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TW201815970A - 硬化物、波長轉換薄片、發光裝置、密封用元件及半導體發光裝置 - Google Patents

硬化物、波長轉換薄片、發光裝置、密封用元件及半導體發光裝置 Download PDF

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TW201815970A
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TW106130271A
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土居篤典
西田理彦
増井建太朗
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日商住友化學股份有限公司
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Abstract

本發明係提供一種兼備高硬度與高破裂耐性與高耐熱性之硬化物。 　　本發明為一種硬化物，其係包含縮合型矽氧樹脂硬化物，滿足(1)及(2)。 　　(1)在縮合型矽氧樹脂硬化物之固體29Si-核磁共振光譜，存在歸屬於T體之矽原子(與3個氧原子鍵結之矽原子)的峰值； 　　(2)在Kratky Plot(將X光的波數定為橫軸，從所測定之測定散射強度相對於減少空氣散射之散射強度，將乘以X光的波數平方之值定為縱軸，將縮合型矽氧樹脂硬化物之小角X光散射的測定值經繪圖之圖表)，由X光的波數0.01Å-1～0.17Å-1的範圍內之極大峰值位置之波數 qMax(Å-1)，藉由式(A)所求得之參數dMax為170Å以下。

Description

硬化物、波長轉換薄片、發光裝置、密封用元件及半導體發光裝置
[0001] 本發明係關於硬化物、波長轉換薄片、發光裝置、密封用元件及半導體發光裝置。
[0002] 近年來，正研究使用半導體雷射(LD、Laser Diode)或發光二極體(LED、Light Emitting Diode)之發光裝置。 　　半導體雷射即使在高電流密度區域亦可維持高轉換效率。又，半導體雷射藉由使發光部與激發部分離，亦可使裝置之小型化。因此，正期待將半導體雷射使用在照明裝置。 　　發光二極體藉由最近之技術開發的進展，正進行高亮度化。 　　[0003] 作為發光裝置所使用之透明材料，已知有矽氧樹脂硬化物。例如於專利文獻1，記載有作為LED之螢光體薄片的基質材料，使用聚合性之矽氧樹脂的硬化物。矽氧樹脂硬化物不僅光透過性優異，而且耐熱性及UV耐性亦優異。因此，將矽氧樹脂硬化物作為形成材料之元件，由於即使是使用在長期間使用之發光裝置的情況，亦不易劣化故合適。 [先前技術文獻] [專利文獻] 　　[0004] 　　[專利文獻1]日本特開2013-1792號公報
[發明欲解決之課題] 　　[0005] 將高硬度之矽氧樹脂硬化物作為形成材料之元件有難以附傷痕的優點。另一方面，高硬度之矽氧樹脂硬化物由於硬化時容易產生破裂，有容易降低產率的缺點。又，高硬度之矽氧樹脂硬化物於使用時，有容易產生起因於熱應力等之破裂的缺點。因此，尋求係高硬度之矽氧樹脂硬化物，硬化時難以產生破裂，加熱時難以產生破裂之矽氧樹脂硬化物。 　　[0006] 在以下之說明，有時將「硬化時難以產生破裂之性質」稱為「破裂耐性」。又，有時將「加熱時難以產生破裂之性質」稱為「耐熱性」。 　　[0007] 在使用半導體雷射或UV-LED之發光裝置，有對元件照射高能量密度的光的情況。又，在使用高亮度之LED的發光裝置，因使用時之發熱，有元件曝露於高溫的情況。因此，此等之發光裝置所使用之元件中尋求高耐熱性。 　　[0008] 本發明係鑑於如此之事情而完成者，以提供一種兼備高硬度與高破裂耐性與高耐熱性之硬化物作為目的。又，以提供將該硬化物作為形成材料之波長轉換薄片、發光裝置、密封用元件及半導體發光裝置作為目的。 [用以解決課題之手段] 　　[0009] 為了解決上述之課題，本發明係提供以下之[1]～[13]。 　　[0010] [1]一種硬化物，其係包含縮合型矽氧樹脂硬化物，滿足下述(1)及(2)， 　　(1)在前述縮合型矽氧樹脂硬化物之固體29 Si-核磁共振光譜，存在歸屬於T體之矽原子的峰值； 　　(於此，所謂T體之矽原子，係意指與3個氧原子鍵結之矽原子) 　　(2)在下述之Kratky Plot，由小角X光散射的測定所使用之X光的波數0.01Å-1 ～0.17Å-1 的範圍內之極大峰值位置之波數qMax (Å-1 )，藉由下述式(A)所求得之參數dMax 為170Å以下；(於此，所謂Kratky Plot，係意指 　　將小角X光散射的測定所使用之X光的波數定為橫軸，從小角X光散射所測定之測定散射強度相對於減少空氣散射之散射強度，將乘以小角X光散射的測定所使用之X光的波數(單位：Å-1 )平方之值定為縱軸，藉由將前述縮合型矽氧樹脂硬化物之小角X光散射的測定值，進行繪圖所得之圖表)。 　　[2]如[1]所記載之硬化物，其中，前述T體之矽原子相對於前述縮合型矽氧樹脂硬化物所包含之全矽原子的比例為50莫耳%以上。 　　[3]如[2]所記載之硬化物，其中，T3矽原子相對於前述縮合型矽氧樹脂硬化物所包含之全矽原子的比例為50莫耳%以上， 　　(於此，所謂T3矽原子，係意指T體之矽原子當中，3個氧原子的全部與其他矽原子鍵結之矽原子)。 　　[4]如[1]～[3]中任一項所記載之硬化物，其中，前述縮合型矽氧樹脂硬化物包含式(A1)、式(A1’)、式(A2)或式(A3)表示之構造單位，(式(A1)、式(A1’)、式(A2)及式(A3)中， 　　R1 表示碳數1～10之烷基或碳數6～10之芳基， 　　R2 表示碳數1～4之烷氧基或羥基， 　　複數個R1 及R2 可為分別相同亦可為相異)。 　　[5]如[4]所記載之硬化物，其中，前述R1 為甲基， 　　前述R2 為碳數1～3之烷氧基或羥基，複數個R2 可為相同亦可為相異。 　　[6]如[1]～[5]中任一項所記載之硬化物，其中，填料分散於前述縮合型矽氧樹脂硬化物中。 　　[7]如[6]所記載之硬化物，其中，前述填料為波長轉換材料。 　　[8]如[7]所記載之硬化物，其中，前述波長轉換材料為螢光體。 　　[9]一種波長轉換薄片，其係將如[7]或[8]所記載之硬化物作為形成材料。 　　[10]一種發光裝置，其係具有射出光之光源、與 　　配置在入射從前述光源射出之光的位置之如[9]所記載之波長轉換薄片。 　　[11]一種密封用元件，其係將如[1]～[8]中任一項所記載之硬化物作為形成材料。 　　[12]一種半導體發光裝置，其係具有基材、與 　　配置在前述基材之半導體發光元件、與 　　密封前述半導體發光元件之至少一部分之密封用元件，前述密封用元件為如[11]所記載之密封用元件。 　　[13]如[12]所記載之半導體發光裝置，其中，前述半導體發光元件的發光波長為400nm以下。 [發明的效果] 　　[0011] 根據本發明，可提供一種兼備高硬度與高破裂耐性與高耐熱性之硬化物。又，可提供將該硬化物作為形成材料之波長轉換薄片、發光裝置、密封用元件及半導體發光裝置。
[0013] 以下，針對本發明之實施形態進行說明。 　　[0014] 矽氧樹脂所包含之構造單位，作為重複單位，較佳為包含在矽氧樹脂。 　　[0015] ＜硬化物＞ 　　本發明之硬化物，其係包含縮合型矽氧樹脂硬化物，滿足下述(1)及(2)， 　　(1)在前述縮合型矽氧樹脂硬化物之固體29 Si-核磁共振光譜，存在歸屬於T體之矽原子的峰值； 　　(於此，所謂T體之矽原子，係意指與3個氧原子鍵結之矽原子) 　　(2)在下述之Kratky Plot，由小角X光散射的測定所使用之X光的波數0.01Å-1 ～0.17Å-1 的範圍內之極大峰值位置之波數qMax (Å-1 )，藉由下述式(A)所求得之參數dMax 為170Å以下；(於此，所謂Kratky Plot，係意指 　　將小角X光散射的測定所使用之X光的波數定為橫軸，從小角X光散射所測定之測定散射強度相對於減少空氣散射之散射強度，將乘以小角X光散射的測定所使用之X光的波數(單位：Å-1 )平方之值定為縱軸，藉由將前述縮合型矽氧樹脂硬化物之小角X光散射的測定值，進行繪圖所得之圖表)。 　　[0016] (縮合型矽氧樹脂硬化物) 　　本實施形態之硬化物所包含之縮合型矽氧樹脂硬化物的原料中，係使用縮合型矽氧樹脂。縮合型矽氧樹脂可1種單獨使用，亦可使用2種以上。 　　所謂縮合型矽氧樹脂，係藉由使與矽原子鍵結之羥基、與和其他矽原子鍵結之烷氧基或羥基進行脫醇反應或脫水反應而縮聚之樹脂。 　　[0017] 本實施形態之硬化物所包含之縮合型矽氧樹脂硬化物的原料之縮合型矽氧樹脂，係包含下述式(A3)表示之構造單位。又，縮合型矽氧樹脂較佳為進一步包含選自由式(A1)表示之構造單位、式(A1’)表示之構造單位及式(A2)表示之構造單位所構成之群組中之1種以上的構造單位，更佳為進一步包含式(A1)表示之構造單位、式(A1’)表示之構造單位及式(A2)表示之構造單位的全部。 　　[0018](式(A1)、式(A1’)、式(A2)及式(A3)中， 　　R1 表示碳數1～10之烷基或碳數6～10之芳基， 　　R2 表示碳數1～4之烷氧基或羥基， 　　複數個R1 及R2 可為分別相同亦可為相異)。 　　[0019] 於本說明書，將包含與3個氧原子鍵結之矽原子之構造單位稱為「T體」。 　　又，將包含該3個氧原子之全部與其他矽原子鍵結之矽原子之構造單位稱為「T3體」。 　　又，將包含該3個氧原子當中之2個氧原子與其他矽原子鍵結之矽原子之構造單位稱為「T2體」。 　　又，將包含該3個氧原子當中之1個氧原子與其他矽原子鍵結之矽原子之構造單位稱為「T1體」。 　　亦即，「T體」係意指「T1體」、「T2體」及「T3體」。 　　[0020] 於本說明書，將包含與2個氧原子鍵結之矽原子之構造單位稱為「D體」。將包含與1個氧原子鍵結之矽原子之構造單位稱為「M體」。 　　[0021] 式(A3)表示之構造單位包含有與其他矽原子鍵結之3個氧原子及與R1 鍵結之矽原子。由於R1 為碳數1～10之烷基或碳數6～10之芳基，故式(A3)表示之構造單位為T3體。 　　[0022] 式(A2)表示之構造單位包含有與其他矽原子鍵結之2個氧原子、與R1 及R2 鍵結之矽原子。由於R2 為碳數1～4之烷氧基或羥基，故式(A2)表示之構造單位為T2體。 　　[0023] 式(A1)表示之構造單位包含有與其他矽原子鍵結之1個氧原子、與R1 及2個R2 鍵結之矽原子。由於R1 為碳數1～10之烷基或碳數6～10之芳基，R2 為碳數1～4之烷氧基或羥基，故式(A1)表示之構造單位為T1體。 　　[0024] 式(A1’)表示之構造單位包含與R1 及2個R2 鍵結之矽原子，該矽原子係與氧原子鍵結，該氧原子係與其他構造單位中之矽原子鍵結。由於R1 為碳數1～10之烷基或碳數6～10之芳基，R2 為碳數1～4之烷氧基或羥基，故式(A1’)表示之構造單位為T1體。 　　[0025] 式(A1)表示之構造單位及式(A1’)表示之構造單位，構成縮合型矽氧樹脂所包含之有機聚矽氧烷鏈的末端。又，式(A3)表示之構造單位，構成縮合型矽氧樹脂所包含之有機聚矽氧烷鏈的分支鏈構造。亦即，式(A3)表示之構造單位形成有在縮合型矽氧樹脂的網絡構造或環構造之一部分。 　　[0026] 於本說明書，將T3體所包含之矽原子稱為「T3矽原子」。又，將T2體所包含之矽原子稱為「T2矽原子」。又，將T1體所包含之矽原子稱為「T1矽原子」。 　　[0027] 相對於縮合型矽氧樹脂之全構造單位的合計含量，T1體、T2體及T3體的合計含量較佳為50莫耳%以上。換句話說，相對於縮合型矽氧樹脂之全矽原子的合計含量，T1矽原子、T2矽原子及T3矽原子的合計含量較佳為50莫耳%以上。進而，相對於縮合型矽氧樹脂之全矽原子的合計含量，T1矽原子、T2矽原子及T3矽原子的合計含量，更佳為60莫耳%以上，再更佳為70莫耳%以上，又再更佳為80莫耳%以上，特別再更佳為90莫耳%以上。 　　[0028] 相對於縮合型矽氧樹脂之全構造單位的合計含量，D體的含量較佳為30莫耳%以下，更佳為20莫耳%以下，再更佳為10莫耳%以下，又再更佳為5莫耳%以下，特別再更佳為4莫耳%以下。 　　[0029] T1體、T2體及T3體的合計含量，可藉由以在固體29 Si-NMR測定所求得之全矽原子之信號(Signal)的合計面積，除以作為T1矽原子、T2矽原子及T3矽原子歸屬之信號的合計面積而求得。 　　[0030] 相對於縮合型矽氧樹脂之全構造單位的合計含量，T3體的含量較佳為50莫耳%以上。換句話說，相對於縮合型矽氧樹脂之全矽原子的合計含量，T3矽原子的含量較佳為50莫耳%以上。進而，相對於縮合型矽氧樹脂之全矽原子的合計含量，T3矽原子的含量更佳為60莫耳%以上，再更佳為70莫耳%以上。 　　