TW201314989A - 有機發光裝置和其製造方法 - Google Patents

Abstract

在藉由光微影法構圖的多個有機化合物層的端部之中，不位於各發光元件之間的區域中並且位於被第二電極覆蓋的區域中的端部形成為與位於各發光元件之間的端部相比具有更小的傾角。

Description

有機發光裝置和其製造方法

實施例揭露的一個態樣涉及能夠顯示至少兩種不同的顏色的發光裝置，特別是涉及至少包括分別發射不同的顏色的光的第一電致發光(EL)元件和第二有機EL元件的有機電致發光(EL)裝置。

在能夠顯示多種顏色的有機EL裝置的製造方法中，廣泛使用陰影遮罩(shadow mask)以選擇性地在特定的區域中形成發射特定的顏色的發光層。此時，最近需要超過每吋300畫素(ppi)的高清晰度發光裝置，並且，變得越來越難以藉由使用傳統的陰影遮罩製造這種發光裝置。作為能夠小型化的技術，日本專利No.4578026討論了藉由使用光微影法進行構圖而選擇性地形成發光層的方法。

日本專利No.4578026討論了如下的方法，其中藉由光微影法在發光層上形成希望的抗蝕劑圖案，並且藉由濕蝕刻或乾蝕刻去除沒有形成抗蝕劑的區域中的發光層。以這種方式，可以選擇性地形成發光層。與藉由使用陰影遮罩選擇性地形成的發光層的端部相比，在這種方法中構圖的發光層的端部可形成為具有較小的傾斜區域。傾斜區域是膜厚向著膜的端部減小的區域。換句話說，傾斜區域是相對於基板傾斜的區域。

如果藉由使用陰影遮罩形成膜，那麼，依賴於陰影遮 罩與成膜表面之間的距離以及入射到成膜表面上的沉積粒子的入射角，在陰影遮罩的開口處形成的膜端部處形成傾斜區域，該傾斜區域的寬度為形成的膜的厚度的數倍到數十倍。相反，如果藉由使用光微影法和蝕刻將膜構圖，那麼傾斜區域可形成為具有小於等於形成的膜的厚度的寬度。

特別地，如果使用乾蝕刻，那麼，由於可沿相對於基板大致垂直的方向執行蝕刻，因此，膜端部可相對於基板具有60~90度的大的傾角，並且，傾斜區域可形成為具有比膜厚窄的寬度。如果藉由光微影法對在發光裝置的元件區域中佈置的發光層構圖，那麼彼此相鄰的發光層之間的距離會減小。因此，可以密集地佈置有機EL元件。這有利於減小發光裝置的尺寸並提高發光元件的孔徑比。在一個實施例中，元件區域意味著形成多個顯示相關的有機EL元件的區域。另外，形成的膜的厚度意味著在除傾斜區域以外的多個位置測量的膜厚的平均值。

藉由事先設置在元件區域外的外部連接端子從外部電源供給用於驅動發光裝置的電力。藉由佈線電連接用於外部連接端子和有機EL元件的兩個電極。可在佈線中設置諸如電晶體的開關元件，只要用於外部連接端子和有機EL元件的兩個電極可在必要時被電連接即可。一般地，佈線和在發光層被構圖之後形成的第二電極藉由接觸部分電連接。藉由去除高電阻材料(諸如在佈線層上形成的發光層的高電阻材料)，在元件區域之外形成接觸部分。另外，從外部連接端子的表面去除諸如發光層的有機材料， 使得外部連接端子與外部電源電連接。有機材料也被去除為使得經去除的區域包圍發光區域，從而從外部向有機EL元件的濕氣侵入路徑被切斷。

如果在對元件區域內的發光層構圖的同時去除元件區域外(諸如接觸部分)的發光層，那麼可有利地簡化製造過程。但是，元件區域外側和內側的發光層的端部在相同的條件下被蝕刻，端部與元件區域內側類似地形成為相對於基板具有大的傾角。如果在上面要形成第二電極的表面上存在相對於基板具有大的傾角的區域，那麼第二電極可能是斷開的，或者第二電極的膜厚可被變薄，從而電阻會增加。特別地，當第二電極藉由高方向性沉積方法被形成或者形成為具有薄的膜厚時，如果在上面形成第二電極的表面上存在具有大至90度的傾角的區域，那麼第二電極很可能具有高的電阻。如果第二電極斷開或者膜厚被變薄，那麼從第二電極藉由發光元件流向佈線層的電流經受高的佈線電阻。因此，導致各種問題。在一些情況下，發光裝置不接通。在其他的情況下，發光裝置表現諸如陰影的發光不良或者經受電壓升高。

實施例揭露的一個態樣針對在利用諸如畫素尺寸減小和孔徑比提高的光微影法的優點的同時，使得包含藉由光微影法構圖的發光層的發光裝置可避免表現出發光不良或經受電壓升高，該發光不良或電壓升高可歸因於例如第二 電極的斷開或電阻增加。

根據本發明的一個態樣，提供一種發光裝置，該發光裝置包括基板，在該基板上形成外部連接端子和與外部連接端子電連接的佈線層，以及其中形成多個發光元件的元件區域。發光元件中的每一個依次包含第一電極、藉由光微影法構圖的有機化合物層和第二電極。第二電極在多個發光元件中連續形成，並且藉由在元件區域外形成的接觸部分與佈線層電連接。在被構圖的多個有機化合物層的端部之中，不位於發光元件之間並且位於被第二電極覆蓋的區域中的端部具有比位於發光元件之間的任何其他端部的傾角小的傾角。

根據一個實施例的發光裝置包括藉由光微影法構圖的發光層，並且，有機化合物層的不位於有機EL元件之間的端部形成為相對於基板在傾斜區域中具有較小的傾角(以下，稱為傾角)。因此，在利用諸如尺寸減小和孔徑比提高的光微影法的優點的同時，一個實施例可防止可歸因於在元件區域外側的傾斜區域中造成的第二電極的斷開或電阻增加的發光不良或電壓升高。

參照附圖閱讀示例性實施例的以下詳細描述，本發明的其他特徵和態樣將變得清晰。

以下將參照附圖詳細描述實施例的各種示例性實施例、特徵和態樣。

相關技術領域中的傳統技術可被應用於沒有在本說明書中特別例示或描述的態樣。另外，雖然以下將基於以下的示例性實施例描述本案，但是，本案不限於此。在實施例的技術範圍內，可以適當地進行各種修改。

