SU1631631A1

SU1631631A1 - Frequency-selective device on magnetostatic waves

Info

Publication number: SU1631631A1
Application number: SU884462524A
Authority: SU
Inventors: Сергей Анатольевич Третьяков; Татьяна Георгиевна Харина
Original assignee: Ленинградский Политехнический Институт Им.М.И.Калинина
Priority date: 1988-07-18
Filing date: 1988-07-18
Publication date: 1991-02-28

Abstract

Изобретение относитс к технике СВЧ. Цель изобретени - увеличение внеполос- ного затухани . В рабочей полосе частот св зь между входным и выходным отрезками 5, 6 линий передачи осуществл етс посредством магнитостатических волн, возбуждаемых в ферритовой пленке 4 входным преобразователем 2 и преобразуемых в СВЧ-сигнал выходным преобразователем 3. Паразитна индуктивна св зь между входным и выходным преобразовател ми 2, 3 компенсируетс благодар пр.отивополож- ному направлению СВЧ-токов в центральной части 7 входного отрезка 5 и во-входном преобразователе 2. 2 ил.This invention relates to a microwave technique. The purpose of the invention is to increase the out-of-band attenuation. In the working frequency band, the connection between the input and output sections 5, 6 of the transmission lines is carried out by means of magnetostatic waves excited in the ferrite film 4 by the input converter 2 and converted by the output signal 3 into the microwave signal. Parasitic inductive coupling between the input and output converters 2, 3 are compensated for due to the opposite direction of the microwave current in the central part 7 of the input segment 5 and in the input converter 2. 2 Il.

Description

Фие.1Phie.1

Изобретение относитс к технике СВЧ и может быть использовано как полосовой фильтр или лини задержки в приемных, передающих и измерительных радиотехнических системах.The invention relates to a microwave technique and can be used as a bandpass filter or delay lines in receiving, transmitting and measuring radio engineering systems.

Целью изобретени вл етс увеличение внеполосного затухани ,The aim of the invention is to increase the out-of-band attenuation,

На фиг.1 изображено частотно-избирательное устройство на магнитостатических волнах, вид сверху; на фиг.2 - то же, вид спереди.Figure 1 shows the frequency-selective device for magnetostatic waves, top view; figure 2 - the same, front view.

Устройство содержит диэлектрическую подложку 1. на которую нанесены входной и выходной преобразователи 2, 3 магнитостатических волн, ферритовую пленку 4, на- магниченную до насыщени и расположенную на входном и выходном преобразовател х 2, 3, входной и выходной отрезки 5, 6 линий передачи, к которым подключены входной и выходной преобразователи 2, 3 соответственно. Входной и выходной отрезки 5, 6 выполнены S-образными, центральные части 7, 8 которых параллельны входному и выходному преобразовател м 2, 3, На нижнюю поверхность диэлектриче- ской подложки 1 нанесен слой 9 металлизации .The device contains a dielectric substrate 1. on which the input and output converters 2, 3 of magnetostatic waves, ferrite film 4, magnetized to saturation and located on the input and output converters 2, 3, the input and output segments 5, 6 transmission lines, connected to the input and output converters 2, 3, respectively. The input and output sections 5, 6 are S-shaped, the central parts 7, 8 of which are parallel to the input and output converters 2, 3, Metallic layer 9 is applied on the bottom surface of the dielectric substrate 1.

Частотно-избирательное устройство на магнитостатических волнах работает следующим образом.The frequency-selective device for magnetostatic waves works as follows.

СВЧ-сигнал через входной отрезок 5 поступает на входной преобразователь 2, который возбуждает в ферритовой пленке 4 магнитостатические волны, распростран ющиес к выходному преобразователю 3. С The microwave signal through the input segment 5 is fed to the input converter 2, which excites in the ferrite film 4 magnetostatic waves propagating to the output converter 3. From

Claims

output converter 3 The microwave signal enters the output segment 6. Since all the dimensions of the device are much smaller than the length of the working electromagnetic wave, in the central part 7 of the input segment 5, the microwave current flows opposite to the current in the input converter

2. Due to this current, near the output converter 3, the flux of the magnetic induction generated by the current of the input converter 2 and the resulting parasitic coupling between the input and output converters 2, is partially compensated for,

3. The current in the central part 7 does not affect the excitation of magnetostatic waves in the ferrite film 4, since the input segment 5 does not overlap with the ferrite film.

4. The invention of the frequency-selective device for magnetostatic waves, containing a dielectric substrate, on which are input and output transducers of magnetostatic waves, on which a ferrite film is located, magnetized to saturation, while the input and output transducers of magnetostatic waves are connected to the input and output segments transmission lines, respectively, characterized in that, in order to increase out-of-band attenuation, the input and output sections of transmission lines are made S-shaped, the central parts of which are parallel to the input and output transducers of magnetostatic waves.

FIG. I