TWI229055B - Quartz glass crucible and method for its manufacture - Google Patents
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1229055 A7 _______ B7 五、發明說明(]) 本發明關於一種對稱於轉軸的不透明石英玻璃之石英 坩堝,該坩堝具有不透明石英玻璃的外區徑向地逐漸至內 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 部進入一具有密度爲至少2.15 g/cm3之透明石英玻璃的內區 〇 再者,本發明關於一種製造石英玻璃坩堝之方法,其 係藉由一設有可繞著轉軸旋轉且具有一內壁的模具,於在 模具內壁上形成結晶層時將Si〇2結晶作用導入模具內,及於 模具的旋轉下由內側至外側加熱結晶層而形成一具有不透 明外區的玻璃化坩堝體。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 DE-A 1 44 40 104中敘述各種類型的石英玻璃坩堝。 已知的石英玻璃坩堝係由基本的坩堝體所構成,其具有一 不透明外區徑向地逐漸至內部進入一光滑、耐磨性、緻密 內區。內區的厚度爲介於1和2mm間,其密度的最小値爲 2.15 g/cm3。石英玻璃坩堝係以注漿成形法製造得。爲此目 的,石英玻璃係與水粉碎至70μιη以下的粒子大小。所產生 的泥漿被倒入石英玻璃坩堝的負石膏模具內,而在乾燥後 ,坩堝坯料在135(TC至1 45 0 °C的溫度被燒結。燒結後,所 選的不透明區域及多孔基本坩堝體係接受在1 650 °C至2200 °C的另一熱處理以使多孔不透明基本材料轉變成爲具有最 小密度爲2.15 g/cm3的透明石英玻璃。因此,在基本坩堝體 內產生上述不透明外區,徑向地逐漸至內部進入光滑、耐 磨性、緻密內區。 由DE-C 1 97 1 0 672知道一種上述類型的方法。在此專 利中,敘述在所謂的"展佈法"後,依照柴氏(Czrochralksi) -4- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1229055 A7 —— B7 五、發明說明(2) 法由矽單晶拉出石英坩堝的製法。此處,首先由天然石英 結晶作用在轉動中的熔鑄模具之內壁及在不透明基體的形 成下玻璃化以形成一結晶層。然後’爲了產生透明光滑的 內層,將合成石英玻璃粉展佈在熔鑄模具內以在基體內壁 上沈澱,然後藉由電弧而熔化,以形成緻密、透明的內層 。因此,依此方式所製造的石英玻璃坩堝係由一不透明基 體及一形成石英玻璃坩堝之內表面的透明緻密內層所構成 。內層的起始材料係不同於基體的材料。在獨立製造階段 中所產生的內層之主要目的爲防止雜質由基體遷移至內表 面。 由於其之雜質含量,上述石英玻璃坩堝係不適用於要 求高純度的應用。透明內區的製造係需要額外的、昂貴的 熱處理。不透明外區係大部分不透可見光譜的光線,但是 大部分在IR光譜範圍(在以下亦稱爲IR區)中係透明的。IR區 中的輻射損失會在坩堝壁上造成明顯的溫度梯度。藉由增 加坩堝內的熔融料之溫度以補償輻射損失,但是此可能造 成坩堝壁的軟化及變形和收縮,而因此減少坩堝的保溫時 間。當坩堝具有較大的內容積(其通常比小的坩堝使用較長 久)時,此問題係特別値得注意的。 所述依照展佈方法來製造石英玻璃坩堝的方法亦需要 獨立的製程步驟來產生內層;因此其亦昂貴的。 本專利之目的在於提供一種石英玻璃坩堝,其特徵爲 高純度及高不透明性,即在IR區之低的透射率,及提供一 種簡單、有成本效率的其製造方法。 --------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -5- 1229055 A7 B7 五 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 、發明說明(3) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 就石英玻璃坩堝而言,及上述坩堝的處理而言,本發 明藉由以下者來達成此目的··提供一種由合成Si〇2顆粒製造 的坩堝體,該顆粒之比表面積(依照BET)係在0.5m2/g至40m2/ g的範圍內且最小搗固密度爲〇.8g/cm3,該顆粒係由Si〇2初級 粒子的至少部分多孔黏聚物所構成。 本發明的石英玻璃坩堝完全係由合成製造的Si〇2所構成 。由於此高純度的起始材料,石英玻璃坩堝本身係高純度 的。不需要任何措施來防止雜質由石英玻璃坩堝遷移入其 內所熔化的物料內。 坩堝體包括一不透明石英玻璃之外區及一透明石英玻 璃之內區。外區及內區係爲整體連結的區域。即,外區與 內區之間沒有淸晰的界限區域。 本發明的石英玻璃坩堝係由合成Si〇2顆粒所製得。藉由 將對應的顆粒展佈物玻璃化,會產生不透明外區及透明內 區。在玻璃化期間,玻璃化正面係由內側前進至外側。在 此過程期間,顆粒中的開孔和孔隙通道係關閉著,而任何 氣體係在模具內壁方向被置換。由於內區之溫度的更強烈 作用(較高的溫度,較長的時間),所以模具內壁變成無孔的 ,至少爲使其具有2.丨5g/cm3的最小密度。此密度係接近於 透明的石英玻璃者。因此,內區的機械和化學性質係相當 於緻密的透明石英玻璃者,例如就機械強度及硬度、耐磨 性及抗化學性而言。 