JP2003167561A - 表示装置およびこれを用いた携帯端末装置 - Google Patents
表示装置およびこれを用いた携帯端末装置Info
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- JP2003167561A JP2003167561A JP2001369454A JP2001369454A JP2003167561A JP 2003167561 A JP2003167561 A JP 2003167561A JP 2001369454 A JP2001369454 A JP 2001369454A JP 2001369454 A JP2001369454 A JP 2001369454A JP 2003167561 A JP2003167561 A JP 2003167561A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 画素回路のメモリ部への画像データの書き込
みの際に、メモリデータを行単位ですべて書き換えてし
まうシーケンスを採った場合、書き換える必要がないメ
モリデータについてまで書き換え動作が行われることに
なるため、不要な電流消費が生じる。 【解決手段】 メモリ内蔵画素搭載の液晶表示装置にお
いて、各画素回路11に水平走査に同期してメモリ回路
23への画像データの書き込みを許可する画素選択用ス
イッチ24を設け、メモリ回路23への画像データの書
き込みを画素単位で制御できるようにして、メモリデー
タの書き換えが不要な画素についてはデータの書き換え
を行わず、それまでのデータをそのままメモリ回路23
に保持するようにする。
みの際に、メモリデータを行単位ですべて書き換えてし
まうシーケンスを採った場合、書き換える必要がないメ
モリデータについてまで書き換え動作が行われることに
なるため、不要な電流消費が生じる。 【解決手段】 メモリ内蔵画素搭載の液晶表示装置にお
いて、各画素回路11に水平走査に同期してメモリ回路
23への画像データの書き込みを許可する画素選択用ス
イッチ24を設け、メモリ回路23への画像データの書
き込みを画素単位で制御できるようにして、メモリデー
タの書き換えが不要な画素についてはデータの書き換え
を行わず、それまでのデータをそのままメモリ回路23
に保持するようにする。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、表示装置およびこ
れを用いた携帯端末装置に関し、特に画素ごとにメモリ
部を有する表示装置およびこれを出力表示部として用い
た携帯端末装置に関する。
れを用いた携帯端末装置に関し、特に画素ごとにメモリ
部を有する表示装置およびこれを出力表示部として用い
た携帯端末装置に関する。
【0002】
【従来の技術】表示装置、例えば液晶表示装置は、電界
の有無によって液晶の分子配列の形態を変え、光の透過
/遮断の制御を行うことによって画像表示を行うもので
ある。この液晶表示装置は、原理的に、駆動するための
電力をあまり必要とせず、消費電力が少なくて済む低消
費電力の表示デバイスであることから、特にバッテリを
主電源とする携帯電話機やPDA(Personal Digital A
ssistants)等の携帯端末装置の出力表示部として広く用
いられている。
の有無によって液晶の分子配列の形態を変え、光の透過
/遮断の制御を行うことによって画像表示を行うもので
ある。この液晶表示装置は、原理的に、駆動するための
電力をあまり必要とせず、消費電力が少なくて済む低消
費電力の表示デバイスであることから、特にバッテリを
主電源とする携帯電話機やPDA(Personal Digital A
ssistants)等の携帯端末装置の出力表示部として広く用
いられている。
【0003】このように、携帯電話機やPDA等の携帯
端末装置に搭載される液晶表示装置では、一回の充電で
バッテリを長時間使用できるようにするために、駆動電
圧の低電圧化や駆動周波数の低周波数化によって低消費
電力化が進められている。また、さらなる低消費電力化
を可能とするために、その画素構造として、1画素ごと
にメモリ部を有する構造を採用した液晶表示装置も知ら
れている(特開平9−212140号公報等を参照)。
端末装置に搭載される液晶表示装置では、一回の充電で
バッテリを長時間使用できるようにするために、駆動電
圧の低電圧化や駆動周波数の低周波数化によって低消費
電力化が進められている。また、さらなる低消費電力化
を可能とするために、その画素構造として、1画素ごと
にメモリ部を有する構造を採用した液晶表示装置も知ら
れている(特開平9−212140号公報等を参照)。
【0004】このように、画素ごとにメモリ部を有する
画素構造を採用した液晶表示装置においては、静止画に
ついては、1度画像データを各画素のメモリ部に書き込
んでしまえば、その後は当該メモリ部に保持されている
画像データでその画素の表示駆動を繰り返して行えば良
いことから、その都度信号線を充放電駆動する必要がな
く、理論上、極性反転のために必要な電力を消費するだ
けで済むため、消費電力のさらなる低減が可能となるの
である。
画素構造を採用した液晶表示装置においては、静止画に
ついては、1度画像データを各画素のメモリ部に書き込
んでしまえば、その後は当該メモリ部に保持されている
画像データでその画素の表示駆動を繰り返して行えば良
いことから、その都度信号線を充放電駆動する必要がな
く、理論上、極性反転のために必要な電力を消費するだ
けで済むため、消費電力のさらなる低減が可能となるの
である。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】ところで、液晶表示装
置において、画素への信号の書き込み方式としては、一
般的に、垂直走査によって行単位で画素を選択する一
方、その選択した行の画素に対して1ライン分(1行
分)の信号を行単位で一斉に書き込む線順次方式または
1ライン分の信号を画素単位で順に書き込む点順次方式
が採られる。これらの書き込み方式は、上述したメモリ
内蔵画素搭載の液晶表示装置の場合においても同様に採
用されている。
置において、画素への信号の書き込み方式としては、一
般的に、垂直走査によって行単位で画素を選択する一
方、その選択した行の画素に対して1ライン分(1行
分)の信号を行単位で一斉に書き込む線順次方式または
1ライン分の信号を画素単位で順に書き込む点順次方式
が採られる。これらの書き込み方式は、上述したメモリ
