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TW200307726A - Hardenable composition, hardening product, process for producing the same and light emitting diode sealed with the hardening product - Google Patents

Hardenable composition, hardening product, process for producing the same and light emitting diode sealed with the hardening product Download PDF

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TW200307726A
TW200307726A TW92109718A TW92109718A TW200307726A TW 200307726 A TW200307726 A TW 200307726A TW 92109718 A TW92109718 A TW 92109718A TW 92109718 A TW92109718 A TW 92109718A TW 200307726 A TW200307726 A TW 200307726A
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TW
Taiwan
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light
component
group
scope
emitting diode
Prior art date
Application number
TW92109718A
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English (en)
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TWI336345B (zh
Inventor
Manabu Tsumura
Masahito Ide
Katsuya Ouchi
Masafumi Kuramoto
Tomohide Miki
Nii Ikuya
Original Assignee
Kaneka Corp
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Filing date
Publication date
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Description

200307726 玫、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種硬化性組合物、其硬化物、其硬化物 之製造方法及以該硬化物封裝之發光二極體。 【先前技術】 以發光二極體(LED)封裝用材料為首之光學用材料,係隨 近年使用環境之變化,欲尋求一種不只光學透明性高,具 有问接著性之材料。接著性低時,LED封裝體與封裝樹脂 界面會產生剝離。因產生剥離輝度會降低,或接著性明顯 很低時,有可能封裝樹脂會從封裝體脫離,成為製品可靠 性的問題。例如,在表面實裝型的LED亦期望與塑膠、陶 瓷、銀等之封裝體構成材料的接著性良好。 另外,以發光二極體(LED)封裝用材料為首之光學用材 料,隨近年使用環境之變化,亦尋求一種不僅光學透明性 南,且具有向韌性之材料。當封裝樹脂之韌性很低時,.例 如,在LED封裝體實裝時之焊接流動會產生龜裂。又,無 法承受從咼溫至低溫變化等使用環境之變化,而造成龜裂 等問題仍存在。 以往,在加成型反應硬化型(矽氫化)矽酮中,環氧基及烷 氧基結合於原子之有機矽化合物與含有機鋁化合物之硬化 性化合物顯7F不良的密著性,且應用於黏著片、加工布等 之技術已被提出(特開平08-183934號、特開平05-140459 唬)。然而,以此技術所得到之材料就硬度、黏性、光學特 性等之觀點不適於作為透明光學材料用途、尤其發光二極 84913 * 6 - 200307726 體用途。又’於加成型反應硬化型(矽氫化)液狀組合物添加 環氧樹脂及銘化合物’提高接著性之技術已被提出(特許第 3354973號)。但,有關所得到之硬化物透明性並未被揭示, 而有關光學材料用途、尤其發光二極體用途係毫未揭示。 又,在縮合反應硬化型矽酮中,使用來作為建造物目的 部之彌封材時,藉添加硼酸酯,即目的深度很淺時,亦可 顯現與被著體之良好接著性已被揭示(特開昭59胃155483 5虎)。但’此系為室溫硬化’關於以加熱硬化之效果顯現、 或、適應於反應形式不同的加成反應型之系時的效果顯現 係毫未揭示。 另外,於1分子中至少具有2個與SiH基具有反應性之碳_ 碳雙鍵的脂肪族系有機化化物、1分子中至少具有2個siH基 之化合物、含有碎氫化觸媒之硬化性組合物已為人所知 (W〇01 -8147 5號)。使此硬化性組合物硬化之硬化物係可適 立使用來作為光學材料。但,在薄膜作為光學材料用途、 例如所謂透鏡之成形體、所謂封裝材料之用途中,除了光 學特性外,就材料之長期可靠性而言,係尋求高的力學特 性。此處’硬化物之交聯密度很高,材料變脆,抗拉特性 會降低等問題仍存在。 又’亦提出一種含有三烯丙基三聚異氰酸酯作為成分之 硬化性組合物(特開昭50-100號、特開平09-291214號)。訖 載於特開昭50-1 〇〇號之硬化性組合物係所得到之硬化物的 玻璃轉移溫度低,就耐熱性而言不足。在特開平09-291214 號中’並未揭示有關從硬化性組合物所得到之硬化物透明 84913 200307726 性’而亦毫未揭示有關硬化物之勃性控制的對策。 【發明内容】 因此,本發明之第1目的在於提供··賦予一具有接著性優 且咼透明性之硬化物的硬化性組合物;及/或,賦予一具有 接著性優、動性鬲且高透明性之硬化物的硬化性組合物; 使該硬化性組合物硬化而構成之硬化物;該硬化物之製造 方法;以及,使用該硬化物之發光二極體。本發明之第二 及第三目的在於提供:賦予一具有韌性高且高透明性之硬 化物的硬化性組合物、使該硬化性組合物硬化而構成之硬 化物及該硬化物之製造方法。本發明之第四目的在於提 供:使用一具有接著性優且高透明性之硬化物的發光二極 體、及/或、使用一具有接著性優、動性高且高透明性之硬 化物的發光二極體。 亦即,第一之本發明係關於一種硬化性組合物,其特徵 在於含有: (A) 有機化合物,其係於1分子中至少含2個與siH基具有 反應性之碳-碳雙鍵; (B) 於1分子中至少含有2個SiH基之化合物; (C) 矽氫化觸媒; (D) 矽烷偶合劑及/或含環氧基的化合物;以及、 (E) 矽烷醇縮合觸媒(申請專利範圍第1項)。 第一之本發明之較佳態樣係如以下般。 申請專利範圍第1項之硬化性組合物,係(E)成分為有機 鋁化合物及/或硼酸酯(申請專利範圍第2項)。 84913 200307726 申請專利範圍第1或2項之硬化性組合物,其中(D)成分係 於分子中具有至少一個選自環氧基、甲基丙烯酸基、丙缔 酸基、異氰酸酯基、三聚異氰酸酯基、乙烯基及氨基甲酸 酯基心群中的官能基與加水分解性矽基之矽烷偶合劑(申 請專利範圍第3項)。 申睛專利範圍第1或2項之硬化性組合物,其中(D)成分為 於分子中具有環氧基與加水分解性矽基之矽烷偶合劑(申 請專利範圍第4項)。 、 申請專利範圍第1〜4項中任一項之硬化性組合物,其中(Ε) ^ 成分為鋁螫合化合物及/或鋁醇鹽化合物(申請專利範圍第5 項)。 申請專利範圍第1〜4項中任一項之硬化性組合物,其中(E) 成分為選自鋁乙基乙醯乙酸酯二異丙酸酯、鋁乙基乙醯乙 酸酯二異丁酸酯、鋁三(乙基乙醯乙酸酯)、鋁雙乙基乙醯乙 酸酯單乙醯丙酮配位基及鋁三(乙醯丙酮配位基)之群中至 少一種(申請專利範圍第6項)。
申請專利範圍第1〜4項中任一項之硬化性組合物,其中⑺) 成分為選自硼酸三正十八烷酯、硼酸三正辛烷酯、硼酸三 正丁酯、硼酸三異丙酯 酸二甲酯所構成之群中至少一種(申請專利範圍第7項)。 申請專利範圍第1〜7項中任一項之硬化性組合物,其中(A) 成分為以下述通式(I)
84913 200307726 (式中R1表示碳數1〜50之一價的有機基,各別之R1可為相異 亦可為相同)所示之化合物(申請專利範圍第8項)。 申請專利範圍第1〜7項中任一項之硬化性組合物,其中(A) 成分為三烯丙基三聚異氰酸酯,(B)成分為1,3,5,7-四甲基環 四矽氧烷與三烯丙基三聚異氰酸酯之反應物(申請專利範 圍第9項)。 申請專利範圍第1〜7項中任一項之硬化性組合物,其中(A) 成分為以下述通式(II) R2 U) 〇γΝ^〇 丫 N Ο (式中R2表示氫原子、或不具有可矽氫化反應的官能基之有 機基)所示之化合物(申請專利範圍第1〇項)^ 申請專利範圍第10項之硬化性組合物,其中(Α)成分進一 步為含有三烯丙基三聚異氰酸酯(申請專利範圍第丨丨項)。 申請專利範圍第10或11項之硬化性組合物,其中R2為氫 原子或碳數1〜50之一價有機基(申請專利範圍第12項)。 申請專利範圍第10〜12項中任一項之硬化性組合物,其中 以通式(II)所示之化合物占有(A)成分之2〇重量%以上(申請 專利範圍第13項)。 申請專利範圍第11〜13項中任一項之硬化性組合物,其中 以通式(II)所示之化合物為二諦丙基單縮水甘油基三聚異 氰酸酿(申請專利範圍第14項)。 84913 •10· 200307726 申請專利範圍第14項之硬化性組合物,其中(B)成分為 1,3,5,7_四甲基環四矽氧烷與三烯丙基三聚異氰酸酯之反應 物(申請專利範圍第15項)。 申叫專利範圍第1〜15項中任一項之硬化性組合物,其中 (B)成分係含有使以下述通式(ΠΙ) R3 °γΝ^Ο (Π) Ο (式中R3表示氫原子或不具有可矽氫化反應之官能基的有 機基)所示之化合物與在1分子中至少具有2個以^[基之化合 物進行碎氫化反應而得到的化合物及/或使以下述通式(IV) R4 (汉) ΟγΝγ,Ο 丫 N、r4 Ο (式中R4表示氫原子、或不具有可矽氫化反應之官能基的有 機基’各別之R4可為同一亦可為相異)所示之化合物與在i 分子中至少具有3個SiH基的化合物進行矽氫化反應而得到 的化合物(申請專利範圍第16項)。 申請專利範圍第16項之硬化性組合物,其中R3或R4為氫 原子或碳數1〜50的一價有機基(申請專利範圍第17項)。 申請專利範圍第16項之硬化性組合物,其中(B)成分為含 有1,3,5,7-四甲基環四矽氧烷與二烯丙基單縮水甘油基三聚 84913 -11 - 200307726 異氰酸酯之反應物及/或1,3,5,7-四甲基環四矽氧烷與單烯 丙基一縮水甘油基二聚異氰酸酯之反應物(申請專利範圍 第18項)。 申請專利範圍第16項之硬化性組合物,其中(b)成分為只 含有1,3,5,7-四甲基環四矽氧烷與二缔丙基單縮水甘油基三 聚異氰酸酯之反應物及/或1,3,5,7-四甲基環四矽氧烷與單 烯丙基二縮水甘油基三聚異氰酸酯之反應物(申請專利範 圍第19項)。 申請專利範圍第16〜19項中任一項之硬化性組合物,其中 (A)成分為二烯丙基三聚異氰酸酯(申請專利範圍第2〇項)。 申請專利範圍第16〜19項中任一項之硬化性組合物,其中 (A)成分為二烯丙基三聚異氰酸酯與二烯丙基單縮水甘油 基二聚異氰酸酯之混合物(申請專利範圍第2丨項)。 又,第一之本發明係一種硬化物,其係使申請專利範圍 第1〜21項中任一項之硬化性組合物硬化而成者(申請專利 範圍第22項)。 又,第一之本發明係一種硬化物之製造方法,其係使申 請專利範圍第1〜21項中任一項之硬化性組合物硬化(申請 專利範圍第23項)。 進一步-又,第一之本發明係一種發光二極體,其係以申 請專利範®第22項《硬化物封裝而成者(中請專利範圍第 24項)。 第二之本發明係關於一種硬化性組合物,其含有: (A)有機化合物,其係於丨分子中至少含2個與基具有 84913 • 12 - 200307726 反應性之碳-碳雙鍵; (B) 於1分子中至少含有2個SiH基之化合物;及 (C) 矽氫化觸媒; 其特徵在於:含有以下述通式(II) R2 Τ Γ ⑻ Ο (式中R2表示氫原子或不具有可矽氫化反應的官能基之有 機基)所示之化合物作為(A)成分(申請專利範圍第25項)。 第二之本發明之較佳態樣係如以下般。 申請專利範圍第25項之硬化性組合物,係(A)成分為進一 步含有三烯丙基三聚異氰酸酯(申請專利範圍第26項)。 申請專利範圍第25或26項之硬化性組合物,其中r2為氯 原子或碳數1〜50之一價有機基(申請專利範圍第27項)。· 申請專利範圍第25〜27項中任一項之硬化性組合物,其中 以通式(II)所示之化合物占有(A)成分之2〇重量%以上(申請 專利範圍第2 8項)。 申睛專利範圍第26〜28項中任一項之硬化性組合物,其中 以通式(II)所示之化合物為二烯丙基單縮水甘油基三聚異 氨政酉曰(申請專利範圍第2 9項)。 申請專利範圍第29項之硬化性組合物,其中(B)成分為 1,3,5,7-四甲基環四矽氧烷與三烯丙基三聚異氰酸酯之反應 物(申清專利範圍第3 0項)。 84913 -13- 200307726 又,第二之本發明係一種硬化物,其係使申請專利範圍 第25〜30項中任一項之硬化性組合物硬化而成者(申請專利 範圍第31項)。 又,第二之本發明係一種硬化物之製造方法,其係使申 請專利範圍第25〜30項中任一項之硬化性組合物硬化(申請 專利範圍第32項)。 第三之本發明係關於一種硬化性組合物,其特徵在於含 有: (A) 有機化合物,其係於1分子中至少含2個與siH基具有 反應性之碳-碳雙鍵; (B) 於1分子中至少含有2個siH基之化合物;及 (C) 矽氫化觸媒; 其中(B)成分係含有使以下述通式(III)
(式中R3表示氫原子或不具有可矽氫化反應之官能基的有 機基)所示之化合物與在1分子中至少具有2個SiH基之化合 物進行矽氫化反應而得到的化合物及/或使以下述通式(IV)
84913 -14- 200307726 (式中R表示氫原子或不具有可矽氫化反應之官能基的有 機基,各別之R4可為同一亦可為相異)所示之化合物與在! 分子中至少具有3個SiH基的化合物進行矽氫化反應而得到 的化合物(申請專利範圍第33項)。 第三之本發明的較佳態樣如以下般。 申請專利範圍第33項之硬化性組合物,其中R3&R4為氫 原子、或碳數1〜50的一價有機基(申請專利範圍第34項)。 申請專利範圍第33項之硬化性組合物,其中(B)成分為含 有1,3,5,7-四甲基環四矽氧烷與二烯丙基單縮水甘油基三聚 異氰酸酯之反應物及/或1,3,5,7_四甲基環四矽氧烷與單烯 丙基二縮水甘油基三聚異氰酸酯之反應物(申請專利範圍 第35項)。 申請專利範圍第33項之硬化性組合物,其中(b)成分為只 含有1,3,5,7-四甲基環四矽氧烷與二烯丙基單縮水甘油基三 聚異氰酸酯之反應物及/或1,3,5,7-四甲基環四碎氧燒與單 烯丙基二縮水甘油基三聚異氰酸酯之反應物(申請專利範 圍第3 6項)。 申請專利範圍第33〜36項中任一項之硬化性組合物,其中 (A)成分為三烯丙基三聚異氰酸酿(申請專利範圍第η项)。 申請專利範圍第33〜36項中任一項之硬化性組合物,其中 (A)成分為三烯丙基三聚異氰酸酯與二缔丙基單縮水甘淹 基三聚異氰酸酯之混合物(申請專利範圍第38項)。 又,第三之本發明係一種硬化物,其係使申請專利範圍 第33〜38項中任一項之硬化性組合物硬化而成者(申社專洋】 84913 -15- 200307726 範圍第39項)。 又,第三惑本發明係一種硬化物之製造方法,其係使申 請專利範圍第33〜38項中任—項之硬化性組合物硬化(申請 專利範圍第40項)。 第四《本發明係關於一種發光二極體,其具備發光元 件、配置該發光元件之外部電極乃形成於上面之基板與連 接於該基板上而設置之模製構件,其特徵在於: 在使前述基板與前述模製構件之接觸面為1〇〇%時,前述 外部電極與前述模製構件之接觸面為5〇%〜9〇%,同時,前 述模製構件係含有如下之硬化性組合物的硬化物·· (A) 有機化合物,其係於丨分子中至少含2個與基具有 反應性之碳-碳雙鍵; (B) 於1分子中至少含有2個SiH基之化合物,· (C) 矽氫化觸媒; (D) 矽烷偶合劑及/或含環氧基的化合物,·以及 · (E) 矽烷醇縮合觸媒(申請專利範圍第4丨項)。 在申請專利範圍第41項之發光二極體中,基板宜為由含 有半結晶性聚合物樹脂之組合物所形成者(申請專利範圍 第42項)。 又,第·四之本發明係關於一種發光二體,其具備發光元 件、具有由配置該發光元件之底面與侧壁所構成的開口部 足封裝體、與封裝前述開口部之模製構件,其特徵在於·· 前述封裝體係於前述開口部底面以露出外部電極的一端 邵之方式以成形樹脂一體成形而構成的,在使前述開口部 84913 -16- 200307726 出之外部電 係含有如下 底面之面積為100%時,在前述開口部底面所露 極的占有面積為50〜90%,同時,前述模製構件 之硬化性組合物的硬化物: (A)有機化合物, 反應性之碳-碳雙鍵 其係於1分子中至少含2個與基具有 (B) 於1分子中至少含有2個siH基之化合物; (C) 矽氫化觸媒; 0〇)矽烷偶合劑及/或含環氧基的化合物;以及 (E)矽烷醇縮合觸媒(申請專利範圍第43項)。 在申請專利第43項之發光二極體中,封裝體係於開 口部底面,正的外部電極與負的外部電極之各端部以特定 的間隔隔開而露出之方式以成形樹脂_體成形而構成的, 在前述開口部底面所露出之各外部電極宜為具有封裝體之 成形樹脂露出而構成且至少-對之樹脂露出部(中請專利 範圍第44項)。 . 在申請專㈣圍第43或44項之發光二極體,封裝體之成 形樹脂瓦為含有半結晶性聚合物樹脂之組合物(申請專利 範圍第45項)。 第四之本發明的較佳態樣表示於以下。 申請專利範圍第4卜45項中任-项之發光二㈣,其中(D) 成分係於分子中具有至少―個選自環氧基、甲基丙缔酸 基、丙婦酸基、異氰酸酯基、三聚異氰酸酯基、乙烯基及 氨基甲酸酯基之群中的官能基與加水分解性矽基之矽烷偶 合劑(申請專利範圍第46項)。 84913 -17- 200307726 申請專利範圍第41〜46項中任一項之發光二極體,其中(e) 成分為有機鋁化合物及/或硼酸酯(申請專利範圍第47項)。 申睛專利範圍第41〜4 6項中任一項之發光二極體,其中(e) 成分為選自鋁乙基乙醯乙酸酯二異丙酸酯、鋁乙基乙醯乙 酸酿二異丁酸酯、鋁三(乙基乙醯乙酸酯)、鋁雙乙基乙醯乙 酸酿單乙醯丙酮配位基及鋁三(乙醯丙酮配位基)之群中至 少一種(申請專利範圍第48項)。 申請專利範圍第41〜46項中任一項之發光二極體,其中(E) 成分為選自硼酸三正十八烷酯、硼酸三正辛烷酯、硼酸三 正丁酿、硼酸三異丙酯、爛酸三正丙酯、硼酸三乙酯及侧 酸二甲酯所構成之群中至少一種(申請專利範圍第49項)。 申請專利範圍第41〜49項中任一項之發光二極體,其中(A) 成分為三婦丙基三聚異氰酸酯,(B)成分為丨,3,5,7_四甲基環 四碎氧燒與三埽丙基三聚異氰酸酯之反應物(申請專利範 圍第50項)。 申印專利範圍第41〜49項中任一項之發光二極體,其中硬 化性組合物含有以下述通式(II) R2 〇vN^〇 , Τ Γ ⑻ Ο (式中R2表示氫原子、或不具有可矽氳化反應的官能基之有 機基)所不之化合物作為(Α)成分(申請專利範圍第51項)。 申請專利範圍第51項之發光二極體,其中硬化性組合物 84913 -18 - 200307726 進一步含有二烯丙基三聚異氰酸酯作為(A)成分(申請專利 範圍第52項)。 申清專利範圍第51或52項之發光二極體,其中以通式⑼ 所示《化合物占有(A)成分之20重量%以上(申請專利範圍 第53項)。 申請專利範圍第51〜53項中任一項之發光二極體,其中以 通式(II)所不之化合物為二烯丙基單縮水甘油基三聚異氰 政酉旨(申請專利範固第54項)。 · 申請專利範圍第54項之發光二極體,其中(Β)成分為參 1,3,5,7_四甲基環四矽氧烷與三婦丙基三聚異氰酸酯之反應 物(申請專利範圍第55項)。 申請專利範圍第41〜54項中任一項之發光二極體,其中(Β) 成分係含有使以下述通式(III) R3 〇γΝ^〇 (ΠΙ) Ο · (式中R3表示氫原子或不具有可矽氫化反應之官能基的有 · 機基)所示之化合物與在1分子中至少具有2個SiH基之化合 · 物進行矽·氫化反應而得到的化合物及/或使以下述通式(IV)
I ΟγΝ^Ο八 NJN、r4 (汉) 84913 -19- 200307726 (式中R表示氬原子或不具有可矽氫化反應之官能基的有 機基’各別之R4可為相同亦可為相異)所示之化合物與在J 分子中至少具有3個SiH基的化合物進行矽氫化反應而得到 的化合物(申請專利範圍第56項)。 申請專利範圍第56項之發光二極體,其中(B)成分為含有 1,3,5,7-四甲基環四矽氧烷與二烯丙基單縮水甘油基三聚異 氰酸酯之反應物及/或^之^四甲基環四矽氧烷與單稀丙 基一縮水甘油基三聚異氰酸酯之反應物(申請專利範圍第 57項)。 申請專利範圍第56項之發光二極體,其中硬化性組合物 乃只含有1,3,5,7-四甲基環四矽氧烷與二烯丙基單縮水甘油 基一永異氰酸酯之反應物及/或13,5,7 _四甲基環四碎氧燒 與單缔丙基二縮水甘油基三聚異氰酸酯之反應物作為 成分(申請專利範圍第58項)。 申請專利範圍第56〜58項中任一項之發光二極體,其中(A) 成分為三烯丙基三聚異氰酸酯(申請專利範圍第59項)。 申請專利範圍第56〜58項中任一項之發光二極體,其中(A) 成分為三烯丙基三聚異氰酸酯與二烯丙基單縮水甘油基 二聚異氰酸酯之反應物(申請專利範圍第6〇項)。 又,第·四I本發明係關於一種發光二體,其具備發光元 件、具有由酉己置孩發光元件之底面與側壁所構成的開口部 之封裝體、與封裝前述開口部之模製構件,其特徵在於·· 前述封裝體係於前述開口部底面以露出外部電極的一端 部之方式以成形樹脂一體成形而構成的,在使前述開口部 84913 -20- 200307726 底面之面積為100%時,在前述開口部底面所露出之外部電 極的占有面積為50〜90%,同時,前述模製構件係含有申請 專利範圍第31或39項之硬化物(申請專利範圍第61項)。 在申請專利範圍第61項之發光二極體中,封裝體係於開 口部底面,正的外部電極與負的外部電極之各端部以特^ 的間隔隔開而露出之方式以成形樹脂一體成形而構成的, 在前述開口部底面所露出之各外部電極宜為具有封裝體之 成形樹脂露出而構成且至少一對之樹脂露出部。 & 在中請專利第61或62項之發光—㈣H體之成 形樹脂罝為含有半結晶性聚合物樹脂之組合物(申請專利 範圍第63項)。 【發明内容】 以下,詳細說明本發明。 <第一之本發明> 首先,說明有關第一之本發明(A)的成分。 · ⑷成分係只要為!分子中至少含有2個與灿基具有反應 碳雙鍵的有機化合物即可,並無特別限定。上述有 .物且為氷碎氧垸-有機封端共聚物或聚發氧燒-有機 接枝共聚物等之含有罗氧燒單元(Si-0-Si)的化合物以外 成70素以含有c、H、N、〇、认齒素以外之元素的 ^更佳。切氧燒單元之化合物時,有氣體透過性或 撥彈性的問題。 u反應⑲《碳·碳雙鍵的結合位置並無特別限 足,而亦可存在於分子内等。 84913 •21 · 200307726 (A)成分係可單獨使用亦可組合2種以上者使用之。 (A)成分之化合物係可分類成有機聚合體系之化合物與 有機單體系之化合物。 有機聚合體系化合物並無特別限定,但可舉例如:聚醚 系、聚酯系、聚芳酸酯系、聚碳酸酯系、飽和烴系、不飽 和烴系、聚丙烯酸酯系、聚醯胺系、酚-甲醛系(酚樹脂系)、 聚醯亞胺系之化物等。 有機單體系化合物並無特別限定,但可舉例如酚系、雙 酚系、苯、萘等之芳香族烴系、鏈狀、環狀等之脂肪族烴 系;雜環系之化合物;此等之混合物等。 與(A)成分之SiH基具有反應性的碳_碳雙鍵並無特別限 定,但,就反應性而言,宜為以下述通式(V) R5 (V) CH2=C- (式中R5為氫原子或甲基)所示之基。以上述通式為(V)所示 之基中’就原料取得性而言,尤宜以所示之基。 Η CH2=C- 進而,與(A)成分之SiH基具有反應性之碳-碳雙键,係就 硬化物之耐熱性高之點而言,宜為於環内具有以下述通式 (VI)所示之部分構造的脂環式之基。 (VI) 84913 -22- 200307726 (式中,R6為氫原子或甲基;2個R6可為相同,亦 J 相爭、 其中,就原料之取得容易性而言,宜為於環内具有以° 所示之部分構造的脂環式之基。 <
與SiH基具有反應性之碳-碳雙鍵係亦可直接結合於(A) 成分之骨架,亦可介由2價以上之取代基進行共結合。上述 2價以上之取代基並無特別限定,但,宜為碳數0〜10之取代 基,更宜為不含〇、只、:^、〇、3及鹵素以外之元素作為構 成元素的取代基。上述2價以上的取代基之例可舉出: 〇 〇 !1 Π .〇— · —C— r —Ο—C 一 · Ο 〇 〇 一O-C-O一,一C—N一,一O-C—N一 . Η Η s 〇==s-==o
HaiH
HSiJ
o 3 - 3 FI F c丨C-1c 84913 -23 - 200307726
(η為1〜10之數目。)
(η為〇〜4之數目 又,亦可所例示之2價以上的取代基之2個以上藉共價键連 接’而構成1個之2價以上的取代基。 共價鍵結於(Α)成分之骨架部分之基的例可舉出:乙婦 基、烯丙基、甲代烯丙基、丙烯基、甲基丙烯基、2_羥基(烯 丙基氧)丙基、2-烯丙基苯基、3-烯丙基苯基、4-烯*丙基苯 基、2_(缔丙基氧)苯基、3-(烯丙基氧)苯基、、4-(缔丙基氧) 苯基、2-(烯丙基氧)乙基、2,2-雙(烯丙基氧甲基)丁基、3-缔丙基氧,2,2-雙(燁丙基氧甲基)丙基、 —^CH-CH2—〇)""CH2—CH=CH2 (η表示可滿足2之數。) 84913 -24- 200307726
(R係選自一 Q— 9 2 Ηc 之2價的基。;)
3 | 3 Η - Η CICIC
3 | 3 F _ F CICIC onsno