圖1A是例示發光裝置的示意性平面圖，圖1B是例示沿圖1A中的線XI-XII切取的發光裝置的示意性截面圖。在基板10的元件區域12的外側形成外部連接端子15和與外部連接端子15電連接的佈線14。在元件區域12中形成有機EL元件。基板10包含支撐構件、控制有機EL元件的電晶體、包含向電晶體供給信號的控制線和信號線以及連接外部連接端子15與第一電極的佈線的電路層、和覆蓋電路層的絕緣層(基板10的這些構成元件沒有被例示)。與外部佈線電連接的外部連接端子15以及佈線14的與第二電極電連接的部分(接觸部分11)具有其絕緣層被去除的各表面。

對於各有機EL元件在基板10上沿列方向和行方向形成多個第一電極(下電極)21至23。第一電極21至23中的每一個藉由在覆蓋電路層的絕緣層中形成的接觸孔(未例示)與電路層電連接。分別在第一電極21至23上形成至少包含第一到第三發光層的第一到第三有機化合物層31至33。第一到第三發光層中的每一個發射不同顏色的光。因此，藉由使用發射紅色(R)、綠色(G)和藍色(B)的光的層，發光裝置可顯示全色圖像。

跨著多個有機EL元件在第一到第三發光層上連續地 形成第二電極(上電極)70。因此，完成有機EL元件。這裏描述的有機EL元件被配置為包含第一電極、第二電極和夾在第一電極與第二電極之間的有機化合物層。另外，各有機EL元件回應從外部輸入到電路層的信號發光。另外，第二電極70從元件區域12到佈線14的接觸部分11連續形成，並且在接觸部分11處與佈線14電連接。上述的配置使得用於導致有機EL元件發光的電流能夠流經外部連接端子15。

既然包含有機化合物層的有機EL元件由於濕氣而顯著劣化，因此，形成用於防止濕氣從外部侵入元件區域12中的密封層90以覆蓋有機EL元件。另外，由於濕氣可容易地穿透有機材料(諸如有機化合物層的有機材料)，因此，為了防止濕氣藉由有機化合物層從外部穿透元件區域12，有機化合物層需要被去除，使得經去除的區域包圍元件區域12。即，需要消除濕氣穿透路徑。

因此，如果從元件區域12到接觸部分11連續形成第二電極70，那麼第二電極70一定跨著有機化合物層的不位於各有機EL元件之間的端部形成。亦即，不位於各有機EL元件之間的有機化合物層端部的傾角影響電流經由有機EL元件從第二電極70流向佈線層的電流路徑的電阻(有機EL元件與接觸部分11之間的佈線電阻)。

在實施例中，藉由光微影法將各有機化合物層構圖。一般地，當藉由光微影法將膜構圖時，各膜在單次光微影過程中被構圖成希望的圖案。由於在相同的條件下蝕刻這 種膜的所有端部，因此，端部具有大致相同的傾角。在實施例中，如果各有機化合物層在單次光微影過程中形成為希望的圖案，那麼，由於在相同的條件下蝕刻在元件區域12內側和外側形成的有機化合物層的端部，因此，兩個端部均具有大致相同的傾角。即，不管是在元件區域12內側還是外側形成端部，兩個有機化合物層都具有帶有大的傾角的端部。由於在具有大的傾角的這種端部處跨著有機化合物層的端部形成的第二電極70容易斷開或者膜厚變薄，因此，有機EL元件與接觸部分11之間的佈線電阻可增加。

雖然以下將詳細描述使用光微影的有機化合物層構圖方法，但是，如圖1B所示，有機化合物層的位於各有機EL元件之間的傾斜的端部形成為與相鄰的有機EL元件的有機化合物層接觸。由於具有作為第二電極70的斷開或變薄的原因的大的傾角的這種端部不被露出，因此，有機EL元件與接觸部分11之間的佈線電阻在元件區域12內不明顯增加。相對地，由於沒有有機化合物層與有機化合物層的不位於各有機EL元件之間的端部相鄰，因此，該端部在被構圖之後被原樣露出。如上所述，跨著處於元件區域12外側並且不位於各有機EL元件之間的有機化合物端部形成第二電極70。即，由於第二電極70容易在不位於各有機EL元件之間並具有大的傾角的這種端部處斷開或者變薄，因此，可明顯增加有機EL元件與接觸部分11之間的佈線電阻。

基於根據實施例的發光裝置，如圖1B所示，與位於各有機EL元件之間的傾角相比，不位於各有機EL元件之間的有機化合物層端部相對於基板10具有更小的傾角。即使從元件區域12到接觸部分11連續形成第二電極70，以上的配置也防止第二電極70在不位於各有機EL元件之間的有機化合物層端部處斷開或變薄。作為結果，能夠防止有機EL元件與接觸部分11之間的佈線電阻的明顯增加，使得防止發光不良或電壓增加。即，實施例可提供能夠以低功率發射均勻的光的發光裝置。

雖然圖1A和圖1B中的發光裝置包括分別包含不同的發光層的三種類型的有機EL元件，但是，發光裝置可包括兩種類型的有機EL元件或四種或更多種類型的有機EL元件。這裏，“不同的發光層”意味著構成發光層的材料或膜厚中的至少任一種是不同的。

下面，將描述發光裝置製造方法。圖2A至2P是例示發光裝置製造方法的示意性截面圖。為了簡化，圖2A至2P僅例示發光裝置的一部分，即，包含接觸部分11和三個有機EL元件(分別來自三種類型中的每一種)的區域。

以下，將描述用於製造第一電極21、22和23的製程。首先，如圖2A所例示，在基板10上形成第一電極21至23和接觸部分11，該接觸部分11連接與外部連接端子15電連接的佈線14(未例示)和隨後形成的第二電極70。然後，在基板10上形成至少包含第一發光層的第一 有機化合物層31。基板10包含支撐構件、在支撐構件上形成的電路層、在電路層上形成的絕緣層、以及電連接電路層和有機EL元件的接觸孔。可適當地使用諸如玻璃基板的絕緣基板、諸如矽基板的半導體基板或在其表面上具有絕緣層的金屬基板作為支撐構件。

如果發光裝置為頂發射型，那麼，作為第一電極21至23中的每一個，可以適當地使用諸如鋁(Al)、銀(Ag)或這些元素的合金的反射光的金屬材料。作為替代方案，可適當地使用金屬層和諸如銦氧化物的導電氧化物層的多層電極。如果發光裝置為底發射型，那麼需要使用透光的材料作為第一電極。例如，可以適當地使用銦氧化物或銦鋅氧化物。如果發光裝置為底發射型，那麼使用諸如玻璃的透明基材作為支撐基板。

