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TW202419966A - 帶導電圖案的陶瓷生片的製造方法、積層體的製造方法及煆燒體的製造方法 - Google Patents

帶導電圖案的陶瓷生片的製造方法、積層體的製造方法及煆燒體的製造方法 Download PDF

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TW202419966A
TW202419966A TW112120711A TW112120711A TW202419966A TW 202419966 A TW202419966 A TW 202419966A TW 112120711 A TW112120711 A TW 112120711A TW 112120711 A TW112120711 A TW 112120711A TW 202419966 A TW202419966 A TW 202419966A
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TW112120711A
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松下大輔
橋本大樹
高瀬皓平
小山麻里恵
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日商東麗股份有限公司
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Abstract

本發明提供一種抑制斷線發生、具有高精細的導電圖案的帶導電圖案的陶瓷生片的製造方法。一種帶導電圖案的陶瓷生片的製造方法，依序具有：準備在基材上具有含有導電粒子（a）、非導電粒子（b）、鹼可溶性樹脂（c）、感光劑（d）以及溶劑（e），且溶劑（e）的含量為5.0質量%以下的感光性層的帶感光性層基材，並將感光性層自基材上轉印至陶瓷生片上的步驟（轉印步驟）；使曝光遮罩與感光性層接觸而進行曝光的步驟（曝光步驟A）；以及對曝光後的感光性層進行顯影而形成導電圖案的步驟（顯影步驟）。

Description

帶導電圖案的陶瓷生片的製造方法
本發明是有關於一種帶導電圖案的陶瓷生片的製造方法。
近年來，隨著電子零件的小型化、高性能化的要求，要求內部配線的高精細化、高縱橫比化。作為電子零件的一種的電感器在包含陶瓷的絕緣體的內部具有線圈狀的內部電極，一般而言，是將在包含陶瓷的平面狀的絕緣層上以捲繞線狀形成有內部電極的部件積層多層而成。為了電感器的高精細化，有效的是使用能夠實現內部電極的微細化的感光性導電糊劑，作為所述感光性導電糊劑，例如提出了「包含無機粉末、不具有光反應性官能基且酸價為200 mgKOH/g～300 mgKOH/g的鹼可溶性樹脂、反應性化合物以及光反應起始劑」的感光性糊劑（例如參照專利文獻1）。 [現有技術文獻] [專利文獻]
專利文獻1：日本專利特開2019-215446號公報
[發明所欲解決之課題]
作為電感器的製造方法，例如可列舉：在陶瓷生片上形成內部電極，將該些積層多層的方法；或在陶瓷生片上交替反覆形成內部電極、陶瓷生片的方法等。藉由本發明者等人的研究，可知在該些方法中存在如下問題：若將專利文獻1所記載的感光性糊劑直接塗佈於陶瓷生片上並形成圖案，則在各層的內部電極中底部的線寬變細，難以形成高精細的內部配線。認為其原因在於，當在陶瓷生片上形成感光性糊劑塗膜時，感光性糊劑中所含的溶劑將陶瓷生片中所含的有機成分溶解，溶解的有機成分混入感光性導電糊劑中等。另外，感光性糊劑塗膜表面由於殘存溶劑而具有黏著性，因此存在曝光時無法與曝光遮罩接觸，難以形成高精細的內部配線的問題。進而，在溶劑量多的情況下，會侵蝕陶瓷生片表層，難以形成內部電極，存在因微小缺陷等而容易產生斷線的問題。另一方面，為了抑制溶劑的影響，考慮在陶瓷生片上形成感光性糊劑塗膜，並迅速地在高溫下乾燥除去溶劑，但若在陶瓷生片上對感光性糊劑塗膜進行高溫乾燥，則陶瓷生片因熱而收縮，存在難以形成高精細的內部配線的問題。
因此，本發明的目的在於提供一種抑制斷線發生、具有高精細的導電圖案的帶導電圖案的陶瓷生片的製造方法。 [解決課題之手段]
為了解決所述問題，本發明主要具有以下的結構。 （1）一種帶導電圖案的陶瓷生片的製造方法，依序具有： 準備在基材上具有含有導電粒子（a）、非導電粒子（b）、鹼可溶性樹脂（c）、感光劑（d）以及溶劑（e），且溶劑（e）的含量為5.0質量%以下的感光性層的帶感光性層基材，並將感光性層自基材上轉印至陶瓷生片上的步驟（轉印步驟）；使曝光遮罩與感光性層接觸而進行曝光的步驟（曝光步驟A）；以及對曝光後的感光性層進行顯影而形成導電圖案的步驟（顯影步驟）。 （2）一種帶導電圖案的陶瓷生片的製造方法，依序具有： 準備在基材上具有含有導電粒子（a）、非導電粒子（b）、鹼可溶性樹脂（c）、感光劑（d）以及溶劑（e），且溶劑（e）的含量為5.0質量%以下的感光性層的帶感光性層基材，以感光性層與陶瓷生片相接觸的方式將帶感光性層基材積層於陶瓷生片上的步驟（積層步驟）； 使曝光遮罩與帶感光性層基材的基材接觸而進行曝光的步驟（曝光步驟B）；以及 對曝光後的感光性層進行顯影而形成導電圖案的步驟（顯影步驟）。 （3）如（1）或（2）所述的帶導電圖案的陶瓷生片的製造方法，其中，感光性層中的溶劑（e）的含量為0.1質量%以上。 （4）如（1）至（3）中任一項所述的帶導電圖案的陶瓷生片的製造方法，其中，所述鹼可溶性樹脂（c）包含不具有不飽和雙鍵的含羧基樹脂，玻璃轉移溫度為110℃以下。 （5）如（4）所述的帶導電圖案的陶瓷生片的製造方法，其中，所述鹼可溶性樹脂（c）的玻璃轉移溫度為30℃以上且70℃以下。 （6）如（1）至（5）中任一項所述的帶導電圖案的陶瓷生片的製造方法，其中，感光性層中包含聚醚改質聚二甲基矽氧烷。 （7）如（1）至（6）中任一項所述的帶導電圖案的陶瓷生片的製造方法，更具有：利用絲網印刷法在基材上塗佈含有導電粒子（a）、非導電粒子（b）、鹼可溶性樹脂（c）、感光劑（d）以及溶劑（e）的感光性糊劑，並進行乾燥而形成感光性層，藉此獲得所述帶感光性層基材的步驟。 （8）如（1）至（7）中任一項所述的帶導電圖案的陶瓷生片的製造方法，其中，作為溶劑（e），包含大氣壓下的沸點為150℃～300℃的溶劑。 （9）如（1）至（8）中任一項所述的帶導電圖案的陶瓷生片的製造方法，其中，所述感光性層的厚度超過10 μm且為25 μm以下。 （10）如（1）至（9）中任一項所述的帶導電圖案的陶瓷生片的製造方法，其中，所述陶瓷生片中包含感光性有機成分。 （11）一種積層體的製造方法，是將多個帶導電圖案的陶瓷生片積層而成的積層體的製造方法，且具有： 藉由如（1）至（10）中任一項所述的帶導電圖案的陶瓷生片的製造方法形成第一導電圖案，而獲得帶導電圖案的陶瓷生片的步驟； 在帶第一導電圖案的陶瓷生片的導電圖案側形成陶瓷生片的步驟；以及 藉由如（1）至（10）中任一項所述的帶導電圖案的陶瓷生片的製造方法，在形成了帶第一導電圖案的陶瓷生片的陶瓷生片上形成第二導電圖案的步驟。 （12）一種積層體的製造方法，是將多個帶導電圖案的陶瓷生片積層而成的積層體的製造方法，且具有： 藉由如（1）至（10）中任一項所述的帶導電圖案的陶瓷生片的製造方法，獲得多個帶導電圖案的陶瓷生片的步驟；以及 將多個帶導電圖案的陶瓷生片積層並進行熱壓接的步驟。 （13）一種煆燒體的製造方法，具有：藉由如（1）至（10）中任一項所述的製造方法而獲得帶導電圖案的陶瓷生片的步驟；以及對所獲得的帶導電圖案的陶瓷生片進行煆燒的步驟。 [發明的效果]
根據本發明，可獲得一種抑制斷線發生、具有高精細的導電圖案的帶導電圖案的陶瓷生片。
本發明的帶導電圖案的陶瓷生片在基材上具有陶瓷生片以及導電圖案。例如，在用於電感器的情況下，藉由將其積層多層並進行煆燒，陶瓷生片構成絕緣層，導電圖案構成內部電極。
本發明的帶導電圖案的陶瓷生片的製造方法依序具有後述的轉印步驟或積層步驟、曝光步驟、顯影步驟。其特徵在於，不將感光性糊劑直接塗佈於陶瓷生片上，而是藉由轉印步驟或積層步驟將溶劑量預先設為規定範圍內的感光性層積層於陶瓷生片上。藉此，抑制由溶劑（e）引起的感光性層的黏著性或導電圖案底部的細線化，可形成高精細的圖案，並且可抑制斷線。另外，由於不需要陶瓷生片上的高溫乾燥，因此可抑制由熱引起的陶瓷生片的收縮，而形成高精細的圖案。
本發明的帶導電圖案的陶瓷生片的製造方法的第一形態依序具有： 準備在基材上具有含有導電粒子（a）、非導電粒子（b）、鹼可溶性樹脂（c）、感光劑（d）以及溶劑（e），且溶劑（e）的含量為5.0質量%以下的感光性層的帶感光性層基材，並將感光性層自基材上轉印至陶瓷生片上的步驟（轉印步驟）； 使曝光遮罩與感光性層接觸而進行曝光的步驟（曝光步驟A）；以及 對曝光後的感光性層進行顯影而形成導電圖案的步驟（顯影步驟）。 在轉印步驟中，由於將感光性層轉印至陶瓷生片上，在表面露出感光性層，在曝光步驟A中能夠進行使感光性層與曝光遮罩接觸的接觸曝光。因此，可形成更高精細的圖案。
本發明的帶導電圖案的陶瓷生片的製造方法的第二形態依序具有： 準備在基材上具有含有導電粒子（a）、非導電粒子（b）、鹼可溶性樹脂（c）、感光劑（d）以及溶劑（e），且溶劑（e）的含量為5.0質量%以下的感光性層的帶感光性層基材，以感光性層與陶瓷生片相接觸的方式將帶感光性層基材積層於陶瓷生片上的步驟（積層步驟）； 使曝光遮罩與帶感光性層基材的基材接觸而進行曝光的步驟（曝光步驟B）；以及 對曝光後的感光性層進行顯影而形成導電圖案的步驟（顯影步驟）。 在積層步驟中，由於將帶感光性層基材積層於陶瓷生片上，在感光性層上存在基材，在曝光步驟B中經由基材對感光性層進行曝光。由於感光性層受到基材的保護，因此可進一步抑制導電圖案的斷線。
本發明中使用的帶感光性層基材例如可藉由以下方式而獲得：利用絲網印刷法在基材上塗佈含有導電粒子（a）、非導電粒子（b）、鹼可溶性樹脂（c）、感光劑（d）以及溶劑（e）的感光性糊劑並進行乾燥而形成感光性層。
基材 作為基材，例如可列舉：金屬基板、玻璃基板、塑膠膜等。該些中，就感光性層的剝離性、或用於第二形態時的曝光步驟B中的曝光光的光透過性的觀點而言，較佳為包含聚對苯二甲酸乙二酯（Polyethylene Terephthalate，PET）、環烯烴聚合物、聚碳酸酯、聚醯亞胺、聚芳醯胺、氟樹脂、丙烯酸系樹脂、聚胺基甲酸酯系樹脂等樹脂的塑膠膜，更佳為包含PET、環烯烴聚合物、聚碳酸酯的膜。就提高感光性層的剝離性的觀點而言，較佳為對塑膠膜的一面或兩面實施利用矽酮樹脂、氟系樹脂等的脫模處理。
就處理性的觀點而言，基材的厚度較佳為10 μm以上，更佳為20 μm以上。另一方面，就基材的厚度、轉印步驟或積層步驟中對陶瓷生片的追隨性、減小用於第二形態時的曝光步驟B中的曝光遮罩與感光性層的間隙的觀點而言，較佳為200 μm以下，更佳為100 μm以下，進而佳為75 μm以下。
導電粒子（a） 本發明的導電粒子（a）是指20℃下的電阻率為1.0×10 -4Ω·m以下的粒子，具有藉由煆燒而對導電圖案賦予導電性的作用。作為導電粒子（a），例如可列舉：銀、金、銅、鉑、鈀、錫、鎳、鋁、鎢、鉬、釕、鉻、鈦、銦等金屬，或該些的合金、碳、氮化鈦等的粒子。可含有該些中的兩種以上。該些中，就導電性的觀點而言，較佳為銀、銅、金的粒子，就穩定性的觀點而言，更佳為銀粒子。
就提高導電性的觀點而言，導電粒子（a）的中值粒徑（D50）較佳為1 μm以上。另一方面，就提高曝光光的光透過性、形成更高精細的圖案的觀點而言，導電粒子（a）的D50較佳為5 μm以下。再者，導電粒子（a）的D50可使用粒度分佈測定裝置（麥奇克（Microtrac）HRA 型號（Model） No.9320-X100；日機裝（股）製造），藉由雷射散射法進行測定。
就導電性的觀點而言，感光性糊劑中的導電粒子（a）的含量較佳為60質量%以上，更佳為65質量%以上，進而佳為70質量%以上。另一方面，就曝光光的光透過性的觀點而言，導電粒子（a）的含量較佳為90質量%以下，更佳為85質量%以下，進而佳為80質量%以下。
