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TW200816505A - Solar battery module - Google Patents

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Publication number
TW200816505A
TW200816505A TW096135664A TW96135664A TW200816505A TW 200816505 A TW200816505 A TW 200816505A TW 096135664 A TW096135664 A TW 096135664A TW 96135664 A TW96135664 A TW 96135664A TW 200816505 A TW200816505 A TW 200816505A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
protective layer
light
layer
concave portion
stress
Prior art date
Application number
TW096135664A
Other languages
English (en)
Inventor
Takeshi Nakashima
Eiji Maruyama
Original Assignee
Sanyo Electric Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sanyo Electric Co filed Critical Sanyo Electric Co
Publication of TW200816505A publication Critical patent/TW200816505A/zh

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Description

200816505 t 九、發明說明: . 【發明所屬之技術領域】 . I發明係有關—種太陽電池模組,其係具備在光射入 面具有凹凸面之光電轉換部。 【先前技術】 太陽電池模組-般具有:由包含使用單結晶石夕或多結 晶石夕等的結晶系半導體材料、代表非晶質石夕之非晶質半導 (體材料、或GaAs及CuInSe等之化合物半導體材料所構 結合或Ριη結合的多層構造而成之光電轉換部。經 由先的射人入在該光電轉換部中所生成的電子·電洞對(_ pa 1 r)則w由一對的電極而被取出至外部。 另外,已知以保護該光電轉換部之表面為 光電轉換部上形成伴含蕃居f 、在 成保邊層(例如芩照專利文獻1)。在形成 保 1瘦層的情況下’即可抑制光伏打元件(photovoltalc 元件保護層内部所生成之應力會產生光伏打 々材料纟/通。因此’期待在保護層中使用應力較少 〜材枓。在減輕保護層内 知有在保# m 所生成之應力的方法方面,已 2)。為了抑^ Γ Γ tU立子的方法(例如參照專利文獻 ¥,則7 # /大子的添加而產生之密著力降低的情 屯,則k案改變保護層々 1月 如參照專利文獻3)。度方问的叙粒子濃度的技術(例 [專利文獻.1]日本特開2_韻號公報 319627 200816505 [專利文獻2]日本特開2剛_26]()1()號公報 專利文獻3]日本特開2756050號公報 [發明内容】 目丽正開發一種在光電轉換部之 “紋理“一),,凹凸 :^面亡,:有所-之 在該凹凸面上散射之^丁⑨池拉組。市望使入射光 光路I戶 > 夫% 4月',使射入光電轉換部内之光的 先路長度曰大而提高光電轉換效率。 ==凹凸構造之光伏打元件中,為了使 狀的不同而應力及密著力的 凸構造之保護層。 