内蔵画素搭載の液晶表示装置の場合においても同様に採
用されている。
【0006】ここで、メモリ内蔵画素搭載の液晶表示装
置の利点は、一度書き込まれた画像データをメモリ部に
保持し、その保持データを用いて画像表示を繰り返して
行える点である。このような利点を持つにも拘わらず、
従来のメモリ内蔵画素搭載の液晶表示装置においては、
上述したように、画像データの書き込みの際には、メモ
リ回路のデータ(メモリデータ)を行単位ですべて書き
換えてしまうシーケンスが採られていた。
置の利点は、一度書き込まれた画像データをメモリ部に
保持し、その保持データを用いて画像表示を繰り返して
行える点である。このような利点を持つにも拘わらず、
従来のメモリ内蔵画素搭載の液晶表示装置においては、
上述したように、画像データの書き込みの際には、メモ
リ回路のデータ(メモリデータ)を行単位ですべて書き
換えてしまうシーケンスが採られていた。
【0007】このように、新たにデータを書き込むシー
ケンスを採る液晶表示装置では、例えば、前回書き込ん
だデータと今回書き込むデータとが同じ場合にはメモリ
データの書き換えが不要であるにも拘わらず、書き換え
る必要がないメモリデータについてまで書き換え動作が
行われることになるため、動画などの連続した画像デー
タが入力された際に、信号線の充放電による不要な電流
消費が生じ、装置全体の消費電力低減の妨げとなる。し
たがって、特に携帯電話機やPDA等の携帯端末装置へ
の用途を考えた場合、携帯端末装置の低消費電力化をさ
らに押し進めていく上で、液晶表示装置自体の消費電力
低減は重要な解決課題となる。
ケンスを採る液晶表示装置では、例えば、前回書き込ん
だデータと今回書き込むデータとが同じ場合にはメモリ
データの書き換えが不要であるにも拘わらず、書き換え
る必要がないメモリデータについてまで書き換え動作が
行われることになるため、動画などの連続した画像デー
タが入力された際に、信号線の充放電による不要な電流
消費が生じ、装置全体の消費電力低減の妨げとなる。し
たがって、特に携帯電話機やPDA等の携帯端末装置へ
の用途を考えた場合、携帯端末装置の低消費電力化をさ
らに押し進めていく上で、液晶表示装置自体の消費電力
低減は重要な解決課題となる。
【0008】本発明は、上記課題に鑑みてなされたもの
であり、その目的とするところは、特に信号線の充放電
による電流消費分を低減し、装置全体の低消費電力化を
可能とした表示装置およびこれを用いた携帯端末装置を
提供することにある。
であり、その目的とするところは、特に信号線の充放電
による電流消費分を低減し、装置全体の低消費電力化を
可能とした表示装置およびこれを用いた携帯端末装置を
提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明による表示装置
は、メモリ部を含む複数の画素回路が基板上に行列状に
配置されてなり、これら複数の画素回路の各々が、列単
位で配線された信号線から供給されるデジタル画像信号
のメモリ部への書き込みを垂直走査に同期して許可する
第1選択スイッチと、信号線から供給されるデジタル画
像信号のメモリ部への書き込みを水平走査に同期して許
可する第2選択スイッチとを有する構成となっている。
この表示装置は、携帯電話機やPDA等の携帯端末装置
において、その出力表示部として用いられる。
は、メモリ部を含む複数の画素回路が基板上に行列状に
配置されてなり、これら複数の画素回路の各々が、列単
位で配線された信号線から供給されるデジタル画像信号
のメモリ部への書き込みを垂直走査に同期して許可する
第1選択スイッチと、信号線から供給されるデジタル画
像信号のメモリ部への書き込みを水平走査に同期して許
可する第2選択スイッチとを有する構成となっている。
この表示装置は、携帯電話機やPDA等の携帯端末装置
において、その出力表示部として用いられる。
【0010】上記構成の表示装置またはこれを出力表示
部として用いた携帯端末装置において、各画素回路の第
1選択スイッチは、垂直走査によって行単位で選択駆動
されることにより、その選択行の画素回路のメモリ部へ
の信号の書き込みを許可する。一方、第2選択スイッチ
は、水平走査によって列単位で選択駆動されることによ
り、その選択列の画素回路のメモリ部への信号の書き込
みを許可する。その結果、水平選択スイッチを画素単位
で選択的に駆動することで、各画素回路のメモリ部に対
する信号の書き込みが画素単位で制御可能となる。
部として用いた携帯端末装置において、各画素回路の第
1選択スイッチは、垂直走査によって行単位で選択駆動
されることにより、その選択行の画素回路のメモリ部へ
の信号の書き込みを許可する。一方、第2選択スイッチ
は、水平走査によって列単位で選択駆動されることによ
り、その選択列の画素回路のメモリ部への信号の書き込
みを許可する。その結果、水平選択スイッチを画素単位
で選択的に駆動することで、各画素回路のメモリ部に対
する信号の書き込みが画素単位で制御可能となる。
【0011】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。図1は、本発明の一
実施形態に係る表示装置、例えば液晶表示装置の構成の
概略を示すブロック図である。
て図面を参照して詳細に説明する。図1は、本発明の一
実施形態に係る表示装置、例えば液晶表示装置の構成の
概略を示すブロック図である。
【0012】図1から明らかなように、本実施形態に係
る液晶表示装置は、後述する画素構造の画素回路(以
下、単に「画素」と略称する場合もある)11が行列状
にn行m列分配列されてなる画素部12と、この画素部
12の各画素回路11を行単位で選択駆動する垂直駆動
回路13と、この垂直駆動回路13によって選択駆動さ
れた行の画素回路11を画素単位で適宜選択駆動すると
ともに、その選択した画素回路11に対して画像信号を
供給する水平駆動回路14とを有する構成となってい
る。
る液晶表示装置は、後述する画素構造の画素回路(以
下、単に「画素」と略称する場合もある)11が行列状
にn行m列分配列されてなる画素部12と、この画素部
12の各画素回路11を行単位で選択駆動する垂直駆動
回路13と、この垂直駆動回路13によって選択駆動さ
れた行の画素回路11を画素単位で適宜選択駆動すると
ともに、その選択した画素回路11に対して画像信号を
供給する水平駆動回路14とを有する構成となってい
る。
【0013】画素部12のn行m列の画素配列に対し
て、n本の走査線15−1〜15−nおよびm本の信号
線16−1〜16−mがマトリクス状に配線され、その