外區的特徵爲在IR範圍中係高度不透明的,在本發明 中不透明的意思爲在可見光範圍(約介於3 5 0ηπ^α 8 00nm間) -6 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 1229055 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明(4) 以及IR範圍中係低透射率的(在1%以下)。在750nm至4800nm 的IR波長範圍中,3 m m嵌板的透射率爲少於1 %。達成在IR 波長範圍中的高透明性主要是因爲外區由Si〇2顆粒所構成, 該顆粒係由初級粒子的部分多孔黏聚物形成者且具有比表 面積(依照BET)介於0.5m2/g和40m2/g間。此型SiCh顆粒的玻 璃化會產生一種不透明的石英玻璃,具有均勻分佈的孔隙 ,且同有高孔隙密度及高比密度。與此相反地,以由低比 表面積的天然或合成石英玻璃結晶所製造的透光性石英玻 璃,則主要爲粗氣泡的,且氣泡較不頻常發生。此尤其造 成在可見光譜中的不透光性。使用本發明的石英玻璃坩堝 ,則會減少坩堝壁上之溫度梯度的形成,因爲在IR範圍中 有高度不透明性,因此不需要補償,例如不需要過度加熱 熔融的物料或施予熱保護(擋熱)。因此,此型顆粒之玻璃化 所製造的石英玻璃坩堝之特徵爲良好的熱絕緣性及長的保 溫時間。 達.成此之先決條件,即外區中的微孔隙度,係使用由 Si〇2初級粒子(particles)的至少部分黏聚物形式所構成的 Si〇2顆粒。製造此型初級粒子,例如藉由矽化合物的火焰水 解或氧化,藉由依所謂的溶膠-凝膠方法之有機矽化合物的 水解,或藉由無機矽化合物在液體中的水解。雖然特徵通 常爲高純度,但是這些初級粒子由於低粉末密度而係難以 掌控的。因此,它們常常在顆粒化過程中被壓縮,其中藉 由將細的初級粒子壓在一起以形成較大直徑的黏聚物。這 些黏聚物具有許多的開孔通道,形成對應的大孔隙體積。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) ---- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1P--------- 1229055 A7 B7 五、發明說明(5) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 依照此專利的方法所用的S i ◦ 2顆粒(g r a n u 1 a t e s)之個別細粒( g r a i n s)係由該黏聚物所製得。由於其之大孔隙體積,顆粒 之特徵爲介於0.5m2/g和40m2/g間的比表面積(依照BET),其 因此不是以外表面呈現,而是主要以孔隙通道形式的內表 面呈現。一旦玻璃化,則經由燒結及崩解而封閉孔隙體積 的最大部分。然而,仍有許多來自先前開放孔隙通道的細 密閉孔隙,其中IR輻射係被散射回來,在IR範圍中產生高 的不透明性。再者,大的顆粒表面係有利於在玻璃化後形 成氣態單氧化矽(SiO),其抵制小孔隙的崩解,因爲密閉孔 隙內所鎖住的氣體不再能逃出。此外,高的比表面積係能 在應用顆粒之前特別有效地淸淨,例如藉由熱氯化。此係 有意義的,因爲大部分的雜質係在自由表面區域內,其中 它們可容易地溶解及經開放的孔隙通道被移除。 至少0.8g/cm3的搗固密度係主要保證SiCh顆粒的粉末密 度,而石英玻璃的不透明性,如上述,主要係由於其以大 比表面積形成當作內表面。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 依照BET法(Din 66132)來測量Si〇2顆粒的比表面積,依 照DIN/ISO 787第11部來測量搗固密度。 在一較佳的實施例中,由具有2m2/g至20m2/g比表面積( 依照BET法)及1.0g/cm3至1.4g/cm3搗固密度的合成Si〇2顆粒 來製造依本發明的坩堝體。 有利上,石英玻璃在內區範圍中具有20重量ppm的最大 介穩羥基含量。一般所了解的"介穩羥基含量"係爲藉由石 英玻璃之回火所能去除的羥基含量。在本發明的定義中," -8 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1229055 A7 B7 五、發明說明(6) 介穩羥基含量"係定義爲在1 (T1毫巴的真空中將石英玻璃加 熱至100°C的溫度歷40小時所可去除的羥基含量。藉此回火 所不能去除的羥基係稱爲"堅固鍵聯的羥基"。具有最大介 穩羥基含量爲20重量ppm的內區係保證在石英玻璃坩堝的適 當使用期間,沒有或僅有較小量的羥基被放出。再者,在 使用石英玻璃坩堝的期間,能減少孔隙增大或起泡之風險 ,因爲介穩羥基之低含量。此效果可能發生在當加熱石英 玻璃而氣體放出時係不能再逃脫了。 在使用該石英玻璃坩堝時,化學堅固鍵聯的羥基係不 會造成孔隙的增大,但是在較佳的實施例中,堅固鍵聯的 羥基含量之最大値係40重量ppm。具有較低羥基含量的石英 玻璃之黏度係高於具有較高羥基含量的石英玻璃。高黏度 會改善石英玻璃坩堝在高溫的尺寸安定性。因爲縱使可在 高溫的真空中部分地去除堅固鍵聯的羥基,但是當於真空 中使用石英玻璃坩堝時,低含量的該羥基會減少孔隙增大 的風險。 較宜地,不透明外區和透明內區係由相同的合成SiCh顆 粒所製得。該坩堝的製造係特別容易的。 