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TW200304648A - Optical recording medium - Google Patents

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Publication number
TW200304648A
TW200304648A TW092107220A TW92107220A TW200304648A TW 200304648 A TW200304648 A TW 200304648A TW 092107220 A TW092107220 A TW 092107220A TW 92107220 A TW92107220 A TW 92107220A TW 200304648 A TW200304648 A TW 200304648A
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TW
Taiwan
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ffi
substituted
group
unsubstituted
compound
Prior art date
Application number
TW092107220A
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English (en)
Inventor
Taizo Nishimoto
Shinobu Inoue
Tsutami Misawa
Ryosuke Nara
Yuji Inatomi
Shunsuke Murayama
Tadashi Koike
Yasunori Saito
Nakagawa Shinichi
Original Assignee
Mitsui Chemicals Inc
Yamamoto Chemicals Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsui Chemicals Inc, Yamamoto Chemicals Inc filed Critical Mitsui Chemicals Inc
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Description

200304648 五、發明說明（1) 一、 【發明所屬之技術頜域】 本發明係關於甲川二也咯金屬螯合化合物，以及使用 此等化合物之可進行高速記錄D V D互換的增錄型光記錄媒 體。 二、 【先前技術】 利用光進行記錄的光媒體之中，將僅可以記錄丨次之 增錄型光碟片（Compact Disk)稱為CD-R，由於具有與一 般再生專用之C D - R 0 Μ互換性而被眾人所使用。另外，也正 著手進行具有更高於CD記錄密度之多功能數位碟片 (Digital Versatile Disk ;DVD)等可記錄媒體的開 發，利用發射波長63 5〜66 Onm之紅色半導體雷射，由於進 行和TV品質相同動晝記錄的單面4· 7GB記錄容量之增錄型 DVD-R與DVD-ROM之高互換性，期待能被普及化。 此等增錄型媒體係記錄層中之有機染料，藉由因所照 射之雷射光能量的吸收，導致分解、蒸發、溶解等化學或 物理變化’形成產生反射率變化之凹洞，而能進行資料之 記錄再生。 、 卜 有人提議已實用’化之菁染料、偶氮金屬螯合染料、四 氮雜叶琳染料、卟啉染料等各種染料作為使用於DVD — R記 錄層中之染料。本發明人等則著眼於光學特性、記錄特 =、耐久性均為極佳的曱川二吡咯金屬螯合化合物，本發 ，人等從日本公開專利第平1 0-22 6 1 72、1 1 -0 92682號公報 等開始’已建議過許多使用此系列染料之光記錄媒體。
第14頁 200304648 五、發明說明（2) 然而，隨著4倍速記錄等記錄速度之高速化而控制記 錄層中之有機染料的形成將變得困難，將會有使抖1動、° 秩率等記錄特性變差之問題。同時滿足標準速記錄之記^ 特性與高速記錄之記錄特性也將變得困難，也會有為 足任意之其中一種特性，而必須犧牲另一種特性 ^ 點。 j嗖 三、【發明内容】 本發明之目的，在於提供一種光記錄媒體，使用甲川 一吡咯金屬螯合化合物的光記錄媒體以解決該問題點。 本發明人4為了達成此目的而鑽研探討之結果，使用 fa己錄層中之有機染料，藉由使用熱質量分析上之主要質 置減少的開始溫度為3 3 0 t以上、5 0 0 °C以下之曱川二吡略 金屬螯合化合物，尤其使用該一般式（丨）所示之甲川二吡 咯金屬螯合化合物，發現不僅是標準速記錄，即使是4倍 速記錄等也可以得到極佳之高速記錄特性的光記錄媒體， 遂完全了本發明。 亦即，本發明係 ⑦ 種光§己錄媒體’於形成導引溝槽的透明基板上，至少 具有記錄層以及反射層，而於記錄層中，含有至少丨種之 曱川二吡咯金屬螯合化合物，其熱質量分析上之主要質量 減少的開始溫度為330 °C以上、5 0 0 °C以下。 ' ②第(D項記載之光記錄媒體，其中，曱川二吡σ各金屬螯合 化合物係以一般式（1 )所示。
第15頁 200304648 五、發明說明（3)
R9
[式中，R1〜R4與R6〜R11係分別表示獨立之氫原子、鹵素原 子、取代或未取代之烷基、烷氧基、芳基、烯丙氧基、或 式（a )表示所示之取代基，R12係表示取代或未取代之芳 基，X係表示一0 —、一 S —、一 CH ( R5 ) —，R5係表示氫原 子、鹵素原子、取代或未取代之烷基、烷氧基、芳基，Μ 係表示過渡元素， 一 CO -π3 (a )
(式中，R13係表示取代或未取代之烷基、取代或未取代之 芳烷基、取代或未取代之芳基。）] ③第①項記載之光記錄媒體，其中，曱川二也洛金屬螯合 化合物係以一般式（2 )所示。
第16頁 200304648 五、發明說明（4)
[式中，R14〜R17與R19〜R24係分別表示獨立之氫原子、鹵素 原子、取代或未取代之烷基、烷氧基、芳基、烯丙氧基， R25係表不取代或未取代之芳基，Y係表不一 0 —、一 S —、 —CH(R18) —，R18係表示氫原子、鹵素原子、取代或未取代 之烷基、烷氧基、芳基，M’係表示過渡元素。] ④第①項記載之光記錄媒體，其申，含有以一般式（3 )、 (4)以及（5 )所示之曱川二批咯金屬螯合化合物的混合物。
第17頁 200304648 五、發明說明（5)
第18頁 200304648
[式中，R26〜許與ρ π 原子、取代 不刀別双示獨立之氫原子、i素 或式邮- 羊^暴、方基、烯丙乳基、 不之取代基，R33係表示鹵素原子、取代或未 、、元土 燒氧基、芳基、稀丙氧基，R34係表示取代或 取，之芳基，z係表示氧原子、硫原子、CH 一 R3。，R3。係 ，示氫原子、齒素原子、取代或未取代之烧基、炫氧基、 芳基’ Μ ’係表示過渡元素， 〜C0-R35 (a ) j式中，R35係表示取代或未取代之烷基、取代或未取代 芳垸基、取代或未取代之芳基。）] ⑤以一般式（6)所示之甲川二毗咯金屬螯合化合物。
(6) [式中，R36〜R39與R41〜R45係分別表示獨立之氫原子/ · ι、， 原子、取代或未取代之烧基、嫁氧基、芳基、烯丙氧
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五、發明說明（8)
(9) [式中，R2S〜R29與!^、R32係分別表示獨立之氫原子^齒素 原子、取代或未取代之烷基、烷氧基、芳基、烯丙氧基， 或式（b )所示之取代基，r33係表示鹵素原子、取彳未、 取代之烷基、烷氧基、芳基、烯丙氧基，R34係表示取代或 未取代之芳基， 一co -R35 (b ) (式中，R35係表示取代或未取代之烷基、取代或未取代之 芳烷基、取代或未取代之芳基。）] 四、【貫施方式】 以下，詳細說明本發明。 /般式（1)所示之甲川二毗洛金屬螯合化合物，可列 .舉：氟、氯、溴、碘等作為R1〜R4以及Rs〜R11之鹵素原子
200304648 五、發明說明（9) 的具體例’尤其以漠原子最為理相。 以總碳數1〜12者作為敗你:土 想，即使為直鏈、分枝或環狀^可^取代之烧基最為理 具體例則可列舉：甲其 ，* T基、乙基、η〜丙基 η〜丙基、η-丁基、η_ s τ 1 w i # 辛基、n-壬基、n-癸基等一級 ,m ^ Z甲基丁基、2-曱基戊基、3-曱 卜甲基己基、2-乙基戊基、3-乙基 甲基庚基、4-曱基庚基、5 -甲基庚 戊基 烧基； 基己基 戊基、2-曱基庚基 η-己基、η-庚基、 η 基、2-乙基己基、3-乙基己基、異丙基、sec—丁基、卜乙 基丙基、；1-曱基丁基、；[，2一二曱基丙基、卜甲基庚基、卜 乙基丁基、1，3-二曱基丁基、二曱基丁基、卜乙基 -2-甲基丙基、1-甲基己基、丨一乙基丁基' 卜丙基丁基、 1-異丙基-2-甲基丙基、j 一乙基一2—甲基丁基、卜丙基一 2 一 曱基丙基、1-甲基庚基、卜乙基己基、卜丙基戊基、卜異 丙基戊基、卜異丙基〜2-甲基丁基、1—異丙基一 3-甲基丁 基、1-曱基辛基、1〜丙基己基、1異丁基一3-曱基丁基等二 級烷基；新戊基、tert - 丁基、tert -戊基、tert-己基、 tert-辛基等三級烧基；以及環己烷基、4-曱基環己烷 基、4-乙基環己烧基、4- tert- 丁基環己烷基、冰片基、 異冰片基（金剛基）等環烷基等。 該烧基也可以取代為鹵素原子，另外，也可以隔著 氧、硫、氮等原子而以該烷基取代。可列舉··甲氧基曱 基、曱氧基乙基、乙氧基曱基、乙氧基乙基、丁氧基乙 基、乙氧基乙氧基乙基、苯氧基乙基、曱氧基丙基、乙氧
第22頁