下面，將描述用於製造第一有機化合物層31的製程。在基板10的形成第一電極21至23的元件區域12中形成第一有機化合物層31。可以使用諸如真空沉積方法或旋轉塗敷方法的傳統方法以形成有機化合物層31。如果使用真空沉積方法，那麼可以使用具有與其中形成第一電極21至23的元件區域12對應的開口的區域遮罩，以選擇性地形成有機化合物層31。作為替代方案，可以在不使用遮罩的情況下在整個基板10上形成有機化合物層31。

包含於各有機EL元件中的有機化合物層至少包含發射預定顏色的光的發光層。具體地，有機化合物層包含一個或多個發光層，或者，除了這些發光層以外，有機化合 物層可具有包括另外的層中的至少一個層的多層結構，該另外的層包含電子注入層、電子傳輸層、空穴注入層和空穴傳輸層。為了導致第一到第三有機EL元件31至33顯示相互不同的顏色，需要在第一到第三有機EL元件31至33中包含相互不同的有機化合物層。在實施例中，“相互不同的有機化合物層”意味著在發光層的材料、組成和厚度、用於形成發光層的方法和條件、發光層以外的層的材料、組成和厚度、以及用於形成其他層的方法和條件中的至少一個上相互不同的有機化合物層。例如，如果第一到第三有機化合物層31至33中的每一個形成為具有發光層和功能層的多層結構，那麼在第一到第三有機EL元件之中，可以只有發光層是不同的。在這種情況下，在重複光微影製程以將其中層疊各發光層的第一到第三有機化合物層31至33構圖之後，可以在第一到第三有機EL元件上連續形成第一到第三有機EL元件公共的功能層。

雖然不特別限制由包含於有機化合物層31至33中的每一個中的發光層發射的光的顏色的組合，但是，三種顏色R、G和B的組合是最常見的。

下面，將描述用於將第一有機化合物層31構圖的製程。如圖2B和圖2C所示，在第一有機化合物層31上依次形成第一中間層41和第一抗蝕劑層51。第一中間層41用作保護層，該保護層用於防止第一抗蝕劑層51的抗蝕劑材料中包含的溶劑其及抗蝕劑顯影劑影響第一有機化合物層31。另外，在隨後的製程中，第一中間層41還用作 用於藉由溶解第一中間層41去除在第一中間層41上形成的層的層。因此，需要選擇適當的材料作為第一中間層41，使得第一中間層41防止第一抗蝕劑層51的抗蝕劑材料中包含的溶劑其及抗蝕劑顯影劑侵入第一有機化合物層31中，並使得用於去除第一中間層41的溶液不影響第一有機化合物層31。

例如，水溶性聚合物或水溶性無機塩可被用作第一中間層41，以用作用於去除在第一中間層41上形成的層的層。但是，如果例如第一中間層41由水溶性材料製成，例如，那麼存在如下擔心，即第一中間層41可能在形成第一抗蝕劑層51的製程中或在顯影製程中溶解或膨脹。因此，第一中間層41可被製成為具有水溶性材料的層和保護水溶性材料的層免受製程的層的多層結構。在接近第一有機化合物層31的一側形成水溶性材料的層。可以使用水溶性材料作為水溶性材料層的保護層。具體而言，可適當地使用矽氧化物或矽氮化物。

例如，可藉由諸如旋轉塗敷方法或浸漬塗敷方法的塗敷方法形成第一中間層41的水溶性聚合物的層。例如，可藉由塗敷方法或真空沉積方法形成第一中間層41的水溶性無機塩的層。依賴於用於形成層的材料，可從傳統的方法中選擇適當的方法。如果形成不溶於水的材料的層，那麼除塗敷方法以外，可從諸如真空沉積方法、濺射方法、和化學氣相沉積(CVD)方法的各種傳統的方法中選擇適當的真空成膜方法。

如果第一有機化合物層31不可溶於第一抗蝕劑層51的抗蝕劑材料中包含的溶劑及其抗蝕劑顯影劑，那麼可以省略第一中間層41的形成。這同樣適於其他有機化合物層的光微影製程。

可對於第一抗蝕劑層51使用傳統的感光材料。雖然在圖2A至2P所例示的製造方法中使用正性抗蝕劑，但是，作為替代，可以使用負性抗蝕劑。可藉由諸如旋轉塗敷方法、浸漬塗敷方法、或噴墨方法的傳統的方法形成第一抗蝕劑層51。

然後，如圖2D所示，藉由用於遮蔽形成第一電極21的區域的第一光遮罩61，用紫外線60照射基板10。作為結果，與不形成第一電極21的殘留區域對應的第一抗蝕劑層51被曝光。如果第一抗蝕劑層51是負性抗蝕劑，那麼使用具有與形成第一電極21的區域對應的開口的光遮罩。

然後，在曝光之後，如圖2E所示，基板10被浸泡於顯影劑中以去除與曝光區域對應的第一抗蝕劑層51。然後，藉由使用殘留的第一抗蝕劑層51作為遮罩，如圖2F所示，與去除了第一抗蝕劑層51的區域對應的第一中間層41和第一有機化合物層31被蝕刻和去除。只要不影響在第一電極21上形成的第一有機化合物層31，就可同時去除用作遮罩的殘留的第一抗蝕劑層51及位於其下面的第一中間層41的部分。

可藉由使用用於溶解第一有機化合物層31的溶劑的 濕蝕刻或藉由使用與第一有機化合物層31的材料起反應的氣體的乾蝕刻，來蝕刻第一有機化合物層31。但是，如果藉由使用溶劑的濕蝕刻來蝕刻第一有機化合物層31，那麼第一抗蝕劑層51下面的第一有機化合物層31的側面也被蝕刻至一定程度。因此，非常少地蝕刻第一有機化合物層31的側面的乾蝕刻是更合適的。由於乾蝕刻允許第一有機化合物層31的端部具有更大的傾角，因此，乾蝕刻是更合適的。

下面，將描述用於形成第二有機化合物層32的製程。如圖2G所示，至少在第一電極22上形成包含第二發光層的第二有機化合物層32，而在構圖的第一有機化合物層31上留下第一中間層41。可以如第一有機化合物層31的情況那樣形成第二有機化合物層32。由於第二有機化合物層32形成為覆蓋第一有機化合物層31的端部，因此，第一有機化合物層31和第二有機化合物層32的位於第一和第二有機EL元件之間的端部相互接觸。作為結果，不直接露出第一有機化合物層31的傾角大的端部。

