JP6594013B2 - 有機発光装置及びその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、有機発光装置及びその製造方法に関する。

有機発光装置は、基材あるいは基板の上に複数の有機発光素子をライン状あるいはマトリクス状に配列してなる装置である。ここで、互いに異なる色、例えば、赤、緑、青のいずれかの色を発光する有機発光素子を１個ずつ組み合わせて１組の画素を形成するように配置すると、多色表示が可能になる。

有機発光装置を構成する有機発光素子は、一対の電極と、当該一対の電極の間に配置された有機発光層と、を有している。ここで有機発光素子の発光色は、有機発光層に含まれる発光材料を適宜選択することによって変えることができる。

近年、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子を用いた有機発光装置を製造する際に一般的に用いられるプロセスが高精細マスクを使った真空成膜プロセスである。このプロセスには、高精細マスクを用いた真空蒸着法による有機化合物層の成膜プロセスや、マスクを用いた真空スパッタ成膜等による上部電極層の成膜プロセスが含まれている。しかし、高精細マスクを用いた真空成膜プロセスを用いる際に、マスクの位置合わせ、マスクの厚み、マスクのたわみ等に起因して、形成された有機化合物層の膜厚が傾斜することがある。ここで有機化合物層の膜厚が傾斜した領域は、有機発光素子の構成部材として使用することのできない領域、即ち、ボケ領域となる。このため、高精細マスクを用いた真空成膜プロセスでは、額縁領域（発光画素群で形成される表示エリアの外側であって、基板端までの領域）の狭小化が困難であった。

このように、高精細マスクを用いた真空成膜プロセスにおいて生じる限界・課題を破る方法として、有機化合物層、上部電極層及び保護層が順次積層されてなる積層体をフォトリソグラフィによってパターニングする方法が特許文献１より提案されている。フォトリソグラフィを用いることで形成可能な精細度は飛躍的に上がり、それぞれパターニングされた有機化合物層の膜端において生じ得るボケ領域は最低限に抑えることが可能である。

特開平９−２９３５８９号公報

しかしながら、特許文献１にて提案された方法では、有機化合物層となる膜の端面は、フォトリソグラフィによるパターニングを行った後では外部環境下で露出された状態となる。ここで、有機化合物層にはガスバリア性がないため、有機化合物層の膜端が外部環境下で露出されると膜の端面から浸透する水や酸素によって有機化合物層自体が劣化してしまう。また特許文献１では、有機化合物層や上部電極のパターニングが行われているが、上部電極と基板側に設けられた給電パッド部分との電気接続の具体的手法については開示されていない。このため額縁領域の狭小化を実現するには、上部電極と基板側電極との間の電気的接続と、水や酸素等の浸透に対するパターニングされた有機化合物層となる膜の端部の保護と、を両立しなければならないという課題があった。

本発明は、上述した課題を解決するためになされるものであり、その目的は、発光特性が良好で、かつ狭額縁化された有機発光装置を提供することにある。

本発明の有機発光装置は、基板と、
前記基板の上に順次設けられる下部電極と、発光層を含む有機化合物層と、上部電極と、を有する有機発光装置であって、
前記有機化合物層が前記下部電極を被覆し、
前記上部電極が前記有機化合物層を被覆し、
前記上部電極が、前記基板に設けられた配線接続部と電気的に接続され、
前記有機化合物層の少なくとも一部の領域における膜端の断面について、下記式（ａ）が満たされ、
（ａ）ｄ₁／ｄ₂≧０．２
（式（ａ）において、ｄ₁は、有機化合物層の膜厚を表し、ｄ₂は、有機化合物層の膜端の断面のテーパー幅を表す。）
前記上部電極が、第１の上部電極層と、第２の上部電極層と、をこの順で有し、
前記有機化合物層の平面パターンが前記第１の上部電極層の平面パターンと略同一であり、
前記第２の上部電極層の少なくとも一部が、前記第１の上部電極層と重なり、
前記第２の上部電極層が、第１の上部電極層と重ならない領域において、前記基板に設けられた配線接続部と電気的に接続されることを特徴とする。

本発明によれば、発光特性が良好で、かつ狭額縁化された有機発光装置を提供することができる。

本発明の有機発光装置における第一の実施形態を示す断面模式図である。 本発明の有機発光装置を構成する発光画素の配置例を示す平面模式図である。 図１の有機発光装置を構成する膜の膜端断面を示す断面模式図である。 本発明の有機発光装置における第二の実施形態を示す断面模式図である。 本発明の有機発光装置の製造方法における第一の実施形態を示す断面模式図である。 本発明の有機発光装置の製造方法における第二の実施形態を示す断面模式図である。 本発明の有機発光装置の製造方法における第二の実施形態を示す断面模式図である。 本発明の有機発光装置の製造方法における第三の実施形態を示す断面模式図である。 本発明に係る有機発光装置を有する画像形成装置の例を示す模式図である。 （ａ）及び（ｂ）は、図８の画像形成装置を構成する露光光源（露光器）の具体例を示す平面概略図であり、（ｃ）は、図８の画像形成装置を構成する感光体の具体例を示す概略図である。 本発明に係る有機発光装置を有する照明装置の例を示す模式図である。

［有機発光装置］
以下、本発明の有機発光装置の実施形態について説明する。

（第一の実施形態（参考形態））
本発明の有機発光装置の第一の実施形態は、基板と、前記基板の上に順次設けられる下部電極と、発光層を含む有機化合物層と、上部電極と、を有する有機発光装置に関する。本発明において、有機化合物層は下部電極を被覆し、上部電極は有機化合物層を被覆する。本実施形態において、上部電極は、基板に設けられた配線接続部と電気的に接続されている。

本発明においては、有機化合物層の少なくとも一部の領域における膜端の断面の傾きと前記基板の表面とがなす角度をθ₁としたときに、下記式（１）及び（２）が満たされる。
（１）ｔａｎ（θ₁）＝ｄ₁／ｄ₂
（２）ｔａｎ（θ₁）≧０．２
（式（１）において、ｄ₁は、有機化合物層の膜厚を表し、ｄ₂は、有機化合物層の膜端の断面のテーパー幅を表す。）

尚、上記式（１）及び（２）の詳細については、後述する。

以下、適宜図面を参照しながら本発明の実施形態について詳細に説明するが、本発明は以下に説明する実施形態に限定されるものではない。また以下の説明において特段説明されていなかったり、図面において特段図示されなかったりした部分に関しては、当該技術分野の周知或いは公知の技術を適用することができる。

図１は、本発明の有機発光装置における第一の実施形態を示す断面模式図である。図１の有機発光装置１は、層間絶縁層１１と画素分離膜１２とを有する基板１０と、この基板１０の上であって発光画素２０に相当する領域に有機発光素子が設けられている。この有機発光素子は、下部電極２１と、有機化合物層２２と、上部電極２３と、をこの順で有する。また図１の有機発光装置１は、配線接続部２４を有している。この配線接続部２４は、基板１０、より具体的には、基板１０を構成する層間絶縁層１１の上であって発光画素２０に相当する領域以外の領域に設けられる電極部材である。

図１の有機発光装置１において図示されていないが、基板１０は、層間絶縁層１１の下方に下地基板を有している。また本発明においては、層間絶縁層１１と下地基板との間に
有機発光素子を駆動させるための駆動回路や配線を設けてもよい。このように、層間絶縁層１１と下地基板との間に駆動回路や配線が設けられている場合、層間絶縁層１１の所定の領域（例えば、下部電極２１や配線接続部２４を設ける領域）にコンタクトホール１３を設ける。そして、このコンタクトホール１３には、層間絶縁層１１の上に設けられる電極部材（２１、２４）と駆動回路・配線とを電気接続させるための導電部材が充填されている。

図１の有機発光装置１において、基板１０を構成する画素分離膜１２には、下部電極２１及び配線接続部２４を設ける領域に開口が設けられている。ここで、下部電極２１を設ける領域に設けられている画素分離膜１２の開口は、発光画素２０となる領域になっている。このため、画素分離膜１２は、発光領域を制限する部材（発光領域制限部材）である。本発明において、発光領域２０の平面形状を制御する手段としては、下部電極２１の上方に画素分離膜１２を所定の形状でパターニングして設ける方法があるが、下部電極２１を予めフォトリソグラフィ等でパターニングする方法等もある。

図１の有機発光装置１において、有機発光素子を構成する下部電極２１は、基板１０を構成する層間絶縁層１１の上に設けられる電極であり、その端部は、画素分離膜１２で被覆されている。

図１の有機発光装置１において、有機発光素子を構成する有機化合物層２２は、発光領域２０及びその周辺の領域に選択的に設けられている部材である。本発明において、有機化合物層２２は、所定のフォトマスクを用いたパターニングを利用して形成されている。尚、このパターニングの具体的手法については、有機化合物層２２の詳細（構成材料、成膜方法等）と共に後述する。

図１の有機発光装置１において、有機化合物層２２の上に設けられている上部電極２３は、配線接続部２４（パッド部）と電気的に接続されている。尚、配線接続部２４の端部は、画素分離膜１２で被覆されている。

図１の有機発光装置１は、少なくとも有機化合物層を覆い保護する目的で封止層３０が形成されている。ただし、本発明において、有機発光素子を保護するための保護部材は、図１中の封止層３０に限定されるものではない。尚、図１に示されるように、発光画素２０及び配線接続部２４は封止層３０内に設けられる。

尚、図１には図示されていないが、封止層３０の外側には外部接続端子部が設けられている。外部接続端子は、外部からの信号や電源電圧を回路（不図示）に供給する端子である。本発明において、封止層３０は、基板１０の第１主面側に形成される外部接続端子を設ける領域に開口を有するようにパターニングされているのが好ましい。

本発明の有機発光装置は、基板の上に、少なくとも一つの有機発光素子が設けられている。ここで有機発光装置が有する有機発光素子が二つ以上である場合、各有機発光素子の発光色は同じであっても異なっていてもよい。また有機発光装置が有する有機発光素子が二つ以上である場合、各有機発光素子の配列態様として、例えば、複数の有機発光素子を組み合わせてなる画素をライン状あるいはマトリクス状に配列してなる態様があるが、本発明においては、この態様に限定されない。また本発明の有機発光装置は、有機化合物層２２を構成する発光層から出力された光を取り出す電極が、上部電極２３であってもよいし、下部電極２１であってもよい。また発光層から出力された光を取り出す態様としては、上部電極２３又は下部電極２１から択一的に取り出す態様に限定されず、両電極（２１、２３）から取り出す態様も含まれる。尚、発光層から出力された光を取り出す電極は、半透明もしくは透明の電極とすることで、有機発光装置を構成する有機発光素子の内部から光を取り出すことができる。

図２は、本発明の有機発光装置を構成する発光画素の配置例を示す平面模式図である。本発明において、発光画素２０の配置に関しては、ライン状（図２（ａ））、千鳥ライン状（図２（ｂ））、２次元配置のマトリックス状（図２（ｃ）、（ｄ））等の例があるが、これに限定されるものではない。プリントヘッド用のライン光源として本発明の有機発光装置を用いる場合は、ライン状（図２（ａ））、千鳥ライン状（図２（ｂ））が好ましい。一方、ディスプレイとして本発明の有機発光装置を用いる場合は、２次元配置のマトリックス状（図２（ｃ）、（ｄ））が適用できる。特に、発光画素２０が複数種類の副画素（２０ａ、２０ｂ、２０ｃ）から構成される図２（ｄ）の形式では、各副画素について発光材料を適宜選択することでフルカラー表示が可能である。

以下に、有機化合物層２２や上部電極２３のレイアウトマージンを小さくすることができる理由について説明する。

まず有機発光装置を構成する有機化合物層２２や上部電極２３となる薄膜について説明する。本発明においては、有機化合物層２２の膜端の断面の傾きと基板１０の表面とがなす角度をθ₁としたときに、下記式（１）及び（２）が満たされる。
（１）ｔａｎ（θ₁）＝ｄ₁／ｄ₂
（２）ｔａｎ（θ₁）≧０．２

式（１）において、ｄ₁は、有機化合物層２２の膜厚を表す。また式（１）において、ｄ₂は、有機化合物層２２の膜端の断面のテーパー幅を表す。

図３は、図１の有機発光装置を構成する膜の膜端断面を示す断面模式図である。尚、図３は、所定の膜における膜厚傾斜領域の形状を説明した図でもある。また図３に示される膜は、有機化合物層２２又は上部電極２３となる膜である。

