TW201311628A - 光阻用化合物 - Google Patents

Abstract

提供一種感放射線性組成物，含有固形成分1~80重量%及溶劑20~99重量%。該固體成分含有該化合物(B)，該化合物(B)符合：(a)具有在多酚化合物(A)的至少一個酚性羥基導入酸解離性官能基之構造，該多酚化合物(A)係藉由使碳數12~36之二~四價的芳香族酮或是芳香族醛、與碳數6~15之含有1~3個酚性羥基的化合物進行縮合反應而成；(b)分子量為400~2000。因為含有化合物B之組成物對KrF準分子雷射、極端紫外線、電子線或是X線等放射線具有高感度，能夠形成高解像度、高耐熱性、高蝕刻耐性的光阻圖案，可用於作為酸增幅型非高分子系光阻材料。

Description

光阻用化合物

本發明係有關於一種感放射線性組成物，含有有用的特定化合物作為酸增幅型非高分子系光阻材料。本發明之化合物可以利用於電子領域在製造LSI、VLSI時，作為感應紫外線、KrF準分子雷射、極端紫外線、電子線或是X線等放射線之感放射線性材料。

以往，通常的光阻材料係能夠形成非晶質薄膜的高分子系材料。例如，藉由將聚羥基苯乙烯衍生物的溶液塗布在基板上製成光阻薄膜，對該光阻薄膜照射紫外線、遠紫外線、電子線或是X線等放射線來製造線寬度0.08微米左右的線圖案。

但是，以往的高分子系光阻材料其分子量大，為1萬~10萬左右，分子量分布亦廣闊，而且因為高分子鏈之間互相纏繞，使用高分子系光阻材料之微影，在進行微細加工的過程中，圖案表面會產生粗糙，使控制圖案尺寸變為困難，引起產率降低或電晶體特性變差。因此，使用以往的高分子系光阻材料之微影不容易形成線寬度0.06微米以下的圖案。因此，為了製造更微細的圖案，有揭示低分子量且狹窄分子量分布的光阻材料。

非高分子系的光阻材料，可以舉出的例子有(1)由富勒烯(fullerene)衍生之正及負型光阻(參照專利文獻1~5)、(2)由杯芳烴(calixarene)衍生之正及負型光阻(參照專利文獻6~8)、(3)由星狀化合物衍生之正型光阻(參照專利 文獻9~11)、(4)由樹枝狀高分子(dendrimer)衍生之正型光阻(參照非專利文獻1)、(5)由樹枝狀高分子/杯芳烴衍生之正型光阻(參照專利文獻12~13)、(6)由高支化係數的星狀化合物衍生之正型光阻、(7)以均苯三甲酸為中心骨架，由具有酯鍵的星狀化合物衍生之正型光阻(參照專利文獻14)、(8)由杯芳烴低聚物衍生之正型光阻(參照專利文獻15)、(9)由支化型的氮含有多酚衍生之正型光阻(參照專利文獻16)、及(10)由具螺茚滿(spiroindan)或螺雙色滿(spirobichroman)骨架的化合物衍生之正型光阻(參照專利文獻17)。

光阻材料(1)之蝕刻耐性佳，但是塗布性及感度未達到實用程度。光阻材料(2)雖然蝕刻耐性優良，但是在顯像液中的溶解性差，無法得到滿足的圖案。光阻材料(3)因為耐熱性低，在曝光後的熱處理中，會有圖像變形的情形。光阻材料(4)之製程複雜、且耐熱性低，未能說是具有實用性。光阻材料(5)因為製程亦複雜、且原料價格昂貴，未能說是具有實用性。光阻材料(6)製程複雜、原料價格昂貴、而且使用不受半導體工廠歡迎的金屬觸媒等，未能說是具有實用性。光阻材料(7)因為耐熱性差在曝光後的熱處理中，會有圖像變形的情形，而且基板附著性不充分，未能說是具有實用性。光阻材料(8)因為非晶質性不充分，而且使用不受半導體工廠歡迎的金屬觸媒等，精製製程麻煩，未能說是具有實用性。光阻材料(9)之解像度不充分，未能說是具有實用性。光阻材料(10)因為耐熱性低，在曝光後的熱處理中圖像會變形，而且 基板附著性不充分，未能說是具有實用性。

又，有揭示一種使用低分子化合物作為感光性樹脂組成物的添加劑之例子。有揭示一種含有光活性化合物之感光性樹脂組成物，該感光性樹脂組成物具有選自烴基及雜環基之疏水性基、連結基、且具有由保護基(藉由光照射能夠脫離)保護之親水基(參照專利文獻18)，有揭示一種含有低分子溶解抑制化合物之光阻組成物，該低分子溶解抑制化合物係除了具有藉由酸的作用能夠分解的基以外、亦具有由2個以上的三苯甲烷結構以非共軛性的方式連結而成之結構(參照專利文獻19)，有揭示一種含有光活性化合物之光阻樹脂組成物，該光阻樹脂組成物具有茀結構(參照專利文獻20)，但是未揭示含有以下所述本發明的化合物作為主成分之組成物。又，因為任一者都係含有樹脂之光阻組成物，所形成圖案之線邊緣粗糙度大，未能說是十分完美之物。

使用所揭示的光阻化合物作為主成分時，會有因為溶解對比小導致解像度差，結晶性高導致成膜性差，未具有能經得起半導體製程之耐熱性、不容易溶解於半導體工廠通常可能使用的丙二醇單甲醚乙酸酯、丙二醇單甲醚、乳酸乙酯、乙酸丁酯、3-甲基乙氧基丙酸酯或是丙酸乙酯等安全溶劑、基板黏附性不良等其中某一項問題存在，所以不容易以單獨成分的方式使用。例如，有揭示一種使用以下化合物作為主成分之光阻組成物，該化合物除了具有藉由酸的作用能夠分解的基以外、亦具有由2個以上的三苯甲烷結構以非共軛性的方式連結而 成之結構(參照專利文獻21)、或是使用各種多酚作為主成分之光阻組成物(參照專利文獻22)，因解像度低而並非能夠滿足之物。

因此，本發明者為解決非高分子系的光阻材料之上述問題，揭示一種光阻化合物及光阻組成物，係由芳香族酮或是芳香族醛、與酚縮合反應所得到的多酚化合物作為主成分(參照專利文獻23)。該光阻化合物及光阻組成物能夠形成線寬度0.06微米以下的微細圖案。但是，為了形成更微細的圖案，有必要改善溶解對比、耐熱性等。

[專利文獻1]特開平7-134413號公報

[專利文獻2]特開平9-211862號公報

[專利文獻3]特開平10-282649號公報

[專利文獻4]特開平11-143074號公報

[專利文獻5]特開平11-258796號公報

[專利文獻6]特開平11-72916號公報

[專利文獻7]特開平11-322656號公報

[專利文獻8]特開平9-236919號公報

[專利文獻9]特開2000-305270號公報

[專利文獻10]特開2002-99088號公報

[專利文獻11]特開2002-99089號公報

[專利文獻12]特開2002-49152號公報

[專利文獻13]特開2003-183227號公報

[專利文獻14]特開2002-328466號公報

[專利文獻15]特開2004-191913號公報

[專利文獻16]特開2004-341482號公報

[專利文獻17]特開2005-91909號公報

[專利文獻18]特開2002-363123號公報

[專利文獻19]特開2001-312055號公報

[專利文獻20]特開2004-137262號公報

[專利文獻21]WO2005/081062

[專利文獻22]特開2005-309421號公報

[專利文獻23]WO2005/029189

[非專利文獻1]Proceedings of SPIE vol.3999(2000) P1202~1206

本發明的目的係提供一種感應KrF準分子雷射、極端紫外線、電子線或是X線等放射線之化合物及感放射線性組成物。本發明之另外目的係提供一種具有高感度、高解像度、高耐熱性、高蝕刻耐性、且具有溶劑可溶性之非高分子系感放射線性組成物，能夠藉由未使用金屬觸媒、且簡單的製程而製造得到。

本發明者反覆專心研究之結果，發現含有特定化合物之組成物對於解決上述問題係有用的。亦即，本發明係有關於一種感放射性組成物及化合物(B)，該化合物(B)和溶解促進劑(C)的總和為固體成分總重量的50~99.999重量%，該感放射性組成物含有固體成分1~80重量%及溶劑20~99重量%，該化合物(B)符合下述條件：(a)具有在多酚化合物(A)的至少一個酚性羥基導入酸解離性官能基之構造，該多酚化合物(A)係藉由使碳數 12~36之二~四價的芳香族酮或是芳香族醛、與碳數6~15之含有1~3個酚性羥基的化合物進行縮合反應而成；(b)分子量為400~2000。

以下，詳細地說明本發明。

本發明之感放射性組成物，含有固體成分(含有化合物物(B)和溶解促進劑(C))1~80重量%及溶劑20~99重量%。該化合物(B)和該溶解促進劑(C)的合計為固體成分總重量的50~99.999重量%。

化合物(B)之分子量為400~2000，具有在多酚化合物(A)的至少一個酚性羥基導入酸解離性官能基之構造，該多酚化合物(A)係藉由使碳數12~36之二~四價的芳香族酮或是芳香族醛、與碳數6~15之含有1~3個酚性羥基的化合物進行縮合反應而成。芳香族酮或是芳香族醛係以三價或是四價為佳。

前述芳香族酮或是芳香族醛之例子，可以舉出的有具有選自由聯苯結構、萘結構、聯三苯結構、菲結構、芘結構、茀結構、苊結構、二苯基酮結構、結構、蒽醌結構、硫酮結構組成群組的結構之二羰基化合物、三羰基化合物、及四羰基化合物等。

二價的芳香族酮或是芳香族醛，可以舉出的有例如二甲醯苯、二乙醯苯、二苯甲醯苯、二甲醯甲苯、二乙醯甲苯、二苯甲醯甲苯、二甲醯二甲苯、二乙醯二甲苯、二苯甲醯二甲苯、二甲醯萘、二乙醯萘、二苯甲醯萘、二甲醯聯苯、二乙醯聯苯、二苯甲醯聯苯、二甲醯聯 三苯、二乙醯聯三苯、二苯甲醯聯三苯、二甲醯蒽、二乙醯蒽、二苯甲醯蒽、二甲醯菲、二乙醯菲、二苯甲醯菲、二甲醯芘、二乙醯芘、二苯甲醯芘、二甲醯苯并二茚、二乙醯苯并二茚、二苯甲醯苯并二茚、二甲醯三氮雜苯醛烯(diformyl phenalene)、二乙醯三氮雜苯醛烯、二苯甲醯三氮雜苯醛烯、二甲醯苊烯、二乙醯苊烯、二苯甲醯苊烯、二甲醯苊、二乙醯苊、二苯甲醯苊、二甲醯稠四苯、二乙醯稠四苯、二苯甲醯稠四苯、二甲醯稠五苯、二乙醯稠五苯、二苯甲醯稠五苯、二甲醯三鄰亞苯、二乙醯三鄰亞苯、二苯甲醯三鄰亞苯、二甲醯吡啶、二乙醯吡啶、二苯甲醯吡啶、二甲醯咪唑、二乙醯咪唑、二苯甲醯咪唑、二甲醯呋喃、二乙醯呋喃、二苯甲醯呋喃、二甲醯噻唑、二乙醯噻唑、二苯甲醯噻唑、二甲醯黃酮、二乙醯黃酮、二苯甲醯黃酮、二甲醯異黃酮、二乙醯異黃酮、二苯甲醯異黃酮等。

二價的芳香族酮或是芳香族醛係以具有碳數10~20的萘結構為佳，以具有碳數10~17的萘結構為較佳，以具有碳數10~14的萘結構為更佳，以具有碳數10~12的萘結構為特佳。

二價的芳香族酮或是芳香族醛係以具有碳數18~28的聯三苯結構為佳，以具有碳數18~24的聯三苯結構為較佳，以具有碳數18~20的聯三苯結構為更佳，以具有碳數18~19的聯三苯結構為特佳。

具有萘結構之二價的芳香族酮或是芳香族醛之具體例，可以舉出的有例如萘二碳醛、甲基萘二碳醛、二甲 基萘二碳醛、三甲基萘二碳醛、二乙醯萘、二乙醯甲基萘、二乙醯二甲基萘、二乙醯三甲基萘等。

具有聯三苯結構的二價芳香族酮或是芳香族醛的具體例，可以舉出的有例如聯三苯二碳醛(例如間聯三苯-4,4"-二碳醛、對聯三苯-4,4"-二碳醛、鄰聯三苯-4,4"-二碳醛等)、甲基聯三苯二碳醛、二甲基聯三苯二碳醛、三甲基聯三苯二碳醛、二乙醯基聯三苯、二乙醯基甲基聯三苯、二乙醯基二甲基聯三苯、二乙醯基三甲基聯三苯、乙基聯三苯二碳醛、丙基聯三苯二碳醛、丁基聯三苯二碳醛、戊基聯三苯二碳醛、己基聯三苯二碳醛、庚基聯三苯二碳醛、辛基聯三苯二碳醛、壬基聯三苯二碳醛、癸基聯三苯二碳醛、環丙基聯三苯二碳醛、環丁基聯三苯二碳醛、環戊基聯三苯二碳醛、環己基聯三苯二碳醛、環庚基聯三苯二碳醛、環癸基聯三苯二碳醛、環庚基聯三苯二碳醛、苯基聯三苯二碳醛、甲苯基聯三苯二碳醛、二甲苯基聯三苯二碳醛、萘基聯三苯二碳醛等。