[0031] T3矽原子的含量，可藉由以在固體29 Si-NMR測定所求得之全矽原子之信號的合計面積，除以作為T3矽原子歸屬之信號的面積而求得。尚，針對T3矽原子以外之矽原子的含量亦可同樣求得。 　　[0032] R1 表示之碳數1～10之烷基可為直鏈狀之烷基，可為分支鏈狀之烷基，可為具有環狀構造之烷基。此等當中，較佳為直鏈狀或分支鏈狀之烷基，更佳為直鏈狀之烷基。 　　[0033] R1 表示之碳數1～10之烷基，係構成該烷基之1個以上的氫原子可被其他官能基取代。作為烷基之取代基，例如可列舉苯基、萘基等之碳數6～10之芳基，較佳為苯基。 　　[0034] 作為R1 表示之碳數1～10之烷基，例如可列舉甲基、乙基、n-丙基、異丙基、n-丁基、異丁基、tert-丁基、n-戊基、新戊基、己基、辛基、壬基、癸基等之無取代之烷基、苯基甲基、苯基乙基、苯基丙基等之芳烷基。此等當中，較佳為甲基、乙基、n-丙基或n-丁基，更佳為甲基、乙基或異丙基，再更佳為甲基。 　　[0035] R1 表示之碳數6～10之芳基，係構成該芳基之1個以上的氫原子可被其他官能基取代。作為芳基之取代基，例如可列舉甲基、乙基、丙基、丁基等之碳數1～10之烷基。 　　[0036] 作為R1 表示之碳數6～10之芳基，例如可列舉苯基、萘基等之無取代之芳基、甲基苯基、乙基苯基、丙基苯基等之烷基芳基等。此等當中，較佳為苯基。 　　[0037] 作為R1 ，較佳為烷基，更佳為甲基、乙基或異丙基，再更佳為甲基。 　　[0038] R2 表示之碳數1～4之烷氧基可為直鏈狀之烷氧基，可為分支鏈狀之烷氧基，可為具有環狀構造之烷氧基。此等當中，較佳為直鏈狀或分支鏈狀之烷氧基，更佳為直鏈狀之烷氧基。 　　[0039] 作為R2 表示之碳數1～4之烷氧基，例如較佳為甲氧基、乙氧基、n-丙氧基、異丙氧基、n-丁氧基、異丁氧基或tert-丁氧基，更佳為甲氧基、乙氧基或異丙氧基。 　　[0040] 作為R2 ，較佳為甲氧基、乙氧基、異丙氧基或羥基。 　　[0041] 本實施形態之硬化物所包含之縮合型矽氧樹脂硬化物的原料之縮合型矽氧樹脂，可進一步包含下述式(C1)、式(C1’)、式(C2)、式(C3)或式(C4)表示之構造單位。 　　[0042](式(C1)、式(C1’)、式(C2)、式(C3)及式(C4)中，R7 表示碳數1～4之烷氧基或羥基，複數個R7 可為相同亦可為相異)。 　　[0043] 於本說明書，將包含與4個氧原子鍵結之矽原子之構造單位稱為「Q體」。 　　又，將包含該4個氧原子當中之1個氧原子與其他矽原子鍵結之矽原子之構造單位稱為「Q1體」。式(C1)表示之構造單位及式(C1’)表示之構造單位為「Q1體」。 　　又，將包含該4個氧原子當中之2個氧原子與其他矽原子鍵結之矽原子之構造單位稱為「Q2體」。式(C2)表示之構造單位為「Q2體」。 　　又，將包含該4個氧原子當中之3個氧原子與其他矽原子鍵結之矽原子之構造單位稱為「Q3體」。式(C3)表示之構造單位為「Q3體」。 　　又，將包含該4個氧原子全部與其他矽原子鍵結之矽原子之構造單位稱為「Q4體」。式(C4)表示之構造單位為「Q4體」。 　　亦即，Q體係意指Q1體、Q2體、Q3體及Q4體。 　　[0044] 本實施形態之硬化物所包含之縮合型矽氧樹脂硬化物的比重，較佳為1.20～1.35。縮合型矽氧樹脂硬化物的比重可藉由控制D體、T體及Q體之含有比率適當調整。 　　[0045] (Kratky Plot) 　　發明者們進行努力研究的結果，發現針對縮合型矽氧樹脂硬化物，進行小角X光散射之測定，從小角X光散射之測定值所算出之特定的參數，係與硬化物之破裂耐性及硬度(亦即，硬化物的力學物性)相關。亦即，發現特定之參數滿足特定之要件的硬化物係硬度及破裂耐性優異。又，發現特定之參數滿足特定之要件的硬化物，即使曝露於高溫後，亦保持強度及透明性(亦即，耐熱性優異)。 　　[0046] 具體而言，在Kratky Plot，從小角X光散射的測定所使用之X光的波數0.01Å-1 ～0.17Å-1 的範圍內之極大峰值位置的波數qMax (Å-1 )，藉由下述式(A)所求得之參數dMax 為170Å以下之硬化物係硬度、破裂耐性及耐熱性優異。[0047] 小角X光散射的測定可使用搭載二次元檢出器之小角X光散射裝置進行。作為如此之裝置，例如可列舉NanoSTAR(裝置名、Bruker AXS股份有限公司製)。 　　[0048] X光，例如使用Cu靶之回轉對陰極型的X光產生器，於輸出50kV、100mA產生。而且將經產生之X光照射在硬化物。 　　[0049] X光，例如通過由交叉偶合･戈貝爾鏡與3個針孔狹縫(狹縫的孔徑從X光產生器側為500μmφ、150μmφ、500μmφ)所構成之X光的光學系統，照射在硬化物(試料)。而且，於硬化物散射之X光係使用二次元檢出器(2次元Multi Wire檢出器、Hi-STAR)檢出。 　　[0050] 從試料至檢知器為止的長度例如可成為106cm，直接光束阻擋器的大小例如可成為2mmφ。裝置內之真空度例如為40Pa以下。 　　[0051] 散射角2θ與直接光束位置的校正，例如使用山萮酸銀之1次(2θ=1.513°)與2次(2θ=3.027°)之個別的峰值進行。此情況下，可測定之散射角2θ的範圍為0.08～3°。 　　[0052] 將藉由檢出所得之二次元的散射像例如使用Bruker AXS公司製之解析軟體(SAXS Ver.4.1.29)解析，可得到小角X光小角散射光譜。所得之小角X光散射光譜係橫軸為X光的波數(單位：Å-1 )，縱軸為測定散射強度。 　　[0053] 又，針對於未設置試料的狀態之對照測定(空氣散射)，亦可與上述同樣進行。 　　[0054] 將縮合型矽氧樹脂硬化物之小角X光散射的測定所使用之X光的波數定為橫軸，從縮合型矽氧樹脂硬化物之小角X光散射所測定之測定散射強度相對於減少空氣散射之散射強度，將乘以小角X光散射的測定所使用之X光的波數(單位：Å-1 )平方之值(光譜)定為縱軸，將於個別之測定所得之測定值， 作成經繪圖之圖表。所得之圖表為Kratky Plot。 [0055] 在Kratky Plot，從小角X光散射的測定所使用之X光的波數0.01Å-1 ～0.17Å-1 的範圍內之極大峰值位置的波數qMax (Å-1 )，藉由上述式(A)得到參數dMax 。 　　[0056] 於小角X光散射，一般而言，來自粒子之形狀或交聯點之疏密的物質中之電子密度的對比反映在散射輪廓(Scattering profile)。在硬化物之高階構造的解析，作成Kratky Plot時，由於在對應硬化物中之疏密的大小之位置形成峰值構造，故可評估硬化物中之疏密擴散(不均勻性)。亦即，參數dMax 可作為表示硬化物中之疏密的不均勻性之指標使用。參數dMax 越小，顯示硬化物的內部構造更均勻。 　　[0057] 在Kratky Plot之極大峰值的位置認為於硬化物的聚合狀態受到影響而變化。 　　本實施形態之硬化物所包含之縮合型矽氧樹脂硬化物如上述，藉由使包含具有縮合型之官能基之矽氧樹脂的組成物進行縮聚合而得到。於此時之聚合反應，並非在組成物全體均勻進行，而是形成具有充分進行聚合反應之區域與不太進行聚合反應之區域的「不均勻」狀態。在摻合不同2種類以上之矽氧樹脂的組成物，此傾向特別顯著。 　　[0058] 此被認為是因為硬化物的原料並非單體，而是具有一定分子量之矽氧樹脂或寡聚物，限制於組成物中之矽氧樹脂或寡聚物的自由移動。由於聚合反應是於分子移動受到限制的狀態之反應，故聚合反應除了於可能之位置進行反應之外，於周圍針對未存在反應點之官能基，反應未進行之不均勻的狀態形成在硬化物中。 　　[0059] 圖1係表示上述之聚合的狀態之示意圖，顯示矽氧樹脂所包含之T3矽原子的分布。在圖1，附顏色的濃淡表示T3矽原子的量。附顏色薄的點表示不太進行聚合反應之T3矽原子較少的區域，附顏色濃的點表示進行聚合反應T3矽原子較多的區域。因此，圖1(b)為從圖1(a)進行聚合反應的狀態。 　　[0060] 亦即，聚合起始物質之矽氧樹脂10(圖1(a))時，形成混在有充分進行聚合反應之區域(圖中，以符號A表示)、與不太進行聚合反應之區域(圖中，以符號B表示)的「不均勻」的狀態。硬化物中之疏密的擴散，來自如此之不均勻的狀態。以下，有將硬化物中之疏密的擴散方式稱為硬化物之「不均勻性」的情況。針對此「不均勻性」，可藉由前述之參數dMax 進行定量性評估。 [0061] 於小角X光散射，根據區域A與區域B之電子密度的對比，而得到散射輪廓。由上述之Kratky Plot所得之參數dMax 係對應在以圖1(b)示意性表示，任意選定之區域A1、與離區域A1最近之區域A2之間的中心間距離d的平均距離。在圖1(b)，將區域A1之中心以符號P1表示，將區域A2之中心以符號P2表示。 　　[0062] 區域之中心係位在各區域之重心位置。亦即，區域A1之中心即P1與區域A2之中心即P1，分別對應在區域A1與區域A2的重心。 　　[0063] 藉由發明者們的研究，非常清楚於參數dMax 為170Å以下之硬化物，兼備高硬度、高破裂耐性及高耐熱性。 　　[0064] 本實施形態之硬化物所包含之縮合型矽氧樹脂硬化物較佳為參數dMax 為40Å以上170Å以下。參數dMax 滿足此範圍內之縮合型矽氧樹脂硬化物，為了滿足高硬度(例如於肖氏D硬度為70以上)、與高破裂耐性、與高耐熱性，適合於裝置應用時。 　　[0065] 於本說明書，將使用型D之硬度計(橡膠‧塑料硬度計)以1mm/秒之下降速度測定之硬度定為肖氏D硬度。 　　[0066] (參數dMax 之控制方法) 　　針對參數dMax 之控制方法進行說明。 　　參數dmax 可藉由(i)矽氧樹脂之摻合比率、(ii)矽氧樹脂的硬化條件控制。首先，針對藉由(i)矽氧之摻合比率之dmax 的控制方法進行說明。 　　[0067] (i)藉由矽氧樹脂之摻合比率之控制 　　本實施形態之硬化物所包含之縮合型矽氧樹脂硬化物，較佳為藉由使摻合作為主劑之矽氧樹脂(以下稱為「矽氧樹脂A」)、與後述之寡聚物成分所得之縮合型矽氧樹脂，進行加熱硬化所得之硬化物。此時，可藉由調整原料之矽氧樹脂A及寡聚物成分的種類、摻合比率，來控制參數dMax 。 　　[0068] 矽氧樹脂A係多數包含形成網絡構造之交聯點(分支構造)的材料。寡聚物成分係具有T2體、D體構造等之直鏈構造，為較矽氧樹脂A交聯點更少之材料。 　　以下，針對矽氧樹脂A與寡聚物成分進行說明。 　　[0069] 《矽氧樹脂A》 　　矽氧樹脂A係包含上述式(A3)表示之構造單位。又，矽氧樹脂A較佳為進一步包含選自由上述式(A1)表示之構造單位、上述式(A1’)表示之構造單位及上述式(A2)表示之構造單位所構成之群組中之1種以上的構造單位。 　　[0070] 在矽氧樹脂A，相對於矽氧樹脂A之全構造單位的合計含量，T1體、T2體及T3體的合計含量通常為70莫耳%以上。 　　在矽氧樹脂A，相對於矽氧樹脂A之全構造單位的合計含量，T3體的含量通常為60莫耳%以上90莫耳%以下。 　　矽氧樹脂A之聚苯乙烯換算的重量平均分子量，通常為1500以上8000以下。 　　[0071] 在矽氧樹脂A，相對於矽氧樹脂A之全構造單位的合計含量，T1體、T2體及T3體的合計含量較佳為80莫耳%以上，更佳為90莫耳%以上，再更佳為95莫耳%以上。 　　[0072] 在矽氧樹脂A，相對於矽氧樹脂A之全構造單位的合計含量，T3體的含量較佳為65%以上90%以下，更佳為70%以上85%以下。 　　[0073] 矽氧樹脂A之聚苯乙烯換算的重量平均分子量較佳為1500以上7000以下，更佳為2000以上5000以下。 　　[0074] 作為矽氧樹脂A，可使用市售之矽氧樹脂。 　　[0075] 矽氧樹脂A較佳為具有矽醇基(Si-OH)。在矽氧樹脂A，相對於矽氧樹脂A所包含之全矽原子，具有矽醇基之矽原子較佳為1～30莫耳%，更佳為5～27莫耳%，再更佳為10～25莫耳%。在矽氧樹脂A，若具有矽醇基之矽原子的含量為上述的範圍內，由於於硬化的進行速度成為適當之範圍內，藉由以與後述之矽氧樹脂的硬化條件導致之構造控制組合，可有效果地控制硬化物的硬度、強度等之力學物性。 　　[0076] 又，在矽氧樹脂A，相對於矽氧樹脂A所包含之全矽原子，具有烷氧基之矽原子較佳為超過0莫耳%且為20莫耳%以下，更佳為超過0莫耳%且為10莫耳%以下，再更佳為1莫耳%以上10莫耳%以下。在矽氧樹脂A，若具有烷氧基之矽原子的含量為上述的範圍內，藉由將矽氧樹脂溶解在溶劑所得之矽氧樹脂組成物的流動性成為適當之範圍內，提昇該矽氧樹脂組成物的操作性。 　　[0077] 矽氧樹脂A，可將具有可產生矽氧烷鍵之官能基的有機矽化合物作為起始原料合成。於此，作為「可產生矽氧烷鍵之官能基」，可列舉鹵素原子、羥基、烷氧基。作為對應上述式(A3)表示之構造單位之有機矽化合物，例如可列舉有機三鹵矽烷、有機三烷氧基矽烷等。矽氧樹脂A，可藉由將起始原料之有機矽化合物，以對應各構造單位的存在比率之比率，於鹽酸等之酸或氫氧化鈉等之鹼的存在下，以水解縮合法使其進行反應來合成。