図３に示されるように、有機化合物層２２あるいは上部電極２３となる膜の端部は、膜の中央部分等の他の部分と比較して膜厚が薄くなっている。図３に示される他の部分と比較して膜厚が薄くなる領域は、膜厚傾斜領域と呼ばれる領域である。有機化合物層２２となる膜を例にとると、基板１０の端部と、表示領域（発光領域２０）の最外周部にある発光領域制御手段と、の間にある有機化合物層は、特に膜の端部において膜厚傾斜領域が形成されている。

ここで所定の膜において、当該膜の成膜誤差（−Δｔ）よりも薄くなったところを符号４１で、膜厚が０ｎｍになったところを符号４２で、それぞれ表す。ここで符号４２の地点から符号４１の基板直下に下した点（Ｘ点）までの距離、即ち、符号４３で表される距離は、所定の膜の膜端テーパー幅として定義される。尚、所定の膜が有機化合物層２２である場合は、符号４３で表される距離は、式（１）中のｄ₂である。一方、符号４１の地点における膜の膜厚は、符号４４で表される、符号４１と符号Ｘとの距離に相当するが、対象となる膜が有機化合物層２２である場合は、符号４４で表される距離は、式（１）中のｄ₁である。また図３において、符号４５は、膜端断面の傾きと基板表面とがなす角度、即ち、式（１）及び（２）中のθ₁である。

本発明では、ｄ₁及びｄ₂によって式（１）で求められるｔａｎ（θ₁）の値が０．２以上であることで、有機化合物層２２となる膜の端部において生じる膜厚の傾斜領域を縮小させることができる。そして膜厚の傾斜領域の縮小により、有機発光装置における額縁領域（発光画素群で形成される表示領域の外側であって、表示領域から基板端までの領域）を縮小させることが可能となる。例えば、配線接続部−画素間の距離を近づける設計が可能になるため、額縁領域の狭小化につながる。

また本発明において、好ましくは、上部電極２３の膜端の断面の傾きと基板の表面とがなす角度をθ₂としたときに、下記式（３）及び（４）が満たされる。
（３）ｔａｎ（θ₂）＝ｄ₃／ｄ₄
（４）ｔａｎ（θ₂）≧０．２

式（３）において、ｄ₃は、上部電極の膜厚を表す。また式（３）において、ｄ₄は、上部電極の膜端断面のテーパー幅を表す。

ｄ₃及びｄ₄によって式（３）で求められるｔａｎ（θ₂）の値が０．２以上であることで、有機化合物層２２の場合と同様に、上部電極２３となる膜の端部において生じる膜厚傾斜領域を縮小することができると共に、額縁領域のさらなる狭小化につながる。

以上説明したように、所定の層（２２、２３）を構成する膜の膜端の形状を制御することで、少なくとも有機化合物層２２や上部電極２３の成膜端で額縁領域が制限される発光装置において額縁領域の狭小化が可能となる。またこの額縁領域の狭小化は、一方で一枚のマザーガラスから取れる有機発光装置の取り個数を増加させるため、生産性の向上をももたらす。

また図１の有機発光装置１においては、有機化合物層２２の膜端が上部電極２３に被覆されている。これにより、有機化合物層２２となる膜の膜端から水や酸素の侵入を抑制することができるため、膜の横方向（基板面に対して平行方向）から水や酸素等が浸透することによる有機化合物層２２の劣化を改善することができる。

さらに、本発明の有機発光装置では、有機化合物層２２となる膜の膜端の断面のテーパー幅が５μｍ以下であることが好ましい。より好ましくは１μｍ以内である。

尚、有機化合物層２２となる膜の膜端の形状は、ｔａｎθが０．２以上であれば、同一のｔａｎθであってもよいし、異なってもよい。また有機化合物層２２となる膜の膜端は上部電極２３によって被覆されており、膜の端部からの水や酸素の侵入を抑制することが可能である。また、上部電極２３が封止層３０にて被覆されていることで、膜の端部からの水や酸素の侵入をより効果的に抑制することが可能である。

（第二の実施形態）
以下、本発明の有機発光装置の第二の実施形態について説明する。尚、以下の説明においては、第一の実施形態との相違点を中心に説明する。

本実施形態の有機発光装置は、上部電極が、特に、発光画素が設けられる領域において第１の上部電極層と第２の上部電極層とをこの順で有する点を除けば、第一の実施形態の有機発光装置と共通する。本実施形態において、有機化合物層の平面パターンは、第１の上部電極層の平面パターンと略同一であり、また第２の上部電極層の少なくとも一部が第１の上部電極層と重なっている。本実施形態において、第２の上部電極層は、第１の上部電極層と重ならない領域において上記基板に設けられた配線接続部と電気的に接続されている。

図４は、本発明の有機発光装置における第二の実施形態を示す断面模式図である。図４の有機発光装置２は、層間絶縁層１１と画素分離膜１２とを有する基板１０と、この基板１０の上であって発光画素２０に相当する領域に有機発光素子が設けられている。この有機発光素子は、下部電極２１と、有機化合物層２２と、第１の上部電極層２６と、第２の上部電極層２７と、を有する。尚、図４の有機発光装置２において、上部電極２３は、第１の上部電極層２６と、第２の上部電極層２７と、がこの順で積層されてなる電極である。また図４の有機発光装置２は、配線接続部２４を有している。この配線接続部２４は、基板１０、より具体的には、基板１０を構成する層間絶縁層１１の上であって発光画素２０に相当する領域以外の領域に設けられる電極部材である。

図４の有機発光装置２において、有機発光素子を構成する有機化合物層２２及び第１の上部電極層２６は、発光領域２０及びその周辺の領域に選択的に設けられている部材である。本発明において、有機化合物層２２及び第１の上部電極層２６は、同一のフォトマスクを用いたパターニングを利用して形成されているため、両部材の平面形状（平面パターン）は略同一である。尚、このパターニングの具体的手法については、有機化合物層２２及び第１の上部電極層２６の詳細（構成材料、成膜方法等）と共に後述する。

本実施形態において、好ましくは、第１の上部電極層２６の膜端の断面の傾きと基板の表面とがなす角度をθ₃としたときに、下記式（５）及び（６）が満たされる。
（５）ｔａｎ（θ₃）＝ｄ₅／ｄ₆
（６）ｔａｎ（θ₃）≧０．２

式（５）において、ｄ₅は、第１の上部電極層の膜厚を表す。また式（５）において、ｄ₆は、第１の上部電極層の膜端断面のテーパー幅を表す。

ｄ₅及びｄ₆によって式（５）で求められるｔａｎ（θ₃）の値が０．２以上であることで、有機化合物層２２の場合と同様に、第１の上部電極層２６となる膜の端部において生じる膜厚の傾斜領域を縮小させることができる。

さらに、本実施形態において、より好ましくは、第２の上部電極層２７の膜端の断面の傾きと基板の表面とがなす角度をθ₄としたときに、下記式（７）及び（８）が満たされる。
（７）ｔａｎ（θ₄）＝ｄ₇／ｄ₈
（８）ｔａｎ（θ₄）≧０．２
（式（７）において、ｄ₃は、第２の上部電極層の膜厚を表す。また式（７）において、ｄ₄は、第１上部電極層の膜端断面のテーパー幅を表す。）

ｄ₇及びｄ₈によって式（７）で求められるｔａｎ（θ₄）の値が０．２以上であることで、少なくとも基板の端部と表示領域の最外周部にある発光領域制御手段との間にある第２の上部電極層２７の端部に生じる膜厚傾斜領域を縮小させることができる。

以上説明したように、有機化合物層２２、及び第１の上部電極層２６あるいは第２の上部電極層２７の平面パターンにおいて、基板平面上の少なくとも１辺のｔａｎ（θ）値が０．２以上となるように膜端の形状が制御されていることが好ましい。全ての辺においてｔａｎ（θ）値が０．２以上となることがより好ましい。

以上説明したように、本実施形態では、所定の層（２２、２６、２７）を構成する膜の膜端の形状を制御することで、少なくとも有機化合物層２２や上部電極２３の成膜端で額縁領域が制限される発光装置において額縁領域の狭小化が可能となる。またこの額縁領域の狭小化は、一方で一枚のマザーガラスから取れる有機発光装置の取り個数を増加させるため、生産性の向上をももたらす。

また図４の有機発光装置２においては、有機化合物層２２の膜端が上部電極２３、より具体的には、上部電極２３を構成する第１の上部電極層２６及び第２の上部電極層２７に被覆されている。これにより、有機化合物層２２となる膜の膜端から水や酸素の侵入を抑制することができるため、膜の横方向（基板面に対して平行方向）から水や酸素等が浸透することによる有機化合物層２２の劣化を改善することができる。

本発明において、第２の上部電極層２７は、図４に示されるように、第１の上部電極層２６を被覆しているのが好ましい。これは、第１の上部電極層２６にピンホールや亀裂等の物理的な貫通孔や隙間が開いてしまった場合に、第２の上部電極層２７にてカバーすることが可能となるからである。また第２の上部電極層２７のパターン端を、第１の上部電極層２６のパターンに重ねるようにしてパターニングを行うと、第１の上部電極層２６が直接エッチングストッパになってオーバーエッチングされてしまい、第１の上部電極層２６の厚さが部分的に変化してしまうこと、さらには有機化合物層２２に何らかのダメージが入る可能性がある。ただし、厚さの変化は、発光画素２０内でオーバーエッチングされる領域とされない領域が混在していなければ特に問題は無い。このため、第２の上部電極層２７は、例えば、図１に示されるように、第１の上部電極層２６よりも広い領域、即ち、第１の上部電極層２６を被覆する態様で設けるのが好ましい。

［有機発光装置の製造方法］
次に、本発明の有機発光装置の製造方法について説明する。

（第一の実施形態（参考形態））
以下、本発明の有機発光装置の製造方法における第一の実施形態について説明する。本発明の有機発光装置の製造方法は、下記に示される製造プロセスを有する。
（Ａ）下部電極に、発光領域を決めるための発光制限領域を設ける工程
（Ｂ）下部電極の上に、有機化合物層を形成する工程
（Ｃ）有機化合物層の端部をパターニングする工程
（Ｄ）有機化合物層の上に上部電極を形成する工程

また本実施形態において、好ましくは、上部電極を形成する工程（工程（Ｄ））が、配線接続部と導通し、有機化合物層の膜端を被覆し、かつ基板に設けられ基板側の導通をとるためのパッド部分と接続するように上部電極を設ける工程である。

以下、本実施形態の各プロセスの詳細について説明する。本実施形態では、有機化合物層のパターニングする工程が、下記工程を有する。
（Ｃ１）有機化合物層を形成する工程を行う前にリフトオフ層を形成する工程
（Ｃ２）フォトリソグラフィを用いて、少なくともパッド部分を設ける領域に形成されているリフトオフ層が残留する形でリフトオフ層をパターニングする工程
（Ｃ３）有機化合物層の形成工程の後に、リフトオフ層の上に設けられた有機化合物層ごとリフトオフ層を除去する工程

図５は、本発明の有機発光装置の製造方法における第一の実施形態を示す断面模式図である。尚、図５に示される製造プロセスは図１の有機発光装置１の製造プロセスでもある。

（１−１）基板の形成工程（図５（ａ））
まず有機発光装置を作製するために用いられる基板を作製する（図５（ａ））。本実施形態（第一の実施形態）で用いられる基板１０は、少なくとも層間絶縁層１１と、画素分離膜１２と、を備える。ここで図５（ａ）に示される基板１０において、層間絶縁膜１１の上には下部電極２１及び配線接続部２４がそれぞれ所定の位置・領域に設けられ、下部電極２１及び配線接続部２４の端部は、画素分離膜１２に被覆されている。また画素分離膜１２は、発光画素２０に相当する領域及び配線接続部２４と上部電極との接触位置においてそれぞれ開口１２ａが設けられている。尚、図５（ａ）には図示されていないが、基板１０には、有機発光装置の駆動を制御する制御回路が設けられていてもよい。ここで基板１０に当該制御回路が含まれている場合、当該制御回路と下部電極２１又は配線接続部２４との電気接続を確保する目的で層間絶縁層１１の一部にコンタクトホール１３を設けておく。

