[go: up one dir, main page]

RU2841183C1 - Способ получения металлического кремния - Google Patents

Способ получения металлического кремния Download PDF

Info

Publication number
RU2841183C1
RU2841183C1 RU2024112762A RU2024112762A RU2841183C1 RU 2841183 C1 RU2841183 C1 RU 2841183C1 RU 2024112762 A RU2024112762 A RU 2024112762A RU 2024112762 A RU2024112762 A RU 2024112762A RU 2841183 C1 RU2841183 C1 RU 2841183C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
silicon
hydrogen
silicon dioxide
mixture
powder
Prior art date
Application number
RU2024112762A
Other languages
English (en)
Inventor
Игорь Рахматулович Макфузов
Евгений Николаевич Дмитриев
Original Assignee
Игорь Рахматулович Макфузов
Евгений Николаевич Дмитриев
Filing date
Publication date
Application filed by Игорь Рахматулович Макфузов, Евгений Николаевич Дмитриев filed Critical Игорь Рахматулович Макфузов
Application granted granted Critical
Publication of RU2841183C1 publication Critical patent/RU2841183C1/ru

Links

Abstract

Изобретение относится к химической технологии и может быть использовано при изготовлении солнечных батарей. Способ получения металлического кремния включает измельчение песка с содержанием диоксида кремния не менее 98% до порошкообразного состояния с размером частиц не более 1 микрона. Полученный порошок диоксида кремния вдувают в устройство плазменной обработки с использованием избытка водорода со скоростью подачи от 1 до 2 м3/час и перемешивают с газообразным двухэлементным газом-восстановителем, в качестве которого используют смесь «чистый кислород - водород» в соотношении 1 моль O2 : 2 моль Н. При взаимодействии компонентов смеси между собой часть кислорода сгорает, поднимая температуру нагрева до 1400-1600°С, а часть водорода идет на восстановление кремния. Изобретение позволяет получить химически чистый металлический кремний.

