TW527273B - Biaxially oriented polyester film and magnetic recording medium - Google Patents

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527273 A7 B7 五、發明説明（彳） 技術領域 本發明爲關於磁記錄媒體用，特別爲數位數據貯存帶用 雙軸配向聚酯薄膜，及以彼等作爲基底薄膜之磁記錄媒體。 先前之技術 聚酯薄膜因爲具有優良之熱、機械特性，故於磁記錄 媒體用、電絕緣用等廣泛領域中使用。磁記錄媒體，特別是 數據貯存用磁記錄媒體，隨著磁帶之高容量化、高密度化，而 伴隨著對於基底薄膜的特性要求嚴格。對於QIC、DLT、及 高容量超DLT、LT〇之採用線性循跡方式之數據貯存用磁 記錄媒體，爲了實現磁帶之高容量化，乃將軌跡齒距作成非常 狹窄，因此，若磁帶寬度方向發生標度變化，則引起軌跡不齊， 具有發生錯誤之問題。於此等標度變化上，有溫濕度變化所 造成者、及高張力下以高溫高濕狀態下重覆行走時所發生 之寬度方向的時效收縮者。此標度變化若大，則引起軌跡不 齊，並且發生電磁轉換時的錯誤，特S!J，後者之情況，於伴隨著 磁帶記錄高容量而令磁帶厚度變薄時變爲顯著，此標度變 化之改善乃成爲新的課題。此寬度方向之時效收縮，雖可令 基底薄膜之縱方向楊氏模量變大而加以改善，但另一方面由 聚合物特性及製膜性之觀點而言，若縱方向之楊氏模量愈大， 則橫方向之楊氏模量的上限變小，其結果，令前者之溫濕度變 化所造成的標度變化變大，其狀況爲難令兩者同時成立。 於特開平5 - 2 1 2 7 8 7號公報中，揭示縱方向之 楊氏模量（E Μ )及橫方向之楊氏模量（E T )分別爲 5 5 0 k g / m m 2以上及7 0 〇 k g / m m 2以上，兩楊 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