図５（ａ）に示される基板１０を構成する層間絶縁層１１の構成材料としては、特に規定されるものではないが、絶縁性に優れた窒化珪素（ＳｉＮ）や酸化珪素（ＳｉＯ）からなる材料が好ましい。尚、窒化珪素は、「ＳｉＮ」と記されるが、必ずしも珪素と窒素との組成比は１：１であるとは限らない。本発明において、窒化珪素に含まれる珪素及び窒素の組成比は、特に限定されるものではない。

層間絶縁層１１の上に設けられる下部電極２１の構成材料は、発光層から出力された光に対する下部電極２１の機能（光を透過するか、光を反射するか）に応じて適宜選択される。下部電極２１において発光層から出力された光を反射させたい場合、下部電極２１は、光反射性を有する電極層にする。係る場合、下部電極２１の構成材料としては、アルミニウム（Ａｌ）や銀（Ａｇ）等の光反射性が高い金属材料が挙げられる。ただし、係る場合では、下部電極２１の構成としては、上述した光反射性を有する金属材料からなる層のみの場合に限定されない。光反射性を有する金属材料からなる層とＩＴＯ、インジウム亜鉛酸化物等の透明導電性材料からなる層とからなる積層電極膜も下部電極２１として採用できる。下部電極２１において発光層から出力された光を透過させたい場合、下部電極２１は、光透過性を有する電極層にする。係る場合、下部電極２１の構成材料としては、ＩＴＯ、インジウム亜鉛酸化物等の透明導電性材料が挙げられる。

下部電極２１と同時に配線接続部２４を形成する場合、配線接続部２４の構成材料は、下部電極２１と同一となる。一方、本発明においては、下部電極２１と配線接続部２４とをそれぞれ別個のプロセスで形成することができる。係る場合、配線接続部２４の構成材料は、下部電極２１の構成材料と異なってもよい。

層間絶縁層１１の所定の領域に設けられるコンタクトホール１３は、層間絶縁層１１より下方にある配線又は回路（不図示）と下部電極２１又は配線接続部２４とを電気接続するための接続配線部材が充填されている。この接続配線部材としては、導電性が高い材料が挙げられるが、本発明は特に規定されない。

画素分離膜１２の構成材料としては、絶縁性のある材料であれば特に規定されないが、有機物であればポリイミドを主成分とする材料が好ましく、無機物であれば窒化珪素（ＳｉＮ）あるいは酸化珪素（ＳｉＯ）等が好ましい。

（１−２）リフトオフ層及びフォトレジストの成膜工程（図５（ｂ））
次に、基板１０の全面にわたってリフトオフ層５３を成膜する。リフトオフ層５３を形成する際に用いる材料としては、有機化合物層２２を溶解させない溶剤に対して溶解性を有する材料であり、例えば、水溶性高分子材料等が好ましい。リフトオフ層５３の構成材料として水溶性高分子を用いる場合、リフトオフ層５３の成膜方法としては、スピンコートや、ディップコート等の塗布方式が採用され、容易に成膜可能である。

さらにリフトオフ層５３の上に、感光性材料を含んでなるレジスト層５０を成膜・形成する（図５（ｂ））。レジスト層５０は塗布法等の湿式成膜法により形成されるが、成膜の際に使用される溶剤としては、下層（リフトオフ層５３）を溶かさない溶剤であれば特に限定されない。尚、レジスト層５０を成膜・形成する際に、使用する溶剤によってリフトオフ層５３が侵食される可能性がある場合は、窒化珪素や酸化珪素等の無機化合物からなる保護層（不図示）を、リフトオフ層５３とレジスト層５０との間に挿入してもよい。また本実施形態では、ポジ型のフォトレジストを用いたフォトリソプロセスを採用しているが、ネガ型フォトレジストを用いたフォトリソプロセスでも構わない。

（１−３）露光工程（図５（ｃ））
次に、パターニングされた有機化合物層２２を設けたい領域（発光画素２０を設けたい領域）について、レジスト層５０及びリフトオフ層５３を選択的に除去する。例えば、レジスト層５０がポジ型のレジストである場合、図５（ｃ）に示されるように、有機化合物層２２を設けたい領域に開口を有するマスク５１で露光５２することで、発光画素２０を少なくとも囲むように露光されたレジスト層５０ａが形成される。一方、ネガ型のレジストでレジスト層５０形成した場合は、開口パターンが反転したマスクを使用すれば同じ形の露光されたレジスト層５０ａを形成することができる。

（１−４）リフトオフ層の加工工程（図５（ｄ）、（ｅ））
次に、露光されたレジスト層５０ａを現像液で現像することで除去した（図５（ｄ））後に、パターニングされたレジスト層５０をマスクとして、ドライエッチングを行う。ドライエッチングの具体的手法は、リフトオフ層５３がエッチングできるガスを用いる限り特に限定されない。本実施形態では、リフトオフ層５３をエッチングするガス（エッチングガス）として、酸素ガスを使用しているが、これに限定されるものではない。ドライエッチングによるリフトオフ層５３の加工が終わったときには、エッチングマスクとして使用されたレジスト層５０の一部あるいは全部がドライエッチングによって除去される。図５（ｅ）では、ドライエッチングによるリフトオフ層５３の加工が終わったときに、このドライエッチングによってレジスト層５０が除去されている様子が示されているが、本工程において、レジスト層５０を除去させる必然性はない。ガス種やリフトオフ層の膜厚がレジスト層５０よりもずっと薄い場合にはレジスト層５０の構成材料であるフォトレジストが残ることもあるが、この場合では、剥離液等を用いて残存するレジスト層５０を除去してもよいし、ドライエッチをさらに行ってレジスト層５０を除去してもよい。あるいは、そのままレジスト層５０を残しておいてもよい。尚、リフトオフ層５３上に設けられているレジスト層５０を適正な厚さで形成すると、リフトオフ層５３のドライエッチングの際にレジスト層５０も除去させることもできるので、好ましい。また本工程により、下部電極２１が露出する（図５（ｅ））。このとき、次の工程で有機化合物層２２となる膜を成膜する前に前処理を行うのが望ましい。例えば、アルゴンプラズマ処理、酸素プラズマ、ＵＶ照射処理、加熱処理等を基板１０に施し、下部電極２１の電荷注入性を整えるとともに、下部電極２１の上に生じ得る汚染物等を除去する。

（１−５）有機化合物層の成膜工程（図５（ｆ））
次に、下部電極２１の上に、有機化合物層２２となる膜を成膜する（図５（ｆ））。本工程で下部電極２１等の上に形成される有機化合物層２２は、少なくとも発光層を含む一層あるいは複数の層からなる積層体である。ここで有機化合物層２２が複数の層からなる場合、発光層以外の層として、具体的には、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロック層、正孔ブロック層、電子輸送層、電子注入層等が挙げられる。また有機化合物層２２の層構成は、後の工程で形成される上部電極２３の特性にもよるが、特に限定されない。ここでいう上部電極２３の特性とは、主に上部電極２３から注入されるキャリアである。上部電極２３が正孔（正電荷のキャリア）を注入する場合は、下部電極２１と発光層との間の層は電子を注入・輸送する層であり、上部電極２３と発光層との間の層は、正孔を注入・輸送する層である。上部電極２３が電子（負電荷のキャリア）を注入する場合は、下部電極２１と発光層との間の層は正孔を注入・輸送する層であり、上部電極２３と発光層との間の層は、電子を注入・輸送する層である。

有機化合物層２２の成膜方法としては、スピンコート等の塗布方式と、真空蒸着法等による成膜方法と、がある。素子性能の観点から真空蒸着法で成膜されることが多いが、本発明においては、成膜方式は特に限定されるものではない。

ここで有機化合物層２２を構成する各層について説明する。正孔注入層は、正孔輸送層と正孔注入用の電極（アノード）との間に設けられ、正孔注入性を向上することで、有機発光装置を構成する有機発光素子の低電圧化や長寿命化に寄与する役割を果たす。また本発明において、正孔注入層は、電子吸引性置換基を有する有機化合物を有する層である。さらに、本発明において、有機化合物層２２を構成する層のうち少なくとも一層は、正孔注入層の端部を被覆して正孔注入層を保護する層として機能させるのが好ましい。

正孔輸送層は、主に正孔を輸送する機能を有する材料からなる層である。

電子ブロック層は、発光層と正孔輸送層との間に設けられ、発光層から陽極側へ漏れる電子をブロックして発光層に閉じ込める機能を有する層であって有機発光装置を構成する有機発光素子の高効率化を担う層である。

発光層は、主に正孔と電子とを再結合させて発光を得るための層であり、一般的にはホストとゲストとの２種類の材料から構成される。ここでゲストとは、発光材料であり、発光層全体に対するゲストの含有量（重量比率）は、１０％以下程度である。尚、素子特性の観点から、発光層にはホスト、ゲスト以外の別の材料をさらに加えてもよい。

正孔ブロック層は、電子輸送層と発光層との間にあり、発光層から陰極側へ漏れる正孔をブロックして発光層に閉じ込める機能を有する層であって有機発光装置を構成する有機発光素子の高効率化を担う層である。

電子輸送層は、主に電子を輸送するための層である。

電子注入層は、電子輸送層と電子注入用の電極（カソード）との間に設けられ、主に電子注入性を向上させることで、有機発光装置を構成する有機発光素子の低電圧化や長寿命化に寄与する層である。

尚、以上説明した積層構成は、どれかが欠けたとしても、あるいは重複したとしても、得られる有機化合物層２２になる膜の端部の構成に影響しないので、本発明の作用効果は、有機化合物層の積層構成に影響されるものではない。また有機化合物層２２を構成する各層の積層順については、下部電極２１がアノードかカソードかによって順番が決まるが、本発明においては、各層の積層順は限定されない。

本実施形態において、後述するリフトオフ工程では、少なくとも水等の溶媒を用いてリフトオフを行うため、有機化合物層２２を構成する各層の構成材料としては、少なくとも水に対して不溶な材料とすることが好ましい。特に、電子注入層には電子注入性の観点からアルカリ金属やアルカリ土類金属を用いることが一般的であるが、アルカリ金属やアルカリ土類金属は水と接触したときに反応・溶解してしまう恐れがある。このため、電子注入層の構成材料としては、水溶性が低い有機金属錯体等の電子注入性材料が用いられる。ここで「水溶性が低い」とは薄膜形成した後に水と１分間接触しても溶解による減膜が起こらないことを指す。尚、水溶性を低下させる観点で、電子注入層には、電子注入材料の他に、電子輸送材料等の別の材料を混合してもよい。また電子注入層は単層であってもよいし、複数の層からなる積層体であってもよい。

（１−６）リフトオフ工程（図５（ｇ））
次に、リフトオフを行い、リフトオフ層５３、及びその上部にある有機化合物膜２２を除去する（図５（ｇ））。リフトオフの際には、有機材料への溶解度が小さい水を用いることが好ましい。リフトオフの方法としては水中に浸漬してもよいし、さらに超音波を照射してもよいし、基板１０の上に二流体ノズルで水を吹き付けてもよい。このリフトオフ工程の後、有機化合物層２２は、発光画素２０を囲む形でパターニングされる。またこのリフトオフの際に、配線接続部２４が露出される。尚、リフトオフ工程を行った後、より優れた素子特性を得るための追加工程として、水等を用いたリフトオフ工程によって生じ得る残留成分を基板１０や有機化合物層２２中から除去するために、真空中で基板１０をベークする工程を追加することが好ましい。

（１−７）上部電極の形成工程（図５（ｈ））
有機化合物層２２の加工の後、有機化合物層２２の上に、上部電極２３を形成する（図５（ｈ））。ここで上部電極２３は、図５（ｈ）に示されるように、基板１０の全面にわたって形成される。このため、上部電極２３により有機化合物層２２の膜端は被覆される。よって本発明では、有機化合物層２２の膜端の形状の指標となる図３にて説明されたｔａｎ（θ）（ｔａｎ（θ₁））が０．２０以上である場合であるため高い耐久性を得ることが可能である。

