[go: up one dir, main page]

TWI393758B - 半導體用黏著組成物、用它之半導體裝置及半導體裝置之製法 - Google Patents

半導體用黏著組成物、用它之半導體裝置及半導體裝置之製法 Download PDF

Info

Publication number
TWI393758B
TWI393758B TW95119795A TW95119795A TWI393758B TW I393758 B TWI393758 B TW I393758B TW 95119795 A TW95119795 A TW 95119795A TW 95119795 A TW95119795 A TW 95119795A TW I393758 B TWI393758 B TW I393758B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
semiconductor
adhesive composition
group
compound
plastic film
Prior art date
Application number
TW95119795A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200704737A (en
Inventor
藤丸浩一
野中敏央
Original Assignee
東麗股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 東麗股份有限公司 filed Critical 東麗股份有限公司
Publication of TW200704737A publication Critical patent/TW200704737A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI393758B publication Critical patent/TWI393758B/zh

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J163/00—Adhesives based on epoxy resins; Adhesives based on derivatives of epoxy resins
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J179/00—Adhesives based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing nitrogen, with or without oxygen, or carbon only, not provided for in groups C09J161/00 - C09J177/00
    • C09J179/04—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain; Polyhydrazides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • C09J179/08—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J11/00—Features of adhesives not provided for in group C09J9/00, e.g. additives
    • C09J11/02—Non-macromolecular additives
    • C09J11/06—Non-macromolecular additives organic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the groups H01L21/18 - H01L21/326 or H10D48/04 - H10D48/07 e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/563—Encapsulation of active face of flip-chip device, e.g. underfilling or underencapsulation of flip-chip, encapsulation preform on chip or mounting substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/544—Marks applied to semiconductor devices or parts, e.g. registration marks, alignment structures, wafer maps
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L2666/00—Composition of polymers characterized by a further compound in the blend, being organic macromolecular compounds, natural resins, waxes or and bituminous materials, non-macromolecular organic substances, inorganic substances or characterized by their function in the composition
    • C08L2666/02—Organic macromolecular compounds, natural resins, waxes or and bituminous materials
    • C08L2666/14—Macromolecular compounds according to C08L59/00 - C08L87/00; Derivatives thereof
    • C08L2666/20—Macromolecular compounds having nitrogen in the main chain according to C08L75/00 - C08L79/00; Derivatives thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L2666/00—Composition of polymers characterized by a further compound in the blend, being organic macromolecular compounds, natural resins, waxes or and bituminous materials, non-macromolecular organic substances, inorganic substances or characterized by their function in the composition
    • C08L2666/02—Organic macromolecular compounds, natural resins, waxes or and bituminous materials
    • C08L2666/14—Macromolecular compounds according to C08L59/00 - C08L87/00; Derivatives thereof
    • C08L2666/22—Macromolecular compounds not provided for in C08L2666/16 - C08L2666/20
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L63/00—Compositions of epoxy resins; Compositions of derivatives of epoxy resins
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L79/00—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon only, not provided for in groups C08L61/00 - C08L77/00
    • C08L79/04—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain; Polyhydrazides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • C08L79/08—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
    • H01L2223/5442—Marks applied to semiconductor devices or parts comprising non digital, non alphanumeric information, e.g. symbols
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
    • H01L2223/54426—Marks applied to semiconductor devices or parts for alignment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
    • H01L2223/54453—Marks applied to semiconductor devices or parts for use prior to dicing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
    • H01L2223/54473—Marks applied to semiconductor devices or parts for use after dicing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
    • H01L2223/54473—Marks applied to semiconductor devices or parts for use after dicing
    • H01L2223/5448—Located on chip prior to dicing and remaining on chip after dicing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/2919—Material with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29199—Material of the matrix
    • H01L2224/2929—Material of the matrix with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298—Fillers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298—Fillers
    • H01L2224/29299—Base material
    • H01L2224/293—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
    • H01L2224/73203—Bump and layer connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/8112—Aligning
    • H01L2224/81121—Active alignment, i.e. by apparatus steering, e.g. optical alignment using marks or sensors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/818—Bonding techniques
    • H01L2224/81801—Soldering or alloying
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838—Bonding techniques
    • H01L2224/8385—Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00011—Not relevant to the scope of the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00013—Fully indexed content
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01004—Beryllium [Be]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01009—Fluorine [F]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01013—Aluminum [Al]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01015—Phosphorus [P]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01019—Potassium [K]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01023—Vanadium [V]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01024—Chromium [Cr]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01027—Cobalt [Co]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01046—Palladium [Pd]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/0105—Tin [Sn]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01077—Iridium [Ir]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01078—Platinum [Pt]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/06—Polymers
    • H01L2924/0665—Epoxy resin
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/06—Polymers
    • H01L2924/078—Adhesive characteristics other than chemical
    • H01L2924/07802—Adhesive characteristics other than chemical not being an ohmic electrical conductor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/095—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00 with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials provided in the groups H01L2924/013 - H01L2924/0715
    • H01L2924/097—Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
    • H01L2924/09701—Low temperature co-fired ceramic [LTCC]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12044—OLED
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/156—Material
    • H01L2924/15786—Material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
    • H01L2924/15787—Ceramics, e.g. crystalline carbides, nitrides or oxides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/156—Material
    • H01L2924/15786—Material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
    • H01L2924/15788—Glasses, e.g. amorphous oxides, nitrides or fluorides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901—Structure
    • H01L2924/1904—Component type
    • H01L2924/19042—Component type being an inductor
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/28—Web or sheet containing structurally defined element or component and having an adhesive outermost layer
    • Y10T428/2852—Adhesive compositions
    • Y10T428/287—Adhesive compositions including epoxy group or epoxy polymer
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
    • Y10T428/31511—Of epoxy ether
    • Y10T428/31515—As intermediate layer

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Die Bonding (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Adhesive Tapes (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)