可藉由適當選擇起始原料之有機矽化合物，調整矽氧樹脂A所包含之T3矽原子的存在比率。 　　[0078] 相對於縮合型矽氧樹脂所包含之全矽氧樹脂的合計含量，縮合型矽氧樹脂所包含之矽氧樹脂A的含量較佳為60質量%～100質量%，更佳為70質量%～95質量%。 　　[0079] 《寡聚物成分》 　　縮合型矽氧樹脂包含矽氧樹脂A、與較矽氧樹脂AT3體的含量更少，且具有直鏈構造之寡聚物的情況下，產生聚合反應之容易引起的區域與聚合反應不易引起的區域。因此，變成容易引起聚合反應時之不均勻化。 　　[0080] [寡聚物B] 　　作為寡聚物成分，可列舉包含下述式(B1)、式(B1’)、式(B2)或式(B3)表示之構造單位之寡聚物。 　　[0081](式(B1)、式(B1’)、式(B2)及式(B3)中， 　　R3 表示碳數1～10之烷基或碳數6～10之芳基， 　　R4 表示碳數1～10之烷基、碳數6～10之芳基、碳數1～4之烷氧基或羥基， 　　複數個R3 及R4 可為分別相同亦可為相異)。 　　[0082] 包含式(B1)、式(B1’)、式(B2)或式(B3)表示之構造單位之寡聚物之聚苯乙烯換算的重量平均分子量，較佳為1000～10000，更佳為2000～8000，再更佳為3000～6000。 　　[0083] 在以下之說明，將包含式(B1)、式(B1’)、式(B2)或式(B3)表示之構造單位，聚苯乙烯換算的重量平均分子量為1000～10000之寡聚物成分稱為「寡聚物B」。 　　[0084] 寡聚物B較佳為(a)包含T2體之寡聚物或(b)包含D體之寡聚物，更佳為滿足(a)及(b)之寡聚物，亦即(c)包含T2體及D體之寡聚物。 　　[0085] (a)包含T2體之寡聚物 　　作為(a)包含T2體之寡聚物，其係式(B2)表示之構造單位，較佳為R4 為碳數1～4之烷氧基或羥基之構造單位的含量，亦即T2體的含量為30～60莫耳%者，更佳為40～55莫耳%者。 　　[0086] 寡聚物B為(a)包含T2體之寡聚物的情況下，若T2體的含量為上述的範圍內，縮合型矽氧樹脂，邊確保矽氧樹脂A與寡聚物B的溶解性，邊顯示熱硬化時良好之硬化反應性。 　　[0087] (b)包含D體之寡聚物 　　作為(b)包含D體之寡聚物，其係包含式(B1)、式(B1’)、式(B2)或式(B3)表示之構造單位之矽氧樹脂，以平均組成式為下述式(I)表示之矽氧樹脂較佳。(式中， 　　R5 表示碳數1～10之烷基或碳數6～10之芳基， 　　R6 表示碳數1～10之烷基、碳數6～10之芳基或氫原子， 　　n表示滿足1＜n＜2之實數，m表示滿足0＜m＜1之實數)。 　　[0088] 平均組成式為上述式(I)表示之寡聚物B係包含上述之T體及D體。 　　[0089] 在式(I)，R5 較佳為甲基，R6 較佳為甲基或氫原子。較佳為n為滿足1＜n≦1.5之實數，且m為滿足0.5≦m＜1之實數，更佳為n為滿足1.1≦n≦1.4之實數，且m為滿足0.55≦m≦0.75之實數。若在式(I)之n及m為此等之範圍內，寡聚物B與矽氧樹脂A的相溶性變良好。 　　[0090] 寡聚物B所包含之全構造單位當中，其係式(B1)表示之構造單位及式(B1’)表示之構造單位，2個R4 當中之一者為碳數1～10之烷基或碳數6～10之芳基，另一者為碳數1～4之烷氧基或羥基之構造單位為「D1體」。 　　[0091] 寡聚物B所包含之全構造單位當中，其係式(B2)表示之構造單位，R4 為碳數1～10之烷基或碳數6～10之芳基之構造單位為「D2體」。 　　[0092] 寡聚物B為(b)含有D體之寡聚物的情況下，寡聚物B所包含之全構造單位當中，D1體及D2體的合計含量較佳為5～80莫耳%，更佳為10～70莫耳%，再更佳為15～50莫耳%。 　　[0093] (c)包含T2體及D體之寡聚物 　　(c)包含T2體及D體之寡聚物，係滿足(a)包含T2體之寡聚物、與(b)包含D體之寡聚物雙方之要件者。 　　[0094] 寡聚物B所包含之全構造單位當中，其係式(B1)表示之構造單位及式(B1’)表示之構造單位，2個R4 為碳數1～4之烷氧基或羥基之構造單位為T1體。 　　[0095] 寡聚物B所包含之全構造單位當中，其係式(B2)表示之構造單位，R4 為碳數1～4之烷氧基或羥基之構造單位為T2體。 　　[0096] 寡聚物B所包含之全構造單位當中，式(B3)表示之構造單位為T3體。 　　[0097] 寡聚物B為(c)包含T2體及D體之寡聚物的情況下，寡聚物B所包含之全構造單位當中，T1體、T2體及T3體的合計含量、與D體的含量之莫耳比(T體：D體)，較佳為60：40～90：10。 　　[0098] 寡聚物B係對應構成矽氧樹脂之上述之各構造單位，可將具有可產生矽氧烷鍵之官能基之有機矽化合物作為起始原料合成。於此，作為「可產生矽氧烷鍵之官能基」，可列舉鹵素原子、羥基、烷氧基。 　　[0099] 作為對應上述式(B3)表示之構造單位之有機矽化合物，例如可列舉有機三鹵矽烷、有機三烷氧基矽烷等。作為對應上述式(B2)表示之構造單位之有機矽化合物，例如可列舉有機二鹵矽烷、有機二烷氧基矽烷等。 　　[0100] 寡聚物B可藉由將起始原料之有機矽化合物，以對應各構造單位的存在比率之比率，於鹽酸等之酸或氫氧化鈉等之鹼的存在下，以水解縮合法使其進行反應來合成。可藉由適當選擇起始原料之有機矽化合物，調整寡聚物B所包含之T體之矽原子與D體之矽原子的存在比率。 　　[0101] 相對於縮合型矽氧樹脂所包含之全矽氧樹脂的合計含量，縮合型矽氧樹脂所包含之寡聚物B的含量較佳為0.1質量%～20質量%，更佳為0.2質量%～15質量%，再更佳為0.5質量%～10質量%。 　　[0102] 又，相對於縮合型矽氧樹脂所包含之矽氧樹脂A的含量，縮合型矽氧樹脂所包含之寡聚物B的含量較佳為0.1質量%～20質量%，更佳為1質量%～15質量%，再更佳為5質量%～12質量%。 　　[0103] 《寡聚物C》 　　作為其他寡聚物成分，例如可列舉其係包含上述式(A1)、上述式(A1’)、上述式(A2)或上述式(A3)表示之構造單位之矽氧樹脂，上述式(A3)表示之構造單位的含量相對於上述式(A1)、上述式(A1’)、上述式(A2)及上述式(A3)表示之構造單位的合計含量的比例為0～30莫耳%，聚苯乙烯換算的重量平均分子量未滿1500之矽氧樹脂。 　　在以下之說明，將如此之矽氧樹脂稱為「寡聚物C」。 　　[0104] 寡聚物C係T3矽原子的含量相對於T1矽原子、T2矽原子及T3矽原子的合計含量之比例為0～30莫耳%，聚苯乙烯換算的重量平均分子量未滿1500之矽氧樹脂。較佳為T3矽原子的含量相對於T1矽原子、T2矽原子及T3矽原子的合計含量之比例為0～25莫耳%。 　　[0105] 寡聚物C較佳為實質上未具有與氫原子鍵結之矽原子(氫矽烷基)及與烯基鍵結之矽原子。寡聚物C具有與烯基鍵結之矽原子或氫矽烷基時，有降低本實施形態之硬化物的耐熱性的傾向。 　　[0106] 寡聚物C較佳為具有下述式(2)表示之有機聚矽氧烷構造之寡聚物。 　　[0107](式(2)中， 　　R1 及R2 表示與前述相同意義，複數個R1 及R2 可為分別相同亦可為相異， 　　p2 、q2 、r2 、a2 及b2 表示成為[a2 ×q2 ]/[(p2 +b2 ×q2 )+a2 ×q2 +(r2 +q2 )]=0～0.3之任意0以上之數)。 　　[0108] 在式(2)表示之有機聚矽氧烷構造，較佳為R1 為選自由甲基、乙基及苯基所構成之群組中之1種以上之基，R2 為選自由甲氧基、乙氧基、異丙氧基及羥基所構成之群組中之1種以上之基，更佳為R1 為選自由甲基及乙基所構成之群組中之1種以上之基，R2 為選自由甲氧基、乙氧基及異丙氧基所構成之群組中之1種以上之基。尤其是從本實施形態之硬化物的耐熱性的觀點來看，以R1 為甲基較佳。 　　[0109] 具有式(2)表示之有機聚矽氧烷構造之寡聚物C之各構造單位的存在比率，可用T1矽原子、T2矽原子及T3矽原子的存在比率表示。亦即，T1矽原子：T2矽原子：T3矽原子=[r2 +q2 ]：[p2 +b2 ×q2 ]：[a2 ×q2 ]。寡聚物C中之各矽原子的存在比率，可藉由適當調整p2 、q2 、r2 、a2 及b2 之數值來調整。例如，a2 與q2 之至少一者為0時，於寡聚物C中未存在T3矽原子，僅包含直鏈狀或環狀之分子。另一方面，r2 與q2 雙方為0時，於寡聚物C中僅存在T2矽原子，僅包含環狀之分子。 　　[0110] 在式(2)表示之有機聚矽氧烷構造，將T2矽原子之數定為x2 ，將T3矽原子之數定為y2 ，將T1矽原子之數定為z2 時，式(2)表示之有機聚矽氧烷構造中之T3矽原子的存在比率係以[y2 /(x2 +y2 +z2 )]表示。 　　[0111] [a2 ×q2 ]/[(p2 +b2 ×q2 )+a2 ×q2 +(r2 +q2 )]等同於式(2)表示之有機聚矽氧烷構造中之T3矽原子的存在比率：[y2 /(x2 +y2 +z2 )]。亦即，式(2)中之p2 、q2 、r2 、a2 及b2 ，係以T3矽原子的存在比率成為0～0.3的範圍內的方式適當調整。 　　[0112] 可包含本實施形態之硬化物所包含之縮合型矽氧樹脂硬化物的原料之縮合型矽氧樹脂之寡聚物C，其係具有式(2)表示之有機聚矽氧烷構造之矽氧樹脂，較佳為T3矽原子的含量相對於T1矽原子、T2矽原子及T3矽原子的合計含量之比例：[y2 /(x2 +y2 +z2 )]為0～0.3，且聚苯乙烯換算的重量平均分子量未滿1500之寡聚物。若T3矽原子的存在比率為此範圍內，T2矽原子的存在比：[x2 /(x2 +y2 +z2 )]及T1矽原子的存在比：[z2 /(x2 +y2 +z2 )]並未特別限定。作為寡聚物C，較佳為[y2 /(x2 +y2 +z2 )]為0～0.25的範圍內者，更佳為0.05～0.2的範圍內者。 　　[0113] 寡聚物C由於T3矽原子的存在比率比較低，分支鏈構造少，多數包含直鏈狀或環狀之分子。作為寡聚物C，雖可為僅包含環狀分子者，但較佳為多數包含直鏈狀之分子者。作為寡聚物C，例如較佳為T1矽原子的存在比率：[z2 /(x2 +y2 +z2 )]為0～0.80之範圍內者，更佳為0.30～0.80之範圍內者，再更佳為0.35～0.75的範圍內者，特佳為0.35～0.55的範圍內者。 　　[0114] 相對於縮合型矽氧樹脂所包含之全矽氧樹脂的合計含量，縮合型矽氧樹脂所包含之寡聚物C的含量較佳為0.1質量%～20質量%，更佳為0.2質量%～15質量%，再更佳為0.5質量%～10質量%。 　　[0115] 又，相對於縮合型矽氧樹脂所包含之矽氧樹脂A的含量，縮合型矽氧樹脂所包含之寡聚物C的含量較佳為0.1質量%～20質量%，更佳為0.3質量%～10質量%，再更佳為0.5質量%～5質量%。 　　[0116] 寡聚物C之聚苯乙烯換算的重量平均分子量為未滿1500。寡聚物C之聚苯乙烯換算的重量平均分子量過大時，有本實施形態之硬化物的耐破裂性不夠充分的情況。以GPC測定之寡聚物C之聚苯乙烯換算的重量平均分子量可未滿1000。 　　[0117] 寡聚物C之1分子中之T1矽原子、T2矽原子及T3矽原子之數，係具有式(2)表示之有機聚矽氧烷構造之樹脂，以成為所期望之分子量的方式適當調整。在一實施形態，寡聚物C1分子中之T1矽原子之數與T2矽原子之數與T3矽原子之數的和，較佳為2以上。 　　[0118] 寡聚物C對應構成寡聚物C之上述之各構造單位，可將具有可產生矽氧烷鍵之官能基的有機矽化合物作為起始原料來合成。於此，「可產生矽氧烷鍵之官能基」係表示與上述者相同意義。作為對應上述式(A3)表示之構造單位之有機矽化合物，例如可列舉有機三鹵矽烷、有機三烷氧基矽烷等。寡聚物C可藉由將如此之起始原料之有機矽化合物以對應各構造單位的存在比率之比率，以水解縮合法使其反應來合成。 　　[0119] 於寡聚物C的合成時，作為起始原料，成為混合對應上述式(A1)表示之構造單位之有機矽化合物、與對應上述式(A1’)表示之構造單位之有機矽化合物。此等之有機矽化合物，係有機矽化合物進行水解縮合反應而聚合時，與聚合反應之末端鍵結而使聚合反應停止。 　　[0120] 本實施形態之硬化物所包含之縮合型矽氧樹脂硬化物的原料之縮合型矽氧樹脂，較佳為包含矽氧樹脂A、與寡聚物成分。作為寡聚物成分，較佳為寡聚物B或寡聚物C。本實施形態之硬化物所包含之縮合型矽氧樹脂硬化物的原料之縮合型矽氧樹脂，較佳為包含矽氧樹脂A、與寡聚物B，更佳為包含矽氧樹脂A、與寡聚物B、與寡聚物C。 　　[0121] 作為其他寡聚物成分，例如可列舉包含上述式(A1)表示之構造單位及上述式(A2)表示之構造單位之矽氧樹脂。該矽氧樹脂可包含D體。 　　[0122] (溶劑) 　　本實施形態之硬化物所包含之縮合型矽氧樹脂硬化物的原料之縮合型矽氧樹脂，T3體的含量高。因此，以提昇操作性為目的，有添加溶劑於縮合型矽氧樹脂的情況。將包含縮合型矽氧樹脂與溶劑之組成物稱為「矽氧樹脂組成物」。 　　[0123] 溶劑只要能使矽氧樹脂溶解，則並未特別限定。