RU2845135C1 - Composition for removing photoresist and a concentrate for preparing a composition - Google Patents
Composition for removing photoresist and a concentrate for preparing a compositionInfo
- Publication number
- RU2845135C1 RU2845135C1 RU2025106033A RU2025106033A RU2845135C1 RU 2845135 C1 RU2845135 C1 RU 2845135C1 RU 2025106033 A RU2025106033 A RU 2025106033A RU 2025106033 A RU2025106033 A RU 2025106033A RU 2845135 C1 RU2845135 C1 RU 2845135C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- composition
- photoresist
- polyamine
- amino alcohol
- azole compound
- Prior art date
Links
Abstract
Description
Настоящая группа изобретений относится к технологии изготовления печатных плат, а именно к составу для удаления фоторезиста и концентрата для его приготовления и может быть использована для удаления фоторезиста, например, после того, как он был использован в качестве маскирующей пленки при проведении осаждения или травления материала на поверхности полупроводниковых пластин.The present group of inventions relates to the technology of manufacturing printed circuit boards, namely to a composition for removing photoresist and a concentrate for its preparation and can be used to remove photoresist, for example, after it has been used as a masking film when depositing or etching material on the surface of semiconductor wafers.
Известно, что фоторезист является неотъемлемой частью процесса производства полупроводниковых устройств, который наносится на обрабатываемый материал в процессе фотолитографии с целью получения соответствующего фотошаблону расположения окон для доступа травящих или иных веществ к поверхности обрабатываемого материала. После завершения технологического процесса производства печатной платы остатки фоторезиста необходимо удалить с поверхности изделия. В этой связи, разрабатываются составы для удаления фоторезиста, которые могут содержать различные химические компоненты, в зависимости от типа фоторезиста и используемых технологий. К составам для удаления фоторезиста могут быть отнесены ряд требований, например, высокая эффективность удаления фоторезиста без повреждения подложки, низкая токсичность и безопасность для окружающей среды и операторов, совместимость с другими химическими процессами, проводимыми на той же стадии производства, высокие антикоррозионные свойства поверхности печатной платы после проведения операции по удалению фоторезиста.It is known that photoresist is an integral part of the semiconductor device manufacturing process, which is applied to the processed material during photolithography in order to obtain a corresponding photomask arrangement of windows for access of etching or other substances to the surface of the processed material. After completion of the technological process of printed circuit board manufacturing, photoresist residues must be removed from the surface of the product. In this regard, photoresist removal compounds are being developed, which may contain various chemical components, depending on the type of photoresist and the technologies used. A number of requirements may be attributed to photoresist removal compounds, such as high efficiency of photoresist removal without damaging the substrate, low toxicity and safety for the environment and operators, compatibility with other chemical processes carried out at the same stage of production, high anti-corrosion properties of the printed circuit board surface after the photoresist removal operation.
Из уровня техники известно средство для удаления фоторезиста (Патент РФ №2575012, опубликован 10.02.2016), содержащее: (a) амин, (b) органический растворитель А, и (c) сорастворитель, где содержание воды в композиции составляет менее 0,5 мас. % композиции. Амин представляет собой гидроксид четвертичного аммония и присутствует в количестве от 1 до 4 мас. % композиции, органический растворитель А выбран из группы, состоящей из диметилсульфоксида (DMSO), диметилсульфона (DMSO2), 1-метил-2-пирролидинона (NMP), γ-бутиролактона (BLO)(GBL), этилметилкетона, 2-пентанона, 3-пентанона, 2-гексанона и изобутилметилкетона, 1-пропанола, 2-пропанола, бутилового спирта, пентанола, 1-гексанола, 1-гептанола, 1-октанола, этилдигликоля (EDG), бутилдигликоля (BDG), бензилового спирта, бензальдегида, N,N-диметилэтаноламина, ди-н-пропиламина, три-н-пропиламина, изобутиламина, втор-бутиламина, циклогексиламина, метиланилина, о-толуидина, м-толуидина, о-хлоранилина, м-хлоранилина, октиламина, N,N-диэтилгидроксиламина, N,N-диметилформамида и их комбинации. Сорастворитель выбран из группы, состоящей из изопропиловых спиртов, изобутиловых спиртов, втор-бутиловых спиртов, изопентиловых спиртов, трет-пентиловых спиртов, этиленгликоля (EG), пропиленгликоля, 1,2-пропандиола, 1,3-пропандиола, 1,2,3-пропантриола, 1-амино-2-пропанола, 2-метиламино-этанола (NMEA), N-этилдиизопропиламина и их комбинации. Количество органического растворителя А и сорастворителя составляет 84, 90-99 мас. %.The prior art