另外,在依本發明之石英玻璃坩堝的一同樣較佳實施 例中,不透明外區係由較低密度的第一 Si〇2顆粒所製得,而 內區係由較高密度的第二SiCh顆粒之所製得。第二顆粒的預 先緻密化係簡化內區中所需密度之調整。 依本發明的石英玻璃坩堝之一實施例較佳係爲其中內 區係由一種Si〇2顆粒所製得,該顆粒由至少部分的合成白矽 ------^—1?--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -9- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1229055 A7 ___ B7 五、發明說明(7) 石所構成。已經顯示在轉變成白矽石,則會減少羥基含量 。因此,由含合成白矽石的Si〇2顆粒所製造的內區之特徵爲 低的羥基含量。 有利上,內區係由內表面延伸,最多2微米進入外區的 方向。 已經證明使內區具有透明石英玻璃的內層係有利的。 內層主要係用強化此型坩堝的典型內區。 就方法而言,本發明係以上述方法使用Si〇2顆粒於 SiOhg晶作用,其係由合成產生的Si〇2初級粒子的至少部分 多孔黏聚物所製得,該顆粒之比表面積(依照BET)係在0.5 m2/g至4 0m2/g的範圍內且最小搗固密度爲〇.8m2/g,及發生加 熱以使得在透明石英玻璃的內區之形成下,玻璃化前面係 由內側行進至外側。 一旦加熱,則結晶層被玻璃化。此處,不透明外區及 透明內區係在一個製程階段中產生。在玻璃化期間,玻璃 化前面係由內側前進至外側,同時顆粒中的開孔和孔隙通 道係被封閉,且氣體係在模具內壁之方向被置換。因爲在 內區有較大的溫度作用(較高的溫度及較長的加熱時間),所 以此區變成無孔的,至少爲使其具有2.15g/cm3的最小密度 〇 玻璃化前面係熔融材料與剛開始熔化的材料之間的不 確定界限區域。在後者材料中,有開孔及通道,同時熔融 材料具有密閉的孔隙不再連接至外表面。因爲玻璃化前面 係由內側前進至外側,所以昇華性雜質係被置換入氣相內 ------l —1T--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -10-
AT 1229055 B7 五、發明說明(8) ,因此在玻璃化前面之前方被驅趕至外側,方向爲它們可 逃脫的結晶層之仍多孔的區域之方向。 . 因爲透明內區係在結晶層的玻璃化上產生者,所以不 需要額外的玻璃化階段。因此,本發明的方法係簡單的且 成本有效率的。避免局部加熱所典型發生的機械應力。 藉由本發明的方法,可在IR範圍中產生高度不透明性 且低透射率的外區。在600nm至2650nm的IR波長範圍中,3 mm厚嵌板的直接光譜透射率係爲1%以下。達成此主要係藉 由從Si〇2初級粒子的至少部分多孔黏聚物所形成且具有0.5 m2/g至40m2/g的比表面積(依照BET)之Si〇2顆粒來製造外區。 一旦該Si〇2顆粒玻璃化,則產生具有均勻分佈孔隙的不透明 石英玻璃,而且具有高孔隙密度及高比重。對照下,在低 起泡頻率的粗氣泡主要係發生在使用具有比表面積(例如低 於檢測極限)的天然和合成石英玻璃結晶,造成在可見光譜 中的不透光性。由於在IR範圍中的高度不透明性,此型顆 粒所製造的石英玻璃坩堝之特徵爲具有良好熱絕緣的外區 〇 使用由Si〇2初級粒子的至少部分多孔黏聚物所可獲得的 Si〇2顆粒,以達成外區中的必要微孔隙率。製造此型初級粒 子,例如藉由政化合物的火焰水解或氧化,藉由依所謂的 溶膠-凝膠方法之有機矽化合物的水解,或藉由無機矽化合 物在液體中的水解。雖然特徵通常爲高純度,但是這些初 級粒子由於低粉末密度而係難以掌控的。因此,它們常常 在顆粒化過程中被壓縮,其中藉由將細的初級粒子壓在一 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) ------r--IT--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -11 - A7 1229055 B7 _ 五、發明說明(9) 起以形成較大直徑的黏聚物。這些黏聚物具有許多的開孔 通道,形成對應的大孔隙體積。Si〇2顆粒之個別細粒係由該 黏聚物所製得。由於其之大孔隙體積,顆粒之特徵爲介於 0.5m2/g和40m2/g間的比表面積(依照BET),其因此不是以外 表面呈現,而是主要以孔隙通道形式的內表面呈現。一旦 玻璃化,則經由燒結及崩解而封閉孔隙體積的最大部分。 然而,仍有許多來自先前開放孔隙通道的細密閉孔隙,其 中IR輻射係被散射回來,在IR範圍中產生高的不透明性及 低透射率。再者,大的顆粒表面係有利於在玻璃化後形成 氣態單氧化矽(Si0),其抵制小孔隙的崩解,因爲密閉孔隙 內所鎖住的氣體不再能逃出。此外,高的比表面積係能在 應用顆粒之前特別有效地洗淨,例如藉由熱氯化。此係有 意義的,因爲大部分的雜質係在自由表面區域內,其中它 們可容易地溶解及經開放的孔隙通道被移除。 至少0.8g/cm3的搗固密度係主要保證Si〇2顆粒的粉末密 度,而石英玻璃的不透明性,如上述,主要係由於其以大 比表面積形成當作內表面。 依照BET法(Din 66 1 32)來測量Si〇2顆粒的比表面積,依 照DIN/ISO 787第11部來測量搗固密度。 在一較佳的實施例中,使用具有2m2/g至20m2/g比表面 積(依照BET法)及1.0g/cm3至1.4g/cm3搗固密度的合成Si〇2顆 粒。