作為溶劑，例如可使用沸點分別不同之2種以上的溶劑(以下，稱為溶劑P及溶劑Q)。 　　[0124] 作為溶劑P，較佳為沸點未滿100℃之有機溶劑。具體而言，較佳為丙酮、甲基乙基酮等之酮系溶劑；甲醇、乙醇、異丙基醇、正丙基醇等之醇系溶劑；己烷、環己烷、庚烷、苯等之烴系溶劑；乙酸甲酯、乙酸乙酯等之乙酸酯系溶劑；二乙基醚、四氫呋喃等之醚系溶劑。 　　[0125] 此等當中，作為溶劑P，更佳為甲醇、乙醇、異丙基醇、正丙基醇等之醇系溶劑。 　　[0126] 作為溶劑Q，較佳為沸點為100℃以上之有機溶劑。具體而言，較佳為甘醇醚溶劑、甘醇酯溶劑。 　　[0127] 作為甘醇醚溶劑之具體例，可列舉乙二醇單甲基醚、乙二醇單乙基醚、乙二醇單異丙基醚、乙二醇單丁基醚、乙二醇單己基醚、乙二醇單乙基己基醚、乙二醇單苯基醚、乙二醇單苄基醚、二乙二醇單甲基醚、二乙二醇單乙基醚、二乙二醇單異丙基醚、二乙二醇單丁基醚、二乙二醇單己基醚、二乙二醇單乙基己基醚、二乙二醇單苯基醚、二乙二醇單苄基醚、丙二醇單甲基醚、丙二醇單乙基醚、丙二醇單異丙基醚、丙二醇單丁基醚、丙二醇單己基醚、丙二醇單乙基己基醚、丙二醇單苯基醚、丙二醇單苄基醚、二丙二醇單甲基醚、二丙二醇單乙基醚、二丙二醇單異丙基醚、二丙二醇單丁基醚、二丙二醇單己基醚、二丙二醇單乙基己基醚、二丙二醇單苯基醚、二丙二醇單苄基醚。 　　[0128] 作為甘醇酯溶劑之具體例，可列舉乙二醇單乙基醚乙酸酯、乙二醇單異丙基醚乙酸酯、乙二醇單丁基醚乙酸酯、乙二醇單己基醚乙酸酯、乙二醇單乙基己基醚乙酸酯、乙二醇單苯基醚乙酸酯、乙二醇單苄基醚乙酸酯。 　　[0129] 此等當中，作為溶劑Q，更佳為乙二醇單丁基醚、二乙二醇單丁基醚、二丙二醇單甲基醚、乙二醇單丁基醚乙酸酯。 　　[0130] (矽氧樹脂組成物) 　　藉由混合本實施形態之硬化物所包含之縮合型矽氧樹脂硬化物的原料之縮合型矽氧樹脂、與溶劑，而得到矽氧樹脂組成物。矽氧樹脂組成物可包含後述之硬化觸媒、填料、其他成分。 　　[0131] 矽氧樹脂組成物的黏度在25℃，通常為100～500000mPa･s，較佳為300～20000mPa･s，更佳為400～15000mPa･s，再更佳為500～10000mPa･s。若矽氧樹脂組成物的黏度為上述的範圍內，進一步包含波長轉換材料時，縮合型矽氧樹脂與波長轉換材料的混合性良好，且抑制波長轉換材料的沉澱。 　　[0132] 《混合比》 　　本實施形態之硬化物所包含之縮合型矽氧樹脂硬化物的原料之縮合型矽氧樹脂，矽氧樹脂A為必須成分，如有必要可包含寡聚物成分(寡聚物B、寡聚物C等)、溶劑、硬化觸媒、填料或其他成分。 　　[0133] 調製縮合型矽氧樹脂時，可藉由調整矽氧樹脂A與寡聚物的摻合比率，控制dMax 。具體而言，依照增大寡聚物成分的摻合比率，dMax 有增大的傾向。此係認為起因於藉由增大寡聚物成分的摻合比率，提昇縮合型矽氧樹脂的反應性，擴大聚合反應的速度之快速部分與遲緩部分的差。其結果，提高所得之硬化物的不均勻性，dMax 增大。 　　[0134] 作為矽氧樹脂A與寡聚物成分的比率(質量比)，相對於矽氧樹脂A100質量份，寡聚物成分較佳為0.1～80質量份，更佳為1～50質量份，再更佳為1～30質量份，特佳為1～20質量份，又特別佳為5～15質量份。 　　若矽氧樹脂A與寡聚物成分的摻合比率為上述範圍內，可控制聚合反應的速度，可將dMax 控制在170Å以下。 　　[0135] 調製縮合型矽氧樹脂時，使用矽氧樹脂A、寡聚物B及寡聚物C時，矽氧樹脂的混合比較佳為矽氧樹脂A：寡聚物B：寡聚物C=100：0.2～15：0.2～15(質量比)，更佳為矽氧樹脂A：寡聚物B：寡聚物C=100：1～10：1～10(質量比)。 　　[0136] 《矽氧樹脂組成物的製造方法》 　　矽氧樹脂A、寡聚物B及寡聚物C之混合方法並非被特別限制者，可使用混合2種類以上之高分子時所進行之公知之方法的任一種。例如，可將矽氧樹脂A、寡聚物B、寡聚物C及如有必要之其他成分的個別溶解於有機溶劑後，混合所得之溶液。 　　[0137] 由於可更均勻混合矽氧樹脂，且可提昇經調製之矽氧樹脂組成物的安定性，較佳為將矽氧樹脂溶解在揮發性及溶解性高之有機溶劑後，將該有機溶劑被其他溶劑取代。 　　[0138] 具體而言，首先，於揮發性及溶解性高之有機溶劑(例如上述之「溶劑P」)加入矽氧樹脂A之後，藉由加熱至溶劑P之沸點附近的溫度，並進行攪拌，而使矽氧樹脂A溶解於溶劑P。 　　其次，於所得之溶液加入寡聚物B、寡聚物C及如有必要之其他成分後，以與上述相同之方法，使寡聚物B、寡聚物C及如有必要之其他成分溶解在溶劑P。 　　其次，於所得之溶液加入較溶劑P揮發性更低之溶劑(例如上述之「溶劑Q」)後，藉由加熱蒸餾溶劑P之濃度至1%以下，可進行從溶劑P對溶劑Q的取代。為了有效率地進行溶劑取代，可將加熱蒸餾於減壓狀態下進行。 　　[0139] 藉由進行溶劑取代，可去除矽氧樹脂A、寡聚物B、寡聚物C及其他成分之個別所包含之殘存溶劑、水等。因此，藉由溶劑取代，可提昇矽氧樹脂組成物的安定性。 　　[0140] (ii)藉由矽氧樹脂的硬化條件之控制 　　藉由控制矽氧樹脂的硬化條件，針對控制參數dMax 之方法進行說明。 　　[0141] 藉由縮合型矽氧樹脂之硬化反應的速度，使所得之硬化物的不均勻性變化。藉由加速從低溫狀態(例如室溫)，昇溫至120℃時之昇溫速度，有硬化物中之T3矽原子的分布更容易均勻的傾向。因此，藉由加速至120℃之昇溫速度，可縮小參數dMax 。 　　[0142] 為了縮小參數dMax ，較佳為將從80℃至120℃為止之昇溫速度定為4℃/分鐘以上。藉由將從80℃至120℃為止之昇溫速度定為4℃/分鐘以上，即使在120℃以上的溫度，亦可以縮合型矽氧樹脂具有高分子運動性的狀態，進行硬化反應。因此，可比較均勻進行矽氧樹脂中之反應。 　　又，較佳為以150℃以上的溫度且5小時以上進行硬化反應。 　　又，藉由提高硬化反應的溫度，可縮小參數dMax 。例如，藉由於200℃進行硬化反應，可縮小參數dMax 。 　　又，為了控制硬化反應的速度，可將磷酸系觸媒、金屬系觸媒等之硬化促進劑添加在矽氧樹脂。 　　[0143] (硬化用觸媒) 　　作為硬化用觸媒，例如在矽氧樹脂A及寡聚物成分具有與為矽原子鍵結之烷氧基或羥基的情況下，為了促進水解縮合反應，可使用鹽酸、硫酸、硝酸、磷酸、磷酸酯等之無機酸；蟻酸、乙酸、草酸、檸檬酸、丙酸、丁酸、乳酸、琥珀酸等之有機酸。 　　[0144] 作為硬化用觸媒，不僅酸性化合物亦可使用鹼性之化合物。具體而言，作為硬化用觸媒，可使用氫氧化銨、氫氧化四甲基銨、氫氧化四乙基銨等。 　　[0145] 作為硬化用觸媒，亦可使用有機金屬化合物觸媒。具體而言，作為硬化用觸媒，可使用含有鋁、鋯、錫、鈦或鋅之有機金屬化合物觸媒。 　　[0146] 作為含有鋁之有機金屬化合物觸媒，例如可列舉三乙醯乙酸酯鋁、三異丙醇(triisopropoxide)鋁。 　　[0147] 作為含有鋯之有機金屬化合物觸媒，例如可列舉四乙醯丙酮鋯(zirconium tetraacetylacetonate)、三丁氧基乙醯丙酮鋯、二丁氧基二乙醯丙酮鋯、四正丙氧鋯、四異丙氧鋯、四正丁氧鋯、醯化鋯(Zirconium acylate)、三丁氧基硬脂酸鋯。 　　[0148] 作為含有錫之有機金屬化合物觸媒，例如可列舉四丁基錫、三氯化單丁基錫、二氯化二丁基錫、氧化二丁基錫、四辛基錫、二氯化二辛基錫、氧化二辛基錫、四甲基錫、月桂酸二丁基錫、月桂酸二辛基錫、雙(2-乙基己酸酯)錫、雙(新癸酸酯)錫、二-n-丁基雙(乙基馬來酸己酯)錫、二-正丁基雙(2,4-戊二酮酸酯)錫、二-正丁基丁氧基氯錫、二-正丁基二乙醯氧錫、二-正丁基二月桂酸錫、二甲基二新癸酸酯錫。 　　[0149] 作為含有鈦之有機金屬化合物觸媒，例如可列舉四異丙醇鈦(Titanium tetraisopropoxide)、四正丁醇鈦、鈦酸丁酯二聚物、鈦酸四辛酯、乙醯丙酮鈦、乙醇酸辛酯(Octylene glycolate)鈦、乙醯乙酸乙酯鈦。 　　[0150] 作為含有鋅之有機金屬化合物觸媒，例如可列舉三乙醯丙酮鋅(Zinc triacetylacetonate)。 　　[0151] 此等當中，從所得之硬化物之透明性的觀點來看，較佳為磷酸酯或磷酸，更佳為磷酸。 　　[0152] 為了將硬化用觸媒以預定之濃度添加在矽氧樹脂，較佳為將硬化用觸媒稀釋在水、有機溶劑、矽氧系單體、烷氧基矽烷寡聚物等後，對矽氧樹脂進行添加。 　　[0153] 硬化用觸媒的含量，可考量矽氧樹脂之硬化反應的溫度、時間、觸媒的種類等適當調整。相對於縮合型矽氧樹脂100質量份，硬化用觸媒的含量較佳為0.01質量份以上10質量份以下，更佳為0.01質量份以上5質量份以下，再更佳為0.1質量份以上1質量份以下。 　　[0154] 硬化用觸媒可對矽氧樹脂於事前添加，亦可於就要進行矽氧樹脂的硬化反應之前，對矽氧樹脂進行添加。 　　[0155] (填料) 　　本實施形態之硬化物可分散填料於縮合型矽氧樹脂硬化物中。作為填料，較佳為波長轉換材料。 　　[0156] 作為波長轉換材料，例如可列舉螢光體、量子點。作為螢光體，例如可列舉於波長570nm至700nm的範圍發出螢光之紅色螢光體、於490nm至570nm的範圍發出螢光之綠色螢光體、於420nm至480nm的範圍發出螢光之藍色螢光體等。 　　[0157] 《紅色螢光體》 　　作為紅色螢光體，例如可列舉由具有紅色破裂面之破裂粒子所構成之(Mg,Ca,Sr,Ba)2 Si5 N8 ：以Eu表示之銪活化鹼土類氮化矽系螢光體；由具有幾乎球形狀作為規則性結晶成長形狀之成長粒子所構成之(Y,La,Gd,Lu)2 O2 S：以Eu表示之銪活化稀土類氧硫屬化物(Oxychalcogenide)系螢光體。 　　[0158] 作為其他紅色螢光體，其係含有：含有選自由Ti、Zr、Hf、Nb、Ta、W及Mo所構成之群組中之至少1種的元素之氧氮化物或氧硫化物或其雙方之螢光體，可列舉含有Al元素之一部分或全部被Ga元素取代之具有α氮化矽構造之氧氮化物的螢光體。 　　[0159] 作為其他紅色螢光體，可列舉(La,Y)2 O2 S：Eu等之Eu活化氧硫化物螢光體；Y(V,P)O4 ：Eu、Y2 O3 ：Eu等之Eu活化氧化物螢光體；(Ba,Sr,Ca,Mg)2 SiO4 ：Eu,Mn、(Ba,Mg)2 SiO4 ：Eu,Mn等之Eu,Mn活化矽酸鹽螢光體；(Ca,Sr)S：Eu等之Eu活化硫化物螢光體；YAlO3 ：Eu等之Eu活化鋁酸鹽螢光體；LiY9 (SiO4 )6 O2 ：Eu、Ca2 Y8 (SiO4 )6 O2 ：Eu、(Sr,Ba,Ca)3 SiO5 ：Eu、Sr2 BaSiO5 ：Eu等之Eu活化矽酸鹽螢光體；(Y,Gd)3 Al5 O12 ：Ce、(Tb,Gd)3 Al5 O12 ：Ce等之Ce活化鋁酸鹽螢光體；(Ca,Sr,Ba)2 Si5 N8 ：Eu、(Mg,Ca,Sr,Ba)SiN2 ：Eu、(Mg,Ca,Sr,Ba)AlSiN3 ：Eu等之Eu活化氮化物螢光體；(Mg,Ca,Sr,Ba)AlSiN3 ：Ce等之Ce活化氮化物螢光體；(Sr,Ca,Ba,Mg)10 (PO4 )6 Cl2 ：Eu,Mn等之Eu,Mn活化鹵代磷酸鹽螢光體；(Ba3 Mg)Si2 O8 ：Eu,Mn、(Ba,Sr,Ca,Mg)3 (Zn,Mg)Si2 O8 ：Eu,Mn等之Eu,Mn活化矽酸鹽螢光體；3.5MgO･0.5MgF2 ･GeO2 ：Mn等之Mn活化鍺酸鹽螢光體；Eu活化α氮化矽等之Eu活化氧氮化物螢光體；(Gd,Y,Lu,La)2 O3 ：Eu,Bi等之Eu,Bi活化氧化物螢光體；(Gd,Y,Lu,La)2 O2 S：Eu,Bi等之Eu,Bi活化氧硫化物螢光體；(Gd,Y,Lu,La)VO4 ：Eu,Bi等之Eu,Bi活化釩酸鹽螢光體；SrY2 S4 ：Eu,Ce等之Eu,Ce活化硫化物螢光體；CaLa2 S4 ：Ce等之Ce活化硫化物螢光體；(Ba,Sr,Ca)MgP2 O7 ：Eu,Mn、(Sr,Ca,Ba,Mg,Zn)2 P2 O7 ：Eu,Mn等之Eu,Mn活化磷酸鹽螢光體；(Y,Lu)2 WO6 ：Eu,Mo等之Eu,Mo活化鎢酸鹽螢光體；(Ba,Sr,Ca)x Siy Nz ：Eu,Ce(於此，x、y及z係表示1以上之整數)等之Eu,Ce活化氮化物螢光體；(Ca,Sr,Ba,Mg)10 (PO4 )6 (F,Cl,Br,OH)：Eu,Mn等之Eu,Mn活化鹵代磷酸鹽螢光體；((Y,Lu,Gd,Tb)1-x Scx Cey )2 (Ca,Mg)1-r (Mg,Zn)2+r Siz-q Geq O12+δ 等之Ce活化矽酸鹽螢光體。 　　[0160] 作為其他紅色螢光體，可列舉由將β-二酮基(Diketonate)、β-二酮、芳香族羧酸、布倫斯特酸(Bronsted acid)等之陰離子作為配位子之稀土類元素離子錯合物所構成之紅色有機螢光體、苝系顏料(例如二苯并{[f,f’]-4,4’,7,7’-四苯基}二茚并[1,2,3-cd：1’,2’,3’-lm]苝)、蒽醌系顏料、螯合系顏料、偶氮系顏料、喹吖酮(quinacridone)系顏料、蔥系顏料、異吲哚啉系顏料、異吲哚啉酮系顏料、酞菁系顏料、三苯基甲烷系鹼性染料、靛蒽醌(indanthrone)系顏料、靛酚系顏料、青藍系顏料、雙噁嗪系顏料。 　　