上部電極２３の構成材料は、発光層から出力された光に対する上部電極２３の機能（光を透過するか、光を反射するか）に応じて適宜選択される。上部電極２３において発光層から出力された光を反射させたい場合、上部電極２３は、光反射性を有する電極層にする。係る場合、上部電極２３の構成材料としては、アルミニウム（Ａｌ）や銀（Ａｇ）等の光反射性が高い金属材料が挙げられる。ただし、係る場合では、上部電極２３の構成としては、上述した光反射性を有する金属材料からなる層のみの場合に限定されない。光反射性を有する金属材料からなる層とＩＴＯ、インジウム亜鉛酸化物等の透明導電性材料からなる層とからなる積層電極膜も上部電極２３として採用できる。上部電極２３において発光層から出力された光を透過させたい場合、上部電極２３は、光透過性を有する電極層にする。係る場合、上部電極２３の構成材料としては、ＩＴＯ、インジウム亜鉛酸化物等の透明導電性材料が挙げられる。またこれらの材料からなる層は、有機化合物層２２よりも、ずっと緻密でガス透過性が低いことが知られている。このため、上部電極２３まで設けた段階で、有機化合物層２２の膜端を上部電極２３が被覆することで、上部電極２３の下にある有機化合物層２２は、水や酸素のガス透過から保護される。

（１−８）上部電極のパターニング工程（図５（ｉ）〜（ｋ））
本発明においては、上部電極２３となる電極膜について、膜の端部の断面形状の指標となる図３にて説明されたｔａｎ（θ）（ｔａｎ（θ₂））が０．２０以上あることが好ましい。ｔａｎ（θ₂）を０．２０以上にすることで、上部電極７の膜厚傾斜領域を縮小することができる。ｔａｎ（θ₂）が０．２０以上となる端面を得るためには、上部電極２３となる電極膜を形成した後、この電極膜を所定の形状に加工（パターニング）する。まず上部電極２３の上にレジスト層５０を設ける（図５（ｉ））。レジスト層５０の形成に使用されるフォトレジストがポジ型のレジストの場合、図５（ｊ）に示されるように、上部電極２３を除去したい領域に開口を有するフォトマスク５１を使用して、露光光５２を基板１０に向けて照射する。これにより、露光されたレジスト層５０ａを得る。ネガ型レジストを用いてレジスト層５０を形成している場合は、反転パターンのフォトマスクを用いて露光を行うことで、露光されたレジスト層５０ａを上記と同じ形状で得られる。

現像により露光されたレジスト層５０ａを除去した後、レジスト層５０に被覆されていない部分の上部電極２３を除去する。除去方法としては、ウェットエッチングやドライエッチングを用いることが可能だが、ウェットエッチングでは膜剥がれ等の不良が起こりやすいため、溶媒等を用いないドライエッチングが好ましい。ドライエッチングで上部電極２３を加工する際は、金属材料のドライエッチングとなるため、例えば、塩素ガスやアルゴンガス等を用いたプラズマエッチングを行うことで加工が可能である。

以上説明したように、上部電極２３の加工を行うことで、上部電極２３となる電極膜の膜端の形状の指標となるｔａｎ（θ₂）が０．２０以上となる。これにより、例えば、スパッタ法やＥＢ蒸着法等で形成された上部電極２３を、その額縁領域を縮小する態様で形成することが可能となる。

（１−９）封止工程（図５（ｌ））
上部電極２３を形成した（図５（ｋ））後、有機発光装置を構成する有機発光素子や配線接続部２４は、ガラスキャップ等で封止されてもよいし、無機材料からなる封止薄膜で封止されてもよい。好ましくは、無機材料からなる封止薄膜で有機発光素子や配線接続部２４を封止する。本実施形態では、上部電極２３の上に封止層３０（封止薄膜）を形成する（図５（ｌ））。封止層３０の構成材料としては、防湿性の高い無機材料、例えば、窒化珪素や酸化珪素（ＳｉＯ）、酸化アルミニウム（ＡｌＯ）等があるが、本発明では薄膜による封止が可能であればよく、材料自体及びその組成比は特に限定されない。

また本発明においては、封止層３０を形成した後、外部回路との接続のための外部接続用の電極パッド（外部接続端子）を露出させる等の目的で、この封止層３０のパターニングを行ってもよい。また本発明においては、上部電極２３の端部が全て封止層３０によって被覆されていることが好ましい。こうすることで、上部電極２３の端面からの水や酸素の浸透成分をより防ぐことが可能になるため、有機発光装置を構成する素子の耐久性がさらに向上する効果が期待できる。

（第二の実施形態）
次に、本発明の有機発光装置の製造方法の第二の実施形態について説明する。尚、本実施形態では、例えば、図４の有機発光装置２を製造することができる。本発明の有機発光装置の製造方法の第二の実施形態は、下記に示される製造プロセスを有する。
（Ａ）下部電極に発光領域を決めるための発光領域制限部材を形成する工程
（Ｂ）下部電極の上に、有機化合物層と、第１の上部電極層と、を連続して形成する工程
（Ｃ）有機化合物層と、第１の上部電極層と、を同一の平面パターンでパターニングする工程
（Ｄ）第１の上部電極層の上に第２の上部電極層を形成する工程
以下に、有機発光装置２の製造方法と異なる点について説明する。

尚、工程（Ｄ）において、第２の上部電極層の少なくとも一部は第１の上部電極層と重なっており、第２の上部電極層は、第１の上部電極層と重ならない領域において基板に設けられた配線接続部と電気的に接続されている。

以下、本実施形態の各プロセスの詳細について説明する。本実施形態では、有機化合物層及び第１の上部電極層をパターニングする工程が、下記工程からなる。
（Ｃ１）第１の上部電極層の上にレジスト層を設ける工程
（Ｃ２）レジスト層をフォトリソグラフィにより所定の形状を有するレジストパターンに加工する工程
（Ｃ３）レジストパターンを用いて有機化合物層及び第１の上部電極層の一部をエッチングにより除去する工程

尚、上記（Ｃ１）乃至（Ｃ３）に代えて、第一の実施形態に示されたリフトオフ層を利用したプロセスを用いてもよい。

図６は、本発明の有機発光装置の製造方法における第二の実施形態を示す断面模式図である。

（２−１）基板の形成工程（図６（ａ））
まず有機発光装置を作製するために用いられる基板を作製する（図６（ａ））。本実施形態（第二の実施形態）で用いられる基板１０は、少なくとも層間絶縁層１１と、画素分離膜１２と、を備える。ここで図６（ａ）に示される基板１０において、層間絶縁膜１１の上には下部電極２１及び配線接続部２４がそれぞれ所定の位置・領域に設けられ、下部電極２１及び配線接続部２４の端部は、発光領域制限部材である画素分離膜１２に被覆されている。また画素分離膜１２は、発光画素２０に相当する領域及び配線接続部２４と上部電極２３との接触位置においてそれぞれ開口１２ａが設けられている。尚、図６（ａ）には図示されていないが、基板１０には、有機発光装置の駆動を制御する制御回路が設けられていてもよい。ここで基板１０に当該制御回路が含まれている場合、当該制御回路と下部電極２１又は配線接続部２４の電気接続を確保する目的で層間絶縁層１１の一部にコンタクトホール１３を設けておく。

図６（ａ）に示される基板１０を構成する層間絶縁層１１の構成材料としては、特に規定されるものではないが、絶縁性に優れた窒化珪素（ＳｉＮ）や酸化珪素（ＳｉＯ）からなる材料が好ましい。

層間絶縁層１１の上に設けられる下部電極２１の構成材料は、発光層から出力された光に対する下部電極２１の機能（光を透過するか、光を反射するか）に応じて適宜選択される。下部電極２１において発光層から出力された光を反射させたい場合、下部電極２１は、光反射性を有する電極層にする。係る場合、下部電極２１の構成材料としては、アルミニウム（Ａｌ）や銀（Ａｇ）等の光反射性が高い金属材料が好ましいが、表面酸化（による接触抵抗の増大）を低減するため、Ｔｉ、ＴｉＮが用いられることもある。ただし、係る場合では、下部電極２１の構成としては、上述した光反射性を有する金属材料からなる層のみの場合に限定されない。光反射性を有する金属材料からなる層とＩＴＯ、インジウム亜鉛酸化物等の透明導電性材料からなる層とからなる積層電極膜も下部電極２１として採用できる。下部電極２１において発光層から出力された光を透過させたい場合、下部電極２１は、光透過性を有する電極層にする。係る場合、下部電極２１の構成材料としては、ＩＴＯ、インジウム亜鉛酸化物等の透明導電性材料が挙げられる。

下部電極２１と同時に配線接続部２４を形成する場合、配線接続部２４の構成材料は、下部電極２１と同一となる。一方、本発明においては、下部電極２１と配線接続部２４とをそれぞれ別個のプロセスで形成することができる。係る場合、配線接続部２４の構成材料は、下部電極２１の構成材料と異なってもよい。

層間絶縁層１１の所定の領域に設けられるコンタクトホール１３は、層間絶縁層１１より下方にある配線又は回路（不図示）と下部電極２１又は配線接続部２４とを電気接続するための接続配線部材が充填されている。この接続配線部材としては、導電性が高い材料が挙げられるが、本発明は特に規定されない。

画素分離膜１２の構成材料としては、絶縁性のある材料であれば特に規定されないが、有機物であればポリイミドを主成分とする材料が好ましく、無機物であれば窒化珪素（ＳｉＮ）あるいは酸化珪素（ＳｉＯ）等が好ましい。

（２−２）有機化合物層の形成工程（図６（ｂ））
基板１０を作製した後、基板１０の上に有機化合物層を形成する（図６（ｂ））。尚、有機化合物層を形成する際には、第一の実施形態で示したプロセスと同様のプロセスを用いることができる。

（２−３）第１の上部電極層の形成工程（図６（ｃ））
有機化合物層２２を形成した後、有機化合物層２２の上に上部電極２３を形成する。尚、本実施形態において形成される上部電極２３は、第１の上部電極層２６と、第２の上部電極層２７と、が積層されてなる積層電極である。ここで上部電極２３が陽極である場合、上部電極２３からは正電荷のキャリアである正孔が有機化合物層２２へ注入され、また上部電極２３が陰極である場合、上部電極２３からは負電荷のキャリアである電子が有機化合物層２２へ注入される。

第１の上部電極層２６の構成材料は、発光層から出力された光に対する第１の上部電極層２６の機能（光を透過するか、光を反射するか）に応じて適宜選択される。第１の上部電極層２６において発光層から出力された光を反射させたい場合、第１の上部電極層２６は、光反射性を有する電極層にする。係る場合、第１の上部電極層２６の構成材料としては、アルミニウム（Ａｌ）や銀（Ａｇ）等の光反射性が高い金属材料が好ましいが、表面酸化（による接触抵抗の増大）を低減するため、Ｔｉ、ＴｉＮが用いられることもある。ただし、係る場合では、第１の上部電極層２６の構成としては、上述した光反射性を有する金属材料からなる層のみの場合に限定されない。光反射性を有する金属材料からなる層とＩＴＯ、インジウム亜鉛酸化物等の透明導電性材料からなる層とからなる積層電極膜も第１の上部電極層２６として採用できる。第１の上部電極層２６において発光層から出力された光を透過させたい場合、第１の上部電極層２６は、光透過性を有する電極層にする。係る場合、第１の上部電極層２６の構成材料としては、ＩＴＯ、インジウム亜鉛酸化物等の透明導電性材料が挙げられる。またこれらの材料からなる層は、有機化合物層２２よりも、ずっと緻密でガス透過性が低いことが知られている。このため、第１の上部電極層２６まで設けた段階で、有機化合物層２２の膜端を第１の上部電極層で覆うことで、第１の上部電極層２６の下にある有機化合物層２２は、水や酸素のガス透過から保護される。

（２−４）有機化合物層及び第１の上部電極層のパターニング工程（図６（ｄ）〜（ｈ））
有機化合物層２２及び第１の上部電極層２６を、下部電極２１を含めた基板１０の全面に形成した（図６（ｃ））後、以下に説明する方法で有機化合物層２２及び第１の上部電極層２６を加工する。まず、ポジレジストからなるレジスト層５０を塗布・成膜し（図６（ｄ））、エッチング除去する領域を、フォトマスク５１を通して、露光光５２による露光（図６（ｅ））及び現像（図６（ｆ））を行い、レジストパターンを形成する。次に、レジストパターンを保護膜とし、このレジストパターンに被覆されずに露出した第１の上部電極層２６及び有機化合物層２２を、それぞれエッチングによって除去する（図６（ｇ））。次に、レジストパターンを除去して洗浄・乾燥を行うことで、有機化合物層２２及び第１の上部電極層２６のパターニングが完了する（図６（ｈ））。尚、上記乾燥は、レジストパターンを除去した後で実施される洗浄工程で使用される水の一部が有機化合物層２２あるいは下地回路の絶縁層に吸着することがあるためこれを脱離させるためである。

