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TWI229055B - Quartz glass crucible and method for its manufacture - Google Patents

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TWI229055B
TWI229055B TW089127760A TW89127760A TWI229055B TW I229055 B TWI229055 B TW I229055B TW 089127760 A TW089127760 A TW 089127760A TW 89127760 A TW89127760 A TW 89127760A TW I229055 B TWI229055 B TW I229055B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
particles
quartz glass
patent application
scope
crucible
Prior art date
Application number
TW089127760A
Other languages
English (en)
Inventor
Waltraud Werdecker
Johann Leist
Original Assignee
Shinetsu Quartz Prod
Heraeus Quarzglas
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shinetsu Quartz Prod, Heraeus Quarzglas filed Critical Shinetsu Quartz Prod
Application granted granted Critical
Publication of TWI229055B publication Critical patent/TWI229055B/zh

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Description

1229055 A7 _______ B7 五、發明說明(]) 本發明關於一種對稱於轉軸的不透明石英玻璃之石英 坩堝,該坩堝具有不透明石英玻璃的外區徑向地逐漸至內 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 部進入一具有密度爲至少2.15 g/cm3之透明石英玻璃的內區 〇 再者,本發明關於一種製造石英玻璃坩堝之方法,其 係藉由一設有可繞著轉軸旋轉且具有一內壁的模具,於在 模具內壁上形成結晶層時將Si〇2結晶作用導入模具內,及於 模具的旋轉下由內側至外側加熱結晶層而形成一具有不透 明外區的玻璃化坩堝體。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 DE-A 1 44 40 104中敘述各種類型的石英玻璃坩堝。 已知的石英玻璃坩堝係由基本的坩堝體所構成,其具有一 不透明外區徑向地逐漸至內部進入一光滑、耐磨性、緻密 內區。內區的厚度爲介於1和2mm間,其密度的最小値爲 2.15 g/cm3。石英玻璃坩堝係以注漿成形法製造得。爲此目 的,石英玻璃係與水粉碎至70μιη以下的粒子大小。所產生 的泥漿被倒入石英玻璃坩堝的負石膏模具內,而在乾燥後 ,坩堝坯料在135(TC至1 45 0 °C的溫度被燒結。燒結後,所 選的不透明區域及多孔基本坩堝體係接受在1 650 °C至2200 °C的另一熱處理以使多孔不透明基本材料轉變成爲具有最 小密度爲2.15 g/cm3的透明石英玻璃。因此,在基本坩堝體 內產生上述不透明外區,徑向地逐漸至內部進入光滑、耐 磨性、緻密內區。 由DE-C 1 97 1 0 672知道一種上述類型的方法。在此專 利中,敘述在所謂的"展佈法"後,依照柴氏(Czrochralksi) -4- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1229055 A7 —— B7 五、發明說明(2) 法由矽單晶拉出石英坩堝的製法。此處,首先由天然石英 結晶作用在轉動中的熔鑄模具之內壁及在不透明基體的形 成下玻璃化以形成一結晶層。然後’爲了產生透明光滑的 內層,將合成石英玻璃粉展佈在熔鑄模具內以在基體內壁 上沈澱,然後藉由電弧而熔化,以形成緻密、透明的內層 。因此,依此方式所製造的石英玻璃坩堝係由一不透明基 體及一形成石英玻璃坩堝之內表面的透明緻密內層所構成 。內層的起始材料係不同於基體的材料。在獨立製造階段 中所產生的內層之主要目的爲防止雜質由基體遷移至內表 面。 由於其之雜質含量,上述石英玻璃坩堝係不適用於要 求高純度的應用。透明內區的製造係需要額外的、昂貴的 熱處理。不透明外區係大部分不透可見光譜的光線,但是 大部分在IR光譜範圍(在以下亦稱爲IR區)中係透明的。IR區 中的輻射損失會在坩堝壁上造成明顯的溫度梯度。藉由增 加坩堝內的熔融料之溫度以補償輻射損失,但是此可能造 成坩堝壁的軟化及變形和收縮,而因此減少坩堝的保溫時 間。當坩堝具有較大的內容積(其通常比小的坩堝使用較長 久)時,此問題係特別値得注意的。 所述依照展佈方法來製造石英玻璃坩堝的方法亦需要 獨立的製程步驟來產生內層;因此其亦昂貴的。 本專利之目的在於提供一種石英玻璃坩堝,其特徵爲 高純度及高不透明性,即在IR區之低的透射率,及提供一 種簡單、有成本效率的其製造方法。 --------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -5- 1229055 A7 B7 五 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 、發明說明(3) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 就石英玻璃坩堝而言,及上述坩堝的處理而言,本發 明藉由以下者來達成此目的··提供一種由合成Si〇2顆粒製造 的坩堝體,該顆粒之比表面積(依照BET)係在0.5m2/g至40m2/ g的範圍內且最小搗固密度爲〇.8g/cm3,該顆粒係由Si〇2初級 粒子的至少部分多孔黏聚物所構成。 本發明的石英玻璃坩堝完全係由合成製造的Si〇2所構成 。由於此高純度的起始材料,石英玻璃坩堝本身係高純度 的。不需要任何措施來防止雜質由石英玻璃坩堝遷移入其 內所熔化的物料內。 坩堝體包括一不透明石英玻璃之外區及一透明石英玻 璃之內區。外區及內區係爲整體連結的區域。即,外區與 內區之間沒有淸晰的界限區域。 本發明的石英玻璃坩堝係由合成Si〇2顆粒所製得。藉由 將對應的顆粒展佈物玻璃化,會產生不透明外區及透明內 區。在玻璃化期間,玻璃化正面係由內側前進至外側。在 此過程期間,顆粒中的開孔和孔隙通道係關閉著,而任何 氣體係在模具內壁方向被置換。由於內區之溫度的更強烈 作用(較高的溫度,較長的時間),所以模具內壁變成無孔的 ,至少爲使其具有2.丨5g/cm3的最小密度。此密度係接近於 透明的石英玻璃者。因此,內區的機械和化學性質係相當 於緻密的透明石英玻璃者,例如就機械強度及硬度、耐磨 性及抗化學性而言。 外區的特徵爲在IR範圍中係高度不透明的,在本發明 中不透明的意思爲在可見光範圍(約介於3 5 0ηπ^α 8 00nm間) -6 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 1229055 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明(4) 以及IR範圍中係低透射率的(在1%以下)。在750nm至4800nm 的IR波長範圍中,3 m m嵌板的透射率爲少於1 %。達成在IR 波長範圍中的高透明性主要是因爲外區由Si〇2顆粒所構成, 該顆粒係由初級粒子的部分多孔黏聚物形成者且具有比表 面積(依照BET)介於0.5m2/g和40m2/g間。此型SiCh顆粒的玻 璃化會產生一種不透明的石英玻璃,具有均勻分佈的孔隙 ,且同有高孔隙密度及高比密度。與此相反地,以由低比 表面積的天然或合成石英玻璃結晶所製造的透光性石英玻 璃,則主要爲粗氣泡的,且氣泡較不頻常發生。此尤其造 成在可見光譜中的不透光性。使用本發明的石英玻璃坩堝 ,則會減少坩堝壁上之溫度梯度的形成,因爲在IR範圍中 有高度不透明性,因此不需要補償,例如不需要過度加熱 熔融的物料或施予熱保護(擋熱)。因此,此型顆粒之玻璃化 所製造的石英玻璃坩堝之特徵爲良好的熱絕緣性及長的保 溫時間。 達.成此之先決條件,即外區中的微孔隙度,係使用由 Si〇2初級粒子(particles)的至少部分黏聚物形式所構成的 Si〇2顆粒。製造此型初級粒子,例如藉由矽化合物的火焰水 解或氧化,藉由依所謂的溶膠-凝膠方法之有機矽化合物的 水解,或藉由無機矽化合物在液體中的水解。雖然特徵通 常爲高純度,但是這些初級粒子由於低粉末密度而係難以 掌控的。因此,它們常常在顆粒化過程中被壓縮,其中藉 由將細的初級粒子壓在一起以形成較大直徑的黏聚物。這 些黏聚物具有許多的開孔通道,形成對應的大孔隙體積。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) ---- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1P--------- 1229055 A7 B7 五、發明說明(5) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 依照此專利的方法所用的S i ◦ 2顆粒(g r a n u 1 a t e s)之個別細粒( g r a i n s)係由該黏聚物所製得。由於其之大孔隙體積,顆粒 之特徵爲介於0.5m2/g和40m2/g間的比表面積(依照BET),其 因此不是以外表面呈現,而是主要以孔隙通道形式的內表 面呈現。一旦玻璃化,則經由燒結及崩解而封閉孔隙體積 的最大部分。然而,仍有許多來自先前開放孔隙通道的細 密閉孔隙,其中IR輻射係被散射回來,在IR範圍中產生高 的不透明性。再者,大的顆粒表面係有利於在玻璃化後形 成氣態單氧化矽(SiO),其抵制小孔隙的崩解,因爲密閉孔 隙內所鎖住的氣體不再能逃出。此外,高的比表面積係能 在應用顆粒之前特別有效地淸淨,例如藉由熱氯化。此係 有意義的,因爲大部分的雜質係在自由表面區域內,其中 它們可容易地溶解及經開放的孔隙通道被移除。 至少0.8g/cm3的搗固密度係主要保證SiCh顆粒的粉末密 度,而石英玻璃的不透明性,如上述,主要係由於其以大 比表面積形成當作內表面。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 依照BET法(Din 66132)來測量Si〇2顆粒的比表面積,依 照DIN/ISO 787第11部來測量搗固密度。 在一較佳的實施例中,由具有2m2/g至20m2/g比表面積( 依照BET法)及1.0g/cm3至1.4g/cm3搗固密度的合成Si〇2顆粒 來製造依本發明的坩堝體。 