527273 A7 B7 五 '發明説明（ 2 氏模量之比（E T / E Μ )爲1 · 1〜2 · 〇 ，7 0 °C相 對濕度爲6 5 %且無負重下保持1小時之縱方向的收縮率 爲0 . 0 2 %以下’縱方向之溫度膨脹率（α t )爲1〇 x 1 0 _ 6 / °C以下，縱方向之濕度膨脹係數（α h )爲 〇 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) %RH以下之雙軸配向聚乙烯一 2 ，6 萘二羧酸酯薄膜。 於國際公開W〇9 9/2 9 4 8 8號中，揭示橫方向 之熱膨脹係數a t ( X 1 〇 - 6 / t：)、橫方向之濕度膨脹 係數a h ( X 1 0 — 6 / % R Η )及縱方向負重時相對於該 負重之橫方向收縮率P ( p p m/ g )之間，成立下述式 {at + ah') 厚度未滿7 // m之雙軸配向聚酯薄膜。 發明之揭示 本發明之目的爲解決上述問題，並且提供特別作爲線 性循跡方式之數位數據貯存用磁記錄媒體之基底薄膜，難 因磁帶寬之標度變化所造成之軌跡不齊而發生錯誤，且可 令輸出功率特性提高之雙軸配向聚酯薄膜。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本發明之其他目的爲在於提供以本發明之雙軸配向聚 酯薄膜作爲基底薄膜之磁記錄媒體，特別爲數位數據貯存 用磁記錄媒體。 本發明之再其他目的及優點可由如下之說明而闡明。 若根據本發明，則本發明之上述目的及優點第一可藉由 (1 )於薄膜厚度方向之單位截面積每1 m m 2負以 2 · 7公斤負重且4 9 °C，9 0 % R Η下處理7 2小時， -5- 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X 297公釐） 527273 A7 B7 ...... · ' ' ' .. - - _ _ — 1 — 丨_ ' """ 五、發明説明（3 ) 處理前後之薄膜面中，與上述負重負荷方向呈直角方向之 標度變化爲0 · 4 0 %以下， (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) (2 )結晶化度爲2 7〜4 5 %， (3 )於薄膜面中’與上述負重負荷方向呈直角方向 之溫度膨賬係數a t爲一 5x 1 〇- 6〜+2〇x 1 0_6/ °C之範圍，於薄膜面中’與上述負重負荷方向呈直角方向 之濕度膨脹係數a h爲+ 5 X 1 〇 - 6〜+ 2 0 X 1 0 一 6 / %RH之範圍且（a t + 2ah)之値爲+ 4 5x 1 0_6以 下， (4 )於薄膜面中’與上述負重負荷方向呈直角方向 之熱收縮率爲0〜0.7%之範圍，和 (5 )薄膜厚度爲3〜7 // m之範圍 爲其特徵之磁記錄媒體用雙軸配向聚酯薄膜而達成。 本發明之上述目的及優點第二可藉由本發明之雙軸配. 向聚酯薄膜及其單側表面上之磁性層所構成之磁記錄媒體 而達成。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圖面之簡單說明 圖1爲測定薄膜橫方向之收縮率裝置之說明圖。 元件對照表 1:發光部，2:受光部，3:計測器LS-3100 4:類比器/數位轉換器HP3457A，5:個人電腦 6:光感應器，7 :玻璃板，8:自由滾筒，9:激光，1 〇:試料 1 1:自由滾筒，1 2:負重，1 3 :類比輸出功率 -6 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 527273 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（4) 發明之較佳的實施態樣 聚酯— 本發明雙軸配向聚酯薄膜的素材聚酯’可列舉例如聚 對苯二甲酸乙二酯、聚間苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸 丁二酯、聚乙烯一 2，6 —萘二羧酸酯、聚乙烯一 ^，A 一雙（2 -氯苯氧基）乙烷一 4，4’ 一二羧酸酯及彼等 聚酯之重覆單位之二種以上所構成的共聚物等。其中以聚 對苯二甲酸乙二酯、聚乙烯一 2，6 —萘二羧酸酯、聚乙 烯一 α，0 —雙（2 —氯苯氧基）乙烷—4，4’ 一二羧 酸酯爲佳，且以聚乙烯一 2，6 -萘二羧酸酯爲特佳。 本發明之聚酯可爲先前所列舉之聚合物中之單獨一種 及二種以上之聚酯混合體。又，若爲不阻礙本發明效果之 範圍，則即使添加各種添加劑亦無妨。 前述聚酯於鄰-氯苯酚中之溶液型式之於3 5 °c下測 定的固有粘度較佳爲0 · 4〜〇 · 9，更佳爲〇 · 5〜 〇.7，特佳爲〇.51〜0.65。 表面粗度及添加粒子 本發明之雙軸配向聚酯薄膜可爲單層薄膜且亦可爲層 合薄膜。此些薄膜於設置磁性層側之表面粗度w R a (中 心面平均粗度）爲1〜1 Q n m，較佳爲2〜1 0 n m， 特別以2〜8 n m爲佳。且W R z ( 1 0點平均粗度）爲 30〜25〇nm，較佳爲3〇〜2〇〇nm，特別以 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） ------訂·---— II--線· (請先閱讀背面之注意事項再填iml頁) 527273 A7 B7 五、發明說明（5 ) 3 0〜1 5 0 nm爲佳。此表面粗度WR a若大於1〇 n m，或W R z若大於1 5 0 n m，則磁性層之表面變粗 ，且無法取得令人滿足的電磁轉換特性。另一方面，此表 面粗度WR a若未滿1 nm ’或WR z若未滿3 0 nm， 則表面過於平坦，令軌道滾筒或砑光機之滑動變差，發生 皺摺，使得磁性層無法塗佈、或者難架於砑光機上。 前述雙軸配向聚酯薄膜之非磁性層側（例如，背塗層 塗佈側）之表面粗度W R a (中心面平均粗度），W R z (1 0點平均粗度）爲單層薄膜時，與前述設置磁性層側 之表面粗度WRa、WRz爲實質上相同。此時，表面粗 度W R a、W R z之値爲選擇可滿足電磁轉換特性及行走 性。 又，於層合薄膜之情況中，非磁性層側之薄膜表面粗 度WRa (中心面平均粗度）爲5〜2 0 nm，較佳爲5 〜15nm，特別以8〜12nm爲佳。且WRz (10 點平均粗度）爲1〇0〜3 0 Onm，較佳爲1 〇〇〜 2 0 0，特別以1 5 0〜2〇〇n m爲佳。此表面粗度 WRa若大於20nm、或WRz若大於300nm，則 平坦層（磁性層）側表面之突起堆高，且磁帶捲取時表面 凹凸對於磁性層表面的轉印變大，磁性層面變粗，無法取 得可令人滿足的電磁轉換特性。另一方面，此表面粗度 WRa若未滿5 nm，或WR z若未滿1 〇 〇 nm，則薄 膜之滑動變差，或擠氣性變差，薄膜裂開時，發生縱皺褶 ，無法取得令人滿足的捲取性。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填頁： ΙΛ__^--------訂---------線* 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -8 - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 527273 A7 _____ B7 五、發明說明（6) 前述之表面粗度WR a、WRz可藉由令薄膜中含有 惰性微粒子例如周期表第I I A、第I I B、第I V A、 第Γ V B元素之無機微粒子（例如，高嶺土、氧化鋁、氧 化鈦、碳酸鈣、二氧化矽等）、交聯聚矽氧烷樹脂、交聯 聚苯乙烯、交聯丙烯酸樹脂粒子等之耐熱性高之聚合物所 構成的微粒子等，或者以形成微細凹凸之表面處理劑例如 易滑塗劑之覆層處理則可調整。含有惰性微粒子時，微粒 子之平均粒徑較佳爲0 · 0 5〜〇 · 8 //m、更佳爲 0 · 1〜〇· 6//m、特佳爲〇· 1〜〇· 4#m。又， 其份量較佳爲0 · 00 1〜1 · 〇重量％ (對聚合物）、 更佳爲0 · 01〜0 · 5重量％ (對聚合物）、特佳爲 〇· 02〜0 · 3重量％ (對聚合物）。薄膜中所含有之 惰性微粒子可爲單成分系及多成分系，但特別於非磁性層 側之聚合物中，由磁帶之電磁轉換特性及薄膜之捲取性兩 者成立而言，則以含有2成分系或其以上之多成分系之惰 性微粒子爲佳。薄膜表面之W R a和W R z可令微粒子之 平均粒徑、添加量由上述範圍中適當選擇而進行調整。又 ，W R z之調整較佳使用令微粒子之粒徑銳利，並且除去 粗大粒子之手段等進行調整。 · 本發明之雙軸配向聚酯薄膜可爲單層薄膜，且亦可爲 層合薄膜，但由磁帶之電磁轉換特性和薄膜之捲取性兩者 容易成立之觀點而言，則以層合薄膜爲更佳。此層合薄膜 可爲將二種以上之聚酯予以疊層者。尙，將二種以上之聚 酯疊層之層合薄膜的各層聚酯可爲相同或相異’但以相同 ---^------------------訂---------線 j (請先閱讀背面之注意事項再填 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格m〇 X 297公釐） -9- 527273 A7 B7 五、發明說明（7 ) 者爲較佳。 於本發明之雙軸配向聚酯薄膜中，爲了提高粘合性或 易滑性，亦包含於單面或兩面覆蓋塗佈層者。塗佈層例如 爲固形成分中含有50重量％以上之聚酯系、聚胺基甲酸 酯系或聚丙烯酸系之水性樹脂（例如水溶性樹脂、水分散 性樹脂等）爲佳。前述水性樹脂使用公知作爲形成塗膜的 水性樹脂。