下面，描述用於將第二有機化合物層32構圖的製程。如圖2H所示，上面形成了第二有機化合物層32的基板10被浸泡於第一中間層41的溶劑中，以將第一中間層41與在其上形成的第二有機化合物層32一起去除。作為結果，在第一電極21上形成第一有機化合物層31，並且，在其他的第一電極22和23上形成第二有機化合物層32。

然後，如圖2I所示，在第一有機化合物層31和第二有機化合物層32上形成第二中間層42。然後，如圖2J所示，在第二中間層42上形成正型第二抗蝕劑層52。第二中間層42的材料和用於形成第二中間層42的方法與第一中間層41的那些類似。如果第一有機化合物層31和第二有機化合物層32不可溶於第二抗蝕劑層52的溶劑及其顯影劑中，那麼可以省略第二中間層42的形成。

然後，如圖2K所示，藉由遮蔽形成第一電極21和第二電極22的區域的第二光遮罩62用紫外線60照射基板10。作為結果，在除形成第一電極21和第二電極22的區域以外的區域中形成的第二抗蝕劑層52被曝光。然後，如圖2L所示，基板10被浸泡於顯影劑中，以去除在曝光的區域殘留的第二抗蝕劑層52。然後，如圖2M所示，使用殘留的第二抗蝕劑層52作為遮罩，以在已去除了第二抗蝕劑層52的區域中去除第二中間層42和第二有機化合物層32。可以如第一有機化合物層31的情況那樣去除第二有機化合物層32。只要第一電極21和第二電極22上的第一有機化合物層31和第二有機化合物層32不受影響，就可同時去除用作遮罩的殘留的第二抗蝕劑層52及在其下面的第二中間層42的部分。

以下，將描述用於製造第三有機化合物層33的製程。然後，如圖2N所示，在第一電極23上形成包含第三發光層的第三有機化合物層33。在本示例性實施例中，如圖2A至2P所示，由於最後形成的第三有機化合物層 33不位於各有機EL元件之間，因此，第三有機化合物層33具有不與其他有機化合物層接觸的端部。因此，藉由使用遮罩65的真空沉積方法形成第三有機化合物層33，使得，第三有機化合物層33的不位於各有機EL元件之間的端部與藉由光微影法構圖的端部相比具有更小的傾角。具體而言，製備具有與元件區域12對應的開口的遮罩65，對準遮罩65和基板10，使得遮罩65的開口的端部位於接觸部分11與元件區域12之間，並且，執行真空沉積方法以形成第三有機化合物層33。

一般地，在使用遮罩的真空成膜方法中，成膜粒子進入在遮罩與成膜表面之間形成的間隙，並且，依賴於遮罩與成膜表面之間的距離以及附著於成膜表面的成膜粒子的入射角，形成傾斜區域，該傾斜區域具有在遮罩65的開口的端部附近逐漸減小的膜厚。因此，藉由調整遮罩與成膜表面之間的距離和附著於成膜表面的成膜粒子的入射角，可以控制有機化合物層的端部的傾角。另外，如果使用遮罩，那麼不在不必要的區域中形成第三有機化合物層33。因此，由於元件免受經由任何有機化合物層從外側進入元件區域12中的濕氣侵入的影響，因此，可以省略去除有機化合物層以使得經去除的區域包圍元件區域12的製程。

由於第三有機化合物層33形成為覆蓋第一有機化合物層31和第二有機化合物層32的端部，因此，位於第一/第二和第三有機EL元件之間的各發光層的端部相互接觸 。即，沒有具有大的傾角的端部被露出。

將描述用於將第三有機化合物層33構圖的製程。如圖2O所示，上面已形成了第三有機化合物層33的基板10被浸入第二中間層42的溶劑中，以溶解在第一電極21和22上形成的第二中間層42並去除在其上面形成的第三有機化合物層33。

將描述用於製造第二電極70的製程。最後，如圖2P所示，在第一到第三有機化合物層31至33上形成延伸到多個有機EL元件和接觸部分11的第二電極70。以這種方式，完成有機EL元件。

由於第三有機化合物層33的不位於各有機EL元件之間並且上面形成第二電極70的端部的傾角保持與藉由使用遮罩形成的端部類似，因此，如圖2P所示，端部具有比位於各有機EL元件之間的端部小的傾角。即，在被構圖的有機化合物層31至33的端部之中，第三有機化合物層33的不位於各有機EL元件之間並且在上面形成第二電極70的端部被形成為具有比位於各有機EL元件之間的任何其他端部的傾角小的傾角。圖2P所示的區域以外的區域包含不位於各有機EL元件之間並且上面形成第二電極70的這種端部。但是，不是這些區域中的所有的端部都需要具有比位於各有機EL元件之間的任何其他端部的傾角小的傾角。只需要端部的一部分具有較小的傾角。另外，如圖2P所示，如果沿上面形成接觸部分11的側面定位的有機化合物層33的端部具有較小的傾角，那麼 可有利地減小佈線電阻。但是，這不是必要條件。只需要元件區域12和接觸部分11至少在一個部分被電連接以及有機EL元件與接觸部分11之間的佈線電阻足夠小。

因此，可藉由使用遮罩的真空沉積方法形成第一有機化合物層31或第二有機化合物層32並藉由蝕刻將其構圖，使得藉由真空成膜法形成的有機化合物層的端部的至少一部分在不處於各有機EL元件之間的區域中原樣保留。

使用遮罩的真空沉積方法是合適的，原因是可在不增加製程的數量的情況下使得有機化合物層的不位於各有機EL元件之間的端部的傾角更小。

基於發光裝置，由於有機化合物層的位於各有機EL元件之間的端部與相鄰的端部接觸，因此，不形成具有大的傾角的區域。另外，由於第三有機化合物層33的不位於各有機EL元件之間的端部具有較小的傾角，因此，不存在第二電極70斷開或變薄的問題。作為結果，防止第二電極70與接觸部分11之間的第二電極70的片電阻增加，並且，發光裝置不表現出發光不良或經受電壓增加。

當製造包括四種類型的有機化合物層的發光裝置即包括具有第四有機化合物層的有機EL元件的有機EL裝置時，可以增加與圖2G至2M所示的製程類似的製程。因此，可以製造該發光裝置。當製造包括兩種類型的有機化合物層的有機EL裝置時，可以省略圖2G至2M所示的製程。