交差部分に画素回路11が配置されている。さらに、画
素回路11の各々に対して列ごとに画素選択線17−1
〜17−mが信号線16−1〜16−mに沿って配線さ
れている。ここで、垂直駆動回路13および水平駆動回
路14は、画素部12が形成された基板(以下、「液晶
表示パネル」と称す)18上に一体的に形成されたいわ
ゆる駆動回路一体型の構成となっている。
て、n本の走査線15−1〜15−nおよびm本の信号
線16−1〜16−mがマトリクス状に配線され、その
交差部分に画素回路11が配置されている。さらに、画
素回路11の各々に対して列ごとに画素選択線17−1
〜17−mが信号線16−1〜16−mに沿って配線さ
れている。ここで、垂直駆動回路13および水平駆動回
路14は、画素部12が形成された基板(以下、「液晶
表示パネル」と称す)18上に一体的に形成されたいわ
ゆる駆動回路一体型の構成となっている。
【0014】液晶表示パネル18は、各画素回路11の
スイッチング素子である例えば薄膜トランジスタ(Thin
Film Transistor;TFT)が形成されたTFT基板と、
カラーフィルタや対向電極などが形成された対向基板と
が重ね合わされ、これら基板間に液晶材料が封入された
構造となっている。そして、画素部12において、垂直
駆動回路13による行単位での各画素回路11のTFT
のスイッチング制御と、水平駆動回路14から信号線1
6−1〜16−mを通して供給される画像信号に基づく
電圧印加によって液晶の配向を制御し、光の透過率を変
えることによって画像表示が行われる。
スイッチング素子である例えば薄膜トランジスタ(Thin
Film Transistor;TFT)が形成されたTFT基板と、
カラーフィルタや対向電極などが形成された対向基板と
が重ね合わされ、これら基板間に液晶材料が封入された
構造となっている。そして、画素部12において、垂直
駆動回路13による行単位での各画素回路11のTFT
のスイッチング制御と、水平駆動回路14から信号線1
6−1〜16−mを通して供給される画像信号に基づく
電圧印加によって液晶の配向を制御し、光の透過率を変
えることによって画像表示が行われる。
【0015】[画素回路の第1回路例]図2は、画素回
路の第1回路例を示す回路図であり、i行i列目の1画
素分の回路構成のみを示している。この第1回路例に係
る画素回路11Aは、液晶セル21、保持容量22、メ
モリ回路23、画素選択用スイッチ24および行選択用
スイッチ25を有する構成となっている。
路の第1回路例を示す回路図であり、i行i列目の1画
素分の回路構成のみを示している。この第1回路例に係
る画素回路11Aは、液晶セル21、保持容量22、メ
モリ回路23、画素選択用スイッチ24および行選択用
スイッチ25を有する構成となっている。
【0016】液晶セル21および保持容量22はその各
一端が互いに共通に接続され、かつメモリ回路23の入
出力端に接続されている。液晶セル21の他端にはコモ
ン電圧VCOMが印加され、保持容量22の他端には1
水平走査期間(または、1フィールド期間)ごとに極性
が反転する電位Csが印加される。画素選択用スイッチ
24および行選択用スイッチ25は、信号線16−iと
メモリ回路23の入出力端との間に互いに直列に接続さ
れている。
一端が互いに共通に接続され、かつメモリ回路23の入
出力端に接続されている。液晶セル21の他端にはコモ
ン電圧VCOMが印加され、保持容量22の他端には1
水平走査期間(または、1フィールド期間)ごとに極性
が反転する電位Csが印加される。画素選択用スイッチ
24および行選択用スイッチ25は、信号線16−iと
メモリ回路23の入出力端との間に互いに直列に接続さ
れている。
【0017】具体的には、画素選択用スイッチ24はそ
の一端が信号線16−iに接続されており、水平駆動回
路14から画素選択線17−iを通して与えられるメモ
リデータ書き換え許可信号(水平選択信号)hGATE
に応答してオン(閉)状態となり、水平駆動回路14か
ら信号線16−iを通して与えられる画像データを通過
させることにより、メモリ回路23に保持されているデ
ータの書き換えを許可する。行選択用スイッチ25は、
その一端が画素選択用スイッチ24の他端に、その他端
がメモリ回路23の入出力端にそれぞれ接続されてお
り、垂直駆動回路15から走査線15−iを通して与え
られる走査信号vGATEに応答してオン状態となるこ
とにより、データ書き換えを許可する画素を行単位で選
択する。
の一端が信号線16−iに接続されており、水平駆動回
路14から画素選択線17−iを通して与えられるメモ
リデータ書き換え許可信号(水平選択信号)hGATE
に応答してオン(閉)状態となり、水平駆動回路14か
ら信号線16−iを通して与えられる画像データを通過
させることにより、メモリ回路23に保持されているデ
ータの書き換えを許可する。行選択用スイッチ25は、
その一端が画素選択用スイッチ24の他端に、その他端
がメモリ回路23の入出力端にそれぞれ接続されてお
り、垂直駆動回路15から走査線15−iを通して与え
られる走査信号vGATEに応答してオン状態となるこ
とにより、データ書き換えを許可する画素を行単位で選
択する。
【0018】なお、本回路例では、信号線16−iとメ
モリ回路23の入出力端との間に、画素選択用スイッチ
24および行選択用スイッチ25をその順で直列に接続
するとしたが、その接続順序は相互に入れ替わっても良
く、回路動作上何ら違いは無い。また、画素選択用スイ
ッチ24および行選択用スイッチ25としては、例えば
TFTが用いられる。
モリ回路23の入出力端との間に、画素選択用スイッチ
24および行選択用スイッチ25をその順で直列に接続
するとしたが、その接続順序は相互に入れ替わっても良
く、回路動作上何ら違いは無い。また、画素選択用スイ
ッチ24および行選択用スイッチ25としては、例えば
TFTが用いられる。
【0019】[駆動系]
(垂直駆動回路13)垂直駆動回路13は、例えばシフ
トレジスタなどによって構成され、走査信号vGATE
を所定の周期で順次出力し、n行m列の画素配列に対し
て走査線15−1〜15−nを通して順に与えることに
よって各画素回路11を行単位で選択駆動する。
トレジスタなどによって構成され、走査信号vGATE
を所定の周期で順次出力し、n行m列の画素配列に対し
て走査線15−1〜15−nを通して順に与えることに
よって各画素回路11を行単位で選択駆動する。
【0020】(水平駆動回路14)水平駆動回路14
