JP2003073574A - ジピロメテン金属キレート化合物の混合物、該混合物からなる記録層用色素及びそれを用いた光記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】 波長５２０〜６９０ｎｍの短波長レーザー
での記録および再生が可能でかつ、耐久性に優れた高密
度、高速記録に適した光記録媒体及びこれに使用される
記録層用色素を提供する。 【解決手段】 下記一般式（１）、（２）、及び（３）
で示されるジピロメテン金属キレート化合物の混合物、
該混合物からなる記録層用色素、及びこれを記録層に含
有してなる光記録媒体。 〔式中、たとえばＲ¹〜Ｒ⁵は水素、Ｘは臭素、Ｍは銅を
表す。〕

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、新規なジピロメテ
ン金属キレート化合物の混合物、該混合物からなる光記
録媒体の記録層用色素、及びこれを用いた、従来に比較
して高密度に記録および再生可能な光記録媒体に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】現在、ＣＤと比較して大容量な光記録媒
体として、容量４．７ＧＢであるＤＶＤが開発され、商
品化されている。ＤＶＤは再生専用媒体であるので、こ
の容量に見合った記録再生可能な光記録媒体が望まれて
いる。その中でも、追記型のものはＤＶＤ−Ｒと呼ぶ。

【０００３】ＤＶＤでは高密度記録を行うためにレーザ
ー光の発信波長が６３０ｎｍ〜６８０ｎｍ近傍とＣＤの
場合より短波長化している。このような短波長用途の有
機色素系光記録媒体の色素としては、シアニン、アゾ、
ベンゾピラン、ベンゾジフラノン、インジゴ、ジオキサ
ジン、ポルフィリン系色素等が提案されており、特開平
４−７４６９０号公報、特開平５−３８８７８号公報、
特開平６−４０１６１号公報、特開平６−４０１６２号
公報、特開平６−１９９０４５号公報、特開平６−３３
６０８６号公報、特開平７−７６１６９号公報、特開平
７−１２５４４１号公報、特開平７−２６２６０４号公
報、特開平９−１５６２１８号公報、特開平９−１９３
５４４号公報、特開平９−１９３５４５号公報、特開平
９−１９３５４７号公報、特開平９−１９４７４８号公
報、特開平９−２０２０５２号公報、特開平９−２６７
５６２号公報、特開平９−２７４７３２号公報等がある
が、耐久性の問題や、特に短波長用途に固有の問題、例
えば、絞られたレーザー光で小さいピットを開けるべき
ところが、周りへの影響が大きく、分布の大きいピット
形成に起因するジッターの悪化、半径方向へのクロスト
ークの悪化や、ピットが極端に小さくなることに起因す
る変調度の悪化、あるいは、目的とするレーザー波長に
おいて、不適切な光学定数（屈折率、消衰係数）を有す
る有機色素を記録層に選択することに起因する反射率の
低下や感度の悪化等についてはなんら解決されていない
のが現状である。

【０００４】また、ＣＤ−Ｒにおける記録速度の高速化
に見られるように、今後ＤＶＤ−Ｒにおいても通常の記
録速度に比べ、２倍速以上の高速度の記録に対応した光
記録媒体が望まれている。しかし、高速記録にともなう
記録感度の悪化、ジッターの悪化等の問題を有してい
る。

【０００５】本発明者らは、先に特開平１０−２２６１
７２号公報、特開平１１−０９２６８２号公報、特開平
１１−１６５４６５号公報、特開平１１−２２７３３２
号公報、特開平１１−２２７３３３号公報、特開平１１
−３２１０９８号公報等において、新規なジピロメテン
金属キレート化合物を用いた光記録媒体を提案したが、
2倍速以上の高速記録再生特性の更なる向上が望まれて
いる。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、新規
なジピロメテン金属キレート化合物の混合物、該混合物
からなる記録層用色素を提供するとともに、波長５２０
〜６９０ｎｍの短波長レーザーでの記録および再生が可
能でかつ、耐久性に優れた高密度、高速記録に適した光
記録媒体を提供することにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、有機色素
として前記特開平１０−２２６１７２号公報等のジピロ
メテン金属キレート化合物を用いた光記録媒体について
更に鋭意検討を進めた結果、非対称なジピロメテン金属
キレート化合物を含むジピロメテン金属キレート化合物
の混合物を記録層用色素として用いることにより、記録
特性や、耐久性に優れるばかりでなく、従来の記録速度
に比べ高速度の記録にも対応が可能な光記録媒体が得ら
れることを見出し、本発明を完成するに至った。

【０００８】即ち、本発明は、 下記一般式（１）、（２）、及び（３）で示される
ジピロメテン金属キレート化合物の混合物。

【０００９】

【化３】

【００１０】〔式中、Ｒ¹〜Ｒ⁴は、各々独立に、水素原
子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシ
基、アミノ基、カルボキシル基、スルホン酸基、炭素数
２０以下の置換または未置換のアルキル基、アルコキシ
基、アルキルチオ基、アリールオキシ基、アリールチオ
基、アルケニル基、アシル基、アルコキシカルボニル
基、カルバモイル基、アシルアミノ基、アラルキル基、
アリール基またはヘテロアリール基を表し、Ｒ⁵は、ハ
ロゲン原子、炭素数２０以下の置換または未置換のアリ
ール基、ヘテロアリール基、アルコキシ基、アルキルチ
オ基、アリールオキシ基、アリールチオ基を表し、Ｘ
は、ハロゲン原子、炭素数２０以下の置換または未置換
のアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリー
ルオキシ基、アリールチオ基、アルケニル基、アラルキ
ル基、アリール基、またはヘテロアリール基を表し、Ｒ
¹とＲ²は式（ａ）で表される連結基を介して環を形成し
てもよく、Ｍは遷移元素を表す。

【００１１】

【化４】

【００１２】（Ａは炭素数２０以下の置換または未置換
の芳香環または複素環を表し、Ｌ¹は、それが結合して
いる炭素原子と一緒になって環を形成する、ヘテロ原子
を含んでも良い置換または未置換の残基を表す）〕

【００１３】 一般式（１）で示されるジピロメテン
金属キレート化合物、一般式（２）で示されるジピロメ
テン金属キレート化合物、及び一般式（３）で示される
ジピロメテン金属キレート化合物の組成比が、以下の条
件ａ）、ｂ）、ｃ）全てを満たす記載のジピロメテン
金属キレート化合物の混合物。 ａ）一般式（１）で示されるジピロメテン金属キレート
化合物の組成比が１０％以上９０％未満である。 ｂ）一般式（２）で示されるジピロメテン金属キレート
化合物の組成比が１０％以上９０％未満である。 ｃ）一般式（３）で示されるジピロメテン金属キレート
化合物の組成比が１０％以上９０％未満である。 前記又はの混合物からなる光記録媒体の記録層
用色素。

【００１４】 基板上に少なくとも記録層および反射
層を有する光記録媒体において、記録層中に、記載の
記録層用色素を含有してなる光記録媒体。

【００１５】 レーザー波長において、記録層の屈折
率が１．８以上であり、消衰係数が０．０４〜０．４０
である記載の光記録媒体。

【００１６】 波長５２０〜６９０ｎｍの範囲から選
択されるレーザー光に対して、記録および再生が可能で
あるまたは記載の光記録媒体。

【００１７】

【発明の実施の形態】以下、本発明を詳細に説明する。

【００１８】一般式（１）、（２）、及び（３）で示さ
れるジピロメテン金属キレート化合物の混合物におい
て、Ｒ¹〜Ｒ⁴の具体例としては、水素原子；フッ素、塩
素、臭素、沃素等のハロゲン原子；ニトロ基；シアノ
基；ヒドロキシ基；アミノ基；カルボキシル基；スルホ
ン酸基；メチル基、エチル基、n-プロピル基、iso-プロ
ピル基、n-ブチル基、iso-ブチル基、sec-ブチル基、t-
ブチル基、n-ペンチル基、iso-ペンチル基、2-メチルブ
チル基、1-メチルブチル基、neo-ペンチル基、1,2-ジメ
チルプロピル基、1,1-ジメチルプロピル基、cyclo-ペン
チル基、n-ヘキシル基、4-メチルペンチル基、3-メチル
ペンチル基、2-メチルペンチル基、1-メチルペンチル
基、3,3-ジメチルブチル基、2,3-ジメチルブチル基、1,
3-ジメチルブチル基、2,2-ジメチルブチル基、1,2-ジメ
チルブチル基、1,1-ジメチルブチル基、3-エチルブチル
基、2-エチルブチル基、1-エチルブチル基、1,2,2-トリ
メチルブチル基、1,1,2-トリメチルブチル基、1-エチル
-2-メチルプロピル基、cyclo-ヘキシル基、n-ヘプチル
基、2-メチルヘキシル基、3-メチルヘキシル基、4-メチ
ルヘキシル基、5-メチルヘキシル基、2,4-ジメチルペン
チル基、n-オクチル基、2-エチルヘキシル基、2,5-ジメ
チルヘキシル基、2,5,5-トリメチルペンチル基、2,4-ジ
メチルヘキシル基、2,2,4-トリメチルペンチル基、3,5,
5-トリメチルヘキシル基、n-ノニル基、n-デシル基、4-
エチルオクチル基、4-エチル-4,5-ジメチルヘキシル
基、n-ウンデシル基、n-ドデシル基、1,3,5,7-テトラエ
チルオクチル基、4-ブチルオクチル基、6,6-ジエチルオ
クチル基、n-トリデシル基、6-メチル-4-ブチルオクチ
ル基、n-テトラデシル基、n-ペンタデシル基、3,5-ジメ
チルヘプチル基、2,6-ジメチルヘプチル基、2,4-ジメチ
ルヘプチル基、2,2,5,5-テトラメチルヘキシル基、1-cy
clo-ペンチル-2,2-ジメチルプロピル基、1-cyclo-ヘキ
シル-2,2-ジメチルプロピル基等の炭素数２０以下、好
ましくは１５以下の置換または未置換のアルキル基；