因此描述了發光裝置製造方法。但是，作為替代方案 ，可藉由調整乾蝕刻製程條件形成不位於各有機EL元件之間的有機化合物層端部的傾角。下面，將參照圖3A至3H描述另一製造方法。不重複描述與圖2A至2P所示的製造方法的那些態樣相同的態樣。以下的描述將集中於與以上的製造方法不同的態樣。另外，圖3A至3H中的與圖2A至2P中的構件相同的構件由相同的數字表示，並且，將避免其重複的描述。

使用圖2A至2M中的製造方法，直到形成第二有機化合物層32。在曝光第一電極23之後，與圖2M至2P中的製造方法不同，不使用沉積遮罩。作為替代，如圖3A所示，在整個基板10上形成第三有機化合物層33。然後，如圖3B所示，形成在第一電極21和22上的第三有機化合物層33被與第二中間層42一起去除。

然後，如圖3C所示，形成第三中間層43和第三抗蝕劑層53，並且，如圖3D所示，藉由遮蔽元件區域12的遮蔽區域63(第三光遮罩)用紫外線60照射基板10。然後，如圖3E所示，在顯影劑中浸泡基板10，以顯影曝光區域中的第三抗蝕劑層53並去除包圍元件區域12的區域處的以及在接觸部分11上的第三抗蝕劑層53。

然後，如圖3F所示，藉由使用殘留的第三抗蝕劑層53作為遮罩，藉由乾蝕刻去除第三中間層43和第三有機化合物層33。例如，藉由調整乾蝕刻製程中的壓力，要構圖的有機化合物層的端部可形成為具有小的傾角。

在第三有機化合物層33被構圖之後，如圖3G所示 ，第三中間層43被溶解和去除。最後，如圖2A至2P中那樣，如圖3H所示，形成第二電極70。以這種方式，完成發光裝置。在圖3G中，已藉由先前的乾蝕刻製程蝕刻和去除了第三抗蝕劑層53。但是，即使在乾蝕刻製程之後仍殘留第三抗蝕劑層53，也可在溶解和去除第三中間層43的同時去除第三抗蝕劑層53。

圖3A至3H中的製造方法的製程的數量比圖2A至2P中的製造方法中的製程多。但是，與圖2A至2P中的製造方法相比，可更精確地控制有機化合物層的端部的位置和角度。因此，可使傾斜的端部的寬度變窄，使得可以減小周邊區域或框架。

在單次構圖製程中形成的有機化合物層的端部形成為在平面的任何位置具有大致相同的傾角。因此，可使用各位置中的代表性的一個位置的傾角作為傾角。如果傾角依賴於構圖條件改變，那麼可以使用多個位置處的傾角的平均值。如圖5所示，如果有機化合物層24的端部處的傾角不是恒定的，那麼，在傾斜部分上的各點處的相對於基板10的切線的角度之中，最大的傾角被用作傾角。在圖5中，使用傾角θ1作為有機化合物層24的傾角。

在第一到第三有機化合物層31至33被構圖之後並且在形成第二電極70之前，可另外在元件區域12上層疊連續的公共的有機化合物層。在這種情況下，有機化合物層端部表示包含原來的有機化合物層和層疊於其上面的最頂部的有機化合物層的端部的端部，並且，使用最大的傾角 作為端部的傾角。可藉由諸如聚焦離子束(FIB)製程的傳統的方法露出這種有機化合物層端部的截面，並且，可藉由諸如掃描電子顯微術(SEM)的傳統的方法觀察和檢查傾角。

下面，將描述發光裝置中的有機化合物層的構圖佈局。圖4A至4D是例示有機化合物層的佈局的示意性平面圖。在圖4A至4D中，虛線81代表有機化合物層的不位於有機EL元件之間並且具有比位於各有機EL元件之間的任何其他端面的最大傾角小的最大傾角的端面。

在圖4A中，分別被第一和第二構圖的第一有機化合物層31和第二有機化合物層32被條帶狀構圖，它們中的每一個連接沿某方向佈置的多個第一電極(未例示)。由於藉由使用光微影法的乾蝕刻將第一有機化合物層31和第二有機化合物層32的所有端部構圖，因此，端部具有大的傾角。最後構圖的第三有機化合物層33形成為比元件區域12大，並且，第三有機化合物層33的最外面的整個周界處的端部具有比位於各有機EL元件之間的任何其他端部的傾角小的傾角。因此，允許電流沿所有方向藉由第二電極70流向接觸部分11。可藉由使用具有比元件區域12大的開口的沉積遮罩的真空沉積方法形成第三有機化合物層33並且執行構圖以使得膜的最外周邊處的端部保留，實現以上的平面佈局。以這種方式，可以在不增加製程的數量的情況下製造發光裝置。

在圖4B中，與圖4A同樣，第一有機化合物層31和 第二有機化合物層32被條帶狀構圖，並且，其所有的端部具有大的傾角。但是，與圖4A中的佈局不同，在第三有機化合物層33的不位於各有機EL元件之間的四個端部之中，沿一個邊的端部具有比位於各有機EL元件之間的任何其他端部的傾角小的傾角。即，沿一個方向確保流過第二電極70的電流的路徑。藉由該平面佈局，在第三有機化合物層33的不位於各有機EL元件之間的端部之中，除被用作電流路徑的端部以外的端部可形成為具有大的傾角。因此，可以減小佔據周邊的第三有機化合物層33的傾斜區域，並且，可減小元件區域12與接觸部分11之間的距離。因此，可以減小不佈置有機EL元件的區域、即被稱為框架區域的有機EL元件周圍的區域。可選擇任意的邊作為具有小的傾角的邊。在圖4B中，只有一個邊具有小的傾角。但是，由於至少一個邊需要具有小的傾角，因此，多個邊可具有小的傾角。如圖4B所示，如果至少接觸部分11附近的端部的邊具有小的傾角，那麼可特別減小有機EL元件與接觸部分11之間的佈線電阻。因此，圖4B中的佈局是特別合適的。也可藉由使用具有比元件區域12大的開口的沉積遮罩的真空沉積方法形成第三有機化合物層33並藉由執行構圖使得當構畫素件時用作電流路徑的邊上的端部原樣保留，實現以上的平面佈局。

在圖4C中，連接沿列佈置的多個第一電極21至23的條帶狀構圖的有機化合物層31至33中的每一個的端 部具有比位於各有機EL元件之間的任何其他端部的傾角小的傾角。與以上的佈局不同，藉由光微影製程構圖的條帶狀有機化合物層之間的端部中的每一個不被相鄰的有機化合物層覆蓋。事實上，端部被露出。

