TW200824507A - Inductively coupled plasma system with internal coil - Google Patents

Description

200824507 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 概括而言’本發明係關於一種感應耦合電漿系統。更 明確而言’本發明係關於-種感應雜合電漿系、统，立中， 其本身以位於-處理室之建立於—介電線圈架（f 一内部線圈係產生或增強一電漿。 【先前技術】 長久以來係期望為處理具有二個相當長的尺寸（例如· ί各個寬度與長度為大於1公尺)之-基板表面(例如：涂 後-擋風玻璃）。當僅有一個基板尺寸為長(例如：待處： 之其表面係僅是3英寸寬而為2公尺長），整 =之處理係不需要一 2公尺的電聚，如同一 2英寸二里 電漿係可用以處理基板，隨著其為沿著電漿而連續饋入， 俾使整體的長度係處理。然而，誠然，不具有一長的電漿， 匕方法係無法運用以處理其寬度與長度的各者為長之一基 板表面’諸如.其具有重要的長度與寬度之一平板。 不僅疋長的感應耦合電漿源為難以找到或是不存在， 而且設計以針對於處理具有長與寬的處理表面之基板的上 ^問題之替代方法係可能涉及某些機械問題，包括：設計 =k 處理至，藉以裝設其具有外部線圈之一電漿源。 次外，可能極難以定位該種電漿源為充分接近基板。 、對於大處理表面問題之其他企圖的解決方式係包括·· 運用一種電容耦合電漿系統。然而，於一些該等系統之中， 200824507 電極之滅鍍係可能非期望且可能污染基板。此外，於化學 反應屯水私極係可㊉氧化且結果為電容_合改變，導致 不穩定的處理。 【發明内容】 Γ 本發明係包括種種的觀點，其可為基於所提出的特定 應用或需要而選擇於不同組合。於一個基本形式，本發明 :糸揭不-種電漿系統’其包含：'線圈，由一電源所供電， Γ:產生或增強，於—處理室；及，-介電線圈架， :本身為建立於處理室之内，且界定-線圈之至少一部分 為建立於其的一内都 、。；種種的實施例，介電線圈架 y有藉由至少-個支擇件所支#於二個支擇位置之二 二二/或具有一線圈架中心線；該種系統係可更包括其適 支‘基板之一基板支撐件，美;fe#且；^ 處理表面平面之卢s" 有其本身界定- 架中心:之一處理表面，處理表面平面係平行於線圈 的寬ΐ:::實施例的—個廣義目標係允許處理其具有長 源(:如:二基板表面而避免其陳 此=.感絲合電浆系統)之問題。誠然，本發明之竿 二焉轭例係可運用以達成一 系 為-長的均勻感應_合電聚（作為僅 乾例乾圍，該電漿係可為長度3-9英尺。） 本發明之彼等實施例（苴白 可能是諸如-離子$之另二 磁控管（mag⑽叫（或 廣義目f 個型式的電裝元件））的另一個 “致心磁㈣杨子源㈣ 7 200824507 係藉由提出其可增強由磁控管或離子源所產生的電漿之一 線圈，或可能是藉由提出其產生其本身電漿之一線圈。 本發明之另一個廣義目標係於其能夠處理移動的玻璃 或其他基板之系統的改良。 誠然，本發明之進一步目的係揭示於說明書與申請專 利範圍之其他處。 【實施方式】 如稍早所述，本發明係包括種種的觀點；其均可能為 組合於不同的方式。以下說明係提出以列出元件且描述本 發明之一些實施例。此等元件係關於初始實施例所列出， 然而，應為瞭解的是：其可為組合於任何的方式且於任何 的數目以建立另外的實施例。種種已述實例與較佳實施例 係不應構成以限制本發明至僅為顯明所述的系統、技術、 與應用。再者，此說明係應為瞭解以支援及涵蓋說明並且 主張所有種種實施例、系統、技術、方法、裝置、與應用 而具有任何數目的揭示元件、具有各個單獨的元件、且亦 具有於此或任何後續的應用之所有元件的任何與所有種種 互換與組合。 