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TW202430149A - Ｎ，ｎ－二甲基色胺之結晶形式及其使用方法 - Google Patents

Ｎ，ｎ－二甲基色胺之結晶形式及其使用方法 Download PDF

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TW202430149A
TW202430149A TW112143668A TW112143668A TW202430149A TW 202430149 A TW202430149 A TW 202430149A TW 112143668 A TW112143668 A TW 112143668A TW 112143668 A TW112143668 A TW 112143668A TW 202430149 A TW202430149 A TW 202430149A
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TW
Taiwan
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dimethyltryptamine
xrpd
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iii
form iii
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Application number
TW112143668A
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English (en)
Inventor
馬傑德 法瓦茲
瑟圖 卡賽拉
Original Assignee
美商雅特益醫療公司
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Publication date
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    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D209/00—Heterocyclic compounds containing five-membered rings, condensed with other rings, with one nitrogen atom as the only ring hetero atom
    • C07D209/02—Heterocyclic compounds containing five-membered rings, condensed with other rings, with one nitrogen atom as the only ring hetero atom condensed with one carbocyclic ring
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    • C07D209/14—Radicals substituted by nitrogen atoms, not forming part of a nitro radical
    • C07D209/16—Tryptamines
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    • A61K31/395—Heterocyclic compounds having nitrogen as a ring hetero atom, e.g. guanethidine or rifamycins
    • A61K31/40—Heterocyclic compounds having nitrogen as a ring hetero atom, e.g. guanethidine or rifamycins having five-membered rings with one nitrogen as the only ring hetero atom, e.g. sulpiride, succinimide, tolmetin, buflomedil
    • A61K31/403—Heterocyclic compounds having nitrogen as a ring hetero atom, e.g. guanethidine or rifamycins having five-membered rings with one nitrogen as the only ring hetero atom, e.g. sulpiride, succinimide, tolmetin, buflomedil condensed with carbocyclic rings, e.g. carbazole
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Abstract

本發明提供 N,N-二甲基色胺之結晶形式， 。 本文亦提供使用 N,N-DMT之結晶形式及包含其之組合物的方法， 例如用於治療精神健康疾病及/或病症。

Description

N,N-二甲基色胺之結晶形式及其使用方法
N,N-二甲基色胺（ N,N-DMT）具有作為致幻劑之治療價值，其固有性質使其成為有吸引力的可能藥物，尤其對於神經性疾病及病況。活性醫藥成分之結晶形式提供控制重要生理化學品質，諸如穩定性、溶解性、生物可用性、粒徑、容積密度、流動特性、多晶型含量及其他特性之最佳方式。先前已鑑別出 N,N-DMT之兩種結晶形式且被命名為「形式I」（Bergin等人. Acta Crystallogr., Sect. B24, 882 (1968)及Gaujac等人. Talanta106, 394 (2013)）及「形式II」（Falkenberg等人. Acta Crystallogr., Sect B28, 3075 (1972)）。此項技術中仍需要研發 N,N-DMT之其他結晶形式。
本發明係關於 N,N-二甲基色胺之結晶形式 （ N,N-DMT）。
在實施例中，本發明提供 N,N-二甲基色胺之形式IV。
在實施例中，形式IV之特徵在於X射線粉末繞射（XRPD）圖案之峰在13.6±0.2、20.8±0.2及17.8±0.2 °2θ處。在實施例中，形式IV之特徵進一步在於至少一個選自以下之XRPD峰：13.9±0.2、14.0±0.2、15.4±0.2、18.6±0.2、23.6±0.2、24.5±0.2、26.0±0.2或26.7±0.2 °2θ。
在實施例中，形式IV之特徵在於XRPD圖案之峰在13.6±0.2、17.8±0.2及20.8±0.2處及至少一個XRPD峰係選自13.9±0.2、14.0±0.2、15.4±0.2、18.6±0.2、23.6±0.2、24.5±0.2、26.0±0.2或26.7±0.2 °2θ。
在實施例中，形式IV之特徵在於XRPD圖案之峰在13.6±0.2、13.9±0.2、14.0±0.2、15.4±0.2、17.8±0.2、18.6±0.2、20.8±0.2、23.6±0.2、24.5±0.2、26.0±0.2及26.7±0.2 °2θ處。
在實施例中，形式IV之特徵在於XRPD圖案之峰在7.7±0.2、10.4±0.2、11.9±0.2、13.0±0.2、13.6±0.2、13.9±0.2、14.0±0.2、15.2±0.2、15.4±0.2、16.2±0.2、16.9±0.2、17.5±0.2、17.8±0.2、18.1±0.2、18.6±0.2、19.3±0.2、19.8±0.2、20.8±0.2、21.1±0.2、21.6±0.2、22.4±0.2、22.7±0.2、23.6±0.2、23.8±0.2、24.5±0.2、24.8±0.2、25.2±0.2、26.1±0.2、26.7±0.2、26.9±0.2、27.5±0.2、28.0±0.2、28.2±0.2、28.6±0.2、28.8±0.2、29.3±0.2、29.5±0.2、29.6±0.2、30.2±0.2、30.4±0.2、30.6±0.2、30.9±0.2、31.1±0.2、31.6±0.2、31.9±0.2、32.8±0.2、33.2±0.2、33.7±0.2、34.5±0.2及35.3±0.2 °2θ處。
在實施例中，形式IV之特徵在於XRPD圖案與 圖 3中所示之XRPD圖案實質上類似。
在實施例中，形式IV展現出包含在69±5℃處開始之吸熱峰的差示掃描熱量測定（DSC）熱分析圖。在實施例中，形式IV展現出包含在70±5℃處之吸熱峰的DSC熱分析圖。
