SU934562A1

SU934562A1 - Non-reciprocal device

Info

Publication number: SU934562A1
Application number: SU802925951A
Authority: SU
Inventors: Лаймис Вацловович Лауринавичюс
Original assignee: Ордена Трудового Красного Знамени Институт Физики Полупроводников Ан Литсср
Priority date: 1980-05-22
Filing date: 1980-05-22
Publication date: 1982-06-07

Description

направлени х провод щие полоски 6, при этом концы провод щих полосок б одной диэлектрической пластины 5 через отверсти 7 соединены соответственно с концами совпадающих с ними по направлению провод щих полосок б другой диэлектрической пластины 5 и при псмощи провод щих перемычек 8 таким образом, что образуютс две симметричные ортогональные катушки индуктивности одинаковых размеров,the directions of the conductive strips 6, while the ends of the conductive strips b of one dielectric plate 5 through the holes 7 are connected respectively with the ends of the other dielectric plate 5 coinciding with them in the direction of the conductive strips b of the other dielectric plate 5 so that they form two symmetrical orthogonal inductors of the same size,

Устройство работает следующим образом.The device works as follows.

Циркул рна пол ризаци переменного высокочастотного магнитного пол В магнитной системы 1 осуществл етс благодар подключению ортогональных катушек индуктивностей в схему двухзвенного фильтра, который обеспечивает сдвиг фазы сигнала на одной катушке относительно сигнала на другой катушке примерно на . При передаче сигнала от входа невзаимного устройства к выходу направление пол ризации высокочастотного магнитного пол в области полупроводниковой пластины 4 будет соответобыкновеннойThe circular polarization of an alternating high-frequency magnetic field B of magnetic system 1 is accomplished by connecting orthogonal inductance coils to a two-link filter circuit that provides a phase shift of the signal on one coil relative to the signal on the other coil by about. When transmitting a signal from the input of a non-reciprocal device to the output, the direction of polarization of the high-frequency magnetic field in the region of the semiconductor plate 4 will be in accordance with the usual

ствовать пол ризацииto be polarized

волны, и полупроводникова пластина 4 не будет взаимодействовать с высокочастотными пол ми. Подача сигнала от выхода к входу соответствует возбуждению геликонной волны и катушки окажутс взаимно св занными через полупроводниковую пластину 4. Переданный через полупроводниковую пластину 4 сигнал будет в противофазе с сигналом возбуждени , и передача, сигнала на вход отсутствуетwaves, and semiconductor wafer 4 will not interact with high-frequency fields. The signal from the output to the input corresponds to the excitation of the helicon wave and the coils will be interconnected through the semiconductor plate 4. The signal transmitted through the semiconductor plate 4 will be in antiphase with the excitation signal, and no signal is transmitted to the input

Перестройка индуктивностей катушек осуществл етс с помощью провод щи: перемычек8 путем последовательного включени дополнительных провод щих полосок 6,The tuning of the inductances of the coils is carried out with the help of conductors: jumpers 8 by sequential connection of additional conducting strips 6

Конструкци предлагаемого невзаимного устройства позвол ет снизить рабочую частоту до нескольких мегагерц и повысить передаваемые мощноети без увеличени габаритов всего устройства.The design of the proposed non-reciprocal device allows to reduce the operating frequency to several megahertz and to increase the transmitted power without increasing the size of the entire device.

Claims

1. A non-locking device, containing a semiconductor plate with communication elements, installed in an electrostatic screen, placed between the poles of the magnetic system, characterized in that, in order to expand the operating frequency range and increase the operating power while maintaining dimensions, the communication elements are in the form conductive strips deposited on the opposite side of two dielectric plates in two mutually perpendicular directions x-, while the dielectric plates are placed on opposite sides of n an olouconductor plate, and the ends of the conductive strips of one dielectric plate are connected by means of conductive bridges with the corresponding ends of the conductive strips of another dielectric plate, oriented in the same direction

2. A device according to claim 1, characterized in that the semiconductor wafer is square, with the side of the square five times the thickness of the semiconductor wafer.

,

3. The device according to PP. 1 and 2, it is assumed that the conductive strips of one dielectric plate and the corresponding conductive POLEDUCKs of another dielectric plate parallel to them lie in the same planes perpendicular to the planes of the dielectric plates.

Sources of information taken into account in the examination

1. USSR author's certificate No. 647993, cl. H 01 R 1/32, 1979 (prototype).