H c- 8 0» I ο H Π (η為0〜4之數目。) (Α)成分之具體例可舉出:二烯丙基苯二甲酸酯、三缔丙 基偏苯三酸酯、二乙二醇雙缔丙基碳酸酯、三羥甲基丙烷 二烯丙基醚,季戊四醇三烯丙基醚、u,2,入四烯丙基氧乙 燒、二亞丙烯基季戊四醇、三烯丙基三聚氰酸酯、三烯丙 基三聚異氰酸酯、2,2-雙(4-羥基環己基)丙烷之二烯丙基 醚、1,2,4-三乙烯基環己烷、二乙烯基苯類(純度50〜100% 者、宜為純度80〜100%者)、二乙烯基二苯基、l,3-二異丙烯 基苯、1,4:二異丙烯基苯、此等之寡聚物、丨,2-聚丁二烯(1,2 比率10〜100%者、宜為1,2比率50〜100°/。者)、酚醛清漆酚之 烯丙基酸、烯丙基化聚苯撐基氧化物、 84913 -25 · 200307726
之2價的基。) ch3 c— ch3 ·
3 3 F _ F CICIC
o=s-HO
(π=1) 84913 -26- 200307726
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\=/ 、《»/ , x—/
^o-mo+^o^. ^〇OK>K>〇v,
84913 -27- 200307726 、環氧樹脂之縮水甘油基的一部分或全部取代成烯丙基者 等。 (A)成分係欲區分成骨架部分與碳-碳雙键部分,亦可使用 低分子量化合物。上述低分子量化合物之具體例,可舉例 丁二烯、異戊二烯、辛二烯、癸二烯等之脂肪族鏈多烯化 合物系、環戊二烯、環己二烯、環辛二烯、二環戊二烯、 三環戊二烯、二環(2,2,2)庚二烯等之脂肪族環狀多烯化合 物系、乙稀基環戊烯、乙烯基環己烯等之取代脂肪族環狀 稀烴化合物系等。 (A)成分就可更提高耐熱性之觀點而言,宜為每(A)成分j g中,含有與SiH基具有反應性之碳-碳雙键o.ooi mol以上, 更宜為含有0.005 mol以上,最宜為含有0.008 mol以上。 與(A)成分之SiH基具有反應性之碳-碳雙键的數目,只要 每1分子中至少有2個即可,但當欲更提昇力學強度時,宜 超過2個,更宜為3個以上。但,(A)成分為各種化合物之混 合物’各化合物之上述碳-碳雙鍵的數目不能同時確定時, 對於上述混合物全體求取每1分子之上述碳_碳雙鍵的平均 個數,·以此作為(A)成分之上述碳-碳雙键的個數。與(a)成 分之SiH基具有反應性之碳-碳雙鍵的數目每丨分子1個以下 時,即使與(B)成分反應,只成為接枝構造而不成為交聯構 造。 (A)成分就反應性良好的觀點而言,宜1分子中含有乙少希 基1個以上,更宜於1分子中含有乙烯基2個以上,又,就貯 藏安定性易成為良好的觀點而言’宜在1分子中含有乙稀·基 84913 -28- 200307726 6個以下’更宜為1分子中含有乙婦基4個以下。 (A)成分就力學耐熱性很南而τ ’以及,原料液之拉絲性 很少,成形性及處理性良好之觀點,宜為分子量9〇〇以下 者,更宜為700以下者,最宜為500以下者。 (A)成分係為得到與其他成分之均一混合及良好作業 性,宜為黏度在23。〇:中100?34以下者,更宜為3〇?&%以下 者,最宜為3 Pa.s以下者。黏度可以E型黏度計來測定。 (A)成分係就著色(尤其黃變)之抑制觀點,宜為酚性氫氧 基及紛性氫氧基之衍生物的化合物含量很少者,更宜為不 含具有紛性氫氧基及驗性氫氧基之衍生物的化合物。在本 發明中之酚性氫氧基係表示直接結合於苯環、莕環、蒽環 等之芳香族烴核上,所謂酚性氫氧基之衍生物係表示上述 紛性氫氧基之氫原子被甲基、乙基等之烷基、乙烯基、烯 丙基等之鏈烯基、乙醯基等之醯基取代之基。 如複折射率低、光彈性係數低等,從光學特性良好以及 耐候性良好之觀點,(A)成分係芳香環之(A)成分中的成分重 量比宜為50重量%以下,更宜為4〇重量❶/。以下者,最宜為30 重量%以下者。最佳者係不含芳香族烴環。 從所得到之硬化物著色很少、光學透明性高、耐候性高 之觀點而言,(A)成分尤宜為乙烯基環己烯、二環戊二烯_、 三烯丙基三聚異氰酸酯、2,2·雙(4-羥基環己基)丙烷之二晞 丙基醚、1,2,4-三乙烯基環己烷,尤宜為三烯丙基三聚異氰 酸酯、2,2-雙(4-羥基環己基)丙烷之二烯丙基醚、1,2,4-三乙 烯基環己烷。 84913 -29- 200307726 (A)成分亦可具有與SlH基具有反應性之碳·碳雙键以外 之活應性基。上述反應性基並無特別限定,但可舉例··環 氧基、胺基、自由基聚合性不飽和基、羧基、異氰酸酯基、 無基、k氧基甲碎規基等。具有上述反應性基時,所得到 之硬化性組合物的接著性易變高,所得到之硬化物的強度 易變高。就接著性可變得更高而言,上述反應性基之中宜 為環氧基。在所得到之硬化物的耐熱性易變高之點中,宜 使上述反應性基平均而於1分子中具有1個以上。 (A)成分係就耐熱性及透明性很高之觀點,宜為以下述通 痛| 式(I)所示之化合物。 R* ⑴ ΟγΝγ,Ο R1/NYN、R1 ο (式中R1表示碳數1〜50之1價的有機基,各別之R1可為相異 亦可為相同。) 上述通式(I)之R1就所得到之硬化物的耐熱性可變得更高 之觀點,宜為碳數1〜20之一價的有機基,更宜為碳數1〜1〇 之一價的有機基,更宜為碳數1〜4之一價的有機基。較佳之 R1的例子可舉出··甲基、乙基、丙基、丁基、苯基、苯甲 基、苯乙基、乙晞基、烯丙基、縮水甘油基、 84913 •30- 200307726 -CH2j^CH3 (式中n為4〜19之數目), -CH2 j-j^CH=CH2 (式中η為2〜18之數目),
0 II C一f CH2^*CH二CH2 (式中η為0〜17之數目), 0 (式中n為0〜19之數目) II / Ν 七十CH七CH3 〇 ch3 II 1 一〜 -C—CH - CH2 ch3
I -ch2ch=ch2 β 〇
II ~C—Ο—CH?—CH 二 CH2
-CH2-0H-CH2.0—CH2-CH^CHa , OH
-CH2GH
〇II -C——NH - CH2-CH=CH2 O—CH2—CH^CH。 •ch2ch—ch2.o——ch2—ch=ch2 84913 -31 - 200307726 等。 就所得到之硬化物與各種材料之接著性可變良好之觀 點,上述通式⑴之3個R1之中,至少一個宜為碳數丨〜刊之〆 價的有機基,此有機基含有環氧基1個以上。更宜為破蓼 1〜50之一價的有機基,其含有以
CH-CH2 式所不之環氧基1個以上。含有1個以上環氧基之碳數卜5〇 的一價之有機基宜為縮水甘油基、
(式中η為2〜18之數目)
上述通式(I)之R1係就所得到之硬化物的化學上熱安定性 變得良好之觀點,宜為含有2個以下之氧原子且不含C、Η、 Ν及0以外之元素作為構成元素之碳數1〜5〇的一價有機 基,更宜為含有2個以下之氧原子且不含C、Η及Ο以外之元 素作為構成元素的碳數1〜50之一價有機基,最宜為碳數 1〜50之一價烴基。此等較隹之R1的例子可舉出:甲基、乙 基、丙基、丁基、苯基、苯甲基、苯乙基、乙稀基、缔丙 基、縮水甘油基、 84913 -32· 200307726 CH24-CH3 (式中n為4〜19之數目) —(式中η為2〜18之數目) 0 —C-(-CH2^CH^CH2 (式中η為0〜17之數目) 0II / X •c 十 CH 七 CH3 ch3 I -CH2 CH=CH2 Λ οII •c——o——ch2-ch=ch2 (式中η為0〜19之數目) ο ch3 丨丨I 一μ _C—0H-CH2 · οII •ο
OHI ch2 - CH - ch2o—ch2 - ch=ch2 OH
•CH2CH
oII -G—NH-CH2—CH - CH2 o—ch2-ch=ch2 ch2ch—ch2〇一ch2—ch=ch2 等 84913 -33 - 200307726 就反應性變良好之觀點,宜為以下述通式(I)之3個R1之 中,至少一個為含有以 CH2
II • - 所示之基一個以上且為碳數丨〜”之!價的有機基,更宜為3 個R1之中,至少一個為含有以下述通式(νπ) R7 I (VII) cH2=C—— (式中R7表不氫原子或甲基)所示之基一個以上且為碳數 1〜50之1價的有機基,最宜為3個111之中,至少二個為含有 以下述通式(VIII) R9 (VI) CH2=c-r8— (式中R8表示直接結合或碳數丨〜48之2價的有機基,R9表示 氫原子或甲基’複數之R8表示R9可為相異或亦可為相同)所 示之有機基。 以上述通式(VIII)之R8表示直接結合或碳數丨〜48之二價 的有機基,但就所得到之硬化物的耐熱性可變得更高之觀 點,宜為直接結合或碳數1〜20之二價的有機基,更宜為碳 數1〜10之一價的有機基,更宜為直接結合或碳數1〜4之二價 的有機基。其中’較佳之R8的例子可舉出: 84913 -34- 200307726 ch2- η (武中η為1〜17之數目)
0II C—^CH2^ (式中η為0〜16之數目) 〇_C—〇tCH2 九 0_c—nh{ch 士 (式中η為0〜16之數目) (式中η為0〜16之數目)
Μ Η2 cf/j OMHC
OH
I —ch2—ch-ch2—〇一CH2-· 〇—CH2— ——CH2—CH - CH2—0—CH2 - 上述通式(VIII)之R8係就所得到之硬化物的化學上熱安 定性變得良好之觀點,宜為直接結合或含有二個以下之氧 原子且不含C、Η及〇以外之元素作為構成元素之碳數1〜48 的二價有機基,更宜為直接結合或碳數1〜48之二價烴基。 其中,較佳之R8的例子可舉出: 84913 -35 - 200307726
•CH 2 η (式中η為1〜17之數目) 〇 -C—0+CH 七 (式中η為0〜16之數目) (式中η為0〜16之數目)
OH
I ——CH2—CH-CH2——0—CH2-, O—CH2一CH^CH:
I —CH2—CH - CH2——〇一CH2 - o 上述通式(VIII)之R9係表示氫原子或甲基,但就反應性變 良好之觀點,宜為氫原子。 但,在以上述通式(I)所示之有機化合物中,亦必須為於1 分子中至少含有2個與SiH基具有反應性之碳-碳雙鍵。就可 更提高耐熱性之觀點,更宜為於1分子中至少含有3個以上 與SiH基具有反應性之碳-碳雙键的有機化合物。 在以上述通式(I)所示之有機化合物的較佳具體例,可舉 例:三烯丙基三聚異氰酸酯、 84913 -36- 200307726
等 為提高接著性,(A)成分宜為三烯丙基三聚異 氰線離 84913 -37- 200307726 (A)成分係就提高力學特性之觀點,宜為以下述通式(II) 所示之化合物。 R2 (Π) ΟγΝ^Ο Ο (式中R2表示氫原子或不具有可矽氫化反應之官能基的有 機基。) 所謂可矽氫化反應之官能基係與SiH基具有反應性之碳-碳不飽和键或SiH基。 r2係只要為氫原子或不具有上述官能基的有機基即可, 並無特別限定,但宜為氫原子或碳數丨〜%之一價的有機 基’更宜為氫原子或碳數1〜20之一價的有機基,更宜為氫 原子或碳數1〜10之一價的有機基。具體上可舉出:煙基、 具有環氧基構造之有機基等。 以上述通式(II)所示之化合物無特別限定,但可舉例如下 述之化合物等。
84913 -38- 200307726
〇 〇 以上述通式(II)所示之化合物尤宜為二烯丙基單縮水甘 油基三聚異氰酸酯、二烯丙基單甲基三聚異氰酸酯、二烯 丙基單乙基三聚異氰酸酯、二烯丙基單丙基三聚異氰酸 酯、二烯丙基單苯基三聚異氰酸酯、二烯丙基單苯甲基三 聚異氰酸酯。其中,就力學特性與接著性可併存之點,尤 宜為二烯丙基單縮水甘油基三聚異氰酸酯。 就力學特性與接著性之平衡觀點,以通式(II)所示之化合 物宜與其他種類之(Α)成分混合而使用,其時,尤宜以通式 (II)所示之化合物占有(Α)成分之20重量%以上。 為使接著性提昇與耐光性併存,(Α)成分宜為三婦丙基三 聚異氰酸酯與二烯丙基單縮水甘油基三聚異氰酸酯之混合 物。混合比可任意地設定,但為達成上述目的,宜為三烯 丙基三聚異氰酸酯/二烯丙基單縮水甘油基三聚異氰酸酯 (莫耳比)=9/1〜1/9,更宜為8/2〜2/8,最宜為7/3〜3/7。 其次,說明有關第一之本發明(Β)成分。 (Β)成分係只要為1分子中至少含有2個之SiH基的化合物 84913 -39· 200307726 即可’並兴特別限定。例如記載於國際公開WO 96/15194 之化合物’可使用1分子中至少具有2個之SiH基者等。 就取得性而1,宜為丨分子中至少具有2個之SiH基的鏈狀 及/或環狀有機聚矽氧烷。具體上,可舉例: ch3 /c2h5\ ch3 CH3-?i—。十甲—甲一叫 H3 \ H CH3 (η = 2〜1000), / c6H5\ ch3 CH3-甲-0十〒—〇如甲一 ch3 CH3 \ H In CH3 (n = 2~1000) f c丨si丨c .3 H c
(m = 2〜Ί〇〇〇、n=Q〜1〇〇〇) ch3 CH3—Si—Ο ch3
9Η3 / 9Η3 \ / CH3 \ 9Ha CH3 -〒丨-0长今卜〇+|^·丨一。冬^一叫 CH3 \ H ^XCeHs/nCHa (m — 2〜1〇〇Q、n=〇〜η 〇〇〇) ,
(m===2〜1〇Q〇、n=〇〜1000) CH3 / ch3 \ /ch3\ ch3
H17fr°Wsi-〇VrH
Ha \H /m WnCHa (m — 1〜10〇〇、n:=:〇〜i 〇〇〇) , 84913 -40- 200307726
(m= 1 〜1 000、n=0〜10〇〇)
(m= 1 〜1 000、n = 0〜1 〇00〉 30·H5 η 16h plsllc、
clsi丨 cH-
clsil ols'—H II Π o o o
NJ/ o o
(n = 2 〜10)
CsHs1 •Si-O-H (n = 2 〜1 0) 84913 •41 - 200307726 其中,就與(A)成分之相溶性佳之觀點,更宜以下述通式(IX)
(式中R1G表示碳數1〜6之有機基,η表示3〜10之數目。)所示 且1分子中至少具有2個之SiH基的環狀有機聚矽氧烷。 以通式(IX)所示之化合物之取代基R1Q,宜為不含C、Η及 〇以外之元素作為構成元素之取代基,更宜為烴基,最宜為 甲基。 以通式(IX)所示之化合物,就得到容易性之觀點,宜為 1,3,5,7-四甲基環四矽氧烷。 (Β)成分之分子量並無特別限定,適宜使用任意者,但就 更易顯現流動性而言,宜使用低分子量者。此時,較佳分 子量之下限為50,較佳分子量之上限為1〇〇,〇〇〇,更宜為 1000,最宜為700。 (Β)成分可單獨使用,亦可組合2種以上者而使用之。 就與(Α)成分具有良好相溶性之觀點,及成分之揮發性 變低,來自所得到之組合物之釋氣問題不易發生之觀點, (Β)成分係宜為使1分子中至少含有1個與siH基具有反應性 之碳-碳雙鍵的有機化合物(α)與1分子中至少具有2個之
SiH基的鏈狀及/或環狀聚有機矽氧烷(沒)矽氫化反應而得 到之化合物。 ((α )成分) 84913 •42- 200307726 (α )成分係亦可使用上述之(A)成分即1分子中至少含有2 個與SiH基具有反應性之碳-碳雙鍵的有機化合物(α 1)。若 使用(α 1)成分,所得到之硬化物的價橋密度會變高,易變 成力學強度很高之硬化物。 又,(α )成分係亦可使用1分子中至少含有1個與siH基具 有反應性之碳-碳雙鍵的化合物2)。若使用(α 2)成分,所 得到之硬化物易變成低彈性。 (α 2)成分係只要為1分子中含有1個與siH基具有反應性 之碳-碳雙鍵的化合物即可,並無特別限定。就(B)成分與(A) 成分相溶性變佳之觀點,係宜為有機化合物,更宜為聚矽 氧烷_有機封端共聚物或聚矽氧烷_有機接枝共聚物等之含 有矽氧烷單元(Si_0_Si)的化合物以外者,最宜為以不含有 c、H、N、0、S及自素以外之元素作為構成元素的化合物。 與(α 2)成分之SiH基具有反應性之碳_碳雙鍵的結合位置 並無特別限定,而亦可存在於分子内等。 (α 2)成分之化合物係可分類成聚合體系之化合物與單體 系之化舍物。 聚合體系化合物並無特別限定,但可舉例如:聚碎氧燒 系、聚㈣、聚SI系、聚芳酸H聚碳酸㈣、飽和煙 系、不飽和烴系、聚丙烯酸酯系、聚醯胺系、酚·甲醛系(酚 樹脂系)、聚醯亞胺系之化物等。 單體系化合物並無特別限定,但可舉例如驗系、雙驗系、 苯、茶等之芳香族烴系;鏈狀、環狀等之料族煙系;雜 環系之化合物π嗣系之化合物;此等之混合物等。 84913 -43- 200307726 與(α 2)成分之SiH基具有反應性的碳-碳雙键並無特別限 定,但,就反應性而言,宜為以下述通式(V)
R CH2=C 5 (V) (式中R5為氫原子或甲基)所示之基。以上述通式為(V)所示 之基中,就原料取得性而言,尤宜以所示之基。 Η CH2=C- 進而,與(α2)成分之SiH基具有反應性之碳-碳雙鍵,係 就硬化物之耐熱性高之點而言,宜為於環内具有以下述通 式(VI)所示之部分構造的脂環式之基。
(式中,R為氫原子或甲基;2個“可為相同,亦可為相 其中、,就原料之取得容易性而言,宜為於環内具有以飞 所示之部分構造的脂環式之基。 .Η Ή 、σ
II X. 、與SlH基具有反應性之碳-碳雙鍵係亦可直接結合於(c 成分<骨架部分,亦可介由2價以上之取代基進行 84913 -44· 200307726 上述2價以上之取代基並無特別限定,但,宜為碳數〇〜1〇之 取代基,就(Β)成分與(Α)成分相溶性變佳之點,更宜為不含 C、H、N、0、S及鹵素以外之元素作為構成元素的取代基。 上述2價以上的取代基之例可舉出·· 〇 〇 II π —〇一 · 一C一 · 一0—C— · 0 0 〇
H II V —〇—C—O—, 一C—N— . ._o-c—Ν, Η Η s
H3L 3 - 3 Η I Ηc!clc
3 F CICIC F3
(式中η為1〜10之數目。)
(式中η為0〜4之數目°) '45 . 84913 200307726
(式中η為0〜4之數目。) 又’亦可為所例示之2價以上的取代基之2個以上藉共價鍵 連接,而構成1個之2價以上的取代基。 共價键結於(α2)成分之骨架部分之基的例可舉出:乙缔 基、烯丙基、甲代烯丙基、丙婦基、甲基丙烯基、2-羥基_3-(缔 丙基氧)丙基、2-稀丙基苯基、3-烯丙基苯基、4_缔丙基苯 基、2-(烯丙基氧)苯基、3_(烯丙基氧)苯基、4-(烯丙基氧) 苯基、2-(烯丙基氧)乙基、2,2-雙(烯丙基氧甲基)丁基、3-烯丙基氧-2,2-雙(缔丙基氧曱基)丙基、 —(CH-CH2—〇fnCH2 - CH=CH2 (η表示可滿足5^n^2之數 CH: 〇—CH2 一CH=CH2 (R係選自——o一· 一ch2— 3 一 3 Η 一 Η
CICIC
OHSUO 之2價的基。)
(η為0〜4之數目° ) 84913 -46 - 200307726 (α 2)成分之具體例可舉出:丙烯、丨·丁烯、卜戊烯、卜 己烯-1-庚烯、1-辛婦、1·壬缔、丨_葵烯、丨·十一烷烯、卜十 二烷烯、出光化學石油公司製Linearen、4,肛二甲基^卜戊 埽、2-甲基-1-己埽、2,3,3·三甲基+ 丁烯、2,4,4_三甲基小 戊烯等之鏈狀脂肪族烴系化合物類、環己缔、甲基環己烯、 亞曱基裱己烷、二環[2,2,1]庚缔、乙叉環己烷、乙烯基環 己烷、莰烯(Camphene)、Carene、α _ 蒎烯(pinene)、々 _ 蒎烯 等之環狀脂肪族烴系化合物類、苯乙烯、α _甲基苯乙缔、 茚烯(Indene)、烯丙基苯、4-苯基-1-丁缔等之芳香族烴系化 合物類、烷基烯丙基醚、婦丙基苯基醚等之烯丙基醚類、 甘油單烯丙基醚、乙二醇烯丙基醚、仁乙烯基义%二氧戊 環-2-酮等之脂肪族系化合物類、1,2_二甲氧基烯丙基 苯、鄰_烯丙基苯等之芳香族系化合物類、單烯丙基二苯甲 基二聚異氰酸酯、單烯丙基二縮水甘油基三聚異氰酸酯等 之取代二聚異氰酸酯類、乙烯基三甲基碎氧燒、乙烯基三 甲氧基碎氧規、乙烯基二苯基碎氧燒等之碎酮化合物等。 進一步,(α 2)成分亦可舉例:單末端烯丙基化聚環氧乙 烷、單末端婦丙基化聚環氧丙烷等之聚醚系樹脂;單末端 烯丙基化聚異丁烯等之烴系樹脂;單末端缔丙基化聚丙烯 酸丁酯、單末端烯丙基化聚甲基丙烯酸甲酯等之丙烯系樹 脂’於卓末^具有乙錦Γ基之聚合物或寡聚物類等。 構造係可為線狀亦可為分枝狀,分子量無特別限定,可 使用各種。分子量分布亦無特別限定,但,就混合物之黏 度變低且成形性易變良好之點,分子量分布宜為3以下,更 84913 •47· 200307726 宜為2以下,最宜為ι·5以下。 ⑷)成分之玻璃轉移溫度存在時,對於此等亦無特別限 定,可使用各種,但就所得到之硬合物易變_之點,破 璃轉移溫度宜為10(TC以下,更宜為5(rc以下最宜為〇它 以下。較佳之寡聚物或寡聚物之例可舉出:聚丙缔酸丁酿 等。反之’但就所得到之硬合物的耐熱性變高之點,玻璃 轉移溫度為loot以上,宜為12〇t以上,更宜為15〇1以 上,最宜為170°c以上。 玻璃轉移溫度在動態黏彈性測定中,可求出tans顯示極大 之溫度。 (α 2)成分係就所得到之硬合物的耐熱性變高之點,宜為 烴化合物。此時,碳數之下限為7 ,較佳之碳數上限為1〇。 (α 2)成分係亦可具有與SiH基具有反應性之碳·碳雙鍵以 外之活應性基。上述反應性基並無特別限定,但可舉例: 環氧基、胺基、自由基聚合性不飽和基、羧基、異氰酸酯 基、羥基、烷氧基曱矽烷基等。具有上述反應性基時,所 得到之硬化性組合物的接著性易變高,所得到之硬化物的 強度易變高。就接著性可變得更高而言,上述反應性基之 中宜為環氧基。在所得到之硬化物的耐熱性易變高之點 中,宜使上述反應性基平均而於1分子中具有1個以上。具 體上係可舉例:單烯丙基二縮水甘油基三聚異氰酸酯、烯 丙基縮水甘油基醚、丙烯氧基乙基甲基丙烯酸酯、丙烯氧 基乙基丙烯酸酯、乙烯基三甲氧基矽氧烷等。 (α)成分可單獨使用,亦可組合2種以上而使用之。 84913 -48 - 200307726 (m成分) (召)成分係於1分子中至少具有2個之SiH基的鏈狀及/或 環狀之聚有機矽氧烷。具體上,可舉例: ?h3 /C2H5、 广3 CH3—Si—OH hSi-0- 7~Si-CH3 ch3 \H / 《CH3 (n = 2〜1000) (c6h5_ \ ?H3 CH3-Si-〇^ -Si-0- 4—Si-CH3 ch3 V H /n CH3 (n = 2〜10〇0) 3 Hc c丨si丨c Π3 c
(m = 2〜Ί 000、n=0〜10〇0) C 丨silc H3 c
(m = 2〜1000、n = 0〜1000) 3 0 3 HI H clsilc
H3 (m = 2〜1000、n = 0〜1000)
(m= 1 〜1 000、n = 0〜1 000) 84913 -49- 200307726
(m= 1 〜1000、n = 0〜100〇)
(m=1 〜1000、n=0〜10Q0) i CIS*丨 c
clsil 〇lsiIH IIπ V)/οο
\j#οο
2IIη ο
2 =π ο 84913 -50- 200307726 就與(α )成分之相溶性易變佳之觀點,宜以下述通式(IX)
(IX) (式中r1G表示碳數1〜6之有機基,η表示3〜10之數目。)所示 且1分子中至少具有3個之SiH基的環狀聚有機矽氧烷。 以通式(IX)所示之化合物之取代基R1G,宜為不含C、Η及 Ο以外之元素作為構成元素之取代基,更宜為烴基,最宜為 甲基。 以通式(IX)所示之化合物,就得到容易性等而言,宜為 1,3,5,7-四甲基環四矽氧烷。 (召)成分可單獨使用,亦可組合2種以上者而使用之。 (Β)成分係就提高力學特性之觀點,宜為使以下述通式 (ΠΙ) R3 7, Γ (Η) Ο (式中R3表示氫原子或不具有可化反應之官能基的有機基。) 於1分子中至少具有2個之SiH基的化合物進行碎氮化反應 而得到之化合物及/或下述通式(IV) R4
I
0 4 (取) 84913 -51 - 200307726 (式中R4表示氫原子或不具有可碎氫化反應之官能基的有 機基,各別之R4係可為相同或相異。)於1分子中至少具有3 個之SiH基的化合物進行矽氫化反應而得到之化合物。 所謂可矽氫化反應之官能基係指與SiH基具有反應性之 碳-碳不飽和鍵或SiH基。 R3及R4只要為氫原子或不具有上述官能基的有機基即 可,並無特別限定,但宜為氫原子或碳數1〜50之一價的有 機基,更宜為氫原子或碳數1〜20之一價的有機基,更宜為 氫原子或碳數1〜10之一價的有機基。具體上可舉出:烴基、 具有環氧基構造之有機基等。 以上述通式(III)所示之化合物無特別限定,但可舉例如 下述之化合物等。
〇 ΟγΝ^Ο
ΟγΝ^Ο 〇
CH, 0ς^Ν?0
ο
Ν ^ Ν Ο Ο
84913 -52- 200307726 其中,從力學特性與接著性可併存之點,尤宜為二烯丙 基單縮水甘油基三聚異氰酸酯。 以上述通式(IV)所示之化合物無特別限定,但可舉例如 下述之化合物等。 CH3 ,Κ) ~Y、CH3
1ΝΌ
Ο ΟγΝ^Ο ΟγΝ^Ο
丫 Μ、 〇 〇 ΟγΝ^Ο 丫 Ν、 〇γΝγ>〇 Ο
ΟγΝ^Ο Μ 丫 Μ 〇 其中,從力學特性與接著性可併存之點,尤宜為單烯丙 基二縮水甘油基三聚異氰酸酯。 使以上述通式(III)所示之化合物與矽氫化反應、且於1分 子中至少具有2個之SiH基的化合物係可舉例上述者。 使以上述通式(IV)所示之化合物與梦氫化反應、且於1分 84913 -53 · 200307726 子中至少具有3個之SiH基的化合物係宜為鏈狀及/或環狀 聚有機矽氧烷,具體上可舉例下述所示構造之化合物。 \ ?H3 -j—Si-CH3 L CH3 (n=3 〜1000) / c2h5
CH3-Si - O+Si-O ch3 \h ooo CH3 CH3-SHO ch3
(m = 3 〜1000、n=0〜1000) clsilc H3 c
(m=3 〜1000、n=0 〜1000)
(m = Ί 〜1 〇00、n = 0〜1 000) 84913 -54· 200307726
(01== 1 ~ 1000s n = 0〜1 000)
(m=1 OOO^ n=0~1000)
Hso 6HI-i cIs*loIs·IH
/?H3 ff-Si-0 - (n = 3~10)