形成適於凹 在此,本發明之目的係 因鑑於上述問題,而在呈有凹凸構::::騎組’其係 保護層之内部應力並:高:=構…伏打元件中降低 凹凸ί發!:―種太陽電池模組’係具備在光射入面且有 凹凸面<光電轉換部, ,、百 成之保護層;其特徵為: 凸面所設的由樹脂構 :與光的射入方向平行之上述保護層的截 凸面之凹部的厚度相比,凹凸面之凸部的厚度較薄。 如依本發明之特徵的太陽 厚較薄而可降低凸部之應力,所以可以減:光 翹曲及剝離並提高耐候性。 - 兀牛〜 另外在本發明之特徵的太陽電池模組中’ 在上述凹部中含有微粒子,而配置在該凹部之;;:!? 較於保護層之光射入側,以,11卞,相 、人邛仞配且杜先黾轉換部側者 31%27 200816505 為佳。 凹部之底面配置 應力緩和層之功 如依該太陽電池模組,經由在保護層 多數的微粒子,即可使凹部的底面層發揮 能而緩和對光伏打元件之應力。 ’保護層之凹 於保護層之光 另外在本發明之特徵的太陽電池模組中 部所含硬化劑之量,以光電轉換部側之量少 射入侧之量者為佳。 夕 如依該太陽電池模組
+入女 现田使保護層凹部之底面中不 二3有硬化劑’即可使凹部的底面層發揮應力緩和層之功 月匕’而緩和在光伏打元件之相關應力。 ^卜在本發明之特徵的太陽電池模組中,保護層含有 =將相當於以凹凸面之凹部為中心之單位長=第二 或中所含之微粒子數除以該第!領域面積所得之值、 凸部為中心之單位長度的第2領域中所 3的楗粒子數除以該第2領域面積所得之值較小者為卢 如依該太陽電池模組,經由在凹部中配置多數的脊:粒 ’即可抑制光伏打元件之麵曲,同時可抑制凸部 擦性的低下。 ]^ u另外在本發明之特徵的太陽電池模組中,於保護層之 凹部中,形成該保護層之樹脂中以含有空洞(v〇ids)為俨 如依該太陽電池模組,空洞成為氣墊而可以緩和1 如依本發明時,即可提供一種在具有凹凸構造之光护 打兀件巾,能降低保護層之内部應力,提高耐候性之太陽 *"19627 7 200816505 電池模組。 【貫施方式】 [發明實施之最佳型態] 二以下,使用圖面說明本發明之實施型態。於以下圖面 七己載中’在相同或類㈣部分中附有相同或類似的符 f而圖面僅為模式之圖,須留意各尺寸之比例等與 只fV、者有差*。因此,具體之尺寸等須參考以下之說明而
么、判斷而且’圖面相互之間當然包括尺寸相互間之關 係及比例不同的部分。 (光伏打元件) 本發明之實施型態中相關之光伏打元件,可參照第i 圖以及弟2圖加以說明。 -第1圖係用以說明本發明之實施型態中相關之光伏打 兀件⑽之構造的模式截面圖。基板丨係n型之單結晶石夕 基板,在^面1A上具有紋理面。在基们之受光面u 上依序積層著厚度10nm左右之i型非晶質石夕層2、厚度 ⑽左右之P型非晶質矽層3以及厚度l00nm左右之二〇 所成之受光面侧透明電極層4。射入光係自受 電極層4侧所射入。基板1由於在受光面U具有紋评面, 因此在叉光面1A上積層之i型非晶質矽層2、曰併 Γ:二,光面側透明電極層4之受光面亦形成反映著 必板1之受光面1A的紋理面形狀之凹凸面。而且左 受光面側透明電極層4之受光面中形成由部分為Ασ糊容: 之導電性糊膏所成之集電用之受光面側電極5。 & 319627 200816505 作為單結晶矽基板之基板1的背面1B具有紋理面,背 ,1B上依序積層著厚度1 〇nm左右之i型非晶質矽層6、 厚度l〇nm左右之n型非晶質矽層7以及厚度1〇〇·左右之 沂成之月面側透明電極層8。而且在背面側透明電 極層8之表面中形成由部分為Ag糊膏等之導電性糊膏所成 之集電用之背面侧電極9。 ^光電轉換部1 01係由受光面側透明電極層4、p型非晶 貝:層3 1型非晶質矽層2、n型單結晶矽基板1、i型非 日日貝石夕層6、n型非晶質石夕層7以及背面側透明電極層8 之積層體所構成。因此’相當於該光電轉換部⑻之受光 面的受光面側透明電極層4之受光面4A是具有凹凸面。 在光電轉換部1〇1之受光面4A中,使含有受光面 極盍=:心之方式而設置受光面側保護層1〇。 1〇之構成,參-第陽月電池中受光面側保護層 :;、、、弟2 0而坪細况明。