有利上,石英玻璃在內區範圍中具有20重量ppm的最大 介穩羥基含量。一般所了解的"介穩羥基含量"係爲藉由石 英玻璃之回火所能去除的羥基含量。在本發明的定義中," -8 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1229055 A7 B7 五、發明說明(6) 介穩羥基含量"係定義爲在1 (T1毫巴的真空中將石英玻璃加 熱至100°C的溫度歷40小時所可去除的羥基含量。藉此回火 所不能去除的羥基係稱爲"堅固鍵聯的羥基"。具有最大介 穩羥基含量爲20重量ppm的內區係保證在石英玻璃坩堝的適 當使用期間,沒有或僅有較小量的羥基被放出。再者,在 使用石英玻璃坩堝的期間,能減少孔隙增大或起泡之風險 ,因爲介穩羥基之低含量。此效果可能發生在當加熱石英 玻璃而氣體放出時係不能再逃脫了。 在使用該石英玻璃坩堝時,化學堅固鍵聯的羥基係不 會造成孔隙的增大,但是在較佳的實施例中,堅固鍵聯的 羥基含量之最大値係40重量ppm。具有較低羥基含量的石英 玻璃之黏度係高於具有較高羥基含量的石英玻璃。高黏度 會改善石英玻璃坩堝在高溫的尺寸安定性。因爲縱使可在 高溫的真空中部分地去除堅固鍵聯的羥基,但是當於真空 中使用石英玻璃坩堝時,低含量的該羥基會減少孔隙增大 的風險。 較宜地,不透明外區和透明內區係由相同的合成SiCh顆 粒所製得。該坩堝的製造係特別容易的。 另外,在依本發明之石英玻璃坩堝的一同樣較佳實施 例中,不透明外區係由較低密度的第一 Si〇2顆粒所製得,而 內區係由較高密度的第二SiCh顆粒之所製得。第二顆粒的預 先緻密化係簡化內區中所需密度之調整。 依本發明的石英玻璃坩堝之一實施例較佳係爲其中內 區係由一種Si〇2顆粒所製得,該顆粒由至少部分的合成白矽 ------^—1?--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -9- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1229055 A7 ___ B7 五、發明說明(7) 石所構成。已經顯示在轉變成白矽石,則會減少羥基含量 。因此,由含合成白矽石的Si〇2顆粒所製造的內區之特徵爲 低的羥基含量。 有利上,內區係由內表面延伸,最多2微米進入外區的 方向。 已經證明使內區具有透明石英玻璃的內層係有利的。 內層主要係用強化此型坩堝的典型內區。 就方法而言,本發明係以上述方法使用Si〇2顆粒於 SiOhg晶作用,其係由合成產生的Si〇2初級粒子的至少部分 多孔黏聚物所製得,該顆粒之比表面積(依照BET)係在0.5 m2/g至4 0m2/g的範圍內且最小搗固密度爲〇.8m2/g,及發生加 熱以使得在透明石英玻璃的內區之形成下,玻璃化前面係 由內側行進至外側。 一旦加熱,則結晶層被玻璃化。此處,不透明外區及 透明內區係在一個製程階段中產生。在玻璃化期間,玻璃 化前面係由內側前進至外側,同時顆粒中的開孔和孔隙通 道係被封閉,且氣體係在模具內壁之方向被置換。因爲在 內區有較大的溫度作用(較高的溫度及較長的加熱時間),所 以此區變成無孔的,至少爲使其具有2.15g/cm3的最小密度 〇 玻璃化前面係熔融材料與剛開始熔化的材料之間的不 確定界限區域。在後者材料中,有開孔及通道,同時熔融 材料具有密閉的孔隙不再連接至外表面。因爲玻璃化前面 係由內側前進至外側,所以昇華性雜質係被置換入氣相內 ------l —1T--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -10-
AT 1229055 B7 五、發明說明(8) ,因此在玻璃化前面之前方被驅趕至外側,方向爲它們可 逃脫的結晶層之仍多孔的區域之方向。 . 因爲透明內區係在結晶層的玻璃化上產生者,所以不 需要額外的玻璃化階段。因此,本發明的方法係簡單的且 成本有效率的。避免局部加熱所典型發生的機械應力。 藉由本發明的方法,可在IR範圍中產生高度不透明性 且低透射率的外區。在600nm至2650nm的IR波長範圍中,3 mm厚嵌板的直接光譜透射率係爲1%以下。達成此主要係藉 由從Si〇2初級粒子的至少部分多孔黏聚物所形成且具有0.5 m2/g至40m2/g的比表面積(依照BET)之Si〇2顆粒來製造外區。 一旦該Si〇2顆粒玻璃化,則產生具有均勻分佈孔隙的不透明 石英玻璃,而且具有高孔隙密度及高比重。對照下,在低 起泡頻率的粗氣泡主要係發生在使用具有比表面積(例如低 於檢測極限)的天然和合成石英玻璃結晶,造成在可見光譜 中的不透光性。由於在IR範圍中的高度不透明性,此型顆 粒所製造的石英玻璃坩堝之特徵爲具有良好熱絕緣的外區 〇 使用由Si〇2初級粒子的至少部分多孔黏聚物所可獲得的 Si〇2顆粒,以達成外區中的必要微孔隙率。製造此型初級粒 子,例如藉由政化合物的火焰水解或氧化,藉由依所謂的 溶膠-凝膠方法之有機矽化合物的水解,或藉由無機矽化合 物在液體中的水解。雖然特徵通常爲高純度,但是這些初 級粒子由於低粉末密度而係難以掌控的。因此,它們常常 在顆粒化過程中被壓縮,其中藉由將細的初級粒子壓在一 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) ------r--IT--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -11 - A7 1229055 B7 _ 五、發明說明(9) 起以形成較大直徑的黏聚物。這些黏聚物具有許多的開孔 通道,形成對應的大孔隙體積。