該搗固密度已經證明係特別有利於顆粒的傾瀉性及容 易掌控性。 在一較佳實施例中,使用5μιη以下平均粒子直徑的Si〇2 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 衣------r--IT--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -12- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1229055 A7 厂 ^ B7 五、發明說明(id 初級粒子的至少部分多孔黏聚物形式之Si〇2顆粒。在所謂的 "溶膠-凝膠法"中,這些初級粒子係藉由有機矽化合物的水 解而產生者。在一替代性、同樣較佳的實施例中,使用0.2 Mm以下平均粒子直徑的Si〇2初級粒子的至少部分多孔黏聚 物形式之Si〇2顆粒。這些熱解初級粒子係藉由無機矽化合物 的水解而產生者。就在玻璃化時的低去玻璃化傾向而言, 初級粒子較佳係非晶形的。 就兩種方法變化例而言,初級粒子之特徵爲大的自由 表面。由於物理或化學鍵聯力使得許多該些初級粒子發生 黏聚,因此形成本發明之定義中的顆粒。藉由已知的粒化 方法,尤其積聚粒化(濕粒化法)或加壓粒化(擠壓),由含初 級粒子的物質發生粒化。依溶膠-凝膠法所產生的初級粒子 係緊密塡充於顆粒內,因爲它們大部分且較佳爲球形。由 於鄰近的初級粒子之接觸面積,而減少自由表面;但是如 上說明的,密閉孔隙可能在個別初級粒子之間的玻璃化時 。因爲初級粒子的平均粒子大小係在5μιη以下,所以孔隙係 相當細地分佈著。依照ASTM C 1 070以所謂的〇5〇數値來測 量平均粒子大小。 已經證明具有不均勻密度分佈的Si〇2粒子之顆粒係特別 適用於依本發明的方法,低密度的內部區域係被高密度的 外部區域所至少部分圍繞著。此處及以下中,顆粒的個別 細粒係指Si〇2粒子,全體粒子係指顆粒。由於密度的不均勻 密度分佈,所以氣體可被包封於內部區域內,其在玻璃化 時不會逃脫或僅部分逃脫,因此有助於孔隙的形成及石英 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 x 297公釐) -13- ------r--訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1229055 A7 B7 五、發明說明(12) 璃的黏度。 由5至20重量ppm的鋁摻雜的Si〇2細粒所構成的顆粒’ 亦達成高黏度。此處’較佳藉由精細分佈的奈米尺度A2 〇3 粒子來產生鋁摻雜物。此保證均勻的摻雜物分佈。由於使 用上述由奈米尺度粒子所構成的顆粒,摻雜物亦均勻地分 佈在顆粒的個別細粒內。當使用傳統的Si〇2結晶作用時’此 係不可能的,因爲所添加的摻雜劑可能僅沉降在細粒表面 上,所以在玻璃化後,它們係積聚在細粒前者界限區域中 。由於它們的高比表面積,熱解產生的A2〇3粒子係特別適 合的。 就由150μιη至800μιη的中等大小細粒所製成的Si〇2顆粒 而言,已經證明若避免小細粒(fine grains)的大小在90μιη以 下則係有利的。爲此目的,由顆粒中去除尺寸小於90μηι的 細粒,或在顆粒的製造期間已經抑制它們的形成。在較粗 的顆粒細粒中,於成形體的玻璃化期間或顆粒的預緻密化 之熱處理期間,發生溫度梯度,造成在細粒內的密度梯度 及在外部區域內的較高緻密化,因此如上述,促進在玻璃 化時孔隙的形成。然而,小尺寸的小細粒能避免該密度梯 度的形成,故小細粒的存在不會有助於孔隙的形成。再者 ,小細粒的存在會在孔隙通道崩解時影響石英玻璃的收縮 ,及使得特定尺寸的觀察變得複雜。 有利上,藉由電弧將區內的結晶層加熱,以形成外區 和內區,內區範圍所達到的溫度係超過1 900 °C。因此,可 在低成本於單一製程階段中產生內區和外區。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
·11111111 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -15- 1229055 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明(13) 此處,已證明在加熱之前將結晶層預熱至超過1 000°C 的溫度係有利的。在低於顆粒熔化溫度以下的溫度之該預 熱會造成在結晶層厚度上的更均勻之溫度分佈。此處,將 內區中的Si〇2顆粒部分玻璃化可能係有利的。此簡化在以下 階段中所需厚度的調整。 較宜地,不透明外區係由低密度的第一 SiCh顆粒所製得 ,而透明內區係由較高密度的第二Si〇2顆粒所製得。第二顆 粒的預先緻密化係簡化內區中所需厚度之調整。 有利地,內區範圍中所用的Si〇2顆粒係藉由回火而至少 部分轉變成爲合成白矽石。已證明在轉變成白矽石後,會 減少羥基含量。因此,由含合成白矽石的Si〇2顆粒所製造的 內區之特徵爲低的羥基含量。 關於此方面,亦已經證明在使用之前使用於產生內區 的第二SiOi顆粒接受脫水處理係有利的,設定最大羥基含量 爲40重量ppm,及隨後玻璃化該經脫水的顆粒。 有利地,第二3丨〇2顆粒具有最大介穩羥基含量爲20重量 ppm。關於"介穩羥基含量"和"堅固鍵聯的羥基"之定義,請 參考以上定義。