以上説明したフォトリソプロセスによって有機化合物層２２及び第１の上部電極層２６の加工を行うと、加工された有機化合物層２２及び第１の上部電極層２６の膜の端部について、図３にて説明されたｔａｎ（θ）（ｔａｎ（θ₃））が０．２以上となる。このため、レイアウトにおける不要な領域を少なくすることができる。

（２−５）第２の上部電極層の形成及びパターニング工程（図６（ｉ）〜（ｍ））
有機化合物層２２及び第１の上部電極層２６の加工の後、第１の上部電極層２６の上に、第２の上部電極層２７を形成する（図６（ｉ））。ここで第２の上部電極層２７は、図６（ｉ）に示されるように、基板１０の全面に亘って形成されるため、第１の上部電極層２６は、第２の上部電極層２７によって配線接続部２４に電気接続される。

第２の上部電極層２７の構成材料としては、第１の上部電極層２６と同等の材料を用いることができる。例えば、ＡｌやＡｇ等の金属材料、ＩＴＯやインジウム亜鉛酸化物等の透明導電材料等が挙げられる。また第２の上部電極層２７は、上記金属材料又は上記透明導電材料からなる層であってもよいし、上記金属材料からなる層と上記透明導電材料からなる層とが積層されてなる積層体であってもよい。

第２の上部電極層２７を形成した後、ポジレジストを用いたパターニング及びエッチングにより、第２の上部電極層２７は所定の形状にパターニングされる（図６（ｊ）〜（ｍ））。このように形成することで有機化合物層２２の膜端が第１の上部電極層２６と第２の上部電極層２７とからなる上部電極２３に被覆されている。これにより、有機化合物層２２となる膜の膜端から水や酸素の侵入を抑制することができるため、高い耐久性を得ることが可能である。

（２−６）封止工程（図６（ｎ）、（ｏ））
上部電極２３を形成した後、有機発光装置を構成する有機発光素子や配線接続部２４を封止する（図６（ｎ）、（ｏ））。封止を行う際は、第一の実施形態にて示された方法と同様の方法を採用することができる。

本発明において、第一の実施形態及び第二の実施形態で説明した有機発光装置の作製プロセスは、そのプロセスの一部を適宜組み合わせたり、入れ替えたりしてよい。例えば、図１の有機発光装置１を作製する際に、第一の実施形態のように、所定のパターン形状を有するリフトオフ層を利用して有機化合物層２２を形成しているが、有機化合物層２２の形成プロセスは、これに限定されない。例えば、第二の実施形態のように、有機化合物層２２となる膜を成膜した後、所定のパターン形状を有するレジスト層を利用して有機化合物層２２のパターニングを行ってもよい。また図４の有機発光装置２を作製する際に、有機発光装置２を構成する有機化合物層２２及び第１の上部電極層２６を、第一の実施形態で示される、所定のパターン形状を有するリフトオフ層を利用して形成してもよい。

［能動素子］
本発明に係る有機発光装置は、装置を構成する有機発光素子の発光の制御のための能動素子をさらに有していてもよい。能動素子はトランジスタ、ＭＩＭ素子等のスイッチング素子が挙げられる。

有機発光素子に接続される能動素子は、その活性領域に酸化物半導体を有してもよい。また能動素子の構成材料である酸化物半導体は、アモルファス状のものであってもよいし、結晶状のものであってもよいし、両者の混在しているものであってもよい。尚、ここでいう結晶とは、単結晶、微結晶、あるいはＣ軸等の特定軸が配向している結晶のいずれかであるが、これに限定されず、これら複数種類の結晶のうちの少なくとも２種類が混合されたものであってもよい。

［有機発光装置の用途］
次に、本発明の有機発光装置の用途について説明する。本発明の有機発光装置は、表示装置や照明装置の構成部材として用いることができる。表示装置として、赤緑青など複数の発光色の発光画素からなる表示装置にも用いることができる。他にも、電子写真方式の画像形成装置の露光光源や液晶表示装置のバックライト、白色光源にカラーフィルターを有する発光装置等の用途がある。カラーフィルターは例えば赤、緑、青の３つの色が透過するフィルターが挙げられる。

本発明の表示装置は、本発明の有機発光装置を表示部に有する。尚、この表示部は複数の画素を有する。

そしてこの画素は、本発明の有機発光装置と、発光輝度を制御するための能動素子（スイッチング素子）又は増幅素子の一例であるトランジスタとを有し、この有機発光素子の陽極又は陰極とトランジスタのドレイン電極又はソース電極とが電気接続されている。ここで表示装置は、ＰＣ等の画像表示装置として用いることができる。上記トランジスタとして、例えば、ＴＦＴ素子が挙げられ、このＴＦＴ素子は、例えば、基板の絶縁性表面に設けられている。

表示装置は、エリアＣＣＤ、リニアＣＣＤ、メモリーカード等からの画像情報を入力する画像入力部と、この画像情報を処理する情報処理部と、を有し、入力された画像を表示部に表示する画像情報処理装置でもよい。

また、撮像装置やインクジェットプリンタが有する表示部は、タッチパネル機能を有していてもよい。このタッチパネル機能の駆動方式は特に限定されない。

また表示装置はマルチファンクションプリンタの表示部に用いられてもよい。

照明装置は例えば室内を照明する装置である。照明装置は白色（色温度が４２００Ｋ）、昼白色（色温度が５０００Ｋ）、その他青から赤のいずれの色を発光するものであってもよい。

本発明の照明装置は、本発明の有機発光装置と、この有機発光装置と接続し駆動電圧を供給するＡＣ／ＤＣコンバーター回路（交流電圧を直流電圧に変換する回路）とを有している。尚、この照明装置は、カラーフィルターをさらに有してもよい。また本発明の照明装置は、照明装置内の熱を外部へ放出する放熱板を有していてもよい。

本発明の画像形成装置は、感光体と、この感光体の表面を帯電させる帯電部と、感光体を露光して靜電潜像を形成するための露光部と、感光体に現像材を供給し感光体の表面に形成された静電潜像を現像するための現像部とを有する画像形成装置である。ここで画像形成装置に備える露光手段は、本発明の有機発光装置を含んでいる。

また本発明の有機発光装置は、感光体を露光するための露光装置の構成部材として使用することができる。本発明の有機発光装置を有する露光装置は、例えば、本発明の有機発光装置を構成する有機発光素子を所定の方向に沿って列を形成して配置されている露光装置がある。

図８は、本発明に係る有機発光装置を有する画像形成装置の例を示す模式図である。図８の画像形成装置６は、感光体６１と、露光光源６２と、現像器６４と、帯電部６５と、転写器６６と、搬送ローラー６７と、定着器６９と、を有している。

図８の画像形成装置６は、露光光源６２から感光体６１へ向けて光６３が照射され、感光体６１の表面に静電潜像が形成される。図８の画像形成装置６において、露光光源６２は、本発明に係る有機発光装置である。また図８の画像形成装置６において、現像器６４は、トナー等を有している。図８の画像形成装置６において、帯電部６５は、感光体６１を帯電させるために設けられている。図８の画像形成装置６において、転写器６６は、現像された画像を紙等の記録媒体６８に転写するために設けられている。尚、記録媒体６８は、搬送ローラー６７によって転写機６６へ搬送される。図８の画像形成装置６において、定着器６９は、記録媒体６８に形成された画像を定着させるために設けられている。

図９（ａ）及び図９（ｂ）は、図８の画像形成装置６を構成する露光光源（露光器）の具体例を示す平面概略図であり、図９（ｃ）は、図８の画像形成装置６を構成する感光体の具体例を示す概略図である。尚、図９（ａ）及び図９（ｂ）は、露光光源６２に有機発光素子を含む発光部６２ａが長尺状の基板６２ｃの長軸方向に沿って、一列に複数配置されている点で共通している。また符合６２ｂの矢印は、発光部６２ａが配列されている列方向を表わす。この列方向は、感光体６１が回転する軸の方向と同じである。

ところで図９（ａ）では、発光部６２ａは、感光体６１の軸方向に沿って配置した形態である。一方、図９（ｂ）では、第一の列αと第二の列βとのそれぞれにおいて発光部６２ａが列方向に交互に配置されている形態である。図９（ｂ）において、第一の列α及び第二の列βは、それぞれ行方向に異なる位置に配置されている。

また図９（ｂ）において、第一の列αは、複数の発光部６２αが一定の間隔を空けて配置される一方で、第二の列βは、第一の列αに含まれる発光部６２α同士の間隔に対応する位置に発光部６２βを有する。即ち、図９（ｂ）の露光光源は、行方向にも、複数の発光部が一定の間隔を空けつつ配置されている。

尚、図９（ｂ）の露光光源は、露光光源を構成する発光部（６２α、６２β）を、例えば、格子状、千鳥格子、あるいは市松模様に配置されている状態と言い換えることもできる。

図１０は、本発明に係る有機発光素子を有する照明装置の例を示す模式図である。図１０の照明装置は、基板（不図示）の上に設けられる有機発光素子７１と、ＡＣ／ＤＣコンバーター回路７２と、を有している。図１０の照明装置において、装置を構成する有機発光素子７１は、本発明の有機発光装置あるいは本発明の有機発光装置の構成部材である。また図１０の照明装置は、装置内の熱を外部へ放出する放熱部に相当する放熱板（不図示）を、例えば、有機発光素子７１が載置されている側とは反対側の基板面に有していてもよい。

以上説明の通り、本発明の有機発光装置を駆動することにより、良好な画質で、長時間安定な表示が可能である。

以下、実施例により、本発明を詳細に説明する。尚、後述する基板の形成工程ではシリコン基板を出発材料として用いているが、代わりにガラス等の透明基板を用いてもよい。また実施例にて作製する有機発光装置は、発光層を青色発光層としているが、本発明はこれに限定されない。即ち、有機発光装置の表示領域内から出力される光の色（発光色）は、１種類（単一色）であってもよいし２種類以上（複数色）であってもよい。また、発光画素の配置についても特に限定されない。また光を反射する役割を果たす電極（反射電極）は、上部電極であってもよいし下部電極であってもよい。また電極（下部電極、上部電極）の材料としては、少なくともフォトリソプロセス等のパターニング工程を行ったときに劣化や変質が起こらない材料であるならばどのような電極材料を用いればよい。

（実施例１(参考例)）
図５に示される製造プロセスに従って、図１の有機発光装置１を作製した。

（１）基板の形成工程（図５（ａ））
ｎ形シリコン半導体基板を出発材料として、以下の代表的な工程を経て下地駆動回路が形成された回路付基板（以下、基板１０という。）を作製した。尚、ここで作製した回路付基板は、Ａｌ配線を有する基板であり、またこの回路付基板の作製フローは通常の半導体プロセスに則って実施できる。さらにこの回路付基板の作製フローにおいて、Ｃｕ配線を用いたり、トランジスタにダブルゲート等を採用したり、ソース・ドレインとチャネルとの間に低濃度不純物層を挿入したり、というような通常採用される半導体プロセスは適用できるものとする。
１）酸化によるＬＯＣＯＳ（Ｌｏｃａｌ Ｏｘｉｄａｔｉｏｎ ＯＦ Ｓｉｌｉｃｏｎ）の形成
２）イオン注入によるＰ型ウェル構造の形成
３）酸化によるゲート酸化膜の形成
４）ポリＳｉゲート電極の形成
５）イオン注入によるソース・ドレイン構造の形成
６）層間絶縁膜の形成及びＣＭＰ
７）コンタクトホールの形成
８）タンクステンでコンタクトホールの穴埋め及びＣＭＰ
９）Ａｌ配線形成
１０）６）〜９）を繰り返す
１１）層間絶縁膜１１の形成及びＣＭＰ
１２）コンタクトホール１３の形成
１３）タングステンでコンタクトホール１３の穴埋め及びＣＭＰ
１４）下部電極２１を形成
１５）必要な場合には、下部電極２１の周辺を覆う画素分離膜１２を形成