本發明之至少一個實施例係可為一種電漿系統丨，其 係包含：一線圈2,其為由一電源3 (包括而不限於一 rf 電源4)所供電，藉以產生或增強—電漿5於_處理室 及，一介電線圈架（form) 7,其本身係建立於處理室之内， 具有由至少一個支撐件9所支撐於二個支撐位置ι〇 (例 8 200824507 如·於介電線圈架為接觸支撐件之處）的二端8，且界定一 内部谷積1 1。於該種系統，線圈之至少一部分係建立於内 部谷積。該種系統之優點係包括而不限於能夠處理其具有 長的見度與長度（例如：各者超過i公尺）之基板表面而且 避免其關聯於其他型式的電漿源之問題。除了別處所論述 的彼等者之外，另一個潛在的優點係當期望時而能夠處理 基板於純氧且於3 i 10托口㈣之“磁控管，，壓力。 本發明之至少一個實施例係可特別關於僅為其處理一 基板12於某些方式之彼等實施例，無論是姓刻、清洗、 預熱、或沉積材料於該基板。該種系統係可包含：一線圈， 由-電源所供電，藉以產生或增強一電聚於一處理室；一 介電線圈架，其界定-内部容積與—線圈架中心線Η ;及， :基板支撐件14，適以支撐一基板於處理室，其中，基板 係具有其界定一處理表面平φ 16之一處理表面Η，線圈 之至少-部分係建立於内部容積，且線圈架中心線係實質 為平行於處理表面平面。該種系統之優點係包括而不受限 於能夠處理其具有長的寬度與長度（例如：各者為超過i公 尺）之基板表面而且避免盆關倘私甘 兄，、關如於其他型式的電漿源之問 =除了別處論述的彼等者之外，另一個潛在優點係當期 A而能夠處理基板於純氧且於3至1〇托之“磁控管” 壓力。下文係描述本發明之觀點，如同可為關於其主要揭 不者^任-者（其二者為如上所述），除非是另為陳述。 無論是供電該線圈、可能存在的任何磁控管、或， 電源3係可為一交流電源（例如：―交流電源），諸如：射 200824507 = (RF)產生器’且作為僅為一個範圍，可操作於350 KHz 人一 之間針對於其關於線圈的高阻抗與對於接地 ί ^A之理由’特別良好的結果係可得到於400 KHz之 田低的頻率。於某些實例’電源係可為直流。某些實施 J係可包括-阻抗匹配網路18 (例如··其可連接至一 Μ 、求）為了 RF包源為儘可能維持固定於處理期間，因而 ⑽理品質與一致性。基板支撐件係任何的結構—甚至 疋僅為4理至地板，作為僅為一個實例一其能夠支撐一 基板：如所意圖(無論是水平、垂直、或於其他方位)。亦 二〆二的疋·術5吾電漿系統”係運用以指出任何型式的 ^ 八中 包漿係運用以達成一期望的效應（包括 而不限於：以意11方式而處理-基板表面）。 ▲ 土、^圈其本身係可為具有複數個繞組之—感應線圈。於 加貝施例可貝靶為一螺線管（solenoid)以透過介電線圈 架而感應耗合能量至一氣體，藉以產生及維持（或僅為增強） 離子化的氣體粒子之_電漿。線圈係可為—縱向線圈Η (一 心’其包括具有數個繞組之一線圈，各個繞組係界定其 為貝貝平灯於介電線圈架的中心線之一線圈中心線），或是 2為僅為另一個實例，可為其將視為一橫向線圈20(參閱： 第1 2B與1 3B圖）。一橫向線圈係如同一縱向線圈為亦涉 及複數：繞組，不同於標準縱向線圈，該等繞組之超過一 =係界定其非為實質平行於該線圈為建立於其之介電線圈 二勺中^線之中心線。誠然，於一橫向線圈之該繞組的 。亥中心線係可為實質正交於該線圈為建立於其之介電線圈 10 200824507 架的中心線。應為瞭解的是：如為用於本文之術語“中心 線”係可為不僅是直線’並且亦可為曲線。 f -橫向線圈係可特別為適用於所期望的是：螺線管係 包括其各者為沿著介電線圈架的長度之繞組。於其具有一 縱向線圈之彼等實施例’由線圈所建立的磁場63係可實 =為：當小於電聚(參閱：第13A圖)；而於其具有橫向線 岡之貝&例磁％ 64係可相較為較強於電襞（參閱：第別 :)。