具有最大介穩羥基含量爲20重量ppm的內區 係保證在石英玻璃坩堝的適當使用期間,沒有或僅有很少 量的羥基被放出。再者,在使用石英玻璃坩堝的期間,能 減少孔隙增大或起泡之風險,因爲介穩羥基之低含量。此 效果可能發生在當加熱石英玻璃而氣體放出時係不能再逃 脫了。 在使用該石英玻璃坩堝時,化學堅固鍵聯的羥基係不 衣------^—訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -16- 1229055 A7 B7 五、發明說明(14) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 會造成孔隙的增大,但是在較佳的顆粒中的堅固鍵聯的羥 基含量之最大値係40重量ppm。具有較低經基含量的石英玻 璃之黏度係高於具有較高羥基含量的石英玻璃。高黏度會 改善石英玻璃坩堝在高溫的尺寸安定性。因爲縱使可在高 溫的真空中部分地去除堅固鍵聯的羥基,但是當於真空中 使用石英玻璃坩渦時,低含量的該羥基會減少孔隙增大的 風險。 在一特別有利的方法,藉由將Si〇2結晶展佈於旋轉中的 模具內,使用它沈積在內區上,及藉由電弧方式使它玻璃 化,而在透明內區上產生透明石英玻璃內層。透明石英玻 璃內層主要係用於強化內區。 爲了更進一步改良,在加熱模具內壁範圍中結晶層時 產生負壓。藉由該負壓,多餘的氣體係快速地被帶離,而 減少熔化時間。 以下藉由實例和圖式來詳細說明本發明。 圖式簡單說明: 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第1圖係依本發明的石英玻璃坩堝之一實施例,以經過 坩堝壁的剖面顯示。 第2圖係本發明方法中所適用的Si〇2顆粒之第一實施例 ,以經過顆粒的個別細粒顯示。 第3圖係本發明方法中所適用的S i 0 2顆粒之另一實施例 ’以經過顆粒的個別細粒顯示。 -17- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 1229055 A7 B7 五、發明說明(诒 元件對照表 1 基體 2 內層 3 外區 4 透明區 21 細粒 22 中心、區域 23 外層 31 噴霧細粒 32 空心 33 外層 34 窄通道 . ----—- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第1圖顯示依本發明的石英玻璃坩堝壁之剖面的槪略圖 〇 石英玻璃坩堝完全係由合成製造的Si〇2所構成。其具有 經由參考號數1所指出的基體,及合成石英玻璃結晶的內層 2。基體1係由不同處僅在於不透明性和透光率的兩區域所 構成,即不透明外區3和透明區4。基體的總厚度係約5mm。 這些中,約4mm係屬於不透明外區3,而約1mm係屬於透明 區4。外區3和透明區4係整體連接在一起,俾沒有淸晰的界 限區域。 如以下實例中所說明的,石英玻璃坩堝係由合成SiCh之 顆粒所製得。 訂---------· 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -18- A7 1229055 B7___ 五、發明說明(16) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 透明區4係無孔的,至少在爲使其具有2 · 1 5 g / c m3的最小 密度。此密度係接近於透明的石英玻璃者。因此,透明區 的機械和化學性質係相當於緻密的透明石英玻璃者,例如 就機械強度及硬度、耐磨性及抗化學性而言。 另一方面,外區3的特徵爲在IR範圍中係高度不透明且 低透射率的。在750nm至4800nm的IR波長範圍中,3mm嵌板 的透射率爲少於1 %。達成低透射率係藉由具有均勻孔隙分 佈的微孔隙度,以及高孔隙密度和高比重。不透明外區中 的孔隙大小係大部分介於5μιη和40μιη之間。因此,石英玻 璃坩堝之特徵爲良好的熱絕緣性及長的保溫時間。 以下藉由三個實例來詳細說明依本發明的石英玻璃坦 堝之製造方法。 實例1 : 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 將具有70m2/g比BET表面積且加有12重量ppm的奈米尺 度ΙΟ;之熱解SiCh粒化、乾燥及篩分。在Ch/HCl氣體混合物 中,於1 200°C的桶式爐中,以6公斤/小時的通過料量,洗淨 介於160μηι和840μπι間的細粒大小部份。之後,元素Li、Na 、K、Mg、Ca、Fe、Cu、Cl:、Μη、Ti 及 Zr 的含量就各元素 而言係低於檢測極限。這些雜質的總含量係低於1 50重量 ppm。隨後,解吸氯基後,執行在1200°C的熱處理。 依此方式所處理的顆粒係具有l.lg/cm3的搗固密度及15 m2/g的BET表面積。 將顆粒置於轉動中的熔化模具中及積聚以在其內壁形 -19- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 1229055 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明(17) 成坦堝型坯。藉由電弧,將型坯加熱到約i 5 〇 〇 〇C的溫度, 高達約8 m m的層厚度。此處,藉由燒結使得顆粒的個別細 粒本身更加緻密,但是在熔融一起時不會損失粉末。