TW200907094A - Zirconium, hafnium, titanium and silicon precursors for ALD/CVD - Google Patents
Zirconium, hafnium, titanium and silicon precursors for ALD/CVD Download PDFInfo
- Publication number
- TW200907094A TW200907094A TW097113515A TW97113515A TW200907094A TW 200907094 A TW200907094 A TW 200907094A TW 097113515 A TW097113515 A TW 097113515A TW 97113515 A TW97113515 A TW 97113515A TW 200907094 A TW200907094 A TW 200907094A
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- group
- alkyl
- precursor
- different
- same
- Prior art date
Links
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 83
- 239000010936 titanium Substances 0.000 title claims abstract description 81
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 79
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 59
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 48
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 39
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 15
- 239000012686 silicon precursor Substances 0.000 title abstract 2
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims abstract description 240
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 claims abstract description 30
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 27
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 25
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 121
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 88
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 88
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 68
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 68
- 239000002585 base Substances 0.000 claims description 61
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 55
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 55
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 53
- 125000003983 fluorenyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3CC12)* 0.000 claims description 49
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 47
- -1 gun Chemical compound 0.000 claims description 43
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims description 42
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 41
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 41
- 239000003446 ligand Substances 0.000 claims description 40
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims description 36
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 claims description 36
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 claims description 33
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 claims description 31
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 28
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 claims description 27
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 27
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 27
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 24
- 150000004985 diamines Chemical class 0.000 claims description 24
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 24
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 23
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 23
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 claims description 22
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 22
- 125000005160 aryl oxy alkyl group Chemical group 0.000 claims description 21
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 19
- MHZGKXUYDGKKIU-UHFFFAOYSA-N Decylamine Chemical compound CCCCCCCCCCN MHZGKXUYDGKKIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 claims description 17
- 150000007942 carboxylates Chemical class 0.000 claims description 17
- 125000004183 alkoxy alkyl group Chemical group 0.000 claims description 16
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 16
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 claims description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 13
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 125000004368 propenyl group Chemical group C(=CC)* 0.000 claims description 13
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 claims description 13
- 125000000041 C6-C10 aryl group Chemical group 0.000 claims description 12
- 125000005915 C6-C14 aryl group Chemical group 0.000 claims description 12
- 125000003709 fluoroalkyl group Chemical group 0.000 claims description 12
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 claims description 11
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 11
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 10
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 10
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 10
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 claims description 10
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N Hydrazine Chemical compound NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 9
- 125000004648 C2-C8 alkenyl group Chemical group 0.000 claims description 8
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 claims description 8
- 125000003253 isopropoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(O*)C([H])([H])[H] 0.000 claims description 8
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 8
- DWCMDRNGBIZOQL-UHFFFAOYSA-N dimethylazanide;zirconium(4+) Chemical compound [Zr+4].C[N-]C.C[N-]C.C[N-]C.C[N-]C DWCMDRNGBIZOQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000010955 niobium Substances 0.000 claims description 7
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 claims description 6
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 6
- 241000894007 species Species 0.000 claims description 6
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 125000000882 C2-C6 alkenyl group Chemical group 0.000 claims description 5
- 229910000071 diazene Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 125000005594 diketone group Chemical group 0.000 claims description 5
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 5
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 claims description 5
- VZXTWGWHSMCWGA-UHFFFAOYSA-N 1,3,5-triazine-2,4-diamine Chemical compound NC1=NC=NC(N)=N1 VZXTWGWHSMCWGA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 claims description 4
- 125000005670 ethenylalkyl group Chemical group 0.000 claims description 4
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 125000005429 oxyalkyl group Chemical group 0.000 claims description 4
- 125000004642 (C1-C12) alkoxy group Chemical group 0.000 claims description 3
- 125000004400 (C1-C12) alkyl group Chemical group 0.000 claims description 3
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims description 3
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 150000002466 imines Chemical class 0.000 claims description 3
- 239000000376 reactant Substances 0.000 claims description 3
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052765 Lutetium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 125000003668 acetyloxy group Chemical group [H]C([H])([H])C(=O)O[*] 0.000 claims description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 2
- 125000002178 anthracenyl group Chemical group C1(=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C12)* 0.000 claims description 2
- 150000001718 carbodiimides Chemical class 0.000 claims description 2
- 238000009472 formulation Methods 0.000 claims description 2
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 2
- GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N Nitrous Oxide Chemical compound [O-][N+]#N GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 8
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 6
- 239000001272 nitrous oxide Substances 0.000 claims 4
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims 3
- ZRALSGWEFCBTJO-UHFFFAOYSA-N Guanidine Chemical compound NC(N)=N ZRALSGWEFCBTJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 239000001307 helium Substances 0.000 claims 2
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 claims 2
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052914 metal silicate Inorganic materials 0.000 claims 2
- 241001674044 Blattodea Species 0.000 claims 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- CHJJGSNFBQVOTG-UHFFFAOYSA-N N-methyl-guanidine Natural products CNC(N)=N CHJJGSNFBQVOTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000005899 aromatization reaction Methods 0.000 claims 1
- 238000000277 atomic layer chemical vapour deposition Methods 0.000 claims 1
- ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce] ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims 1
- SWSQBOPZIKWTGO-UHFFFAOYSA-N dimethylaminoamidine Natural products CN(C)C(N)=N SWSQBOPZIKWTGO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims 1
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 claims 1
- 239000012634 fragment Substances 0.000 claims 1
- 238000002309 gasification Methods 0.000 claims 1
- 150000002367 halogens Chemical group 0.000 claims 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000001397 quillaja saponaria molina bark Substances 0.000 claims 1
- 150000004060 quinone imines Chemical class 0.000 claims 1
- 229930182490 saponin Natural products 0.000 claims 1
- 150000007949 saponins Chemical class 0.000 claims 1
- 125000002730 succinyl group Chemical group C(CCC(=O)*)(=O)* 0.000 claims 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 abstract description 26
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 abstract 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 38
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 38
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 230000008569 process Effects 0.000 description 20
- 125000001570 methylene group Chemical group [H]C([H])([*:1])[*:2] 0.000 description 14
- OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N Pentane Chemical compound CCCCC OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 12
- 239000000047 product Substances 0.000 description 11
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 8
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 8
- ROSDSFDQCJNGOL-UHFFFAOYSA-N Dimethylamine Chemical compound CNC ROSDSFDQCJNGOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 150000001335 aliphatic alkanes Chemical class 0.000 description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 7
- 125000003006 2-dimethylaminoethyl group Chemical group [H]C([H])([H])N(C([H])([H])[H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 6
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 6
- NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N palladium;triphenylphosphane Chemical compound [Pd].C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 6