可藉由設定元件區域12與接觸部分11之間的沉積遮罩的開口的端部、藉由真空沉積方法在整個元件區域12中形成各有機化合物層並且執行構圖使得藉由沉積方法形成的膜的端部原樣保留作為不位於有機EL元件之間的端部，實現該平面佈局。例如，在第二有機化合物層32的情況下，在圖2H的製程中不藉由使用第一中間層41去除第二有機化合物層32。事實上，可以如第一有機化合物層那樣藉由使用光微影法去除第一電極22上的第二有機化合物層32，同時留下第一中間層41。但是，需要在保護藉由沉積方法形成的膜端部的預定位置不被蝕刻的同時將有機化合物層構圖。另外，需要確保用於電流藉由第二電極70流向接觸部分11的路徑。

如果在被構圖的第一到第三有機化合物層上形成第二電極70，那麼由於位於其他的有機化合物層之間的有機化合物層的端部具有大的傾角，因此，第二電極70可能斷開或者第二電極70的電阻可能增加。但是，藉由圖4C中的該佈局，由於在沿一個方向佈置的多個第一電極上連續形成各有機化合物層，因此，第二電極70不具有諸如沿一個方向的斷開的問題。因此，可以確保向接觸部分11的電流路徑。

在圖4D中，對於各有機EL元件根據第一電極將有機化合物層中的每一個構圖。各有機化合物層被形成為使得藉由圖2A至2P所示的製造方法構圖並且位於有機EL元件之間的有機化合物層端部至少沿一個方向與相鄰的有機EL元件的有機化合物層接觸。與圖4A同樣，藉由設定元件區域12與接觸部分11之間的沉積遮罩的開口的端部並藉由執行真空沉積方法，在整個元件區域12上形成第三有機化合物層。然後，藉由執行構圖使得藉由沉積遮罩形成的膜的最外周邊處的端部原樣保留，可以確保用於電流藉由第二電極12流向接觸部分11的路徑。如上所述，實施例可被修改以被應用於各種佈局的有機EL裝置。

下面，將詳細描述製造有機發光裝置的例子。

首先，將描述第一示例性實施例。在本示例性實施例中，與圖2A至2P所示的製造方法同樣，藉由使用沉積遮罩的真空沉積方法形成有機化合物層的不位於有機EL元件之間並且位於形成第二電極70的區域中的端部的傾角。在本示例性實施例中，製造的有機EL裝置具有與圖1A和圖1B中的配置類似的配置，並且可顯示R、G和B多種顏色。

使用玻璃板作為基板10，並且，事先在玻璃板上形成電路層，該電路層包含使用電晶體(Tr)的電路、在電路上形成的層間絕緣層以及電連接電路層和佈線層的接觸孔。在基板10的上面形成電路層的整個表面上，形成作為佈線層的Al，並且藉由光微影製程將其構圖成預定的 形狀。在佈線層的頂部上，藉由使用旋轉塗敷器形成用作絕緣層(平坦化膜)的聚醯亞胺樹脂並且藉由光微影製程將其構圖。隨後，在絕緣層中形成接觸孔。同時，接觸部分11和外部連接端子15的表面被露出。

然後，作為第一電極層，藉由使用濺射方法形成Al和銦錫氧化物(ITO)的膜，並且，藉由光微影製程形成對於各有機EL元件分割的多個第一電極21至23。Al和ITO分別形成為具有100nm和30nm的膜厚。

藉由使用不可溶於水中的已知材料，在上面形成第一電極21至23的基板10的整個表面上，藉由真空沉積方法，依次層疊第一空穴傳輸層、發射藍光的第一發光層和第一電子傳輸層。以這種方式，形成第一有機化合物層31。

然後，形成用於保護第一有機化合物層31的第一中間層41。第一中間層41形成為水溶性聚合物膜和矽氮化物膜的多層結構。首先，藉由旋轉塗敷方法施加聚乙烯吡咯烷酮溶液。然後，在退火之後，形成1μm的水溶性聚合物膜，並且，藉由CVD方法在其上面形成1μm的矽氮化物膜。

然後，在藉由旋轉塗敷方法將由AZ Electronic Materials plc.製造的正性光致抗蝕劑材料“AZ 150”施加到整個第一中間層41上之後，執行退火。作為結果，如圖2C所示，形成具有1000nm的膜厚的第一光致抗蝕劑層51。

然後，為了將第一抗蝕劑層51構圖，使用由Canon Inc.製造的曝光裝置“MPA 600”。另外，使用第一光遮罩61以遮蔽第一電極21之上的區域。以這種方式，用紫外線60照射基板10以將其曝光。曝光時間為40秒。

在曝光之後，在顯影劑(由AZ Electronic Materials plc.製造的“312 MIF”的50%溶液)中將基板10浸泡和顯影1分鐘。即，用紫外線60照射的區域中的第一抗蝕劑層51被浸泡在顯影劑中並溶解，以將第一抗蝕劑層51構圖。作為結果，如圖2E所示，僅在與第一光遮罩61的遮蔽區域對應的第一電極21之上的區域中殘留第一抗蝕劑層51。

上面殘留第一抗蝕劑層51的基板10被載入在乾蝕刻裝置中，以去除從中已去除第一抗蝕劑層51的區域中的第一中間層41和第一有機化合物層31。在乾蝕刻製程中，對於第一中間層41的矽氮化物層，使用四氟化碳(CF₄)作為反應氣體。對於第一中間層41和第一有機化合物層31的水溶性聚合物層，使用氧氣作為反應氣體。另外，在以下的條件下實施乾蝕刻製程：流率為20標準立方釐米每分鐘(sccm)；壓力為8帕(Pa)；輸出為150瓦(W)；和時間為5分鐘。在以上的乾蝕刻製程中，蝕刻也在殘留第一抗蝕劑層51的區域中進行，並且，作為結果，第一抗蝕劑層51和第一中間層41的一部分被去除。因此，如圖2F所示，第一電極22和23的表面被露出。

與第一有機化合物層31的情況同樣，在上面形成第 一電極21至23的基板10的整個表面上藉由真空沉積方法形成第二有機化合物層32。第二有機化合物層32形成為由與第一空穴傳輸層的材料相同的材料形成的第二空穴傳輸層(膜厚：150nm)和由不可溶於水中的傳統的綠色發光材料形成的第二發光層(膜厚：20nm)的多層結構。

將上面形成第二有機化合物層32的基板10浸泡於水中10分鐘以溶解水溶性聚合物層，並且，與第一電極21之上的第一中間層41一起去除第二有機化合物層32。作為結果，如圖2H所示，在第一電極21上形成第一有機化合物層31，並且，在第一電極22和23上形成第二有機化合物層32。