非導電粒子（b） 非導電粒子（b）是指20℃下的電阻率超過1.0×10 -4Ω·m或絕緣的粒子，具有抑制煆燒時的導電圖案的收縮的作用。
作為非導電粒子（b），例如可列舉：氧化鋁（Al 2O 3）、氧化鋯（ZrO 2）、氧化鎂（MgO）、氧化鈹（BeO）、莫來石（3Al 2O 3·2SiO 2）、堇青石（5SiO 2·2Al 2O 3·2MgO）、尖晶石（MgO·Al 2O 3）、鎂橄欖石（2MgO·SiO 2）、鈣長石（CaO·Al 2O 3·2SiO 2）、鋇長石（BaO·Al 2O 3·2SiO 2）、二氧化矽（SiO 2）、鈦酸鋇（BaTiO 3）、氮化鋁（AlN）、鐵氧體（石榴石型：Y 3Fe5O 12系、尖晶石型：MeFe 2O 4系）、包含｢SiO 2､Al 2O 3､CaO､B 2O 3､MgO､TiO 2｣等的玻璃粒子等。可含有該些中的兩種以上。該些中，就進一步抑制煆燒缺陷的觀點而言，較佳為二氧化鈦、氧化鋁、二氧化矽、堇青石、莫來石、尖晶石、鈦酸鋇、氧化鋯的粒子，更佳為二氧化矽粒子。
就抑制煆燒時的導電圖案的收縮的觀點而言，非導電粒子（b）的D50較佳為5 μm以下，更佳為0.1 μm以下，進而佳為0.05 μm以下。再者，非導電粒子（b）的D50在為0.1 μm以下的情況下，可將非導電粒子（b）加入水中，進行300秒超音波處理後，使用Nanotrac WaveII-UZ251（麥奇克拜爾（Microtrac BEL）公司製造），藉由動態光散射法求出。
就抑制煆燒時的導電圖案的收縮的觀點而言，感光性糊劑中的非導電粒子（b）的含量較佳為0.1質量%以上，更佳為0.2質量%以上，進而佳為0.4質量%以上。另一方面，就導電性的觀點而言，非導電粒子（b）的含量較佳為10質量%以下，更佳為5質量%以下，進而佳為2質量%以下。
鹼可溶性樹脂（c） 鹼可溶性樹脂（c）是指在側鏈具有羧基及/或羥基的樹脂，且是感光性糊劑的黏合劑樹脂，同時具有藉由顯影溶解而形成圖案的作用。
作為鹼可溶性樹脂（c），較佳為丙烯酸樹脂，且較佳為具有碳-碳雙鍵的丙烯酸系單體與其他單體的共聚物。作為具有碳-碳雙鍵的丙烯酸系單體及其他單體，例如可列舉：在日本專利特開2019-215446號公報中例示為作為鹼可溶性樹脂（b-1）的例子的丙烯酸樹脂的原料者。
鹼可溶性樹脂（c）較佳為在側鏈及/或分子末端具有碳-碳雙鍵，可提高曝光時的硬化反應速度。作為具有碳-碳雙鍵的結構，例如可列舉：乙烯基、烯丙基、丙烯酸基、甲基丙烯酸基等。可具有該些中的兩種以上。作為向鹼可溶性樹脂（c）中導入碳-碳雙鍵的方法，例如，在丙烯酸樹脂的情況下，可列舉：使具有縮水甘油基或異氰酸酯基以及碳-碳雙鍵的化合物、丙烯醯氯、甲基丙烯醯氯、烯丙氯等與丙烯酸樹脂中的巰基、胺基、羥基、羧基反應的方法等。
作為具有縮水甘油基以及碳-碳雙鍵的化合物，例如可列舉：甲基丙烯酸縮水甘油酯、丙烯酸縮水甘油酯、烯丙基縮水甘油醚、縮水甘油基乙基丙烯酸酯、巴豆醯基縮水甘油醚、縮水甘油基巴豆酸酯、縮水甘油基異巴豆酸酯、「沙克馬（Cyclomer）（註冊商標）」M100、A200（以上，大賽璐（Daicel）化學工業（股）製造）等。作為具有異氰酸酯基與碳-碳雙鍵的化合物，例如可列舉：丙烯醯基異氰酸酯、甲基丙烯醯基異氰酸酯、丙烯醯基乙基異氰酸酯、甲基丙烯醯基乙基異氰酸酯等。亦可使用該些中的兩種以上。
亦可較佳地例示出鹼可溶性樹脂（c）含有不具有不飽和雙鍵的含羧基樹脂。作為不具有不飽和雙鍵的含羧基樹脂，例如可列舉：固體的巴斯夫（BASF）日本（股）製造的固體的莊克麗（JONCRYL）67（玻璃轉移溫度73℃）、莊克麗（JONCRYL）678（玻璃轉移溫度85℃）、莊克麗（JONCRYL）611（玻璃轉移溫度50℃）、莊克麗（JONCRYL）693（玻璃轉移溫度84℃）、莊克麗（JONCRYL）682（玻璃轉移溫度56℃）、莊克麗（JONCRYL）690（玻璃轉移溫度102℃）、莊克麗（JONCRYL）819（玻璃轉移溫度57℃）、莊克麗（JONCRYL）JDX-C3000A（玻璃轉移溫度65℃）、莊克麗（JONCRYL）JDX-C3080（玻璃轉移溫度134℃）、利用鹼水溶解的莊克麗（JONCRYL）52J（玻璃轉移溫度56℃）、莊克麗（JONCRYL）PDX-6157（玻璃轉移溫度84℃）、莊克麗（JONCRYL）60J（玻璃轉移溫度85℃）、莊克麗（JONCRYL）63J（玻璃轉移溫度73℃）、莊克麗（JONCRYL）70J（玻璃轉移溫度102℃）、莊克麗（JONCRYL）JDX-6180（玻璃轉移溫度134℃）、莊克麗（JONCRYL）HPD-196（玻璃轉移溫度85℃）、莊克麗（JONCRYL）HPD-96J（玻璃轉移溫度102℃）、莊克麗（JONCRYL）PDX-6137A（玻璃轉移溫度102℃）、莊克麗（JONCRYL）6610（玻璃轉移溫度85℃）、莊克麗（JONCRYL）JDX-6500（玻璃轉移溫度65℃）、莊克麗（JONCRYL）PDX-6102B（玻璃轉移溫度19℃）等。亦可使用該些中的兩種以上。
就改善轉印性的觀點而言，不具有不飽和雙鍵的含羧基樹脂的玻璃轉移溫度較佳為110℃以下，更佳為30℃~70℃。
就光微影加工性、黏度特性等觀點而言，感光性糊劑中的鹼可溶性樹脂（c）的含量較佳為1質量%～10質量%。
感光劑（d） 作為感光劑（d），可列舉光聚合起始劑、溶解抑制劑等。就形成更厚膜的導電圖案的觀點而言，較佳為光聚合起始劑。
光聚合起始劑藉由吸收紫外線等短波長的光進行分解、或者利用脫氫反應而產生自由基，來賦予光硬化性，從而能夠利用負型的光微影法形成圖案。作為光聚合起始劑，例如可列舉：在日本專利特開2019-215446號公報中作為光反應起始劑（d）例示者。就光硬化性的觀點而言，較佳為肟系光聚合起始劑。