は、画素部12における各画素回路11のメモリ回路2
3に書き込む画像データ(以下、「メモリデータ」と略
称する場合もある)を、1ライン分(1行分)を単位と
して処理するとともに、1フィールド前の同じラインの
画像データとを画素単位で比較処理する。
は、画素部12における各画素回路11のメモリ回路2
3に書き込む画像データ(以下、「メモリデータ」と略
称する場合もある)を、1ライン分(1行分)を単位と
して処理するとともに、1フィールド前の同じラインの
画像データとを画素単位で比較処理する。
【0021】この比較処理において、水平駆動回路14
は、現フィールドの画像データと前フィールドの画像デ
ータとが異なる画素についてはメモリデータの書き換え
が必要と判断し、その画素に対して信号線16−iを通
して画像データを供給するとともに、画素選択線17−
iを通してメモリデータ書き換え許可信号hGATEを
供給する。一方、現フィールドの画像データと前フィー
ルドの画像データとが同じ画素については、メモリデー
タを書き換える必要がないことから、その画素に対して
は画像データおよびメモリデータ書き換え許可信号hG
ATEの供給を共に停止する。
は、現フィールドの画像データと前フィールドの画像デ
ータとが異なる画素についてはメモリデータの書き換え
が必要と判断し、その画素に対して信号線16−iを通
して画像データを供給するとともに、画素選択線17−
iを通してメモリデータ書き換え許可信号hGATEを
供給する。一方、現フィールドの画像データと前フィー
ルドの画像データとが同じ画素については、メモリデー
タを書き換える必要がないことから、その画素に対して
は画像データおよびメモリデータ書き換え許可信号hG
ATEの供給を共に停止する。
【0022】次に、第1回路例に係る画素回路11Aを
搭載した上記構成の液晶表示装置の動作について、図3
の模式図を参照しつつ図4のタイミングチャートを用い
て説明する。
搭載した上記構成の液晶表示装置の動作について、図3
の模式図を参照しつつ図4のタイミングチャートを用い
て説明する。
【0023】本例の場合には、図3に示すように、i行
目においては、1列目〜j列目およびk列目〜m列目の
各画素についてメモリデータを書き換え、j+1列目〜
k−1列目の各画素についてはメモリデータを書き換え
ず、それまでのデータをそのまま保持するものとする。
このi行目におけるメモリデータの書き換え/保持の動
作について、以下に具体的に説明する。
目においては、1列目〜j列目およびk列目〜m列目の
各画素についてメモリデータを書き換え、j+1列目〜
k−1列目の各画素についてはメモリデータを書き換え
ず、それまでのデータをそのまま保持するものとする。
このi行目におけるメモリデータの書き換え/保持の動
作について、以下に具体的に説明する。
【0024】i行目のスキャン時において、垂直駆動回
路13はi行目の走査線15−iに対して与える走査信
号vGATE(i)をアクティブ(高レベル)とする。
これにより、行選択用スイッチ25がオン(閉)状態と
なるため、i行目の1行分の画素回路11が選択された
状態となる。このとき、水平駆動回路14には、i行目
に書き込むための1ライン分の画像データが入力され
る。なお、水平駆動回路14は例えば画像メモリを内蔵
し、当該メモリに前フィールドの画像データを保持して
いるものとする。
路13はi行目の走査線15−iに対して与える走査信
号vGATE(i)をアクティブ(高レベル)とする。
これにより、行選択用スイッチ25がオン(閉)状態と
なるため、i行目の1行分の画素回路11が選択された
状態となる。このとき、水平駆動回路14には、i行目
に書き込むための1ライン分の画像データが入力され
る。なお、水平駆動回路14は例えば画像メモリを内蔵
し、当該メモリに前フィールドの画像データを保持して
いるものとする。
【0025】水平駆動回路14は内蔵メモリに保持して
いる前フィールドのi行目の画像データとこれから書き
込む現フィールドのi行目の画像データとを画素単位で
比較する。そして、両データが異なる画素についてはメ
モリデータを書き換える必要があると判断し、同じ画素
についてはメモリデータを書き換える必要がないと判断
する。本例の場合には、水平駆動回路14は、1列目〜
j列目およびk列目〜m列目の各画素についてはメモリ
データを書き換えが必要であり、j+1列目〜k−1列
目の各画素についてはメモリデータの書き換えが不要と
なる。
いる前フィールドのi行目の画像データとこれから書き
込む現フィールドのi行目の画像データとを画素単位で
比較する。そして、両データが異なる画素についてはメ
モリデータを書き換える必要があると判断し、同じ画素
についてはメモリデータを書き換える必要がないと判断
する。本例の場合には、水平駆動回路14は、1列目〜
j列目およびk列目〜m列目の各画素についてはメモリ
データを書き換えが必要であり、j+1列目〜k−1列
目の各画素についてはメモリデータの書き換えが不要と
なる。
【0026】そして、その判断結果に基づいて水平駆動
回路14は、1列目〜j列目の各画素に対応する信号線
16−1〜16−jおよびk列目〜m列目の各画素に対
応する信号線16−k〜16−mに対して画像データを
供給するとともに、1列目〜j列目の各画素の書き込み
期間およびk列目〜m列目の各画素の書き込み期間に亘
ってメモリデータ書き換え許可信号hGATEをアクテ
ィブとする。
回路14は、1列目〜j列目の各画素に対応する信号線
16−1〜16−jおよびk列目〜m列目の各画素に対
応する信号線16−k〜16−mに対して画像データを
供給するとともに、1列目〜j列目の各画素の書き込み
期間およびk列目〜m列目の各画素の書き込み期間に亘
ってメモリデータ書き換え許可信号hGATEをアクテ
ィブとする。
【0027】これにより、1列目〜j列目およびk列目
〜m列目の各画素回路において、画素選択用スイッチ2
4がオン状態となるため、信号線16−1〜16−jお
よび信号線16−k〜16−mを通して水平駆動回路1
4から供給される画像データが、画素選択用スイッチ2
4および行選択用スイッチ25を介してメモリ回路23
に供給される。その結果、1列目〜j列目およびk列目
〜m列目の各画素回路では、メモリ回路23に対する画
像データの書き換えが行われる。
〜m列目の各画素回路において、画素選択用スイッチ2
4がオン状態となるため、信号線16−1〜16−jお
よび信号線16−k〜16−mを通して水平駆動回路1
4から供給される画像データが、画素選択用スイッチ2