帛2圖係將第1圖所 不:,件100中光電轉換部1〇1之受光面^ 面構造擴大而呈現之模式截面圖。 、截 如第2圖所示,光電轉換部1〇1之 面,使覆蓋著該凹凸面之全表 Α-有凹凸 層10。在盥光的射入古a工/ 万式形成叉先面侧保護 面中,血凹凸面… 叉光面側保護層10的截 =較;面之凹部的繼1相比’凹凸面之凸部的厚 至少凹部中亦可 子,相較於受光 另外,在受光面侧保護層1 0之内部, 含有複數個微粒子。配置在該凹部之微粒 319627 9 200816505 面側保護層10之光射入側,大多 為本二7,, 罝在忐電轉換部側101。 又先面側保護層10亦可含有遍佈於該内部全, 數個微粒子。此時,如第3 耳又 行之弟3圖所不,在與光的射入方向平 订之又先面側保護層1〇的截 面之凹部為中心之…=對於將相當於以凹凸 面之凸=1 積所得之值,以將相當於以凹凸 4 4 、中、之早位長度(L+L=2L)的第2領域中所含的 微粒子數险LV货0 ^ v 7只M Y尸/r 3的 凸部至凹=領域面積所得之值較小。另外,在此將 或凸部為;之間的距離設為5L。下述中,將相當於以凹部 域面Μ /之早位長度的領域巾所含微粒子數除以該領 域面積所得之值定義為「數密度」。 3於該受光面側保護層1Q之内部的微粒子,以具有 保護層1G之膨服係數的粒子較為合適。材質 =:組成之粒子。尤其在使用由金屬氧化= 理想。卢盆3 由於可抑制微粒子的可見光吸收故而 二疋、、工由使用ZnO、Ti〇2等而可吸收紫外線,因 電轉換部二t 護層1〇以下之受光面側電極5以及光 甲源自紫外線照射而變色等的劣化。且結果 可使耐候性更加提升。 /、 _彳”、粒子之大小係以受光面側保護層1 0之膜厚的 ,以下之粒徑為佳。尤其是2。至斷m左右的粒徑亦可得 到光散射之Μ專 文果紅而更為理想。 光面側保護層10之樹脂方面,可使用丙烯酸 10 319627 i 200816505 樹脂等之具有透光性的有機系材料。另外,亦 • 之聚矽氧樹脂、含氟樹脂、環氧樹脂等,介^〜用,、他 - 树月曰。在此,如樹脂中含有硬化劑時,則成止 ; 10之凹部所含硬化劑之量,係以光電轉換、^側保瘦層 少於保護層之光射入側之量者為佳。1側之量較
:光面側保護層10可經由不同黏度之樹脂的積層而 使又光面侧保護層1 0内之黏度改變。然 A r :10之凹部中’形成該保護層之樹脂的黏度:以== 邛101側之黏度小於光射入側之黏度者為佳。 專換 另外,在受光面側保護層10之凹部中,形成★亥 之樹脂亦可含有空洞。 Λ h層 (太陽電池模組) 次,有關使用上述光伏打元件之太陽電池模組 芩如、第4圖所示之截面圖加以說明。 \ 、、如第4圖所示’太陽電池模組2〇〇係具備: 經配置於光伏打元件1〇0之光射入側的 ^面側透光性構材2卜配置在與光伏打元件⑽之光射 槿:反側之背面側構材以、和配置在受光面側透光性 打元件⑽包含: 竿T供部1 0 1、以及為τ萍金 兒 層10。 U凹凸面而設置之受光面側保護 ^光面側4光性構材21例如由玻璃或塑膠等之;秀光 …。背面側構材23例如由金屬或塑膠、膜、 319627 11 200816505 :=冓Γ成。複數之光伏打元件⑽係經未圖示之 μ盘北面11連接成串聯或並聯,在受光面側透光性構材 之間以具有透光性之密封用樹脂層22 (作用與效果) 在二二本實施型態中相關之太陽電池模組, 的射人方向平行之受光面側保護層iq的截面
=面之,部的咖相比,凹凸面之凸部的綱較 |lU〜主之场電池模組般,凹部與凸部之厚度相同時, j 口=圖所示,因樹脂之膨脹等而在保護層内之應力係 :者:光電轉換部之界面而朝上產生。因此,在凸部中會 保暖層自光電轉換部剝離的情形。而在本實施型態方 面’因凸部之膜厚較薄故可降低凸部之應力,目而降低光 伏打元件之翹曲及剝離,其結果可提高耐候性。 在本實施型態相關之太陽電池模組中,受光面側保護 層10至少在凹部中含有微粒子,而配置於該凹部之微粒子 係以相較於配置在保護層之光射入側,大多配置在光電轉 換部101側者為佳。