Description

半導體用黏著組成物、用它之半導體裝置及半導體裝置之製法
本發明係有關於一種半導體用黏著組成物、使用其之半導體裝置及半導體裝置的製造方法，該半導體用黏著組成物係在半導體晶圓上形成半導體用黏著組成物後，使藉由切削具有半導體用黏著組成物的晶圓而個片化的IC、LSI等半導體晶片直接電連接軟性基板、玻璃環氧基板、玻璃基板、陶瓷基板等電路基板時之半導體用黏著組成物。
近年來，隨著半導體裝置的小型化及高密度化，在電路基板上封裝半導體晶片的方法，覆晶封裝(flip chip mounting)(直接黏晶片封裝；direct chip attach mounting)受注目、急速地擴展中。在覆晶封裝，一種為了確保接合部分的連接信賴性而通常採用的方法，係使在半導體晶片上形成的凸塊電極與電路基板的焊墊電極接合後，在半導體晶片與電路基板的間隙注入液狀密封黏著劑。但是，由於為了使半導體裝置輕薄短小化，在半導體晶片上所形成的凸塊電極的數目增加、及凸塊電極逐漸低高度化，為了能夠確保在半導體晶片與電路基板的間隙之接合部分的連接信賴性，以往所採用注入充分量的液狀密封黏著劑之方法，現狀無法採用。針對此情形，有一種方法被採用，係使用分配器、網版印刷等方法在電路基板或具有凸塊電極半導體晶片上塗布被稱為底部填充材之液狀黏著劑後，連接半導體晶片與電路基板之方法。但是，因為欲在微小面積均勻地塗布狀黏著劑係困難的，會有因液狀黏著劑溢出而造成污染電路基板或半導體晶片、封裝面積增大或存在有未密封部分之問題(參照美國專利公開第2004/132888號說明書)。
為了解決此問題，有提案揭示一種方法(美國專利申請公第2001/16372號說明書)及使用該方法之黏著薄膜，該方法係在具有凸塊電極半導體晶圓上層積一定厚度的半導體用黏著組成物後，藉由切削使半導體晶圓成為個別半導體晶片，接著，將半導體晶片覆晶連接在電路基板上，同時進行電連接與樹脂密封之方法。依據該方法，可以使半導體用黏著組成物與半導體晶片的黏著面積大致相同，與使用液裝密封黏著劑比較時，對半導體晶片溢出的黏著組成物非常少(參照特開2004－315688號公報、特開2004－319823號公報)。但是，因為在特開2004－315688號公報、特開2004－319823號公報所使用的半導體用黏著組成物係由具有第骨架之苯氧樹脂、環氧樹脂、微膠囊化咪唑衍生物環氧化合物、無機填料所構成之物，或是由有機溶劑可溶性聚醯亞胺、環氧樹脂、酚樹脂、無機填料所構成之物。因為此等含有大多量無機填料、微膠囊，在切削時、及切削後使半導晶片進行覆晶連接時，無法實施認識半導體晶片上的對準標記。又，即使進行認識凸塊電極的位置來代替認識對準標記時，亦不容易認識凸塊電極的位置。
在半導體晶片上所形成的半導體用黏著組成物層的厚度小於凸塊電極的厚度時，雖然能夠認識凸塊電極的位置，但是因為若半導體用黏著組成物層的厚度小於凸塊電極的厚度時會產生連接不良，所以實質上只有半導體用黏著組成物層的厚度與凸塊電極的厚度一致時才能使用。又，半導體晶圓上的凸塊電極數目非常多，對於此等全部凸塊電極，欲使半導體用黏著組成物層的厚度與凸塊電極的厚度一致係非常困難的。而且，凸塊電極有板狀、圓筒狀、半球狀、蕈狀、突起狀等各種形狀，當半導體用黏著組成物層的厚度與凸塊電極厚度相同時，因為能夠認識的面積變小，欲認識半球狀、蕈狀、突起狀之物係特別困難的。又，除了含有無機填料、微膠囊之物以外，因為與樹脂之相溶性低，具有數微米大小的島結構之組成物(所謂海島結構的組成物)，例如環氧樹脂與NBR(丙烯腈－丁二烯共聚物)的混合系統等，因為光穿透率變低，亦會發生與上述相同的問題。
而且，將美國專利申請公開第2004/132888號說明書所記載的液狀密封黏著劑塗布在半導體晶圓的凸塊電極面側後，容易發生在進行切削時切削粉黏附在液狀密封黏著劑上的問題、因為液狀密封黏著劑的流動性大而發生液狀密封黏著劑黏附於切削過的晶圓端面、或切削刀片之氣孔堵塞問題、切削時的水噴射壓力引起膜表面混亂等複數問題。因此，將美國專利申請公開第2004/132888號說明書所記載的液狀密封黏著劑塗布在半導體晶圓的凸塊電極面側後進行切削之製程，利用於工業上係困難的。又，將特開2004－315688號公報、特開2004－319823號公報所記載之半導體用黏著組成物，層積在半導體晶圓之具有凸塊電極的面後進行切削時，會有切削粉容易黏附於液狀密封黏著劑的問題、液狀密封黏著劑從晶圓剝落、液狀密封黏著劑缺損、產生破裂問題存在。液狀密封黏著劑的缺損、破裂，雖然可以藉由降低切削速度而得到某種程度的改善，但是考慮近年來晶圓的大口徑化進展狀況時，切削速度降低會成為成本提高的原因。而且特開2004－315688號公報所記載的半導體用黏著組成物，為了賦與耐熱性，係使用具有茀骨架之苯氧樹脂、或有機溶劑可溶性聚醯亞胺，但是作為塗布在具有凸塊電極之半導體晶圓上之黏著劑組成物，並未具有充分的耐熱性、絕緣性。
另一方面，特開2003－192894號公報揭示一種方法，係使有機溶劑可溶性聚醯亞胺組合與聚醯亞胺具有優良相溶性之環氧樹脂。藉由使用該方法，能夠得到光線穿透率高的黏著片。但是因為在環氧樹脂中使用固態環氧樹脂，所以具有非常脆的性質，在層積於具有凸塊電極之半導體晶圓後，進行切削時，會產生從晶圓剝落、黏著劑本身的缺損、破裂。
又，已知有將在常溫為固態之固態環氧樹脂與在常溫為液態之環氧樹脂混合使其具有撓性之技術(參照特開2004－146495號公報)。但是，將由此種樹脂所構成的黏著劑層形成在具有凸塊電極之半導體晶圓上後，進行切削時，會有半導體用黏著組成物從晶圓剝落、產生半導體用黏著組成物的破損、破裂等問題存在。
而且，亦有揭示一種黏著片(參照特開2004－292821號公報)，係含有聚醯亞胺、3官能以上的環氧樹脂及液狀環氧樹脂。但是，使用含有特開2004－292821號公報所記載之含有聚醯亞胺之黏著片進行覆晶封裝時，因為該聚醯亞胺的吸水性高，因為封裝時的加熱，黏著片中由於吸水所蓄存的水分產生急速蒸發，藉此，黏著片產生發泡，會有半導體晶片與電路基板之間的黏著力未充分的問題、連接信賴性低等問存在。
又，有機溶劑可溶性聚醯亞胺，已知有在聚合物的主鏈末端具有酚性羥基等反應基之聚醯亞胺(參照歐洲專利申請公開第1630605號說明書)。
為了解決上述問題，本發明提供一種半導體用黏著組成物，即便使其彎曲亦不會破裂或剝落、能夠層積在具有狹窄間距、高針腳數的凸塊電極之半導體晶圓的電極側，在切削時能夠以無切削粉的污染或缺損的方式高速切斷，在切削時及覆晶封裝時對準標記的認識良好。又，提供一種半導體用黏著組成物，將高精密度切斷的半導體晶片，使凸塊介於中間能夠高精密地金屬接合於電路基板的電極焊墊，或是藉由導電物質間的接觸能夠得到穩定的導通，而且，藉由在半導體晶片與電路基板之間發揮收縮應力之作為黏著劑的機能，能夠輔助藉由該金屬接合或導電物質間的接觸所得到穩定的導通，具有提高連接的信賴性之機能。
亦即，本發明提供一種半導體用黏著組成物，含有：(a)有機溶劑可溶性聚醯亞胺；(b)環氧化合物；以及(c)硬化促進劑；其中相對於100重量份(b)環氧化合物，含有15~90重量份(a)有機溶劑可溶性聚醯亞胺、0.1~10重量份(c)硬化促進劑，(b)環氧化合物含有在25℃、1.013×105 N/m2 為液狀的化合物、及在25℃、1.013×105 N/m2 為固態的化合物，相對於總環氧化合物，液狀環氧化合物含量為20重量%以上60重量%以下。
依照本發明之組成物，能夠無空隙地層積在具有凸塊電極之半導體晶圓的凸塊電極側面，在切削時能夠以無切削粉的污染或缺損的方式高速切斷，在切削時及覆晶封裝時對準標記的認識良好。又，使用本發明的組成物及製造方法時，將高精密度切斷的半導體晶片，使凸塊介於中間能夠高精密地金屬接合於電路基板的電極焊墊，或是藉由導電物質間的接觸能夠得到穩定的導通，而且，藉由在半導體晶片與電路基板之間發揮收縮應力，能夠得到具有優良的信賴性之半導體裝置。
本發明之半導體用黏著組成物係含有：(a)有機溶劑可溶性聚醯亞胺；(b)環氧化合物；以及(c)硬化促進劑；且具有光線穿透率為70%以上之物，其中相對於100重量份(b)環氧化合物，含有15~90重量份(a)有機溶劑可溶性聚醯亞胺、0.1~10重量份(c)硬化促進劑，(b)環氧化合物含有在25℃、1.013×105 N/m2 為液狀的化合物、及在25℃、1.013×105 N/m2 為固態的化合物，相對於總環氧化合物，液狀環氧化合物含量為20重量%以上60重量%以下。
本發明所使用的(a)有機溶劑可溶性聚醯亞胺若能夠溶解在有機溶劑中即可，結構等沒有特別限定。可溶性係意指在選自以下的溶劑中，在23℃能夠溶解20重量%以上。有酮系溶劑之丙酮、甲基乙基酮、甲基異丁酮、環戊酮、環己酮、醚系溶劑之1,4－二烷、四氫呋喃、二(乙二醇二甲醚)、乙二醇醚系溶劑的甲基賽璐蘇、乙基賽璐蘇、丙二醇單甲基醚、丙二醇單乙基醚、丙二醇單丁基醚、二伸乙甘醇甲基乙基醚、此外有苄醇、N－甲基吡咯啶酮、γ－丁內酯、乙酸乙酯、N,N－二甲基甲醯胺。
本發明之半導體用黏著組成物，因為含有具有亞胺環之(a)有機溶劑可溶性聚醯亞胺，所以具有優良的耐熱性及耐藥品性。特別是藉由使用在有機溶劑可溶性聚醯亞胺的側鏈及末端，各自具有至少一個能夠與環氧基反應的官能基之物，能夠促進在熱處理時環氧樹脂化合物的開環、對芳香族聚醯亞胺進行加成反應，能得到具有更高密度的網狀結構之組成物。能夠與環氧基反應的官能基，可以舉出的有酚性羥基、磺酸基、硫醇基。此種芳香族聚醯胺的合成方法，可以舉出的方法，有例如首先使具有能夠與環氧基反應的基之酸二酐與二胺反應，來合成聚醯亞胺的先質，接著，使用能夠與環氧基反應的基之一級單胺或羧酸衍生物作為末端密封劑，對該聚醯亞胺先質進行末端修改，接著進行150℃以上的熱處理，來進行聚醯亞胺閉環。或是預先使酸二酐與作為末端密封劑之一級單胺反應後，添加二胺來合成末端修改過的聚醯亞先質，進而在150℃以上的高溫進行聚醯亞胺閉環亦可以得到。或是，預先使二胺與作為末端密封劑之羧酸衍生物反應後，添加酸二酐來合成末端修改過的聚醯亞先質，進而在150℃以上的高溫進行聚醯亞胺閉環亦可以得到。
使本發明所使用的(a)有機溶劑可溶性聚醯亞胺在前述溶劑中具有可溶性，係使含有肪族結構、脂肪族環結構之聚醯亞胺或芳香族聚醯亞胺的主鏈具有選自由1,1,1,3,3,3－六氟丙基、異丙基、醚基、硫醚基及SO2 基組成群組中至少一種基為佳。此種芳香族聚醯亞胺可以藉由使用具有1,1,1,3,3,3－六氟丙基、異丙基、醚基、硫醚基及SO2 基之二胺成分或酸二酐成分而得到。就可溶性較大而言，相對於聚醯亞胺總量使具有此等基之聚醯亞胺為80重量%以上為佳。又，芳香族聚醯亞胺的末端係被單胺及/或羧酸衍生物所構成的末端密封劑所末端密封為佳。
在本發明，(a)有機溶劑可溶性聚醯亞胺之中，係具有通式(2)~(7)中任一者所示結構、且在側鏈及末端上各自具有至少一個能夠與環氧基反應的官能基之聚合物，通式(1)所示結構為通式(2)~(7)中的R4 、且相對於聚合物總量具有2~15重量%之物可以適合使用。又，在此藉由合成有機溶劑可溶性聚合物所得到的聚合物(聚醯亞胺)的總量，係指藉由使1級胺化合物與酸二酐及末端密封劑所構成的成分聚合而得到的重量，聚醯亞胺的重量未包含合成時過剩加入之1級胺化合物、酸二酐及末端密封劑。
式中，R1 係表示2價烴基，R2 係表示1價烴基，n係表示1~10的整數。又，4個R2 不一定必須是相同結構。
式中，R3 係表示4~14價的有機基，R4 係2~12價的有機基，其中R3 、R4 至少其中之一係含有選自由1,1,1,3,3,3－六氟丙基、異丙基、醚基、硫醚基及SO2 基所組成群組中至少一種基。R5 、R6 係表示具有選自由酚性羥基、磺酸基及硫醇基所組成群組中至少一種基之有機基，可以相同亦可以不同。X係1價的有機基，Y係2價的有機基，Z係1價的有機基。m係8~200的範圍。α及β係各自表示0~10之整數，α＋β係表示1~10的整數。
本發明所使用的(a)有機溶劑可溶性聚醯亞胺，藉由具有通式(1)所示結構，能夠提升在上述溶劑中的溶解性、且能夠抑制硬化時的收縮。
通式(1)中，R1 係表示2價烴基，以碳數1~5的伸烷基、伸苯基為佳。n係表示1~10的整數，以1~2為佳。使n為1以上時，能夠抑制硬化時之收縮，10以下時，不會減少聚醯亞胺骨架中的醯亞胺基的含有率，能夠提升絕緣性、耐熱性。R2 係表示1價烴基，以碳數1~5的烷基、苯基為佳。又，4個R2 不一定必須是相同結構。
在芳香族聚醯亞胺中，含有通式(1)所示結構之化合物的含量係2~15重量%。2重量%以上時可以得到上述效果，15重量%以下時，能夠維持聚醯亞胺骨架的剛直性、能夠保持耐熱性、絕緣性。
含有通式(1)所示結構之化合物可以舉出的有雙(3－胺基丙基)四甲基二矽氧烷、雙(對胺基苯基)八甲基矽氧烷等二胺成分。
本發明所使用之(a)在側鏈及末端上各自具有至少一個能夠與環氧基反應的官能基之有機溶劑可溶性聚醯亞胺，以具有上述通式(2)~(7)所示結構為佳。
在上述通式(2)~(7)，R3 係表示酸二酐的構成成分，4~14價的有機基，其中以碳原子數5~40的有機基為佳。R4 係表示二胺的構成成分，2~12價的有機基，其中以碳原子數5~40的有機基為佳。R3 、R4 至少其中之一係含有選自由1,1,1,3,3,3－六氟丙基、異丙基、醚基、硫醚基及SO2 基所組成群組中至少一種基，其中以R3 、R4 雙方都含有為佳。R5 及R6 係表示具有選自由酚性羥基、磺酸基及硫醇基所組成群組中至少一種基之有機基，可以相同亦可以不同。X係1價的有機基，Y係2價的有機基，Z係1價的有機基。m係8~200的範圍。α及β係各自表示0~10之整數，α＋β係表示1~10的整數。
R5 係酸二酐的取代基，可以選自由酚性羥基、磺酸基及硫醇基所組成群組。具有至少一種前述取代基之酸二酐，可以舉出的有下述所示結構的芳香族酸二酐。
R1 1 、R1 2 係表示氫原子、羥基、硫醇基或磺酸基。其中R1 1 及R1 2 不可同時為氫原子。
R3 係表示酸二酐的構成成分，可以選自1,1,1,3,3,3－六氟丙基、異丙基、醚基、硫醚基及SO2 基所組成群組。具有至少一個前述有機基之酸二酐，具體上可以舉出的有2,2－雙(3,4－二羧苯基)丙烷二酐、2,2－雙(2,3－二羧苯基)丙烷二酐、雙(3,4－二羧苯基)碸二酐、雙(3,4－二羧苯基)醚二酐、2,2,－雙(3,4－二羧苯基)六氟丙烷二酐或是在此等的芳香族環使用烷基或鹵素原子取代而成的化合物。