Si〇2顆粒之個別細粒係由該 黏聚物所製得。由於其之大孔隙體積,顆粒之特徵爲介於 0.5m2/g和40m2/g間的比表面積(依照BET),其因此不是以外 表面呈現,而是主要以孔隙通道形式的內表面呈現。一旦 玻璃化,則經由燒結及崩解而封閉孔隙體積的最大部分。 然而,仍有許多來自先前開放孔隙通道的細密閉孔隙,其 中IR輻射係被散射回來,在IR範圍中產生高的不透明性及 低透射率。再者,大的顆粒表面係有利於在玻璃化後形成 氣態單氧化矽(Si0),其抵制小孔隙的崩解,因爲密閉孔隙 內所鎖住的氣體不再能逃出。此外,高的比表面積係能在 應用顆粒之前特別有效地洗淨,例如藉由熱氯化。此係有 意義的,因爲大部分的雜質係在自由表面區域內,其中它 們可容易地溶解及經開放的孔隙通道被移除。 至少0.8g/cm3的搗固密度係主要保證Si〇2顆粒的粉末密 度,而石英玻璃的不透明性,如上述,主要係由於其以大 比表面積形成當作內表面。 依照BET法(Din 66 1 32)來測量Si〇2顆粒的比表面積,依 照DIN/ISO 787第11部來測量搗固密度。 在一較佳的實施例中,使用具有2m2/g至20m2/g比表面 積(依照BET法)及1.0g/cm3至1.4g/cm3搗固密度的合成Si〇2顆 粒。該搗固密度已經證明係特別有利於顆粒的傾瀉性及容 易掌控性。 在一較佳實施例中,使用5μιη以下平均粒子直徑的Si〇2 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 衣------r--IT--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -12- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1229055 A7 厂 ^ B7 五、發明說明(id 初級粒子的至少部分多孔黏聚物形式之Si〇2顆粒。在所謂的 "溶膠-凝膠法"中,這些初級粒子係藉由有機矽化合物的水 解而產生者。在一替代性、同樣較佳的實施例中,使用0.2 Mm以下平均粒子直徑的Si〇2初級粒子的至少部分多孔黏聚 物形式之Si〇2顆粒。這些熱解初級粒子係藉由無機矽化合物 的水解而產生者。就在玻璃化時的低去玻璃化傾向而言, 初級粒子較佳係非晶形的。 就兩種方法變化例而言,初級粒子之特徵爲大的自由 表面。由於物理或化學鍵聯力使得許多該些初級粒子發生 黏聚,因此形成本發明之定義中的顆粒。藉由已知的粒化 方法,尤其積聚粒化(濕粒化法)或加壓粒化(擠壓),由含初 級粒子的物質發生粒化。依溶膠-凝膠法所產生的初級粒子 係緊密塡充於顆粒內,因爲它們大部分且較佳爲球形。由 於鄰近的初級粒子之接觸面積,而減少自由表面;但是如 上說明的,密閉孔隙可能在個別初級粒子之間的玻璃化時 。因爲初級粒子的平均粒子大小係在5μιη以下,所以孔隙係 相當細地分佈著。依照ASTM C 1 070以所謂的〇5〇數値來測 量平均粒子大小。 已經證明具有不均勻密度分佈的Si〇2粒子之顆粒係特別 適用於依本發明的方法,低密度的內部區域係被高密度的 外部區域所至少部分圍繞著。此處及以下中,顆粒的個別 細粒係指Si〇2粒子,全體粒子係指顆粒。由於密度的不均勻 密度分佈,所以氣體可被包封於內部區域內,其在玻璃化 時不會逃脫或僅部分逃脫,因此有助於孔隙的形成及石英 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 x 297公釐) -13- ------r--訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1229055 A7 B7 五、發明說明(12) 璃的黏度。 由5至20重量ppm的鋁摻雜的Si〇2細粒所構成的顆粒’ 亦達成高黏度。此處’較佳藉由精細分佈的奈米尺度A2 〇3 粒子來產生鋁摻雜物。此保證均勻的摻雜物分佈。由於使 用上述由奈米尺度粒子所構成的顆粒,摻雜物亦均勻地分 佈在顆粒的個別細粒內。當使用傳統的Si〇2結晶作用時’此 係不可能的,因爲所添加的摻雜劑可能僅沉降在細粒表面 上,所以在玻璃化後,它們係積聚在細粒前者界限區域中 。由於它們的高比表面積,熱解產生的A2〇3粒子係特別適 合的。 就由150μιη至800μιη的中等大小細粒所製成的Si〇2顆粒 而言,已經證明若避免小細粒(fine grains)的大小在90μιη以 下則係有利的。爲此目的,由顆粒中去除尺寸小於90μηι的 細粒,或在顆粒的製造期間已經抑制它們的形成。在較粗 的顆粒細粒中,於成形體的玻璃化期間或顆粒的預緻密化 之熱處理期間,發生溫度梯度,造成在細粒內的密度梯度 及在外部區域內的較高緻密化,因此如上述,促進在玻璃 化時孔隙的形成。然而,小尺寸的小細粒能避免該密度梯 度的形成,故小細粒的存在不會有助於孔隙的形成。再者 ,小細粒的存在會在孔隙通道崩解時影響石英玻璃的收縮 ,及使得特定尺寸的觀察變得複雜。 有利上,藉由電弧將區內的結晶層加熱,以形成外區 和內區,內區範圍所達到的溫度係超過1 900 °C。因此,可 在低成本於單一製程階段中產生內區和外區。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