溶解抑制劑能夠使被曝光部位對顯影液的溶解性增大，而能夠利用正型的光微影法形成圖案。作為溶解抑制劑，較佳為藉由在後述的曝光步驟中使用的曝光能量產生酸的溶解抑制劑。例如，可列舉：重氮二碸化合物、三苯基鋶化合物、醌二疊氮化合物等。作為重氮二碸化合物，例如可列舉：雙(環己磺醯基)重氮甲烷、雙(第三丁基磺醯基)重氮甲烷、雙(4-甲基苯基磺醯基)重氮甲烷等。作為三苯基鋶化合物，例如可列舉：二苯基-4-甲基苯基鋶三氟甲烷磺酸酯、二苯基-2,4,6-三甲基苯基鋶對甲苯磺酸酯、二苯基(4-甲氧基苯基)鋶三氟甲烷磺酸酯等。作為醌二疊氮化合物，例如可列舉：醌二疊氮的磺酸以酯鍵結於多羥基化合物的化合物、醌二疊氮的磺酸以磺醯胺鍵結於聚胺基化合物的化合物、醌二疊氮的磺酸酯鍵結及/或磺醯胺鍵結於多羥基聚胺基化合物的化合物等。可含有該些中的兩種以上。
感光性糊劑中的感光劑（d）的含量較佳為0.1質量%～2質量%。
溶劑（e） 溶劑（e）具有調整感光性糊劑的黏度的作用。就提高連續塗佈感光性糊劑時的塗佈性的觀點、提高自基材的剝離性、提高轉印性的觀點而言，溶劑（e）在大氣壓下的沸點較佳為150℃以上。另一方面，就乾燥除去性的觀點而言，溶劑（e）在大氣壓下的沸點較佳為300℃以下。作為沸點處於所述範圍的溶劑，例如可列舉：乙二醇己醚、乙二醇單丁醚乙酸酯、二乙二醇正丁醚、二乙二醇乙醚、二乙二醇二乙醚、二乙二醇丁基甲醚、二乙二醇甲醚、二乙二醇單乙醚、二乙二醇單乙醚乙酸酯、二乙二醇單丁醚、二乙二醇單甲醚、二丙二醇正丁醚、二丙二醇丙醚、二丙二醇甲基-正丙醚、二丙二醇甲醚、二丙二醇甲醚乙酸酯、二丙二醇單甲醚乙酸酯、二甲基咪唑啶酮、二甲基亞碸、三乙二醇二甲醚、丙二醇二乙酸酯、2,2,4-三甲基-1,3-戊二醇單異丁酸酯、2,2,4-三甲基-1,3-戊二醇二異丁酸酯、二乙二醇己醚、二乙二醇單-2-乙基己醚、二乙二醇單己醚、二丙二醇苯醚、四乙二醇二甲醚、三乙二醇丁基甲醚、三乙二醇單丁醚、三丙二醇丁醚、三丙二醇單丁醚、二乙二醇二丁醚等。可含有該些中的兩種以上。
就糊劑黏度的觀點而言，感光性糊劑中的溶劑（e）的含量較佳為5質量%～40質量%。
較佳為本發明中的感光性糊劑中含有調平劑。藉由含有調平劑，具有抑制將感光性糊劑塗佈於基材上時的收縮、以及提高感光性層的剝離性的效果。
作為調平劑，例如可列舉：月桂基硫酸銨、聚氧乙烯烷基醚硫酸三乙醇胺等陰離子界面活性劑、硬脂胺乙酸酯、月桂基三甲基氯化銨等陽離子界面活性劑、月桂基二甲基氧化胺、月桂基羧基甲基羥基乙基咪唑鎓甜菜鹼等兩性界面活性劑、聚氧乙烯月桂基醚、聚氧乙烯硬脂基醚、山梨醇酐單硬脂酸酯等非離子界面活性劑、以聚二甲基矽氧烷、聚甲基烷基矽氧烷等為主骨架的矽酮系界面活性劑、氟系界面活性劑、丙烯酸系界面活性劑。聚甲基烷基矽氧烷可為芳烷基改質聚甲基烷基矽氧烷。其中，較佳為以聚二甲基矽氧烷等為主骨架的矽酮系界面活性劑或丙烯酸系界面活性劑。進而，更佳為在本發明的感光性層中包含聚醚改質聚二甲基矽氧烷作為以聚二甲基矽氧烷等為主骨架的矽酮系界面活性劑。
在不損害其期望特性的範圍內，本發明中的感光性糊劑亦可含有具有不飽和鍵的光聚合性化合物、塑化劑、調平劑、分散劑、界面活性劑、矽烷偶合劑、消泡劑、顏料、染料等添加劑。
本發明中的感光性糊劑例如可藉由將前述的（a）～（d）成分及根據需要的其他添加劑溶解及/或分散在溶劑（e）中而獲得。作為溶解及/或分散的裝置，例如可列舉：三輥磨機、球磨機等分散機或混煉機等。溶解及/或分散可在室溫下進行，亦可進行加熱。
其次，將感光性糊劑塗佈於基材上，進行乾燥而形成感光性層。
作為塗佈方法，例如可列舉：噴塗法、輥塗法、絲網印刷法、使用刮刀塗機、模塗機、壓延塗機、彎月面塗機、棒塗機的塗佈方法等。該些中，就適合厚膜塗佈、連續生產性等觀點而言，較佳為絲網印刷法。
作為乾燥方法，例如可列舉使用烘箱、加熱板、紅外線等加熱裝置的加熱乾燥、或真空乾燥等。加熱溫度較佳為40℃～100℃，更佳為選擇加熱裝置、乾燥溫度、乾燥時間等條件，以使感光性層中溶劑（e）為5.0質量%以下。
在本發明中，較佳為使感光性層中的溶劑（e）的含量為5.0質量%以下。如上所述，藉由將所述感光性層轉印或積層於陶瓷生片上，可抑制由溶劑（e）引起的感光性層的黏著性或導電圖案底部的細線化、形成高精細的圖案，從而可抑制斷線。另外，由於不需要陶瓷生片上的高溫乾燥，因此可抑制由熱引起的陶瓷生片的收縮，從而形成高精細的圖案。若溶劑（e）的含量超過5.0質量%，則由於感光性層的黏著性或導電圖案底部的細線化，有時難以形成高精細的圖案。另外，有時容易發生斷線。溶劑（e）的含量較佳為2.0質量%以下，可進一步提高線寬均勻性。另一方面，感光性層中的溶劑（e）的含量較佳為0.10質量%以上，可提高自基材的剝離性、提高轉印性。
帶感光性層基材中的感光性層的厚度較佳為超過10 μm，可抑制導電圖案的斷線。另一方面，感光性層的厚度較佳為25 μm以下，在後述的曝光步驟中，曝光光容易到達感光性層的深部，因此可形成更高精細的圖案。
其次，以本發明的帶導電圖案的陶瓷生片的製造方法的第一形態為例，對各步驟進行說明。
（轉印步驟） 準備所述帶感光性層基材，將感光性層自基材上轉印至陶瓷生片上。可將感光性層自基材剝離並積層於陶瓷生片上，亦可在以感光性層與陶瓷生片相接觸的方式將帶感光性層基材積層於陶瓷生片上後，將基材剝離。在任一種方法中，均較佳為藉由壓接進行轉印，作為轉印裝置，例如可列舉：壓力機或輥層壓機等。轉印溫度較佳為20℃～200℃。轉印壓力較佳為0.1 MPa~2.0 MPa。加壓時間較佳為10秒鐘～300秒鐘。作為環境，例如可列舉：空氣中、氮氣中、真空中等。
作為陶瓷生片，例如可列舉：含有玻璃、陶瓷、玻璃陶瓷等無機粉末及黏合劑樹脂的絕緣組成物的片材等。陶瓷生片亦較佳為含有感光性有機成分，可賦予感光性。在所述情況下，絕緣組成物較佳為含有感光性有機成分。另外，在作為帶感光性層基材的基材而例示的塑膠膜或光學用樹脂板等基板上，亦可具有絕緣組成物的片材。陶瓷生片例如可藉由在塑膠膜或光學用樹脂板等基板上塗佈將所述無機粉末分散於黏合劑樹脂中而製成糊劑狀的絕緣組成物來獲得。作為塗佈方法，例如可列舉：作為所述感光性糊劑的塗佈方法而例示的方法等。在陶瓷生片具有感光性的情況下，亦可藉由光微影法形成圖案。
作為感光性有機成分，例如可列舉：所述的作為導電性糊劑的原料而例示的鹼可溶性樹脂（c）、感光劑（d）、或具有不飽和鍵的光聚合性化合物等。