- 125000002147 dimethylamino group Chemical group [H]C([H])([H])N(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 5
- MZRVEZGGRBJDDB-UHFFFAOYSA-N N-Butyllithium Chemical compound [Li]CCCC MZRVEZGGRBJDDB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 4
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 4
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 4
- 150000002923 oximes Chemical class 0.000 description 4
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 4
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 4
- CXWXQJXEFPUFDZ-UHFFFAOYSA-N tetralin Chemical compound C1=CC=C2CCCCC2=C1 CXWXQJXEFPUFDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical group O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 125000002704 decyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 3
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 3
- 125000004427 diamine group Chemical group 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 125000004051 hexyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 3
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 3
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YRAJNWYBUCUFBD-UHFFFAOYSA-N 2,2,6,6-tetramethylheptane-3,5-dione Chemical compound CC(C)(C)C(=O)CC(=O)C(C)(C)C YRAJNWYBUCUFBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DLFVBJFMPXGRIB-UHFFFAOYSA-N Acetamide Chemical compound CC(N)=O DLFVBJFMPXGRIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-K Citrate Chemical compound [O-]C(=O)CC(O)(CC([O-])=O)C([O-])=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001356 alkyl thiols Chemical class 0.000 description 2
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004104 aryloxy group Chemical group 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- MGNZXYYWBUKAII-UHFFFAOYSA-N cyclohexa-1,3-diene Chemical compound C1CC=CC=C1 MGNZXYYWBUKAII-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000006612 decyloxy group Chemical group 0.000 description 2
- HPNMFZURTQLUMO-UHFFFAOYSA-N diethylamine Chemical compound CCNCC HPNMFZURTQLUMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 2
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 2
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 2
- 239000012705 liquid precursor Substances 0.000 description 2
- KWGKDLIKAYFUFQ-UHFFFAOYSA-M lithium chloride Chemical compound [Li+].[Cl-] KWGKDLIKAYFUFQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N monobenzene Natural products C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GMTCPFCMAHMEMT-UHFFFAOYSA-N n-decyldecan-1-amine Chemical compound CCCCCCCCCCNCCCCCCCCCC GMTCPFCMAHMEMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N nitrogen oxide Inorganic materials O=[N] MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- DPBLXKKOBLCELK-UHFFFAOYSA-N pentan-1-amine Chemical compound CCCCCN DPBLXKKOBLCELK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 2
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 2
- 230000002028 premature Effects 0.000 description 2
- QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N propylene Natural products CC=C QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004805 propylene group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 2
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 2
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 2
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 2
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 150000003573 thiols Chemical class 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N titanium dioxide Inorganic materials O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003039 volatile agent Substances 0.000 description 2
- RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N yttrium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Y+3].[Y+3] RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GFQYVLUOOAAOGM-UHFFFAOYSA-N zirconium(iv) silicate Chemical compound [Zr+4].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] GFQYVLUOOAAOGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KFYRJJBUHYILSO-YFKPBYRVSA-N (2s)-2-amino-3-dimethylarsanylsulfanyl-3-methylbutanoic acid Chemical compound C[As](C)SC(C)(C)[C@@H](N)C(O)=O KFYRJJBUHYILSO-YFKPBYRVSA-N 0.000 description 1
- 125000004191 (C1-C6) alkoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 125000002733 (C1-C6) fluoroalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000006376 (C3-C10) cycloalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- SHXHPUAKLCCLDV-UHFFFAOYSA-N 1,1,1-trifluoropentane-2,4-dione Chemical compound CC(=O)CC(=O)C(F)(F)F SHXHPUAKLCCLDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KEBPOWLGOOTMPK-UHFFFAOYSA-N 2,2,7-trimethyloctane-3,5-dione Chemical compound CC(C)CC(=O)CC(=O)C(C)(C)C KEBPOWLGOOTMPK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UPMLOUAZCHDJJD-UHFFFAOYSA-N 4,4'-Diphenylmethane Diisocyanate Chemical class C1=CC(N=C=O)=CC=C1CC1=CC=C(N=C=O)C=C1 UPMLOUAZCHDJJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IBOFVQJTBBUKMU-UHFFFAOYSA-N 4,4'-methylene-bis-(2-chloroaniline) Chemical compound C1=C(Cl)C(N)=CC=C1CC1=CC=C(N)C(Cl)=C1 IBOFVQJTBBUKMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ABIPNDAVRBMCHV-UHFFFAOYSA-N 4,4-dimethyl-2,3-dihydro-1h-naphthalene Chemical compound C1=CC=C2C(C)(C)CCCC2=C1 ABIPNDAVRBMCHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OQLZINXFSUDMHM-UHFFFAOYSA-N Acetamidine Chemical compound CC(N)=N OQLZINXFSUDMHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004135 Bone phosphate Substances 0.000 description 1
- MLTGTQBSZBQYJP-UHFFFAOYSA-N C(CCCCCCCCC)C(C)(C(CC(C(C)(CCCCCCCCCC)CCCCCCCCCC)=O)=O)CCCCCCCCCC Chemical compound C(CCCCCCCCC)C(C)(C(CC(C(C)(CCCCCCCCCC)CCCCCCCCCC)=O)=O)CCCCCCCCCC MLTGTQBSZBQYJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KSSJBGNOJJETTC-UHFFFAOYSA-N COC1=C(C=CC=C1)N(C1=CC=2C3(C4=CC(=CC=C4C=2C=C1)N(C1=CC=C(C=C1)OC)C1=C(C=CC=C1)OC)C1=CC(=CC=C1C=1C=CC(=CC=13)N(C1=CC=C(C=C1)OC)C1=C(C=CC=C1)OC)N(C1=CC=C(C=C1)OC)C1=C(C=CC=C1)OC)C1=CC=C(C=C1)OC Chemical compound COC1=C(C=CC=C1)N(C1=CC=2C3(C4=CC(=CC=C4C=2C=C1)N(C1=CC=C(C=C1)OC)C1=C(C=CC=C1)OC)C1=CC(=CC=C1C=1C=CC(=CC=13)N(C1=CC=C(C=C1)OC)C1=C(C=CC=C1)OC)N(C1=CC=C(C=C1)OC)C1=C(C=CC=C1)OC)C1=CC=C(C=C1)OC KSSJBGNOJJETTC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101100443249 Caenorhabditis elegans dig-1 gene Proteins 0.000 description 1
- WWZKQHOCKIZLMA-UHFFFAOYSA-N Caprylic acid Natural products CCCCCCCC(O)=O WWZKQHOCKIZLMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 102220483248 Diphosphoinositol polyphosphate phosphohydrolase 2_R34M_mutation Human genes 0.000 description 1
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 description 1
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N Ethylenediamine Chemical class NCCN PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-M Formate Chemical compound [O-]C=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 241001481828 Glyptocephalus cynoglossus Species 0.000 description 1
- ROHFNLRQFUQHCH-YFKPBYRVSA-N L-leucine Chemical compound CC(C)C[C@H](N)C(O)=O ROHFNLRQFUQHCH-YFKPBYRVSA-N 0.000 description 1
- ROHFNLRQFUQHCH-UHFFFAOYSA-N Leucine Natural products CC(C)CC(N)C(O)=O ROHFNLRQFUQHCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 102000007327 Protamines Human genes 0.000 description 1
- 108010007568 Protamines Proteins 0.000 description 1
- PLZVEHJLHYMBBY-UHFFFAOYSA-N Tetradecylamine Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCN PLZVEHJLHYMBBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTQLQRFGXWEAIF-UHFFFAOYSA-N [Ti].[Ti].[Bi] Chemical compound [Ti].[Ti].[Bi] CTQLQRFGXWEAIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GGPQWIMALBOMEF-UHFFFAOYSA-N [Ti].[Zr].[Ti] Chemical compound [Ti].[Zr].[Ti] GGPQWIMALBOMEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AZJLMWQBMKNUKB-UHFFFAOYSA-N [Zr].[La] Chemical compound [Zr].[La] AZJLMWQBMKNUKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IZZWAVLUDXHAFI-UHFFFAOYSA-N [Zr]N Chemical compound [Zr]N IZZWAVLUDXHAFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N acetylacetonate Chemical compound CC(=O)[CH-]C(C)=O CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012814 acoustic material Substances 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 150000003973 alkyl amines Chemical class 0.000 description 1
- 125000004103 aminoalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000004760 aramid Substances 0.000 description 1
- 229920003235 aromatic polyamide Polymers 0.000 description 1
- 125000003710 aryl alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000001797 benzyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- GONOPSZTUGRENK-UHFFFAOYSA-N benzyl(trichloro)silane Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)CC1=CC=CC=C1 GONOPSZTUGRENK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001622 bismuth compounds Chemical class 0.000 description 1
- QAKMMQFWZJTWCW-UHFFFAOYSA-N bismuth titanium Chemical compound [Ti].[Bi] QAKMMQFWZJTWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011449 brick Substances 0.000 description 1
- 125000004106 butoxy group Chemical group [*]OC([H])([H])C([H])([H])C(C([H])([H])[H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- SFZULDYEOVSIKM-UHFFFAOYSA-N chembl321317 Chemical compound C1=CC(C(=N)NO)=CC=C1C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)C(=N)NO)O1 SFZULDYEOVSIKM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- DIOQZVSQGTUSAI-NJFSPNSNSA-N decane Chemical compound CCCCCCCCC[14CH3] DIOQZVSQGTUSAI-NJFSPNSNSA-N 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- RAABOESOVLLHRU-UHFFFAOYSA-N diazene Chemical compound N=N RAABOESOVLLHRU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- HPNMFZURTQLUMO-UHFFFAOYSA-O diethylammonium Chemical compound CC[NH2+]CC HPNMFZURTQLUMO-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- WEHWNAOGRSTTBQ-UHFFFAOYSA-O dipropylazanium Chemical compound CCC[NH2+]CCC WEHWNAOGRSTTBQ-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 1
- 208000018459 dissociative disease Diseases 0.000 description 1
- 125000003438 dodecyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N erbium Chemical compound [Er] UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DUYAAUVXQSMXQP-UHFFFAOYSA-N ethanethioic S-acid Chemical compound CC(S)=O DUYAAUVXQSMXQP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 1
- 125000001301 ethoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 125000000816 ethylene group Chemical group [H]C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 1