在實施例中，形式IV在225±5℃下之溫度下展現出實質上無重量損失，如藉由熱解重量（TGA）分析所量測。
在實施例中，形式IV展現出69±5℃之熔點。
在實施例中，本發明提供 N,N-二甲基色胺之形式III。
在實施例中，形式III之特徵在於XRPD圖案之峰在7.6±0.2及15.2±0.2處。在實施例中，形式III之特徵進一步在於至少一個選自以下之XRPD峰：19.2±0.2 °2θ、19.6±0.2或23.0±0.2 °2θ處。
在實施例中，形式III之特徵在於XRPD圖案之峰在7.6±0.2、15.2±0.2、19.2±0.2、19.6±0.2及22.9±0.2 °2θ處。
在實施例中，形式III之特徵在於XRPD圖案之峰在7.6±0.2、15.2±0.2、16.8±0.2、19.2±0.2、19.6±0.2、20.0±0.2、20.4±0.2、20.7±0.2、21.5±0.2、22.4±0.2、22.9±0.2、23.1±0.2、26.3±0.2、27.1±0.2、27.8±0.2、28.5±0.2、30.7±0.2及31.56±0.2 °2θ處。
在實施例中，形式III之特徵在於XRPD圖案與 圖 2中所示之XRPD圖案實質上類似。
在實施例中，形式III展現出包含在67±5℃處開始之吸熱峰的DSC熱分析圖。在實施例中，形式III展現出包含在68±5℃處開始之吸熱峰的DSC熱分析圖。
在實施例中，形式III在200±5℃下之溫度下展現出實質上無重量損失，藉由TGA分析所量測。
在實施例中，形式III展現出39±5℃之熔點。
在實施例中，本發明提供包含 N,N-二甲基色胺之形式IV的醫藥組合物。在實施例中，醫藥組合物進一步包含醫藥學上可接受之賦形劑。在實施例中，本發明提供包含 N,N-二甲基色胺之形式IV的口服劑型。
在實施例中，本發明提供包含 N,N-二甲基色胺之形式III的醫藥組合物。在實施例中，醫藥組合物進一步包含醫藥學上可接受之賦形劑。在實施例中，本發明提供包含 N,N-二甲基色胺之形式III的口服劑型。
本發明提供治療有需要之個體之創傷後壓力症（PTSD）的方法，其包含向該個體投與治療有效量之本文所描述之 N,N-二甲基色胺之形式IV、 N,N-二甲基色胺之形式III、醫藥組合物或口服劑型。
本發明提供治療有需要之個體之創傷後壓力症（PTSD）的方法，其包含向該個體投與治療有效量之本文所描述之 N,N-二甲基色胺之形式IV、 N,N-二甲基色胺之形式III、醫藥組合物或口服劑型。在實施例中，該抑鬱為重度抑鬱症（MDD）或難治性抑鬱（TRD）。
本發明提供治療有需要之個體之焦慮症的方法，其包含向該個體投與治療有效量之 N,N-二甲基色胺之形式IV、 N,N-二甲基色胺之形式III、醫藥組合物或口服劑型。
所有公開案、專利及專利申請案（包括其中之任何圖式及附件）出於所有目的以全文引用之方式併入本文中，其併入程度如同各個別公開案、專利或專利申請案、圖式或附件特定且個別地指示為出於所有目的以全文引用之方式併入一般。 定義
儘管一般熟習此項技術者咸信以下術語能充分地理解，但闡述以下定義以便於解釋本發明所揭示之主題。
如本文中所使用之術語「投與（administer/administering/administration）」係指向患者投與化合物或該化合物之醫藥學上可接受之鹽或包含該化合物或該化合物之醫藥學上可接受之鹽的組合物或調配物。
與患者或個體有關之術語「預防（preventing）」係指在未出現之情況下預防疾病發展的起始、預防疾病或病症出現於可能易患病症或疾病但尚未經診斷為患有病症或疾病之個體或患者中，及/或在已經存在之情況下預防另一疾病/病症發展。
如本文關於分析型光譜（諸如XRPD圖案）所使用之術語「實質上類似」意謂光譜類似於在峰位置及其相對強度兩者中之參考光譜，從而允許在此項技術中合適之變化性。舉例而言，當兩個光譜共用定義足以將其與針對不同固體形式獲得之光譜區分之特徵時，兩個光譜可被視為「實質上類似」。在實施例中，與參考結晶形式之彼等光譜或特徵化資料實質上類似的光譜或特徵化資料由一般熟習此項技術者理解為對應於與特定參考物相同的結晶形式。在分析光譜或特徵化資料是否實質上類似時，一般熟習此項技術者理解，由於例如實驗誤差及常規樣品分析，特定特徵化資料點可在仍描述給定固體形式時變化至合理程度。
如本文中關於患者或個體所用之術語「治療」係指改善患者或個體病症之至少一種症狀。在一些實施例中，治療可為改善病症或病症之一或多種症狀，或至少部分地改善病症或病症之一或多種症狀。
術語「治療有效」應用於劑量或量係指足以在向有需要之患者或個體投與之後產生所需臨床益處的化合物或醫藥調配物之量。
所有XRPD峰及圖使用Cu Kα1輻射在1.5406Å之波長下以°2θ給出。角度2θ之值允許適當之誤差界限。舉例而言，約「17.48±0.2」之角度2θ指示約17.46至17.50角度2θ之範圍。視樣品製備技術、應用於儀器之校準技術、人員操作變化等而定，熟習此項技術者認識到，XRPD之適當界限誤差可為±0.2，其包括低於±0.2之任何值，諸如±0.1；±0.05；或更低。
相同化合物之給定結晶形式的TGA及DSC熱分析圖將在誤差界限內變化。以攝氏度表示之單個峰之值允許適當誤差界限。通常，誤差界限表示為「±」。舉例而言，約「120±5」之單峰特徵值指示約115至125之範圍。視樣品製備技術、應用於儀器之校準技術、人員操作變化等而定，熟習此項技術者認識到，單峰特徵值之適當界限誤差可為±5，其包括±5以下之任何值，諸如±4、±3.5、±3、±2.5、±2.0、±1.5、±1.0、±0.5；或較低。
以下描述包括可適用於理解本發明之資訊。不承認本文所提供之該資訊中之任一者為先前技術或與當前所主張的發明有關，或任何出版物具體地或隱含地參考為先前技術。 N,N- 二甲基色胺（ N,N-DMT ）之結晶形式
在一個態樣中，本發明提供 N,N-DMT之結晶形式。在實施例中， N,N-DMT之結晶形式為形式III。在實施例中， N,N-DMT之結晶形式為形式IV。在實施例中， N,N-DMT之結晶形式為形式III與形式IV之混合物。
在實施例中， N,N-DMT之結晶形式包含 N,N-DMT之一或多種形式（ 例如，形式III或IV）之混合物。在一些實施例中， N,N-DMT之結晶形式包含 N,N-DMT之一種形式之基本上純的形式。在實施例中，基本上純的形式為形式III。在實施例中，基本上純的形式為形式IV。
在實施例中， N,N-DMT之結晶形式包含大於約99.9%、約99.8%、約99.7%、約99.6%、約99.5%、約99.4%、約99.3%、約99.2%、約99.1%或約99.0%之 N,N-DMT的一種形式（ 例如，形式III及/或形式IV）。
在實施例中， N,N-DMT之結晶形式包含大於約99%、98%、97%、96%、95%、94%、93%、92%、91%或90%之 N,N-DMT的一種形式。在一些實施例中， N,N-DMT之結晶形式包含大於約90%、85%、80%、75%、70%、65%、60%、55%、50%、45%或40%之 N,N-DMT之一種形式（ 例如，形式III及/或形式IV）。 I. 形式 III
在實施例中， N,N-DMT之結晶形式為形式III。
在實施例中，形式III之特徵在於XRPD圖案之峰在7.6±0.2及15.2±0.2處。在實施例中，此等峰中之任一者處之差異為±0.1°2θ。
在實施例中，形式III之特徵在於XRPD圖案之峰在7.6±0.2及15.2±0.2處及XRPD圖之至少一個峰係選自19.2±0.2 °2θ、19.6±0.2或23.0±0.2 °2θ。在實施例中，此等峰中之任一者處之差異為±0.1°2θ。
在實施例中，形式III之特徵在於XRPD圖案之峰在7.6±0.2、15.2±0.2、19.2±0.2及19.6±0.2 °2θ處。在實施例中，此等峰中之任一者處之差異為±0.1°2θ。
在實施例中，形式III之特徵在於XRPD圖案之峰在7.6±0.2、15.2±0.2、19.2±0.2及23.0±0.2 °2θ處。在實施例中，此等峰中之任一者處之差異為±0.1°2θ。
在實施例中，形式III之特徵在於XRPD圖案之峰在7.6±0.2、15.2±0.2、19.2±0.2、19.6±0.2及22.9±0.2 °2θ處。在實施例中，此等峰中之任一者處之差異為±0.1°2θ。
在實施例中，形式III之特徵在於XRPD圖案之峰在7.6±0.2、15.2±0.2、16.8±0.2、19.2±0.2、19.6±0.2、20.0±0.2、20.4±0.2、20.7±0.2、21.5±0.2、22.4±0.2、22.9±0.2、23.1±0.2、26.3±0.2、27.1±0.2、27.8±0.2、28.5±0.2、30.7±0.2及31.56±0.2 °2θ處。
在實施例中，形式III之特徵在於XRPD圖案與 圖 2中所示之XRPD圖案實質上類似。