然後，與第一中間層41的情況同樣地，如圖2I所示，在整個基板10上形成作為水溶性聚合物層和矽氮化物層的多層結構的第二中間層42。然後，與第一抗蝕劑層51的情況同樣，如圖2J所示，在整個基板10上的第二中間層42上形成第二抗蝕劑層52。然後，與第一抗蝕劑層51的情況同樣，如圖2K所示，使用第二光遮罩62以遮蔽第一電極21和22之上的區域並將基板10曝光。然後，基板10在顯影劑中被浸泡和顯影1分鐘。被紫外線60照射的區域中的第二抗蝕劑層52在顯影劑中被浸泡和顯影。作為結果，如圖2L所示，僅在與第二光遮罩62的遮蔽區域對應的第一電極21和22之上的區域中殘留第二抗蝕劑層52。

藉由使用殘留的第二抗蝕劑層52作為遮罩，實施乾 蝕刻以去除其中第二抗蝕劑層52被去除的區域中的第二中間層42和第二有機化合物層32。使用與用於去除第一有機化合物層31的蝕刻條件相同的蝕刻條件。因此，如圖2M所示，露出第一電極23。

然後，與第一有機化合物層31和第二有機化合物層32的情況同樣，藉由真空沉積方法在包含元件區域12的區域中形成第三有機化合物層33。在藉由具有比元件區域12大的開口的沉積遮罩遮蔽接觸部分11的同時形成第三有機化合物層33。第三有機化合物層33被形成作為由與第一空穴傳輸層相同的材料形成的第三空穴傳輸層(膜厚：20nm)和由傳統的紅色發光材料形成的第三發光層(膜厚：30nm)的多層結構。

然後，將上面形成第三有機化合物層33的基板10浸泡於水中10分鐘以溶解水溶性聚合物。以這種方式，去除第一電極21和22上的第二中間層42和第三有機化合物層33。因此，如圖2O所示，分別在第一電極21至23上形成第一到第三有機化合物層31至33。

然後，如圖2P所示，在被構圖的第一到第三有機化合物層31至33上形成從元件區域12到接觸部分11連續的第二電極70。藉由濺射方法由具有20nm的厚度的銀-鎂(Ag-Mg)合金膜形成第二電極70。最後，在用於遮蔽的外部連接端子15以外的區域上，藉由CVD方法形成矽氮化物膜。因此，完成根據第一示例性實施例的有機EL裝置。

當驅動形成的有機EL裝置時，既沒有出現第二電極70的斷開也沒有出現第二電極70的電壓升高。獲取適當的多顏色發光。另外，藉由電子顯影鏡觀察這些有機EL元件的截面，以在多個位置評價有機化合物層的端部的傾角。第一到第三有機化合物層的分別位於各有機EL元件之間的端部具有平均約85度的傾角。第三有機化合物層的不位於各有機EL元件之間的端部具有平均約30度的傾角。第二電極70不具有明顯變薄或斷開的部分。

下面，將描述第二示例性實施例。在本示例性實施例中，藉由乾蝕刻控制有機化合物層的不位於各有機EL元件之間並且位於形成第二電極70的區域中的端部的傾角。

首先，與第一示例性實施例同樣，執行圖2中的製造方法，直到如圖2M所示的那樣形成露出的第一電極23。

然後，如圖3A所示，藉由不使用沉積遮罩的真空沉積方法在其上露出第一電極23的整個基板10上形成第三有機化合物層33。然後，與第一示例性實施例同樣地，將上面形成第三有機化合物層33的基板10浸泡於水中以溶解水溶性聚合物層。如圖3B所示，與第一電極21和22上的第二中間層42一起去除第三有機化合物層33。

然後，如圖3C所示，在第一到第三有機化合物層31至33上形成由水溶性聚合物層和矽氮化物層的兩個層形成的第三中間層43，並且，在其上面形成第三抗蝕劑層53。然後，如圖3D所示，藉由使用遮蔽元件區域12並在包含接觸部分11的區域13中具有開口的第三光遮罩 63曝光第三抗蝕劑層53，並且，如圖3E所示，藉由顯影製程去除不被第三光遮罩63遮蔽的周邊區域中的第三抗蝕劑層52。

然後，如圖3F所示，藉由乾蝕刻去除已去除第三抗蝕劑層53的區域中的第三中間層43和第三有機化合物層33。調整乾蝕刻製程的條件，使得第三抗蝕劑層53具有平緩(gradual)傾角。具體而言，除了在使用氧氣作為反應氣體的乾蝕刻製程中壓力為30Pa以外，使用與第一示例性實施例相同的條件。

在乾蝕刻之後，藉由將基板10浸泡於水中並溶解第三中間層43的水溶性聚合物層，去除第三中間層43。然後，形成具有20nm的膜厚並從元件區域12到接觸部分11連續的Ag-Mg合金作為第二電極70。最後，使用玻璃帽(未例示)用於密封，並且，完成能夠發射全色光的有機EL裝置。

藉由經由外部連接端子15供給電壓和信號，驅動完成的有機EL裝置。作為結果，既沒有出現第二電極70的斷開，也沒有出現第二電極70的電壓升高，並且，獲取適當的三種顏色的發光。

另外，當觀察有機EL裝置的截面時，第一到第三有機化合物層31至33的分別位於各有機EL元件之間的端部具有約85度的最大傾角。另外，在第三有機化合物層的均不位於各有機EL元件之間的端部之中，藉由乾蝕刻製程被構圖的端部具有約60度的最大傾角。

接下來，將描述第三示例性實施例。除了在Ag-Mg合金被形成為第二電極70之前，在第一到第三有機化合物層31至33的整個表面上形成具有20nm的膜厚的傳統電子注入層作為公共有機化合物層之外，如第一示例性實施例中那樣製造有機EL裝置。當完成的有機EL裝置被驅動時，既沒有出現第二電極70的斷開，也沒有出現第二電極70的電壓升高，並且，獲取適當的三種顏色的發光。

另外，當觀察此有機EL裝置在多個位置處的截面時，第一到第三有機化合物層31到33的均位於各有機EL元件之間的端部具有約85度的最大傾角，並且被相鄰的有機化合物層覆蓋。另外，電子注入層被堆疊在第三有機化合物層的均沒有位於各有機EL元件之間的端部中的每一個上。該表面層具有與第三有機化合物層33的端部的傾角類似的傾角，並且具有約30度的最大傾角。