- 125000000219 ethylidene group Chemical group [H]C(=[*])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- LIWAQLJGPBVORC-UHFFFAOYSA-N ethylmethylamine Chemical compound CCNC LIWAQLJGPBVORC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 239000002783 friction material Substances 0.000 description 1
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003187 heptyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000000717 hydrazino group Chemical group [H]N([*])N([H])[H] 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 125000001183 hydrocarbyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004356 hydroxy functional group Chemical group O* 0.000 description 1
- 125000000879 imine group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052500 inorganic mineral Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 238000006713 insertion reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002608 ionic liquid Substances 0.000 description 1
- 125000000468 ketone group Chemical group 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052752 metalloid Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002738 metalloids Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000011707 mineral Substances 0.000 description 1
- 229930003658 monoterpene Natural products 0.000 description 1
- 150000002773 monoterpene derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 235000002577 monoterpenes Nutrition 0.000 description 1
- DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N n-butylhexane Natural products CCCCCCCCCC DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WLNSKTSWPYTNLY-UHFFFAOYSA-N n-ethyl-n',n'-dimethylethane-1,2-diamine Chemical compound CCNCCN(C)C WLNSKTSWPYTNLY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N n-hexanoic acid Natural products CCCCCC(O)=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BOTBDBFBXDILAR-UHFFFAOYSA-N n-hexyl-n',n'-dimethylethane-1,2-diamine Chemical compound CCCCCCNCCN(C)C BOTBDBFBXDILAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 1
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N o-biphenylenemethane Natural products C1=CC=C2CC3=CC=CC=C3C2=C1 NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N octane Chemical compound CCCCCCCC TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002347 octyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 description 1
- SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N osmium atom Chemical compound [Os] SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 238000007248 oxidative elimination reaction Methods 0.000 description 1
- 125000001820 oxy group Chemical group [*:1]O[*:2] 0.000 description 1
- BAQNULZQXCKSQW-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);titanium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ti+4].[Ti+4] BAQNULZQXCKSQW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013618 particulate matter Substances 0.000 description 1
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 1
- 125000001147 pentyl group Chemical group C(CCCC)* 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 125000002572 propoxy group Chemical group [*]OC([H])([H])C(C([H])([H])[H])([H])[H] 0.000 description 1
- 229940048914 protamine Drugs 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- 125000004076 pyridyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005493 quinolyl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 1
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 235000002020 sage Nutrition 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000000779 smoke Substances 0.000 description 1
- SNOOUWRIMMFWNE-UHFFFAOYSA-M sodium;6-[(3,4,5-trimethoxybenzoyl)amino]hexanoate Chemical compound [Na+].COC1=CC(C(=O)NCCCCCC([O-])=O)=CC(OC)=C1OC SNOOUWRIMMFWNE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000707 stereoselective effect Effects 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021653 sulphate ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
- 239000001648 tannin Substances 0.000 description 1
- 235000018553 tannin Nutrition 0.000 description 1
- 229920001864 tannin Polymers 0.000 description 1
- VSSLEOGOUUKTNN-UHFFFAOYSA-N tantalum titanium Chemical compound [Ti].[Ta] VSSLEOGOUUKTNN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZUHZGEOKBKGPSW-UHFFFAOYSA-N tetraglyme Chemical compound COCCOCCOCCOCCOC ZUHZGEOKBKGPSW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003396 thiol group Chemical class [H]S* 0.000 description 1
- 150000003608 titanium Chemical class 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000002948 undecyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000005019 vapor deposition process Methods 0.000 description 1
- 210000003462 vein Anatomy 0.000 description 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
- RTAYJOCWVUTQHB-UHFFFAOYSA-H yttrium(3+);trisulfate Chemical compound [Y+3].[Y+3].[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O RTAYJOCWVUTQHB-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/40—Oxides
- C23C16/405—Oxides of refractory metals or yttrium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C211/00—Compounds containing amino groups bound to a carbon skeleton
- C07C211/65—Metal complexes of amines
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F17/00—Metallocenes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
- C07F7/003—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table without C-Metal linkages
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/06—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material
- C23C16/18—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material from metallo-organic compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Description
200907094 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明實施方式大致是與對 .·>? it /γ'λτ-τ, ’、子層沉積（ALD)和化學顏 相-積(CVD)含*、含銓、含鈦 化學孔 與石夕前驅物相關。在-特定實施 用的錯、餘、鈦 對於在某；Μ·!·.”接* 中’本發明的結前藤物 耵於在基材上况積氧化锆和矽酸锆特別有用。
【先前技術】 半導體產業廣泛致力於搜尋對權 Ατη、士 對4骐沉積製程（如，CVD和 ALD)有用的新的前驅物。 一般來說，一般所欲積極尋拽 & 找的則驅物必須能夠在符合 被電子元件結構與材料限制的溫声 m度下，破快速揮發及傳送到 沉積位置處。所欲尋找的前駆物必 /員斯i在與别驅物蒸氣接觸 的基材上產生高度保形的膜層，且^ 且不會發生會嚴重影響產物 元件結構之降解或分解反應。 此產業虽…以沉積锆、*、鈦與石夕之前驅物。 舉例來說，目前最熱Η的是以Zr〇2或ZrSi〇3薄膜層作為 高k值介電材料。這類膜層較佳是透過cvd & ald技術以 高深寬比沉積在結構中。 雖然已證明含锆膜層在微電子元件的高k值應用方面深 具發展潛力，但卻受限於目前可用的錯前驅物本身的一些缺 點。舉例來說，一種廣泛使用的锆前驅物為Zr(NEtMe)4，四 (乙基甲基醯胺）酸锘（ietrakis(ethylmethylamido)zirc〇nium， TEMAZ)。當沉積溫度很高時，此前驅物會產生保形性不佳 200907094 ::鍅媒層。當沉積溫度低時’保形性雖有改善，但所得膜 卻含有大量被併入層中的碳雜質。 巫需改良用以沉積鍅、銓、鈦與矽之前驅物的技術。 【發明内容】 本發明實施方式大致是與以原子層沉積(ald)和化學氣
相沉積(CVD)含锆、含銓、含鈦與含矽層有用的锆 '鈐鈦 與矽前驅物相關。 ”在各種實施方式中，本發明是有關對透過cVD及ALD /冗積氧化結及；6夕酸錯有用的錯前驅物。 在本發明-面向中’本發明是有關一種沉積製程(即，選 自CVD和ALD)’包含以__前驅物蒸氣接觸—基材，以於該 基材上/儿積一含有锆、銓、鈦與矽（作為金屬或類金屬物種 M)中至少一者的膜層，其中該前驅物包含一化合物其係選 自由具有下列化學式之化合物所組成的群組中·· M(NR2)4，其中每一 R可以相同或不同且其可分別選自 氫、C!-C12烷基、C3-C!。環烷基、C2_C8烯基（如，乙烯基、 内缔基等）、C^-Cu烧基矽基（包括單烷基矽基、二烷基矽基 和三烷基矽基）、C6-Ci〇 芳基、-(ch2)xNR，R，，、-(CH2)x〇R”， 和'NR’R，，》其中χ=1、2或3，且r’、R，，和R，，’可以相同或 不同且其可分別選自氮和CVCu烷基； (R^NCCI^RqmNl^hoxDnMXn ,其中 R1、R2、R3、R4 和X可彼此相同或不同，且其可分別選自氫、Cl-C12烷基、 烷基、C2-C6烯基（如’乙烯基、丙烯基等）、CrCu 200907094 烷基矽基（包括單烷基矽基、二烷基矽基和三炫基發基）、
C6-CU 芳基、-(CH2)xNR’R”、-(CH2)xOR’’，和 ，其中 X - 1、2或3，且R 、R和R可以相同或不同且其可分別選 自氣和Ci-C】2烧基’其中碳數下標1〜12依序代表烧基取代 基中複原子的數目，m是介於1〜6的整數，且X是選自Cl-Ci2 烷氧基'羧酸根（carboxy丨ates)、β-二酮根（；β_diketonate)、β_ 二亞胺根（β- diketiminate) 、 β-二酮亞胺根 (β-diketoiminate)、胍根（guanidinate)、醯胺根（amidinate)、 及異脲酸根（isoureate);且其中 C(R3R4)ro可以是伸垸基 (alkylene) ; 0X是金屬Μ的氧化狀態；η是一介於從〇到 0Χ間的整數；m是介於1至6之間的整數； M(E)2(OR3)2 ’其中E是有取代基的二酮根（di〇nat〇)， 每一 R3可以相同或不同且其可分別選自C丨-C12烷基、C3-C10 環燒基、C2-Cs烯基（如，乙婦基、丙稀基等）、Ci-Cu烧基;ε夕 基（包括單烧基破基、二烧基梦基和三烧基梦基）、C6-Ci〇芳 基、-(CH2)XNR，R”、-(CH2)xOR’’’和-NR’R”，其中 x = !、2 或3，且R’、R”和R”’可以相同或不同，且其可分別選自氣 和Ci-Ci：2烧基二者之中，且較佳是從異-丙基和叔-丁基（第三 -丁基）争選出； M(OR3)4 ’其中每一 R3可以相同或不同且其可分別選 自C1-C12炫基、C3-C10環烧基、C2-C8烯基（如，乙稀基、丙 烯基等）、Ci-Cu烷基矽基（包括單烷基矽基、二烷基碎基和 三炫> 基珍基）、C6_Ci〇 芳基、-(CH2)xNR’R”、-(CH2)xOR，，，和 -NR，R”，其中x=l、2或3，且R，、R”和R’，，可以相同或不 200907094 同’且其可分別逡自氫和Ci-Cji2烷基之中，且較佳是從異 丙基和叔··丁基（第三·丁基）中選出； M(〇Pr-i)4-lPA，其中IPA是異丙醇且〇Pr_/是異丙氣 基； (R6R7N)2M(R8NC(R3R4)mNR9).，其 t R3、R4、R6 和 r7、 r8、r9可彼此相同或不同，且其可分別選自氫、C!-c12燒義 c3-c10環炫基、c2-C8烯基（如，乙烯基、丙烯基等）、c 烷基矽基（包括單烷基矽基、二烷基矽基和三烷基带基）、 C6-C10 芳基、_(CH2)xNR’R”、_(CH2)xOR”，和-NR，R”，其中 χ =1、2或3，且R’、R”和R，，，可以相同或不同，且其.可分別 選自氫和Ci-Ci2烷基之中’且m是介於1至6之間的整數； 選自（酿胺根）0X-nMXn、（胍根）οχ·ηΜΧη、和（異脲酸 根）οχ-ηΜΧη中之化合物’其中X可彼此相同或不同，且其 可分別選自氫、（VCu烷基、c3_c1G環烷基、c2-c8烯基（如， 乙烯基、丙烯基等）、CrCu烷基矽基（包括單烷基矽基、二 烷基矽基和三烷基矽基）、C6-Ci〇芳基、-(ch2)xnr，r”、 _(CH2)xOR’’’和-NR’R”，其中 x=l、2 或 3，且 IT、R_”和 R”， 可以相同或不同，且其可分別選自氫和d-C丨2烷基之中，其 中碳數下標1〜12依序代表烷基取代基中碳原子的數目，m 是介於1~6的整數，且X是選自CVCu烷氧基、羧酸根 (carboxylates)、β-二酮根（β-diketonate)、β-二亞胺基（卜 diketiminate)根、β-二酮亞胺根（β-diketoiminate)、脈根 (guanidinate)、醯胺根（amidinate)、及異脲酸根 (isoureate);且OX是金屬Μ的氧化狀態；η是一介於從〇 到0Χ間的整數；m是介於1至6之間的整數； 200907094 其中Μ是選自錯、餘、鈦或夺。 本發明另一面向是關於一種包含锆、給、鈦或矽化合 物的前驅物，其係選自具有以下化學式的化合物中： M(NR：〇4 ’其中每一 R可以相同或不同且其可分別選自 _ 氫、Ci-Ci2烷基' (：3-(：10環烷基、c2-C8烯基（如，乙烯基、 丙烯基等）、CrCu烷基矽基（包括單烷基矽基、二烷基矽基 和三烷基矽基）、C6-C丨〇 芳基、-(CH2)XNR，R，，、-(CH2)xOR，，， ζ") 和-NR’R”，其中x=I、2或3，且R，、R”和R，，’可以相同或 不同且其可分別選自氫和CrCu烷基； ，其中 Ri、R2、R3、r/ 和X可彼此相同或不同，且其可分別選自氫、Ci-Cu烷基、 C3-C丨〇環烷基、C2-C6烯基（如，乙烯基、丙烯基等）、Ci-Cu 烷基矽基（包括單烷基矽基、二院基矽基和三院基矽基）、 C6-C10 芳基、-(CH2)XNR，R”、-(CH2)xOR，’’和-NR’R”，其中 X =1、2或3，且R，、R”和R’，，可以相同或不同且其可分別選 自氫和Ci-Ci2烷基，其中碳數下標1~12依序代表烷基取代 ? 基中碳原子的數目’m是介於1〜6的整數，且X是選自Ci-Cn 烷氧基、羧酸根（carboxylates)、β-二酮根（β-diketonate)、β-二亞胺根（β- diketiminate) 、 β-二 _ 亞胺根 (β-diketoiminate)、胍根（guanidinate)、醢胺根（amidinate)、 及異脲酸根（isoureate) ; OX是金屬Μ的氧化狀態；η是一 ^ 介於從〇到ox間的整數；m是介於1至6之間的整數； M(E)2(〇R3)2 ’其中E是有取代基的二嗣根（dionato)， ' 每一 R3可以相同或不同且其可分別選自Ci-Cu烷基、C3-C1() 環烷基、C2-C8烯基（如，乙烯基、丙烯基等）、Ci-C12烷基矽 10 200907094 基（包括單烧基石夕基、二院基石夕基和三烷基矽基）、C6-C1()芳 基、-(CH2)XNR’R’’、_(CH2)x〇R”，和-NR’R”，其中 X = 1、2 或3 ’且R’、R”和R’’’可以相同或不同，且其可分別選自氫 和Ci-C丨2烷基二者之中，且較佳是從異-丙基和叔-丁基（第三 . -丁基）中選出； m(or3)4 ’其中每一 R3可以相同或不同且其可分別選 自Ci-C12烷基、c3、c10環烷基、C2-C8烯基（如，乙烯基、丙 () 稀基等）、C〖_C12炫基石夕基（包括單烧基珍基、二院基石夕基和 三烧基矽基）、C6-C10 芳基、-(CH2)XNR，R，，、-(CH2)xOR，，，和 -NR’R”，其中χ=1、2或3’且R，、R”和R，，，可以相同或不 同’且其可分別選自氫和（^-(：12烷基之中，且較佳是從異· 丙基和叔·丁基（第三-丁基）_選出； M(〇Pr-〇4-IPA，其中IPA是異丙醇且〇Pr_z-是異丙氧 基； (R6R7N)2M(R8NC(R3R4)mNR_9)，其中 r3、r4、R6 和 R7、 R8、R9可彼此相同或不同，且其可分別選自氫、d-Cu烷基、 C3_Cl0環烷基、C2'C8烯基（如，乙烯基、丙烯基等）、Ci-C12 燒基發基（包括單燒基發基、二貌基梦基和三烧基珍基）、 =1、2或3 ’且R’、尺”和R，，，可以相同或不同，且其可分別 選自氫和C〗-C〗2烧基之中’且其中（R6R7N)2部位中個別胺基 . 氮原子上的R6和R?可全部都是伸烷基，且（R8NC(R3R4)mNR9) 部位中的C(R3R4)m可以是伸烷基，且m是介於1至6之間 ’ 的整數； 200907094 選自（醯胺根）ΟΧ-ηΜΧη、（胍根）〇χ·ηΜχη、和（異脈酸 根）ox_nMXn中之化合物，其中X可彼此相同或不同，真其 可分別選自氫、Ci-C!2炫基、C3-C1()環炫基、C2-C8埽基（如’ 乙烯基、丙烯基等）、Ci-Ci2烷基矽基（包括單提基石夕基、二 燒基石夕基和三烧基石夕基）、C6-C10芳基、_(CH2)XNR，R，，、 -(CH2)xOR，，，和-NR’R”，其中 X=l、2 或 3,且 R，、r”和 R’，’ 可以相同或不同，且其可分別選自氫和CpCu烷基之中，其 中碳數下標1~12依序代表烷基取代基中碳原子的數目，I» 是介於1~6的整數，且X是選自Ci-Cu烷氧基、羧酸根 (carboxylates)、β-二酮根（β-diketonate)、β-二亞胺根（0-diketiminate)、β-二酮亞胺根（β-diketoiminate)、胍根 (guanidinate)、醢胺根（amidinate)、及異腺酸根 (isoureate);且OX是金屬Μ的氧化狀態；η是一介於從0 到ΟΧ間的整數；m是介於1至6之間的整數； 其中Μ是選自錯、铃、欽或梦。 在另一面向上，本發明是關於一種锆前驅物，其係選 自具有以下化學式的化合物中：
Zr(NMe2)4 ; [WNCCRSRimNf^hZr，其中 R1、R2、R3 和 R4 可彼此相 同或不同，且其可分別選自C丨-C 12烷基；