在實施例中，形式III之特徵在於包含 表 4中所示之峰的XRPD圖案。
在實施例中，形式III之特徵在於包含 表 5中所示之峰的XRPD圖案。
在實施例中，形式III展現出包含在67±5℃處開始之吸熱峰的DSC熱分析圖。在實施例中，形式III展現出包含在68±5℃處開始之吸熱峰的DSC熱分析圖。
在實施例中，形式III在200±5℃下之溫度下展現出實質上無重量損失，藉由TGA分析所量測。
在實施例中，形式III展現出39±5℃之熔點。 II. 形式 IV
在實施例中， N,N-DMT之結晶形式為形式IV。
在實施例中，形式IV之特徵在於XRPD圖案之峰在13.6±0.2、20.8±0.2及17.8±0.2 °2θ處。在實施例中，此等峰中之任一者處之差異為±0.1°2θ。
在實施例中，形式IV之特徵在於XRPD圖案之峰在13.6±0.2、20.8±0.2及17.8±0.2 °2θ處及XRPD圖案之至少一個峰係選自13.9±0.2、14.0±0.2、15.4±0.2、18.6±0.2、23.6±0.2、24.5±0.2、26.0±0.2或26.7±0.2 °2θ。在實施例中，此等峰中之任一者處之差異為±0.1°2θ。
在實施例中，形式IV之特徵在於XRPD圖案之峰在13.6±0.2、13.9±0.2、17.8±0.2及20.8±0.2 °2θ處。在實施例中，此等峰中之任一者處之差異為±0.1°2θ。
在實施例中，形式IV之特徵在於XRPD圖案之峰在13.6±0.2、15.4±0.2、17.8±0.2及20.8±0.2 °2θ處。在實施例中，此等峰中之任一者處之差異為±0.1°2θ。
在實施例中，形式IV之特徵在於XRPD圖案之峰在13.6±0.2、17.8±0.2、18.6±0.2及20.8±0.2 °2θ處。在實施例中，此等峰中之任一者處之差異為±0.1°2θ。
在實施例中，形式IV之特徵在於XRPD圖案之峰在13.6±0.2、17.8±0.2、20.8±0.2及23.6±0.2 °2θ處。在實施例中，此等峰中之任一者處之差異為±0.1°2θ。
在實施例中，形式IV之特徵在於XRPD圖案之峰在13.6±0.2、17.8±0.2、20.8±0.2及24.5±0.2 °2θ處。在實施例中，此等峰中之任一者處之差異為±0.1°2θ。
在實施例中，形式IV之特徵在於XRPD圖案之峰在13.6±0.2、17.8±0.2、20.8±0.2及26.0±0.2 °2θ處。在實施例中，此等峰中之任一者處之差異為±0.1°2θ。
在實施例中，形式IV之特徵在於XRPD圖案之峰在13.6±0.2、17.8±0.2、20.8±0.2及26.7±0.2 °2θ處。在實施例中，此等峰中之任一者處之差異為±0.1°2θ。
在實施例中，形式IV之特徵在於XRPD圖案之峰在13.6±0.2、20.8±0.2及17.8±0.2處及至少一個XRPD峰係選自13.9±0.2、14.0±0.2、15.4±0.2、18.6±0.2、23.6±0.2、24.5±0.2、26.0±0.2或26.7±0.2 °2θ。在實施例中，此等峰中之任一者處之差異為±0.1°2θ。
在實施例中，形式IV之特徵在於XRPD圖案之峰在13.6±0.2、13.9±0.2、14.0±0.2、15.4±0.2、17.8±0.2、18.6±0.2、20.8±0.2、23.6±0.2、24.5±0.2、26.0±0.2及26.7±0.2 °2θ處。在實施例中，此等峰中之任一者處之差異為±0.1°2θ。
在實施例中，形式IV之特徵在於XRPD圖案之峰在7.7±0.2、10.4±0.2、11.9±0.2、13.0±0.2、13.6±0.2、13.9±0.2、14.0±0.2、15.2±0.2、15.4±0.2、16.2±0.2、16.9±0.2、17.5±0.2、17.8±0.2、18.0±0.2、18.6±0.2、19.3±0.2、19.8±0.2、20.8±0.2、21.1±0.2、21.6±0.2、22.4±0.2、22.7±0.2、23.6±0.2、23.8±0.2、24.5±0.2、24.8±0.2、25.2±0.2、26.1±0.2、26.7±0.2、26.9±0.2、27.5±0.2、28.0±0.2、28.2±0.2、28.6±0.2、28.8±0.2、29.3±0.2、29.5±0.2、29.6±0.2、30.2±0.2、30.4±0.2、30.6±0.2、30.9±0.2、31.1±0.2、31.6±0.2、31.9±0.2、32.8±0.2、33.2±0.2、33.7±0.2、34.5±0.2及35.3±0.2 °2θ處。在實施例中，此等峰中之任一者處之差異為±0.1°2θ。
在實施例中，形式IV之特徵在於XRPD圖案與 圖 3中所示之XRPD圖案實質上類似。
在實施例中，形式IV之特徵在於XRPD圖案包含 表 6中所示之峰。
在實施例中，形式IV之特徵在於XRPD圖案包含 表 7中所示之峰。
在實施例中，形式IV展現出包含在69±5℃處開始之吸熱峰的DSC熱分析圖。在實施例中，形式IV展現出包含在70±5℃處開始之吸熱峰的DSC熱分析圖。
在實施例中，形式IV在225±5℃下之溫度下展現出實質上無重量損失，藉由TGA分析所量測。
在實施例中，形式IV展現出69±5℃之熔點。 醫藥組合物
在一個態樣中，本發明提供包含本文所描述之 N,N-DMT之至少一種結晶形式（ 例如，形式III及/或形式IV）及一或多種賦形劑的組合物。在實施例中，組合物為包含 N,N-DMT之結晶形式及一或多種醫藥學上可接受之賦形劑的醫藥組合物。
在實施例中，醫藥組合物包含 N,N-DMT之形式III。
在實施例中，醫藥組合物包含 N,N-DMT之形式IV。
在實施例中，組合物包含醫藥學上可接受之載劑。在實施例中，醫藥學上可接受之載劑包括醫藥學上可接受之賦形劑、結合劑、佐劑及/或稀釋劑。在實施例中，適合之醫藥學上可接受之載劑包括但不限於惰性固體填充劑或稀釋劑及無菌水溶液或有機溶液。在實施例中，適合之醫藥學上可接受之賦形劑包括但不限於水、鹽溶液、醇、聚乙二醇、明膠、乳糖、澱粉酶、硬脂酸鎂、滑石、矽酸、黏性石蠟及其類似物。調配及/或製造醫藥組合物中之通用考慮因素可見於例如 Remington's Pharmaceutical Sciences, 第十六版, E. W. Martin (Mack Publishing Co., Easton, Pa., 1980)及 Remington: The Science and Practice of Pharmacy, 第21 版（Lippincott Williams & Wilkins, 2005)。
在實施例中，本發明之 N,N-DMT的一或多種結晶形式（ 例如，形式III及/或形式IV）經調配用於藉由多種方式投與，包括以含有醫藥學上可接受之載劑、佐劑、媒劑或其混合物之調配物形式經口、非經腸、藉由吸入噴霧、局部或經直腸。如本文所使用，術語腸胃外包括皮下、靜脈內、肌肉內及動脈內注射以及多種輸注技術。如本文所用之動脈內及靜脈內注射包括透過導管投與。
在實施例中，本發明提供包含本文所描述之組合物的口服劑型。
在實施例中，口服劑型為固體劑型，諸如錠劑、膠囊、丸劑、散劑或粒劑。口服錠劑之類型包括經壓縮的、咀嚼口含錠及可包覆腸溶包衣、包覆糖或包覆膜衣之錠劑。膠囊可為硬明膠膠囊或軟明膠膠囊，而顆粒及散劑可以與熟習此項技術者已知之其他成分組合之非發泡或發泡形式提供。 治療方法
在一個態樣中，本發明提供治療或預防有需要之個體之神經病症的方法，該等方法包含向該個體投與治療有效量之本文所揭示之 N,N-DMT之結晶形式（ 例如，形式III及/或形式IV）或其醫藥組合物。
在實施例中，神經病症為情緒障礙。在實施例中，情緒障礙為臨床抑鬱、產後抑鬱或分娩後抑鬱、圍產期抑鬱、非典型抑鬱、憂鬱型抑鬱、精神病性嚴重抑鬱、緊張型抑鬱、季節性情緒失調症、輕鬱症、雙重抑鬱、抑鬱性人格障礙、復發性短暫抑鬱、重度抑鬱症、輕度抑鬱障礙、躁鬱症或躁狂抑鬱性障礙、由慢性醫學病狀引起之抑鬱、難治性抑鬱、難治性抑鬱、自殺傾向、自殺觀念或自殺行為。在實施例中，本文所描述之方法向罹患抑鬱（ 例如，中度或重度抑鬱）之個體提供治療作用。在實施例中，情緒障礙與神經內分泌疾病及病症、神經變性疾病及病症（ 例如，癲癇症）、運動障礙、顫抖（ 例如，巴金森氏症）或女性健康病症或病況相關。在實施例中，該情緒障礙為抑鬱。在實施例中，情緒障礙為難治性抑鬱或重度抑鬱症。在實施例中，情緒障礙為重度抑鬱症。在實施例中，情緒障礙為難治性抑鬱。
在實施例中，本發明提供治療或預防有需要之個體之PTSD、情緒障礙、廣泛性焦慮症、成癮症及/或藥物依賴性之方法，該等方法包含向該個體投與治療有效量之本文所揭示之 N,N-DMT之結晶形式（ 例如，形式III及/或形式IV）或其醫藥組合物。