[0161] 紅色螢光體當中，螢光發光之峰值波長為580nm以上，較佳為590nm以上，且螢光發光之峰值波長為620nm以下，較佳為610nm以下之紅色螢光體，可適合作為橙色螢光體使用。作為如此之橙色螢光體，例如可列舉(Sr,Ba)3 SiO5 ：Eu、(Sr,Mg)3 PO4 )2 ：Sn2+ 、SrCaAlSiN3 ：Eu。 　　[0162] 《黃色螢光體》 　　作為黃色螢光體，例如可列舉氧化物系、氮化物系、氧氮化物系、硫化物系、氧硫化物系等之螢光體。具體而言，以RE3 M5 O12 ：Ce(於此，RE表示選自由Y、Tb、Gd、Lu及Sm所構成之群組中之至少1種類的元素，M表示選自由Al、Ga及Sc所構成之群組中之至少1種類的元素)、M2 3 M3 2 M4 3 O12 ：Ce(於此，M2 表示2價之金屬元素，M3 表示3價之金屬元素，M4 表示4價之金屬元素)等表示之具有石榴石構造之石榴石系螢光體；以AE2 M5 O4 ：Eu(於此，AE表示選自由Ba、Sr、Ca、Mg及Zn所構成之群組中之至少1種類的元素，M5 表示選自由Si及Ge所構成之群組中之至少1種類的元素)等表示之正矽酸鹽系螢光體；將此等之螢光體的構成元素即氧原子的一部分被氮原子取代之氧氮化物系螢光體；以AEAlSiN3 ：Ce(於此，AE表示選自由Ba、Sr、Ca、Mg及Zn所構成之群組中之至少1種類的元素)等之具有CaAlSiN3 構造之氮化物系螢光體等之Ce活化之螢光體。 　　[0163] 作為其他黃色螢光體，可列舉CaGa2 S4 ：Eu(Ca,Sr)Ga2 S4 ：Eu、(Ca,Sr)(Ga,Al)2 S4 ：Eu等之硫化物系螢光體；以Cax (Si,Al)12 (O,N)16 ：具有Eu等之SiAlON構造之氧氮化物系螢光體等之Eu活化之螢光體。 　　[0164] 《綠色螢光體》 　　作為綠色螢光體，例如可列舉由具有破裂面之破裂粒子所構成之(Mg,Ca,Sr,Ba)Si2 O2 N2 ：以Eu表示之銪活化鹼土類氮氧化矽系螢光體；由具有破裂面之破裂粒子所構成之(Ba,Ca,Sr,Mg)2 SiO4 ：以Eu表示之銪活化鹼土類矽酸鹽系螢光體。 　　[0165] 作為其他綠色螢光體，可列舉Sr4 Al14 O25 ：Eu、(Ba,Sr,Ca)Al2 O4 ：Eu等之Eu活化鋁酸鹽螢光體；(Sr,Ba)Al2 Si2 O8 ：Eu、(Ba,Mg)2 SiO4 ：Eu、(Ba,Sr,Ca,Mg)2 SiO4 ：Eu、(Ba,Sr,Ca)2 (Mg,Zn)Si2 O7 ：Eu等之Eu活化矽酸鹽螢光體；Y2 SiO5 ：Ce,Tb等之Ce,Tb活化矽酸鹽螢光體；Sr2 P2 O7 -Sr2 B2 O5 ：Eu等之Eu活化硼酸磷酸鹽螢光體；Sr2 Si3 O8 -2SrCl2 ：Eu等之Eu活化鹵矽酸鹽螢光體；Zn2 SiO4 ：Mn等之Mn活化矽酸鹽螢光體；CeMgAl11 O19 ：Tb、Y3 Al5 O12 ：Tb等之Tb活化鋁酸鹽螢光體；Ca2 Y8 (SiO4 )6 O2 ：Tb、La3 Ga5 SiO14 ：Tb等之Tb活化矽酸鹽螢光體；(Sr,Ba,Ca)Ga2 S4 ：Eu,Tb,Sm等之Eu,Tb,Sm活化硫代鎵酸鹽螢光體；Y3 (Al,Ga)5 O12 ：Ce、(Y,Ga,Tb,La,Sm,Pr,Lu)3 (Al,Ga)5 O12 ：Ce等之Ce活化鋁酸鹽螢光體；Ca3 Sc2 Si3 O12 ：Ce、Ca3 (Sc,Mg,Na,Li)2 Si3 O12 ：Ce等之Ce活化矽酸鹽螢光體；CaSc2 O4 ：Ce等之Ce活化氧化物螢光體；SrSi2 O2 N2 ：Eu、(Sr,Ba,Ca)Si2 O2 N2 ：Eu、Eu活化β氮化矽、Eu活化α氮化矽等之Eu活化氧氮化物螢光體；BaMgAl10 O17 ：Eu,Mn等之Eu,Mn活化鋁酸鹽螢光體；SrAl2 O4 ：Eu等之Eu活化鋁酸鹽螢光體；(La,Gd,Y)2 O2 S：Tb等之Tb活化氧硫化物螢光體；LaPO4 ：Ce,Tb等之Ce,Tb活化磷酸鹽螢光體；ZnS：Cu,Al、ZnS：Cu,Au,Al等之硫化物螢光體；(Y,Ga,Lu,Sc,La)BO3 ：Ce,Tb、Na2 Gd2 B2 O7 ：Ce,Tb、(Ba,Sr)2 (Ca,Mg,Zn)B2 O6 ：K,Ce,Tb等之Ce,Tb活化硼酸鹽螢光體；Ca8 Mg(SiO4 )4 Cl2 ：Eu,Mn等之Eu,Mn活化鹵矽酸鹽螢光體；(Sr,Ca,Ba)(Al,Ga,In)2 S4 ：Eu等之Eu活化硫代鋁酸鹽(Thioaluminate)螢光體或硫代鎵酸鹽螢光體；(Ca,Sr)8 (Mg,Zn)(SiO4 )4 Cl2 ：Eu,Mn等之Eu,Mn活化鹵矽酸鹽螢光體。 　　[0166] 作為其他綠色螢光體，可列舉吡啶-苯二甲醯亞胺縮合衍生物、苯并雜氧嗪酮系、喹唑啉酮系、香豆素系、喹啉黃系、萘二甲醯亞胺(naphthalic acid imide)系等之螢光色素；將水楊酸己酯作為配位子具有之鋱錯合物等之有機螢光體。 　　[0167] 《藍色螢光體》 　　作為藍色螢光體，可列舉由具有幾乎六角形狀作為規則性結晶成長形狀之成長粒子所構成之BaMgAl10 O17 ：以Eu表示之銪活化鋇鎂鋁酸鹽系螢光體；由具有幾乎球形狀作為規則性結晶成長形狀之成長粒子所構成之(Ca,Sr,Ba)5 (PO4 )3 Cl：以Eu表示之銪活化鹵代磷酸鈣系螢光體；由具有幾乎立方體形狀作為規則性結晶成長形狀之成長粒子所構成之(Ca,Sr,Ba)2 B5 O9 Cl：以Eu表示之銪活化鹼土類氯硼酸鹽系螢光體；由具有破裂面之破裂粒子所構成之(Sr,Ca,Ba)Al2 O4 ：Eu或(Sr,Ca,Ba)4 Al1 4O25 ：以Eu表示之銪活化鹼土類鋁酸鹽系螢光體。 　　[0168] 作為其他藍色螢光體，可列舉Sr2 P2 O7 ：Sn等之Sn活化磷酸鹽螢光體；Sr4 Al14 O25 ：Eu、BaMgAl10 O17 ：Eu、BaAl8 O13 ：Eu等之Eu活化鋁酸鹽螢光體；SrGa2 S4 ：Ce、CaGa2 S4 ：Ce等之Ce活化硫代鎵酸鹽螢光體；(Ba,Sr,Ca)MgAl10 O17 ：Eu、BaMgAl10 O17 ：Eu,Tb,Sm等之Eu活化鋁酸鹽螢光體；(Ba,Sr,Ca)MgAl10 O17 ：Eu,Mn等之Eu,Mn活化鋁酸鹽螢光體；(Sr,Ca,Ba,Mg)10 (PO4 )6 Cl2 ：Eu、(Ba,Sr,Ca)5 (PO4 )3 (Cl,F,Br,OH)：Eu,Mn,Sb等之Eu活化鹵代磷酸鹽螢光體；BaAl2 Si2 O8 ：Eu、(Sr,Ba)3 MgSi2 O8 ：Eu等之Eu活化矽酸鹽螢光體；Sr2 P2 O7 ：Eu等之Eu活化磷酸鹽螢光體；ZnS：Ag、ZnS：Ag、Al等之硫化物螢光體；Y2 SiO5 ：Ce等之Ce活化矽酸鹽螢光體；CaWO4 等之鎢酸鹽螢光體；(Ba,Sr,Ca)BPO5 ：Eu、Mn、(Sr,Ca)10 (PO4 )6 ･nB2 O3 ：Eu、2SrO･0.84P2 O5 ･0.16B2 O3 ：Eu等之Eu,Mn活化硼酸磷酸鹽螢光體；Sr2 Si3 O8 ･2SrCl2 ：Eu等之Eu活化鹵矽酸鹽螢光體。 　　[0169] 作為其他藍色螢光體，可列舉萘二甲醯亞胺系化合物、苯并噁唑系化合物、苯乙烯基系化合物、香豆素系化合物、吡唑啉系化合物、三唑系化合物等之螢光色素；銩錯合物等之有機螢光體等。 　　[0170] 此等之螢光體可僅1種類單獨使用，亦可組合2種類以上使用。 　　[0171] 《量子點》 　　作為量子點，例如可列舉InAs系之量子點、CdE(E=S,Se,Te)系之量子點(CdSx Se1-x /ZnS等)。 　　[0172] 相對於縮合型矽氧樹脂硬化物與波長轉換材料的合計含量，波長轉換材料的含量通常為20質量%以上95質量%以下，較佳為40質量%以上95質量%以下，更佳為50質量%以上95質量%以下，再更佳為60質量%以上95質量%以下。 　　[0173] 又，本實施形態之硬化物可包含矽氧填料。作為矽氧填料，例如可列舉矽氧樹脂填料、矽氧橡膠填料。 　　[0174] (其他成分) 　　本實施形態之硬化物，除了縮合型矽氧樹脂硬化物及填料之外，可包含無機粒子、矽烷偶合劑等之添加劑。 　　[0175] (無機粒子) 　　無機粒子於本實施形態之硬化物中，使光散射可有效果地激發波長轉換材料。又，在本實施形態之硬化物的製造階段，可抑制波長轉換材料於包含矽氧樹脂之組成物中沉澱。 　　[0176] 作為無機粒子，例如可列舉矽、鈦、氧化鋯、鋁、鐵、鋅等之氧化物、碳黑、鈦酸鋇、矽酸鈣、碳酸鈣，較佳為矽、鈦、氧化鋯、鋁等之氧化物。 　　[0177] 作為無機粒子之形狀，例如可列舉略球狀、板狀、柱狀、針狀、晶鬚狀、纖維狀，由於得到更均勻之組成物，故較佳為略球狀。 　　[0178] 本實施形態之硬化物所包含之無機粒子雖可為僅1種類，亦可為2種類以上，但較佳為粒徑不同之2種類以上的無機粒子。具體而言，本實施形態之硬化物更佳為包含一次粒子之平均粒徑為100nm以上500nm以下之無機粒子、與同樣一次粒子之平均粒徑為未滿100nm之無機粒子。藉由包含一次粒子之平均粒徑不同之2種類以上的無機粒子，提昇因光之散射導致之波長轉換材料的激發效率，且抑制於包含矽氧樹脂之組成物中之波長轉換材料的沉澱。 　　[0179] 無機粒子之一次粒子的平均粒徑，例如可藉由由電子顯微鏡等直接觀察粒子之圖像成像法求得。 　　具體而言，首先，調製使成為測定對象之無機粒子分散在任意之溶劑之液，將所得之分散液滴下在載玻片等並使其乾燥。可製得直接散布無機粒子於接著膠帶的接著面，使無機粒子附著者。 　　其次，藉由由掃描型電子顯微鏡(SEM)或透過型電子顯微鏡(TEM)直接觀察粒子，從所得之形狀算出無機粒子的尺寸，求得無機粒子之一次粒子的平均粒徑。 　　[0180] 相對於縮合型矽氧樹脂硬化物100質量份，無機粒子的含量較佳為0.01質量份以上100質量份以下，更佳為0.1質量份以上50質量份以下。 　　[0181] (矽烷偶合劑) 　　作為矽烷偶合劑，例如較佳為具有選自由乙烯基、環氧基、苯乙烯基、甲基丙烯醯基、丙烯醯基、胺基、脲基、巰基、硫化物基及異氰酸酯基所構成之群組中之至少一種之基的矽烷偶合劑。此等當中，較佳為具有環氧基或巰基之偶合劑。 　　[0182] 作為矽烷偶合劑之具體例，可列舉2-(3,4-環氧基環己基)乙基三甲氧基矽烷、3-環氧丙氧基丙基甲基二甲氧基矽烷、3-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷、3-環氧丙氧基丙基甲基二乙氧基矽烷、3-環氧丙氧基丙基三乙氧基矽烷、3-巰基丙基甲基二甲氧基矽烷、3-巰基丙基三甲氧基矽烷。 　　[0183] 於包含矽氧樹脂之組成物包含矽烷偶合劑時，雖然矽烷偶合劑所包含之矽原子亦作為29 Si-NMR之信號檢出，但在本說明書，於包含矽氧樹脂之組成物之信號面積的計算時，成為亦包含矽烷偶合劑的信號者。 　　[0184] 相對於矽氧樹脂之合計含量100質量份，矽烷偶合劑的含量較佳為0.0001質量份以上1.0質量份以下，更佳為0.001質量份以上0.1質量份以下。 　　[0185] (其他添加劑) 　　本實施形態之硬化物可包含上述之材料以外之添加劑。作為上述之材料以外之添加劑，例如可列舉分散劑、整平劑、消泡劑。 　　[0186] (硬化物) 　　本實施形態之硬化物所包含之縮合型矽氧樹脂硬化物，較佳為包含上述式(A3)表示之構造單位。又，縮合型矽氧樹脂硬化物更佳為進一步包含選自由上述式(A1)表示之構造單位、上述式(A1’)表示之構造單位及上述式(A2)表示之構造單位所構成之群組中之1種以上的構造單位。 　　[0187] 本實施形態之硬化物所包含之縮合型矽氧樹脂硬化物可進一步包含上述式(C1)、上述式(C1’)、上述式(C2)、上述式(C3)或上述式(C4)表示之構造單位。 　　[0188] 在本實施形態之硬化物所包含之縮合型矽氧樹脂硬化物，相對於縮合型矽氧樹脂硬化物之全構造單位的合計含量，T3體的含量較佳為50莫耳%以上。換句話說，相對於縮合型矽氧樹脂硬化物之全矽原子的合計含量，T3矽原子的含量較佳為50莫耳%以上。進而，相對於縮合型矽氧樹脂硬化物之全矽原子的合計含量，T3矽原子的含量更佳為60莫耳%以上，再更佳為70莫耳%以上，又再更佳為75莫耳%以上。 　　[0189] 表示本實施形態之硬化物所包含之縮合型矽氧樹脂硬化物的交聯點(T3矽)之不均勻性的規模之參數dMax 較佳為40～170Å。參數dMax 滿足此範圍內之縮合型矽氧樹脂硬化物，係兼備於裝置應用之上較佳之硬度(以肖氏D硬度為70以上)、與高破裂耐性、與高耐熱性。 　　