在二價芳香族酮或是芳香族醛中，以萘-2,5-二碳醛、萘-2,6-二碳醛、萘-2,7-二碳醛、2,5-乙醯萘、2,6-乙醯萘、2,7-乙醯萘、間聯三苯-4,4"-二碳醛、對聯三苯-4,4"-二碳醛、鄰聯三苯-4,4"-二碳醛為佳，以萘-2,6-二碳醛、萘-2,7-二碳醛、2,5-乙醯萘、2,6-乙醯萘、2,7-乙醯萘、間聯三苯-4,4"-二碳醛、對聯三苯-4,4"-二碳醛為較佳、以萘-2,6-二碳醛為更佳。

三價的芳香族酮或是芳香族醛，可以舉出的有例如 三甲醯苯、三乙醯苯、三苯甲醯苯、三甲醯甲苯、三乙醯甲苯、三苯甲醯甲苯、三甲醯二甲苯、三乙醯二甲苯、三苯甲醯二甲苯、三甲醯萘、三乙醯萘、三苯甲醯萘、三甲醯聯苯、三乙醯聯苯、三苯甲醯聯苯、三甲醯聯三苯、三乙醯聯三苯、三苯甲醯聯三苯、三甲醯蒽、三乙醯蒽、三苯甲醯蒽、三甲醯菲、三乙醯菲、三苯甲醯菲、三甲醯芘、三乙醯芘、三苯甲醯芘、三甲醯苯并二茚、三乙醯苯并二茚、三苯甲醯苯并二茚、三甲醯三氮雜苯醛烯(diformyl phenalene)、三乙醯三氮雜苯醛烯、三苯甲醯三氮雜苯醛烯、三甲醯苊烯、三乙醯苊烯、三苯甲醯苊烯、三甲醯苊、三乙醯苊、三苯甲醯苊、三甲醯稠四苯、三乙醯稠四苯、三苯甲醯稠四苯、三甲醯稠五苯、三乙醯稠五苯、三苯甲醯稠五苯、三甲醯三鄰亞苯、三乙醯三鄰亞苯、三苯甲醯三鄰亞苯、三甲醯吡啶、三乙醯吡啶、三苯甲醯吡啶、三甲醯咪唑、三乙醯咪唑、三苯甲醯咪唑、三甲醯呋喃、三乙醯呋喃、三苯甲醯呋喃、三甲醯噻唑、三乙醯噻唑、三苯甲醯噻唑、三甲醯黃酮、三乙醯黃酮、三苯甲醯黃酮、三甲醯異黃酮、三乙醯異黃酮、三苯甲醯異黃酮等。

此等三價的芳香族酮或是芳香族醛中，以三甲醯苯、三乙醯苯、三甲醯萘、三乙醯萘、三甲醯聯苯、三乙醯聯苯為較佳，以三甲醯苯、三甲醯萘為更佳，以三甲醯苯為特佳。

四價的芳香族酮或是芳香族醛，可以舉出的有例如四甲醯苯、四乙醯苯、四苯甲醯苯、四甲醯萘、四乙醯 萘、四苯甲醯萘、四甲醯聯苯、四乙醯聯苯、四苯甲醯聯苯、四甲醯聯三苯、四乙醯聯三苯、四苯甲醯聯三苯、四甲醯蒽、四乙醯蒽、四苯甲醯蒽、四甲醯菲、四乙醯菲、四苯甲醯菲、四甲醯芘、四乙醯芘、四苯甲醯芘、四甲醯苯并二茚、四乙醯苯并二茚、四苯甲醯苯并二茚、四甲醯三氮雜苯醛烯(diformyl phenalene)、四乙醯三氮雜苯醛烯、四苯甲醯三氮雜苯醛烯、四甲醯苊烯、四乙醯苊烯、四苯甲醯苊烯、四甲醯苊、四乙醯苊、四苯甲醯苊、四甲醯稠四苯、四乙醯稠四苯、四苯甲醯稠四苯、四甲醯稠五苯、四乙醯稠五苯、四苯甲醯稠五苯、四甲醯三鄰亞苯、四乙醯三鄰亞苯、四苯甲醯三鄰亞苯、四甲醯吡啶、四乙醯吡啶、四苯甲醯吡啶、四甲醯咪唑、四乙醯咪唑、四苯甲醯咪唑、四甲醯呋喃、四乙醯呋喃、四苯甲醯呋喃、四甲醯噻唑、四乙醯噻唑、四苯甲醯噻唑、四甲醯黃酮、四乙醯黃酮、四苯甲醯黃酮、四甲醯異黃酮、四乙醯異黃酮、四苯甲醯異黃酮等。

此等四價的芳香族酮或是芳香族醛中，以四甲醯苯、四乙醯苯、四甲醯萘、四乙醯萘、四甲醯聯苯、四乙醯聯苯、四甲醯聯三苯、四乙醯聯三苯為較佳，以四甲醯苯、四甲醯萘為更佳。

碳數12~36之二至四價的芳香族酮或是芳香族醛，可以藉由眾所周知的任何方法製造。例如，有一種使用還原劑來還原萘二羧酸甲酯或苯三羧酸甲酯之方法，有一種使用還原劑或氫和觸媒來還原萘二腈、苯三腈之方法，有一種藉由空氣來氧化二甲基萘或均苯三甲酸等烷基 芳香族化合物側鏈的甲基之方法，有一種氧化氯化芳香族化合物的方法，該氯化芳香族化合物係藉由光氯化二甲基萘或均苯三甲酸等烷基芳香族化合物側鏈而得到，有一種使用氧化劑來氧化萘二羧酸氯化物及均苯三甲酸氯化物等芳香族羧酸氯化物之方法，以及有一種使用氧化劑來氧化二羥基甲基萘或三羥基甲基苯之方法等。

上述化合物(B)較佳是含有至少2個與苯環及/或雜原子的非結合電子對有關的共軛結構。藉由具有上述共軛結構，雖然是低分子化合物，但是能夠賦予成膜性、高蝕刻耐性、耐熱性、放射線曝光時之低脫氣性、而且藉由增感效果能夠賦予高感度等性能。可以認為該增感效果係因為吸收電子線等放射線的一部分，接著被吸收的能量可以有效地傳達至酸產生劑之緣故。芳香族酮或是芳香族醛為三價或是四價時，即使未含有前述共軛結構，亦能夠賦予成膜性、耐熱性等性能。

前述共軛結構係至少1種選自聯苯結構、萘結構、茀結構、蒽結構、菲結構、芘結構、苯并芘結構、苊(acenaphthene)結構、苊烯結構、1-酮苊結構、二苯基酮結構、(xanthene)結構、硫(thioxanthene)結構、黃酮結構、異黃酮結構、茚滿結構、茚結構、苯并二茚結構、二氮雜苯醛烯結構、伸聯苯結構、蔻(coronene)結構、(chrysene)結構、三萘撐、己酚結構、并六苯(hexacene)結構、玉紅省(rubicene)結構、螢省(fluoracene)結構、醋菲烯結構、苝結構、苉結構、二苯并菲結構、七苯結構、庚省(heptacene)結構、吡蒽結構、非那省 (phenacene)結構、稠四苯結構、稠五苯結構、醋蒽結構、醋菲結構、薁結構、三鄰亞苯結構、對聯三苯結構、間聯三苯結構、1,3,5-三苯基苯結構、1,2,3-三苯基苯結構結構、1,2,4-三苯基苯結構、苯基萘結構、雙萘結構、卵苯結構等。因為能夠導入較廉價的原料之理由，以至少1種選自聯苯結構、萘結構、蒽結構、菲結構、芘結構、茀結構、苊結構、1-酮苊結構、二苯基酮結構、結構、硫結構之結構為佳。以至少1種選自萘結構、聯三苯結構之結構為更佳，以萘結構為特佳。

上述芳香族酮或是芳香族醛係以芳香族醛為較佳。芳香族醛的反應性比芳香族酮的反應性高、且能夠抑制副產物，能夠製造高產率的多酚化合物(A)。

碳數6~15且含有1~3個酚性羥基的化合物，可以例示的有苯酚、(C_1-6烷基)酚(例如鄰甲酚、間甲酚、對甲酚等甲酚類)、二烷基酚(例如2,3-二甲酚、2,5-二甲酚、2,6-二甲酚、2-乙基-5-甲酚、瑞香草酚等)、三烷基酚(2,3,6-三甲酚)、烷氧基酚(例如2甲氧基酚等茴香醚類等)、芳基醇(例如3-苯基醇等苯基醇等)、環烷基醇(例如3-環己基醇等)、鹵化酚類(例如氯酚、二氯酚、氯甲酚、溴酚、二溴酚)、其他酚類(例如萘酚、5,6,7,8-四氫萘酚等)、多酚類(例如兒茶酚、烷基兒茶酚、氯兒茶酚、間苯二酚、烷基間苯二酚、氫醌、烷基氫醌、氯間苯二酚、氯氫醌、焦棓酚、烷基焦棓酚、氯去水甘油、1,2,4-三羥基酚)等。以2,5-二甲苯酚、2,6-二甲苯酚、瑞香草酚及2,3,6-三甲酚為佳，以2,6-二甲苯酚及2,3,6-三甲酚為較佳，以 2,3,6-三甲酚為更佳。上述化合物可以單獨使用或組合二種以上使用。純度沒有特別限定，通常是95重量%以上，以99重量%以上為佳。

前述酸解離性官能基可以適當地從已被提案使用於KrF或ArF用化學增幅型光阻組成物之羥基苯乙烯系樹脂、(甲基)丙烯酸系樹脂等之物中，適當地選擇使用。例如，可以舉出的有取代甲基、1-取代乙基、1-取代-正丙基、1-分支烷基、矽烷基、醯基、1-取代烷氧基甲基、環狀醚基、及烷氧基羰基等。前述酸解離性官能基以未具有交聯性官能基為佳。

化合物(B)的分子量為400~2000，以500~1600為佳，以550~1600為更佳。若在上述範圍時，在保持必要的成膜性之同時，可以提升解像性。

在本發明之一個態樣，化合物(B)以下述式(1)所示化合物為佳。

式(1)中，R¹係選自由取代甲基、1-取代乙基、1-取代-正丙基、1-分支烷基、矽烷基、醯基、1-取代烷氧基甲基、環狀醚基及烷氧羰基所組成群組之酸解離性官能基。

取代甲基可以舉出的有例如甲氧甲基、甲硫基甲基、乙氧甲基、正丙氧基甲基、異丙氧基甲基、正丁氧基甲基、第三丁氧基甲基、2-甲基丁氧基甲基、乙硫基甲基、甲氧基乙氧基甲基、苯氧基甲基、1-環戊氧基甲基、1-環己氧基甲基、苄硫基甲基、苯甲醯基、4-溴苯甲醯基、4-甲氧基苯甲醯基、向日葵基、甲氧基羰基甲基、乙氧基羰基甲基、正丙氧基羰基甲基、異丙氧基羰基甲基、正丁氧基羰基甲基、第三丁氧基羰基甲基、及下述式(2-1)~(2-13)所示取代基等。

1-取代乙基，可以舉出的有例如1-甲氧基乙基、1-甲硫基乙基、1,1-二甲氧基乙基、1-乙氧基乙基、1-乙硫基乙基、1,1-二乙氧基乙基、正丙氧基乙基、異丙氧基乙基、正丁氧基乙基、第三丁氧基乙基、2-甲基丙氧基乙基、1-苯氧基乙基、1-苯硫基乙基、1,1-二苯氧基乙基 、1-環戊氧基乙基、1-環己氧基乙基、1-苯基乙基、1,1-二苯基乙基、及下述式(3-1)~(3-13)所示取代基等。

1-取代-正丙基可以舉出的有例如1-甲氧基-正丙基及1-乙氧基-正丙基等。

1-分支烷基可以舉出的有例如異丙基、第二丁基、第三丁基、1,1-二甲基丙基、1-甲基丁基、1,1-二甲基丁基、2-甲基金剛烷基、及2-乙基金剛烷基等。

矽烷基可以舉出的有例如三甲基矽烷基、乙基二甲基矽烷基、甲基二乙基矽烷基、三乙基矽烷基、第三丁基二甲基矽烷基、第三丁基二乙基矽烷基、第三丁基二苯基矽烷基、三第三丁基矽烷基、及三苯基矽烷基等。

醯基可以舉出的有例如乙醯基、苯氧基乙醯基、丙醯基、丁醯基、庚醯基、己醯基、戊醯基、三甲基乙醯 基、異戊醯基、月桂醯基、金剛烷醯基、苯甲醯基及萘醯基等。

1-取代烷氧基甲基可以舉出的有例如1-環戊基甲氧基甲基、1-環戊基乙氧基甲基、1-環己基甲氧基甲基、1-環己基乙氧基甲基、1-環辛基甲氧基甲基及1-金剛烷基甲氧基甲基等。

