RU2749534C1 - Electrochemical method for treatment of single-crystal silicon plates for solar batteries - Google Patents
Electrochemical method for treatment of single-crystal silicon plates for solar batteries Download PDFInfo
- Publication number
- RU2749534C1 RU2749534C1 RU2020135147A RU2020135147A RU2749534C1 RU 2749534 C1 RU2749534 C1 RU 2749534C1 RU 2020135147 A RU2020135147 A RU 2020135147A RU 2020135147 A RU2020135147 A RU 2020135147A RU 2749534 C1 RU2749534 C1 RU 2749534C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- silicon wafer
- crystal silicon
- melt
- solar batteries
- platinum
- Prior art date
Links
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 18
- 238000002848 electrochemical method Methods 0.000 title claims description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims abstract description 33
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 21
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 21
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 17
- MUMZUERVLWJKNR-UHFFFAOYSA-N oxoplatinum Chemical group [Pt]=O MUMZUERVLWJKNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 5
- 230000010287 polarization Effects 0.000 claims description 2
- 230000005518 electrochemistry Effects 0.000 abstract description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 abstract description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 abstract description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 11
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910021607 Silver chloride Inorganic materials 0.000 description 5
- HKZLPVFGJNLROG-UHFFFAOYSA-M silver monochloride Chemical compound [Cl-].[Ag+] HKZLPVFGJNLROG-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 5
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 3
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 2
- 238000004438 BET method Methods 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LIXXICXIKUPJBX-UHFFFAOYSA-N [Pt].[Rh].[Pt] Chemical compound [Pt].[Rh].[Pt] LIXXICXIKUPJBX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 description 1
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 1
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 1
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052500 inorganic mineral Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000011707 mineral Substances 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 239000013049 sediment Substances 0.000 description 1
- 238000012795 verification Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25B—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES FOR THE PRODUCTION OF COMPOUNDS OR NON-METALS; APPARATUS THEREFOR
- C25B1/00—Electrolytic production of inorganic compounds or non-metals
- C25B1/01—Products
- C25B1/33—Silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/02—Elements
- C30B29/06—Silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
- C30B33/08—Etching
- C30B33/10—Etching in solutions or melts
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
Description
Изобретение относится к области высокотемпературной электрохимии и может быть использовано при изготовлении солнечных батарей из монокристаллических кремниевых пластин, изготовленных по методу Чохральского.The invention relates to the field of high-temperature electrochemistry and can be used in the manufacture of solar cells from monocrystalline silicon wafers made by the Czochralski method.
Энергетическая проблема сегодня является одной из самых актуальных для всего человечества. Традиционные источники, такие как нефть, газ и прочие ископаемые, постепенно теряют свою актуальность, становятся более дорогими и, конечно же, наносят огромный вред окружающей среде. Именно поэтому становятся популярными солнечные батареи, состоящие из фотоэлементов, преобразующих энергетический потенциал фотонов в электрическую энергию. Наиболее распространенным материалом для изготовления фотоэлементов является кристаллический кремний.The energy problem today is one of the most pressing for all mankind. Traditional sources such as oil, gas and other minerals are gradually losing their relevance, becoming more expensive and, of course, causing great harm to the environment. That is why solar cells are becoming popular, consisting of photocells that convert the energy potential of photons into electrical energy. Crystalline silicon is the most common material for making solar cells.