該線圈係導電(作為僅為一個實例：其可為銅線142)， 卻了為中空，使得水係可流通以增強該介電線圈架之冷 係二電：：架係包括而為不限於-介電管21 (其橫截面 :=:_61、或可能甚至是多邊形㈣為僅 疋居夕可施的實例二 為僅是-個範例範圍):1):二多崎 圈架之流體連通(心.俾#可4建立以提供透過線 至另-端且通過該另_山 乳體係可通過線圈架之—端 著處理室之—尺+ 知）。於某些實施例，可能延伸為沿 介電線圈架係可特::如·洙度、寬度、高度、或長度)。 體之電浆產生/維持免除暴露的金屬，且允許於反應氣 介電線圈架之二/ 二個支撐位置。係可為由至少—個支撐件所支撐於 22、或建立於處理；/件係可為處理室其本身之-壁部 (例如··其中，該二π复内的一結構23。該支撐係可為直接 至少—個支撐件，^其本身為附接至該二個支撐位置之該 °於圖1所示）或間接（其中，不同於該 0 200824507 二端之介電線圈架的一部分為附接至該二個支撐位置之今 至少一個支撐件而該線圈架其本身之剛性係影響其二端之 支撐，例如··參閱圖4)設置。當介電線圈架之二端為由二 個支撐件所支撐（例如：該等支撐位置係於處理室之相對= 僅為不同的壁部），介電線圈架係將可能為實質直線（雖然 非為必要），且實質為縱向（其中，長度係至少為橫截面尺 寸之三倍），如於圖！所示。當介電線圈架之二端為由—個 f 切件所間接或直接支撐（例如：二個支撐位置為於處理室 之相同壁部），介電線圈架係將可能為曲線，如於圖6所顯 :”’無論為平滑曲線或陡^肖曲線。應為瞭解的是：術語“壁 之p 土 不僅U面的邊界而且亦包括其為曲線 之彼寺者。亦應為瞭解的是： U κ ^ 八令十滑曲線内表面之各

狀的室係視為具有二個相對壁部。 心I 於種種實施例，於處理室之内 線圈架，其各者係具有建立一線-或多個介電 …。於具有二個介電線圈苹之、線圈(例如:參閱第Η 干、 圈之貝苑例（例如··如於圖10所 不），一個線圈係可視Α 一 於圏10所 优馬一第一線圈24，甘人 視為—第一介+始固★ 4其介電線圈架係 弟；丨私線圈架25，其内邱空接y么、 容積26，且產峰& ^ 口 、係視為一第一内部 丑，、產生的磁場係視為於— —第—磁場27;而—第-人千& 弟—縱向方向28之 於第一介電線圈架且界 ^ 29係可建立為平行 〜線圈31之至少— 積30，於其，一第 邛分係可建立w， 一縱向方向的一方向 生於其為相反於第 署於 万向160之一第二磁場 直係可引起一迴路磁 2。該種多線圈配 崎磁％ 33與於雜散 政磁％之降低。於種種 12 200824507 實施例，縱向或橫向線圈係可運用以 漿與造成的處理過程。 成如所意圖之一電 由"笔線圈架所界定的内部容 力。其可為一内部腔部34，如蛊’、可只貝為於大氣壓 其他的氣體，或是可能甚至為於真空填充具有僅為大氣或 封裝（potting)化合物35 (例如.—％内^合積係可包括 •至溫硫化（RTv Γ temperature vulcanizing)的聚矽氧 ， 冷卻流體36 (可能用於增強冷卻)。附：可？二：諸如油 介電線圈架係可包括某型式的uv b一曰代而p 式的UV保護覆層所提供於介電線圈架：；：：：習知型 禾 或猎由諸如草袖 型式的石英之一種材料。如為已知，带將 >、 可導致臭氧（ozone)之產生，1 甩水之UV射線係 合物。 H 〃將退化塑膠或RTV封裝化 本發明之至少-個實施例係可針對於一個内部線圈之 運用’错以增強—種沉積處理，無論該沉積為由磁控管”、 離子源38、或由其他處理所實施，包括Μ 沉積(如同於電漿增強式化學氣相沉積)。於電漿沉積處理， 激能的線圈係產生或增強—電漿（例如：經常較佳為高密度 及/或均勻者）以撞擊一標靶（target) 71之表面，導致於基2 的處^表^ Η之沉積。