在實施例中，本發明提供治療或預防有需要之個體之PTSD之方法，該等方法包含向該個體投與治療有效量之本文所揭示之 N,N-DMT之結晶形式（ 例如，形式III及/或形式IV）或其醫藥組合物。
在實施例中，本發明提供治療或預防有需要之個體之行為或情緒障礙之方法，該等方法包含向該個體投與治療有效量之本文所揭示之 N,N-DMT之結晶形式（ 例如，形式III及/或形式IV）或其醫藥組合物。在實施例中，行為或情緒障礙包括自閉個體（ 例如，自閉成年個體）之焦慮，諸如社交焦慮及與危及生命的疾病相關之焦慮。在實施例中，行為或情緒障礙包括壓力（其中 例如，藉由對扁桃體反應之影響量測其緩和）。在實施例中，焦慮症為恐慌症、強迫症及/或廣泛性焦慮症。在實施例中，個體罹患缺乏動力、注意力、記憶回憶缺乏準確性、反應速度、毅力及/或認知參與。其他實例包括抑鬱（ 例如，MDD或TRD）、注意力障礙、執行功能及/或認知參與障礙、強迫症、躁鬱症、恐慌症、恐懼症、精神分裂症、精神病、反社會人格障礙及/或神經認知病症。
在實施例中，本發明提供治療或預防有需要之個體之成癮病症之方法，該等方法包含向該個體投與治療有效量之本文所揭示之 N,N-DMT之結晶形式（ 例如，形式III及/或形式IV）或其醫藥組合物。在實施例中，成癮病症為酒精濫用、藥物濫用、吸菸、肥胖或其混合物。在實施例中，病症為進食障礙（ 例如，神經性厭食症、神經性貪食症、暴食症等）或聽覺病症。
在實施例中，本發明提供治療或預防有需要之個體之衝動性障礙之方法，該等方法包含向該個體投與治療有效量之本文所揭示之 N,N-DMT之結晶形式（ 例如，形式III及/或形式IV）或其醫藥組合物。在實施例中，衝動性障礙為注意力不足過動症（ADHD）、注意力不足症（ADD）、妥瑞氏症候群、自閉症或其組合。
在實施例中，本發明提供治療或預防有需要之個體之強迫症之方法，該等方法包含向該個體投與治療有效量之本文所揭示之 N,N-DMT之結晶形式（ 例如，形式III及/或形式IV）或其醫藥組合物。在實施例中，強迫症為強迫症（OCD）、賭博、異常性行為或其組合。
在實施例中，本發明提供治療或預防有需要之個體之人格障礙之方法，該等方法包含向該個體投與治療有效量之本文所揭示之 N,N-DMT之結晶形式（ 例如，形式III及/或形式IV）或其醫藥組合物。在實施例中，人格障礙為個體之品行障礙、反社會人格、攻擊行為或其組合。
在實施例中，本發明提供治療或預防有需要之個體之PTSD、社交焦慮症（ 例如，泛自閉症障礙之社交焦慮）、泛自閉症障礙、暴食症、酒精使用病症、難治性抑鬱、重度抑鬱症、廣泛性焦慮、精神分裂症、邊緣型人格障礙、類鴉片使用病症、自戀型人格障礙、回避型人格障礙、耳鳴、神經性厭食症、物質使用病症、慢性疼痛、菸草成癮、神經性貪食症、反社會人格障礙、ADHD、創傷性腦損傷、身體功能障礙、性慾減退、偏頭痛、畏曠症、發作性睡病、強迫症及/或肌肉纖維疼痛之方法，該等方法包含向該個體投與治療有效量之本文所揭示之 N,N-DMT之結晶形式（ 例如，形式III及/或形式IV）或其醫藥組合物。 實例
以下實例詳述製備及分離 N,N-DMT之結晶形式（ 例如，形式III及形式IV）。研究顯示， N,N-DMT之形式III在所有溫度下均為亞穩態的且到目前為止，形式IV為 N,N-DMT之具有最高已知熔點之熱力學上最穩定的多晶型物。 I. 篩選實驗
進行篩選實驗以鑑別 N,N-DMT之穩定且多晶型形式。實驗包括探索多種溶劑系統、溫度、結晶條件及起始材料。所採用之結晶技術包括：漿化、蒸發、pH波動、蒸氣擴散、反溶劑沉澱、蒸氣加壓及加熱。下文更詳細地解釋此等技術中之各者。
漿化：懸浮液係藉由在規定條件下向給定溶劑添加足夠固體以使得存在未溶解的固體來製備。隨後將混合物在密封小瓶中在給定溫度下攪動（通常藉由攪拌或振盪）較長時間段。
蒸發：對於快速蒸發，在各種溶劑中製備溶液，且典型地透過0.2-μm耐綸或PTFE過濾器過濾。除非另外說明，否則使各溶液在環境條件下自開口小瓶蒸發。對於緩慢蒸發，在各種溶劑中製備溶液，且典型地透過0.2-μm耐綸或PTFE過濾器過濾。使各溶液在環境條件下自封蓋的小瓶蒸發（諸如，鬆散地蓋上或用穿孔鋁箔封蓋）。
pH 波動實驗係藉由在環境溫度下，在攪拌下組合N,N-DMT固體與水，產生具有未溶解固體之溶液來進行。在攪拌下添加強酸之等分試樣（例如，0.1 N HCl），產生澄清溶液。在攪拌下添加強鹼之等分試樣（例如，0.1 N NaOH），產生白色懸浮固體。在一些情況下，觀測到針狀物、刀片狀物及聚集體。揀選及分析晶體。
蒸氣擴散：濃縮溶液係在各種溶劑中製備，且典型地透過0.2 μm耐綸或PTFE過濾器過濾。將經過濾溶液分配至小型小瓶中，隨後將其置於含有反溶劑之較大的小瓶內。將小型小瓶保持敞開，且將較大的小瓶加蓋，以允許進行蒸氣擴散。
反溶劑沉澱：在各種溶劑中製備溶液，且在攪拌下分配各種反溶劑之等分試樣，直至出現沉澱。在指定條件下攪拌混合物。
蒸氣加壓：將含有給定材料之小型小瓶置於含有溶劑之較大的小瓶內。使小型小瓶保持敞開，且將較大的小瓶加蓋，以允許在所陳述溫度下進行蒸氣加壓。
加熱：藉由DSC（用於檢驗熱分析圖及/或回收經加熱固體以用於XRPD）或在加熱板/加熱台上加熱來進行。
觀測到三種無水/非溶劑化多晶型物：形式I、III及IV（在篩選中未觀測到文獻中報導之形式II）。 N,N-DMT之三種多晶型形式的特性之比較提供於表1中。 表 1 ： N,N -DMT 之形式 I 、 II 及 IV 之特性比較
特徵 形式 I 形式 III 形式 IV
物理外觀 白色固體 白色至灰白色固體 白色至灰白色固體
組成 [XRPD] 成功索引之單結晶相，與文獻中之無水/非溶劑化 N,N-DMT形式I一致 圖案不可索引為所觀測之額外微量峰，除了獲自多步驟加熱實驗之圖案，其需要熔融材料在-20℃下之再結晶。 成功索引， 與非溶劑化 N,N-DMT一致
組成 [ 1H NMR] 與 N,N-DMT一致，無有機溶劑 與 N,N-DMT一致，可忽略的有機溶劑 與 N,N-DMT一致，無有機溶劑
熔點（℃） [DSC] (a) DSC 10℃/min：在60℃下吸熱（58℃開始） (b) DSC 2℃/min：在59℃下吸熱（58℃開始） (a) DSC 10℃/min：在44℃下吸熱（39℃開始） (b) DSC 2℃/min：在68℃下急劇吸熱（67℃開始） (a) DSC 10℃/min：在71℃下吸熱（69℃開始） (b) DSC 2℃/min：在70℃下吸熱（69℃開始）
水溶性（mg/mL）* 較低 （＜1） 未確定 較低 （＜1）
殘餘溶劑/H 2O [TGA] 1.0%重量損失，直至240℃。藉由TGA熱分析圖之急劇下降證明之分解，在高於約240℃時開始。 1.4%重量損失，41℃至201℃ 1.1%重量損失，50-223℃
吸濕性 [DVS] 在60% RH下之0.04重量%水及在90% RH下之0.18%水；未觀測到滯後 未確定 -
注意：*可溶性係基於用於產生溶液之總溶劑來計算；由於所用溶劑部分之體積或緩慢溶解速率，因此實際可溶性可能更大。值四捨五入至最接近之整數。若未發生溶解，如藉由視覺評定所確定，則值報導為「＜」。
圖19展示 N,N-DMT之1H NMR。本文所揭示之 N,N-DMT樣品中之各者的1H NMR光譜與圖19中所示實質上相同。 II.    X 射線粉末繞射（ XRPD ）實驗
XRPD分析係以透射幾何結構及反射幾何結構進行。
透射幾何結構之 XRPD：用PANalytical X'Pert PRO MPD或PANalytical Empyrean繞射儀，使用利用Optix長、細焦距光源產生之入射Cu輻射束收集XRPD圖案。橢圓形漸進多層鏡用於將Cu Kα X射線聚焦通過試樣且到達偵測器上。在分析之前，對矽試樣（NIST SRM 640f）進行分析以驗證Si 111峰之所觀測位置與NIST證實之位置一致。將樣品之試樣夾在3 μm厚的膜之間且以透射幾何結構進行分析。使用射束截捕器、短防散射延伸部分及防散射刀口來使空氣所產生的背景最小化。針對入射光束及繞射光束之索勒縫隙（Soller slit）用於使軸向發散之變寬降至最低。使用距離試樣240 mm之掃描位置敏感性偵測器（X'Celerator）及資料收集軟體5.5版來收集繞射圖案。用於各圖案之資料獲取參數展示於此報告的資料部分中之影像上方。不管所使用之儀器如何，所有影像均將儀器標記為X'Pert PRO MPD。
反射幾何結構之 XRPD
用PANalytical X'Pert PRO MPD繞射儀，使用利用長、細焦距光源及鎳濾光器產生之Cu Kα輻射之入射光束來收集XRPD圖案。繞射儀使用對稱布拉格-布倫塔諾幾何結構（Bragg-Brentano geometry）組態。在分析之前，對矽試樣（NIST SRM 640f）進行分析以驗證Si 111峰之所觀測位置與NIST證實之位置一致。將樣品之試樣製備為薄的圓形層，置於零背景矽基板上之中央。使用抗散射狹縫（SS）以使由空氣產生之背景最小化。針對入射光束及繞射光束之索勒縫隙（Soller slit）用於使軸向發散之變寬降至最低。使用距離樣品240 mm之掃描位置敏感性偵測器（X'Celerator）及資料收集軟體5.5版來收集繞射圖案。各圖案之資料獲取參數顯示於此報告之資料部分中之影像上方，包括發散縫隙（DS）及入射光束SS。