Zr(E)2(OR3)2，其中E是有取代基的二酮根（dionato)， 例如，諸如 2,2,6,6-四曱基- 3,5-庚烷二酮根之類的β-二_ 根（β-diketonate)，在此有時簡稱為「thd」，或是其他的β-二酮根（β-diketonate)，且其中R3可以相同或不同，且其可 分別選自異丙醇和叔-丁基中； 12 200907094
Zr(OR)4’其中每一 以相同或不同，且其可分別選 自異丙醇和叔-丁基中；
Zr(〇Pr-〇4-iPA，其尹IPA是異丙醇且〇Pr々是異丙氧基· ，其 t R3、R4、R6 和 r7、 • r8、r9可彼此相同或不同，且其可分別選自炫基； (胍根VmnrMr11)3，其中胍根可以有或無取代基，r8、 可彼此相同或不同，且其可分別選自Cl-c12烧基。 f) 本發明再一面向為有關沉積一含锆膜層在一基材上的 方法’包含以本發明之一锆前驅物來執行CVD或ALD製程。 本發明再一面向為有關將本發明前驅物作為前驅物之 儲存和分散封裝可用的封裝物。 本發明再一面向為有關一種前驅物配方，包含本發明一 前驢物及一溶劑介質。 本發明再一面向為有關一種液體傳送製程，以沉積一膜 層於一基材上，包含將一液體前驅物組合物揮發形成—前驅 物蒸氣，並使該前驅物蒸氣與該基材接觸，以於該基材上沉 ) 積該膜層，其中該前驅物組合物包含本發明之一前驅物。 本發明再一面向為有關一種固體傳送製程’以沉積一膜 層於一基材上，包含將一固體前驅物组合物揮發形成—前驅 物蒸氣，並使該前驅物蒸氣與該基材接觸，以於該基材上沉 積該膜層’其中該前驅物組合物包含本發明之—前驅物。 - 本發明另一面向為有關製造一锆、銓'鈦或矽前驅物的 方法，包含讓一锆、銓、鈦或矽的醯胺化合物（amide)與碳二 醯亞胺（carb〇diimide)反應來產生一前驅物。 13 200907094 鈦或發前驅物的 本發明再一面向為有關製造一锆、給 方法，包含執行以下反應： R14 M(NR12RI3)4
其中：Μ 是 Zr、Hf、Ti 或 Si ;每一Ri2、ri3、r14 及 R15可彼此相同或不同，且其可分別選自氫、Cl_Cl2烧基、 C 3 · C 1 〇環。焼!基_、C 2 - C 8稀基^ (如，乙稀基_、丙基等）、C 1 - C 1 2 烧基石夕基（包括單烧基發基、二烧基珍基和三烧基梦基）、 C6-C10 芳基、_(CH2)XNR’R”、_(CH2)xOR”，和-NR，R，，，其中 χ =1、2或3，且R’、R”和R” ’可以相同或不同，且其可分別 選自氮和C丨-Ci2烧基之中，且η是介於1~4的整數。 在另一面向中，本發明是有關一種具有X-M(NR2)3之結 構式的金屬前驅物，其中·· Μ是選自Hf、Zr或Ti ; X 是選自 C丨-C12烷氧基、羧酸根、β-二酮根 (β-diketonate)、β-二亞胺根（β- diketiminate)、β-二 _ 亞胺 根（β-diketoiminate);且 每一 R可彼此相同或不同，且其可分別選自<^-(：12烷 基。 本發明再一面向為有關在一基材上形成一金屬氧化物 層或金屬矽酸物層的方法，其中該金屬氧化物層或金屬矽酸 14 200907094 物層分別具有ΜΑ或MSi〇4的結構式，其甲M是選自銓、 錘或鈦的金屬，該方法包含讓該基材與一前驅物組合物的蒸 氣接觸’該前驅物組合物包含一具有X_M(NR2)3結構式的前 驅物，其中： Μ是選自Hf、Zr或Ti ; X疋選自Ci-Ci2烷氧基、羧酸根、β_二酮根 (β-diketonate)、β-二亞胺根（|3- diketiminate)、ρ 二酮亞胺 根（β-diketoiminate);且 每一 R可彼此相同或不同’且其可分別選自Cl-Cu烷 基。 本發明再一面向為有關製造一種具有X_M(NR2)3結構式 之第IVB族前驅物的方法，其中 Μ是選自Hf、Zr或Ti ; X是選自CrCu烷氧基（例如，曱氧基、乙氧基、丙氧 基、丁氧基等）、幾酸根（甲酸根、乙酸根等）、β -二酮根（如， 乙醯丙鲖根（3〇3(〇、2,2,6,6-四甲基-3,5-庚烷二酮根011£1)、 (tod)等）、β-二亞胺根（β_ diketiminate)、β-二剩亞胺根 (β-diketoiminate)及其類似物等；且 每一 R可彼此相同或不同，且其可分別遂自C^-Ci2燒 基。 本發明再一面向為有關一種用以氣相沉積含鉛膜層的 銼前驅物，該前驅物包含一中心原子锆，及與該中心原子锆 成配位的多個配位基，其中該些配位基中每一與該中心原子 錯成配位的配位基不是胺（amine)配位基，就是二胺（diamine) 配位基，其中這類配位基中最少一個配位基是二胺，且其中 15 200907094 該胺配位基或二胺配位基可以包含有或不包含有取代基，且 當取代基包括Ci-Cs炫基取代基時，在該锆前驅物中的每— 該些取代基可以彼此相同或不同。 本發明再一面向是有關一種選自具以下結構式之锆前 驅物
在另一方面’本發明是有關製造一種包括有胺及二胺功 能之鍅前驅物的方法’包含讓一種四胺根锆化合物（tetrakis amino zirconium)和一種 N-取代的伸乙二胺化合物 (N-substituted ethylene diamine c〇mpound)反應，以產生該包 括有胺及二胺功能之錄前驅物。也可使用胺乙基烷氧基化合 物（aminoethy丨alkoxy compounds)來製造類似的化合物。
本發明再一面向是有關一種在一基材上形成一含銼層 的方法，包含將一錯前驅物揮發以形成一鍅前驅物蒸氣，並 讓該結前驅物蒸氣與一基材接觸，以沉積該含結層於該基材 上，其中該锆前驅物包含一種選自以下（I)或（11)中的前驅物； (I) 一前驅物’其包含一中心鍅原子，和多個與該 中心錯原子成配位的配位基，其中該些配位基 中每一與該中心錯原子成配位的配位基不是胺 (amine)配位基’就是二胺（dianiine)配位基， 其中這類配位基中最少一個配位基是二胺，且 16 200907094 其中該胺配位基或二胺配位基可以包含有或不 I含有取代基，且當取代基包括Ci-c8烷基取 代基時，在㈣前驅物t的每-該些取代基可 以彼此相同或不同；及 具有下列結構式的前驅物：
本發明S有關_種可供應錯前驅物的封裝 知’包含-用以儲存與傳送前驅物的容器其具有一内容積 可容納選自以下（I)或（II)中的前驅物：
(I) —前驅物，其包含一中心錘原子，和多個與該 中心銼原子成配位的配位基，其中該些配位基 中每一與該中心锆原子成配位的配位基不是胺 (amine)配位基，就是二胺（diamine)配位基， 其t這類配位基中最少一個配位基是二胺，且 其中該胺配位基或二胺配位基可以包含有或不 包含有取代基，且當取代基包括d-Cs烷基取 代基時’在該鍅前驅物中的每一該些取代基可 以彼此相同或不同；及 (II) 17 200907094
(NMeE〇3
本發明另一面向是有關一種金屬前驅物，其係選自具·有 式（A)、（B)、（C)或（D)結構之前驅物： R^MtNCR^^C^R^NiR^ox.,, (A) R^MfECR^CCR'R^mNCR^ox.,, (B) R3nM[(R2R3C=CR4)(CR5R6)mN(R1)]〇x.n (C) OX-n (D) 其中： 每一 R1、R2、R3、R4、R5和R6可以彼此相同或不同’ 且可分別選自氫、CrC6烷基、CrCe烷氧基、C6-C"芳基、 矽基、C3-Cu烷基矽基、Ci-Ce氟烷基、醯胺、胺烷基、烷 氧烷基、芳氧烷基、亞胺烷基（imidoalkyl)和乙醯基烷基； OX是金屬Μ的氧化狀態； η是一介於從〇到〇Χ間的數值； m是一介於從〇到6間的整數； Μ是Ti、Zr或Hf ;且 E是Ο或S » 依據另一面向’本發明是有關在一基材上形成~含結層 的方法’包含將一锫前驅物揮發以形成一锆前驅物蒸氣，读 、 讓 該锆前驅物蒸氣與該基材接觸，以沉積該含锆層於該基# 18 200907094 (C)或（D)結 上，其中該锆前驅物是由以下具有式（A)、（B) 構之前驅物所組成： R^M^R'R^CR'R^^CR^ox-n (A) R^MfECR^CRV^NCR2)] OX-n (B) r'mkrY’oci^xcrSr6)^1)]，（c) R^MfEiCR'R^NiR^^ox.n (D) 其中： 相同或不同， C6_Ci4 芳基、 、胺烷基、烷 醯基烷基； 每一 R1、R2、R3、R4、R5和R6可以彼此 且可分別選自氫、Ci-Cs烷基、CVC6烷氧基、 砍基、C3-Ci8按•基妙基、Cl-C6氟烧基、臨胺 氧炫基、芳氧烧基、亞胺炫基（imidoalkyl)和乙 0X是金屬Μ的氧化狀態； η是一介於從0到ΟΧ間的數值； m是一介於從0到6間的整數； Μ是Ti、Zr或Hf ;且 E是0或S。 結前驅物的封 器，其具有— (C)或（D)結構 依據另一面向，本發明是有關一種可供應· 裝物，包含一用以儲存與傳送該銼前驅物的容 内容積可容納一選自由以下具有式（A)、（B)、 之前驅物： R^MtNCR'^XCR'R^NCR^Jox-n (A) R^MtECR^CR'R^NiR^ox-n ⑼ R3„M[(R2R3，C=CR4)(CR5R6)mN(R,)]ox-n (C) R3nM[E(CR5R6)mN(R1R2)]〇x.n (D) 19 200907094 其中： 每一 R1、R2、R3、R4、R5和R6可以彼此相同或不同， 且可分別選自氫、CrCe烷基、烷氧基、C6-C14芳基、 梦基、C3-C18炫>基碎基、Ci_C6氣烧基、酿胺 '胺炫基、烧 氧烷基、芳氧烷基、亞胺烷基（imidoalkyi)和乙醯基烷基； OX是金屬Μ的氧化狀態； η是一介於從0到ΟΧ間的數值； m是一介於從0到6間的整數； Μ是Ti、Zr或Hf ;且 E是0或S。 本發明再一面向是有關一種锆前驅物，其選自下列：
Zr——(NMeEt)3 S’ 20 200907094
;和 21 200907094
本發明另一面向是有關一種鈦前驅物，其係選自由ΤΙ-1 至ΤΙ-5組成的群組中： 1,
ΝΜβ2H~C=U
Μθ2Ν-ΤΓ ,,,νΝΜθ2 NMe2
EtMeN——ΤΓ" NMeEt I -N-C=N- .,..«NMeEt NMeEt
TI-I TI-2 ΤΙ-Λ 22 200907094
本發明再一面向是有關一種具有下式之第1¥族金屬錯 化物 (C5R1R2R3R4R5)nMR4.n 其中每一 R 、R2、R3、R4和Rs可以彼此相同或不同， 且可分別選自eve：6烷基、〇丨-(：6烷氧基、C6_Ci4芳基、矽基、 C^Cu烷基矽基、CmC6氟烷基、醯胺、胺烷基、烷氧烷基、 芳氧炫基、亞胺炫基（imidoalkyl)、氣和乙醯基烷基； ϋ 每一 R可以彼此相同或不同，且可分別選自Cl_C6烷 基、Ci-C6烧氧基、C6-C14芳基、發基、C3-CU烷基矽基、 Ci-C6氟烷基、醯胺、胺烷基、烷氧烷基、芳氧烷基、亞胺 烷基（imidoalkyl)、氫和乙醯基烷基； Μ 是 Ti 、 Zr 、 Hf 或 Si ;且 η是一介於從0到4間的數值。 本發明再一面向是有關一種製造第IV族金屬前驅物的 方法，包含以下反應流程： 23 200907094
R2 R1
MRm
其中每一 R1、R2、R3、R4和R5可以彼此相同或不同 且可分別選自Ci-Ce烷基、Ci-Q烷氧基、C6-C14芳基、矽J C3-C18烧基梦基、C1-C6氟烧基、酿胺、胺院基、烧氧院羞 芳氧烧基、亞胺炫基（imidoaIkyl)_、氫和乙醢基炫基； 每一 R可以彼此相同或不同，且可分別選自 C丨-C6 基、C1-C6院氧基、C6-C!4芳基、梦基、C3-C18烧基珍基 Ci-C6氟烷基、醯胺、胺烷基、烷氧烷基、芳氧烷基、亞 烧基（imidoalkyl)、氫和乙醮基烧基； X是鹵素； η是一介於從0到4間的數值； Α是一驗金屬；且 Μ 是 Ti、Zr、Hf 或 Si。 24 200907094
(I^ox-nTitRiNC^NR^RiNRlni胍根鈦，其中： 每一 R1、R2、R3、R4和R5可以彼此相同或不同，且可 分別選自Ci-C6院基、Ci-C6烧氧基、C6-Cl4芳基、梦基 C3-Cis烧基石夕基、Ci-C6敦院基、酿胺、胺炫基、燒氧烧某 芳氧烧基、亞胺院基（imidoalkyl)、氫和乙酿基燒基； η是一介於從0到4間的數值； 0Χ是中心Ti原子的氧化狀態。 Ο 本發明再一面向是有關一種選自具有下式（I)或（11)中之 二醯胺鈦 (I^NCiNRYUNR4)。)^"!^ ⑴ 其中： 每一 R1、R2、R3和R4可以彼此相同或不同，且可分別 選自C〗-C6烷基、Κ6烷氧基、C6-C14芳基、矽基、c3-C18 燒基石夕基、Ci-〇6氟炫基、醯胺、胺燒基、院氧烧基、芳氧 燒基、亞胺烧基（imidoalkyl)、氫和乙醯基燒基； m是介於2至6之間的整數； η是一介於從0到OX間的數值；且 25 200907094 OX是中心Ti原子的氧化狀態；和 (R1NC(NR2)mNR4)〇x.n/2Tin (II) 其中： 每一 R1、R2、R3和R4可以彼此相同或不同’且可为別 選自c^-cu烷基、c!-c6烷氧基、c6-c14芳基、矽基、C3_Cl8 烷基矽基、Ci-C6氟烷基、醯胺、胺烷基、烷氧烷基、芳氧 烧基、亞胺烧基（imidoalky丨）、氫和乙醯基炫基； m是介於2至6之間的整數； η是一介於從〇到〇χ間的數值；且 ΟΧ是中心Ti原子的氧化狀態。 本發明再一面向是有關一種穩定一醯胺根金屬的方 法，包含在其中添加至少一胺。 本發明再一面向是有關一種穩定一醯胺根金屬前驅物（a metal amide precurs〇r)的方法，該前驅物係被傳送至一基材 上用以沉積金屬（衍生自該酿胺根金屬）在該基材上，該方法 包含在傳送前或傳送期間，添加至少一胺到該醯胺根金屬前 媒物中。 本文中名詞「膜層（film)」係指厚度小於1〇〇〇微米的沉 積材料’亦即’從此厚度往下至單層源、子的厚度為止。在: 實施例中，用以實施本發明之沉積材料層的厚度可小於 100、10或1微米’或是在各種薄膜製程中，係小於2的； 或50奈米，視所採行之特定應用而定。本文中「薄膜 film)」一詞意指厚度小於1微米的材料層。 ' ln 26 200907094 在本文及附隨中晴專利範圍中’除非另有指明，否則單 數不定冠詞「一（a, an)」與定冠詞「該（⑹）」^蓋其複數 範圍。 本文中，所指出的碳數範圍，例如，Ci_Ci2烷基，意欲 涵蓋在此範圍中的每一符合該碳數的基團，同時需知在指定 碳數範圍内的其他小範圍碳數，亦可單獨被指明以明確包含 符合該較小範圍碳數的基團。因此，CrCu烷基意欲涵蓋曱 基、乙基'丙基、丁基、戊基'己基、庚基、辛基、壬基、 癸基、十一烷基和十二烷基，並包括該些基團的直鏈與支鏈 範圍。另外’舉例來說，Cl_Cl 2烷基的碳數範圍也可在某些 特定實施例中被進一步限定成較小範圍的碳數，例如顯定成 為c丨-C4烧基、c2-c8烷基、c2-c4烷基、c3-c5烷基或其他 在此Ci-Cu烷基大範圍下的小範圍。 本發明的其他特點與實施方式將可由以下說明及申請 專利範圍獲得進一步的了解。 【實施方式】 本發明實施方式是有關锆、銓、鈦與矽前驅物。這些前 驅物可用來進行原子層沉積（ALD)和化學氣相沉積（CVD)相 對應之含锆、含銓、含鈦與含矽層。舉例來說，本發明的錯 前驅物可以高度效率的方式在基材上沉積出氧化鍅與矽酸 錐層。 在一實施方式中，本發明前驅物包括以下化合物： M(NR2)4 ’其中每一 r可以相同或不同且其可分別選 自氫、C丨-C丨2烷基、c3_c丨0環烷基、C2-C8烯基（如，乙 27 Ο
200907094 烯基、丙烯基等）、CrCu烷基矽基、c6-c10芳基、 -(CH2)XNR，R，，、-(CH2)x〇R’’’和-NR’R”，其中 x = i、2 或3，且R’、R”和R”’可以相同或不同且其可分別選自 氫和Ci-Cu烷基； (R^NC^R^RqmNI^hox-roeMXn，其中 R1、R2、R3、 R4和X可彼此相同或不同’且其可分別選自氫、（：！-(： i 2 烷基、C3-C丨0環烷基、C2-C6烯基、C丨-c12烷基矽基、 C6-Ci〇 芳基、-(CH2)xNR’R”、_(ch2)xor’’’和-NR，R”，其 中x=l、2或3，且R’、R”和R’’’可以相同或不同且其 可分別選自氫和CrCu烷基，其中碳數下標2依序 代表烷基取代基中碳原子的數目，m是介於1〜6的整 數，且X是選自CrC丨2烷氧基、羧酸根（carboxylates)、 β-二酮根（β-diketonate) 、 β-二亞胺根（β-diketiminate)、β-二酮亞胺根（β-diketoiminate)、胍根 (guanidinate)、醯胺根（amidinate)、+及異腺酸根 (isoureate)；且其中 C(R3R4)m 可以是伸院基 (alkylene) ; OX是金屬Μ的氧化狀態；η是一介於從 0到ΟΧ間的整數；m是介於1至6之間的整數； M(E)2(OR3)2，其中 E 是有取代基的二酮根 (dionato)，每一 R3可以相同或不同且其可分別選自 Ci-C!2炫基、C3-C1G環烧基、C2-C8婦基、C1-C12炫基 矽基、c6-c10 芳基、-(ch2)xnr’r”、-(CH2)xOR，，，和 -NR’R”，其中χ=1、2或3，且R，、R”和R”，可以相同 或不同，且其可分別選自氫和（^-(：12烷基二者之中； 28 200907094 M(OR3)4，其中每一 R3可以相同或不同且其可分別 選自C丨-C12烷基、C3-C1()環烷基、C2-C8烯基、Cl-C12 烷基矽基、C6-C10 芳基、_(CH2)xNR’R”、_(ch2)x〇R，’’ 和-NR，R”，其中X = l、2或3，且R’、尺”和R，，，可以相 同或不同，且其可分別選自氫和Ci-Cu烷基之中； M(OPr-〇4-IPA，其中IPA是異丙醇且opr·,是異丙 氧基； (R6R7N)2M(R8NC(R3R4)mNR9)，其中 r3、r4、r6 和 R7、R8、R9可彼此相同或不同’且其可分別選自氫、Cl_Cl2 院基、C3-C10環燒基、C2-C8稀基、Ci-Cl2院基石夕基、 c6-c10 芳基、-(ch2)xnr’r”、-(ch2)xor”’和 _NR’R”，其 中乂=1、2或3，且尺’、尺”和11”，可以相同或不同，且 其可分別選自氫和Cl-Cl2烧基之中，且其中在（R6R7N)2 部位中個別胺基氮源子上的R6和R7兩者可一起為伸烧 基（alkylene);且m是介於1至6之間的整數；及 選自（醯胺根）οχ·ηΜΧη、（胍根）ox.nMXn、和（異腺酸 根）οχ·ηΜΧη中之化合物’其中X可彼此相同或不同， 且其可分別選自氫、C丨-C12烷基、C3-C丨〇環烷基、c2-c6 烯基、Ci-C〖2 烷基矽基、C6-C1()芳基、_(ch2)xNR，R,，、 -(CH2)xOR’’’和-NR，R”，其中 X = i、2 或 3，且 r，、R„ 和R”’可以相同或不同，且其可分別選自氫和C丨_Cl2烷 基之中’其中礙數下標1〜12依序代表烧基取代基中碳 原子的數目，m是介於1〜6的整數，且X是選自Cl-c12 烧氧基、叛酸根（carboxylates) 、 β-二酮根 (β-diketonate)、β-二亞胺基（β- diketiminate)根、0_二 29 200907094 酮亞胺根（0-(1丨1^{〇丨〇1丨11&16)、胍根（§11311丨<1丨11&16)、醯胺 根（amidinate)、及異腺酸根（isoureate);且OX是金屬 Μ的氧化狀態；η是一介於從0到〇χ間的整數；m 是介於1至6之間的整數；且Μ是選自鈦、锆、銓或 石夕。 在本發明另一實施方式中的前驅物，係包含以下化合 物： M(NR2)4,其中每一 R可以相同或不同且其可分別選 自氮、C1-C12烧基、C3-C10環炫基、C2-C8稀基（如’乙 烯基、丙烯基等）、Ci-C^烷基矽基（包括單烷基矽基、 二烷基矽基和三烷基矽基）、c6-c1()芳基、 -(CH2)XNR’R”、-(CH2)x0R’’’和-NR’R”，其中 x = 1、2 或3，且R’、R”和R’’’可以相同或不同且其可分別選自 氮和Ci_Ci2炫基； (RiNCHzNI^hM，其中R1和R2可彼此相同或不同， 且其可分別選自氫、Ci-C12烷基、C3-C1()環烷基、C2-C6 烯基（如，乙烯基、丙烯基等）、<：1-(：12烷基矽基（包括單 娱> 基碎基、二烧基梦基和三炫基梦基）、C6-Ci〇 ^基、 -(CH2)XNR，R”、_(CH2)x〇R，’，和-NR’R”，其中 x = 1、2 或3，且R，、R”和R’，’可以相同或不同且其可分別選自 氫和Ct-Cu烷基，其中碳數下標1〜12依序代表烷基取 代基中碳原子的數目； Μ(β-二酮根）2(〇R3)2，其中R3可以相同或不同且其 可分別選自Ci-Cu烷基、C3-C1()環烷基、C2-C8烯基（如’ 乙烯基、丙烯基等）、（：1-(：12烷基矽基（包括單烷基矽基、 30
200907094 二烷基矽基和三烷基矽基）、C6-Cl0芳基 _(CH2)xNR’R”、-(ch2)x〇r’”和-NR’R”，其中 χ = i 或3’且R，、R、R，”可以相同或不同，且其可分別選 自氫和CVC12燒基二者之中，且較佳是從異丙基和叔_ 丁基（第三-丁基）中選出； m(〇r3)4，其中每一 r3可以相同或不同且其可分別 選自Ci-Cu燒基、c3_Cl〇環烧基、c2_C8烯基（如，乙稀 基、丙烯基等）、C1-C12烷基矽基（包括單烷基矽基、二 烷基矽基和三烷基矽基）、C6_C1()芳基、_(CH2)XNR,R，，、 _(ch2)xor’’’和-NR，R”，其中 x = i、2 或 3，且 R, 和R’’’可以相同或不同，且其可分別選自氫和Ci_Ci2烷 基之中’且較佳是從異-丙基和叔·丁基（第三_丁基）中選 出； M(OPr-〇4-IPA，其中IPA是異丙醇且opr—是異丙 氧基； (R4R5N)2M(R6NCH2CH2NR7)，其中 R4、R5 ' r6 和 r7 可彼此相同或不同，且其可分別選自氫、Cl-c12烧基、 C3-C10環院基、C2-C8稀基（如，乙稀基、丙稀基等）、 Cl-Cl2烧基梦基（包括單烧基石夕基、二烧基梦基和三炫^基 矽基）、c6-c10 芳基、_(CH2)XNR’R”、-(ch2)x〇r，，，和 -NR，R”，其中x=l、2或3,且R，、R”和R，，，可以相同 或不同，且其可分別選自氫和（：丨-(：12烷基之中； 選自（酿胺根）OX-nMXn、（脈根）〇χ-ηΜΧη、和（異腺酸 根）οχ_ηΜΧη中之化合物，其中X可彼此相同或不同， 且其可分別選自氫、〇丨-(：12烷基、C3-C1()環烷基、c2-C8 31
Ο 200907094 稀基（如，乙稀基、丙稀基等）、Cl-Cl2烧基石夕基（包括單 烷基矽基、二烷基矽基和三烷基矽基）、c6-c1Q芳基、 -(CH2)XNR，R”、_(CH2)xOR，’’和-NR’R”，其中 x = ι、2 或3，且R’、R”和R’’’可以相同或不同，且其可分別選 自氫和（^-(^^烷基之中，其中碳數下標1〜12依序代表 烷基取代基中碳原子的數目，m是介於1〜6的整數，且 X是選自Ci-Cu烷氧基、羧酸根（carboxylates)、β-二 酮根（β-diketonate)、β-二亞胺根（β- diketiminate)、β-二酮亞胺根（β-diketoiminate)、胍根（guanidinate)、酿 胺根（amidinate)、及異服酸根（isoureate);且OX是金 屬Μ的氧化狀態；η是一介於從〇到〇X間的整數；m 是介於1至6之間的整數；其中Μ是選自锆、給 '鈦 或硬。 在一特定實施方式中’本發明前驅物是選自上述化合 物中，其中每一個別取代基R、Rl、R2、R3、R4、R5、R6、 R7、R8、r9、Rl〇、Rll、R12、R13、R，、尺”和 R’”可彼此相同 或不同，且其可分別選自Cl-C12烷基。 在另一特定實施方式中，本發明包含鍅前驅物’其對 形成含锆薄膜（即，對高k介電膜應用）特別有用，這些含 錯前驅物係選自具有以下化學式的化合物中：
Zr(NMe2)4 ; (R^NCHaCHbNR^hZr，其中R1、！^2可彼此相同或不 同，且其可分別選自Ci-C12烷基； 32 η
200907094
Zr(E)2(OR3)2，其中 E是有取代基的二酮根 (dionato)，例如，β-二酮根（β-diketonate)，其中 R3 可 以相同或不同，且其可分別選自異丙醇和叔_ 丁基中.
Zr(OR3)4，其中每一 R3可以相同或不同，日甘_ 且再可分 別選自異丙醇和叔-丁基中；
Zr(0Pr-/)4-IPA，其中 IPA 是異丙醇且 〇Ργ_ζ· 3 H A 1 z疋異丙 氧基； (R4R5N)2Zr(R6NCH2CH2NR7)，其中 R4、R5、r6 和 R·7可彼此相同或不同，且其可分別選自CVc^2燒基 (胍根）Zr(NR8R9)3，其中胍根可以有或無取代基， R8、R9可彼此相同或不同，且其可分別選自C, ^ 1 L 1 2 院 基0 在本發明結構式為Zr(E)2(OR3)2之化合物中，其中£是 有取代基的二酮根，該含有取代基的二酮根配位體，即，卜 二酮根（β-diketonate)，可以是任一可賦予這類前驅化合物 適當金屬特性之適合類型的配位體。可用來實施本發明之 例示的二_根物種如下表1 :