具有至少一個選自1,1,1,3,3,3－六氟丙基、異丙基、醚基、硫醚基及SO2 基所組成群組的基、且具有至少一個選自由酚性羥基、磺酸基及硫醇所組成群組的基之酸二酐，具體上可以舉出的有下述所示結構的芳香族酸二酐。
R1 0 係表示C(CF3 )2 、C(CH3 )2 、SO2 、S或是O。R1 1 及R1 2 係氫原子、羥基、硫醇基、或磺酸基。其中R1 1 及R1 2 不可以同時是氫原子。
R3 係1,1,1,3,3,3－六氟丙基、異丙基、醚基、硫醚基及SO2 基以外的有機基、R5 係酚性羥基、磺酸基、硫醇基以外的有機基時之酸二酐，具體上可以舉出的有均苯四甲酸二酐、3,3’,4,4’－聯苯四羧酸二酐、2,3,3’,4’－聯苯四羧酸二酐、2,2’3,3’－聯苯四羧酸二酐、3,3’,4,4’－二苯基酮四羧酸二酐、2,2’,3,3’－二苯基酮四羧酸二酐、1,1－雙(3,4－二羧苯基)乙烷二酐、1,1－雙(2,3－二羧苯基)乙烷二酐、雙(3,4－二羧苯基)甲烷二酐、雙(2,3－二羧苯基)甲烷二酐、1,2,5,6－萘四羧酸二酐、2,3,6,7－萘四羧酸二酐、2,3,5,6－吡啶四羧酸二酐、3,4,9,10－苝四羧酸二酐(3,4,9,10－Perillenetetracarbonate dianhydride)等芳香族四羧酸二酐或是在此等的芳香族環使用烷基或鹵素原子取代而成的化合物。本發明所使用的酸二酐可以單獨或組合2種以上使用。
R6 係二胺的取代基，可以選自由酚性羥基、磺酸基及硫醇基所組成群組。具有至少一個前述取代基之二胺，具體上可以舉出的有3,3’－二胺基－4,4’－二羥基聯苯、2,4－二胺基苯酚、2,5－二胺基苯酚、1,4－二胺基－2,5－二羥基苯、二胺基二羥基嘧啶、二胺基二羥基吡啶、羥基二胺基嘧啶、9,9－雙(3－胺基－4－羥苯基)茀、或是在此等的芳香族環使用烷基或鹵素原子取代而成的化合物、或是下述所示結構之二胺等。
R1 1 ~R1 4 係表示氫原子、羥基、硫醇基或是磺酸基。其中R1 1 及R1 2 不可以同時是氫原子。
R4 係表示二胺的構成成分，可以選自由1,1,1,3,3,3－六氟丙基、異丙基、醚基、硫醚基及SO2 基所組成群組。具有至少一個前述有機基之二胺，具體上可以舉出的有3,4’二胺基二苯基硫醚、4,4’二胺基二苯基硫醚、3,4’二胺基二苯基醚、4,4’二胺基二苯基醚、3,4’二胺基二苯基碸、4,4’二胺基二苯基碸、雙(4－胺基苯氧基苯基)碸、雙(3－胺基苯氧基苯基)碸、雙(4－胺基苯氧基)聯苯、雙{4－(4－胺基苯氧基)聯苯}醚、1,4－雙(4－胺基苯氧基)苯、1,3－雙(4－胺基苯氧基)苯、2,2－雙[4－(4－胺基苯氧基)苯基]六氟丙烷、2,2－雙[4－(4－胺基苯氧基)苯基]丙烷、或是在此等的芳香族環使用烷基或鹵素原子取代而成的化合物等。
具有至少一個選自由1,1,1,3,3,3－六氟丙基、異丙基、醚基、硫醚基及SO2 基所組成群組的基、且具有至少一個選自由酚性羥基、磺酸基及硫醇所組成群組的基之二胺，具體上可以舉出的有2,2－雙(3－胺基－4－羥苯基)六氟丙烷、2,2－雙(3－胺基－4－胺基苯基)六氟丙烷、2,2－雙(3－胺基－4－羥苯基)六氟丙烷、2,2－雙(3－羥基－4－胺基苯基)丙烷、3,3’－二胺基－4,4’－二羥基二苯基醚、3,3,－二胺基－4,4’－二羥基二苯基碸、3,3’－二胺基－4,4’－二羥基二苯基硫醚、或是在此等的芳香族環使用烷基或鹵素原子取代而成的化合物等、或下述所示結構的二胺等。
R1 0 係表示C(CF3 )2 、C(CH3 )2 、SO2 、S或O。R1 1 ~R1 2 係表示氫原子、羥基、硫醇基或是磺酸基。其中R1 1 及R1 2 不可以同時是氫原子。
R4 係1,1,1,3,3,3－六氟丙基、異丙基、醚基、硫醚基及SO2 基以外的有機基、R6 係酚性羥基、磺酸基、硫醇基以外的有機基時之二胺，具體上可以舉出的有3,4’－二胺基二苯基甲烷、4,4’－二胺基二苯基甲烷、聯苯胺、間伸苯二胺、對伸苯二胺、1,5－萘二胺、2,6－萘二胺、2,2’－二甲基－4,4’－二胺基聯苯、2,2’－二乙基－4,4’－二胺基聯苯、3,3’－二甲基－4,4’－二胺基聯苯、3,3’－二乙基－4,4’－二胺基聯苯、2,2’,3,3’－四甲基－4,4’－二胺基聯苯、3,3’,4,4’－四甲基－4,4’－二胺基聯苯、2,2’－二(三氟甲基)－4,4’－二胺基聯苯、或是在此等的芳香族環使用烷基或鹵素原子取代而成的化合物、對酞酸肼、間酞酸肼、酞酸肼、2,6－萘二羧二肼、4,4’－聯苯二碳胼、4,4’－環己烷二碳胼、或是在此等的芳香族環使用烷基或鹵素原子取代而成的化合物等。本發明所使用的二胺可以單獨或組合2種以上使用。
藉由選擇上述通式(2)~(7)之R5 、R6 ，能夠進行調整在熱處理時之芳香族聚醯亞胺與環氧化合物之反應率，來調整半導體用黏著組成物的交聯密度。藉此能夠賦與半導體用黏著組成物必要之耐熱性、耐藥品性。羥基、硫醇基或磺酸基以R5 、R6 合計之20~90%為佳。藉由使此等基為R5 、R6 的20%以上，能夠提升耐藥品性、耐熱性，為90%以下，能夠抑制交聯密度在適當的範圍，能夠保持薄膜的延伸度、韌性。
通式(2)、通式(3)的構成成分之X，以具有至少一個能夠與環氧基反應之官能基為佳。如此的官能基，可以舉出的有例如酚性羥基、磺酸基、硫醇基等。X以通式(8)所示結構為佳，此等係來自1級單胺(末端密封劑)之成分。又，構成通式(2)、通式(3)之X，可以是通式(8)所示之末端密封基單獨、或組合2種以上其他的末端密封基之其中一種。
又，通式(4)、通式(5)的構成成分之Y，以具有至少一個能夠與環氧基反應之官能基為佳。如此的官能基。Y以通式(9)或通式(10)所示之結構為佳，此等係來自羧酸衍生物中之酸酐(係末端密封劑)之成分。又，構成通式(4)、通式(5)之Y，係表示通式(9)、通式(10)中任一者之末端密封基單獨、或組合2種以上其他的末端密封基之其中一種。
通式(6)、通式(7)的構成成分之Z，以具有至少一個能夠與環氧基反應之官能基為佳。如此的官能基。Z以通式(11)或通式(12)所示之結構為佳，此等成分係來自選自羧酸衍生物(末端密封劑)中之單羧酸、氯化單酸化合物、單活性酯化合物之物。又，構成通式(6)、通式(7)之Z係以下其中一種，可以是通式(11)、通式(12)中任一種所示末端密封基單獨、或是與其他的末端密封基之2種以上的組合。
通式(8)、通式(11)、通式(12)的R1 7 係表示選自－CR2 1 R2 2 －、－CH2 O－、－CH2 SO2 －之二價基，R2 1 及R2 2 係表示選自氫原子、羥基、碳數1~10的烴基之1價基。通式(11)、通式(12)的R2 0 係表示選自碳數1~10的烴基之1價基，其中以碳數1~4的烴基為佳，以甲基、第3丁基為特佳。通式(10)、通式(12)的R1 8 及R1 9 係表示選自氫原子、羥基、羧基、磺酸基、硫醇基、碳數1~4的烴基之1價基，其中至少一個係羥基、羧基、磺酸基或硫醇基。又，通式(8)、通式(9)、通式(11)之R1 5 及R1 6 係表示選自氫原子、羥基、羧基、磺酸基、硫醇基、碳數1~10的烴基之1價基，其中至少一個係羥基、羧基、磺酸基或硫醇基。又，通式(8)、通式(9)、通式(11)之A、E、G係碳原子或氮原子，可以各自相同或不同。o係0~10的整數，以0~4的整數為佳。1係0或1，以0為佳。p係0或1，以0為佳。q係1或3，以1或2為佳。r、s、t為0或1。
具有通式(8)所示之1級單胺具體上可以舉出的有5－胺基－8－羥基喹啉、4－胺基－8－羥基喹啉、1－羥基－8－胺基萘、1－羥基－7－胺基萘、1－羥基－6－胺基萘、1－羥基－5－胺基萘、1－羥基－4－胺基萘、1－羥基－3－胺基萘、1－羥基－2－胺基萘、1胺基－7－羥基萘、2－胺基－7－羥基萘、2－羥基－6－胺基萘、2－羥基－5－胺基萘、2－羥基－4－胺基萘、2－羥基－3－胺基萘、1－胺基－2－羥基萘、1－羧基－8－胺基萘、1－羧基－7－胺基萘、1－羧基－6－胺基萘、1－羧基－5－胺基萘、1－羧基－4－胺基萘、1－羧基－3－胺基萘、1－羧基－2－胺基萘、1－胺基－7羧基萘、2－羧基－7胺基萘、2－羧基－6胺基萘、2－羧基－5胺基萘、2－羧基－4胺基萘、2－羧基－3胺基萘、1－胺基－2－羧基萘、2－胺基菸鹼酸、4－胺基菸鹼酸、5－胺基菸鹼酸、6－胺基菸鹼酸、4－胺基柳酸、5－胺基柳酸、6－胺基柳酸、3－胺基－鄰苯乙酸、阿美來多(amelide)、2－胺基苯甲酸、3－胺基苯甲酸、4－胺基苯甲酸、2－胺基苯磺酸、3－胺基苯磺酸、4－胺基苯磺酸、3－胺基－4,6－二羥基嘧啶、2－胺基苯酚、3－胺基苯酚、4－胺基苯酚、5－胺基－8－硫氫基喹啉、4－胺基－8－硫氫基喹啉、1－硫氫基－8－胺基萘、1－硫氫基－7－胺基萘、1－硫氫基－6－胺基萘、1－硫氫基－5－胺基萘、1－硫氫基－4－胺基萘、1－硫氫基－3－胺基萘、1－硫氫基－2－胺基萘、1－胺基－7－硫氫基萘、2－硫氫基－7－胺基萘、2－硫氫基－6－胺基萘、2－硫氫基－5－胺基萘、2－硫氫基－4－胺基萘、2－硫氫基－3－胺基萘、1－胺基－2－硫氫基萘、3－胺基－4,6－二硫氫基嘧啶、2－胺基萘硫酚、3－胺基萘硫酚、4－胺基萘硫酚等。
此等之中，以5－胺基－8－羥基喹啉、1－羥基－7－胺基萘、1－羥基－6－胺基萘、1－羥基－5－胺基萘、1－羥基－4－胺基萘、2－胺基－7－羥基萘、2－羥基－6－胺基萘、2－羥基－5－胺基萘、1－羧基－7－胺基萘、1－羧基－6－胺基萘、1－羧基－5－胺基萘、2－羧基－7胺基萘、2－羧基－6胺基萘、2－羧基－5胺基萘、2－胺基苯甲酸、3－胺基苯甲酸、4－胺基苯甲酸、4－胺基柳酸、5－胺基柳酸、6－胺基柳酸、2－胺基苯磺酸、3－胺基苯磺酸、4－胺基苯磺酸、3－胺基－4,6－二羥基嘧啶、2－胺基苯酚、3－胺基苯酚、4－胺基苯酚、2－胺基萘硫酚、3－胺基萘硫酚、4－胺基萘硫酚等為佳。
以5－胺基－8－羥基喹啉、1－羥基－7－胺基萘、1－羥基－6－胺基萘、1－羥基－5－胺基萘、1－羥基－4－胺基萘、2－胺基－7－羥基萘、2－羥基－6－胺基萘、2－羥基－5－胺基萘、3－胺基－4,6－二羥基嘧啶、2－胺基苯酚、3－胺基苯酚、4－胺基苯酚、2－胺基萘硫酚、3－胺基萘硫酚、4－胺基萘硫酚等為特佳。此等可以單獨或組合2種以上使用。
具有通式(9)或通式(10)所示結構之酸酐的具體例子，可以舉出的有酞酸酐、順丁烯二酸酐、萘二甲酸酐、環己烷二羧酸酐等，以3－羥基酞酸酐、4－羥基酞酸酐、偏苯三酸酐之酸酐等為更佳。
具有通式(11)或通式(12)所示結構之酸酸衍生物、單羧酸、氯化單酸化合物、單活性酯化合物的具體例子，可以舉出的有2－羧基苯酚、3－羧基苯酚、4－羧基苯酚、2－羧基苯硫酚、3－羧基苯硫酚、4－羧基苯硫酚、1－羥基－8－羧基萘、1－羥基－7－羧基萘、1－羥基－6－羧基萘、1－羥基－5－羧基萘、1－羥基－4－羧基萘、1－羥基－3－羧基萘、1－羥基－2－羧基萘、1－硫氫基－8－羧基萘、1－硫氫基－7－羧基萘、1－硫氫基－6－羧基萘、1－硫氫基－5－羧基萘、1－硫氫基－4－羧基萘、1－硫氫基－3－羧基萘、1－硫氫基－2－羧基萘、2－羧基苯磺酸、3－羧基苯磺酸、4－羧基苯磺酸等單羧酸類及此等羧基酸氯化而成的氯化單酸化合物及對酞酸、酞酸、順丁烯二酸、環己烷二羧酸、3－羥基酞酸、5－降烯－2,3－二羧酸、1,2－二羧基萘、1,3－二羧基萘、1,4－二羧基萘、1,5－二羧基萘、1,6－二羧基萘、1,7－二羧基萘、1,8－二羧基萘、2,3－二羧基萘、2,6－二羧基萘、2,7－二羧基萘等二羧酸的單羧基酸經氯化而成的氯化單酸化合物、氯化單酸化合物與N－羥基－5－降烯－2,3－二羧基醯亞胺、對硝基苯、N－羥基琥珀醯亞胺、N－羥基酞醯亞胺、N－羥基苯并三唑等反應而得到的活性化合物等。
此等之中，因為容易導入聚合物，以利用酞酸酐、順丁烯二酸酐、萘二甲酸酐、環己烷二羧酸酐、3－羥基酞酸酐等酸酐、3－羧基苯酚、4－羧基苯酚、3－羧基苯硫酚、4－羧基苯硫酚、1－羥基－7－羧基萘、1－羥基－6－羧基萘、1－羥基－5－羧基萘、1－硫氫基－7－羧基萘、1－硫氫基－6－羧基萘、1－硫氫基－5－羧基萘、3－羧基苯磺酸、4－羧基苯磺酸等單羧酸類為佳。此可以單獨或組合2種以上使用。
導入通式(8)所示成分(通式(3)的X成分)的比率，若以末端密封劑的1級單胺成分(係其原成分)換算時，相對於總二胺成分，以0.1~60莫耳%的範圍為佳，以5~50莫耳%為特佳。通式(9)或通式(10)所示成分(通式(2)、通式(5)的Y成分)、或通式(11)或通式(12)所示成分(通式(4)、通式(6)、通式(7)的Z成分)的導入比率，若以末端密封劑的酸酐、單羧酸、氯化單酸化合物、單活性酯化合物成分(係其原成分)換算時，相對於總二胺成分，以0.1~60莫耳%的範圍為佳，以5~55莫耳%為特佳。
通式(2)~(7)的m係表示聚合物的重複數，表示8~200的範圍，以10~150為佳。就重量平均分子量而言，依據凝膠過濾層析法，以聚苯乙烯換算時4000~80000為佳，以8000~60000為特佳。藉由使m為8以上時，能夠提高組成黏度、可以進行厚膜塗布，使m為200以下時，能夠提高在溶劑中的溶解性。
本發明之(a)有機溶劑可溶性聚醯亞胺，可以由通式(2)~(7)所示結構構成，亦可以是亦具有其他結構的共聚物或混合物。此時，含有通式(2)~(7)所示結構以50莫耳%以上為佳。共聚合或混合所使用結構的種類及含量，可以在不損害藉由加熱處理而得到耐熱性樹脂皮膜的耐熱性之範圍選擇。
本發明所使用之(a)有機溶劑可溶性聚醯亞胺，係將二胺的一部份更換成單胺之末端密封劑，或是將酸二酐的一部份更換成單羧酸、酸酐、氯化單酸化合物、單活性化合物之末端密封劑，可以使用眾所周知的方法合成。例如可以利用在低溫中使四羧酸二酐與二胺化合物(一部分以單胺之末端密封劑取代)反應之方法、在低溫中使四羧酸二酐(一部分以酸酐、氯化單酸化合物、單活性酯化合物之末端密封劑取代)與二胺化合物反應之方法、使四羧酸二酐與醇反應得到二酯，然後在二胺(一部分以單胺之末端密封劑取代)及縮合劑的存在下進行反應之方法、使四羧酸二酐與醇反應得到二酯，然後對殘餘的二羧酸行酸氯化，與二胺(一部分以單胺之末端密封劑取代)反應之方法等，得到聚醯亞胺之先質，接著使用眾所周知的方法將其醯亞胺化反應之方法，能夠合成有機溶劑可溶性聚醯亞胺。