4および行選択用スイッチ25を介してメモリ回路23
に供給される。その結果、1列目〜j列目およびk列目
〜m列目の各画素回路では、メモリ回路23に対する画
像データの書き換えが行われる。
【0028】一方、j+1列目〜k−1列目の各画素に
対応する信号線16−j+1〜16−k−1に対して、
水平駆動回路14は画像データの供給を停止するととも
に、j+1列目〜k−1列目の各画素の書き込み期間に
亘ってメモリデータ書き換え許可信号hGATEを非ア
クティブ(低レベル)とする。これにより、j+1列目
〜k−1列目の各画素回路では、画素選択用スイッチ2
4がオフ(開)状態となるため、メモリ回路23に対す
る画像データの書き換えは行われず、それまでのデータ
がそのままメモリ回路23に保持される。
対応する信号線16−j+1〜16−k−1に対して、
水平駆動回路14は画像データの供給を停止するととも
に、j+1列目〜k−1列目の各画素の書き込み期間に
亘ってメモリデータ書き換え許可信号hGATEを非ア
クティブ(低レベル)とする。これにより、j+1列目
〜k−1列目の各画素回路では、画素選択用スイッチ2
4がオフ(開)状態となるため、メモリ回路23に対す
る画像データの書き換えは行われず、それまでのデータ
がそのままメモリ回路23に保持される。
【0029】以降、i+1行目、i+2行目、……、n
行目の各走査期間において、同様のシーケンスによって
メモリ回路23に対する画像データの書き込み/保持の
制御が順に実行される。なお、1ライン分の画像データ
が前フィールドと現フィールドと全く同じ場合にはその
1行の全画素についてメモリデータの書き込みを行う必
要がないことから、当然のことながら、その行の走査期
間においては、全画素に対して画像データの供給を停止
するとともに、メモリデータ書き換え許可信号hGAT
Eを非アクティブにすれば良い。
行目の各走査期間において、同様のシーケンスによって
メモリ回路23に対する画像データの書き込み/保持の
制御が順に実行される。なお、1ライン分の画像データ
が前フィールドと現フィールドと全く同じ場合にはその
1行の全画素についてメモリデータの書き込みを行う必
要がないことから、当然のことながら、その行の走査期
間においては、全画素に対して画像データの供給を停止
するとともに、メモリデータ書き換え許可信号hGAT
Eを非アクティブにすれば良い。
【0030】上述したように、メモリ内蔵画素搭載の液
晶表示装置において、各画素回路11に水平走査に同期
してメモリ回路23への画像データの書き込みを許可す
る画素選択用スイッチ24を設けることにより、メモリ
回路23への画像データの書き込みを画素単位で制御で
きるため、メモリデータの書き換えが不要な画素につい
ては書き換えを行わず、それまでのデータをそのままメ
モリ回路23に保持する、という制御が画素単位で実現
可能となる。
晶表示装置において、各画素回路11に水平走査に同期
してメモリ回路23への画像データの書き込みを許可す
る画素選択用スイッチ24を設けることにより、メモリ
回路23への画像データの書き込みを画素単位で制御で
きるため、メモリデータの書き換えが不要な画素につい
ては書き換えを行わず、それまでのデータをそのままメ
モリ回路23に保持する、という制御が画素単位で実現
可能となる。
【0031】これにより、動画などの連続した画像デー
タが入力された場合であっても、前フィールドと画像デ
ータが同じ画素についてはメモリデータの書き換えを行
わずに、そのままメモリデータを保持するシーケンスを
採ることにより、その画素ではメモリ回路23に対する
画像データの書き込みを行わなくて済むため、その書き
込みに伴う電流消費分だけ消費電力を低減できる。特
に、メモリデータの書き換えを行わない画素に対しては
画像データの供給を停止することで、その画素に対応す
る信号線の充放電による電流消費分がなくなるため、装
置全体の消費電力をさらに低減できる。
タが入力された場合であっても、前フィールドと画像デ
ータが同じ画素についてはメモリデータの書き換えを行
わずに、そのままメモリデータを保持するシーケンスを
採ることにより、その画素ではメモリ回路23に対する
画像データの書き込みを行わなくて済むため、その書き
込みに伴う電流消費分だけ消費電力を低減できる。特
に、メモリデータの書き換えを行わない画素に対しては
画像データの供給を停止することで、その画素に対応す
る信号線の充放電による電流消費分がなくなるため、装
置全体の消費電力をさらに低減できる。
【0032】静止画時には、当然のことながら、メモリ
データをそのまま保持すれば良く、フィールド単位でメ
モリデータの書き換えが不要となるため、原理的に、信
号線の充放電による電流消費分をなくすことができる。
データをそのまま保持すれば良く、フィールド単位でメ
モリデータの書き換えが不要となるため、原理的に、信
号線の充放電による電流消費分をなくすことができる。
【0033】[画素回路の第2回路例]図5は、画素回
路の第2回路例を示す回路図であり、図中、図2と同等
部分には同一符号を付して示している。
路の第2回路例を示す回路図であり、図中、図2と同等
部分には同一符号を付して示している。
【0034】先述した第1回路例に係る画素回路11A
では、信号線16−iから画素選択用スイッチ24およ
び行選択用スイッチ25を介して入力される画像データ
を液晶セル21および保持容量22に直接供給するとと
もに、メモリ回路23に記憶する構成を採っていた。そ
して、デジタル画像データだけでなく、アナログ画像信
号にも対応可能となっていた。
では、信号線16−iから画素選択用スイッチ24およ
び行選択用スイッチ25を介して入力される画像データ
を液晶セル21および保持容量22に直接供給するとと
もに、メモリ回路23に記憶する構成を採っていた。そ
して、デジタル画像データだけでなく、アナログ画像信
号にも対応可能となっていた。
【0035】これに対して、第2回路例に係る画素回路
11Bでは、画素選択用スイッチ24および行選択用ス
イッチ25を介して入力される画像データを一旦メモリ
回路23に記憶し、しかる後にデータ読み出し用バッフ
ァ26を介して液晶セル21および保持容量22に読み
出すことで、メモリ回路23に画像データを書き込む経
路とメモリ回路23から画像データを読み出す経路とを
別にした構成を採っている。そして、アナログ画像信号
には対応できず、デジタル画像データのみに対応可能と
なっている。
11Bでは、画素選択用スイッチ24および行選択用ス
イッチ25を介して入力される画像データを一旦メモリ