2,2,6,6-四甲基_3,5-庚烷二酮根 thd 1,1，1-三氟-2,4-戊烷二酮根 tfac 1，1，15,5,5 -六氣- 2,4-戍炫-一網根 hfa.c 6,6,7,7,8,8,8-七氟-2,4-二曱基-3,5-辛烷二酮根 f0ti 2,2,7-三甲基_3,5-辛烷二酮根 tod 1，1，1，5,5,6,6,7,7,7-十氟-2,4-庚烷二酮根 dfhd 33 200907094 tfmhd -6-甲基-2,4-庚炫二網根 習知技藝人士可依據本發明之揭示内容輕易地製造出 本發明之前驅物。在一實施例中，可利用涉及如下所示之在 四醯胺中插入碳二醯亞胺的反應，來合成出本發明之金屬單 胍根前驅物： Ο M(NR,2R13)4 n Ri4N=C=NR15 ----^
其中：Μ 是 Zr、Hf、Ti 或 Si;每—r12、ri3、Ri4 及 R15可彼此相同或不同，且其可分別選自氫、d-Cu烷基、 C3-C10環炫基、C2-Cs烯基（如，乙稀基、丙烯基等）、C1-C12 炫基發基（包括單炫基梦基、二炫基梦基和三院基；ε夕基）、 C6-Cl0 芳基、-(CH2)XNR，R”、-(CH2)x〇R，，，和-NR，R”，其中 X =1、2或3，且R，、R”和R”’可以相同或不同，且其可分別 選自氫和C!-C12烧基之中，且η是介於1〜4的整數。 藉由一特定實施例，可執行前述合成反應，其中Μ為 锆，且每一 1112、1113、1114及為Ci_Ci2烷基，而形成單_、 二-、三-及四-胍根锆，其中該非胍根配位體為二烷基醯胺根 (dialkylamido) ’例如，二甲基醯胺根、二乙基醯胺根或二丙 基醯胺根。該脈根本身可有或無取代基。 34 200907094 可實施其他本發明範疇内具類似性質的合成反應，以產 生本發明之前驅物。 如上述先前技藝段落文字中所論及的，先前使用銼前驅 物在高沉積溫度下所產生的膜層其保形性不佳，而在低沉積 溫度下所產生的膜層卻會併入高量的碳。保形性不佳乃是因 為前驅物在高溫下反應性太高所致，進而驅動沉積動力學往 而質傳範圍’以致保形性不佳，用降低沉積溫度來改善 Ο 此保形性不佳的問題’但此具可接受程度之保形性的沉積溫 度卻不足以避免有過量碳被併入膜層中的問題。 本發明前驅物可獲得具良好保形性且碳雜質含量低之 膜層，且可輕易地利用ALD或CVD製程來製造。 在ALD或CVD製程中，視所用特定前驅物而定，在可 產生含結、含給、含鈦或切膜層的條件下，讓基板與前驅 接觸此'儿積製程可在任一適當處理條件下（涉及適當 壓力、w度、濃度、流速等條件）實施，該些條件可由習知技 藝人$在無須過度實驗的情況下，依據製程條件的實驗變數 〇 斤得臈層的性質來決定出適當的反應條件。 在—較佳實施例中，在有一共同反應物（選自氧氣、臭 氧 氧化—氮及水）存在下，讓本發明一前驅物與一基材接 觸。 在另—較佳實施例中，在有一電漿混合物（包含一選自氧 氣、臭氧、一盏 - ' —氧化二氮及水之第一電漿混合物成分，與一選 自氮氣氣氧及氮氣之第二電漿混合物成分）存在下，讓本發 . 明一前驅物與一基材捿觸。 35 可透過ALD 在製造微電 發前驅物來實施 可以各種組合方 以產生所欲求的 Ο
200907094 在特定應用中，你田 使用本發明之錯前驅物 或CVD製程來沉積-嗇 谓一氧化锆貨矽酸鍅，例如 子元件或其他薄膜錘產品時。 須知可於沉積製程中使用锆前驅物及 本發明並沉積出矽酸锆膜層。更一般來說， 式來使用本發明的錯、铪、鈦及矽前驅物， 複合膜層，例如’鈦酸錘膜。 使用上述前驅物的製程可在任一合 的周圍3®培下*臂1 施。舉例來說，此周圍環境可包括一還 7 &氣圍，董化性教 圍或是含氮的氣體環境，以利用所接觸的 v叫驅物基翕產生一 相對應之欲求的產物膜層於基材上。 μ 本發明另一面向是有關上述前驅物的 衮形式。舉例來 說，可將該些前驅物封裝在一前驅物儲存和分配封裝中，其 中固持有-有用量的前驅物’用以自其中加以分配出來。包 含在這類封裝中的前驅物可以任何適合的形式存在。 舉例來說，該前驅物可以是固體形式，以精細分隔狀態 存在（例如以顆粒、丸粒等形式存在）並固持在該儲存與分配 封裝中，該封裝中具有加熱結構，用以選擇性輪入熱量至容 器内之前驅物，以將其揮發。讓所得的前驅物蒸氣經由一分 配閥與相連的流量迴路，進行分配以傳送至一沉積反應器並 與基材接觸。 或者，該前驅物可以是液體形式，固持在該儲存與分配 封裝中，以選擇性地釋出衍生自該液體之前驅物蒸氣，並非 必需地輸入熱量至液體中使其揮發，以產生這類液體之相對 應的前驅物蒸氣。 36 200907094 再另一種選擇，可以液體形式將該前驅物固持在用來選 擇性釋出該液體之儲存與分配封裝中，並接著將其揮發已形 成氣相沉積製程可用的前驅物蒸氣。這類液體傳送技術涉及 在一淨液體形式下儲存及分配該前驅物，或是，如果該前驅 物為固體、液體貨半固體形式，可將該前驅物溶解或分散在 適當的溶劑中再進行分配。 將前驅物溶解或分散的溶劑，可以是任何適當類型的溶 劑。目别對本發明有用的溶劑類型包括（但不限於）一或多種 選自碳氫化物溶劑中的物種，如，C3_Ci2烷類，c2_Ci2醚類， C6 Ci2芳香類，〇7-〇16专烧類，（31〇-C25芳環烧類，及這類芳 香類、芳烷類和芳環烷類溶劑之含有烷基取代基形式的溶 劑，其中當有多個烷基取代基時，這些烷基取代基可以相同 或不同，且其可單獨選自Cl-Cs烷類，有烷基取代基的苯化 合物，苯并環己烷（tetralin)，有烷基取代基的苯并環己烷， 四氫呋喃，二甲苯，〗，4_四丁基甲苯，13_二異丙基苯二甲 基苯并環己烷（dimethyltetralin)，胺類，DMAPA，甲苯，乙 一醇一甲鍵（glyme)，—乙·一醇一甲驗（dig 1 yme)，三乙二醇二 甲醚（tdglyme)，四乙二醇二甲醚（tetraglyme)，辛烷和癸烷。 可以任何適當方式將以液態傳輸的前驅物揮發，例如利 用穿過霧化器的通道’讓前驅物液體在高溫下舆揮發性元件 接觸或是任何可產生適當蒸氣性質的方式，以便與基材接觸 並於其上沉積出膜層。 第I圖乃是依據本發明一實施方式之一種用於固體傳送 ALD或CVD應用之内含锆前驅物的材料儲存與分配封裝1〇〇 的示意圖。 37 200907094 〇〇此材料儲存與分配封裝1 〇〇包括一大致為圓柱體 态102 ’丨中界定出-内容積104。在此特定實施方 :驅物在周圍環境溫度下為固體形式，並可被支撐在 今積104内一托盤106的表面上該托盤並有多 通道108,用以使容器内的蒸汽可往上流動到閥頭組 對容器内容物進行分配。 可將固體前驅物塗覆在容器内容積表面上，例如 106表面或是通道108表面上。可以蒸汽形式將前驅 容器中，並使之凝結在容器表面而完成此塗覆。或者 驅物固體溶解或懸浮在溶劑介質中並利用將溶劑揮 成使前驅物沉積在容器内容積表面上的目的。在另一 中’則是將前驅物熔解並倒入容器内容積表面。對此 中可包括能在容器内提供額外表面積之基材物件或元 支撐位於其上的前驅物膜層。 另一種方式’則是以分散的顆粒物形式來提供固 物，並倒入容器内使其被留置在牦盤1〇6頂端支撑表 容器102具有一瓶頸部分109’用來連接閥頭組^ 在例示的圖中，此閥頭組件11 〇配備有一手輪i丨2。 組件110尚包括有一分配埠114，其設置成可輕接— 連接元件，以連接流動管路與容器。在第1圖中，以 來表示此流動管路’且此流動管路可被輕接到—下会 或CVD腔室（未示於第1圖中）中。 使用時’將容器102加熱’在圖上以Q來表示輪 能，並使容器内的固體前驅物可至少被部分揮發，^ 驅物蒸氣。當轉動手輪π 2至開啟位置時，可經由閱 形的容 式中， 容器内 數流動 件，以 在托盤 物引入 ，將前 發而達 種方式 ，容器 件，以 體前驅 面上。 t 1 10 〇 此閥頭 配件或 箭頭A 字ALD 入的熱 提供前 頭組件 38 200907094 110的閥通道將此前驅物父a J駆物蒸軋自容器中釋出， 頭A所示的流動管路中。 山並为配進入鼾 亦可以溶液或懸浮液形式 式，之後利用液體傳送或替/4▲的固體*驅物形 的溶劑組合物，以產生一二A 送現類包含有前驅物 别驅物蒸氣。讓此前 解條件下與基材接觸，而 引軀物蒸氣在刀 在一會… 在基材上沉積金屬作為膜層。 ，中，是將前驅物溶解在—種 八
質中’並在分配條件下自此離子性液體溶洛由 蒸氣。 于性液體冷液中抽取出前驅物 另一種方式，前驅物是以 的適當固相物理性吸附儲存介 物理性吸附儲存介質上釋出所 前驅物蒸氣分配出來。 吸附狀態儲存在容器内容積中 質上。使用時，在涉及從固相 吸附的前驅物’而自容器中將 用來傳送前驅物的供應交哭 切w伢應今Is可以疋任何適當類型 器，包括ATMI公司出品，σ 00 項名稱為 SDS、SAGE、VAC、
VACSor和ProE_Vap等，任一這些容器可適當地應用在本發 明一特定儲存與分配應用中。 ^可以本發明前驅物來形成可與基材接觸之前驅物蒸 氟以/儿積膜層於其上，例如結、給、鈦和/或石夕。 在一較佳面向中，使用本發明前驅物來執行原子層沉 積，產生具有優異保形性且以高覆蓋率均勻塗覆在基板上（甚 至是高深寬比結構上）的ALD膜層。 因此’本發明前驅物可廣泛應用在各式微電子元件中， 例如，半導體產品 '平面顯示器等，以製造出具有優異品質 的含锆、含銓、含鈦與含矽膜。 39 200907094 本發明另一面向是有關對沉積金屬氧化物層（M〇2)與金 屬矽酸鹽（MSi〇4)層有用之第IVB族前驅物，其中M是選自 铪、銼及鈦中之金屬》這些第IVB族前驅物可作為高k介電 前驅物’以在諸如晶圓或其他微電子元件結構之類的其板 上’透過CVD或ALD來形成具高深寬比特性、厚度均句且 保形性優異的高k介電膜層。 這類第IVB族前驅物具有如下的化學結構， X-M(NR2)3，其中： Μ是選自Hf、Zr或Ti ; X是選自：C1-C12烷氧基（如，曱氧基、乙氧基、丙氧基、 丁氧基等）、羧酸根（如’曱酸根、乙酸根等）、β_二酮根 (β-diketonate)(如，acac、thd、tod 等）、β-二亞胺根（β-diketiminate)、β-二酮亞胺根（p_diketoiminate)及其類似 物；且 每一 R可彼此相同或不同，且其可分別選自d-C12烷 基。 式X-M(NR2)3之第IVB族前驅物可以很容易地由以下反 應來合成： M(NR2)4 + HX -XM(NR2)3 + HNR2 其中Μ、X和Rs之定義係如上述。 對前述前驅物有用的羧酸根配位體具有如下的結構：
羧酸根 40 200907094 其中，
Rl是選自由氫、Cl_c5烷基、C3_C7環烷基、Ci_C5全氣 烧基、和Cs-Cio.基所組成的群組中。 知·類具有如下的化學結構，X_M(NR2)3之第IVB族前驅 物，其中： 〇 在第IVB族前驅物中，卜二_根（p_diket〇nate)、p_二 亞胺根（β- diketiminate)、卜二綱亞胺根（p_diket〇iminate) 配位體具有如下的結構：
beta-diketiminate
beta-diketoiminate 其中： 每一 Rl、R_2、R_3和R_4可彼此相同或不同，且其可分別 選自由Ci-C5燒基、（：347環烷基、Ci_Cj氟烷基、和C6_Ci〇 芳基所組成的群組中。
上述第IVB族前驅物可當作包括液體傳送或固體傳送 之CVD或ALD製程的前驅物來使用。 對固體傳送來說，可將前驅物封裝在適當的固體儲存與 蒸氣傳送容器内，其中該容器建構成可傳輸熱到容器内的固 體别驅物以將其蒸發形成前驅物蒸氣，並可選擇性地將該前 驅物蒸氣自容器中分配出來且傳送到下游的CVD或ALD或 其他製程中。這類適當的固體傳送容器包括ATMI公司 (Danbury, Connecticut，USA)出品之 ProE-Vap。 41
200907094 為形成金屬矽酸鹽膜層，可將第IVB族前驅物與適當的 矽别驅物合併使用’或者，可在這類第IVB族前驅物的R取 代基上代以含矽的官能基，例如烷基矽基團。 對液體傳送來說，可將前驅物溶解或分散在適當的溶劑 介質中。合於此目的的溶劑介質可包刮單—成分或是多成分 的溶劑组合物，之後將其揮發以形成可透過適當流動管路傳 輸至下游液體設備中的前驅物蒸氣。為達成此目的，可使用 適當的溶劑介質，亦即，可與前驅物相容且揮發以產生具有 適當特性的前驅物蒸氣。 方面，本發明是有關一種適合CVD及ALD製程的 鍅前驅物’其中每一與中心錘原子形成配位的配位體不是胺 就是二胺’且這類配位體中至少—個是二胺類。每—胺或二 胺配位體都可以是有或無取代基，且當取代基包含Cl。燒 基取代基時，每一这此& t 二取代基可與鍅前驅物中的取代基彼此 t同或不同。這類前驅物可利用合成反應來製備，例如，四 版根錯分子之四個 土令的一個胺基是被二胺基加以取代。 在—較佳實施方式中，此杜今 T 此锆刖驅物包含一種具有5個配 位基的锆前驅物，其係選自以下：
/Zr—(NMe2)3
Zr—_e2)3 U
200907094 這類前驅物可利用以二胺（例如，二甲基乙基乙二胺（DMEED)) 來取代四（二曱基胺）锆（TDM AZ)，例如，依據以下反應式： R34M + (RWiNC^R^NCR2)!!-► 其中： 每一 R1、R_2、R3、R4、R5和R6可彼此相同或不同，且 其可分別選自由氫、烷基、CVC6烷氧基、C6-C14芳基、 矽基、C3_C18烷基矽基、C!-C6氟化烷基、醯胺、胺烷基、 芳氧烷基、亞胺烷基和乙醯基烷基所組成的群組中； OX是金屬Μ的氧化狀態； η是一介於從〇到〇χ間的整數； m是介於1至6之間的整數； Μ是選自鈦、锆或鎗；及矽。 上述反應可在TDMAZ溶在曱苯且其中添加有1當量二 甲基己基乙二胺的反應溶液中實施，接著將此反應混合物迴 流數小時，讓迴流熱驅動反應至反應完成為止。當以DMeeD 取代二曱胺時，自由的二曱胺會以氣體形式從反應溶液中釋 出。二胺配位體因而可與中央金屬形成一鍵結，而產生一種 空軋穩疋性較佳之具有5個配位體'的錯分子，相對於四（二曱 基胺）銼來說。此種具有5個配位體的銼前驅物可作為用來實 施涉及億體傳送此類前驅物之CVD或ALD製程的液體前驅 物。 也可利用上述合成技術，以諸如四（乙基甲基胺）锆 (TEMAZ)和四（二乙基胺）锆（TDEAZ)之類的四胺錘化合物來 形成相對應之5配位的錘前驅物。 43 200907094 本發明另一方面係有關式（A)、（B)、（C)及（D)的金屬前 驅物： R3„M[N(R1R4)(CR5R6)mN(R2)]〇x.n (A) R3nM[E(R1)(CRsR6)mN(R2)]〇x.n (B) (〇 R3nM[E(CR5R6)mN(R]R2)]0X_n (D) . 其中：
每一 Rl、r2、R3、R4、R5和R6可以彼此相同或不同， (I 且可分別選自氫、烷基、Ci-Ce烷氧基、C6-Ci4芳基、 矽基、CVC丨s烷基矽基、Ci-C6氟化烷基、醯胺、胺烷基、 烷氧烷基、芳氧烷基、亞胺烷基（imidoalkyl)和乙醯基烷基； OX是金屬Μ的氧化狀態； η是一介於從〇到ΟΧ間的數值； m是一介於從〇到6間的整數； Μ是Ti、Zr或Hf ;且 E是Ο或S。 〇 44 200907094 這些前驅物具有以下結構式： ( R1 R1 Γ I -, 5 6 /、' m(5R6R\ / Μ——R3n 〆 /E、、 m(5R6RC) ; \ / [V OX-n L N Μ—R3n OX-n R2 h ,cr2r3 (r4c)' I ~N' ,M—R3n OX-n B fMRC):
D 〇 上述式（A)~(D)的前驅物具有可供CVD/ALD應用之良好 的熱安定性及傳輸性。 45 200907094 可作為式（A)〜（D)前驅物有用的取代基之胺烷基、烷氧烷 基、芳氧烷基、亞胺烷基和乙醯基烷基包括具以下結構 R5 R1 R3 -(C)iT~(C)fir~N、 R6 R2 R4 R1 R3 C.
(C)—(C)srNv /(ch2)> C H2 R2 r4 胺烷基類 其中：亞甲基（methylene)部分可以是另一種二價碳氫基部份 (hydrocarbyl);每一 R〗-R4可以彼此相同或不同，且可分別 選自氫、Ci-Cs烷基和C6-C1()芳基；每一R5及R6可以彼此 相同或不同，且可分別選自氫、Ci-C6烷基；η和m分別是 一介於從〇到4間的整數，前提是η和m不可同時為0;且 X是一介於從1到5間的整數； R1 R3 I I 5 -(C)—(C)f^-o—R5 R2 R4 烷氧烷基類和芳氧烷基類 46 200907094 其中：每一艮丨-R4可以彼此相同或不同，且可分別選自氫、 CVC6烷基和C6-C10芳基；R5是選自氫、Ci-Cs烷基和C6-C10 芳基；11和m分別是一介於從0到4間的整數，前提是η和 m不可同時為0 ; R1 R3 R5 III , (C)—(C)FrC=N—R1, R2 r4 和 R1 ! R3 I I (C)iT I ~(C)srN R2 R4
R1, R2, 亞胺烷基
其中：每一 Ri、R2、R3、R4、Κ·5可以彼此相同或不同，且 可分別選自氫、CVC6烷基和C6-C10芳基；每一 R"、R2’可 以彼此相同或不同，且分別選自氫、Ci-C6烷基和C6-C1()芳 基；η和m分別是一介於從0到4間的整數，前提是η和m 不可同時為0 ; 47 200907094 R1 R3
(C)fT-(〒)F~C\ 、R5 R2 r4 乙醯烷基類 其中：每一 Ri -R4可以彼此相同或不同，且可分別選自氫、 C】-C6烧基和C6-C10芳基；R5是選自氫、羥基、乙醯氧基
(acetoxy)、Ci_C6 烧基、C1-C12 炫胺基、C6-Ci〇 芳基和 Ci-Cs 烷氧基；η和m分別是一介於從0到4間的整數，前提是η 和m不可同時為0 ; 可用來實施本發明之一較佳類別的前驅物包括下列定 義為「ZR-1」至「ZR-7」的銼前驅物：
ZR-1 48 200907094
.N
Zr-(NMeEt)3
N ZR-2
49 200907094
ZR-5
Zr-(NMe2)3
N
ZR-7 200907094 前述前驅物的熱性質（熔點，m_p. (°C ) : T50°C和殘留％) 係如下表II所示：
表II 類別 前驅物 *m· ρ· (0C) T50 (°C) 殘留 (%) 二胺類 ZR-1 液體 227 2.5 二胺醯 胺類 ZR-2 87 213 6.1 ZR-3 142 184 5.5 ZR-4 129 206 5.3 ZR-5 159 2 10 8.5 ZR-6 半液體 207 15.7 Cp 二 醯胺類 ZR-7 60 234 14.0 m. p.是量測所觀察到的D S C相變化溫度，而非肉眼所 見的固-液相轉變。 另一類可用來實施本發明之前驅物包括下列定義為 「TI-1」至「TI-5」的鈦前驅物：
TI-1
Tl-2 TI-3 51 200907094
前述前驅物的熱性質（熔點，m.p. (°C ) : T50°C和殘留％) 係如下表III所示：
表III 類別 前驅物 * 1X1. p. (°C) T50 (°C) 殘留 (%) 胍根類 TI-1 81 185 7.7 TI-2 液體 167 3.2 TI-3 48 186 2.5 TI-4 99 200 10.6 二-醯胺類 TI-5 黏稠狀的 油 203 6.1
m · p.是量測所觀察到的D S C相變化溫度，而非肉眼所 見的固-液相轉變。 52 200907094 本發明另一方面是有關可作為CVD或ALD製程前驅物 之具有環戊二烯根（CyCl〇peantadienyl)配位體之第IV族金屬 錯化物。這些前驅物可解決第IV族醯胺類對於立體障礙及 其中心金屬之缺電子特性所致的熱安定性議題，此也使得第 IV族醯胺類作為以CVD或ALD製程生成氧化物臈的用途受 到限制。環戊二烯根（CyCI〇peantadienyl)配位體係用來改善相 對應錯化物的熱安定性，其具有CVD或ALD製程可接受的 傳輸性質與處理條件。 這些第IV族金屬錯化物（其中μ可以是鈦、錘、鉻或金 屬矽）可具有以下化學結構式： (C5R1R2R3R4R5)nMR4.n 其中每一 R1、R2、R3、R4和r5可以彼此相同或不同， 且可分別選自C丨-C6烷基' Cl_C6烷氧基、c6_Cl4芳基、矽基、 C3-Ci8烷基石夕基、Ci-C6氟燒基、醯胺、胺烷基、烧氧烧基、 芳氧烷基、亞胺烷基、氫和乙醢基烷基； 每一 R可以彼此相同或不同，且可分別選自（^-(^烷 基、C丨-C6烷氧基、C6-C14芳基、矽基、C3-C18烷基矽基、 Ci-C6氟烷基、醯胺、胺烷基、烷氧烷基、芳氡垸基、亞胺 烷基、氫和乙醯基烷基； η是一介於從0到4間的數值；且 Μ 是 Ti、Zr、Hf 或 Si。 可以任何適當的方式來合成第IV族金屬前驅物，例如， 以如下反應流程進行合成： 53 200907094
R2 n1
MR4-n
此反應可在二乙醚或其他適當的溶劑中進行。 另一例子，Cp2Zr(MeNCH2CH2：NMe)
反應來產生。 本發明再一面向是有關一種對CVD/ALD製程有用的胍 根鈦。這類前驅物可解決諸如TiN、Ti〇2、TiCxNy膜層之類 的含鈦膜中有關碳污染的問題，這些碳污染會造成電阻上升 及降低所沉積含鈦膜的硬度。造成這類碳污染的根本原因是 從前驅物中所引入的碳雜質，例如，前驅物過早分解、前驅 54 200907094
物之不揮發性配位基和/或前驅物和共反應試劑間的 太低所致。在此方面之脈根欽前驅物具有以下結構式 (R^ox-nTitR^CCNR^^NR4],, 其中： 每一 R1、R2、R3、R4和R5可以彼此相同或不同，且 選自烷基、Ci-Ce烷氧基、C6-C14芳基、發基、 炫基發基、Ci-C6 H烧基、醯胺、胺烧基、烧氧院基 烷基、亞胺烷基、氫和乙醯基烷基； η是一介於從〇到4間的數值； 0Χ是中心Ti原子的氧化狀態。 本發明再一面向是有關一種對CVD/ALD製程有 自下式（I)或（II)中之二醯胺鈦 (R'NCCNR^^mNR^ox.n/aTin (I) 其中： 每一 R1、R2、R3和R4可以彼此相同或不同，且 選自C!-C6烷基、CVC6烷氧基、C6-C14芳基、矽基、 烷基矽基、氟烷基、醯胺、胺烷基、烷氧烷基 烷基、亞胺烷基、氫和乙醯基烷基； m是介於2至6之間的整數； η是一介於從0到OX間的數值；且 ΟΧ是中心Ti原子的氧化狀態；和 (R^CiNR^mNR^ox.n/aTin (II) 其中： 反應性 可分別 c 3 - C 1 g 、芳氧 用之選 可分別 C3-C 1 8 、芳氧 55 200907094 每R 、r2、r3和R4可以彼此相同或不同，且可分別 選自Ci-Cs烷基、Cl_c6烷氧基、c6_c"芳基、矽基、 烷基矽基、Ci-Ce氟烷基、醯胺、胺烷基、烷氧烷基、芳氧 烷基、亞胺炫基、氫和乙醒基烧基； . m是介於2至6之間的整數： n是一介於從〇到OX間的數值；且 〇X是中心Ti原子的氧化狀態。 f) 上述胍根鈦和二醯胺鈦可作為催化劑使用，例如，在不 對稱的有機轉形和立體選擇性聚合反應中，且可以狼容易地 經由碳二醯胺插入反應來合成。可利用各式化學試劑封裝來 封裝這些前驅物以供儲存與傳送，例如，ATMI公司（Danbury, Connecticut，USA)出品之 ProE-Vap。 可使用上述的胍根鈦和二醯胺鈦在各種應用中來形成 含欽膜’例如使用含鈦阻障層來製造半導體元件、形成摩擦 性材料和用於太陽能電池、珠寶、透鏡等之塗層。 本發明再一方面是穩定ALD/CVD製裎可用的金屬醯 J 胺’以作為形成金屬氮化物、金屬氧化物及高k介電質或阻 障層之金屬膜層的前驅物。 過渡金屬醯胺化物，例如Zr(NEtMe)4，在特定應用中有 時會出現熱安定性不佳的問題，導致傳輸期間前驅物提早分 解並對製程和相關設備造成不利的影響’例如管路阻塞和生 . 成顆粒物質。式M(NR2)0X之類的金屬醯胺，其中οχ是金屬 ν Μ的氧化狀態，會依據下式進行配位體解離反應： _2)〇χ -►娜2+ R2N_NR2+深色的不揮發_體物質 56 200907094 五（二甲基醯胺）钽（PDMAT)的例子顯示這類材料在不銹 鋼容器中被加熱到9〇。(：的溫度持續一個月，也不會分解，但 每天清潔這類容器中頂部I田& ητ^Λ/Γ Α π 1無用二間内的PDMAT以移除揮發 性物質，卻會在一個月的 ’、 " 的加熱期間產生顯耆的分解（高達 30〜40%)。此觀察結果導 双發現可透過添加胺類來使金屬酼 胺類化合物穩定的方法，& , 4如，添加二烧胺至載氣中，以通 氣泡式的方式傳送金屬驢脸&
前驅物。用於此目的的胺類可 以是任何類型，例如可句k & 、 。括諸如二甲基胺、乙曱胺、二乙胺 或高級烷胺之類的胺類。 需要以此方式加以穩定 M(NR2)〇x，其中〇父是 各別R取代基可以相同或不 C1 - C! 8烷基矽基； 的金屬醯胺類前驅物包括： 中心金屬原子的氧化狀態，其中 同且其可分別選自CrCe烷基、 M(NR R2)〇X-2y(R3H(On 4n 5 fi ,4 R5)zNR6)y，其中每一 ri、R2、 R、R4、R5和R6可以彼胳 此相同或不同，且可分別選自C|-C6 烷基、CrCu烷基矽基，7