又，在聚合物中導入通式(1)的結構及本發明所使用的末端密封劑可以容易地使用以下方法檢測、定量。例如，將導入有通式(1)的結構及末端密封劑之之聚合物，溶解在酸性溶或鹼性溶液中，分解成聚合物的結構單位之二胺成分及酸配成分，對此使用氣體層析(GC)、或核磁共振(NMR)測定，能夠容易地檢測、定量通式(1)的結構及所使用之末端密封劑。此外，藉由直接使用熱裂解氣體層析儀(PGC；Pyrolysis Gas Chromatograph)、紅外線光譜、及1 3 CNMR譜來測定導入有末端密封劑之聚醯亞胺，亦能夠容易地檢測、定量通式(1)的結構及所使用之末端密封劑。
相對於(b)環氧化合物100重量份，(a)有機溶劑可溶性聚醯亞胺之含量為15~90重量份，以30~65重量份為佳。
(a)有機溶劑可溶性聚醯亞胺之含量小於15重量份時，在進行切削時，容易發生半導體用黏著組成物從半導體晶圓剝落、破裂、缺損之情形。此種切削時的缺點係切削速度越快越為顯著。又，(a)有機溶劑可溶性聚醯亞胺之含量大於90重量份時，將薄片化之半導體用黏著組成物(黏著片)層積於具有凸塊電極之半導上時，半導體用黏著組成物無法充分進入凸塊電極間，氣泡殘留、覆晶封裝後半導體晶片與電路基板間的黏著力降低。又，除了前述以外，因為半導體用黏著組成物變為容易吸水，將切削後之具有半導體用黏著組成物之半導體晶片進行覆晶封裝在電路基板時，由於覆晶封裝時的加熱，半導體用黏著組成物中的水分急速蒸發，半導體用黏著組成物層產生發泡。該黏著力降低或發泡和半導體晶片與電路基板之黏著信賴性降低有關。
本發明之半導體用黏著組成物可以更含有(b)環氧化合物。(b)環氧化合物係為了與聚醯亞胺側鏈及末端的酚性羥基、磺酸基、硫醇基反應，來構成高密度的網狀結構，使所得到的半導體用黏著組成物顯現對各種藥品的耐性。在各種溶劑中，特別是在N－甲基吡咯啶酮中能夠完全不溶解。又，因為環氧化合物通常藉由開環反應而硬化時不會伴隨著收縮，所以含有(b)環氧化合物之本發明的半導體用黏著組成物，能夠減少硬化時之收縮。因此，(b)環氧化合物以具有2個以上環氧基之物為佳，環氧當量以100~500為佳。藉由使環氧當量為100以上，能提升耐熱性樹脂皮膜的韌性，500以下時，因為在熱硬化後能夠高密度的網狀結構，能夠使半導體用黏著組成物具有高絕緣性。
又，(b)環氧化合物具有液狀與固態狀2種類，相對於環氧化合物總量，液狀環氧化合物的含有比率必須是20重量%以上60重量%以下。以30重量%以上50重量%以下為佳。藉由使用此範圍之液狀環氧化合物，能夠賦與半導體用黏著組成物適當的可塑性、撓性，在使半導體用黏著組成物薄片化時，能夠得到撓性的薄片(黏著片)。而且，在切削時能夠抑制半導體用黏著組成物的破裂或缺損。液狀的環氧化合物小於20重量%時，在塑膠膜上形成半導體用黏著組成物，使其成為捲物狀時會有破裂、或從塑膠膜剝落之問題，進行切削時會有在黏著片產生破裂或缺損的問題。相對於環氧化合物總量，液狀環氧化合物的含量大於60重量%時，切削時容易黏附切削粉，隨後，在覆晶封裝後之半導體晶片與電路基板的黏著性、電導通信賴性會下降。在此，液狀環氧化合物係指在25℃、1.013×105 N/m2 ，黏度為150Pa．s以下之物。在25℃黏度大於150Pa．s之物為固態環氧化合物。此種環氧化合物時沒有特別限定，液狀環氧化合物可以舉出的有例如EPICOAT 828、EPICOAT 1002、EPICOAT 1750、EPICOAT 152、EPICOAT 630(以上為商品名、JAPAN EPOXY RESIN(股)製)、EPIKURON HP－4032(以上為商品名、大日本油墨化學工業(股)製)等。亦可以組合此等2種以上。又，固態環氧化合可以舉出的有EPICOAT 1002、EPICOAT 1001、YX4000H、EPICOAT 4004P、EPICOAT 5050、EPICOAT 154、EPICOAT 157S70、EPICOAT 180S70、YX4000H(以上商品名、JAPAwEPOXY RESIN(股)製)、DEPIC S、DEPIC G、DEPIC P(以上商品名、日產化學工業(股)製)、EPICO－AT YH－434L(商品名、東都化成(股)製)、EPPN502H、NC3000(以上商品名、日本化藥(股)製)、EPIKURON N695、EPIKURON HP－7200(以上為商品名、大日本油墨化學工業(股)製)等。亦可以組合此等2種以上使用。
本發明之半導體用黏著組成物可以更使用(c)硬化促進劑。藉由組合環氧化合物與硬化促進劑，能夠促進固態環氧化合物及液狀環氧化合物，在短時間硬化。硬化促進劑可以舉出的有各種咪唑、咪唑矽烷、咪唑啉、酸酐等。各種咪唑可以舉出的有咪唑、2－甲基咪唑、2－十一基咪唑、2－乙基－4－甲基咪唑、2－乙基－4－甲基咪唑、2－苯基咪唑、1－苄基－2－甲基咪唑、1－苄基－2－苯基咪唑、1－氰基乙基－2－甲基咪唑、1－氰基乙基－2－乙基－4－甲基咪唑、1－氰基乙基－2－苯基咪唑、1－氰基乙基－2－苯基咪唑鎓偏苯三酸酯等。咪唑矽烷可以舉出的有IS－1000、IS－1000D、IM－1000、SP－1000、IA－100A、IA－100P、IA－100F(以上為商品名、NIKKO－MATERIALS(股)製)等。酸酐可以舉出的有六氫酞酸、甲基四氫酞酸酐、ADEKAHARDNEER－3326、ADEKAHARDNEER－703、ADEKAHARDNEER－EH－705A(以上為商品名、旭電化工業(股)製)、EPIKURON B－570、EPIKURON B－650(以上為商品名、大日本油墨化學工業(股)製)等。相對於(b)環氧化合物的合計100重量份，(c)硬化促進劑的含量必須在0.1~10重量份的範圍。使(c)硬化促進劑的含量為0.1重量份以上時，能夠有效地促進環氧化合物的硬化，10重量份以下時，能夠提高硬化物的絕緣性、耐熱性。又，(c)硬化促進劑以使用不溶於水之物為佳。在此，不溶於水係在25℃、1.013×105 N/m2 以下的純水中，溶解量為5重量%以下。水溶性的硬化促進劑在切削時會溶解在切削水中，會有造成半導體用黏著組成物片的膜面變為粗糙、或是硬化性、黏著性降低的情形。
本發明之半導體用黏著組成物，能夠添加例如苯氧樹脂、聚酯、聚胺甲酸酯、聚醯胺、聚丙烯、丙烯腈－丁二烯共聚物(NBR)、苯乙烯－丁二烯共聚物、(SBR)、丙烯腈－丁二烯－甲基丙烯酸共聚、丙烯腈－丁二烯－丙烯酸共聚物等熱塑性樹脂，作為硬化後的膜之低應力化劑。又，可以添加眾所周知的環氧化合物用硬化劑、及在不損害光穿透性的程度添加填料。
本發明之半導體用黏著組成物亦可以塗布在具有凸塊電極之半導體晶圓上。將本發明之半導體用黏著組成物加工成片狀，可以將均勻地混合而成的半導體用黏著組成物使用塑膠膜等夾住，進行加壓之壓延、或輥壓延來製造。又，亦可以將在溶劑中混合半導體用黏著組成物而成的清漆狀物塗布在塑膠膜上，脫溶劑而加工成片狀。本發明將在塑膠膜與在該塑膠膜上形成的半導體用黏著組成物稱為半導體用黏著片。
在此所使用的溶劑，可以適當地選自能溶解前述成分之物，例如可以舉出的有例如酮系溶劑之丙酮、甲基乙基酮、甲基異丁基酮、環戊酮、環己酮、醚系溶劑之1,4－二烷、四氫呋喃、二(乙二醇二甲醚)、二醇醚系溶劑之2－甲氧乙醇、2－乙氧乙醇、丙二醇單甲基醚、丙二醇單乙基醚、丙二醇單丁基醚、二伸乙甘醇甲基乙基醚、此外有苄醇、丙醇、N－吡咯啶酮、γ－丁內酯、乙酸乙酯、N,N－二甲基甲醯胺等。特別是使用在大氣壓下沸點為120℃以下之物時，因為可以在低溫、短時間脫溶劑化，薄片化加工變為容易。
塗布機可以使用輥塗布機、刮刀輥塗布機、凹版塗布機、網版塗布機、狹縫模頭塗布機等，其中因為塗布時之溶劑發揮較少、塗布性安定，以使用狹縫模頭塗布機為佳。
薄片化之半導體用黏著組成物的厚度，係以將薄片化之半導體用黏著組成物貼在具有凸塊電極之半導體晶圓時，高於凸塊電極的平均高度為佳，以高於凸塊電極的平均高度且為凸塊電極的平均高度與電路基板上的焊墊電極平均高度之合計厚度的1.5倍以下為較佳，而且以高於凸塊電極的平均高度且低於凸塊電極的平均高度與電路基板上的焊墊電極平均高度之合計厚度為更佳。又，凸塊電極的高度係以未形成有凸塊電極之晶圓面為基準(0微米)來計測。又，計測電路基板上的電極焊墊的高度係以形成焊墊電極之電路基板(聚醯亞胺、玻璃環氧、玻璃、陶瓷等)的絕緣面為基準(0微米)來計全部電極焊墊的高度，採取其平均值。薄片化之半導體用黏著組成物的厚度若小於凸塊電極的平均高度時，在覆晶焊接後的半導體晶片、半導體用黏著組成物、及電路基板之間會產生空隙，黏著力降低。又，薄片化之半導體用黏著組成物的厚度若大於凸塊電極的平均高度與電路基板上的焊墊電極平均高度之合計厚度的1.5倍時，不只是不經濟，而且在半導體晶片下的半導體用黏著組成物會溢出而有封裝面積變大的問題、或溢出的半導體用黏著組成物流進半導體晶片的上部，容易產生污染覆晶焊接裝置的加熱電極臂、電極臂與半導體晶片產生黏著之問題。又，污染加熱電極臂時，電極臂的平坦性受損，會有容易產生焊接不良的題。
本發明之半導體用黏著組成物之光線穿透率以70%以上為佳。使半導體用黏著組成物之光線穿透率為70%以上時，能夠使半導體用黏著組成物的各構成成分以結構類似的方式提高全部成分間的相溶性，藉由使用將容易成為光線穿透阻礙的主要原因之粒子及微膠囊的含量減少至不會對光線穿透率有重大影響之程度等方法係有效的。又，可以藉由在不會對光線穿透率有重大影響的範圍添加粒子及微膠囊，來進行調整其他物性等。粒子可以使用金屬或氧化物等具有導電性的無機粒子、氧化物、氮化物等非導電性的粒子、有機粒子、及以無機物塗覆有機物而成的粒子等。在半導體用黏著組成物中含有粒子，為了減少對光穿透性的阻礙，使用粒徑較小之物、或粒子之折射係數與構成半導體用黏著組成物之其他材料的折射係數差異較小之物係有效的。半導體用黏著組成物的光線穿透率為70%以上時，在切削時容易認識凸塊電極或半導體晶圓上之對準標記，能夠高精密度地切斷。而且，半導體用黏著組成物的光線穿透率為70%以上時，因為覆晶封裝時之認識對準標記亦同樣地良好，能夠高精密度地進行電路基板上的電極焊墊與半導體晶片之接合。半導體用黏著組成物的光線穿透率為80%以上時，因為能夠在短時間認識對準標記，乃是更佳。又，在本發明之光線穿透率係指半導體用黏著組成物之在波長350~900奈米時對半導體用黏著組成物的最大光線穿透率。具體上，係測定在波長350~900奈米時之光線穿透率，以光線穿透率顯示最大值之波長為中心，在波長±10奈米之光線穿透率的平均值作為光線穿透率值。半導體用黏著組成物的光線穿透率亦有依存薄片化的半導體用黏著組成物的厚度之情形。另一方面，所使用薄片化的半導體用黏著組成物的厚度，係因形成於半導體之凸塊的高度而不同。在本發明之半導體用黏著組成物的光線穿透率，因為係為了在切削時或/及覆晶封裝時之對準標記的認識性，所以係使用於切削或覆晶封裝時的厚度之半導體用黏著組成物的光線穿透率。
使光線穿透來測定形成於塑膠膜之半導體用黏著組成物的光線穿透率時，係另外測定使該光線只有穿透塑膠膜，減去該塑膠膜的影響後作為光線穿透率來進行校準。光線穿透率的測定係在溫度23±2℃、相對濕度50±5%的環境下進行。如此的測定例如可以使用分光儀(日立製作所(股)製、U－3210)來進行。
在藉由前述方法所製得半導體用黏著片，塑膠膜與半導體用黏著組成物的黏著力以2N/m以上49N/m以下為佳。2N/m以上時，能夠得到處理性優良、在塑膠膜與半導體用黏著組成物之間不會產生意料外的剝落之半導體用黏著片材料。塑膠膜與半導體用黏著組成物的黏著力為49N/m以下時，剝離塑膠膜時不容易在塑膠膜上殘留半導體用黏著組成物。
又，可以按照必要在半導體用黏著組成物上面層積其他的塑膠膜，可以得到上下以塑膠膜夾住之半導體用黏著片材料。此時各面之各自的黏著力大小沒有限定，各面以2N/m以上49N/m以下為佳。又，使一面的塑膠膜為(d)塑膠膜時，另外一面的塑膠膜為(e)塑膠膜時，(e)塑膠膜的與半導體用黏著組成物間的黏著力和(d)塑膠膜的與半導體用黏著組成物間的黏著力的差異以5N/m以上為佳。在此，(e)塑膠膜的與半導體用黏著組成物間的黏著力係大於(d)塑膠膜的與半導體用黏著組成物間的黏著力。又，前述黏著力的差異以47N/m以下為佳。使黏著力的差異以5N/m以上時，在剝離塑膠膜時，半導體用黏著組成物不會產生剝落或浮起，使黏著力的差異以47N/m以下時，在剝離塑膠膜時，在塑膠膜的表面不容易殘留半導體用黏著組成物。
(d)塑膠膜的與半導體用黏著組成物間的黏著力可以如下述進行測定。首先從半導體用黏著組成物切取寬25毫米、長300毫米，使用雙面黏著膠帶將其固定在厚度2毫米之不鏽鋼板上。此時，使(d)塑膠膜黏著在雙面黏著膠帶的黏著面上。接著，將(d)塑膠膜籨半導體用黏著組成物之角度90度的方向以200毫米/分鐘的速度剝離，來測定(d)塑膠膜的與半導體用黏著組成物間的黏著力(N/m)。
(e)塑膠膜與半導體用黏著組成物間的黏著力可以如下述進行測定。首先從半導體用黏著組成物切取寬25毫米、長300毫米，將(d)塑膠膜去除後，使用雙面黏著膠帶將其固定在厚度2毫米之不鏽鋼板上。此時，使半導體用黏著組成物面黏著在雙面黏著膠帶的黏著面上。接著，將(e)塑膠膜從半導體用黏著組成物之角度90度的方向以200毫米/分鐘的速度剝離，來測定(e)塑膠膜的與半導體用黏著組成物間的黏著力(N/m)。
在此，所使用的塑膠膜，可以舉出的有聚對酞酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯、聚酯薄膜、聚氯乙烯薄膜、聚碳酸酯薄膜、聚醯亞胺薄膜等。又，可以舉出的有聚四氟乙烯薄膜等氟樹脂膜，聚苯硫薄膜、聚丙烯薄膜、聚乙烯薄膜等。塑膠膜亦可以經過離型處理，例如可以經過矽系、長鏈烷、氟系、脂肪族醯胺系等離型處理。塑膠膜的與半導體用黏著組成物的黏著力可以藉由塑膠膜的種類、厚度選擇、液狀環氧樹脂的量或添加在室溫為橡膠狀態之膠黏性成分等半導體用黏著組成物、溶劑的種類、半導體用黏著片材料的加熱熟化等來加以控制。
本發明之半導體裝置係在前述半導體用黏著組成物的兩面具有塑膠膜時，去除(d)塑膠膜後，將露出的半導體用黏著組成物面以40~100℃加熱層積或真空加熱層積進行暫時黏著於具有凸塊電極之半導體晶圓上。在該溫度範圍之半導體用黏著組成物的動態黏度以10~100000Pa．s為佳，以1000~10000Pa．s為更佳。半導體用黏著組成物的動態黏度小於10Pa．s時，在處理上有困難。大於100000Pa．s時會有凸塊電極無法理入半導體用黏著組成物中、必須以高壓力進行層積、容易產生晶圓破損等問題。又，以高壓力進行層積時，因為在層積後容易發生翹曲，乃是不佳。
接著，將前述製程所得到的(e)塑膠膜與具有半導體用黏著組成物之半導體晶圓與膠帶框架貼在切削膠帶上，此時，(e)塑膠膜與具有半導體用黏著組成物之半導體晶圓係使與凸塊電極相反的面黏著在切削膠帶上的方式進行。隨後進行切削。