再者，應為指出的是：沉積:理 係可實際亦為反應濺鍍，其中，反應於濺鍍的材料之一反 應氣體係引入至處理室。 當一磁控管係運用，對於内部線圈為輔助沉積處理之 效應係可直接為關於其對於磁控管之接近程度一該二者為 13 200824507 愈接近，則由内部線圈所引起之沉積增強效應為愈大，且 或許由磁控管以達成一意圖沉積處理所需之電壓為愈小。 針對於可運用的磁控管型式（包括··平衡與非平衡式磁控管） 以及磁控管濺鍍之概括瞭解，參考www pvd-c〇atings.⑶.uk/ the〇ry-0f-pvd.c〇atings_magnetr〇n上加與 www ;喂 c〇.uk/the〇ry-0f-pvd-COatingS-magnetr〇n，uttering偏，其 各者係出現於西元2006年7月11日且各者係納入於本文。 2為注意的是：經常為直流供電的磁控管所產生的磁場係 無須到達基板，雖然實際為可能會。 ^運用％，一離子源38係可運用為代替（例如：參閱 圖6)或附加於一磁控管。可作運用之離子源的一些實例係 包括於第17至19圖所示的彼等者。其可為凸緣、遠端或 其他安裝’且可清洗、蝕刻、沉積材料、等等，藉以處理 -基板。某些實施例(例如：線性或單室的離子束源)係可 能涉及氣’其透過於陽極82與陰極之間的離子源， 藉著電源編110至陽極82之一正電壓的施加且結合 於内部與外部陰極尖端之間的高磁場係產生-電漿85。— 離子束84係建立，杏白雪將以> a 田電水8 5之離子係由陽極的電場戶 排斥。圖16係顯示陽極82、氣流8ι、永久磁鐵 Π離子束84之相對位置。誠然，該等離子源係可;I 納入某種電子發射裝置(亦習稱為一種中性 子至基板表面’如同揭示於其為納入於本文之由J一；

Cuomo、Stephen M t · 的“離子束處理手冊 冊(N〇yes出版）。電子發射器係經常 14 200824507 加倍作為-中性化裝置，或一第二發射器係有時為特定用 :中性化。於某些實施例’由本發明之具有内部線圈的介 电線圈架所產生之電㈣、可作為用於離子源之-電子發射 器或中性化器。注意較：若一電I系統係包括具有内部 線圈的介電線圈架’則該系統係可適當稱為一種感應柄合 電漿糸統’甚至該系統係包括其可更適當稱為電容耦合之 電漿產生器。 亦為注意的是：諸如由Fort collins《先進能量產業 (Advanced Energy Industries)公司所製造的[a 系列與 MCIS系、歹之一些接近漂移式離子源係對於其操作為不需 要-電子發射器。此外，可用於本發明之離子束係包括而 不限於其揭示於 (出現於西元2006年7月u曰）之圓形 與線性的離子源，該網頁係亦納入於本文。如於第m 9 圖所示，種種眾所週知的離子束源應用係可納入為本發明 之部分者。 本發明之實施例係可能涉及一種離子束之運用於某些 處理（可運用之離子束源係包括而不限於第17至19圖所示 的彼等者）。於一種基板前置與後置處理的應用，本發明係 可涉及一離子源90、氣體91 (例如：氬（Ar)與氧氣）、輔助 氣體94、離子束92、與一基板93，如於圖17所示。於一 種直接沉積處理，可能涉及一離子源1 00、氣體與先驅物 (precursor) 1〇1、離子束1〇2、辅助氣體與先驅物1〇5、及 於一基板104之一薄膜/覆層！ 03，如於圖18所示。且， 15 200824507 於其運用一離子源之其他實施例，於一種離子束 積處理，本發明係可涉及-磁控管170、—離子源113、 氣U2、輔助氣體1丨4，以濺鍍材料111，其後來成為於 基板115之沉積材料116，如於圖19所示。 庄％、的是.於其涉及—導電標靶（例如：一磁控管之— $屯‘靶）之系統’該種標靶係可運用習知的偏壓系統Ο 所偏壓’藉以增強處理（例如：藉由提高離子撞擊率）。替 弋或附力而。