·11111111 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -15- 1229055 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明(13) 此處,已證明在加熱之前將結晶層預熱至超過1 000°C 的溫度係有利的。在低於顆粒熔化溫度以下的溫度之該預 熱會造成在結晶層厚度上的更均勻之溫度分佈。此處,將 內區中的Si〇2顆粒部分玻璃化可能係有利的。此簡化在以下 階段中所需厚度的調整。 較宜地,不透明外區係由低密度的第一 SiCh顆粒所製得 ,而透明內區係由較高密度的第二Si〇2顆粒所製得。第二顆 粒的預先緻密化係簡化內區中所需厚度之調整。 有利地,內區範圍中所用的Si〇2顆粒係藉由回火而至少 部分轉變成爲合成白矽石。已證明在轉變成白矽石後,會 減少羥基含量。因此,由含合成白矽石的Si〇2顆粒所製造的 內區之特徵爲低的羥基含量。 關於此方面,亦已經證明在使用之前使用於產生內區 的第二SiOi顆粒接受脫水處理係有利的,設定最大羥基含量 爲40重量ppm,及隨後玻璃化該經脫水的顆粒。 有利地,第二3丨〇2顆粒具有最大介穩羥基含量爲20重量 ppm。關於"介穩羥基含量"和"堅固鍵聯的羥基"之定義,請 參考以上定義。具有最大介穩羥基含量爲20重量ppm的內區 係保證在石英玻璃坩堝的適當使用期間,沒有或僅有很少 量的羥基被放出。再者,在使用石英玻璃坩堝的期間,能 減少孔隙增大或起泡之風險,因爲介穩羥基之低含量。此 效果可能發生在當加熱石英玻璃而氣體放出時係不能再逃 脫了。 在使用該石英玻璃坩堝時,化學堅固鍵聯的羥基係不 衣------^—訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -16- 1229055 A7 B7 五、發明說明(14) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 會造成孔隙的增大,但是在較佳的顆粒中的堅固鍵聯的羥 基含量之最大値係40重量ppm。具有較低經基含量的石英玻 璃之黏度係高於具有較高羥基含量的石英玻璃。高黏度會 改善石英玻璃坩堝在高溫的尺寸安定性。因爲縱使可在高 溫的真空中部分地去除堅固鍵聯的羥基,但是當於真空中 使用石英玻璃坩渦時,低含量的該羥基會減少孔隙增大的 風險。 在一特別有利的方法,藉由將Si〇2結晶展佈於旋轉中的 模具內,使用它沈積在內區上,及藉由電弧方式使它玻璃 化,而在透明內區上產生透明石英玻璃內層。透明石英玻 璃內層主要係用於強化內區。 爲了更進一步改良,在加熱模具內壁範圍中結晶層時 產生負壓。藉由該負壓,多餘的氣體係快速地被帶離,而 減少熔化時間。 以下藉由實例和圖式來詳細說明本發明。 圖式簡單說明: 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第1圖係依本發明的石英玻璃坩堝之一實施例,以經過 坩堝壁的剖面顯示。 第2圖係本發明方法中所適用的Si〇2顆粒之第一實施例 ,以經過顆粒的個別細粒顯示。 第3圖係本發明方法中所適用的S i 0 2顆粒之另一實施例 ’以經過顆粒的個別細粒顯示。 -17- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 1229055 A7 B7 五、發明說明(诒 元件對照表 1 基體 2 內層 3 外區 4 透明區 21 細粒 22 中心、區域 23 外層 31 噴霧細粒 32 空心 33 外層 34 窄通道 . ----—- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第1圖顯示依本發明的石英玻璃坩堝壁之剖面的槪略圖 〇 石英玻璃坩堝完全係由合成製造的Si〇2所構成。其具有 經由參考號數1所指出的基體,及合成石英玻璃結晶的內層 2。基體1係由不同處僅在於不透明性和透光率的兩區域所 構成,即不透明外區3和透明區4。基體的總厚度係約5mm。 這些中,約4mm係屬於不透明外區3,而約1mm係屬於透明 區4。外區3和透明區4係整體連接在一起,俾沒有淸晰的界 限區域。 如以下實例中所說明的,石英玻璃坩堝係由合成SiCh之 顆粒所製得。 訂---------· 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -18- A7 1229055 B7___ 五、發明說明(16) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 透明區4係無孔的,至少在爲使其具有2 · 1 5 g / c m3的最小 密度。此密度係接近於透明的石英玻璃者。因此,透明區 的機械和化學性質係相當於緻密的透明石英玻璃者,例如 就機械強度及硬度、耐磨性及抗化學性而言。 另一方面,外區3的特徵爲在IR範圍中係高度不透明且 低透射率的。在750nm至4800nm的IR波長範圍中,3mm嵌板 的透射率爲少於1 %。達成低透射率係藉由具有均勻孔隙分 佈的微孔隙度,以及高孔隙密度和高比重。不透明外區中 的孔隙大小係大部分介於5μιη和40μιη之間。因此,石英玻 璃坩堝之特徵爲良好的熱絕緣性及長的保溫時間。 以下藉由三個實例來詳細說明依本發明的石英玻璃坦 堝之製造方法。 實例1 : 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 將具有70m2/g比BET表面積且加有12重量ppm的奈米尺 度ΙΟ;之熱解SiCh粒化、乾燥及篩分。在Ch/HCl氣體混合物 中,於1 200°C的桶式爐中,以6公斤/小時的通過料量,洗淨 介於160μηι和840μπι間的細粒大小部份。之後,元素Li、Na 、K、Mg、Ca、Fe、Cu、Cl:、Μη、Ti 及 Zr 的含量就各元素 而言係低於檢測極限。這些雜質的總含量係低於1 50重量 ppm。