切削製程係首先在切削工作台上，將藉由前述方法製得之附帶有(e)塑膠膜及半導體用黏著組成物之具有凸塊電極的半導體晶圓，使用切削膠帶安裝於貼有切削膠帶之膠帶框架上，接著將(e)塑膠膜剝離。使其認識在裝置上之凸塊電極或半導體晶圓上的對準標記，依照規定值設定切削大小、切削速度、深度、刀片旋轉數、切削水量等各種切削條件，來進行切削。在此，半導體晶圓上的對準標記以含有複數角形狀為佳，使用此種形狀的對準標記時能夠減少對準錯誤。對準後的晶圓乾燥以在25~100℃、處理10秒~4小時為佳。因切削所引起之半導體用黏著組成物的破裂、缺損及從半導晶圓剝落，以切削端部作為基準位置0微米時，最大長度以25微米以內為佳。半導體用黏著組成物的破裂、缺損、或從半導體晶片剝落，大於25微米時，水容易吸附、附著於切削時及切削後的半導體用黏著組成物。吸附的水在隨後進行之覆晶封裝時會成為黏著劑組成物層產生空隙、孔洞的原因、會引起黏著力下降及電信賴性下降。該半導體用黏著組成物的破裂、缺損及從半導體晶圓剝落，係容易發生在十字切削部分(相當於半導體晶片的角隅部分)。
接著，經由切削所得到具有半導體用黏著組成物之半導體晶片，係使用通常的覆晶焊接來封裝布電路基板上。在半導體晶片與電路基板能夠得到良好的電連接之範圍內時，封裝條件沒有特別的限定，可以適當地按照凸塊、電路基板的材質而適當地決定。又，半導體用黏著組成物的硬化若不充分時，亦可以在封裝後加熱半導體晶片封裝電路基板，來使半導體用黏著組成物的硬化進一步進行。
以下舉出實施例等來說明本發明，但是本發明未限定於此等實施例。又，實施例中的半導體用黏著組成物的評價係藉由以下的方法進行。
合成例1 有機溶劑可溶性聚醯亞胺A的合成在乾燥氮氣流下，將24.54克(0.067莫耳)2,2－雙(3－胺基－4－羥苯基)六氟丙烷(以下稱為BAHF)、4.97克(0.02莫耳)1,3－雙(3－胺基丙基)四甲基二矽氧烷(以下稱為SiDA)、2.18克(0.02莫耳)作為末端密封劑之3－胺基苯酚(以下稱為3－Aph)溶解在80克NMP中。對此，將31.02克(0.1莫耳)雙(3,4－二羧苯基)醚二酐(以下稱為ODPA)與20克NMP一起添加，在20℃反應1小時，接著在50℃攪拌4小時。隨後，添加15克二甲苯，邊使水與二甲苯共沸、邊在180℃攪拌5小時。攪拌結束後，在溶液中投入3升水，得到白色沈澱之聚合物。將該沈澱過濾回收，以水洗滌3次後，使用真空乾燥機，在80℃、乾燥20小時。測定所得到之聚合物固體之紅外線吸收光譜時，在1780cm－ 1 附近、1377cm－ 1 附近檢測出起因於聚醯亞胺之醯亞胺結構的吸收光譜。如此進行，得到含有7.4重量%具有能夠與環氧基反應之通式(1)所示結構之有機溶劑可溶性聚醯亞胺A。對所得到的4克聚合物添加6克四氫呋喃，在23℃攪拌、溶解。
合成例2 有機溶劑可溶性聚醯亞胺B的合成在乾燥氮氣流下，將18.31克(0.05莫耳)BAHF、7.46克(0.03莫耳)SiDA、4.37克(0.04莫耳)作為末端密封劑之3－Aph溶解在150克NMP中。對此，將52克(0.1莫耳)2,2－雙(4－二羧苯基)丙烷二酐(以下稱為BSAA)與30克NMP一起添加，在20℃反應1小時，接著在50℃攪拌4小時。隨後，在180℃攪拌5小時。攪拌結束後，在溶液中投入3升水，得到白色沈澱之聚合物。將該沈澱過濾回收，以水洗滌3次後，使用真空乾燥機，在80℃、乾燥20小時。測定所得到之聚合物固體之紅外線吸收光譜時，在1780cm－ 1 附近、1377cm－ 1 附近檢測出起因於聚醯亞胺之醯亞胺結構的吸收光譜。如此進行，得到含有8.3重量%具有能夠與環氧基反應之通式(1)所示結構之有機溶劑可溶性聚醯亞胺B。對所得到的4克聚合物添加6克四氫呋喃，在23℃攪拌、溶解。
合成例3有機溶劑可溶性聚醯亞胺C的合成在乾燥氮氣流下，將14.65克(0.04莫耳)BAHF、9.96克(0.04莫耳)SiDA溶解在130克NMP中。對此，將44.42克(0.1莫耳)2,2－雙(3,4－二羧苯基)六氟丙烷二酐(以下稱為6FDA)與20克NMP一起添加，在20℃反應1小時，接著在50℃攪拌2小時。對此，添加3.27克(0.04莫耳)作為末端密封劑之3－Aph，在50℃攪拌2小時後，在180℃攪拌5小時。攪拌結束後，在溶液中投入3升水，得到白色沈澱之聚合物。將該沈澱過濾回收，以水洗滌3次後，使用真空乾燥機，在80℃、乾燥20小時。測定所得到之聚合物固體之紅外線吸收光譜時，在1780cm－ 1 附近、1377cm－ 1 附近檢測出起因於聚醯亞胺之醯亞胺結構的吸收光譜。如此進行，得到含有12.4重量%具有能夠與環氧基反應之通式(1)所示結構之有機溶劑可溶性聚醯亞胺C。對所得到的4克聚合物添加6克四氫呋喃，在23℃攪拌、溶解。
合成例4有機溶劑可溶性聚醯亞胺D的合成在乾燥氮氣流下，將29.3克(0.08莫耳)BAHF、4.97克(0.02莫耳)SiDA溶解在130克NMP中。對此，將28.54克(0.092莫耳)ODPA與20克NMP一起添加，在20℃反應1小時，接著在50℃攪拌2小時。對此，添加3.28克(0.02莫耳)作為末端密封劑之4－羥基酞酸酐，在50℃攪拌2小時。隨後，添加15克二甲苯，邊使水與二甲苯共沸、邊在180℃攪拌5小時，攪拌結束後，在溶液中投入3升水，得到白色沈澱之聚合物。將該沈澱過濾回收，以水洗滌3次後，使用真空乾燥機，在80℃、乾燥20小時。測定所得到之聚合物固體之紅外線吸收光譜時，在1780cm－ 1 附近、1377cm－ 1 附近檢測出起因於聚醯亞胺之醯亞胺結構的吸收光譜。如此進行，得到含有14重量%具有能夠與環氧基反應之通式(1)所示結構之有機溶劑可溶性聚醯亞胺D。對所得到的4克聚合物添加6克四氫呋喃，在23℃攪拌、溶解。
合成例5有機溶劑可溶性聚醯亞胺E的合成在乾燥氮氣流下，將29.3克(0.08莫耳)BAHF、4.97克(0.02莫耳)SiDA溶解在130克NMP中。對此，將28.54克(0.092莫耳)ODPA與20克NMP一起添加，在20℃反應1小時，接著在50℃攪拌2小時。對此，添加5.18克(0.02莫耳)作為末端密封劑之4－硝基苯基柳酸，在50℃攪拌2小時。隨後，添加15克二甲苯，邊使水與二甲苯共沸、邊在180℃攪拌5小時，攪拌結束後，在溶液中投入3升水，得到白色沈澱之聚合物。將該沈澱過濾回收，以水洗滌3次後，使用真空乾燥機，在80℃、乾燥20小時。測定所得到之聚合物固體之紅外線吸收光譜時，在1780cm－ 1 附近、1377cm－ 1 附近檢測出起因於聚醯亞胺之醯亞胺結構的吸收光譜。如此進行，得到含有14.2重量%具有能夠與環氧基反應之通式(1)所示結構之有機溶劑可溶性聚醯亞胺E。對所得到的4克聚合物添加6克四氫呋喃，在23℃攪拌、溶解。
合成例6有機溶劑可溶性聚醯亞胺F的合成使18.3克(0.05莫耳)BAHF溶解在100毫升丙酮、17.4克(0.3莫耳)環氧丙烷中，冷卻至－15℃。對此，滴加將20.4克(0.11莫耳)4－硝基苯甲醯氯溶解在100毫升丙酮而成的溶液中。滴加結束後，在－15℃攪拌4小時，隨後恢復至室溫。過濾析出的白色固體，在50℃真空乾燥。
將30克固體投入300毫升之不鏽鋼高壓釜中，分散在250毫升2－甲氧乙醇中，添加2克5%鈀－碳。對此，以氣球導入氫氣，在室溫進行還原反應。約2小時後，確認氣球不繼續洩氣時，結束反應。反應結束後，過濾去除觸媒之鈀化合物，以旋轉式蒸發器濃縮，得到含有羥基之二胺化合物(II)。將所得到的固體直接使用於反應。
在乾燥氮氣流下，將24.54克(0.067莫耳)BAHF、6.04克(0.01莫耳)含有羥基之化合物(II)、2.49克(0.01莫耳)SiDA溶解在250克NMP中。對此，添加41.03克(0.1莫耳)2.2－雙(3,4－二羧苯基)乙烯二酐(以下，稱為TMEG－100)、4.45克(0.03莫耳)作為末端密封劑之4－胺基苯硫酚(東京化成工業(株)製)，在60℃攪拌6小時。隨後，添加15克二甲苯，邊使水與二甲苯共沸、邊在150℃攪拌5小時。攪拌結束後，在溶液中投入2升水，得到白色沈澱之聚合物。將該沈澱過濾回收，以水洗滌3次後，使用真空乾燥機，在80℃、乾燥20小時。測定所得到之聚合物固體之紅外線吸收光譜時，在1780cm－ 1 附近、1377cm－ 1 附近檢測出起因於聚醯亞胺之醯亞胺結構的吸收光譜。如此進行，得到含有2.9重量%具有能夠與環氧基反應之通式(1)所示結構之有機溶劑可溶性聚醯亞胺F。對所得到的4克聚合物添加6克四氫呋喃，在23℃攪拌、溶解。
合成例7有機溶劑可溶性聚醯亞胺G的合成使18.3克(0.05莫耳)BAHF、34.2克(0.3莫耳)烯丙基環氧丙基醚溶解在100克γ－丁內酯(GBL)中，冷卻至－15℃。對此，以溫度未高於0℃之方式滴加將22.1克(0.11莫耳)偏苯三酸酐溶解在50克GBL而成的溶液中。滴加結束後，在0℃攪拌4小時。使用旋轉式蒸發器濃該溶液，投入11克甲苯，得到含有羥基之酸酐(I)。
在乾燥氮氣流下，將30.03克(0.082莫耳)BAHF、3.73克(0.015莫耳)SiDA、4.45克(0.03莫耳)作為末端密封劑之4－胺基苯硫酚(東京化成工業(株)製)溶解在100克NMP中。對此，將71.45克(0.1莫耳)含有羥基之酸酐(I)與30克NMP一起添加，在20℃反應1小時，接著在50℃攪拌4小時。隨後在180℃攪拌5小時，攪拌結束後，在溶液中投入3升水，得到白色沈澱之聚合物。將該沈澱過濾回收，以水洗滌3次後，使用真空乾燥機，在200℃、乾燥5小時。測定所得到之聚合物固體之紅外線吸收光譜時，在1780cm－ 1 附近、1377cm－ 1 附近檢測出起因於聚醯亞胺之醯亞胺結構的吸收光譜。如此進行，得到含有3重量%具有能夠與環氧基反應之通式(1)所示結構之有機溶劑可溶性聚醯亞胺G。對所得到的4克聚合物添加6克四氫呋喃，在23℃攪拌、溶解。
合成例8有機溶劑可溶性聚醯亞胺H的合成在乾燥氮氣流下，將25.64克(0.07莫耳)BAHF、4.97克(0.02莫耳)SiDA、2.18克(0.02莫耳)作為末端密封劑之3－Aph溶解在150克NMP中。對此，將15.51克(0.05莫耳)OPDA、14.71克(0.05莫耳)聯苯四羧酸二酐(BPDA)與30克NMP一起添加，在20℃反應1小時，接著在50℃攪拌4小時。隨後，在180℃攪拌5小時，攪拌結束後，在溶液中投入3升水，得到白色沈澱之聚合物。將該沈澱過濾回收，以水洗滌3次後，使用真空乾燥機，在80℃、乾燥20小時。測定所得到之聚合物固體之紅外線吸收光譜時，在1780cm－ 1 附近、1377cm－ 1 附近檢測出起因於聚醯亞胺之醯亞胺結構的吸收光譜。如此進行，得到含有7.3重量%具有能夠與環氧基反應之通式(1)所示結構之有機溶劑可溶性聚醯亞胺H。對所得到的4克聚合物添加6克四氫呋喃，在23℃攪拌、溶解。
合成例9有機溶劑可溶性聚醯亞胺I的合成在乾燥氮氣流下，將14.65克(0.04莫耳)BAHF、12.4克(0.05莫耳)SiDA、2.18克(0.02莫耳)作為末端密封劑之3－Aph溶解在80克NMP中。對此，將31.02克(0.1莫耳)ODPA與20克NMP一起添加，在20℃反應1小時，接著在50℃攪拌4小時。隨後，添加15克二甲苯，邊使水與二甲苯共沸、邊在180℃攪拌5小時。攪拌結束後，在溶液中投入3升水，得到白色沈澱之聚合物。將該沈澱過濾回收，以水洗滌3次後，使用真空乾燥機，在80℃、乾燥20小時。測定所得到之聚合物固體之紅外線吸收光譜時，在1780cm－ 1 附近、1377cm－ 1 附近檢測出起因於聚醯亞胺之醯亞胺結構的吸收光譜。如此進行，得到含有19.1重量%具有能夠與環氧基反應之通式(1)所示結構之有機溶劑可溶性聚醯亞胺I對所得到的4克聚合物添加6克四氫呋喃，在23℃攪拌、溶解。
合成例10有機溶劑可溶性聚醯亞胺J的合成在乾燥氮氣流下，將28.2克(0.077莫耳)BAHF、0.75克(0.003莫耳)SiDA、4.37克(0.04莫耳)作為末端密封劑之3－Aph溶解在80克NMP中。對此，將31.02克(0.1莫耳)ODPA與20克NMP一起添加，在20℃反應1小時，接著在50℃攪拌4小時。隨後，添加15克二甲苯，邊使水與二甲苯共沸、邊在180℃攪拌5小時。攪拌結束後，在溶液中投入3升水，得到白色沈澱之聚合物。將該沈澱過濾回收，以水洗滌3次後，使用真空乾燥機，在80℃、乾燥20小時。測定所得到之聚合物固體之紅外線吸收光譜時，在1780cm－ 1 附近、1377cm－ 1 附近檢測出起因於聚醯亞胺之醯亞胺結構的吸收光譜。如此進行，得到含有1.1重量%具有能夠與環氧基反應之通式(1)所示結構之有機溶劑可溶性聚醯亞胺Jo對所得到的2克聚合物添加6克四氫呋喃，在23℃攪拌、溶解。
此外，在實施例、比較例所使用的各種材料如下。
固態環氧化合物EPICOAT 157S70(商品名、環氧當量：210 g/eq、JAPAN EPOXY RESIN(股)製)EPICOAT 154(商品名、環氧當量：180 g/eq、JAPAN EPOXY RESIN(股)製)EPOTOT YH－434L(商品名、環氧當量：130 g/eq、東都化成(股)製)EPICOAT 1001(商品名、環氧當量：460 g/eq、JAPAN EPOXY RESIN(股)製)
液狀環氧化合物EPICOAT 828(商品名、環氧當量：187 g/eq、JAPAN EPOXY RESIN(股)製)EPICOAT 1750(商品名、環氧當量：158 g/eq、JAPAN EPOXY RESIN(股)製)EPIKURON HP－4032(商品名、環氧當量：152 g/eq、大日本油墨化學工業(股)製)EPICOAT 152(商品名、環氧當量：175 g/eq、JAPAN EPOXY RESIN(股)製)
硬化促進劑2－苯基咪唑(商品名2PZ、四國化成工業(股)製、非水溶性)2－乙基－4－甲基咪唑(商品名2E4MZ、四國化成工業(股)製、水溶性)
球狀二氧化矽填料SO－ES(商品名、ADMATECHS(股)製)
羧基化NBR PNR－1HC(商品名、JRS(股)製)溶劑：甲基乙基酮
實施例1~6及比較例1~6
實施例1~6及比較例1~6的各成分係如表1所示調配比進行調配。又，調配填料之半導體用黏著組成物係使用球磨機進行填料分散處理。