/C6H5 rfsi-0 h ‘· _ (n = 3〜Ί〇) 84913 -55- 200307726 就與以上述通式(ιν)所示之化合物的相溶性易變佳之觀 點’宜以上述通式(IX)所示、且1分子中至少具有3個之 基的環狀聚有機矽氧烷。 (α)成分與(石)成分之反應物即(B)成分之例,可舉出:雙 驗A二烯丙基醚與丨,^^四甲基環四矽氧烷之反應物、乙 缔基環己烯與1,3,5,7-四甲基環四矽氧烷之反應物、二乙缔 基苯與1,3,5,7-四曱基環四矽氧烷之反應物、二環戊二烯與 1,3,5,7_四甲基環四碎氧燒之反應物、烯丙基縮水甘油基趟 與1,3,5,7_四甲基環四碎氧燒之反應物、甲基苯乙缔與 1,3,5,7-四甲基環四矽氧烷之反應物、三烯丙基三聚異氰酸 醋與1,3,5,7_四甲基環四矽氧烷之反應物、二烯丙基單縮水 甘油基三聚異氰酸酯與丨,^^四甲基環四矽氧烷之反應 物、二烯丙基單曱基三聚異氰酸酯與1,3,5,7-四甲基環四矽 氧垸之反應物、二婦丙基單乙基三聚異氰酸酯與四 曱基環四矽氧烷之反應物、二烯丙基單丙基三聚異氰酸酯 與1,3,5,7-四甲基環四矽氧烷之反應物、二烯丙基單苯基三 聚異氰酸酿與1,3,5,7_四甲基環四矽氧烷之反應物、二烯丙 基單苯甲基三聚異氰酸酯與13,5,7-四甲基環四矽氧烷之反 應物、單烯丙基二縮水甘油基三聚異氰酸酯與-四甲 基環四硬氧燒之反應物、單烯丙基二甲基三聚異氰酸酯與 1,3,5,7-四甲基環四矽氧烷之反應物、單烯丙基二乙基三聚 異氰酸酯與1,3,5,7-四甲基環四矽氧烷之反應物、單烯丙基 一丙基二聚異氰酸酯與1,3,5,7_四甲基環四梦氧燒之反應 物、單烯丙基二苯甲基三聚異氰酸酯與13,5,7-四甲基環四 84913 -56- 200307726 矽氧烷之反應物。就耐熱性、耐光性之點,宜為三烯丙基 三聚異氰酸酯與1,3,5,7-四甲基環四矽氧烷之反應物。就高 韌性、高透明性之點,宜為二烯丙基單縮水甘油基三聚異 氰酸酯與1,3,5,7-四甲基環四矽氧烷之反應物、單缔丙基二 縮水甘油基三聚異氰酸酯與U,5,厂四甲基環四矽氧烷之反 應物。就高韌性、接著性之點,宜為二烯丙基單縮水甘油 基二聚異氰酸酯與1,3,5,7-四甲基環四矽氧烷之反應物、單 稀丙基二縮水甘油基三聚異氰酸酯與四甲基環四矽 氧燒之反應物。 ((a)成分與(/3)成分之反應) 說明有關一使用可使(α)成分與(沒)成分進行矽氫化反 應而彳于之化合物作為(Β)成分的情形下,(α )成分與(沒)成分 之矽氫化反應。 又’若使(α)成分與(沒)成分進行矽氫化反應,有時可得 到含有本發明之(Β)成分的複數化合物之混合物,但不從此 刀離(Β)成分而直接使用混合物亦可製成本發明之硬化性 組合物。 使(α)成分與(沒)成分進行矽氫化反應時之成分與 (/5 )成分之混合比率並無特別限定,但,考慮所得到之(Β) 成分與(Α)成分之矽氫化所得到的硬化物強度時,宜⑺)成分 之SiH基很多,故所混合之)成分中具有與siH之反應性的 碳-碳雙鍵之總數(X)與所混合之(泠)成分中之SiH基的總數 (Y)之比,宜為Y/XS2,更宜為Y/XS3。就(B)成分與(A)成 分之相溶性易變得更佳而言,宜為10 2 Y/X,更宜為5^ 84913 -57· 200307726 γ/χ。 使(α)成分與(yS)成分進行矽氫化反應時,亦可使用適當 的觸媒。觸媒係只要具有矽氫化反應之觸媒活性即可’ I 無特別限定,但,可舉例如:白金之單體、氧化鋁、氧化 矽、碳黑等之擔體上擔持著固體白金者、氯化白金酸、氯 化白金酸與醇、醛、酮等之錯合體、白金-烯烴錯合體(例如’ Pt(CH2=CH2)2(PPh3)2、Pt(CH2=CH2)2Cl2)、白金-乙烯基矽氧 烷錯合體(例如,Pt(ViMe2SiOSiMe2Vi)n、Pt[(MeViSiO)4]m)、 白金-膦錯合體(例如Pt(PPh3)4、Pt(PBu3)4)、白金-亞磷酸酿 錯合體(例如,Pt[P(OPh)3]4、Pt[P(OBu)3]4)(式中,Me為甲 基、Bu為丁基、Vi為乙烯基、Ph為苯基,n、m為整數)、二 黢基二氯白金、卡路修德(Karstedt)觸媒、阿西比(Ashby)之 美國專利第3159601號及3159662號說明書中所記載之白金-烴複合體、拉默(Lamoreaux)之美國專利第3220972號說明書 中所記載之白金醇鹽觸媒等。進一步,默迪(Modic)之美國 專利第35 16946號說明說中所記載之氯化白金-烯烴複合體 亦可用於本發明中。 白金化合物以外之觸媒例可舉出:RhCl(PPh)3、RhCl3、 RhAl203、RuC13、IrCl3、FeCl3、A1C13、PdClr2H2〇、NiCl2、
TiCl4等。 - 此等之中,就觸媒活性而言,宜為氯化白金酸白金·烯烴 錯合體、白金-乙烯基矽氧烷錯合體等。上述觸媒可單獨使 用,亦可併用2種以上。 觸媒之添加量並無特別限定,但,因具有充分的硬化性、 84913 -58 - 200307726 且可抑制硬化性組合物之成本至比較低,故較佳的添加量 下,係相對於(沒)成分之SiH基1莫耳為10·8莫耳、更佳係 莫耳,較佳之添加量上限係相對於(yS)成分之3汨基1莫 耳為10·1莫耳,更佳為10-2莫耳。 在上述觸媒中可併用助觸媒,可舉例如:三苯基膦等之 膦系化合物、二甲基馬來酸酯等之^,二酯系化合物、2_ I基2_甲基-1-丁玦等之块醇系化合物、單體之硫黃等硫黃 系化合物、三乙胺等之胺系化合物等。助觸媒之添加量並 無特別限定,但,相對於上述觸媒丨莫耳之較佳添加量下限 為1〇-2莫耳,更宜為10-1莫耳,較佳之添加量上限為1〇2莫 耳,更佳為10莫耳。 反應時之(α)成分、(沒)成分及觸媒的混合方法可選取各 種方法,但,較佳係將觸媒混合於(α)成分而成者混合於(石) 成分中之方法。於(α )成分與(点)成分之混合物中混合觸媒 之方法時,很難控制反應。選取在混合(点)成分與觸媒而形 成者之中混合(α)成分的方法時,觸媒的存在下(泠)成分與 混入之水分具有反應性,有時會變質。 反應溫度可有各種設定,但,較佳之溫度範圍的下限為 30°C、更佳為50°C,較佳之溫度範圍的上限為2〇〇。(:,更宜 為1501:若反應溫度低,用以使之充分反應之反應時間會 變長,若反應溫度很高,則不實用。反應亦可在一定的溫 度下進行,但依需要亦可多階段或連續地使溫度變化。 反應時間、反應時之壓力亦依需要,可有各種設定。 於矽氫化反應時亦可使用溶劑。可使用之溶劑只要不妨 84913 -59· 200307726 礙矽氫化反應即可,並無特別限定,具體上若例示可適宜 地使用苯、甲冬、己燒、庚燒等之經系溶劑、四氫吱喃、 1,4-二氧雜環己烷、1,3-二氧雜環戊烷、二乙基瞇等之醚系 溶劑、丙酮、甲乙酮等之酮系溶劑、氯仿、二氯甲燒、1,2-二氣乙烷等之函系溶劑。溶劑亦可形成2種類以上之混合溶 劑而使用。溶劑宜為甲苯、四氫呋喃、1,3-二氧雜環戊烷、 氯仿。亦可適當設定所使用之溶劑量。 其他,為控制反應性之目的等,亦可使用各種添加劑。 使(α)成分與(々)成分反應後,亦可除去溶劑、未反應之 (α)成分及/或(冷)成分。藉由除去此等之揮發成分,因所得 到之(Β)成分不具有揮發成分,與(Α)成分之硬化時,揮發成 分所引起的氣孔、龜裂之問題很難發生。除去之方法,可 舉例:減壓脫氣之外,尚有以活性破、碎酸鋁、氧化碎凝 膠等之處理等。減壓脫氣時,宜在低溫下處理。此時之較 佳溫度上限為100°C,更宜為60°c。若在高溫進行處理,亦 伴隨增黏等之變質。 (A)成分與(B)成分之混合比率係只要不喪失必要的強度 即可,並無特別限定,但,(B)成分中之SiH基的數目(乃對 (A)成分中之碳-碳雙鍵數目(X)之比,宜為3 〇 ^ γ/χ ^ 〇 $, 更 i 為 2·52 Υ/Χ $0.7,最宜為 2·〇^γ/χ$〇8,尤宜為 1 ^ Υ/Χ$ 0.9。3·0<Υ/Χ之時,無法得到充分的硬化性,而不 能獲得充分強度,當Υ/Χ<〇.7時,碳-碳雙键會過剩,造成 著色的原因。 其次,說明有關第1之本發明的(〇成分。 84913 -60 - 200307726 (c)成分即矽氫化觸媒,係只要具有矽氫化反應之觸媒活 性即可,並無特別限定,但,可舉例如:白金之單體、氧 化鋁、氧化矽、碳黑等之擔體上擔持著固體白金者、氯化 白金酸、氯化白金酸與醇、醛、酮等之錯合體、白金-烯烴 錯合體(例如,Pt(CH2=CH2)2(PPh3)2、Pt(CH2=CH2)2Cl2)、白 金-乙烯基矽氧烷錯合體(例如,Pt(ViMe2SiOSiMe2Vi)n、 Pt[(MeViSiO)4]m)、白金膦錯合體(例如 Pt(PPh3)4、 Pt(PBu3)4)、白金-亞磷酸酯錯合體(例如,Pt[P(〇Ph)3]4、 Pt[P(OBu)3]4)(式中,Me為甲基、Bu為丁基、Vi為乙烯基、 Ph為苯基,η、m為整數)、二羰基二氯白金、卡路修德 (Karstedt)觸媒、阿西比(Ashby)之美國專利第3159601號及 3159662號說明書中所記載之白金·烴複合體、拉默 (Lamoreaux)之美國專利第3220972號說明書中所記載之白 金醇鹽觸媒等。進一步,默迪(Modic)之美國專利第3516946 號說明說中所記載之氯化白金-烯烴複合體亦可用於本發 明中。 白金化合物以外之矽氫化觸媒例可舉出:RhCl(PPh)3、 RhCl3、RhAl203、RuC13、IrCl3、FeCl3、A1C13、PdCly2H20、 NiC12、TiCl4等。 此等之中,就觸媒活性而言,宜為氯化白金酸白金-烯烴 錯合體、白金-乙烯基矽氧烷錯合體等。上述矽氫化觸媒可 單獨使用,亦可併用2種以上。 矽氫化觸媒之添加量並無特別限定,但,因具有充分的 硬化性且可抑制硬化性組合物之成本至比較低,故較佳的 84913 -61 - 200307726 添加量下限係相對於(B)成分之SiH基1莫耳為10-8莫耳、更 佳係10 6莫耳,較佳之添加量上限係相對於(B)成分之siH基 1莫耳為W1莫耳,更佳為1〇-2莫耳。 其次,說明有關第一之本發明的(D)成分。 (D)成分為秒燒偶合劑及/或含環氧基化合物。上述梦燒偶 合劑係只要於分子中分別至少具有丨個與有機基具有反應 性之官能基與加水分解性矽基之化合物即可,並無特別限 定。與有機基具有反應性之官能基並無特別限定,就處理 性之點,宜為至少1個官能基選自環氧基、甲基丙烯基、丙 缔基、異氰酸酯基、三聚異氰酸酯基、乙烯基及胺基甲酸 酯基所構成之群中,就硬化性及接著性之點,尤宜為環氧 基、甲基丙婦基、丙烯基。加水分解性矽基並無特別限定, 但就處理性而言,宜為烷氧基甲矽烷基,就反應性而言, 尤宜為甲氧基曱矽烷基、乙氧基甲矽烷基。 較佳之珍烷偶合劑可例示:3-環氧丙氧基丙基三甲氧基 麥燒、3-環氧丙氧基丙基三乙氧基矽烷、2-(3,4_環氧基環己 基)乙基三甲氧基矽烷、2_(3,‘環氧基環己基)乙基三乙氧基 矽烷等之具有環氧基的烷氧基矽烷類;3-甲基丙烯氧基丙 基三甲氧基矽烷、3-甲基丙烯氧基丙基三乙氧基矽烷、% 丙缔氧基丙基三甲氧基矽烷、3_丙烯氧基丙基三乙氧基矽 烷、甲基丙歸氧基甲基三甲氧基矽烷、甲基丙烯氧基甲基 三乙氧基梦燒、丙烯氧基甲基三甲氧基矽烷、丙烯氧基甲 基三乙氧基碎烷等之具有甲基丙烯基或丙烯基之烷氧基矽 烷類。 84913 62· 200307726 發烷偶合劑之添加量並無特別限定,可有各種設定,但 相對於【(A)成分+(B)成分】1〇〇重量份之較佳添加量下限為 01重量份,更宜為0.5重量份,較佳添加量之上限為50重量 份’更宜為25重量份。若添加量很少,很難顯現接著性改 良效果,若添加量很多,有時會對硬化物物性有不良影響。 含環氧基化合物並無特別限定,但,可舉例如:使酚醛 清漆紛型環氧樹脂、雙苯基型環氧樹脂、二環戊二烯型環 氧樹脂、雙酚F二縮水甘油基醚、雙酚a二縮水甘油基醚、 2,2’-雙(4-縮水甘油基氧環己基)丙烷、3,4_環氧基環己基甲 基·3,4-環氧基環己烷羧酸酯、乙烯基環己烯二氧化物、 2-(3,4_環氧基環己基)_5,5-螺-(3,‘環氧基環己烷)-;1,弘二氧 雜環己烷、雙(3,4-環氧基環己基)己二酸酯、環丙烷二 知故雙縮水甘油基酯、三縮水甘油基三聚異氰酸酯、單缔 丙基二縮水甘油基三聚異氰酸酯、二烯丙基單縮水甘油基 一聚異氰酸酿等之環氧樹脂,以六氫無水苯二甲酸、甲基 六氫操水苯二甲酸、三烷基四氫無水苯二甲酸、氫化甲基 Nadic酸無水物等之脂肪酸無水物硬化者;雙酚a型環氧樹 脂’雙i分F型環氧樹脂;四溴雙酚a之縮水甘油基醚等的溴 化環氧樹脂;酚醛清漆型環氧樹脂;雙酚八環氧丙烷加成物 l縮水甘油基醚等的縮水甘油基醚型環氧樹脂;芳香族幾 酸與表氯醇之反應物、芳香族酸之氫添加物與表氯醇之反 應物等的縮水甘油基酯型環氧樹脂;N,N_:縮水甘油基苯 一氨、N,N_二縮水甘油基_鄰_甲苯氨等之縮水甘油基氨型環 氧樹脂;氨基甲酸酯變性環氧樹脂;氫添加雙酚八型環氧樹 84913 -63- 200307726
等之脂環式系環氧樹脂;三縮水甘油基三聚異氰酸酯;聚 烷撐二醇二縮水甘油基等之多元醇的縮水甘油基醚類、障 84913 -64- 200307726 礙婦型壤氧樹脂;石油樹脂等之不飽和聚合體的環氧化物 等。裱氧化合物或依需要硬化劑可分別單獨使用,亦可組 合2種類以上使用之。 含環氧基化合物之添加量並無特別限定,可有各種設 定’但相對於【(A)成分+(B)成分】100重量份之較佳添加量 下限為0.1重量份,更宜為〇 5重量份,較佳添加量之上限為 50重量伤,更宜為25重量份。若添加量很少,很難顯現接 著性改良效果,若添加量很多,有時會對硬化物物性有不 良影響。 碎燒偶合劑可單獨使用,亦可組合2種類以上使用之。含 環氧基化合物可單獨使用,亦可組合2種類以上使用之。 又’亦可併用矽烷偶合劑與含環氧基化合物。 其;人’說明有關第一之本發明的(E)成分。 (E)成分即矽烷醇縮合觸媒係只要具有加水分解性矽基 之縮合反應的觸媒活性即可,並無特別限定,但其中,從 可提高接著性及/或安定性之點,宜為有機鋁化合物、硼酸 酿、鈥系化合物。就硬化時及高溫下之著色性很低而言, 尤立為有機銘化合物、彌酸g旨,更宜為硼酸g旨。 碎燒醇縮合觸媒之使用量並無特別限定,可有各種設 定’但相對於(D)成分100重量份之較佳添加量下限為〇.1重 量份’更宜為1重量份,較佳添加量之上限為5〇重量份,更 宜為30重量份。若添加量很少,很難顯現接著性改良效果, 若添加量很多,有時會對硬化物物性有不反影響。 上述有機鋁化合物並無特別限定,可舉例如··三甲氧基 84913 -65 - 200307726 紹、三乙氧基鋁、三異丙氧基鋁、三正丙氧基鋁、第二丁 氧基鋁二異丙氧化物、鋁三第二丁氧化物等之鋁醇鹽化合 物;環烷酸、硬脂酸、辛酸、安息香酸等之有機酸的鋁鹽,· 鋁乙基乙醯基乙酸酯二異二異丙酸酯、鋁乙基乙醯基乙酸 酿二異二異丁酸酯、鋁三(乙基乙醯基乙酸酯)、鋁雙乙基乙 酿基乙酸酯單乙醯丙酮配位基、鋁三(乙醯丙酮配位基)、铭 螯合物Μ(川研Fine chemical製、烷基乙醯基乙酸酯銘二異 丙氧化物)等之鋁螯合化合物等。就反應性、與基材之接著 陡遂著性的觀點,宜為銘螯合化合物及紹醇鹽化合物, 就與矽氫化硬化反應之相容性,更宜為鋁三(乙基乙醯基乙 酸酯)。 上述硼酸酯並無特別限定,但宜為以下述通式(χ)或(χι) (X) (XI) 所示之化合物。 B(ORn)3 B(OCORn)3 (式中’ Rl1表示碳數1〜48之有機基(較佳係不含有c、Η及Ο 以外之元素作為構成元素之基、更佳係烴基),複數之Ru 可為相同亦可為相異。) 刪酸酿之具體例可舉出:硼酸三-2-乙基已基酯、硼酸三 正十八燒g旨、獨酸三正辛酯、硼酸三苯基酯、三亞甲基硼 酸酉曰、二(三甲基甲矽烷基)硼酸酯、硼酸三正丁酯、硼酸三 第一丁酷、硼酸三_第三丁酯、硼酸三異丙酯、硼酸三正丙 酉9、删酸三稀丙酯、硼酸三乙酯、硼酸三甲酯、硼酸甲氧 基乙氧化物等。 84913 • 66 - 200307726 就取得性而言,宜為硼酸三甲酯、硼酸三乙酯、硼酸三 正丁酯、更宜為硼酸三甲酯。 就可抑制硬化時之揮發性而言,宜為硼酸三正十八烷 酯、硼酸三正辛酯、硼酸三苯基酯、三亞甲基硼酸酯、三(三 甲基甲矽烷基)硼酸酯、硼酸三正丁酯、硼酸三-第二丁酯、 棚酸三-第三丁酯、觸酸三異丙酯、糊酸三正丙酯、硼酸三 烯丙酯、硼酸甲氧基乙氧化物等,進一步宜為硼酸三正十 八燒酯、棚酸三·第三丁酯、厕酸三苯基酯、测酸三正丁酯。 就揮發性之抑制、作業性而言,宜為硼酸三正丁酯、硼 酸三異丙酯、硼酸三正丙酯,進一步宜為硼酸三正丁酯。 就在高溫下之著色性很低而言,宜為硼酸三乙酯,進一 步宜為硼酸三甲酯。 上述鈥系化合物並無特別限定,但可舉例··四異丙氧基 鈦、四丁氧基鈦等之四烷氧基鈦類;鈦四乙醯丙酮配位基 等之鈦螯合物類;具有氧醋酸或乙二醇等之殘留基的一般 鈦酸酯偶合劑等。 (E)成分可單獨使用,亦可組合2種類以上使用之。 其次’說明有關第一之本發明的任意成分。 本發明之硬化性組合物依需要亦可含有··矽烷醇源化合 物;羧酸類及/或酸無水物;硬化延遲劑;熱硬化性樹脂; 熱可塑性樹脂;填充劑;老化抑制劑;自由基防止劑;紫 外線吸收劑;接著性改良劑等。 於本發明之硬化性組合物中 一步提高接著性改良效果,並 周配參、醇源化合物,可進 可謀求接著性之更進一步提 84913 -67- 200307726 高及/或安定化。上述矽烷醇源化合物並無特別限定,但可 舉例如三苯基矽烷醇、二苯基二羥基矽烷等之矽烷醇化合 物、二苯基二甲氧基矽烷、四甲氧基矽烷、甲基三甲氧基 矽烷等之烷氧基矽烷類等。 使用矽烷醇源化合物時之使用量並無特別限定,可有各 種設定,相對於(D)成分100重量份之較佳添加量下限為0.1 重量份,更佳為1重量份,較佳添加量之上限為50重量份、 更佳為30重量份。若添加量很少,很難顯現接著性改良效 果,若添加量很多,對硬化物物性有不良影響。 上述矽烷醇源化合物可單獨使用,亦可2種以上併用。 於本發明之硬化性組合物中調配叛酸類及/或酸無水物 類,可提高(D)成分所產生之效果,並可謀求接著性之更進 一步提高及/或安定化。上述羧酸類及酸無水物類並無特別 限定,可舉例如: CH3fcH2^CO〇K hooc^ch2^cooh · CH2=CH+CH2)^—C00H , (n為〇〜30之數目。)
COOH HOOC
-COOH
cooh、"TTTT^C0〇H
HOOC
COOH COOH COOH
COOH HOOC HOOC
COOH COOH 200307726 HOOn
COOH COOH
COOH
HOOC HOOC
COOH COOH
HOOC HOOC
COOH COOH COOH 2-乙基已酸、環己烷羧酸、環己烷二羧酸、甲基環己烷二 羧酸、四氫苯二甲酸、甲基四氫苯二甲酸、甲基High mic 酸、二環【2,2,1】庚烷二羧酸、氫化甲基Nadic酸、馬來酸、 乙炔二羧酸、乳酸、蘋果酸、檸檬酸、酒石酸、安息香酸、 羥基安息香酸、桂皮酸、苯二甲酸、偏苯三酸、均苯四甲 酸、苯羧酸、苯二羧酸、此等之單獨或複合酸無水物等。 上述羧酸類及酸無水物類之中,具有矽氫化反應,來自 硬化物之滲出的可能性很少,就難損及所得到硬化物之物 性而言,宜為一含有與SiH基具有反應性之碳-碳雙键者。 較佳之羧酸類及酸無水物類可舉例如:
(η表示0〜30之數目。) 四氫對苯二甲酸、甲基四氫苯二甲酸、此等之單獨或複合 酸無水物等。 使用上述叛酸類及/或酸無水物類時之使用量並無特別 84913 •69· 200307726 限定’可有各種設定,但相,於⑼成分⑽ 添加量下限為(U重量份,更# β ^ 衩隹 炅且為1重I份,較佳添加量之上 重量份,更宜為1G重量份。若添加量很少,很難顯 現接者性改良效果’若添加量很多,有時會對硬化物 有不良影響。 上述羧酸類及/或酸無水物類可單獨使用,亦可2種以上 併用。 在本發明之硬化性組合物中,就改良保存安定性之目 的’或’㈣在製造過財切氫減應較應性之目的, 可調配硬化延遲劑。硬化延遲劑並無特別限定,但可舉例 如:含有脂肪族不飽和鍵之化合物、有機磷化合物、含硫 化合物、含氮化合物、錫系化合物;有機過氧化物等。 含有脂肪族不飽和键之化合物,可例示:2_羥基_2_甲基 -3-丁块、2-羥基-2-苯基-3-丁炔、丨_乙炔基環己烷醇等之 炔丙基醇類、烯-炔化合物類、二甲基馬來酸酯等之馬來酸 酯類等。有機磷化合物可例示:三苯基膦等之三有機基磷 類、一有機基膦類、有機基鱗類、三有機基亞磷類等。含 硫化合物可例示單體硫、有機基硫醇類、二有機基硫醚類、 硯化氫、苯並塞唑、苯並塞唑二硫醚等。含氮化合物可例 示氨、1〜3級燒基胺類、芳基胺類、尿素、聯氨等。錫系化 合物可例示函化第一錫2水和物、羧酸第一錫類等。有機過 氧化物可例示二-第三丁基過氧化物、二異丙苯過氧化物、 過氧化苯甲醯,過安息香酸第三丁酯等。 上述硬化延遲劑之中,從延遲活性良好且原料獲得性佳 84913 -70- 200307726 之觀點,宜為苯並塞峻、塞嗅、二甲基馬來酸酿、2她_ 甲基-3-丁炔、1-乙炔基環己醇。 上述硬化延遲劑之添加量並無特別限定,可有各 定,但相對於梦氬化觸m莫耳之較佳添加量下限為ι〇ι= 耳’更宜為為1莫耳、較佳添加量之上限為w莫耳、更ί 為50莫耳。 且 又,此等硬化延遲劑可單獨使用,亦可2種以上併用。 · 本發明之硬化性組合物就改f特性等之目的,亦可調配· 熱硬化性樹脂。上述熱硬化性樹脂並無特別限定,但可舉· 例如氰酸酿基酿樹脂、酚樹脂、聚醯亞胺、胺基甲酸酿樹 脂、雙馬來醯亞胺樹脂等。 上述熱硬化性樹脂之添加量無特別限定,但,較佳之使 用量下限為硬化性組合物全體之5重量%,更宜為1〇重量 /〇,較佳使用量上限為硬化性組合物中之重量%,更佳為 30重量%,若添加量很少,很難得到接著性等目的之效果, 若添加量很多,易變脆。 上述熱硬化性樹脂可單獨使用,亦可組合複數者而使用。 將上述熱硬化性樹脂調配於本發明之硬化性組合物時, 可使熱硬化性樹脂之樹脂原料及/或經硬化者,溶解於(A) 成分及/表(B)成分中而混合形成均一狀態,亦可粉碎而以粒 子狀態進行混合,亦可溶解於溶劑中而混合等形成分散狀 怨。就所传到之硬化物易變成更透明之點而言,宜溶解於 (A)成分及/或(B)成分中而混合成為均一的狀態。此情形 下,亦可使熱硬化性樹脂直接溶解於(A)成分及/或(B)成分 84913 -71 - 200307726 中使用溶劑等而均一地混合,其後,亦可除去溶劑而形成 均一的分散狀態及/或混合狀態。 使熱硬化性樹脂分散時,其平均粒子徑可有各種設定, 但較佳之平均粒子徑下限為1〇 nm,較佳之平均粒子徑上限 為10 μιη。即使有粒子系之分布亦可,可為單一分散亦可擁 有複數之譜峰粒徑,但就硬化性組合物之黏度低、成形性 易變良好之觀點,粒子徑之變動係數宜為1〇%以下。 本發明之硬化性組合物中,就改質特性等之目的而言, 亦可調配熱可塑性樹脂。上述熱可塑性樹脂無特別限定, 但,可舉例如··甲基丙婦酸甲酯之單獨聚合體、甲基丙婦 酸甲S曰與其他單體之隨機、彼段或接枝共聚合體等之聚甲 基丙埽酸甲酯系樹脂(例如日立化成公司製歐普多列茲 等)、丙諦酸丁酯之單獨聚合體、丙烯酸丁酯與其他單體之 隨機、嵌段、或接枝共聚合體等之聚丙缔酸丁酯系樹脂等 所代表之丙烯酸系樹脂;雙酚Α、含有3,3,5_三甲基環亞己 基雙鼢等作為單體構造之聚碳酸酯樹脂等之聚碳酸酯系樹 脂(例如,帝人公司製APEC等);二環【2,2,1:|庚烯衍生物、 使乙烯基單體等單獨或共聚合之樹脂、使二環【】庚 烯衍生物開環易位聚合之樹脂、其氫添加物等之環烯烴系 樹脂(例如,三井化學公司製APEL、曰本ΖΕΟΝ公司製 ZEONOR、ΖΕΟΝΕΧ、JSR公司製ARTON等);乙婦與馬來醯 亞胺之共聚合體等的缔烴烴-馬來醯亞胺系樹脂(例如東曹 公司製ΤΙ-PAS等);使雙酚a、雙(4-(2-羥基乙氧基)苯基)蘊 (Fluorene)等之雙紛類或二乙二醇等之二醇類、與對苯二甲 84913 -72- 200307726 酸、間苯二甲酸等之苯二甲酸類或脂肪族二羧酸類聚縮合 而成之聚酿等的聚酯系樹脂(例如鐘纺公司製0-ΡΕΤ等);聚 醚樹脂、聚芳酸酯樹脂、聚乙缔基甲醛樹脂、聚乙埽樹 脂、聚丙缔樹脂、聚苯乙缔樹脂、聚醯胺樹脂、矽酮樹脂、 氟樹脂;天然橡膠、EPDM等之橡膠狀樹脂等。 上述熱可塑性樹脂係亦可於分子中具有與SiH基具有反 應性之碳-碳雙鍵及/或SiH基。在所得到之硬化物易變更強 韌之點,宜於分子中與SiH基具有反應性之碳_碳雙键及/或 以SiH基進行平均而於1分子中具有1個以上。 上述熱可塑性樹脂係亦可具有其他之架橋性基。上述架 橋性基可舉例·環氧基、胺基、自由基聚合性不飽和基、 羧基、異氰酸酯基、羥基、烷氧基曱矽烷基等。在所得到 之硬化物的耐熱性易變高之點中,宜使架橋性基平均而於i 分子中具有1個以上。 上述熱可塑性树I曰之分子I無特別限定,可使用各種。 就(A)成分與(B)成分之相溶性易變良好之點,數目平均分子 量宜為10,000以下,更宜為5,000以下。就在所得到之硬化 物易變強韌之點,數目平均分子量宜為10,000以上,更宜為 100,000以上。有關分子量分布並無特別限定,就混合物之 黏度變低-,成形性易變良好之點,分子量分布宜為3以下, 更宜為2以下,最宜為1.5以下。 上述熱硬化性樹脂之調配量無特別限定,但,較佳之使 用f下限為硬化性組合物全體之5重量%,更宜為1〇重量 %,較佳使用量上限為硬化性組合物中之5〇重量%,更佳為 84913 -73 - 200307726 30重量%,若添加量很少,所得到之硬化物易變脆,若很多, 耐熱性(在高溫之彈性率)易變低。 上述熱硬化性樹脂可單獨使用,亦可併用複數者。 將上述熱硬化性樹脂調配於本發明之硬化性組合物時, 可溶解於(A)成分及/或(B)成分中而混合形成均一狀態,亦 可粉碎而以粒子狀態進行混合,亦可溶解於溶劑中而混合 等形成为散狀感。就所得到之硬化物易變成更透明之點而 T,宜溶解於(A)成分及/或(B)成分中而混合成為均一的狀 態。此情形下,亦可使熱硬化性樹脂直接溶解於(A)成分及 /或(B)成分中使用溶劑等而均一地混合,其後,亦可除去溶 劑而形成均一的分散狀態及/或混合狀態。 使熱硬化性樹脂分散時,其平均粒子徑可有各種設定, 但較佳之平均粒子徑下限為1 〇 nm,較佳之平均粒子徑上限 為10 μιη。即使有粒子系之分布亦可,可為單一分散亦可擁 有複數之譜峰粒徑,但就硬化性組合物之黏度低、成形性 易變良好之觀點,粒子徑之變動係數宜為1〇%以下。 