藉由 溫度的梯度的形成,可完成鬆連結的氣體之解吸,尤其羥 基的解吸。 隨後’藉由電弧在區內使所製備的坩堝型坯玻璃化, 玻璃化前面係由內側前進至外側,產生具有約1 mm徑向擴 張的透明區4 ’及一玻璃化但不透明的外區3。由於溫度在 透明區4的較強作用(較高的溫度及較長的加熱時間),此區 係變成無孔的,至少爲使其具有2.15g/cm3的最小密度。 另一方面,外區3的特徵爲在IR範圍中係高度不透明且 低透射率的。此主要係因爲所用的$丨〇2顆粒係由Si〇2初級粒 子的部分多孔黏聚物所形成且具有比較高的依BET的比表面 積(1 5m2/g)。 以上所製造的石英玻璃坩堝之特徵尤其爲在IR範圍中 的高純度及高度不透明性(低透射率)。不透明外區的孔隙大 小主要係介於5和40μιη間。 實例2 : 如實例1中所述製得一種石英玻璃坩堝。隨後,施予透 明內層2以強化透明區4。爲此目的,使用由矽酸鈉之擠製 所製造的SiCh顆粒,具有700m2/g的比BET表面積及0.45g/cm3 的搗固密度。細粒大小係介於250μιη和500μιη間。藉由在 1 2 00 °C熱氯化以洗淨所擠製的材料,及熱緻密化。在此過 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -20- ------_--tr---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1229055 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明(18) 程期間,將鹼殘基含量減少檢測極限範圍內。 隨後’顆粒(所擠製的材料)依BEI^Braunauer-Emmett-Teller)的比表面積總共爲38m2/g,搗固密度爲1. ng/cm3。 之後,在第二熱處理中將所擠製的材料由其非晶形結 構轉變成爲晶形結構(白矽石)。 藉由此合成的白矽石,經由展佈法及電弧熔化而熔化 在內層2上,及將透明區4之層強化到總共3mm的層厚度。 內層2係均勻地積聚著且具有2 0重量ppm的羥基含量。 在適當的使用後,既沒有看到再結晶也沒有孔隙增大。 實例3 : 如實例1中所述製得一種石英玻璃坩堝。隨後,施予透 明內層2以強化透明區4。 在1 420°C的氫氣下及1小時的保溫時間,使坩堝之製造 時所用的31〇2顆粒被玻璃化。在使用玻璃化的顆粒之前立即 ,藉由在1000 °C 1(Τ2毫巴的真空中回火,以去除介穩羥基。 在此預處理後,藉由展佈方法及電弧熔化,而將Si〇2顆 粒展佈於石英玻璃坩堝內及熔化,以產生內層2。 在所謂的"真空烘烤試驗"( 1 600°C,4小時,真空)中, 既無看到孔隙增大也沒有結晶傾向。 藉由以下的第2圖來詳細說明上述方法所用的Si〇2顆粒 。在第2圖中,以槪略圖顯示所用的顆粒之個別較佳細粒2 1 。球形顆粒細粒21由奈米尺度Si〇2粒子所構成,較低密度的 中心區域22係被高密度的外層23所圍繞。中心區域的密度 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
1T----------4 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -21 - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1229055 A7 B7 五、發明說明(19) 總計約爲透明石英玻璃密度的約4〇% ’及約60%的此在外層 中。中心區域2 2與外層2 3之間的界限係未淸晰界定的。細 粒直徑爲420μιη,外層23厚度約100μηι° 藉由使用混合機的一般濕粒化方法來製造顆粒。由非 晶形、奈米尺度、熱解的Si〇2粒子(由SiCl4的火焰水解製得) 來製造水性懸浮液,該粒子具有60m2/g的比表面積(依照 BET);在恒定攪拌下,由此水性懸浮液取出水分直到其在 粒狀物料的形成下散解爲止。在乾燥後,所獲得的顆粒之 比表面積(依照BET)係50m2/g,球形顆粒細粒之直徑係在160 0111至84(^111的範圍內。之後,在約1200°C溫度的通道中,於 氯氣氛下,將Si〇2顆粒緻密化。同時,藉由氯來淸洗顆粒’ 當Si〇2粒子的表面對於通經孔隙通道的淸洗用氣體爲開放時 ,其係特別有效的,而可容易地去除氣態雜質。同時’去 除羥基。處理係發生在石英玻璃旋轉窯中,通過料量爲 1 0公斤/小時。此處,在個別顆粒細粒中形成溫度梯度,造 成中心區域22和外部區域23的不同密度。 預處理所提供的SiCh顆粒之特徵爲25m2/g的比表面積及 1.18£/(:1113的搗固密度。平均粒子大小約42(^111,但是在使用 於製造不透明石英玻璃之前,直徑在90μιη以下的細粒部分 一然而其在此處由於製法而不存在一係被去除。L i、N a、Κ 、Mg、Ca、Fe、Cu、Cr、Μη、Ti及Zr雜質的總含量係在200 重量p p m以下。 如上所製造的非晶形奈米尺度Si〇2粒子之顆粒可用於製 造依本發明的石英玻璃坩堝,如第1圖中所示。由於個別顆 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公-22- 衣------Μ--訂---------. (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1229055 A7 B7 五、發明說明(26) 粒細粒係由許多非常小粒子尺寸的初級粒子之組合所形成 ,對應的細小且均勻的孔隙分佈係在玻璃化上達成,如以 上所詳細說明者。 