【００１９】メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ
基、iso-プロポキシ基、n-ブトキシ基、iso-ブトキシ
基、sec-ブトキシ基、t-ブトキシ基、n-ペントキシ基、
iso-ペントキシ基、neo-ペントキシ基、n-ヘキシルオキ
シ基、n-ドデシルオキシ基等の炭素数２０以下、好まし
くは１５以下の置換または未置換のアルコキシ基；メチ
ルチオ基、エチルチオ基、n-プロピルチオ基、iso-プロ
ピルチオ基、n-ブチルチオ基、iso-ブチルチオ基、sec-
ブチルチオ基、t-ブチルチオ基、n-ペンチルチオ基、is
o-ペンチルチオ基、2-メチルブチルチオ基、1-メチルブ
チルチオ基、neo-ペンチルチオ基、1,2-ジメチルプロピ
ルチオ基、1,1-ジメチルプロピルチオ基等の炭素数２０
以下、好ましくは１５以下の置換または未置換のアルキ
ルチオ基；

【００２０】フェノキシ基、2-メチルフェノキシ基、4-
メチルフェノキシ基、4-t-ブチルフェノキシ基、2-メト
キシフェノキシ基、4-iso-プロピルフェノキシ基等の炭
素数２０以下、好ましくは１５以下の置換または未置換
のアリールオキシ基;フェニルチオ基、4-メチルフェニ
ルチオ基、2-メトキシフェニルチオ基、4-t-ブチルフェ
ニルチオ基等の炭素数２０以下、好ましくは１５以下の
置換または未置換のアリ−ルチオ基;ビニル基、プロペ
ニル基、1-ブテニル基、iso-ブテニル基、1-ペンテニル
基、2-ペンテニル基、2-メチル-1-ブテニル基、3-メチ
ル-1-ブテニル基、2-メチル-2-ブテニル基、2,2-ジシア
ノビニル基、2-シアノ-2-メチルカルボキシルビニル
基、2-シアノ-2-メチルスルホンビニル基、2-フェニル-
1-ブテニル基等の炭素数２０以下、好ましくは１５以下
の置換または未置換のアルケニル基；ホルミル基、アセ
チル基、エチルカルボニル基、n-プロピルカルボニル
基、iso-プロピルカルボニル基、n-ブチルカルボニル
基、iso-ブチルカルボニル基、sec-ブチルカルボニル
基、t-ブチルカルボニル基、n-ペンチルカルボニル基、
iso-ペンチルカルボニル基、neo-ペンチルカルボニル
基、2-メチルブチルカルボニル基、ニトロベンジルカル
ボニル基等の炭素数２０以下、好ましくは１５以下の置
換または未置換のアシル基；

【００２１】メトキシカルボニル基、エトキシカルボニ
ル基、イソプロピルオキシカルボニル基、2,4-ジメチル
ブチルオキシカルボニル基等の炭素数２０以下、好まし
くは１５以下の置換または未置換のアルコキシカルボニ
ル基；カルバモイル基；アセチルアミノ基、エチルカル
ボニルアミノ基、ブチルカルボニルアミノ基等の炭素数
２０以下、好ましくは１５以下の置換または未置換のア
シルアミノ基；ベンジル基、ニトロベンジル基、シアノ
ベンジル基、ヒドロキシベンジル基、メチルベンジル
基、ジメチルベンジル基、トリメチルベンジル基、ジク
ロロベンジル基、メトキシベンジル基、エトキシベンジ
ル基、トリフルオロメチルベンジル基、ナフチルメチル
基、ニトロナフチルメチル基、シアノナフチルメチル
基、ヒドロキシナフチルメチル基、メチルナフチルメチ
ル基、トリフルオロメチルナフチルメチル基等の炭素数
２０以下、好ましくは１５以下の置換または未置換のア
ラルキル基;

【００２２】フェニル基、ニトロフェニル基、シアノフ
ェニル基、ヒドロキシフェニル基、メチルフェニル基、
ジメチルフェニル基、トリメチルフェニル基、エチルフ
ェニル基、ジエチルフェニル基、トリエチルフェニル
基、n-プロピルフェニル基、ジ(n-プロピル)フェニル
基、トリ(n-プロピル)フェニル基、iso-プロピルフェニ
ル基、ジ(iso-プロピル)フェニル基、トリ(iso-プロピ
ル)フェニル基、n-ブチルフェニル基、ジ(n-ブチル)フ
ェニル基、トリ(n-ブチル)フェニル基、iso-ブチルフェ
ニル基、ジ(iso-ブチル)フェニル基、トリ(iso-ブチル)
フェニル基、sec-ブチルフェニル基、ジ(sec-ブチル)フ
ェニル基、トリ(sec-ブチル)フェニル基、t-ブチルフェ
ニル基、ジ(t-ブチル)フェニル基、トリ(t-ブチル)フェ
ニル基、ジメチル-t-ブチルフェニル基、フルオロフェ
ニル基、クロロフェニル基、ブロモフェニル基、ヨード
フェニル基、メトキシフェニル基、エトキシフェニル
基、トリフルオロメチルフェニル基、N,N-ジメチルアミ
ノフェニル基、ナフチル基、ニトロナフチル基、シアノ
ナフチル基、ヒドロキシナフチル基、メチルナフチル
基、フルオロナフチル基、クロロナフチル基、ブロモナ
フチル基、ヨードナフチル基、メトキシナフチル基、ト
リフルオロメチルナフチル基、N,N-ジメチルアミノナフ
チル基等の炭素数２０以下、好ましくは１５以下の置換
または未置換のアリール基；

【００２３】ピロリル基、チエニル基、フラニル基、オ
キサゾイル基、イソオキサゾイル基、オキサジアゾイル
基、イミダゾイル基、ベンゾオキサゾイル基、ベンゾチ
アゾイル基、ベンゾイミダゾイル基、ベンゾフラニル
基、インドイル基、イソインドイル基等の炭素数２０以
下、好ましくは１５以下の置換または未置換のヘテロア
リール基；等を挙げることができる。

【００２４】Ｒ⁵の具体例としては、フッ素、塩素、臭
素、沃素等のハロゲン原子；フェニル基、ニトロフェニ
ル基、シアノフェニル基、ヒドロキシフェニル基、メチ
ルフェニル基、ジメチルフェニル基、トリメチルフェニ
ル基、エチルフェニル基、ジエチルフェニル基、トリエ
チルフェニル基、n-プロピルフェニル基、ジ(n-プロピ
ル)フェニル基、トリ(n-プロピル)フェニル基、iso-プ
ロピルフェニル基、ジ(iso-プロピル)フェニル基、トリ
(iso-プロピル)フェニル基、n-ブチルフェニル基、ジ(n
-ブチル)フェニル基、トリ(n-ブチル)フェニル基、iso-
ブチルフェニル基、ジ(iso-ブチル)フェニル基、トリ(i
so-ブチル)フェニル基、sec-ブチルフェニル基、ジ(sec
-ブチル)フェニル基、トリ(sec-ブチル)フェニル基、t-
ブチルフェニル基、ジ(t-ブチル)フェニル基、トリ(t-
ブチル)フェニル基、ジメチル-t-ブチルフェニル基、フ
ルオロフェニル基、クロロフェニル基、ブロモフェニル
基、ヨードフェニル基、メトキシフェニル基、エトキシ
フェニル基、トリフルオロメチルフェニル基、N,N-ジメ
チルアミノフェニル基、ナフチル基、ニトロナフチル
基、シアノナフチル基、ヒドロキシナフチル基、メチル
ナフチル基、フルオロナフチル基、クロロナフチル基、
ブロモナフチル基、ヨードナフチル基、メトキシナフチ
ル基、トリフルオロメチルナフチル基、N,N-ジメチルア
ミノナフチル基等の炭素数２０以下、好ましくは１５以
下の置換または未置換のアリール基；

【００２５】ピロリル基、チエニル基、フラニル基、オ
キサゾイル基、イソオキサゾイル基、オキサジアゾイル
基、イミダゾイル基、ベンゾオキサゾイル基、ベンゾチ
アゾイル基、ベンゾイミダゾイル基、ベンゾフラニル
基、インドイル基、イソインドイル基等の炭素数２０以
下、好ましくは１５以下の置換または未置換のヘテロア
リール基；

【００２６】メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ
基、iso-プロポキシ基、n-ブトキシ基、iso-ブトキシ
基、sec-ブトキシ基、t-ブトキシ基、n-ペントキシ基、
iso-ペントキシ基、neo-ペントキシ基、n-ヘキシルオキ
シ基、n-ドデシルオキシ基等の炭素数２０以下、好まし
くは１５以下の置換または未置換のアルコキシ基；メチ
ルチオ基、エチルチオ基、n-プロピルチオ基、iso-プロ
ピルチオ基、n-ブチルチオ基、iso-ブチルチオ基、sec-
ブチルチオ基、t-ブチルチオ基、n-ペンチルチオ基、is
o-ペンチルチオ基、2-メチルブチルチオ基、1-メチルブ
チルチオ基、neo-ペンチルチオ基、1,2-ジメチルプロピ
ルチオ基、1,1-ジメチルプロピルチオ基等の炭素数２０
以下、好ましくは１５以下の置換または未置換のアルキ
ルチオ基；

【００２７】フェノキシ基、2-メチルフェノキシ基、4-
メチルフェノキシ基、4-t-ブチルフェノキシ基、2-メト
キシフェノキシ基、4-iso-プロピルフェノキシ基等の炭
素数２０以下、好ましくは１５以下の置換または未置換
のアリールオキシ基;フェニルチオ基、4-メチルフェニ
ルチオ基、2-メトキシフェニルチオ基、4-t-ブチルフェ
ニルチオ基等の炭素数２０以下、好ましくは１５以下の
置換または未置換のアリ−ルチオ基;等を挙げることが
できる。

【００２８】Ｘの具体例としては、フッ素、塩素、臭
素、沃素等のハロゲン原子；メチル基、エチル基、n-プ
ロピル基、iso-プロピル基、n-ブチル基、iso-ブチル
基、sec-ブチル基、t-ブチル基、n-ペンチル基、iso-ペ
ンチル基、2-メチルブチル基、1-メチルブチル基、neo-
ペンチル基、1,2-ジメチルプロピル基、1,1-ジメチルプ
ロピル基、cyclo-ペンチル基、n-ヘキシル基、4-メチル
ペンチル基、3-メチルペンチル基、2-メチルペンチル
基、1-メチルペンチル基、3,3-ジメチルブチル基、2,3-
ジメチルブチル基、1,3-ジメチルブチル基、2,2-ジメチ
ルブチル基、1,2-ジメチルブチル基、1,1-ジメチルブチ
ル基、3-エチルブチル基、2-エチルブチル基、1-エチル
ブチル基、1,2,2-トリメチルブチル基、1,1,2-トリメチ
ルブチル基、1-エチル-2-メチルプロピル基、cyclo-ヘ
キシル基、n-ヘプチル基、2-メチルヘキシル基、3-メチ
ルヘキシル基、4-メチルヘキシル基、5-メチルヘキシル
基、2,4-ジメチルペンチル基、n-オクチル基、2-エチル
ヘキシル基、2,5-ジメチルヘキシル基、2,5,5-トリメチ
ルペンチル基、2,4-ジメチルヘキシル基、2,2,4-トリメ
チルペンチル基、3,5,5-トリメチルヘキシル基、n-ノニ
ル基、n-デシル基、4-エチルオクチル基、4-エチル-4,5
-ジメチルヘキシル基、n-ウンデシル基、n-ドデシル
基、1,3,5,7-テトラエチルオクチル基、4-ブチルオクチ
ル基、6,6-ジエチルオクチル基、n-トリデシル基、6-メ
チル-4-ブチルオクチル基、n-テトラデシル基、n-ペン
タデシル基、3,5-ジメチルヘプチル基、2,6-ジメチルヘ
プチル基、2,4-ジメチルヘプチル基、2,2,5,5-テトラメ
チルヘキシル基、1-cyclo-ペンチル-2,2-ジメチルプロ
ピル基、1-cyclo-ヘキシル-2,2-ジメチルプロピル基等
の炭素数２０以下、好ましくは１５以下の置換または未
置換のアルキル基；

【００２９】メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ
基、iso-プロポキシ基、n-ブトキシ基、iso-ブトキシ
基、sec-ブトキシ基、t-ブトキシ基、n-ペントキシ基、
iso-ペントキシ基、neo-ペントキシ基、n-ヘキシルオキ
シ基、n-ドデシルオキシ基等の炭素数２０以下、好まし
くは１５以下の置換または未置換のアルコキシ基；メチ
ルチオ基、エチルチオ基、n-プロピルチオ基、iso-プロ
ピルチオ基、n-ブチルチオ基、iso-ブチルチオ基、sec-
ブチルチオ基、t-ブチルチオ基、n-ペンチルチオ基、is
o-ペンチルチオ基、2-メチルブチルチオ基、1-メチルブ
チルチオ基、neo-ペンチルチオ基、1,2-ジメチルプロピ
ルチオ基、1,1-ジメチルプロピルチオ基等の炭素数２０
以下、好ましくは１５以下の置換または未置換のアルキ
ルチオ基；

【００３０】フェノキシ基、2-メチルフェノキシ基、4-
メチルフェノキシ基、4-t-ブチルフェノキシ基、2-メト
キシフェノキシ基、4-iso-プロピルフェノキシ基等の炭
素数２０以下、好ましくは１５以下の置換または未置換
のアリールオキシ基;フェニルチオ基、4-メチルフェニ
ルチオ基、2-メトキシフェニルチオ基、4-t-ブチルフェ
ニルチオ基等の炭素数２０以下、好ましくは１５以下の
置換または未置換のアリ−ルチオ基;ビニル基、プロペ
ニル基、1-ブテニル基、iso-ブテニル基、1-ペンテニル
基、2-ペンテニル基、2-メチル-1-ブテニル基、3-メチ
ル-1-ブテニル基、2-メチル-2-ブテニル基、2,2-ジシア
ノビニル基、2-シアノ-2-メチルカルボキシルビニル
基、2-シアノ-2-メチルスルホンビニル基、2-フェニル-
1-ブテニル基等の炭素数２０以下、好ましくは１５以下
の置換または未置換のアルケニル基；

【００３１】ベンジル基、ニトロベンジル基、シアノベ
ンジル基、ヒドロキシベンジル基、メチルベンジル基、
ジメチルベンジル基、トリメチルベンジル基、ジクロロ
ベンジル基、メトキシベンジル基、エトキシベンジル
基、トリフルオロメチルベンジル基、ナフチルメチル
基、ニトロナフチルメチル基、シアノナフチルメチル
基、ヒドロキシナフチルメチル基、メチルナフチルメチ
ル基、トリフルオロメチルナフチルメチル基等の炭素数
２０以下、好ましくは１５以下の置換または未置換のア
ラルキル基;フェニル基、ニトロフェニル基、シアノフ
ェニル基、ヒドロキシフェニル基、メチルフェニル基、
ジメチルフェニル基、トリメチルフェニル基、エチルフ
ェニル基、ジエチルフェニル基、トリエチルフェニル
基、n-プロピルフェニル基、ジ(n-プロピル)フェニル
基、トリ(n-プロピル)フェニル基、iso-プロピルフェニ
ル基、ジ(iso-プロピル)フェニル基、トリ(iso-プロピ
ル)フェニル基、n-ブチルフェニル基、ジ(n-ブチル)フ
ェニル基、トリ(n-ブチル)フェニル基、iso-ブチルフェ
ニル基、ジ(iso-ブチル)フェニル基、トリ(iso-ブチル)
フェニル基、sec-ブチルフェニル基、ジ(sec-ブチル)フ
ェニル基、トリ(sec-ブチル)フェニル基、t-ブチルフェ
ニル基、ジ(t-ブチル)フェニル基、トリ(t-ブチル)フェ
ニル基、ジメチル-t-ブチルフェニル基、フルオロフェ
ニル基、クロロフェニル基、ブロモフェニル基、ヨード
フェニル基、メトキシフェニル基、エトキシフェニル
基、トリフルオロメチルフェニル基、N,N-ジメチルアミ
ノフェニル基、ナフチル基、ニトロナフチル基、シアノ
ナフチル基、ヒドロキシナフチル基、メチルナフチル
基、フルオロナフチル基、クロロナフチル基、ブロモナ
フチル基、ヨードナフチル基、メトキシナフチル基、ト
リフルオロメチルナフチル基、N,N-ジメチルアミノナフ
チル基等の炭素数２０以下、好ましくは１５以下の置換
または未置換のアリール基；

【００３２】ピロリル基、チエニル基、フラニル基、オ
キサゾイル基、イソオキサゾイル基、オキサジアゾイル
基、イミダゾイル基、ベンゾオキサゾイル基、ベンゾチ
アゾイル基、ベンゾイミダゾイル基、ベンゾフラニル
基、インドイル基、イソインドイル基等の炭素数２０以
下、好ましくは１５以下の置換または未置換のヘテロア
リール基；等を挙げることができる。

【００３３】Ｒ¹とＲ²を連結する式（ａ）で表される連
結基において、Ａの具体例としては、ベンゼン、ニトロ
ベンゼン、シアノベンゼン、ヒドロキシベンゼン、メチ
ルベンゼン、ジメチルベンゼン、トリメチルベンゼン、
エチルベンゼン、ジエチルベンゼン、トリエチルベンゼ
ン、n-プロピルベンゼン、ジ(n-プロピル)ベンゼン、ト
リ(n-プロピル)ベンゼン、iso-プロピルベンゼン、ジ(i
so-プロピル)ベンゼン、トリ(iso-プロピル)ベンゼン、
n-ブチルベンゼン、ジ(n-ブチル)ベンゼン、トリ(n-ブ
チル)ベンゼン、iso-ブチルベンゼン、ジ(iso-ブチル)
ベンゼン、トリ(iso-ブチル)ベンゼン、sec-ブチルベン
ゼン、ジ(sec-ブチル)ベンゼン、トリ(sec-ブチル)ベン
ゼン、t-ブチルベンゼン、ジ(t-ブチル)ベンゼン、トリ
(t-ブチル)ベンゼン、ジメチル-t-ブチルベンゼン、フ
ルオロベンゼン、クロロベンゼン、ブロモベンゼン、ヨ
ードベンゼン、メトキシベンゼン、エトキシベンゼン、
トリフルオロメチルベンゼン、N,N-ジメチルアミノベン
ゼン、ナフタレン、ニトロナフタレン、シアノナフタレ
ン、ヒドロキシナフタレン、メチルナフタレン、フルオ
ロナフタレン、クロロナフチル基、ブロモナフチル基、
ヨードナフチル基、メトキシナフチル基、トリフルオロ
メチルナフタレン、N,N-ジメチルアミノナフタレン等の
炭素数２０以下、好ましくは１５以下の置換または未置
換の芳香環；

【００３４】ピロール、Ｎ−メチルピロール、チオフェ
ン、メチルチオフェン、フラン、オキサゾール、イソオ
キサゾール、オキサジアゾール、イミダゾール、ベンゾ
オキサゾール、ベンゾチアゾール、ベンゾイミダゾー
ル、ベンゾフラン、インドール、イソインドール等の炭
素数２０以下、好ましくは１５以下の置換または未置換
の複素環；等を挙げることができる。

【００３５】Ｌ¹は、ヘテロ原子を含んでも良い置換ま
たは未置換の残基を表し、それが結合している炭素原子
と一緒になって環を形成する。

【００３６】Ｌ¹が結合している炭素原子と一緒になっ
て形成する環の具体例としては、置換または未置換の５
員環、６員環、７員環を挙げることができ、好ましく
は、置換または未置換の５員環、６員環を挙げることが
できる。

【００３７】５員環を形成するＬ¹の具体例としては、
−ＣＨ₂−、−ＣＨ（Ｆ）−、−ＣＨ（Ｃｌ）−、−Ｃ
Ｈ（Ｂｒ）−、−ＣＨ（Ｉ）−、−Ｃ（Ｆ）₂−、−Ｃ
（Ｃｌ）₂−、−Ｃ（Ｂｒ）₂−、−Ｃ（Ｉ）₂−、−Ｃ
Ｈ（ＣＨ₃）−、−Ｃ（ＣＨ₃）₂−、−ＣＨ（ＯＣＨ₃）
−、−Ｃ（ＯＣＨ₃）₂−、−Ｏ−、−Ｓ−、等を挙げる
ことができ、

【００３８】６員環を形成するＬ¹の具体例としては、
−ＣＨ₂ＣＨ₂−、−ＣＨ（Ｆ）ＣＨ₂−、−ＣＨ（Ｃ
ｌ）ＣＨ₂−、−ＣＨ（Ｂｒ）ＣＨ₂−、−ＣＨ（Ｉ）Ｃ
Ｈ₂−、−ＣＨ（Ｆ）ＣＨ（Ｆ）−、−ＣＨ（Ｃｌ）Ｃ
Ｈ（Ｃｌ）−、−ＣＨ（Ｂｒ）ＣＨ（Ｂｒ）−、−ＣＨ
（Ｉ）ＣＨ（Ｉ）−、−Ｃ（Ｆ）₂ＣＨ₂−、−Ｃ（Ｃ
ｌ）₂ＣＨ₂−、−Ｃ（Ｂｒ）₂ＣＨ₂−、−Ｃ（Ｉ）₂Ｃ
Ｈ₂−、−Ｃ（Ｆ）₂Ｃ（Ｆ）₂−、−Ｃ（Ｃｌ）₂Ｃ（Ｃ
ｌ）₂−、−Ｃ（Ｂｒ）₂Ｃ（Ｂｒ）₂−、−Ｃ（Ｉ）₂Ｃ
（Ｉ）₂−、−ＣＨ（ＣＨ₃）ＣＨ₂−、−ＣＨ（ＣＨ₃）
ＣＨ（ＣＨ₃）−、−Ｃ（ＣＨ₃）₂ＣＨ₂−、−Ｃ（ＣＨ
₃）₂Ｃ（ＣＨ₃）₂−、−ＣＨ（ＯＣＨ₃）ＣＨ ₂−、−Ｃ
Ｈ（ＯＣＨ₃）ＣＨ（ＯＣＨ₃）−、−Ｃ（ＯＣＨ₃）₂Ｃ
Ｈ₂−、−Ｃ（ＯＣＨ₃）₂Ｃ（ＯＣＨ₃）₂−、−ＯＣＨ₂
−、−ＳＣＨ₂−、等を挙げることができ、

【００３９】７員環を形成するＬ¹の具体例としては、
−ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂−、−ＣＨ₂ＣＨ（Ｆ）ＣＨ₂−、−
ＣＨ₂ＣＨ（Ｃｌ）ＣＨ₂−、−ＣＨ₂ＣＨ（Ｂｒ）ＣＨ₂
−、−ＣＨ₂ＣＨ（Ｉ）ＣＨ₂−、−ＣＨ₂Ｃ（Ｆ）₂ＣＨ
₂−、−ＣＨ₂Ｃ（Ｃｌ）₂ＣＨ₂−、−ＣＨ₂Ｃ（Ｂｒ）₂
ＣＨ₂−、−ＣＨ₂Ｃ（Ｉ）₂ＣＨ₂−、−ＣＨ₂ＣＨ（Ｃ
Ｈ₃）ＣＨ₂−、−ＣＨ₂Ｃ（ＣＨ₃）₂ＣＨ₂−、−ＣＨ₂
ＣＨ（ＯＣＨ₃）ＣＨ₂−、−ＣＨ₂Ｃ（ＯＣＨ₃）₂ＣＨ₂
−、−ＣＨ₂ＯＣＨ₂−、−ＣＨ₂ＳＣＨ₂−、等を挙げる
ことができる。

【００４０】Ｍの具体例としては、ジピロメテン化合物
とキレートを形成する能力を有する遷移元素であれば特
に制限されないが、８、９、１０族（VIII族）、１１族
（Ｉb族）、１２族（IIb族）、３族（IIIa族）、４族
（IVa族）、５族（Ｖa族）、６族（VIa族）、７族（VII
a族）の金属が挙げられ、好ましくは、ニッケル、コバ
ルト、鉄、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、銅、オ
スミウム、イリジウム、白金、亜鉛等であり、耐光性の
点から特に銅、コバルトが好ましい。

【００４１】本発明の一般式（１）、（２）、及び
（３）で示されるジピロメテン金属キレート化合物の混
合物は、各々を別途合成した後に混合し、得ることもで
きるが、好ましくは以下のように適当な溶媒中、一般式
（４）で示されるジピロメテン化合物と一般式（５）で
示されるジピロメテン化合物の混合物と、ニッケル、コ
バルト、鉄、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、銅、
オスミウム、イリジウム、白金、亜鉛等金属の酢酸塩や
ハロゲン化物とを反応させて、得る。

【００４２】一般式（４）で示されるジピロメテン化合
物と一般式（５）で示されるジピロメテン化合物の総重
量に占める一般式（４）で示されるジピロメテン化合物
の重量比率は、好ましくは１０％以上９０％未満であ
り、さらに好ましくは２０％以上８０％未満である。

【００４３】

【化５】 〔式（４）、（５）において、Ｒ¹〜Ｒ⁵、及びＸは前記
と同じ意味を表す。〕

【００４４】一般式（４）で示されるジピロメテン化合
物、または一般式（５）で示されるジピロメテン化合物
は、限定されないが、例えば、Aust.J.Chem,1965,11,18
35-45、Heteroatom Chemistry, Vol. 1, 5, 389(199
0)、USP-4,774,339、USP-5,433,896等に記載の方法に準
じて製造される。

【００４５】即ち、一般式（６）で示される化合物と一
般式（７）で示される化合物、又は一般式（８）で示さ
れる化合物と一般式（９）で示される化合物とを臭化水
素酸や塩化水素酸等の酸触媒の存在下、適当な溶媒中で
反応して、一般式（４）で示されるジピロメテン化合物
を得る。

【００４６】同様にして、一般式（１０）で示される化
合物と一般式（７）で示される化合物、又は一般式（１
１）で示される化合物と一般式（９）で示される化合物
とを臭化水素酸や塩化水素酸等の酸触媒の存在下、適当
な溶媒中で反応して、一般式（５）で示されるジピロメ
テン化合物を得る。

【００４７】

【化６】 〔式（６）〜（１１）において、Ｒ¹〜Ｒ⁵、及びＸは前
記と同じ意味を表す。〕

【００４８】一般式（４）で示されるジピロメテン化合
物と一般式（５）で示されるジピロメテン化合物の混合
物は、上記のように各々製造した一般式（４）で示され
るジピロメテン化合物と一般式（５）で示されるジピロ
メテン化合物を混合して得ることができるが、以下のよ
うに、共合成にて得ることも好ましい。

【００４９】即ち、一般式（６）で示される化合物と一
般式（１０）で示される化合物の混合物と、一般式
（７）で示される化合物、または一般式（８）で示され
る化合物と一般式（１１）で示される化合物の混合物
と、一般式（９）で示される化合物とを臭化水素酸や塩
化水素酸等の酸触媒の存在下、適当な溶媒中で反応し
て、一般式（４）で示されるジピロメテン化合物と一般
式（５）で示されるジピロメテン化合物の混合物を得
る。

【００５０】表−１に本発明の一般式（１）、（２）、
及び（３）で示されるジピロメテン金属キレート化合物
の混合物の具体例を示す。

【００５１】

【表１】

【００５２】

【表２】

【００５３】

【表３】

【００５４】

【表４】

【００５５】

【表５】

【００５６】

【表６】

【００５７】

【表７】

【００５８】本発明の具体的構成について以下に説明す
る。光記録媒体とは予め情報を記録されている再生専用
の光再生専用媒体及び情報を記録して再生することので
きる光記録媒体の両方を示すものである。但し、ここで
は適例として後者の情報を記録して再生のできる光記録
媒体、特に基板上に記録層、反射層を有する光記録媒体
に関して説明する。本発明の光記録媒体は図１に示すよ
うな貼り合わせ構造を有している。すなわち、基板１上
に記録層２が形成されており、その上に密着して反射層
３が設けられており、さらにその上に接着層４を介して
基板５が貼り合わされている。ただし、記録層２の下ま
たは上に別の層があっても良く、反射層３の上に別の層
があっても良い。

【００５９】基板の材質としては、基本的には記録光お
よび再生光の波長で透明であればよい。例えば、ポリカ
ーボネート樹脂、塩化ビニル樹脂、ポリメタクリル酸メ
チル等のアクリル樹脂、ポリスチレン樹脂、エポキシ樹
脂等の高分子材料やガラス等の無機材料が利用される。
これらの基板材料は射出成形法等により円盤状に基板に
成形される。必要に応じて、基板表面に案内溝やピット
を形成することもある。このような案内溝やピットは、
基板の成形時に付与することが望ましいが、基板の上に
紫外線硬化樹脂層を用いて付与することもできる。通常
ＤＶＤとして用いる場合は、厚さ１．２ｍｍ程度、直径
８０ないし１２０ｍｍ程度の円盤状であり、中央に直径
１５ｍｍ程度の穴が開いている。

【００６０】本発明においては、基板上に記録層を設け
るが、本発明の記録層は、λmaxが４５０ｎｍ〜６３０
ｎｍ付近に存在する一般式（１）、（２）、及び（３）
で示されるジピロメテン金属キレート化合物の混合物を
含有する。中でも、５２０ｎｍ〜６９０ｎｍより選択さ
れる記録および再生レーザー波長に対して適度な光学定
数（光学定数は複素屈折率（ｎ＋ｋｉ）で表現される。
式中のｎ、ｋは、実数部ｎと虚数部ｋとに相当する係数
である。ここでは、ｎを屈折率、ｋを消衰係数とす
る。）を有する必要がある。

【００６１】一般に有機色素は、波長λに対し、屈折率
ｎと消衰係数ｋが大きく変化する特徴がある。ｎが１．
８より小さい値になると正確な信号読み取りに必要な反
射率と信号変調度は得られず、ｋが０．４０を越えても
反射率が低下して良好な再生信号が得られないだけでな
く、再生光により信号が変化しやすく実用に適さない。
この特徴を考慮して、目的とするレーザー波長において
好ましい光学定数を有する有機色素を選択し記録層を成
膜することで、高い反射率を有し、かつ、感度の良い媒
体とすることができる。

【００６２】本発明で使用するジピロメテン金属キレー
ト化合物の混合物は、一般式（３）で示される新規な非
対称ジピロメテン金属キレート化合物を含有しているこ
とに特徴があり、通常の有機色素に比べ、吸光係数が高
く、また置換基の選択により吸収波長域を任意に選択で
きるため、前記レーザー光の波長において記録層に必要
な光学定数（ｎが１．８以上、且つ、ｋが０．０４から
０．４０であり、好ましくは、ｎが２．０以上、且つ、
ｋが０．０４〜０．２０）を満足する極めて有用な色素
混合物である。

【００６３】また、波長４５０ｎｍ〜６３０ｎｍに吸収
極大を有し、５２０ｎｍ〜６９０ｎｍでの屈折率が大き
い前記以外の色素と混合しても良い。具体的には、シア
ニン系色素、スクアリリウム系色素、ナフトキノン系色
素、アントラキノン系色素、ポルフィリン系色素、アザ
ポルフィリン系色素、テトラピラポルフィラジン系色
素、インドフェノール系色素、ピリリウム系色素、チオ
ピリリウム系色素、アズレニウム系色素、トリフェニル
メタン系色素、キサンテン系色素、インダスレン系色
素、インジゴ系色素、チオインジゴ系色素、メロシアニ
ン系色素、チアジン系色素、アクリジン系色素、オキサ
ジン系色素等があり、複数の色素の混合であっても良
い。これらの色素の混合割合は、０．１〜３０％程度で
ある。

【００６４】更に、一般式（１）、（２）、及び（３）
で示されるジピロメテン金属キレート化合物の混合物
の、５２０ｎｍ〜６９０ｎｍから選択される記録及び再
生レーザー波長に対してのｋが小さい場合には、記録特
性などの改善のために、波長６００ｎｍ〜９００ｎｍに
吸収極大を有する光吸収化合物と混合しても良い。具体
的には、シアニン系色素、スクアリリウム系色素、ナフ
トキノン系色素、アントラキノン系色素、ポルフィリン
系色素、アザポルフィリン系色素、テトラピラポルフィ
ラジン系色素、インドフェノール系色素、ピリリウム系
色素、チオピリリウム系色素、アズレニウム系色素、ト
リフェニルメタン系色素、キサンテン系色素、インダス
レン系色素、インジゴ系色素、チオインジゴ系色素、メ
ロシアニン系色素、チアジン系色素、アクリジン系色
素、オキサジン系色素、フタロシアニン系色素、ナフタ
ロシアニン系色素等があり、複数の色素の混合であって
も良い。これらの色素の混合割合は、０．１〜３０％程
度である。

【００６５】本発明の光記録媒体を５２０ｎｍ〜６９０
ｎｍから選択されるレーザー光で再生することは、基本
的には、反射率が２０％あれば一応可能であるが、３０
％以上の反射率が好ましい。

【００６６】記録層を成膜する際に、必要に応じて前記
の色素に、クエンチャー、色素分解促進剤、紫外線吸収
剤、接着剤などを混合するか、あるいは、そのような効
果を有する化合物を前記色素の置換基として導入するこ
とも可能である。

【００６７】クエンチャーの具体例としては、アセチル
アセトナート系、ビスジチオ−α−ジケトン系やビスフ
ェニルジチオール系などのビスジチオール系、チオカテ
コール系、サリチルアルデヒドオキシム系、チオビスフ
ェノレート系などの金属錯体が好ましい。また、アミン
も好適である。

【００６８】熱分解促進剤としては、例えば、金属系ア
ンチノッキング剤、メタロセン化合物、アセチルアセト
ナート系金属錯体などの金属化合物が挙げられる。

【００６９】さらに、必要に応じて、バインダー、レベ
リング剤、消泡剤などを併用することもできる。好まし
いバインダーとしては、ポリビニルアルコール、ポリビ
ニルピロリドン、ニトロセルロース、酢酸セルロース、
ケトン樹脂、アクリル樹脂、ポリスチレン樹脂、ウレタ
ン樹脂、ポリビニルブチラール、ポリカーボネート、ポ
リオレフィンなどが挙げられる。

【００７０】記録層を基板の上に成膜する際に、基板の
耐溶剤性や反射率、記録感度などを向上させるために、
基板の上に無機物やポリマーからなる層を設けても良
い。

【００７１】ここで、記録層における一般式（１）、
（２）、及び（３）で示されるジピロメテン金属キレー
ト化合物の混合物の含有量は、３０％以上、好ましくは
６０％以上である。尚、実質的に１００％であることも
好ましい。

【００７２】記録層を設ける方法は、例えば、スピンコ
ート法、スプレー法、キャスト法、浸漬法などの塗布
法、スパッタ法、化学蒸着法、真空蒸着法などが挙げら
れるが、スピンコート法が簡便で好ましい。

【００７３】スピンコート法等の塗布法を用いる場合に
は、一般式（１）、（２）、及び（３）で示されるジピ
ロメテン金属キレート化合物の混合物を１〜４０重量
％、好ましくは３〜３０重量％となるように溶媒に溶解
あるいは分散させた塗布液を用いるが、この際、溶媒は
基板にダメージを与えないものを選ぶことが好ましい。
例えば、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコ
ール、オクタフルオロペンタノール、アリルアルコー
ル、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、テトラフル
オロプロパノールなどのアルコール系溶媒、ヘキサン、
ヘプタン、オクタン、デカン、シクロヘキサン、メチル
シクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、ジメチルシク
ロヘキサンなどの脂肪族または脂環式炭化水素系溶媒、
トルエン、キシレン、ベンゼンなどの芳香族炭化水素系
溶媒、四塩化炭素、クロロホルム、テトラクロロエタ
ン、ジブロモエタンなどのハロゲン化炭化水素系溶媒、
ジエチルエーテル、ジブチルエーテル、ジイソプロピル
エーテル、ジオキサンなどのエーテル系溶媒、アセト
ン、3-ヒドロキシ-3-メチル-2-ブタノンなどのケトン系
溶媒、酢酸エチル、乳酸メチルなどのエステル系溶媒、
水などが挙げられる。これらは単独で用いても良く、あ
るいは、複数混合しても良い。

【００７４】なお、必要に応じて、記録層の色素を高分
子薄膜などに分散して用いたりすることもできる。

【００７５】本発明の混合物は、一般式（１）で示され
るジピロメテン金属キレート化合物、一般式（２）で示
されるジピロメテン金属キレート化合物、または一般式
（３）で示されるジピロメテン金属キレート化合物、各
々単独の化合物に比べ、前記塗布溶媒に対する溶解性が
向上しているため、前記所望の濃度の塗布液を容易に得
ることができる。また、本発明の混合物は、その高い溶
解性のため、一旦得た塗布溶液から色素成分が析出する
ことがなく、塗布液の保存安定性に優れる。

【００７６】記録層の膜厚は、特に限定するものではな
いが、好ましくは５０ｎｍ〜３００ｎｍである。記録層
の膜厚を５０ｎｍより薄くすると、熱拡散が大きいため
記録できないか、記録信号に歪が発生する上、信号振幅
が小さくなる。また、膜厚が３００ｎｍより厚い場合は
反射率が低下し、再生信号特性が悪化する。

【００７７】次に記録層の上に、好ましくは５０ｎｍ〜
３００ｎｍの厚さの反射層を形成する。反射層の材料と
しては、再生光の波長で反射率の十分高いもの、例え
ば、Ａｕ、Ａｌ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｐ
ｔ、Ｔａ、ＣｒおよびＰｄの金属を単独あるいは合金に
して用いることが可能である。この中でもＡｕ、Ａｌ、
Ａｇは反射率が高く反射層の材料として適している。こ
れ以外でも下記のものを含んでいても良い。例えば、Ｍ
ｇ、Ｓｅ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｒｕ、Ｗ、Ｍｎ、Ｒｅ、Ｆ
ｅ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓ
ｉ、Ｇｅ、Ｔｅ、Ｐｂ、Ｐｏ、Ｓｎ、Ｂｉなどの金属お
よび半金属を挙げることができる。また、Ａｕを主成分
とするものは反射率の高い反射層が容易に得られるため
好適である。ここで主成分というのは含有率が５０％以
上のものをいう。金属以外の材料で低屈折率薄膜と高屈
折率薄膜を交互に積み重ねて多層膜を形成し、反射層と
して用いることも可能である。

【００７８】反射層を形成する方法としては、例えば、
スパッタ法、イオンプレーティング法、化学蒸着法、真
空蒸着法などが挙げられる。また、基板の上や反射層の
下に反射率の向上、記録特性の改善、密着性の向上など
のために公知の無機系または有機系の中間層、接着層を
設けることもできる。

【００７９】さらに、反射層の上の保護層の材料として
は反射層を外力から保護するものであれば特に限定しな
い。有機物質としては、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、
電子線硬化性樹脂、紫外線硬化性樹脂などを挙げること
ができる。また、無機物質としては、ＳｉＯ₂、Ｓｉ₃Ｎ
₄、ＭｇＦ₂、ＳｎＯ₂などが挙げられる。熱可塑性樹
脂、熱硬化性樹脂などは適当な溶媒に溶解して塗布液を
塗布し、乾燥することによって形成することができる。
紫外線硬化性樹脂は、そのままもしくは適当な溶媒に溶
解して塗布液を調製した後にこの塗布液を塗布し、紫外
線を照射して硬化させることによって形成することがで
きる。紫外線硬化性樹脂としては、例えば、ウレタンア
クリレート、エポキシアクリレート、ポリエステルアク
リレートなどのアクリレート樹脂を用いることができ
る。これらの材料は単独であるいは混合して用いても良
く、１層だけでなく多層膜にして用いても良い。

【００８０】保護層の形成の方法としては、記録層と同
様にスピンコート法やキャスト法などの塗布法やスパッ
タ法や化学蒸着法などの方法が用いられるが、この中で
もスピンコート法が好ましい。

【００８１】保護層の膜厚は、一般には０．１μｍ〜１
００μｍの範囲であるが、本発明においては、３μｍ〜
３０μｍであり、より好ましくは５μｍ〜２０μｍであ
る。

【００８２】保護層の上にさらにレーベルなどの印刷を
行うこともできる。また、反射層面に保護シートまたは
基板を張り合わせる、あるいは反射層面相互を内側とし
対向させ、光記録媒体２枚を貼り合わせるなどの手段を
用いても良い。また、基板鏡面側に、表面保護やごみ等
の付着防止のために紫外線硬化性樹脂、無機系薄膜等を
成膜しても良い。

【００８３】本発明でいう波長５２０ｎｍ〜６９０ｎｍ
のレーザーは、特に制限はないが、例えば、可視光領域
の広範囲で波長選択のできる色素レーザーや波長６３３
ｎｍのヘリウムネオンレーザー、最近開発されている波
長６８０、６５０、６３５ｎｍ付近の高出力半導体レー
ザー、波長５３２ｎｍの高調波変換ＹＡＧレーザーなど
が挙げられる。本発明では、これらから選択される１波
長または複数波長において高密度記録および再生が可能
となる。

【００８４】

【実施例】以下に本発明の実施例を示すが、本発明はこ
れによりなんら限定されるものではない。

【００８５】〔実施例１〕 ジピロメテン金属キレート
化合物の混合物（ｍ−１）の合成 エタノール１５０ｍｌに下記構造式（６−ａ）で示され
る化合物３．００ｇ及び下記構造式（７−ａ）で示され
る化合物１．４８ｇを溶解し、４７％臭化水素酸１．６
６ｇを滴下した後、室温で２時間攪拌した。減圧濃縮
後、クロロホルム２００ｍｌで抽出、水洗、分液後、溶
媒を溜去して、下記構造式（４−ａ）で示される化合物
４．１０ｇを得た。

【００８６】

【化７】

【００８７】同様にして、エタノール３００ｍｌに下記
構造式（１０−ａ）で示される化合物６．００ｇ及び前
記構造式（７−ａ）で示される化合物２．９７ｇを溶解
し、４７％臭化水素酸３．１７ｇを滴下した後、室温で
２時間攪拌した。減圧濃縮後、クロロホルム４００ｍｌ
で抽出、水洗、分液後、溶媒を溜去して、下記構造式
（５−ａ）で示される化合物８．５０ｇを得た。

【００８８】

【化８】

【００８９】次に、エタノール４００ｍｌに式（４−
ａ）で示される化合物４．００ｇと式（５−ａ）で示さ
れる化合物６．００ｇの混合物を溶解し、酢酸銅２．２
１ｇを加えて、還流温度で２時間攪拌した。減圧濃縮
後、析出物を濾取し、メタノール及び水で洗浄して、下
記構造式（１−１）、（２−１）、及び（３−１）で示
されるジピロメテン金属キレート化合物の混合物（ｍ−
１）９．１０ｇを得た。

【００９０】

【化９】 下記の分析結果より、目的物であることを確認した。

【００９１】

【表８】

【００９２】また、ＨＰＬＣ分析により、各化合物の組
成比が以下のとおりであることを確認した。 化合物（１−１） ３４％ 化合物（２−１） ４６％ 化合物（３−１） ２０％

【００９３】このようにして得られた混合物は、トルエ
ン溶液中において５９６ｎｍに極大吸収を示し、グラム
吸光係数は１．６５×１０⁵ｍｌ／ｇ．ｃｍであった。

【００９４】〔実施例２〕 ジピロメテン金属キレート
化合物の混合物（ｍ−２）の合成 エタノール５００ｍｌに下記構造式（６−ｂ）で示され
る化合物３．５０ｇと下記構造式（１０−ｂ）で示され
る化合物５．３０ｇの混合物、及び前記構造式（７−
ａ）で示される化合物５．３７ｇを溶解し、４７％臭化
水素酸５．７３ｇを滴下した後、室温で３時間攪拌し
た。減圧濃縮後、クロロホルム６００ｍｌで抽出、水
洗、分液後、溶媒を溜去して、下記構造式（４−ｂ）で
示される化合物と下記構造式（５−ｂ）で示される化合
物の混合物１２．０９ｇを得た。

【００９５】

【化１０】

【００９６】次に、エタノール４００ｍｌに式（４−
ｂ）で示される化合物と式（５−ｂ）で示される化合物
の混合物１１．２０ｇを溶解し、酢酸銅２．８５ｇを加
えて、還流温度で２時間攪拌した。減圧濃縮後、析出物
を濾取し、メタノール及び水で洗浄して、下記構造式
（１−２）、（２−２）、及び（３−２）で示されるジ
ピロメテン金属キレート化合物の混合物（ｍ−２）１
０．９１ｇを得た。

【００９７】

【化１１】 下記の分析結果より、目的物であることを確認した。

【００９８】

【表９】

【００９９】また、ＨＰＬＣ分析により、各化合物の組
成比が以下のとおりであることを確認した。 化合物（１−２） ３０％ 化合物（２−２） ４９％ 化合物（３−２） ２１％

【０１００】このようにして得られた化合物は、トルエ
ン溶液中において５８９ｎｍに極大吸収を示し、グラム
吸光係数は１．３１×１０⁵ｍｌ／ｇ．ｃｍであった。

【０１０１】〔実施例３〕 ジピロメテン金属キレート
化合物の混合物（ｍ−６）の合成 エタノール５００ｍｌに下記構造式（８−ａ）で示され
る化合物４．００ｇと下記構造式（１１−ａ）で示され
る化合物４．２０ｇの混合物、及び下記構造式（９−
ａ）で示される化合物４．５３ｇを溶解し、４７％臭化
水素酸４．１６ｇを滴下した後、室温で２時間攪拌し
た。減圧濃縮後、クロロホルム６００ｍｌで抽出、水
洗、分液後、溶媒を溜去して、下記構造式（４−ｃ）で
示される化合物と下記構造式（５−ｃ）で示される化合
物の混合物１０．９６ｇを得た。

【０１０２】

【化１２】

【０１０３】次に、エタノール４５０ｍｌに式（４−
ｃ）で示される化合物と式（５−ｃ）で示される化合物
の混合物１０．００ｇを溶解し、酢酸銅２．０５ｇを加
えて、還流温度で２時間攪拌した。減圧濃縮後、析出物
を濾取し、メタノール及び水で洗浄して、下記構造式
（１−６）、（２−６）、及び（３−６）で示されるジ
ピロメテン金属キレート化合物の混合物（ｍ−６）１
０．１１ｇを得た。

【０１０４】

【化１３】 下記の分析結果より、目的物であることを確認した。

【０１０５】

【表１０】

【０１０６】また、ＨＰＬＣ分析により、各化合物の組
成比が以下のとおりであることを確認した。 化合物（１−６） ３２％ 化合物（２−６） ３６％ 化合物（３−６） ３２％

【０１０７】このようにして得られた化合物は、トルエ
ン溶液中において５９６ｎｍに極大吸収を示し、グラム
吸光係数は１．５０×１０⁵ｍｌ／ｇ．ｃｍであった。

【０１０８】〔実施例４〕 ジピロメテン金属キレート
化合物の混合物（ｍ−７）の合成 エタノール７００ｍｌに下記構造式（８−ｂ）で示され
る化合物５．００ｇと下記構造式（１１−ｂ）で示され
る化合物６．００ｇの混合物、及び下記構造式（９−
ｂ）で示される化合物９．６６ｇを溶解し、４７％臭化
水素酸６．３３ｇを滴下した後、室温で４時間攪拌し
た。減圧濃縮後、クロロホルム８００ｍｌで抽出、水
洗、分液後、溶媒を溜去して、下記構造式（４−ｄ）で
示される化合物と下記構造式（５−ｄ）で示される化合
物の混合物１０．９６ｇを得た。

【０１０９】

【化１４】

【０１１０】次に、エタノール５００ｍｌに式（４−
ｄ）で示される化合物と式（５−ｄ）で示される化合物
の混合物１２．３０ｇを溶解し、酢酸銅２．３４ｇを加
えて、還流温度で２時間攪拌した。減圧濃縮後、析出物
を濾取し、メタノール及び水で洗浄して、下記構造式
（１−７）、（２−７）、及び（３−７）で示されるジ
ピロメテン金属キレート化合物の混合物（ｍ−７）１
１．６７ｇを得た。

【０１１１】

【化１５】 下記の分析結果より、目的物であることを確認した。

【０１１２】

【表１１】

【０１１３】また、ＨＰＬＣ分析により、各化合物の組
成比が以下のとおりであることを確認した。 化合物（１−７） ３０％ 化合物（２−７） ３８％ 化合物（３−７） ３２％

【０１１４】このようにして得られた化合物は、トルエ
ン溶液中において５９４ｎｍに極大吸収を示し、グラム
吸光係数は１．２１×１０⁵ｍｌ／ｇ．ｃｍであった。

【０１１５】〔実施例５〕 ジピロメテン金属キレート
化合物の混合物（ｍ−８）の合成 エタノール６００ｍｌに下記構造式（８−ｃ）で示され
る化合物４．００ｇと下記構造式（１１−ｃ）で示され
る化合物６．００ｇの混合物、及び前記構造式（９−
ｂ）で示される化合物１０．４１ｇを溶解し、４７％臭
化水素酸６．６２ｇを滴下した後、室温で３時間攪拌し
た。減圧濃縮後、クロロホルム７００ｍｌで抽出、水
洗、分液後、溶媒を溜去して、下記構造式（４−ｅ）で
示される化合物と下記構造式（５−ｅ）で示される化合
物の混合物１８．１６ｇを得た。

【０１１６】

【化１６】

【０１１７】次に、エタノール５００ｍｌに式（４−
ｅ）で示される化合物と式（５−ｅ）で示される化合物
の混合物１１．３０ｇを溶解し、酢酸銅２．３５ｇを加
えて、還流温度で２時間攪拌した。減圧濃縮後、析出物
を濾取し、メタノール及び水で洗浄して、下記構造式
（１−８）、（２−８）、及び（３−８）で示されるジ
ピロメテン金属キレート化合物の混合物（ｍ−８）１
１．１３ｇを得た。

【０１１８】

【化１７】 下記の分析結果より、目的物であることを確認した。

【０１１９】

【表１２】

【０１２０】また、ＨＰＬＣ分析により、各化合物の組
成比が以下のとおりであることを確認した。 化合物（１−８） ３４％ 化合物（２−８） ４４％ 化合物（３−８） ２２％

【０１２１】このようにして得られた化合物は、トルエ
ン溶液中において５９５ｎｍに極大吸収を示し、グラム
吸光係数は１．００×１０⁵ｍｌ／ｇ．ｃｍであった。

【０１２２】〔実施例６〕 ジピロメテン金属キレート
化合物の混合物（ｍ−１４）の合成 エタノール６００ｍｌに下記構造式（８−ｄ）で示され
る化合物４．５０ｇと下記構造式（１１−ｄ）で示され
る化合物６．００ｇの混合物、及び下記構造式（９−
ｃ）で示される化合物８．４７ｇを溶解し、４７％臭化
水素酸７．４６ｇを滴下した後、室温で２時間攪拌し
た。減圧濃縮後、クロロホルム７００ｍｌで抽出、水
洗、分液後、溶媒を溜去して、下記構造式（４−ｆ）で
示される化合物と下記構造式（５−ｆ）で示される化合
物の混合物１６．０３ｇを得た。

【０１２３】

【化１８】

【０１２４】次に、エタノール４００ｍｌに式（４−
ｆ）で示される化合物と式（５−ｆ）で示される化合物
の混合物１０．００ｇを溶解し、酢酸銅２．５２ｇを加
えて、還流温度で１時間攪拌した。減圧濃縮後、析出物
を濾取し、メタノール及び水で洗浄して、下記構造式
（１−１４）、（２−１４）、及び（３−１４）で示さ
れるジピロメテン金属キレート化合物の混合物（ｍ−１
４）９．７４ｇを得た。

【０１２５】

【化１９】 下記の分析結果より、目的物であることを確認した。

【０１２６】

【表１３】

【０１２７】また、ＨＰＬＣ分析により、各化合物の組
成比が以下のとおりであることを確認した。 化合物（１−１４） ３７％ 化合物（２−１４） ４０％ 化合物（３−１４） ２３％ このようにして得られた化合物は、トルエン溶液中にお
いて５７５ｎｍに極大吸収を示し、グラム吸光係数は
１．１８×１０⁵ｍｌ／ｇ．ｃｍであった。

【０１２８】〔実施例７〕 ジピロメテン金属キレート
化合物の混合物（ｍ−１７）の合成 エタノール５００ｍｌに前記構造式（８−ｂ）で示され
る化合物４．００ｇと前記構造式（１１−ｂ）で示され
る化合物６．００ｇの混合物、及び下記構造式（９−
ｄ）で示される化合物５．８９ｇを溶解し、４７％臭化
水素酸５．７５ｇを滴下した後、室温で１時間攪拌し
た。減圧濃縮後、クロロホルム６００ｍｌで抽出、水
洗、分液後、溶媒を溜去して、下記構造式（４−ｇ）で
示される化合物と下記構造式（５−ｇ）で示される化合
物の混合物１４．３９ｇを得た。

【０１２９】

【化２０】

【０１３０】次に、エタノール７００ｍｌに式（４−
ｇ）で示される化合物と式（５−ｇ）で示される化合物
の混合物１３．００ｇを溶解し、酢酸銅２．９４ｇを加
えて、還流温度で２時間攪拌した。減圧濃縮後、析出物
を濾取し、メタノール及び水で洗浄して、下記構造式
（１−１７）、（２−１７）、及び（３−１７）で示さ
れるジピロメテン金属キレート化合物の混合物（ｍ−１
７）１２．５８ｇを得た。

【０１３１】

【化２１】 下記の分析結果より、目的物であることを確認した。

【０１３２】

【表１４】

【０１３３】また、ＨＰＬＣ分析により、各化合物の組
成比が以下のとおりであることを確認した。 化合物（１−１７） ３２％ 化合物（２−１７） ４２％ 化合物（３−１７） ２６％ このようにして得られた化合物は、トルエン溶液中にお
いて６００ｎｍに極大吸収を示し、グラム吸光係数は
１．３６×１０⁵ｍｌ／ｇ．ｃｍであった。

【０１３４】〔実施例８〕 ジピロメテン金属キレート
化合物の混合物（ｍ−２９）の合成 エタノール５００ｍｌに下記構造式（８−ｅ）で示され
る化合物５．１０ｇと下記構造式（１１−ｅ）で示され
る化合物５．８０ｇの混合物、及び下記構造式（９−
ｅ）で示される化合物７．３０ｇを溶解し、４７％臭化
水素酸６．５６ｇを滴下した後、室温で２時間攪拌し
た。減圧濃縮後、クロロホルム６００ｍｌで抽出、水
洗、分液後、溶媒を溜去して、下記構造式（４−ｈ）で
示される化合物と下記構造式（５−ｈ）で示される化合
物の混合物１５．７９ｇを得た。

【０１３５】

【化２２】

【０１３６】次に、エタノール７００ｍｌに式（４−
ｈ）で示される化合物と式（５−ｈ）で示される化合物
の混合物１３．００ｇを溶解し、酢酸銅２．９３ｇを加
えて、還流温度で２時間攪拌した。減圧濃縮後、析出物
を濾取し、メタノール及び水で洗浄して、下記構造式
（１−２９）、（２−２９）、及び（３−２９）で示さ
れるジピロメテン金属キレート化合物の混合物（ｍ−２
９）１２．５９ｇを得た。

【０１３７】

【化２３】 下記の分析結果より、目的物であることを確認した。

【０１３８】

【表１５】

【０１３９】また、ＨＰＬＣ分析により、各化合物の組
成比が以下のとおりであることを確認した。 化合物（１−２９） ３４％ 化合物（２−２９） ３９％ 化合物（３−２９） ２７％ このようにして得られた化合物は、トルエン溶液中にお
いて５８４ｎｍに極大吸収を示し、グラム吸光係数は
１．０７×１０⁵ｍｌ／ｇ．ｃｍであった。

【０１４０】〔実施例９〕ジピロメテン金属キレート化
合物の混合物（ｍ−１）０．２ｇをジメチルシクロヘキ
サン１０ｍｌに溶解し、色素溶液を調製した。基板は、
ポリカーボネート樹脂製で連続した案内溝（トラックピ
ッチ：０．７４μｍ）を有する直径１２０ｍｍ、厚さ
０．６ｍｍの円盤状のものを用いた。

【０１４１】この基板上に色素溶液を回転数１５００ｒ
ｐｍでスピンコートし、７０℃で３時間乾燥して記録層
を形成した。この記録層の６４０ｎｍ、６５０ｎｍ、６
６０ｎｍ各波長における光学定数は、下記のとおりであ
った。

【０１４２】

【表１６】

【０１４３】この記録層の上にバルザース社製スパッタ
装置（ＣＤＩ−９００）を用いてＡｕをスパッタし、厚
さ１００ｎｍの反射層を形成した。スパッタガスには、
アルゴンガスを用いた。スパッタ条件は、スパッタパワ
ー２．５ｋＷ、スパッタガス圧１．３３Ｐａ（１．０×
１０^-2Ｔｏｒｒ）で行った。

【０１４４】さらに反射層上に紫外線硬化性樹脂ＳＤ−
１７００（大日本インキ化学工業製）をスピンコートし
た後、紫外線を照射して厚さ６μｍの保護層を形成し
た。

【０１４５】さらに保護層上に紫外線硬化性接着剤ＳＤ
−３０１（大日本インキ化学工業製）をスピンコート
し、その上にポリカーボネート樹脂製で直径１２０ｍ
ｍ、厚さ０．６ｍｍの円盤状基板をのせた後、紫外線を
照射して貼り合わせた光記録媒体を作製した。

【０１４６】得られた光記録媒体に、波長６５８ｎｍで
レンズの開口数が０．６の半導体レーザーヘッドを搭載
したパルステック工業製光ディスク評価装置（ＤＤＵ−
１０００）およびパルステック工業製パルスジェネレー
ターを用いて、線速３．５ｍ／ｓで最短ピット長が０．
４０μｍになるように記録した。記録感度は９．５ｍＷ
であった。記録後、６５０ｎｍ赤色半導体レーザーヘッ
ド（レンズの開口数は０．６）を搭載した評価装置を用
いて信号を再生し、反射率、ジッターおよび変調度を測
定した結果、６５０ｎｍ再生で反射率４９．５％、ジッ
ター７．５％、変調度０．６０といずれも良好な値を示
した。また、１００時間のカーボンアークでの耐光性試
験、並びに８０℃、８５％、１００時間の耐湿熱試験後
も変化は見られなかった。また、０．７ｍＷの再生光で
１００万回再生してもジッターの変化は１％以下であっ
た。

【０１４７】更に、線速１０．５ｍ／ｓ（記録速度３
倍）で最短ピット長が０．４０μｍになるように記録し
たところ、記録感度は１３．５ｍＷであった。記録後、
６５０ｎｍ赤色半導体レーザーヘッド（レンズの開口数
は０．６）を搭載した評価装置を用いて信号を再生し、
反射率、ジッターおよび変調度を測定した結果、６５０
ｎｍ再生で反射率４６．０％、ジッター７．９％、変調
度０．６８といずれも良好な値を示した。

【０１４８】〔実施例１０〜２７〕表１に記載したジピ
ロメテン金属キレート化合物の混合物を用いる以外は実
施例９と同様にして光記録媒体を作製し、１倍速、及び
３倍速の記録を行った。感度、反射率、ジッター、変調
度いずれも良好な値を示した。また、１００時間のカー
ボンアークでの耐光性試験、並びに８０℃、８５％、１
００時間の耐湿熱試験後も変化は見られなかった。ま
た、０．７ｍＷの再生光で１００万回再生してもジッタ
ーの変化は１％以下であった。

【０１４９】〔比較例１〕実施例９において、下記構造
式（Ａ−１）で示されるジピロメテン金属キレート化合
物０．２ｇをジメチルシクロヘキサン１０ｍｌに溶解し
てスピンコートする以外は同様にして光記録媒体を作製
した。

【０１５０】

【化２４】

【０１５１】作製した媒体に実施例９と同様に６５８ｎ
ｍ半導体レーザーヘッドを搭載したパルステック工業製
光ディスク評価装置（ＤＤＵ−１０００）および、パル
ステック工業製パルスジェネレーターを用いて線速３．
５ｍ／ｓ、レーザーパワー９．５ｍＷで記録した。記録
後、６５０ｎｍ赤色半導体レーザーヘッドを搭載した評
価装置を用いて信号を再生し、反射率、ジッターおよび
変調度を測定した結果、６５０ｎｍ再生で反射率６２
％、ジッター２０％以上、変調度０．６１とジッター特
性が劣っていた。

【０１５２】また、線速１０．５ｍ／ｓ（記録速度３
倍）で最短ピット長が０．４０μｍになるように記録検
討を実施したところ、記録感度に劣り（＞１５ｍＷ）、
良好な記録を行うことができなかった。

【０１５３】以上の実施例９〜２７及び比較例１におい
て、各光記録媒体を１倍速、３倍速で記録して再生した
ときの感度、反射率、ジッター、変調度を表−２にまと
めて示す。

【０１５４】

【表１７】

【０１５５】

【発明の効果】本発明のジピロメテン金属キレート化合
物の混合物からなる色素で記録層を形成することによ
り、高密度光記録媒体として非常に注目されている波長
５２０〜６９０ｎｍのレーザーで記録再生が可能で耐久
性に優れた高密度、高速記録に適した追記型光記録媒体
を提供することが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】従来の光記録媒体および本発明の層構成を示す
断面構造図である。

【符号の説明】

１ 基板 ２ 記録層 ３ 反射層 ４ 接着層 ５ 基板

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ０７Ｄ 495/04 １０３ Ｃ０９Ｂ 57/10 ４Ｈ０５６ Ｃ０９Ｂ 57/10 Ｇ１１Ｂ 7/004 Ｚ ５Ｄ０２９ Ｇ１１Ｂ 7/004 7/24 ５１６ ５Ｄ０９０ 7/24 ５１６ ５２２Ａ ５２２ Ｂ４１Ｍ 5/26 Ｙ (72)発明者 井上 忍 千葉県袖ヶ浦市長浦580−32 三井化学株 式会社内 (72)発明者 三沢 伝美 千葉県袖ヶ浦市長浦580−32 三井化学株 式会社内 Ｆターム(参考） 2H111 EA03 EA12 EA22 EA32 EA43 EA48 FA12 FB45 4C050 AA01 AA07 BB04 CC16 EE01 FF02 FF05 GG01 HH04 4C063 AA01 BB03 CC07 DD04 EE05 4C071 AA01 AA07 BB01 BB05 CC01 CC21 DD04 EE13 FF03 GG05 JJ01 JJ05 LL05 4C204 BB05 BB09 CB13 DB13 EB02 GB01 4H056 CA01 CC02 CC08 CE03 CE06 DD03 FA06 5D029 JA04 JB28 JB47 JC05 5D090 AA01 BB03 BB05 CC14 FF11 KK06

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 下記一般式（１）、（２）、及び（３）
   で示されるジピロメテン金属キレート化合物の混合物。 【化１】 〔式中、Ｒ¹〜Ｒ⁴は、各々独立に、水素原子、ハロゲン
   原子、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシ基、アミノ基、
   カルボキシル基、スルホン酸基、炭素数２０以下の置換
   または未置換のアルキル基、アルコキシ基、アルキルチ
   オ基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アルケニル
   基、アシル基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル
   基、アシルアミノ基、アラルキル基、アリール基または
   ヘテロアリール基を表し、Ｒ⁵は、ハロゲン原子、炭素
   数２０以下の置換または未置換のアリール基、ヘテロア
   リール基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリールオ
   キシ基、アリールチオ基を表し、Ｘは、ハロゲン原子、
   炭素数２０以下の置換または未置換のアルキル基、アル
   コキシ基、アルキルチオ基、アリールオキシ基、アリー
   ルチオ基、アルケニル基、アラルキル基、アリール基、
   またはヘテロアリール基を表し、Ｒ¹とＲ²は式（ａ）で
   表される連結基を介して環を形成してもよく、Ｍは遷移
   元素を表す。 【化２】 （Ａは炭素数２０以下の置換または未置換の芳香環また
   は複素環を表し、Ｌ¹は、それが結合している炭素原子
   と一緒になって環を形成する、ヘテロ原子を含んでも良
   い置換または未置換の残基を表す）〕
2. 【請求項２】 一般式（１）で示されるジピロメテン金
   属キレート化合物、一般式（２）で示されるジピロメテ
   ン金属キレート化合物、及び一般式（３）で示されるジ
   ピロメテン金属キレート化合物の組成比が、以下の条件
   ａ）、ｂ）、ｃ）全てを満たす請求項１記載のジピロメ
   テン金属キレート化合物の混合物。 ａ）一般式（１）で示されるジピロメテン金属キレート
   化合物の組成比が１０％以上９０％未満である。 ｂ）一般式（２）で示されるジピロメテン金属キレート
   化合物の組成比が１０％以上９０％未満である。 ｃ）一般式（３）で示されるジピロメテン金属キレート
   化合物の組成比が１０％以上９０％未満である。
3. 【請求項３】 請求項１または２に記載のジピロメテン
   金属キレート化合物の混合物からなる光記録媒体の記録
   層用色素
4. 【請求項４】 基板上に少なくとも記録層および反射層
   を有する光記録媒体において、記録層中に、請求項３に
   記載の記録層用色素を含有してなる光記録媒体。
5. 【請求項５】 レーザー波長において、記録層の屈折率
   が１．８以上であり、消衰係数が０．０４〜０．４０で
   ある請求項４記載の光記録媒体。
6. 【請求項６】 波長５２０〜６９０ｎｍの範囲から選択
   されるレーザー光に対して、記録および再生が可能であ
   る請求項４または５記載の光記録媒体。