上述填充材並無特別限定,但可舉例如··石英、微塵麥 石、沈澱性矽石、無水矽酸、熔融矽石、結晶性矽石、超 微粉播定型矽石等之矽石系填充材、氮化矽、銀粉、氧化 鋁、氫氧化鋁、氧化鈦、玻璃維纖、碳維纖、雲母、碳黑、 石墨、矽藻土、白土、泥土、滑石、碳酸鈣、碳酸鎂、硫 酸鋇、無機球粒等之無機填充材;一般所提出或使用來作 為環氧系寺之習知模製構件填充材的填充材等。 填充材就對所封裝之半導體或電子材料很難造成損傷而 84913 -74- 200307726 言,宜為低輻射性者。 填充材亦可表面經過適當處理者。表面處理劑並無特別 限足,但,可舉例如··烷基化處理、三曱基曱矽烷基化處 理、碎酮處理、以偶合劑進行處理等。 上述偶合劑之例可舉例矽烷偶合劑。矽烷偶合劑係只要 於分子中分別至少具有1個與有機基具有反應性之官能基 與加水分解性矽基之化合物即可,並無特別限定。與有機 基具有反應性之基並無特別限定,就處理性之點,宜為至 少1個官能基選自環氧基、甲基丙歸基、丙烯基、異氰酸酯 基、二聚異氰酸酯基、乙烯基及胺基甲酸酯基所構成之群 中,就硬化性及接著性之點,尤宜為環氧基、曱基丙烯基、 丙烯基。加水分解性矽基並無特別限定,但就處理性而言, 宜為燒氧基甲矽烷基,就反應性而言,尤宜為甲氧基甲矽 烷基、乙氧基甲矽烷基。 較佳之矽烷偶合劑可例示:3-環氧丙氧基丙基三甲氧基 碎垸、3-環氧丙氧基丙基三乙氧基矽烷、2<3,仁環氧基環己 基)乙基三甲氧基矽烷、2-(3,4_環氧基環己基)乙基三乙氧基 碎燒等之具有環氧基的烷氧基矽烷類;3-甲基丙烯氧基丙 基三甲氧基矽烷、3-甲基丙諦氧基丙基三乙氧基矽烷、夂 丙歸氧基_丙基三甲氧基矽烷、3_丙婦氧基丙基三乙氧基亨 燒、甲基丙烯氧基甲基三甲氧基矽烷、甲基丙埽氧基甲基 二乙氧基矽烷、丙烯氧基甲基三甲氧基矽烷、丙烯氧基甲 基三乙氧基矽烷等之具有甲基丙烯基或丙烯基之烷氧基矽 烷類。 84913 -75- 200307726 於本發明之硬化性組合物中調配填充材之方法,係除了 於本發明之組合物中混合填充劑以外,尚可將例如燒氧基 矽烷、醯氧基矽烷、鹵化矽烷等之加水分解性碎燒單體或 寡聚物或鈦、鋁等之金屬烷氧化物、醯氧化物、由化物等 添加於本發明之組合物中,而在組合物中或組合物之部分 反應物中反應,在組合物中產生填充材之方法。 上述填充材之中’就很難阻礙硬化反應而言,線膨脸係 數之降低化效果很大的觀點而言,宜為矽石系填充材。 上述填充材之平均粒徑,就模製構件在很狹窄間隙的浸 透性易變成良好之點而言,宜為l〇Vm以下,更宜為 以下。填充材中之粒徑為50// m以上粒子之比例,就模製構 件在狹窄間隙之浸透性易變成良好之點,宜為1重量%以 下,更宜為0· 1重量%。填充材之平均粒子徑及填充材中之 粒徑為50 β m以上之粒子的比率,係可使用雷射法微軌徑粒 度分析計來測定。 上述填充材之粒徑分布係使用及/或提出來作為環氧系 等之以往模製構件的填充材為首,可有各種設定。例如亦 可使24// m以上粒子為15重量%以上且I" m以下之粒子為3 重量%以上。 對於上述填充材之比表面積,亦使用及/或提出來作為環 氧系寺之以往模製構件的填充材為首,可有各種設定。例 如可使4 m2/g以上、4 m2/g以下、10 m2/g以下等、可任意地 設定。比表面積可依BET法單吸附比表面積測定裝置來測 定0 -76- 84913 200307726 對於上述填充材之玻璃化率,亦使用及/或提出來作為環 氧系等之以往模製構件的填充材為首,可有各種設定。例 如97%以上等、可任意地設定。 上述填充材之形狀就模製構件之黏度易變低之觀點,宜 為球狀之填充材。 上述填充材係可單獨使用,亦可併用2種以上。 上述填充材之添加量並無特別限定,但,就線膨脹係數 之降低化效果很咼、且組合物之流動性良好而言,較佳添 加量之下限為全組合物中之3〇重量%、更宜為5〇重量。,較 佳添加量之上限為全組合物中之8〇重量%,更宜為7〇重量 〇/〇。 上述填充材之混合方法可有各種方法,但就組合物之中 間原料的貯存安定性易變爽好之觀點,宜為在(A)成分中混 口(C)成分及填充材而形成者之中混合(B)成分的方法。當採 取在(B)成分中混合(C)成分及/或填充材而形成者之中混合 (A)成分的方法時,在(c)成分之存在下及/或非存在下,(β) 成分與壤境中之水分及/或填充材具有反應性,故有時在野 藏中等會變質。 在本發明 < 硬化性組合物中亦可調配老化抑制劑。老化 抑制剑並换特別限足,而可舉例一般所使用之老化抑制 劑例如檸檬酸、憐酸、硫系老化抑制劑等。硫系老化抑 制劑並典特別限足’可舉例如··硫醇類、硫醇之鹽類;硫 ㈣酸S旨類、障㈣系硫㈣等之硫醚類;聚硫醚類、二 硫羧酸鹽類、硫尿素類、硫磷酸酿類、Sulfomum化合物、 84913 -77- 200307726 硫醛類、硫酮類、縮硫醇類、硫縮醛類、單硫酸類、聚硫 酸類、硫醯胺類、亞碼類等。上述者化防止劑可單獨使用, 亦可併用2種以上。 本發明之硬化性組合物亦可調配自由基防止劑。自由基 防止劑並無特別限定,但可舉例·· 2,6-二-第三丁基-3-甲基 酚(BHT)、2,2,-亞甲基-雙(4-甲基-6-第三丁基酚)、四(亞甲 基-3(3,5_二-第三丁基-4-羥苯基)丙酸酯)甲烷等之酚系自由 基防止劑;苯基·召-苯基胺、α -蓁基胺、N,N,-第二丁基_ 對苯二胺、硫二苯胺、Ν,Ν·-二苯基-對苯二胺等之胺系自由 基防止劑等。上述自由基防止劑可單獨使用,亦可併用2種 以上。 本發明之硬化性組合物中亦可調配紫外線吸收劑。紫外 線吸收劑並無特別限定,但可舉例如·· 2(2,-羥基-3,,5,-二〜 第三丁基苯基)苯並三唑、雙(2,2,6,6-四甲基-4-六氫化吡淀) 癸二酸酯等。上述紫外線吸收劑可單獨使用,亦可併用2種 以上。 本發明之硬化性組合物亦可調配接著性改良劑。接著性 改良劑並無特別限定,但可舉例如一般所使用之接著劑、 偶合劑、酚脂、香豆酮-碎烯(mdene)樹脂、松香酯樹脂、萜 烯(terpene)-酚樹脂、甲基苯乙埽乙烯基甲苯共聚合體、 聚乙基甲基苯乙缔、芳香族聚異氰酸酿等。 (螢光體) 在本發明之硬化性組合物中亦可調配螢光體。藉此可提 供一種發光二極體,其係可吸收從發光元件所釋出之光, 84913 -78- 200307726 進行波長變換’具有與發光元件之色調不同的色調。 發光二極體所使用之螢光體主要可使用呈藍色發光之螢 光體、主綠色發光之螢光體、呈黃色發光之螢光體、呈紅 色發光之螢光體之至少任一種以上的螢光體。此等之勞光 體係投入於本發明之硬化性組合物中合至各呈均一為止。 此混合物載置於發光元件之周邊部。此螢光體係可吸收從 發光元件釋出之光’進行波長變換,釋出與發光元件之光 不同的波長之光。藉此,可製作一種多色系之發光二極體, 其係從發光元件釋出之光的一部分、與從螢光體所釋出之 光的一部分進行混合,且含有白色。 呈如上述藍色發光之螢光體、呈綠色發光之螢光體、呈 黃色發光之螢光體、呈紅色發光之螢光體係有各種的螢光 體。 呈綠色發光之螢光體例如有:SrAl204 : Eu、Y2Si05 : Ce,
Tb、MgAlu019 : Ce,Tb、Sr7Ali2〇25 : Eu、(Mg、Ca、Sr、
Ba之中至少1個以上)Ga2S4 : Eu等。 呈藍色發光之螢光體例如有:Sr5(P〇4)3Cl:Eu、 (SrCaBa)5(P04)3Cl:Eu、(Β3€&)5(Ρ〇4)3(:1:Ειι、(Mg、Ca、Sr、 Ba之中至少 1 個以上)2b5〇9c1.Eu,Mn、(Mg、Ca、Sr、Ba 之中至少-1個以上)(P〇4)6C12:Eu,Mn等。 _ 從綠色至黃色發光之螢光體例如:至少以鈽賦予活釔鋁 氧化物螢光體、至少以鈽賦予活性之釔釓鋁氧化物螢光 體、至少以鈽賦予活性之釔鋁石榴石氧化物螢光體及至少 以鈽賦予活性之釔鉀鋁氧化物螢光體等(所謂YAG系螢光 84913 -79- 200307726 月致)具體上係可使用Ln3M5〇i2:R (Ln係至少一種以上選自 Y、Gd、La。Μ係含有Al、Ca之至少任一者。R為鑭系。)、 (YuxGax)3(A1i-YGaY)5〇i2:R (R為至少一種以上選自 ce、
Tb、Pr、Sm、Eu、Dy、He 〇 0<R<〇.5)。 呈紅色發光之螢光體例如有Y2〇2S:Eu、La202s:Eu、 Y2〇3:Eu、Gd202S:Eu等。 但,呈綠色、藍色、黃色、紅色等發光之螢光體不限定 於上述螢光體而可使用各種之螢光體。 在本發明之組合物中除以上成分以外在不損及本發明之 目的及效果的範圍中可添加著色劑、離型劑、難燃劑、難 燃助劑、界面活性劑、消泡劑、乳化劑、流平劑、彈力防 止劑、離子捕捉劑、搖變性賦予劑、黏著性賦予劑、保存 安足改良劑、臭氧劣化防止劑、光安定劑、增黏劑、可塑 劑、反應性稀釋劑、氧化防止劑、熱安定化劑、導電性賦 予劑、帶電防止劑、幅射線遮蔽劑、核劑、磷系過氧化物 刀解q劑、顏料、金屬隋性化劑、熱傳導性賦予劑、 物性調整劑等。 本發明之硬化性組合物亦可溶解於溶劑而使用。可使用 之溶劑並無特別限定,可舉例如:苯、甲苯、己烷、庚烷 等足烴系落劑、四氳呋喃、丨,仁二氧雜環己烷、〗,3•二氧雜 環戊^ 一乙基随等之随系溶劑、丙酮、甲乙_、甲基異 丁酮等之酮系溶劑、氯仿、二氯甲烷、!,二氯乙烷等之函 系溶劑等。其中’宜為甲苯、四氳吱喃、二氧雜環戊燒、 氣仿。 84913 • 80 - 200307726 溶劑之使用量無特別限定,可適當設定,但相對於硬化 性組合物1 g之較佳使用量下限為0 · 1 mL,較佳使用量之上 限為10 mL。若使用量很少,很難得到使用低黏度化等之溶 劑的效果,若使用量很多,於材料中會殘留溶劑而易成為 熱龜裂等之問題,又成本上亦不利,工業上利用價值會降 低。 上述溶劑可單獨使用,亦可併用2種類以上之混合溶劑。 本發明之硬化性組合物中亦可調配用以改善各種發光二 極體特性之添加劑。上述添加劑並無特別限定,但可舉例: 吸收來自發光元件之光而放出更長波長之螢光、並以鈽賦 予活性之釔鋁石榴石系螢光體等之螢光體;吸收特定波長 之藍色化劑等之著色劑;用以使光擴散之氧化鈦、氧化銘、 矽石、石英玻璃等之氧化矽、滑石、碳酸鈣、蜜胺樹脂、 CTU鳥糞胺樹脂、苯並鳥糞胺樹脂等之無機或有機擴散 材;玻璃、鋁矽酸鹽等之金屬氧化物、氮化鋁、氮化硼等 之金屬氮化物等之熱傳導性填充劑等。 用以改善發光二極體特性之添加劑係可均一含有,亦可 於含量不均一而使有。上述含添加劑之樹脂部係使發光面 前面之模製構件用的樹脂流入模具後,繼而,使含有上述 添加劑之-樹脂流入,形成發光面後方之模製構件。又,模 氟構件形成後,使引線端子從表背兩面以貼黏膠帶而被 覆’以此狀態引線框架全體在貯存含上述添加劑的樹脂之 槽内浸潰發光二極體之模製構件的半部分後,拉起而乾燥 之’亦可形成含上述添加劑的樹脂部。 84913 -81 - 200307726 第一之本發明硬化性組合物係預先混合各成分,使與組 合物中之SiH基具有反應性的碳-碳雙键與SiH基之一部分 或全部反應而硬化,形成硬化物。 混合之方法可採用各種方法,但,宜為混合(A)成分、(C) 成分及(E)成分而成者、與混合(B)成分及(D)成分而成者之 混合方法。於(A)成分與(B)成分之混合物中混合(C)成分之 方法,係很難控制反應。混合(B)成分與(C)成分及/或(E)成 分而成者,係在(C)成分及/或(E)成分之存在下可促進(B)成 分與水分之反應,故於貯存中等有時會變質,而不佳。 當使組合物反應而硬化時,亦可使(A)、(B)、(C)、(D)、 (E)各成分各別的必需量一次混合而反應,但使一部分混合 而活應後,混合殘量再進一步反應之方法,或,混合後利 用反應條件之控制或取代基之反應性的差,只使組合物中 之官能基的一部分反應(B階段化)後,進行成形等之處理, 再進一步硬化之方法。若依此等方法,成形時之黏度很容 易調整。 硬化之方法亦可只以混合而使之反應,亦可加熱而使之 反應。就反應快、且易得到一般耐熱性高的材料之觀點, 宜為加熱而反應之方法。 反應溫痩並無特別限定,而可有各種設定,但較佳之溫 度較下限為3(TC,更佳為100°C,最宜為150°C。較佳之溫 度為300°C。更佳為250°C,最宜為200°C。若反應溫度低, 用以使之充分反應之反應時間會變長,若反應溫度高,成 形加工易變困難。反應可在一定之溫度下進行,亦可依需 -82- 84913 200307726 要而多階段或連續地使溫度變化。 反應時間亦可有各種設定。 反應時之壓力亦依需要可有各種設定,亦可以常壓、高 壓或減壓狀態反應。 硬化而得到之光學用材料的形狀依用途而可採用各種, 並無特別限定,但可形成膜狀、片狀、管狀、桿狀、塗膜 狀、塊狀等之形狀。 成形之方法亦採用以習知熱硬化性樹脂之成形方法為首 的各種方法。例如,適用濤注法、沖壓法、注模法、轉移 成形法、塗覆法、RIM法等之成形方法。成形模具可適用 研磨玻璃、硬質不銹鋼研磨板、聚碳酸酯板、聚對苯二甲 酸乙二酯板、聚甲基丙婦酸曱酯板等。又,為提高與成形 模具之離型性,可適用聚對苯二甲酸乙二酯膜、聚碳酸酯 膜、聚氯化乙烯膜、聚乙烯膜、聚四氟院缔膜、聚丙缔膜、 聚醯亞胺膜等。 依需要,成形時亦可實施各種處理。例如,為抑制成形 時又氣泡,亦可適用使組合物或一部份反應之組合物以離 心、減壓等進行脫泡之處理、沖壓時暫時釋放壓力之處理 等。 本發明之硬化性組合物可適用於各種光學材料。本發明 之光學材料係表示一種可用於能使可見光、紅外線、紫外 線、X線、雷射光等通過其材料中之用途的材料。並無特別 限疋,但,可舉例如。慮色器保護膜、TFT平坦化膜、基板 材料等之液晶顯示裝置所使用的材料;模製構件、晶粒黏 84913 -83 - 200307726 著劑等之發光二極體(LED)所使用之材科。又,本說明書令 <模製構件亦包括模製劑或封裝劑之概念。 曰 亦可舉例: ··在液晶顯示器領域中之基板材料、導光板、
濾色器等;其所使用之各種塗覆劑、 正膜、偏光保護膜、 保護膜、模製構件、 接著劑等。 亦可舉例:在LED顯示裝置所使用之LED元件的模製構 件、LED之模製構件、前面玻璃之保護膜、前面破璃替代 材料;其等所使用之各種塗覆劑、保護膜、模製構件、接 著劑等。 可舉例··彩色PDP(電漿顯示器)之防止反射膜、光學校正 膜、安裝材、前面玻璃之保護膜、前面玻璃替代材料等,· 其等所使用之各種塗覆劑、保護膜、模製構件、接著劑等。 電漿位址液晶(PALC)顯示器中之基板材料、導光材、棱鏡 片、偏光板、相位差板、視角修正膜、偏光子保護膜;其 等所使用之各種塗覆劑、保護膜、模製構件、接著劑等。 有機EL (Electrolurmnescence)顯示器之前面玻璃的保護 膜、如面玻璃替代材料;其等所使用之各種塗覆劑、保護 膜、模製構件、接著劑等。場致發射顯示器(FED)之各種薄 膜基板、前面玻璃的保護膜、前面玻璃替代材料;其等所 使用之各種塗覆劑、保護膜、模製構件、接著劑等。 在光記錄領域中,亦可舉例:VD (Video disk)、 CD/CD-ROM、CD-R/RW、DVD-R/DVD-RAM、MO/MD、PD(相 變化磁碟)、光導用之磁碟基板材料、拾取透鏡、保護膜; 84913 -84 - 200307726 其等所使用之各種塗遵 劑、保護膜、模製構件、接著劑等。 在尤學機4領域中,介 ^ ^ ^ 、可舉例:照相機之鏡頭用材料、 取景鏡頭、目標鏡頭、取 憎 去 备覆蓋器、受光感測部;其等 ^ ^ ^ ^ ^ ^ 保護膜、模製構件、接著劑等。攝 景/機(攝影鏡頭、取蚕典 辦 扭確胳^ 取$鏡頭;其等所使用之各種塗覆劑、 保k膜、模製構件、接著 膜;其等所使用之各種Γ考 機之投影鏡頭、保護 w Μ 塗覆劑、保護膜、模製構件、接著 劑寺。光辨識機器之鏡 員用材科、各種薄膜;其等所使用 各種塗覆劑、保護膜、模製構件、接著劑等。 件領域中,亦可舉例:在光通訊系統之光開關周 2域㈣、鏡頭、導波管、元件;其等所使用之各種 \、劑'保硬膜、模製構件、接著劑等β光連接器周邊之 、纖材料%:圈,其等所使用之各種塗覆劑、保護膜、模 構:接著劑等。光雙動零件、光電路零件中,透鏡、 導波Ί转使用之各種塗㈣、保龍、模製構件、 接著^等。光電子積體電路(0EIC)周邊的基板材料、光纖 材料;其等所使用之各種塗覆劑、保護膜、模製構件、接 耆劑等。 在光纖領域中,亦可舉例··裝飾顯示器用照明、光導等、 工業用途-之感測器類、顯示、標識類等、通訊設施用及家 庭用之數位機器連接用的光纖;其等所使用之各種塗覆 劑、保護膜、模製構件、接著劑等。 在半導體積體電路周邊材料中,可舉例LSI、超LSI材料 用之微影用的光阻材料。 84913 -85· 200307726 亦可舉例:汽車用頭燈、尾燈、
其等所使用之各種塗覆劑、保護膜、模製構件、接著 在汽車、輸送機領域中, 室内燈具等之燈具材料、9 面板場之各種内外裝品、3 塗覆劑、保護膜、模製槿^ 次世代之光電功能有機材料中,亦可舉例··有機el元件 周邊材料、有機光反射元件、光-光變換裝置即光增幅元 件光’夫算元件、有機太陽電池周邊的基板材料、光纖材 料、元件之模製構件,·其等所使用之各種塗覆劑、保護膜、 模製構件、接著劑等。 <第二之本發明> 第二之本發明硬化性組合物係含有以上述通式(π)所示 之化合物作為(Α)成分。在第二之本發明硬化性組合物中, (Α)成分亦可為只由以上述通式(11)所示之化合物所構成 者,或於以上述通式(II)所示之化合物以外,亦可含有於一 分子中至少含有2個與SiH基具有反應性的碳-碳雙鍵之有 機化合物。上述有機化合物係與第一之本發明的(A)成分相 84913 -86- 200307726 同。 第二之本發明硬化性組合物係含有與第一之本發明相同 的(B)成分及(C)成分。第二之本發明硬化性組合物係亦可含 有與第一之本發明相同的(D)成分,亦可不含有。第二之本 發明硬化性組合物係亦可含有與第一之本發明相同的(E) 成分,亦可不含有。第二之本發明硬化性組合物係亦可含 有與第一之本發明相同的任意成分,亦可不含有。 | 在第二之本發明硬化性組合物中,可預先混合各成分, 藉由使與組合物中之SiH基具有反應性之碳•碳雙键與SiH # 基之一邵分或全部反應而硬化形成硬化物。 混合之方法可採取各種方法,宜為使混合著(A)成分及(C) 成分而成者、與(B)成分混合之方法。若為在(A)成分與(B) 成分之混合物中混合(C)成分之方法係很難控制反應。混合 物(B)成分與(C)成分而成者,係因促進(B)成分與水分之反 應,故有時在貯藏中等亦會變質,而不佳。 第二之本發明硬化性組合物的硬化方法及成形方法係與 第一之本發明的情形相同。' 馨 第二之本發明硬化性組合物係可使用於與第一之本發明 / 硬化性組合物相同之用途。 · <第三之本發明> 第三之本發明硬化性組合物係含有:以上述通式(III)所 示之化合物與於一分子中至少具有2個SiH基之化合物進行 矽氫化反應而得到之化合物及/或以上述通式(IV)所示之化 合物與於一分子中至少具有3個SiH基之化合物進行矽氫化 反應而得到之化合物作為(B)成分。在第三之本發明硬化性 84913 -87- 200307726 組合物中,(B)成分亦可為只由以上述化合物所構成者,或 於以上化合物以外,亦可含有於一分子中至少含有2個siH 基的化合物。於上述一分子中至少含有2個SiH基的化合物 係與弟一之本發明的(B)成分相同。 第三之本發明硬化性組合物係含有與第一之本發明相同 的(A)成分及(C)成分。第三之本發明硬化性組合物係亦可含 有與第一之本發明相同的(D)成分,亦可不含有。第三之本 發明硬化性組合物係亦可含有與第一之本發明相同的 成分,亦可不含有。第三之本發明硬化性組合物係亦可含 有與第一之本發明相同的任意成分,亦可不含有。 第二之本發明硬化性組合物的混合方法係與第二之本發 明的情形相同。第三之本發明硬化性組合物的硬化方法及 成形方法係與第一之本發明的情形相同。 第三之本發明硬化性組合物係可使用於與第一之本發明 硬化性組合物相同之用途。 <第四之本發明> 第四之本發明係以第一、第二及第三之本發明的硬化性 組合物封裝的發光二極體。具體的態樣係具備:發光元件、 配置著該發光元件之外部電極形成於上面之基板、連接於 該基板上&模製構件;而使前述基板與模製構件之接觸面 為100%時,前述外部電極與模製構件之接觸面為 50%~90%,同時前述模製構件為^之本發明之硬化性組合 物0 發光元件、配置著該發 另一態樣之發光二極體係具備 84913 -88 200307726 光元件之底面與側壁所構成的開口部之封裝體、封裝前述 開口部之模製構件;前述封裝體係以於前述開口部底面露 出外部電極之一端部的方式以成形樹脂一體成形而構成 者,前述開口部底面之面積為100%時,前述開口部底面所 露出之外部電極的占有面積為50%〜90%,同時前述模製構 件為第一之本發明之硬化性組合物。 本發明之發光二極體可藉由如上述的組合物而被覆發光 元件來製成。 上述發光元件並無特別限定,而可使用發光二極體所使 用之發光元件。例如依所謂MOCVD法、HDVPE法、液相成 長法之各種方法,而依需要在設有GaN、A1N等之緩衝層的 基板上積層半導體材料而製成者等。 上述基板並無特別限定,但可舉例藍寶石、尖晶石、SiC、 Si、ZnO、GaN單結晶等。此等之中,就可很容易形成結晶 性良好的GaN、且工業上利用價值高之觀點,宜為藍寶石。 所積層之上述半導體材料並無特別限定,可舉出GaAs、 GaP、GaAlAs、GaAsP、AlGalnP、GaN、InN、AIN、InGaN、 InGaAIN、SiC等。此等之中,就可得到高輝度之觀點,宜 為氮化物系化合物半導體(InxGaYAlzN)。上述半體材料亦可 含有賦予-活性劑等。 - 上述發光元件之構造並無特別限定,但可舉例:具有MIS 接合、pn接合、PIN接合之均質接合、異質接合、雙異質構 造等。又,亦可形成單一或多重量子電井構造。 上述發光元件係可設置被動層,亦可不設置。 84913 -89 - 200307726 在上述發光元件係可以習知所知之方法而形成電極。 發光元件上之電極可以各種方法與引線端子等電氣連 接。電氣連接構件並無特駭定,但宜為與發光元件之電 極的歐姆性機械性連接性等佳者,例如使用金、銀、銅、 白金、銘、此等合金之黏著絲線等。亦可使用銀、碳等之 導電性填充材填充於樹脂之導電性接著劑等。此等之中, 就作業性良好之點而1 ’宜為銘線或金線。 在本發明中,苴為垂直方向之光度顯示lcd以上之發光元 件。當使用垂直方向之光度為2cd以上之發光元件時,本發 明之效果更顯著。當使用3ed以上之發光元件時,本發明之 效果最顯著。 上述發光7G件人發光輸出並無特別限定,而於2〇❿八使用 1 mW以上之發光元件時本發明之效果很顯著,在2〇瓜八使 用4 mW以上之發光兀件時,本發明之效果更明顯,在2〇❿八 使用5 mW以上之發光元件時,本發明之效果最顯著。 上述發光元件之發光波長從紫外線區域至紅外線區域並 供特別限定,但當使用主發光譜峰波長為55〇 nm&下時, 本發明之效果特別顯著。上述發光元件可使用一種而使之 單色發光,亦可使用複數種而使之單色或多色發光。 本發明-之發光二極體所使用之引線端子並無特別限定, 但i為與黏著絲線等之電氣連接構件的密著性、電氣傳導 性等良好者。引線端子之電阻並無特別限定,但宜為3〇〇 μΩ .cm以下,更罝為3 μΩ ·οιη以下。上述引線端子之材料 並無特別限足,但,可舉例鐵、銅、含鐵之銅、含錫之鋼、 84913 -90- 200307726 於此等鍍銀、鎳等之物者。上述引線端子為得到良好的光 廣闊性,亦可適宜調整光澤度。 本發明之發光二極體係依第一之本發明的硬化性組合物 而被覆上述發光元件來製造。所謂上述被覆並不限於直接 封裝上述發光元件,而亦包含間接被覆的情形。具體上係 可以第一之本發明硬化性組合物藉以往所使用之各種方法 直接封裝上述發光元件,以環氧樹脂、矽酮樹脂、丙烯酸 樹脂、尿素樹脂、醯亞胺樹脂等之封裝樹脂或玻璃封裝發 光元件後,以第一之本發明硬化性組合物被覆其上或周 圍。又,亦可以第一之本發明硬化性組合物封裝上述發光 疋件後,以環氧樹脂、矽酮樹脂、丙烯酸樹脂、尿素樹脂、 醯亞胺樹脂等進行模铸(亦稱為封裝)。亦可依此等之方法, 利用折射率或比重之差而擁有透鏡效果等之各種效果。 封裝之方法亦可適用各種方法。例如於底部配置發光元 件之杯體、腔體、封裝體凹部等分裝液狀之組合物等其他 各種方法而注入、加熱使之硬化或加熱固體狀或高黏度液 狀之組合物等而使之流動,同樣地注入於封裝體凹部分, 再加熱等而使之硬化。上述封裝體可使用各種材料而製 成,例如聚碳酸酯樹脂、聚苯硫醚、環氧樹脂、丙烯酸樹 脂、矽酮新脂、ABS樹脂、聚對苯二甲酸丁二酯樹脂、聚 苯二甲酸醯胺樹脂等。又,亦可於模具框體中預先注入組 合物’再浸潰一固定著發光元件之引線框等後,使之硬化 i方法亦可適用或於插入有發光元件之模框體中以分裝注 入、藉轉移成形、射出成形等使組合物構成的封裝層成形、 84913 -91- 200307726 硬化。亦可僅使呈液狀或流域態之組合物呈發光元件狀 滴下或塗覆而使之硬化。於發光元件上亦可藉由孔版印 刷、網版印刷或掩模而進行㈣等,使硬化性樹脂成形而 硬化。亦可依預先呈板狀或透鏡形狀等部分硬化或硬化之 組合物固定於發光元件上之方法。進一步,亦可使用來作 為將發S元件固定㈣線端子或封錢之晶粒黏著劑或亦 可使用來作為發光元件上之被動膜。又,亦可使用來作為 封裝體基板。 被覆部分之形狀亦無特別限定,而可採取各種形狀。例 如可舉例:透鏡形狀、板狀、薄膜狀、特開平、以料兄記 載之形狀。此等之形狀係藉由使組合物成形硬化而形成 的’或使組合物硬化後,藉後加工形成的。 本發明之發光一極體係可形成各種形式,例如可為燈形 式、SMD形式、晶片形式等之任一者的形式。smd形式、 晶片形式之封裝體基板可使用各種,可舉例如環氧樹脂、 BT樹脂、陶瓷等。 本發明之發光二極體可適用各種方式。可舉例如:於發 光元件背面設有一使光反射或集光之層的方式;對應於封 裝樹脂之黃變而使補色著色部形成於底部之方式;使一能 吸收比主:發光譜峰還短波長之光的薄膜設於發光元件上的 方式;以軟質或液狀之模製構件封裝發光元件後以硬質材 負模鏵周圍之方式;吸收來自發光元件之光而放出更長波 長之螢光的螢光體,以含此螢光體之材料封裝發光元件 後’模鑄周圍之方式;預先形成一含螢光體之材料後模鑄 84913 -92- 200307726 發光元件之方式;如特開平6-244458記載般,使模製構件 形成特殊形狀而提高發光效率之方式;為降低輝度不均使 封裝體形成2段狀之凹部的方式;使發光二極體插入貫通孔 而固定的方式;於發光元件表面形成一可吸收比主發光波 長還短波長之光的薄膜之方式;藉由一烊接著發光元件之 凸塊等的倒裝片式連接等而與引線構件等連接而從基板方 向取出光的方式等。 本發明之發光二極體可使用於以往公知之各種用途。具 體上可舉例:背燈、照明、感測光源、車輛用計器光源、 信號燈、顯示燈、顯示裝置、面狀發光體之光源、顯示器、 裝飾、各種燈等。 【實施方式】 以下,表示本發明之實施例及比較例,但,本發明不受 以下所限定。 首先’ 1己載有關於(B)成分即1分子中含有至少2個之siH 基的化合物之合成例。 (合成例1) 於5升之分離式燒瓶中加入甲苯1·8 kg及1,3,5,7-四甲基環 四碎氧燒1· 44 kg,加熱至内溫成為104 °C。再滴入三烯丙基 三聚異氰:酸酯200 g、白金乙烯基矽氧烷錯合物之二甲苯溶 液(白金含有3 wt%) 1.44 ml及甲苯200 g之混合物。在12〇。〇 之油浴中加熱回流7小時。加入1-乙炔基-1-環己醇ι·7 g。減 壓餾去未反應之1,3,5,7-四甲基環四矽氧烷及甲苯。依 iH-NMR,可知此物係1,3,5,7-四甲基環四矽氧烷之siH基的 84913 -93· 200307726 一邵分與三烯丙基三聚異氰酸酯反應而成者(稱為部分反 應物 B1,SiH 價:8.2 mmol/g,烯丙基價:0.12 mmol/g)。生 成物為混合物,但,含有本發明之(B)成分即下述者作為主 成分。又’含有本發明之(C)成分即白金乙烯基矽氧烷錯合 物0