又，爲了提高易滑性’亦可於塗佈層中含有惰 性粒子。此惰性粒子可列舉例如膠體矽等無機粒子、或交 聯丙烯酸樹脂粒子、聚砂氧院樹脂粒子、聚苯乙烯粒子等 有機粒子◦其中，由耐削性之觀點而言’以有機粒子較無 機粒子爲佳。此粒子之平均粒徑較佳爲5〜1 0 0 n m ’ 更佳爲5〜5 0 nm，特佳爲5〜3 0 nm。粒子之含量 於塗劑固形成分中，較佳爲0 · 5〜4 0重量％，較佳爲 1〜3 0重量％，特佳爲5〜2 0重量％。粒子以接近球 形爲更佳。且粒徑亦以一致爲更佳。又’於塗佈層中期望 令固形成分中含有1〜3 0重量％，較佳爲5〜2 0重量 %，特佳爲5〜1 5重量％之界面活性劑。塗佈層之厚度 (固形成分）較佳爲1〜5 0 nm、更佳爲1〜3 0 nm 、特佳爲3〜2〇nm。 尙，塗佈層之形成可爲以聚酯薄膜之製膜工程予以單 軸延拉後塗佈、並在上述延拉方向呈直角方向上延拉時將 其乾燥形成之線上（丨n 1 i n e )塗佈方式，或者， 對雙軸配向薄膜塗佈之線外（0 f f 1 i n e )塗佈方 式均可，但由形成塗膜之觀點而言，則以線上塗佈方式爲 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -10^ 丨丨1!#.! (請先閱讀背面之注意事項再填: 訂· _ --線· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 527273 A7 B7 五、發明說明（8) 較佳。 (請先閲讀背面之注意事項再填 薄膜厚度 本發明之雙軸配向聚酯薄膜其薄膜令體厚度爲3〜7 //m，較佳爲4〜6//m。其厚度若超過7//m，則磁帶 厚度過厚，例如放入卡匣之磁帶長度變短，無法取得充分 的磁記錄容量。另一方面，未滿3 // m則薄膜厚度薄，因 而在薄膜製膜時多發生薄膜斷裂，且薄膜之捲取性不良， 無法取得良好之薄膜滾筒。 負重下溫濕度處理所造成之負重負荷方向呈直角方向的標 度變化 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本發明之雙軸配向聚酯薄膜爲在薄膜厚度方向之單位 截面積每1mm2負荷2 · 7公斤之負重且於4 9 °C，9〇 % R Η處理7 2小時，於處理前後之薄膜面中，與上述負 重負荷方向呈直角方向（寬度方向）之標度變化爲 〇· 4 0 %以下。標度變化較佳爲〇 · 3 5 %以下，特佳 爲0 · 3 %以下。此標度變化若大於〇 · 4 %，則在高張 力下且高溫高濕狀態下，令磁帶重覆行走時’於寬度方向 的標度變化變大，引起軌跡不齊，並發生記錄、放送之錯 誤。 結晶度 本發明雙軸配向聚酯薄膜之結晶度爲2 7〜4 5 %， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -11 - 527273 A7 B7 五、發明說明（9 ) ---^----------•丨· (請先閱讀背面之注意事項再填: 較佳爲3 0〜4 0 %，特佳爲3 0〜4 5 %。其結晶度若 未滿2 7 %，則前述縱方向負重所造成之寬度方向的標度 變化變大，且產生軌跡不齊，故爲不佳。另一方面，結晶 度若超過4 5 %，則隨著溫濕度變化而令可逆性的寬度方 向之標度變化變大，且產生軌跡不齊、故爲不佳。 熱收縮率 本發明之雙軸配向聚酯薄膜之上述寬度方向的熱收縮 率爲0〜0 · 7%，較佳爲0〜〇 · 5%，特佳爲0〜 〇· 3%。其熱收縮率爲0%以下時，薄膜成爲延拉方向 ，令薄膜起伏打浪，無法良好捲起，且於製膜工程等中發 生削落。另一方面，若超過0 · 7%，則寬度方向之標度 變化大，且發生軌跡不齊，故爲不佳。 線!· 膨脹係數 本發明之雙軸配向聚酯薄膜其薄膜面中之上述寬度方 向的溫度膨脹係數a t爲—5 X 1 0 — 6〜+ 2 0 X 1 〇 - 6 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 / °C之範圍，於薄膜面中，上述寬度方向的濕度膨脹係數 ah爲+ 5 X 1〇—6〜+ 2 〇x 1〇—6/%RH之範圍且 (at+2ah)之値爲+45χ10 6以下。（at+ 2 a h )之値較佳爲+ 4 0 X 1 0 — 6以下，且較佳爲 + 35\1〇一6以下。（“七+2“11)之値若大於 4 5 X 1 0 — 6，則溫濕度變化所造成之標度變化變大，引 起軌跡不齊，且發生記錄、放送之錯誤。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -12 · 527273 A7 B7 五、發明說明（i〇) 吸熱波峯 ---J----------_ (請先閱讀背面之注意事項再填 本發明之雙軸配向聚酯薄膜較佳爲在差示掃描型熱量 計（D S C )測定中，於1 2 0〜1 6 0 °C之溫度範圍中 具有0 · 0 5 m J / m g以上的熱量吸熱波峯。此吸熱波 峯若未滿0 · 0 5 m J / m g，則無法改良磁帶的蠕變， 於高張力下且高溫高濕狀態下重覆行走時，寬度方向之標 度變化變大，則引起軌跡不齊，發生記錄、放送之錯誤。 此吸熱波峯較佳顯示0 · 1 m J / m g以上，更佳爲 〇· 2mJ/mg以上之熱量。 楊系模量 -% 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本發明之雙軸配向聚酯薄膜於上述負重負荷方向（縱 方向）之楊系模量爲6 G P a以上，較佳爲.7 G P a以上 ，特佳爲8 G P a以上。縱方向之楊系模量若未滿6 G P a ，則磁帶的縱方向強度變弱，於記錄、放送時若在 縱方向加以強力，則容易斷裂。又，與上述負重負荷方向 呈直角方向（橫方向）之楊系模量爲4 G P a以上’較佳 爲5 G P a以上，特別以6 G P a以上爲佳。橫方向之楊 系模量若未滿4 G P a ，則作爲線性循跡方式之磁帶時’ 溫濕度變化時之寬度方向的標度變化變大’且因軌跡不齊 而發生記錄、放送之錯誤。 又，縱方向之楊系模量與橫方向之楊系模量之和爲 10〜20GPa ，且以12〜l6GPa爲佳。更且’ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） _ 13 - 527273 A7 B7 五、發明說明（11) 1!!!#.! (請先閱讀背面之注意事項再填: 供於作爲線性循跡方式之磁帶時’由縱方向之延伸不大之 觀點而言，較佳令縱方向之楊系模量大於橫方向之楊系模 量。縱方向之楊系模量與橫方向之楊系模量之和若未滿 1 0 G P a ，則磁帶之強度變弱，磁帶容易斷裂，且溫濕 度變化時之標度變化變大，因軌跡不齊而發生記錄、放送 之錯誤，無法取得令人滿足的高密度磁媒體。另一方面， 若超過2 0 G P a ，則薄膜製膜時之延拉倍率變高，且多 變生薄膜斷裂，令製品產率顯著變差。 製膜方法 本發明之雙軸配向聚酯薄膜較佳依下列方法製造。 單層薄膜之情況，令熔融聚酯由型板中壓出薄膜狀’ 且較佳在聚酯熔點（T m : °C )至（T m + 7 0 ) °C之溫 線 度下壓出，急冷固化作成未延拉薄膜，且再將該未延拉薄 膜於單軸方向（縱方向或橫方向）以（T g — 1 〇 )〜（ T g + 7 0 ) T：之溫度（但，T g :聚酯之玻璃態化溫度 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 )下延拉至指定之倍率，其次與上述延拉方向呈直角方向 (第一段爲縱方向時，第二段爲橫方向）以T g〜（T g + 7 0 ) °C之溫度下延拉至指定之倍率，再使用熱處理方 法則可製造。此時延拉倍率、延拉溫度、熱處理條件等可 由上述薄膜之特性而選擇、決定。面積延拉倍率爲1 5〜 3 5倍，且以2 0〜3 0倍爲佳。熱固定溫度可由1 9 0 〜2 5 0 °C之範圍內決定、處理時間可由1〜6 0秒之範 圍內決定。 -14- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 527273 A7 __B7 五、發明說明（12) 除了此類逐次雙軸延拉法以外，亦可使用同時雙軸延 拉法。又，於逐次雙軸延拉法中，縱方向、橫方向之延拉 次數並非限於1次’可將縱、橫延拉進行數次之延拉處理 ，且其次數並無限定。例如，於欲提高機械特性之情形中 ，對於熱固定處理前之上述雙軸延拉薄膜可在（τ g + 20)〜（Tg + 7 0) °C之溫度下進行熱處理，並再於 局於此熱處理溫度1 0〜4 0 °C下，於縱方向或橫方向上 延拉，其後再於高於此延拉溫度2 0〜5 0。(：之溫度下， 於橫方向或縱方向上延拉，令縱方向之總延拉倍率爲 4 · 0〜6 · 0倍，橫方向之總延拉倍率爲3 · 〇〜 6 . 0倍爲佳。 依據共同擠壓法製造層合薄膜時，將二種以上之熔融 聚酯於型板內疊層後壓出薄膜狀，且較佳以各聚酯熔點（ Tm : °C)至（Tm+7〇) °c之溫度下壓出，或者將二 種以上之熔融聚酯由型板內壓出後予以疊層，急冷固化作 成層合未延拉薄膜，其次以單層薄膜之相同方法、條件， 進行雙軸延拉、熱處理作成層合雙軸配向薄膜。 又’依據塗佈法製造層合薄膜時，較佳在前述（層合 )未延拉薄膜或（層合）單軸延拉薄膜之單面或兩面塗佈 所欲的塗佈液則可取得。 磁記錄媒體 若根據本發明，則同樣提供以本發明之上述雙軸配向 聚酯薄膜作爲基底薄膜，且於其單面具有磁性層之磁記錄 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -15- (請先閱讀背面之注意事項再填: ·