，本身為眾所週知之一偏壓系統（例如：一 RF 偏C系、’先48)係可彳呆作於—導電基板丨3〇，藉以增強處理， 無論其為清洗、預熱、蝕刻、或沉積。 主於其針對於沉積（例如：其包括_磁控管、一化學氣相 /儿和το件49、或包括一些其他型式的沉積元件）所設計、 或其針對於預熱、钱刻或清洗、或實際為-基板之任何置 他型式的處理所設計之實施例，如所描述，可為設置一基 板支撐7G件。亦為注意的是：可為設置一些其他型式的連 續饋送元件53 (例如：輸送帶系統，可能具有如圖示的滾 輪)，其為可實施以一控制速度而移動於其響應之一基板(例 2 .位於輪送帶之頂部的—基板），使得其尺寸為一次處理 勹丨刀：r之電水糸統係可如期望而處理整個基 板。於一些實施例，基板係可饋 謂L為通過一岔封鎖件50 (可 此為溝槽之型式），藉以不料於處理室之屢力，由於㈣ 板為饋入自其的區域俜將业型兔一 、土 /、’匚戍係U為“的塵力。於其他實施 針對於一種完善密封鎖件之需要係可 ^ 室51 Γ☆丨遠過運用一前置 至51 (例如：如於圖4所示）而免除， 月J直至51係於如同 16 200824507 處理室者之相同壓力。 於包括一磁控管之彼等實施例，介電線圈架與磁控管 係可置放為充分接近，俾使共同造成僅有一個電漿（例如·· 參閱圖3);於該情形，内部線圈係可謂是增強一電漿（其 可能而非必須為單獨由磁控管所產生）。於其他的實施例， 可置放為充分遠離彼此，俾使其各者係產生其本身的電漿 (例如：參_ 2)。尤其是於僅有一個電聚為產生（如同例

如··介t、線目帛之内部、線圈係增強其可為磁控f所產生的 一電漿）之彼等實施例，磁控管所需的電壓係可降低；然而， 磁控：電壓需求係亦可降低於二個電襞為產生之彼等實施 例貝施如所思圖的電漿產生之必要於磁控管與介電線圈 架之間的距離與相對方位係可高度取決於數個因素，且可 極為，易由嘗㈣差法所迭代式決定。此係將容易為於一 般技藝人士之理解。 如同於圖7,於電黎為產生以增強化學氣相沉積之實 訑例’可建立一化學氣相沉積元# 49。該元件係可包括於 習知的化學氣相沉積處輯需之所有構件、氣體、等等。 如上所述’本發明係可為不僅是運用於沉積及/或基板 預熱，並且為運用於基板清法另 枚月，先及/或蝕刻。於該等實施例， 可能並未設置一磁控管或其他型式的沉積元件。 於特定實施例，於處理室内的 | 至鬥的至少一部分空間（例如： =為不同於由介電線圈架所佔有者的空間）係可保持為於 真空（視為描述例如甚至是 疋於處理氣體（例如：諸如氬之 一非反應氣體）為透過一氣體入n 轧體入口 65而引入適當量至該室 17 200824507 之彼等情況的一術語，完全的真空係不存在）。 沉積式電漿系統係可為一種旋轉鼓（drum)批次（batch) 塗覆系統52 (參閱··納入於本文之由㈣丨_等人著所著 作的論文“針對於批:欠、順序或捲式（r〇u)塗覆器 之高速率的反應濺鐘處理，，），可能涉及—種連續饋送元件 52 (例如：藉以較佳塗覆、蝕刻、預熱、或清洗大的平板 基板），或甚至可涉及其於處理（例如：清洗、蝕刻、預敎、 (或沉積)期間為保持靜止之一基板。於任何處理型式，無論 " 是否為連續’介電線圈㈣可實質為水平、垂直、偏離水 平偏離垂直、或具有其他方位。介電線圈架係可具有相 對於基板之任何方位，如同其實際為可位於基板之上方、 於基板^方、於基板之側邊、於基板之前方、於基板之 後方:寺等，視處理應用之特殊需求而定。基板其本身係 亦可實質為水平、垂直、偏離水平、偏離垂直、或具有其 他方位⑨如圖i!所示之一種旋轉鼓系統，連續鼓旋轉 {系' 充係可"及泵12〇、多個基板121與標乾122、電聚 I23、活性氣體124、-微波電聚施加胃125、與-光學氣 體控制器127。 本發明之實施例係亦可提供應用於網式（web)塗覆器 (二如：網式塗覆器、網捲式塗覆器、或其他型式）。