200304648 基丙基、卜哌啶基、嗎啉代基等作為隔著氧而取代的烷 基，可列舉·甲硫基乙基、乙硫基乙基、曱硫基丙基、苯 硫基乙基等作為隔著硫而取代的烧基；以及可列舉··二甲 胺基乙基、二乙胺基乙基、二乙胺基丙基等作為隔著氮而 取代的烧基。 最好，總碳數為1〜1 2者作為取代或未取代之烷氧 基，若取代或未取代之烷基直接鍵結於氧原子者更為理 想，可列舉該烷基作為烷基。 ' 最好，總碳數為6〜1 8者作為取代或未取代之芳基’ 具體例則可列舉··苯基、萘基、二苯基、芴基、菲基、 蔥基、聯三苯基等。 t 該芳基也可以藉由羥基、鹵素原子、硝基、羧基、氰 基予以取代，另外，也可以隔著氧、硫、氮等原子而以該 烧基取代。 夺 具體例則可列舉：硝基苯基、氰基苯基、經基苯基、 曱基苯基、二甲基苯基、三甲基苯基、乙基苯基L二乙基 苯基、三乙基苯基、η-丙基苯基、二（n—丙基）苯三 (η-丙基）苯基、iso-丙基苯基、二（is〇-丙基）J基、 三（iso-丙基）苯基、η- 丁基苯基、二（n— 丁基）苯f、 三（η- 丁基）苯基、iso- 丁基苯基、二（is〇- 丁基）苯 基、三（iso- 丁基）苯基、sec- 丁基苯基、二（sec-丁基 )苯基、三（sec- 丁基）苯基、卜丁基苯基、二（基 )苯基、三（t-丁基）苯基、二甲基一七—丁基苯基/氟苯 基、氯苯基、溴苯基、碘苯基、甲氧基苯基、乙氧基苯
第23頁 200304648 五、發明說明⑽ M N-二甲胺苯基、菩基、硝久宏 土 : 土 #仗、甲基萘基、亂奈丞、氯萘 氰基萘基、毯基萘ς 三氟甲氧基萘基、Ν， 基、碘莕基、曱氧基奈參 華基等作為此等之取代芳基。 &以々土 t 最好，總碳數為6〜18者作為取代或未取代之芳 基、三氟甲基苯基、Ν’V.莘基、氟菩基、氯萃；奈基、 曱胺 代之芳基直接鍵結於氧原子者更為理 氣 基，若取代或未取 想，可列舉該芳基作為芳基。 另外，從得到良好的記錄調變度以及反射率的觀點而 言，最理想之例，可列舉r6係總碳數為2〜12之取代或未取 代的烧基。 、4-甲基己基 、2-甲基庚基 、2-乙基己基 肉基、1-甲基 具體例則可列舉·乙基、η-丙基、η- 丁基、η -戍基、 η 一己基、η -庚基、η-辛基、η-壬基、η -癸基等一級炫基，· 落丁基、異戊基、2-甲基丁基、2-甲基戊基、3 一甲基己 5-甲基己基、2-乙基戊基、3 一乙基戊 3-甲基庚基、4-甲基庚基、5-甲基庚 3-乙基己基、異丙基、sec_ 丁基、1-乙 基、1，2-二甲基丙基、1-甲基庚基、1-基丁基、1，3一 一甲基丁基、1，2-二甲基丁基、1-乙基 -甲基丙基、甲基己基、1—乙基丁基、1—丙基丁基、 異丙基-2-甲基丙基、1—乙基-2-甲基丁基、1 一丙基-2 -基丙基、1-甲基庚基、1—乙基己基、1 一丙基戍基、1-異 基戊基、卜異丙基-2-甲基丁基、；1 一異丙基—3-甲基丁 、1-甲基辛基、1-丙基己基、1—異丁基一 3—曱基丁基等 级烷基；新戊基、tert - 丁基、tert -戊基、tert-己
第24頁 200304648
五、發明說明（12) 基、tert -辛基等三級垸基；環己烧基、4—曱基環己浐 基、4-乙基環己烷基、4-tert一 丁基環己烷基、冰片^ 異冰片基（金剛基）等環烷基等。 土 該烧基也可以取代為鹵素原子，另外，也可以隔著 氧、硫、氮等原子而以該炫基取代。可列舉··甲氧基甲 基、甲氧基乙基、乙氧基甲基、乙氧基乙基、丁氧基乙 基、乙氧基乙氧基乙基、苯氧基乙基、甲氧基丙基、乙氧 基丙基、卜派啶基' 嗎啉代基等作為隔著氧而取代的烧 基；可列舉：甲硫基乙基、乙硫基乙基、乙硫基丙基、苯 硫基乙基等；以及可列舉：二甲胺基乙基、二乙胺基乙 基、二乙胺基丙基等作為隔著氮而取代的烷基。 可列舉該取代或未取代之芳基作為R〗2之取代或未取代 的芳基。 —可列舉該_素原子、取代或未取代之烷基、烷氧基、 芳基作為r5之！i素原子、取代或未取代之烷基、烷氧基、 芳基。 式（a )所示之取代基中，RU係表示取代或未取代之 烷基、取代或未取代之芳烷基、取代或未取代之芳基，玎 列舉各種該官能基作為各自之具體例。 若為具有形成甲川二峨咯金屬螯合化合物與螯合物能 力之過渡元素，雖然未特別予以限制，可列舉：8、9、1 〇 族（VIII族）、1丨族（Ib族）、12族（IIb族）、3族 (IIIa.)、U^(IVa.)、5.(v“^)、6.(viak )、7私（V I I a族）之金屬作為M之具體例，具體而言，為
200304648 五、發明說明（13)
Cu (II )、Zn (II )、Ni (II )、Pd (II )、Pt (II )、 Μη ( I I )或Co ( I I )，其中最好為Cu ( I I ) 、Zn ( I I )或 Pd ( I I )，尤其最理想為Cu ( I I )。 本發明之一般式（1)所示之甲川二毗咯金屬螯合化合 物，製造方法並未限制，可以依照例如記載於Aust.J·
Chem.， 1965， 11， 1835-45， Heteroatom Chemistry, V〇i· 1， 5， 389 (1990) 、USP-4774339 、USP-5433896 等 方法而予以製造。代表性而言，能夠經由以下之2階段反 應予以製造。 首先，於第1階段，將一般式（1 〇 )所示之化合物與一 般=(11)所示之化合物，或是一般式（12)所示之化合物與 /般式（13)所示之化合物，於氫溴酸或氫氯酸等酸觸媒^ 存在下，於適當之溶劑中進行反應，得到一般式（14)所一 1甲川二吡咯金屬螯合化合物。接著，於第2階段，使一不 般式（14)所示之甲川二批咯金屬螯合化合物與過渡之— 醋酸鹽或i素化物進行反應，得到—般式⑴所 γ之 二吼咯金屬螯合化合物。 甲川
第26頁 200304648 五、發明說明（14)
(12)
(13)
R1 R2 (14) 上，R1〜R4、R6〜R12、X係表示 [於式（10 )〜（14 與上述相同之取代基。] 另外’ 一般式（1 1 )所示之化合物係依照例如記載於 J 〇 u r n a 1 0 r g a n i c C h e m i s t r y，6 5，2 9 0 0 ( 2 0 0 0 )或
Journal Heterocyclic Chemistry, 30， 477 (1993)等方 法而予以製造。另外，一般式（1 3 )所示之化合物係依照例 士口言己載於 Organ i c Preparations and Procedures I n t.
第27頁 200304648 五、發明說明（15) 口比17各金屬 千示之官 (a-5 ) 、R1所示之官 13(2)， 97-101 (1981) 、J· 0· C· 28， 3052-3058 ( 1 9 6 3 ) 'Tetrahedron Letters 24 1 1 - ( 1 989 )等方法，藉 由醯化一般式（11)所示之化合物而予以製造。 於表1顯示本發明之一般式（1 )所示之甲川 螯合化合物之較佳的例子。還有，具有式（a)所示之官 月b基作為取代基之情形，（a - 1 能基係顯示於表2之取代基。
200304648 五、發明說明（16) 【ΘΙ<】 d U 3 a δ a CN α> !么 <D A <D <D 0> A 1 Me l·巳u Me Qj Δ UJ [ UJ Me Me ffi a a ffi a ffi ffi ffi Ο Pi κ u m K u id ch3 m 〇 m K u κ K K 占 ffi K K ffi ffi ffi ffi ffi ffi ffi ffi ffi ffi K ffi ffi ffi ffi ffi 〇 ffi a ffi E C2H5 C2H5 m ffi ◦ ro ffi 〇 X 00 o o 〇 ΓΜ ffi u CN ffi U 丨ch2 <N ffi U ffi ffi K ffi K K K ffi ffi ffi ffi ffi ffi ffi ffi ffi K ffi ffi ffi ffi K K ffi ffi ffi ffi ffi ffi ffi ffi ffi 1化合物| r*H 1 r—H <N r-H rn r—< r~* in t—H \o r_ H t—H GO Γ 1 ^
IIBII 第29頁
200304648 五、發明說明（17) 【©1<】 d a c3 c3 a ΓΝ Pi 1 Me :令咖 i Me Me —^y>t-Bu Me to ι4^ι qC <D ιψι <υ Μ. 2 j 2 a> 1^1 Pi ffi K ffi K K £ w a ο 占 ¢5 κ u K E ά 占 a ffi w ffi K ώ m w κ ffi κ ffi ffi ffi ίδ a ffi E ffi K ffi ffi ffi K 〇 C2H5 m 〇 m ffi o ffi m ffi κ X ch2 ch2 CHCH3 ch2 ch2 0 0 ⑺ K ffi ffi ffi ffi w pi ffi w w ffi ffi ffi X 0CH3 ffi ffi K ffi ffi ffi ffi ffi Pi ffi ffi ffi ffi ffi ffi ffi w i化合物i 〇\ r—^ 1-10 1-11 1-12 1 1-13 1-14 · 1-15 1-16
第30頁 200304648 五、發明說明 【ΘΪ】
<D N N F-4 5 ㈡ U ：N <υ 永 ά: <〇 A <U <D 2 T 2 <〇 A 1 T i <〇 ά: Ό A tD ιψι a ffi ffi ffi a ffi a ffi 〇 s ffi m m u ω ίδ 占 ffi a m K u ffi ώ ffi 占 ffi w k ώ a s κ ffi ffi ffi k W w a κ ffi ffi ffi 〇 r___嶙 ffi ►—ι a ffi O m ffi O C2H5 C2H5 X m GO ch2 CHCH3 CN ffi U (N K u ch2 ch2 ffi ffi ffi ffi m K o ffi ffi 〇ch3 K ffi E ffi pi ffi ffi X K ffi ffi ¢5 f _ H ~k K ffi K m W u 占 m ffi 1化合物1 r- r—^ 1 T—H 1-18 1-19 o <>1 1-21 1-22 1-23 寸 (N ΗΙΙΙ 第31頁