Самым эффективным видом элементов солнечных батарей являются панели из монокристаллического кремния, который изготавливают по методу Чохральского [1]. Монокристалл, полученный таким способом, разрезают на тонкие пластины и далее пластины подвергают механической шлифовке и полировке, после чего на одну из поверхностей наносят эпитаксиальным методом из газовой фазы [2] тонкий слой сверхчистого кремния. Сила электрического тока, который может генерировать солнечный элемент, изменяется пропорционально количеству захваченных его поверхностью фотонов. Этот показатель, в свою очередь, зависит от удельной площади и структуры поверхности фотоэлемента. Однако в настоящее время КПД солнечных батарей, включая батареи из кремниевых панелей, изготовленных по методу Чохральского, не превышает 15-20%. Поэтому остро стоит вопрос о повышении их эффективности.The most effective type of solar cell elements are monocrystalline silicon panels, which are made according to the Czochralski method [1]. The single crystal obtained in this way is cut into thin plates and then the plates are mechanically ground and polished, after which a thin layer of ultrapure silicon is applied to one of the surfaces by the epitaxial method from the gas phase [2]. The strength of the electric current that a solar cell can generate varies in proportion to the number of photons captured by its surface. This indicator, in turn, depends on the specific area and surface structure of the photocell. However, at present, the efficiency of solar cells, including batteries made of silicon panels manufactured by the Czochralski method, does not exceed 15-20%. Therefore, there is an acute issue of increasing their efficiency.
Задачей изобретения является повышение КПД солнечных батарей, содержащих панели из монокристаллического кремния, изготовленные по методу Чохральского.The objective of the invention is to increase the efficiency of solar cells containing monocrystalline silicon panels made by the Czochralski method.
Для этого предложен электрохимический способ обработки кремниевых пластин для солнечных батарей, включающий катодную поляризацию кремниевой пластины, изготовленной по методу Чохральского, для этого кремниевую пластину помещают в расплав K2WO4 - Na2WO4 - WO3 и подают на нее катодный потенциостатический импульс величиной от -920 до -1020 мВ относительно платинокислородного электрода сравнения.For this, an electrochemical method for processing silicon wafers for solar cells has been proposed, including cathodic polarization of a silicon wafer made by the Czochralski method, for this, a silicon wafer is placed in a K 2 WO 4 - Na 2 WO 4 - WO 3 melt and a cathode potentiostatic pulse of magnitude from -920 to -1020 mV relative to the platinum-oxygen reference electrode.
В результате действия этого импульса морфология поверхности кремниевой пластины изменяется: на ней наблюдаются структуры в виде пирамид и пирамидальных ямок, а также увеличение удельной поверхности. Такая поверхность позволяет повысить фототок, протекающий через монокристаллическую кремниевую пластину, изготовленную по методу Чохральского, до пяти раз при сохранении геометрических размеров этой пластины.As a result of the action of this pulse, the morphology of the surface of the silicon wafer changes: structures in the form of pyramids and pyramidal pits are observed on it, as well as an increase in the specific surface area. Such a surface makes it possible to increase the photocurrent flowing through a monocrystalline silicon wafer made by the Czochralski method up to five times while maintaining the geometric dimensions of this wafer.
Новый технический результат, достигаемый заявленным способом, заключается в повышении удельного фототока, протекающего через монокристаллическую кремниевую пластину, изготовленную по методу Чохральского, при сохранении ее геометрических размеров.A new technical result achieved by the claimed method consists in increasing the specific photocurrent flowing through a monocrystalline silicon wafer made by the Czochralski method, while maintaining its geometric dimensions.
Изобретение иллюстрируется следующими рисунками, где на фиг. 1 приведена микрофотография исходной пластины коммерческого монокристаллического кремния; на фиг. 2 - микрофотография пластины монокристаллического кремния после электрохимической обработки в расплаве K2WO4 - Na2WO4 (1:1) - 50 мол. % WO3, с предварительным прогревом пластины; на фиг. 3 - микрофотография пластины монокристаллического кремния после электрохимической обработки в расплаве K2WO4 - Na2WO4 (1:1) - 50 мол. % WO3, без предварительного прогрева, на фиг. 4 - микрофотография пластины монокристаллического кремния после электрохимической обработки в расплаве K2WO4 - Na2WO4 (1:1) - 35 мол. % WO3, без предварительного прогрева.The invention is illustrated in the following drawings, where FIG. 1 is a photomicrograph of an original commercial monocrystalline silicon wafer; in fig. 2 - micrograph of a single-crystal silicon wafer after electrochemical treatment in a melt K 2 WO 4 - Na 2 WO 4 (1: 1) - 50 mol. % WO 3 , with preliminary heating of the plate; in fig. 3 - micrograph of a single-crystal silicon wafer after electrochemical treatment in a melt K 2 WO 4 - Na 2 WO 4 (1: 1) - 50 mol. % WO 3 , without preheating, in FIG. 4 is a micrograph of a single-crystal silicon wafer after electrochemical treatment in a melt K 2 WO 4 - Na 2 WO 4 (1: 1) - 35 mol. % WO 3 , without preheating.