乙可以是1或2，OX是金屬原子M 的乳化狀態，2y等於或小认Λ 於OX’其中在式中的Μ分別可選 自 Sc、γ、La、Lu、Ce、〇 尸Γ、Nd、Pm、Sm、Gd、Tb、Dy、 HO、Er、Ti、Hf、Zr、v ' 、Nb、Ta、W、Mo、A1、Ge、Sn、
Pb、Se、Te、Bi 和 Sb。 因此本發明可利用 基板之前或期間，添加 成傳輸期間使前驅物穩 粒物。 在傳送前驅物到欲生成金屬膜層的 〜種胺到金屬醯胺類前驅物中，來達 定的目的，以避免阻塞管路和產生顆 以下為前述類型 m 聲物的合成實 例 57 200907094 實施例1 (NMe2)3Zr(N(Et)CH2CH2NMe2) 在100毫升燒瓶中填入0.994克的Zr(NMe2)4 (3.72毫莫 耳）和20毫升的二乙醚，之後在室溫下，一滴滴地加入〇 43 克的Me2NCH2CH2NEtH (3.72毫莫耳）。攪伴混合物，真空移 除揮發性物質後，可得一淡黃色的固體。此產物為 (NMe2)3Zr(N(Et)CH2CH2NMe2)。 〇 實施例2 (NMeEt3)3Zr(N(Me)CH2CH2NMe2) 在100毫升燒瓶中填入1.007克的Zr(NMeEt)4 (3.72毫 莫耳）和2 0毫升的二乙醚，之後在室溫下，一滴滴地加入 0.3 18克的Me2NCH2CH2NMeH (3· 1 1毫莫耳）。攪伴混合物， 真空移除揮發性物質後，可得一淡黃色的固體。在5克的範 圍下’利用昇華（127C油浴’真空度約1〇〇 mtorr)進行純化。 定量產率。此產物為（NMeEt)3Zr(N(Me)CH2CH2NMe2) »
J 實施例3 (NMe2)3Zr(N(Me)CH2CH2NMe2) 在100毫升燒瓶中填入0.979克的Zr(NMe2)4 (3.66毫莫 耳）和20毫升的二乙醚，之後在室溫下，一滴滴地加入0.33 . 克的Me2NCH2CH2NMeH (3.66毫莫耳）。攪伴混合物，真空 移除揮發性物質後，可得一淡黃色的固體。利用昇華進行純 化。此產物為（NMe2)3Zr(N(Me)CH2CH2NMe2)。 58 200907094 實施例4 合成TI-1 利用以下反應式來合成此鈦前驅物：
在100毫升燒瓶中填入四（二甲基胺）鈦（5克，22.30毫 莫耳）和50毫升的二乙醚。之後在室溫（2 5°C )下，缓慢地加 入N，N’-二異丙基碳二醯胺（2.8148克，3·66毫莫耳）。溶液 的顏色立即從淡黃色轉變為橘紅色，並可在室溫下看到自我 迴流的現象。在室溫下攪伴混合物隔夜。真空移除溶劑後可 獲得橘紅色的ΤΙ-1固體（6.91克，19.72毫莫耳，產率88%)。
實施例5 合成ΤΙ-5 利用以下反應式來合成此鈦前驅物： CI. Cl·*Τί \ Cl + C2Hs^n/\/\ .C2H5 + C4：H9Li
59 200907094 在250毫升燒瓶中填入N1，N3-二乙基丙烷-1>3_二胺（5 克’ 38.4毫莫耳）和50毫升的戊烧。之後在〇。〇下，緩慢地 加入39·5毫升之1.6M的正-丁基鋰（63.2克）。溶液的顏色慢 慢地轉為渾濁且出現白色沉澱。在4小時期間將混合物加熱 回到室溫。加入溶於50毫升戊烷之四氣化鈦（3.6412克，19.2 毫莫耳）’以在0°C下形成Ν1，Ν3-二異丙基丙烧-ΐ，3_二醯胺 鐘，且混合物逐漸轉變成棕色，有明顯沉澱和白煙。將混合 物加熱回到室溫並攪伴隔夜，之後過濾移除LiC卜真空移除 戊烧’可獲得暗掠色之TI-5油性產物。 實施例6 合成TI-6 利用以下反應式來合成此鈦前驅物：
在250毫升燒瓶中填入]Sfl，N3 - —丙基丙烧-1,3 -二胺（5 克，31_6毫莫耳）和5〇毫升的二乙醚。之後在〇°C下，緩慢 地加入18.13毫升之1.6M的正-丁基鋰（63.2克）。溶液的顏 色慢慢地轉為渾濁且出現白色沉澱。在4小時期間將混合物 加熱回到室溫》加入溶於50毫升戊烷之四氣化鈦（2.9959 克，15.79毫莫耳），以在〇°c下形成N1，N3_二異丙基丙烷·1，3- 60 200907094 二醯胺鋰，且混合物逐漸轉變成棕色且有明顯沉澱和白趣 將混合物加熱回到室溫並攪拌隔夜，之後真空移除溶劑並將 殘餘物溶解在戊烷中’同時過濾移除LiCl。真空移除戊烷， 可獲得暗棕色之油性產物。 實施例7 合成 Cp2Zr(MeNCH2CH2NMe) 在250毫升燒瓶中填入1.956克的ZrCp2Cl2 (6.69毫莫 耳）和100毫升的二乙醚。之後在〇°C下，緩慢地加入0.669 克的LiMeNCHWI^NmeLi (6.69毫莫耳）。溶液的顏色立即轉 變為橘紅色。讓混合物回到室溫並攪拌隔夜，之後真空移除 揮發性物質並進行戊烷萃取，可獲得一磚紅色的 Cp2Zr(MeNCH2CH2NMe)固體（25°C )。
Ν ： 9.11% 理論值：C : 54.67% ; Η : 6.55% ; 實際值：C : 54.53% ; Η 6.4 9% ; ： 9.0 3 % 61 200907094 雖然已參考前述實施態樣對本發明進行了㈣，但是， 很明顯的’根據前面的描述”斗多替6代性變化和變體對於 本領域技術人員來說是顯而易見的。因此，本發明包含所有 落入所附權利要求的精神和範疇之内的這樣的替代性變化 和變體》 【圖式簡單說明】
通過參照附圖來詳細描述優選的實施方案，本發明的 上述目的和其他優點將會變得更加顯而易見，其中： 第1圖為依據本發明一實施方式之内含一前驅物的村 料儲存與分配封裝的示意圖。 【主要元件符號說明】
100 材料儲存與分配封裝 102 容器 104 内容積 106 托盤 108 流動通道 109 瓶顇部A 110 閥頭組件 112 手輪 114 分配埠 Q 輪入的熱能 A 流動營輅 62
Claims (1)
- 200907094 十、申請專利範圍·_ 1.種'儿積方法，包含讓一基材與一前驅物之一蒸氣捿 觸，以於該基材上沉積一含有至少一種選自锆、鎗、鈦或矽 之金屬的膜層，其中該前驅物包含一種化合物，其選自由具 有下式結構之化合物所組成的群組中，M(NR；〇4 ’其中每一反可以相同或不同且其可分別選自 氬、Ci-Cu烷基、c3-Ci〇環烷基、c2_c8烯基、Ci-Cu烷基矽 基、C6-C10 ^•基、_(ch2)xNR’R，，、_(cjj2)x〇r，，，和 _NR’R”，其 中x - 1、2或3,且R，、R”和R，，，可以相同或不同且其可分 別選自氫和CVCu烷基； (RlNC(R3R4)mNR2)(ox_n)/2MXn，其中 R1、R2、R3、R4 和 X可彼此相同或不同，且其可分別選自氫、Cl_c12烷基、C3-c10 環烷基、c2-c6烯基、Ci-C12烷基矽基、C6-C1〇芳基、 _(CH2)XNR’R”、-((：Η2)Χ0ΙΙ”，和-NR，R”，其中 X = 1、2 或 3， 且R’、R”和R，’’可以相同或不同且其可分別選自氫和Ci 烷基’其中碳數下標1~12依序代表烷基取代基中碳原子的 數目，m是介於1~6的整數，且X是選自C丨-C丨2烷氧基、羧 酸根（carboxylates)、β-二酮根（β-diketonate)、β-二亞胺根 (β- diketiminate)、β-二嗣亞胺根（β-diketoiminate) ' 胍根 (guanidinate)、醯胺根（amidinate)、及異脲酸根 (isoureate);且其中 C(R3R4)m 可以是伸烷基（alkylene) ; 〇χ 是金屬Μ的氧化狀態；n是一介於從0到OX間的整數； m是介於1至6之間的整數； M(E)2(OR3)2，其中E是有取代基的二酮根（dionato)，每 一 R3可以相同或不同且其可分別選自Ci-C!2烷基、C3-Ci〇 63 200907094 環烷基、C2-C8烯基、Ci-c12烷基矽基、c6-C1()芳基、 -(CH2)XNR’R”、-(CH2)x〇R”’* _NR’R”，其中 x = i、2 或 3， 且R，、R”和R’’’可以相同或不同，且其可分別選自氫和 烷基二者之中； • m(0r3)4,其中每一 R3可以相同或不同且其可分別選自 Ci-Cu燒基、C3-C1()環烧基、c2_c8烯基、Ci-Cu烷基矽基、 • c6_Ci〇 芳基、_(CH2)XNR’R’’、_(CH2)x〇R，，，和 _NR’R”，其中 X P = 1、2或3，且R’、R”和R’，’可以相同或不同，且其可分別 選自氫和C丨-c12烷基之中； M(OPr-/)4-IPA ’其中IPA是異丙醇且opw是異丙氧基； (R R N)2M(R8NC(R3R4)raNR9)，其中 r3、r4、R6 和 、 r8、r9可彼此相同或不同，且其可分別選自氫、Ci_Ci2烷基、 c3-c10環烷基、c2-c8烯基、Ci_Ci2烷基矽基、C6_Ci〇芳基、 -(CH2)XNR R”、_(CH2)x〇R’’> _NR，R”，其中 X = i、2 或 3， 且R、R和R” ’可以相同或不同，且其可分別選自氫和c 1 _c u 烧基之中’且其中在（R6R7N)2部位中個別胺基氮原子上的R6 (J 和尺7兩者可—起為伸烷基（alkylene);且（R8NC(R3R4)mNR9) 部位中的C(R3R4)m可以是伸烷基（alkylene);且m是介於1 至6之間的整數；及 選自（酿胺根）οχ·ηΜΧη、（胍根）0X-nMXn、和（異脲酸 根）ox-nMXn中之化合物，其中X可彼此相同或不同，且其 , 可分別選自氫、（ν<:12烷基、C3-C1()環烷基、C2-C6烯基、 Ci-Ci2 烷基矽基、c6_Ci〇 芳基、_(Ch2)xNR，r„、_(CH2)x〇r，’’ 和-NR R ’ ’其中χ = 1、2或3 ’且r，、r，，和r，，，可以相同或 不同’且其可分別選自氫和Ci-Ci2烷基之中，其中碳數下標 64 200907094 1~12依序代表烷基取代基中碳原子的數目，m是介於1〜6的 整數，且X是選自Ci-Ci2烧氧基、缓酸根（carboxylates)、β_ 二酮根（β-diketonate)、β-二亞胺基（β- diketiminate)根、β_ 二酮亞胺根（β-diketoiminate)、胍根（guanidinate)、酿胺根 , (amidinate)、及異脲酸根（isoureate);且〇χ是金屬μ的 氧化狀態；η是一介於從0到〇χ間的整數；m是介於1 至6之間的整數；且Μ是選自鈦、鍅、銓或石夕。 〇 2.如請求項1所述的方法，其中該前驅物是在有一共同 反應劑存在下與該基材接觸’該共同反應劑是選自由氧氣、 臭氧、一氧化二氮和水所組成的群組中。 3.如請求項1所述的方法’其中該前驅物是在有一電聚 混合物存在下與該基材接觸，該電漿混合物包含一第一電2 混合物和一第二電漿混合物，且該第一電漿混合物是選自由 氧氣、臭氧、一氧化二氮和水所組成的群組中，而該第-電 漿混合物是選自由氬氣、氦氣和氮氣所組成的群組十。— 4 _ 一種沉積方法 接觸’以於該基材上 含一種化合物，其選 組中， Zr(NMe2)4 ; ，包含讓一基材與 沉積一含鍅之膜層 自由具有下式結構 一結前驅物之一蒸氣 ，其中該锆前驅物包 之化合物所組成的群 65 200907094 (RiNC^WRqNWhZr ’ 其中 R1、R2、、r4 可彼此相同 或不同，且其可分別選自C^-C 12烷基； Zr(E)2(〇R3)2 ’其中E是有取代基的二酮根（di〇nat〇)，例 如’ P-二酮根（β-diketonate)，其中R3可以相同或不同，且 其可分別選自異-丙基和叔-丁基中； Zr(OR3)4，其中每一 R3可以相同或不同，且其可分別選 自異-丙基和叔-丁基中； zr(〇Pr-〇4-IPA’其中IPA是異丙醇且0Piw·是異丙氧基； (R1R2N)2Zr(R3NC(R3R4)mNR4 5)，其中 r3、r4、r6、r7、 R3和R4可彼此相同或不同，且其可分別選白r^ ^ 、曰院基； (胍根rmnrMr6)3’其中胍根可以有或無取代基，Rl〇、 R6可彼此相同或不同，且其可分別選自C, r « 1 L 1 2現暴。 5.如請求項4所述的方法’其中該錐前驅物是在有一電 毁混合物存在下與該基材接觸，該電漿混八 0物包含一第一電 漿混合物和一第二電漿混合物，且該第—雷 电聚屁合物是選自 由氧氣、臭氧、一氧化二氮和水所組成的縣鈿Λ J砰砠中，而該第二 電漿混合物是選自由氬氣、氦氣和氮氣所組成的群組中 66 1 _ —種用以沉積至少一锆、鎗、鈦或矽之前驅物，其中 2 該前驅物包含一種化合物，其選自由具有下式社 ’ 、'α稱之化合物 3 所組成的群組中， 4 M(NR_2)4 ’其中每一 R可以相同或不同且其可分別選自 5 氫、Ci-C]2烷基' c c;丨〇環烷基、（:2_C8稀基、 ^ w ^ 1~匕12烷基矽 6 基、c6-c10 芳基、_(CH2)xNR，R”、_(Ch2)x〇r，，、nr，r，，其或不同且其可分別選自 200907094 中x = l、2或3，且R’、R”和R，，，可以相同或不同且其可分 別選自氫和Ci-C12烷基； (R1NC(R3R4)mNR2)(ox.n)/2MXn，其中 Ri、R2、r3、r4 和 X可彼此相同或不同，且其可分別選自氫'CpCu烷基、C3-c1q 環烷基、CrC6烯基（如’乙烯基、丙烯基等）、<：!-<： u烷基砂 基（包括單烷基矽基、二烷基矽基和三烷基矽基）、C6-C10芳 基 ' _(CH2)XNR’R”、-(CH2)x〇R’’，和-NR，R”，其中 X = 1、2 或3，且R’、R”和R”’可以相同或不同且其可分別選自氫和 Ci-C〗2烧基，其中礙數下標1〜12依序代表烧基取代基中硬 原子的數目，m是介於1~6的整數，且X是選自d-Ci2烷氧 基、羧酸根（carboxylates)、p-:a^g_(p_diketonate)、β-二 亞胺根 （β_ diketiminate) 、 β.二酮亞胺根 (β-diketoiminate)、脈根（guanidinate)、酿胺根（amidinate)、 及異脲酸根（isoureate) ; OX是金屬μ的氧化狀態；n是一 介於從0到ΟΧ間的整數；m是介於1至6之間的整數且 Μ是選自鈦、銼、銓或矽； M(E)2(OR3)2,其中Ε是有取代基的二酮根（di〇nat〇)，每 一 R3可以相同或不同且其可分別選自Ci_Ci2烷基、C3_Ci〇 環烷基、c2-c8烯基、cvcu烷基矽基、C6_Cig芳基、 _(CH2)XNR’R”、-(CH2)x〇R，，，和-NR，R”，其中 χ = 1、2 或 3 , 且R’、R”和R”，可以相同或不同’且其可分別選自氫和Ci_Ci2 烷基二者之中，且較佳是從異-丙基和叔-丁基（第三_丁基）中 選出； M(OR3)4’其中每一 R3可以相同 C1-C12烧基、C3_Ciq環烧基、€2_〇8歸義 Ci_C!2炫基石夕基、 67200907094 C6-C10 芳基、_(CH2)XNR’R”、_(CH2)x〇R”’和-NR，R”，其中 X =1、2或3 ’且R’、R”和R’’’可以相同或不同，且其可分別 選自氫和Ci-C!2烧基之中； M(OPr-〇4-IPA，其中IPA是異丙醇且OPr-i是異丙氧基； (R6R1N)2M(R8NC(R3R4)mNR9)，其中 R3、R4、R6 和 r7 ' R8、R9可彼此相同或不同’且其可分別選自氫、Ci-Cu烧基、 C3-C10環烧基' C2-C8婦基、Ci-012炫基梦基、C6-Ci〇芳基、 _(CH2)XNR’R”、_(CH2)xOR，’’和-NR’R”，其中 X = i、2 或 3， 且R’、R”和R”’可以相同或不同，且其可分別選自氫和Ci-c12 烷基之中，且m是介於1至6之間的整數； 選自（酿胺根）〇X-nMXn、（胍根）〇χ-ηΜΧη、和（異脲酸 根）ΟΧ-ηΜΧη中之化合物，其中X可彼此相同或不同，且其 可分別選自氫、CtCu烷基、C3-C1G環烷基、c2-cs烯基、 Ci-C12 烷基矽基、c6-C10 芳基、-(CH2)xNR’R”、-(CH2)x〇R，，， 和-NR’R” ’其中χ=ΐ、2或3，且R，、R”和R，，，可以相同或 不同，且其可分別選自氫和C]-C 12烷基之中，其中碳數下標 1〜12依序代表烷基取代基中碳原子的數目，m是介於1~6的 整數’且X是選自C1-C12燒氧基、後酸根（carboxylates)、β-二嗣根（β-diketonate)、β_二亞胺根（β-diketiminate)、β-二 網亞胺根（β-diketoiminate)、胍根（gUanidinate)、醯胺根 (amidinate)、及異脲酸根（isoureate);且0X是金屬Μ的 氧化狀態；η是一介於從0到0X間的整數；m是介於1 至6之間的整數且μ是選自锆、鎗、鈦或矽。 68 1 .如請求項6所述的前驅物，其中該前驅物係可與一共 200907094 同-反應劑形成一前驅物組合物，該共同反應劑是選自由氣 氣、臭氧、一氧化二氮和水所組成的群組中。 8. —種鍅前驅物，選自具有以下結構式之化合物中： Zr(NMe2)4 ; (RiNCHR^R^NR2)；^!：，其中 R1、R2、R3、R4 可彼此相同 或不同，且其可分別選自Ci-Cu烷基； Zr(E)2(OR3)2，其中E是有取代基的二酮根（dionato) ’例 如，β -二酮根（β-diketonate)，其中R3可以相同或不同，且 其可分別選自異-丙基和叔-丁基中； Zr(OR3)4，其中每一 R3可以相同或不同，且其可分別選 自異-丙基和叔-丁基中； Zr(OPr-/)4-IPA，其中IPA是異丙醇且〇pr-i是異丙氧基； (R6R7N)2Zr(R8NC(R3R4)mNR9) ’ 其中 r3、R4、R6、r7、 R8和R9可彼此相同或不同’且其可分別選自CrCu烷基； (胍根）Zr(NR10R")3，其中胍根可以有或無取代基，RU、 R11可彼此相同或不同’且其可分別選自C1 - C12烷基。 9.如請求項6所述的前驅物，其係被封裝在一前驅物之 儲存與分配封裝中。 10. —種前驅物配方，包含如請求項6所述的前驅物和 一溶劑介質。 U. —種用以沉積一膜層於一基材上之液體傳輸方法， 69 200907094 包含將一前驅物組合物揮發形成一前驅物蒸氣，並使該前驅 物蒸氣與該基材接觸以於其上沉積該膜層，其中該前驅物組 合物包含如請求項6所述之前驅物。 12. 一種利用原子層沉積或化學氣相沉積一膜層於一基 材上之固體傳輸方法，包含將一固體前驅物組合物揮發形成 一前驅物蒸氣，並使該前驅物蒸氣與該基材接觸以於其上沉 積該膜層，其中該前驅物組合物包含如請求項6所述之前驅 物。 13. —種製造一锆、銓、鈦或矽前驅物的方法，包含讓 一種鍅、銓、鈦或矽之醯胺化合物與一種碳二醯亞胺反應來 產生該前驅物。 14. 一種製造一锆、銓、鈦或矽前驅物的方法，包含執 行以下反應：n R14N-C=NR15 M(NR12R13)4 -1 12R13咖〔M(NR12R13)4.n OX-n 其中：M是Zr、Hf、Ti或Si中之任一者；每一 R12、R13、 R14及R15可彼此相同或不同，且其可分別選自氫、CrCu 70 200907094 烷基、C3-C1G環烷基、 芳基、-(ch2)xnr，r，，、 或3，且R，、R”和r” 和Ci-C〗2烧基之中，j 4的整數。 、C2-Cs 稀基、Cl_Ci2 烷基矽基、c6_Ci〇 、-(ch2)xor”’和-NR，R”，其中 x = j、2 可以相同或不同，且其可分別選自氫 且η是介於1〜4的黎盍4·。 15. —種具有X-M(NR2h之結構式的金屬前驅物，其中： Μ是選自Hf、Zr或Ti ; X是選自C1-C12烷氧基、羧酸根、p_二酮根 (β-diketonate)、β-二亞胺根（p_ diketiminate)、β 二酮亞胺每一 R可彼此相同或不同，且其可分別選自Cl_Cl2烷基。 16. 一種在一基材上形成一金屬氧化物層或一金屬矽酸 鹽層的方法’其中該金屬氧化物層或金屬5夕酸鹽層的化學結 構式分別為M〇2或MSi〇4，其中iv[為選自銓、锆或鈦之金 屬，且該方法包含讓該基材與一前驅物蒸氣組合物接觸的步 〇 驟’該前驅物蒸氣組合物包含一具有X-M(NR·2)3之結構式的 前驅物，其中·· Μ是選自Hf、Zr或Ti ; X是選自C】-C】2烧氧基、緩酸根、β-二網根 (β-diketonate) ' β-二亞胺根（β- diketiminate)、β-二 g同亞胺 ' 根（β-diketoiminate) ; ， 每一 R可彼此相同或不同，且其可分別選自C〖-C12烷基。 17· —種製造具有X-M(NR2)3之結構式的第IVB族前驅 71 200907094 物的方法，其中： Μ是選自Hf、Zr或Ti ; X 是選自 CrCu烷氧基、羧酸根、β_ (β-diketonate)' β-二亞胺根（β- diketiminate)、β -二 根（β-diketoiminate);且 每一 R可彼此相同或不同，且其可分別選自C卜c 該方法包含實施以下化學反應： M(NR2>4 + HX -► XM(NR2)3 + HNR2一鲷根 鯽亞胺 12烷基； 其中Μ、X和Rs之定義係如上述。 中： 18· —種銼前驅物，其係選自具下式結構的前驅(NMeet)3 19·—種在一基材上形成一含銼膜層的方法，包 锆前驅物揮發形成一锆前驅物蒸氣，並使該锆前驅物 一基材接觸，以沉積該含锆膜層於該基材上，其中該 物包含一選自以下式（I)或式（II)之前驅物： (I)—前驅物，其包含一中心錯原子與多個與該 原子成配位之配位基，其中該些配位基中每一與該中 子成配位的配位基不是一胺（amine)配位基，就是 含將~ 蒸氣與 結前驅 中心錯 心銘原 一二胺 72 200907094 (diamine)配位基，其中這類配位基中最少一配位基是二胺’ 且其中每一該胺配位基或二胺配位基可以有或無取代基，及 當該取代基包括Ci-Cs烷基取代基時，在該锆前驅物中的每 一該些取代基可以彼此相同或不同；及 (II) 具有下列結構式的前驅物：(NMeEt)3 20. —種選自式（A)、（B)、（C)或（D)之金屬前驅物， R^MtNi^R^CR'R^NCR^ox.,, (A) R3nM[E(Rl)(CR5R6)mN(R2)]ox.n (B) R3nM[(R2R3，C=CR4)(CR5R6)mN(R1)]〇x.n (C) ^澤㈣的雜1!^)]。〜 (D) 其中： 每一 R1、R2、R3、R4、R5和R6可以彼此相同或不同’ 且可分別選自氫、Ci-Ce烷基、Ci-Ce烷氧基、CVCm芳基、 妙基、C3-C18烷基矽基、cVCe氟化烷基、醯胺、胺烷基、 燒氧烷基、芳氧烷基、亞胺烷基（imido alkyl)和乙醢基烷基； 0X是金屬Μ的氧化狀態； η是一介於從0到〇χ間的數值； m是一介於從0到6間的整數； 73 200907094 Μ是Ti、Zr或Hf ;且 E是0或S。 21. —種在一基材上形成一含锆 膜層的方法 ，包 含 將一 锆前驅物揮發形成一锆前驅物蒸氣， 並使該锆前 驅物 蒸 氣與 一基材接觸，以沉積該含锆膜層於該 基材上，其 中該 錯 前驅 物係選自具下式（A)、（B)、（C)或（D)之化合物中 R'nMtNCR'R^CCR'R^^R^Jox-n (A) R3nM[E(R1)(CR5R6)mN(R2)]〇x.n (B) R3nM[(R2RrC=CR4)(CR5R6)mN(R%x.a (Q R3nM[E(CR5R6)mN(RlR2)]〇x.n (D) 其中： 每一 Rl、R2、R3、R4、R5和R6玎以彼此相同或不同， 且可分別選自氫、CrCe烷基、Ci-Ce烷氧基、C6-C14芳基、 碎基、C3-C18燒基梦基、Ci_C6氣化炫基、酿胺、胺院基、 烷氧烷基、芳氧烷基、亞胺烷基（imidoalkyl)和乙醯基烷基； OX是金屬Μ的氧化狀態； η是一介於從0到0Χ間的數值； m是一介於從0到6間的整數； Μ是Ti、Zr或Hf ;且 E是0或S。 74 200907094 2 2. —種錯前驅物’選自下列：75 200907094Zr-(NMe2)3 200907094ο 2 3. —種選自ΤΙ-1至ΤΙ-5中的鈦前驅物： _e2 I -N-C=N·\/ _e2 Μθ2Ν——Ti、 NMe 2 ΝΜθ2EtMeN—Ti'" NMeEt -N—C—'N_ ,ΝΜθΕί NMeEt TI-J ΓΙ-2 TI-3ΊΊ-477 200907094 24. —種具以下結構之第IV族金屬錯化物 (C5R1R2R3R4R5)nMR4-„ 其中每一 R1、R2、R3、R4和R5可以彼此相同或不同， 且可分別選自Ci-Ce烷基、烷氧基、C6-C14芳基、矽基、 C3_Ci8炫基碎基、Ci-C6氣烧基、酸胺、胺烧基、炫氧烧基、 芳氧烷基、亞胺烷基、氫和乙醯基烷基； 每一 R可以彼此相同或不同，且可分別選自院 基、Ci-C^烷氧基、C6-C14芳基、矽基、C3-C18烷基矽基、 Cj-Cs氟烷基、醯胺、胺烷基、烷氧烷基、芳氧烷基、亞胺 烷基、氫和乙醯基烷基； Μ 是 Ti、Zr、Hf 或 Si ;且 η是一介於從0到4間的數值。 