[0190] 參數dMax 滿足上述的範圍內之縮合型矽氧樹脂硬化物，即使在加上應力的情況下，亦可使應力分散在硬化物全體。參數dMax 為40Å以上之縮合型矽氧樹脂硬化物，由於交聯點的密度高之部分之間的距離較大，成為具有充分柔軟性之硬化物，難以產生破裂。又，參數dMax 為170Å以下之縮合型矽氧樹脂硬化物，由於交聯點的密度高之部分之間的距離不會過大，成為具有於裝置應用之上較佳之硬度的硬化物。 　　亦即，參數dMax 為40Å以上170Å以下之縮合型矽氧樹脂硬化物可兼具高硬度、與高破裂耐性。 　　[0191] 參數dMax 較佳為50Å以上，更佳為60Å以上，再更佳為70Å以上，特佳為80Å以上，特別再更佳為90Å以上，又特別再更佳為100Å以上。 　　參數dMax 較佳為160Å以下。 　　[0192] 又，參數dMax 為40Å以上170Å以下之縮合型矽氧樹脂硬化物，即使持續施加高溫度(例如250℃)的熱的情況，藉由硬化物中所包含之不均勻構造，可使藉由熱之應力分散。 　　[0193] 滿足上述要件之本實施形態的硬化物係兼備高硬度、與高破裂耐性、與高耐熱性。 　　[0194] ＜波長轉換薄片＞ 　　圖2係表示本實施形態之波長轉換薄片的示意圖。波長轉換薄片30係將包含縮合型矽氧樹脂硬化物40、與分散在縮合型矽氧樹脂硬化物40之波長轉換材料即填料50的硬化物作為形成材料。如此之波長轉換薄片30，係將上述之本實施形態的硬化物定為形成材料，成形成薄板狀者。 　　[0195] 波長轉換薄片30可於一側的面具備基材。作為基材，雖因波長轉換薄片的用途適當選擇即可，但例如可列舉鋁等之金屬基材；石英、藍寶石等之透明性基材。 　　[0196] 本實施形態之波長轉換薄片可適合使用在LED、太陽能電池、半導體雷射、光二極體、CCD、CMOS等之波長轉換的用途。尤其是本實施形態之波長轉換薄片由於耐熱性優異，可適合使用在預想於高溫下的使用之半導體雷射的發光部。 　　[0197] 本實施形態之波長轉換薄片可包含上述之無機粒子。藉由含有無機粒子，於波長轉換薄片中，使光散射可更有效果地激發波長轉換材料。又，在波長轉換薄片之製造階段，可抑制波長轉換材料於包含矽氧樹脂之組成物中沉澱。 　　[0198] (膜厚) 　　波長轉換薄片的厚度(膜厚)，由於可安定地製造波長轉換薄片，故較佳為10μm以上。又，波長轉換薄片的厚度，從提高波長轉換薄片之光學特性或耐熱性的觀點來看，較佳為1mm以下，更佳為500μm以下，再更佳為200μm以下。藉由波長轉換薄片的厚度為1mm以下，可減低因矽氧樹脂導致之光吸收或光散射。 　　[0199] 波長轉換薄片的膜厚，例如，可藉由將在波長轉換薄片之複數個點的膜厚使用千分尺進行測定，算出其平均值求得。所謂複數個點，例如可列舉波長轉換薄片的形狀為4角形的情況下，波長轉換薄片之中心部1個點、與波長轉換薄片之角落4個點的合計5個點。 　　[0200] 波長轉換薄片30可形成於支持基材上。作為支持基材，可使用將公知之金屬、薄膜、玻璃、陶瓷、紙等作為形成材料之基材。 　　[0201] 作為支持基材之形成材料的具體例，可列舉石英玻璃、硼矽酸玻璃、藍寶石等之透明的無機氧化物玻璃；鋁(亦包含鋁合金)、鋅、銅、鐵等之金屬板或箔；纖維素乙酸酯、聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚乙烯、聚酯、聚醯胺、聚醯亞胺、聚苯硫醚、聚苯乙烯、聚丙烯、聚碳酸酯、聚乙烯縮醛、芳綸等之塑膠之薄膜；層合上述塑膠之紙；由上述塑膠塗佈之紙；層合或蒸鍍上述金屬之紙；層合或蒸鍍上述金屬之塑膠薄膜。此等當中，較佳為無機氧化物玻璃或金屬板。 　　[0202] 支持基材的厚度較佳為30μm以上，更佳為50μm以上。支持基材的厚度為30μm以上時，為了保護波長轉換薄片的形狀而具有充分之強度。又，支持基材的厚度從經濟性的觀點來看，較佳為5000μm以下，更佳為3000μm以下。 　　[0203] (波長轉換薄片的製造方法) 　　針對本實施形態之波長轉換薄片的製造方法進行說明。 　　[0204] 首先，調製使波長轉換材料分散在上述之矽氧樹脂組成物(縮合型矽氧樹脂+溶劑)之含有波長轉換材料之矽氧樹脂組成物。此時，藉由控制含有波長轉換材料之矽氧樹脂組成物所包含之矽氧樹脂的摻合比率，如上述，可控制構成製造之波長轉換薄片之硬化物的參數dMax 。 　　[0205] 為了改善波長轉換材料的擴散或含有波長轉換材料之矽氧樹脂組成物的塗佈性，於含有波長轉換材料之矽氧樹脂組成物可包含無機粒子、接著輔助劑等之添加物。 　　[0206] 藉由將此等之成分以成為預定之組成的方式進行摻合後，使用公知之攪拌･混練機進行均質混合分散，可得到含有波長轉換材料之矽氧樹脂組成物。作為公知之攪拌･混練機，例如可列舉均質機、自公轉型攪拌機、3輥、球磨機、行星式球磨機、珠磨機。在混合分散後或混合分散的過程，如有必要可將含有波長轉換材料之矽氧樹脂組成物於真空或減壓條件下進行脫泡。 　　[0207] 其次，將所得之含有波長轉換材料之矽氧樹脂組成物塗佈在支持基材上。含有波長轉換材料之矽氧樹脂組成物的塗佈可使用公知之塗佈裝置進行。作為公知之塗佈裝置，例如可列舉反轉輥塗機、刮刀塗佈機、狹縫模塗機、直接凹版塗佈機、膠印凹版塗佈機、反轉輥塗機、刮刀塗佈機、吻塗機、自然輥塗機、氣刀塗佈機、輥式刮刀塗佈機、滾筒輥式塗佈機、雙流塗佈機、棒式塗佈機、繞線棒式塗佈機、塗抹器、浸塗機、簾式塗佈機、旋塗機、刀式塗佈機。此等當中，由於所得之波長轉換薄片的膜厚容易變均勻，故較佳為狹縫模塗機或塗抹器。 　　[0208] 作為其他塗佈方法，可列舉絲網印刷、凹版印刷、平版印刷等之印刷法等。此等當中，從簡便性的觀點來看，較佳為絲網印刷。 　　[0209] 其次，使支持基材上所形成之塗佈膜加熱硬化而得到波長轉換薄片。塗佈膜的加熱係使用自然對流式烤箱、送風式烤箱、真空烤箱、惰性烘箱、熱板、熱壓機、紅外線加熱器等之機器進行。此等當中，從生產性的觀點來看，較佳為送風式烤箱。 　　[0210] 作為塗佈膜之加熱條件，例如可列舉於40℃～250℃加熱5分鐘～100小時之方法。加熱時間較佳為1～30小時，更佳為2～10小時，再更佳為3～8小時。藉由加熱時間為此範圍內，可充分去除溶劑，同時可防止加熱時之著色。 　　[0211] 藉由將含有波長轉換材料之矽氧樹脂組成物塗佈在支持基材上之後，放置在250℃以下之溫度的環境內，可使塗佈膜硬化，例如可藉由放置在40℃～200℃之溫度的環境內，使塗佈膜硬化。又，塗佈膜之硬化時，為了減低存在於含有波長轉換材料之矽氧樹脂組成物中之溶劑或水，且控制矽氧樹脂A與矽氧寡聚物之縮合反應速度，例如可以於40℃～60℃進行5分鐘～30分鐘，其次於60℃～100℃進行10分鐘～60分鐘，其次於140℃～200℃進行30分鐘～5小時的方式，階段性使塗佈膜硬化。 　　[0212] 作為塗佈膜之加熱條件，藉由加速從低溫狀態(例如室溫)，昇溫至120℃之溫度為止時之昇溫速度，可縮小構成波長轉換薄片之硬化物的參數dMax 。 　　為了縮小構成波長轉換薄片之硬化物的參數dMax ，較佳為將從80℃至120℃為止之昇溫速度定為4℃/分鐘以上。 　　又，較佳為於150℃以上之溫度進行5小時以上硬化。 　　又，藉由提高硬化溫度，可縮小參數dMax 。 　　又，為了控制硬化速度，可將磷酸系觸媒、金屬系觸媒等之硬化促進劑加入含有波長轉換材料之矽氧樹脂組成物。 　　[0213] 如此構成之波長轉換薄片，由於為成形成上述之本實施形態的硬化物所得者，故兼備高硬度與高破裂耐性與高耐熱性，成為信賴性高者。 　　[0214] ＜發光裝置＞ 　　圖3表示本實施形態之發光裝置的示意圖。發光裝置100係具有上述之波長轉換薄片30、與光源60。 　　[0215] 作為光源60，可使用水銀燈、半導體發光元件等之公知的光源。本實施形態之發光裝置中，適合使用照射高亮度LED、半導體雷射等之高密度的能量之光源、發出UV-LED等之波長為400nm以下、300nm以下之高能量的紫外線之光源。光源60係具有基板70、與設置於基板70之一面的發光元件80。 　　[0216] 波長轉換薄片30配置在入射從光源60射出之光L1的位置。 　　[0217] 在如此之發光裝置100，從光源60射出之光L1入射在波長轉換薄片30。在波長轉換薄片30，波長轉換材料之填料50將光L1轉換成與光L1不同波長之轉換光L2。轉換光L2係從波長轉換薄片30射出。 　　[0218] 圖4表示具備本實施形態之波長轉換薄片之發光裝置的構造之斷面圖。 　　發光裝置1000係具有基板110、與半導體雷射元件(光源)120、與導光部130、與波長轉換薄片140、與反射鏡150。波長轉換薄片140可使用上述之構成者。 　　[0219] 半導體雷射元件120設定在基板110上。 　　[0220] 導光部130於內部入射從半導體雷射元件120射出之雷射光La，於內部導光雷射光La。於導光部130之一端光學性連接半導體雷射元件120，於另一端光學性連接波長轉換薄片140。導光部130係從一端側面向另一端側，呈現寬度逐漸降低之錘狀，成為從半導體雷射元件120射出之雷射光La集束在波長轉換薄片140之構成。 　　[0221] 反射鏡150係配置在波長轉換薄片140的周圍之碗狀元件，面向波長轉換薄片140之曲面成為光反射面。反射鏡150係將從波長轉換薄片140射出之光偏向於裝置前方(雷射光La之照射方向)。 　　[0222] 波長轉換薄片140所照射之雷射光La藉由波長轉換薄片140所含有之波長轉換材料轉換成白色光Lb，從發光裝置1000輸出。 　　[0223] 發光裝置1000雖具有1個半導體雷射元件120，但可具有2個以上。 　　[0224] 圖5表示發光裝置之變形例之斷面圖。在圖5及以下之說明，針對與於圖4說明之構成相同之構成，附上與圖4共通之符號。 　　[0225] 發光裝置1100係具有複數個基板110、與複數個半導體雷射元件(光源)120、與複數個光纖180、與導光部130、與波長轉換薄片140、與反射鏡150、與透明支持體190。 　　[0226] 光纖180於內部入射從半導體雷射元件120射出之雷射光La，於內部導光雷射光La。於複數個光纖180之一端分別光學性連接半導體雷射元件120。又，複數個光纖180於另一端側成束，以匯集成一束的狀態於另一端光學性連接在導光部130。 　　導光部130於內部入射從半導體雷射元件120射出之雷射光La，於內部導光雷射光La後，面向裝置前方射出。導光部130可具有集光對裝置前方射出之雷射光La的功能。 　　[0227] 波長轉換薄片140係以透明支持體190所支持之狀態，與導光部130離間，與導光部130對向來配置。透明支持體190以被覆反射鏡150之開口部分的方式進行，設置在裝置前方。透明支持體190係將藉由裝置使用中所發生之熱而不劣化之透明材料作為形成材料之元件，例如可使用玻璃板。 　　[0228] 波長轉換薄片140所照射之雷射光La，藉由波長轉換薄片140所含有之波長轉換材料轉換成白色光Lb，從發光裝置1100輸出。 　　[0229] 在發光裝置1000、1100，如上述進行分離光源(半導體雷射元件120)及發光部(波長轉換薄片140)。藉此，使得發光裝置之小型化、或提昇設計性變容易。 　　[0230] 如以上之構成的發光裝置，由於具備兼備高硬度與高破裂耐性與高耐熱性之本實施形態之波長轉換薄片，成為信賴性高者。 　　[0231] ＜密封用元件、半導體發光裝置＞ 　　圖6係本實施形態之半導體發光裝置200之斷面圖。本實施形態之半導體發光裝置亦可作為在圖3～5之發光裝置的光源使用。 　　[0232] 半導體發光裝置200係具有基板210、與配置在基板上之半導體發光元件220、與密封半導體發光元件220之密封用元件230。密封用元件230係將上述之硬化物作為形成材料。半導體發光元件220藉由基板210與密封用元件230被覆而被密封，對外氣進行隔離。 　　[0233] 構成密封用元件230之硬化物，如上述係兼備高硬度與高破裂耐性與高耐熱性。又，與藉由石英玻璃所構成之密封部相比較，UV光之透過性為同等，光之提取效率提高且便宜。因此，具有本實施形態之密封用元件230之半導體發光裝置成為不易破損，且信賴性高者。 　　[0234] 又，構成密封用元件230之硬化物，由於將縮合型矽氧樹脂硬化物定為構成要素，故不易因UV光而導致劣化。因此，具有本實施形態之密封用元件230之半導體發光裝置200，光源之半導體發光元件220即使是作為發光波長為400nm以下，進而為300nm以下之UV光源，亦成為不易劣化且信賴性高者。 　　[0235] 作為半導體發光元件220，並不限於射出UV光者。半導體發光元件220之發光波長可為紫外線區域(例如10～400nm)，亦可為可見光區域(例如超過400nm未滿830nm)，亦可為紅外線區域(例如830nm以上1000nm以下)。 　　[0236] 如以上構成之密封用元件，由於將上述之本實施形態的硬化物作為形成材料，故成為信賴性高者。 　　