測定 N,N-DMT之形式I、III及IV之XRPD峰位置且列舉如下。
形式 I
形式I之XRPD圖案展示於 圖 1中。較佳取向及粒子統計作用係透過與由單晶結構確定獲得之經計算XRPD圖案進行比較來評估且確定為可忽略的。
所觀測之繞射峰展示於 圖 1中且列舉於表2中，且代表性峰列舉於表3中。 表 2 ：形式 I 之所觀測之繞射峰
˚ 2θ d 空間（ Å ） 強度（ % ）
8.99 ± 0.2 9.829 ± 0.218 88
11.98 ± 0.2 7.382 ± 0.123 77
12.18 ± 0.2 7.261 ± 0.119 15
12.80 ± 0.2 6.910 ± 0.108 100
14.48 ± 0.2 6.112 ± 0.084 23
15.01 ± 0.2 5.898 ± 0.078 35
17.67 ± 0.2 5.015 ± 0.056 83
17.82 ± 0.2 4.973 ± 0.055 51
18.07 ± 0.2 4.905 ± 0.054 81
18.19 ± 0.2 4.873 ± 0.053 98
19.82 ± 0.2 4.476 ± 0.045 68
20.50 ± 0.2 4.329 ± 0.042 9
21.36 ± 0.2 4.156 ± 0.038 9
21.73 ± 0.2 4.087 ± 0.037 7
22.28 ± 0.2 3.987 ± 0.035 39
22.77 ± 0.2 3.902 ± 0.034 66
23.22 ± 0.2 3.828 ± 0.033 9
23.78 ± 0.2 3.739 ± 0.031 15
24.12 ± 0.2 3.687 ± 0.030 21
24.27 ± 0.2 3.664 ± 0.030 10
24.53 ± 0.2 3.626 ± 0.029 26
25.36 ± 0.2 3.509 ± 0.027 29
25.68 ± 0.2 3.466 ± 0.027 5
25.95 ± 0.2 3.431 ± 0.026 5
26.57 ± 0.2 3.352 ± 0.025 13
27.25 ± 0.2 3.270 ± 0.024 59
27.73 ± 0.2 3.215 ± 0.023 4
28.76 ± 0.2 3.102 ± 0.021 26
29.21 ± 0.2 3.055 ± 0.020 3
29.58 ± 0.2 3.017 ± 0.020 4
29.84 ± 0.2 2.992 ± 0.020 3
30.54 ± 0.2 2.925 ± 0.019 22
31.02 ± 0.2 2.881 ± 0.018 3
31.23 ± 0.2 2.862 ± 0.018 5
32.32 ± 0.2 2.768 ± 0.017 5
32.62 ± 0.2 2.743 ± 0.016 7
表 3 ：形式 I 之代表性繞射峰
˚ 2θ d 空間（ Å ） 強度（ % ）
8.99 ± 0.2 9.829 ± 0.218 88
11.98 ± 0.2 7.382 ± 0.123 77
12.80 ± 0.2 6.910 ± 0.108 100
14.48 ± 0.2 6.112 ± 0.084 23
15.01 ± 0.2 5.898 ± 0.078 35
17.67 ± 0.2 5.015 ± 0.056 83
17.82 ± 0.2 4.973 ± 0.055 51
18.07 ± 0.2 4.905 ± 0.054 81
18.19 ± 0.2 4.873 ± 0.053 98
19.82 ± 0.2 4.476 ± 0.045 68
22.28 ± 0.2 3.987 ± 0.035 39
22.77 ± 0.2 3.902 ± 0.034 66
24.53 ± 0.2 3.626 ± 0.029 26
25.36 ± 0.2 3.509 ± 0.027 29
27.25 ± 0.2 3.270 ± 0.024 59
28.76 ± 0.2 3.102 ± 0.021 26
30.54 ± 0.2 2.925 ± 0.019 22
形式 III
較佳取向及粒子統計作用係透過與自不同幾何結構之繞射儀獲得之XRPD圖案比較來評估且認為顯著。所觀測之繞射峰展示於 圖 2中且在表4中列舉，且顯著的繞射峰列舉於表5中。應注意，峰中無一者已知為此材料之代表或特徵，此係因為此樣品中之較佳取向的狀態為未知的。 表 4 ：形式 III 之所觀測之繞射峰
˚ 2θ d 空間（ Å ） 強度（ % ）
7.62 ± 0.2 11.592 ± 0.304 76
15.24 ± 0.2 5.809 ± 0.076 100
16.81 ± 0.2 5.270 ± 0.062 2
19.22 ± 0.2 4.614 ± 0.048 9
19.59 ± 0.2 4.528 ± 0.046 5
20.05 ± 0.2 4.425 ± 0.044 1
20.43 ± 0.2 4.344 ± 0.042 2
20.68 ± 0.2 4.292 ± 0.041 2
21.48 ± 0.2 4.134 ± 0.038 1
22.41 ± 0.2 3.964 ± 0.035 2
22.93 ± 0.2 3.875 ± 0.033 7
23.14 ± 0.2 3.841 ± 0.033 2
26.29 ± 0.2 3.387 ± 0.025 1
27.14 ± 0.2 3.283 ± 0.024 1
27.82 ± 0.2 3.204 ± 0.023 1
28.49 ± 0.2 3.130 ± 0.022 1
30.71 ± 0.2 2.909 ± 0.018 3
31.56 ± 0.2 2.833 ± 0.017 1
表 5 ：形式 III 之代表性繞射峰
˚ 2θ d 空間（ Å ） 強度（ % ）
7.62 ± 0.2 11.592 ± 0.304 76
15.24 ± 0.2 5.809 ± 0.076 100
19.22 ± 0.2 4.614 ± 0.048 9
19.59 ± 0.2 4.528 ± 0.046 5
22.93 ± 0.2 3.875 ± 0.033 7
形式 IV
較佳取向及粒子統計作用係透過與根據單晶結構確定之經計算XRPD圖案比較來評估且確定為可忽略的。所觀測之峰展示於 圖 3中且在表6中列舉，且代表性峰列舉於表7中。 表 6 ：形式 IV 之所觀測之繞射峰
˚ 2θ d 空間（ Å ） 強度（ % ）
7.68 ± 0.2 11.502 ± 0.299 5
10.35 ± 0.2 8.540 ± 0.165 2
11.92 ± 0.2 7.419 ± 0.124 5
13.05 ± 0.2 6.779 ± 0.103 5
13.61 ± 0.2 6.501 ± 0.095 100
13.89 ± 0.2 6.370 ± 0.091 29
13.99 ± 0.2 6.325 ± 0.090 25
15.16 ± 0.2 5.840 ± 0.077 5
15.39 ± 0.2 5.753 ± 0.074 22
16.16 ± 0.2 5.480 ± 0.067 11
16.90 ± 0.2 5.242 ± 0.062 10
17.45 ± 0.2 5.078 ± 0.058 9
17.76 ± 0.2 4.990 ± 0.056 57
18.05 ± 0.2 4.911 ± 0.054 17
18.64 ± 0.2 4.756 ± 0.051 42
19.25 ± 0.2 4.607 ± 0.047 6
19.81 ± 0.2 4.478 ± 0.045 4
20.79 ± 0.2 4.269 ± 0.041 100
21.11 ± 0.2 4.205 ± 0.039 11
21.63 ± 0.2 4.105 ± 0.038 17
22.39 ± 0.2 3.968 ± 0.035 15
22.69 ± 0.2 3.916 ± 0.034 12
23.59 ± 0.2 3.768 ± 0.031 28
23.81 ± 0.2 3.734 ± 0.031 4
24.47 ± 0.2 3.635 ± 0.029 21
24.77 ± 0.2 3.591 ± 0.029 10
25.22 ± 0.2 3.528 ± 0.028 5
26.06 ± 0.2 3.417 ± 0.026 23
26.66 ± 0.2 3.341 ± 0.025 24
26.90 ± 0.2 3.312 ± 0.024 3
27.53 ± 0.2 3.237 ± 0.023 2
27.99 ± 0.2 3.185 ± 0.022 5