環狀醚基可以舉出的有例如四氫吡喃基、四氫呋喃基、四氫硫吡喃基、四氫硫呋喃基、4-甲氧基四氫吡喃基、及4-甲氧基四氫硫吡喃基。

烷氧羰基可以舉出的有例如甲氧羰基、乙氧羰基、正丙氧羰基、異丙氧羰基、正丁氧羰基、第三丁氧羰基等。

此等酸解離性官能基之中，以取代甲基、取代乙基、1-取代烷氧基甲基、環狀醚基、及烷氧羰基為佳，因為具有高感度，以取代甲基及取代乙基為較佳，以1-乙氧基乙基、環己氧基乙基為更佳，因為解像性高，以環己氧基乙基為特佳。

又，式(1)中的酸解離性官能基R¹亦可以是由下述式(4-1)所示重複單位與下述式(4-2)所示末端基所構成的取代基。

在式(4-1)及/或(4-2)，R¹係與上述相同。L係單鍵、甲基、乙基或是羰基。複數個L可以相同亦可以不同，n5 為0~4之整數，n6為1~3的整數，x為0~3的整數，符合1≦n5+n6≦5，複數個n5、n6、x可以相同亦可以不同。R⁹係表示選自由鹵素原子、烷基、環烷基、芳基、芳烷基、烷氧基、芳氧基、烯基、醯基、烷氧羰基、烷醯氧基、芳醯氧基、氰基、及硝基所組成群組之取代基。鹵素原子可以舉出的有氯原子、溴原子、及碘原子；烷基可以舉出的有甲基、乙基、丙基、正丙基、正丁基、異丁基、第二丁基、第三丁基等碳原子數1~4的烷基；環烷基可以舉出的有環己基、降基、金剛烷基等；芳基可以舉出的有苯基、甲苯基、二甲苯基、萘基等；芳烷基可以舉出的有苄基、羥基苄基、二羥基苄基等；烷氧基可以舉出的有甲氧基、乙氧基、羥基乙氧基、丙氧基、羥基丙氧基、異丙氧基、正丁氧基、異丁氧基、第二丁氧基、第三丁氧基等碳原子數為1~4的烷氧基；芳氧基可以舉出的有苯氧基等；烯基可以舉出的有乙烯基、丙烯基、烯丙基、丁烯基等碳原子數為2~4的烯基；醯基可以舉出的有甲醯基、乙醯基、丙醯基、丁醯基、戊醯基、異戊醯基、三甲基乙醯基等碳原子數為1~6的脂肪族醯基、及苯甲醯基、甲苯醯基等芳香族醯基；烷氧羰基可以舉出的有可以舉出的有由甲氧羰基、乙氧羰基、丙氧羰基、異丙氧羰基、正丁氧羰基、異丁氧羰基、第二丁氧羰基、第三丁氧羰基等碳原子數2~5之烷氧羰基；烷醯氧基可以出的有、乙醯氧基、丙醯氧基、丁醯氧基、異丁醯氧基、戊醯氧基、異戊醯氧基、三甲基乙醯氧基等；芳醯氧基可以舉出的有苯甲醯氧基。複數個R⁹可以相同 亦可以不同。

R^2A係選自由鹵素原子、烷基、環烷基、芳基、芳烷基、烷氧基、芳氧基、烯基、醯基、烷氧羰基、烷醯氧基、芳醯氧基、氰基、及硝基所組成群組之取代基。複數個R^2A可以相同亦可以不同。鹵素原子可以舉出的有氯原子、溴原子、及碘原子；烷基可以舉出的有甲基、乙基、丙基、正丙基、正丁基、異丁基、第二丁基、第三丁基等碳原子數1~4的烷基；環烷基可以舉出的有環己基、降基、金剛烷基等；芳基可以舉出的有苯基、甲苯基、二甲苯基、萘基等；芳烷基可以舉出的有苄基、羥基苄基、二羥基苄基等；烷氧基可以舉出的有甲氧基、乙氧基、羥基乙氧基、丙氧基、羥基丙氧基、異丙氧基、正丁氧基、異丁氧基、第二丁氧基、第三丁氧基等碳原子數為1~4的烷氧基；芳氧基可以舉出的有苯氧基等；烯基可以舉出的有乙烯基、丙烯基、烯丙基、丁烯基等碳原子數為2~4的烯基；醯基可以舉出的有甲醯基、乙醯基、丙醯基、丁醯基、戊醯基、異戊醯基、三甲基乙醯基等碳原子數為1~6的脂肪族醯基、及苯甲醯基、甲苯醯基等芳香族醯基；烷氧羰基可以舉出的有可以舉出的有由甲氧羰基、乙氧羰基、丙氧羰基、異丙氧羰基、正丁氧羰基、異丁氧羰基、第二丁氧羰基、第三丁氧羰基等碳原子數2~5之烷氧羰基；烷醯氧基可以出的有、乙醯氧基、丙醯氧基、丁醯氧基、異丁醯氧基、戊醯氧基、異戊醯氧基、三甲基乙醯氧基等；芳醯氧基可以舉出的有苯甲醯氧基。

R^2A係以取代酚基羥基之第2,5位置、2,6位置、或是2,3,6位置之甲基、或是取代酚性羥基之第2位置之異丙基及第5位置之甲基為佳。藉由符合上述條件，可以抑制結晶性，提升成膜性、增加溶解對比、可以得到具有優良解像度、圖案形狀的圖案。

R^2A所含有的羥基，在不損害本發明效果的範圍內，亦可以被R¹所示酸解離性官能基取代。

R³、R⁷係各自表示氫原子或是碳數1~6的烷基。碳數1~6的烷基可以舉出的可以舉出的甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、第二丁基、第三丁基、戊基、己基、環己基等之直鏈、分支或是環狀烷基。

R^4A係表示具有聯苯結構、聯三苯結構、萘結構、菲結構、或是芘結構之碳數10~28的取代基，或是R^4A與R³及R⁷都是表示具有茀結構或是二苯基酮結構之碳數10~28的四價取代基。

R^4A係以下述式(5-1)~(5-3)所表示的取代基為佳。

上述式中，R^5A係各自獨立之碳數1~10的烷基、碳數3~10的環烷基、或是碳數6~10的芳基。碳數1~10的烷基可以舉出的有甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、第二丁基、第三丁基、戊基、己基、庚基、辛基、壬基、癸基等之直鏈或是具有分支的烷基，其中以 甲基為佳。碳數3~10的環烷基可以舉出的有環丙基、環丁基、環戊基、環己基、環庚基、環癸基。其中以環己基為佳。碳數6~10的芳基可以舉出的有苯基、甲苯基、二甲苯基、萘基等，其中以苯基為佳。p3為0~3的整數。複數個R^5A及p3各自可以相同亦可以不同。

R^4A和R³及R⁷結合而表示四價的取代基，以下述式(6-1)及(6-2)所表示的取代基為佳。

上述式中，R^5A係與前述相同，Y係單鍵或是羰基，q3係0~3的整數，r3係0~2的整數。複數個R^5A、Y、q3及r3各自可以相同亦可以不同。

式(1)中，k0、j0、m0、n0係0~3的整數，k1、j1、m1、n1係0~3的整數，k2、j2、m2、n2係0~4的整數，符合1≦k0+k1+k2≦5、1≦j0+j1+j2≦5、1≦m0+m1+m2≦5、1≦n0+n1+n2≦5、1≦k1+j1+m1+n1≦12、1≦k0+k1≦3、1≦j0+j1≦3、1≦m0+m1≦3、1≦n0+n1≦3。

式(1)的化合物雖是低分子，因為具有成膜性、耐熱性、乾蝕刻耐性、EUV光穿透性、低脫氣性，適合作為感放射線組成物的光阻成分。含有式(1)的化合物之感放射線組成物具有優良的解像度、感度、低線邊緣粗糙度。

式(1)的化合物以下述式(7-1)或是(7-2)所示之物為佳。

式(7-1)中，R¹、R³、R⁷、k0、j0、m0、n0、k1、j1、m1、n1、k2、j2、m2、n2係與前述相同；R^2B係表示選自由鹵素原子、烷基、芳基、芳烷基、烷氧基、芳氧基、烯基、醯基、烷氧羰基、烷醯氧基、芳醯氧基、氰基、及硝基所組成群組之取代基。R^4B係表示具有萘結構之碳數10~20的二價取代基。複數個R¹及R^2B可以相同亦可以不同。

因為萘結構具有剛硬的結構，能賦予光阻材料耐熱性。而且，因為藉由擴展的π共軛結構的敏化作用，對酸產生劑之能量傳達效率佳而得到高感度。又，因為具有高碳密度結構，所以對EUV光的光穿透性佳，對高能量線之脫氣量小、具有優良的乾蝕刻耐性。

式(7-2)中，R¹、R^2B、R³、R⁷、k0、j0、m0、n0、k1、j1、m1、n1、k2、j2、m2、n2係與前述相同；R^4C係表示具有聯三苯結構之碳數18~28的二價取代基。

因為聯三苯結構具有剛硬的結構，能賦予光阻材料耐熱性。而且，因為藉由擴展的π共軛結構的敏化作用，對酸產生劑之能量傳達效率佳而得到高感度。又，因為具有高碳密度結構，所以對EUV光的光穿透性佳，對高能量線之脫氣量小、具有優良的乾蝕刻耐性。

式(7-1)或(7-2)的化合物，以下式(8-1)、(8-2)、(8-3)或是(8-4)所示之物為佳。

式(8-1)、(8-2)、(8-3)、(8-4)中，R¹、R^4B、R^4C係與前述相同。R⁸係各自獨立之氫原子或甲基。複數個R⁸可以相同亦可以不同，其中至少一個係甲基。

式(7-1)的化合物，以下式(9-1)所示之物為佳。

式(9-1)中，R¹、R^2B、R³、R⁷、k0、j0、m0、n0、k1、j1、m1、n1、k2、j2、m2、n2係與前述相同。R^5A係各自獨立之碳數1~10的烷基、碳數3~10的環烷基、或是碳數6~10的芳基，p1係0~6的整數。複數個R¹、R^2B及R^5A可以相同亦可以不同。碳數1~10的烷基可以舉出的有甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、第二丁基、第三丁基、戊基、己基、庚基、辛基、壬基、癸基等之直鏈或是具有分支之烷基。碳數3~10的環烷基可以舉出的有環丙基、環丁基、環戊基、環己基、環庚基、環癸基等。碳數6~10之芳基可以舉出的有苯基、甲苯基、二甲苯基、萘基等。

式(7-1)，以下式(9-2)所示之物為佳。

式(9-2)中，R¹、R^2B、R³、R⁷、p1、k0、j0、m0、n0、k1、j1、m1、n1、k2、j2、m2、n2係與前述相同。R^5B係碳數1~6之烷基。複數個R¹、R^2B及R^5B可以相同或不同。

式(9-1)，以下式(10)所示之物為佳。

式(10)中，R¹、R^2B、R³、R^5A、R⁷、p1、k0、j0、m0、n0、k1、j1、m1、n1、k2、j2、m2、n2係與前述相同。上述化合物具有優良的感度、耐熱性、解像性。又，因為可以由比較價廉的酚類來製造，而且離析精製較為容易。

式(10)的化合物，以下式(10-2)所示之物為佳。

式(10-2)中，R¹、R^2B、k0、j0、m0、n0、k1、j1、m1、n1、k2、j2、m2、n2係與前述相同。上述化合物具 有優良的感度、耐熱性、解像性。又，因為可以由比較價廉的酚類來製造，而且離析精製較為容易。

式(10)的化合物，以下式(11)所示之物為佳。

式(11)中，R¹及R⁸係與前述相同。上述化合物具有優良的感度、耐熱性、解像性。又，因為可以由比較價廉的酚類來製造，而且離析精製較為容易。

式(10)的化合物，以下式(12-1)~(12-8)所示之物為佳。

式(12-1)~(12-8)中，R⁸係與前述相同。上述化合物具有優良的解像性。

又，式(10)的化合物，以下式(13)所示之物為佳。

式(13)中，R¹係與前述相同。上述化合物具有優良的感度、耐熱性、解像性。又，因為可以由比較價廉的酚類來製造，而且離析精製較為容易。

式(10)的化合物，以下式(14-1)~(14-8)所示之物為佳。

式(14-1)~(14-8)中，R⁸係與前述相同。上述化合物具有優良的解像性。

又，式(9~1)的化合物，以下式(15)所示之物為佳。

式(15)中，R¹、R^2B、R³、R^5A、R⁷、p1、k0、j0、m0、n0、k1、j1、m1、n1、k2、j2、m2、n2係與前述相同。上述化合物具有優良的感度、耐熱性、解像性。又，因為可以由比較價廉的酚類來製造，而且離析精製較為容易。

式(15)的化合物，以下式(16-2)所示之物為佳。

式(16-2)中，R¹、R^2B、k0、j0、m0、n0、k1、j1、m1、n1、k2、j2、m2、n2係與前述相同。上述化合物具有優良的感度、耐熱性、解像性。又，因為可以由比較價廉的酚類來製造，而且離析精製較為容易。