又，如以上構成之半導體發光裝置，由於具有將上述之本實施形態的硬化物作為形成材料之密封用元件，故成為信賴性高者。 　　[0237] 雖使用圖面1～6針對本發明合適之實施形態進行說明，但本發明之實施形態並非被限定於此等之例。在上述之例所示之各構成元件的諸形狀、組合等，可根據設計要求等進行各種變更。 [實施例] 　　[0238] 以下，雖由實施例更具體說明本發明，但本發明並非被限定於以下之實施例。 　　[0239] 在本實施例，將所得之試料用下述方法進行評估或測定。 　　[0240] ＜耐破裂性＞ 　　於直徑4cm之鋁製杯加入1.2g之矽氧樹脂組成物使其硬化。針對所得之縮合型矽氧樹脂硬化物，目視評估破裂的有無。 　　[0241] ＜強度＞ 　　製作寬度10mm、長度30mm、厚度1mm之試驗片，以下述條件於試驗片的中央以2.0mm/秒的速度加上荷重，測定試驗片破裂時之荷重及破壞變位。將試驗數(n數)定為5，將算術平均值定為測定結果。 　　裝置名：桌上精密荷重測定器 MODEL-1605IIVL 　　負荷元件：MODEL-3000系列 　　測定溫度：25℃ 　　[0242] 將試驗片破裂時之荷重(彎曲失效荷重、單位N)之平均值定為彎曲強度。將彎曲強度為20MPa以上之試驗片定為良好。 　　[0243] 將試驗片破裂時之破壞變位(破壞時變形量、單位mm)的平均值定為破裂時之扭曲。將破裂時之扭曲為3.0%以上之試驗片定為良好。 　　[0244] ＜耐熱性＞ 　　將縮合型矽氧樹脂硬化物(直徑4cm、厚度500μm之圓板狀)於250℃之烤箱中加熱。針對加熱前後之縮合型矽氧樹脂硬化物，評估在波長400nm之光透過率及外觀(摺皺、破裂的有無)。 　　[0245] ＜肖氏硬度＞ 　　針對縮合型矽氧樹脂硬化物(直徑4cm、厚度1500μm之圓板狀)，用下述條件測定肖氏D硬度。 　　[0246] 於硬度計用自動低壓荷重器(Teclock股份有限公司製、型號GS-610)，將裝著硬度計(Teclock股份有限公司製、型號GS-720G、型D)者作為測定裝置。尚，硬度計為橡膠‧塑料硬度計。使用此測定裝置，針對縮合型矽氧樹脂之硬化物，以1mm/秒之下降速度測定肖氏D硬度。測定係於5位置實施，算出平均值。 　　[0247] 將肖氏D硬度為70以上之縮合型矽氧樹脂硬化物定為良好。 　　[0248] ＜透過率＞ 　　製作500μm厚之縮合型矽氧樹脂硬化物。針對所得之縮合型矽氧樹脂硬化物，用下述條件測定對於400nm波長之光的透過率。 　　裝置名：JASCO V-670 紫外可見近紅外分光光度計 　　積分球單位(ISN-723/B004861118) 　　參數： 　　掃瞄速度(C)：1000nm/分鐘 　　測定波長：200～800nm 　　數據讀取間隔(L)：1.0nm 　　[0249] 將透過率為90%以上之縮合型矽氧樹脂硬化物定為良好。 　　[0250] ＜凝膠滲透層析(GPC)測定＞ 　　藉由使試料(矽氧樹脂)溶解在洗脫液後，以孔洞大小0.45μm之膜過濾器進行過濾，來調製測定溶液。針對所得之調製溶液，用下述條件測定標準聚苯乙烯換算之重量平均分子量(Mw)。 　　裝置名：東曹公司製HLC-8220 GPC 　　管柱：TSKgel SuperHM-H×2+SuperH2500×1(內徑6.0mm×150mm×3管) 　　洗脫液：甲苯 　　流量：0.6mL/分鐘 　　檢出器：RI檢出器(極性：-) 　　管柱溫度：40℃ 　　注入量：40μL 　　分子量標準：標準聚苯乙烯 　　[0251] ＜固體29 Si-NMR＞ 　　針對製作縮合型矽氧樹脂硬化物所得之縮合型矽氧樹脂硬化物，以下述條件，測定歸屬於T體之矽原子的峰值。具體而言，將從-80ppm至-40ppm之區域內的峰值作為歸屬於T體之矽原子的峰值，確認在上述區域之有無。 　　裝置名：Bruker公司製 AVANCE300 　　觀測核：29 Si 　　觀測頻率：59.6MHz 　　測定溫度：室溫 　　測定法：DDMAS法 　　基準物質：六甲基環三矽氧烷 　　(設定在-9.66ppm，相當於TMS0ppm設定) 　　MAS條件：3.5kHz 　　脈衝寬度：π/6(1.4μs) 　　等待時間：20.0sec 　　積算次數：4096次 　　試料量：290mg 　　[0252] ＜參數dMax ＞ 　　製作厚度0.5mm之縮合型矽氧樹脂硬化物所得之縮合型矽氧樹脂硬化物，測定參數dMax 。 　　測定裝置：小角X光散射裝置(NanoSTAR、Bruker AXS股份有限公司製) 　　光源：Cu靶之回轉對陰極型之X光產生器。輸出50kV、100mA。交叉偶合･戈貝爾鏡與3個針孔狹縫使用(狹縫之孔徑從X光產生器側為500μmφ、150μmφ、500μmφ) 　　二次元檢出器：2次元Multi Wire檢出器、Hi-STAR 　　裝置內之真空度：40Pa 　　解析軟體：SAXS Ver.4.1.29(Bruker AXS公司製) 　　[0253] 對於縮合型矽氧樹脂硬化物(試料)照射X光，測定縮合型矽氧樹脂硬化物之小角X光散射。從試料至檢知器為止的長度定為106cm，直接光束阻擋器的大小定為2mmφ。 　　[0254] 散射角2θ與直接光束位置的校正，例如使用山萮酸銀之1次(2θ=1.513°)與2次(2θ=3.027°)之個別的峰值進行。可測定之散射角2θ的範圍為0.08～3°。 　　[0255] 將測定結果使用Bruker AXS公司製之解析軟體解析，而得到小角X光小角散射光譜。 　　又，針對於未設置試料的狀態之對照測定(空氣散射)，亦可與上述同樣進行。 　　[0256] 將縮合型矽氧樹脂硬化物之小角X光散射的測定所使用之X光的波數定為橫軸，從縮合型矽氧樹脂硬化物之小角X光散射所測定之測定散射強度相對於減少空氣散射之散射強度，將乘以小角X光散射的測定所使用之X光的波數(單位：Å-1 )平方之值(光譜)定為縱軸，將於個別之測定所得之測定值，作成經繪圖之圖表(Kratky Plot)。 　　[0257] 在Kratky Plot，從小角X光散射的測定所使用之X光的波數0.01Å-1 ～0.17Å-1 的範圍內之極大峰值位置的波數qMax (Å-1 )，藉由下述式(A)得到參數dMax 。[0258] [實施例1] 　　下述之矽氧樹脂A(Mw=3500)、低分子矽氧(Mw＜1000)及烷氧基矽氧寡聚物(改質用矽氧、Mw=3400)皆為「縮合型矽氧樹脂」。烷氧基矽氧寡聚物相當於在本說明書之「寡聚物B」。低分子矽氧相當於在本說明書之「寡聚物C」。 　　[0259] 烷氧基矽氧寡聚物存在於重量平均分子量7500以上之區域的峰值之面積的總和，相對於峰值之全面積的總和為20%以上，存在於重量平均分子量1000以下之區域的峰值之面積的總和，相對於峰值之全面積的總和為30%以上。 　　[0260] 將矽氧樹脂A所包含之構造單位示於表1。將低分子矽氧所包含之構造單位示於表2。烷氧基矽氧寡聚物係包含95%以上由表3所示之構造單位所構成之樹脂。 　　[0261] (矽氧樹脂A) 　　[0262][0263] (低分子矽氧) 　　[0264][0265] (烷氧基矽氧寡聚物) 　　[0266][0267] 表1～3所示之各縮合型矽氧樹脂之構造單位的存在比率，係根據以下述之任一個條件所測定之溶液NMR的測定結果而算出之值。 　　[0268] ＜1 H-NMR測定條件＞ 　　裝置名：JEOL RESONANCE公司製 ECA-500 　　觀測核：1 H 　　觀測頻率：500.16MHz 　　測定溫度：室溫 　　測定溶劑：DMSO-d6 脈衝寬度：6.60μsec(45°) 　　脈衝重複時間：7.0sec 　　積算次數：16次 　　試料濃度(試料/測定溶劑)：300mg/0.6ml 　　[0269] ＜29 Si-NMR測定條件＞ 　　裝置名：Agilent公司製 400-MR 　　觀測核：29 Si 　　觀測頻率：79.42MHz 　　測定溫度：室溫 　　測定溶劑：CDCl3 脈衝寬度：8.40μsec(45°) 　　脈衝重複時間：15.0sec 　　積算次數：4000次 　　試料濃度(試料/測定溶劑)：300mg/0.6ml 　　[0270] 藉由於油浴內所設置之燒瓶內，加入789.60g之矽氧樹脂A、與96.00g之乙酸丙酯、與314.40g之異丙基醇，以80℃進行攪拌，使矽氧樹脂A溶解於溶劑。 　　藉由於所得之溶液，加入8.47g之低分子矽氧、與75.08g之烷氧基矽氧寡聚物，攪拌1小時以上，使低分子矽氧及烷氧基矽氧寡聚物溶解於溶劑。 　　於所得之溶液加入274.49g之乙酸2-丁氧基乙酯、與0.22g之3-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷(矽烷偶合劑)。 　　[0271] 將所得之混合物設定在蒸發器，將該混合物的溫度定為85℃，將蒸發器之減壓度定為2.0kPa的條件後，餾除乙酸丙酯及異丙基醇至該混合物中之乙酸丙酯及異丙基醇的合計濃度成為1質量%以下為止。 　　[0272] 藉由相對於所得之混合物100質量份，添加2質量份之硬化用觸媒(含有15質量%之磷酸)，使用自轉公轉回轉混合機(THINKY股份有限公司製、冒泡練太郎「ARV-200」)，以1800rpm之回轉速度進行2分鐘之攪拌，而得到矽氧樹脂組成物。 　　[0273] 藉由將所得之矽氧樹脂組成物從室溫加熱至150℃，於150℃保持5小時而使其熱硬化。 　　具體而言，從25℃(室溫)以3℃/分鐘昇溫至40℃，於40℃保持10分鐘。然後，以4℃/分鐘昇溫至150℃，於150℃保持5小時。然後，藉由花費2小時放冷至室溫，而得到縮合型矽氧樹脂硬化物。 　　[0274] 在所得之縮合型矽氧樹脂硬化物的固體29 Si-NMR測定，確認歸屬於T體之矽原子的峰值。 　　[0275] 針對所得之縮合型矽氧樹脂硬化物，用上述之方法作成Kratky Plot。將經作成之Kratky Plot示於圖7。在圖7，橫軸Q係表示小角X光散射的測定所使用之X光的波數(單位：Å-1 )。縱軸Q2 I係表示，從縮合型矽氧樹脂硬化物之小角X光散射所測定之測定散射強度，相對於減少空氣散射之散射強度(文字I)，乘上小角X光散射的測定所使用之X光的波數(文字Q)平方(Q2 )之值。 　　從Kratky Plot所求得之參數dMax 為150Å。 　　[0276] 針對所得之縮合型矽氧樹脂硬化物，係無破裂，耐破裂性良好。 　　針對所得之縮合型矽氧樹脂硬化物，彎曲強度為36MPa，彎曲應變(bending strain)為5.6%，強度良好。 　　針對所得之縮合型矽氧樹脂硬化物，肖氏D硬度為73，係良好。 　　針對所得之縮合型矽氧樹脂硬化物，透過率為92%，係良好。 　　[0277] 針對所得之縮合型矽氧樹脂硬化物，實施250℃、100小時之耐熱性試驗。在耐熱性試驗後之縮合型矽氧樹脂硬化物的外觀，未觀察到摺皺、破裂的發生。又，耐熱性試驗後之縮合型矽氧樹脂硬化物的透過率為92%，維持住透明性。 　　[0278] 針對所得之縮合型矽氧樹脂硬化物，實施250℃、1000小時之耐熱性試驗。在耐熱性試驗後之縮合型矽氧樹脂硬化物的外觀，未觀察到摺皺、破裂的發生。又，耐熱性試驗後之縮合型矽氧樹脂硬化物的透過率為92%，維持住透明性。 　　[0279] [實施例2] 　　除了將在實施例1之矽氧樹脂組成物的熱硬化條件變更為下述條件之外，其他與實施例1同樣進行，而得到縮合型矽氧樹脂硬化物。 　　「藉由將所得之矽氧樹脂組成物從室溫加熱至200℃，於200℃保持5小時，使其熱硬化。 　　具體而言，從25℃(室溫)以3℃/分鐘昇溫至40℃，於40℃保持10分鐘。然後，以4℃/分鐘昇溫至200℃，於200℃保持5小時。然後，藉由花費2小時放冷至室溫，而得到縮合型矽氧樹脂硬化物」。 　　[0280] 在所得之縮合型矽氧樹脂硬化物的固體29 Si-NMR測定，確認歸屬於T體之矽原子的峰值。 　　[0281] 針對所得之縮合型矽氧樹脂硬化物，用上述之方法作成Kratky Plot。從Kratky Plot求得之參數dMax 為105Å。 　　[0282] 針對所得之縮合型矽氧樹脂硬化物，係無破裂，耐破裂性良好。 　　針對所得之縮合型矽氧樹脂硬化物，彎曲強度為24MPa，彎曲應變為3.8%，彎曲強度良好。 　　針對所得之縮合型矽氧樹脂硬化物，肖氏D硬度為73，係良好。 　　針對所得之縮合型矽氧樹脂硬化物，透過率為92%，係良好。 　　[0283] 針對所得之縮合型矽氧樹脂硬化物，實施250℃、100小時之耐熱性試驗。在外觀，未觀察到摺皺、破裂的發生。又，透過率為92%，維持住透明性。 　　[0284] [比較例1] 　　將下述之矽氧樹脂B(Mw=3500)所包含之構造單位示於表4。表4所示之矽氧樹脂B之構造單位的存在比率，係根據上述之溶液NMR的測定結果所算出之值。矽氧樹脂B相當於在本說明書之「縮合型矽氧樹脂」。 　　