以下、上記１４）及び１５）のプロセスについて、具体的に説明する。まず、層間絶縁層１１の上に、銀を膜厚１００ｎｍで成膜して、反射電極膜を形成した。次いでこの反射電極膜の上に、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）を膜厚２５ｎｍで成膜して、透明導電膜を形成した。次に、公知のフォトリソグラフィ法を用いて、反射電極膜（銀膜）と透明導電膜（ＩＴＯ膜）とからなる積層電極膜をパターニングした。これにより、同一のＩＴＯ層から下部電極２１と配線接続部２４とを形成した。尚、下部電極２１及び配線接続部２４は、コンタクトホール１３に充填されている配線によって層間絶縁膜１１より下層に設けられている駆動回路（不図示）とそれぞれ接続される。

次に、ＣＶＤ成膜により、基板１０の全面に、窒化珪素を膜厚１００ｎｍで成膜して画素分離膜１２を形成した。次に、ＳｉＮ膜の上に、フォトレジストを成膜した後、成膜したフォトレジストを用いたフォトリソグラフィによるパターニングによって、所定の形状にパターニングしたレジストを形成した。次に、形成したレジストをマスクにしたＣＦ ₄ ガスを用いてドライエッチングにより、図５（ａ）に示されるように、下部電極２１及び配線接続部２４が露出するように開口部１２ａを設けた。次に、このドライエッチングを行う際に画素分離膜１２の上に残ったレジスト残渣を酸素ガスによるドライエッチングによって除去した。次に、画素分離膜１２まで形成した基板１０について、市販の枚様式洗浄機を用いて、二流体あるいはメガソニックを使った純水洗浄を用いた洗浄を行い、その表面を洗浄した。これにより図５（ａ）に記載されている基板１０を作製した。尚、本実施例にて作製した基板１０は、図２（ｂ）に示されるように、複数の発光画素２０が千鳥ラインで配置されていた。

（２）リフトオフ層の形成・パターニング工程（図５（ｂ）〜（ｅ））
次に、水溶性高分子材料のポリビニルピロリドン（ＰＶＰ）と水とを混合してＰＶＰ水溶液を調製した。次に、スピンコート法により、基板１０の上に、調製したＰＶＰ水溶液を塗布・成膜した。次に、成膜したＰＶＰからなる膜（ＰＶＰ膜）を１１０℃でベークして乾燥させることで、膜厚５００ｎｍのリフトオフ層５３を形成した（図５（ｂ））。

次に、スピンコート法により、市販のフォトレジスト材料（ＡＺエレクトロニックマテリアルズ製、製品名「ＡＺ１５００」）を成膜してレジスト膜を形成した後、フォトレジスト材料に含まれる溶剤を飛ばすことでレジスト層５０を形成した（図５（ｂ））。このときフォトレジスト層５０の膜厚は、１０００ｎｍであった。

次に、フォトレジスト層５０まで形成した基板１０を露光装置にセットし、フォトマスク５１を介して露光光５２を４０秒間照射し、露光されたフォトレジスト５０ａを得た（図５（ｃ））。露光後、現像液（ＡＺエレクトロニックマテリアルズ製、製品名「３１２ＭＩＦ」を水で希釈し濃度を５０％としたもの）を用いて１分間現像した（図５（ｄ））。これにより露光されたフォトレジスト５０ａを除去した（図５（ｅ））。次に、フォトレジスト層５０をマスクとして、ドライエッチングにより、フォトレジスト層５０に被覆されていないリフトオフ層５３を除去した。このときエッチングガス（反応ガス）を酸素とし、エッチングガスの流量を２０ｓｃｃｍとし、装置内の圧力を８Ｐａとし、出力を１５０Ｗとし、処理時間を１０分とした。

（３）有機化合物層の成膜工程（図５（ｆ））
真空蒸着法により、基板１０及び下部電極２１の上に有機化合物層２２を形成した。ここで、本実施例にて使用した有機化合物を以下に列挙する。

まず下部電極２１の上に、化合物１を膜厚３ｎｍで成膜して正孔注入層を形成した。次に、正孔注入層の上に、化合物２を膜厚１００ｎｍで成膜して正孔輸送層を形成した。次に、正孔輸送層の上に、化合物３を膜厚１０ｎｍで成膜して電子ブロック層を形成した。

次いで、電子ブロック層の上に、化合物４（ホスト）と化合物５（ゲスト・発光材料）とを共蒸着して発光層を膜厚２０ｎｍで形成した。尚、発光層を形成する際に、化合物５が発光層全体に対して１重量％含まれるようにした。さらに、発光層の上に、化合物６を膜厚１０ｎｍで成膜して正孔ブロック層を形成した。次に、正孔ブロック層の上に、化合物７を膜厚４０ｎｍで成膜して電子輸送層を形成した。次に、電子輸送層の上に、化合物７と化合物８とを共蒸着して電子注入層を膜厚１５ｎｍで形成した。尚、電子注入層を形成する際に、化合物７と化合物８との重量濃度比が１：１になるようにした。

以上により、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロック層、発光層、正孔ブロック層、電子輸送層及び電子注入層がこの順で積層されてなる有機化合物層２２を形成した（図５（ｆ））。

（４）リフトオフ工程（図５（ｇ））
次に、基板１０の表面を純水で洗浄することでリフトオフを行った。リフトオフには、窒素ガス（３０Ｌ／ｍｉｎ）と純水（１Ｌ／ｍｉｎ）とからなる二流体ノズルを使用した。本工程によって、リフトオフ層５３の上に形成されている有機化合物層２２が除去された。これにより、発光画素を囲むように有機化合物層２２がパターニングされ、同時に、この工程によって、配線接続部２４の表面が露出された。続いて真空中１００℃の条件でベークを行って、基板１０を乾燥させた。

（５）上部電極の作製工程（図５（ｈ）〜（ｋ））
次に、真空蒸着法により、基板１０の全面に亘ってアルミニウム（Ａｌ）を膜厚２０ｎｍで成膜してＡｌ膜を形成した。尚、有機化合物層２２の膜端はＡｌ膜に被覆されていた。次に、スパッタにより、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）を膜厚３００ｎｍで成膜して透明導電膜を形成した。尚、Ａｌ膜と透明導電膜とがこの順で積層されてなる積層電極膜は、上部電極２３として機能する（図５（ｈ））。次に、透明導電膜の上に、フォトレジスト材料（ＡＺエレクトロニックマテリアルズ製、製品名「ＡＺ１５００」）を塗布しレジスト膜を形成した。次に、レジスト膜に含まれる溶剤を飛ばすことでフォトレジスト層５０を形成した（図５（ｉ））。このときフォトレジスト層５０の膜厚は１０００ｎｍであった。

次に、フォトレジスト層５０まで形成された基板１０を露光装置にセットし、フォトマスク５１を介して露光光５２を４０秒間照射することで、露光されたフォトレジスト５０ａを得た（図５（ｊ））。露光後、現像液（ＡＺエレクトロニックマテリアルズ製、製品名「３１２ＭＩＦ」を水で希釈し濃度を５０％としたもの）を用いて１分間現像した。これにより露光されたフォトレジスト５０ａを除去した。次に、パターニングされたフォトレジスト層５０をマスクとして、ドライエッチングにより、フォトレジスト層５０に被覆されていない上部電極２３を除去した。このとき上部電極２３を構成する透明導電膜をエッチングする際には、エッチングガスをメタン（ＣＨ₄）及び水素（Ｈ₂）の混合気体とし、エッチングレートを１０ｎｍ／ｍｉｎとし、エッチング時間を３０ｍｉｎとした。また上部電極２３を構成するＡｌ膜をエッチングする際には、エッチングガスを塩化ホウ素（ＢＣｌ₃）及び塩素（Ｃｌ₂）の混合ガスとし、エッチングレートを１０ｎｍ／ｓｅｃとし、エッチング時間を３秒間とした。

（６）封止工程（図５（ｌ））
次に、窒化珪素（ＳｉＮ）からなる薄膜による封止を行った。具体的には、まず前工程（（５）の工程）まで終わった基板１０の上に、ＳｉＨ₄及びＮ₂を反応ガスとして用いたＣＶＤ成膜により、窒化珪素膜を膜厚２μｍで形成した。次に、フォトリソグラフィによって、窒化珪素膜をパターニングして外部接続用のパッド電極を露出させる（不図示）と共に、封止層３０を形成した（図５（ｌ））。またこのとき、前工程にてパターニングされた上部電極２３となる膜の端部は全て封止層３０によって覆われていた。

（比較例１）
実施例１において、有機化合物層２２を、マスクを用いた真空蒸着法により、発光画素を覆うように成膜し、また上部電極２３を、マスクを用いたスパッタ成膜により所定の形状で形成した。これらを除いては実施例１と同様の方法により有機発光装置１を作製した。

（実施例２(参考例)）
実施例１（１）において、画素分離膜１２を設ける代わりに、フォトリソグラフィによって下部電極２１を各画素のそれぞれにパターニング形成した以外は、実施例１と同様の方法により有機発光装置１を作製した。

（実施例３(参考例)）
実施例１において、有機化合物層２２を形成する際に、電子輸送層の膜厚を５５ｎｍとし、電子注入層として、銀と炭酸セシウムとを、炭酸セシウムが銀中に１０重量％の濃度で含まれるように共蒸着した膜を膜厚４ｎｍで成膜した。また上部電極２３を形成する際に、銀を膜厚１６ｎｍで成膜し、さらにスパッタにより、インジウム亜鉛酸化物を膜厚３００ｎｍで成膜してなる積層電極膜を形成した。さらに、二酸化窒素（ＮＯ₂）及びアンモニア（ＮＨ₃）からなるエッチングガスを用いて、エッチングレートを８２ｎｍ／ｍｉｎに設定し、１０秒間エッチングすることで上記積層電極膜を構成するＡｇをドライエッチングした。以上を除いては、実施例１と同様の方法により有機発光装置を作製した。

（実施例４(参考例)）
実施例１において、使用する基板１０（電極付基板）を、発光画素とこの発光画素に最も近接する配線接続部との距離が２０μｍ以内である基板とした。これ以外は、実施例１と同様の方法により有機発光装置を作製した。

（実施例５(参考例)）
実施例１において、シリコン半導体基板の替わりに、ガラス・樹脂等の透明基板を用いた。またトランジスタを形成する層として、多結晶Ｓｉ、非晶質Ｓｉあるいは酸化物半導体（例えば、ＩＧＺＯ）を用いた。さらに、下部電極２１として、ＩＴＯからなる層のみからなる透明導電膜とした。また上部電極２３として、Ａｌからなる反射電極膜とし、具体的には、真空蒸着法によりＡｌを膜厚３００ｎｍで成膜した。また上部電極２３を形成する際に行われる反射電極膜のドライエッチング条件として、塩化ホウ素（ＢＣｌ₃）及び塩素（Ｃｌ₂）からなるエッチングガスを使用し、エッチングレートを１０ｎｍ／ｓｅｃの条件とし、エッチング時間を３０秒間とした。以上を除いては、実施例１と同様の方法により有機発光装置を作製した。

（実施例６(参考例)）
実施例１において、基板１０に配置される発光画素２０の配置態様が、２次元配置のマトリックス状（図２（ｃ））となるように、電極付基板（基板１０）を形成した以外は、実施例１と同様の方法により、有機発光装置１を作製した。

（実施例７(参考例)）
実施例１において、基板１０に配置される発光画素２０が、第１副画素２０ａ、第２副画素２０ｂ及び第３副画素２０ｃから構成され、発光画素２０の配置態様が、２次元配置のマトリックス状（図２（ｄ））となるように、電極付基板（基板１０）を形成した。またマスクを用いた真空蒸着成膜により、有機化合物層を構成する各層の膜厚や発光層の構成材料を副画素単位で適宜変更しながら各副画素（２０ａ、２０ｂ、２０ｃ）を構成する有機化合物層を形成した。以上を除いては、実施例１と同様の方法により有機発光装置を作製した。尚、本実施例において、第１副画素２０ａは青色副画素として機能し、第２副画素２０ｂは緑色副画素として機能し、第３副画素２０ｃは赤色副画素として機能する。