式(15)的化合物，以下式(16)所示之物為佳。

式(16)中，R¹及R⁸係與前述相同。上述化合物具有優良的感度、耐熱性、解像性。又，因為可以由比較價廉的酚類來製造，而且離析精製較為容易。

式(15)的化合物，以下式(17-1)~(17-6)所示之物為佳。

式(17-1)~(17-8)中，R⁸係與前述相同。上述化合物具有優良解像性。

式(7-2)的化合物，以下式(18-1)所示之物為佳。

式(18-1)中，R¹、R^2B、R³、R^5A、R⁷、k0、j0、m0、n0、k1、j1、m1、n1、k2、j2、m2、n2係與前述相同，p2係0~2的整數。複數個R¹、R^2B、及R^5A可以相同亦可以不同。

又，式(7-2)的化合物，以下式(18-2)所示之物為佳。

式(18-2)中，R¹、R^2B、R³、R^5B、R⁷、p2、k0、j0、m0、n0、k1、j1、m1、n1、k2、j2、m2、n2係與前述相同。複數個R¹、R^2B、及R^5B可以相同亦可以不同。

又，式(7-2)的化合物，以下式(19)所示之物為佳。

式(19)中，R¹、R^2B、R³、R^5B、R⁷、p2、k0、j0、m0、n0、k1、j1、m1、n1、k2、j2、m2、n2係與前述相同。式(19)所示化合物具有優良的感度、耐熱性、解像性。又，因為可以由比較價廉的酚類來製造，而且離析精製較為容易。

又，式(19)的化合物，以下式(20)所示之物為佳。

式(20)中，R¹及R⁸係與前述相同。上述化合物具有優良的感度、耐熱性、解像性。又，因為可以由比較價廉的酚類來製造，而且離析精製較為容易。

又，式(19)的化合物，以下式(21-1)~(21-8)所示之物為佳。

式(21-1)~(21-8)中，R⁸係與前述相同。上述化合物具有優良解像性。

式(18-2)的化合物，以下式(22)所示之物為佳。

式(22)中，R¹、R^2B、R³、R^5B、R⁷、p2、k0、j0、m0、n0、k1、j1、m1、n1、k2、j2、m2、n2係與前述相同。式(22)所示化合物具有優良的感度、耐熱性、解像性。又，因為可以由比較價廉的酚類來製造，而且離析精製較為容易。

又，式(22)的化合物，以下式(23)所示之物為佳。

式(23)中，R¹及R⁸係與前述相同。上述化合物具有優良的感度、耐熱性、解像性。又，因為可以由比較價廉的酚類來製造，而且離析精製較為容易。

又，式(22)的化合物，以下式(24-1)~(24-8)所示之物為佳。

式(24-1)~(24-8)中，R⁸係與前述相同。上述化合物具有優良解像性。

式(1)的化合物，以下式所示之物為佳。

上述式中，R¹及R⁸係與前述相同。

在本發明的其他態樣，化合物(B)係以下述式(28)所示。

式(28)中，R¹及R^2A係與前述相同。

R^4D係表示具有苯結構、萘結構、聯三苯結構或是菲結構之碳數6~20的三價取代基，k3、j3、m3、n3、x3、 y3係0~3的整數，k4、j4、m4、n4、x4、y4係0~3的整數，k5、j5、m5、n5、x5、y5係0~4的整數，符合1≦k3+k4+k5≦5、1≦j3+j4+j5≦5、1≦m3+m4+m5≦5、1≦n3+n4+n5≦5、1≦x3+x4+x5≦5、1≦y3+y4+y5≦5、1≦k4+j4+m4+n4+x4+y4≦18、1≦k3+k4≦3、1≦j3+j4≦3、1≦m3+m4≦3、1≦n3+n4≦3、1≦x3+x4≦3、1≦y3+y4≦3。

式(28)的化合物係以下式(29)所示之物為佳。

式(29)中，R¹、R^2A、k3、j3、m3、n3、x3、y3、k4、j4、m4、n4、x4、y4、k5、j5、m5、n5、x5、y5係與前述相同

式(29)的化合物，以下式(30-1)所示之物為佳。

式(30-1)中，R¹及R⁸係與前述相同。

又，式(29)的化合物，以下式(31-1)~(31-3)所示之物為佳。

式(31-1)~(31-3)中，R⁸係與前述相同。式(30-1)及(31-1)~(31-3)所示化合物具有優良的感度、耐熱性、解像性。又，因為可以由比較價廉的酚類來製造，而且離析精製較為容易。

以下，說明化合物(B)的製造方法。使相對於1莫耳二價~四價的芳香族酮或是芳香族醛，1莫耳~過剩量之含有酚性羥基，在酸觸媒(鹽酸或是硫酸)及抑制副產物的 助觸媒(硫代乙酸、β-己內酯丙酸)的存在下，以60~150℃反應0.5~20小時左右。藉由液體層析儀、氣相層析儀、薄層層析儀、IR分析及¹H-NMR分析等眾所周知的方法來追蹤芳香族酮或是芳香族醛的殘餘量，藉由顯示殘餘量的尖鋒面積減少的時點，可以判斷反應的終點。反應結束後，在反應液中添加甲醇或是異丙醇，加熱至60~80℃，攪拌0.5~2小時後，添加適量的純水來使反應生成物析出。冷卻至室溫後，藉由進行過濾、分離析出物、乾燥，可以得到多酚化合物(A)。又，酚化合物(A)係可以藉由使用鹵化氫或是鹵素氣體使將上述芳香族酮或是芳香族醛成為二鹵化物，使離析得到的二鹵化物與含有1~3個酚性羥基之化合物反應而製造得到。

例如，如下所述，可以在多酚化合物(A)之至少1個酚性羥基中導入酸解離性官能基。在丙酮、四氫呋喃、1,3-二氧雜戊環等非質子性溶劑中使多酚化合物(A)溶解或是懸浮。在此添加為了導入第三丁氧羰基、四氫呋喃基等酸性解離性官能基之化合物，在三乙胺、二甲基胺基吡啶等胺系觸媒或是吡啶鎓甲苯磺醯鹽等酸觸媒的存在下，在常壓、20~60℃，反應6~24小時。藉由將反應液加入蒸餾水中使其析出白色固體後，以蒸餾水洗滌白色固體、乾燥，可以得到化合物(B)。因為對多酚化合物(A)及酸觸媒之溶解性高、生產力高，非質子性溶劑以1,3-二氧雜戊環為最佳。

為了導入酸解離性官能基之化合物，可以舉出的有具有酸解離性官能基之醯氯、酸酐、二碳酸酯等活性羧 酸衍生化合物、烷基鹵化物、乙烯基烷基醚、二氫吡喃等，但是未特定於此等。

在本發明，酸解離性官能基係指在酸的存在下，能夠產生鹼可溶性基之特性基。鹼可溶性基可以舉出的有酚性羥基、羧基、磺酸基、六氟異丙醇基等，其中以酚性羥基及羧基，以酚性羥基為特佳。前述酸解離性官能基，為了能夠形成更高感度、高解像度之圖案，以在酸存在下時具有產生連鎖性分裂反應的性質為佳。

因為本化合物(B)的製造不必使用金屬觸媒，化合物(B)之殘餘金屬量低，為了更降低化合物(B)之殘餘金屬量，亦可以依照必要進行精製。又，因為若有使用於觸媒之鹼性化合物殘餘時，通常，感放射線性組成物的感度降低，亦可以進行降低鹼性化合物殘餘作為目的之精製。在化合物(B)未變質的範圍內，精製沒有特別限定，可以使用眾所周知的方法，例如，用水洗滌的方法、用酸性水溶液洗滌的方法、用離子交換樹脂處理的方法、用矽膠柱層析儀處理的方法。此等方法係以組合2種以上來進行為更佳。酸性水溶液、離子交換樹脂、及矽膠柱層析儀，可以按照需要去除之金屬及/或鹼性化合物的量或種類、精製之化合物(B)的種類等，而適當地選擇最適合之物。例如，酸性水溶液為濃度0.01~10莫耳/升的鹽酸、硝酸、乙酸水溶液、離子交換樹脂為陽離子交換樹脂，可以舉出的有例如ORANO製之Amberlyst 15J-HG-Dry等。亦可以在精製後進行乾燥。乾燥可以藉由眾所周知的方法進行。亦可以在精製後進行乾燥。乾燥可以藉 由眾所周知的方法進行，沒有特別限定，其中可以舉出的有在化合物(B)未變質的條件進行真空乾燥、熱風乾燥的方法。

溶解促進劑(C)係當化合物(B)在鹼等顯像液中的溶解度太低時，具有使其溶解性提高、適度地增加顯像時化合物(B)的溶解速度之作用的成分。前述溶解促進劑，可以舉出的有例如低分子量的酚性化合物，例如雙酚類、參(羥基苯基)甲烷等。此等溶解促進劑可以單獨或混合2種以上使用。溶解促進劑的調配量，可以按照述化合物(B)的種類而適當地調節，相對於固體成分的總重量，化合物(B)和溶解促進劑(C)的總和為50~99.9999重量%，以60~99重量%為佳，以70~99重量%為較佳，以80~99重量%為更佳。溶解促進劑(C)具有提升溶解性的效果，但是因為會有使線邊緣粗糙度(LER)變差之情形，以不使用為佳。

溶解促進劑(C)以選自上多酚化合物(A)為佳。多酚化合物(A)雖然是低分子量，但是具有高耐熱性、非晶質性、且與化合物(B)的親合性高，能夠形成均勻的膜，能夠賦予高解像度、低LER等性能。溶解促進劑(C)所使用的多酚化合物(A)，以使用製造化合物(B)時所使用的多酚化合物為更佳。可以更提高化合物(B)與溶解促進劑(C)的親合性，能夠形成更均勻的膜，能夠賦予更高解像度、低LER等性能。

溶解促進劑(C)以下述式(32-1)~(32-5)及(33-1)所示的多酚化合物(A)為更佳。

式(32-1)中，R^2A、R³、R^4A、R⁷係與前述相同，k0’、j0’、m0’、n0’係1~3的整數，k2’、j2’、m2’、n2’係0~4的整數，符合1≦k0’+k2’≦5、1≦j0’+j2’≦5、1≦m0’+m2’≦5、1≦n0’+n2’≦5。

式(32-2)中，R^2A、R³、R^4B、R⁷、k0’、j0’、m0’、n0’、k2’、j2’、m2’、n2’係與前述相同。複數個R^2A可以相同亦可以不同。

式(32-3)中，R^2A、R³、R^4C、R⁷、k0’、j0’、m0’、n0’、k2’、j2’、m2’、n2’係與前述相同。複數個R^2A可以相同亦可以不同。

式(32-4)中，R^2B、R³、R^4B、R⁷、k0’、j0’、m0’、n0’、k2’、j2’、m2’、n2’係與前述相同。複數個R^2B可以相同亦可以不同。

式(32-5)中，R^2B、R³、R^4C、R⁷、k0’、j0’、m0’、n0’、k2’、j2’、m2’、n2’係與前述相同。複數個R^2B可以相同亦可以不同。

式(33-1)中，R^2A、R³、R^4D係與前述相同，k3’、j3’、m3’、n3’、x3’、y3’係1~3的整數，k5’、j5’、m5’、n5’、x5’、y5’係0~4的整數，符合1≦k3’+k5’≦5、1≦j3’+j5’≦5、1≦m3’+m5’≦5、1≦n3’+n5’≦5’、1≦x3’+x5’≦5、1≦y3’+y5’≦5。

溶解促進劑(C)係下述式(32-10)、(32-12)~(33-21)所示化合物為更佳。

上述式中，R^2B、R³、R^5A、R⁷、p1、k0’、j0’、m0’、n0’、k2’、j2’、m2’、n2’係與前述相同。

上述式中，R^2B、R³、R^5B、R⁷、p1、k0’、j0’、m0’、n0’、k2’、j2’、m2’、n2’係與前述相同。

上述式中，R^2B、R³、R^5A、R⁷、p1、k0’、j0’、m0’、n0’、k2’、j2’、m2’、n2’係與前述相同。

上述式中，R^2B、R³、R^5A、R⁷、p1、k0’、j0’、m0’、n0’、k2’、j2’、m2’、n2’係與前述相同。

上述式中，R^2B、R³、R^5A、R⁷、k0’、j0’、m0’、n0’、k2’、j2’、m2’、n2’係與前述相同，p2係0~2的整數。

上述式中，R^2B、R³、R^5B、R⁷、p2、k0’、j0’、m0’、n0’、k2’、j2’、m2’、n2’係與前述相同。

上述式中，R^2B、R³、R^5B、R⁷、p2、k0’、j0’、m0’、n0’、k2’、j2’、m2’、n2’係與前述相同。

上述式中，R^5A、p2係與前述相同；k0”、j0”、m0”、n0”係1~3的整數，k2”、j2”、m2”、n2”係0~3的整數，符合1≦k0”+k2”≦5、1≦j0”+j2”≦5、1≦m0”+m2”≦5、1≦n0”+n2”≦5’；R^2C係碳數1~6的烷基。