[0285] (矽氧樹脂B) 　　[0286][0287] 混合於上述表3表示之烷氧基矽氧寡聚物75質量份、與以於上述表4表示的存在比率具有重複單位之矽氧樹脂(MW=3500)25質量份，進而，添加2質量份與於實施例1使用者相同之硬化用觸媒，使用自轉公轉回轉混合機(THINKY股份有限公司製、冒泡練太郎「ARV-200」)，充分攪拌混合，而得到矽氧樹脂組成物。 　　[0288] 將所得之矽氧樹脂組成物與在實施例1之矽氧樹脂組成物的熱硬化條件相同來使其熱硬化，而得到縮合型矽氧樹脂硬化物。 　　[0289] 在所得之縮合型矽氧樹脂硬化物的固體29 Si-NMR測定，確認歸屬於T體之矽原子的峰值。 　　[0290] 針對所得之縮合型矽氧樹脂硬化物，用上述之方法作成Kratky Plot。將經作成之Kratky Plot示於圖7。從Kratky Plot求得之參數dMax 為195Å。 　　[0291] 針對所得之縮合型矽氧樹脂硬化物，係無破裂，耐破裂性良好。 　　針對所得之縮合型矽氧樹脂硬化物，雖嘗試肖氏D硬度的測定，但以縮合型矽氧樹脂硬化物的強度不足無法進行測定。針對所得之縮合型矽氧樹脂硬化物，來測定肖氏A硬度時，為87。 　　[0292] [比較例2] 　　攪拌混合以上述表4表示之矽氧樹脂80質量份與乙酸2-丁氧基乙酯20質量份，而得到矽氧樹脂組成物。 　　[0293] 將所得之矽氧樹脂組成物與在實施例1之矽氧樹脂組成物的熱硬化條件相同來使其熱硬化，而得到縮合型矽氧樹脂硬化物。 　　[0294] 在所得之縮合型矽氧樹脂硬化物的固體29 Si-NMR測定，確認歸屬於T體之矽原子的峰值。 　　[0295] 針對所得之縮合型矽氧樹脂硬化物，用上述之方法作成Kratky Plot。將經作成之Kratky Plot示於圖7。於經作成之Kratky Plot，於0.01Å-1 ～0.17Å-1 的範圍內未觀察到極大峰值。 　　[0296] 針對所得之縮合型矽氧樹脂硬化物，有破裂，耐破裂性不良。 　　所得之縮合型矽氧樹脂硬化物，並非彎曲強度、肖氏D硬度及透過率可測定之大小。 　　[0297] [比較例3] 　　下述之矽氧樹脂C(Mw=2100)係由下述式表示之構造所構成。矽氧樹脂C係在本說明書之「縮合型矽氧樹脂」。 　　[0298] (矽氧樹脂C) 　　[0299][0300] 將於表4所示之矽氧樹脂60.0g於燒瓶內投入32.3g之異丙基醇，進而投入下述式表示之矽氧樹脂(重量平均分子量=2100)40.0g，進行1小時攪拌使其溶解。 　　[0301] 然後，加入6.4g乙酸2-丁氧基乙酯，在蒸發器以80℃、4kPa的條件放置，餾除異丙基醇至異丙基醇濃度成為1質量%以下為止。 　　[0302] 於所得之混合物添加2質量%硬化用觸媒(含有15質量%之磷酸)後，充分攪拌混合，而得到矽氧樹脂組成物。 　　[0303] 藉由將所得之矽氧樹脂組成物從室溫加熱至150℃，於150℃保持5小時，使其熱硬化。 　　具體而言，從25℃(室溫)以3℃/分鐘昇溫至40℃，於40℃保持10分鐘。然後，以1.8℃/分鐘昇溫至150℃，於150℃保持5小時。然後，藉由以2℃/分鐘降溫至室溫，而得到縮合型矽氧樹脂硬化物。 　　[0304] 在所得之硬化物的固體29 Si-NMR測定，確認歸屬於T體之矽原子的峰值。 　　[0305] 針對所得之縮合型矽氧樹脂硬化物，用上述之方法作成Kratky Plot時，於0.01Å-1 ～0.17Å-1 的範圍內未觀察到極大峰值。 　　[0306] 針對所得之縮合型矽氧樹脂硬化物，肖氏D硬度為37，係不良。 　　[0307] 由以上，瞭解到本發明之硬化物為有用。 [產業上之可利用性] 　　[0308] 根據本發明，可提供一種兼備高硬度與高破裂耐性與高耐熱性之硬化物。又，可提供一種將該硬化物作為形成材料之波長轉換薄片、發光裝置、密封用元件及半導體發光裝置。
[0309]
10‧‧‧矽氧樹脂
30‧‧‧波長轉換薄片
40‧‧‧聚合體
50‧‧‧填料
60‧‧‧光源
70‧‧‧基板
80‧‧‧發光元件
100、1000、1100‧‧‧發光裝置
110‧‧‧基板
120‧‧‧半導體雷射元件(光源)
130‧‧‧導光部
140‧‧‧波長轉換薄片
150‧‧‧反射鏡
160‧‧‧雷射光
170‧‧‧白色光
180‧‧‧光纖
190‧‧‧透明支持體
200‧‧‧半導體發光裝置
210‧‧‧基板
220‧‧‧半導體發光元件
230‧‧‧密封用元件
230、L1‧‧‧光
L2‧‧‧轉換光
[0012] 　　[圖1]係表示本實施形態之硬化物之聚合的狀態之示意圖。 　　[圖2]係表示本實施形態之波長轉換薄片的示意圖。 　　[圖3]係表示本實施形態之發光裝置的示意圖。 　　[圖4]係表示本實施形態之發光裝置的示意圖。 　　[圖5]係表示本實施形態之發光裝置的示意圖。 　　[圖6]係本實施形態之半導體發光裝置的斷面圖。 　　[圖7]針對實施例及比較例之硬化物而作成之Kratky Plot。

Claims (13)

  1. 一種硬化物，其係包含縮合型矽氧樹脂硬化物，滿足下述(1)及(2)， 　　(1)在前述縮合型矽氧樹脂硬化物之固體29 Si-核磁共振光譜，存在歸屬於T體之矽原子的峰值； 　　(於此，所謂T體之矽原子，係意指與3個氧原子鍵結之矽原子) 　　(2)在下述之Kratky Plot，由小角X光散射的測定所使用之X光的波數0.01Å-1 ～0.17Å-1 的範圍內之極大峰值位置之波數qMax (Å-1 )，藉由下述式(A)所求得之參數dMax 為170Å以下；(於此，所謂Kratky Plot，係意指 　　將小角X光散射的測定所使用之X光的波數定為橫軸，將對於從小角X光散射所測定之測定散射強度減少空氣散射之散射強度，乘以小角X光散射的測定所使用之X光的波數(單位：Å-1 )平方之值定為縱軸，進行繪圖前述縮合型矽氧樹脂硬化物之小角X光散射的測定值所得之圖表)。
  2. 如請求項1之硬化物，其中，前述T體之矽原子相對於前述縮合型矽氧樹脂硬化物所包含之全矽原子的比例為50莫耳%以上。
  3. 如請求項2之硬化物，其中，T3矽原子相對於前述縮合型矽氧樹脂硬化物所包含之全矽原子的比例為50莫耳%以上， 　　(於此，所謂T3矽原子，係意指T體之矽原子當中，3個氧原子的全部與其他矽原子鍵結之矽原子)。
  4. 如請求項1～3中任一項之硬化物，其中，前述縮合型矽氧樹脂硬化物包含式(A1)、式(A1’)、式(A2)或式(A3)表示之構造單位，(式(A1)、式(A1’)、式(A2)及式(A3)中， 　　R1 表示碳數1～10之烷基或碳數6～10之芳基， 　　R2 表示碳數1～4之烷氧基或羥基， 　　複數個R1 及R2 可為分別相同亦可為相異)。
  5. 如請求項4之硬化物，其中，前述R1 為甲基， 　　前述R2 為碳數1～3之烷氧基或羥基，複數個R2 可為相同亦可為相異。
  6. 如請求項1～5中任一項之硬化物，其中，填料分散於前述縮合型矽氧樹脂硬化物中。
  7. 如請求項6之硬化物，其中，前述填料為波長轉換材料。
  8. 如請求項7之硬化物，其中，前述波長轉換材料為螢光體。
  9. 一種波長轉換薄片，其係將如請求項7或8所記載之硬化物作為形成材料。
  10. 一種發光裝置，其係具有射出光之光源、與 　　配置在入射從前述光源射出之光的位置之如請求項9所記載之波長轉換薄片。
  11. 一種密封用元件，其係將如請求項1～8中任一項之硬化物作為形成材料。
  12. 一種半導體發光裝置，其係具有基材、與 　　配置在前述基材之半導體發光元件、與 　　密封前述半導體發光元件之至少一部分之密封用元件，前述密封用元件為如請求項11所記載之密封用元件。
  13. 如請求項12之半導體發光裝置，其中，前述半導體發光元件的發光波長為400nm以下。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11139342B2 (en) 2018-09-26 2021-10-05 Nitride Semiconductors Co., Ltd. UV-LED and display
TWI745715B (zh) * 2018-09-26 2021-11-11 日商氮化物 半導體股份有限公司 Uv-led及顯示器

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3556795B1 (en) * 2016-12-13 2021-10-27 Mitsubishi Chemical Corporation Polyorganosiloxane, polyorganosiloxane composition, cured product, polyorganosiloxane-containing electrolytic solution for electrolytic capacitor, and electrolytic capacitor using same
EP3744759B1 (de) * 2019-05-28 2024-07-17 Evonik Operations GmbH Verfahren zur herstellung von im siloxanteil verzweigten sioc-verknüpften polyethersiloxanen
US20220381482A1 (en) * 2019-12-03 2022-12-01 Dow Silicones Corporation Branched oxydisilane/siloxane oligomers and methods for their preparation and use as heat transfer fluids
KR102413423B1 (ko) 2020-11-12 2022-06-28 국방과학연구소 열 충격을 완화하는 방열홀더

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3849820B2 (ja) * 1997-02-19 2006-11-22 三菱化学株式会社 シロキサン超微粒子
JP5483669B2 (ja) * 2008-11-26 2014-05-07 昭和電工株式会社 液状硬化性樹脂組成物、ナノ粒子蛍光体を含む硬化樹脂の製造方法、発光装置の製造方法、発光装置及び照明装置
JP5702525B2 (ja) * 2009-03-11 2015-04-15 住友化学株式会社 光活性化合物及び化学増幅型フォトレジスト組成物
JP5862066B2 (ja) 2011-06-16 2016-02-16 東レ株式会社 蛍光体含有シート、それを用いたｌｅｄ発光装置およびその製造方法
KR20130018561A (ko) * 2011-08-08 2013-02-25 닛토덴코 가부시키가이샤 무기 산화물 입자 함유 실리콘 수지 시트
JP6010503B2 (ja) * 2013-05-14 2016-10-19 信越化学工業株式会社 硬化性樹脂組成物、その硬化物及び光半導体デバイス
JP2015089898A (ja) * 2013-11-05 2015-05-11 信越化学工業株式会社 無機蛍光体粉末、無機蛍光体粉末を用いた硬化性樹脂組成物、波長変換部材および光半導体装置
CN104745142A (zh) * 2013-12-27 2015-07-01 蓝星有机硅（上海）有限公司 Led封装用的固化性硅橡胶组合物
CN106661330B (zh) * 2014-07-23 2020-11-06 琳得科株式会社 固化性组合物、固化性组合物的制造方法、固化物、固化性组合物的使用方法和光学器件
JP6616305B2 (ja) * 2014-07-28 2019-12-04 住友化学株式会社 シリコーン系封止材組成物及び半導体発光装置
KR102375222B1 (ko) * 2014-08-06 2022-03-16 다우 실리콘즈 코포레이션 오르가노실록산 조성물 및 이의 용도
JP6657037B2 (ja) * 2015-12-22 2020-03-04 信越化学工業株式会社 付加硬化性シリコーン樹脂組成物および半導体装置
WO2018047760A1 (ja) * 2016-09-07 2018-03-15 住友化学株式会社 硬化物、波長変換シート、発光装置、封止用部材および半導体発光装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11139342B2 (en) 2018-09-26 2021-10-05 Nitride Semiconductors Co., Ltd. UV-LED and display
TWI745715B (zh) * 2018-09-26 2021-11-11 日商氮化物 半導體股份有限公司 Uv-led及顯示器

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