Description

Изобретение относится к производству неметаллических элементов, а именно к способам получения кремния восстановлением диоксида кремния или материала, содержащего диоксид кремния и может быть использовано в цветной металлургии для применения в фотоэлектронной промышленности, например, для изготовления солнечных батарей.
Известен способ получения металлического кремния, представленный в п. №2160705 по кл. С01В 33/025, з. 11.02.1999 г., опубл. 20.12.2000 г. Известный способ характеризуется следующей формулой:
1. Способ получения кремния, включающий карботермическое восстановление диоксида кремния, отличающийся тем, что в качестве восстановителя используют жидкую фенольную смолу, при этом процесс карботермического восстановления ведут в три приема: от комнатной температуры до 160°С при 0,1-0,7 МПа, далее до 800°С с выдержкой при этой температуре в течение 1 ч, до 1700°С - среде инертного газа в два этапа до 130-1400°С при 0,01 Па и с 1300-1400 до 1700°С при повышающемся давлении от 0,01 Па до 0,1 МПа.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что используют диоксид кремния с содержанием примесей не более 190 ppm.
3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что восстановитель содержит примесей не более 80 ppm.
Недостатком известного способа является его многоэтапность, а также использование в процессе производства фенольной смолы.
Наиболее близким по технической сущности к заявляемому заявителям представляется описанный в этом же патенте способ получения кремния, известный из японского патента №61006112, класс МКИ С01В 33/02, выбранный в качестве прототипа.
Согласно известному способу, порошок SiO2 вдувают в нагретую до 1300°С печь с помощью газа-носителя (аргона, водорода). Углеродсодержащим восстановителем является органическое соединение - газообразный углеводород. Для обеспечения максимально полного контакта между порошком диоксида кремния и газообразным углеводородом процесс науглероживания проводят в кипящем слое. Использование дисперсного порошка диоксида позволяет увеличить активность образующейся шихты для восстановления SiO2. При температуре 1300°С осажденный во время науглероживания на поверхность кварцевых частиц пироуглерод переходит в карбид кремния. Далее смесь SiO2-SiC поступает в плазменную плавильную печь, где при более высоких температурах происходит взаимодействие в расплаве между компонентами смеси с образованием расплава металлического кремния.
Недостатками данного способа является то, что со всех сторон покрывающий кварцевые частицы слой пироуглерода или сажи во время науглероживания не образует плотного, хорошо сцепленного с поверхностью диоксида кремния покрытия, что определяет низкий уровень межфазного взаимодействия на границе "SiO2-углерод". Это происходит потому, что стадии адсорбции углеводородного восстановителя на поверхности кварцевых частиц и его пиролиз с образованием слоя пироуглерода на частицах протекают практически одновременно. При этом углеводород не успевает проникнуть в самые малые поры и трещины порошка диоксида кремния из-за диффузионных затруднений, особенно нарастающих по мере образования слоя пироуглерода или сажи на частицах. Эти факторы не способствуют формированию выгодного для последующего восстановления SiO2 межфазного контакта. Кроме того, обычно используемые в пиролизе углеводороды - алканы, алкены или алкины - газы, неполярная природа которых не приводит к образованию на границе с поверхностью диоксида кремния слоя кокса, имеющего хорошую адгезию к подложке SiO2.
Эта особенность шихты SiC-SiO2 сохраняется и после образования слоя SiC на поверхности кварцевых частиц за счет реакции:
т.к. при карботермическом восстановлении образующийся карбид всегда наследует структуру своего углеродного предшественника. Поэтому шихта промежуточного состава SiC-SiO2 представляет собой рыхлый, осыпающийся брикет и не имеет достаточной технологической прочности.
Если сказать проще, то металлический кремний оказывается загрязнен сажей.
Задачей заявляемого способ является получение химически чистого металлического кремния.
Поставленная задача решается тем, что в способе получения металлического кремния, включающем измельчение исходного сырья в виде лиоксида кремния до получения его в порошкообразном состоянии, последующее вдувание с помощью газа-носителя в виде водорода полученного порошка SiO2 в устройство плазменной обработки, имеющее температуру не ниже 1300°С, последующее перемешивание порошка диоксида кремния и газообразного двухэлементного газообразного восстановителя в устройстве плазменной обработки, где при более высоких температурах и обеспечении контакта между собой названных компонентов смеси происходит их взаимодействие с образованием расплава металлического кремния, согласно изобретению, в качестве сырья используют песок с содержанием диоксида кремния не менее 98%, измельчение сырья производят до фракции не более 1-го микрона, контролируя процесс щелевым фильтром, полученный порошок вдувают в печь с использованием избытка водорода с помощью пескоструйной установки со скоростью подачи от 1 до 2 м3/час, в качестве двухэлементного газа - восстановителя используют смесь «чистый кислород - водород» в соотношении 1 моль O2 : 2 моль Н, для плазменной обработки используют устройство, в котором при взаимодействии компонентов смеси часть кислорода сгорает, поднимая температуру нагрева до 1400-1600°С, а часть водорода идет на восстановление кремния, отнимая кислород у диоксида кремния с образованием химически чистого расплава металлического кремния.
Использование в качестве исходного сырья кварцевого песка с содержанием диоксида кремния не менее 98% в совокупности с последующим измельчением его до дисперсного состояния (не более 1 микрона) увеличивает активность шихты; вдувание его с помощью пескоструйной установки с достаточно большой скоростью с избытком водорода в плавильную печь обеспечивает высокую интенсивность перемешивания компонентов - порошка двуокиси кремния и двухэлементного газообразного восстановителя в устройстве плазменной обработки; использование для плазменной обработки устройства, обеспечивающего дальнейшее взаимодействие компонентов смеси между собой при их контакте, при котором часть кислорода сгорает, поднимая температуру нагрева до 1400-1600°С, а часть водорода идет на восстановление кремния, отнимая кислород у диоксида кремния с образованием химически чистого металлического кремния, т.е. позволяет достичь заданного результата.
Технический результат - получение химически чистого металлического кремния.
Заявляемый способ обладает новизной в сравнении с прототипом, отличаясь от него такими существенными признаками как использование в качестве сырья песка с содержанием диоксида кремния не менее 98%, измельчение сырья до фракции не более 1-го микрона, контролируя процесс щелевым фильтром, вдувание полученного порошка в устройство плазменной обработки с использованием избытка водорода с помощью пескоструйной установки со скоростью подачи от 1 до 2 м3/час, использование в качестве двухэлементного газа - восстановителя смеси «чистый кислород - водород» в соотношении 1 моль О2 : 2 моль Н, использования для плазменной обработки устройства, в котором при взаимодействии компонентов смеси часть кислорода сгорает, поднимая температуру нагрева до 1400-1600°С, а часть водорода идет на восстановление кремния, отнимая кислород у диоксида кремния с образованием химически чистого расплава металлического кремния, обеспечивающими в совокупности достижение заданного результата.
Заявителям неизвестны технические решения, обладающие указанными отличительными признаками, которые обеспечивали бы в совокупности достижение заданного результата, поэтому они считают, что заявляемый способ соответствует критерию «изобретательский уровень».
Заявляемый способ получения металлического кремния может найти широкое применение в его производстве и потому соответствует критерию «промышленная применимость».
Заявляемый способ заключается в следующем.
Для получения металлического кремния в качестве сырья используют песок с содержанием диоксида кремния не менее 98%, который далее подвергают измельчению его до порошкообразного состояния в виде фракции не более 1 микрона, контролируя процесс измельчения с помощью щелевого фильтра. Затем полученный порошок SiO2 вдувают с помощью газа-носителя в виде водорода посредством пескоструйной установки со скоростью подачи от 1 до 2 м3/час в устройство плазменной обработки, имеющее температуру не ниже 1300°С. При этом для плазменной обработки используют устройство, которое выполнено с возможностью регулирования параметров процесса. В это же устройство подают двухэлементный газообразный восстановитель, в качестве которого используют смесь «чистый кислород - водород» в соотношении 1 моль О2: 2 моль Н. Здесь и происходит перемешивание названных компонентов. При взаимодействии компонентов смеси между собой в устройстве плазменной обработки часть кислорода сгорает, поднимая температуру нагрева до 1400-1600°С, а часть водорода идет на восстановление кремния, отнимая кислород у диоксида кремния с образованием химически чистого расплава металлического кремния.
На практике в качестве сырья используют, в частности, пески карьеров Челябинской области.
В сравнении с прототипом заявляемый способ обеспечивает получение химически чистого металлического кремния.