(實施例1) 使用三烯丙基三聚異氰酸酯12.04 g作為(A)成分、合成例 1之反應物(B1) 17.96 g作為(B)成分、白金乙婦基碎氧燒錯 合物之二甲苯溶液(白金含有3 wt%) 90 mg作為(C)成分、7 -環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷0.75 g作為(D)成分、鋁三(乙 基乙醯弓酮配位基)0.15 g作為(E)成分(川研Fi?e Chemica卜商品名:ALCH-TR)。預先混合攪捽上述(A)成分、 (C)成分及(E)成分,製作混合物A液。又,預先混合授掉上 述(B)成分、(D)成分及卜乙炔基-1-環己醇90 mg,製作混合 物B液。混合上述混合物A液與混合物B液,進行授掉•脫 84913 -94- 200307726 泡,形成一液混合物。以3 mm厚之梦酮橡膠作為間隙子被2 片之玻璃板挾住而製成之格室中流入該一液混合物,以60 °C/1小時、70°C/1小時、80°C/1小時、120°C/1小時、150°C /1小時在熱風乾燥機中加熱,使之硬化,得到厚約3 mm之 目視均一且無色透明的硬化物。 (比較例1) 使用三烯丙基三聚異氰酸酯1.0 g作為(A)成分、合成例1 之反應物(B1) 1.49 g作為(B)成分、白金乙烯基矽氧烷錯合 物之二甲苯溶液(白金含有3 wt%) 7.5 mg作為(C)成分。預先 混合攪拌上述(A)成分及(C)成分,製作混合物A液。又,混 合上述混合物A液與混合物(B)成分,進行撥拌•脫泡,形成 一液混合物。以3 mm厚之矽酮橡膠作為間隙子被2片之玻璃 板挾住而製成之格室中流入該一液混合物,以60 °C /1小 時、70°C/1小時、80°C/1小時、120°C/1小時、150°C/1小時 在熱風乾燥機中加熱,使之硬化,得到厚約3 mm之目視均 一且無色透明的硬化物。 (比較例2) 使用三烯丙基三聚異氰酸酯1.0 g作為(A)成分、合成例1 之反應物(B1) 1.49 g作為(B)成分、白金乙缔基矽氧烷錯合 物之二甲:苯溶液(白金含有3 wt%) 7.5 mg作為(C)成分、γ -環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷0· 125 g作為(d)成分。預先混 合擾拌上述(A)成分及(C)成分,製作混合物a液。又,預先 混合攪拌上述(B)成分及(D)成分,製作混合物b液。混合上 述混合物A液與混合物B液,進行攪拌•脫泡,形成一液混合 84913 -95- 200307726 物。以3 mm厚之矽酮橡膠作為間隙子被2片之玻璃板挾住而 製成之格室中流入該一液混合物,以60°C /1小時、70°C /1 小時、80°C/1小時、120°C/1小時、150°C/1小時在熱風乾燥 機中加熱,使之硬化,得到厚約3 mm之目視均一且無色透 明的硬化物。 (測定例1) 在實施例1,比較例1及2所調製之一液混合物在鋁板 (A-1050P)上製作約20/m之塗膜,在not下加熱1小時。光 學材料為無色透明。冷卻至室溫後,依據JISK54〇〇棋盤眼 膠帶法,進行附著性試驗(2 min平方之棋盤眼為25質量)。 所得到之結果表示於表1中。 (測定例2) 對於實施例1、比較例丨及2所得到之硬化物,使用斯葛試 驗機M6T型測量天候計(黑色面板溫度120°C、照射強度:50 MJ/m )而進行耐熱耐光性試驗。使用分光光度計(U-3 300、 曰乂則疋試驗前後之著色狀態及470 nm光線透過率。所得 到結果表示於表1中。 84913 96- 200307726 表1 實施例1 比較例1 比較例2 在鋁棋盤之棋盤眼試驗 〇 ▲ X 耐熱耐光性 試驗前 著色狀態 無色透明 無色透明 無色透明 470 nrn光線透過率 88.49% 89.68% 90.21% 耐熱耐光性 試驗後 著色狀態 微黃色透明 微黃色透明 微黃色透明 470 nm光線透過率 83.90% 84 26% 89.45% •棋盤眼試驗之評估 〇:未剝離 ▲:剝離面積50%以上 △:剝離面積50%以下 X : 100%剝離 從表1可知本發明之硬化性組合物係接著性優、不會受 熱、光劣化而引起的著色、具有高耐熱耐光性。 (實施例2) 將實施例1製成之片狀硬化物切成適當的形狀,固定於設 在罐型用之金屬蓋上的光透過用窗部分。另外,準備藉 MOCVD(有機金屬氣相成長)法形成於藍寶石基板上,且以η _ 型與Ρ型之AlGaN覆蓋層挾住一摻雜著Si與Ζη之InGaN活性 / 層的雙異質構造發光元件。繼而,將此發光元件戴置於罐 / 型用金屬之桿後,於各別之引線以Au線絲焊ρ電極、η電極。 再以上述~罐型用之金屬蓋進行氣密封裝。如此一來,可製 作罐型之發光二極體。 (實施例3) 在所洗淨之藍寶石基板上藉MOCVD(有機金屬氣相成長) 法,依序積層如下之層:未摻之氮化物半導體即η型GaN層、 84913 -97- 200307726 形成Si摻雜之n型電極且成為η型接觸層之GaN層、未摻雜之 氮化物半導體即!!型GaN層、其次構成發光層之阻隔層的 GaN層、構成電井層iInGaN層、成為阻隔層之gw層(量子 電井構造)、於發光層上摻雜Mg且作為p型覆蓋層之A1 GaN 層、摻雜Mg之p型接觸層即GaN層。藉蝕刻於藍寶石基板上 之氮化物半導體並在同一側面,使pn各接融層表面露出。 在各接觸層上使用濺鍍法蒸鍍A1,分別形成正負各電極。 在完成之半導體晶圓上劃刻線後,以外力使之分割,形成 發光元件。 在由於表面以銀鍍著之含鐵的銅所構成的承載引線杯 體底面上’利用環氧樹脂組合物作為晶粒黏著樹脂而晶粒 黏著上述發光元件。再於170°C下加熱75分鐘,使環氧樹脂 組合物硬化,固定發光元件。其次,使發光元件之正負各 電極與承載引線及内部引線以AU線絲焊,獲得電氣導通。 將與實施例1相同做法所調製之硬化性組合物注入砲彈 型心模框即模铸殼體内。將上述發光元件配置於杯體内之 承載引線及内部引線的一部分插人於模鑄殼體内,在1〇〇它 下進行1小時之初期硬化。從模鑄殼體拔出發光二極體,在 氮氣下以120°C進行硬化1小時。藉此,可製成砲彈型等之 燈型的發-光二極體。 (實施例4) 以實施例1記載之方法製作硬化性組合物。 藉姓刻於玻璃環氧樹脂上形成一對之銅箔圖案,俾形成 擁有引線電極之基板。將發光元件利用環氧樹脂晶粒黏著 84913 -98- 200307726 於玻璃環氧樹脂上。分別以Au線絲焊發光元件之各電極與 各引線電極,取得電氣導通。於基板上使貫通孔開通之玫 璃環氧樹脂藉環氧樹脂固定配置作為掩模兼侧壁。以此狀 態配置於真空裝置内,同時並於已配置發光元件之坡璃環 氧樹脂基板上分裝硬化性組合物,在利用貫通孔之空腔内 填充硬化性組合物。以此狀態,在l〇0°c下硬化丨小時,進 一步在150°C下硬化1小時。分割成每一發光二極體晶片, 可製成晶片型發光二極體。 (實施例5) 以實施例1記載之方法製作硬化性組合物。 藉插入成形利用PPS樹脂形成晶片型發光二極體之封裝 體。在封裝體内具備一配置著發光元件之開口部,配置一 鍍銀之銅板作為外部電極。在封裝體内部利用環氧樹脂晶 粒黏著發光元件而固定之。在發光元件之各電極與設於裝 體之各外部電極分別絲焊導電性絲線,使之電氣連接。於 封裝體開口部内填充硬化性組合物作為模製構件。在此狀 態下’以100°c硬化1小時,再以150°c硬化1小時。如此一 來’可製成晶片型發光二極體。 (實施例6) 以實施:例1記載之方法製作組合物。 _ 實施例6之發光二極體係具備:呈藍色系發光之發光元 件、具有一由配置著該發光元件之底面與側壁所構成的開 口邵之封裝體、封裝該開口部之模製構件。此模製構件係 使用實施例1記載之方法所製作的組合物、與(Yg 8Gd〇 2)3 84913 -99- 200307726
Al5〇i2:Ce之YAG系螢光體。均一混合此實施例1之組合物與 YAG系螢光體後,將此混合物注入於一配置發光元件之封 裝體的開口部内。注入此混合物後,以60°C/6小時、70°C/1 小時、80°c/l小時、120°C/1小時、150°C/1小時在熱風乾燥 機中加熱,使之硬化。藉此,製作一呈白色系發光之發光 二極體。 (比較例3) 藉由與實施例6之發光二極體相同的方法,使用環氧樹脂 替代本發明之硬化性組合物而製作發光二極體。該環氧樹 脂係調配使用Daicel化學工業股份有限公司(Celoxide 2021 p) 30 g、Japan Epoxy Resin股份有限公司(YX8000) 70 g、三 新化學工業股份有限公司(San Aid SI-100L) 1 g。均一地混 合此環氧樹脂與上述組成之YAG系螢光體後,將此混合物 注入於配置發光元件之封裝體的開口部内。注入環氧樹脂 後,在熱風乾燥機中以90°C/3小時、150°C/4小時加熱硬化。 藉此,製作比較例3之發光二極體。 以往,用以保護發光元件之模製構件,係使用環氧樹脂 而製作發光二極體。該環氧樹脂就接著性,光透過性、強 度、硬度等而言很優異。但,該環氧樹脂擁有易吸濕之性 濫。因此τ ’水分會從保護發光元件之環氧樹脂外部表面穿 透。如後述般’來自模製構件之透水會產生如下問題:封 裝體之電極腐蝕、隨著通電之發光元件的發熱產生發光元 件的剝離等。尤其,當發光元件之回流實裝時,會產生水 蒸氣爆炸,易引起剥離。如此,在樹脂封裝型發光元件之 84913 •100· 200307726 耐濕性問題極為重要。 (發光二極體驅動試驗) 使用實施例6及比較例3所製作之發光二極體,進行驅動 試驗。表2係表示實施例6之發光二極體及比較例3之發光二 極體在特定的條件下進行驅動試驗之結果。 表2 室溫、10mA 室溫、20 mA 60〇C、90%、10 mA 85〇C ' 10 mA 85eC、85%、5 mA (%) (%) (%) (%) (%) 實施例6 100 100 101 101 98 比較例3 89 80 62 108 26 表面實裝型之塑膠封裝體有如下之問題。使表面實裝型 之塑膠封裝體吸濕後,進行回流,其且其流動時引起水蒸 氣爆炸。藉此水蒸氣爆炸’於發光元件與封裝體之界面會 產生間隙。一般,在發光元件與封等體之界面無間隙的狀 態下,使發光元件通電時,從發光元件產生之熱會介由封 裝體而放熱。因此,幾乎不會產生發光元件之劣化。然而, 因剝離在發光元件與封裝體之界面產生間隙,使發光元件 產生通電時,從發光元件產生之熱不能充分傳達至封裝 體。因此,從發光元件產生之熱很難釋出至外部。藉此, 會促進發τ光元件周邊之樹脂部的熱劣化,光輸出會降低_。 水分或雜質會侵入於剝離所造成之間隙,使發光元件腐 蝕。又,若封裝體龜裂會達到封裝體表面,或封裝號膨m 變形,會成為外觀不良,喪失商品價值。 在南溫/多濕區域’只因將封裝體放置於大氣中,而引起 84913 -101- 200307726 龜裂致吸收充分量之水分。以30°C/70%使發光二極體放置 吸濕168小時後,進行回流,實裝。其實裝後,在特定之溫 度及濕度之下,進行發光二極體之驅動試驗。 若概論發光二極體之驅動試驗,發光二極體在特定之溫 度及濕度之下,投下某一定量順方向電流,測定光輸出及 經過時間之關係。測定回流後之光輸出,以該測定值作為 100%,其次,測定1000小時通電時之光輸出,表示其相對 值。其相對值愈高,愈顯示可承受長時間之保管及驅動。 首先’實施例6所得到之發光二極體與比較例3之發光二 極體於室溫下朝順方向電流投下1〇 mA,測定1000小時經過 後之光輸出。其結果,實施例6之發光二極體乃比比較例3 之發光二極體顯示高的光輸出。又,實施例6之發光二極體 不會造成光輸出之降低。 其次,實施例6所得到之發光二極體與比較例3之發光二 極體於室溫下朝順方向電流投下2〇 mA,測定1 〇〇〇小時經過 後之光輸出。其結果,實施例6之發光二極體乃比比較例3 之發光二極體顯示高的光輸出。又,實施例6之發光二極體 幾乎不會造成光輸出之降低。 其次,實施例6所得到之發光二極體與比較例3之發光二 極體於溫凌601、濕度90%之高溫高濕下朝順方向電流投下 10 mA,測定1〇〇〇小時經過後之光輸出。其結果,實施例6 <發光二極體乃比比較例3之發光二極體顯示很高的光輸 出。又’實施例6之發光二極體幾乎不會造成光輸出之降低。 再者’實施例6所得到之發光二極體與比較例3之發光二 84913 -102- 200307726 極體於溫度85 °C之高溫條件下朝順方向電流投下1 〇 mA,測 足1000小時經過後之光輸出。實施例6之發光二極體不會造 成光輸出之降低。 進一步,實施例6所得到之發光二極體與比較例3之發光 二極體於溫度85°C、濕度85%之高溫高濕下朝順方向電流投 下5 mA,測定1 〇〇〇小時經過後之光輸出。其結果顯示實施 例6之發光二極體較比較例3之發光二極體具高光輸出。 又,實施例6之發光二極體不會造成光輸出之降低。 從以上之試驗結果可知,本發明之發光二極體係即使在 很嚴之保管條件或實裝條件、使用條件中亦可維持高信賴 性。 (實施例7) 使用三烯丙基三聚異氰酸酯12.04 g作為(A)成分、合成例 1之反應物(B1) 17.96 g作為(B)成分、白金乙烯基矽氧烷錯 合物之二甲苯溶液(白金含有3 wt%) 90 mg作為(C)成分、r -環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷750 mg作為(D)成分、硼酸三 甲酯150 mg作為(E)成分。預先混合挽拌上述(A)成分、(c) 成分及(E)成分,製作混合物A液。又,預先混合授拌上述 (B)成分、(D)成分及1-乙決基-1-環己醇90 mg,製作混合物 B液。混合上述混合物A液與混合物B液,進行攪拌•脫泡_, 形成一液混合物。以3 mm厚之矽酮橡膠作為間隙子被2片之 玻璃板挟住而製成之格室中流入該一液混合物,以60/6 小時、70°C/1小時、80°C/1小時、120°C/1小時、l5〇°c/l小 時在熱風乾燥機中加熱,得到透明硬質的成形體。 84913 -103- 200307726 (實施例8) 使用三烯丙基三聚異氰酸酯12.04 g作為(A)成分、合成例 1之反應物(B1) 17.96 g作為(B)成分、白金乙烯基矽氧烷錯 合物之二甲苯溶液(白金含有3 wt%) 90 mg作為(C)成分、r -環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷750 mg作為(D)成分、硼酸三 正丁酯150 mg作為(E)成分。預先混合攪拌上述(A)成分、(C) 成分及(E)成分,製作混合物A液。又,預先混合攪拌上述 (B)成分、(D)成分及1-乙炔基-1-環己醇90 mg,製作混合物 B液。混合上述混合物A液與混合物B液,進行攪拌·脫泡, 形成一液混合物。以3 mm厚之矽酮橡膠作為間隙子被2片之 玻璃板挾住而製成之格室中流入該一液混合物,以60°C/6 小時、70°C/1小時、80°C/1小時、120°C/1小時、150°C/1小 時在熱風乾燥機中加熱,得到透明硬質的成形體。 (實施例9) 使用三稀丙基三聚異氰酸酯12.04 g作為(A)成分、合成例 1之反應物(B1) 17.96 g作為(B)成分、白金乙烯基矽氧烷錯 合物之二甲苯溶液(白金含有3 wt%) 90 mg作為(C)成分、r -環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷7 50 mg作為(D)成分、硼酸三 異丙酯150 mg作為(E)成分。預先混合攪拌上述(A)成分、(C) 成分及(E〇成分,製作混合物A液。又,預先混合攪拌上述 (B)成分、(D)成分及1-乙炔基-1-環己醇90 mg,製作混合物 B液。混合上述混合物A液與混合物B液,進行攪拌·脫泡, 形成一液混合物。以3 mm厚之矽酮橡膠作為間隙子被2片之 玻璃板挾住而製成之格室中流入該一液混合物,以60°C/6 84913 -104- 200307726 小時、70°C/1小時、80°C/1小時、120°C/1小時、150°C/1 小 時在熱風乾燥機中加熱,得到透明硬質的成形體。 (實施例10) 使用三烯丙基三聚異氰酸酯12.04 g作為(A)成分、合成例 1之反應物(B1) 17.96 g作為(B)成分、白金乙烯基矽氧烷錯 合物之二甲苯溶液(白金含有3 wt%) 90 mg作為(C)成分、γ -環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷750 mg作為(D)成分、硼酸三 正丙酯150 mg作為(E)成分。預先混合攪拌上述(A)成分、(C) 成分及(E)成分,製作混合物A液。又,預先混合攪拌上述 (B)成分、(D)成分及1-乙炔基-1-環己醇90 mg,製作混合物 B液。混合上述混合物A液與混合物B液,進行攪拌·脫泡, 形成一液混合物。以3 mm厚之矽酮橡膠作為間隙子被2片之 玻璃板挾住而製成之格室中流入該一液混合物,以60°C/6 小時、70°C/1小時、80aC/l小時、120°C/1小時、150°C/1 小 時在熱風乾燥機中加熱,得到透明硬質的成形體。 (測定例3;) 於具有引線電極之幅2.5 mm、長3 mm、深2 mm之樹脂製 封裝體中,填充實施例7〜1〇及實施例1之硬化性組合物,以 60°C/6小時、70°C/1小時、80°C/1小時、12〇°C/l小時、150 °C/1小時進行加熱。對於此等之封裝體實施熱衝擊試驗 熱衝擊試驗係使封裝體曝露於_40°C 5分鐘後,昇溫至100 °C,曝露於l〇(TC5分鐘,然後降至-4(rc,曝露於-40^5分 鐘,重複如此循環1〇〇次。1〇〇次循環結束後,以實施例7〜1〇 之硬化物封裝之封裝體,係與封裝體底面、及侧面之接著 84913 -105- 200307726 性良好’顯7F與實施例丨所得到之硬化物相同的性能。 (測定例4) 對於貫施例7及實施例〗所得到之試料評估抗拉彈性率及 抗拉延伸。試驗片係從厚3 mm之板狀硬化物切出6x55x3 mm之短片’形成一在長邊方向之中央附近從兩侧以^=1〇 mm深1 mm之U型缺口挾住者。測定係使用一放置於23。〇 50% RH之環境下的自動記錄器,使卡盤間距離為15 mm, 试驗片之U型缺口邵在卡盤間之中央附近,以卡盤挾住其兩 端,再以1 mm/分之速度進行抗拉試驗。所得到之結果表示 於表3中。 表3 抗拉特性 強度,Mpa 延伸,°/〇 實施例7 30 6 實施例1 21 3 從表3可知,於(E)成分中使用硼酸酯之本發明硬化物係 具有高抗拉強度及延伸。 (測定例5) 對於實施例7〜10及實施例1所得到之試料,評估於初期及 180°C/24小時、l90°C/24小時、200°C/24小時加熱後之波長 470 nm中之光線透過率。評估裝置係係使用曰立製作所製 分光光度計IM300。所得到之結果表示於表3中。 84913 -106- 200307726 表4 在470 nm之光線透過率,% 初期 180〇C/24h 190〇C/24h 200〇C/24 h 實施例7 90 82 79 72 實施例8 89 82 65 52 實施例9 90 82 66 52 實施例10 89 81 61 51 實施例1 88 34 18 11 從表4可知,於(E)成分中使用硼酸酯之本發明硬化物係 於高溫下之光線透過率變化很小。 (實施例11) 將實施例7製成之片狀硬化物切成適當的形狀,固定於設 在罐型用之金屬蓋上的光透過用窗部分。另外,準備藉 MOCVD(有機金屬氣相成長)法形成於藍寶石基板上,且以η 型與Ρ型之AlGaN覆蓋層挾住一摻雜著Si與Ζη之InGaN活性 層的雙異質構造發光元件。繼而,將此發光元件戴置於罐 鲁 型用金屬之桿後,於各別之引線以Au線絲焊ρ電極、η電極。 . 再以上述罐型用之金屬蓋進行氣密封裝。如此一來,可製 / 作罐型之發光二極體。 (實施例1¾) · 在所洗淨之藍寶石基板上藉MOCVD(有機金屬氣相成長) 法,依序積層如下之層:未摻之氮化物半導體即η型GaN層、 形成Si摻雜之η型電極且成為η型接觸層之GaN層、未掺雜之 氮化物半導體即η型GaN層、其次構成發光層之阻隔層的 84913 -107- 200307726
GaN層、構成電井層iInGaN層、成為阻隔層之層(量子 電井構造)、於發光層上摻雜Mg且作為p型覆蓋層之AK}aN 層、摻雜Mg之p型接觸層即GaN層。藉蝕刻於藍寶石基板上 心氮化物半導體並在同一侧面,使pn各接觸層表面露出。 在各接觸層上使用濺鍍法蒸鍍八丨,分別形成正負各電極。 在完成之半導體晶圓上劃刻線後,以外力使之分割,形成 發光元件。 在一由於表面以銀鍍著之含鐵的銅所構成的承載引線杯 體底面上,利用環氧樹脂組合物作為晶粒黏著樹脂而晶粒 黏著上述發光元件。再於17〇°C下加熱75分鐘,使環氧樹脂 組合物硬化,固定發光元件。其次,使發光元件之正負各 電極與承載引線及内部引線以Au線絲焊,獲得電氣導通。 將與實施例7相同做法所調製之硬化性組合物注入砲彈 型之模框即模鑄殼體内。將上述發光元件配置於杯體内之 承載引線及内部引線的一邵分插入於模鑄殼體内,在1 〇〇 t 下進行1小時之初期硬化。從模鑄殼體拔出發光二極體,在 氣氣下以120C進行硬化1小時。藉此,可製成跑彈型等之 燈型的發光二極體。 (實施例13) 以實施?例7記載之方法製作硬化性組合物。 藉蝕刻於玻璃環氧樹脂上形成一對之銅箔圖案,俾形成 擁有引線電極之基板。將發光元件利用環氧樹脂晶粒黏著 於玻璃環氧樹脂上。分別以Au線絲焊發光元件之各電極與 各引線電極,取得電氣導通。於基板上使貫通孔開通之玻 84913 -108- 200307726 璃環氧樹脂藉環氧樹脂固定配置作為掩模兼側壁。以此狀 態配置於真空裝置内,同時並於已配置發光元件之玻璃環 氧樹脂基板上分裝硬化性組合物,在利用貫通孔之空腔内 填充硬化性組合物。以此狀態,在100°C下硬化1小時,進 一步在150°c下凌化1小時。分割成每一發光二極體晶片, 可製成晶片型發光二極體。 (實施例14) 以實施例7記載之方法製作硬化性組合物。 藉插入成形利用PPS樹脂形成晶片型發光二極體之封裝 體。在封裝體内具備一配置著發光元件之開口部,配置一 鍍銀之銅板作為外部電極。在封裝體内部利用環氧樹脂晶 粒黏著發光元件而固定之。在發光元件之各電極與設於裝 體之各外部電極分別絲焊導電性絲線,使之電氣連接。於 封裝體開口部内填充硬化性組合物作為模製構件。在此狀 態下,以100°C硬化1小時,再以150°c硬化1小時。如此一 來,可製成晶片型發光二極體。 (實施例15) 使用三烯丙基三聚異氰酸酯12·04 g作為(A)成分、合成例 1之反應物(B1) 17.96 g作為(B)成分、白金乙烯基矽氧烷錯 合物之二了甲苯溶液(白金含有3 wt%) 90 mg作為(C)成分、-7* -環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷750 mg作為(D)成分、硼酸三 正丁酯150 mg作為(E)成分。預先混合攪拌上述(A)成分、(C) 成分及(E)成分,製作混合物A液。又,預先混合挽拌上述 (B)成分、(D)成分及1-乙炔基-1-環己醇90 mg,製作混合物 84913 -109- 200307726 B液。混合上述混合物A液與混合物B液,進行擾拌·脫泡, 形成一液混合物。以3 mm厚之矽酮橡膠作為間隙子被2片之 玻璃板挾住而製成之格室中流入該一液混合物,以6(rc/6 小時、70°C/1小時、80°C/1小時、120°C/1小時、i5〇t/l小 時、170°C/30分鐘在熱風乾燥機中加熱,得到透明硬質的成 形體。 (實施例16) 使用三烯丙基三聚異氰酸酯12.04 g作為(A)成分、合成例 1之反應物(B1) 17.96 g作為(B)成分、白金乙烯基矽氧烷錯 合物之二甲苯溶液(白金含有3 wt%) 90 mg作為(C)成分、r -環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷750 mg作為(D)成分、硼酸三 異丙酯150 mg作為(E)成分。預先混合攪拌上述(A)成分、(C) 成分及(E)成分,製作混合物A液。又,預先混合授拌上述 (B)成分、(D)成分及1-乙炔基-1-環己醇90 mg,製作混合物 B液。混合上述混合物A液與混合物B液,進行擾拌·脫泡, 形成一液混合物。以3 mm厚之矽酮橡膠作為間隙子被2片之 玻璃板挾住而製成之格室中流入該一液混合物,以60°C/6 小時、70°C/1小時、80°C/1小時、12(TC/1小時、150°C/1 小 時、170°C/30分鐘在熱風乾燥機中加熱,得到透明硬質的成 形體。