使用狹縫模頭塗布機將按照表1組成比所製得之半導體用黏著組成物清漆，塗布在以矽系離型處理過之厚度38微米的聚對酞酸乙二酯膜上，以100℃乾燥4分鐘。在乾燥後的半導體用黏著組成物上以加熱輥溫度40℃層積塑膠膜之厚度15微米的聚丙烯膜，在直徑7.6公分的紙管捲取成為捲物狀，得到半導體用黏著組成物層的厚度為30微米之半導體用黏著片材料(聚丙烯膜、半導體用黏著組成物層、聚對酞酸乙二酯膜之3層結構)。
所得到的塑膠膜與半導體用黏著組成物層的黏著力測定係如下進行。從半導體用黏著片材料(聚丙烯膜、半導體用黏著組成物層、聚對酞酸乙二酯膜之3層結構)切取寬度25毫米、長度300毫米、厚度2毫米，使用雙面黏著膠帶以聚對酞酸乙二酯膜面固定在厚度2毫米之不鏽鋼板上，將上述的聚丙烯膜(輕剝離側塑膠膜)從半導體用黏著組成物層角度90度的方向，以200毫米/分鐘的速度剝離，來測定聚丙烯膜與半導體用黏著組成物層之間的黏著力(N/m)。接著，從去除聚丙烯膜後的半導體用黏著片材料(聚對酞酸乙二酯膜及半導體用黏著組成物層之2層結構)切取寬度25毫米、長度300毫米，使用雙面黏著膠帶固定在在厚度2毫米之不鏽鋼板上，將上述的聚對酞酸乙二酯膜(重剝離側塑膠膜)從半導體用黏著組成物層角度90度的方向，以200毫米/分鐘的速度剝離，來測定聚對酞酸乙二酯膜與半導體用黏著組成物層之間的黏著力(N/m)。結果如表2所示。聚丙烯膜及聚對酞酸乙二酯膜的剝離及黏著力測定係使用萬能試驗機(ORIENTEC(株)製、RTM－100)。該黏著力測定係以gf/cm為單位進行，隨後單位換算成N/m之值，作為本發明之黏著力。該單位換算係將所得到gf/cm單位表示的測定值乘以0.98的積，在小數點第1位四捨五入而成的值作為N/m單位。
又，半導體用黏著組成物的光線穿透率係藉由分光光度計(日立製作所(股)製、U－3210)，使用以下的方法測定。首先對上述聚對酞酸乙二酯膜(重剝離側塑膠膜)單體進行測定校準(零點修正)後，從半導體用黏著片材料面入射光線來測定去除聚丙烯膜(輕剝離側塑膠膜)後的半導體用黏著片材料(重剝離側膜及半導體用黏著組成物層之2層結構)的光穿透率。從該測定值及半導體用黏著片材料的厚度，來算出本發明之半導體用黏著片材料每30微米的光線穿透率。該測定係在波長350~900奈米進行，以顯示最大值之波長為中心，在波長±10奈米之光線穿透率的平均值作為本發明之光線穿透率值。若以物理上的意義嚴密地評估光線穿透率時，必須考慮在半導體用黏著片與大氣界面、聚對酞酸乙二酯膜與大氣界面、半導體用黏著片與聚對酞酸乙二酯膜之間的界面、以及此等界面間之多重反射的影響。從該等影響係輕微的觀點，在本發明之光線透過率的測定未考慮此等，採用了如前述方法之簡便法。
使用所得到半導體用黏著片材料，如下進行製造半導體裝置。
1.層積製程及評價
將捲取成為捲物狀的半導體用黏著片材料，埋入凸塊電極係使用貼合裝置(TECHNOVISION(股)製、型式900S)。
首先，將輕剝離側塑膠膜(例如在實施例1係聚丙烯膜)從半導體用黏著片材料去除，使半導體用黏著組成物露出。此時，觀察半導體用黏著組成物面有無剝離痕、進而觀察重剝離側塑膠膜(例如在實施例1係聚對酞酸乙二酯膜)有無從半導體用黏著組成物剝離、脫落，各自若有時為×、若無時為○。而且，以半導體用黏著組成物面朝外的方式以曲率半徑5毫米彎曲時，觀察半導體用黏著組成物有無破裂、或是有無從重剝離側塑膠膜剝落，若有時為×、若無時為○。來評價半導體用黏著組成物的撓性。
接著，在被固定在貼合裝置載物台之具有平高度20微米的凸塊電極(256凸塊/晶片、間距65微米、鍍金凸塊、液晶驅動器用)之矽晶圓(直徑150毫米、厚度625微米)的凸塊電極上，以溫度60℃、貼合速度50公分/分鐘層積已剝離輕剝離側塑膠膜後之半導體用黏著片的半導體用黏著組成物面。此時，以顯微鏡觀察(20倍率)觀察半導體用黏著組成物面及剖面，觀察有無孔洞或空隙，觀察凸塊電極周邊及半導體用黏著組成物與矽晶圓界面有無孔洞或空隙，若有孔洞、空隙為×，此外為為○。使用切割刀切斷半導體晶圓周圍之過多的半導體用黏著組成物，得到具備塑膠膜(例如在實施例1係聚對酞酸乙二酯膜)之凸塊電極埋入半導體用黏著劑中的半導體晶圓。
2.切削製程及評價
將前述1.所得到的半導體晶圓固定在膠帶框架及切削膠帶，係使用晶圓固定裝置(TECHNOVISION(股)製、FM－1146－DF)，貼合與凸塊電極相反側的晶圓基板面來進行。接著，去除殘留的塑膠膜。在切削裝置(DISCO(股)製、DFD－6240)的切削載物台上，係以半導體用黏著組成物面在上面的方式固定在膠帶框架上，切削裝置之顯微鏡所具有的CCD照相機進行對準。對準有藉由配列於半導體晶圓上之凸塊電極來對準、及藉由半導體晶圓面的對準標記來對準之二種方法來實施。此時，全部的凸塊電極或是半導體晶圓面的全部對準標記都能夠認識時為○，全部無法認識時為×。在表之切削製程顯示對準認識性。又，在實施例5及6之切削製程為了認識對準標記所需要的時間為實施例1~4及實施例7的2倍。
該對準標記的模式圖如第2圖所示。符號7係十字對準標記，其文字粗度(20微米)以符號8表示、文字長度(140微米)以符號9表示。符號10係表示圓形的對準標記、直徑(100微米)係以符號11表示。符號12係表示四方形的對準標記、四方形的短邊長(10微米)係以符號13表示、四方形的長邊長(50微米)係以符號14表示。符號15係表示正三角形的對準標記、正三角形的邊長(30微米)係以符號16表示。
接著，使用以下條件進行切削。
切削裝置：DFD－6240(DISCO(股)製)半導體晶片大小：2.5×16.5毫米刀片：NBC－ZH 127F－SE 27HCCC軸旋轉數：25000rpm切削速度：50毫米/秒切削深度：切入達到切削膠膠帶深度20微米切削：1次通過切削切削模式：向下切削切削水量：3.7升/分鐘切削水及冷卻水：溫度23℃、電傳導度0.5M Ω．cm(在超純水注入碳酸氣體)
有凸塊電極被埋入半導體用黏著組成物之半導體晶圓藉由切削而成為個片晶片化之物(半導體晶片)，藉由顯微鏡確認半導體用黏著組成物表面有無切削粉黏附、黏著組成物表面有無破裂、缺損，黏著劑有無從晶圓剝落。關於切削粉黏附，在半導體用黏著組成物表面未有切削粉黏附為○、有黏附為×。結果如表2之耐污染性所示。又，關於破裂、缺損、半導體用黏著組成物從晶圓剝落，半導體用黏著組成物從半導體用黏著組成物的切削端破裂、缺損及從晶圓剝落的長度為25微米以下時為○、大於25微米時為×。結果如表2~8之耐傷性所示。該破裂、缺損及從晶圓剝落的模式圖如第1圖所示。符號1係塗布有組成物之半導體晶圓的一部分，黏著組成物發生破裂、缺損部以符號2表示、裂痕以符號3表示。又，為了測定黏著組成物的破裂、缺損大小，破裂、缺損2或裂痕3的大小係以如符號4所示之缺損部長度來表示。又，符號5係表示切削端部，符號6係表示最大缺損部長度。
3.覆晶焊接及評價
將前述2.所製得有凸塊電極被埋入半導體用黏著組成物之半導體晶片連接電路基板，係使用覆晶焊接裝置(TRITECH(股)製、DB－100)。又，係以具有施行鍍錫而成之厚度9微米的焊墊電極之厚度50微米的聚醯亞胺膜作為電極基板。係以前述2.所製得半導體晶片的凸塊電極與具有焊墊電極之聚醯亞胺膜電路基板的焊墊電極重疊的方式進行對準。此時，全部的凸塊電極或是半導體晶圓面的全部對準標記都能夠認識時為○、全部無法認識時為×。結果在表之焊接製程顯示對準認識性。
對準後，在溫度200℃、時間20秒、壓力0.4MPa的條件，進行覆晶焊接。藉此，得到在聚醯亞胺電路基板上裝載有半導體晶片之具有半導體的電路基板。焊接結束後，透過聚醯亞胺之未封裝有半導體晶片的一側，藉由顯微鏡觀察(20倍率)觀察半導體用黏著組成物面及剖面，觀察已封裝半導體晶片有無孔洞或空隙來進行確認，若有孔洞、空隙為×，此外為為○。結果如表的連接性所示。
4.導通性評價(初期導通性及熱衝擊試驗後)
評價前述3.所製得具有半導體之電路基板之初期導通性及熱衝擊試驗後導通性。導通性評價係使用數位多功能電錶(ADVANTEST(股)製、TR6847)測定。初期導通性係對前述3.所製得具有半導體電路基板20個，來進行評價，即使只有一處導通不良(電阻值無限大、或斷線)時為不良，具有半導體之電路基板每20個之不良品的個數如表2所示。熱衝擊試驗係評價初期導通性的良品。將具有半導體之電路基板在－40℃維持5分鐘後、在125℃維持5分鐘為1循環，評價對其進行1000循環後之半導體之電路基板的導通性。進行評價初期導通性的良品20個。即使只有一處導通不良(電阻值無限大、或斷線)時為不良，具有半導體之電路基板每20個之不良品的個數如表2所示。
5.液晶顯示測試
將前述4.熱衝擊試驗後的具有半導體之電路基板，組裝在液晶面板，製造半導體裝置，進行顯示測試。能顯示者為○、此外未顯示者、發生噪音者為×。
實施例7
除了使用基於表1的組成比所製成的半導體用黏著組成物清漆、使用矽系離型處理過之厚度38微米聚對酞酸乙二酯膜代替聚丙烯膜作為塑膠膜以外，與實施例1同樣地進行，得到半導體用黏著片材料。
實施例8
除了使用基於表1的組成比所製成的半導體用黏著組成物清漆、使用未離型處理過之厚度38微米聚對酞酸乙二酯膜作為塗布用塑膠膜以外，與實施例1同樣地進行，得到半導體用黏著片材料。
實施例1~8及比較例1~6的清漆組成如表1、評價結果如表2所示。
實施例9
以表3所記載之組成比，與實施例1同樣地製造半導體用黏著組成物清漆。半導體用黏著組成物清漆係使用狹縫模頭塗布機，塗布在厚度80微米之未延伸聚丙烯膜(商品名、TRAFAN NO型ZK－99、TORAY(股)製)之未進行親水處理的面上，在75℃進行乾燥4分鐘。在乾燥後的半導體用黏著組成物上重疊塑膠膜之厚度15微米、雙軸延伸丙烯膜(商品名、TRAYFAN BO型號YK57)的未處理面，以加熱輥溫度40℃進行層積，在直徑7.6公分的紙管捲取成為捲物狀，得到半導體用黏著組成物層的厚度為30微米之半導體用黏著片材料。
除了使用所得到的半導體用黏著片材料、前述1.所使用具有平均高度20微米的凸塊電極(256凸塊/晶片、間距65微米、鍍金凸塊、液晶驅動器用)之矽晶圓，係使用直徑150毫米、厚度550微米的矽晶圓以外，與實施例1同樣地進行評價。結果如表3所示。
實施例10~121、比較例7~64
使用表3~14所記載之組成比，與實施例1同樣地製成半導體用黏著組成物清漆。將所得到之各半導體用黏著組成物清漆，與實施例9同樣地塗布在薄膜上，得到半導體用黏著片材料。與實施例9同樣地進行評價。結果如表3~14所示。
實施例9~121、比較例7~64之各例子所使用的原材料如下。
有機溶劑可溶性聚醯亞胺有機溶劑可溶性聚醯亞胺A(前述的合成物)有機溶劑可溶性聚醯亞胺B(前述的合成物)有機溶劑可溶性聚醯亞胺C(前述的合成物)PI－101(商品名、丸善石油化學(股)製)、又，在4克的PI－101中添加6克四氫呋喃，在23℃攪拌時溶解。
固態環氧化合物EPICOAT 157S70(商品名、環氧當量：210 g/eq、JAPAN EPOXY RESIN(股)製)EPIKURON HP－7200H(商品名、環氧當量：280 g/eq、大日本油墨化學工業(股)製)
液狀環氧化合物EPICOAT 828(商品名、環氧當量：187 g/eq、JAPAN EPOXY RESIN(股)製)EPICOAT YX8000(商品名、環氧當量：205 g/eq、JAPAN EPOXY RESIN(股)製)
硬化促進劑2PZ(商品名、四國化成工業(株)製、非水溶性)2E4MZ(商品名、四國化成工業(株)製、水溶性)溶劑：甲基乙基酮、四氫呋喃、正丙醇
實施例122~141、比較例65~84
除了使用基於表15~16的組成比所製成的半導體用黏著組成物清漆、前記3.之覆晶焊接時間為60秒以外，與實施例9同樣地進行、評價。
實施例122~141、比較例65~84的清漆組成及評價結果如表15~16所示。
除了將實施例39~59、102~121、122~141及比較例27~32、45~64、65~84所使用的聚醯亞胺A更換為有機溶劑可溶性聚醯亞胺D以外，同樣地進行、製造試樣、進行評價，得到與實施例39~59、102~121、122~141及比較例27~32、45~64、65~84同樣的結果。
實施例39~59、102~121、122~141、比較例27~32、45~64、65~84所使用的聚醯亞胺A更換為有機溶劑可溶性聚醯亞胺E以外，同樣地進行、製造試樣、進行評價，得到與實施例39~59、102~121、122~141、比較例27~32、45~64、65~84同樣的結果。
實施例39~59、102~121、122~141、比較例27~32、45~64、65~84所使用的聚醯亞胺A更換為有機溶劑可溶性聚醯亞胺F以外，同樣地進行、製造試樣、進行評價，得到與實施例39~59、102~121、122~141、比較例27~32、45~64、65~84同樣的結果。
實施例39~59、102~121、122~141、比較例27~32、45~64、65~84所使用的聚醯亞胺A更換為有機溶劑可溶性聚醯亞胺G以外，同樣地進行、製造試樣、進行評價，得到與實施例39~59、102~121、122~141、比較例27~32、45~64、65~84同樣的結果。
實施例39~59、102~121、122~141、比較例27~32、45~64、65~84所使用的聚醯亞胺A更換為有機溶劑可溶性聚醯亞胺H以外，同樣地進行、製造試樣、進行評價，得到與實施例39~59、102~121、122~141、比較例27~32、45~64、65~84同樣的結果。
實施例142、143
使用表17所記載的組成比，與實施例1同樣地製造半導體用黏著組成物清漆。將所得到的各半導體用黏著組成物清漆與實施例9同樣地進行、塗布在薄膜上，得到半導體用黏著片材料。與實施9同樣地進行評價，得到結果如表17所示。
產業上之利用可能性
本發明之半導體用黏著組成物可以適合利用作為將個片化的IC、LSI等半導體晶片電連接軟性基板、玻璃環氧基板、玻璃基板、陶瓷基板等電路基板時之黏著劑。
1．．．塗布有組成物之半導體的一部分
2．．．破裂、缺損部
3．．．裂痕
4．．．缺損部長度
5．．．切削端部
6．．．最大缺損部長度
7．．．十字對準標記
8．．．文字粗度(20微米)
9．．．文字長度(140微米)
10．．．圓形的對準標記
11．．．直徑(100微米)
12．．．四方形的對準標記
13．．．四方形的短邊長度(10微米)
14．．．四方形的長邊長度(50微米)
15．．．正三角形的對準標記
16．．．正三角形的邊長(30微米)
第1圖係切削後之具有半導體用黏著劑組成物的半導體晶圓之概略圖。
第2圖係晶圓上的對準標記之概略圖。