（実施例８）
図６に示される製造プロセスに従って、図４の有機発光装置２を作製した。尚、本実施例では、発光層が赤色発光層である有機発光装置を作製したが、本発明はこれに限定されない。また本実施例にて作製された有機発光装置には発光画素が複数設けられているが、本発明においては、各光画素の配置についても特に限定されない。

（１）基板の形成工程（図６（ａ））
実施例１（１）と同様の方法により、ｎ形シリコン半導体基板を出発材料として基板１０を作製した。

本実施例において、下部電極２１は、光反射機能を有する電極とした。具体的には、
まず層間絶縁層１１（コンタクトホール１３が形成されている部分を含む）の全面に、Ａｇを１００ｎｍの膜厚で成膜し、次いでＡｇからなる膜の上にインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）を２５ｎｍの膜厚で成膜したことで、積層電極膜を形成した。次に、公知のフォトリソグラフィ法を用いてとＡｇからなる膜（Ａｇ膜）とＩＴＯからなる膜（ＩＴＯ膜）とからなる積層電極膜をパターニングした。これにより、下部電極２１と共に、下部電極２１と同一の積層構成である配線接続部２４を形成した。尚、これら電極は、コンタクトホール１３に充填されるタングステン配線によって基板１０の下層にある駆動回路にそれぞれ接続された（不図示）。

次に、ＣＶＤ成膜により、基板１０の全面（下部電極２１、配線接続部２４及び層間絶縁層１２の上）に、窒化珪素を膜厚１００ｎｍで成膜した。さらに窒化珪素からなる膜の上にフォトレジストを成膜してレジスト層を形成した。次に、形成したレジスト層をフォトリソグラフィにより所定の形状にパターニングし、次いでパターニングしたレジスト層をマスクとしてＣＦ₄ガスを用いたドライエッチングにより、図６（ａ）に示すように、下部電極２１を設ける領域及び配線接続部２４を設ける領域にそれぞれ開口部１２ａを設けた。次に、このドライエッチングを行う際に画素分離膜１２の上に残ったレジスト残渣を酸素ガスによるドライエッチングによって除去した。次に、画素分離膜１２まで形成した基板１０について、市販の枚様式洗浄機を用いて、二流体あるいはメガソニックを使った純水洗浄を用いた洗浄を行い、その表面を洗浄した。これにより図６（ａ）に記載されている基板１０を作製した。尚、本実施例にて作製した基板１０は、図２（ｂ）に示されるように、複数の発光画素２０が千鳥ラインで配置されていた。

（２）有機化合物層の形成（図６（ｂ））
実施例１（３）と同様の方法により、有機化合物層２２を形成した。

（３）第１の上部電極層の形成（図６（ｃ））
次に、真空蒸着あるいはスパッタにより、有機化合物層２２の上に、Ａｌを膜厚１５ｎｍで成膜して半透過層を形成した。次に、スパッタにより、半透過層の上に、インジウム亜鉛酸化物を膜厚２００ｎｍで成膜して透明電極層を形成した。尚、半透過層と透明電極層とがこの順で積層されてなる積層電極は、第１の上部電極層２６として機能する（図６（ｃ））。

（４）有機化合物層及び第１の上部電極層の加工（パターニング）（図６（ｄ）〜（ｈ））
次に、第１の上部電極層２６の上にポジタイプのフォトレジスト（例えば、ＡＺエレクトロニックマテリアルズ製、製品名「ＡＺ１５００」）を塗布しレジスト膜を成膜した。その後このレジスト膜に含まれる溶剤を飛ばすことでレジスト層５０を形成した（図６（ｄ））。このときレジスト層５０の膜厚は１０００ｎｍであった。

次に、レジスト層５０まで形成した基板１０を、露光装置にセットし、フォトマスク５１を介して露光光５２を４０秒間照射し、露光されたレジスト層５０ａを得た（図６（ｅ））。露光後、現像液（例えば、ＡＺエレクトロニックマテリアルズ製、製品名「３１２ＭＩＦ」を水で希釈し濃度を５０％としたもの）を用いて１分間現像した。これにより露光されたレジスト層５０ａを除去した（図６（ｆ））。次に、パターニングされたレジスト層５０をマスクとした部分的なドライエッチングにより、レジスト層５０に被覆されていない第１の上部電極層２６及び有機化合物層２２を除去した（図６（ｇ））。このときインジウム亜鉛酸化物（透明電極層）のエッチングの際は、ＣＨ₄＋Ｈ₂のプラズマエッチングで２０分処理した。また、半透過層のエッチングの際は、ＢＣｌ₃＋Ｃｌ₂のプラズマエッチングで１０秒処理した。さらに有機化合物層２２のエッチングの際は、Ｏ₂のプラズマエッチングで１０分処理した。

これにより、有機化合物層２２と第１の上部電極層２６とがほぼ同一のレイアウトでパターンニングされた（図６（ｈ））。

（５）第２の上部電極層の形成及び加工（パターニング）（図６（ｉ）〜（ｍ））
次に、スパッタにより、第１の上部電極層２６や配線接続部２４が設けられている基板１０の全面に亘って、インジウム亜鉛酸化物を膜厚２００ｎｍで成膜して、第２の上部電極層２７となる透明電極層を形成した（図６（ｉ））。次に、この透明電極層を、上記（４）（第１の上部電極層２６の加工方法）と同様の方法により、所定の形状にパターニングして第２の上部電極層２７を形成した（図６（ｊ）〜（ｍ））。尚、第２の上部電極層２７を形成する際に、第２の上部電極層２７のパターニングのレイアウトとしては、下記（５ａ）及び（５ｂ）を満たす必要がある。
（５ａ）第２の上部電極層２７が第１の上部電極層２６の少なくとも一部に重なっていること
（５ｂ）第２の上部電極層２７が配線接続部２４を覆っていること

例えば、図６（ｍ）に示されるように、第２の上部電極層２７が、第１の上部電極層２６の全部を覆っている態様がある。

（６）封止工程（図６（ｎ）〜（ｏ））
次に、窒化珪素（ＳｉＮ）からなる薄膜を用いて有機発光装置を構成する有機発光素子の封止を行った。具体的には、反応ガスとしてＳｉＨ₄及びＮ₂を用いたＣＶＤ成膜により、所定の形状にてパターニングされた第２の上部電極層２７まで形成された基板１０上に、窒化珪素を膜厚２μｍで成膜して封止膜３０になる窒化珪素膜を形成した（図６（ｎ））。この後、フォトリソグラフィによって窒化珪素膜をパターニングして外部接続用のパッド電極を露出させた（不図示）。また、このとき、上記（５）にて形成された第２の上部電極層２７の端部は、全て窒化珪素からなる封止膜３０によって覆った（図６（ｏ））。

以上の工程により、図４の有機発光装置２を作製した。

（比較例２）
実施例８において、有機化合物層２２を、マスクを用いた真空蒸着法により、発光画素を覆うように成膜し、また第１の上部電極層２６及び第２の上部電極層２７を、マスクを用いたスパッタ成膜により所定の形状で形成した。これらを除いては実施例８と同様の方法により有機発光装置２を作製した。

（実施例９）
実施例８（１）において、画素分離膜１２を設ける代わりに、フォトリソグラフィによって下部電極２１を各画素のそれぞれにパターニング形成した以外は、実施例８と同様の方法により有機発光装置２を作製した。

（実施例１０）
実施例８において、使用する基板１０（電極付基板）を、発光画素とこの発光画素に最も近接する配線接続部との距離が２０μｍ以内である基板とした。これ以外は、実施例８と同様の方法により有機発光装置２を作製した。

（実施例１１）
実施例８において、第１の上部電極層２６を、下記（ｉ）又は（ｉｉ）とした。
（ｉ）膜厚が１５ｎｍであるＡｇからなる層（半透過Ａｇ層）と膜厚が２００ｎｍであるインジウム亜鉛酸化物からなる層（透明電極層）との積層体
（ｉｉ）膜厚が２１５ｎｍであるインジウム亜鉛酸化物からなる層（透明電極層のみからなる層

これ以外は、実施例８と同様の方法により有機発光装置２を作製した。尚、上記（ｉ）及び（ｉｉ）は、有機化合物層２２の構成材料の組み合わせによって、適宜選ぶことができる。

（実施例１２）
実施例８において、下部電極２１を形成する際に、反射電極であるＡｇ層の形成を省略してＩＴＯ層のみからなる透明電極として形成した。これ以外は実施例８と同様の方法により有機発光装置２を作製した。

（実施例１３）
実施例８において、シリコン半導体基板の替わりに、ガラス・樹脂等の透明基板を用いた。またトランジスタを形成する層として、多結晶Ｓｉ、非晶質Ｓｉあるいは酸化物半導体（例えば、ＩＧＺＯ）を用いた。さらに、下部電極２１として、ＩＴＯからなる層のみからなる透明導電膜、あるいはＡｇからなる層（半透過膜）とＩＴＯからなる層（透明導電膜）とが積層されてなる積層電極膜とした。また第１の上部電極層２６を、ＡｌあるいはＡｇからなる層（反射電極膜）、又はＡｌあるいはＡｇからなる膜（反射電極膜）とインジウム亜鉛酸化物からなる層（透明導電膜）で膜厚が２１５ｎｍからなる積層体とした。これらを除いては、実施例８と同様の方法により、有機発光装置２を作製した。尚、本実施例で作製された有機発光装置は、発光層から出力された光を基板側から取り出す「ボトムエミッション」タイプの有機発光装置である。また本実施例において、第１の上部電極層２６の構成材料を、ＡｌやＡｇからＭｏ、Ｔｉ等の他の金属材料に入れ替えてもよい。

（実施例１４）
実施例８において、シリコン半導体基板の替わりに、ガラス・樹脂等の透明基板を用いた。またトランジスタを形成する層として、多結晶Ｓｉ、非晶質Ｓｉあるいは酸化物半導体（例えば、ＩＧＺＯ）を用いた。さらに、下部電極として、Ａｇからなる層（反射膜）とＩＴＯからなる層（透明導電膜）とが積層されてなる積層電極膜とした。また第１の上部電極層２６として、下記（ｉ）又は（ｉｉ）を選択した。
（ｉ）膜厚が１５ｎｍであるＡｇからなる層（半透過Ａｇ層）と膜厚が２００ｎｍであるインジウム亜鉛酸化物からなる層（透明電極層）との積層体
（ｉｉ）膜厚が２１５ｎｍであるインジウム亜鉛酸化物からなる層（透明電極層のみからなる層

以上を除いては、実施例８と同様の方法により、有機発光装置２を作製した。尚、本実施例で作製された有機発光装置２は、発光層から出力された光を基板１０とは反対側から取り出す「トップエミッション」タイプの有機発光装置である。また本実施例において、第１の上部電極層２６の構成材料を、ＡｌやＡｇからＭｏ、Ｔｉ等の他の金属材料（半透過膜又は反射膜の構成材料）に入れ替えてもよい。

（実施例１５）
実施例８において、基板１０に配置される発光画素２０の配置態様が、２次元配置のマトリックス状（図２（ｃ））となるように、電極付基板（基板１０）を形成した以外は、実施例８と同様の方法により、有機発光装置２を作製した。

（実施例１６）
基板１０に配置される発光画素２０が、第１副画素２０ａと、第２副画素２０ｂと、第３副画素２０ｃとから構成され、発光画素２０の配置態様が、２次元配置のマトリックス状（図２（ｄ））となる有機発光装置２を作製した。

（１）基板の形成工程（図７（ａ））
実施例８（１）に示されたプロセスに従い、各副画素（２０ａ、２０ｂ、２０ｃ）を構成する下部電極（２１ａ、２１ｂ、２１ｃ）及び配線接続部２４を備える電極付基板（基板１０）を作製した（図７（ａ））。

（２）有機化合物層及び第１の上部電極層の形成工程（図７（ｂ）〜（ｄ））
実施例８（２）乃至（４）に示されたプロセスに従い、各副画素（２０ａ、２０ｂ、２０ｃ）を構成する有機化合物層（２２ａ、２２ｂ、２２ｃ）及び第１の上部電極層（２６ａ、２６ｂ、２６ｃ）を形成した。尚、各構成部材を形成する際に、使用した有機材料、構成部材の膜厚及び構成部材を形成する位置を副画素ごとに変化させた。