: - (實施例17) 使用三烯丙基三聚異氰酸酯12.04 g作為(A)成分、合成例 1之反應物(B1) 17.96 g作為(B)成分、白金乙烯基矽氧烷錯 合物之二甲苯溶液(白金含有3 wt%) 90 mg作為(C)成分、τ 84913 -110- 200307726 -環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷750 mg作為(D)成分、硼酸三 正丙酯150 mg作為(E)成分。預先混合攪拌上述(A)成分、(C) 成分及(E)成分,製作混合物A液。又,預先混合攪拌上述 (B)成分、(D)成分及1-乙炔基-1-環己醇90 mg,製作混合物 B液。混合上述混合物A液與混合物B液,進行攪拌·脫泡, 形成一液混合物。以3 mm厚之矽酮橡膠作為間隙子被2片之 玻璃板挾住而製成之格室中流入該一液混合物,以60°C/6 小時、70°C/1小時、80°C/1小時、120°C/1小時、150°C/1小 時、170°C/30分鐘在熱風乾燥機中加熱,得到透明硬質的成 形體。 (比較例4) 使用三烯丙基三聚異氰酸酯12.06 g作為(A)成分、合成例 1之反應物(B1) 17.96 g作為(B)成分、白金乙婦基梦氧燒錯 合物之二甲苯溶液(白金含有3 wt%) 95 mg作為(C)成分、r -環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷0.75 g作為(D)成分。預先混 合揽摔上述(A)成分及(C)成分,製作混合物A液。又,預先 _ 混合攪拌上述(B)成分、(D)成分及1-乙炔基-1-環己醇90 ‘ mg,製作混合物B液。混合上述混合物A液與混合物B液, · 進行撥掉•脫泡’形成一液混合物。以3 mm厚之碎酮橡膠作 為間隙子:被2片之玻璃板挟住而製成之格室中流入該一液 混合物,以60°C/1小時、70°C/1小時、80°C/1小時、120°C/1 小時、150°C/1小時、170°C/30分鐘在熱風乾燥機中加熱, 得到透明的硬化物。 (比較例5) 84913 -111- 200307726 使用三烯丙基三聚異氰酸酯3〇·〇 g作為(A)成分、合成例1 之反應物(B1) 44.7 g作為(B)成分、白金乙烯基矽氧烷錯合 物之二甲苯溶液(白金含有3 wt%) 224 mg作為(C)成分。預 先混合攪拌上述(A)成分及(C)成分,製作混合物A液。又, 預先混合攪拌上述(B)成分與1-乙炔基-1-環己醇224 mg,製 作混合物B液。混合上述混合物A液與混合物B液,進行授 拌•脫泡,形成一液混合物。以3 mm厚之矽酮橡膠作為間隙 子被2片之玻璃板挾住而製成之格室中流入該一液混合 物,以60°C/1小時、70°C/1小時、80°C/1小時、120°C/1小時、 150°C/1小時、170°C/30分鐘在熱風乾燥機中加熱,得到透 明的硬化物。 (測定例6) 對於將實施例7及實施例1所得到之硬化物進一步以170 °C/10分鐘進行加熱而成之硬化物,評估於初期及i80°c/24 小時、190。(:/24小時、200°C/24小時加熱後之波長470 nm中 之光線透過率。評估裝置係使用日立製作所製分光光度計 U-3300。所得到之結果表示於表5中。 表5 在470 nm之光線透過率,% 初期 180〇C/24 h 190〇C/24 h 200〇C/24-h 實施例7 90 81 68 57 實施例1 88 34 18 11 從表5可知,於(E)成分中使用硼酸酯之本發明硬化物係 於高溫下之光線透過率變化很小。 84913 -112· 200307726 (測定例7) 使用一在熱硬化性構件中含有高融點結晶而構成的半結 晶性聚合物樹脂作為主劑的樹脂成為封裝體之成形樹脂, 而使鍍銀製之引線框體插入成形的表面實裝用樹脂封裝體 中,填充實施例7〜10、實施例15〜Π及實施例!之硬化性組 合物。以 60°C /1 小時、70°C /1 小時、80°C /1 小時、12(TC n 小時、150°C/1小時、170°C/30分鐘進行加熱。對於此等之 封裝體實施熱衝擊試驗。熱衝擊試驗係使封裝體曝露於_4〇 它5分鐘後,昇溫至1〇〇°(:,曝露於1〇〇它5分鐘,然後降至-4〇 C ’曝露於-4 0C5分鐘,重複如此循環1〇〇〇次。iq⑼次循環 結束後,以實施例7〜10及15〜17之硬化物封裝之封裝體,係 與封裝體底面、及側面之接著性良好,顯示與實施例1所得 到之硬化物相同的性能。 (測定例8) 使用一在熱硬化性構件中含有高融點結晶而構成的半結 晶性聚合物樹脂作為主劑的樹脂成為封裝體之成形樹脂, 而使鍍銀製之引線框體插入成形的表面實裝用樹脂封裝體 中,填充比較例4之硬化性組合物。以60°C/1小時、70°C/1 小時、80°C/1小時、120°C/1小時、150°C/1小時、170°C/30 分鐘進行τ加熱。以比較例4之硬化性組合物所填充之封裝體 硬化終止後,樹脂與封裝體於全數之6成可觀察到側面剥 離。進一步,對於此等之封裝體實施熱衝擊試驗。熱衝擊 試驗係使封裝體曝露於_40°C5分鐘後,昇溫至l〇〇°C,曝露 於l〇〇°C5分鐘,然後降至_40°C,曝露於-40°C5分鐘,重複 84913 -113- 200307726 如此循環1000次。1000次循環結束後,以比較例4所得到之 硬化物封裝之封裝體係硬化物完全從封裝體之底面及側面 剝離。 (測定例9) 使用一在熱硬化性構件中含有高融點結晶而構成的半結 晶性聚合物樹脂作為主劑的樹脂成為封裝體之成形樹脂, 而使鍍銀製之引線框體插入成形的表面實裝用樹脂封裝體 中,填充比較例5之硬化性組合物。以60°C /1小時、70°C /1 小時、80°C/1小時、120°C/1小時、150°C/1小時、17〇t/l〇 分鐘進行加熱。以比較例5之硬化性組合物所填充之封裝體 硬化終止後,樹脂與封裝體於全數之7成可觀察到侧面剝 離。 使用硼酸酯作為(E)成分之本發明硬化性組合物係從測 定例4及6可知能提供具高強度及延伸、且在高溫之條件下 著色很少之硬化物。從測定例7可使在LED封裝體中亦具有 良好的接著性。另外,從測定例8及測定例9可知,為顯現 第一之本發明的效果,只使用(D)成分與(E)成分之任一者係 不充分,與測定例7比較,組合使用(D)成分與(E)成分於第 一之本發明的效果顯現乃很重要。 (實施例18) 在本實施例中,係形成發光二極體,其係使一對之外部 電極形成於上面之玻璃環氧樹脂基板與設於該玻璃環氧樹 脂基板上之模製構件的接觸面為100%,外部電極與模製構 件之接觸面特定成為75〇/〇。 84913 -114- 200307726 本實施例之發光二極體係於模製構件之接觸面全體中夜^ 入外碍包極之接觸面的比例特定為5〇()/。以上9〇%以下,同時 於前述模製構件使用吸濕率低之本發明的硬化性組合物, 俾可強化與前逑模製構件底面之界面的密著性,即使在很 嚴苛的使用環境下亦可維持高的信賴性。 近年,表面貫裝型發光二極體的使用很廣汎,並可實現 电氣機器之小型化、鬲密度化。如此之表面實裝型發光二 極體,係被一印刷有焊錫膏之電路基板上搭載,此等全部 通過紅外線加熱爐即回流裝置,以使前述焊錫膏溶融固 著。又,目前,就環境問題而言,宜為不含所使用之坪錯, 不具有如此之鉛的烊錫融點非常高,發光二極體所要求之 耐熱溫度會進一步提高。 尤其,發光二極體之情形,於外部電極之表面係從所載 置之發光元件的光良好地取出至外部,可形成光反射率高 〈重金屬膜。如此之重金屬因於表面不形成氧化膜,與樹 脂成分之密著力很低1外部電極形成於上面之樹脂基板 與設於該樹脂基板上之模製構件的接觸面為削%時,前述 外部電極與前述模製構件之接觸面為5_上時,封裝體開 口邵底面與模構件底面之密著力缺乏,有對發光二極體造 成重要功-能程度之剝離傾向。 是故,以提高與外部電極之接觸性能為目的,使用一環 氧樹脂,其係具備好子内具有多數氫氧基之化學構造: 硬化後產生氫氧基之化學構造,但具備由縣樹脂所構成 《模製構件的發光二極體在溫度環境的嚴苛條件下進行回 84913 -115· 200307726 机坪接實裝’承有造成模製模製構件與外部電極之界面剝 離的傾向。 模製構件之吸濕性很高時與外氣接觸之模製構件表面所 吸濕 '的水分會擴散至與内部之外部電極接觸的模製構件底 面’水分會存在於模製構件與外部電極之界面。因此,為 —在外部電極與模製構件之界面的密著性良好之發光二極 體,水分介在前述界面時,藉由曝露於高溫,存在於前述 界面《水》會產生水蒸氣爆炸,在前述界面造成剝離。為 抑制此,保管條件必須很嚴格。 、另外,模製構件與封裝體之剥離情況,係如上述般可謂 依存於模製構件與外部電極之接觸面。因此,在前述開口 部底面只要可刪減所露出之外部電極的面積,可提高模製 構件與封裝體之密著性。 然而,若將外部電極之面積減少至極低,放熱性會降低, 要向仏賴性地載置輸出很高的發光元件乃很困難。又, ,與模製構件之接觸面中,若光反射率比外部電極還小的 樹知碍占彳φ積變大,S製構彳内部所配置之發光元件的 光取出效率會降低’若外部電極的面積變小,載置複數之 發光元件要獲得導通乃很難,發光裝置之多功能化變成不 可能。- 在本發明中,係藉由使用可同時滿足耐熱性、接著性良 好及低吸濕性之硬化性組合物的硬化物即模製構件,可提 供一種無損多功能化而可維持高信賴性之發光二極體。 (實施例I9) 84913 116- 200307726 本實施例所使用之封裝體乃具備由底面與侧壁所構成之 開口部,前述底面之面積為100%時,底面所露出之外部電 極的占有面積為75%以外,其餘與實施例18相同而形成發光 二極體,可得到相同之效果。 本實施例之發光二極體係#模製構件之接觸面全體中使 與外部電極之接觸面的比例特定為50%以上9〇%以下,同時 於前述模製構件使用吸濕率低之本發明的硬化性組合物, 俾可強化樹脂封裝體與模製構件底面之界面的密著性,即 使在很嚴苛的使用環境下亦可維持高的信賴性。 (實施例20) 在封裝體開口部的底面中,正的外部電極與負的外部電 極之各端部會以特定的間隔而露出,進一步在各外部電極 中設-封裝成形樹脂露出的至少一對樹脂露出部以外,其 餘與實施例19同樣做法而形成發光如此之封裝體 係與不設上述樹脂露出部時比較,而可增強封裝前述開口 邵之模製構件與封裝體的接合強度H —對的露出部 係,相對於-垂直於各外部電極對向之—端面中心線之轴 而呈左右對稱設置。藉此,可使發光裝置之指向特性形成 左右對稱。又,此樹脂露出部係形成切人外部電極等而於 :切入等之内部形成成形樹脂,藉此,可強固地固定外部 電極與成形樹脂,亦可防止此等之剝離。 (實施例21) 本灵施例中,係在熱硬化性構件中含有高融點結晶而 成的半結晶性聚合物樹脂基板上以㈣形成—對的銅落 84913 -117- 200307726 圖案,俾形成一擁有引線電極之基板,除此以外其餘係與 實施例18相同做法而形成發光二極體,則可進一步得到高 L賴性之發光二極體。又,在本說明書中,所謂半結晶性 聚合物樹脂乃指結晶化度為1〇 wt%〜6〇 wt%之聚合物樹 舳本貫施例所使用之半結晶性聚合物樹脂係融點280°C、 玻璃轉移溫度l〇(TC的結晶化度為25 wt%之芳香族聚苯二 甲酸醯胺。如此,由玻璃轉移溫度低的樹脂所構成之封裝 體,因為等方性材料同時吸濕率低,故可抑制由熱應力造, 成<模製構件的剝離。又,在半結晶性聚合物樹脂中,依 目的而可含有各種的添加劑。例如,可適當含有成為提高 反射丨生材料之氧化歛、成為機械強度提高劑之玻璃纖維、 成為離型劑之石蝶、成為難燃劑之溴化劑。 又,不限於本實施例,而使至少設有模製構件之表面以 以往所使用之各種洗淨方法洗淨後,設置模製構件,可更 提高各構件間之密著性。 又’對於半結晶性聚合物樹脂之液體的接觸角,係比其 相對於液晶聚合物還小(接觸角69 3)、半結晶性聚合物樹脂 表面能量很大。藉此,由半結晶性聚合物樹脂所構成的固 把表面,係可謂與本發明硬化性組合物之潤濕性比由液晶 桌合物所構成的固體表面還更佳。因此,由半結晶性聚合 物所構成之封裝體與由本發明之硬化性組合物所構成的模 I件 < 密著性良好。例如,填充模製樹脂,在硬化步驟中 &冷卻時’封裝體與模製樹脂之界面有時會產生剝離,但, 半結晶性聚合物即芳香族聚醯胺中,與結晶性聚合物比 84913 -118- 200307726 較,界面剝離係極少。 又,測定模製構件接觸面設置之樹脂基板或成為封裳體 之材料的接觸角,可使用共和界面化學(股)接觸角計 CA-X150型(液體試料為純水)。 (實施例22) 本實施例中係除了使用一在熱硬化性構件中含有高融點 結晶而構成的半結晶性聚合物樹脂作為主劑的組合物成為 封裝體之成形樹脂以外,其餘與實施例19相同做法而形成 發光二極體。 使本實施例所得到之發光二極體在常溫25°C下投入順方 向電流40 mA,若測定輸出與經過時間之關係,即使在丨〇〇〇 小時經過後亦不會產生輸出之降低。進而,在85它85%之 向溫南濕下投入順方向電流1〇 mA,若測定輸出與經過時間 之關係,至經過700小時時點仍可維持輸出。即使在1〇〇〇小 時經過時點’相對輸出亦為9〇%以上。又,本實施例之發光 二極體以無Pb之導電構件實裝於實裝基板上,在26(rc實施 約10秒鐘的回流步驟,即使實施2循環進一步3循環之回流 步驟,亦不會造成輸出之降低。如此,本實施例之發光二 極體即使在嚴苛的保管條件或實裝條件、及使用條件亦可 維持很高的信賴性。 又,將已實施1循環上述回流步驟之發光二極體的模製構 件表面以洗淨液洗淨後,噴灑紅色染色浸透殺傷劑油墨 (NEW MICRO-CHECK(股)KOZAI),放置約3小時,模製構 件與封裝體開口邵所露出之外部電極的全接觸面1 00〇/〇之 84913 -119- 200307726 中,染成紅色之面積為50%以下。藉此,在本實施例之發光 極aa即使在上述回泥步驟中亦不會產生重要功能程度的 剥離,而具有高的信賴性。 (實施例23) 在封裝體之開口部内的外部電極上,介由導電構件而載 置具備一對電極(其係使發光元件之半導體層挾著該半導 體積層方向設置著)之發光元件,除此以外其餘係與實施例 19相同做法而形成發光二極體,可得到與實施例19同樣的 效果。 ^部電極與該外部電極上所載置之上述發光元件的界面 :刎離’係起因於覆蓋該元件之模製構件的熱膨脹。如本 實施例般,在外部電極與該外部電極上所載置之發光元件 的界面取得導通時,前述界面之剥離係不適當連接。但, 在本實施例中,藉由組合本發明之硬化性組合物與封裝 to可抑制模製構件之熱膨脹,並防止内部所配置之發光 元件與外部電極的剝離。 (實施例24) 於則逑封裝體之開口部内所露出的外部電極上,載置齊 納二極體作為前述發光元件及保護元件後,形成模製構件 以外,其餘與實施例19相同做法而形成發光二極體。在本 實施例所使用之封裝體係於開口部底面所露出之外部電極 的面積為75〇/。,於外部電極上可充分載置複數個元件,同時 並以本發明之硬化性組合物於前述開口部 件,俾可維持前料μ㈣各㈣之界㈣密=生1 84913 -120- 200307726 此’藉由載置發光元件與保護元件,可進一步提高發光裝 置之信賴性。在如此所得到之發光二極體中,若進行上述 前處理及吸濕實驗,可得到與實施例18相同之效果。如此, 本發明之發光二極體如本實施例般即使載置複數個元件於 各構成構件間亦不會產生剝離,可得到高的信賴性。 (實施例25) 在封裝體之開口部内所露出的外部電極上,載置具有前 述發光元件構成之藍色發光LED、綠色發光LED及挾住 GaAs系半導體層而設置一對電極而構成之紅色發光lEd作 為發光元件以外,其餘與實般例〗8相同做法而形成發光二 極體,則可得到與實施例〗8相同之效果。如此,在具有複 數個發光兀件之發光二極體中,特別是各別之發光色在補 色關係時,若切斷至少一個發光元件之導通,在發光二極 體之發光面所觀測到的發光色會有很大變化。但,在本實 施例中,係藉由組合由吸濕性很少且接著性優異之本發明 硬化性組合物所構成的模製構件與可提高與模製構件之密 著性的封裝體,俾可防止設於前述GaAs系發光元件之底面 侧的電極與前述外部電極之導通接合界面的剝離,可得到 光學特性及信賴性優異之發光二極體。 (比較例6) 除了形成由環氧樹脂所構成之模製構件以外,其餘係與 貫施例22相同做法而形成發光二極體,與實施例同樣 地,在常溫25它下投入順方向電流4〇mA,若測定輸出與經 過時間1關係,經過時間與輸出會降低,在1〇〇〇小時經過 84913 •121- 200307726 時4相對輸出成為45%β進—步,在阶、抓之高溫高濕 下投下順方向電流1GmA,若測定輸出與 在600小時經過時之相對輸出降低6〇%,在刪小時經過時 點降低38%。將本比較例5之發光二極體於實裝基板以續 之導電構件進行實裝’在2啊下實施約_鐘之回流步 驟,在1循環之回流步驟中,相對輸出會降低至88%,在2 循環時點減少至82%。亦即’在實施基板中,於主面侧載置 比較例6之發光二極體而實施第丨回流後,在背面侧裝著其 他之發光裝置或吸熱體等,實施第2回流,若實施例兩面回 流’比較例6之發光二極體的輸出會大大地降低。如此輸出 之降低,係起因於模製構件與封裝體開口部底面之剥離, 於剝離部鎖住來自發光元件之光,絲出效果會降低同時 模製構件局部地促進劣化。 又,與貫施例22同樣做法而實施上述回流步驟丨循環的發 光二極體之模製構件表面以洗淨液洗淨後,若噴灑紅色染 色浸透殺傷劑油墨(NEW MICRO-CHECK(股)KOZAI),放置 約3小時,將模製構件與封裝體開口部所露出之外部電極的 全接觸面100%全邵染成紅色。藉此,比較例5之發光二極體 係模製構件與封裝體開口部底面會完全剝離,藉回流步驟 之熱處理會對重要功能造成充分的損傷。 (比較例7) 除形成由液晶聚合物所構成之模製構件以外,其餘係與 實施例22相同做法而形成發光二極體,則模製構件與封裝 體開口部之側壁部分會良好地密接著,但,模製構件與封 84913 -122- 200307726 裝體之開口部的底面部分係密著性很弱。此係起因於液晶 聚合物為異方性材料。使外部電極插入成形而構成之樹脂 封裝體,係將外部電極插入於成型用模具,從成形樹脂注 入澆口流入成形樹脂,使外部電極與成形樹脂一體成形而 得到。若使用異方性材料作為此成形樹脂,朝成形樹脂之 流動方向進行結晶化,故所形成之封裝體的結晶,係封裝 體之X軸方向與γ軸方向、亦即開口部之側壁與底面成為異 方性。在本實施例中之封裝體係於與電路基板對向之底面 側具有成形樹脂注入澆口,故等方向材料即模製構件與封 裝體開口部之底面部分係密著性很弱。 (實施例26) 使用三烯丙基三聚異氰酸酯12.04 g作為(A)成分、合成例 1之反應物(B1) 17.96 g作為(B)成分、白金乙烯基矽氧烷錯 合物之二甲苯溶液(白金含有3 wt%) 90 mg作為(C)成分、7 -環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷750 mg及以下所示之含環 氧基化合物3.0 g作為(D)成分以及硼酸三甲酯150 mg作為(Ε) φ 成分。
預先混合攪拌上述(Α)成分、(C)成分及(Ε)成分,製作混 合物Α液。又,預先混合攪拌上述(Β)成分、(D)成分及1-乙 炔基-1-環己醇90 mg,製作混合物B液。混合上述混合物A 84913 -123 - 200307726 液與混合物B液,進行攪拌•脫泡,形成一液混合物。以3 mm 厚之碎酮橡膠作為間隙子被2片之玻璃板挾住而製成之格 室中流入該一液混合物,以60°C/6小時、70°C/1小時、80 °C/1小時、120°C/1小時、150°C/1小時、180°C/30分鐘在熱 風乾燥機中加熱,得到透明硬質的成形體。 (實施例27) 使用三烯丙基三聚異氰酸酯12 04 g作為(A)成分、合成例 1之反應物(B1) 17.96 g作為(B)成分、白金乙婦基矽氧烷錯 合物之二甲苯溶液(白金含有3 wt%) 90 mg作為(C)成分、r -環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷750 mg及以下所示之含環 氧基化合物3.0 g作為(D)成分以及硼酸三甲酯150 mg作為(E) 成分。
預先混合攪拌上述(A)成分、(C)成分及(E)成分,製作混 合物A液。又,預先混合攪拌上述(B)成分、(D)成分及1-乙 決基-1-環己醇90 mg,製作混合物B液。混合上述混合物A 液與混合物B液,進行攪拌•脫泡,形成一液混合物。以3 mm 厚之矽酮橡膠作為間隙子被2片之玻璃板挾住而製成之格 室中流入該一液混合物,以60°C/6小時、70°C/1小時、80 °C/1小時、120°C/1小時、150°C/1小時、180°C/30分鐘在熱 風乾燥機中加熱,得到透明硬質的成形體。 (測定例10) 84913 -124- 200307726 在實施例26、27、比較例1及2所調製之一液混合物在鋁 板(A-l〇5〇p)上製作約20 # m之塗膜,在i2(rc下加熱1小 時。光學材料為無色透明。冷卻至室溫後,依據JISK5400 棋盤眼膠帶法,進行附著性試驗(2 111111平方之棋盤眼為25 質量)。所得到之結果表示於表6中。 (測定例11) 對於實施例26、27、比較例1及2所得到之硬化物,使用 斯葛試驗機M6T型測量天候計(黑色面板溫度i20°C、照射強 度:50 MJ/m2)而進行耐熱耐光性試驗。使用分光光度計 (U-3300、日立)測定試驗前後之著色狀態及47〇 nm光線透過 率。所得到結果表示於表6中。 表6 實施例26 實施例27 比較例1 比較例2 在鋁棋盤之棋盤眼試驗 〇 〇 ▲ X 耐熱耐光性試驗前 著色狀態 無色透明 無色透明 無色透明 無色透明 470 nm 光線透過率 88 0% 89 0% 89 68% 90 21% 耐熱耐光性試驗後 著色狀態 微黃色透明 微黃色透明 微黃色透明 微黃色透明 470 nm 光線透過率 85 0% 85 0% 84 26% 89 45% •棋盤眼試驗之評估 〇:未剝離 ▲:剝離面積50%以上 △:剝離面積50%以下 X ·· 100%剥離 從表6可知本發明之硬化性組合物係接著性優、不會受熱 84913 -125- 200307726 光劣化而引起的著色、具有高耐熱耐光性。 (實施例28) 使用三烯丙基三聚異氰酸酯10.3 g及二烯丙基單縮水甘 油基三聚異氰酸酯2.75 g ((A)成分之21重量%)作為(A)成 分、合成例1之反應物(B1) 17.96 g作為(B)成分、白金乙烯 基碎氧燒錯合物之二甲苯溶液(白金含有3 wt%) 93 mg作為 (C)成分。預先混合攪拌上述(A)成分、(C)成分及鋁三(乙基 乙醯丙酮配位基)(川研Fine Chemical 、商品名:ALCH-TR) 310 mg,製作混合物A液。又,預先混合攪拌上述(B)成分、 1-乙決基-1-環己醇93 mg及r-環氧丙氧基丙基三甲氧基梦 烷1.55 g,製作混合物B液。混合上述混合物A液與混合物B 液,進行攪拌•脫泡,形成一液混合物。以3 mm厚之矽酮橡 膠作為間隙子被2片之玻璃板挾住而製成之格室中流入該 一液混合物,以60°C/6小時、70°C/1小時、80°C/1小時、120 °c/l小時、150°C/1小時在熱風乾燥機中加熱,得到透明的 成形體。 (實施例29) 使用三烯丙基三聚異氰酸酯7.23 g及二烯丙基單縮水甘 油基三聚異氰酸酯7.70 g((A)成分之52重量%)作為(A)成 分、合成例1之反應物(B1) 17.96 g作為(B)成分、白金乙缔 基矽氧烷錯合物之二甲苯溶液(白金含有3 wt%) 99 mg作為 (C)成分。預先混合攪拌上述(A)成分、(C)成分及鋁三(乙基 乙醯丙酮配位基)0.15 g(川研Fine Chemical 、商品名: ALCH-TR) 329 mg,製作混合物A液。又,預先混合攪拌上 84913 -126- 200307726 述(B)成分、1-乙炔基-1-環己醇99 mg及環氧丙氧基丙基 三甲氧基矽烷1·64 g,製作混合物B液。混合上述混合物A 液與混合物B液,進行擾拌•脫泡,形成一液混合物。以3 mm 厚之矽酮橡膠作為間隙子被2片之玻璃板挾住而製成之格 室中流入該一液混合物,以60 °C /6小時、70°C /1小時、80 C/1小時、120C/1小時、150C/1小時在熱風乾燥機中加 熱,得到透明的成形體。 (實施例30) 使用三烯丙基三聚異氰酸酯7.23 g及二缔丙基單縮水甘 油基三聚異氰酸酯7·70 g ((A)成分之52重量%)作為(A)成 分、合成例1之反應物(B1) 17.96 g作為(B)成分、白金乙烯 基碎氧規錯合物之二甲苯溶液(白金含有3 wt%) 99 mg作為 (C)成为。預先混合授掉上述(a)成分、(c)成分及刪酸三曱 酯164 mg,製作混合物A液。又,預先混合攪捽上述(B)成 分、1-乙炔基-1-環己醇99 mg及環氧丙氧基丙基三甲氧 基碎坑822 mg ’製作混合物Β液。混合上述混合物a液與混 合物B液,進行攪拌•脫泡,形成一液混合物。以3 厚之 矽酮橡膠作為間隙子被2片之玻璃板挾住而製成之格室中 流入該一液混合物,以60°C /6小時、7〇°C /1小時、80°C /1小 時、120°C/1小時、150°C/1小時在熱風乾燥機中加熱,得到 透明的成形體。 (實施例31) 使用三烯丙基三聚異氰酸酯6.06 g及二烯丙基單縮水甘 油基三聚異氰酸酯9.67 g ((A)成分之61重量%)作為(A)成 84913 127- 200307726 分、合成例1之反應物(Bl) 18.07 g作為(B)成分、白金乙缔 基矽氧烷錯合物之二甲苯溶液(白金含有3 wt%) 103 mg作 為(C)成分。預先混合攪拌上述(a)成分、(C)成分及硼酸三 甲酯171 mg,製作混合物A液。又,預先混合攪拌上述(B) 成分、1-乙炔基環己醇103 mg及r_環氧丙氧基丙基三曱 氧基矽烷857 mg,製作混合物B液。混合上述混合物A液與 混合物B液,進行授拌•脫泡,形成一液混合物。以3 mm厚 之矽酮橡膠作為間隙子被2片之玻璃板挾住而製成之格室 中流入該一液混合物,以60°C /6小時、70°C /1小時、80°C /1 小時、120°C/1小時、150°C/1小時在熱風乾燥機中加熱,得 到透明的成形體。 (測定例12) 對於實施例28〜31所得到之試料評估抗拉彈性率及抗拉 延伸。試驗片係從厚3 mm之板狀硬化物切出6X55X3 mm 之短片,形成一在長邊方向之中央附近從兩側以r==;l ()mm 深1 mm之U型缺口挾著。測定係使用一放置於23它5〇% Rh 之環境下的自動記錄器,使卡盤間距離為15 mm,試驗片之 U型缺口部在卡盤間之中央附近,以卡盤挾住其兩端,再以 1 mm/分之速度進行抗拉試驗。所得到之結果表示於表7中。 84913 -128- 200307726 表7 抗拉特性 強度,Mpa 延伸,% 實施例28 28 4 實施例29 30 5 實施例30 31 6 實施例31 26 6 從表7可知本發明之硬化物具有高抗拉強度及延伸且韌 性高。 (測定例13) 對於實施例28〜31所得到之試料,實施以初期及Xe老化試 驗計70小時照射之耐光性評估。評估試驗前後之波長470 nm之光線透過率。評估裝置係斯葛試驗機製造Xe老化試驗 計(降雨18分+照射1小時42分)、照射照度180 W/m2、黑色面 板溫度63°C、濕度50%之條件下實施70小時。透過率裝置係 使用日立製作所製分光光度計U-3300。所得到之結果表示 於表8中。 表8 在470 nm之光線透過率,% 初期 耐光性試驗後 實施例28 88 89 實施例29 85 86 實施例30 89 88 實施例31 89 88 84913 - 129 - 200307726 從表8可知本發明之硬化物具有優異之耐光性。 (實施例32)