28.23 ± 0.2 3.159 ± 0.022 4
28.61 ± 0.2 3.118 ± 0.021 3
28.75 ± 0.2 3.103 ± 0.021 3
29.28 ± 0.2 3.048 ± 0.020 3
29.46 ± 0.2 3.030 ± 0.020 2
29.63 ± 0.2 3.013 ± 0.020 2
30.17 ± 0.2 2.960 ± 0.019 2
30.36 ± 0.2 2.942 ± 0.019 3
30.59 ± 0.2 2.920 ± 0.019 3
30.91 ± 0.2 2.891 ± 0.018 4
31.09 ± 0.2 2.874 ± 0.018 8
31.63 ± 0.2 2.826 ± 0.017 3
31.88 ± 0.2 2.805 ± 0.017 4
32.83 ± 0.2 2.726 ± 0.016 2
33.21 ± 0.2 2.695 ± 0.016 2
33.74 ± 0.2 2.654 ± 0.015 2
34.45 ± 0.2 2.601 ± 0.015 2
35.31 ± 0.2 2.540 ± 0.014 2
表 7 ：形式 IV 之代表性繞射峰
˚2θ d空間（Å） 強度（%）
13.61 ± 0.2 6.501 ± 0.095 100
13.89 ± 0.2 6.370 ± 0.091 29
13.99 ± 0.2 6.325 ± 0.090 25
15.39 ± 0.2 5.753 ± 0.074 22
17.76 ± 0.2 4.990 ± 0.056 57
18.64 ± 0.2 4.756 ± 0.051 42
20.79 ± 0.2 4.269 ± 0.041 100
23.59 ± 0.2 3.768 ± 0.031 28
24.47 ± 0.2 3.635 ± 0.029 21
26.06 ± 0.2 3.417 ± 0.026 23
26.66 ± 0.2 3.341 ± 0.025 24
III. 單晶 XRD 實驗
如下文所描述，針對形式I及IV獲得單晶結構。
製備用於單晶XRD之樣品：
形式 I： N,N-DMT固體（83.7 mg）在環境溫度下在攪拌下與水（2 mL）組合，產生存在未溶解固體之溶液。在攪拌下添加總計10.5 mL之0.1 N HCl之等分試樣，產生澄清溶液。在攪拌下添加總計11.5 mL之0.1 N NaOH之等分試樣，產生白色懸浮固體。觀測到針狀物、刀片狀物及聚集體。揀選及分析晶體。
形式 IV： N,N-DMT固體（102.01 mg）在約40℃下在攪拌下與庚烷（1 mL）組合，產生存在未溶解固體之溶液。使漿料在約40℃下攪拌12天，其後觀測到厚雙折射針狀物。揀選及分析晶體。
單晶XRD資料收集：
形式 I：將尺寸為約0.18 × 0.11 × 0.06 mm 3之無色塊方向隨機地固定在聚合物環上。在配備有銅陽極微聚焦密封X射線管（Cu Kαλ = 1.54184 Å）及Dectris Pilatus3 R 200K混合像素陣列偵測器之Rigaku SuperNova繞射儀上進行初步檢驗及資料收集。
使用在4.4940° ＜ θ＜ 75.3650°範圍內之2590個反射的設置角，自最小平方修正獲得用於資料收集之晶胞常數及定向矩陣。藉由程式CRYSALISPRO [13]確定空間群為P21/c（國際表第14號）。在室溫下將資料收集至151.432°之最大繞射角（2 θ）。
形式 IV：將尺寸為約0.17 × 0.15 × 0.06 mm 3之無色塊方向隨機地固定在聚合物環上。在配備有銅陽極微聚焦密封X射線管（Cu Kαλ = 1.54184 Å）及Dectris Pilatus3 R 200K混合像素陣列偵測器之Rigaku SuperNova繞射儀上進行初步檢驗及資料收集。
使用在3.8290° ＜ θ＜ 74.9960°範圍內之5465個反射的設置角，自最小平方修正獲得用於資料收集之晶胞常數及定向矩陣。藉由程式CRYSALISPRO [13]確定空間群為P21/n（國際表第14號）。在室溫下將資料收集至151.584°之最大繞射角（2 θ）。
獲自形式I及IV之單晶資料列舉於下表8中。 表 8 ： N,N -DMT 之多晶型形式 I 及 IV 的單晶資料
晶體資料 形式 I 形式 IV
晶體系統 單斜晶 單斜晶
空間群 P2 1/c P2 1/n
晶胞參數 a = 7.4379(2) Å b = 19.6312(4) Å c = 7.8759(2) Å α = 90° β = 97.857(3)° γ = 90° a = 7.8301(2) Å b = 22.9828(4) Å c = 12.7380(2) Å α = 90° β = 91.980(2)° γ = 90°
單位晶胞體積（Å3） 1139.20(5) 2290.93(8)
注意：標準不確定性以晶體學括號標記形式書寫，例如0.123(4)等效於0.123 ± 0.004。
形式I及形式IV之N,N-DMT的原子位移橢球圖分別展示於 圖 4及 圖 5中。 IV. 熱性能實驗
差示掃描熱量測定（ DSC ）：
使用Mettler-Toledo DSC3+差示掃描量熱計執行DSC。藉由銦、錫及鋅執行tau滯後調整。用辛烷、水楊酸苯酯、銦、錫及鋅調節溫度及焓。隨後用辛烷、水楊酸苯酯、銦、錫及鋅驗證調節。將樣品置放於氣密密封式鋁DSC盤中，精確記錄重量，且將樣品插入DSC單元中。將經組態為樣品盤之稱量鋁盤置放於單元之參考側面上。在樣品分析之前刺穿盤蓋。除非另外說明，否則在10℃ /min下自-25℃至250℃分析樣品。
熱解重量及差示掃描熱量測定（ TGA 或 TGA/DSC ）
TGA或TGA/DSC分析使用Mettler-Toledo TGA/DSC3+分析儀進行。使用銦、錫、鋅及水楊酸苯酯執行溫度及焓調節，且隨後用銦進行驗證。用草酸鈣驗證平衡。將樣品置放於鋁盤中。將盤氣密密封，刺穿蓋，且隨後將蓋插入至TG鍋爐中。將經組態為樣品盤之稱量鋁盤置放於參考平台上。在氮氣下加熱該爐。樣品以10℃/min自25℃至350℃分析。熱解重量分析通常在各分析起始時經歷平衡時段，藉由圓括號指示於圖部分（V）中之熱分析圖上。相關重量損失計算之起始溫度在超出此區域之時間點（典型地高於35℃）選擇以獲得準確度。
形式 I：
N,N-DMT形式I之DVS週期研究在60℃乾燥時已展現出形式變化（作為在製造期間乾燥API之最終步驟）（ 圖 6）。為了進一步研究此性能，收集形式I之固態循環DSC熱分析圖（ 圖 7）。 圖 7係最初加熱至60℃，引起固體熔融之樣品的熱分析圖。將熔融材料保持在60℃下持續20分鐘，隨後冷卻至45℃且再加熱至250℃。未觀測到明顯事件，諸如高熔點形式之再結晶或熔融。
進行類似實驗，但熔融材料在再加熱至250℃之前冷卻至20℃（ 圖 8）。在此實驗中，在最終加熱步驟中在約39℃下觀測到放熱，與結晶一致，且之後緊接著為在大致45℃（開始）下之吸熱，指示熔融。此熔點類似於針對形式III所觀測到之熔點。DSC實驗指示在60℃下對DVS後固體進行乾燥使材料熔融，且隨後其在冷卻至環境溫度後再結晶至更低熔點形式III。
亦在標準10℃/分鐘加熱速率下收集形式I之DSC及TGA熱分析圖（ 圖 9）。以更慢加熱速率（2℃/分鐘）獲得額外DSC熱分析圖，以獲得更敏感資料（ 圖 10）。
在58℃下（開始）在兩個熱分析圖中觀測到熔融吸熱，與文獻中針對形式I所報導之熔點一致。TGA熱分析圖僅展現出1.0%重量損失直至240℃，與無水/非溶劑化材料一致。藉由TGA熱分析圖中之急劇下降證明之分解開始高於大約240℃。
形式 III：
以10℃/分鐘之加熱速率收集的DSC及TGA熱分析圖（ 圖 11）。藉由DSC在39℃（開始）下觀測到熔融吸熱。直至201℃藉由TGA之適當重量損失與無水/非溶劑化材料一致。在高於大約240℃下觀測到分解。為獲得更多敏感資料，以2℃/分鐘之加熱速率收集DSC熱分析圖（ 圖 12）。在圖12中，當升溫速率降至2℃/min時，由於較低升溫速率，形式III之結晶（成另一形式）及熔融為同時發生的。基於在66.94℃下熔融開始之吸熱，吾人可得出結論，形式III有時間熔融，隨後再結晶成形式IV，其在67℃左右熔融。
亦進行以形式III（+微量未知組分）開始之固態加熱實驗（ 圖 13）。此等實驗經設計以在各種溫度下觀測熔融及再結晶性能。來自DSC特徵化之形式III的近似熔融開始溫度（39℃）用作確定形式轉化之基礎。
當保持在35℃與40℃之間時，觀測到形式III，同時熔融且再結晶至形式IV。然而，當熔融材料冷卻至室溫或-20℃時，在一些情況下，再結晶至形式III。在一個實驗中，熔融材料在靜置於冷凍器中1天之後未呈現出結晶跡象，因此添加庚烷，且將樣品在冷凍器中攪拌12天，引起結晶至形式IV。
形式 IV：