隨後,解吸氯基後,執行在1200°C的熱處理。 依此方式所處理的顆粒係具有l.lg/cm3的搗固密度及15 m2/g的BET表面積。 將顆粒置於轉動中的熔化模具中及積聚以在其內壁形 -19- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 1229055 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明(17) 成坦堝型坯。藉由電弧,將型坯加熱到約i 5 〇 〇 〇C的溫度, 高達約8 m m的層厚度。此處,藉由燒結使得顆粒的個別細 粒本身更加緻密,但是在熔融一起時不會損失粉末。藉由 溫度的梯度的形成,可完成鬆連結的氣體之解吸,尤其羥 基的解吸。 隨後’藉由電弧在區內使所製備的坩堝型坯玻璃化, 玻璃化前面係由內側前進至外側,產生具有約1 mm徑向擴 張的透明區4 ’及一玻璃化但不透明的外區3。由於溫度在 透明區4的較強作用(較高的溫度及較長的加熱時間),此區 係變成無孔的,至少爲使其具有2.15g/cm3的最小密度。 另一方面,外區3的特徵爲在IR範圍中係高度不透明且 低透射率的。此主要係因爲所用的$丨〇2顆粒係由Si〇2初級粒 子的部分多孔黏聚物所形成且具有比較高的依BET的比表面 積(1 5m2/g)。 以上所製造的石英玻璃坩堝之特徵尤其爲在IR範圍中 的高純度及高度不透明性(低透射率)。不透明外區的孔隙大 小主要係介於5和40μιη間。 實例2 : 如實例1中所述製得一種石英玻璃坩堝。隨後,施予透 明內層2以強化透明區4。爲此目的,使用由矽酸鈉之擠製 所製造的SiCh顆粒,具有700m2/g的比BET表面積及0.45g/cm3 的搗固密度。細粒大小係介於250μιη和500μιη間。藉由在 1 2 00 °C熱氯化以洗淨所擠製的材料,及熱緻密化。在此過 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -20- ------_--tr---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1229055 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明(18) 程期間,將鹼殘基含量減少檢測極限範圍內。 隨後’顆粒(所擠製的材料)依BEI^Braunauer-Emmett-Teller)的比表面積總共爲38m2/g,搗固密度爲1. ng/cm3。 之後,在第二熱處理中將所擠製的材料由其非晶形結 構轉變成爲晶形結構(白矽石)。 藉由此合成的白矽石,經由展佈法及電弧熔化而熔化 在內層2上,及將透明區4之層強化到總共3mm的層厚度。 內層2係均勻地積聚著且具有2 0重量ppm的羥基含量。 在適當的使用後,既沒有看到再結晶也沒有孔隙增大。 實例3 : 如實例1中所述製得一種石英玻璃坩堝。隨後,施予透 明內層2以強化透明區4。 在1 420°C的氫氣下及1小時的保溫時間,使坩堝之製造 時所用的31〇2顆粒被玻璃化。在使用玻璃化的顆粒之前立即 ,藉由在1000 °C 1(Τ2毫巴的真空中回火,以去除介穩羥基。 在此預處理後,藉由展佈方法及電弧熔化,而將Si〇2顆 粒展佈於石英玻璃坩堝內及熔化,以產生內層2。 在所謂的"真空烘烤試驗"( 1 600°C,4小時,真空)中, 既無看到孔隙增大也沒有結晶傾向。 藉由以下的第2圖來詳細說明上述方法所用的Si〇2顆粒 。在第2圖中,以槪略圖顯示所用的顆粒之個別較佳細粒2 1 。球形顆粒細粒21由奈米尺度Si〇2粒子所構成,較低密度的 中心區域22係被高密度的外層23所圍繞。中心區域的密度 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
1T----------4 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -21 - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1229055 A7 B7 五、發明說明(19) 總計約爲透明石英玻璃密度的約4〇% ’及約60%的此在外層 中。中心區域2 2與外層2 3之間的界限係未淸晰界定的。細 粒直徑爲420μιη,外層23厚度約100μηι° 藉由使用混合機的一般濕粒化方法來製造顆粒。由非 晶形、奈米尺度、熱解的Si〇2粒子(由SiCl4的火焰水解製得) 來製造水性懸浮液,該粒子具有60m2/g的比表面積(依照 BET);在恒定攪拌下,由此水性懸浮液取出水分直到其在 粒狀物料的形成下散解爲止。在乾燥後,所獲得的顆粒之 比表面積(依照BET)係50m2/g,球形顆粒細粒之直徑係在160 0111至84(^111的範圍內。之後,在約1200°C溫度的通道中,於 氯氣氛下,將Si〇2顆粒緻密化。同時,藉由氯來淸洗顆粒’ 當Si〇2粒子的表面對於通經孔隙通道的淸洗用氣體爲開放時 ,其係特別有效的,而可容易地去除氣態雜質。同時’去 除羥基。處理係發生在石英玻璃旋轉窯中,通過料量爲 1 0公斤/小時。此處,在個別顆粒細粒中形成溫度梯度,造 成中心區域22和外部區域23的不同密度。 預處理所提供的SiCh顆粒之特徵爲25m2/g的比表面積及 1.18£/(:1113的搗固密度。平均粒子大小約42(^111,但是在使用 於製造不透明石英玻璃之前,直徑在90μιη以下的細粒部分 一然而其在此處由於製法而不存在一係被去除。L i、N a、Κ 、Mg、Ca、Fe、Cu、Cr、Μη、Ti及Zr雜質的總含量係在200 重量p p m以下。 