Claims (7)

  1. 一種形成於半導體晶圓的凸塊電極面之半導體用黏著組成物，其係含有：(a)有機溶劑可溶性聚醯亞胺；(b)具有2個以上環氧基之環氧化合物；以及(c)硬化促進劑；其中(a)有機溶劑可溶性聚醯亞胺係具有通式(2)~(7)中任一者所示結構、且在側鏈及末端上各自具有至少一個能夠與環氧基反應的官能基之聚合物，通式(1)所示結構為通式(2)~(7)中的R4 、且相對於聚合物總量具有2~15重量%， (式中，R1 係表示2價烴基，R2 係各自獨立表示1價烴基，n係表示1~10的整數) (式中，R3 係4~14價的有機基，R4 係2~12價的有機基，R3 、R4 至少其中之一係含有選自於由1,1,1,3,3,3-六氟丙基、異丙基、醚基、硫醚基及SO2 基所組成群組中之至少一種基；R5 、R6 係表示具有選自於由酚性羥基、磺酸基、及硫醇基所組成群組中之至少一種基的有機基，可以相同亦可以不同，X係1價的有機基，Y係2價的有機基，Z係1價的有機基，m係8~200的範圍，α及β係各自表示0~10之整數，α+β係表示1~10的整數)； 相對於100重量份之(b)具有2個以上環氧基之環氧化合物，含有15~90重量份之(a)有機溶劑可溶性聚醯亞胺、0.1~10重量份之(c)硬化促進劑，(b)具有2個以上環氧基之環氧化合物含有在25℃、1.013×105 N/m2 下為液狀的化合物、及在25℃、1.013×105 N/m2 下為固態的化合物，且相對於總環氧化合物，液狀環氧化合物含量為20重量%以上60重量%以下。
  2. 如申請專利範圍第1項之半導體用黏著組成物，其中該(C)硬化促進劑係不溶解於水之化合物。
  3. 如申請專利範圍第1項之半導體用黏著組成物，其光線穿透率為70%以上。
  4. 一種半導體用黏著片材料，係在塑膠膜之至少一面形成如申請專利範圍第1項之半導體用黏著組成物而成，其中該塑膠膜與該半導體用黏著組成物的黏著力為2N/m以上49N/m以下。
  5. 一種半導體用黏著片材料，其係依照以下順序層積(d)塑膠膜、如申請專利範圍第1項之半導體用黏著組成物、(e)塑膠膜而成，其中(e)塑膠膜與半導體用黏著組成物間的黏著力和(d)塑膠膜與半導體用黏著組成物間的黏著力的差異為5N/m以上。
  6. 一種具有半導體用黏著組成物之半導體晶圓，其係在半導體晶圓上形成有如申請專利範圍第1項之半導體用黏著組成物後之切削狀態，以半導體用黏著組成物之切削端部作為基準位置0微米時，半導體用黏著組成物的缺損部分的最大長度為25微米以下。
  7. 一種半導體元件的製造方法，其包含以下步驟：將具有如申請專利範圍第1至3項中任一項之半導體用黏著組成物之塑膠膜，以形成有半導體用黏著組成物的面作為元件側暫時黏著於裝載有複數個形成有電極的半導體元件之晶圓上，隨後藉由切削進行個片化，將已個片化之具有半導體用黏著組成物之半導體元件裝載於封裝基板，並使形成於半導體元件上的電極與封裝基板的電極直接接觸以進行電連接。
TW95119795A 2005-06-06 2006-06-05 半導體用黏著組成物、用它之半導體裝置及半導體裝置之製法 TWI393758B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005165287 2005-06-06