Экспериментальную проверку заявленного способа осуществляли следующим образом. Электрохимическую обработку исходной кремниевой пластины (Производитель ПАО «Сатурн», г. Краснодар, Россия), проводили в трехэлектродной ячейке с использованием импульсного потенциостатического режима. Анодом служила платиновая проволока, электродом сравнения - платиновая фольга площадью 1 см2, полупогруженная в расплав, а катодом - обрабатываемая кремниевая пластина. Контейнером являлся платиновый тигель. Температуру процесса поддерживали постоянной, 700°С. Для проведения эксперимента электрохимическую ячейку помещали в шахтную печь, температуру в которой поддерживали с помощью терморегулятора «Варта ТП 703». Вблизи электродов (в электролите) температуру измеряли с помощью платина-платинородиевой термопары. Электроосаждение проводили с помощью потенциостата-гальваностата Autolab PGSTAT302N (Metrohm, Netherlands) с программным обеспечением Nova 1.9.Experimental verification of the claimed method was carried out as follows. The electrochemical treatment of the original silicon wafer (Manufacturer PJSC Saturn, Krasnodar, Russia) was carried out in a three-electrode cell using a pulsed potentiostatic mode. The anode was a platinum wire, the reference electrode was a platinum foil with an area of 1 cm 2 , semi-submerged into the melt, and the cathode was a silicon wafer being processed. The container was a platinum crucible. The process temperature was kept constant at 700 ° C. For the experiment, the electrochemical cell was placed in a shaft furnace, the temperature in which was maintained using a Varta TP 703 thermostat. Near the electrodes (in the electrolyte), the temperature was measured using a platinum-platinum-rhodium thermocouple. Electrodeposition was performed using an Autolab PGSTAT302N potentiostat-galvanostat (Metrohm, Netherlands) with the Nova 1.9 software.
По окончании опыта катодный осадок отмывали в щелочном растворе (10 мас. % KOH) комнатной температуры, затем промывали дистиллированной водой и спиртом. Морфологию осадков изучали с помощью электронного микроскопа JSM-5900 LV (Jeol, Japan). Полную удельную поверхность измеряли с помощью многоточечного метода BET. Величину фототока, протекающего через пластину, прошедшую электрохимическую обработку вышеописанным образом, измеряли по трехэлектродной схеме, в 1М KNO3 при помощи электрохимической станции ZiveLAB SP2. В качестве рабочего электрода использовали обработанную кремниевую пластинку, противоэлектрода - графитовый стержень, электрода сравнения - хлоридсеребряный электрод. Измерения проводили в режиме потенциостатической развертки потенциала в катодную область со скоростью 10 мВ/с. Источником света служила УФ лампа, электрической мощностью 25 Вт, длина волны 365 нм.At the end of the experiment, the cathode precipitate was washed in an alkaline solution (10 wt% KOH) at room temperature, then washed with distilled water and alcohol. The morphology of the sediments was studied using a JSM-5900 LV electron microscope (Jeol, Japan). The total specific surface area was measured using the multipoint BET method. The amount of photocurrent flowing through the plate electrochemically treated as described above was measured using a three-electrode scheme in 1M KNO 3 using a ZiveLAB SP2 electrochemical station. A processed silicon plate was used as a working electrode, a graphite rod was used as a counter electrode, and a silver chloride electrode was used as a reference electrode. The measurements were carried out in the mode of potentiostatic potential sweep into the cathode region at a rate of 10 mV / s. The light source was a UV lamp with an electric power of 25 W and a wavelength of 365 nm.