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 527273 A7 B7 五、發明說明（13) 媒體。 (請先閱讀背面之注意事項再填: 磁記錄媒體若爲以上述本發明之雙軸配向聚酯薄膜作 爲基底薄膜，則無特別限定，則可列舉例如Q I C和 D L T及更高容量類型之S - D L T和L T〇等之線性循 跡方式之數據貯存帶等。尙，因爲基底薄膜爲經由溫濕度 變化所造成之標度變化、及高張力下且高溫高濕狀態下重 覆行走時所產生之縱方向的時效延拉（蠕變）所造成之寬 度方向的時效延拉（蠕變）之標度變化極小，故爲了確保 磁帶之高容量化，乃作成適於即使軌跡齒距狹窄亦難引起 軌跡不齊之高密度高容量的磁記錄媒體。 實施例 以下，根據實施例進一步說明本發明。尙，本發明中 的各種物性値及特性爲如下測定、且定義。 (1 )楊氏模量 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 將薄膜切成試料寬1 〇 m m、長度1 5 c m，且以卡 盤間隔1 0 Omm、拉引速度1 〇mm/m i η ，圖表速 度5 0 Onim / m i η下，以英斯特朗（Instron )型萬能 拉引試驗機予以拉引，並由所得之負重-延伸曲線之開始 部的連接線計算出楊氏模量。 (2)表面粗度（WRa、WRz) 使用W Y K 0公司製非接觸式三維粗度計（Ν τ 一 16 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 527273 A7 B7 五、發明說明（14) 2 0 0 0 )以測定倍率2 5倍，測定面積2 4 6 · 6 // m

