JP3115053B2 - 新規ナフタレン誘導体 - Google Patents
新規ナフタレン誘導体Info
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Description
品、農薬、顔料、染料等の原料として有用な新規ナフタ
レン誘導体に関する。
7−ナフタレンジカルボン酸、2,7−ナフタレンジカ
ルボキシアルデヒド、7−メチル−2−ナフタレンカル
ボン酸、7−フォルミル−2−ナフタレンカルボン酸な
どは知られているが、本発明の7−メチル−2−ナフタ
レンメタノールや7−ヒドロキシメチル−2−ナフタレ
ンカルボキシアルデヒドは未知の化合物である。
る。
バルデヒドに関する。本発明の化合物は、コバルト塩、
マンガン塩および臭素化合物触媒の存在下、有機カルボ
ン酸溶媒中で、反応温度80〜100℃において、2,
7−ジメチルナフタレンを分子状酸素により酸化するこ
とにより製造することができる。
塩および臭素化合物が組合わされて用いられる。コバル
ト塩としては、酢酸コバルト、プロピオン酸コバルト、
ナフテン酸コバルト、塩化コバルト、臭化コバルト、硝
酸コバルト、コバルトアセチルアセトネートなどが用い
られ、一般に出発原料として1mol当り約0.002
〜0.12molの割合で用いられる。マンガン塩とし
ては、酢酸マンガン、プロピオン酸マンガン、ナフテン
酸マンガン、塩化マンガン、臭化マンガン、硝酸マンガ
ン、マンガンアセチルアセトネートなとが用いられる。
また、臭素化合物としては、臭化アンモニウム、臭化水
素酸、臭化ナトリウム、臭化ベンジル、臭化コバルト、
臭化マンガンなどが用いられる。Mnイオン/Coイオ
ン原子比としては約0.025〜2.5の範囲内で、ま
たBrイオン/Coイオン原子比としては約0.5〜
4.0の範囲内で用いられる。反応溶媒としての有機カ
ルボン酸としては、例えば酢酸、プロピオン酸、安息香
酸、クロル酢酸、フルオロ酢酸、シクロヘキサンカルボ
ン酸などが用いられ、好ましくは酢酸、プロピオン酸、
クロル酢酸などの脂肪族カルボン酸が用いられる。これ
らの溶媒は、一般に出発原料に対し約3以上、好ましく
は約6以上の重量比で用いられる。反応は、分子状酸
素、一般には空気を用い、80〜100℃、好ましくは
90〜100℃の温度、常圧乃至約50kgf/c
m2、好ましくは約2〜30kgf/cm2の圧力、約
0.1〜20時間、好ましくは約0.3〜10時間の条
件下で、回分式、半回分式、連続式のいずれかの方式に
より行われる。上記のような狭い温度範囲で酸化反応が
行われた場合に限り、目的とする本発明のナフタレン誘
導体が高収率で得られる。一方、これ以外の温度範囲で
行うと、生成物の収率が著しく低下する。即ち、これ以
下の温度で反応を行うと、生成物中の未反応物含量が多
くなり、本発明のナフタレン誘導体の収率は著しく低下
する。また、これ以上の反応温度では、2,7−ジメチ
ルナフタレンの酸化反応が主として起り、反応生成物は
ほとんどジカルボン酸となってしまう。本発明のナフタ
レン誘導体は反応後均一に溶媒中に溶解した状態で存在
しており、溶媒で除去することにより固形物として取得
される。固形物は、0.01〜1Nアルカリ塩(NaO
H、KOHなど)水溶液を用いて、室温で2〜3時間け
ん化し、その水溶液を水と混合しない有機溶剤(エチル
エーテルのようなエーテル系有機溶剤、塩化メチレン,
塩化エチレンのような塩素系有機溶剤、ペンタン,ヘキ
サンのような炭化水素系有機溶剤)で抽出し、有機溶剤
層から有機溶剤を除去することにより、
ラムクロマト法などにより単離されるが、カラムクロマ
ト法による分離は、一般に使用されるアルミナゲル、シ
リカゲルなどの分離剤を用い、混合溶剤により、溶出さ
せることにより単離する。すなわち、n−ヘキサン(ペ
ンタンやヘプタンのような他の炭化水素系有機溶剤でも
よい)とエチルエーテル(ブチルエーテルやプロピルエ
ーテルのような他の含酸素系有機溶剤でもよい)の5
0:50(溶量比)の混合溶剤により、まず式(5)の
化合物を溶出し、ついで、アセトンのような極性溶剤を
用いて式(1)の化合物、式(6)の化合物、式(2)
の化合物を順次溶出単離する。これにより、7−メチル
−2−ナフタレンメタノール〔式(1)〕と本発明の7
−ヒドロキシメチル−2−ナフタレンカルバルデヒド
〔式(2)〕を得た。有機溶剤により抽出された後のア
ルカリ塩水溶液は、0.01〜1Nの酸(硝酸や塩酸な
どの強酸が好ましい)により中和され、水を除去するこ
とにより
水和物2.4g、酢酸マンガン・4水和物4.8gおよ
び臭化アンモニウム2.8g、酢酸300mlをガス吹
込管、排ガスコンデンサーおよび電磁誘導撹拌機を備え
た容量500mlのチタン製オートクレーブに仕込ん
だ。オートクレーブ内を空気で20kgf/cm2Gに
加圧し、空気流量1リットル/minで空気を吹込み、
撹拌速度1000rpmで撹拌した。その後加熱を開始
し、内温が90℃に達してから温度を保持しながら8時