如此,II由使微粒子多配置於受光面 側丨呆護層10之凹部底面,使凹部之底面層發揮應力緩和層 的功能,可以缓和在光伏打元件之相關應力。其中,該微 粒子所具有之膨脹係數是小於黏著劑之膨脹係數。如此^ 微粒子係如日本特開平5-25324號公報等所記載者。 本實施型態之相關太陽電池模組中,在受光面側保護 層1 0之凹部所含硬化劑之量,係以光電轉換部側之量比在 319627 200816505 射1側之量少者為佳。如此,經由使受光面側 層笋揮瘅力堪凹邛底面中不太含有硬化劑,可使凹部之底面 應力力、緩和層的功能’可以緩和在光伏打元件之相闕 部側之二:於:^ 伴層之光射人側之黏度者為佳。如此, 二之底面的樹脂黏度較低時,可使凹部之底面層 ^。“、、友和層的功能’可以緩和在光伏打元件之相關應 二本實施型態之相關太陽電池模組中,受光面側保護 ^中,^粒子,而在與光的射人方向平行之保護層的截 :的^ 將相當於以凹凸面之凹部為中心之單位 之:,弟1領域中所含微粒子數除以該第“員域面積所得 2領域當於以凹凸面之凸部為中心之單位長度的第 小者為所含的微粒子數除以該第2領域面積所得之值較 Μ丨:土。如此,經由在凹部中配置多數的微粒子,即可 打元件之輕曲,同時可抑制凸部中耐磨擦性的下 :部磨:之::擦性係指太陽電池模組經輪運等而對 在本實施型態之相關太陽電池模組之受光面側保護層 ,凹部中,形成該保護層的樹脂係以含有空洞者為佳。 (;他=3晴,聰緩和應力。 319627 13 200816505 本發明雖依據上述之實施型態而記載,然而成為該記 載之部分敘述以及圖面不應認定為限定該發明者。由此揭 示在相同知識領域之技術者應可瞭解各種替代實施型態、 實施例以及運用技術。 〜 例如,本實施型態中相關太陽電池模組之構成,雖在 第2圖呈不光電轉換部ι〇1之構成,但光電轉換部I”之 結構並不限定帛2圖所示者。在&電轉㈣之結構方面, (可使用:使用單結晶矽或多結晶矽太陽電池等之結晶系半 導體而形成之在内部含有Pn接合者、或使用非晶質石夕或微 結晶石夕等之薄膜半導體而形成之在内部含有pin接合者等 —如此,本發明當然包含此處所無記載之各種實施型能 寺。因此,本發明之技術範圍係由上述說明而僅依適告= 申請專利範圍中之相關發明特定事項而決定者。田 [實施例]
^以下係對於本發明之薄膜系太陽電池模組中,列兴每 %例加以具體說明’然而本發明不侷限於該等實施例中: 例不’只要在益蠻更續φ匕 斤 實施者。日之祀圍下,係可適當地變更而 (太陽電池模組之製作方法) 係 有關本發明之實施例中太陽電池模組之制 如下說明。 〜 h玄 310627 ]4 200816505 紋理面後,經-般之清洗以去除雜質,使用f知之射頻⑽ 電漿化學氣相沉積法(_(13.56ΜΗζ),在形成溫度⑽ 至500°C ’反應壓力5至1〇〇Pa,RF功率}至5〇〇w/cm2中, 製作成將!型以及?型a—Si各以約1Qnm堆積之接合。p 型摻雜物方面可列舉如:第三族元素的β、Ai、Ga、°^。 經由將含有該等之至少-種的化合物氣體在SiiL等之氣源 中進行混合之情況下,即可在p型調控價電子。為了得到 η型半導體之價電子調控方面,可使用含有第五族元素之 ρ、Ν、As、Sb中之至少—種的化合物氣體。除此之外,氕 化非晶質si亦可使用蒸鍍法、濺鍍法、RF電漿cvd法二 微波電漿CVD法、ECR法、熱CVD法、Lpcvi)法等之習知的 手法半$體可為結晶質、或含有氫、氟中至少一種^非 ,、或亦可為微晶 Sl、SlGe、SlGeC、s—^^^ lSnN、SiSnO、SiO、Ge、GeC、GeN 中之任一者。 卜接著,在p型氫化非晶質矽上堆積氧化銦薄膜。本實 =中係使用經摻雜氧化銦(以下稱為ITQ)作為透光 ^電膜。首先將⑽2粉末調成5wt%,與1_粉末之燒 —體作為標靶(target),設於陰極。除了 %以外,亦可使