回路23に記憶し、しかる後にデータ読み出し用バッフ
ァ26を介して液晶セル21および保持容量22に読み
出すことで、メモリ回路23に画像データを書き込む経
路とメモリ回路23から画像データを読み出す経路とを
別にした構成を採っている。そして、アナログ画像信号
には対応できず、デジタル画像データのみに対応可能と
なっている。
【0036】このように、メモリ回路23に画像データ
を書き込む経路とメモリ回路23から画像データを読み
出す経路とを別系統にするとともに、読み出し側の経路
にデータ読み出し用バッファ26を設けた構成を採る画
素回路11Bでは、メモリ回路23内のデータに対する
液晶セル部の画素電位の影響を排除でき、その影響を受
けてメモリデータが書き換わってしまうのを回避できる
ため、画素回路を構成するTFTに対して大きいマージ
ンを持たせることができる。
を書き込む経路とメモリ回路23から画像データを読み
出す経路とを別系統にするとともに、読み出し側の経路
にデータ読み出し用バッファ26を設けた構成を採る画
素回路11Bでは、メモリ回路23内のデータに対する
液晶セル部の画素電位の影響を排除でき、その影響を受
けてメモリデータが書き換わってしまうのを回避できる
ため、画素回路を構成するTFTに対して大きいマージ
ンを持たせることができる。
【0037】このデータ読み出し用バッファ26を有す
るメモリ内蔵画素搭載の液晶表示装置においても、各画
素回路11に画素選択用スイッチ24を設けることによ
り、メモリ回路23への画像データの書き込みを画素単
位で制御できるため、メモリ回路23に対する画像デー
タの書き換え/保持の制御シーケンスが画素単位で実現
可能となる。
るメモリ内蔵画素搭載の液晶表示装置においても、各画
素回路11に画素選択用スイッチ24を設けることによ
り、メモリ回路23への画像データの書き込みを画素単
位で制御できるため、メモリ回路23に対する画像デー
タの書き換え/保持の制御シーケンスが画素単位で実現
可能となる。
【0038】[画素回路の第3回路例]図6は、画素回
路の第3回路例を示す回路図であり、図中、図5と同等
部分には同一符号を付して示している。
路の第3回路例を示す回路図であり、図中、図5と同等
部分には同一符号を付して示している。
【0039】この第3回路例に係る画素回路11Cで
は、第2回路例に係る画素回路11Bの構成に加えて、
信号線16−iと液晶セル21および保持容量22の共
通接続点との間に接続された書き込みスイッチ27を有
する構成を採っている。書き込みスイッチ27は、アナ
ログ画像信号を書き込むためのスイッチであり、例えば
薄膜トランジスタからなり、垂直走査回路13から第2
の走査線28−iを介して供給される第2の走査信号v
GATE2によって駆動される。
は、第2回路例に係る画素回路11Bの構成に加えて、
信号線16−iと液晶セル21および保持容量22の共
通接続点との間に接続された書き込みスイッチ27を有
する構成を採っている。書き込みスイッチ27は、アナ
ログ画像信号を書き込むためのスイッチであり、例えば
薄膜トランジスタからなり、垂直走査回路13から第2
の走査線28−iを介して供給される第2の走査信号v
GATE2によって駆動される。
【0040】すなわち、第2回路例に係る画素回路11
Bの場合には、デジタル画像データのみに対応可能な構
成であったのに対して、第3回路例に係る画素回路11
Cの場合には、デジタル画像データおよびアナログ画像
信号の双方に対応可能な構成となっている。ここで、ア
ナログ画像信号は書き込みスイッチ27を介して直接液
晶セル部に与えられ、デジタル画像データは画素選択用
スイッチ24および行選択用スイッチ25を介して一旦
メモリ回路23に記憶された後、データ読み出し用バッ
ファ26を介して液晶セル部に与えられることになる。
Bの場合には、デジタル画像データのみに対応可能な構
成であったのに対して、第3回路例に係る画素回路11
Cの場合には、デジタル画像データおよびアナログ画像
信号の双方に対応可能な構成となっている。ここで、ア
ナログ画像信号は書き込みスイッチ27を介して直接液
晶セル部に与えられ、デジタル画像データは画素選択用
スイッチ24および行選択用スイッチ25を介して一旦
メモリ回路23に記憶された後、データ読み出し用バッ
ファ26を介して液晶セル部に与えられることになる。
【0041】このように、データ読み出し用バッファ2
6を有し、かつアナログ画像信号にも対応可能なメモリ
内蔵画素搭載の液晶表示装置においても、各画素回路1
1に画素選択用スイッチ24を設けることにより、メモ
リ回路23への画像データの書き込みを画素単位で制御
できるため、メモリ回路23に対する画像データの書き
換え/保持の制御シーケンスが画素単位で実現可能とな
る。
6を有し、かつアナログ画像信号にも対応可能なメモリ
内蔵画素搭載の液晶表示装置においても、各画素回路1
1に画素選択用スイッチ24を設けることにより、メモ
リ回路23への画像データの書き込みを画素単位で制御
できるため、メモリ回路23に対する画像データの書き
換え/保持の制御シーケンスが画素単位で実現可能とな
る。
【0042】[画素回路の第4回路例]図7は、画素回
路の第4回路例を示す回路図であり、図中、図6と同等
部分には同一符号を付して示している。
路の第4回路例を示す回路図であり、図中、図6と同等
部分には同一符号を付して示している。
【0043】この第4回路例に係る画素回路11Dで
は、第3回路例に係る画素回路11Cの構成に加えて、
メモリ回路23の出力端とデータ読み出し用バッファ2
6の入力端との間に接続されたデータ読み出し用スイッ
チ29を有する構成となっている。データ読み出し用ス
イッチ29は、メモリ回路23から画像データを読み出
すためのスイッチであり、例えば薄膜トランジスタから
なり、垂直走査回路13からデータ読み出し制御線30
−iを介して供給されるデータ読み出し制御信号drG
ATEによって駆動される。
は、第3回路例に係る画素回路11Cの構成に加えて、
メモリ回路23の出力端とデータ読み出し用バッファ2
6の入力端との間に接続されたデータ読み出し用スイッ
チ29を有する構成となっている。データ読み出し用ス
イッチ29は、メモリ回路23から画像データを読み出
すためのスイッチであり、例えば薄膜トランジスタから
なり、垂直走査回路13からデータ読み出し制御線30
−iを介して供給されるデータ読み出し制御信号drG
ATEによって駆動される。
【0044】なお、本例では、メモリ回路23の出力端