discloses a photoresist remover (RU Patent No. 2575012, published on 10.02.2016) containing: (a) an amine, (b) an organic solvent A, and (c) a co-solvent, wherein the water content in the composition is less than 0.5 wt. % of the composition. The amine is a quaternary ammonium hydroxide and is present in an amount of 1 to 4 wt. % of the composition, the organic solvent A is selected from the group consisting of dimethyl sulfoxide (DMSO), dimethyl sulfone (DMSO 2 ), 1-methyl-2-pyrrolidinone (NMP), γ-butyrolactone (BLO) (GBL), ethyl methyl ketone, 2-pentanone, 3-pentanone, 2-hexanone and isobutyl methyl ketone, 1-propanol, 2-propanol, butyl alcohol, pentanol, 1-hexanol, 1-heptanol, 1-octanol, ethyl diglycol (EDG), butyl diglycol (BDG), benzyl alcohol, benzaldehyde, N,N-dimethylethanolamine, di-n-propylamine, tri-n-propylamine, isobutylamine, sec-butylamine, cyclohexylamine, methylaniline, o-toluidine, m-toluidine, o-chloroaniline, m-chloroaniline, octylamine, N,N-diethylhydroxylamine, N,N-dimethylformamide and a combination thereof. The co-solvent is selected from the group consisting of isopropyl alcohols, isobutyl alcohols, sec-butyl alcohols, isopentyl alcohols, tert-pentyl alcohols, ethylene glycol (EG), propylene glycol, 1,2-propanediol, 1,3-propanediol, 1,2,3-propanetriol, 1-amino-2-propanol, 2-methylaminoethanol (NMEA), N-ethyldiisopropylamine and a combination thereof. The amount of organic solvent A and co-solvent is 84, 90-99 wt.%.
Недостатком известного технического решения является низкая эффективность удаления фоторезистов с печатных плат, поскольку в описанном составе используются органические растворители, провоцирующие набухание фоторезистов, что приводит к дополнительным трудностям при их удалении. Кроме того, недостатком является сложность утилизации сточных вод после проведения операции удаления фоторезиста.The disadvantage of the known technical solution is the low efficiency of removing photoresists from printed circuit boards, since the described composition uses organic solvents that provoke swelling of photoresists, which leads to additional difficulties in their removal. In addition, the disadvantage is the complexity of wastewater disposal after the operation of removing the photoresist.
Известен способ снятия фоторезиста (Патент РФ №2352020, опубликован 10.04.2009), включающий травление пленки фоторезиста с кремниевых пластин обработкой в травителе, состоящем из ацетона и диметилформамида, причем травление пленки фоторезиста проводят при соотношении компонентов: ацетон (СН3СООСН3) и диметилформамид ((CH3)2NCOH), соответственно 2:1 при комнатной температуре.A method for removing photoresist is known (RU Patent No. 2352020, published on 10.04.2009), which includes etching the photoresist film from silicon wafers by treatment in an etchant consisting of acetone and dimethylformamide, wherein the etching of the photoresist film is carried out at a ratio of components: acetone (CH 3 COOCH 3 ) and dimethylformamide ((CH 3 ) 2 NCOH), respectively 2:1 at room temperature.
Недостатком известного технического решения является низкая эффективность удаления фоторезистов с печатных плат, поскольку в описанном составе используются органические растворители, провоцирующие набухание фоторезистов, что приводит к дополнительным трудностям при их удалении. Кроме того, недостатком является сложность утилизации сточных вод после проведения операции удаления фоторезиста.The disadvantage of the known technical solution is the low efficiency of removing photoresists from printed circuit boards, since the described composition uses organic solvents that provoke swelling of photoresists, which leads to additional difficulties in their removal. In addition, the disadvantage is the complexity of wastewater disposal after the operation of removing the photoresist.
Известно средство для удаления фоторезиста (Патент Кореи №101085255, опубликован 22.11.2011), включающее продукт реакции, полученный путем реакции формальдегида с алканоламином в соотношении 0,8 или менее с формальдегидом/алканоламином (молярное соотношение). Алканоламины включают этаноламин, N-метилэтаноламин, N-этилэтаноламин, N-пропилэтаноламин, N-бутилэтаноламин, диэтаноламин, изопропаноламин, N-метилизопропаноламин, N-этилизопропаноламин. Средство для удаления фоторезиста дополнительно содержит щелочное соединение, органический растворитель и антикоррозионную присадку.A photoresist remover (Korean Patent No. 101085255, published on 2011-11-22) is known comprising a reaction product obtained by reacting formaldehyde with an alkanolamine at a ratio of 0.8 or less with formaldehyde/alkanolamine (molar ratio). Alkanolamines include ethanolamine, N-methylethanolamine, N-ethylethanolamine, N-propylethanolamine, N-butylethanolamine, diethanolamine, isopropanolamine, N-methylisopropanolamine, N-ethylisopropanolamine. The photoresist remover further comprises an alkaline compound, an organic solvent and an anticorrosive additive.
Недостатком известного технического решения является высокая трудоемкость способа удаления фоторезиста с использованием описанного средства, поскольку при использовании в составе органического растворителя ухудшается работа системы отделения и фильтрации средства для удаления фоторезиста от удалившегося фоторезиста. Кроме того, недостатком является отсутствие в составе средства для удаления фоторезиста пеногасителя, что приводит к повышенному пенообразованию. Также недостатком является использование в средстве формальдегида, являющимся токсичным веществом.The disadvantage of the known technical solution is the high labor intensity of the method of removing photoresist using the described agent, since when using an organic solvent in the composition, the operation of the system for separating and filtering the agent for removing photoresist from the removed photoresist is impaired. In addition, the disadvantage is the absence of a defoamer in the composition of the agent for removing photoresist, which leads to increased foaming. Another disadvantage is the use of formaldehyde in the agent, which is a toxic substance.
Известен состав для удаления фоторезиста (Патент Японии №2002062668, опубликован 28.02.2002), принятый за прототип, состоящий из R1, представляющий собой гидроксид четвертичного аммония, представленный алкильной группой C1-C3, R2, представляющий собой алкильную группу C1-C3 или гидроксизамещенную алкильную группу C1-C3, водорастворимый амин и гидроксильную группу. Водорастворимый амин представляет собой алканоламин, алкиламин, полиамин или циклический амин. Раствор для удаления фоторезиста дополнительно содержит антикоррозионное средство, представленное азольным соединением.A composition for removing photoresist is known (Japanese Patent No. 2002062668, published on 28.02.2002), adopted as a prototype, consisting of R1, which is a quaternary ammonium hydroxide represented by an alkyl group C1-C3, R2, which is an alkyl group C1-C3 or a hydroxy-substituted alkyl group C1-C3, a water-soluble amine and a hydroxyl group. The water-soluble amine is an alkanolamine, alkylamine, polyamine or cyclic amine. The photoresist removing solution additionally contains an anticorrosive agent represented by an azole compound.
Недостатком известного технического решения является повышенное пенообразование в процессе эксплуатации состава из-за наличия в нем щелочного компонента в виде соединений четвертичного аммония. Кроме того, недостатком является отсутствие в составе для удаления фоторезиста пеногасителя, что приводит к повышенному пенообразованию и необходимости дополнительного применения специализированных веществ для пеногашения.The disadvantage of the known technical solution is increased foaming during the operation of the composition due to the presence of an alkaline component in the form of quaternary ammonium compounds. In addition, the disadvantage is the absence of a defoamer in the composition for removing the photoresist, which leads to increased foaming and the need for additional use of specialized substances for defoaming.
Общими недостаткам описанных выше технических решений является низкая эффективность удаления фоторезистов с поверхности печатных плат, которая может выражаться в длительном времени удаления фоторезистов, и высокая степень пенообразования, также приводящая к снижению эффективности удаления фоторезистов с поверхности печатных плат. Кроме того, общим недостатком описанных выше технических решений является низкие антикоррозионные свойства поверхностей печатных плат, после завершения процесса удаления фоторезистов описанными составами.The common disadvantages of the above-described technical solutions are low efficiency of photoresist removal from the surface of printed circuit boards, which can be expressed in a long time of photoresist removal, and a high degree of foaming, which also leads to a decrease in the efficiency of photoresist removal from the surface of printed circuit boards. In addition, a common disadvantage of the above-described technical solutions is the low anti-corrosion properties of the surfaces of printed circuit boards, after the process of photoresist removal with the described compositions is completed.
Предлагаемым изобретением решается техническая проблема низкой эффективности удаления фоторезистов с поверхности печатных плат и низких антикоррозионных свойств поверхности печатных плат после воздействия известных составов для удаления фоторезистов.The proposed invention solves the technical problem of low efficiency of removing photoresists from the surface of printed circuit boards and low anti-corrosion properties of the surface of printed circuit boards after exposure to known compositions for removing photoresists.
Технический результат заключается в повышении эффективности удаления фоторезистов с поверхности печатных плат при повышении их антикоррозионных свойств, образующихся после воздействия заявленного состава.The technical result consists in increasing the efficiency of removing photoresists from the surface of printed circuit boards while increasing their anti-corrosion properties formed after exposure to the declared composition.
Технический результат достигается тем, что состав для удаления фоторезиста содержит полиамин, аминоспирт, азольное соединение, полигликоль, выбранный из группы этиленгликолей и пропиленгликолей, воду, при следующем соотношении компонентов, масс.%:The technical result is achieved in that the composition for removing photoresist contains a polyamine, an amino alcohol, an azole compound, a polyglycol selected from the group of ethylene glycols and propylene glycols, water, in the following ratio of components, mass%:
полиамин от 0,3 до 1;polyamine from 0.3 to 1;
аминоспирт от 1 до 5;amino alcohol from 1 to 5;
азольное соединение от 0,01 до 1;azole compound from 0.01 to 1;
полигликоль, выбранный из группы этиленгликолей и пропиленгликолей, от 0,01 до 1;polyglycol selected from the group of ethylene glycols and propylene glycols, from 0.01 to 1;
вода - остальное.water is the rest.
Состав для удаления фоторезиста приготавливают из концентрата для приготовления состава для удаления фоторезиста, который содержит полиамин, аминоспирт, азольное соединение, полигликоль, выбранный из группы этиленгликолей и пропиленгликолей, воду, при следующем соотношении компонентов, масс.%:The composition for removing photoresist is prepared from a concentrate for preparing a composition for removing photoresist, which contains a polyamine, an amino alcohol, an azole compound, a polyglycol selected from the group of ethylene glycols and propylene glycols, water, in the following ratio of components, mass%:
полиамин от 3 до 10;polyamine from 3 to 10;
аминоспирт от 10 до 50;amino alcohol from 10 to 50;
азольное соединение от 0,1 до 10;azole compound from 0.1 to 10;
полигликоль, выбранный из группы этиленгликолей и пропиленгликолей, от 0,1 до 10;polyglycol selected from the group of ethylene glycols and propylene glycols, from 0.1 to 10;
вода - остальное.water is the rest.
Полиамин в составе для удаления фоторезиста выполняет функцию растворителя сшитых молекул фоторезиста и обеспечивает полное удаление фоторезиста без какого-либо воздействия на поверхность печатных плат. Заданное количество полиамина (от 0,3 до 1 масс.%) обеспечивает высокую эффективность удаления фоторезистов с поверхности печатных плат, включая малое время их удаления и качество их удаления. То есть после воздействия заявленного состава, включающего от 0,3 до 1 масс.% полиамина, полимерные фоторезисты полностью отделяются от поверхности печатных плат за малое время. Следует отметить, что снижение количества полиамина (менее 0,3 масс.%) в составе для удаления фоторезиста приводит к существенному замедлению процесса удаления фоторезиста с поверхности печатных плат, и, тем самым, снижается эффективность удаления фоторезистов. Превышение указанного количества полиамина (более 1 масс.%) в составе для удаления фоторезиста приводит к излишнему перерасходу полиамина при этом время удаления фоторезистов значительно не уменьшается, следовательно, эффективность удаления фоторезистов повышается незначительно. В одном из вариантов осуществления изобретения полиамин в составе для удаления фоторезиста может представлять собой по меньшей мере одно вещество, например, этилендиамин или триэтиленгликоль.Polyamine in the photoresist removal composition acts as a solvent for cross-linked photoresist molecules and ensures complete removal of photoresist without any impact on the surface of printed circuit boards. The specified amount of polyamine (from 0.3 to 1 wt.%) ensures high efficiency of photoresist removal from the surface of printed circuit boards, including short removal time and quality of their removal. That is, after exposure to the declared composition, including from 0.3 to 1 wt.% polyamine, polymer photoresists are completely separated from the surface of printed circuit boards in a short time. It should be noted that a decrease in the amount of polyamine (less than 0.3 wt.%) in the photoresist removal composition leads to a significant slowdown in the process of photoresist removal from the surface of printed circuit boards, and, thereby, the efficiency of photoresist removal decreases. Exceeding the specified amount of polyamine (more than 1 wt.%) in the composition for removing photoresist leads to excessive polyamine consumption, while the time for removing photoresists does not decrease significantly, therefore, the efficiency of removing photoresists increases slightly. In one embodiment of the invention, the polyamine in the composition for removing photoresist can be at least one substance, such as ethylenediamine or triethylene glycol.
Аминоспирт в составе для удаления фоторезиста выполняет функцию щелочного буфера и обеспечивает увеличенную работоспособность состава и его эффективность. То есть одним и тем же количеством состава для удаления фоторезиста можно обработать большую площадь или количество печатных плат. Количество аминоспирта в составе для удаления фоторезиста, составляет от 1 до 5 масс.%. Заданное количество аминоспирта в составе для удаления фоторезиста обусловлено оптимальной работоспособностью и эффективностью состава для удаления фоторезиста. Использование аминоспирта менее 1 масс.% в составе для удаления фоторезиста приводит к существенному снижению ресурса состава, а также снижению его эффективности. Превышение указанного количества аминоспирта (более 5 масс.%) в составе для удаления фоторезиста приводит к излишнему расходу аминоспирта без увеличения ресурса состава для удаления фоторезиста и его эффективности. В одном из вариантов осуществления изобретения аминоспирт в составе для удаления фоторезиста может представлять собой, например, моноэтаноламин или диэтаноламин или триэтаноламин.The amino alcohol in the photoresist remover composition acts as an alkaline buffer and provides increased performance of the composition and its efficiency. That is, the same amount of the photoresist remover composition can be used to process a larger area or number of printed circuit boards. The amount of amino alcohol in the photoresist remover composition is from 1 to 5 wt.%. The specified amount of amino alcohol in the photoresist remover composition is determined by the optimal performance and efficiency of the photoresist remover composition. Using less than 1 wt.% of amino alcohol in the photoresist remover composition leads to a significant decrease in the resource of the composition, as well as a decrease in its efficiency. Exceeding the specified amount of amino alcohol (more than 5 wt.%) in the photoresist remover composition leads to excessive consumption of amino alcohol without increasing the resource of the photoresist remover composition and its efficiency. In one embodiment of the invention, the amino alcohol in the photoresist remover composition can be, for example, monoethanolamine or diethanolamine or triethanolamine.
Азольное соединение в составе для удаления фоторезиста выполняет функцию антиокисляющей добавки, то есть такой добавки, которая обеспечивает повышение антикоррозионных свойств поверхностей печатных плат после проведения операции удаления фоторезиста, что в конечном итоге исключает образование коррозии в процессе эксплуатации печатных плат. Отсутствие азольного соединения в составе для удаления фоторезиста приводит к окислению, например, медных поверхностей печатных плат. Количество азольного соединения в составе для удаления фоторезиста, составляет от 0,01 до 1 масс.%. От количества азольного соединения зависит сопротивление окислительному воздействию поверхностей печатных плат после воздействия заявленного состава. Снижение заявленного количества азольного соединения (менее 0,01 масс.%) в составе для удаления фоторезиста приводит к отсутствию защиты от коррозии поверхностей печатных плат после воздействия заявленного состава. Превышение заявленного количества (более 1 масс.%) приводит к излишнему расходу азольного соединения без существенного повышения антикоррозионных свойств поверхностей печатных плат (например, медных и оловянных) после воздействия заявленного состава. В одном из вариантов осуществления изобретения азольное соединение в составе для удаления фоторезиста может представлять собой, например, бензотриазол или аминобензотриазол или 5-аминотретразол. The azole compound in the photoresist remover composition acts as an antioxidant additive, i.e. an additive that enhances the anti-corrosion properties of printed circuit board surfaces after the photoresist removal operation, which ultimately eliminates the formation of corrosion during the operation of printed circuit boards. The absence of an azole compound in the photoresist remover composition leads to oxidation, for example, of copper surfaces of printed circuit boards. The amount of azole compound in the photoresist remover composition is from 0.01 to 1 wt.%. The resistance to the oxidative effect of printed circuit board surfaces after exposure to the declared composition depends on the amount of azole compound. A decrease in the declared amount of azole compound (less than 0.01 wt.%) in the photoresist remover composition leads to the absence of protection against corrosion of printed circuit board surfaces after exposure to the declared composition. Exceeding the stated amount (more than 1 wt.%) leads to excessive consumption of the azole compound without significantly increasing the anti-corrosion properties of the surfaces of printed circuit boards (e.g., copper and tin) after exposure to the stated composition. In one embodiment of the invention, the azole compound in the composition for removing photoresist may be, for example, benzotriazole or aminobenzotriazole or 5-aminotretrazole.
Полигликоль, выбранный из группы этиленгликолей и пропиленгликолей, в составе для удаления фоторезиста обеспечивает функцию пеногасящего агента и обеспечивает исключение пенообразования при проведении операции по удалению фоторезиста с поверхности печатной платы. Стоит отметить, что в случае отсутствия полигликоля, выбранного из группы этиленгликолей и пропиленгликолей, в составе для удаления фоторезиста, позволяющего гасить образование пены, снижается эффективность удаления фоторезистов с печатных плат, например, из-за падения давления при спрейном способе обработки печатных плат в конвейерном оборудовании, при этом падение давления приводит к слабой степени воздействия состава для удаления фоторезиста на печатную плату. Полигликоль, выбранный из группы этиленгликолей и пропиленгликолей, в составе для удаления фоторезиста, составляет от 0,01 до 1 масс.%. От количества полигликоля в составе для удаления фоторезиста зависит количество образования пены. Снижение заявленного количества полигликоля, выбранного из группы этиленгликолей и пропиленгликолей (менее 0,01 масс.%), приводит к высокой степени образования пены при эксплуатации состава для удаления фоторезиста. Превышение заявленного количества полигликоля, выбранного из группы этиленгликолей и пропиленгликолей, в составе для удаления фоторезиста (более 1 масс.%) нецелесообразно, поскольку приводит к излишнему расходу полигликоля. При этом заявленный диапазон значений использования полигликоля (от 0,01 до 1 масс.%) в полной мере исключает образование пены при обработке печатных плат заявленным составом. В одном из вариантов осуществления изобретения полигликоль, выбранный из группы этиленгликолей и пропиленгликолей, может быть представлен, например, этилгексиловым эфиром политэлингликоля-3 или этилгексиловым эфиром полипропиленгликоля-3.A polyglycol selected from the group of ethylene glycols and propylene glycols in the photoresist remover composition provides the function of a defoaming agent and ensures the exclusion of foaming during the operation of removing photoresist from the surface of the printed circuit board. It should be noted that in the absence of a polyglycol selected from the group of ethylene glycols and propylene glycols in the photoresist remover composition, which allows for the suppression of foaming, the efficiency of removing photoresists from printed circuit boards decreases, for example, due to a pressure drop during the spray method of processing printed circuit boards in conveyor equipment, while the pressure drop leads to a weak degree of impact of the photoresist remover composition on the printed circuit board. The polyglycol selected from the group of ethylene glycols and propylene glycols in the photoresist remover composition is from 0.01 to 1 wt.%. The amount of foaming depends on the amount of polyglycol in the photoresist remover composition. A decrease in the declared amount of polyglycol selected from the group of ethylene glycols and propylene glycols (less than 0.01 wt.%) leads to a high degree of foam formation during the use of the composition for removing photoresist. Exceeding the declared amount of polyglycol selected from the group of ethylene glycols and propylene glycols in the composition for removing photoresist (more than 1 wt.%) is impractical, since it leads to excessive consumption of polyglycol. At the same time, the declared range of values for the use of polyglycol (from 0.01 to 1 wt.%) completely eliminates the formation of foam during the treatment of printed circuit boards with the declared composition. In one embodiment of the invention, a polyglycol selected from the group of ethylene glycols and propylene glycols can be represented, for example, by ethylhexyl ether of polyethylene glycol-3 or ethylhexyl ether of polypropylene glycol-3.
Состав для удаления фоторезиста может быть приготовлен на основе воды, например, дистиллированной или деионизированной.The photoresist remover can be prepared using water, such as distilled or deionized water.
Заявленный состав для удаления фоторезиста обладает высокой эффективностью удаления фоторезистов с поверхности печатных плат, а после воздействия заявленного состава печатные платы характеризуются высокими антикоррозионных свойствами.The declared composition for removing photoresist has a high efficiency of removing photoresists from the surface of printed circuit boards, and after exposure to the declared composition, printed circuit boards are characterized by high anti-corrosion properties.
Состав для удаления фоторезиста готовят из заявленного концентрата для приготовления состава для удаления фоторезиста путем его разбавления водой.The photoresist removal composition is prepared from the declared concentrate for preparing the photoresist removal composition by diluting it with water.
В свою очередь, концентрат для приготовления состава для удаления фоторезиста готовят следующим образом. В емкость для приготовления концентрата наливают заданное количество воды, затем при постоянном перемешивании добавляют аминоспирт, полиамин, азольное соединение и полигликоль, выбранный из группы этиленгликолей и пропиленгликолей. Перемешивание концентрата необходимо осуществлять до полного растворения всех компонентов. Затем, доводят объем концентрата до необходимого уровня водой. In turn, the concentrate for preparing the composition for removing photoresist is prepared as follows. A given amount of water is poured into the container for preparing the concentrate, then amino alcohol, polyamine, azole compound and polyglycol selected from the group of ethylene glycols and propylene glycols are added with constant stirring. The concentrate must be stirred until all components are completely dissolved. Then, the volume of the concentrate is brought to the required level with water.
Ниже приведены частные примеры реализации, которые иллюстрируют заявленное изобретение, но не ограничивают его и которые могут быть любым образом изменены или дополнены.Below are given particular examples of implementation, which illustrate the claimed invention, but do not limit it and which can be changed or supplemented in any way.
Концентрат для приготовления состава для удаления фоторезиста готовили следующим образом. В емкость для приготовления концентрата наливали заданное количество воды, затем при постоянном перемешивании добавляли аминоспирт (от 10 до 50 масс.%), полиамин (от 3 до 10 масс.%), азольное соединение (от 0,1 до 10 масс.%) и полигликоль, выбранный из группы этиленгликолей и пропиленгликолей (от 0,1 до 10 масс.%). Перемешивание концентрата осуществляли до полного растворения всех компонентов. Затем, доводили объем концентрата до необходимого уровня водой.The concentrate for preparing the composition for removing photoresist was prepared as follows. A given amount of water was poured into a container for preparing the concentrate, then amino alcohol (from 10 to 50 wt.%), polyamine (from 3 to 10 wt.%), azole compound (from 0.1 to 10 wt.%) and polyglycol selected from the group of ethylene glycols and propylene glycols (from 0.1 to 10 wt.%) were added with constant stirring. The concentrate was stirred until all components were completely dissolved. Then, the volume of the concentrate was brought to the required level with water.
Состав для удаления фоторезиста готовили следующим образом. В рабочую емкость наливалась вода, затем в эту же емкость добавляли концентрат, после чего водой доводили уровень рабочей емкости из соотношения 1 часть концентрата и 10 частей воды, затем осуществляли перемешивание.The composition for removing photoresist was prepared as follows. Water was poured into the working container, then concentrate was added to the same container, after which the level of the working container was brought up to the ratio of 1 part concentrate and 10 parts water, then mixing was carried out.
В таблице 1 представлены примеры заявленных составов для удаления фоторезистов, приготовленных из заявленного концентрата.Table 1 presents examples of the declared compositions for removing photoresists prepared from the declared concentrate.
Таблица 1. Составы для удаления фоторезистов, приготовленных из заявленного концентратаTable 1. Compositions for removing photoresists prepared from the declared concentrate
- аминоспирт (моноэтаноламин)
- азольное соединение (бензотриазол)
- полигликоль (этилгексиловый эфир политэлингликоля-3)
- вода- polyamine (ethylenediamine)
- amino alcohol (monoethanolamine)
- azole compound (benzotriazole)
- polyglycol (ethylhexyl ether of polyethylene glycol-3)
- water
50
1
110
50
1
1
5
0,1
0,11
5
0,1
0,1
- аминоспирт (моноэтаноламин)
- азольное соединение (бензотриазол)
- полигликоль (этилгексиловый эфир политэлингликоля-3)
- вода- polyamine (ethylenediamine)
- amino alcohol (monoethanolamine)
- azole compound (benzotriazole)
- polyglycol (ethylhexyl ether of polyethylene glycol-3)
- water
50
10
1010
50
10
10
5
1
11
5
1
1
- аминоспирт (триэтаноламин)
- азольное соединение (аминобензотриазол)
- полигликоль (этилгексиловый эфир полипропиленгликоля-3)
- вода- polyamine (triethylene glycol)
- amino alcohol (triethanolamine)
- azole compound (aminobenzotriazole)
- polyglycol (ethylhexyl ether of polypropylene glycol-3)
- water
50
1
110
50
1
1
5
0,1
0,11
5
0,1
0,1
- аминоспирт (диэтаноламин)
- азольное соединение (аминобензотриазол)
- полигликоль (этилгексиловый эфир полипропиленгликоля-3)
- вода- polyamine (ethylenediamine)
- amino alcohol (diethanolamine)
- azole compound (aminobenzotriazole)
- polyglycol (ethylhexyl ether of polypropylene glycol-3)
- water
50
10
1010
50
10
10
5
1
11
5
1
1
- аминоспирт (моноэтаноламин)
- азольное соединение (бензотриазол)
- полигликоль (этилгексиловый эфир политэлингликоля-3)
- вода- polyamine (ethylenediamine)
- amino alcohol (monoethanolamine)
- azole compound (benzotriazole)
- polyglycol (ethylhexyl ether of polyethylene glycol-3)
- water
10
0,1
0,13
10
0,1
0,1
1
0,01
0,010.3
1
0.01
0.01
- аминоспирт (триэтаноламин)
- азольное соединение (аминобензотриазол)
- полигликоль (этилгексиловый эфир полипропиленгликоля-3)
- вода - polyamine (triethylene glycol)
- amino alcohol (triethanolamine)
- azole compound (aminobenzotriazole)
- polyglycol (ethylhexyl ether of polypropylene glycol-3)
- water
50
10
1010
50
10
10
5
1
11
5
1
1
- аминоспирт (диэтаноламин)
- азольное соединение (аминобензотриазол)
- полигликоль (этилгексиловый эфир полипропиленгликоля-3)
- вода- polyamine (ethylenediamine)
- amino alcohol (diethanolamine)
- azole compound (aminobenzotriazole)
- polyglycol (ethylhexyl ether of polypropylene glycol-3)
- water
20
5
54.5
20
5
5
2
0,5
0,50.45
2
0.5
0.5
- аминоспирт (диэтаноламин)
- азольное соединение (аминобензотриазол)
- полигликоль (этилгексиловый эфир полипропиленгликоля-3)
- вода- polyamine (ethylenediamine)
- amino alcohol (diethanolamine)
- azole compound (aminobenzotriazole)
- polyglycol (ethylhexyl ether of polypropylene glycol-3)
- water
40
6
67.5
40
6
6
4
0,6
0,60.75
4
0.6
0.6
- аминоспирт (диэтаноламин)
- азольное соединение (аминобензотриазол)
- полигликоль (этилгексиловый эфир полипропиленгликоля-3)
- вода- polyamine (ethylenediamine)
- amino alcohol (diethanolamine)
- azole compound (aminobenzotriazole)
- polyglycol (ethylhexyl ether of polypropylene glycol-3)
- water
5
0,05
0,052
5
0.05
0.05
0,5
0,005
0,0050.2
0.5
0,005
0,005
Таким образом, описанные примеры свидетельствуют об обеспечении достижения технического результата, заключающегося в повышении эффективности удаления фоторезистов с поверхности печатных плат при повышении их антикоррозионных свойств, образующихся после воздействия заявленного состава.Thus, the described examples indicate the achievement of a technical result consisting in increasing the efficiency of removing photoresists from the surface of printed circuit boards while increasing their anti-corrosion properties formed after exposure to the declared composition.
Claims (20)
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2845135C1 true RU2845135C1 (en) | 2025-08-13 |
Family
ID=
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SU783891A1 (en) * | 1978-12-22 | 1980-11-30 | Предприятие П/Я В-2194 | Composition for removing photoresist |
| RU2126567C1 (en) * | 1996-09-21 | 1999-02-20 | Самсунг Электроникс Ко, Лтд. | Composition of diluent to wash off unneeded photoresist from plate in process of manufacture of semiconductor devices |
| US6140027A (en) * | 1998-12-31 | 2000-10-31 | Dongjin Semichem Co., Ltd. | Photoresist remover composition |
| KR100842072B1 (en) * | 2001-05-31 | 2008-06-30 | 에스케이케미칼주식회사 | Photoresist removal liquid composition and photoresist removal method using the same |
| RU2485098C1 (en) * | 2009-07-31 | 2013-06-20 | Аркема Франс | Solvent composition based on organic sulphoxide with masked odour |
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SU783891A1 (en) * | 1978-12-22 | 1980-11-30 | Предприятие П/Я В-2194 | Composition for removing photoresist |
| RU2126567C1 (en) * | 1996-09-21 | 1999-02-20 | Самсунг Электроникс Ко, Лтд. | Composition of diluent to wash off unneeded photoresist from plate in process of manufacture of semiconductor devices |
| US6140027A (en) * | 1998-12-31 | 2000-10-31 | Dongjin Semichem Co., Ltd. | Photoresist remover composition |
| KR100842072B1 (en) * | 2001-05-31 | 2008-06-30 | 에스케이케미칼주식회사 | Photoresist removal liquid composition and photoresist removal method using the same |
| RU2575012C2 (en) * | 2009-07-30 | 2016-02-10 | Басф Се | Means for photoresist removal after ionic implantation for promising fields of semiconductor application |
| RU2485098C1 (en) * | 2009-07-31 | 2013-06-20 | Аркема Франс | Solvent composition based on organic sulphoxide with masked odour |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7049275B2 (en) | Photoresist stripping composition and cleaning composition | |
| KR100297893B1 (en) | Alkali-containing photoresist stripping compositions that reduce corrosion of metals with crosslinked or cured resist resin | |
| KR100323326B1 (en) | Non-corrosive cleaning composition for removing plasma etching residues | |
| EP1576072B1 (en) | Aqueous phosphoric acid compositions for cleaning semiconductor devices | |
| DE69811660T2 (en) | NON-CORROSIVE STRIPPING AND CLEANING COMPOSITION | |
| KR20010067436A (en) | Remover composition | |
| KR20000071361A (en) | Resist stripping agent and process of producing semiconductor devices using the same | |
| KR20160076982A (en) | Semi-Aqueous photoresist or semiconductor manufacturing residue stripping and cleaning composition with Improved Silicon Passivation | |
| US5962197A (en) | Alkaline organic photoresist stripper | |
| KR101999641B1 (en) | Microelectronic substrate cleaning compositions having copper/azole polymer inhibition | |
| JP2014523538A (en) | Semi-water soluble polymer removal composition with enhanced compatibility for copper, tungsten and porous low-κ dielectrics | |
| KR20140060910A (en) | A resist stripper composition for preventing unevenness | |
| EP0267540B1 (en) | Stripping compositions and their use for stripping resists from substrates | |
| JP2004536181A5 (en) | ||
| RU2845135C1 (en) | Composition for removing photoresist and a concentrate for preparing a composition | |
| CN109143800B (en) | Universal photoresist stripping liquid and application thereof | |
| WO2002003143A2 (en) | Alkylene carbonate-based photoresist stripping compositions | |
| WO2014071689A1 (en) | Cleaning solution for removing photoresist residue | |
| JP2005272683A (en) | Detergent for aqueous coating material | |
| KR101319217B1 (en) | Photoresist stripper composition, and a exfoliation method of photoresist using the same | |
| KR20100082109A (en) | Composition for removing polymer residue of photosensitive resistive etching film | |
| CN111381458B (en) | Photoresist cleaning solution | |
| CN113009793B (en) | A cleaning solution for removing photoresist residues | |
| KR20040037643A (en) | A composition for post-strip cleaning and a post-strip cleaning process of semiconductor device or liquid crystal display using the same | |
| KR100468714B1 (en) | Resist removing composition and resist removing method using the same |