Ge、Ti ' M〇、W、211之至少一種作為摻雜物。可將 之里t該等化合物粉末與氧化麵粉末混合並加以燒結,製 作=標靶。變更Sn〇2之量即可使ΙΤ0中之Sn量改變,惟 承士 '、In ’ Sn之;!:以1至i〇at%為佳,以2至更佳。 才不乾之燒結密度以90%以上為佳。 其次’將環氧樹脂中混攪銀(Ag)微粉末之Ag糊膏以網 31%27 15 200816505 版印刷法形成高度約1 〇 — 之後,在下經80分^^見度約100至50Mm 個相互平行之枝 :二“硬化後’形成具有複數 } , 笔極與聚集流經梳狀電極之電 抓的母線(busbar ;匯流線)電極。 电 t t料成之光電轉換部上塗佈無機#料$丙_ 為保護層。而且,亦可在4:广氧樹脂等之有機材料作 丁 1〇2箄所保護層中添加由Sl〇2、Zn〇、 等所成之彳政粒子。俘 輕塗法等習知之保護〜;成;之形成方面可使用喷霧法、 脂硬化劑。早隻層$成法。且亦可在保護層令添加樹 (應力評估) 在本發明中’著眼於保士堇爲^ T r ^ A 民方、保瘦層的應力並進行討論。已知 、又為了 U岐和,而有微粒子的添 料的混合等。盆中,盘τ )田太广丄 叹/、低應力材 /、宁為了调查應力是否有實際的緩和4 | 而進行各種保護層的應力評估。 …、緩’ Μ 為了 接敎保護層的内部應力是有困難。此處, 係在# & in m 更層的茭化率。實驗方法 、在裁成lOcmxlOcm之厚度5〇 徂雄〶、,a 丨f,辱艇上塗佈各種 ,、u又^亚使之乾燥。此處如無特 3 /1;、 疋 保言隻層之厚声 疋做成約為2㈣。而且,乾燥條件係 ^〜卞度 d-h 士丄…η ύ u c下乾燥2 0分鏵。 此&,由於PVF對應保護層的 汽t , d + 又t,因而使用該長 又方回的變化手來進行應力的評估。 cr ^ ^ -具肢上係測定由150 C返回到每溫時的變化率。變化率
-η 々、以恶任何沴你々PVP 早砬的縮減量定為1 〇⑽而規格化。 力即,頌示規格化變化 319627 16 200816505 率之值愈小則内部應力愈小。將其結果呈現於表 [表1 ] 保護層材料 丙烯酸(無硬化劑) 規格化變化率 400% 466% 丙稀酸(有硬化劑) 混合ZnO之丙烯酸(ZnO 75%,有硬化劑) 混合ZnO之丙烯酸(Zn〇 75%,無硬化劑〕 混合ZnO之丙烯酸(ZnO 67%,無硬化劑) 混合 ZnO ^7^"^酸(Zn〇一,無^ ,合 ZnO ,有石ϋΤϊΐΤΤ 膜厚10 // m · j烯酸與卜(T有硒彳 200°/〇 133%Ym 333% 533% 200% -^广混合Μ之丙烯酸係指含有Zn0微粒子之 係相對於形成保護層之樹脂的含㈣。例如Zn〇 75%係指相對於樹脂含有 々音。另外女 百75重里% Zn0粒子(乾燥前之狀態) 一另卜,有硬化劑係指在形成保 化劑之意’硬化劑係使用異細預聚:之:广有二 與低應力樹脂材料係指 、,、且,丙豨酸 丨丁你和使用以丙烯酸: 之混合物作為保護層。 水矽虱祕知=1 : 1 由表1可知,在混合Zn〇微 以及在加入硬化劑之情況下應力增加:1:况下應力降低, 牍厚即可提高應力,以及在、、0人 叩且可確認如增加 力降低等歷來所習知之傾向:口〜力低的樹脂之情況下應 (實驗1) J7 319627 200816505 “電t換部上使用2種類之噴霧形成含有粒徑約為 .微粒的保護層(Zn0含量為75%)。其中,保護 —^低心射人側形成。所使用之保護層材料作成lcP程度 與低黏度之好斗止 + ^ 又 心何抖。賀霧A係因將保護材料以 而可形成凹部較厚、凸部較薄之保護層。而喷霧二二 保護材料塗佈成螺旋狀而可形成無關凹 為 保護層。另外,調整塗布之保護材料之 n在。.5"以下 保瘦層之厚度以塗佈重量換算時係 以I詳細說明有關噴霧A以及B之塗布方法。 如弟6圖(a)所示,於噴露 //Λ . 上方進行塗佈材之塗佈,且面广先電轉換部之正 所使用之高壓氣體。其…广人附用以霧化塗佈材 體以及塗佈方向的夺塑而鉬 '、二塗佈之金佈材經高壓力氣 ^ 暮而朝下擠壓流動,形成凸邻μ 凹部較厚之形狀的保護層。 μ战凸。卩較缚、 (;於噴霧Β方面,塗佈材之塗—面’如¥ 6圖(b)所示, 由於用以霧化之高壓力氣體^向係以迴旋狀塗佈。而且, 擠壓塗佈材之流動力道迴議’因此朝下方而 厚。 ]其結果,幾乎成為均勻之膜 對於各經該等2種喷霧所塗佈之構 性評估結果表示於表2。 ^ a寺〜耐候 η 319627 200816505 [表2]