と液晶セル部との間に、データ読み出し用スイッチ29
およびデータ読み出し用バッファ26をその順番で接続
した構成を採っているが、その接続順序は相互に入れ替
わっても良く、回路動作上何ら違いは無い。
と液晶セル部との間に、データ読み出し用スイッチ29
およびデータ読み出し用バッファ26をその順番で接続
した構成を採っているが、その接続順序は相互に入れ替
わっても良く、回路動作上何ら違いは無い。
【0045】このように、アナログ画像信号にも対応可
能であるとともに、データ読み出し用バッファ26に加
えてデータ読み出し用スイッチ29を有するメモリ内蔵
画素搭載の液晶表示装置においても、各画素回路11に
画素選択用スイッチ24を設けることにより、メモリ回
路23への画像データの書き込みを画素単位で制御でき
るため、メモリ回路23に対する画像データの書き換え
/保持の制御シーケンスが画素単位で実現可能となる。
能であるとともに、データ読み出し用バッファ26に加
えてデータ読み出し用スイッチ29を有するメモリ内蔵
画素搭載の液晶表示装置においても、各画素回路11に
画素選択用スイッチ24を設けることにより、メモリ回
路23への画像データの書き込みを画素単位で制御でき
るため、メモリ回路23に対する画像データの書き換え
/保持の制御シーケンスが画素単位で実現可能となる。
【0046】なお、上記実施形態では、画素回路の表示
素子として液晶セルを用いた液晶表示装置に適用した場
合を例に採って説明したが、液晶表示装置への適用に限
られるものではなく、画素回路の表示素子としてエレク
トロルミネッセンス(liquidcrystal display;EL)素子
を用いたEL表示装置など、画素ごとにメモリ部を有す
る表示装置全般に適用可能である。
素子として液晶セルを用いた液晶表示装置に適用した場
合を例に採って説明したが、液晶表示装置への適用に限
られるものではなく、画素回路の表示素子としてエレク
トロルミネッセンス(liquidcrystal display;EL)素子
を用いたEL表示装置など、画素ごとにメモリ部を有す
る表示装置全般に適用可能である。
【0047】[適用例]図8は、本発明に係る携帯端末
装置、例えば携帯電話機の構成の概略を示す外観図であ
る。
装置、例えば携帯電話機の構成の概略を示す外観図であ
る。
【0048】本例に係る携帯電話機は、装置筐体31の
前面側に、スピーカ部32、出力表示部33、操作部3
4およびマイク部35を上部側から順に配置された構成
となっている。かかる構成の携帯電話機において、出力
表示部33には液晶表示装置が用いられ、この液晶表示
装置として先述した実施形態に係る液晶表示装置、即ち
メモリ内蔵画素搭載の液晶表示装置が用いられる。
前面側に、スピーカ部32、出力表示部33、操作部3
4およびマイク部35を上部側から順に配置された構成
となっている。かかる構成の携帯電話機において、出力
表示部33には液晶表示装置が用いられ、この液晶表示
装置として先述した実施形態に係る液晶表示装置、即ち
メモリ内蔵画素搭載の液晶表示装置が用いられる。
【0049】このように、メモリ内蔵画素搭載の液晶表
示装置を出力表示部83として用いた携帯電話機におい
て、画素回路の各々のメモリ部に対する画像データの書
き込みを画素単位で制御できるようにすることにより、
書き換えの不要な画素ではメモリ部に対する画像データ
の書き込みを行わなくて済み、その分だけ消費電力を低
減できるため、主電源であるバッテリの一回の充電での
使用時間の長時間化が図れる。
示装置を出力表示部83として用いた携帯電話機におい
て、画素回路の各々のメモリ部に対する画像データの書
き込みを画素単位で制御できるようにすることにより、
書き換えの不要な画素ではメモリ部に対する画像データ
の書き込みを行わなくて済み、その分だけ消費電力を低
減できるため、主電源であるバッテリの一回の充電での
使用時間の長時間化が図れる。
【0050】なお、ここでは、携帯電話機に適用した場
合を例に採って説明したが、これに限られるものではな
く、親子電話の子機やPDAなど携帯端末装置全般に適
用可能である。
合を例に採って説明したが、これに限られるものではな
く、親子電話の子機やPDAなど携帯端末装置全般に適
用可能である。
【0051】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
メモリ内蔵画素を搭載した表示装置において、各画素回
路に水平走査に同期してメモリ部への画像データの書き
込みを許可する選択スイッチを設けたことにより、画素
回路の各々のメモリ部に対する画像データの書き込みを
画素単位で制御でき、書き換えの不要な画素ではメモリ
部に対する画像データの書き込みを行わなくて済む分だ
け消費電流を削減できるため、装置全体の低消費電力化
が可能となる。
メモリ内蔵画素を搭載した表示装置において、各画素回
路に水平走査に同期してメモリ部への画像データの書き
込みを許可する選択スイッチを設けたことにより、画素
回路の各々のメモリ部に対する画像データの書き込みを
画素単位で制御でき、書き換えの不要な画素ではメモリ
部に対する画像データの書き込みを行わなくて済む分だ
け消費電流を削減できるため、装置全体の低消費電力化
が可能となる。
【図1】本発明の一実施形態に係る液晶表示装置の全体
構成の概略を示すブロック図である。
構成の概略を示すブロック図である。
【図2】画素回路の第1回路例を示す回路図である。
【図3】メモリデータの書き換え/保持の制御シーケン
スを示す概念図である。
スを示す概念図である。
【図4】メモリデータの書き換え/保持の制御シーケン
スを説明するためのタイミングチャートである。
スを説明するためのタイミングチャートである。
【図5】画素回路の第2回路例を示す回路図である。
【図6】画素回路の第3回路例を示す回路図である。
【図7】画素回路の第4回路例を示す回路図である。
【図8】本発明に係る携帯電話機の構成の概略を示す外
観図である。
観図である。
11,11A,11B,11C,11D…画素回路、1
2…画素部、13…垂直駆動回路、14…水平駆動回
路、18…液晶表示パネル、21…液晶セル、22…保
持容量、23…メモリ回路、24…画素選択用スイッ
チ、25…行選択用スイッチ、26…データ読み出し用
バッファ、27…書き込み用スイッチ、29…データ読
み出し用スイッチ
2…画素部、13…垂直駆動回路、14…水平駆動回
路、18…液晶表示パネル、21…液晶セル、22…保
持容量、23…メモリ回路、24…画素選択用スイッ