Claims (1)

  1. Способ получения металлического кремния, включающий измельчение исходного сырья в виде диоксида кремния до получения его в порошкообразном состоянии, последующее вдувание с помощью газа-носителя в виде водорода полученного порошка SiO2 в устройство плазменной обработки, имеющее температуру не ниже 1300°С, последующее перемешивание порошка диоксида кремния и газообразного двухэлементного восстановителя в устройстве плазменной обработки, где при более высоких температурах и обеспечении контакта между собой названных компонентов смеси происходит их взаимодействие с образованием расплава металлического кремния, отличающийся тем, что в качестве сырья используют песок с содержанием диоксида кремния не менее 98%, измельчение сырья производят до фракции не более 1 микрона, контролируя процесс щелевым фильтром, полученный порошок вдувают в печь с использованием избытка водорода с помощью пескоструйной установки со скоростью подачи от 1 до 2 м3/час, в качестве двухэлементного газа-восстановителя используют смесь «чистый кислород - водород» в соотношении 1 моль O2 : 2 моль Н, для плазменной обработки используют устройство, в котором при взаимодействии компонентов смеси часть кислорода сгорает, поднимая температуру нагрева до 1400-1600°С, а часть водорода идет на восстановление кремния, отнимая кислород у диоксида кремния с образованием расплава химически чистого металлического кремния.
RU2024112762A 2024-05-08 Способ получения металлического кремния RU2841183C1 (ru)

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2841183C1 true RU2841183C1 (ru) 2025-06-03