(請先閱讀背面之注音3事項再填imK X187 · 5//m (〇 ·〇462mm2)之條件，以測定 數（η ) 1 0以上進行測定，並且經由該粗度計內藏的表 面解析軟體，求出中心面平均粗度（W R a )、及1 0點 平均粒度（W R z )。 (A )中心面平均粗度（W R a ) 777 η _ WRa= ΣΣ丨· η) k=\ j=\ 此處，z = · n) /=i y=i

Zjk爲測定方向（246 · 6//m)、與其呈直角方 向（187 · 5//m)之各m比例，n比例時之各方向之 第j、第k位置中之三維粗度圖表上的高度。 (B ) 1 0點平均粗度（W R z ) 由波峯（Hp)高者取出5點並且谷（Hv)之低者 取出5點，並將其平均粗度視爲W R ζ。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ( +你2 +你3 +姻+觸一（你1 +观+洲+洲+调 WRz=----- (3 )惰性粒子之平均粒徑 使用島津製作所製C P — 5 0型Centrifugal Particle Size Analyzer進行測定。根據所得之離心沈激曲線所算出 之各粒子粒徑及其存在量之累積曲線，讀取相當於5 0質 -17- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 527273 A7 ____ 五、發明說明（15) 量％ ( m a s s p e r c e n t )之粒徑，並以此値視爲上述平均粒徑 〇 (4 )寬度方向之熱收縮率 於設定在溫度1 0 5 °C之恆溫室中，將事先測定正確 長度之薄膜之於寬度方向切出長度約30公分、寬1公分 之薄膜，於無負重下放入，保持3 0分鐘後取出，恢復至 室溫後讀取其標度之變化。由熱處理前之長度（L 0 )與 熱處理後之長度（L 1 )，依下式算出熱收縮率。 熱收縮率=(L◦一Ll)/L〇xl〇0 〔％〕 (5 )溫度膨脹係數（a t ) 將薄膜樣品於薄膜寬度方向切出長度1 5 m m、寬度 5mm，並安裝於真空理工製TMA300 0，於氮氛圍 氣下，6 0 °C中前處理3 0分鐘，其後降溫至室溫。其後 由2 5 °C以2 °C / m i η升溫至7 0 °C爲止，並測定各溫 度下之樣品長度，由下式算出濫度膨脹係數（α t )。 -!!!.#! (請先閱讀背面之注意事項再填頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 T △ ) )X m m1 mm) L c c°c數 彳} 度度 o 係 \ 注長長 4 脹 } { 品品 | 膨 ^~_ 樣 樣 ο 度 L ο 之之 6 、溫 | 1 時時 |一 之 2 xpocc 璃 L 5 ο ο ο 玻 ( · 4 6 2 英 Γ1 πυ ·. ·. ·.一一 1—I 2T t L L △注 α ， 處 b -18- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS^A4規格GW X 297公釐） 527273 A7 B7 五、發明說明（16) (6 )濕度膨脹係數 將薄膜樣品於薄膜寬度方向切出長度1 5 m m、寬度 5mm，並安裝於真空理工製TMA3000 ，並由氮氛 圍氣下，於濕度3 0%RH、及濕度7 0%RH保持一定 ，並測定此時之樣品長度，以下式算出濕度膨脹係數。 a h = { (L2 — Ll)//(LlxAH) } 此處，L 1 :濕度3 Ο % R Η時之樣品長度（m m ) L 2 :濕度7 Ο % R H時之樣品長度（m m ) △ H:40( = 7〇 — 30%RH) (7 )薄膜之縱方向外加負荷後之寬度方向的殘留收縮 於溫度2 3 °C，濕度5 0 %之氛圍氣下，將切出狹縫 寬12 · 65mm (1/2吋）之薄膜（長度30公分） 如圖1所示安裝。尙，爲了可令切出狹縫1 2 · 6 5 m m 之樣品可在檢測器中測定寬度方向之標度，乃事先於表面 將金予以濺鍍澱積。於此狀態下，將薄膜之單側（另一側 爲固定）加以薄膜厚度方向每單位截面積以2 · .7公斤之 重量，並以Keyence製激光外徑測定器（本體：3 1 0 0型 、感應器：3 0 6 0型）測定此時薄膜寬度（L 1 )。 其後，於49°C (120°F) x90%RH之高溫高 濕下，於單側（另一側爲固定）加以薄膜厚度方向每單位 截面積以2 · 7公斤之重量，且處理7 2小時（3日）後 ，移除重物，並於溫度2 3 °C，濕度5 0 %之氛圍氣下調 濕2 4小時後，再於薄膜之單側（另一側爲固定）加以 (請先閱讀背面之注意事項再填 I) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -19- 527273 五、發明說明（17) 170克（6oz)之重量，並以Keyence製激光外徑、測定 器（本體：3 1 0 0型、感應器：3 0 6 〇型）測定此時 薄膜寬度（L 2 )。 由上述測定之溫濕度處理前後之標度，以下式算；m 重下溫濕度處理前後之寬度標度變化（a W )。 x 1 〇 0 ( % ) (8 )結晶度 以密度梯度管測定聚酯薄膜之密度，並依下式算出結 晶度。 結晶度=~ ~ X 1 0 0 dc-da 此處d :薄膜之.密度，d a :非晶密度，d c ··結 密度。尙，聚乙烯一 2，6 -萘二羧酸酯之情況，d a 非晶密度=1 · 3 1 . 4 0 7 g / c (9 )軌跡不齊（錯誤速率） 使用Medialogic公司製ML4500B、QIC用系 統，以下述條件測定錯誤速率。 電流=15·42mA 頻率：0 · 2 5 Μ Η z 位置二0 閾値：4 0 · 0

Bad/Good/MAX: 1/1/1 請 先 閱 讀 背 之 注 { ( L 2 — L 1 )