於該 等貝施例（例如·如於圖21所示），典型而言，介電線圈架 與其内轉圈係將建立為實質平行於鼓M2之中央的縱向 本^月為可提供應用於其之諸多型式的網式塗覆 之们貝例係如於圖21所示。該種網式塗覆器係可包 18 200824507 ::圈nr i5°、—右側負載捲轴⑸、具有内部 、，良围之一介電線圈牟 丄^ 卞54及/或一磁控管153。誠麸，嗜 如一電漿搶與一基恭痛十甘…、口者 …、I源之其他的處理裝 明為可提供應用％“ 衣罝係了納入。本發 1 ^ 制式塗覆11的又 不於Affinit0等人 古 1例係』 膜”之第㈣F 面積的電漿聚合化薄 明之納入於該等系統係可 文本毛 食品）、或纸張_ （例如··可能運用於袋裝 ’ A、、·氏張（例如：於紙鈔之萝 # Λ ^ ^ ΛΛ ^ , R y H W的偽造測量）之處理， 作為5者夕的貫例之僅為二者。 特定實施例係可肖枯i 、去U ^ ; 括，、建立於該介電線圈架之内的一 法拉弟屏敝54 (例如··表 與該介電線圈架的—内表面5 )，例如：實質為於線圈 種法叔m尸^ 面55之間。如於圖20所示，該 種法拉弟屏敝之一個型式係 .κ ^ , 、邊式/去拉第屏敝，誠然，雖 二、、、/、他屏蔽型式係可運用 …、 ‘‘ 用。種種的材料係可用於屏蔽的 外尸# 而不限於導電材料’諸如：銅。法拉 ，人 牛低於 '線圈的開端與末端之間的電容 異。 知因於線圈之二端間的電位差 本發明之實施例係可4主W & J係了特別適用於其具有至少一 尺寸之實質平板（例如：栲 们長的 處理的^ 拾風玻璃、塑膠面板）的處理表面（待 ，王"… 二由蝕刻、清洗、預熱、或沉積）。於 處理忒寺面板，一種連續 ― 員饋运70件係可饋送基板，俾佶敕 月豆的處理表面係可於一虛 正 ^ 一 外理事件期間為由電漿所處理。於 孩寺糸統，一電漿係經常為 、 吊為將產生，俾使相當薄的寬度之 19 200824507 條片係可同時處理；於 其長度之自一端至另二广板為::著該電聚(例如：沿著 元件53，如所# ^ ’或㈣著—種型式的連續饋送 心圖之正體的表面係可作虛搜 可首先為建立於真空之一 。该種面板係 之下；替代而今，Ab 1至Μ，且隨後為饋入於電漿 σ ’可施具有一種型式的穷 密封鎖件5〇,美板伤叮許 i式的山封鎖件50,透過 係可能涉及其為夠大之一、 二糸、、死 事件、至产if社* *至以自處理開始、透過饋送 至處理結束而容納整體的基板。 處理2的是：某些測量係可取得，藉以排除其關於電漿 該' :之沿著介電線圈架的-縱向軸之熱膨脹的問題。 :寺測！係可僅涉及提供該線圈架以能夠移動（例如：滑 ^目對於支撐位置之至少-個支撐件。此舉係可藉由眾所 ^的技術而達成，其設置—滑動式密封μ $環繞於支 知位置之介電線圈架。注意的是：為了明瞭，並非於圖式 :每個元件之每次出現係參考（或“呼叫，，）該運用為關於 其之符號。 讀者係應明瞭的是：特定論述係可能未顯明描述可能 的所有貫施例；諸多的替代者係隱含。說明書係可能並未 頒明顯示各個特徵或元件可如何實際為代表諸多種種替代 或等效元件之廣義的功能；此等者係隱含為納入於此揭示 内容。 亦應為暸解的是··種種改變係可作成而未脫離本發明 之本質。該等改變係亦隱含為納入於說明且仍為歸屬於本 發明之範®壽内。 20 200824507 r 此外，當運用或暗示，術語“元件”係將瞭解為涵甚 ;可能ί或可能非為實際連接之個別以及複數個結構^奋解為涵盍各個該種變化，其作為任何裝置 貝轭例、一種方法或製 置 甚至僅疋此等者之任何元件的變化。 次 【圖式簡單說明】 轉合示根據本發明之至卜個實施例的—種感應 搞合::：。示根據本發明之至少-個實施例的-種感應 搞合;漿1^。不根據本發明之至少—個實施例的-種感應輕合；漿系:統、。根據本發明之至少—個實施例的-種感應 圖5係顯示根據本發明 輕合電漿系統。 圖6係顯示根據本發明 箱合電漿系統。 圖7係顯示根據本發明 輕合電漿系統。 圖8係顯示根據本發明麵合電襞系^私水糸統的橫截面。 圖9係I員示根據本發 之至少一個實施例的一種感應 之至少一個實施例的一種感應 之至少一個實施例的一種感應 之至少一個實施例的一種感應 明之至少一個實施例的一種感應 21 200824507 耦合電漿系統的部分視圖。