本実施例では、第１副画素２０ａに、赤色発光有機化合物を含む第１有機化合物層２２ａ及び第１の上部電極層２６ａを形成した（図７（ｂ））。また第２副画素２０ｂに、緑色発光有機化合物を含む第２有機化合物層２２ｂ及び第１の上部電極層２６ｂを形成した（図７（ｃ））。さらに、第３副画素２０ｃに、青色発光有機化合物を含む第３有機化合物層２２ｃ及び第１の上部電極層２６ｃを形成した（図７（ｄ））。

（５）第２の上部電極層の形成（図７（ｅ））
実施例８（５）に示されたプロセスに従い、第２の上部電極層２７を、各副画素（２０ａ、２０ｂ、２０ｃ）に共通する電極として形成した（図７（ｅ））。尚、本実施例において、第２の上部電極層２７は、実施例８（５）と同様に適宜加工（パターニング）を行ってもよい。

（６）封止工程（図７（ｆ））
実施例８（６）に示されたプロセスに従い、封止層３０を形成した（図７（ｆ））。尚、本実施例において、封止膜３０は、実施例８（６）と同様に適宜加工（パターニング）を行ってもよい。

以上により、赤、青、緑の発光領域（副画素）が、図２（ｄ）に示されるように２次元マトリクスの形式で配置される、カラー表示のディスプレイが作製された。

（評価結果）
上記の実施例１乃至４、６乃至８、９乃至１２及び１４乃至１６では上部電極側から、実施例５及び１３では下部電極側からそれぞれ光を取り出す有機発光装置が得られた。また実施例７及び１６では、三色の発光画素（Ｒ、Ｇ、Ｂ）からなるフルカラーディスプレイが得られた。

ここで実施例１乃至７にてそれぞれ作製された有機発光装置１において、有機化合物層２２になる膜の膜端部分の断面形状の指標となるｔａｎ（θ）（ｔａｎ（θ₁））は０．２８であった。また上部電極２３になる膜の膜端部分の断面形状の指標となるｔａｎ（θ）（ｔａｎ（θ₂））は０．４３であった。即ち、有機発光装置１を構成する有機化合物層２２及び上部電極２３の膜端部分の断面形状の指標となるｔａｎ（θ）（ｔａｎ（θ₁）、ｔａｎ（θ₂））は、いずれも０．２０以上であった。

実施例８乃至１６にてそれぞれ作製された有機発光装置２において、有機化合物層２２になる膜の膜端部分の断面形状の指標となるｔａｎ（θ）（ｔａｎ（θ₃））は０．２８であった。また第１の上部電極層２６となる端の膜端部分の断面形状の指標となるｔａｎ（θ）（ｔａｎ（θ₃））は０．３１であった。さらに、第２の上部電極層２７となる端の膜端部分の断面形状の指標となるｔａｎ（θ）（ｔａｎ（θ₄））は０．２９であった。即ち、有機発光装置２を構成する有機化合物層２２、並びに上部電極２３を構成する第１の上部電極層２６及び第２の上部電極層２７の膜端部分の断面形状の指標となるｔａｎ（θ）（ｔａｎ（θ₃）、ｔａｎ（θ₄））は、いずれも０．２０以上であった。さらに、有機化合物層２２の膜端の膜端テーパー幅は０．７μｍであり、また、上部電極２３を構成する第１の上部電極層２６及び第２の上部電極層２７の膜端の膜端テーパー幅はいずれも０．７μｍであった。

一方、比較例１及び２にて作製した有機発光装置は、有機化合物層２２の膜端テーパー幅は１４２μｍであり、また、上部電極２３、第１の上部電極層２６、第２の上部電極層２７の膜端の膜端テーパー幅は２２８μｍであった。従って、各実施例（１乃至１６）にてそれぞれ作製した有機発光装置は、有機化合物層２２の膜端テーパー幅を１３７μｍ縮小させることができ、かつ上部電極２３の膜端テーパー幅を２２３μｍ縮小させることができた。これにより額縁領域が有機化合物層及び上部電極によって制約される有機発光装置の基板上の１辺において、最大で３６０μｍの額縁領域の縮小が可能であることが分かった。

また、実施例１乃至８にて作製した有機発光装置１は、有機化合物層２２の膜端が上部電極２３によって覆われているので、水分や酸素の浸透による発光画素部の劣化は防止されるため、長寿命の発光装置であることが分かった。同じく実施例９乃至１６にて作製した有機発光装置２は、有機化合物層２２の膜端が第１の上部電極層２６と第２の上部電極層２７とからなる上部電極２３によって覆われているので、水分や酸素の浸透による発光画素部の劣化は防止されるため、長寿命の発光装置であることが分かった。

１：有機発光装置、２：有機発光装置、１０：基板、１１：層間絶縁層、１２：画素分離膜、１３：コンタクトホール（配線）、２０：発光画素、２０ａ：第１副画素、２０ｂ：第２副画素、２０ｃ：第３副画素、２１（２１ａ、２１ｂ、２１ｃ）：下部電極、２２（２２ａ、２２ｂ、２２ｃ）：有機化合物層、２３：上部電極、２４：配線接続部、２６（２６ａ、２６ｂ、２６ｃ）：第１の上部電極層、２７：第２の上部電極層、３０：封止層、４１：膜上で成膜誤差（−Δｔ）よりも薄くなった点、４２：膜厚０の点、４３：膜厚、４４：膜端断面のテーパー幅、４５：膜端断面の傾きと基板表面のなす角度（θ）、５０：レジスト層、５１：フォトマスク、５２：露光光、５３：リフトオフ層

Claims (18)

1. 基板と、
   前記基板の上に順次設けられる下部電極と、発光層を含む有機化合物層と、上部電極と、を有する有機発光装置であって、
   前記有機化合物層が前記下部電極を被覆し、
   前記上部電極が前記有機化合物層を被覆し、
   前記上部電極が、前記基板に設けられた配線接続部と電気的に接続され、
   前記有機化合物層の少なくとも一部の領域における膜端の断面について、下記式（ａ）が満たされ、
   （ａ）ｄ₁／ｄ₂≧０．２
   （式（ａ）において、ｄ₁は、有機化合物層の膜厚を表し、ｄ₂は、有機化合物層の膜端の断面のテーパー幅を表す。）
   前記上部電極が、第１の上部電極層と、第２の上部電極層と、をこの順で有し、
   前記有機化合物層の平面パターンが前記第１の上部電極層の平面パターンと略同一であり、
   前記第２の上部電極層の少なくとも一部が、前記第１の上部電極層と重なり、
   前記第２の上部電極層が、第１の上部電極層と重ならない領域において、前記基板に設けられた配線接続部と電気的に接続されることを特徴とする有機発光装置。
2. 前記有機化合物層の平面パターンが前記第１の上部電極層の平面パターンと同一であるとを特徴とする、請求項１に記載の有機発光装置。
3. 前前記有機化合物層と、前記第１の上部電極層は、同じレジストパターンによりパターニングされていることを特徴とする、請求項１または２に記載の有機発光装置。
4. 前記第１の上部電極層の膜端の断面について、下記式（ｃ）が満たされることを特徴とする、請求項１乃至３のいずれか一項に記載の有機発光装置。
   （ｃ）ｄ₅／ｄ₆≧０．２
   （式（ｃ）において、ｄ₅は、第１の上部電極層の膜厚を表し、ｄ₆は、第１の上部電極層の膜端断面のテーパー幅を表す。）
5. 前記第２の上部電極層の膜端の断面について、下記式（ｄ）が満たされることを特徴とする、請求項１乃至４のいずれか一項に記載の有機発光装置。
   （ｄ）ｄ₇／ｄ₈≧０．２
   （式（ｄ）において、ｄ₇は、第２の上部電極層の膜厚を表し、ｄ₈は、第２の上部電極層の膜端断面のテーパー幅を表す。）
6. 前記第２の上部電極層が前記第１の上部電極層を覆うように形成されていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の有機発光装置。
7. 前記有機化合物層の膜端断面のテーパー幅、又は前記第２の上部電極層の膜端断面のテーパー幅が、５μｍ以下であることを特徴とする、請求項１乃至６のいずれか一項に記載の有機発光装置。
8. 前記有機化合物層の膜端の断面のテーパー幅、又は前記第１の上部電極層の膜端の断面のテーパー幅が、５μｍ以下であることを特徴とする、請求項１乃至７のいずれか一項に記載の有機発光装置。
9. 前記上部電極を被覆するように封止層が形成され、
   前記封止層の一部に、外部接続端子部を設けるための開口を有することを特徴とする、請求項１乃至８のいずれか一項に記載の有機発光装置。
10. 請求項１乃至９のいずれか一項に記載の有機発光装置と、前記有機発光装置に接続されている能動素子と、を有することを特徴とする、表示装置。
11. 画像情報を入力する入力部と、前記画像情報を処理する情報処理部と、画像を表示する表示部を有し、
    前記表示部は、請求項１０に記載の表示装置であることを特徴とする、画像情報処理装置。
12. 請求項１乃至９のいずれか一項に記載の有機発光装置と、前記有機発光装置に駆動電圧を供給するＡＣ／ＤＣコンバーターと、を有することを特徴とする、照明装置。
13. 請求項１乃至９のいずれか一項に記載の有機発光装置と、放熱板と、を有する照明装置であって、
    前記放熱板が、前記照明装置内の熱を外部へ放出する放熱板であることを特徴とする、照明装置。
14. 感光体と、前記感光体を帯電させる帯電部と、前記感光体を露光する露光部と、前記感光体に現像材を供給する現像部とを有する電子写真方式の画像形成装置であって、
    前記露光部が、請求項１乃至９のいずれか一項に記載の有機発光装置を有することを特徴とする、画像形成装置。
15. 感光体を露光する露光装置であって、
    前記露光装置が、複数の有機発光装置を有し、
    前記複数の有機発光装置のうち少なくとも一つが、請求項１乃至９のいずれか一項に記載の有機発光装置であり、
    前記複数の有機発光装置が、前記感光体の長軸方向に沿って、一列に配置されていることを特徴とする、露光装置。
16. 基板の上に順次設けられる下部電極と、上部電極と、前記下部電極と前記上部電極との間に配置される発光層を含む有機化合物層と、を有する有機発光装置の製造方法において、
    下部電極に発光領域を決めるための発光領域制限部材を形成する工程と、
    前記下部電極の上に、有機化合物層と、第１の上部電極層と、を連続して形成する工程と、
    前記有機化合物層及び前記第１の上部電極層をパターニングする工程と、
    前記第１の上部電極層の上に第２の上部電極層を形成する工程と、を有し、
    前記有機化合物層の膜端の断面について、下記式（ａ）が満たされ、
    （ａ）ｄ₁／ｄ₂≧０．２
    （式（a）において、ｄ₁は、有機化合物層の膜厚を表し、ｄ₂は、有機化合物層の膜端の断面のテーパー幅を表す。）
    前記有機化合物層の平面パターンが、前記第１の上部電極層の平面パターンと略同一であり、
    前記第２の上部電極層の少なくとも一部が前記第１の上部電極層と重なっており、
    前記第２の上部電極層が、前記第１の上部電極層と重ならない領域において前記基板に設けられた配線接続部と電気的に接続されていることを特徴とする、有機発光装置の製造方法。
17. 前記有機化合物層及び前記第１の上部電極層をパターニングする工程が、
    前記第１の上部電極層の上にレジストを設ける工程と、
    前記レジストをフォトリソグラフィにより所定の形状を有するレジストパターンに加工する工程と、
    前記レジストパターンを用いて前記有機化合物層及び前記第１の上部電極層の一部をエッチングにより除去する工程と、からなることを特徴とする、請求項１６に記載の有機発光装置の製造方法。
18. 前記有機化合物層及び前記第１の上部電極層をパターニングする工程が、
    前記有機化合物層となる膜を成膜する前に、前記有機化合物層及び前記第１の上部電極層を除去する領域にリフトオフ層を形成する工程と、
    前記有機化合物層と、前記第１の上部電極層と、を連続して形成する工程と、
    前記リフトオフ層をエッチングすることで、前記リフトオフ層、並びに前記リフトオフ層の上に設けられた前記有機化合物層及び前記第１の上部電極層を除去する工程と、からなることを特徴とする、請求項１７に記載の有機発光装置の製造方法。

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