如上所製造的非晶形奈米尺度Si〇2粒子之顆粒可用於製 造依本發明的石英玻璃坩堝,如第1圖中所示。由於個別顆 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公-22- 衣------Μ--訂---------. (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1229055 A7 B7 五、發明說明(26) 粒細粒係由許多非常小粒子尺寸的初級粒子之組合所形成 ,對應的細小且均勻的孔隙分佈係在玻璃化上達成,如以 上所詳細說明者。 第3圖係個別噴霧細粒3 1的槪略圖。該噴霧細粒3 1係一 種Si〇2初級粒子的黏聚物。其具有被外層33所圍繞的空心32 。在外層33上,形成一進入漏斗,其在窄通道34中排放進 入空心32內。噴霧細粒31的外直徑係約300μιη,而外層厚度 係約1 Ο Ο μ m。 在以下中,詳細說明這些噴霧顆粒的製造: 將具有70m2/g比表面積(依照BET)的高純度、熱解的、 奈米尺度Si〇2初級粒子分散於去離水中。添加12重量ppm熱 解Al2〇3形式的鋁,及將懸浮液設定爲1 380克/升的一升重量 。泥漿黏度係45OmPas。藉由市場上可取得的噴霧乾燥器( Messrs. Dors t,D400型),在380 °C的熱空氣溫度及10.5巴的 泥漿壓力,噴濯懸浮液。此導致噴霧顆粒具有330μιη的平均 細粒直徑及0.3 %的殘餘水分。比表面積(依照Β Ε Τ)係5 4 m2 / g ,體密度係0.6g/cm3。隨後,在1200°C的通道中,以6.1公斤 /小時的通過料量,在HCl/Ch氣體混合及熱壓縮中,洗淨顆 粒。 在此處理後,比BET表面積係20m2/g,體密度爲〇.8g/ cm3,而搗固密度爲〇.92g/cm3。在此種製造方法中,於噴霧 粒化期間,具有直徑在90μιη以下的小細粒部分係已被旋風 器分離。Li、Na、K、Mg、Ca、Fe、Cu、Cr、Mn、Ti 及 Zr 雜質的總含量係在200重量ppm以下。 ---------------------^--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -23- 1229055 Α7 Β7 五、發明說明(21) 所謂的非晶形奈米尺度Si〇2粒子之噴霧顆粒同樣地可用 於製造依本發明的石英玻璃坩堝,如第1圖中所示。由於個 別顆粒細粒係由許多非常小粒子尺寸的初級粒子之組合所 形成,對應的細小且均勻的孔隙分佈係在玻璃化上達成, 如以上所詳細說明者。此係被更進一步簡化,因爲空心3 2 形成額外、幾乎完全密閉的空間,其在玻璃化期間保持 至少部分完整的,因爲在玻璃化期間,被密閉的氣體僅能 部分地逃脫,因此有助於孔隙形成及不透明性。 ------.--^--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -24- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐)

Claims (1)

  1. 1229055 六、申請專利範圍 請案 , 年月日/ 93年11月19 ^ --------- - · 1 第89127760號專利申 中文申請專利範圍修 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 1. 一種製造石英玻璃坩堝之方法,係提供一種可繞著轉 軸旋轉且設有內壁的模具,以及在模具內壁上形成結晶層 時將SiCh結晶作用導入模具內,及在模具的轉動下由內側至 外側加熱結晶層,且以不透明外區形成玻璃化的坩堝體, 其特徵在於:使用由合成產生的Si〇2初級粒子之至少部分多 孔黏聚物所製造的Si〇2顆粒(21;31)於Si〇2結晶作用,該顆粒 具有介於〇.5m2/g至40m2/g的比表面積(依照BET)及0.8 g/ . cm3的最小搗固密度,該結晶作用之加熱方式爲使得在透明 石英玻璃之內區的形成下,玻璃化前面係由內側前進至外 側,及該方法包括下面2步驟:(1 )在應用具有高比表 面積之氧化矽之前,先熱氯化氧化矽,以溶解及移除存在 於自由表面區域的不純物,以有效地淸潔氧化矽;(2 ) 在氯氣氛中,加熱具有高比表面積之氧化矽,以移除羥基 及不純物,及改善不透明石英玻璃的純度。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 2. 如申請專利範圍第1項之方法,其特徵在於使用比表 面積(依照BET)介於2m2/g至20m2/g且搗固密度爲L0g/cm3至 1.4g/cm3的Si〇2顆粒。 3. 如申請專利範圍第1或2項之方法,其特徵在於使用具 有平均粒子大小爲〇.5μιη至5μιη的Si〇2初級粒子之至少部分 多孔黏聚物形式的SiCh顆粒(21;31)。 4. 如申請專利範圍第1或2項之方法,其特徵在於使用具 本紙張尺度逋用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公^ 1229055 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 有平均粒子大小爲2μιη以下的SiO2初級粒子之至少部分多孔 黏聚物形式的SiCh顆粒(21;31)。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 5·如申請專利範圍第1或2項之方法,其特徵在於使用具 有不均勻密度分佈的Si〇2粒子之顆粒(21 ;31),其中較低密度 .