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200704737A TW200704737A (en) 2007-02-01
TWI393758B true TWI393758B (zh) 2013-04-21

Family

ID=37498365

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW95119795A TWI393758B (zh) 2005-06-06 2006-06-05 半導體用黏著組成物、用它之半導體裝置及半導體裝置之製法

Country Status (7)

Country Link
US (1) US8653202B2 (zh)
EP (1) EP1895580B1 (zh)
JP (2) JP3948491B2 (zh)
KR (1) KR101294647B1 (zh)
CN (1) CN101228621B (zh)
TW (1) TWI393758B (zh)
WO (1) WO2006132165A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10703945B2 (en) 2018-04-25 2020-07-07 Daxin Materials Corporation Method for temporary bonding workpiece and adhesive

Families Citing this family (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5422878B2 (ja) * 2006-10-24 2014-02-19 東レ株式会社 半導体用接着組成物、それを用いた半導体装置および半導体装置の製造方法
KR101122471B1 (ko) * 2007-01-10 2012-03-21 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 회로 부재 접속용 접착제 및 이것을 이용한 반도체 장치
WO2009008448A1 (ja) * 2007-07-11 2009-01-15 Hitachi Chemical Company, Ltd. 回路部材接続用接着剤
EP2168155B1 (en) * 2007-07-12 2017-09-06 Nxp B.V. Integrated circuits on a wafer and methods for manufacturing integrated circuits
CN101689541B (zh) * 2007-07-12 2012-01-25 Nxp股份有限公司 晶片上的集成电路和制造集成电路的方法
JP5486309B2 (ja) * 2007-09-20 2014-05-07 日本化薬株式会社 半導体装置用プライマー樹脂及び半導体装置
JP5292793B2 (ja) * 2007-12-14 2013-09-18 東レ株式会社 半導体用接着シート、それを用いた半導体装置および半導体装置の製造方法
JP4858431B2 (ja) * 2007-12-25 2012-01-18 パナソニック電工株式会社 半導体装置の製造方法
JP5002444B2 (ja) * 2007-12-25 2012-08-15 パナソニック株式会社 チップオンフィルム用液状エポキシ樹脂組成物、及び半導体装置
JP5130939B2 (ja) * 2008-02-13 2013-01-30 東レ株式会社 半導体用接着組成物およびそれを用いた半導体装置の製造方法
JP2009260218A (ja) * 2008-03-19 2009-11-05 Hitachi Chem Co Ltd 半導体ウエハのダイシング方法及び半導体チップと基板との接続方法
JP2009260225A (ja) * 2008-03-21 2009-11-05 Hitachi Chem Co Ltd 半導体装置の製造方法
JP2009260224A (ja) * 2008-03-21 2009-11-05 Hitachi Chem Co Ltd 半導体ウエハのダイシング方法及び半導体装置の製造方法
JP5436827B2 (ja) * 2008-03-21 2014-03-05 日立化成株式会社 半導体装置の製造方法
JP2009260219A (ja) * 2008-03-24 2009-11-05 Hitachi Chem Co Ltd 半導体ウェハのダイシング方法及び半導体装置の製造方法
JP5881927B2 (ja) * 2008-03-26 2016-03-09 日立化成株式会社 半導体封止用接着剤、半導体封止用フィルム状接着剤、半導体装置の製造方法、および半導体装置
JP5493311B2 (ja) * 2008-03-26 2014-05-14 日立化成株式会社 半導体ウエハのダイシング方法及びこれを用いた半導体装置の製造方法
JP5671778B2 (ja) * 2008-03-26 2015-02-18 日立化成株式会社 半導体封止用フィルム状接着剤、半導体装置及びその製造方法
JP5748937B2 (ja) * 2008-04-01 2015-07-15 日立化成株式会社 半導体封止用フィルム状接着剤及び半導体装置の製造方法
US7773220B2 (en) * 2008-04-02 2010-08-10 International Business Machines Corporation Method and system for collecting alignment data from coated chips or wafers
JP5141366B2 (ja) * 2008-05-14 2013-02-13 東レ株式会社 半導体用接着フィルムおよびこれを用いた半導体装置の製造方法
JP2010132793A (ja) * 2008-12-05 2010-06-17 Toray Ind Inc 熱硬化性樹脂組成物、それを用いたアンダーフィル剤および半導体装置
CN102369101A (zh) * 2009-03-31 2012-03-07 住友电木有限公司 树脂隔体用膜、光接受装置及其制造方法、和mems设备及其制造方法
CN102471461A (zh) * 2009-07-10 2012-05-23 东丽株式会社 粘合剂组合物、粘合片材、使用它们的电路基板及半导体器件以及它们的制造方法
JP5609357B2 (ja) * 2009-07-30 2014-10-22 東レ株式会社 組成物およびそれからなる組成物シート
JP5887693B2 (ja) * 2009-10-19 2016-03-16 東レ株式会社 感光性接着剤組成物、感光性接着剤シートおよびこれらを用いた半導体装置
US8674502B2 (en) 2010-07-16 2014-03-18 Hitachi Chemical Company, Ltd. Semiconductor-encapsulating adhesive, semiconductor-encapsulating film-form adhesive, method for producing semiconductor device, and semiconductor device
JP5780917B2 (ja) * 2011-10-25 2015-09-16 キヤノン株式会社 インクジェット記録ヘッド用配線保護封止剤、並びに、それを用いたインクジェット記録ヘッド及びその製造方法
JP6134507B2 (ja) * 2011-12-28 2017-05-24 ローム株式会社 チップ抵抗器およびその製造方法
SG11201505053XA (en) * 2012-12-27 2015-07-30 Toray Industries Adhesive agent, adhesive film, and semiconductor device and method for manufacturing same
KR102131628B1 (ko) * 2013-01-22 2020-07-08 도레이 카부시키가이샤 접착제 조성물, 접착제 시트, 및 이들을 사용한 경화물과 반도체 장치
JP6528404B2 (ja) * 2013-11-27 2019-06-12 東レ株式会社 半導体用樹脂組成物および半導体用樹脂フィルムならびにこれらを用いた半導体装置
US9617451B2 (en) 2014-01-15 2017-04-11 Toray Industries, Inc. Adhesive composition and adhesive film having same, substrate provided with adhesive composition, and semiconductor device and method for manufacturing same
US9416229B2 (en) 2014-05-28 2016-08-16 Industrial Technology Research Institute Dianhydride and polyimide
US10170444B2 (en) 2015-06-30 2019-01-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Packages for semiconductor devices, packaged semiconductor devices, and methods of packaging semiconductor devices
US9953963B2 (en) * 2015-11-06 2018-04-24 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Integrated circuit process having alignment marks for underfill
CN109694574A (zh) * 2018-12-17 2019-04-30 无锡创彩光学材料有限公司 一种高粘接性聚酰亚胺薄膜、其制备方法及柔性覆铜板
KR102680045B1 (ko) 2019-12-09 2024-06-28 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 접착 필름
JP7613063B2 (ja) * 2020-11-24 2025-01-15 ａｒｔｉｅｎｃｅ株式会社 硬化性組成物、硬化物、及び積層体
JP7676842B2 (ja) * 2021-03-16 2025-05-15 東レ株式会社 積層体を用いた成型体の製造方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200427807A (en) * 2003-04-25 2004-12-16 Shinetsu Chemical Co Dicing/die bonding adhesion tape

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11220051A (ja) 1998-01-30 1999-08-10 Toray Ind Inc 半導体装置用接着剤シート、半導体集積回路接続用基板の部品およびこれを用いた半導体装置
JP2001237268A (ja) 2000-02-22 2001-08-31 Nec Corp 半導体素子の実装方法及び製造装置
US6645632B2 (en) * 2000-03-15 2003-11-11 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Film-type adhesive for electronic components, and electronic components bonded therewith
JP4221290B2 (ja) * 2001-07-09 2009-02-12 株式会社カネカ 樹脂組成物
JP2003192894A (ja) 2001-12-28 2003-07-09 Sumitomo Bakelite Co Ltd ポリイミド樹脂組成物溶液およびフィルム状接着剤
JP2004292821A (ja) * 2002-06-26 2004-10-21 Hitachi Chem Co Ltd フィルム状接着剤、接着シート及び半導体装置
JP2004137411A (ja) * 2002-10-18 2004-05-13 Sumitomo Bakelite Co Ltd 半導体用接着フィルム、半導体装置、及び半導体装置の製造方法
JP2004146495A (ja) 2002-10-23 2004-05-20 Toppan Printing Co Ltd プリント配線板内蔵用チップコンデンサ及びそれを内蔵した素子内蔵基板
JP4219660B2 (ja) * 2002-11-18 2009-02-04 信越化学工業株式会社 ウエハダイシング・ダイボンドシート
KR100883293B1 (ko) 2002-12-16 2009-02-11 우베 고산 가부시키가이샤 전자 장치 패키징 및 경화성 수지 조성물
JP2004319823A (ja) 2003-04-17 2004-11-11 Sumitomo Bakelite Co Ltd 半導体用接着フィルム、半導体装置、及び半導体装置の製造方法。
JP4449325B2 (ja) 2003-04-17 2010-04-14 住友ベークライト株式会社 半導体用接着フィルム、半導体装置、及び半導体装置の製造方法。
US7476476B2 (en) * 2003-06-02 2009-01-13 Toray Industries, Inc. Photosensitive resin composition, electronic component using the same, and display unit using the same
JP4235808B2 (ja) * 2003-09-19 2009-03-11 信越化学工業株式会社 接着剤組成物及び接着フィルム
JP4536367B2 (ja) 2003-12-24 2010-09-01 東レ・ダウコーニング株式会社 ダイシングダイボンディング用シート及びその製造方法
JP2005332901A (ja) 2004-05-19 2005-12-02 Mitsui Chemicals Inc 半導体ウエハの保護方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200427807A (en) * 2003-04-25 2004-12-16 Shinetsu Chemical Co Dicing/die bonding adhesion tape

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10703945B2 (en) 2018-04-25 2020-07-07 Daxin Materials Corporation Method for temporary bonding workpiece and adhesive

Also Published As

Publication number Publication date
US20090123747A1 (en) 2009-05-14
JP2007211246A (ja) 2007-08-23
EP1895580A4 (en) 2009-09-30
KR20080014006A (ko) 2008-02-13
EP1895580B1 (en) 2016-09-07
CN101228621A (zh) 2008-07-23
US8653202B2 (en) 2014-02-18
EP1895580A1 (en) 2008-03-05
WO2006132165A1 (ja) 2006-12-14
CN101228621B (zh) 2010-06-23
TW200704737A (en) 2007-02-01
JP3995022B2 (ja) 2007-10-24
JPWO2006132165A1 (ja) 2009-01-08
KR101294647B1 (ko) 2013-08-09
JP3948491B2 (ja) 2007-07-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI393758B (zh) 半導體用黏著組成物、用它之半導體裝置及半導體裝置之製法
US9591768B2 (en) Adhesive agent having a polyimide and acid modified rosin
KR101635659B1 (ko) 접착 조성물, 접착 시트, 이들을 이용한 회로 기판 및 반도체 장치 및 이들의 제조 방법
JP5422878B2 (ja) 半導体用接着組成物、それを用いた半導体装置および半導体装置の製造方法
JP5141366B2 (ja) 半導体用接着フィルムおよびこれを用いた半導体装置の製造方法
JP5040247B2 (ja) 半導体用接着組成物、それを用いた半導体装置および半導体装置の製造方法
JP2009194054A (ja) 半導体用接着組成物およびそれを用いた半導体装置の製造方法
JP6112013B2 (ja) バンプ電極付き半導体装置製造用接着剤シートおよび半導体装置の製造方法
JP5292793B2 (ja) 半導体用接着シート、それを用いた半導体装置および半導体装置の製造方法
JP5040252B2 (ja) 半導体用接着組成物、それを用いた半導体装置および半導体装置の製造方法。
JP5103870B2 (ja) 半導体用接着組成物、それを用いた半導体装置および半導体装置の製造方法
EP4651186A1 (en) Method for producing multilayer body, and resin composition
TWI836502B (zh) 可雷射釋放組成物之應用
JP2009021562A (ja) 半導体用接着シート、それを用いた半導体装置および半導体装置の製造方法
JP2014067789A (ja) 未硬化接着剤層付配線基板および半導体装置の製造方法