25. —種製造第IV族金屬錯化物的方法，包含實施以 下反應R2 D1R4 其中每一 R1、R2、R3、R4和R5可以彼此相同或不同， 且可分別選自Ci-C6烧基、Ci-C6烧氧基、C6_Ci4芳基、石夕基、 78 200907094 C3_Ci8院基砍基、Ci_C6氣炫基、醒胺、胺烧基、炫氧烧基、 芳氧院基、亞胺烧基、氫和乙酿基院基； 每一 R可以彼此相同或不同，且可分別選自 Ci-Cs烷 基、Ci-Cs烷氧基、C6-C14芳基、矽基、C3-C18烷基矽基、 Ci-Cs氟烷基、醯胺、胺烷基、烷氧烷基、芳氧烷基、亞胺 烷基、氫和乙醯基烷基； X是鹵素； η是一介於從0到4間的數值； Α是一驗金屬；且 Μ 是 Ti、Zr、Hf 或 Si。 26. —種鍅前驅物，包含以下結構：27. 一 種具有（Riox.nTUR^NC^Ni^RqNRln 之胍根鈦， 其中： 每一 R1、R2、R3、R4和R5可以彼此相同或不同，且可 分別選自Ci-Cs院基、Ci-Ce烧氧基、C6-C14芳基、矽基、 79 200907094 烧基梦基、Ci-C6氣烧基、酿胺、胺炫基、烧氧燒基、 芳氧烧基、亞胺院基（imidoalkyl)、氫和乙醯基烧基； n是一介於從〇到4間的數值； OX是中心Ti原子的氧化狀態。 28. —種具有下式（I)或（II)之二醯胺鈦 (R'NCCNR'R^mNR^ox.n/zTin (I) 其中： 每一 R1、R2、R3和R4可以彼此相同或不同’且可分別 選自CVC6烷基、CrCe烷氧基、C6-C14芳基、矽基、C3-C18 烷基矽基、（^-(：6氟烷基、醯胺、胺烷基、烷氧烷基、芳氧 烧基、亞胺院基（imidoalkyl)、氫和乙酿基院基； m是介於2至6之間的整數； η是一介於從0到0X間的數值；且 ΟΧ是中心Ti原子的氧化狀態；和 (R1NC(NR2)mNR4)〇x.n/2Tin (II) 其中： 每一 R1、R2、R3和R4可以彼此相同或不同，且可分別 選自Ci-Ce烷基、C丨-C6烷氧基、Ce-CM芳基、矽基、C3-Cis 烷基矽基、Ci-Ce氟烷基、醯胺、胺烷基、烷氧烷基、芳氧 烧基、亞胺烧基（imidoalkyl)、氫和乙醯基烧基； m是介於2至6之間的整數； η是一介於從0到OX間的數值；且 ΟΧ是中心Ti原子的氧化狀態。 80 200907094 29. —種穩定一金屬酿胺的方法，包含添加至少-類至該金屬醯胺中。 30. 如請求項29所述之方法，前中該金屬醯胺仓 具有下式結構的群組中： M(NR2)0X，其中OX是中心金屬原子Μ的氧化狀！ 中各別 R取代基可以相同或不同且其可分別選自 C !-基、CVCu烷基矽基； MiNRiRioxddl^NCCWhNR6；^，其中每一 R1、 R3、R4、R5和R6可以彼此相同或不同，且可分別選自 烷基、C丨-C18烷基矽基，Z可以是1或2，OX是金屬肩 的氧化狀態，2y等於或小於OX，其中在式中的Μ分另i 自 Sc、Υ、La、Lu、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Gd、Tb、 HO、Er、Ti、Hf、Zr、V、Nb、Ta、W、Mo、A卜 Ge Pb、 Se、 Te、 Bi 和 Sb。 31. —種穩定金屬醯胺前驅物的方法（該金屬醯 物係被傳送到一基材表面以於其上沉積一衍生自該 胺之金屬），包含在該傳送之前或期間，添加至少一種 該金屬酿胺中。 -種胺 i選自 !，其 C6烧 R2、 Ci-C6 ，子Μ 丨可選 Dy、 • Sn ' :前驅 •屬醯 ί類至 81 200907094 32.如請求項1所述之方法’其中該前驅物包含V N N-N N-Γ 33·如請求項1所述之方法，其中該前驅物包含 Z「-(NMeEt)3 •N 34.如請求項1所述之方法’其中該前驅物包含 .Ν' Zr-(NMe2)3 82 200907094之方法，包含： 3 6.如請求項6所 之方法，包含：ί. j Z「-(NMeEt)3 N 3 7.如請求項6所述 之方法，包含： Zr-(NMe2)3 •N 83
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US91129607P | 2007-04-12 | 2007-04-12 | |
| US97708307P | 2007-10-02 | 2007-10-02 | |
| US98102007P | 2007-10-18 | 2007-10-18 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW200907094A true TW200907094A (en) | 2009-02-16 |
Family
ID=39864634
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW097113515A TW200907094A (en) | 2007-04-12 | 2008-04-14 | Zirconium, hafnium, titanium and silicon precursors for ALD/CVD |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20100112211A1 (zh) |
| KR (1) | KR20100016477A (zh) |
| TW (1) | TW200907094A (zh) |
| WO (1) | WO2008128141A2 (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI550119B (zh) * | 2010-11-02 | 2016-09-21 | 宇部興產股份有限公司 | （醯胺胺基烷）金屬化合物、及利用該金屬化合物之含金屬之薄膜之製造方法 |
Families Citing this family (69)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FI117979B (fi) * | 2000-04-14 | 2007-05-15 | Asm Int | Menetelmä oksidiohutkalvojen valmistamiseksi |
| WO2008088563A2 (en) | 2007-01-17 | 2008-07-24 | Advanced Technology Materials, Inc. | Precursor compositions for ald/cvd of group ii ruthenate thin films |
| WO2009006272A1 (en) | 2007-06-28 | 2009-01-08 | Advanced Technology Materials, Inc. | Precursors for silicon dioxide gap fill |
| US8142847B2 (en) | 2007-07-13 | 2012-03-27 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Precursor compositions and methods |
| US20100279011A1 (en) * | 2007-10-31 | 2010-11-04 | Advanced Technology Materials, Inc. | Novel bismuth precursors for cvd/ald of thin films |
| US8168811B2 (en) | 2008-07-22 | 2012-05-01 | Advanced Technology Materials, Inc. | Precursors for CVD/ALD of metal-containing films |
| KR101576033B1 (ko) * | 2008-08-19 | 2015-12-11 | 삼성전자주식회사 | 전구체 조성물, 박막 형성 방법, 이를 이용한 게이트 구조물의 제조 방법 및 커패시터의 제조 방법 |
| WO2010065874A2 (en) | 2008-12-05 | 2010-06-10 | Atmi | High concentration nitrogen-containing germanium telluride based memory devices and processes of making |
| WO2010123531A1 (en) * | 2009-04-24 | 2010-10-28 | Advanced Technology Materials, Inc. | Zirconium precursors useful in atomic layer deposition of zirconium-containing films |
| US20110045183A1 (en) * | 2009-08-18 | 2011-02-24 | Youn-Joung Cho | Methods of forming a layer, methods of forming a gate structure and methods of forming a capacitor |
| US8563085B2 (en) | 2009-08-18 | 2013-10-22 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Precursor composition, methods of forming a layer, methods of forming a gate structure and methods of forming a capacitor |
| US9012876B2 (en) | 2010-03-26 | 2015-04-21 | Entegris, Inc. | Germanium antimony telluride materials and devices incorporating same |
| US9190609B2 (en) | 2010-05-21 | 2015-11-17 | Entegris, Inc. | Germanium antimony telluride materials and devices incorporating same |
| JP5706755B2 (ja) * | 2010-06-10 | 2015-04-22 | 東ソー株式会社 | ヒドロシラン誘導体、その製造方法、ケイ素含有薄膜の製造法 |
| CN102060865B (zh) * | 2010-11-15 | 2013-04-24 | 南京航空航天大学 | 酰胺钆配合物的合成方法及其在制备高k材料前驱体的应用 |
| US20130011579A1 (en) | 2010-11-30 | 2013-01-10 | Air Products And Chemicals, Inc. | Metal-Enolate Precursors For Depositing Metal-Containing Films |
| WO2012088266A2 (en) | 2010-12-22 | 2012-06-28 | Incyte Corporation | Substituted imidazopyridazines and benzimidazoles as inhibitors of fgfr3 |
| WO2012124913A2 (ko) | 2011-03-15 | 2012-09-20 | 주식회사 메카로닉스 | 신규한 4-비이 족 유기금속화합물 및 그 제조방법 |
| US9087690B2 (en) | 2011-04-06 | 2015-07-21 | American Air Liquide, Inc. | Hafnium-containing and zirconium-containing precursors for vapor deposition |
| US9443736B2 (en) | 2012-05-25 | 2016-09-13 | Entegris, Inc. | Silylene compositions and methods of use thereof |
| UA125503C2 (uk) | 2012-06-13 | 2022-04-13 | Інсайт Холдинґс Корпорейшн | Заміщені трициклічні сполуки як інгібітори fgfr |
| WO2014015241A1 (en) | 2012-07-20 | 2014-01-23 | L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude | Organosilane precursors for ald/cvd silicon-containing film applications |
| US9388185B2 (en) | 2012-08-10 | 2016-07-12 | Incyte Holdings Corporation | Substituted pyrrolo[2,3-b]pyrazines as FGFR inhibitors |
| US9640757B2 (en) | 2012-10-30 | 2017-05-02 | Entegris, Inc. | Double self-aligned phase change memory device structure |
| KR20140067786A (ko) * | 2012-11-27 | 2014-06-05 | 주식회사 유피케미칼 | 실리콘 전구체 화합물, 및 상기 전구체 화합물을 이용한 실리콘-함유 박막의 증착 방법 |
| US9266892B2 (en) | 2012-12-19 | 2016-02-23 | Incyte Holdings Corporation | Fused pyrazoles as FGFR inhibitors |
| US10186570B2 (en) | 2013-02-08 | 2019-01-22 | Entegris, Inc. | ALD processes for low leakage current and low equivalent oxide thickness BiTaO films |
| MY181497A (en) | 2013-04-19 | 2020-12-23 | Incyte Holdings Corp | Bicyclic heterocycles as fgfr inhibitors |
| US9382268B1 (en) | 2013-07-19 | 2016-07-05 | American Air Liquide, Inc. | Sulfur containing organosilane precursors for ALD/CVD silicon-containing film applications |
| TW201509799A (zh) | 2013-07-19 | 2015-03-16 | Air Liquide | 用於ａｌｄ／ｃｖｄ含矽薄膜應用之六配位含矽前驅物 |
| EP2857423B1 (en) * | 2013-10-07 | 2020-09-16 | Arlanxeo Netherlands B.V. | Catalyst system |
| US9343315B2 (en) * | 2013-11-27 | 2016-05-17 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method for fabricating semiconductor structure, and solid precursor delivery system |
| KR102251989B1 (ko) | 2014-03-10 | 2021-05-14 | 삼성전자주식회사 | 유기 금속 전구체 및 이를 이용한 박막 형성 방법 |
| US10851105B2 (en) | 2014-10-22 | 2020-12-01 | Incyte Corporation | Bicyclic heterocycles as FGFR4 inhibitors |
| WO2016094711A2 (en) * | 2014-12-13 | 2016-06-16 | L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude | Organosilane precursors for ald/cvd silicon-containing film applications and methods of using the same |
| CR20170390A (es) | 2015-02-20 | 2017-10-23 | Incyte Holdings Corp | Heterociclos biciclicos como inhibidores de fgfr |
| MA41551A (fr) | 2015-02-20 | 2017-12-26 | Incyte Corp | Hétérocycles bicycliques utilisés en tant qu'inhibiteurs de fgfr4 |
| US9580423B2 (en) | 2015-02-20 | 2017-02-28 | Incyte Corporation | Bicyclic heterocycles as FGFR4 inhibitors |
| KR102147190B1 (ko) | 2015-03-20 | 2020-08-25 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 막형성조성물 및 그를 이용한 박막 제조 방법 |
| KR102358566B1 (ko) * | 2015-08-04 | 2022-02-04 | 삼성전자주식회사 | 물질막 형성 방법 |
| TWI732789B (zh) * | 2015-10-06 | 2021-07-11 | 美商恩特葛瑞斯股份有限公司 | 固體前驅物之冷燒結 |
| KR20160105714A (ko) | 2015-11-26 | 2016-09-07 | 김현창 | 지르코늄 금속을 함유하는 신규한 유기금속 화합물 및 그 제조 방법, 그리고 이를 이용한 박막의 제조 방법 |
| KR101818417B1 (ko) | 2016-09-23 | 2018-01-15 | 한국전력공사 | 배기가스 정화장치 및 이를 이용한 배기가스 정화방법 |
| WO2018155837A1 (ko) * | 2017-02-23 | 2018-08-30 | 주식회사 메카로 | 유기금속화합물 및 그 제조방법, 그리고 이를 이용한 박막 및 그 제조방법 |
| KR102015275B1 (ko) * | 2017-02-23 | 2019-08-28 | 주식회사 메카로 | 유기금속화합물 및 그 제조방법, 그리고 이를 이용한 박막 및 그 제조방법 |
| AR111960A1 (es) | 2017-05-26 | 2019-09-04 | Incyte Corp | Formas cristalinas de un inhibidor de fgfr y procesos para su preparación |
| KR20190045648A (ko) | 2017-10-24 | 2019-05-03 | (주)덕산테코피아 | 지르코늄 금속을 함유하는 유기금속화합물, 그 제조방법 및 이를 사용하는 박막 형성 방법 |
| KR102129055B1 (ko) * | 2017-11-30 | 2020-07-01 | 한국화학연구원 | 지르코늄 아미노알콕사이드계 전구체, 이의 제조방법, 및 이를 이용하여 박막을 형성하는 방법 |
| BR112020022392A2 (pt) | 2018-05-04 | 2021-02-02 | Incyte Corporation | formas sólidas de um inibidor de fgfr e processos para preparação das mesmas |
| PE20210919A1 (es) | 2018-05-04 | 2021-05-19 | Incyte Corp | Sales de un inhibidor de fgfr |
| JP7262912B2 (ja) * | 2018-12-12 | 2023-04-24 | エスケー トリケム カンパニー リミテッド | 金属膜形成用前駆体組成物、これを用いた金属膜形成方法、及び前記金属膜を含む半導体素子 |
| KR20200072407A (ko) | 2018-12-12 | 2020-06-22 | 에스케이트리켐 주식회사 | 금속막 형성용 전구체 조성물, 이를 이용한 금속막 형성 방법 및 상기 금속막을 포함하는 반도체 소자. |
| US11628162B2 (en) | 2019-03-08 | 2023-04-18 | Incyte Corporation | Methods of treating cancer with an FGFR inhibitor |
| US11591329B2 (en) | 2019-07-09 | 2023-02-28 | Incyte Corporation | Bicyclic heterocycles as FGFR inhibitors |
| US12122767B2 (en) | 2019-10-01 | 2024-10-22 | Incyte Corporation | Bicyclic heterocycles as FGFR inhibitors |
| GEP20247679B (en) | 2019-10-14 | 2024-10-10 | Incyte Corp | Bicyclic heterocycles as fgfr inhibitors |
| WO2021076728A1 (en) | 2019-10-16 | 2021-04-22 | Incyte Corporation | Bicyclic heterocycles as fgfr inhibitors |
| PE20221504A1 (es) | 2019-12-04 | 2022-09-30 | Incyte Corp | Derivados de un inhibidor de fgfr |
| JP7720840B2 (ja) | 2019-12-04 | 2025-08-08 | インサイト・コーポレイション | Ｆｇｆｒ阻害剤としての三環式複素環 |
| KR102259874B1 (ko) | 2019-12-23 | 2021-06-03 | (주)원익머트리얼즈 | 사이클로펜타디엔이 도입된 유기금속 화합물 전구체를 이용한 유전체 필름의 형성 방법 및 그의 반도체 제조에서의 용도 |
| WO2021146424A1 (en) | 2020-01-15 | 2021-07-22 | Incyte Corporation | Bicyclic heterocycles as fgfr inhibitors |
| CN111253433B (zh) * | 2020-02-28 | 2022-10-11 | 苏州欣溪源新材料科技有限公司 | 胺钛化合物及其制备方法 |
| KR102428276B1 (ko) * | 2020-09-08 | 2022-08-04 | 주식회사 한솔케미칼 | 4족 금속 원소-함유 화합물, 이를 포함하는 전구체 조성물, 및 이를 이용한 박막의 제조 방법 |
| KR102622013B1 (ko) * | 2020-12-23 | 2024-01-05 | 에스케이트리켐 주식회사 | 금속막 형성용 전구체, 이를 이용한 금속막 형성 방법 및 상기 금속막을 포함하는 반도체 소자. |
| TW202304459A (zh) | 2021-04-12 | 2023-02-01 | 美商英塞特公司 | 包含ｆｇｆｒ抑制劑及ｎｅｃｔｉｎ－４靶向劑之組合療法 |
| KR102569201B1 (ko) * | 2021-06-04 | 2023-08-23 | 주식회사 한솔케미칼 | 유기 금속 화합물 제조방법 및 이를 이용하여 박막을 형성하는 방법 |