具中 ①耐候性評估中,在已形成模組構造的情形 係使用:於溫度85。〇、澄度85% RH之高溫高濕: 2000小時後之輸出功率除以投入前之輪出功率所^之 值。另外’在表2中,將喷霧A作為1之規格化。 2〇〇〇小時之耐候性評估中,係包 冷卻至室溫的冷卻步驟。更且,在本評:;。=數次 認耐候性評估,即將模組之内面薄膜作為PVF薄膜。0速碟 由表2可知,相較於將保護層幾乎均一地涂、 凸部之臈厚有厚度差距之構造者, =凹 以貝務A塗佈之不均一構造者可得到 山、務 中,將該等之耐候性評估後之樣品投啊,候性。其 小時後,對其外觀進行確認。^ 士果/+c之局溫驢中1 在凸部領域中確認保護層刹離得很多。務它中,特別 通常認為應力是膜本身所具 例。在此情況下,凸部中之内部〜一患力與膜厚成比 預料朝擴展方向出力。在凸;中I如慮'及該膨脹係數時, 為是在光電产摻邻企仅T 魂擴展方向出力時,可切 疋仕光與保護層之剝 t l 砀寺是否為上述之韌離的原 一一力,而被認為 物m圖)。而在凹部 319627 19 200816505 中,可認為因保護層膨 幾乎看不到剝離。^為朝光電轉換部㈣之方向而 剝離(雖在上述實驗中確認為_之加 ......、、在耐候性評估之際亦產吐,、,★ 可認為是為了成為水分之侵入口而產確認之剝離) 差者。亦即,可認為作成將凸部;:2:=性之 可形成耐候性優異之保護層。 ^ 在此,保濩層須有某種程度之膜。 一 中,作為保護層之機能降、:V在溥膜構造 厚度之保護層,但此時,:二㈣成^ 又強在才貝駟中,雖幾乎為相等之塗佈重量, 下’喷霧Α在凸部中形成薄膜部。另-方面在凹;:中;成 厚膜部。保護層之輪膜厚之影響較大,而在噴ΓΛ 認衫㈣^者由於耐候性之觀點而言雖不㈣想,= 而較之力《▼務β者’因存在右仅確 、、 户口抆姊卜叮巧拋 ,、° y ο較厚部分,因此在 仏口疋脰上可仔到幾乎相等之耐候性。事實上 護性能以外,於噴BBt雖可見到上述剝離等之影塑在^ 其結果,贺霧A者卻可得到較高之耐候性。 (實驗2) 由f驗1所得結果可知,凸部之膜厚以薄膜構造者為 佳。一方面,可知為了維持元件全體之耐候性,而期望凹 部作成厚膜構造者。此處,確認凹部之應力將會影塑耐候 性。使用噴霧A進行應力較大之丙烯酸單層之塗佈。其結 果,可知在塗佈丙_層之後’經由乾燥可觀察到光伏^ 319627 20 200816505 元㈣曲。可認為此係在喷霧A中,凹部成為較厚之膜 •構造,龜曲之影響係凹部中之應力影響大為顯現者。尤宜 是,凹部之保護層膨脹時,其力大為施加在凹部之側面了 可認為是經由其力而產生元件之翹曲。 亦即,可認為如何減低凹部之應力是極為重要的。而 此處為了緩和凹部之應力❿嘗試在凹㉝中形成應力緩和 層。具體而言,保護層的形成係使用喷霧A形成具有2層 I結構之膜。塗佈膜厚係合併2層以塗佈重量換算約成為θ 3//m(相當於第1層為1//m、第2層為之塗佈)。應 力緩和層之形成方法係參考表丨中所得結果,著眼於添加 微粒子者、不添加硬化劑者、混合低應力樹脂者之3種, 形成各自對應之樣品。表3至5中呈示實驗2中製作之保 護層形狀與耐候性評估。 [表3] 保護層構造 而才候性 備註 有翹曲 實施例1 丙稀酸層 1. 00 實施例2 丙浠酸ZnO層/丙烯酸層 1. 07 [表4] 保護層構造 耐候性 實施例3 丙烯酸ZnO層(有硬化劑) lTo〇^~ 實施例4 丙烯酸ZnO層(無硬化劑)/丙烯酸 1 0 9 層ZnO (有硬化劑) 丄· 匕 ~------- 319627 200816505 [表5]