上述式中，R^2C、k0”、j0”、m0”、n0”、k2”、j2”、m2”、n2”係與前述相同。

上述式中，R^2B、R³、R^5B、R⁷、p2、k0、j0、mo、n0、k2、j2、m2、n2係與前述相同。

上述式中，R^2C、k0”、j0”、m0”、n0”、k2”、j2”、m2”、n2”係與前述相同。

其他更佳溶解促劑(C)為下式(33-2)、(32-6)~(32-10)及(33-3)所示之化合物。

式(33-2)中，R^2A、k3’、j3’、m3’、n3’、x3’、y3’、k5’、j5’、m5’、n5’、x5’、y5’係與前述相同。

上述式中，R⁸係與前述相同。

固體成分與溶劑的混合比例係固體成分1~80重量%及溶劑20~99重量%，以固體成分1~50重量%及溶劑50~99重量%為佳，以固體成分1~25重量%及溶劑75~99重量%為較佳，以固體成分1~10重量%及溶劑90~99重量%為更佳。

前述固體成分以含有一種以上酸產生劑為佳，該酸產生劑係藉由選自KrF準分子雷射、極端紫外線、電子線或是X線中任一放射線的照射來產生酸。酸產生劑的使用量以固體成分總重量(化合物(B)、溶解促劑(C)、及酸產生劑、酸擴散控制劑等任意使用之固體成分的總和，以下相同)之0.001~50重量%為佳，以1~40重量%為較佳，以3~30重量%為更佳。藉由在上述範圍內使用，可以得到高感度且低邊緣粗糙度的圖案輪廓。若能夠在體系內產生酸，本發明未限定酸的產生方法。使用準分子雷射代替g線、i線等的紫外線時，能夠更微細加工，又，使用電子線、極端紫外線、X線、離子束作為高能量線時，能夠更微細加工。

上述酸產生劑的使用量以固體成分全重量之20~30重量%為特佳。以往的光阻組成物，不容易使用達到固體成分全重量之20~30重量%，通常是3~10重量%。本發明的感放射線組成物，能夠使用20~30重量%，能夠達成以往光阻不容易達成的高感度、高解像度。

前述酸產生劑未特別限定，其中以至少1種類選自由下述式(34)~(41)所示化合物組成群組為佳。

式(34)中，R¹³可以相同亦可以不同，係各自獨立的氫原子、直鏈狀、分支狀或是環狀烷基、直鏈狀、分支狀或是環狀烷氧基、羥基或是鹵素原子；X^-係具有烷基、芳烷基、鹵素取代烷基或是鹵素取代芳基之磺酸根離子或是鹵化物離子。

前述(34)所示化合物較佳是至少一種類選自三苯基鋶三氟甲磺酸鹽、三苯基鋶九氟正丁磺酸鹽、二苯基鋶九氟正丁磺酸鹽、三苯基鋶全氟正辛磺酸鹽、二苯基-4-甲基苯基鋶三氟甲磺酸鹽、二-2,4,6-三甲基苯基鋶三氟甲磺酸鹽、二苯基-4-第三丁氧基苯基鋶三氟甲磺酸鹽、二苯基-4-第三丁氧基苯基鋶九氟正丁磺酸鹽、二苯基-4-羥基苯基鋶三氟甲磺酸鹽、雙(4-氟苯基)-4-羥基苯基鋶三氟甲磺酸鹽、二苯基-4-羥基苯基鋶九氟正丁磺酸鹽、雙(4-羥基苯基)-苯基鋶三氟甲磺酸鹽、參(4-甲氧基苯基)鋶三氟甲磺酸鹽、參(4-氟苯基)鋶三氟甲磺酸鹽、三苯基鋶對甲苯磺酸鹽、三苯基鋶苯磺酸鹽、二苯基-2,4,6-三甲基苯基對甲苯磺酸鹽、二苯基-2,4,6-三甲基苯基鋶-2-三氟甲基苯磺酸鹽、二苯基-2,4,6-三甲基苯基鋶-4-三氟甲基苯磺酸鹽、二苯基-2,4,6-三甲基苯基鋶-2,4-二氟苯磺酸鹽、二苯基-2,4,6-三甲基苯基鋶-六氟苯磺酸鹽、二苯基萘基鋶三氟甲磺酸鹽、二苯基-4-羥基苯基鋶-對甲苯磺酸鹽、三苯基鋶10-樟腦磺酸鹽、及環(1,3-全氟丙烷二碸)醯亞胺鹽。

式(35)中，R¹⁴可以相同亦可以不同，係各自獨立的氫原子、直鏈狀、分支狀或是環狀烷基、直鏈狀、分支狀或是環狀烷氧基、羥基或是鹵素原子。X^-係與述相同。

前述(35)所示化合物較佳是至少一種類選自由雙(4-第三丁基苯基)碘鎓三氟甲磺酸鹽、雙(4-第三丁基苯基)碘鎓九氟正丁磺酸鹽、雙(4-第三丁基苯基)碘鎓全氟-正辛磺酸鹽、雙(4-第三丁基苯基)碘鎓對甲苯磺酸鹽、雙(4-第三丁基苯基)碘鎓苯磺酸鹽、雙(4-第三丁基苯基)碘鎓-2-三氟甲基苯磺酸鹽、雙(4-第三丁基苯基)碘鎓-4-三氟甲基苯磺酸鹽、雙(4-第三丁基苯基)碘鎓-2,4-二氟苯磺酸鹽、雙(4-第三丁基苯基)碘鎓六氟苯磺酸鹽、雙(4-第三丁基苯基)碘鎓10-樟腦磺酸鹽、二苯基碘鎓三氟甲磺酸鹽、二苯基碘鎓九氟正丁磺酸鹽、二苯基碘鎓全氟正辛磺酸鹽、二苯基碘鎓對甲苯磺酸鹽、二苯基碘鎓苯磺酸鹽、二苯基碘鎓10-樟腦磺酸鹽、二苯基碘鎓-2-三氟甲基苯磺酸鹽、二苯基碘鎓-4-三氟甲基苯磺酸鹽、二苯基碘鎓-2,4-二氟苯磺酸鹽、二苯基碘鎓六氟苯磺酸鹽、雙(4-三氟甲基苯基)碘鎓三氟甲磺酸鹽、雙(4-三氟甲基苯基)碘鎓九氟正丁磺酸鹽、雙(4-三氟甲基苯基)碘鎓全氟正辛磺酸鹽、雙(4-三氟甲基苯基)碘鎓對甲苯磺酸鹽、雙(4-三氟甲基苯基)碘鎓對苯磺酸鹽、及雙(4-三氟甲基苯基)碘鎓10-樟腦磺酸鹽所組成群組。

式(36)中，Q係伸烷基、伸芳基或是伸烷氧基，R¹⁵係烷基、芳基、鹵素取代基烷基或是鹵素取代芳基。

前述(36)所示化合物較佳是至少一種類選自由N-(三氟甲基磺醯氧基)琥珀醯亞胺、N-(三氟甲基磺醯氧基)鄰苯二甲醯亞胺、N-(三氟甲基磺醯氧基)二苯基順丁烯二醯亞胺、N-(三氟甲基磺醯氧基)雙環[2.2.1]庚氧基-5-烯-2,3-二羧基醯亞胺、N-(三氟甲基磺醯氧基)萘醯亞胺、N-(10-樟腦磺醯氧基)琥珀醯亞胺、N-(10-樟腦磺醯氧基)鄰苯二甲醯亞胺、N-(10-樟腦磺醯氧基)二苯基順丁烯二醯亞胺、N-(10-樟腦磺醯氧基)雙環[2.2.1]庚氧基-5-烯-2,3-二羧基醯亞胺、N-(10-樟腦磺醯氧基)萘醯亞胺、N-(正辛磺醯氧基)雙環[2.2.1]庚氧基-5-烯-2,3-二羧基醯亞胺、N-(正辛磺醯氧基)萘醯亞胺、N-(對三烯磺醯氧基)雙環[2.2.1]庚氧基-5-烯-2,3-二羧基醯亞胺、N-(對三烯磺醯氧基)萘醯亞胺、N-(2-三氟甲基苯磺醯氧基)雙環[2.2.1]庚氧基-5-烯-2,3-二羧基醯亞胺、N-(2-三氟甲基苯磺醯氧基)萘醯亞胺、N-(4-三氟甲基苯磺醯氧基)雙環[2.2.1]庚氧基-5-烯-2,3-二羧基醯亞胺、N-(4-三氟甲基苯磺醯氧基)萘醯亞胺、N-(全氟苯磺醯氧基)雙環[2.2.1]庚氧基-5-烯-2,3-二羧基醯亞胺、N-(全氟苯磺醯氧基)萘醯亞胺、N-(1-萘磺醯氧基)雙環[2.2.1]庚氧基-5-烯-2,3-二羧基醯亞胺、N-(1-萘磺醯氧基)萘醯亞胺、N-(九氟正丁磺醯氧基)雙環[2.2.1]庚氧基-5-烯-2,3-二羧基醯亞胺、N-(九氟正丁磺醯氧基)萘醯亞胺、N-(全氟正辛磺醯氧基)雙環[2.2.1]庚氧基-5-烯-2,3-二羧基醯亞胺、及N-(全氟 正辛磺醯氧基)萘醯亞胺所組成群組。

式(37)中，R¹⁶可以相同亦可以不同，係各自獨立、可任意被取代之直鏈狀、分支狀或是環狀烷基、可任意被取代的芳基、可任意被取代的雜芳基或是可任意被取代的芳烷基。

前述(37)所示化合物較佳是至少一種類選自由二苯基二碸、二(4-甲基苯基)二碸、二萘基二碸、二(4-第三丁基苯基)二碸、二(4-羥基苯基)二碸、二(3-羥基萘基)二碸、二(4-氟苯基)二碸、二(2-氟苯基)二碸、及(4-甲苯氟甲基苯基)二碸所組成群組。

式(38)中，R¹⁷可以相同亦可以不同，係各自獨立、可任意被取代之直鏈狀、分支狀或是環狀烷基、可任意被取代的芳基、可任意被取代的雜芳基或是可任意被取代的芳烷基。

前述(38)所示化合物較佳是至少一種類選自由α-(甲基磺醯氧基亞胺基)-苯基乙腈、α-(甲基磺醯氧基亞胺基)-4-甲氧基苯基乙腈、α-(三氟甲基磺醯氧基亞胺基)-苯基乙腈、α-(三氟甲基磺醯氧基亞胺基)-4-甲氧基苯基乙腈、α-(乙基磺醯氧基亞胺基)-4-甲氧基苯基乙腈、α-(丙基磺醯氧基亞胺基)-4-甲氧基苯基乙腈、及α-(甲基磺醯氧基亞胺基)-4-溴苯基乙腈所組成群組。

式(39)中，R¹⁸可以相同亦可以不同，係各自獨立之具有1個以上氯原子及1個以上溴原子之鹵化烷基。鹵化烷基的碳原子數以1~5為佳。

式(40)及(41)中，R¹⁹及R²⁰係各自獨立之甲基、乙基、正丙基、異丙基等碳原子數1~3的烷基、環戊基、環己基等環烷基、甲氧基、乙氧基、丙氧基等碳原子數1~3的烷氧基、或是苯基、甲苯醯基、萘基等芳基，以碳原子數6~10的芳基為佳。L¹⁹及L²⁰係各自獨立之具有1,2-萘醌二疊氮基之有機基。具有1,2-萘醌二疊氮基之有機基，具體上，較佳之物可以舉出的有1,2-萘醌二疊氮-4-磺醯基、1,2-萘醌二疊氮-5-磺醯基、1,2-萘醌二疊氮-6-磺醯基等1,2-萘醌二疊氮磺醯基。以1,2-萘醌二疊氮-4-磺醯基、及1,2-萘醌二疊氮-5-磺醯基為特佳。p為1~3之整數，q為0~4之整數，且1≦p+q≦5。J¹⁹為單鍵，碳數1~4之聚亞甲基、伸環烷基、伸苯基、下述式(42)所示之 基、羰基、酯基、醯胺基或是醚基，Y¹⁹係氫原子、烷基或是芳基，X²⁰係各自獨立之下述式(43)所示的基。

式(43)中，Z²²係各自獨立之烷基、環烷基或是芳基，R²²係烷基、環烷基或是烷氧基，r為0~3的整數。

其他的酸產生劑可以舉出的有雙(對甲苯磺醯)重氮甲烷、雙(2,4-二甲基苯基磺醯)重氮甲烷、雙(第三丁基磺醯)重氮甲烷、雙(正丁基磺醯)重氮甲烷、雙(異丁基磺醯)重氮甲烷、雙(異丙基磺醯)重氮甲烷、雙(正丙基磺醯)重氮甲烷、雙(環己基磺醯)重氮甲烷、雙(異丙基磺醯)重氮甲烷、1,3-雙(環己基磺醯偶氮甲基磺醯)丙烷、1,4-雙(苯基磺醯偶氮甲基磺醯)丁烷、1,6-雙(苯基磺醯偶氮甲基磺醯)己烷、1,10-雙(環己基磺醯偶氮甲基磺醯)癸烷等雙磺醯重氮甲烷類、2-(4-甲氧基苯基)-4,6-(雙三氯甲基)-1,3,5-三、2-(4-甲氧基萘基)-4,6-(雙三氯甲基)-1,3,5-三、參(2,3-二溴丙基)-1,3,5-三、參(2,3-二溴丙基)三聚異氰酸酯等含有鹵素的三衍生物等。