200304648 19) 五、發明說明 ㈡ U N N u ^0 u N ΓΝ 43 A 〇} A tu a> A (U 木 s 1 s Me -- Me (D A Me Me m k ffi ffi ffi ffi K ffi κ K m ffi u ch3 m ffi u ΓΛ w u m H 〇 m ffi u ffi K K ffi ffl 占 E m w ffi ffi ffi ffi W K m w ffi ffi ffi ffi ffi 〇 ，* K HH ffi C2H5 ch3 c6h13 i m ffi 〇 X choch3 (N K u CHBr CHC1 1 iN ffi u <N 〇 (N K 〇 Pi E ffi E ffi K ffi m K 、〇ch3 ffi ffi 0CH3 t ^ CN ffi ffi K ffi 0CH3 0CH3 ffi κ K m ffi ffi ffi 1化合物I CN 1—H <N 1—* CN T—H 〇〇 (N r-H 1-29 0 cn r—1 1-31 1-32
第32頁 200304648 五、發明說明（ς 【Θι崦】 6 6 δ a δ a CN <ύ !么 <ύ <〇 Me 一^y~t-Bu Me7 Me Me 〇 i么 A iD A ffi ffi κ ffi ffi K K a 3 Pi m E Ο m X u 占 ΓΟ K o 占 m ffi u m K u rn ffi CJ Pi κ K κ ffi K ffi ffi (S ffi ffi w ffi ffi ffi ffi ffi κ ffi ffi ffi ffi ffi ffi ΓΛ υ CH2Ph CH2Ph CH2Ph CH2Ph 1 C2H5 m ffi 〇 c6h13 X (Ν ffi Ο K o ch2 fN E U ch2 0 〇 〇 κ K ffi ffi ffi K ffi ffi κ ffi K m K ffi W ffi ffi ffi a ffi X ffi w ffi ffi κ ffi ffi ffi ffi 1化合物丨 1-33 1-34 r-H rn T-H 1-37 1-38 c\ cn r—H 1-40 Η1Ι 第33頁 200304648 五、發明說明 21)
u a 5 a α; !4ΐ Me —< .》~~ 〖_Bu M厂 Me Me 1 ~~ Me Me Me 卜 Bu Me <ϋ a> A £D Κ ffi ffi ffi a w a ffi m ffi u ¢5 (5 m E u ch3 ΓΛ ffi u ffi 〇 ΓΟ U ffi ffi ffi a ffi w 占 κ ffi ffi ffi a ffi ffi K κ K ffi ffi a m u ffi ffi 〇 m E U m ffi 〇 1 c2H5 1 1 1 CH2Ph CH2Ph c2h5 m ffi 〇 c6Hl3 X o CHPh CHPh CHPh 1_ CHPh CHPh O o ffi ffi K X ffi ffi ffi w ffi ffi ffi ffi ffi ffi K K m K E ffi K ffi K K a ffi ffi K ffi ffi 1化合物| 1-41 1-42 1-43 寸 1-45 1 1-46 1—^ 00 1—H
第34頁
200304648 五、發明說明 【@1礤】 o u 6 U 0 ㈡ U a CN & <D Me 一 ^y~t-Bu Me Me 卜 Bu Me Me —^y-t-Bu Me~ a> 永 2 j s tl> Me Me Me Me Pi K ffi ffi ffi ffi s ffi ffi ffi Ο m ffi u m ffi o ch3 ΓΟ K u 占 占 m ffi u m ffi u ώ ffi ffi ffi ch3 m ffi 〇 r〇 ffi U ffi K ffi m CJ m K u m K u ffi w ffi ro ffi U r〇 ffi U K ffi ffi ffi ffi ffi K ffi ffi o ch3 K 占 ffi c2H5 ά ffi C2H5 X o <N ffi 〇 ch2 ch2 ch2 ch2 CN ffi CJ m C/3 K ffi K ffi ffi ffi ffi ffi ffi s ffi K ffi K ffi ffi ffi ffi K K K K ffi ffi ffi m K K w ffi ffi ffi ffi ffi k ffi |化合物| 1-49 1-50 1-51 1-52 1-53 I 1 - 54 _i 1 j 1-55 1-56 1-57 ΙΙΒΗ 第35頁 200304648 五、發明說明 【®i】 a u a d 6 CN Me -H0-t-Bu Me厂 1> !奉! 1> A Me Me Me t-Bu Me Me Me Me Me ?υ ffi ffi ffi ffi K ffi ffi 〇 m ffi o ώ m ΓΟ ffi U m ffi 〇 m ffi o ffi W o m ffi u m ffi u ffi ffi ffi m ffi 〇 ffi o ffi ' ffi ffi m ffi u m ffi 〇 m o ffi ffi K ffi ffi M ffi ffi 〇 占 ffi c2H5 ffl ffi c2h5 ffi X GO 00 00 ίΠ O o o O w ffi ffi K ffi ffi ffi ffi ffi ffi ffi ffi ffi w ffi ffi ffi ffi K ffi ffi K ffi ffi K ffi ffi ffi |化合物1 oo tn r-H 〇> r—^ 1-60 1-61 1-62 1-63 1-64 1-65 1H11 第36頁 200304648
五、發明說明 第37頁
200304648 :®I<】
五、發明說明 第38頁
200304648 五、發明說明（26) 【表2】
-CO-R 13 取代基 a-1 ch3 a-2 C6Hn a-3 CH2Ph a-4 a-5 c2h5 一般式（3 )、（ 4 )、（ 5 )所示之甲川二毗咯金屬螯合化 合物之混合物，R26〜R29以及R31、R32係分別表示獨立之氳原 子、鹵素原子、取代或未取代之烷基、烷氧基、芳基、烯 丙氧基，另外，式（b )表示所示之取代基，R33係表示鹵 素原子、取代或未*取代之烧基、烧氧基、芳基、稀丙氧 基，R34係表示取代或未取代之芳基，Z係表示一0 —、一 S —、一CH(R3Q) —，R3G係表示氫原子、鹵素原子、取代或未 取代之烷基、烷氧基、芳基，M11係表示過渡元素，可列舉 該官能基作為各自之具體例。 一般式（3 )、（ 4 )以及（5 )所示之甲川二吡咯金屬螯合
第39頁 200304648 五、發明說明（27) 化合物之混合物，雖然各成分之組成比並未加以限制，最 好滿足以下所有條件a)、b)、c)。 a) —般式（3 )所示之曱川二毗咯金屬螯合化合物之組 成比為1 0 %以上、9 0 %以下。 b ) —般式（4 )所示之曱川二毗洛金屬螯合化合物之組 成比為1 0 %以上、9 0 %以下。 c ) 一般式（5 )所示之甲川二祉咯金屬螯合化合物之組 成比為1 0 %以上、9 0 %以下。
一般式（3)、（4)、（5)所示之曱川二批洛金屬螯合化 合物之混合物，雖然未加以限制，於適當之溶劑中進行反 應，能夠使一般式（1 5 )所示之曱川二吡咯金屬螯合化合物 與一般式（1 6 )所示之曱川二吡咯金屬螯合化合物之混合 物，與鎮、始、鐵、釕、錢、絶、銅、锇、銀、始、鋅等 金屬之醋酸鹽或鹵素化物進行反應而得到。 最好，一般式（1 5 )所示之曱川二批嘻金屬螯合化合物 占有一般式（1 5 )所示之甲川二毗咯金屬螯合化合物與一般 式（1 6)所示之甲川二地咯金屬螯合化合物之總質量的質量 比率為1 0 %以上、9 0 %以下，更理想為2 0 %以上、8 0 %以下。
第40頁 200304648 五、發明說明（28)
(16) [於式（15 ) 、（ 16 )上，R26〜R34以及Z係表示與上述
相同之官能基。J 身又式（1 5 )所示之甲川二毗嘻金屬螯合化合物或是一 般式（1 6)所示之甲川二吡咯金屬螯合化合物，雖然並未加 以限制，依照例如記載於Aust· j. chem·，1 9 65， 11， 1835-45， Heteroatom Chemistry, V〇l. 1， 5， 389 ( 1 9 90 )、USP-4774339、USP-543 38 96 等之方法而予以制 造。 衣 亦即，將一般式（17)所示之化合物與一 之化合物、或是-般式(19)所示之化合物鱼3(1)所示 不之化合物，於氫溴酸或氳氯酸等酸觸、又式（20)所 當之溶劑中進行反應，得到一般式（1 之存在下，於適 金屬螯合化合物。 斤示之甲川二吨U各 -y It ^ ^ , (20)所 示之化合物、或是將一般式（22)所示之舄一般式（ 所示之化合物，於氫填酸或氫 ：物與1 今^觸媒之^
200304648
第42頁
200304648 甲 川二吡％ 金屬螯合 式（15)所 示之甲川 進行共合 所示之化 式（18)所 般式（2 2丨 之化合物 之溶劑中 屬螯合化 合物的混 -般式（3) 的混合物 五、發明說明（30) 一般式（1 5 )所系之 式（16)所示之甲川二冰洛 如上所述分別製造的〆 合化合物與一般忒（16)所 而得到，最好如下所述’ 亦即，將一般式（1 7 ) 之化合物的混合物，一般 式（19)所不之化合物與一 物，以及一般式（20)= 一 酸觸媒之存在下，於】不 (15)所示之曱川二毗=當 之甲川 各金 τ川二吡咯金屬螯八 於表3，顯示本發3 JI - ^ k 明一 比咯金屬螯合化合物 化合物，雖然能夠 示之甲川二^:嘻金 二批哈金屬螯合化 成而得到。 合物與一般式（21) 示之化合物、或是 所示之化合物的混 ，於氫溴酸或氫氯 進行反應，得到一 合物與一般式（1 6 ) 合物。 、（4 )以及（5 )所示 之具體例。 〜般 混合 屬螯 合物 所示 一般 合 酸等 般式 所示 之甲
第43頁 200304648 五、發明說明 【θεί 〇 u β a ㈡ U r·* N 寸 Ρί <〇 Me Me厂 Ά Ui T LU Me -0-t-Bu Me厂 Me —^(^~^—t~Bu Ma~ Me -H^-t-Bu Me 1 Me 1 ~0-Me 1 M厂 ch3 ch3 ffl rr) X 0 m ffi U ch3 ffi ffi ffi ffi K ffi ffi K C2H5 *n K ^CN r〇 m 〇 rn ffi U C2H5 ch3 m K 〇 HH Ν CN ffi 0 ffi u <N ffi U ffi 〇 ffi 0 (N ffi u CHCH3 ch2 7Ν ffi ffi ffi ffi ffi ffi ffi ffi y〇 ffi ffi ffi ffi ffi K K K ffi ffi ffi K ffi K K ffi 〇 CN K ffi ffi K K K ffi ffi 化合物 (5) r—< <N cn 可 in VO to … 00 化合物 (4) r·1 Ή 4 <N CO 4 00 4 化合物 (3) r H 1 (N cn cn m cn ΓΟ Γγ 〇〇 cn 混合物 r-H 1 S m-2 m-3 m-4 s \〇 B m-7 00 a ιιηη 第44頁 200304648 :32) 五、發明說明 U a N δ a <〇 !奉! ι-Pr__ —^Ki-Pr α> <D A <D <〇 ι4^ι ά (5 (5 ch3 ffi U ch3 u m K u !N ffi w ffi ffi K ffi ffi m E CJ m ffi CJ 丨 c2h5 c2h5 HH ffi C2H5 N chch3 CN ffi CJ ch2 ! ch2 <N m o ch2 CHBr CHC1 ffi ¢5 rn ffi CJ ffi ffi 占 ffi ffi ffi ffi ffi a ffi ffi ffi ffi ffi 占 > 1 K a 〇ch3 〇 ΓΝ ffi ro ffi CJ ffi w ffi ffi 化合物 ⑸ 〇\ 〇 * 1 5-11 5-12 cn \ 5-14 r—* 1 VO T—^ ( 化合物 (4) 〇\ 4 4-10 4-11 4-12 4-13 1 4-14 4-15 4-16 化合物 ⑶ ON ΟΊ 3-10 3-11 3-12 | m r*-H 1 cn 3-14 3-15 r-H 1 cn 混合物 m-9 m-10 m-11 m-12 m-13 m-14 m-15 m-16
ill 第45頁 200304648 五、發明說明（33) 【©£<】 d N a a a (D 1^1 ιψι <D 2 I s 0> A «〇 ιψι 03 1- Me Me Me 曰 u M厂 m ffi Ο m X CJ m K u m ffi CJ m K o m ffi o 占 ΓΝ Pi ffi ffi K ffi ffi ffi ffi m ffi o c6h13 m ffi o rn u £ (N ffi U CH2Ph CH2Ph Λ Ph <N K u N (N K o ΓΝ W u CN K o ch2 ch2 ch2 CN ffi u (N ffi u ffi ffi ffi E ffi ffi ffi X) i ! 〇ch3 1 ώ ffi ffi ffi w ffi och3 ffi ffi ffi w ffi W ffi 〇 ΓΝ K X ffi X ffi 化合物 ⑸ 卜 r—i 1 5-18 H 5-20 5-21 I 5-22 5-23 1 5-24 化合物 (4) 4-17 4-18 4-19 4-20 1 i 4-21 4-22 4-23 4-24 化合物 (3) r-H 1 m 3-18 3-19 3-20 3-21 3-22 3-23 3-24 混合物 m-17 m-18 G\ r-H 1 S m-20 r—* (N B m-22 m-23 m-24
第46頁 200304648 五、發明說明 【®ε<】
a N a δ u ㈡ ο (D (ΰ EU m 1 3 CD □Q %: !4^ 上 i^§ ··々! % m ffi CJ m ffi 〇 m m u m ffi u ά 占 m ffi o rO K u Ν ffi ffi K ffi κ κ ffi ffi ffi ^CN m ffi u c6h13 ffi u m ffi u in ffi c3^ CH2Ph CH2Ph 〇 O o o £ £ £ Ν K Μ O ffi ffi o u U K ffi ffi ffi ffi ffi ffi I/ ffi w ffi ffi ffi K ffi K K ffi m ffi ffi ffi K 〇 ffi ffi E K K ffi ffi ffi ♦ S i〇 (N VTi VO CN m r- <N 〇〇 <N a in 〇 ΓΠ un r-H CO un (N m in 化合物 (4) (N 4 (N 4 4 00 (N 4 r—* ΓΟ 4 (N m ^ δ <N VO <N 卜 <N oo <N 1 o CO r-H CO (N rn ΠΊ cn m cn cn r〇 ~ J 4d tn CN Ό 卜 <N oo <N o cn r—^ ΓΛ CN rn Λ 〜、 g έ s B B B έ B ill 第47頁 200304648 五、發明說明 (35) 【Θεί
c3 u N 2 5 δ <D A i> 1> A, Έ I 2 (D 1^1 Me Me Me —^ t~Bu Me Me厂 (U A a m a rn ffi m K m ffi m ffi PH o u u u u u u ΕΝ ΓΛ ffi 〇 k a ffi ffi ffi s k C2H5 m K u c6h13 m ffi 0 ffi C2H5 占 a Ν CHPh 0 0 〇 ch2 ΓΝ K u rs W 〇 ra ffi a ffi ffi k ffi ffi K ffi ffi ffi X κ ffi ffi K ffi ffi % ffi a κ ffi ffi ffi K 〇 ΓΝ K ffi κ ffi ffi X ffi a 荽 Φ S cn cn \ cn cn r- rn 00 cn as CO 5-40 € m 1^1 W) to >〇 *·〇 j 化合物 (4) 4-33 4-34 4-35 4-36 4-37 i 1 i 4-38 ! 4-39 4-40 化合物 (3) 3-33 3-34 3-35 ί 3-37 1 1 1 3-38 1 3-39 3-40 cn m 寸 ΓΊ un Ό CO 卜 <T) 〇〇 m cn 0 s s s £ B έ B S 第48頁 200304648 五、發明說明 【©Γη<】
第49頁 200304648 五、發明說明（ί 【Θεί a a a a O U 1> A (〇 A «ϋ <D 永 5 1 Έ m A 1¾^ m ά ώ m ffi o HH £ ffi ffi ffi K ffi K to ffi ^CN g (a-l ) E c(ch3)3 c(ch3)3 Ν 〇 〇 (N K o ΓΝ ffi o (N ffi U <N ffi u (N ffi u % ffi ffi j (a-1) ffi ffi ffi ffi ffi κ K K 1 j (a-3 ) i K % ffi a ffi ffi (a-2) K ffi 〇 ΓΝ ffi ffi ffi K W ffi (a-4) Φ s ¥荽 ON 〇 • V r—H in (N in cn un wo 寸 in uo 伞s ¥荽 a\ -4* r—H 1/Ί CN in 4 m U^) in 4 命g On cn O in cn r-H ΠΊ CN in cn m m 1 cn i〇 CO c\ 寸 a 〇 a T-H έ CN IT) έ m un s 寸 s un s inn 第50頁 200304648 五、發明說明（38)
200304648 五、發明說明（39) 接著’針對本發明記錄媒體之構造加以說明。 斤月光°己錄媒體係指一種光記錄媒體，顯示能夠將已 預先己錄食料之再生專用的光再生專用媒體以及資料予以 重功能H，本發明係說明關於-種能 ^ 、百I貝料予以記錄並再生作為適合例的光記錄媒 身Ϊ層。、最Ζ於：種光記錄媒·’其基板上具有記錄層、反 造。 于’本發明之光記錄媒體具有如圖1所示之黏合 人=二ί S，於基板1上形成記錄層2，然後於其上進行黏 :5 a 射層3，進一步於其上，隔著黏著層4而黏合基 =。二=層2之下或是之上也可以有其他^ 性之故，二上也可以有其他之層。因與既存DVD的互換 Ψ、内#15 /曰之構造係將2片板厚〇. 6mm、外徑12〇mm _Ψ之圓盤狀基板予以相黏合。 及其構成材ί ::::;記錄媒體之構造各層的必要特性以 1)基板 基本上’於記錄光以及再 材質作為基板之材.質。例如，利長，隶好為透明的 樹脂、聚甲基丙烯酸甲酿等心旨樹脂、氯乙稀 環氧樹脂等高分子材料或是破1苯乙烯樹脂、 料係藉由射出成形法 j…機材料。此等基板材 也可以具有表示記錄位=的基板。於基板表面 為了再生專用資料等之、置溝槽或預置凹洞與一部分 、 洞。此等預置溝槽或預置凹 第52頁 200304648 五、發明說明（40) 作時，藉由壓 雷射切割法 法予以製 洞係藉由射出成形法等，通常採用於基板制 模原盤賦予復印的方法。另外，也可以藉$ (預寫）或2P (Photo Polymer :光聚合物、 作0 基板之溝槽間距為0.7〜l.0/zm，溝槽深度為1〇()〜 20〇nm，最好為140〜185nm。溝槽寬度為〇· 25〜〇. 4〇 ， 最好為0· 30〜0· 35 。溝槽深度於100nm以下之情形，得 到為了循軌之推挽式號振幅是困難的，而於2 〇 〇 n 以上 之情形，射出成形時之復印製程並無生產上之實用性。 另外’溝槽見度於0.25/ζιη以下之情形，由於受到他 處傳來之干擾而變差。於0 · 4 /z m以上之情形，射出成形時 之復印製程並無生產上之實用性。此等溝槽形狀可以藉由 He-Cd雷射之照射，由繞射光解析或AFM等求得輪廓。 2)記錄層 於記錄層中，含有熱質量分析上之主要質量的減少開 始溫度為3 3 0 °C以上、5 0 0 °C以下之二t?比τι各金屬螯合化合 物，尤其含有至少一種該一般式（1 )所示之甲川二毗咯金 屬螯合化合物。 一般而言，使用於記錄層中之有機染料的熱性質上， 其必要條件之一係熱質量分析上的主要質量減少的開始溫 度必須要在某溫度範圍之内。具體而言，最好於2〇〇〜350 °C範圍之内，認為此係因為一旦質量減少的開始温度超過 3 5 0 °C，記錄雷射光之功率將增高而無實用性，若低於2 〇 〇
第53頁 200304648 五、發明說明（41) °c，將造成再生劣化等而使得記錄安定性 但是，為了實施高速與高密度記 =。 度、良好保持凹洞邊緣、安定地形成對庫：損的 = 得重要。為此，*求藉：更=高功率 Τ射先’ ☆更短時間内形成凹洞，並於二量滅 二的開始溫度範圍之染料作為曝光於如 錄層染 =，由於雷射照射時之急遽放熱分解的影響：二洞、形成 輪廓、凹洞尺寸之正確性。另外’雖然聚光光點爲園 文到繞射光之影響，藉由使用更高功率之雷二，繞射光本 身之影響也將變得重要。 70 著眼於曱川二吡咯金屬螯合化合物作為本發明之紂光 性佳、不會伴隨急遽放熱之染料系，經不斷探討之結果’ 發現熱質量分析上之主要質量減少的開始溫度與高速纪錄 時的熱干擾程度之間，具有極強的相關關係。尤其於高速 記錄’為了使記錄感度獲得成為關鍵，必須進行提高消滅 係數（k )之設計，但是卻擔心伴隨的熱干擾（廢熱）之山 影響。另外，在有利於調變度獲得之膜厚下（不作成極端 之薄膜），因熱干擾所造成的膜變質也成為問題。然而’ 發現藉由主要質量減少的開始溫度之高溫化，改善了此等 問題。 因而，本發明選定曱川二吡P各金屬螯合化合物作為記 錄層染料，其主要質量減少的開始溫度於3 3 0 °C以上、5 0 0 °C以下，最好為3 5 〇〜4 5 〇 °C之範圍内的情形，發現能夠完
第54頁 200304648 五、發明說明（42) 全控制以降低因高速記錄時之熱干擾所造成的凹洞抖動之 惡化。尤其-般式(1)所示之甲川二吡咯金屬螯人化人 ;产便=達成=性與該範圍之主要質量減少的°開始 ^"還有^ 一本么明主要質量減少的開始溫度超過 0 C ’必需之圮錄雷射光功率將變得過高而| 若低於33(TC則無法達成足夠之熱 高 之抖動性能將變差。 N速a己錄時 再者’加熱質量減少之斜率以及總質量減少 带 射照射造成放熱而所形成的凹洞尺寸之間也具有相關性田 tm::率超過2%/。。，並且總質量減少超過5〇% 之糸、.充，一般而s ，記錄凹洞形成為急遽的，不 =^雷射光束實行光點直徑之微小凹洞尺寸的形成，、加埶 質I減少之斜率為2%/以下、〇· 〇5%/ 〇c以上， … i^/t：以τ、0.1%/t以上，有利於微小凹洞尺取好之為 付。再者，邊加熱質量減少斜率條件下， = m以上、75%以下，最恰當為2〇%以上、6〇%^減夕為 量，ί;使：：因雷射照射造成染料分解所伴隨之放熱 取好使用更小的染料，期望安定化高速/ 犄之凹洞形狀；於氮♦氣環境下，藉由DSC示差熱八二，二 望分解放熱量最好為〇.3kJ/g以下，更理想為〇·2 kJ/g# 度 還^ ’顯示於圖2，本發明之加熱質量減少 質量減少的斜率係依以下之要領而求得。 的開始溫 例如，圖2係顯示於氮氣環境中，以升溫速率丨〇t： /分
200304648 五、發明說明（43) ---- 加熱質量MG之有機染料情形的TG曲線。隨著升溫，最初質 量進行微量之逐漸減少，描繪出幾近為直線a _b之$量^咸 少線，接著，開始進行急遽地減少，沿著幾近為直線d丨— d2進行15%以上之質量減少。此為主要質量減少”過程，所 謂主要質量減少的開始溫度，相當於直線a〜^與dl —d2之 交點，設定此時點之質量減少％為m 1。之後，以幾近為直 線c — c所示之質量減少過程而漸趨穩定。若設定於直線]工 一d2與直線c — c交點的溫度為T2、質量減少％為^，此處 所謂質量減少斜率為下式（1)所示之值， I m2 -ml | (% ) / (T2 -Π ) ( t ) —_____(" 對於總質量之質量減少％ (總質量減少％ )為下式（2 ) 所示之值。 I m2 -ml I (% )------(2) 認為主要質量減少的開始溫度也可以由此TG曲線之微 分曲線而求得。 i 對於再生波長領域光之記錄層單層折射率η為2 · 〇以 上、3.0以下’最好為2·2以上、3.0以下。η最好不要低於 2 · 0 ’否則難以得到足夠之光學變化，因記錄調變度變低 之故。另外，η最好·不要超過3 · 〇，否則因波長依存性變得 過高’即使於記錄再生波長領域也將成為錯誤之故。另 外’消滅係數k為〇 · 〇 5以上、0 · 3 0以下，最好為〇 · 〇 8以 上、0 · 2 0以下之範圍。k低於〇 · 〇 5之情形，記錄感度將變 差。k最好不要超過0· 3，否則因此情形下要得到45%以上 之反射率將變得困難。
第56頁 200304648 五、發明說明（44) 另外，於記錄層中，為了改善光學特性、記錄感度、 訊號特性，也可以混合其他的染料。具體而言，有菁系染 料、方酸系染料、萘醌系染料、蔥醌系染料、卟啉系染 料、氮雜卟啉系染料、四毗卟啉啶系染料、靛酚系染料、 口比喃鍇系染料、硫祉喃鍇系染料、奠系染料、三苯基甲烷 系染料、咕噸系染料、陰單士林系染料、靛藍系染料、硫 靛系染料、份菁系染料、噻嗪系染料、吖啶系染料、酞菁 系染料、萘菁系染料等，也可以混合數種染料。對於一般 式（1 )所示之曱川二批咯金屬螯合化合物、一般式（3 )〜 (5 ) 所示之甲川二吡洛金屬螯合化合物，此等染料之混合 比例為0 · 1〜3 0 %左右，但是，最好使混合系的主要質量減 少的開始溫度於該範圍内進行混合。 再者，必要的話，可以於記錄層中混合消滅劑、染料 分解促進劑、‘紫外線吸收劑、黏著劑、吸熱分解化合物 等，或是也可以使一般式（1 )所示之曱川二吡咯金屬螯合 化合物、一般式（3 )〜（5 ) 所示之曱川二吡洛金屬螯合化 合物的混合物產生化學鍵結。 可列舉：乙醯丙酮系、雙（二硫-α -二酮）系或雙 (苯基二硫醇）系#等之雙（二硫醇）系、鄰羥基苯硫酚 系、水楊醛肟系、硫基雙酚鹽系等之金屬錯體、胺顗作為 消滅劑之具體例。 熱分解促進劑之具體例，可列舉：金屬系抗爆劑、芳 環烯金屬化合物、醯丙酮系金屬錯體等之金屬化合物。 再者，必要的話，也可以合併使用黏著劑、塗平劑、
ZUUJU4b48 、四氯乙烷 一 丁基鱗、一 基-3-甲基〜 二溴乙烷 異丙基_ 烧等酉同 五、發明說明（45) ”劑等。黏著劑可列 烷酮、硝基纖維素、醋 脂、聚苯乙埽樹月旨、氨 聚碳酸酯、聚烯羥等。 於基板上長成記錄 L ϊ Ϊ射率、記錄感度 機物或聚合物所形成的 纪錄層之形成，可 法:浸潰法等之塗布法 法4，但是 笪令办士 取好為簡 專之塗布法的情形下， 質量％之一般式（1)所示 般式（3)〜（5)所示之甲 使其溶解或分散於 溶劑最好選擇不會對基 醇、乙醇、異内醇、八 基溶纖素、四氣丙醇等 己烷、甲基環己烷、乙 或脂環式碳氫系溶劑； 溶劑；四氯化碳、氯仿 氫系溶劑；二乙基醚、 趟系溶劑；丙I同、3 —經 及乙酸乙酯、乳酸甲酯 用，或是也可以混合數 舉··最好為聚乙烯醇、 酸纖維素、酮類樹脂、 基甲酸酯樹脂、聚乙烯 層薄膜之際，為了使基 等提昇，也可以於基板 層。 列舉：旋轉塗布法、喷 、濺錢法、化學蒸鍍法 便的旋轉塗布法。利用 使用為1〜40質量％，最 之甲川一吼π各金屬螯合 川二吡咯金屬螯合化合 有機浴劑的塗布液。所 板造成損壞者。例如， 氟戊醇、烯丙醇、曱基 醇糸溶劑；p h y ,己烷、庚烷 基環己烷、二甲基環己 甲苯、二曱笨、苯等芳 等酯系溶劑等。此等可 種使用。 聚乙烯啦咯 壓克力樹 醇縮丁醛、 板之耐溶劑 上設置由無 霧法、鑄造 、真空蒸鍍 旋轉塗布法 好為3〜3 0 化合物、一 物的混合 使用之有機 可列舉：曱 溶纖素、乙 、辛烷、環 烷等脂肪族 香族碳氫系 等鹵素化碳 、二噁烷等 系溶劑；以 以單獨使
200304648 五、發明說明（46) 記錄層之膜厚係基板導引溝肖（溝槽）上之膜厚最好 =30〜15Gnm的fe圍’基板之導引溝槽間（平台）的膜厚 隶好於10〜80·的範圍。溝槽之膜厚最好不要超過 ’否則-旦超過，往往最短間距將崩潰。另外，更 ，於3〇nm的情往往無法得到良好之記錄感纟、記錄調 變度。尤其’取好平台上之膜厚要極薄。此等記錄層之膜 厚控制，可以藉由混合數種該有機溶劑而予以使用。 3)反射層 於記錄層上，最好形成5〇〜3〇 〇nm厚度之反射層。於 再生光之波長下的反射率要足夠高，例如，可以將-、 g 、Tl、Cr、Ni、Pt、Ta、Cr以及Pd之全屬予以 皁獨使用或是作成合金後使用作為反射層之材m以
Au 'A1 'Ag適合#為反射率冑的反射層材 也可以含有以下之金屬以及準金屬，例如 除此之外，
Se、Hf、V、Nb、RU、W、Mn、Re、Fe、c〇，可列舉：、
Cd、Ga、In、Si、Ge、Te、pb、p〇、Sn、b、R】、Ir、Zn、 金為主成分者，由於可以容易得到反射率言1沾。另外，以 合。於此，所谓主成分係指含有率為5 〇 % 。、反射層較適 用金屬以外之材料，交替重疊低折射率薄膜鱼。一也可以利 膜而形成多層膜作為反射層使用。 、〃向折射率薄 例如，可列舉··濺鍍法、離子電鍍法、< 真空蒸鍍法等作為形成反射層的方法。·"另外化學蒸鍍法、 或反射層之下，也可以設置為了提高反射，於基板之上 午、改善記錄特 第59頁 200304648
性、提昇黏合性等之習 著層。 知的無機系或有機系的中 間層 、黏 4)保護層 若為藉由外力 並未特別限定。可 脂、電子線硬化性 質。另外，可列舉 物質。可以藉由將 適當之溶劑後，進 藉由將紫外線硬化 適當溶劑中調製成 線’使其硬化而形 脂壓克力、聚丙烯 脂。此等材料可以 作成單層膜，也可 可以使用與記 法、濺鍍法、化學 但是其中最好為旋 雖然通常保護 發明為3〜30 /zm， 再者，也可以 也可以使用於反射 射層互相朝内側相 保護反射層者皆可作為保護層之材料， 以列舉：熱可塑性樹脂、熱硬化性樹 樹脂、紫外線硬化性樹脂等作為有機物 :Si02、Si3N4、MgF2、Sn02 等作為無機 熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂等溶解於 行塗布液之塗布、乾燥而形成。並可以 性樹脂予以立即使用，或是將之溶解於 塗布液後’塗布此塗布液再經照射紫外 成。例如，可使用氨基甲酸酯、環氧樹 酸酯等壓克力樹脂作為紫外線硬化性樹 單獨使用或疋也可以混合後使用，不僅 以作成多層膜後使用。 錄層相同的旋轉塗布法或鑄造法等塗布 蒸鍍法#方法作為保護層之形成方法， 轉塗布法。 層之膜厚為0.1〜1〇〇 之範圍，於本 最好為5〜2 0 // Hi。 於保護層上進行標籤等之印刷。另外， 層面上黏貼保遵片材或基板、或是使反 對、黏貼2片光記錄媒體等方法。另
第60頁 200304648 五、發明說明（48) 外，也可以於基板鏡面側，長成表面保護或為了防止成塵 埃專附者之紫外線硬化性樹脂、無機系的薄膜等。 本發明之光記錄媒體，最好藉由波長52〇〜6g〇nm之雷 射光進行記錄再生。藉由短於5 2 0 n m雷射光之記錄再生， 往往難以得到45%以上之反射率’另外，藉由高:69〇 nm 雷射光之記錄再生’往往記錄感度以及記錄調變度變低， 故希望使用該範圍之雷射光。 又 一 波長520〜690nm之雷射’並無特別之限制，例如，可 列舉··於可視光領域之廣範圍’可進行波長選擇之染料雷 射；波長6 3 3nm之氦氖雷射；最近被開發之波長、 65 0、635nm附近之高輸出功率的半導體雷射；以及波長 532nm之高次諧波變換YAG雷射等。本發明即從此等之^選 擇1種波長或是數種波長’便可能進行高密度記錄以及再 生。 以下，顯示本發明之實施例，但是，本發明並不局限 於此等所限制之實施例。 [實施例1 ]曱川二也咯金屬螯合化合物（具體例化合物 (1 -1 ))之合成. 於50 0g乙醇中，將8.7g該構造式〇2_〇所示之化合物 以及7. 0 g該構造式（13-a)所示之化合物予以溶解，滴下 6. 6g之47%氫漠酸之後，於室溫攪拌3小時。減壓濃縮後， 利用50Og氯仿進行萃取、水洗、分液後，將溶劑蒸餾去 除’侍到ll.〇g該構造式（14-a)所示之化合物。
200304648 五、發明說明（49)
(14-a)
接著，於200g乙醇、200g曱苯中，將6.3g式（14-a)所 示之化合物予以溶解，加入1. 5 2 g醋酸銅後，於5 0 °C攪拌3 小時。減壓濃縮後，過濾取出析出物，利用甲醇以及水予 以洗淨，得到3. 0 g之具體例化合物（1 - 1 )。 經下列之分析結果，確認為目的物。 元素分析值（C58 H46 N4 S2 Cu )
C Η Ν 計算值（％) 75.17 5.00 6.05 分析值（％) 75.11 5 05 6.10 第62頁 200304648 五、發明說明（50) MS (m/e ) ： 9 2 5 (M+ ) 如此方式所得到之化合物，於曱苯溶液中，於5 7 6 n m 顯示吸收極大，每克吸光係數為1 β 1 7 x 1 05 m 1 / g · c m。 [實施例2 ]曱川二ϋ比洛金屬螯合化合物（具體例化合物 (1-4 ))之合成 於220g乙醇中，將5.4g該構造式（12-b)所示之化合物 以及3· 2 g該構造式（1 3-b)所示之化合物予以溶解，滴下 3. lg之47%氫溴酸之後，於室溫攪拌1小時。減壓濃縮後， 利用3 0 Og氯仿進行萃取、水洗、分液後，將溶劑蒸餾去 除，得到5. 5 g該構造式（1 4 - b)所示之化合物。
Br
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五、發明說明（51) 接著，於20〇g乙醇、1〇〇g甲苯中，將5· 4g式（14^)戶 示之化合，予以溶解，加入丨· 3〇g醋酸銅後，於5〇攪拌γ 小時。減壓浪縮後，過濾取出析出物，利用甲醇以及水予 以洗淨’得到5· 〇g之具體例化合物G—4)。 經下列之分析結果，確認為目的物。 元素分析值（c56H4()N4Br2〇2Cu)
分析值（％) — 一~~65.71 MS (m/e ) ： 1021 (M+ ) 如此方式所得到之化合物，於曱苯溶液中，於599nm 顯示吸收極大，每克吸光係數為1. 3 1 X 1 05 m丨/ g · c m。 [實施例3 ]曱川二毗咯金屬螯合化合物（具體例化合物 U-7 ))之合成 於72g乙醇中，將1,8g^構造式（12 — c)所示之化合物 以及1. 0 g該構造式（13 — C)所^示之化合物予以溶解，滴下 0.922之47%氫溴酸之後/\於至溫攪拌1小時。減壓濃縮 後，利用1 0Om 1氯仿進4于卒^取、水洗、分液後，將溶劑蒸 餾去除，得到1. 4g該構过，（14 —c)所示之化合物。
200304648 五、發明說明（52)
接著，於56g乙醇、25g甲苯中，將1.4g式（14-c)所示 之化合物予以溶解，加入0 . 3g醋酸銅後，於迴流溫度攪拌 2小時。減壓濃縮後，過濾取出析出物，利用甲醇以及水 予以洗淨，得到1. 〇€之具體例化合物（1-7)。 經下列之分析結果，確認為目的物。 元素分析值（C66 H6Q N4 B r2 Cu )
C Η Ν 計算值（％) 69.99 5.34 4.95 分析值（％) 70.01 5.49 4.93 第65頁 200304648
MS (m/e ) : 1129 (M+ ) 如此方一式所得到之化合物，於甲笨 5 9 9 . 5 n m顯示级必 — 液中於 及收極大，母克吸光係數為丨32 X 1 05 ml/g.cm。 j 丄 螯合化合物（具體例化合物 [實施例4]甲川二吡咯金 d-9 ))之合成 於100g乙_ i 以及1.9 g該播予中、，將3.2g該一構造式（12-d)所示之化合物 1 之4 7% :造式（13-d)所示之化合物予以溶解，滴下 n〇g ^ #3 ^^ ^ t ^ 除，得到4. 3g ί : 分液後’將溶劑蒸餾去 g 5亥構造式（14-d)所示之化合物。
200304648 五、發明說明（54) $著’於5〇g乙醇、50g甲苯中，將4.lgs(14 — d)所示 ^化合物予以溶解，加入〇. 75g醋酸銅後，於50 °C攪拌2小 時二減壓濃縮後，過濾取出析出物，利用甲醇以及水予以 洗淨，得到4· 3g之具體例化合物（1—9)。 經下列之分析結果，確認為目的物。 元素分析值（C68H65N4BQCU ) 計算值（％)
C 70.37 ~7033 Η 5.56 5.55 Ν 4.83 4.81 MS (m/e ) : 1157 (M+ ) 如此方式所得到之化合物’於甲苯溶液中，於6 0 0nm 顯示吸收極大，每克吸光係數為184χ1〇5二於：。 體例化合物 [實施例5]曱川二，比咯金屬螯合化合物（具 (1-11 ))之合成 、 於6〇g乙醇中，將l.2g該構造式（12 —a)所 化人物 以及1· 〇 g該構造式（13-e)所示 化人物 ’ 口 〇.8g之47%氫溴酸之後，於室口以溶解，滴下 利用i〇〇g氣仿進行萃取、水洗稅八巧:寸。減壓濃縮後
第67頁 200304648 五、發明說明（55)
(14-e)
接著，於60g乙醇、20g曱苯中，將1.4g式（14-e)所示 之化合物予以溶解，加入0. 34g醋酸銅後，於迴流溫度攪 拌2小時。減壓濃縮後，過濾取出析出物，利用曱醇以及 水予以洗淨，得到1 /4g之具體例化合物（1 - 11)。 經下列之分析結果，確認為目的物。 元素分析值（C64 H58 N4 Cu )
C Η Ν 計算值（％) 81.19 6.18 5.92 分析值（％) 81.10 6.22 6.00 第68頁 200304648 五、發明說明（56) MS (ra/e ) *945 (M+ ) 如此方式所得到之化合物，於曱苯溶液中，於6 0 1 nm 顯示吸收極大，每克吸光係數為1.84x 1 05 ml/g .(:111。 [實施例6 ]曱川二毗咯金屬螯合化合物（具體例化合物 (1-15 ))之合成 於5 0 0g乙醇中，將3.1g該構造式（12-e)所示之化合物 以及1 · 8 g該構造式（1 3 - b)所示之化合物予以溶解，滴下 1· 6g之47%氫溴酸之後，於室溫攪拌3小時。減壓濃縮後， 利用8Og氯仿進行萃取、水洗、分液後，將溶劑蒸餾去 除，得到3. 9 g該構造式（1 4 - f)所示之化合物。
200304648 五、發明說明（57) 接著，於60g乙醇、20g甲笨中，將3.0g式（14 —Π所示 之化合物予以溶解，加入〇. 8g醋酸鈷後，於迴流溫度攪拌 2小時。減壓濃縮後，過濾取出析出物，利用甲醇以及水 予以洗淨，得到2· 5g之具體例化合物（1-15)。 經下列之分析結果，確認為目的物。 元素分析值（C56H4GN4Br2 02 C〇) C Η Ν 計算值（％) 65.96 3 95 5.49 — 分析值（％) 66.05 ' 3.85 5.35 MS (m/e ): 1017 (M+ ) 如此方式所得到之化合物，於甲苯溶液中，於62 5nffl 顯不吸收極大，每克吸光係數為108x 1〇5。
[實施例7 ]甲川二毗咯金屬螯合 U-42))之合成 萄愛0化合物（具體例化合物 於l〇〇g乙醇中，將1· 5g該構 一 以及1.0 g該構造式（.13-f)所示之化人d)所示之化合4
之47%氫漠酸之後’於室溫攪口予以溶解，滴下 利用10 0 g氯仿進行萃取、水嗓 、 寸。減壓濃縮後 除，得到2. 3g 1¾ g造式（14 \、为液後，將溶劑蒸餾去 構以式（141)所示之化合物。
第70頁 200304648 五、發明說明（58)
接著，於60g乙醇、20g甲苯中，將2.0g式（14-g)所示 之化合物予以溶解，加入0. 4g醋酸銅後，於迴流溫度攪拌 2小時。減壓濃縮後、過濾取出析出物，利用甲醇以及水 予以洗淨，得到1 · 5g之具體例化合物（1 -42 )。
經下列之分析結果，確認為目的物。 元素分析值（C78H68N4Br2Cu ) C Η Ν 計算值（％) 72.92 5.33 4.36 分析值（％) 72.85 5.22 4.30 第71頁 200304648
Cm/e / -丄 Z i5 丄 UW ) -11 f式所得到之化合物，於曱苯溶液中，於5 99nm #不吸收極大，每克吸光係數為1·73χ 1〇5 W/g .cm。 [實施例8〜1 1 ] - 於具有厚度0.6mm、直徑12〇_ψ之螺紋溝槽（間距= 0·74//ιη、冰度=165nm、寬度=〇 33“爪）的射出成形聚 碳酸酯基板1於表i記載的甲川二㈣金屬螯合化合物 或是單體予以適度混合後，；容解於乙基環己烷：二甲苯= 1 0 · 1之此合溶劑中（1 5g/丨），利用旋轉塗布法，調整並 長成溝亡膜厚80nm、溝間膜厚2〇nm的薄膜。於8(rc，經2 小日寸乾综處理之後，利用BALZERS製濺鍍裝置（CDI_9〇〇 )，形成膜厚80·之AgPdCu反射膜，進一步於此反射層 上，塗布UV硬化樹脂：「SD1 7」（商品名、大日本丨NK製 )，經uv硬化後，與之前同樣地，於其上與〇. 6_厚之聚 碳酸酯基板相黏合，藉由JSR製ΚΖδ681自由基聚合黏著 劑’製成利用UV光黏合的光記錄媒體。 此記錄層之光·學係數650nm (折射率、衰減係數）以 及氮氣環境下之加熱質量減少的開始溫度（’島 析裝置：TG-50WS予以測定）顯示於表4Γ 島幸刀 藉由PULSTEC工業社製之DISKTESTER DDU1〇〇〇 ··波長 =661_、ΝΑ=〇·60，將此光記錄媒體，以線速度=Um/s (DVD-R基準記錄速度之4倍速），記錄對應dvd —R2Efm +
第72頁 200304648 五、發明說明（60) ^ --------— 吕 fl 5虎 〇 ά己錄{各 /么 4 + 記載的脈衝^ :係4:/，速驅動DVD_R規格書（-A 〇 ： UDVD尸it /条 埠行最適化調整而予以記錄£ 以DVD &準速抖動量測此等記錄部位。 將b盼抖動量測之結果’顯示於 你丨的D V D〜K> a甘⑽ 4不於邊貝施 例的 R媒體，能夠確認為良好的抖動值且餘^ ^ 率視窗。 」订轫值且靶圍廣之功 [比較例1〜2 ] 一，=施例8〜U同樣地將該構造式（A)以及（8)之 :。訊二2合化合物製作光記錄媒體，實施同樣的評 :性性之抖動值都超過1G% 1法得到良好之訊號
(A)
第73頁 200304648
第74頁 200304648 五、發明說明（62) 【寸4】 4倍速訊號特性 調變度 0.72 0.71 0.73 0.70 0.65 0.62 抖動值％ 1 m 00 〇〇 vd 寸 CO r-H 寸 TG分析 加熱質量減少的開 始溫度°C 409 | _____________I 413 410 408 290 ! 280 光學特性 _1 消滅係數k 0.10 0.17 0.15 0.12 0.12 0.17 折射率η 2.49 2.66 2.53 2.67 2.36 2.67 化合物 T—H T—H G\ τ—Η 1-4與化學式(A) 1 : 1混合 化學式(A) 化學式(B) 實施例8 實施例9 實施例10 實施例11 比較例1 比較例2
200304648
之混合物（具體例 五、發明說明（63) [實施例1 2 ]曱川二吡咯金屬螯合化合物 化合物（m-5 ))的合成 於150ml乙醇中，將3.〇0g該構造式（17_a)所示之 物以及1·49 g該構造式（i8-a)所示之化合物予以 : 下1.40g之47%氫漠酸之後，於室溫攪拌2小時。減’滴 後，利用2〇〇ml氯仿進行萃取、水洗、分液後= 餾去除，得到4.02g該構造式（15_3)所示之化合物。θ 〇
CHO
(15-a) 同樣地，於30〇1111乙醇中，將6.00§該構造式（21一&)所 示之化合物以及2 · 9 8 g該構造式（1 8 - a )所示之化合物予以 溶解，滴下2· 8Og之47%氫溴酸之後，於室溫授拌2小時。 減壓濃縮後，利用40 0ml氯仿進行萃取、水洗、分液後，
第76頁 200304648
第77頁
200304648 五、發明說明（65)
(3-5)
(4-5) 第78頁 200304648 五、發明說明（66)
Br
經下列之分析結果，確認為目的物。 元素分析值（C68 H64 N4 B r2 C u ) C Η Ν 計算值（％) 70.37 5.56 4.83 分析值（％.) 70.22 5.50 4.88
MS (m/e ) ·· 1 157 (M+ ) 另外，藉由HPLC分析，確認各化合物之組成比如以下 所示。
化合物（3-5) 化合物（4-5) 化合物（5-5) 33% 47% 20% 第79頁 200304648 五、發明說明（67) 如此方式所得到之混合物，於甲苯溶液中，於 5 9 7 · 5 nm顯示吸收極大，每克吸光係數為1. 7 7 X 1 05 m 1 /g · cm 〇 [實施例1 3 ]曱川二吡咯金屬螯合化合物（具體例化合物 之混合物（m - 4 1 ))的合成 於15〇1111乙醇中，將3.0(^該構造式（17_1})所示之化合 物以及1. 6 1 g該構造式（1 8 - a)所示之化合物予以溶解，滴 下1 · 55g之47%氫溴酸之後，於室溫攪拌2小時。減壓濃縮 後，利用2 0 Ora 1氯仿進行萃取、水洗、分液後，將溶劑蒸 顧去除，得到3 . 6 0 g該構造式（1 5 - b )所示之化合物。
CHO
(18-a) (17-b)
(15-b)
第80頁 200304648
五、發明說明（68) 同樣地，於3 0 0mi乙醇中，將6· 00g該構造式（2卜b)所 不之化合物以及3 · 2 2 g該構造式（1 8 - a)所示之化合物予以 溶解，滴下3· 1 g之47%氫溴酸之後，於室溫攪拌2小時。減 壓濃縮後，利用4 0 0 m 1氯仿進行萃取、水洗、分液後，將 溶劑蒸餾去除，得到7. 4 8 g該構造式（1 6 - b )所示之化合 物0
(21-b) (16-b) 接著，於40 0ml乙醇中，將4. 〇〇g式（15-b)所示之化合 物與6.00g式（16 — 所示之化合物子以溶解，加入3.58g醋 酸銅後，於迴流溫度授拌2小時。滅壓濃縮後，過濾、取出 析出物，利用甲醇以及水予以洗淨，得到9· 76g之該構造 式（3-41)、 （4一41 )以及（5-41)之曱川二外匕口各金屬螯合 化合物的浥合物（111-5 )。
第81頁 — 200304648
第82頁 200304648 五、發明說明（70)
經下列之分析結果，確認為目的物。 元素分析值（C62 H52 N4 B r2 Cu ) C Η Ν 計算值（％) 69.18 4.87 5.20 分析值（％) 68.99 4.90 5.22
MS (m/e ) ： 1 0 73 (M+ ) 另外，藉由HPLC分析，確認各化合物之組成比如以下 所示。
化合物（3-41) 化合物（4-4「) 化合物（5-41) 30% 48% 22% 第83頁 200304648 五、發明說明（71) 如此方式所仔到之混合物，於甲 5 9 9· Onm顯示吸收極大，每克吸光係數 /义甲，於 m 1 / g · cm。 、 、、1. 73 χ 1 〇5 [實施例1 4 ]甲川二外b咯金屬螯合化合物 之混合物（m-43 ))的合成 口 C具體例化合物 於15 Oml乙醇中，將3· 〇〇g該構造式（1 % 物以及1· 89g該構造式（18-b)所示之化合物C)、所—示之化合 下1. 6 2g之4 7%氫溴酸之後，於室溫授拌小時=溶，二滴 後，利用20Om 1氯仿進行萃取、水洗、分洛=減壓濃縮 餾去除，得到4. 15g該構造式（15-C)所示之化合物。d為
CHO
(18-b) (17-c)
(15-c) 同樣地，於300ml乙齡中’將6. 〇〇g該構造式（2i—c) 所
第84頁 200304648 五、發明說明（72) 示之化合物以及3 · 7 8 g該構造式（1 8 — b)所示之化合物予以 溶解，滴下3. 24g之47%氫溴酸之後，於室溫攪拌2小時。 減壓濃縮後，利用40 0ml氯仿進行萃取、水洗、分液後， 將溶劑蒸餾去除，得到8. 5 9g該構造式（16-c)所示之化合 物0
(21-〇) (16-c)
接著，於40 0ml乙醇中，將4· 〇〇g式（15一幻所示之化合 物與4· 0 0g式（16-c)蚱示之化合物予以溶解，加入2· 89g醋 酸銅後，於迴流溫度攪拌2小時。減壓濃縮後，過濾取出 析出物，利用曱醇以及水予以洗淨，得到7. 5 5 g之該構造 式（3 - 43)、 （4-43)以及（5一43)之曱川二毗咯金屬螯合 化合物的混合物（m〜4 3 )。
第85頁 200304648 五、發明說明（73)
(3-43)
I1RII 第86頁 200304648 五、發明說明（74)
經下列之分析結果，確認為目的物。 元素分析值（C68H66N4S2Cu ) C Η Ν 計算值（％) 76.55 6.23 5.25 分析值（％) 76.56 6.20 5.23 MS (m/e ) :1 0 6 5 (M+ )
另外，藉由HPLC分析，確認各化合物之組成比如以下 所示。 化合物（3-43) 化合物（4-43) 化合物（5-43) 31% 51% 18% 如此方式所得到之混合物，於曱苯溶液中，於
第87頁 200304648 五、發明說明（75) 5 9 8 · 0 nm顯示吸收極大，每克吸光係數為1. 6 5 X 1 05 m1/g · cm 〇 [實施例1 5 ]曱川二毗咯金屬螯合化合物（具體例化合物 之混合物（m - 5 9 ))的合成
於150ml乙醇中，將3. 00g該構造式（17-c)所示之化合 物以及2 · 0 0 g該構造式（1 8 - c )所示之化合物予以溶解，滴 下1· 62g之47%氫溴酸之後，於室溫攪拌2小時。減壓濃縮 後，利用2 0 0ml氯仿進行萃取、水洗、分液後，將溶劑蒸 餾去除，得到4. 5Og該構造式（15-d)所示之化合物。
同樣地，於3 0 0ml乙醇中，將6. 00g該構造式（21-c)所 示之化合物以及4. 00 g該構造式（18-c)所示之化合物予以
第88頁 200304648 五、發明說明（76) 溶解，滴下3· 24g之47%氫溴酸之後，於室溫攪拌2小時。 減壓濃縮後，利用40 0ml氯仿進行萃取、水洗、分液後， 將溶劑蒸餾去除，得到8 · 6 1 g該構造式（1 6 - d)所示之化合 物0
(21-c) (16-d) 接著，於400ml乙醇中，將4.0〇g式（15 — d)所示之化合 物與6.00g式（16 — d)所示之化合物予以溶解’加入3.5〇gSa 酸銅後’於迴流溫度授摔2小時。減壓濃縮後’過遽取火 析出物，利用曱醇以及水予以洗淨，得到9 . 2 2 g之該構^ 式（3-59)、 （4一59 )以及（5-59 )之曱川二口比咯金廣榮θ 化合物的浥合物（m — 5 9 )。
200304648 五、發明說明（77) ΙΙΙ·ΙΙ1Ι 第90頁 200304648 五、發明說明（78)
經下列之分析結果，確認為目的物。 元素分析值（C72H74N4 02 Cu ) C Η Ν 計算值（％) 79.27 . 6.84 5.14 分析值（％) 79 22 1 6.81 5.16 MS (m/e ) :1089 (M+ )
另外，藉由HPLC分析，確認各化合物之組成比如以下 所示。
化合物（3-59) 化合物（4-59) 化合物（5-59) 32% 42% 26% 第91頁 200304648 五、發明說明（79) 如此方式所得到之混合物，於甲苯溶液中，於5 8 9nm ,·、、員示及收極大’每克吸光係數為1. 6 7 X 1 〇5出1 / g · c m。 [實施例1 7〜2 7 ] 將於表1記載的甲川二吡咯金屬螯合化合物或是於表3 記載的甲川二吡咯金屬螯合化合物之混合物，溶解於二甲 基裱己烷：環辛烷=1 0 0 : 8之混合溶劑中（丨8g/丨），利 用旋轉塗布法，調整並長成溝上膜厚8 〇 n m、溝間膜厚2 〇 的薄膜。成膜後與實施例8同樣地，製成光記錄媒體。
此等光記錄媒體之記錄層的光學係數65〇11111 (折射 率、衰減係數）以及氮氣環境下之加熱質量減少的開始溫 度（利用島津TG分析裝置：TG-50WS予以測定）顯示於表 藉由 PULSETECH 工業社製之 DISKTESTER DDui〇〇〇 :波 、NA=0.60，將此等光記錄媒體，分別以線速 度=3.5m/s (DVD-R基準記錄速度），與以線速度=i4m/; 速度之A倍速），記錄對應⑽―R 2EFM 4
…=係分別W倍速與4倍速高速驅規 格曰（ver2· 0 )記載的脈衝條件，於各凹 調整而予以記錄。以DVD標準速抖11 、 么士要，顧+於主G π - IX 卞勒以及调^:度白^ 、、..果，.'，員不於表5。顯不於該實施例的” 認不論1倍速與4倍速都為良好的# K媒體此夠為 窗。 民好的抖動值且範圍廣之功率福
第92頁 200304648 五、發明說明（80)
【Ϊ】 4倍速訊號特性 調變度 〇 0.70 0.69 0.68 JO d L_^2 1 0.67 1 0.67 1 0.69 0.70 <N od o 00 卜 ι—Η od σ\ K od c\ \ό ο i 1倍速訊號特性 調變度 0.66 0.62 tn \〇 o 0.67 O o m ΛΟ 〇 0.60 0.64 0.62 〇 r—Η od r*H οό o 〇6 CTs On vd oo ' c\ ι> l> TG分析 :加熱質量 減少的開 始溫度。C (N ON S 寸 〇〇 〇\ cn o CTn m o m r- m (N P； oo m s 寸 r-Ή v〇 On m 光學特性 消滅係數k r-H r-H d 0.16 0.10 0.14 0.09 r-H 〇 丨· 0.12 0.10 cn r-H d d 0.16 折射率η 2.50 2.55 m <N 2.60 2.58 r-H CN | 2.69 | 2.66 1 2.55 2.59 2.60 化合物 混合物 1-54 1-60 1-67 r- 1 r ·Η B m-41 m-43 m-50 m-59 丨 m-60 m-61 實施例17 實施例18 實施例19 實施例20 實施例21 實施例22 實施例23 實施例24 ! 實施例25 實施例26 實施例27 第93頁 200304648 五、發明說明（81) 產業上之利用可能性 本發明係提供一種增錄型光記錄媒體，可以藉由將熱 質量分析上之主要質量減少的開始溫度為3 3 0 °C以上、5 0 0 °C以下之曱川二吡咯金屬螯合化合物作為記錄層使用，適 用於高密度、高速記錄。
第94頁 200304648 圖式簡單說明 五、【圖式簡單說明】 圖1係顯示習知之光記錄媒體以及本發明之層構造的 剖面構造圖。 圖2係為了說明加熱質量減少的開始溫度、加熱質量 減少之斜率、加熱總減少質量之T G曲線的例子。 元件符號說明 1〜基板 2〜記錄層 3〜反射層 4〜黏著層 5〜基板
第95頁

Claims (1)

  1. 200304648
    六、申請專利範圍 1. 至 一種光記錄媒體，於形成導？丨 ^ 71溝槽的透明基板上，$ 少具有記錄層以及反射層，而於 王 八°己錄層中，含有至少1插 之曱川二卩比洛金屬螯合化合物，复 。 異熱質®分析上之主要皙 量減少的開始溫度為3 3 0 C以上、5〇〇。〇以下。 受貝 2.如申請專利範圍/第1項之光記錄媒體，其中，甲川二批 咯金屬螯合化合物係以下列的一般式（1 )表示：
    4中，R1〜R4與^〜RU係分別表示獨立之氫原子、函素原 [/、取代或未取代之烷基、烷氧基、芳基、烯丙氧基、或 子「）表示所示之取代基，R12係表示取代或未取代之芳 式γ係表示一 0 一、— S ~、一 C H ( R5) — ’ R5係表示氮原 基，/素原子、取代或未取代之烧基、炫氧基、芳基，Μ 子、_斤、/、 a 係表系過渡元素] 一c〇 一R 13
    第96頁 200304648 六、申請專利範圍 :R::表示取代或未取代之烷基、取代或未取代之 万烷基取代或未取代之芳基）]。 3々如μ申專利範圍第2項之光記錄媒體，其中，甲川二毗 咯金屬螯“匕合物係以下列的一般式⑴表示：
    R16 [式中，R14〜R17與R19〜R24係分別表示獨立之氫原子、鹵素 原子、取代或未取代之烷基、烷氧基、芳基、烯丙氧基’ R25係表示取代或未取代之芳基，Y係表示一0 一、二S ~、 、CH(R18) 一，R18係表示氫原子、鹵素原子、取代或未取代 之烷基、烷氧基、芳基，M，係表示過渡元素]° 如申請專利範圍第1項之光記 別Ί %，θi π〜〜〜錄媒體，其中’含有下列 般式（3)、（4)以及（5)所示之曱川二此17各金屬餐合化合 物的混合物：
    200304648
    第98頁 200304648 六、申請專利範圍
    f^3 [式中，R26〜R29與R31、R32係分別表示獨立之氫原子、鹵素 原子、取代或未取代之烷基、烷氧基、芳基、烯丙氧基、 或式（b )所示之取代基，R33係表示鹵素原子、取代或未 取代之烧基、烧氧基、芳基、稀丙氧基’ R34係表示取代或 未取代之芳墓，Z係表示氧原子、硫原子、C H ~ R3G ’ R3G係 表示氫原子、鹵素原子、取代或未取代之烷基、烷氧基、 芳基’ Μ 係表不過渡元素， -C0 - R35 ( a ) (式中，R35係表示取代或未取代之烷基、取代或未取代之 芳烧基、取代或未取代之芳基）]。 5 · 一種甲川二p比咯金屬螯合化合物，以下列一般式（6 )表 示：
    第99頁 200304648
    第100頁
    200304648 六、申請專利範圍
    (8) _ [式中，R26〜R29與RM、R32係分別表示獨立之氫原子#齒素 原子、取代或未取代之烷基、烷氧基、芳基、烯丙氧基 或式（b )所示之取代基，r33係表示鹵素原子、取代5、未 取代之烷基、烷氧基 '芳基、烯丙氧基，R34係表示取代或 未取代之芳基， - CO -R35 (b ) (式中，係表示取代或未取代之烷基、取代或未取代之
    ί — 第101頁 200304648 六、申請專利範圍 芳烧基、取代或未取代之芳基）]。 mm 第102頁
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