圖1 〇係顯+ _ ^ X 出現於根據：二:至1電線圈架與其内部線圈，其如可能 系統。 之至〉、—個實施例的一種感應耦合電漿 圖11传顯~ 的入於太：不—種旋轉鼓批次塗覆系統，其如可能出現 於本發明之至少—個實施例中。 圖12係顯示介 可能出❹林日日線圈木衫同線®型式的橫截面，其 於本發明之某些實施例。 二 系’’、、員不如可能出現於本發明之某些實施例的介電 、、泉圈木與不同線圈型式的橫截面。 圖1 4係顯示如可台t 」此出現於本發明之某些實施例的介電 線圈架的橫戴面。 一、 回 係，、、、員不如可能為納入於本發明之至少一個實施例 的一種磁控管的橫截面。 圖1 6係顯不如可能為納入於本發明之至少一個實施例 的一種線性或單束離子源。 回 係"、、員示如可能為應用於本發明之至少一個實施例 的基板前後處理之一 種離子束源的示意圖。 ° 系-員示如可能為應用於本發明之至少一個實施例 的基板直接沉積之_話 、 種離子束源的示意圖。 ° 彡員示如可能為應用於本發明之至少一個實施例 的基板離子束輔^ Λ + 、 锎助/儿積之一種離子束源的示意圖。 圖20係顯示-種鼠籠式法拉第屏蔽。 圖21係顯不本發明可能應用於其之一種網捲式塗覆器 22 200824507 的元件的侧視示意圖。 【主要元件符號說明】 1 電漿系統 2 線圈 3 電源 4 RF電源 5 電漿 6 處理室 7 介電線圈架 8 端部 9 支撐件 10 支撐位置 11 内部容積 12 基板 13 線圈架中心線 14 基板支撐件 15 處理表面 16 處理表面平面 18 阻抗匹配網路 19 縱向線圈 20 橫向線圈 21 介電管 22 壁部 23 200824507 23 結構 24 第一線圈 25 第一介電線圈架 26 第一内部容積 27 第一磁場 28 第一縱向方向 29 第二介電線圈架 30 第二内部容積 31 第二線圈 32 第二磁場 33 迴路磁場 34 内部腔部 35 封裝化合物 36 冷卻流體 37 磁控管 38 離子源 47 偏壓系統 48 RF偏壓系統 49 化學氣相沉積元件 50 密封鎖件 51 前置室 52 旋轉鼓批次塗覆系統 53 連續饋送元件 54 法拉第屏蔽 24 200824507

55 内表面 59 滑動式密封 60 圓形 61 橢圓形 62 多邊形 63、64 磁場 65 氣體入口 70 標靶 80 永久磁鐵 81 氣流 82 陽極 83 電漿 84 離子束 85 電漿 90 離子源 91 氣體 92 離子束 93 基板 94 輔助氣體 100 離子源 101 氣體與先驅物 102 離子束 103 薄膜/覆層 104 基板 25 200824507 105 輔助氣體與先驅物 110 電源供應器 111 材料 112 氣體 113 離子源 114 輔助氣體 115 基板 116 沉積材料 120 泵 121 基板 122 標靶 123 電漿 124 活性氣體 125 微波電漿施加器 127 光學氣體控制器 130 導電基板 142 銅線 150 左側負載捲軸 151 右側負載捲轴 152 鼓 153 磁控管 154 介電線圈架 160 方向 170 磁控管 26 200824507 180 縱向轴

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Claims (1)