上述酸產生劑中，以具有芳香環為較佳，以三苯基鋶對甲苯磺酸鹽為更佳。藉由使用該酸產生劑，可以降 低LER。推斷係因為本發明之化合物(B)與該酸產生劑的分散性良好之緣故。

在本發明，較佳是在感放射線性組成物中調配有酸擴散控制劑，該酸擴散控制劑具有控制藉由放射線照射從酸產生劑所產生的酸在光阻膜中的擴散、阻止在未光曝光領域產生不良的化學反應之作用。藉由使用此種酸擴散控制劑，能夠提升感放射線性組成物的儲藏安定性。又，在提升解像度之同時，能夠抑制因電子線照射前的放置時間、電子線照射後的放置時間的變動所引起光阻圖案的線寬度變化，成為具有極優良製程安定性之物。此種酸擴散控制劑，可以舉出的有含有氮原子之鹼性化合物、鹼性鋶化合物、鹼性碘鎓化合物等電子線放射分解性鹼性化合物。酸擴散控制劑可以單獨使用或是使用2種以上。

上述酸擴散控制劑之中，以具有芳香環之酸擴散控制劑為佳，以三苯基咪唑為更佳。藉由使用該擴散控制劑可以減少LER。推斷係因為本發明之化合物(B)與該酸產生劑的分散性良好之緣故。

擴散控制劑的調配量以固體成分總量之0~10重量%為佳，以0.001~5重量%為較佳，以0.001~3重量%為更佳。在上述範圍內時，能夠防止解像度的降低、圖案形狀、尺寸逼真度等的變差。而且，即使從電子線照射至放射線照射後加熱為止之放置時間變長，圖案上層部形狀亦不會變差。又，調配量在10重量%以下時，能夠防止感度、未曝光部之顯像性的降低。

在感放射性組成物，化合物(B)與溶解促進劑(C)的酸解離性官能基的數量，係以化合物(B)與溶解促進劑(C)中的酚性羥基總數的5~95%為佳，以5~50%為較佳，以5~25%為更佳。藉由符合上述範圍，能夠具有優良的感度、解像度、黏附性、製膜性等性能。

相對於前述化合物(B)與前述溶解促進劑(C)的總量，前述溶解促進劑(C)的量以80重量%以下為佳，以60重量%以下為較佳，以30重量%以下為更佳，以零為特佳。藉由符合上述條件，可以減小線邊緣粗糙度。

感放射性組成物以含有1~25重量%之固體成分、及75~99重量%之溶劑、且固體成分中之80~90重量%為化合物(B)為特佳。使用此種感放射性組成物時，解像性變高、線邊緣粗糙度減小。

化合物(B)的殘餘金屬量以小於10ppm為佳，以小於1ppm為較佳，以小於100ppb為更佳。在上述範圍時，可以半導體元件的金屬污染，而且，感放射線性組成物變為高感度。如上述，因為化合物(B)能夠使用非金屬觸媒製造，可以容易地達成上述範圍的殘餘金屬量，亦可以按照必要，藉由矽膠柱層析法等加以精製。

本發明之感放射線性組成物在不損害本發明效果的範圍內，除了上述添加劑以外，亦可以添加不溶於水而可溶於鹼水溶液之樹脂、或是不溶於水但藉由酸的作用能夠溶解於水溶液、能夠鹼液顯像之樹脂。此種樹脂，可以舉出的有例如酚樹脂及導入酸解離性官能基之酚樹脂；甲階酚醛樹脂及導入酸解離性官能基之甲階酚醛樹 脂；氫化甲階酚醛樹脂及導入酸解離性官能基之氫化甲階酚醛樹脂；鄰聚羥基苯乙烯、間聚羥基苯乙烯、對聚羥基苯乙烯、此等之共聚物、及導入酸解離性官能基之鄰聚羥基苯乙烯、間聚羥基苯乙烯、對聚羥基苯乙烯、此等之共聚物；烷基取代聚羥基苯乙烯及導入酸解離性官能基之聚羥基苯乙烯；聚羥基苯乙烯的一部分被鄰烷基化而成的樹脂及導入酸解離性官能基之前述樹脂；苯乙烯-羥基苯乙烯共聚物及導入酸解離性官能基之苯乙烯-羥基苯乙烯共聚物；α-甲基苯乙烯-羥基苯乙烯共聚物及導入酸解離性官能基之α-甲基苯乙烯-羥基苯乙烯共聚物；聚甲基丙烯酸烷酯樹脂及導入酸解離性官能基之聚甲基丙烯酸烷酯樹脂；聚烯烴；聚酯；聚醯胺；聚脲；聚烯烴；聚酯；聚醯胺；聚脲；及聚胺甲酸酯等。

前述樹脂的調配量應在不損害本發明效果的程度，以固體成分總重量之0~49重量%為佳，以0~29重量%為較佳，以0~19重量%為更佳，以零為特佳。在上述範圍時，可以得到解像性高、且低邊緣粗糙度之光阻圖案。

化合物(B)係較佳是在一種選自丙二醇單甲醚乙酸酯、丙二醇單甲醚、乳酸乙酯、乙酸丁酯、3-甲基甲氧基丙酸酯或是丙酸乙酯之溶劑中、23℃時溶解1重量%以上，以溶解3重量%以上為較佳，以溶解5重量%以上為更佳。因為具有如此溶解性，能夠防止組成物調製後析出、性能改變等問題，係能夠使用於半導體工廠之安全溶劑。

含有以化合物(B)作為主成分之感放射線性組成物 ，能夠經得起半導體製程之耐熱性，能夠同時具有在丙二醇單甲醚乙酸酯、丙二醇單甲醚、乳酸乙酯、乙酸丁酯、3-甲基甲氧基丙酸酯、丙酸乙酯之溶劑等安全溶劑中的可溶性、成膜性、矽基板黏附性、鹼顯像性、蝕刻耐性、曝光時之低脫氣性、高解像性、低邊緣粗糙度等光阻性能。

含有多酚化合物(A)、化合物(B)、及化合物(C)作為主成分之感放射線性組成物的固體成分，因為對KrF微影所使用波長248奈米的光之吸收係數高，可以使用作為遮罩(shade mask)用光阻。該固體成分可以藉由旋轉塗布法來形成非晶質膜，可以使用於遮罩用的光阻圖案。遮罩用光阻之吸收係數以15L/(cm．g)以上為佳，以30L/(cm．g)以上為較佳，以40L/(cm．g)以上為更佳。

化合物(B)能夠藉由旋轉塗布形成非晶質膜，能夠作為光阻圖案。又，可以應用於通常的半導體製程。

化合物(B)的非晶質膜在23℃之2.38質量%TMAH(氫氧化四甲銨)水溶液中之溶解速度以5Å/秒以下為佳，以0.05~5Å/秒為較佳，以0.0005~5Å/秒為更佳。在5Å/秒以下時不溶於顯像液，可以作為光阻。又，具有0.0005Å/秒以上的溶解速度時，亦有提升解像性之情形。推斷是前述化合物(B)的微細表面部位溶解，LER降低之緣故。又，具有減少缺陷的效果。

化合物(B)之解離性官能基解離所產生的多酚化合物(A)，亦以具有能夠藉由旋轉塗布來形成非晶質膜的性質為佳。多酚化合物(A)膜在23℃之2.38質量%TMAH(氫 氧化四甲銨)水溶液中之溶解速度以10Å/秒以上為佳，以10~10000Å/秒為較佳，以100~1000Å/秒為更佳。在10Å/秒以上時，可以溶解在鹼顯液中，能夠作為光阻。又，具有10000Å/秒以下的溶解速度時，亦有解像性提升的情形。推斷藉由化合物(B)的酸解離性官能基解離所引起的溶解性變化，溶解於鹼顯像液之曝光部、與未溶解鹼顯像液之未曝光部的界面對比變大之緣故。又，具有LER降低、缺陷減少的效果。

將感放射線組成物的固體成分，以旋轉塗布所形成的非晶質膜在23℃之2.38質量%TMAH(氫氧化四甲銨)水溶液中之溶解速度以5Å/秒以下為佳。藉由KrF準分子雷射、極端紫外線、電子線或是X線等放射線，來曝光成希望的圖案，按照必要在20~250℃加熱後，非晶質膜在23℃之2.38質量%TMAH(氫氧化四甲銨)水溶液中之溶解速度以10Å/秒以上為佳。藉由符合上述條件，產率良好、且能夠賦予優良形狀的圖案。

聚酚化合物(A)的玻璃轉移溫度，以130℃以上為佳，以140℃以上為較佳，以150℃以上為更佳。藉由使玻璃轉移溫度在上述範圍，在半導體微影製程，具有能夠維持圖案形狀之耐熱性、能夠賦予高解像度等性能。

聚酚化合物(A)之藉由微差掃描熱量分析所求得結晶化發熱量以小於20J/g為佳。又，(結晶化溫度)-(玻璃轉移溫度)以70℃以上為佳，以80℃以上為較佳，以100℃以上為更佳，以130℃以上為特佳。結晶化發熱量小於20J/g、或是(結晶化溫度)-(玻璃轉移溫度)在上述範圍 內時，感放射線性組成物容易藉由旋轉塗布來形成非晶質膜、且能夠長期間保持光阻的必要成膜性、能夠提升解像性。前述結晶化發熱量、結晶化溫度及玻璃轉移溫度的測定方法如後述。

在本發明之感放射線性組成物中，可調配溶解控制劑、敏化劑、界面活性劑等各種添加劑。

溶解控制劑係當化合物(B)對鹼顯像液之溶解性過高時，具有降低其溶解性而使顯像時具有適當溶解速度之作用的成分。

溶解控制劑可以舉出的有例如萘、菲、蒽、苊等芳香族烴類；乙醯苯、二苯基酮、苯基萘基酮等酮類；甲基苯基碸、二苯基碸、二萘基碸等碸類。溶解控制劑亦可以舉出的有例如導入酸解離性官能基而成的雙酚類、導入第三丁基羰基而成的參(羥基苯基)甲烷等。此等溶解控制劑可以單獨使用或是使用2種以上。溶解控制劑的調配量可以按照所使用的溶解控制劑而適當地調節，其中以固體成分總重量之0~50重量%為佳，以0~40重量%為較佳，以0~30重量%為更佳。

敏化劑係吸收所照射放射線的能量，將該能量傳送至酸產生劑，藉此，具有增加酸生成量的作用，係能夠提升光阻的表觀感度的成分。如此敏化劑可以舉出的有例如二苯基酮類、聯乙酸類、啡噻類、茀類等，但是未限定於此等。此等敏化劑可以單獨使用或是使用2種以上。敏化劑的調配量以固體成分總重量的0~50重量%為佳，以0~20重量%為較佳，以0~10重量%為更佳。

界面活性劑係具有改良本發明的感放射性組成物的塗布性、條紋、作為光阻之顯像性等作用的成分。此種界面活性劑可以使用陰離子系、陽離子系、非離子系或是兩性中之任一種。此等之中，以非離子系界面活性劑為佳，非離子系界面活性劑較佳是與感放射性組成物所使用的溶劑之親和性良好，更具有效果。非離子系界面活性劑的例子可以舉出的有聚氧乙烯高級醇醚類、聚氧乙烯高級醇醚酯類、聚乙二醇的高級脂肪酸二酯類等、及以下商品名之EPTOP(JEMCO公司製)、MEGAFAK(大日本油墨化學工業公司製)、FRORAD(住友3M公司製)、ASAHIGARD、SARFRON(以上、旭硝子公司製)、PEBAL(東邦化學工業公司製)、KP(信越化學工業公司製)、POLYFLOW(共榮社油脂化學工業公司製)等各系列製品，但是不限定於此等。

界面活性劑的調配量係以固體成分總重量的0~2重量%為佳，以0~1重量%為較佳，以0~0.1重量%為更佳。又，藉由調配染料或是顏料，使曝光部的潛像可見化，能夠減少曝光時暈光作用的影響。而且，藉由調配黏著助劑，能夠改善與基板之黏附性。

為了防止調配酸擴散控制劑時的感度變差，而且為了改良光阻圖案形狀、放置安定性的目的，進而能夠以任意成分的方式含有機羧酸或是磷的含氧酸或是其衍生物。又，可以與酸擴散控制劑並用、亦可以單獨使用。有機羧酸例如以丙二酸、檸檬酸、蘋果酸、苯甲酸、柳酸等為佳。磷酸的含氧酸或是其衍生物，可以舉出的有 磷酸、磷酸二正丁酯、磷酸二苯酯等磷酸或是其等的酯等之衍生物、膦酸、膦酸二甲酯、膦酸二正丁酯、膦酸苯酯、膦酸二苯酯、膦酸二苄酯等膦酸或是其等的酯等之衍生物、次膦酸、苯基次膦酸等次膦酸或是其等的酯等之衍生物。此等之中，以膦酸為特佳。