第3圖係個別噴霧細粒3 1的槪略圖。該噴霧細粒3 1係一 種Si〇2初級粒子的黏聚物。其具有被外層33所圍繞的空心32 。在外層33上,形成一進入漏斗,其在窄通道34中排放進 入空心32內。噴霧細粒31的外直徑係約300μιη,而外層厚度 係約1 Ο Ο μ m。 在以下中,詳細說明這些噴霧顆粒的製造: 將具有70m2/g比表面積(依照BET)的高純度、熱解的、 奈米尺度Si〇2初級粒子分散於去離水中。添加12重量ppm熱 解Al2〇3形式的鋁,及將懸浮液設定爲1 380克/升的一升重量 。泥漿黏度係45OmPas。藉由市場上可取得的噴霧乾燥器( Messrs. Dors t,D400型),在380 °C的熱空氣溫度及10.5巴的 泥漿壓力,噴濯懸浮液。此導致噴霧顆粒具有330μιη的平均 細粒直徑及0.3 %的殘餘水分。比表面積(依照Β Ε Τ)係5 4 m2 / g ,體密度係0.6g/cm3。隨後,在1200°C的通道中,以6.1公斤 /小時的通過料量,在HCl/Ch氣體混合及熱壓縮中,洗淨顆 粒。 在此處理後,比BET表面積係20m2/g,體密度爲〇.8g/ cm3,而搗固密度爲〇.92g/cm3。在此種製造方法中,於噴霧 粒化期間,具有直徑在90μιη以下的小細粒部分係已被旋風 器分離。Li、Na、K、Mg、Ca、Fe、Cu、Cr、Mn、Ti 及 Zr 雜質的總含量係在200重量ppm以下。 ---------------------^--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -23- 1229055 Α7 Β7 五、發明說明(21) 所謂的非晶形奈米尺度Si〇2粒子之噴霧顆粒同樣地可用 於製造依本發明的石英玻璃坩堝,如第1圖中所示。由於個 別顆粒細粒係由許多非常小粒子尺寸的初級粒子之組合所 形成,對應的細小且均勻的孔隙分佈係在玻璃化上達成, 如以上所詳細說明者。此係被更進一步簡化,因爲空心3 2 形成額外、幾乎完全密閉的空間,其在玻璃化期間保持 至少部分完整的,因爲在玻璃化期間,被密閉的氣體僅能 部分地逃脫,因此有助於孔隙形成及不透明性。 ------.--^--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -24- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐)
Claims (1)
- 1229055 六、申請專利範圍 請案 , 年月日/ 93年11月19 ^ --------- - · 1 第89127760號專利申 中文申請專利範圍修 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 1. 一種製造石英玻璃坩堝之方法,係提供一種可繞著轉 軸旋轉且設有內壁的模具,以及在模具內壁上形成結晶層 時將SiCh結晶作用導入模具內,及在模具的轉動下由內側至 外側加熱結晶層,且以不透明外區形成玻璃化的坩堝體, 其特徵在於:使用由合成產生的Si〇2初級粒子之至少部分多 孔黏聚物所製造的Si〇2顆粒(21;31)於Si〇2結晶作用,該顆粒 具有介於〇.5m2/g至40m2/g的比表面積(依照BET)及0.8 g/ . cm3的最小搗固密度,該結晶作用之加熱方式爲使得在透明 石英玻璃之內區的形成下,玻璃化前面係由內側前進至外 側,及該方法包括下面2步驟:(1 )在應用具有高比表 面積之氧化矽之前,先熱氯化氧化矽,以溶解及移除存在 於自由表面區域的不純物,以有效地淸潔氧化矽;(2 ) 在氯氣氛中,加熱具有高比表面積之氧化矽,以移除羥基 及不純物,及改善不透明石英玻璃的純度。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 2. 如申請專利範圍第1項之方法,其特徵在於使用比表 面積(依照BET)介於2m2/g至20m2/g且搗固密度爲L0g/cm3至 1.4g/cm3的Si〇2顆粒。 3. 如申請專利範圍第1或2項之方法,其特徵在於使用具 有平均粒子大小爲〇.5μιη至5μιη的Si〇2初級粒子之至少部分 多孔黏聚物形式的SiCh顆粒(21;31)。 4. 如申請專利範圍第1或2項之方法,其特徵在於使用具 本紙張尺度逋用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公^ 1229055 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 有平均粒子大小爲2μιη以下的SiO2初級粒子之至少部分多孔 黏聚物形式的SiCh顆粒(21;31)。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 5·如申請專利範圍第1或2項之方法,其特徵在於使用具 有不均勻密度分佈的Si〇2粒子之顆粒(21 ;31),其中較低密度 .的內區(22;32)係至少部分被較高密度的外區(23; 33)所包封 〇 6·如申請專利範圍第1或2項之方法,其特徵在於藉由熱 處理,包括在800°C和1450°C之間的溫度作燒結,以調整 Si〇2顆粒(21;31)的搗固密度。 