在10℃/min之加熱速率下收集DSC及TGA熱分析圖，且在2℃/min下獲得額外DSC熱分析圖（分別 圖 14及 圖 15）。兩種DSC熱分析圖展現出69℃開始之急劇熔融吸熱。藉由TGA直至223℃之可忽略的重量損失與無水/非溶劑化材料一致。在高於大約240℃下觀測到分解。
以形式IV開始進行固態加熱實驗（ 圖 16）。關於形式III，此等實驗經設計以在各種溫度下觀測熔融及再結晶性能，且將來自DSC特徵化之形式IV（69℃）的近似熔融開始溫度用作確定形式轉化之基礎。在50℃下加熱10分鐘時，形式IV未展現出變化。 V. 用於確定形式 I 、 III 及 IV 之相對穩定性的穩定性實驗
進行漿料實驗以確定形式I、III及IV之相對穩定性。篩選條件列於表9-11處。 表 9. 形式 I 之 N,N-DMT 穩定形式篩選漿料
溶劑 條件 觀測結果 XRPD 1 結果
丙酮/水（10:90） 5℃，13 d 白色固體、細粒及凝集物，B/E 形式IV
嘗試漿料，RT，13 d 透明溶液白色/棕色透明液體 形式I+微量形式IV
環己烷 RT，13 d 白色固體，針狀物/聚集體，B/E 形式I
EtOAc/環己烷（5:95） 嘗試漿料，RT，13 d 透明溶液白色/棕色透明液體 形式I
庚烷 RT，13 d 白色固體，細粒，B/E 形式I
40℃，13 d 白色固體，厚針狀物，B/E 形式IV +微量形式I
-20℃，17 d 白色固體，細粒，B/E 形式I
IPA/水（5:95） 嘗試漿料，RT，13 d 透明黃色/橙色溶液 -
IPA/水（10:90） 5℃，13 d 白色固體，針狀物及聚集體，B/E 形式I
嘗試漿料，40℃，13 d 透明溶液白色/棕色透明液體 形式IV +形式III
MeOH/水（20:80） 嘗試漿料，RT，13 d 透明溶液白色/棕色透明液體 形式IV +微量形式I
THF/水（5:95） 嘗試漿料，RT，13 d 透明溶液白色/棕色透明液體 形式IV
1在變濕時，分析來自RT漿料之固體。
表 10. 形式 III 之 N,N -DMT 穩定形式篩選漿料
溶劑 條件 觀測結果 XRPD 1 結果
丙酮/水（10:90） 嘗試漿料，RT，15 d 黃色油狀物溶液 -
EtOAc/庚烷（5:95） -20℃，15 d 白色細粒，B/E 形式I
庚烷 RT，15 d 白色固體，細粒，B/E 形式I
IPAc/庚烷（3:97） RT，13 d 白色固體，細粒，B/E 形式IV
MeOH/水（20:80） 5℃，15 d 白色細粒，B/E 2 非晶形
- 樣品儲存在環境條件下約2週，隨後觀測且再分析 灰白色聚集之針狀物，一些B/E 形式I +微量形式III
1在變濕時，分析來自RT漿料之固體。 2XRPD分析員指出，樣品在分析之前為油性的。
表 11. 形式 IV 之 N,N -DMT 穩定形式篩選漿料
溶劑 條件 觀測結果 XRPD 結果
丙酮/水（10:90） RT，13 d 灰白色固體，細粒，B/E 形式IV
EtOAc/庚烷（5:95） -20℃，13 d 灰白色固體，細粒，B/E 形式IV
庚烷 RT，13 d 灰白色固體，細粒，B/E 形式IV
MeOH/水（20:80） 5℃，13 d 灰白色固體，細粒，B/E 形式IV
在此等實驗中，將含有過量未溶解固體之飽和溶液長時間攪拌。在此等條件下，亞穩態形式將以相對於穩定形式過飽和之濃度溶解，引起隨時間推移更穩定形式之結晶。漿化在室溫、40℃、5℃及-20℃下進行約2週。採用預期化合物將展現出有限溶解性之溶劑系統以致力於提供適用於轉化成更穩定形式之條件。應注意，即使在此等努力下，缺少形式變化仍不能最終確定穩定形式且可歸因於溶解性或可用於轉化成更穩定形式之時間不足。
觀測到之形式轉化表明，形式IV為熱力學上最穩定的多晶型物。在各種溶劑系統中漿化後，形式IV亦保持不變。所有以形式III開始之漿料實驗均轉化為其他形式，表明形式III在所有測試條件下均為亞穩態的。另外，形式III在-20℃及室溫下轉化成形式I表明形式I在該溫度範圍內可能比形式III更加穩定。另外，形式III在整個篩選中展現出在具有微量未知組分或其他已知形式之混合物中結晶的傾向，與其亞穩態性質一致。
因為鑑別出形式I及IV為兩種穩定形式，所以研究其他相互轉化之漿料。 VI. 用於確定形式 III 及 IV 之相對穩定性的穩定性實驗
在庚烷中在RT，-20℃及40℃下進行漿料之相互轉化，如表12中所描述。在此等漿料中，在所陳述溫度下預先用使用形式IV固體之 N,N-DMT使庚烷飽和，且將一部分液相過濾成形式I與形式IV固體之混合物。利用預飽和液相使任何動力學溶解效應降至最低，使得較不穩定（且更易溶解）形式溶解且最穩定（且最難溶解）形式沉澱。 表 12. 在形式 I 及 IV 之間的漿料競爭研究
起始材料 / 形式 溶劑 條件 觀測結果 XRPD 結果
形式I 及形式IV 庚烷 RT，7 d 灰白色固體，細粒，B/E 形式IV
庚烷 -20℃，7 d 灰白色固體，細粒，B/E 形式IV
庚烷 40℃，7 d 灰白色固體，細粒，B/E 形式IV
觀測到所有三種漿料完全轉化成形式IV，表明形式IV在彼等條件下更穩定。 VI. 形式 I 及 IV 之極化光顯微照片
使用配備有SPOT Insight TM彩色數位攝影機之Leica DM LP顯微鏡執行所選擇的形式（形式I及IV）之偏光顯微法。將各樣品置於玻璃載片上，將防護玻璃罩置放於樣品上方，且添加一滴礦物油以藉由毛細作用覆蓋樣品。用正交偏光器及一階紅色補償器觀測各樣品。使用SPOT軟體（v. 4.5.9）擷取影像。將微米條插入各圖像上作為粒徑參考。顯微照片展示於 圖 17（形式I）及（形式IV）中， 圖 18顯示聚結物及由刀片狀物、薄片以及他形及晶簇粒子組成之個別粒子。 VIII. 非晶形 N,N -DMT
產生非晶形材料之嘗試不產生自由流動非晶形固體，進行加熱/熔融實驗以確定T g。來自加熱/熔融實驗之觀測結果指示非晶形固體易於在跨越-20℃至40℃之溫度下結晶。進行循環DSC實驗以藉由以形式IV為起始物質原位製備非晶形固體來研究潛在的玻璃轉移溫度。
熱分析圖呈現於 圖 19中。在實驗開始時，將形式IV固體加熱超過熔點（至80℃）且保持10分鐘。熔融材料快速冷卻至-80℃，隨後再加熱至200℃。在-18℃下作為綠色曲線之步驟觀測到玻璃轉化（T g）。非晶形材料傾向於在高於T g之溫度下自發結晶。用於 N,N-DMT之此較低T g指示非晶形材料之物理穩定性差，尤其在高於-18℃之溫度下。 IX. 結論
發現在此研究中鑑別之多晶形式（形式IV）為熱力學上最穩定之形式，且因而展現的熔點比其他已知多晶型形式高。相反地，已知多晶型物（形式I）已被認為在各種條件下較不穩定（轉化為形式III及形式IV），使其不適合作為API。
考慮本文中所揭示之本發明之說明書及實踐，熟習此項技術者將清楚本發明之其他實施例及用途。本文中所引用之所有參考文獻（包括所有美國及外國專利及專利申請案）全部具體地且完整地以引用之方式併入本文中。希望將本說明書及實例僅視為例示性的，其中本發明之真正範圍及精神藉由以下申請專利範圍指出。
圖 1展示 N,N-DMT之形式I之樣品的XRPD繞射圖。
圖 2展示 N,N-DMT之形式III之樣品的XRPD繞射圖。
圖 3展示 N,N-DMT之形式IV之樣品的XRPD繞射圖。
圖 4展示 N,N-DMT之形式I的原子位移橢球圖。
圖 5展示 N,N-DMT之形式IV的原子位移橢球圖。
圖 6展示在動態氣相吸附（DVS）之前（頂部曲線）及之後（底部曲線） N,N-DMT之形式I之樣品的XRPD繞射圖。
圖 7 及圖 8展示 N,N-DMT之形式I之樣品的DCS熱分析圖。
圖 9展示以10℃/分鐘之加熱速率收集之 N,N-DMT之形式I之樣品的DSC熱分析圖（頂部）及TGA熱分析圖（底部）。
圖 10展示以2℃/分鐘之加熱速率收集之 N,N-DMT之形式I之樣品的DSC熱分析圖。
圖 11展示以10℃/分鐘之加熱速率收集之 N,N-DMT之形式III之樣品的DSC熱分析圖（頂部）及TGA熱分析圖（底部）。
圖 12展示以2℃/分鐘之加熱速率收集之 N,N-DMT之形式III之樣品的DSC熱分析圖。
圖 13展示以10℃/分鐘之加熱速率收集之 N,N-DMT之形式IV之樣品的DSC熱分析圖（頂部）及TGA熱分析圖（底部）。
圖 14展示以10℃/分鐘之加熱速率收集之 N,N-DMT之形式IV之樣品的DSC熱分析圖（頂部）及TGA熱分析圖（底部）。
圖 15展示以2℃/分鐘之加熱速率收集之 N,N-DMT之形式IV之樣品的DSC熱分析圖。
圖 16展示 N,N-DMT之形式I之樣品的極化光顯微照片。
圖 17展示 N,N-DMT之形式IV之樣品的極化光顯微照片。
圖 18展示以形式IV之樣品起始的非晶形 N,N-DMT之 原位循環DSC熱分析圖。
圖 19展示 N,N-DMT之1H NMR光譜。

Claims (42)

  1. 一種 N,N-二甲基色胺之形式IV。