將實施例31製成之片狀硬化物切成適當的形狀,固定於 設在罐型用之金屬蓋上的光透過用窗部分。另外,準備藉 M〇C VD(有機金屬氣相成長)法形成於藍寶石基板上,且以n 型與P型之AlGaN覆蓋層挾住一摻雜著Si與Zn之InGaN活性 層的雙異質構造發光元件。繼而,將此發光元件戴置於罐 型用金屬之桿後,於各別之引線以Au線絲焊p電極、η電極。 再以上述罐型用之金屬蓋進行氣密封裝。如此一來,可製 作罐型之發光二極體。 (實施例33) 在所洗淨之藍寶石基板上藉MOCVD(有機金屬氣相成長) 法,依序積層如下之層:未摻之氮化物半導體即η型GaN層、 形成Si摻雜之η型電極且成為η型接觸層之GaN層、未摻雜之 氮化物半導體即η型GaN層、其次構成發光層之阻隔層的 GaN層、構成電井層之InGaN層、成為阻隔層之GaN層(量子 電井構造)、於發光層上摻雜Mg且作為p型覆蓋層之AlGaN 層、掺雜Mg之p型接觸層即GaN層。藉蚀刻於藍寶石基板上 之氮化物半導體並在同一側面,使ρ η各接觸層表面露出。 在各接觸層上使用濺鍍法蒸鍍Α1,分別形成正負各電極。 在完成之半導體晶圓上劃刻線後,以外力使之分割,形成 發光元件。 在一由於表面以銀鏡著之含鐵的銅所構成的承載引線杯 體底面上,利用壤氧樹脂組合物作為晶粒黏著樹脂而晶粒 84913 -130- 200307726 黏著上述發光it件。再於17G°C下加熱75分鐘,使環氧樹脂 組合物硬化,固定發光元件。其次,使發光元件之正負: ®極與承載引線及内部Μ線以Au線絲焊,獲得電氣導通。 將與實施例31相同做法所調製之硬化性組合物注入砲彈 型之模框即模铸殼體内。將上述發光元件配置於杯體内之 承載引線及内部引線的一部分插人於模鑄殼體内,在i〇〇t 下進行1小時之初期硬化。從模鑄殼體拔出發光二極體,在 氮氣下以12〇t進行硬化丨小時。藉此,可製成砲彈型等之 燈型的發光二極體。 (實施例34) 以實施例31記載之方法製作硬化性組合物。 藉蝕刻於玻璃環氧樹脂上形成一對之銅箔圖案,俾形成 擁有引線電極之基板。將發光元件利用環氧樹脂晶粒黏著 於玻璃環氧樹脂上。分別以Au線絲焊發光元件之各電極與 各引線電極,取得電氣導通。於基板上使貫通孔開通之玻 璃環氧樹脂藉環氧樹脂固定配置作為掩模兼侧壁。以此狀 態配置於真空裝置内,同時並於已配置發光元件之玻璃環 氧樹脂基板上分裝硬化性組合物,在利用貫通孔之空腔内 填充硬化性組合物。以此狀態,在l〇(TC下硬化丨小時,進 一步在150°C下硬化1小時。分割成每一發光二極體晶片, 可製成晶片型發光二極體。 (實施例35) 以實施例31記載之方法製作硬化性組合物。 藉插入成形利用PPS樹脂形成晶片型發光二極體之封裝 84913 -131- 200307726 體。在封裝體内具備-配置著發光元件之開口_,配置一 鍍銀之銅板作為外部電極。在封裝體㈣利用環氧樹脂晶 粒黏著發光元件而固定之。在發光元件之各電極與設於裝 體之各外部電極分別絲焊導電性絲線,使之電氣連接。於 封裝體開口部内填充硬化性組合物作為模製構件。在此狀 怨下,以100°c硬化1小時,再以15(rc硬化〗小時。如此一 來’可製成晶片型發光二極體。 (實施例36) 以實施例28記載之方法製作硬質之成形體。 實施例36之發光二極體係具備:呈藍色系發光之發光元 件、具有一由配置著該發光元件之底面與侧壁所構成的開 口部之封裝體、封裝該開口部之模製構件。此模製構件係 使用實施例28記載之方法所製作的硬質成形體、與 (Y〇 sGdo ^AUOwCe之YAG系螢光體。均一混合此實施例28 之硬質成形體與YAG系螢光體後,將此混合物注入於一配 置發光元件之封裝體的開口部内。注入此混合物後,以6〇 °C/6小時、70°C/1小時、80°C/1小時、120°C/1小時、150°C /1小時在熱風乾燥機中加熱,使之硬化。藉此,製作一呈 白色系發光之發光二極體。 (比較例8) - 藉由與實施例36之發光二極體相同的方法,使用環氧樹 脂替代本發明之硬化性組合物而製作發光二極體。該環氧 樹脂係調配使用Daicel化學工業股份有限公司(Celoxide 2021 P) 30 g、Japan Epoxy Resin股份有限公司(YX8000) 70 84913 -132- 200307726 g、三新化學工業股份有限公司(San Aid SI-100L) 1 g。均一 地混合此環氧樹脂與上述組成之YAG系螢光體後,將此混 合物注入於配置發光元件之封裝體的開口部内。注入環氧 樹脂後,在熱風乾燥機中以9〇°c/3小時、150 °C/4小時加熱 硬化。藉此,製作比較例8之發光二極體。 (接著性試驗) 實施例36之發光二極體係比比較例8之發光二極體還具 有更南的接著性。實施例36之發光二極體係比比較例8之 發光二極體還具有更高的熱衝擊性。 (合成例2) 於5升之分離式燒瓶中加入甲苯! 38 kg及1,3,5,7-四甲基 環四矽氧烷1·36 kg,加熱至内溫成為i〇〇°C。再滴入二歸丙 基單縮水甘油基三聚異氰酸酯300g、白金乙稀基矽氧烷錯 合物之二甲苯溶液(白金含有3 wt%) 1.36 mL及甲苯300 g之 混合物。以30分鐘結束滴入。滴入中,内溫會上升至1 〇9。〇。 減壓餾去未反應之1,3,5,7_四甲基環四碎氧燒及甲苯。依 iH-NMR,可知此物係133,5,7-四甲基環四矽氧烷之siH基的 一部分與二烯丙基單縮水甘油基三聚異氰酸酯反應而成者 (%為邵分反應物B2 ’ SiH價:8 7 mmol/g)。生成物為混合 物’但,含有本發明之(B)成分即下述者作為主成分。又,_ 含有本發明之(C)成分即白金乙缔基硬氧燒錯合物。 84913 -133- 200307726
(合成例3) 於1升'^分離式燒瓶中加入曱苯〇·2 kg及1,3,5,7-四甲基環 四矽氧烷〇·2 kg,加熱至内溫成為l〇〇°C。再滴入單烯丙基 一縮水甘油基三聚異氰酸酯234 g、白金乙烯基矽氧烷錯合 物又二甲苯溶液(白金含有3 wt%) 0.50 mL及甲苯234 g之混 。物。以2 5分鐘結束滴入。滴入中,内溫會上升至1 %。〇。 減壓餘去未反應之IW7-四甲基環四矽氧烷及甲苯。依 ii_NMR,可知此物係ι,3,5,7-四甲基環四矽氧烷之siH基的 一邵分與單烯丙基二縮水甘油基三聚異氰酸酯反應而成者 (稱為部分反應物B3,SiH價:3.9 mmol/g)。生成物為混合 物,但,含有本發明之(B)成分即下述者作為主成分。又_, 含有本發明之(C)成分即白金乙烯基矽氧烷錯合物。 84913 -134- 200307726
(實施例37) 使用三烯丙基三聚異氰酸酿6.68 g及二缔丙基單縮水甘 油基三聚異氰酸酯7.11 g作為(A)成分、合成例2所得到之反 應物(B2) 18.87 g作為(B)成分、白金乙烯基矽氧烷錯合物之 二曱苯溶液(白金含有3 wt%) 98 mg作為(C)成分。預先混合 擾摔上述(A)成分、(C)成分及链三(乙基乙酿丙嗣配位基) 015 g(川研 Fine Chemical 、商品名·· ALCH-TR) 327 mg, 製作混合物A液。又,預先混合攪拌上述(B)成分、1-乙炔 基-1-環己醇98 mg及τ-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷1·63 g,製作混合物Β液。混合上述混合物Α液與混合物Β液,進 行攪拌•脫泡,形成一液混合物。以3 mm厚之矽酮橡膠作為 間隙子被2片之玻璃板挾住而製成之格室中流入該一液混 合物,以 60°C/6小時、70°C/1小時、80°C/1小時、120°c/1 小時、150°C/1小時在熱風乾燥機中加熱,得到透明的硬質 成形體。 84913 -135- 200307726 (實施例38)〜(實施例45) 依據表9之調配表,實施調配,以與實施例37相同之條件 進行硬化,得到透明的硬質成形體。 84913 -136- 200307726 1) 以專a^w 辫驷#,漭憩 > a^>icv^2) 卜專^^邾鉻矢iHa-i^w辫驷鈐鏐憩、sgHb^ 3) 处岭 6 尊;&^^涔拿命#~卜^辦猗^?吟命斗 3 wt%vohemu Japan 4) jil^Fine Chemical 5) r6 洚_|rit 卩颯-Aldrish6) r-iflLa^^s, w-gILS^ 贫-In^unika A-187 6) ! g l-ECH5) i mg 部分反應物(B3) ί g 部分反應物(B2) (混合物B液) B(OM e)3 1 g ALCH-TR4) 丨 mg PTVTS 3) DA-MGIC2) ! i TAIC l) (混合物A液) 0Q d OQ CTQ 1 163 1 Ό 00 義 18.87 1 327 ό 00 <1 H—k 6 68 |實施例37 1 1 174 | i—* S 1 18 87 1 348 — s 12.93 3 04 實施例38 1 | 0 82 1 VO CO 1 18 87 0 16 1 VO 00 7 11 6 68 實施例39 1 1 109 1 〇\ Lf\ 1 12.58 0.22 1 〇\ 4 74 4.45 i實施例40 1 >—* t3 ON I 12.58 0.23 1 ON 6.56 3.32 1實施例41 | | 0 73 1 oo 1 15.72 0 15 1 00 10 77 2.53 |實施例42 | 1 0 74 | 00 v〇 1 15 72 0 15 1 00 v〇 12.70 1.33 |實施例43 | | 0 63 1 18 87 1 0 13 1 1 6.13 |實施例44 | 1 0 69 1 00 U) 18 87 1 0 14 1 00 U) 7 12 1 67 |實施例45 | 84913 -137- 200307726 (測定例14) 對於實施例37〜45所得到之試料評估❹彈性率及抗拉 延伸。試驗片係從厚3 mm之板狀硬化物切出6χ55χ3 mm 之短片,形成一在長邊方向之中央附近從兩侧以r=i 〇瓜① 深1 mm之U型缺口挾住者。測定係使用一放置於23。〇5〇% RH之環境下的自動記錄器,使卡盤間距離為15瓜瓜,試驗 片之U缺口部在卡盤間之中央附近,以卡盤挾住其兩端,再 以! mm/分之速度進行抗拉試驗。所得到之結果表示於表ι〇 中 〇 表10 實施例43 實施例44 實施例45 52 3 56 5 53 4 94 10 3 113 竺色強度 延伸 性高 (測定例15) 對於實施例37〜45所得到之試料,測定波長47〇nm之光線春 透過率。透過率測定裝置係使用日立製作所製分光光度計.· U-3300。所得到之結果表示於表^中。 · 表11 ^ 實施例37 實施例38 實施例39 1 實施例40 實施例41 實施例42 實施例43 實施例44 實施例45 光線透過率 % 87 87 90 90 90 90 90 90 90 從表11可知本發明之硬化物具有與比較例所得到之硬化 物相同的南光線透過率。 (實施例46) 將貫施例37製成之片狀硬化物切成適當的形狀,固定於 84913 -138- 200307726 設在罐型用之金屬蓋上的光透過用窗部分。另外,準備一 藉MOCVD(有機金屬氣相成長)法形成於藍寶石基板上,且 以η型與p型之AlGaN覆蓋層挾住一摻雜著Si與Zn之InGaN活 性層的雙異質構造發光元件。繼而,將此發光元件戴置於 罐型用金屬之样後,於各別之引線以Au線絲焊p電極、η電 極。再以上述罐型用之金屬蓋進行氣密封裝。如此一來, 可製作罐型之發光二極體。 (實施例47) 在所洗淨之藍寶石基板上藉MOCVD(有機金屬氣相成長) 法,依序積層如下之層:未摻之氮化物半導體即η型GaN層、 形成Si摻雜之η型電極且成為η型接觸層之GaN層、未摻雜之 氮化物半導體即n型GaN層、其次構成發光層之阻隔層的 GaN層、構成電井層之InGaN層、成為阻隔層之GaN層(量子 電井構造)、於發光層上摻雜Mg且作為p型覆蓋層之AlGaN 層、摻雜Mg之p型接觸層即GaN層。藉蝕刻於藍寶石基板上 之氮化物半導體並在同一侧面,使ρ η各接觸層表面露出。 在各接觸層上使用濺鍍法蒸鍍Α1,分別形成正負各電極。 在完成之半導體晶圓上劃刻線後,以外力使之分割,形成 發光元件。 在一由於表面以銀鍍著之含鐵的銅所構成的承載引線杯 體底面上’利用壤氧樹脂組合物作為晶粒黏著樹脂而晶粒 黏著上述發光元件。再於170°C下加熱75分鐘,使環氧樹脂 組合物硬化,固定發光元件。其次,使發光元件之正負各 電極與承載引線及内部引線以Au線絲焊,獲得電氣導通。 84913 -139- 200307726 將與實施例37相同做法所調製之硬化性組合物注入砲彈 型之模框即模鑄殼體内。將上述發光元件配置於杯體内之 承載引線及内邵引線的一部分插入於模鑄殼體内,在1〇〇充 下進行1小時之初期硬化。從模鑄殼體拔出發光二極體,在 氮氣下以12(TC進行硬化!小時。藉此,可製成砲彈型等之 燈型的發光二極體。 (實施例48) 以實施例37記載之方法製作硬化性組合物。 藉蝕刻於玻璃環氧樹脂上形成一對之銅箔圖案,俾形成 擁有引線電極之基板。將發光元件利用環氧樹脂晶粒黏著 於玻璃環氧樹脂上。分別&Au線絲焊發光元件之各電極與 各引線電極,取得電氣導通。於基板上使貫通孔開通之玻 璃環氧樹脂藉環氧樹脂固定配置作為掩模兼侧壁。以此狀 怨配置於真空裝置内,同時並於已配置發光元件之玻璃環 氧樹脂基板上分裝硬化性組合物,在利用貫通孔之空腔内 填充硬化性組合物。以此狀態,在1〇(rc下硬化丨小時,進 一步在150°C下硬化1小時。分剳成每一發光二極體晶片, 可製成晶片型發光二極體。 (實施例49) 以實施例37記載之方法製作硬化性組合物。 藉插入成形利用pps樹脂形成晶片型發光二極體之封裝 體。在封裝體内具備一配置著發光元件之開口部,配置一 鍍銀之銅板作為外部電極◊在封裝體内部利用環氧樹脂晶 粒黏著發光元件而固定之。在發光元件之各電極與設於裝 84913 -140- 200307726 體之各外部電極分別絲焊導電性AU線,使之電氣連接。於 封裝體開口部内填充硬化性組合物作為模製構件。在此狀 態下,以100ec硬化1小時,再以15(rc硬化丨小時。如此— 來,可製成晶片型發光二極體。 (實施例50) 以實施例39記載之方法製作硬質成形體。 實施例50之發光二極體係具備:呈藍色系發光之發光元 件、具有一由配置著該發光元件之底面與側壁所構成的開 口部之封裝體、封裝該開口部之模製構件。此模製構件係 使用實施例39記載之方法所製作的硬質成形體、與 (Y〇咖〇 2)3Al5〇u:Ce之YAG系螢光體。均一混合此實施例% 之硬質成形體與YAG系螢光體後,將此混合物注入於一配 置發光元件之封裝體的開口部内。注入此混合物後,以6〇 。(:/6小時、70°C/1小時、8(TC/1小時、i2(rC/i 小時、15〇〇c /1小時在熱風乾燥機中加熱,使之硬化。藉此,製作一呈 白色系發光之發光二極體。 (比較例9) 藉由與實施例50之發光二極體相同的方法,使用環氧樹 脂替代本發明之硬化性組合物而製作發光二極體。該環氧 樹脂係調配使用Daicel化學工業股份有限公司(Cel〇xide 2021 P) 30 g、japan Epoxy Resin股份有限公司(γχ8〇〇〇) 7〇 g、二新化學工業股份有限公司(San Aid SI-100 L) 1 g。均 一地混合此環氧樹脂與上述組成之YAG系螢光體後,將此 混合物注入於配置發光元件之封裝體的開口部内。注入環 84913 -141 - 200307726 氧樹脂後,在熱風乾燥機中以90°C /3小時、150t /4小時加 熱硬化。藉此,製作比較例9之發光二極體。 (發光二極體驅動試驗) 使用實施例50及比較例9所製作之發光二極體,進行驅動 試驗。表12係表示實施例50之發光二極體及比較例9之發光 二極體在特定的條件下進行驅動試驗之結果。 表12 室溫、20 mA 室溫、40 mA 室溫、60 mA 60°C、90%、20 mA 1000小時 1000小時 1000小時 1000小時 (%) (%) (%) (%) 實施例50 108 107 80 100 比較例9 90 62 21 60 以30°C/70%使發光二極體放置吸濕168小時後,再進行回 流,實裝。其實裝後,在特定之溫度及濕度之下,進行發 光二極體之驅動試驗。 若概論發光二極體之驅動試驗,發光二極體在特定之溫 度及濕度之下,投下某一定量順方向電流,測定光輸出及 經過時間之關係。測定回流後之光輸出,以該測定值作為 100%,其次,測定1000小時通電時之光輸出,表示其相對 值。其相對值愈高,愈顯示可承受長時間之保管及驅動。 首先,實施例50之發光二極體與比較例9之發光二極體於 室溫下朝順方向電流投下20 mA,測定1000小時經過後之光 輸出。其結果,實施例50之發光二極體乃比比較例9之發光 二極體顯示高的光輸出。又,實施例50之發光二極體不會 84913 -142- 200307726 造成光輸出之降低。 其次,實施例50之發光二極體與比較例9之發光二極體於 室溫下朝順方向電流投下40 mA,測定1000小時經過後之光 輸出。其結果,實施例50之發光二極體乃比比較例9之發光 二極體顯示極高的光輸出。又,實施例50之發光二極體幾 乎不會造成光輸出之降低。 再者,實施例50之發光二極體與比較例9之發光二極體於 室溫下朝順方向電流投下60 mA,測定1000小時經過後之光 輸出。其結果,實施例50之發光二極體乃比比較例9之發光 二極體顯示極高的光輸出。 進一步,實施例50之發光二極體與比較例9之發光二極體 於溫度60 °C、濕度90%之高溫高濕下朝順方向電流投下20 mA,測定1000小時經過後之光輸出。其結果,實施例50之 發光二極體乃比比較例9之發光二極體顯示極高的光輸 出。又,實施例50之發光二極體幾乎不會造成光輸出之降 低。 從以上之試驗結果可知,本發明之發光二極體係即使在 很嚴之保管條件或實裝條件、使用條件中亦可維持高信賴 性。 產業上之利用可能性 使用於本發明之發光二極體的硬化性組合物係具有接著 性優且高透明性。因具有韌性高且高透明性,故可使用來 作為發光二極體用模製構件。 84913 -143-

Claims (1)

  1. 200307726 拾、申請專利範圍·· 1 一種硬化性組合物,其特徵在於含有: (A) 有機化合物,其係於1分子中至少含2個與siH基具 有反應性之碳-碳雙鍵; (B) 於1分子中至少含有2個SiH基之化合物; (C) 矽氳化觸媒; (D) 矽燒偶合劑及/或含環氧基的化合物;以及, (E) 矽烷醇縮合觸媒。 2·根據申請專利範圍第1項之硬化性組合物,其中(E)成分 為有機叙化合物及/或硼酸g旨。 3 ·根據申請專利範圍第1或2項之硬化性組合物,其中(d) 成分係於分子中具有至少一個選自環氧基、甲基丙烯酸 基、丙烯酸基、異氰酸酯基、三聚異氰酸酯基、乙烯基 及氨基甲酸酿基之群中的官能基與加水分解性矽基之 矽烷偶合劑。 4·根據申請專利範圍第1或2項之硬化性組合物,其中(D) 成分為於分子中具有環氧基與加水分解性矽基之矽烷 偶合劑。 5 ·根據申“專利範圍第1〜4項中任一項之硬化性組合物, 其中(E)成分為鋁螯合化合物及/或鋁醇鹽化合物。 6 ·根據申專利範圍第1〜4項中任一項之硬化性組合物, 其中(E)成分為選自銘乙基乙酿乙酸酯二異丙酸酯、銘 乙基乙醯乙酸酯二異丁酸酯、鋁三(乙基乙醯乙酸酯)、 錯雙乙基乙酿乙酸酯單乙醯丙酮配位基及鋁三(乙醯丙 84913 200307726 酮配位基)之群中至少一種。 7·根據申請專利範圍第1〜4項中任一項之硬化性組合物, 其中(E)成分為選自观酸三正十八垸g旨、顺酸三正辛燒 酯、硼酸三正丁酯、硼酸三異丙酯、硼酸三正丙酯、硼 酸三乙酯及硼酸三甲酯所構成之群中至少一種。 8 ·根據申請專利範圍第1〜7項中任一項之硬化性組合物, 其中(A)成分為以下述通式(I) R1 (I) ΟγΝγ,Ο 〇 (式中R1表示碳數1〜50之一價的有機基,各別之R1可為 相異亦可為相同)所示之化合物。 9·根據申請專利範圍第1〜7項中任一項之硬化性組合物, 其中(A)成分為三烯丙基三聚異氰酸酯,(B)成分為 1,3,5,7·四甲基環四矽氧烷與三烯丙基三聚異氰酸酯之 反應物。 10·根據申請專利範圍第1〜7項中任一項之硬化性組合物, 其中(A)成分為以下述通式(Π) R2 (Π) 〇γΝγ>° 〇 (式中R2表示氫原子或不具有可矽氫化反應的官能基之 84913 -2 - 200307726 有機基)所示之化合物。 11 ·根據申請專利範圍第10項之硬化性組合物,其中(A)成 分進一步為含有三缔丙基三聚異氰酸酯。 12.根據申請專利範圍第10或11項之硬化性組合物,其中R2 為氫原子或碳數1〜50之一價有機基。 13·根據申請專利範圍第10〜12項中任一項之硬化性組合 物,其中以通式(II)所示之化合物占有(A)成分之20重量 %以上。
    14 ·根據申請專利範圍第11〜13項中任一項之硬化性組合 物,其中以通式(II)所示之化合物為二烯丙基單縮水甘 油基三聚異氰酸酯。 15. 根據申請專利範圍第14項之硬化性組合物,其中(B)成 分為1,3,5,7-四甲基環四矽氧烷與三烯丙基三聚異氰酸 酯之反應物。
    16. 根據申請專利範圍第1〜I5項中任一項之硬化性組合 物,其中(B)成分係含有使以下述通式(ΠΙ)