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L 曰曰 g / c m 3、d c :結晶密度 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 項 再 填 訂 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -20 - 527273 A7 B7 五、發明說明（1S) 軌跡：2 8 尙，錯誤速率數目爲以測定之軌跡數（二2 8 )之平 均値表示。 條件1及條件2之測定爲如下進行。 條件1 :於1 0 °C、 1 0 % R Η之溫濕度下記錄後， 於4 5 t、8 0 % R Η之溫濕度下放送，測定溫濕度變化 所造成之軌跡不齊量。 條件2 ··於2 3 °C、5 0 % R Η之溫濕度下記錄後， 於4 0 °C、6 0 % R Η之溫濕度下重覆行走6 〇小時，且 恢復至2 3 °C，5 0 % R Η之溫濕度下，保持2 4小時後 ，將記錄放送，測定較高溫高濕度下行走之寬度收縮所造 成的軌跡不齊量。 評價基準爲如下。 ◎:無錯誤速率 〇：雖有錯誤速率，但實用上無問題 X ··錯誤速率多，實用上有問題 (1 0 )玻璃態化溫度（τ g ) 將薄膜1 〇毫克於3 3 0 °C下熔融5分鐘後，妥裝至 精工電子工業（株）製熱分析系統（差示掃描熱量計） SSC5200、DSC220，且於氮氣流中以20°C / m i η之升溫速度下加熱，並以基線出現不連續區域之 中點溫度視爲T g。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -21 - (請先閱讀背面之注意事項再填: 訂·· -線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 527273 A7 - ____ B7 五、發明說明（19) (1 1 )吸熱波峯之吸熱能量 將薄膜1 0毫克安裝於精工電子工業（株）製熱分析 系統（差示掃描熱量計）SSC5200、D S C 2 2 0 ’且於氮氣流中以2 0 °C /分鐘之升溫速度下加熱，並由 對應之D S C圖表上之吸熱側面積求出薄膜的吸熱能量。 此面積隨著升溫而由基線於吸熱側分岐，再繼續升溫經過 吸熱波峯後，恢復至基線位置爲止爲吸熱側之面積，由吸 熱開始溫度位置至終了溫度位置以直線連結，求出面積（ A )。以相同之D S C測定條件測定I η (銦），並以其 面積（Β)爲28 · 5mJ/mg，以下式求出。 吸熱能量=(A/B) X2 8 · 5mJ/mg 實施例1 將含有平均粒徑0 · 6 // m碳酸鈣粒子〇 · 〇 2重量 %，平均粒徑0 · 1 // m矽石粒子〇 · 2重量％之聚乙烯 一 2，6 -萘二竣酸酯，於1 8 0 °C下乾燥5小時後，供 給至擠壓機漏斗中，以3 0 0 °C熔融，並使用T型擠出型 板予以壓出，於保持表面整飾0 · 3 S、表面溫度6 0 °C 之澆鑄鼓上急冷固化，取得未延拉薄膜。 將此未延拉薄膜於7 5 °C中預熱，再於低速、高速之 滾筒間，由1 4 m m上方以8 3 0 °C表面溫度之紅外線加 熱器予以加熱且延拉5 · 1倍，急冷，並繼續供給至展幅 機，於1 2 5 °C中於橫方向延拉4 · 8倍。再繼續於 2 4 0 °C下熱固定1 0秒鐘後，於1 2 0 °C中於橫方向施 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -22 - ——：----------! (請先閱讀背面之注意事項再填: · 線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 527273 A7 B7 五、發明說明（20) (請先閱讀背面之注意事項再填ίΐφ頁： 以1 · 0 %鬆驰處理，取得厚度4 · 5 // m之雙軸配向薄 膜。所得薄膜之楊氏模量爲縱方向8 G P a、橫方向 6 · 5 G P a。 另一方面，將下述所示之組成物放入球磨中，混練、 分散1 6小時後，加入異氰酸酯化合物（Bial公司製之 Dismodule L ) 5重量份，並高速剪斷分散1小時，取得磁 性塗料。 磁性塗料之組成： 針狀鐵粒子 1 0 0重量份 氯乙烯-醋酸乙烯酯共聚物 (積水化學製S L E X 7 A 熱塑性聚胺基甲酸酯樹脂 氧化鉻 碳黑 卵磷脂 脂肪酸酯 甲苯 經濟部智慧財產局員Κ消費合作社印製 1 5重量份 5重量份 5重量份 5重量份 2重量份 1重量份 5 0重量份 5 0重量份 5 0重量份 5 —萘二羧酸酯 其次於 甲基乙基酮 環己酮 將此磁性塗料，於上述聚乙烯- 2， 薄膜 2， 下加 N / 之單面上塗佈成塗佈厚度0 · 5 //m 5 0 0高斯之直流磁場中進行配向處理，於1 0 0 t 熱乾燥後，進行超砑光機處理（線壓2，0 0 0 c m、溫度8 0 t )，並且捲取。將此捲取之滾筒於 没週用中國國家標準（CNS)A4規格（210 χ 297公釐） -23 527273 A7 B7 五、發明說明（21) 5 5 °C之烤爐中放置3曰。 再將下述組成之背塗層塗料塗佈成厚度1 ’並且 (請先閱讀背面之注意事項再填: 乾燥，再截斷成1 2 · 6 5 m m ( = 1 / 2吋），取得磁 mb 市 ° 背塗層塗料之組成： 碳黑 1 0 0重量份 熱塑性聚胺基甲酸酯樹脂 6 0重量份 異氰酸酯化合物 1 8重量份 (曰本 Dolyurethane 工業公司製 Chlorate L ) 矽油 0 · 5重量份 甲基乙基丽 250重里份 甲苯 5 0重量份 所得薄膜及磁帶之特性示於表1。如此表所闡明般’ 爲錯誤速率少，且輸出功率特性亦爲良好。 實施例2 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 作成含有平均粒徑0 · 3 // m交聯聚矽氧烷樹脂粒子 0 . 1 3重量％、平均粒徑0 · 1 # m球狀矽石粒子 0 · 25重量％之A層用聚乙烯—2，6 —萘二羧酸酯； 及含有平均粒徑〇 . 1 // m球狀矽石粒子0 · 1重量％之 B層用聚乙烯一 2 ，6 —萘二羧酸酯。將此聚乙烯一 2， 6 一萘二羧酸酯之九狀物於1 8 0 °C下乾燥5小時後，分 別供給至2台擠壓機之漏斗中，並以熔融溫度3 0 0 °C予 以熔融’使用多支管型共同擠壓型板將A層與]6層疊層並 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -24 - 527273 A7

五、發明說明（22) 擠壓，於保持表面整飾〇 · 3 S，表面溫度6 0 °C之澆鑄 歧上急冷固化’取得未延拉薄膜。 (請先閱讀背面之注意事項再填^|^負) 將此未延拉薄膜於7 5 °C中預熱，再於低速、高速之 滾筒間’由1 4 m m上方以8 3 0 t表面溫度之紅外線加 熱器予以加熱且延拉5 · 4倍，急冷，並繼續供給至展幅 機，於1 2 5 °C中於橫方向延拉3 · 9倍。再繼續於 2 2 0 °C下熱固定1 0秒鐘後，於1 2 0 °C中於橫方向施 以4 · 0 %鬆弛處理，取得厚度4 · 5 // m之雙軸配向薄 膜。所得薄膜之楊氏模量爲縱方向9 G P a、橫方向6 G P a。 以下爲以實施例1同樣之方法熱處理後，將實施例1 相同之磁性塗料塗佈B層面，且於反面之A層面塗佈實施 例1相同之背塗料，取得磁帶並且評價。其結果示於表1 。取得與實施例1同樣良好之結果。 實施例3 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 除了將實施例2之A層用惰性粒子變更成平均粒徑 〇.3//m之球狀矽石粒子〇 . 2 5重量％，平均粒徑 〇· l//m之球狀矽石粒子0 · 23重量％，且於B層用 惰性粒子爲使用平均粒徑0 · 1 # m之球狀矽石〇 ·◦ 1 重量％，又，熱固定溫度爲2 0 0 °C，且橫鬆弛率爲 2 · 0 %以外，同實施例2處理，取得厚度4 · 5 // m之 雙軸配向薄膜。所得薄膜之楊氏模量爲縱方向9 G P a、 橫方向6 G P a。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -25- 527273 A7 B7 五、發明說明（23) 將此雙軸配向薄膜同實施例加工取得磁帶。其結果示 於表1。取得與實施例1同樣良好之結果。 比較例1及2 以實施例2同樣之方法取得未延拉薄膜’並將此未延 拉薄膜以實施例2同樣之方法延拉’且以表1所示之熱固 定溫度處理1 0秒鐘’取得厚度4 · 5 // m之雙軸配向薄 膜。又，磁帶爲同實施例2處理取得。 於表1所示之條件1或條件2中的軌跡不齊大，爲不 佳之結果。 比較例3〜5 以實施例2同樣之方法取得未延拉薄膜’並將此未延 拉薄膜以表1所示之楊氏模量調整縱延拉倍率及橫延拉倍 率，且於2 0 5 °C下熱固定處理1 0秒鐘，取得4 · 5 // m之雙軸配向薄膜。又，磁帶爲同實施例2處理取得。 於表1所示之條件1或條件2中的軌跡不齊大，爲不 請 先 閱 讀 背 面 之 注 意 事 項 再 頁 果 結 之 佳 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） _ 26 - 527273 A7 __Β7 五、發明說明（枓） 寸·0 ίί ο 袞 0·6 0.9UMM 函 gi s-