使用於本發明的感放射線性組成物之溶劑，可以舉出的有例如乙二醇單甲醚乙酸酯、乙二醇單乙醚乙酸酯等乙二醇單烷醚乙酸酯類；乙二醇單甲醚、乙二醇單乙醚等乙二醇單烷醚類；丙二醇單甲醚乙酸酯(PGMEA)、丙二醇單乙醚乙酸酯等丙二醇單烷醚乙酸酯類；丙二醇單甲醚(PGME)、丙二醇單乙醚等丙二醇單烷醚類；乳酸甲酯、乳酸乙酯(EL)等乳酸酯類；乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸丙酯、乙酸丁酯、丙酸乙酯(PE)等脂肪族羧酸酯類；3-甲氧基丙酸甲酯、3-甲氧基丙酸乙酯、3-乙氧基丙酸甲酯、3-乙氧基丙酸乙酯等其他酯類；甲苯、二甲苯等芳香族烴類；2-庚酮、3-庚酮、4-庚酮、環己酮等酮類；四氫呋喃、二烷等環狀醚類，但是沒有特別限定。此等溶劑可以單獨使用或是使用2種以上。

形成光阻圖案係首先使用旋轉塗布、流延塗布、輥塗布等塗布方法將本發明的感放射線性組成物塗布在矽晶圓、鎵砷晶圓、鋁被覆晶圓等，來形成光阻膜。光阻沒有特別限定，以0.01~10微米為佳，以0.05~1微米為較佳，以0.08~0.5微米為更佳。

亦可以按照必要，在基板上預先塗布表面處理劑。表面處理劑可以舉出的有例如六亞甲基二矽胺烷等有機 矽烷偶合劑(具有聚合性基之加水分解聚合性矽烷偶合劑等)、增黏塗布劑或是基底劑(聚乙烯縮醛)、丙烯酸系樹脂、乙酸乙烯系樹脂、環氧樹脂、胺甲酸乙酯等)、混合此等的基底劑和無機微粒子而成的塗布劑等。

為了防止在大氣中浮游的胺等侵入，亦可以按照必要在光阻膜上形成保護層。藉由形成保護膜，可以防止放射線在光阻膜中所產生的酸與在大氣中浮游的胺等化合物(會與酸反應)產生反應而喪失活性、光阻圖像變差、感度降低。保護膜用的材料以水溶性且酸性的聚合物為佳。例如，可以舉出的有例如聚丙烯酸、聚乙烯基磺酸等。

為了得到高精細度的微細圖案、且為了降低曝光中的脫氣，在放射線照射前較佳是進行(曝光前)加熱。該加熱溫度因感放射線性組成物的調配組成等而不同，其中以20~250℃為佳，以40~150℃為更佳。

接著，藉由KrF準分子雷射、極端紫外線、電子線或是X線等放射線，將光阻膜曝光成希望的圖案。曝光條件可以按照感放射線性組成物的調配組成等而適當地選定。在本發明，為了形成高精細度的微細圖案，在放射線照射後較佳是進行(曝光後)加熱。曝光後加熱溫度(PEB)，因感放射線性組成物的調配組成等而不同，其中以20~250℃為佳，以40~150℃為更佳。

接著，藉由使用鹼顯像液對曝光過的光阻膜進行顯像，來形成預定的光阻圖案。前述鹼顯像液，可以使用例如溶解1種以上單、雙或是三烷胺類、單、雙或是三烷 醇類、雜環胺類、氫氧化四甲銨(TMAH)、膽鹼等鹼性化合物而成的水溶液，以1~10重量%為佳，以1~5重量%為更佳。在鹼性顯像液中亦可以適當地添加甲醇、乙醇、異丙醇等醇類或前述界面活性劑。此等之中，以添加10~30重量%異丙醇為特佳。又，使用由此種鹼性水溶液所構成的顯像液時，通常，在顯像後使用水洗滌。

形成光阻圖案後，藉由蝕刻可以得到圖案配線基板。蝕刻可以藉由使用電漿氣體之乾蝕刻、使用鹼溶液、氯化銅、氯化鐵溶液之濕蝕刻等眾所周知的方法來進行。形成光阻圖案後，亦可以進行鍍敷銅、鍍敷焊錫、鍍敷鎳、鍍敷金等鍍敷處理。

蝕刻後之殘餘的光阻圖案可以使用有機溶劑或比鹼顯像液更強的鹼性水溶液來加以剝離。上述有機溶劑可以舉出的有PGMEA、PGME、EL、丙酮、四氫呋喃等，強鹼水溶液可以舉出的有例如1~20重量%的氫氧化鈉水溶液、及1~20重量%的氫氧化鈉水溶液。剝離方法可以舉出的有浸漬方法、噴霧方法等。又，形成光阻圖案之配線基板以多層配線基板為佳，亦可以具有小直徑通孔。

使用本發明之感放射線性組成物形成光阻圖案後，亦可以藉由真空蒸鍍金屬，隨後使用溶液溶離光阻圖案的方法，亦即移除法來成配線基板。

[實施例]

以下，舉出實施例，具體地說明本發明的實施形態。但是，本發明未限定於此等實施例。化合物及感放射線性組成物的評價方法、光阻圖案的評價方法如下。

[1]多元酚(A)的評價 (1-1)玻璃轉移溫度、結晶化溫度及結晶化熱量測定

將試料約10毫克放入鋁製非密封容器，在氮氣氣流中(50毫升/分鐘)升溫速度20℃/分鐘升溫至熔點以上。急冷後，再次在氮氣氣流中(30毫升/分鐘)升溫速度20℃/分鐘升溫至熔點以上。再次急冷後，再次在氮氣氣流中(30毫升/分鐘)升溫速度20℃/分鐘升溫至400℃，使用島津製作所製DSC/TA-50WS來進行微差掃描熱量分析。將在基線顯現不連續部分領域的中點(比熱變化成一半時)的溫度作為玻璃轉移溫度(Tg)、將隨後顯現發熱尖鋒的溫度作為結晶化溫度。從發熱尖鋒與基線所包圍領域的面積求得發熱量，作為結晶化溫度。Tg≧130℃時作為A，Tg<130℃時作為C。(玻璃轉移溫度)-(結晶化溫度)≧70℃時作為A，(玻璃轉移溫度)-(結晶化溫度)<70℃時作為C。

(1-2)殘餘金屬量測定

在特夫隆容器中秤稱試料，加入硝酸、超純水，使用MILESTONE公司製密閉式微波前處理裝置ETHOS PLUS進行濕式灰化。灰化後使用超純水稀釋，使用Hewlette-Packard製ICP-MS HP4500-Shield Torch求得試料中殘留金屬量。小於1ppm為A、大於1ppm為C。

(1-3)鹼溶解速度

使用旋轉塗布器旋轉塗布多酚(A)之PGME/PE(1/2(重量比))的3重量%溶液或是3重量%丙酮溶液(未溶解於PGME/PE之情況)，形成膜厚度約0.05微米之光阻膜。在熱板上以110℃、加熱3分鐘，將光阻膜浸漬於2.38% TMAH水溶液(23℃)，藉由浸漬前後的光阻膜厚度的變化來求得溶解速度。小於10Å/秒為C、大於10Å/秒為A。

[2]化合物(B)及混合物(化合物(B)和多酚(A))的評價 (2-1)安全溶劑溶解性

使化合物(B)在23℃進行在丙二醇單甲醚乙酸酯、丙二醇單甲醚、乳酸乙酯、乙酸丁酯、3-甲基甲氧基丙酸酯及丙乙酯中的溶解試驗。在上述任一溶劑中溶解5wt%以上時為A、0.1~5wt%以上時為B、小於0.1wt%時為C。

(2-2)成膜試驗

將化合物(B)或是混合物(化合物(B)與多酚(A))之PGME/PE(1/2(重量比))的3重量%溶液、或是3重量%丙酮溶液(未溶解於PGME/PE之情況)，使用旋轉塗布器旋轉塗布於經表面處理劑(矽烷偶合劑)處理過的矽晶圓上，形成膜厚度0.05微米的光阻膜。使用熱板以110℃加熱3分鐘，觀察光阻膜的狀態。

白化時或是表面產生凹凸時為C、一部分白化時或是表面一部分產生凹凸時為B、未白化而表面平坦性良好時為A。

(2-3)在鹼顯像液中之溶解速度

將在(2-2)所得到的光阻膜，浸漬於TMAH 2.38%水溶液(23℃)，藉由浸漬前後的光阻膜厚度的變化來求得溶解速度。小於10Å/秒為A、大於10Å/秒為C。

(2-4)矽基板黏附性

(2-2)所形成的光阻膜未從使用表面處理劑(矽烷偶合劑)處理過的矽晶圓剝離時為A、剝離時為C。

[3]光阻圖案的評價 (3-1)光阻膜的製造

調配下述第5表所示成分，藉由0.1微米的特夫綸(註冊商標)過濾器過濾，來調製感放射線性組成物。使用旋轉塗布器將各感放射線性組成物塗布於矽晶圓上，在熱板上，以110℃乾燥90秒，得到厚度約0.05微米的光阻膜。

(3-2)光阻圖案的形成

使用電子線描繪裝置(ELIONIX(股)製ELS-7500、加速電壓50KeV)對光阻膜照射電子線。照射後各自依預定溫度加熱90秒，在2.38%TMAH水溶液浸漬60秒，使用蒸餾水沖洗30秒、乾燥。藉由掃描型電子顯微鏡(HITACHI HIGH TECHNOLOGY(股)製S-4800)，觀察所得到線和間距。又，實施例中任一試樣在曝光時所產生的脫氣量都很少。

(3-3)感度及解像度的評價

採用線和間距的界限解像度作為解像度。又，以能夠達成界限解像度之最小照射量作為感度。

(3-4)線邊緣粗糙度(LER)的評價

在經照射能夠達成界限解像度的最小照射線量所製成之80奈米間隔的線圖案之該線圖案長度方向(1.5微米)的任意300點，使用日立半導體用SEM TERMINAL PC V5離線測長軟體(HITACHI SICIENCE SYSTEMS製)，來測定邊緣與基準線的距離。從測定結果算出標準偏差(3σ)。

合成例1 肆(2,5-二甲苯酚)-2,6-萘二醛(化合物1010)的合成

混合195克(1.6莫耳)2,5-二甲苯酚(關東化學股份公司製)、及20.0克(1.0莫耳)2,6-萘二醛(依照特開2003-155259合成)，以約60℃加熱、溶解。在此，添加0.2毫升硫酸(關東化學股份公司製)、及1.6毫升3-氫硫基丙酸(關東化學股份公司製)，邊攪拌邊反應。藉由液晶層析儀確認轉化率為100%後，添加100毫升甲苯(關東化學股份公司製)。減壓過濾冷卻析出的固體、過濾，以60℃的溫水攪拌洗滌，使用矽膠層析儀進行精製，得到目標生成物。使用元素分析及¹H-NMR測定化合物的結構(依據400MHz、d-DMSO、內部標準TMS)進行確認。分析結果如第2、3表所示。

合成例2~8 化合物102~108的合成

在合成例1，除了以第1表記載化合物代替2,5-二甲苯酚及2,6-萘二醛以外，同樣地進行，得到目標生成物。化合物的結構係使用元素分析及¹H-NMR測定化合物的結構(依據400MHz、d-DMSO、內部標準TMS)進行確認。分析結果如第2、3表所示。

合成例9 化合物109的合成

對在0.6克(0.9毫莫耳)化合物101添加5毫升脫水丙酮、0.18克吡啶鎓對甲苯磺酸、0.2克(2.8毫莫耳)乙基乙烯基醚而成的溶液，在室溫攪拌24小時，藉由矽柱層析儀(溶出液：乙酸乙酯/己烷=1/2)精製反應液，得到目標化合物(化合物(B)。使用元素分析及¹H-NMR測定化合物的結構(依據400MHz、d-DMSO、內部標準TMS)進行確認。分析結果如第5、6表所示。

合成例10~16、18~19 化合物110~116、118~119的合成

在合成例9，除了以第4表所記載的化合物代替化合物101及乙基乙烯基醚以外，同樣地進行，得到目標化合 (化合物(B))。使用元素分析及¹H-NMR測定化合物的結構(依據400MHz、d-DMSO、內部標準TMS)進行確認。分析結果如第5、6表所示。

合成例17

對在0.6克(0.9毫莫耳)化合物108添加5毫升二甲基乙醯胺而成的溶液，慢慢地滴加(2.34克/11毫莫耳)二碳酸二第三丁酯、1.2克三乙胺，在60℃攪拌7小時。將反應液加入多量的水中重複地進行再沈澱，得到白色粉末。最後進行減壓乾燥，得到目標化合物117(化合物(B)。使用元素分析及¹H-NMR測定化合物的結構(依據400MHz、d-DMSO、內部標準TMS)進行確認。分析結果如第5、6表所示。

