器連接 ，其之個別電壓輸入線’連接至切換器之該第一組之該 等電阻器大於連接至切換器之該另一組之該等電阻器。 :種可控制圖案化元件’其包含圖案化—輻射光束之— 早獨可控制元件陣列，其中該圖案化元件包含： 複數個單元，每一單元包含， 5亥寻單獨可控制元件中之一個別一者，及 一個別局部控制電路，其產生—個別控制電壓，該 個別控制電壓判定該個別可控制元件之一組態，該等局 部控制電路中之每一者包含一電荷收集器，該電荷收集 n0529-99083I.doc 丄 W6818 器包含， 一邏輯元件； —積分電路， 麵接在該邏輯元件及該積分電路之間的一第一個 別可控制切換元件，其連接該積分電路至一供應通道， 以提供一電壓訊號至每一單元，及 複數個個別額外電子組件，該等局部控制電路中

之每一者接收控制訊號且自該電壓訊號產生該個別控制 電壓。

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