チ、25…行選択用スイッチ、26…データ読み出し用
バッファ、27…書き込み用スイッチ、29…データ読
み出し用スイッチ
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考)
G09G 3/20 680 G09G 3/20 680T
3/30 3/30 J
H04M 1/00 H04M 1/00 A
Fターム(参考) 2H093 NA16 NC13 NC15 NC27 NC34
NC35 NC40 ND39 ND49 ND52
ND53 ND58 NE07
5C006 AA01 AF42 AF43 AF51 AF53
AF69 BB16 BC03 BC06 BC11
BC20 BF09 BF24 FA47
5C080 AA06 AA10 BB05 DD26 EE19
FF11 JJ02 JJ03 JJ04 KK07
KK47
5K027 AA11 BB17 FF22 MM15 MM17
Claims (11)
- 【請求項1】 メモリ部を含む複数の画素回路が基板上
に行列状に配置されてなり、 前記複数の画素回路の各々は、 列単位で配線された信号線から供給されるデジタル画像
信号の前記メモリ部への書き込みを垂直走査に同期して
許可する第1選択スイッチと、 前記信号線から供給されるデジタル画像信号の前記メモ
リ部への書き込みを水平走査に同期して許可する第2選
択スイッチとを有することを特徴とする表示装置。 - 【請求項2】 前記第1、第2選択スイッチは、前記信
号線と前記メモリ部との間に互いに直列に接続されてい
ることを特徴とする請求項1記載の表示装置。 - 【請求項3】 前記複数の画素回路内の前記第1選択ス
イッチを行単位で選択駆動する垂直駆動手段と、 前記複数の画素回路内の前記第2選択スイッチを画素単
位で選択駆動するとともに、その画素回路に対して書き
込み信号を供給する水平駆動手段とを備えることを特徴
とする請求項1記載の表示装置。 - 【請求項4】 前記水平駆動手段は、前記第2選択スイ
ッチを非選択状態にするとき、その画素回路に対する書
き込み信号の供給を停止することを特徴とする請求項3
記載の表示装置。 - 【請求項5】 前記画素回路の表示素子が液晶セルであ
ることを特徴とする請求項1記載の表示装置。 - 【請求項6】 前記画素回路の表示素子がエレクトロル
ミネッセンス素子であることを特徴とする請求項1記載
の表示装置。 - 【請求項7】 前記出力表示部として、 メモリ部と、列単位で配線された信号線から供給される
デジタル画像信号の前記メモリ部への書き込みを垂直走
査に同期して許可する第1選択スイッチと、前記信号線
から供給されるデジタル画像信号の前記メモリ部への書
き込みを水平走査に同期して許可する第2選択スイッチ
とを有する複数の画素回路が、基板上に行列状に配列さ
れてなる表示装置を用いたことを特徴とする携帯端末装
置。 - 【請求項8】 前記表示装置は、前記複数の画素回路内
の前記第1選択スイッチを行単位で選択駆動する垂直駆
動手段と、前記複数の画素回路内の前記第2選択スイッ
チを画素単位で選択駆動するとともに、その画素回路に
対して書き込み信号を供給する水平駆動手段とを備える
ことを特徴とする請求項7記載の携帯端末装置。 - 【請求項9】 前記水平駆動手段は、前記第2選択スイ
ッチを非選択状態にするとき、その画素回路に対する書
き込み信号の供給を停止することを特徴とする請求項8
記載の携帯端末装置。 - 【請求項10】 前記表示装置は、前記画素回路の表示
素子として液晶セルを用いた液晶表示装置であることを
特徴とする請求項7記載の携帯端末装置。 - 【請求項11】 前記表示装置は、前記画素回路の表示
素子としてエレクトロルミネッセンス素子を用いたエレ
クトロルミネッセンス表示装置であることを特徴とする
請求項7記載の携帯端末装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001369454A JP2003167561A (ja) | 2001-12-04 | 2001-12-04 | 表示装置およびこれを用いた携帯端末装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001369454A JP2003167561A (ja) | 2001-12-04 | 2001-12-04 | 表示装置およびこれを用いた携帯端末装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003167561A true JP2003167561A (ja) | 2003-06-13 |
Family
ID=19178841
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001369454A Pending JP2003167561A (ja) | 2001-12-04 | 2001-12-04 | 表示装置およびこれを用いた携帯端末装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003167561A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| CN101964170A (zh) * | 2010-09-02 | 2011-02-02 | 友达光电股份有限公司 | 存储器电路、像素电路、及相关数据存取方法 |
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| US9208723B2 (en) | 2005-04-19 | 2015-12-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device including transistor with oxide semiconductor |
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| JP2023013738A (ja) * | 2021-07-16 | 2023-01-26 | キヤノン株式会社 | 発光装置、表示装置、光電変換装置、電子機器、および、ウェアラブルデバイス |
-
2001
- 2001-12-04 JP JP2001369454A patent/JP2003167561A/ja active Pending
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