另外,在表3至5中,未形成成為耐候性評估指標的 應力緩和層之保護層(以τ係稱基準(re f心瞭))雖成為 單層構造’但為了齊全條件即與形成應力緩和層之複數構 =同,分為2次進行塗佈材之塗佈。而且,耐候性係將 為各自之基準的構造當為1而進行規格化。本實驗中保 護層之構造與實驗1相 , ^ ^ 、 f、 U共凸邛相比,係凹部之膜厚變 尽構造。尤其是,第1層設定為較高的霧化壓力之情況 下,凸部中幾乎第2次塗佈之材料係形成為單層之構造。 另外曰’實施例2至6中之丙烯酸Zn〇層係指樹脂中含 重里%之ZnO微粒子(乾燥前之狀態)者。更且,每 例6中之丙烯酸&低黏度樹脂Zn0層係指以 = 樹脂心之混合物作為保護層,其中含有75重量^石夕乳 ::子。:且’在實施例2、4、6中,雖記載2種類之: 痩層,但雨面所記载之層為下層’而後面所記载 :、 二::°,實施例2係在丙稀酸⑽層上形成丙歸;層々 保邊層。 〜 由b之結果可知’將應力較低之膜作為凹部之 &底層而設罝之構造,其耐候性較為優異。亦 〜 I ,可知如 31%27 200816505 之凹部中添加Zn〇微粒子之層(實施例 w加增加應力之硬化劑 未 之_ )、混入低應力樹月旨 „ 1 :經由設置應力緩和層而提高耐候性。 =在中確認有起曲。可認為以該 : 先:打凡件内產生龜裂等,並使耐候性降 = 5所示之實驗中,雜去 衣4及表 n ^ ^ 、肉眼確認到翹曲,然而經由長時 間的耐候性評估以及評估時的長丁 f 的翹曲,ΐέ士里η女 夂化寺而反覆產生些微 的J曲其結果即產生耐候性出現差放 於將應力緩和層設置在彳戈此了知相較 介日 卩之構造,可得到較高之耐候料。 亦Ρ,如在實驗!内所考察者,凸部之膜去。 佳’但考慮到對於光電轉換部 相為 部中均一成膜,期沙γ Α Α 相較於在凹 成有較大膜厚之保護層 '秋而,士 %由應力而使保護層剝離之效果雖不大,然以元^而此 的型態表示,由於該翹曲成 · # '、’ 之翹曲 其結果變成見到耐候性的降 士^之主要因素,故 膜亦可望形成出現應力緩和之層“ ’在凹部中即使為厚 (實驗3) 實驗2為設置應力緩和層之構造,但 對於用以緩和凹部々靡六& + 、4 3中,係 “、 應力而在凹部全體加入應力鱗““ 構攻中進行評估。於此處,瘅七於# # / 口材< 朽; > 植、4 &力硬和材係使用塗佈Ζη〇娜 1〜心使用Ρ貝霧Α,設定較高之霧化壓力,开ν、〜 蝴,毁粒子之2種類的保護層。而;成: 微粒子之保護層係在凸部中$加Ζη〇 口 M r〜破瓦度比在凹部中☆ 小。塗佈膜厚以塗佈量換笞 〜瀲试度 H幻丨】。表6中呈示實驗3 ^19627 23 200816505 中製作之保護層構造與耐候性評估之結果。 [表6 ]
表6中,將僅以丙烯酸樹脂形成保護層者作為1 、 行規格化。本實驗中保護層之構造與實驗丨相同,蛊 相比,係凹部之膜厚變厚之構造,而且在凸部中幾^ :
ZnO微粒子者可經TEM觀察之結果而確認。亦即,在*人3 所形成之保護層的凸部與凹部,確認為Zn〇微 3 同之構造者。 丁成度不 士由衣b所示之實施例7與8可知,相較於丙婦酸單芦 …含有混合ZnO微粒子之膜的保護層者,其耐候 / 亦即,可認為依凹部混合Zn0抖私工、,处 、 月。 ϋ ― 子,亚使内部應力降低 〜構仏’即可付較南之耐候性。此可認為係由與 所 產生之剝離為不同原因所致者 、
又考貫施例7中,以肉眼碹# 出剛塗佈後之樣品的翹曲。亦 Π目民崔W • Q C力的翻*曲會寻;變而十 候性之結果。此可链為係心打元件之㈣ 件内部產生龜m接合部之娜料產生 賴性下降者。其結果係產生,長^“ 不彳1座生表6所示之耐候性之差距者。 其中,在凹部盥凸部φ 7 Λ ^ 1中ZnQ之數密度不同者如同前 述。此處,將如第3圖所示夕 止々 、 凸構t〜凹部與凸部間之 31%:7 200816505 距離刀為5寺分之距離而設為L,將由凹部盘凸部 在兩端各擴展L之範圍,定義為 ^ 計算該部分所含層内之微粒子數目^或凸部之領域, 積者設為數密度。 冑㈣㈣部分之面 、可知在該凹部之數密度低’而凸部之數密 造,可提升耐磨擦性。通常,多荖 山又门冓 元件之接觸界面存在多數:微 力因大受黏著劑與元件之接觸面積之旦〜/、函,層之接者 增加即可使密著力降低。