的內區(22;32)係至少部分被較高密度的外區(23; 33)所包封 〇 6·如申請專利範圍第1或2項之方法,其特徵在於藉由熱 處理,包括在800°C和1450°C之間的溫度作燒結,以調整 Si〇2顆粒(21;31)的搗固密度。 7·如申請專利範圍第6項之方法,其中特徵在於熱處理 包括在氯氣氛中的加熱。 8·如申請專利範圍第6或7項之方法,其特徵在於熱處理 係發生在1000和1 300°C間的溫度,於氮化氣氛中,在碳的存 在下。 9·如申請專利範圍第1或2項之方法,其特徵在於所用的 Si〇2顆粒係經5重量ppm至20重量ppm的鋁所摻雜。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 10·如申請專利範圍第.1或2項之方法,其特徵在於使用 平均粒子大小介於150μιη和800μιη間的粒子之SiCh顆粒,及 避免粒子大小在90μιη以下的粒子細度。 11·如申請專利範圍第1或2項之方法,其特徵在於用電 弧將區內的結晶層加熱,以形成外區(3)和內區(4),.內區(4) 範圍所達到的溫度係超過1 900 °C,此,可在低成本於單一 製程階段中產生內區和外區。 1 2.如申請專利範圍第11項之方法,其特徵在於加熱前 本紙張尺度適用中國南家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -2- A8 B8 C8 D8 1229055 六、申請專利範圍 ,將結晶層預熱至超過1000°C的溫度。 i 3 .如申請專利範圍第1 2項之方法,其特徵在於在加熱 內區(4)範圍的期間,Si〇2顆粒(21;31)被玻璃化。 i 4如申請專利範圍第1或2項之方法,其特徵在於不透 明外區(3)係由較低密度的第一 S i 0 2顆粒所製得,而透明內 區(4)係由較高密度的第二Si〇2顆粒所製得。 i 5.如申請專利範圍第14項之方法,其特徵在於在應用 之前,第二SiCh顆粒(21;31)係經脫水處理,因此被調整至40 重量ppm的最大羥基含量,且該脫水後的顆粒(21;31)被玻璃 16. 如申請專利範圍第15項之方法,其特徵在於第二 Si〇2顆粒具有20重量ppm的介穩最大羥基含量。 17. 如申請專利範圍第1或2項之方法,其特徵在於在內 區(4)範圍中,使用藉由回火而至少部分轉變成合成白矽石 的顆粒。 18·如申請專利範圍第1或2項之方法,其特徵在於藉由 將Si 〇2結晶作用導入旋轉的模具內,將其沈積在內區(4)上 及用電弧使其玻璃化,而在透明內區(4)上產生透明石英玻 璃內層(2)。 1 9 ·如申請專利範圍第1或2項之方法,其特徵在於在 加熱結晶層的期間,於模具的內壁範圍中產生負壓。 20· —種由如申請專利範圍第1項之方法所製得之石英玻 璃坩堝,其具有對稱於轉軸的不透明石英玻璃之坩堝體, 該坩堝具有不透明石英玻璃外區(3),徑向地往內側發展至 本紙張尺度適用中國國家揉準(CNS ) M規格(210X297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -3 - Α8 Β8 C8 D8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1229055 六、申請專利範圍 一具有至少2.1 5g/cm3密度的透明石英玻璃內區(2),其特徵 在於坩堝體(1)係由具有比表面積(依照BET)介於0.5m2/g至40 m2/g且具有最小搗固密度爲〇.8g/cm3的合成Si〇2顆粒所製得 ,該顆粒係由Si〇2初級粒子的至少部分多孔黏聚物所形成。 21. 如申請專利範圍第20項之石英玻璃坩堝,其特徵在 於坩堝體(1)係由具有比表面積(依照BET)介於2m2/g至20m2/g 且具有最小搗固密度爲1.0g/cm3至1.4g/cm3的合成Si〇2顆粒所 製得。 22. 如申請專利範圍第20或21項之石英玻璃坩堝,其特 徵在於在內區(4)範圍中,石英玻璃具有20重量ppm的最大介 穩羥基含量。 23. 如申請專利範圍第20或21項之石英玻璃坩堝,.其特 徵在於石英玻璃之堅周鍵聯的羥基之最大含量係40重量ppm 〇 24. 如申請專利範圍第20或21項之石英玻璃坩堝,其特 徵在於不透明外區(3)和透明內區(4)係由相同的合成Si〇2顆 粒所製得。 25·如申請專利範圍第20或21項之石英玻璃坩堝,其特 徵在於不透明外區(3)係由較低密度的第一 Si〇2顆粒所製得 ,而內區(4)係由較高密度的第二SiCh顆粒所製得。 26.如申請專利範圍第20或21項之石英玻璃坩堝,其特 徵在於內區(4)係由至少部分合成白矽石構成的Si〇2顆粒所 製得。 27·如申請專利範圍第20或21項之石英玻璃坩堝,其特 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Λ4規格(21〇ϋϋ) * (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
    -4- 1229055 έΙ C8 D8 六、申請專利範圍 徵在於由內表面,內區(4)延伸最高2mm進入外區(3)的方向 〇 28.如申請專利範圍第20或21項之石英玻璃坩堝,其特 徵在於內區(4)設有透明石英玻璃內層(2)。 ----------^9-----T I 訂 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -5-
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