| CA3220155A1 (en) | 2021-06-09 | 2022-12-15 | Incyte Corporation | Tricyclic heterocycles as fgfr inhibitors |
| TW202313611A (zh) | 2021-06-09 | 2023-04-01 | 美商英塞特公司 | 作為ｆｇｆｒ抑制劑之三環雜環 |
| US20230080718A1 (en) * | 2021-08-30 | 2023-03-16 | Entegris, Inc. | Silicon precursor materials, silicon-containing films, and related methods |
Family Cites Families (46)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7323581B1 (en) * | 1990-07-06 | 2008-01-29 | Advanced Technology Materials, Inc. | Source reagent compositions and method for forming metal films on a substrate by chemical vapor deposition |
| US5820664A (en) * | 1990-07-06 | 1998-10-13 | Advanced Technology Materials, Inc. | Precursor compositions for chemical vapor deposition, and ligand exchange resistant metal-organic precursor solutions comprising same |
| US5453494A (en) * | 1990-07-06 | 1995-09-26 | Advanced Technology Materials, Inc. | Metal complex source reagents for MOCVD |
| US5840897A (en) * | 1990-07-06 | 1998-11-24 | Advanced Technology Materials, Inc. | Metal complex source reagents for chemical vapor deposition |
| US6110529A (en) * | 1990-07-06 | 2000-08-29 | Advanced Tech Materials | Method of forming metal films on a substrate by chemical vapor deposition |
| US5679815A (en) * | 1994-09-16 | 1997-10-21 | Advanced Technology Materials, Inc. | Tantalum and niobium reagents useful in chemical vapor deposition processes, and process for depositing coatings using the same |
| US6344079B1 (en) * | 1995-03-31 | 2002-02-05 | Advanced Technology Materials, Inc. | Alkane and polyamine solvent compositions for liquid delivery chemical vapor deposition |
| US5916359A (en) * | 1995-03-31 | 1999-06-29 | Advanced Technology Materials, Inc. | Alkane and polyamine solvent compositions for liquid delivery chemical vapor deposition |
| US6214105B1 (en) * | 1995-03-31 | 2001-04-10 | Advanced Technology Materials, Inc. | Alkane and polyamine solvent compositions for liquid delivery chemical vapor deposition |
| US6444264B2 (en) * | 1995-03-31 | 2002-09-03 | Advanced Technology Materials, Inc. | Method for liquid delivery CVD utilizing alkane and polyamine solvent compositions |
| US5997642A (en) * | 1996-05-21 | 1999-12-07 | Symetrix Corporation | Method and apparatus for misted deposition of integrated circuit quality thin films |
| US6015917A (en) * | 1998-01-23 | 2000-01-18 | Advanced Technology Materials, Inc. | Tantalum amide precursors for deposition of tantalum nitride on a substrate |
| US6316797B1 (en) * | 1999-02-19 | 2001-11-13 | Advanced Technology Materials, Inc. | Scalable lead zirconium titanate(PZT) thin film material and deposition method, and ferroelectric memory device structures comprising such thin film material |
| US6623656B2 (en) * | 1999-10-07 | 2003-09-23 | Advanced Technology Materials, Inc. | Source reagent composition for CVD formation of Zr/Hf doped gate dielectric and high dielectric constant metal oxide thin films and method of using same |
| US6399208B1 (en) * | 1999-10-07 | 2002-06-04 | Advanced Technology Materials Inc. | Source reagent composition and method for chemical vapor deposition formation or ZR/HF silicate gate dielectric thin films |
| US7094284B2 (en) * | 1999-10-07 | 2006-08-22 | Advanced Technology Materials, Inc. | Source reagent compositions for CVD formation of high dielectric constant and ferroelectric metal oxide thin films and method of using same |
| US6736993B1 (en) * | 2000-04-18 | 2004-05-18 | Advanced Technology Materials, Inc. | Silicon reagents and low temperature CVD method of forming silicon-containing gate dielectric materials using same |
| US6849305B2 (en) * | 2000-04-28 | 2005-02-01 | Ekc Technology, Inc. | Photolytic conversion process to form patterned amorphous film |
| US6599447B2 (en) * | 2000-11-29 | 2003-07-29 | Advanced Technology Materials, Inc. | Zirconium-doped BST materials and MOCVD process forming same |
| US7087482B2 (en) * | 2001-01-19 | 2006-08-08 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of forming material using atomic layer deposition and method of forming capacitor of semiconductor device using the same |
| US7005392B2 (en) * | 2001-03-30 | 2006-02-28 | Advanced Technology Materials, Inc. | Source reagent compositions for CVD formation of gate dielectric thin films using amide precursors and method of using same |
| WO2003035926A2 (en) * | 2001-10-26 | 2003-05-01 | Epichem Limited | Improved precursors for chemical vapour deposition |
| US7423166B2 (en) * | 2001-12-13 | 2008-09-09 | Advanced Technology Materials, Inc. | Stabilized cyclosiloxanes for use as CVD precursors for low-dielectric constant thin films |
| US7108771B2 (en) * | 2001-12-13 | 2006-09-19 | Advanced Technology Materials, Inc. | Method for removal of impurities in cyclic siloxanes useful as precursors for low dielectric constant thin films |
| KR100542736B1 (ko) * | 2002-08-17 | 2006-01-11 | 삼성전자주식회사 | 원자층 증착법을 이용한 산화막의 형성방법 및 이를이용한 반도체 장치의 캐패시터 형성방법 |
| US7531679B2 (en) * | 2002-11-14 | 2009-05-12 | Advanced Technology Materials, Inc. | Composition and method for low temperature deposition of silicon-containing films such as films including silicon nitride, silicon dioxide and/or silicon-oxynitride |
| US7446217B2 (en) * | 2002-11-14 | 2008-11-04 | Advanced Technology Materials, Inc. | Composition and method for low temperature deposition of silicon-containing films |
| KR101266442B1 (ko) * | 2002-11-15 | 2013-05-22 | 프레지던트 앤드 펠로우즈 오브 하바드 칼리지 | 금속 아미디네이트를 이용한 원자층 증착법 |
| US6861559B2 (en) * | 2002-12-10 | 2005-03-01 | Board Of Trustees Of Michigan State University | Iminoamines and preparation thereof |
| US6989457B2 (en) * | 2003-01-16 | 2006-01-24 | Advanced Technology Materials, Inc. | Chemical vapor deposition precursors for deposition of tantalum-based materials |
| US7135369B2 (en) * | 2003-03-31 | 2006-11-14 | Micron Technology, Inc. | Atomic layer deposited ZrAlxOy dielectric layers including Zr4AlO9 |
| US20050239297A1 (en) * | 2003-09-30 | 2005-10-27 | Yoshihide Senzaki | Growth of high-k dielectrics by atomic layer deposition |
| US7601860B2 (en) * | 2003-10-10 | 2009-10-13 | Advanced Technology Materials, Inc. | Composition and method for low temperature chemical vapor deposition of silicon-containing films including silicon carbonitride and silicon oxycarbonitride films |
| US7579496B2 (en) * | 2003-10-10 | 2009-08-25 | Advanced Technology Materials, Inc. | Monosilane or disilane derivatives and method for low temperature deposition of silicon-containing films using the same |
| US6960675B2 (en) * | 2003-10-14 | 2005-11-01 | Advanced Technology Materials, Inc. | Tantalum amide complexes for depositing tantalum-containing films, and method of making same |
| KR100581993B1 (ko) * | 2004-06-09 | 2006-05-22 | 삼성전자주식회사 | 원자층 증착법을 이용한 물질 형성방법 |
| US7300873B2 (en) * | 2004-08-13 | 2007-11-27 | Micron Technology, Inc. | Systems and methods for forming metal-containing layers using vapor deposition processes |
| US7250367B2 (en) * | 2004-09-01 | 2007-07-31 | Micron Technology, Inc. | Deposition methods using heteroleptic precursors |
| US7390360B2 (en) * | 2004-10-05 | 2008-06-24 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Organometallic compounds |
| US7399666B2 (en) * | 2005-02-15 | 2008-07-15 | Micron Technology, Inc. | Atomic layer deposition of Zr3N4/ZrO2 films as gate dielectrics |
| DE102005033579A1 (de) * | 2005-07-19 | 2007-01-25 | H.C. Starck Gmbh | Verfahren zur Herstellung dünner Hafnium- oder Zirkonnitrid-Schichten |
| US7638645B2 (en) * | 2006-06-28 | 2009-12-29 | President And Fellows Of Harvard University | Metal (IV) tetra-amidinate compounds and their use in vapor deposition |
| EP2142682B1 (en) * | 2007-04-09 | 2014-12-03 | President and Fellows of Harvard College | Cobalt nitride layers for copper interconnects and methods for forming them |
| US20080254218A1 (en) * | 2007-04-16 | 2008-10-16 | Air Products And Chemicals, Inc. | Metal Precursor Solutions For Chemical Vapor Deposition |
| US8142847B2 (en) * | 2007-07-13 | 2012-03-27 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Precursor compositions and methods |
| SG178736A1 (en) * | 2007-10-31 | 2012-03-29 | Advanced Tech Materials | Amorphous ge/te deposition process |
-
2008
- 2008-04-13 US US12/595,383 patent/US20100112211A1/en not_active Abandoned
- 2008-04-13 KR KR1020097023609A patent/KR20100016477A/ko not_active Withdrawn
- 2008-04-13 WO PCT/US2008/060162 patent/WO2008128141A2/en not_active Ceased
- 2008-04-14 TW TW097113515A patent/TW200907094A/zh unknown
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI550119B (zh) * | 2010-11-02 | 2016-09-21 | 宇部興產股份有限公司 | （醯胺胺基烷）金屬化合物、及利用該金屬化合物之含金屬之薄膜之製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2008128141A2 (en) | 2008-10-23 |
| KR20100016477A (ko) | 2010-02-12 |
| WO2008128141A3 (en) | 2009-01-08 |
| US20100112211A1 (en) | 2010-05-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TW200907094A (en) | Zirconium, hafnium, titanium and silicon precursors for ALD/CVD | |
| TWI630200B (zh) | 揮發性二氫吡嗪基及二氫吡嗪金屬錯合物 | |
| US7838073B2 (en) | Tantalum amide complexes for depositing tantalum-containing films, and method of making same | |
| KR101279925B1 (ko) | 금속 박막의 ｃｖｄ/ａｌｄ용으로 유용한 안티몬 및 게르마늄 착체 | |
| TWI464290B (zh) | 利用含鉿與含鋯前驅物以原子層沉積製備薄膜之方法 | |
| TWI374943B (en) | Precursor compositions and methods | |
| TWI470107B (zh) | 用於沉積含過渡金屬之膜的環戊二烯基過渡金屬前驅物 | |
| CN101801987B (zh) | 通过化学气相沉积形成含金属的薄膜的方法 | |
| TWI307723B (en) | Volatile metal ß-ketoiminate and metal ß-diiminate complexes | |
| TW201002855A (en) | Preparation of lanthanide-containing precursors and deposition of lanthanide-containing films | |
| TW200907091A (en) | Organometallic compounds | |
| TW201229286A (en) | Metal-enolate precursors for depositing metal-containing films | |
| TW200912030A (en) | Methods of preparing thin films by atomic layer deposition using titanium-based precursors | |
| TW200902759A (en) | Metal precursor solutions for chemical vapor deposition | |
| KR20170127492A (ko) | 디아자디에닐 화합물, 박막 형성용 원료, 박막의 제조 방법 및 디아자디엔 화합물 | |
| JP2014510733A (ja) | 新規な４ｂ族有機金属化合物及びその製造方法 | |
| TWI410514B (zh) | 不對稱配位體源，對稱性減少之含金屬的化合物類，及包括彼之系統和方法 | |
| KR20160030198A (ko) | 기판 상에 층을 형성하기 위한 환원제로서 비스(트리메틸실릴) 6-원 고리계 및 관련된 화합물 | |
| KR20080114553A (ko) | 스트론튬 함유 박막의 형성 방법 | |
| US20170107623A1 (en) | Zirconium, hafnium, titanium precursors and deposition of group 4 containing films using the same | |
| CN102011098B (zh) | 用于沉积含金属薄膜的含氨基醚的液体组合物 | |
| CN111727272A (zh) | 产生含金属膜的方法 | |
| JP5611736B2 (ja) | 有機金属化合物 | |
| EP3397790B1 (en) | Cobalt-containing film forming compositions, their synthesis, and use in film deposition | |
| TW202337892A (zh) | 用於含鉍氧化物薄膜的烷基及芳基異配位鉍前驅物 |