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N_ I csl#=· It:· «lil 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐）^ 527273 A7 B7 五、發明說明（25) 實施例4 (請先閱讀背面之注意事項再填—頁： 將含有平均粒徑0 · 6 // m碳酸鈣粒子〇 · 〇 2重量 %及平均粒徑0 · 1 V m矽石粒子〇 . 2重量％之聚乙烯

一 2 ，6 —萘二羧酸酯（固有粘度：0 · 6 )於1 8 0 °C 乾燥5小時後，於3 0 0 °C熔融擠壓，且於保持在6 0 °C 之澆鑄鼓上急冷固化，取得未延拉薄膜。將此未延拉薄膜 於具有速度差之二個滾筒間，以1 2 0 °C之溫度延拉 5 · 5倍，再以展幅機於橫方向延拉4 · 1倍，其後於 2 0 5 t：下熱固定1 0秒鐘，取得厚度5 · 0 // m之雙軸 配向薄膜。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 將所得之雙軸配向薄膜切出寬1，0 0 0 m m、長度 5，0 0 〇 m之縫隙，作成樣品滾筒。於此狀態下，歷 2 4小時升溫至1 2 0 t爲止，並且保持2 4小時後，歷 2 4小時降溫至溫度並進行熱處理。對於熱處理後之薄膜 ，以D S C測定觀察與顯示結晶熔解熱波峯不同之另外的 吸熱波峯，並且其吸熱能量爲1 · 7mJ/mg。又，所 得薄膜之楊氏模量爲縱方向9 0 0 k g /m m 2，橫方向 6〇0kg/mm2。 以實施例1所準備之相同磁性染料，於上述雙軸配向 薄膜之單面塗佈成塗佈厚度0 · 5 //m，其次於 2，5 0 〇高斯之直流磁場中進行配向處理，於1 〇 〇 °C 下加熱乾燥後，進行超砑光機處理（線壓2 0 0 N / c m 、溫度8 0 t )，並且捲取。將此捲取之滾筒於5 5 °C之 烤爐中放置3曰。 -28- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 527273 A7 B7 五、發明說明（26) (請先閱讀背面之注意事項再填: 再以實施例1所同樣準備之背塗層塗料於該薄膜之另 一面（非磁性層側之面），塗佈成厚度1 // m，乾燥，並 再裁斷成12 · 65mm (=1/2吋），取得磁帶。 所得薄膜及磁帶之特性示於表2。如此表所闡明般， 所得之磁帶爲錯誤率少，且輸出功率特性亦爲良好。 比較例6 除了未將樣品滾筒熱處理以外，同實施例4處理，取 得磁帶。所得薄膜及磁帶之特性示於表2。如此表所闡明 般，所得之磁帶爲條件2之軌道不齊大，爲有問題。 比較例7及8 除了變更雙軸配向薄膜製膜時之延拉倍率，且變更成 表2所示之楊氏模量以外，同比較例6處理，取得磁帶。 所得磁帶之特性示於表2，比較例7於條件1之軌道不齊 大，又，比較例8於條件2之軌道不齊大，爲有問題。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 實施例5 準備含有平均粒徑〇 · 3 # m交聯聚砂氧院樹脂粒子 〇· 1 3重量％，平均粒徑〇 · 1 # m球狀砂石粒子 〇 · 25重量層用聚乙烯一 2 ’ 6 —奈一殘酸酯（ 固有粘度：〇 · 6 )，及含有平均粒徑〇 · 1 V m球狀砂 石粒子ϋ · 1重量％之A層用聚乙烯一 2，6 —萘一竣酸 酯（固有粘度：0 · 6 )，並將此些聚乙烯一 2 ，6 —萘 29 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 527273 A7 B7 五、發明說明（27) 二羧酸酯之九狀物於1 8 0 °C下乾燥5小時後，供給至2 台擠壓機之漏斗中，並以熔融溫度3 0 0 °C予以熔融，使 用多支管型共同擠壓型板，於B層之單側令A層疊層，並 於表面整飾加工0 · 3 S程度，表面溫度6 0 °C之澆鑄鼓 上壓出，取得層合未延拉薄膜。尙，層厚度之構成爲以2 台擠壓機之吐出量調整成表1之表面粗度。 將此層合未延拉薄膜於具有速度差之二個滾筒間，以 1 2 0 °C之溫度延拉5 · 5倍，再以展幅機於橫方向延拉 4 · 1倍，其後於2 0 5 °C下熱固定1 0秒鐘。 將所得之雙軸配向薄膜切出寬1，0 0 0 m m、長度 5，0 0 0 m之縫隙，作成樣品滾筒。於此狀態下，歷 2 4小時升溫至1 0 0 °C爲止，並且保持2 4小時後，歷 2 4小時降溫至溫度並進行熱處理。對於熱處理後之薄膜 ，以D S C測定觀察與顯示結晶熔解熱波峯不同之另外的 吸熱波峯，並且其吸熱能量爲1 · OmJ/mg。又，所 得薄膜之楊氏模量爲縱方向9 0 0 k g /m m 2，橫方向 600kg/mm2。 於此薄膜之A層（磁性層側）表面塗佈磁性塗料，於 B層（非磁性層側）表面將背塗層塗料同實施例4塗佈， 並且乾燥，再裁斷成12 .65mm (=1/2吋），取 得磁帶。 所得層合薄膜及磁帶之特性示於表2。如此表所闡明 般，所得磁帶爲錯誤速率少，且輸出功率特性亦爲良好。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -30 - (請先閲讀背面之注意事項再填： 訂·· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 527273 A7 B7 五、發明說明（28) 實施例6 除了將層合聚酯薄膜中所含有之惰性粒子’於β層用 聚乙烯一 2，6 —萘二羧酸酯變更成平均粒徑0 · 3 # m 球狀砂石粒子0 · 2 5重量％及平均粒徑〇 · 1 # m球狀 矽石粒子0 · 2 3重量％，且於A層用聚乙烯一 2 ’ 6-萘二羧酸酯變更成平均粒徑〇 · 1 # m球狀砂石粒子 〇· 0 1重量％，且所得雙軸配向薄膜之滾筒樣品的熱處 理溫度變更成8 0 °C以外，同實施例5處理’取得磁帶樣