（曝光步驟A） 使曝光遮罩接觸感光性層進行曝光。藉由消除曝光遮罩與感光性層的間隙，可抑制繞射所引起的曝光光的擴散或感光性層表層與曝光遮罩的曝光光的反射影響而導致的線變粗，從而形成更高精細的圖案。另外，圖案線寬均勻性提高。作為曝光中使用的化學射線，可列舉：紫外線、可見光線、電子射線、X射線等。在本發明中，較佳為水銀燈的i射線（波長365 nm）、h射線（波長405 nm）、g射線（波長436 nm）。
（顯影步驟） 對曝光後的感光性層進行顯影，形成導電圖案。
作為顯影液，較佳為鹼顯影液，例如可列舉日本專利特開2019-215446號公報中作為進行鹼顯影時的顯影液所例示的顯影液。
作為顯影方法，例如可列舉：將具有曝光後的感光性層的陶瓷生片靜置、搬送或旋轉的同時噴射顯影液的方法；將具有曝光後的感光性層的陶瓷生片浸漬於顯影液中的方法；將具有曝光後的感光性層的陶瓷生片浸漬於顯影液中的同時施加超音波的方法等。
亦可對藉由顯影而獲得的圖案實施利用淋洗液的淋洗處理。作為淋洗液，例如可列舉在日本專利特開2019-215446號公報中作為淋洗液例示的淋洗液。
進而，根據需要，亦可具有使感光性層的殘存溶劑或顯影液乾燥的步驟（乾燥步驟）。藉由對殘存溶劑或顯影液進行乾燥除去，在製造後述的煆燒體時，可降低收縮率。作為乾燥方法，可列舉作為感光性層的形成中的乾燥方法而例示的方法。
其次，對本發明的帶導電圖案的陶瓷生片的製造方法的第二形態進行說明。
（積層步驟） 準備所述帶感光性層基材，以感光性層與陶瓷生片相接觸的方式將帶感光性層基材積層於陶瓷生片上。在積層步驟中，無需剝離帶感光性層基材的基材。其他與第一形態中的（轉印步驟）相同。
（曝光步驟B） 使曝光遮罩與帶感光性層基材的基材接觸進行曝光。藉由使曝光遮罩與基材接觸，可使曝光遮罩與感光性層的間隙保持恆定，提高圖案線寬均勻性。另外，由於曝光遮罩與感光性層不直接接觸，因此可抑制感光性層的缺損，進一步抑制導電圖案的斷線。除了在曝光後剝離基材以外，其他與第一形態中的（曝光步驟A）相同。
（顯影步驟）及（積層步驟）與第一形態相同，可更具有乾燥步驟。
本發明中的帶導電圖案的陶瓷生片可積層多層來作為積層體使用。藉由積層，可增大導電圖案的厚度。積層數較佳為2層～30層。藉由將積層數設為30層以下，可抑制層間的對準偏差的影響。
本發明的積層體的製造方法的第一形態較佳為具有： 藉由所述方法形成第一導電圖案，獲得帶導電圖案的陶瓷生片的步驟； 在帶第一導電圖案的陶瓷生片的導電圖案側形成陶瓷生片的步驟；以及 在形成了帶第一導電圖案的陶瓷生片的陶瓷生片上，藉由所述方法形成第二導電圖案的步驟。
本發明的積層體的製造方法的第二形態較佳為具有： 藉由所述方法獲得多個帶導電圖案的陶瓷生片的步驟；以及 將多個帶導電圖案的陶瓷生片積層並熱壓接的步驟。 作為積層方法，例如可列舉：使用引導孔將陶瓷生片堆積的方法等。作為熱壓接裝置，例如可列舉液壓式壓力機等。熱壓接溫度較佳為90℃～130℃，熱壓接壓力較佳為5 MPa～20 MPa。
本發明中的帶導電圖案的陶瓷生片或積層體可進行煆燒而作為煆燒體使用。就抑制煆燒時的斷線的觀點而言，煆燒體的厚度較佳為2 μm以上。另一方面，就抑制煆燒時的膨脹的觀點而言，煆燒體的厚度較佳為20 μm。另外，就抑制煆燒時的斷線的觀點而言，煆燒體中的導電圖案的線寬較佳為5 μm以上。另一方面，就提高縱橫比的觀點而言，煆燒體中的導電圖案的線寬較佳為40 μm以下。
本發明的煆燒體的製造方法較佳為具有： 藉由所述製造方法獲得帶導電圖案的陶瓷生片或其積層體的步驟、及對所獲得的帶導電圖案的陶瓷生片或其積層體進行煆燒的步驟。 作為煆燒方法，例如可列舉在300℃～600℃下熱處理5分鐘～數小時後，進而在850℃～900℃下熱處理5分鐘～數小時的方法等。
作為本發明的煆燒體的製造方法的一例，以下對積層晶片電感器的製造方法進行說明。
首先，藉由本發明的帶導電圖案的陶瓷生片的製造方法，形成第一導電圖案，獲得帶導電圖案的陶瓷生片。其次，在帶第一導電圖案的陶瓷生片的導電圖案側形成陶瓷生片。進而在形成的陶瓷生片上形成通孔，在通孔中嵌入導體，藉此形成層間連接配線。作為通孔形成方法，例如可列舉雷射照射等。在陶瓷生片具有感光性的情況下，藉由經由具有通孔形狀的遮罩進行曝光、顯影，可高精度地形成通孔。作為形成層間連接配線的方法，例如可列舉藉由絲網印刷法嵌入導體糊劑並進行乾燥的方法等。作為導體糊劑，例如可列舉：含有銅、銀、銀-鈀合金的糊劑。繼而，在形成了帶導電圖案的陶瓷生片的陶瓷生片上藉由本發明的製造方法形成第二導電圖案。藉由重覆該些，可獲得積層體。另外，可藉由準備多個本發明中的帶導電圖案的陶瓷生片，進行積層並熱壓接來獲得積層體。
將所獲得的積層體切割為所需的晶片尺寸，進行煆燒，塗佈端子電極，進行鍍敷處理，藉此可獲得積層晶片電感器。作為該些方法，可列舉在日本專利特開2019-215446號公報中作為積層晶片電感器的製造方法而例示的方法。 [實施例]
以下，列舉實施例及比較例，進一步詳細說明本發明，但本發明並不限定於該些。
各實施例及比較例中使用的材料如下所述。
導電粒子（a）：粒徑（D50）2.1 μm、電阻率1.6×10 -8Ω·m的Ag粒子（以下稱為Ag粒子）。再者，導電粒子的粒徑（D50）使用粒度分佈測定裝置（麥奇克（Microtrac）HRA型號（Model）No.9320-X100；日機裝（股）製造），藉由雷射光散射法進行測定。
非導電粒子（b）：粒徑（D50）12 nm、絕緣性的二氧化矽粉末「艾羅西爾（AEROSIL）（註冊商標）」R972（日本艾羅西爾（AEROSIL）（股）製造）（以下稱為艾羅西爾（AEROSIL）R972）。再者，非導電粒子的粒徑（D50）是將非導電粒子加入水中，進行300秒鐘超音波處理後，使用Nanotrac WaveII-UZ251（麥奇克拜爾（Microtrac BEL）公司製造），藉由動態光散射法進行測定。
鹼可溶性樹脂（c）： c-1：藉由相對於甲基丙烯酸/甲基丙烯酸甲酯/苯乙烯=54/23/23（莫耳比）的共聚物的羧基100莫耳份，加成反應40莫耳份的甲基丙烯酸縮水甘油酯，獲得含羧基的丙烯酸系共聚物（c-1）。（具有不飽和雙鍵，重量平均分子量30,000，玻璃轉移溫度110℃）。
c-2：莊克麗（JONCRYL）690（無不飽和雙鍵、聚合平均分子量16,500、玻璃轉移溫度102℃；巴斯夫（BASF）日本（股）製造）。
c-3：莊克麗（JONCRYL）819（無不飽和雙鍵、聚合平均分子量14,500、玻璃轉移溫度57℃；巴斯夫（BASF）日本（股）製造）。
感光劑（d）：肟系光聚合起始劑「奧托馬（Optomer）（註冊商標）」N-1919（（股）艾迪科（ADEKA）製造）（以下稱為N-1919）。
溶劑（e）： e-1：乙酸環己醇酯「賽爾韜魯（CELTOL）（註冊商標）」CHXA（（股）大賽璐（Daicel）製造，大氣壓下的沸點：173℃）。
e-2：丙二醇單甲醚乙酸酯（大氣壓下的沸點：146℃）。
感光性單體：含酯結構的胺基甲酸酯丙烯酸酯NK低聚物UA-122P（黏度7.0 Pa·s、重量平均分子量1,100、新中村化學工業（股）製造）（以下稱為UA-122P）。
調平劑：「迪斯帕隆（Disparlon）（註冊商標）」L-1980N （楠本化成（股）製造）（以下稱為L-1980N）。
分散劑：弗洛倫（Flowlen）G-700（共榮社化學（股）製造）（以下稱為G-700）。
＜帶陶瓷生片的基板的製造＞ 計量陶瓷粉末「帕魯賽姆（Palceram）（註冊商標）」BT149（日本化學工業（股）製造）250 g、所述鹼可溶性樹脂（c）240 g、作為塑化劑的鄰苯二甲酸二丁酯80 g、作為光聚合起始劑的「豔佳固（IRGACURE）（註冊商標）」651（巴斯夫（BASF）公司製造）30 g、作為溶媒的乙二醇單丁醚160 g，進行混合，使用三輥磨機進行混煉而獲得組成物。
在厚度100 μm的PET膜上，塗佈所獲得的組成物，進行乾燥，製作帶陶瓷生片的基板。
各實施例及比較例中的評價方法如下所示。
＜感光性層的厚度＞ 對於各實施例及比較例中製作的感光性層，使用觸針式階差計（「薩弗科姆（SURFCOM）（註冊商標）」1400；（股）東京精密製造）測定厚度。
＜感光性層中的溶劑含量＞ 自各實施例及比較例中製作的帶感光性層基材僅剝離感光性層並測定其重量後，使用熱風烘箱在100℃下加熱3小時後，再次測定重量。算出加熱前後的重量變化量，由相對於加熱前的感光性層的重量的比例（%）算出感光性層中的溶劑含量。 溶劑含量[重量%]={（加熱前的感光性層重量[g]-加熱後的感光性層重量[g]）÷（加熱前的感光性層重量）[g]}×100。
＜轉印性＞ 在各實施例及比較例的轉印步驟或積層步驟中，在熱壓接溫度50℃～130℃、熱壓接壓力0.1 MPa～0.3 MPa、熱壓接時間30 s（固定）的條件範圍內，自低溫、低壓條件下進行轉印步驟、積層步驟，自感光性層剝離基材後，目視觀察基材表面，將在基材上未確認到感光性層的殘存的條件作為轉印性的評價。
＜微細圖案加工性＞ 對於藉由各實施例及比較例獲得的帶導電圖案的陶瓷生片，使用光學顯微鏡以倍率1,000倍放大觀察導電圖案部，將其設為未確認到斷線及脫落的最小線寬。
另外，對於藉由各實施例及比較例獲得的帶導電圖案的陶瓷生片，沿線寬方向裁斷與曝光遮罩開口寬度15 μm對應的導電圖案，將圖案剖面利用掃描型電子顯微鏡（S2400；（股）日立製作所製造），以倍率3,000倍進行放大觀察，測定導電圖案的頂部的寬度與底部的寬度，算出頂部寬度與底部寬度之差。
＜線寬均勻性＞ 對於藉由各實施例及比較例獲得的線寬均勻性評價用帶導電圖案的陶瓷生片，使用光學顯微鏡以倍率1,000倍將與25個區塊的各區塊的曝光遮罩開口寬度15 μm對應的導電圖案放大，分別測定導電圖案上部的線寬，算出其最大值與最小值的差。
＜斷線概率＞ 將藉由各實施例及比較例獲得的斷線概率評價用帶導電圖案的陶瓷生片各100個在880℃下煆燒10分鐘，獲得煆燒體。對所獲得的煆燒體，使用數位萬用表（CDM-16D；日本東洋（CUSTOM）公司製造）測定電阻值，將無法測定電阻值的情況作為斷線。將煆燒體100個中斷線發生樣品個數的比例（%）作為斷線概率。
（實施例1） ＜感光性糊劑的製備＞ 在200 mL的清潔瓶中，放入14.8 g的c-1、2.0 g的N-1919、60.0 g的e-1、7.5 g的UA-122P、0.4 g的L-1980N、0.4 g的G-700，使用自轉-公轉真空攪拌機「去泡攪拌太郎（註冊商標）」ARE-310（（股）新基（THINKY）製造）進行混合，獲得85.1 g的樹脂溶液。將所獲得的樹脂溶液與248.1 g的Ag粒子、1.6 g的艾羅西爾（AEROSIL）R972混合，使用三輥磨機（艾卡特（EXAKT）M-50；艾卡特（EXAKT）公司製造）進行混煉，獲得334.8 g的感光性糊劑。
＜帶感光性層基板的製造＞ 在厚度50 μm的PET基材上，藉由絲網印刷法塗佈利用所述方法獲得的感光性糊劑，在溫度55℃下乾燥15分鐘，形成厚度11 μm的感光性層，獲得帶感光性層基板。感光性層的溶劑（e）含量為1.0質量%。
＜轉印步驟＞ 其次，使所述的帶陶瓷生片的基板與所獲得的帶感光性層的基板以感光性層和陶瓷生片相接觸的方式相向，使用壓力機將感光性層轉印至陶瓷生片上。此時的轉印條件為熱壓接溫度：100℃、熱壓接時間：30秒鐘、熱壓接壓力：0.3 MPa的條件。
＜曝光步驟A＞ 使曝光遮罩與露出的感光性層接觸，利用曝光裝置（PEM-6M； 聯合光學（Union Optical）（股）製造），以365 nm的波長換算進行了300 mJ/cm 2全線曝光。作為曝光遮罩，使用在開口寬度5 μm～40 μm範圍內具有1 μm刻度的細線的曝光遮罩。另外，作為線寬均勻性評價用樣品，使用了於縱橫各5個區塊共計25個區塊分別具有所述線寬的細線的曝光遮罩。另外，作為斷線概率評價用樣品，使用了具有圖1所示形狀的、具有開口寬度（L）40 μm、長度4.0 cm的開口部的曝光遮罩。
＜顯影步驟＞ 在0.2質量%的Na 2CO 3溶液中浸漬具有曝光的感光性層的基板後，利用超純水進行淋洗處理，獲得帶導電圖案的陶瓷生片基板。
將根據所述方法評價的結果示於表1。
（實施例2～實施例3、比較例1） 在＜帶感光性層基板的製造＞中，除了將乾燥條件如表1所述般進行變更以外，與實施例1同樣地進行，結果感光性層的溶劑（e）含量如表1所示。使用所獲得的帶感光性層基板，與實施例1同樣地獲得帶導電圖案的陶瓷生片。將藉由所述方法進行評價的結果示於表1。
（實施例4～實施例6、比較例2） 代替＜轉印步驟＞而設為不剝離帶感光性層基板的基材的＜積層步驟＞，代替＜曝光步驟A＞而設為使曝光遮罩與帶感光性層基板的基材接觸，在曝光後剝離基材的＜曝光步驟B＞，除此以外分別與實施例1～實施例3及比較例1同樣地獲得帶導電圖案的陶瓷生片。將藉由所述方法進行評價的結果示於表1。
（實施例7～實施例8） ＜感光性糊劑的製備＞ 在200 mL清潔瓶中，放入7.4 g的c-1、7.4 g的c-2、2.0 g的N-1919、60.0 g的e-1、7.5 g的UA-122P、0.4 g的L-1980N、0.4 g的G-700，使用自轉-公轉真空攪拌機「去泡攪拌太郎（註冊商標）」ARE-310（（股）新基（THINKY）製造）進行混合，獲得85.1 g的樹脂溶液。將所獲得的樹脂溶液與248.1 g的Ag粒子、1.6 g的艾羅西爾（AEROSIL）R972混合，使用三輥磨機（艾卡特（EXAKT）M-50；艾卡特（EXAKT）公司製造）進行混煉，獲得334.8 g的感光性糊劑。
在＜帶感光性層基板的製造＞中，除了將乾燥條件如表1所述般進行變更以外，與實施例1同樣地進行，結果感光性層的溶劑（e）含量如表1所示。使用所獲得的帶感光性層基板，與實施例1同樣地獲得帶導電圖案的陶瓷生片。將藉由所述方法進行評價的結果示於表1。
（實施例9～實施例10） ＜感光性糊劑的製備＞ 在200 mL清潔瓶中，放入7.4 g的c-1、7.4 g的c-3、2.0 g的N-1919、60.0 g的e-1、7.5 g的UA-122P、0.4 g的L-1980N、0.4 g的G-700，使用自轉-公轉真空攪拌機「去泡攪拌太郎（註冊商標）」ARE-310（（股）新基（THINKY）製造）進行混合，獲得85.1 g的樹脂溶液。將所獲得的樹脂溶液與248.1 g的Ag粒子、1.6 g的艾羅西爾（AEROSIL）R972混合，使用三輥磨機（艾卡特（EXAKT）M-50；艾卡特（EXAKT）公司製造）進行混煉，獲得334.8 g的感光性糊劑。
在＜帶感光性層基板的製造＞中，除了將乾燥條件如表1所述般進行變更以外，與實施例1同樣地進行，結果感光性層的溶劑（e）含量如表1所示。使用所獲得的帶感光性層基板，與實施例1同樣地獲得帶導電圖案的陶瓷生片。將藉由所述方法進行評價的結果示於表1。
（實施例11～實施例12） 在＜感光性糊劑的製備＞中，代替溶劑e-1而使用e-2，在＜帶感光性層基板的製造＞中，除了將乾燥條件如表1所述般進行變更以外，與實施例1同樣地進行，結果感光性層的溶劑（e）含量如表1所示。使用所獲得的帶感光性層基板，與實施例1同樣地獲得帶導電圖案的陶瓷生片。將藉由所述方法進行評價的結果示於表1。
（實施例13～實施例14） 代替＜轉印步驟＞而設為不剝離帶感光性層基板的基材的＜積層步驟＞，代替＜曝光步驟A＞而設為使曝光遮罩與帶感光性層基板的基材接觸，在曝光後剝離基材的＜曝光步驟B＞，除此以外，分別與實施例11～實施例12同樣地獲得帶導電圖案的陶瓷生片。將藉由所述方法進行評價的結果示於表1。
（實施例15～實施例22） 除了將＜帶感光性層基板的製造＞中的感光性層的厚度及乾燥條件如表1所述般進行變更以外，與實施例1同樣地獲得帶感光性層基板的基材。使用所獲得的帶感光性層基板的基材，除了將曝光步驟如表1所述般進行變更以外，與實施例1同樣地獲得帶導電圖案的陶瓷生片。將藉由所述方法進行評價的結果示於表1。
（比較例3） 代替＜轉印步驟＞，在帶陶瓷生片的基板的陶瓷生片上直接塗佈感光性糊劑，在溫度120℃下乾燥4分鐘，形成厚度11 μm的感光性層。感光性層中的溶劑（e）的含量如表1所述。使用所獲得的帶感光性層基板的基材，與實施例1同樣地獲得帶導電圖案的陶瓷生片。將藉由所述方法進行評價的結果示於表1。
（比較例4～比較例5） 除了在＜曝光步驟＞中，不接觸曝光遮罩而進行曝光以外，分別與實施例1～實施例2同樣地獲得帶導電圖案的陶瓷生片。將藉由所述方法進行評價的結果示於表1。
[表1]
[表1]
  感光性層 的製作 溶劑 鹼可溶性樹脂 感光性層的 乾燥條件 感光性層 的厚度 （μm） 感光性層中的 溶劑含量 （質量%） 曝光 步驟 曝光遮罩的 接觸 轉印性 微細圖案加工性 線寬 均勻性 （μm） 斷線概率 （%）
種類 沸點 （℃） 種類 溫度 （℃） 時間 （分） 溫度 （℃） 壓力 （MPa） 時間 （s） 解析度 界限寬度 （μm） 頂部寬度- 底部寬度 （μm）
實施例1 有 e-1 173 c-1 55 15 11 1.0 A 有 100.0 0.3 30 12 3 0.5 3
實施例2 有 e-1 173 c-1 55 10 11 4.0 A 有 100.0 0.3 30 13 4 0.7 5
實施例3 有 e-1 173 c-1 55 20 11 0.05 A 有 110.0 0.3 30 12 4 0.6 3
實施例4 有 e-1 173 c-1 55 15 11 1.0 B 有 100.0 0.3 30 15 8 0.8 0
實施例5 有 e-1 173 c-1 55 10 11 4.0 B 有 100.0 0.3 30 16 無法加工 0.9 1
實施例6 有 e-1 173 c-1 55 20 11 0.05 B 有 110.0 0.3 30 15 7 0.8 0
實施例7 有 e-1 173 c-1,c-2 55 15 11 1.0 A 有 90.0 0.2 30 12 3 0.5 3
實施例8 有 e-1 173 c-1,c-2 55 10 11 4.0 A 有 90.0 0.2 30 13 4 0.7 5
實施例9 有 e-1 173 c-1,c-3 55 15 11 1.0 A 有 70.0 0.2 30 12 3 0.5 3
實施例10 有 e-1 173 c-1,c-3 55 10 11 4.0 A 有 70.0 0.2 30 13 4 0.7 5
實施例11 有 e-2 145 c-1 55 10 11 1.0 A 有 110.0 0.3 30 12 3 0.6 4
實施例12 有 e-2 145 c-1 55 7 11 4.0 A 有 110.0 0.3 30 13 4 0.9 5
實施例13 有 e-2 145 c-1 55 10 11 1.0 B 有 110.0 0.3 30 15 8 1 0
實施例14 有 e-2 145 c-1 55 7 11 4.0 B 有 110.0 0.3 30 16 無法加工 1.1 1
實施例15 有 e-1 173 c-1 55 15 7 1.0 A 有 100.0 0.3 30 9 2 0.3 7
實施例16 有 e-1 173 c-1 55 10 7 4.0 A 有 100.0 0.3 30 10 3 0.4 10
實施例17 有 e-1 173 c-1 55 15 7 1.0 B 有 100.0 0.3 30 11 3 0.6 3
實施例18 有 e-1 173 c-1 55 10 7 4.0 B 有 100.0 0.3 30 12 4 0.7 5
實施例19 有 e-1 173 c-1 55 15 28 1.0 A 有 100.0 0.3 30 30 無法加工 1.2 4
實施例20 有 e-1 173 c-1 55 10 28 4.0 A 有 100.0 0.3 30 33 無法加工 1.4 6
實施例21 有 e-1 173 c-1 55 15 28 1.0 B 有 100.0 0.3 30 35 無法加工 1.6 1
實施例22 有 e-1 173 c-1 55 10 28 4.0 B 有 100.0 0.3 30 38 無法加工 1.9 2
比較例1 有 e-1 173 c-1 55 6 11 6.0 A 有 100.0 0.3 30 由於膜面黏性而無法與曝光遮罩接觸
比較例2 有 e-1 173 c-1 55 6 11 6.0 B 有 100.0 0.3 30 19 無法加工 0.9 15
比較例3 無 e-1 173 c-1 （120） （4） 11 4.0 A 有 - - - 20 無法加工 2.9 8
比較例4 有 e-1 173 c-1 55 15 11 1.0 - 無 100.0 0.3 30 18 無法加工 2.4 2
比較例5 有 e-1 173 c-1 55 10 11 4.0 - 無 100.0 0.3 30 20 無法加工 2.6 2
L:開口寬度
圖1是在實施例中使用的曝光遮罩的遮罩圖案的概略圖。
L:開口寬度

Claims (13)

  1. 一種帶導電圖案的陶瓷生片的製造方法，依序具有： 準備在基材上具有含有導電粒子（a）、非導電粒子（b）、鹼可溶性樹脂（c）、感光劑（d）以及溶劑（e），且溶劑（e）的含量為5.0質量%以下的感光性層的帶感光性層基材，並將感光性層自基材上轉印至陶瓷生片上的步驟（轉印步驟）； 使曝光遮罩與感光性層接觸而進行曝光的步驟（曝光步驟A）；以及 對曝光後的感光性層進行顯影而形成導電圖案的步驟（顯影步驟）。
  2. 一種帶導電圖案的陶瓷生片的製造方法，依序具有： 準備在基材上具有含有導電粒子（a）、非導電粒子（b）、鹼可溶性樹脂（c）、感光劑（d）以及溶劑（e），且溶劑（e）的含量為5.0質量%以下的感光性層的帶感光性層基材，以感光性層與陶瓷生片相接觸的方式將帶感光性層基材積層於陶瓷生片上的步驟（積層步驟）； 使曝光遮罩與帶感光性層基材的基材接觸而進行曝光的步驟（曝光步驟B）；以及 對曝光後的感光性層進行顯影而形成導電圖案的步驟（顯影步驟）。
  3. 如請求項1或2所述的帶導電圖案的陶瓷生片的製造方法，其中，感光性層中的溶劑（e）的含量為0.1質量%以上。
  4. 如請求項1或2所述的帶導電圖案的陶瓷生片的製造方法，其中，所述鹼可溶性樹脂（c）包含不具有不飽和雙鍵的含羧基樹脂，玻璃轉移溫度為110℃以下。
  5. 如請求項4所述的帶導電圖案的陶瓷生片的製造方法，其中，所述鹼可溶性樹脂（c）的玻璃轉移溫度為30℃以上且70℃以下。
  6. 如請求項1或2所述的帶導電圖案的陶瓷生片的製造方法，其中，感光性層中包含聚醚改質聚二甲基矽氧烷。
  7. 如請求項1或2所述的帶導電圖案的陶瓷生片的製造方法，更具有：利用絲網印刷法在基材上塗佈含有導電粒子（a）、非導電粒子（b）、鹼可溶性樹脂（c）、感光劑（d）以及溶劑（e）的感光性糊劑，並進行乾燥而形成感光性層，藉此獲得所述帶感光性層基材的步驟。
  8. 如請求項1或2所述的帶導電圖案的陶瓷生片的製造方法，其中，作為所述溶劑（e），包含大氣壓下的沸點為150℃～300℃的溶劑。
  9. 如請求項1或2所述的帶導電圖案的陶瓷生片的製造方法，其中，所述感光性層的厚度超過10 μm且為25 μm以下。
  10. 如請求項1或2所述的帶導電圖案的陶瓷生片的製造方法，其中，所述陶瓷生片中包含感光性有機成分。
  11. 一種積層體的製造方法，是將多個帶導電圖案的陶瓷生片積層而成的積層體的製造方法，且具有： 藉由如請求項1或2所述的帶導電圖案的陶瓷生片的製造方法形成第一導電圖案，而獲得帶導電圖案的陶瓷生片的步驟； 在帶第一導電圖案的陶瓷生片的導電圖案側形成陶瓷生片的步驟；以及 藉由如請求項1或2所述的帶導電圖案的陶瓷生片的製造方法，在形成了帶第一導電圖案的陶瓷生片的陶瓷生片上形成第二導電圖案的步驟。
  12. 一種積層體的製造方法，是將多個帶導電圖案的陶瓷生片積層而成的積層體的製造方法，且具有： 藉由如請求項1或2所述的帶導電圖案的陶瓷生片的製造方法，獲得多個帶導電圖案的陶瓷生片的步驟；以及 將多個帶導電圖案的陶瓷生片積層並進行熱壓接的步驟。
  13. 一種煆燒體的製造方法，具有：藉由如請求項1或2所述的製造方法而獲得帶導電圖案的陶瓷生片的步驟；以及對所獲得的帶導電圖案的陶瓷生片進行煆燒的步驟。
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