  2. 如請求項1之 N,N-二甲基色胺之形式IV，其特徵在於X射線粉末繞射（XRPD）圖案之峰在13.6±0.2、20.8±0.2及17.8±0.2 °2θ處。
  3. 如請求項2中任一項之 N,N-二甲基色胺之形式IV，其特徵進一步在於至少一個選自以下之XRPD峰：13.9±0.2、14.0±0.2、15.4±0.2、18.6±0.2、23.6±0.2、24.5±0.2、26.0±0.2或26.7±0.2 °2θ。
  4. 如請求項1至3中任一項之 N,N-二甲基色胺之形式IV，其特徵在於XRPD峰在13.9±0.2°2θ處。
  5. 如請求項1至4中任一項之 N,N-二甲基色胺之形式IV，其特徵在於XRPD峰在14.0±0.2 °2θ處。
  6. 如請求項1至5中任一項之 N,N-二甲基色胺之形式IV，其特徵在於XRPD峰在15.4±0.2 °2θ處。
  7. 如請求項1至6中任一項之 N,N-二甲基色胺之形式IV，其特徵在於XRPD峰在18.6±0.2 °2θ處。
  8. 如請求項1至7中任一項之 N,N-二甲基色胺之形式IV，其特徵在於XRPD峰在23.6±0.2 °2θ處。
  9. 如請求項1至8中任一項之 N,N-二甲基色胺之形式IV，其特徵在於XRPD峰在24.5±0.2 °2θ處。
  10. 如請求項1至9中任一項之 N,N-二甲基色胺之形式IV，其特徵在於XRPD峰在26.0±0.2 °2θ處。
  11. 如請求項1至10中任一項之 N,N-二甲基色胺之形式IV，其特徵在於XRPD峰在26.7±0.2 °2θ處。
  12. 如請求項1之 N,N-二甲基色胺之形式IV，其特徵在於XRPD圖案之峰在13.6±0.2、17.8±0.2及20.8±0.2處及至少一個XRPD峰係選自13.9±0.2、14.0±0.2、15.4±0.2、18.6±0.2、23.6±0.2、24.5±0.2、26.0±0.2或26.7±0.2 °2θ。
  13. 如請求項1之 N,N-二甲基色胺之形式IV，其特徵在於XRPD圖案之峰在13.6±0.2、13.9±0.2、14.0±0.2、15.4±0.2、17.8±0.2、18.6±0.2、20.8±0.2、23.6±0.2、24.5±0.2、26.0±0.2及26.7±0.2 °2θ處。
  14. 如請求項1之 N,N-二甲基色胺之形式IV，其特徵在於XRPD圖案之峰在7.7±0.2、10.4±0.2、11.9±0.2、13.0±0.2、13.6±0.2、13.9±0.2、14.0±0.2、15.2±0.2、15.4±0.2、16.2±0.2、16.9±0.2、17.5±0.2、17.8±0.2、18.1±0.2、18.6±0.2、19.3±0.2、19.8±0.2、20.8±0.2、21.1±0.2、21.6±0.2、22.4±0.2、22.7±0.2、23.6±0.2、23.8±0.2、24.5±0.2、24.8±0.2、25.2±0.2、26.1±0.2、26.7±0.2、26.9±0.2、27.5±0.2、28.0±0.2、28.2±0.2、28.6±0.2、28.8±0.2、29.3±0.2、29.5±0.2、29.6±0.2、30.2±0.2、30.4±0.2、30.6±0.2、30.9±0.2、31.1±0.2、31.6±0.2、31.9±0.2、32.8±0.2、33.2±0.2、33.7±0.2、34.5±0.2及35.3±0.2 °2θ處。
  15. 如請求項1至14中任一項之 N,N-二甲基色胺之形式IV，其特徵在於XRPD圖案與 圖 3中所示之XRPD圖案實質上類似。
  16. 如請求項1至15中任一項之 N,N-二甲基色胺之形式IV，其展現出包含在69±5℃處開始之吸熱峰的差示掃描熱量測定（DSC）熱分析圖。
  17. 如請求項1至16中任一項之 N,N-二甲基色胺之形式IV，其展現出包含在70±5℃處之吸熱峰的DSC熱分析圖。
  18. 如請求項1至17中任一項之 N,N-二甲基色胺之形式IV，其在225±5℃下之溫度下展現出實質上無重量損失，如藉由熱解重量（TGA）分析所量測。
  19. 如請求項1至18中任一項之 N,N-二甲基色胺之形式IV，其熔點為69±5℃。
  20. 一種 N,N-二甲基色胺之形式III。
  21. 如請求項20之 N,N-二甲基色胺之形式III，其特徵在於X射線粉末繞射（XRPD）圖案之峰在7.6±0.2及15.2±0.2處。
  22. 如請求項21中任一項之 N,N-二甲基色胺之形式III，其特徵進一步在於至少一個選自以下之XRPD峰：19.2±0.2 °2θ、19.6±0.2或23.0±0.2 °2θ。
  23. 如請求項20至22中任一項之 N,N-二甲基色胺之形式III，其特徵在於XRPD峰在19.6±0.2 °2θ處。
  24. 如請求項20至23中任一項之 N,N-二甲基色胺之形式III，其特徵在於XRPD峰在23.0±0.2 °2θ處。
  25. 如請求項20之 N,N-二甲基色胺之形式III，其特徵在於XRPD圖案之峰在7.6±0.2及15.2±0.2處及至少一個XRPD峰係選自19.2±0.2 °2θ、19.6±0.2或22.9±0.2 °2θ。
  26. 如請求項20之 N,N-二甲基色胺之形式III，其特徵在於XRPD圖案之峰在7.6±0.2、15.2±0.2、19.2±0.2、19.6±0.2及22.9±0.2 °2θ處。
  27. 如請求項20之 N,N-二甲基色胺之形式III，其特徵在於XRPD圖案之峰在7.6±0.2、15.2±0.2、16.8±0.2、19.2±0.2、19.6±0.2、20.0±0.2、20.4±0.2、20.7±0.2、21.5±0.2、22.4±0.2、22.9±0.2、23.1±0.2、26.3±0.2、27.1±0.2、27.8±0.2、28.5±0.2、30.7±0.2及31.56±0.2 °2θ處。
  28. 如請求項20至27中任一項之 N,N-二甲基色胺之形式III，其特徵在於XRPD圖案與 圖 2中所示之XRPD圖案實質上類似。
  29. 如請求項20至28中任一項之 N,N-二甲基色胺之形式III，當以10℃/分鐘之速率加熱時，其展現出包含在39±5℃處開始之吸熱峰的差示掃描熱量測定（DSC）熱分析圖。
  30. 如請求項20至29中任一項之 N,N-二甲基色胺之形式III，當以10℃/分鐘之速率加熱時，其展現出包含在44±5℃處之吸熱峰的DSC熱分析圖。
  31. 如請求項20至30中任一項之 N,N-二甲基色胺之形式III，其在200±5℃下之溫度下展現出實質上無重量損失，如藉由熱解重量（TGA）分析所量測。
  32. 如請求項20至31中任一項之 N,N-二甲基色胺之形式III，其熔點為39±5℃。
  33. 一種醫藥組合物，其包含如請求項1至13中任一項之 N,N-二甲基色胺之形式IV。
  34. 如請求項33之醫藥組合物，其進一步包含醫藥學上可接受之賦形劑。
  35. 一種口服劑型，其包含如請求項33至34中任一項之醫藥組合物。
  36. 一種醫藥組合物，其包含如請求項14至32中任一項之 N,N-二甲基色胺之形式III。
  37. 如請求項36之醫藥組合物，其進一步包含醫藥學上可接受之賦形劑。
  38. 一種口服劑型，其包含如請求項36至37中任一項之醫藥組合物。
  39. 一種治療有需要之個體之創傷後壓力症（PTSD）的方法，其包含向該個體投與治療有效量之如請求項1至13中任一項之 N,N-二甲基色胺之形式IV、如請求項14至32中任一項之 N,N-二甲基色胺之形式III、如請求項33至34及36至37中任一項之醫藥組合物或如請求項35及38中任一項之口服劑型。
  40. 一種治療有需要之個體之抑鬱的方法，其包含向該個體投與治療有效量之如請求項1至13中任一項之 N,N-二甲基色胺之形式IV、如請求項14至32中任一項之 N,N-二甲基色胺之形式III、如請求項33至34及36至37中任一項之醫藥組合物或如請求項35及38中任一項之口服劑型。
  41. 如請求項40之方法，其中該抑鬱為重度抑鬱症（MDD）或難治性抑鬱（TRD）。
  42. 一種治療有需要之個體之焦慮症的方法，其包含向該個體投與治療有效量之如請求項1至13中任一項之 N,N-二甲基色胺之形式IV、如請求項14至32中任一項之 N,N-二甲基色胺之形式III、如請求項33至34及36至37中任一項之醫藥組合物或如請求項35及38中任一項之口服劑型。
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PT3873883T (pt) * 2019-11-07 2023-03-24 Small Pharma Ltd Método de síntese
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