7·如申請專利範圍第6項之方法,其中特徵在於熱處理 包括在氯氣氛中的加熱。 8·如申請專利範圍第6或7項之方法,其特徵在於熱處理 係發生在1000和1 300°C間的溫度,於氮化氣氛中,在碳的存 在下。 9·如申請專利範圍第1或2項之方法,其特徵在於所用的 Si〇2顆粒係經5重量ppm至20重量ppm的鋁所摻雜。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 10·如申請專利範圍第.1或2項之方法,其特徵在於使用 平均粒子大小介於150μιη和800μιη間的粒子之SiCh顆粒,及 避免粒子大小在90μιη以下的粒子細度。 11·如申請專利範圍第1或2項之方法,其特徵在於用電 弧將區內的結晶層加熱,以形成外區(3)和內區(4),.內區(4) 範圍所達到的溫度係超過1 900 °C,此,可在低成本於單一 製程階段中產生內區和外區。 1 2.如申請專利範圍第11項之方法,其特徵在於加熱前 本紙張尺度適用中國南家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -2- A8 B8 C8 D8 1229055 六、申請專利範圍 ,將結晶層預熱至超過1000°C的溫度。 i 3 .如申請專利範圍第1 2項之方法,其特徵在於在加熱 內區(4)範圍的期間,Si〇2顆粒(21;31)被玻璃化。 i 4如申請專利範圍第1或2項之方法,其特徵在於不透 明外區(3)係由較低密度的第一 S i 0 2顆粒所製得,而透明內 區(4)係由較高密度的第二Si〇2顆粒所製得。 i 5.如申請專利範圍第14項之方法,其特徵在於在應用 之前,第二SiCh顆粒(21;31)係經脫水處理,因此被調整至40 重量ppm的最大羥基含量,且該脫水後的顆粒(21;31)被玻璃 16. 如申請專利範圍第15項之方法,其特徵在於第二 Si〇2顆粒具有20重量ppm的介穩最大羥基含量。 17. 如申請專利範圍第1或2項之方法,其特徵在於在內 區(4)範圍中,使用藉由回火而至少部分轉變成合成白矽石 的顆粒。 18·如申請專利範圍第1或2項之方法,其特徵在於藉由 將Si 〇2結晶作用導入旋轉的模具內,將其沈積在內區(4)上 及用電弧使其玻璃化,而在透明內區(4)上產生透明石英玻 璃內層(2)。 1 9 ·如申請專利範圍第1或2項之方法,其特徵在於在 加熱結晶層的期間,於模具的內壁範圍中產生負壓。 20· —種由如申請專利範圍第1項之方法所製得之石英玻 璃坩堝,其具有對稱於轉軸的不透明石英玻璃之坩堝體, 該坩堝具有不透明石英玻璃外區(3),徑向地往內側發展至 本紙張尺度適用中國國家揉準(CNS ) M規格(210X297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -3 - Α8 Β8 C8 D8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1229055 六、申請專利範圍 一具有至少2.1 5g/cm3密度的透明石英玻璃內區(2),其特徵 在於坩堝體(1)係由具有比表面積(依照BET)介於0.5m2/g至40 m2/g且具有最小搗固密度爲〇.8g/cm3的合成Si〇2顆粒所製得 ,該顆粒係由Si〇2初級粒子的至少部分多孔黏聚物所形成。 21. 如申請專利範圍第20項之石英玻璃坩堝,其特徵在 於坩堝體(1)係由具有比表面積(依照BET)介於2m2/g至20m2/g 且具有最小搗固密度爲1.0g/cm3至1.4g/cm3的合成Si〇2顆粒所 製得。 22. 如申請專利範圍第20或21項之石英玻璃坩堝,其特 徵在於在內區(4)範圍中,石英玻璃具有20重量ppm的最大介 穩羥基含量。 23. 如申請專利範圍第20或21項之石英玻璃坩堝,.其特 徵在於石英玻璃之堅周鍵聯的羥基之最大含量係40重量ppm 〇 24. 如申請專利範圍第20或21項之石英玻璃坩堝,其特 徵在於不透明外區(3)和透明內區(4)係由相同的合成Si〇2顆 粒所製得。 25·如申請專利範圍第20或21項之石英玻璃坩堝,其特 徵在於不透明外區(3)係由較低密度的第一 Si〇2顆粒所製得 ,而內區(4)係由較高密度的第二SiCh顆粒所製得。 26.如申請專利範圍第20或21項之石英玻璃坩堝,其特 徵在於內區(4)係由至少部分合成白矽石構成的Si〇2顆粒所 製得。 27·如申請專利範圍第20或21項之石英玻璃坩堝,其特 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Λ4規格(21〇ϋϋ) * (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)-4- 1229055 έΙ C8 D8 六、申請專利範圍 徵在於由內表面,內區(4)延伸最高2mm進入外區(3)的方向 〇 28.如申請專利範圍第20或21項之石英玻璃坩堝,其特 徵在於內區(4)設有透明石英玻璃內層(2)。 ----------^9-----T I 訂 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -5-
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