    (式中R3表示氫原子或不具有可矽氫化反應之官能基的 有機基)所示之化合物與在1分子中至少具有2個SiH基 之化合物進行矽氫化反應而得到的化合物及/或使以下 述通式(IV) 84913 200307726 R4 (汉) ΟγΝ^Ο 八 %n、r4 (式中R4表示氫原子或不具有可矽氫化反應之官能基的 有機基,各別之R4可為相同亦可為相異)所示之化合物 · 與在1分子中至少具有3個SiH基的化合物進行矽氫化反 , 應而彳于到的化合物。 渗 17 ·根據申請專利範圍第16項之硬化性組合物,其中r3及r4 為氫原子或碳數1〜50的一價有機基。 18根據申請專利範圍第16項之硬化性組合物,其中(b)成 分為含有1,3,5,7_四甲基環四矽氧烷與二烯丙基單縮水 甘油基二聚異氰酸酿之反應物及/或1,3,5,7_四甲基環四 矽氧烷與單烯丙基二縮水甘油基三聚異氰酸酯之反應 物。 19.根據申請專利範圍第16項之硬化性組合物,其中(B)成 馨 分為只含有1,3,5,7-四甲基環四矽氧烷與二烯丙基單縮 , 水甘油基三聚異氰酸酯之反應物及/或1,3,5,7-四甲基環 · 四矽氧烷與單烯丙基二縮水甘油基三聚異氰酸酯之反 應物® 20·根據申請專利範圍第16〜19項中任一項之硬化性組合 物,其中(A)成分為三缔丙基三聚異氰酸酯。 21 ·根據申請專利範圍第16〜19項中任一項之硬化性組合 物,其中(A)成分為三烯丙基三聚異氰酸酯與二烯丙基 84913 200307726 單縮水甘油基三聚異氰酸酯之混合物。 22 一種硬化物,其係使申請專利範圍第丨〜21項中任一項之 硬化性組合物硬化而成者。 23.—種硬化物之製造方法,其係使申請專利範圍第卜21 項中任一項之硬化性組合物硬化。 24 —種發光二極體,其係以申請專利範圍第22項之硬化物 封裝而成者。 25· —種硬化性組合物,其含有: (A) 有機化合物,其係於1分子中至少含2個與SiH基具 有反應性之碳-碳雙鍵; (B) 於1分子中至少含有2個SiH基之化合物;及 (C) 矽氫化觸媒; 其特徵在於:含有以下述通式(Π) R2 (Π) 〇γΝ^〇 Ο (式中R2表示氫原子或不具有可矽氫化反應的官能基之 有機基)所示之化合物作為(A)成分。 26根據申請專利範圍第25項之硬化性組合物,其中成 分為進一步含有三烯丙基三聚異氰酸酯。 27. 根據申請專利範圍第25或26項之硬化性組合物,其中R2 為氫原子或碳數1〜5〇之一價有機基。 28. 根據申請專利範圍第25〜27項中任一項之硬化性組合 200307726 物’其中以通式(II)所示之化合物占有(A)成分之2〇重量 %以上。 29·根據申請專利範圍第26〜28項中任一項之硬化性組合 物,其中以通式(Π)所示之化合物為二烯丙基單縮水甘 油基三聚異氰酸醋。 3〇根據申請專利範圍弟29項之硬化性組合物,其中(b)成 分為1,3,5,7-四甲基環四碎氧燒與三稀丙基三聚異氰酸 酉旨之反應物。 31· —種硬化物,其係使申請專利範圍第25〜3〇項中任一項 之硬化性組合物硬化而成者。 32· —種硬化物之製造方法,其係使申請專利範圍第25〜3〇 項中任一項之硬化性組合物硬化。 3 3 —種硬化性組合物,係含有: (A) 有機化合物,其係於1分子中至少含2個與siH基具 有反應性之碳-碳雙键; (B) 於1分子中至少含有2個SiH基之化合物;及 (C) 矽氫化觸媒; 其中(B)成分係含有使以下述通式(ΠΙ) R3 °τνί^° (瓜) Ο (式中R3表示氫原子或不具有可矽氫化反應之官能基的 有機基)所示之化合物與在1分子中至少具有2個SiH基 84913 -6 - 200307726 之化合物進行矽氫化反應而得到的化合物及/或使以下 述通式(IV) (汉) ΟγΝγ,Ο 丫 N、r4 Ο (式中R4表示氫原子或不具有可矽氫化反應之官能基的 有機基,各別之R4可為相同亦可為相異)所示之化合物 與在1分子中至少具有3個SiH基的化合物進行矽氫化反 應而得到的化合物。 34·根據申請專利範圍第33項之硬化性組合物,其中R3及R4 為氫原子或碳數1〜50的一價有機基。 35·根據申請專利範圍第33項之硬化性組舍物,其中(B)成 分為含有1,3,5,7_四甲基環四矽氧烷與二烯丙基單縮水 甘油基三聚異氰酸酯之反應物及/或1,3,5,7-四曱基環四 今氧烷與單烯丙基二縮水甘油基三聚異氰酸酯之反應 物。 6‘根據申請專利範圍第33項之硬化性組合物,其中(B)成 >為只含有1,3,5,7-四曱基環四矽氧烷與二烯丙基單縮 水甘油基三聚異氰酸酯之反應物及/或1,3,5,7-四曱基環 四發氧烷與單烯丙基二縮水甘油基三聚異氰酸酯之反 應物。 根據申請專利範圍第33〜36項中任一項之硬化性組合 物’其中(A)成分為三缔丙基三聚異氰酸酯。 84913 200307726 38. 39. 40 41. 42 43 根據申請專利範圍第33〜36項中任一項之硬化性組合 物,其中(A)成分為三烯丙基三聚異氰酸酯與二烯丙基 單縮水甘油基三聚異氰酸酯之混合物。 一種硬化物,其係使申請專利範圍第33〜38項中任一項 之硬化性組合物硬化而成者。 一種硬化物之製造方法,其係使申請專利範圍第33〜38 項中任一項之硬化性組合物硬化。 一種發光二極體,其具備發光元件、配置該發光元件之 外部電極乃形成於上面之基板與連接於該基板上而設 置之模製構件,其特徵在於: 在使前述基板與前述模製構件之接觸面為1〇〇%時, 前述外邵電極與前述模製構件之接觸面為5〇%〜9〇%,同 時’如述模製構件係含有如下之硬化性組合物的硬化 物: (A) 有機化合物,其係於1分子中至少含2個與siH基具 有反應性之碳-碳雙键; (B) 於1分子中至少含有2個SiH基之化合物; (C) 矽氫化觸媒; (D) 碎規偶合劑及/或含環氧基的化合物;以及 (E) 矽烷醇縮合觸媒。 根據申請專利範圍第41項之發光二極體,其中基板為由 含有半結晶性聚合物樹脂之組合物所形成者。 種發光二體,其具備發光元件、具有由配置該發光元 件之底面與侧壁所構成的開口部之封裝體與封裝前述 84913 -8- 200307726 開口邵之模製構件,其特徵在於: _ ^封裝體係於前述開口部底面以露^卜_ ^ _ 场卩之方式以成形樹脂一體成形而構成的,在使前逑 I5底面之面積為100%時,在前述開口部底面所露 出《外部電極的占有面積為5G〜90%,同時,前述模製 構件係含有如下之硬化性組合物的硬化物·· (A) 有機化合物,其係於〗分子中至少含2個與s汨基具 有反應性之碳-碳雙鍵; (B) 於1分子中至少含有2個SiH基之化合物,· (C) 矽氫化觸媒; (D) 矽烷偶合劑及/或含環氧基的化合物,·以及 (E) 矽烷醇縮合觸媒。 44·根據申請專利範圍第43項之發光二極體,其中封裝體係 於開口部底面,正的外部電極與負的外部電極之各端部 以特定的間隔隔開而露出之方式以成形樹脂一體成形 而構成的, 在則述開口部底面所露出之各外部電極宜為具有封 裝體之成形樹脂露出而構成且至少一對之樹脂露出部。 45·根據申請專利範圍第43或44項之發光二極體,其中封裝 體之成形樹脂係含有半結晶性聚合物樹脂之組合物。 46·根據申請專利範圍第41〜45項中任一項之發光二極體, 其中(D)成分係於分子中具有至少一個選自環氧基、甲 基丙烯酸基、丙烯酸基、異氰酸酯基、三聚異氰酸酯基、 乙缔基及氨基甲酸酯基之群中的官能基與加水分解性 84913 200307726 矽基之矽烷偶合劑。 47根據申請專利範圍第41〜46項中任一項之發光二極體, 其中(E)成分為有機鋁化合物及/或硼酸酯。 48·根據申請專利範圍第41〜46項中任一項之發光二極體, 其中(E)成分為選自鋁乙基乙醯乙酸酯二異丙酸酯、鋁 乙基乙醯乙酸酯二異丁酸酯、鋁三(乙基乙醯乙酸酯)、 鋁雙乙基乙醯乙酸酯單乙醯丙酮配位基及鋁三(乙醯丙 酮配位基)之群中至少一種。 49·根據申請專利範圍第41〜46項中任一項之發光二極體, 其中(E)成分為選自硼酸三正十八烷酯、硼酸三正辛烷 酯、硼酸三正丁酯、硼酸三異丙酯、硼酸三正丙酯、硼 酸三乙g旨及硼酸三甲g旨所構成之群中至少一種。 50·根據申請專利範圍第41〜49項中任一項之發光二極體, 其中(A)成分為三烯丙基三聚異氰酸酯,(B)成分為 1,3,5,7-四甲基環四矽氧烷與三烯丙基三聚異氰酸酯之 反應物。 51·根據申請專利範圍第41〜49項中任一項之發光二極體, 其中硬化性組合物含有以下述通式(II)
    (Π) (式中R2表示氫原子或不具有可碎氫化反應的官能基之 有機基)所示之化合物作為(A)成分。 84913 -10- ,斯 726 根據申請專利範圍第51項之發光二極體,其中硬化性組 合物係進一步含有三烯丙基三聚異氰酸酯作為(A)成 分。 53·根據申請專利範圍第51或52項之發光二極體,其中以通 式(Π)所示之化合物占有(a)成分之2〇重量%以上。 54·根據申請專利範圍第51〜53項中任一項之發光二極體, 其中以通式(II)所示之化合物為二烯丙基單縮水甘油基 三聚異氰酸酯。 55根據申請專利範圍第54項之發光二極體,其中(B)成分 為1,3,5,7-四甲基環四矽氧烷與三烯丙基三聚異氰酸酯 之反應物。 56.根據申請專利範圍第41〜54項中任一項之發光二極體, 其中(B)成分係含有使以下述通式(ΠΙ)
    (式中R3表示氫原子或不具有可矽氫化反應之官能基的 有機基)所示之化合物與在1分子中至少具有2個SiH基 之化合物進行矽氫化反應而得到的化合物及/或使以下 述通武(IV)
    84913 -11- 200307726 (式中R4表示氫原子或不具有可碎氫化反應之官能基的 有機基,各別之R4可為相同亦可為相異)所示之化合物 與在1分子中至少具有3個SiH基的化合物進行碎氫化反 應而得到的化合物。 57·根據申請專利範圍第56項之發光二極體,其中(B)成分 為含有1,3,5,7-四甲基環四矽氧烷與二烯丙基單縮水甘 油基三聚異氰酸酯之反應物及/或1,3,5,7_四甲基環四碎 氧垸與單烯丙基二縮水甘油基三聚異氰酸酯之反應物。 5 8 ·根據申請專利範圍第$ 6項之發光二極體,其中硬化性組 合物乃只含有1,3,5,7-四甲基環四矽氧烷與二烯丙基單 縮水甘油基三聚異氰酸酯之反應物及/或1,3,5,7-四甲基 環四碎乳燒與單埽丙基二縮水甘油基三聚異氰酸目旨之 反應物作為(B)成分。 59·根據申請專利範圍第56〜58項中任一項之發光二極體, 其中(A)成分為三烯丙基三聚異氰酸酯。 6〇·根據申請專利範圍第56〜58項中任一項之發光二極體, 其中(A)成分為三烯丙基三聚異氰酸酯與二烯丙基單縮 X甘油基二聚異氰酸酯之反應物。 61 · —種發光二極體,其具備發光元件、具有由配置該發光 一、牛之底面與側壁所構成的開口部之封裝體與封裝前 述:口部之模製構件,其特徵在於: 則述封裝體係於前述開口部底面以露出外部電極的 —、方式以成形樹脂一體成形而構成的,在使前述 開部底面< 面積為100%時,在前述開口部底面所露 84913 -12- 200307726 出 < 外部電極的占有面積為5〇〜9〇%,同時,前述模製 構件係含有申請專利範圍第31或39項之硬化物。 62.根據申請專利範圍第61項之發光二極體,其中封裝體係 於開口部底面,正的外部電極與負的外部電極之各端部 以特定的間隔隔開而露出之方式以成形樹脂一體成形 而構成的, 7 在則述開口部底面所露出之各外部電極宜為具有封 裝随之成形樹脂露出而構成且至少一對之樹脂露出部。 3·根據申請專利範圍第61或62項之發光二極體,其中封裝 體之成形樹脂係含有半結晶性聚合物樹脂之組合物。 84913 200307726 柒、指定代表圖: (一) 本案指定代表圖為:第( )圖。 (二) 本代表圖之元件代表符號簡單說明: 捌、本案若有化學式時,請揭示最能顯示發明特徵的化學式: 84913
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Families Citing this family (47)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100338142C (zh) * 2000-12-27 2007-09-19 钟渊化学工业株式会社 固化剂、可固化组合物、光学材料用组合物、光学材料、它们的生产方法、和使用该材料制得的液晶显示器和发光二极管
MY151065A (en) * 2003-02-25 2014-03-31 Kaneka Corp Curing composition and method for preparing same, light-shielding paste, light-shielding resin and method for producing same, package for light-emitting diode, and semiconductor device
JP4009581B2 (ja) * 2003-11-18 2007-11-14 オリンパス株式会社 カプセル型医療システム
DE102005009066A1 (de) * 2005-02-28 2006-09-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines optischen und eines strahlungsemittierenden Bauelementes und optisches sowie strahlungsemittierendes Bauelement
DE102005036520A1 (de) * 2005-04-26 2006-11-09 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optisches Bauteil, optoelektronisches Bauelement mit dem Bauteil und dessen Herstellung
JP2007091960A (ja) * 2005-09-30 2007-04-12 Nitto Denko Corp 光半導体素子封止用樹脂組成物およびそれを用いて得られる光半導体装置
US8465175B2 (en) 2005-11-29 2013-06-18 GE Lighting Solutions, LLC LED lighting assemblies with thermal overmolding
JP5364267B2 (ja) * 2005-12-26 2013-12-11 株式会社カネカ 硬化性組成物
CN100448905C (zh) * 2006-03-17 2009-01-07 中国科学院广州化学研究所 含有8-羟基喹啉金属配合物的高聚物分子杂化发光材料及其制备方法
US20070269586A1 (en) * 2006-05-17 2007-11-22 3M Innovative Properties Company Method of making light emitting device with silicon-containing composition
US9502624B2 (en) 2006-05-18 2016-11-22 Nichia Corporation Resin molding, surface mounted light emitting apparatus and methods for manufacturing the same
US8084765B2 (en) * 2007-05-07 2011-12-27 Xerox Corporation Electronic device having a dielectric layer
US9024455B2 (en) * 2010-05-26 2015-05-05 Hitachi Chemical Company, Ltd. Semiconductor encapsulation adhesive composition, semiconductor encapsulation film-like adhesive, method for producing semiconductor device and semiconductor device
CN101848914B (zh) * 2007-11-09 2013-09-11 Kaneka株式会社 环状聚有机硅氧烷的制备方法、固化剂、固化性组合物及其固化物
EP2236543B1 (en) * 2007-12-10 2014-02-26 Kaneka Corporation Polysiloxane compound, alkali-developable curable composition, insulating thin film using the same, and thin film transistor
CN101538367B (zh) * 2008-01-28 2013-09-04 信越化学工业株式会社 二缩水甘油基异氰尿酸基改性有机聚硅氧烷以及含有该有机聚硅氧烷的组成物
GB0805495D0 (en) * 2008-03-26 2008-04-30 Sun Chemical Bv An ink jet-printable composition and a masking process
JP5471180B2 (ja) * 2008-09-11 2014-04-16 信越化学工業株式会社 シリコーン積層基板、その製造方法、シリコーン積層基板製造用シリコーン樹脂組成物及びled装置
EP2343326B1 (en) * 2008-10-02 2018-08-15 Kaneka Corporation Photocurable composition and cured product
EP2196503B1 (en) * 2008-12-12 2015-02-18 Nitto Denko Corporation Thermosetting silicone resin composition, silicone resin, silicone resin sheet and use thereof
TWI502705B (zh) * 2009-08-19 2015-10-01 精材科技股份有限公司 晶片封裝體及其製造方法
JP2011057755A (ja) * 2009-09-07 2011-03-24 Shin-Etsu Chemical Co Ltd シリコーン組成物及びその硬化物
JP5340191B2 (ja) * 2010-02-02 2013-11-13 日東電工株式会社 光半導体装置
JP5380325B2 (ja) * 2010-02-18 2014-01-08 日東電工株式会社 光半導体素子封止用熱硬化性樹脂組成物およびその硬化体、ならびにそれを用いて得られる光半導体装置
WO2011112699A1 (en) 2010-03-09 2011-09-15 University Of Virginia Patent Foundation Viscoelastic silicone rubber compositions
US9051446B2 (en) * 2010-03-23 2015-06-09 Sumitomo Riko Company Limited Conductive crosslinked body and production process thereof, and transducer, flexible wiring board and electromagnetic wave shield using the conductive crosslinked body
WO2011125753A1 (ja) 2010-04-02 2011-10-13 株式会社カネカ 硬化性樹脂組成物、硬化性樹脂組成物タブレット、成形体、半導体のパッケージ、半導体部品及び発光ダイオード
KR101763975B1 (ko) * 2010-05-07 2017-08-01 스미토모 베이클리트 컴퍼니 리미티드 회로 기판용 에폭시 수지 조성물, 프리프레그, 적층판, 수지 시트, 프린트 배선판용 적층기재, 프린트 배선판, 및 반도체 장치
CN102453327A (zh) * 2010-10-27 2012-05-16 3M新设资产公司 具有高折射率的聚硅氧树脂组合物
JP2012191062A (ja) * 2011-03-11 2012-10-04 Toshiba Corp 半導体装置
WO2012124724A1 (ja) 2011-03-16 2012-09-20 ソニーケミカル&インフォメーションデバイス株式会社 光反射性異方性導電接着剤及び発光装置
WO2013023174A1 (en) 2011-08-10 2013-02-14 University Of Virginia Patent Foundation Viscoelastic silicone rubber compositions
US9484123B2 (en) 2011-09-16 2016-11-01 Prc-Desoto International, Inc. Conductive sealant compositions
JP5912600B2 (ja) * 2011-09-16 2016-04-27 東レ・ダウコーニング株式会社 硬化性シリコーン組成物、その硬化物、および光半導体装置
JP2013159671A (ja) * 2012-02-02 2013-08-19 Dow Corning Toray Co Ltd 硬化性シリコーン組成物、その硬化物、および光半導体装置
JP5695269B2 (ja) * 2012-03-28 2015-04-01 株式会社ダイセル 硬化性エポキシ樹脂組成物
JP5958107B2 (ja) * 2012-06-15 2016-07-27 デクセリアルズ株式会社 光反射性異方性導電接着剤及び発光装置
CN102942895B (zh) * 2012-11-15 2016-03-02 烟台德邦科技有限公司 一种导热电子灌封胶及其制备方法
KR20160061362A (ko) * 2013-09-27 2016-05-31 림텍 가부시키가이샤 노르보르넨계 가교 중합체 및 그 제조 방법
JP6384046B2 (ja) * 2013-12-06 2018-09-05 デクセリアルズ株式会社 光反射性異方性導電接着剤及び発光装置
WO2015106438A1 (en) * 2014-01-17 2015-07-23 Henkel (China) Company Limited Curable composition for optical semiconductor devices
WO2019133947A1 (en) * 2017-12-30 2019-07-04 Saint-Gobain Performance Plastics Corporation Heterochain polymer composition
CN109810669B (zh) * 2018-12-28 2021-07-16 广州市高士实业有限公司 一种聚硅树脂及其制备方法和应用
CN114616282A (zh) 2019-10-30 2022-06-10 三键有限公司 树脂组合物
CN112979961B (zh) * 2019-12-17 2022-11-04 中蓝晨光化工研究设计院有限公司 一种大分子类硅橡胶增粘剂的制备方法
KR20230047432A (ko) * 2020-08-06 2023-04-07 다우 도레이 캄파니 리미티드 경화성 실리콘 조성물 및 그의 경화물
CN112266571A (zh) * 2020-10-26 2021-01-26 东莞市鑫聚光电科技股份有限公司 一种pdlc调光膜

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CH529769A (fr) 1971-04-16 1972-10-31 Rephamac Ag Procédé de préparation d'acides désoxyribonucléiques à poids moléculaire élevé
JPS5756492B2 (zh) * 1973-05-02 1982-11-30
JPS59155483A (ja) 1983-02-25 1984-09-04 Toshiba Silicone Co Ltd 表面硬化性シリコ−ンシ−リング材組成物
JPH0623256B2 (ja) 1989-03-28 1994-03-30 信越化学工業株式会社 ゴム組成物用シリコーン変性加硫助剤及びその製造方法
US4943601A (en) * 1989-04-03 1990-07-24 General Electric Company Coating with improved adhesion
JPH07119396B2 (ja) * 1990-02-27 1995-12-20 信越化学工業株式会社 接着性オルガノポリシロキサン組成物及びその硬化物
JP3268801B2 (ja) 1991-11-22 2002-03-25 ジーイー東芝シリコーン株式会社 シリコーンゴム組成物およびシリコーンゴム加工布
JP3354973B2 (ja) 1992-10-06 2002-12-09 鐘淵化学工業株式会社 硬化性組成物
JP2875758B2 (ja) 1994-12-28 1999-03-31 東芝シリコーン株式会社 粘着シート
JPH0912892A (ja) * 1995-07-04 1997-01-14 Toray Dow Corning Silicone Co Ltd 現場成形ガスケット用シリコーンゴム組成物
JPH09291214A (ja) * 1996-04-25 1997-11-11 Nippon Paint Co Ltd 硬化性樹脂組成物及びその硬化物
JP3571144B2 (ja) 1996-05-29 2004-09-29 鐘淵化学工業株式会社 硬化性組成物
JP2000124475A (ja) * 1998-10-14 2000-04-28 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd 光半導体封止材用硬化性組成物及び光半導体製品の製造方法
WO2001081475A1 (en) 2000-04-21 2001-11-01 Kaneka Corporation Curable composition, composition for optical material, optical material, liquid-crystal display, transparent conductive film, and process for producing the same
JP4993806B2 (ja) 2000-04-21 2012-08-08 株式会社カネカ 光学材料用組成物、光学用材料、その製造方法およびそれを用いた液晶表示装置
JP4782279B2 (ja) 2000-12-26 2011-09-28 株式会社カネカ 封止剤、半導体等の封止方法、半導体装置の製造方法、および半導体装置
CN100338142C (zh) * 2000-12-27 2007-09-19 钟渊化学工业株式会社 固化剂、可固化组合物、光学材料用组合物、光学材料、它们的生产方法、和使用该材料制得的液晶显示器和发光二极管
JP2002235005A (ja) * 2001-02-09 2002-08-23 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd 光学用材料用組成物、光学用材料およびその製造方法
JP4275889B2 (ja) * 2001-02-09 2009-06-10 株式会社カネカ 発光ダイオード及びその製造方法
JP4066229B2 (ja) * 2001-02-14 2008-03-26 株式会社カネカ 硬化剤、硬化性組成物、光学材料用組成物、光学材料、その製造方法、並びに、それを用いた液晶表示装置及びled
JP4037125B2 (ja) 2001-02-23 2008-01-23 株式会社カネカ 発光ダイオード及びその製造方法
JP3910080B2 (ja) 2001-02-23 2007-04-25 株式会社カネカ 発光ダイオード
JP2003113310A (ja) 2001-10-05 2003-04-18 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd 光学材料用組成物、電子材料用組成物、光学材料、電子材料、発光ダイオード及びその製造方法
JP2003128921A (ja) 2001-10-17 2003-05-08 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd 熱硬化性樹脂組成物及び熱硬化性樹脂フィルム、それを用いてなる金属箔積層体

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