雖然已參照示例性實施例說明了本案，但應理解，本案不限於所揭露的示例性實施例。以下的各請求項的範圍應被賦予最寬泛的解釋以包含所有的變更方式、等同的結構和功能。

10‧‧‧基板

11‧‧‧接觸部分

12‧‧‧元件區域

13‧‧‧區域

14‧‧‧佈線

15‧‧‧外部連接端子

21‧‧‧第一電極(下電極)

22‧‧‧第一電極(下電極)

23‧‧‧第一電極(下電極)

24‧‧‧有機化合物層

31‧‧‧第一有機化合物層

32‧‧‧第二有機化合物層

33‧‧‧第三有機化合物層

41‧‧‧第一中間層

42‧‧‧第二中間層

43‧‧‧第三中間層

51‧‧‧第一抗蝕劑層

52‧‧‧第二抗蝕劑層

53‧‧‧第三抗蝕劑層

60‧‧‧紫外線

61‧‧‧第一光遮罩

62‧‧‧第二光遮罩

63‧‧‧第三光遮罩(遮蔽區域)

65‧‧‧遮罩

70‧‧‧第二電極

81‧‧‧虛線

90‧‧‧密封層

θ1‧‧‧傾角

包含於說明書中並構成其一部分的附圖例示示例性實施例、實施例的特徵和態樣，並與描述一起用於解釋本案。

圖1A和圖1B是例示發光裝置的示意圖。

圖2A、圖2B、圖2C、圖2D、圖2E、圖2F、圖2G、圖2H、圖2I、圖2J、圖2K、圖2L、圖2M、圖2N、圖2O和圖2P是簡單例示製造方法的示意性截面圖。

圖3A、圖3B、圖3C、圖3D、圖3E、圖3F、圖3G和圖3H是簡單例示另一製造方法的示意性截面圖。

圖4A、圖4B、圖4C和圖4D是例示根據本發明的佈局的示意性平面圖。

圖5例示有機化合物層的端部的傾角。

10‧‧‧基板

11‧‧‧接觸部分

12‧‧‧元件區域

14‧‧‧佈線

15‧‧‧外部連接端子

21‧‧‧第一電極(下電極)

22‧‧‧第一電極(下電極)

23‧‧‧第一電極(下電極)

31‧‧‧第一有機化合物層

32‧‧‧第二有機化合物層

33‧‧‧第三有機化合物層

70‧‧‧第二電極

81‧‧‧虛線

90‧‧‧密封層

Claims (13)

1. 一種有機電致發光(EL)裝置，包括：多個有機EL元件，每個有機EL元件包含在基板上的預定區域中依次層疊的第一電極、至少包含發光層的有機化合物層、和第二電極；和佈線，包含佈置於基板上的該預定區域外側的外部連接端子、和電性連接至該外部連接端子的接觸部分，其中，該第一電極對於每個有機EL元件被分割，其中，該有機化合物層對於每個有機EL元件或每多個有機EL元件被分割，並且，其中，該第二電極是對於該多個有機EL元件公共設置的，並且藉由該接觸部分而電連接至該佈線，並且，其中，在有機化合物層的端部之中，與有機化合物層的位於各有機EL元件之間的端部相比，有機化合物層的不位於各有機EL元件之間並且位於設置第二電極的區域中的端部相對於基板具有更小的傾角。
2. 根據申請專利範圍第1項的有機EL裝置，其中，與有機化合物層的位於各有機EL元件之間的端部相比相對於基板具有更小的傾角的有機化合物層的端部被佈置於該預定區域與接觸部分之間。
3. 根據申請專利範圍第1項的有機EL裝置，還包括包含相互不同的發光層的多種類型的有機EL元件，其中，有機EL元件沿列方向和行方向被佈置，並 且，其中，沿行方向或列方向彼此相鄰的被分割的有機化合物層包含相互不同的發光層。
4. 根據申請專利範圍第1項的有機EL裝置，其中，在其中有機化合物層的位於各有機EL元件之間的端部相對於基板傾斜的區域具有比有機化合物層的膜厚小的寬度。
5. 根據申請專利範圍第1項的有機EL裝置，其中，有機化合物層的位於各有機EL元件之間的端部被相鄰的有機化合物層覆蓋。
6. 根據申請專利範圍第1項的有機EL裝置，其中，有機化合物層的位於各有機EL元件之間的端部由光微影法形成。
7. 根據申請專利範圍第1項的有機EL裝置，其中，有機化合物層的不位於各有機EL元件之間的端部藉由使用遮罩的真空沉積方法形成。
8. 一種根據申請專利範圍第1項的有機EL裝置的製造方法，該方法包括：執行用於製備上面形成外部連接端子、佈線、和多個第一電極的基板的第一操作；執行用於選擇性地在多個第一電極中的一部分上形成第一有機化合物層的第二操作；執行用於在多個第一電極之中的上面不形成第一有機 化合物層的第一電極上形成包含與第一有機化合物層的發光層不同的發光層的第二有機化合物層的第三操作；和執行用於在包含第一有機化合物層和第二有機化合物層以及接觸部分的區域中形成第二電極的第四操作，其中，第二操作包含藉由光微影法將第一有機化合物層構圖，和其中，第三操作包含藉由使用具有與佈置多個第一電極的區域對應的開口的遮罩形成第二有機化合物層。
9. 根據申請專利範圍第8項的有機EL裝置製造方法，其中，第二操作包含在上面形成多個第一電極的基板上依次形成第一有機化合物層和中間層，藉由光微影法在多個第一電極中的一部分上形成抗蝕劑層，以及藉由乾蝕刻去除其上不形成抗蝕劑層的第一電極之上的第一有機化合物層和中間層，並且，其中，第三操作包含藉由使用具有與佈置多個第一電極的區域對應的開口的遮罩在已被去除第一有機化合物層和中間層的第一電極上形成第二有機化合物層，以及溶解中間層以去除在中間層上形成的第二有機化合物層。
10. 根據申請專利範圍第8項的有機EL裝置製造方法，其中，中間層由水溶性材料形成。
11. 根據申請專利範圍第10項的有機EL裝置製造方法，其中，第二操作還包含在中間層與抗蝕劑層之間形成包含水溶性材料的層。
12. 根據申請專利範圍第8項的有機EL裝置製造方法，還在第二操作和第三操作之間包含第五操作，該第五操作用於在其上未在第二操作中選擇性地形成第一有機化合物層的多個第一電極中的一部分上選擇性地形成包含與第一和第二有機化合物層的發光層不同的發光層的第三有機化合物層。
13. 根據申請專利範圍第12項的有機EL裝置製造方法，其中，該第五操作包含藉由光微影法將第三有機化合物層構圖。