1. 200824507 十、申請專利範圍： 1 · 一種電漿系統，包含： 一線圈，由一電源所供電 強一電漿；及 藉以於一 處理室產生或增 一介電線圈架，建立於 翩± p从 理至之内，具有藉由5小 一個支撑件於二個支撐位稽由至少^--、所支擔，且界t i 容積； 又牙且界疋一内部

   其中，該線圈之至少 2·如申請專利範圍第 係包含一縱向線圈。 -部分係建立於該内部容積。 1項之電漿系統’其中，該線圈 3·如申請專利範圍第 係包含一橫向線圈。 項之電漿系統，其中 ’該線圈 4·如申凊專利範圍g i項之電漿系統，其中 係弟、線圈，該介電線圈架係一第一介電線圈架 部容積係一第一內 斗— & μ ^ 乐内σ卩合積，該第一線圈係以第一方向建立

   弟-磁％’且更包含—第二介電線圈帛，其以平行於該第 η私線圈架而建立，且界定一第二内部容積，其中一第 一、、泉圈之至少一部分係建立以於第一方向的相反方向產生 第二石兹場 〇 5 ·如申請專利範圍第1項之電漿系統，其中，該至少 一個支樓件係包含二個支樓件。 6·如申請專利範圍第1項之電漿系統，其中，該至少 一個支撐件係包含一個處理室壁部。 7.如申請專利範圍第1項之電漿系統，其中，該介電 28 200824507 線圈架係實質上為直線的介電線圈架。 8. 如申請專利範圍第1項之電漿系統，更包含：一磁 控管。 9. 如申請專利範圍第8項之電漿系統，其中，該線圈 與該磁控管係一起產生僅有一個電漿。 1 0.如申請專利範圍第1項之電漿系統，更包含：一化 學汽相沉積元件。 1 1.如申請專利範圍第1項之電漿系統，更包含：一離 子源。 12. 如申請專利範圍第1項之電漿系統，其中，該介電 線圈架係界定一線圈架中心線，且更包含一基板，其具有 界定一處理表面平面之一處理表面，且其中，該線圈架中 心線係實質平行於該處理表面平面。 13. 如申請專利範圍第1項之電漿系統，其中，該介電 線圈架係一實質水平的介電線圈架。 14·如申請專利範圍第1項之電漿系統，其中，該線圈 係界定一線圈中心線，且該介電線圈架係界定一線圈架中 心線，其為實質平行於該線圈中心線。 15. 如申請專利範圍第1項之電漿系統，更包含：一基 板，其建立以供由該電漿系統之處理。 16. —種電漿系統，包含： 一線圈，由一電源所供電，藉以於一處理室產生或增 強一電漿； 一介電線圈架，界定一内部容積與一線圈架中心線； 29 200824507 及 一基板支撐件，適以於該處理室支撐一基板； 其中，該基板係具有其界定一處理表面平面之一處理 表面，該線圈之至少一部分係建立於該内部容積，且該線 圈架中心線係實質平行於該處理表面平面。 17 _如申4專利範圍第1 6項之電漿系統，其中，該線 圈係包含一縱向線圈。

   18. 如申請專利範圍第16項之電漿系統，其中，該線 圈係第-線圈’該介電線圈架係第一介電線圈帛，該内部 容積-第一内部容積，該第_線圈係以第—方向建立第 -磁場’ i更包含—第二介電線圈架，其以平行於該第一 介電線圈架而建立，且其界定—第二内部容積，其中一第 二線圈之至少—部分係建立以產i與該第一方向的相反方 向之第二磁場。 19. 如申請專利範圍第16項之電漿系統，其中，該線 圈架中心線係實質為直線。 ^ 2〇·如申請專利範圍第16項之電漿系統，其中，該介 电線圈架係具有兩端，其藉由至少一個支撐件由二個支撐 位置所支撐。 21.如申請專利範圍第16項之電漿系統，更包 一 磁控管。 T，寻刑範 7圈木係界定一線圈架中心線，且更包含一基板，其具 有界定一處. 里表面平面之一處理表面，該處理表面平面係 30 200824507 實質平行於該線圈架中心線。 23.如申請專利範圍第16項之電漿系統，其中，該電 漿系統係一種網式塗覆器。 十一、圖式： 如次頁 f 31