Family

ID=

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0227023A1 (en) * 1985-12-26 1987-07-01 Dow Corning Corporation A plasma smelting process for silicon
WO2007102745A1 (en) * 2006-03-07 2007-09-13 Kopperaa Miljöinvest As Method for the manufacture of pure silicon metal and amorphous silica by reduction of quartz (sio2)
RU2367600C1 (ru) * 2008-04-16 2009-09-20 Борис Георгиевич Грибов Способ получения кремния высокой чистоты
RU2385291C1 (ru) * 2008-06-24 2010-03-27 Государственное научное учреждение Всероссийский научно-исследовательский институт электрификации сельского хозяйства Российской Академии Сельскохозяйственных наук (ГНУ ВИЭСХ) Способ получения кристаллического кремния высокой чистоты (варианты)
RU2542274C1 (ru) * 2013-08-20 2015-02-20 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Омский государственный технический университет" Способ получения кремния

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0227023A1 (en) * 1985-12-26 1987-07-01 Dow Corning Corporation A plasma smelting process for silicon
WO2007102745A1 (en) * 2006-03-07 2007-09-13 Kopperaa Miljöinvest As Method for the manufacture of pure silicon metal and amorphous silica by reduction of quartz (sio2)
RU2367600C1 (ru) * 2008-04-16 2009-09-20 Борис Георгиевич Грибов Способ получения кремния высокой чистоты
RU2385291C1 (ru) * 2008-06-24 2010-03-27 Государственное научное учреждение Всероссийский научно-исследовательский институт электрификации сельского хозяйства Российской Академии Сельскохозяйственных наук (ГНУ ВИЭСХ) Способ получения кристаллического кремния высокой чистоты (варианты)
RU2542274C1 (ru) * 2013-08-20 2015-02-20 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Омский государственный технический университет" Способ получения кремния

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
ГРИШИН Ю.М. и др. Экспериментальное исследование плазмохимического метода прямого получения кремния из кварца, Теплофизика высоких температур, 2012, Т. 50, N4, сс. 491-495. *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4248844A (en) Production of SiC from rice hulls and silica
US20090200512A1 (en) Manufacture and Use of Engineered Carbide and Nitride Composites
JP5552490B2 (ja) 高純度窒化ケイ素の製造方法
WO1983004188A1 (fr) Procede de fabrication de carbures metalliques et leurs precurseurs
EP1351891A1 (en) Method for utilising a waste slurry from silicon wafer production
TW201022143A (en) Preparation of silicon by reaction of silicon oxide and silicon carbide, optionally in the presence of a second carbon source
RU2841183C1 (ru) Способ получения металлического кремния
FR2545077A1 (fr) Preparation de poudres de diborures metalliques
JPS5913442B2 (ja) 高純度の型窒化珪素の製造法
KR101549477B1 (ko) 고순도 탄화규소 분말의 제조방법
CN117285016A (zh) 一种制备氮化硅纳米线的方法
RU2160705C2 (ru) Способ получения металлического кремния
KR100959931B1 (ko) 질화티타늄 분말의 제조 방법
JP2721678B2 (ja) β−炭化珪素成形体及びその製造法
KR101587262B1 (ko) 고효율 탄화규소 분체 제조 방법
CN111943151B (zh) 一种提高含钛高炉渣碳氮化效率及制备碳氮化钛的方法
FR2638733A1 (fr) Procede de production de carbure de silicium micr onique
RU2359905C1 (ru) Способ получения шихты для производства карбидокремниевой керамики твердофазным спеканием
KR102815142B1 (ko) 저온 탄화공정을 이용한 탄화규소 분말의 제조방법 및 이에 의해 제조된 탄화규소 분말
RU2789998C1 (ru) Способ получения карбида кремния
JPS60141698A (ja) 炭化珪素ウイスカ−の製造方法
JP2022136391A (ja) Al4SiC4組成物又はAl4SiC4粉末、及びその製造方法
JP2000044223A (ja) 炭化珪素の製造方法
KR102642300B1 (ko) 고방열 나노다이아몬드 및 그 제조 방법
JPH0121090B2 (ru)