合成例20 混合物120的合成

對在0.6克(0.9毫莫耳)化合物101添加5毫升脫水丙酮、0.18克吡啶鎓對甲苯磺酸、0.2克(2.8毫莫耳)乙基乙烯基醚而成的溶液，在室溫攪拌24小時，藉由矽柱層析儀(溶出液：乙酸乙酯/己烷=1/2)精製反應液，得到目標混合物。使用元素分析及¹H-NMR測定混合物的結構(依據400MHz、d-DMSO、內部標準TMS)進行確認。分析結果如第8表所示。

合成例21~27、29~30 混合物121~127、129~130的合成

在合成例20，除了以第7表所記載的化合物代替化合物101及乙基乙烯基醚以外，同樣地進行，得到目標化合(化合物(B))。使用元素分析及¹H-NMR測定化合物的結構(依據400MHz、d-DMSO、內部標準TMS)進行確認。分析結果如第8表所示。

合成例28

對在0.6克(0.9毫莫耳)化合物108添加5毫升二甲基乙醯胺而成的溶液，慢慢地滴加(2.34克/11毫莫耳)二碳酸二第三丁酯、1.2克三乙胺，在60℃攪拌7小時。將反應液加入多量的水中重複地進行再沈澱，得到白色粉末。最後進行減壓乾燥，得到1.95克目標混合物128。使用元素分析及¹H-NMR測定化合物的結構(依據400MHz、d-DMSO、內部標準TMS)進行確認。分析結果如第8表所示。

在上述(120)~(130)，R係表示氫或是第7表記載的解解離性官能基。

合成例31~40 混合物131~140的合成

混合化合物(A)與化合物(B)，使成為第9表記載的酸解離基導入率，得到混合物131~140。

合成例41 化合物109的合成

除了以1,3-二氧雜戊環代替脫水丙酮、縮短反應時間為12小時以外，與合成例9同樣地進行，得到化合物109(化合物(B)。

比較合成例1

對在1.14克(5毫莫耳)雙酚A(關東化學(股)製試藥)中添加5毫升丙酮、1.2毫克二甲基胺基吡啶而成的溶液，以10分鐘滴加2.62克(12毫莫耳)二碳酸二第三丁酯，在40℃攪拌24小時。將反應液加入多量的水中，得到白色粉末。以3次蒸餾水洗滌後，吸引過濾、減壓乾燥，得到 目標化合物。使用元素分析及¹H-NMR測定化合物的結構(依據400MHz、CDCl₃、內部標準TMS)進行確認。分析結果如第10、11表所示。

比較合成例2

在比較合成例1，除了以1.34克(5毫莫耳)雙酚Z(關東化學(股)製試藥)代替1.14克(5毫莫耳)雙酚A以外，同樣的進行，得到目標化合物。使用元素分析及¹H-NMR測定化合物的結構(依據400MHz、CDCl₃、內部標準TMS)進行確認。分析結果如第10、11表所示。

比較合成例3

在比較合成例1，除了以1.46克(5毫莫耳)參(4-羥基苯基)甲烷(本州化學工業製)代替1.14克雙酚A、使二碳酸二第三丁酯的使用量改為3.93克(16毫莫耳)以外，同樣的進行，得到目標化合物。使用元素分析及¹H-NMR測定化合物的結構(依據400MHz、CDCl₃、內部標準TMS)進行確認。分析結果如第10、11表所示。

比較合成例4

在比較合成例1，除了以1.77克(5毫莫耳)參(4-羥基苯基)苯(ALDRICH公司製試藥)代替1.14克雙酚A、使二碳酸二第三丁酯的使用量改為3.93克(16毫莫耳)以外，同樣的進行，得到目標化合物。使用元素分析及¹H-NMR測定化合物的結構(依據400MHz、CDCl₃、內部標準TMS)進行確認。分析結果如第10、11表所示。

比較合成例5

在比較合成例1，除了以0.74克(5毫莫耳)聚羥基苯乙 烯(重量平均分子量8000、ALDRICH公司製試藥)代替1.14克雙酚A、使二碳酸二第三丁酯的使用量改為0.37克(1.5毫莫耳)以外，同樣的進行，得到目標化合物(以下簡稱「PHS-2」(205))。使用元素分析及¹H-NMR測定化合物的結構(依據400MHz、CDCl₃、內部標準TMS)進行確認，結果，第三丁氧基羰基化率為30%。

比較合成例6 1-(2-萘基)-1,1-雙(3-甲基-4-羥基苯基)乙烷的合成

混合(0.4毫莫耳)43.2克鄰甲酚及17.1克(0.1毫莫耳)β-乙醯萘，加熱至約30℃、溶解後，添加0.1毫升硫酸、0.8毫升3-氫硫基丙酸(關東化學股份公司製)、10毫升甲苯，邊攪拌邊反應。藉由液晶層析儀確認轉化率為100%後，添加100毫升甲苯(關東化學股份公司製)。減壓過濾冷卻析出的固體、過濾，以60℃的溫水攪拌洗滌，使用矽膠層析儀進行精製，得到24克目標生成物。

比較合成例7 化合物207的合成

對在1.84克(5毫莫耳)1-(2-萘基)-1,1-雙(3-甲基-4-羥基苯基)乙烷，添加5毫升脫水丙酮、0.073克(0.29毫莫耳)吡啶鎓對甲苯磺酸鹽(關東化學(股)製試藥)、0.43克(6毫莫耳)乙基乙烯基醚(關東化學(股)製試藥)而加的溶液，在室溫攪拌24小時。藉由矽柱層析儀(溶出液：乙酸乙酯/己烷=1/3)精製反應液，得到目標化合物。使用元素分析及¹H-NMR測定化合物的結構(依據400MHz、CDCl₃、內部標準TMS)進行確認。分析結果如第10、11表所示。

比較合成例8 化合物208的合成

對在1.84克(5毫莫耳)1-(2-萘基)-1,1-雙(3-甲基-4-羥基苯基)乙烷，添加5毫升無水丙酮、0.073克(0.29毫莫耳)吡啶鎓對甲苯磺酸鹽(關東化學(股)製試藥)、0.76克(6毫莫耳)環己基乙烯基醚而加的溶液，在室溫攪拌24小時。藉由矽柱層析儀(溶出液：乙酸乙酯/己烷=1/3)精製反應液，得到目標化合物。使用元素分析及¹H-NMR測定化合物的結構(依據400MHz、CDCl₃、內部標準TMS)進行確認。分析結果如第10、11表所示。

實施例1~8及比較例1~3

對合成例及比較合成例所得到的化合物、雙酚茀(大阪瓦斯(股)製)、雙酚蒽(本州化學工業(股)製)進行評價。結果如第12表所示。

實施例51~82及比較例51~57

對合成例及比較合成例所得到的化合物及混合進行評價。結果如第13表所示。

實施例101~142及比較例101~142 光阻圖案的評價

調配合成實施例1~32所得到化合物或是混合物與第14表所示成分，藉由0.1微米特夫綸(註冊商標)過濾器過濾，來調製感放射線性組成物。製成光阻圖案，評價解像度及感度。結果如第15表所示。又，在實施例的任一試樣，曝光時所產生的脫氣量少。又，確認照射最適曝光量的2倍曝光量後之厚度變化，任一者都小於5奈米。曝光時所產生的脫氣量少。

PAG-1：二苯基甲苯基鋶 九氟丁磺酸鹽

PAG-2：三苯基鋶 三氟甲磺酸鹽

PAG-3：二苯基鋶 對甲苯磺酸鹽

PAG-4：二苯基鋶 對三氟甲基苯磺酸鹽

PAG-5：二苯基鋶 對全氟苯磺酸鹽

PAG-6：二苯基鋶 全氟辛磺酸鹽

Q-1：三辛胺

Q-2：重氮雙環辛烷

Q-3：三苯基咪唑

Q-4：間二甲苯二胺

Q-5：三吡啶

S-1：PGMEA

S-2：EL

S-3：EP

S-4：PGME

D-1：MEGAFAK R08(大日本油墨化學工業(股)製)

實施例201~212 乾蝕刻耐性

使用實施例101~111及138的組成物作為感放射線組成物，在矽基板上形成厚度100奈米的光阻膜。藉由RIE蝕刻裝置，以70sccm、50W、20Pa的蝕刻條件，使用四氟甲烷(蝕刻氣體)進行蝕刻。任一光阻膜的蝕刻速度都小於200Å/分鐘，確認具有高蝕刻耐性。

比較例201

使用比較例205的組成物作為感放射線組成物，在矽基板上形成厚度100奈米的光阻膜。和實施例201同樣地進行蝕刻，結果蝕刻速度為200Å/分鐘，和本發明的感放射線組成物所形成的光阻膜比較時，蝕刻耐性較低。

實施例251 紫外可見吸收光譜

使用島津製作所製之島津自記分光光度計(UV-3100 PC)，測定化合物103、105及108之0.01克/L甲醇溶液的紫外可見吸收光譜，求得各化合物在248奈米時之吸光係數。化合物103、105及108的吸光係數各自為43.4L/(cm．g)、47.4L/(cm．g)、16.9L/(cm．g)。顯示吸光係數比15L/(cm．g)大很多，任一者都適合作為遮罩製造用化合物(B)的原料。以103、105為特別適合。由此種化合物所製得的化合物(B)及含有該化合物(B)之感放射性組成物亦具有高吸光度，適合作為遮罩用途。

比較例251

和實施例251同樣地，測定聚(4-乙烯基苯酚) (ALDRICH公司製MW=8000)之0.01克/L甲醇溶液的紫外可見吸收光譜，求得在248奈米時之吸光係數。吸光係數為1.7L/(cm．g)，因為吸數係數比15L/(cm．g)小，聚(4-乙烯基苯酚)難以應用作為遮罩製造用化合物(B)的原料。

[產業上之利用可能性]

本發明的化合物(B)及含有該化合物(B)之感放射性組成物，對KrF準分子雷射、極端紫外線、電子線或是X線等放射線具有高感度，能夠形成高解像度的光阻圖案。因此，能夠高生產力地製造積體度高的半導體元件。

Claims (8)

1. 一種化合物，係下述式(28)所示化合物， (式(28)中，R¹係選自由取代甲基、1-取代乙基、1-取代-正丙基、1-分支烷基、矽烷基、醯基、1-取代烷氧基甲基、環狀醚基及烷氧羰基所組成群組之酸解離性官能基，複數個R¹可以相同亦可以不同；R^2A係表示選自由鹵素原子、烷基、環烷基、芳基、芳烷基、烷氧基、芳氧基、烯基、醯基、烷氧羰基、烷醯氧基、芳醯氧基、氰基、及硝基所組成群組之取代基，複數個R^2A可以相同亦可以不同；R^4D係表示具有苯結構、萘結構、聯三苯結構或是菲結構之碳數6~20的三價取代基，k3、j3、m3、n3、x3、y3係0~3的整數，k4、j4、m4、n4、x4、y4係0~3的整數，k5、j5、m5、n5、x5、y5係0~4的整數，符合1≦k3+k4+k5≦5、1≦j3+j4+j5≦5、1≦m3+m4+m5≦5、1≦n3+n4+n5≦5、1≦x3+x4+x5≦5、1≦y3+y4+y5≦5、1≦k4+j4+m4+n4+x4+y4≦18、1≦k3+k4≦3、1≦j3+j4≦3、1≦m3+m4≦3、1≦n3+n4≦3、1≦x3+x4≦3、1≦y3+y4≦3)。
2. 如申請專利範圍第1項之化合物，係下述式(29)所示化合物， (式(29)中，R¹、R^2A、k3、j3、m3、n3、x3、y3、k4、j4、m4、n4、x4、y4、k5、j5、m5、n5、x5、y5係與前述相同)。
3. 如申請專利範圍第2項之化合物，係下述式(30-2)~(30-4)所示化合物，
4. 如申請專利範圍第1項之化合物，在波長248奈米之吸光係數為15L/(cm．g)以上。
5. 一種化合物，係式(33-1)所示化合物， (式(33-1)中，R^2A係表示選自由鹵素原子、烷基、環烷基、芳基、芳烷基、烷氧基、芳氧基、烯基、醯基、烷氧羰基、烷醯氧基、芳醯氧基、氰基、及硝基所組成群組之取代基，複數個R^2A可以相同亦可以不同；R^4D係表示具有苯結構、萘結構、聯三苯結構或是菲結構之碳數6~20的三價取代基；k3’、j3’、m3’、n3’、x3’、y3’係1~3的整數，k5’、j5’、m5’、n5’、x5’、y5’係0~4的整數，符合1≦k3’+k5’≦5、1≦j3’+j5’≦5、1≦m3’+m5’≦5、1≦n3’+n5’≦5’、1≦x3’+x5’≦5、1≦y3’+y5’≦5)。
6. 如申請專利範圍第5項之化合物，係下述式(33-2)所示化合物， (式(33-2)中，R^2A、k3’、j3’、m3’、n3’、x3’、y3’、k5’、j5’、m5’、n5’、x5’、y5’係與前述相同)。
7. 如申請專利範圍第5項之化合物，係下述式(33-3)所示化合物， (式33-3)中，R⁸係氫原子或甲基；複數個R⁸各可以相同亦可以不同)。
8. 如申請專利範圍第5項之化合物，在波長248奈米之吸光係數為15L/(cm．g)以上。