PP (請先閱讀背面之注意事項再填1 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 所得層合薄膜及磁帶之特性示於表2 °如此表所闡明 般，所得磁帶爲錯誤速率少，且輸出功率特性亦爲良好。 實施例7 除了將聚酯中所含有之惰性粒子變更成平均粒徑 0 · 3 // m之球狀矽石粒子〇 · 1 5重量％，且將滾筒樣 品之熱處理溫度變更成6 0 °C以外，同實施例1處理’取 得薄膜及磁帶。 所得薄膜及磁帶之特性示於表2。如此表所闡明般’ 所得磁帶錯誤速率少，且輸出功率特性亦爲良好。 訂 ▲ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -31 - 527273 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五 明 說 明 發 (29) ο.ς ys

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SAVfl益M 1}M劍驷 «ΓΝ1Φ}擧 I#:· 0S0 w—1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -32- 527273 A7 _____B7_____ 五、發明說明（30) 若根據本發明，則可提供無軌跡不齊所發生之錯誤速 磁 之 帶 存 貯 據 數 位 數 之 優 性。 特膜 率薄 功酯 出聚 輸向 爲配 作軸 於雙 用用 可體 且媒 ， 錄 率記 (請先閱讀背面之注意事項再填: I I I I II I 訂--— II---. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -33- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）

Claims (1)

1. 527273 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 第89 1 1 1 33 3號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 民國9 1年11月&日修正 1 . 一種磁記錄媒體用雙軸配向聚酯薄膜，其特徵爲 (1 )於薄膜厚度方向之單位截面積每1 rn m 2負以 2 · 7公斤負重且49°C、90%RH下處理72小時， 處埋前後之薄膜面上，與該負重負荷方向呈直角方向之尺 寸變化爲0 · 4 0 %以下， · (2 )結晶化度爲2 7〜4 5 %， (3 )於薄膜面上，與該負重負荷方向呈直角方向之 溫度膨脹係數a t爲一 5 X 1 0 - 6〜+ 2 Ο X 1 0 — 6 /t 之範圍，於薄膜面上，與該負重負荷方向呈直角方向之濕 度膨脹係數ah爲+5x 1〇一6〜+20x 10 一 6/% RH之範圍，且（a t + 2ah)之値爲+4 5x 1〇—6 以下， (4 )於薄膜面上，與該負重負荷方向呈直角方向之 熱收縮率爲0〜0 · 7 %之範圍，和 (5 )薄膜厚度爲3〜7 // m之範圍。 2 ·如申請專利範圍第1項之薄膜，其爲於差示掃描 型熱量計（D S C )測定之2 〇〜1 6 0 °C之溫度範圍 內’具有0 · 0 5niJ/nig以上熱墓之吸熱波峯。 3 .如申請專利範圍第1項之薄膜’其爲由單層構造 所組成且至少一露出表面的中心面平均粗f造度W R a爲1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210χ297公楚） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、1T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 527273 A8 B8 C8 ________ D8 六、申請專利範圍 〜1〇η m，且1 〇點平均粗糙度w R Z爲3 0〜2 5 0 n m 〇 4 ·如申請專利範圍第1項之薄膜，其爲由至少二層 之層合構造所組成，且一露出表面之WR a爲1〜1〇 n m、且W R z爲3 〇〜2 5 0 n m，另一露出表面之 WRa 爲 5 〜20nm、且 WRz 爲 1 〇〇 〜30〇nm 〇 5 .如申請專利範圍第1項之薄膜，其中該負重負荷 方向之楊氏模數至少爲6 G P a ，與該負重負荷方向呈直 角方向之楊氏模數至少爲4 G P a ，且此呈直角之二方向 的楊氏模數和爲1 0〜2 OGP a。 6 .如申請專利範圍第5項之薄膜，其中該負重負荷 方向之楊氏模數係大於與其呈直角方向之楊氏模數。 7 ·如申請專利範圍第1項之薄膜，其爲以聚2，6 -萘二羧酸乙二酯作爲素材。 8 · —種磁記錄媒體，其爲由如申請專利範圍第1項 之雙軸配向聚酯薄膜及其單側表面上之磁性層所構成。 9 .如申請專利範圍第8項之磁記錄媒體，其中雙軸 配向聚酯薄膜爲由單層構造所組成，至少一露出表面之中 心面平均粗糙度W R a爲1〜1 0 n m，且1 〇點平均粗 糙度WR z爲3 0〜2 5 0，且於該露出表面上係存在該 之磁性層。 ]_ 〇 .如申請專利範圍第8項之磁記錄媒體，其中雙 軸配向聚酯薄膜爲由至少二層之層合構造所組成，一露出 本^張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ~ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

   經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 527273 A8 B8 C8 D8 ^、申請專利乾圍 表面之WRa爲1〜1〇nm、且WRz爲3 0〜25〇 n m，另一露出表面之W R a爲5〜2 Ο n m、且W R ζ 爲1〇〇〜3〇0 n m ，並且於W R a爲1〜1 〇 n m且 WR ζ爲3 0〜2 5 0 nm之該露出表面上係存在該之磁 性層。 1 1 .如申請專利範圍第8項之磁記錄媒體，其爲數 位記錄型磁記錄媒體。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -3- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐）