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TW201840579A - 胺基酸聚合物之製造方法 - Google Patents

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TW201840579A
TW201840579A TW107107013A TW107107013A TW201840579A TW 201840579 A TW201840579 A TW 201840579A TW 107107013 A TW107107013 A TW 107107013A TW 107107013 A TW107107013 A TW 107107013A TW 201840579 A TW201840579 A TW 201840579A
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和泉雅之
岡本亮
原口拓也
村瀬健文
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日商糖鎖工學研究所股份有限公司
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Abstract

本發明之課題為提供相較於以往的胺基酸聚合物之製造方法，更簡便且有效率地製造胺基酸聚合物之方法。 　　其解決手段為提供使用了硫代酸胺基酸的胺基酸之聚合物之製造方法。具體而言，本發明之製造方法包含(A)準備第1及第2硫代酸胺基酸之步驟，與(B)使前述第1及第2硫代酸胺基酸進行氧化反應，取得以胜肽鍵連結之胺基酸之聚合物的步驟。本發明之製造方法，其特徵為一部分使用不具有保護基之硫代酸胺基酸。

Description

胺基酸聚合物之製造方法
本發明係關於胺基酸聚合物之製造方法，具體而言係關於使用硫代酸胺基酸製造以胜肽鍵連結之胺基酸的聚合物之方法。
胺基酸聚合物，被利用於許多工業產品，及對此等產品之添加劑、此等產品中所含有的化合物之合成中間體等各種目的。例如，天門冬胺酸之均聚物的聚天門冬胺酸，係被使用作為洗劑、肥料、農藥、化粧料或此等產品之添加劑。又，近年來蜘蛛絲中所含有的聚丙胺酸，由於其強度的關係而受到注目。如此地，胺基酸聚合物，作為賦予以往所無之新穎特徴的機能性高分子材料，而發現了各種用途，今後預期工業上製造胺基酸聚合物之需求會更加增高。
作為胺基酸聚合物之製造方法，係開發了生物學手法、化學手法等各種方法，但於製造效率及品質等各種觀點上還有改善的餘地。
例如，生物學手法中，可列舉於非天然型之胺基酸導入係有限制，或於糖蛋白質之糖鏈結構的不均一性等。
又，化學手法中，與生物學手法不同地，可進行自由的設計、結構控制，但合成中之保護、去保護步驟係成為必要。因此，可列舉其步驟中所產生的副反應，或成本、時間等生產性的限制，作為課題。又，於去保護之步驟中，亦可列舉經常必須使用毒性高的毒物，作為課題。
因而，為了提高可進行自由的設計、結構控制之化學合成的生產性，期望更簡便且迅速地，將保護、去保護之步驟改善為更安全的步驟。
硫代酸為具有硫代酸基(-COSH)之化合物的總稱。作為使用了硫代酸的醯胺鍵之形成方法，至今為止已知有與具有疊氮基之胺基酸的偶合(非專利文獻1)、利用硫代酸之S-S二聚體作為活性酯的方法(非專利文獻2)、藉由將硫代酸亞硝基化而活性化之方法(非專利文獻3)等。又，作為使用了硫代酸胺基酸的胜肽鍵之形成方法，已知有使用經保護之硫代酸胺基酸的S-S二聚體作為活性酯的方法(非專利文獻4)，及利用硫代酸胺基酸作為HOBt酯前驅物的方法(非專利文獻5)。 [先前技術文獻] [非專利文獻]
[非專利文獻1] J.Am.Chem.Soc.2003,125,7754-7755 　　[非專利文獻2] Nature,Vol 389,4 September 1997 　　[非專利文獻3] Org.Lett.,Vol.13,No.5,2011 　　[非專利文獻4] J.Org.Chem.2014,79,2377-2383 　　[非專利文獻5] J.Am.Chem.Soc.9Vol.132,No.47,2010
[發明所欲解決之課題]
本發明其目的為提供相較於以往的胺基酸聚合物之製造方法而言，更簡便且有效率地製造胺基酸聚合物之方法。 [用以解決課題之手段]
胺基酸間之胜肽鍵，係藉由以一方之胺基酸的α-胺基為親核性基，與另一方之胺基酸的羧基縮合而形成。縮合時，經活性化的羧基，於α-胺基以外，容易與存在於側鏈之各種具有親核性之官能基反應，因此欲製造結構被控制的胺基酸之聚合物，必須保護胺基酸之側鏈及α-胺基(作為反應對象者以外)。 　　本案發明者等人，為了解決本發明之課題而重複努力探討後，令人驚訝地，發現使用硫代酸胺基酸於製造胺基酸之聚合物，並將其彼此進行氧化反應時，可不經保護α-胺基及側鏈，即有效率地製造以胜肽鍵連結之胺基酸之聚合物。本發明者等人，更令人驚訝地，發現即使使用具備具有長的側鏈及親核性之官能基，因此於以往之胺基酸之縮合方法中被認為必須保護的離胺酸時，亦同樣地可製造胺基酸之聚合物。這意味著本發明之製造方法，不限於胺基酸側鏈之種類，可使用於各種目的。
本發明係基於上述見解者，其包含以下特徴： 　　[1] 一種製造方法，其係製造以胜肽鍵連結之胺基酸之聚合物的方法，其特徵為包含 　　(A)分別準備下述：(式中，R表示任意之胺基酸的側鏈) 　　所示的第1及第2胺基酸衍生物之步驟；及 　　(B)使前述第1胺基酸衍生物與第2胺基酸衍生物進行氧化反應，取得下述：(式中，各R係分別獨立地表示任意之胺基酸的側鏈) 　　所示的化合物之步驟； 　　此處，前述第1胺基酸衍生物及第2胺基酸衍生物之至少任一方，不具有保護基。
[2] 如[1]之製造方法，其中 　　前述第1胺基酸衍生物及第2胺基酸衍生物均不具有保護基。
[3] 如[1]或[2]之製造方法，其包含 　　(C)將步驟(B)中取得之化合物(2)，與下述：(式中，R表示任意之胺基酸的側鏈) 　　所示的第3胺基酸衍生物進行氧化反應，取得下述：(式中，各R係分別獨立地表示任意之胺基酸的側鏈) 　　所示的化合物之步驟。
[4] 如[3]之製造方法，其中 　　實施步驟(C)複數次，取得下述：(式中，各R係分別獨立地表示任意之胺基酸的側鏈，n表示2以上之整數) 　　所示的化合物。
[5] 如[3]或[4]之製造方法，其中 　　前述1個或複數個之第3胺基酸衍生物，不具有保護基。
[6] 如[1]~[5]中任一項之製造方法，其進一步包含 　　(D)使步驟(B)中取得之化合物(2)，或步驟(C)中取得之化合物(3)或化合物(4)，與下述：(式中，X表示以選自由N、O、S及Se所成之群的原子所鍵結之取代基) 　　所示的親核性試藥反應，取得下述：(式中，各R係分別獨立地表示任意之胺基酸的側鏈，m表示任意之整數，X表示以選自由N、O、S及Se所成之群的原子所鍵結之取代基) 　　所示的化合物之步驟。
[7] 如[6]之製造方法，其中 　　X為以N原子或S原子所鍵結之取代基。
[8] 如[4]之製造方法，其係 　　包含4個~20個胺基酸的聚合物之製造方法。
[9] 如[1]~[8]中任一項之製造方法，其中 　　第1或第2胺基酸衍生物，或前述複數個之第3胺基酸衍生物的至少1者，於側鏈具有無保護之4-胺基丁基。
[10] 如[1]~[8]中任一項之製造方法，其中 　　前述第1及第2胺基酸衍生物，及前述1個或複數個之第3胺基酸衍生物之側鏈為相同。
[11] 如[10]之製造方法，其中 　　前述側鏈均為甲基。
[12] 一種製造方法，其係製造以胜肽鍵所連結的複數個之胺基酸之聚合物的方法，其特徵為包含 　　(a)準備下述：(式中，R表示任意之胺基酸的側鏈) 　　所示的複數個之胺基酸衍生物之步驟； 　　(b)將前述複數個之胺基酸衍生物進行氧化反應，取得複數個之下述：(式中，各R係分別獨立地表示任意之胺基酸的側鏈，x表示任意之整數) 　　所示的化合物，及/或下述：(式中，各R係分別獨立地表示任意之胺基酸的側鏈，y及z表示任意之整數) 　　所示的化合物之步驟， 　　此處，前述複數個之胺基酸衍生物中之一部分或全部，不具有保護基。
[13] 如[12]之製造方法，其中 　　前述複數個之胺基酸衍生物中之全部，不具有保護基。
[14] 如[12]或[13]之製造方法，其中 　　步驟(b)中取得之化合物，含有化合物(7)。
[15] 如[14]之製造方法，其進一步包含 　　(c1)使步驟(b)中取得之化合物(7)，與下述：(式中，X表示以選自由N、O、S及Se所成之群的原子所鍵結之取代基) 　　所示的親核性試藥反應，取得下述：(式中，各R係分別獨立地表示任意之胺基酸的側鏈，x表示任意之整數，X表示以選自由N、O、S、Se所成之群的原子所鍵結之取代基) 　　所示的化合物之步驟。
[16] 如[15]之製造方法，其中 　　X為以N原子或S原子所鍵結之取代基。
[17] 如[12]或[13]之製造方法，其中 　　步驟(b)中取得之化合物，含有化合物(8)。
[18] 如[17]之製造方法，其進一步包含 　　(c2)使步驟(b)中取得之化合物(8)，與下述：(式中，X表示以選自由N、O、S及Se所成之群的原子所鍵結之取代基。) 　　所示的親核性試藥反應，取得下述：(式中，各R係分別獨立地表示任意之胺基酸的側鏈，y表示任意之整數，X表示以選自由N、O、S及Se所成之群的原子所鍵結之取代基) 　　及下述：(式中，各R係分別獨立地表示任意之胺基酸的側鏈，z表示任意之整數，X表示以選自由N、O、S及Se所成之群的原子所鍵結之取代基) 　　所示的化合物之步驟。
[19] 如[18]之製造方法，其中 　　X為以N原子或S原子所鍵結之取代基。
[20] 如[12]~[19]中任一項之製造方法，其係 　　包含4個~20個胺基酸的聚合物之製造方法。
[21] 如[12]~[20]中任一項之製造方法，其中 　　前述複數個之胺基酸衍生物之至少1者，於側鏈具有無保護之4-胺基丁基。
[22] 如[12]~[21]中任一項之製造方法，其中 　　前述複數個之胺基酸衍生物之側鏈為相同。
[23] 如[22]之製造方法，其中 　　前述側鏈均為甲基。
[24] 如[12]~[23]中任一項之製造方法，其係 　　用以製作多胜肽之分子庫。
只要係所屬技術領域中具有通常知識者，均理解任意組合了以上所述之本發明之一或複數個特徴的發明，亦包含於本發明之範圍中。 [發明之效果]
依照本發明之製造方法，相較於利用以往之保護基的方法，可極為有效率地製造胺基酸之聚合物。 　　又，本發明之製造方法，亦可不利用保護基，因此可容易地避免於去保護使用毒性高的毒物之以往的方法所伴隨的問題。 　　本發明之製造方法，可大量地合成複數個胺基酸之聚合物，因此可為適於聚胺基酸之工業生產或多胜肽之分子庫的製作者。
本發明中，「胺基酸」係以其最廣義使用，包含天然之胺基酸，亦即絲胺酸(Ser)、天門冬醯胺(Asn)、纈胺酸(Val)、白胺酸(Leu)、異白胺酸(Ile)、丙胺酸(Ala)、酪胺酸(Tyr)、甘胺酸(Gly)、離胺酸(Lys)、精胺酸(Arg)、組胺酸(His)、天門冬胺酸(Asp)、麩胺酸(Glu)、麩醯胺(Gln)、蘇胺酸(Thr)、半胱胺酸(Cys)、甲硫胺酸(Met)、苯丙胺酸(Phe)、色胺酸(Trp)、脯胺酸(Pro)，此外包含胺基酸變異體等之非天然胺基酸。因此，本發明中，胺基酸例如係包含L-胺基酸；D-胺基酸；經化學修飾之胺基酸：正白胺酸、β-丙胺酸、鳥胺酸等之於生體內不成為蛋白質之構成材料的胺基酸：胺基酸之側鏈取代基進一步經別的取代基取代之變異體等。
本發明中，「胺基酸衍生物」，係指胺基酸之羧基被轉換為硫代酸基(-COSH)之胺基酸(本說明書中亦稱為「硫代酸胺基酸」)，典型而言，係指具有α-胺基之下述結構者：化合物(1)中之R，表示任意之胺基酸的側鏈，因此，R可為天然之胺基酸的側鏈、亦可為經非天然之側鏈取代者。
於羧基導入硫代酸基之方法，已知有各種方法。例如，作為如此的方法，可列舉於銻觸媒(例如Ph3 SbO)之存在下，以作為目標之硫代羧酸類所對應之羧酸與硫化磷的反應來製造之方法(Chem. Ber, 123, 2081-2082 (1990))、使用硫化氫作為硫化劑之方法(J. Org. Chem., 25, 180-182 (1960))、將羧酸轉換為酸鹵化物後，與硫化氫之金屬鹽(鈉鹽或鉀鹽)反應之方法(Org. Synth., 4, 924(1963)；Synthesis., 998-1004(2005))、於酸鹵化物，作為硫化劑使用N,N-二甲基硫甲醯胺或硫乙醯胺之方法(Phosphorus, Sulfur, and Silicon., 178, 1661-1665(2003))、藉由氯碳酸酯與對應之羧酸的反應，轉換為混合酸酐後，與硫化氫反應(Chem. Pharm. Bull., 34, 999-1014 (1986))等。本發明中，可使用此等公知之方法，將胺基酸轉換為硫代酸胺基酸，而使用於本發明。或，胺基酸衍生物，例如可藉由將胺基酸中之羧基轉換為硫酯基，與硫原子之保護基的去保護來調製。
本發明於一態樣中，係關於製造以胜肽鍵連結之胺基酸之聚合物的方法。 　　雖不拘泥於特定理論，本發明之製造方法中，胜肽鍵之形成，可考量為藉由於胺基酸衍生物間之二硫醚(S-S)鍵的形成，與其後之分子內轉移反應來進行者(參照下述)。因此，本發明之製造方法中，為了進行反應，可採用於硫代酸胺基酸間形成二硫醚鍵之任意方法及條件。如此之方法及條件，為所屬技術領域中具有通常知識者所公知，例如所屬技術領域中具有通常知識者可以CHEMICAL APPROACHES to the SYNTHESIS of PEPTIDES and PROTEIN Chapter 5 Formation of Disulfide Bridge 209頁~236頁、1997年、CRC PRESS為參考，選擇適宜、適切的方法及條件。
本發明之製造方法中，上述反應特別可藉由氧化反應進行。 　　因此，本發明之製造方法，於一態樣中，其特徵為包含 　　(A)分別準備下述：(式中，R表示任意之胺基酸的側鏈) 　　所示的第1及第2胺基酸衍生物之步驟；及 　　(B)使前述第1胺基酸衍生物與第2胺基酸衍生物進行氧化反應，取得下述：(式中，各R係分別獨立地表示任意之胺基酸的側鏈) 　　所示的化合物之步驟，此處，前述第1胺基酸衍生物及第2胺基酸衍生物之至少任一方，不具有保護基。
本發明中，「第1胺基酸衍生物及第2胺基酸衍生物之至少任一方，不具有保護基」，意指第1胺基酸衍生物及第2胺基酸衍生物之至少任一方，於其側鏈或官能基上完全沒有保護基(1個也沒有)。 　　本發明中，保護基意指於胺基酸之聚合物合成中慣用地使用於側鏈及胺基之保護的保護基，例如，羥基之保護基例如可列舉甲基、tert-丁基、苄基、苄醯基、乙醯(Ac)基、三甲基矽烷(TMS)基、三乙基矽烷(TES)基、tert-丁基二甲基矽烷(TBS或TBDMS)基等。胺基之保護基，例如，作為脂溶性保護基可列舉9-茀基甲氧基羰基(Fmoc)基、t-丁氧基羰基(Boc)基、苄基、烯丙氧基羰基(Alloc)基、2,2,2-三氯乙氧基羰基(troc)基、烯丙氧基羰基、乙醯基等之碳酸酯系或醯胺系之保護基等，但不限定於此。
本發明之製造方法中，如上所述，第1胺基酸衍生物及第2胺基酸衍生物之至少任一方，不具有保護基，但另一方之胺基酸衍生物，則可具有保護基。因此，使用具有保護基之第1胺基酸衍生物與不具有保護基之第2胺基酸衍生物的情況，及使用不具有保護基之第1胺基酸衍生物與具有保護基之第2胺基酸衍生物的情況，均為本發明之範圍內。較佳為，第1胺基酸衍生物及第2胺基酸衍生物均使用不具有保護基之胺基酸衍生物。
本發明之製造方法中，氧化反應可藉由使用氧化劑進行氧化等來進行，但不限定於此。
可使用於本發明之氧化劑，只要係可藉由硫代酸基(-COSH)中之氫硫基(SH)的氧化偶合來形成二硫醚鍵之氧化劑，則無特殊限定。如此之氧化劑的例子，可列舉氯化鐵(III)、碘等，但不限定於此。本發明之一實施形態中，氧化反應，係藉由使用氧化劑，例如氯化鐵(III)來實施。
本發明中，氧化反應，可使用水單獨或水與有機溶劑之混合溶劑來進行。有機溶劑，可使用己烷或環己烷等之脂肪族烴溶劑、苯或甲苯等之芳香族烴溶劑、二氯甲烷或氯仿等之含鹵素溶劑、乙酸乙酯或乙腈等之非質子性極性溶劑、乙醇或甲醇等之質子性極性溶劑，但不限定於此。
本發明中，氧化反應中的反應溫度並無特殊限定，例如可於室溫反應。又，氧化反應中的pH條件亦無特殊限制，例如可為pH 1~4之範圍。
本發明之製造方法中，因應作為製造目的之胺基酸之聚合物，第1及第2胺基酸衍生物之側鏈，可為相同之側鏈、亦可為不同之側鏈。
本發明之製造方法，可進一步包含(C)將上述步驟(B)中取得之化合物(2)，與下述：(式中，R表示任意之胺基酸的側鏈) 　　所示的第3胺基酸衍生物進行氧化反應，取得下述：(式中，各R係分別獨立地表示任意之胺基酸的側鏈) 　　所示的化合物之步驟。 　　藉由步驟(C)，對化合物(2)以胜肽鍵連結又1分子之胺基酸。 　　第3胺基酸衍生物，可為具有保護基者、亦可為不具有保護基者。本發明之較佳實施形態中，第3胺基酸衍生物為不具有保護基者。又，第3胺基酸衍生物之側鏈，因應作為製造目的之胺基酸之聚合物的種類，可為與第1及第2胺基酸衍生物之任一方或兩方相同之側鏈、亦可為與其均不同者。
本發明之製造方法中，可依需要藉由重複步驟(C)複數次，取得具有所期望之長度的下述：(式中，各R係分別獨立地表示任意之胺基酸的側鏈，n表示2以上之整數) 　　所示的化合物。藉此，可有效率地製造序列經控制的所期望之長度的胺基酸之聚合物。 　　因此，本發明之製造方法中，潛在地可使用複數個之第3胺基酸衍生物。所使用之複數個之第3胺基酸衍生物，分別獨立地可為具有保護基者、亦可為不具有保護基者。較佳之實施形態中，所使用之1個或複數個之第3胺基酸衍生物，全為不具有保護基者。又，所使用之複數個之第3胺基酸衍生物的側鏈，因應作為製造目的之胺基酸之聚合物的種類，分別獨立地可為與第1及第2胺基酸衍生物之任一方或兩方相同的側鏈、亦可為與其均不同者。
一實施形態中，本發明之製造方法，可進一步包含將所取得的胺基酸之聚合物衍生物化之步驟。具體而言，本發明之製造方法，可進一步包含 　　(D)使步驟(B)中取得之化合物(2)，或步驟(C)中取得之化合物(3)或化合物(4)，與下述：(式中，X表示以選自由N、O、S及Se所成之群的原子所鍵結之取代基) 　　所示的親核性試藥反應，取得下述：(式中，各R係分別獨立地表示任意之胺基酸的側鏈，m表示任意之整數，X表示以選自由N、O、S及Se所成之群的原子所鍵結之取代基) 　　所示的化合物之步驟。 　　藉此，可將以SH體之形態所取得的胺基酸之聚合物，轉換為所期望之形態。
步驟(D)，只要依循所屬技術領域中具有通常知識者所週知之胺基酸或胜肽的衍生物化方法進行即可。例如，化合物(2)或(3)與親核性試藥(5)之反應，可使用醯胺系溶劑、己烷或環己烷等之脂肪族烴溶劑、苯或甲苯等之芳香族烴溶劑、二氯甲烷或氯仿等之含鹵素溶劑、乙酸乙酯或乙腈等之非質子性極性溶劑、乙醇或甲醇或水等之質子性極性溶劑。該反應特別是在酸性至中性之緩衝溶液中進行。緩衝溶液例如可列舉磷酸緩衝溶液、TRIS緩衝溶液、HEPES緩衝溶液、檸檬酸緩衝溶液等。此等緩衝溶液，可單獨使用、亦可混合2種以上。
步驟(D)之反應溫度並無特殊限制，可於0℃~30℃之範圍實施，較佳於0℃~20℃之範圍實施、更佳於0℃~10℃之範圍實施。又，反應時間並無特殊限制，可於1分鐘~5小時之範圍實施，較佳於1分鐘~2小時之範圍實施、更佳於1分鐘~30分鐘之範圍實施。又，步驟(D)之pH條件並無特殊限制，可於1~8之範圍實施，較佳於2~7之範圍實施、更佳於4~7之範圍實施。
化合物(5)之具體的例子，可列舉水、如甲醇之烷基醇、如苄醇之芳基醇、保護或無保護之肼、如乙烷硫醇之烷基硫醇、如苄基硫醇之芳基硫醇、硒基化合物等。
一實施形態中，化合物(5)中之X，為以N原子或S原子所鍵結之取代基，藉此，胺基酸之聚合物，分別以醯肼體或硫酯之形態被取得。
本發明，於別的態樣中，係關於製造以胜肽鍵所連結的複數個之胺基酸之聚合物的方法，該方法包含(a)準備下述：(式中，R表示任意之胺基酸的側鏈) 　　所示的複數個之胺基酸衍生物之步驟；及 　　(b)將前述複數個之胺基酸衍生物進行氧化反應，取得複數個之下述：(式中，各R係分別獨立地表示任意之胺基酸的側鏈，x表示任意之整數) 　　所示的化合物，及/或下述：(式中，各R係分別獨立地表示任意之胺基酸的側鏈，y及z表示任意之整數) 　　所示的化合物之步驟。該態樣中，本發明之製造方法，其特徵可為將複數個之胺基酸衍生物同時進行氧化反應的這點。又，於該態樣中，本發明之製造方法，其特徵為前述複數個之胺基酸衍生物中之至少一部分或全部，不具有保護基。
本發明之製造方法中，「前述複數個之胺基酸衍生物中之一部分不具有保護基」意指於步驟(a)中所準備的複數個之胺基酸衍生物中，包含不具有保護基之胺基酸衍生物，不具有保護基之胺基酸衍生物的比例不一定成為問題，較佳為複數個之胺基酸衍生物中，至少50%、更佳為至少60%、更佳為至少70%、更佳為至少80%、更佳為至少90%、更佳為至少91%、更佳為至少92%、更佳為至少93%、更佳為至少94%、更佳為至少95%、更佳為至少96%、更佳為至少97%、更佳為至少98%、更佳為至少99%，為不具有保護基之胺基酸衍生物為佳。本發明中，較佳為，於步驟(a)中所準備的複數個之胺基酸衍生物的全部，為不具有保護基者。
步驟(b)，為將步驟(a)中所準備的複數個之胺基酸衍生物同時進行氧化反應之步驟。雖不拘泥於特定理論，將複數個之胺基酸衍生物同時進行氧化反應時，可認為發生胺基酸衍生物之單體或聚合物與胺基酸衍生物之單體依次產生二硫醚鍵及分子內轉移，形成胜肽鍵之第1反應，與胺基酸衍生物之聚合物彼此產生二硫醚鍵之第2反應。
又，雖不拘泥於特定理論，藉由第2反應而產生(胺基酸聚合物)-S-S-(胺基酸聚合物)(化合物(8))時，可認為該分子內不產生分子內轉移，但於反應系中存在有胺基酸衍生物之單體時，可認為介隔二硫醚鍵而存在的胺基酸聚合物之一方與該胺基酸衍生物單體會引起交換反應，形成(胺基酸聚合物)-S-S-(胺基酸單體)(參照下述)，該分子會引起分子內轉移反應，藉此使胺基酸之伸長進行。再者，與如此之胺基酸衍生物單體不產生交換反應時，可認為於胺基酸聚合物彼此形成二硫醚鍵的時間點，不引起其以上之胺基酸伸長，因此無法製造長鏈的胺基酸之聚合物。由本案實施例中，最大可製造19個胺基酸長度之聚合物，亦可推測與胺基酸衍生物單體之交換反應產生之或然率高。
另一方面，於(胺基酸聚合物)-S-S-(胺基酸聚合物)產生的時間點，不存在可利用之胺基酸衍生物之單體時，可認為不引起與胺基酸衍生物單體之交換反應，因此不引起其以上之伸長。本發明之製造方法，為了任意地進行進一步的反應，亦可進一步含有將胺基酸衍生物之單體追加於反應系的步驟，不管如何，所屬技術領域中具有通常知識者當理解，於經進行步驟(b)的時間點，潛在性地，於化合物(7)以外，可產生化合物(8)。
又，本發明之製造方法中，前述「複數個之胺基酸衍生物」的側鏈，因應作為製造對象之胺基酸之聚合物，可全部為相同、亦可為相異。例如，藉由使前述之「複數個之胺基酸衍生物」的側鏈全部相同，本發明之製造方法，可適於大量得到特定之聚胺基酸的目的。作為如此之聚胺基酸，例如可列舉聚丙胺酸，但不限定於此。聚丙胺酸，可藉由準備由側鏈為甲基的胺基酸衍生物所成之均一的集團，作為前述「複數個之胺基酸衍生物」，並將之進行氧化反應來調製。又，藉由準備前述「複數個之胺基酸衍生物」來使用，以含有20種天然胺基酸之側鏈，本發明之製造方法可適於得到多胜肽之分子庫的目的。
一實施形態中，本發明之製造方法，可進一步包含 　　(c1)使步驟(b)中取得之化合物(7)，與下述：(式中，X表示以選自由N、O、S及Se所成之群的原子所鍵結之取代基) 　　所示的親核性試藥反應，取得下述：(式中，各R係分別獨立地表示任意之胺基酸的側鏈，x表示任意之整數，X表示以選自由N、O、S、Se所成之群的原子所鍵結之取代基) 　　所示的化合物之步驟。 　　藉此，可將以SH體之形態所取得的胺基酸之聚合物，轉換為所期望之形態。
步驟(c1)，只要依循所屬技術領域中具有通常知識者所週知之胺基酸或胜肽的衍生物化方法進行即可。化合物(7)與親核性試藥(5)之反應，可使用醯胺系溶劑、己烷或環己烷等之脂肪族烴溶劑、苯或甲苯等之芳香族烴溶劑、二氯甲烷或氯仿等之含鹵素溶劑、乙酸乙酯或乙腈等之非質子性極性溶劑、乙醇或甲醇、水等之質子性極性溶劑。該反應特別是在酸性至中性之緩衝溶液中進行。緩衝溶液例如可列舉磷酸緩衝溶液、TRIS緩衝溶液、HEPES緩衝溶液、檸檬酸緩衝溶液等。此等緩衝溶液，可單獨使用、亦可混合2種以上。
步驟(c1)之反應溫度，並無特殊限制，可於0℃~30℃之範圍實施，較佳於0℃~20℃之範圍實施、更佳於0℃~10℃之範圍實施。又，反應時間，並無特殊限制，可於1分鐘~5小時之範圍實施，較佳於1分鐘~2小時之範圍實施、更佳於1分鐘~30分鐘之範圍實施。又，步驟(c1)之pH條件，並無特殊限制，可於1~8之範圍實施，較佳於2~7之範圍實施、更佳於4~7之範圍實施。
化合物(5)之具體的例子，可列舉水、如甲醇之烷基醇、如苄醇之芳基醇、保護或無保護之肼、如乙烷硫醇之烷基硫醇、如苄基硫醇之芳基硫醇、硒基化合物。
一實施形態中，化合物(5)中之X，為以N原子或S原子所鍵結之取代基，藉此，胺基酸之聚合物，分別以醯肼體或硫酯之形態被取得。
別的實施形態中，本發明之製造方法，可進一步包含 　　(c2)使步驟(b)中取得之化合物(8)，與下述：(式中，X表示以選自由N、O、S及Se所成之群的原子所鍵結之取代基) 　　所示的親核性試藥反應，取得下述：(式中，各R係分別獨立地表示任意之胺基酸的側鏈，y表示任意之整數，X表示以選自由N、O、S及Se所成之群的原子所鍵結之取代基)， 　　及下述：(式中，各R係分別獨立地表示任意之胺基酸的側鏈，z表示任意之整數，X表示以選自由N、O、S及Se所成之群的原子所鍵結之取代基) 　　所示的化合物之步驟。 　　步驟(c2)，為藉由使用親核性試藥之化合物(4)使二硫醚鍵開裂，藉以由1分子之化合物(8)，以衍生物化形態取得化合物(10)及(11)之步驟。
以親核性試藥所進行之二硫醚鍵的開裂，係以水所進行之水解，或以醇所進行之酯化、以胺基化合物所進行之醯胺化、醯肼化、以硫醇所進行之硫酯化、以硒基化合物所進行之硒基酯化等，為所屬技術領域中具有通常知識者所公知。化合物(8)與親核性試藥(5)之反應，可使用醯胺系溶劑、己烷或環己烷等之脂肪族烴溶劑、苯或甲苯等之芳香族烴溶劑、二氯甲烷或氯仿等之含鹵素溶劑、乙酸乙酯或乙腈等之非質子性極性溶劑、乙醇或甲醇或水等之質子性極性溶劑。該反應特別是在酸性至中性之緩衝溶液中進行。緩衝溶液例如可列舉磷酸緩衝溶液、TRIS緩衝溶液、HEPES緩衝溶液、檸檬酸緩衝溶液等。此等緩衝溶液，可單獨使用、亦可混合2種以上。
步驟(c2)之反應溫度，並無特殊限制，可於0℃~30℃之範圍實施，較佳於0℃~20℃之範圍實施、更佳於0℃~10℃之範圍實施。又，反應時間，並無特殊限制，可於1分鐘~5小時之範圍實施，較佳於1分鐘~2小時之範圍實施、更佳於1分鐘~30分鐘之範圍實施。又，步驟(c2)之pH條件，並無特殊限制，可於1~8之範圍實施，較佳於2~7之範圍實施、更佳於4~7之範圍實施。
化合物(5)之具體的例子，可列舉水、如甲醇之烷基醇、如苄醇之芳基醇、保護或無保護之肼、如乙烷硫醇之烷基硫醇、如苄基硫醇之芳基硫醇、硒基化合物。
依照本發明之製造方法，可有效率地製造例如包含4個~20個、5個~20個、6個~20個、7~20個、8~20個、9個~20個，或10個~20個胺基酸之聚合物或聚合物的集團。
又，本發明之製造方法，即使將以往之胺基酸縮合反應中必須保護的於側鏈具有4-胺基丁基之離胺酸等具有反應性高之側鏈的胺基酸衍生物以無保護的狀態使用時，亦可製造以胜肽鍵連結之胺基酸之聚合物，因此具有不受到胺基酸種類的制約，通用性非常高之優點。
再者，本說明書中所用之用語，係用以說明特定之實施形態者，並不意圖限定發明。
又，本說明書中所用之「含有(包含)」之用語，除了文脈上明顯應作不同理解的情況外，係意指所記述之事項(構件、步驟、要素、數字等)存在，並不排除其以外之事項(構件、步驟、要素、數字等)存在。
只要無不同的定義，此處所用之全部用語(包含技術用語及科學用語)，具有與本發明所屬技術領域中具有通常知識者廣義理解者相同的意義。此處所用之用語，只要未明示不同的定義，則應解釋為與本說明書及相關技術領域中之意義具有整合性的意義者，不應理想化或過度解釋為形式上的意義。
或有使用第一、第二等之用語，用以表述各種要素，應理解此等要素不應以該等用語限定。此等用語僅用於區別一個要素與其他要素，例如，可將第一要素記載為第二要素，同樣地，可將第二要素記載為第一要素，而不脫離本發明之範圍。
以下，藉由實施例以更具體說明本發明，但是，本發明可由各種各樣的形態予以具體化，不可解釋為限定於此處所記載的實施例者。 [實施例]
原料物質 　　下述實施例中，係使用下述物質：N,N-二異丙基乙基胺(N,N-diisopropylethylamine：DIPEA)、三氟乙酸(Trifluoroacetic acid：TFA)、三異丙基矽烷(triisopropylsilane：TIPS)、N,N-二甲基-4-胺基吡啶(N,N-dimethyl-4-aminopyridine：DMAP)、二氯甲烷(Dichloromethane：DCM)、甲酸(formic acid：FA)、乙腈(Acetonitrile：MeCN)、(苯并三唑-1-氧基)三吡咯啶基鏻 六氟磷酸鹽((benzotriazol-1-yloxy) tripyrolidinophosphonium hexafluorophosphate：PyBOP)、三苯基甲烷硫醇(Triphenylmethanethiol)。
1.硫代酸胺基酸之合成 Boc-Phe-STrt (1) 　　於茄型燒瓶中置入Boc-Phe-OH(165.4mg、0.62 mmol)、PyBOP(1622.1mg、3.12 mmol)、Trt-SH (861.6mg、3.12 mmol)，於減壓下乾燥。乾燥後，添加DCM (3.1ml)，冷卻至-20℃。於-20℃下添加DIPEA (543.0μl)，於氬環境下攪拌2小時。之後，添加乙酸(543.0μl)中和後，將反應溶液濃縮。將濃縮殘渣以二氧化矽凝膠管柱(溶出溶劑：乙酸乙酯：己烷=1：10)精製，得到Boc-Phe-STrt 1(268.4mg、0.51 mmol、82.2%)。1 H NMR(400MHz, CDCl3 ) δ 4.82(d, 1H), 4.62(q, 1H), 2.99(q, 1H), 2.91(m, 1H), 1.43 (s, 9H)13 C NMR(100MHz, CDCl3 ) δ 197.7 　　HRMS(ESI)：calcd for C33 H33 NO3 S[M+Na]+ 546.2073, found 546.2076
H-Phe-SH (2) 　　對Boc-Phe-STrt 1(268.4mg、0.51 mmol)添加5% TIPS/TFA(5.1ml)，於室溫攪拌。10分鐘後，將反應溶液濃縮，對濃縮殘渣添加二乙基醚(40mL)，使目標物沈澱。將沈澱之目標物以離心沈澱操作回收。對回收之沈澱物添加二乙基醚再度進行離心沈澱操作，藉以洗淨沈澱物。重複該洗淨2次。將沈澱物於常溫、常壓乾燥後，溶解於0.1%TFA/H2 O：MeCN=1：1，進行冷凍乾燥，藉以得到Boc-Phe-SH 2(91.2mg、0.50 mmol、98%)。1 H NMR(400MHz, DMSO) δ 7.73(s, 2.5H), 7.26(m, 5H), 3.68(q, 1H), 3.35(q, 1H), 2.92(q, 1H)13 C NMR(100MHz, DMSO)：δ 208.4, 137.4, 129.9, 128.8, 127.0, 63.9, 38.6 　　HRMS(ESI)：calcd for C9 H10 NOS [M-H]- 180.0489, found 180.0489
Boc-Gly-STrt (3) 　　於茄型燒瓶中置入Boc-Gly-OH(208.2mg、1.19 mmol)、WSCI•HCl(273.4mg、1.43 mmol)、Trt-SH (361.3mg、1.31 mmol)、DMAP(14.5mg、0.12 mmol)，於減壓下乾燥。乾燥後，添加THF(5.9ml)，於氬環境下、室溫攪拌16小時。之後，添加乙酸乙酯(20mL)，將反應溶液稀釋，將有機相以水、飽和氯化銨水溶液、飽和碳酸氫鈉水溶液、飽和食鹽水分別各洗淨2次，最後將有機相以硫酸鎂乾燥。藉由過濾去除硫酸鎂後，將有機相濃縮。將殘渣以二氧化矽凝膠管柱(溶出溶劑：乙酸乙酯：己烷=1：10)精製，得到Boc-Gly-STrt 3(304.6mg、0.70 mmol、59.1%)。13 C NMR(100MHz, CDCl3 ) δ 194.8 　　HRMS(ESI)：calcd for C26 H27 NO3 S [M+Na]+ 456.1604, found 456.1601
H-Gly-SH (4) 　　以與H-Phe-SH2之合成同樣的順序，由原料Boc-Gly-STrt 3(304.6mg、0.70 mmol)得到H-Gly-SH 4(63.1mg、0.69 mmol、quant)。 　　HRMS(ESI)：calcd for C2 H4 NOS [M-H]- 90.0019, found 90.0019
Boc-Ala-STrt (5) 　　以與Boc-Phe-STrt 1之合成同樣的順序，由原料Boc-Ala-OH(633.4mg、3.35 mmol)得到Boc-Ala-STrt 5 (1243.1mg、2.78 mmol、83.0%)。13 C NMR(100MHz,CDCl3 ) δ 198.6 　　HRMS(ESI)：calcd for C27 H29 NO3 S [M+Na]+ 470.1760, found 470.1766
H-Ala-SH (6) 　　以與H-Phe-SH 2之合成同樣的順序，由原料Boc-Ala-STrt 5(1243.1mg、2.78 mmol)得到H-Ala-SH 6(277.7mg、2.64 mmol、95%)。1 H NMR(400MHz, DMSO) δ 7.69(s, 3H), 3.49(q, 1H), 1.32(d, 3H)13 C NMR(100MHz, DMSO) δ 210.0, 58.4, 19.0 　　HRMS(ESI)：calcd for C2 H6 NOS [M-H]- 104.0176, found 104.0176
Boc-Ser(t Bu)-STrt (7) 　　以與Boc-Phe-STrt 1之合成同樣的順序，由原料Boc-Ser(t Bu)-OH•DCHA(717.6mg、1.62 mmol)得到Boc-Ser(tBu)-STrt 7(685.2mg、1.48 mmol、91.1%)。1 H NMR(400MHz, CDCl3 ) δ 5.44(d, 1H), 4.33(d, 1H), 3.76(dd, 1H), 3.43(dd, 1H), 1.45(s, 9H)13 C NMR (100 MHz, CDCl3 ) δ 197.9
H-Ser-SH (8) 　　以與H-Phe-SH 2之合成同樣的順序，由原料Boc-Ser(tBu)-STrt 7(685.2mg、1.48 mmol)得到H-Ser-SH 8(173.3mg、1.43 mmol、97%)。1 H NMR(400MHz, DMSO) δ 7.69(s, 3H), 5.11(s, 1H), 3.96(q, 1H), 3.52(m, 2H)13 C NMR(100MHz, DMSO) δ 206.5, 65.0, 62.5 　　HRMS(ESI)：calcd for C3 H6 NO2 S [M-H]- 120.0125, found 120.0125
2.硫代酸胺基酸之均寡聚物化反應 H-Phe-SH之聚合 　　對溶解於水(221μl)之H-Phe-SH 2(0.40mg、2.2 μmol)，添加溶解於水(5μL)之氯化鐵(III)FeCl3 (2.98mg、11.0 μmol)，靜置於室溫(pH=1.26)。自反應開始0小時後、2小時後，分別以微量吸管量取2μL之溶液，以pH7之磷酸緩衝液(20μL)停止反應，以LC-MS進行分析。圖1表示二小時後之結果(波長220nm)(LC-MS analysis method：C18 5μm、4.6×100mm、0.1%FA：0.1%FAin90%MeCN= 95：5至45：55、20分、0.2ml/分之流速)。 　　圖2為圖1中，將MS(A)、MS(B)、MS(C)之各範圍予以質譜分析的結果。MS(A)、MS(B)及MS(C)之m/z及組成，分別如以下所示：(A)m/z=460.4：H-FFF-OH、(B)m/z=476.4：H-FFF-SH、(C)m/z=1211.8：H-FFFFFFFF-SH。
3.硫代酸胺基酸之異寡聚物化反應 H-Phe-SH及H-Ala-SH之寡聚合 　　對溶解於水(520μl)之H-Phe-SH 2(0.7mg、3.9 μmol)，及H-Ala-SH 6(1.0mg、9.5 μmol)之混合物，添加溶解於水(5μL)之氯化鐵(III)FeCl3 (5.2mg、19.2 μmol)，靜置於室溫(pH=1.40)。反應開始5分鐘後，以微量吸管量取2μL之溶液，以pH7之磷酸緩衝液(20μL)停止反應，使用UHPLC進行分析。圖3表示1分鐘後之結果(波長218nm)(UHPLC analysis method：C18 5μm、4.6×50mm、0.1%FA：0.09%FAin90%MeCN=95：5至5：95、5分、0.2ml/分之流速)。
圖4及圖5表示以F=Phe、A=Ala之一字母標記所觀測之主要生成物的組成。圖4及5中之(A)至(J)，分別對應於對圖3中之MS(A)至MS(J)表示之區分所測定的質譜分析結果。再者，圖5(J)為圖4(I)之部分擴大圖。MS(A)至MS(J)之m/z及組成，分別如以下所示：(A)m/z= 322.20：H-F1A2-OH、(B)m/z=535.35：H-F1A5-SH、(C)m/z=327.19：H-F2-SH、m/z=677.25：H-F1A7-SH、(D)m/z=398.37：H-F2A1-SH、m/z=611.24：H-F2A4-SH、(E)m/z=687.38：H-F3A3-SH、(F)m/z=763.57：H-F4A2-SH、(G)m/z=839.54：H-F5A1-SH、(H)m/z=986.51：H-F6A1-SH、(I)m/z=1133.53：H-F7A1-SH、m/z=1280.57：H-F8A1-SH、(J)m/z=2067.82：H-F9A10-SH。
以反應開始5分鐘後所分析之質譜分析所觀測到的最大胜肽，係由19殘基之胺基酸所構成者，其組成係包含苯丙胺酸9殘基、丙胺酸10殘基之硫代酸胜肽(圖5J)。
4.Phe-SH及Lys-SH之寡聚合 Boc-Lys(Boc)-STrt(13)以與上述Boc-Phe-STrt 1之合成實質上相同的方法，由Boc-Lys(Boc)-OH(1.05g、1.98 mmol)，得到非晶質之Boc-Lys(Boc)-STrt 13(1.10g、1.82 mmol、92%)。 　　[α]D 20 -26.78(c=0.95, CHCl3 ).1 H NMR(400MHz, CDCl3 ) δ：7.26(m), 4.99(d, 1H), 4.49(1H), 4.28(q, 1H), 3.05(q, 2H), 1.67(m, 1H), 1.45(s, 9H), 1.44(s, 9H), 1.40(m, 1H), 1.18(m, 2H).13 C NMR(100MHz, CDCl3 ) δ：198.2, 156.1, 155.3, 143.6, 129.9, 127.7, 127.1, 80.1, 79.2, 70.3, 60.3, 40.0, 32.2, 29.6, 28.5, 28.3, 22.2. HRMS(ESI)：calcd for C35 H44 N2 NaO5 S [M+Na]+ 627.2863, found 627.2861
H-Lys-SH(14) 　　以與H-Phe-SH 2之合成合成實質上相同的方法，由Boc-Lys(Boc)-STrt 13(840mg、1.33 mmol)，得到白色粉末之H-Lys-SH 14(165mg、1.02 mmol、73%)。 　　[α]D 20 4.73(c=0.74, H2 O：MeCN=1：1).1 H NMR (400MHz, D2 O) δ：3.86(t, 1H), 2.87(t, 2H), 1.85(m, 2H), 1.57(m, 2H), 1.33(m, 2H).13 C NMR(100MHz, D2 O) δ：214.4, 62.4, 39.0, 31.4, 26.3, 21.1. HRMS(ESI)：calcd for C6 H13 N2 OS[M-H]- 161.0754, found 180.0755
Phe-SH及Lys-SH之寡聚合 　　將H-Phe-SH 2(0.1mg、0.55 μmol)及H-Lys-SH 14 (0.45mg、2.76 μmol)溶解於脫氣水(47.5μL)。於該溶液中添加含5倍過剩之FeCl3 •6H2 O(2.76 μmol)的FeCl3 •6H2 O溶液(0.1mg/μL、7.5μL)。於反應 之各時間點，將反應混合物之一部分以磷酸緩衝液(pH7)停止反應，進行LCMS分析，監控反應之進行(表1、圖6~9)。再者，全部的LC-MS分析，係於反應停止之5分鐘後進行。 【表1】
[圖1] 圖1表示H-Phe-SH之氧化反應剛結束後及二小時後之生成物的LC-MS結果。 　　[圖2] 圖2表示將圖1中之MS(A)、MS(B)及MS(C)所對應之區分進行質譜分析之結果。 　　[圖3] 圖3為表示H-Phe-SH及H-Ala-SH之寡聚合反應的1分鐘後之UHPLC結果的圖。 　　[圖4] 圖4表示對區分(A)至(I)所測定的質譜分析結果。區分(A)至(I)，分別對應於圖3中之MS(A)至MS(I)。 　　[圖5] 圖5表示對區分(J)所測定的質譜分析結果。區分(J)對應於圖3中之MS(J)。 　　[圖6] 圖6表示Phe-SH及Lys-SH之寡聚合反應的分析LC-MS之TIC層析圖。 　　[圖7] 圖7表示自圖6之TIC層析圖的2.2~14.0分鐘之範圍所得到的統合MS頻譜。 　　[圖8] 圖8表示自圖6之TIC層析圖的7分鐘時間點之峰頂所得到的2F2K寡胜肽之MS頻譜。HRMS(ESI)：calcd for C30 H40 N6 O4 S [M+2H]2+ 293.1645, found 293.1640。 　　[圖9] 圖9表示2F2K寡胜肽之CID片段化(fragmentation)圖型。

Claims (24)

  1. 一種製造方法，其係製造以胜肽鍵連結之胺基酸之聚合物的方法，其特徵為包含 　　(A)分別準備下述：(式中，R表示任意之胺基酸的側鏈) 　　所示的第1及第2胺基酸衍生物之步驟；及 　　(B)使前述第1胺基酸衍生物與第2胺基酸衍生物進行氧化反應，取得下述：(式中，各R係分別獨立地表示任意之胺基酸的側鏈) 　　所示的化合物之步驟； 　　此處，前述第1胺基酸衍生物及第2胺基酸衍生物之至少任一方，不具有保護基。
  2. 如請求項1之製造方法，其中 　　前述第1胺基酸衍生物及第2胺基酸衍生物均不具有保護基。
  3. 如請求項1或2之製造方法，其包含 　　(C)將步驟(B)中取得之化合物(2)，與下述：(式中，R表示任意之胺基酸的側鏈) 　　所示的第3胺基酸衍生物進行氧化反應，取得下述：(式中，各R係分別獨立地表示任意之胺基酸的側鏈) 　　所示的化合物之步驟。
  4. 如請求項3之製造方法，其中 　　藉由實施步驟(C)複數次，取得下述：(式中，各R係分別獨立地表示任意之胺基酸的側鏈，n表示2以上之整數) 　　所示的化合物。
  5. 如請求項3或4之製造方法，其中 　　前述1個或複數個之第3胺基酸衍生物，不具有保護基。
  6. 如請求項1~5中任一項之製造方法，其進一步包含 　　(D)使步驟(B)中取得之化合物(2)，或步驟(C)中取得之化合物(3)或化合物(4)，與下述：(式中，X表示以選自由N、O、S及Se所成之群的原子所鍵結之取代基) 　　所示的親核性試藥反應，取得下述：(式中，各R係分別獨立地表示任意之胺基酸的側鏈，m表示任意之整數，X表示以選自由N、O、S及Se所成之群的原子所鍵結之取代基) 　　所示的化合物之步驟。
  7. 如請求項6之製造方法，其中 　　X為以N原子或S原子所鍵結之取代基。
  8. 如請求項4之製造方法，其係 　　包含4個~20個胺基酸的聚合物之製造方法。
  9. 如請求項1~8中任一項之製造方法，其中 　　第1或第2胺基酸衍生物，或前述複數個之第3胺基酸衍生物的至少1者，於側鏈具有無保護之4-胺基丁基。
  10. 如請求項1~8中任一項之製造方法，其中 　　前述第1及第2胺基酸衍生物，及前述1或複數個之第3胺基酸衍生物之側鏈係相同。
  11. 如請求項10之製造方法，其中 　　前述側鏈均為甲基。
  12. 一種製造方法，其係製造以胜肽鍵所連結的複數個之胺基酸之聚合物的方法，其特徵為包含 　　(a)準備下述：(式中，R表示任意之胺基酸的側鏈) 　　所示的複數個之胺基酸衍生物之步驟；及 　　(b)將前述複數個之胺基酸衍生物進行氧化反應，取得複數個之下述：(式中，各R係分別獨立地表示任意之胺基酸的側鏈，x表示任意之整數) 　　所示的化合物，及/或下述：(式中，各R係分別獨立地表示任意之胺基酸的側鏈，y及z表示任意之整數) 　　所示的化合物之步驟， 　　此處，前述複數個之胺基酸衍生物中之一部分或全部，不具有保護基。
  13. 如請求項12之製造方法，其中 　　前述複數個之胺基酸衍生物中之全部，不具有保護基。
  14. 如請求項12或13之製造方法，其中 　　步驟(b)中取得之化合物，含有化合物(7)。
  15. 如請求項14之製造方法，其進一步包含 　　(c1)使步驟(b)中取得之化合物(7)，與下述：(式中，X表示以選自由N、O、S及Se所成之群的原子所鍵結之取代基) 　　所示的親核性試藥反應，取得下述：(式中，各R係分別獨立地表示任意之胺基酸的側鏈，x表示任意之整數，X表示以選自由N、O、S、Se所成之群的原子所鍵結之取代基) 　　所示的化合物之步驟。
  16. 如請求項15之製造方法，其中 　　X為以N原子或S原子所鍵結之取代基。
  17. 如請求項12或13之製造方法，其中 　　步驟(b)中取得之化合物，含有化合物(8)。
  18. 如請求項17之製造方法，其進一步包含 　　(c2)使步驟(b)中取得之化合物(8)，與下述：(式中，X表示以選自由N、O、S及Se所成之群的原子所鍵結之取代基) 　　所示的親核性試藥反應，取得下述：(式中，各R係分別獨立地表示任意之胺基酸的側鏈，y表示任意之整數，X表示以選自由N、O、S及Se所成之群的原子所鍵結之取代基)， 　　及下述：(式中，各R係分別獨立地表示任意之胺基酸的側鏈，z表示任意之整數，X表示以選自由N、O、S及Se所成之群的原子所鍵結之取代基) 　　所示的化合物之步驟。
  19. 如請求項18之製造方法，其中 　　X為以N原子或S原子所鍵結之取代基。
  20. 如請求項12~19中任一項之製造方法，其係 　　包含4個~20個胺基酸的聚合物之製造方法。
  21. 如請求項12~20中任一項之製造方法，其中 　　前述複數個之胺基酸衍生物之至少1者，於側鏈具有無保護之4-胺基丁基。
  22. 如請求項12~21中任一項之製造方法，其中 　　前述複數個之胺基酸衍生物之側鏈為相同。
  23. 如請求項22之製造方法，其中 　　前述側鏈均為甲基。
  24. 如請求項12~23中任一項之製造方法，其係 　　用以製作多胜肽之分子庫。
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