間反応を継続した。反応終了後、反応溶液を取出し、酢
酸を除去し、固形物を乾燥し、ナフタレン誘導体混合物
〔下記の式(1)、(2)、(3)、(4)、(5)、
(6)で示される物質を含むを含む〕49.2gを得
た。
時間でけん化を行い、けん化物をエチルエーテル抽出
し、エーテル層とアルカリ水溶液層とに分離した。エー
テル層の方は、エーテルを除去し、7−メチル−2−ナ
フタレンメタノール〔式(1)の化合物〕、7−ヒドロ
キシメチル−2−ナフタレンカルボキシアルデヒド〔式
(2)の化合物〕、7−メチル−2−ナフタレンカルボ
キシアルデヒド〔式(5)の化合物〕と2,7−ナフタ
レンジカルボキシアルデヒド〔式(6)の化合物〕の混
合物19.8gを得た。これをシリカゲルを分離剤とし
たシリカゲルクロマトを用い、n−ヘキサン/エチルエ
ーテル50:50(容量比溶剤)により、式(5)の化
合物を溶出し、式(5)の化合物10.3gを得た。つ
いで、アセトンにより、まづ、式(1)の化合物1.8
g、式(6)の化合物6.5g、式(2)の化合物0.
8gを順次単離し、7−メチル−2−ナフタレンメタノ
ール〔式(1)の化合物〕と7−ヒドロキシメチル−2
−ナフタレンカルボキシアルデヒド〔式(2)の化合
物〕を得た。化合物(1)と(2)は、FD/MS分析
の結果、各々172、186に分子イオンピークをも
ち、それぞれの分子量と一致した。また、それぞれのC
13NHRスペクトルは、図1と2に示すとおりである。
一方、アルカリ水溶液の方は、1N HClで中和し、
水を蒸発させて式(3)、(4)の化合物の混合物1
8.8gを得た。回収物質の純度は、ガスクロマトによ
る分析の結果 (1) 96.0% (2) 96.5% であった。実施例フローは、つぎのとおりである。 (以下余白)
を行った。その結果、本発明のナフタレン誘導体混合物
は0.1gしか得られなかった。
品、農薬、顔料、染料等の原料として有用な新規ナフタ
レン誘導体をうることができた。
13NMRスペクトル図である。
ンカルバルデヒドのC13NMRスペクトル図である。
これらの図は、いずれも横軸がδ(ppm)、縦軸は強
度である。
Claims (1)
- 【請求項1】 一般式 【化1】 で示される7−ヒドロキシメチル−2−ナフタレンカル
バルデヒド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03261129A JP3115053B2 (ja) | 1991-09-12 | 1991-09-12 | 新規ナフタレン誘導体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03261129A JP3115053B2 (ja) | 1991-09-12 | 1991-09-12 | 新規ナフタレン誘導体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0570385A JPH0570385A (ja) | 1993-03-23 |
| JP3115053B2 true JP3115053B2 (ja) | 2000-12-04 |
Family
ID=17357501
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03261129A Expired - Lifetime JP3115053B2 (ja) | 1991-09-12 | 1991-09-12 | 新規ナフタレン誘導体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3115053B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2808736A2 (en) | 2004-12-24 | 2014-12-03 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Compound for resist and radiation-sensitive composition |
-
1991
- 1991-09-12 JP JP03261129A patent/JP3115053B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2808736A2 (en) | 2004-12-24 | 2014-12-03 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Compound for resist and radiation-sensitive composition |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0570385A (ja) | 1993-03-23 |
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