可知;:二微粒子的 情形將會緩和應力與熱膨脹等,因此=子之 佶宓荽六ίΓ夂把> W处 由祕粒子的添加而 力:剝離:二ΐΐ、:然而’相對於摩擦等機械性之 受較大之負:者因°此時’耐摩擦性係凸部承 摩擦性會降低。尤其是,為了使=力降低之元件令,耐 二微粒子之構造切必須考慮降低 (-力等,更可望減低凸二:=定較高之霧 (實驗4) " ^ 護層二Γ:緩和應力為目的而將空洞導入保 噴霧法與輕塗法進行塗佈粒卞之丙稀酸層各以 推押、mi… 以法中,將㈣材從上部以 推夂忒怨進仃肤的形成。因 在複數次成膜之手法的採用中,了:「中:推嶋較弱, 該等样口々1p ' 可牡凹部中形成空洞。將 〜教性評估結果呈示於表7中。在此,將採用 319627 25 200816505 噴霧法之樣〇u, 其中所述
之空洞長生作為1之規格化。而且 [表7 j "'、 V m以上之較大者。
盔表7可知,使用輥塗法之樣品的耐候性捭含 為此係大受空洞存在的影響。亦即 可認 和應力之緩衝物之π ^輝工洞作為用以緩 緩和層之空洞之層亦可提高耐候性。^成3有作為應力 月2Λ外由’主曰本專利申請案第2006-269254號(2_年9 月29曰申請)之+邱肉六从丛△ υ◦千y 中。 王相合作為残㈣人本申請案說明書 [產業上之可利用性] 經由上述之說明,如依本發明,因為可提供—種 有凹凸構造之光伏打元件中,能減低保護層之内部應力了 :提升耐候性之太陽電池模組’而適用於太陽能發電方 【圖式簡單說明】 万面 、弟】圖係本發明之實施型態令相關之光伏打元件之 式截面圖。 ' 第2圖係本發明之實施型態中相關光伏打元件之受夫 面側保護層的模式截面圖(其1 )。 〜又。 第3圖係本發明之實施型態t相闕光伏打元件之受光 3j96:7 26 200816505 面側保護層的模式截面圖(其2 )。 第4圖係本發明之實施型態中相關太陽電池_之模 式截面圖。 、 圖 第5圖係用以說明以往之太陽電池模組中 之問題點之 以說明本發明之實施例中塗佈材 第6圖(a)及(b)係用 料的塗佈方法之圖。 【主要元件符號說明】 1 基板 1A 1Β 背面 2 3 ρ型非晶質矽層 4 4Α 受光面 5 6 i型非晶質矽層 7 8 背面側透明電極層 9 10 受光面側保護層 21 22 樹脂 23 100 光伏打元件 101 L 200 太陽電池模組 W1 凹部厚度 W2 受光面 i型非晶質衫7層 受光面側透明電極層 受光面側電極 n型非晶質碎層 背面側電極 受光面側透光性構件 背面側構件 光電轉換部 距離 凸部厚度

Claims (1)

  1. 200816505 十、申請專利範圍: i 1 · 一種太陽電池模組,其係包括: 〜具備在光射入面具有凹凸面之光電轉換部,以及覆 蓋上述凹凸面而設的由樹脂構成之保護層;其特徵為 在與光的射入方向平行之上述保護層的截面中,與 上述凹凸面之凹部的厚度相比,上述凹凸面之凸部的厚 度較薄。 ν' 2.如申請專利範圍第1項之太陽電池模組,其中,上述保 濩層至少在上述凹部内含有微粒子,而配置在該凹部之 上述微粒子,相較於上述保護層之光射入側,大多配置 在光電轉換部側。 3.=申請專利範圍第丨項之太陽電池模組,其中,上述保 護層f凹部所含硬化劑之量,光電轉換部側之量比在上 述保護層之光射入侧之量少。 ,4.::申請專利範圍帛1項之太陽電池模組,其中,上述保 、 護層含有微粒子’而在與光的射人方向平行之上述保護 層的截面中’相對於將相當於以上述凹凸面之凹部為中 心之單位長度的第!領域中所含微粒子數除以該第1 =域面積所,之值⑻),以將相當於以上述凹凸面之凸 、「^ I、〜單位長度的第2領域中所含的微粒子數除 「以該第2領域面積所得之值(M2)較小⑽〈⑴。 '.如:請專利範圍第1項之太陽電池模組,其中,於上述 丨又層、凹部中’形成該保護層之樹脂中含有空洞。 319627 28
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