Пример 1.Example 1.
Исходную монокристаллическую кремниевую пластину монокристаллического кремния не подвергали электрохимической обработке (фиг. 1). Установлено, что данная пластина обладает удельной поверхностью 5.2±0.6 м2/г. Удельный фототок, протекающий через эту пластину, то есть разность между током с источником света и без него, при потенциале -0.6 В относительно хлоридсеребряного электрода сравнения составляет 3 мкА/см2.The original monocrystalline silicon wafer of monocrystalline silicon was not subjected to electrochemical treatment (Fig. 1). It is found that the plate has a specific surface area of 5.2 ± 0.6 m 2 / g. The specific photocurrent flowing through this plate, that is, the difference between the current with and without a light source, at a potential of -0.6 V relative to the silver chloride reference electrode is 3 μA / cm 2 .
Пример 2.Example 2.
Электрохимическую обработку исходной монокристаллической кремниевой пластины осуществляли в трехэлектродной ячейке с использованием платиновых противоэлектрода и электрода сравнения. Для обработки использовали расплав, содержащий K2WO4 - Na2WO4 (1:1) - 50 мол. % WO3, 700°С. Перед началом электрохимической обработки кремниевую пластину прогревали над расплавом в течение 5 мин. Затем ее погружали в расплав и подавали на нее катодный импульс напряжением -920 мВ в течение 15 с. На катоде формировались участки с четырехгранными пирамидками и участки с пирамидальными ямками (фиг. 2). Удельная поверхность обработанной кремниевой пластины при этом увеличивается и составляет 14.3±0.9 м2/г. Удельный фототок, протекающий через эту пластину при потенциале -0.6 В относительно хлоридсеребряного электрода сравнения, увеличивается до 17 мкА/см2.The electrochemical treatment of the initial single-crystal silicon wafer was carried out in a three-electrode cell using a platinum counter electrode and a reference electrode. For processing used a melt containing K 2 WO 4 - Na 2 WO 4 (1: 1) - 50 mol. % WO 3 , 700 ° C. Before the start of electrochemical treatment, the silicon wafer was heated over the melt for 5 min. Then it was immersed in the melt and a cathode pulse with a voltage of -920 mV was applied to it for 15 s. Sections with tetrahedral pyramids and sections with pyramidal pits were formed on the cathode (Fig. 2). Specific surface-treated silicon wafer at the same time increases and is 14.3 ± 0.9 m 2 / g. The specific photocurrent flowing through this plate at a potential of -0.6 V relative to the silver chloride reference electrode increases to 17 μA / cm 2 .
Пример 3.Example 3.
Электрохимическую обработку исходной монокристаллической кремниевой пластины осуществляли в трехэлектродной ячейке с использованием платиновых противоэлектрода и электрода сравнения. Для обработки использовали расплав, содержащий K2WO4 - Na2WO4 (1:1) - 50 мол. % WO3, 700°С. Кремниевую пластину погружали в расплав без предварительного прогрева и подавали на нее катодный импульс напряжением -920 мВ в течение 15 с. При этом на катоде формировались участки с четырехгранными пирамидками и участки с пирамидальными ямками (фиг. 3). Площадь удельной поверхности обработанной кремниевой пластины при этом составляет 6.3±0.6 м2/г. Удельный фототок, протекающий через эту пластину при потенциале -0.6 В относительно хлоридсеребряного электрода сравнения увеличивается до 15 мкА/см2.The electrochemical treatment of the initial single-crystal silicon wafer was carried out in a three-electrode cell using a platinum counter electrode and a reference electrode. For processing used a melt containing K 2 WO 4 - Na 2 WO 4 (1: 1) - 50 mol. % WO 3 , 700 ° C. The silicon wafer was immersed in the melt without preliminary heating, and a cathode pulse with a voltage of -920 mV was applied to it for 15 s. In this case, sections with tetrahedral pyramids and sections with pyramidal pits were formed on the cathode (Fig. 3). The specific surface area of the treated silicon wafer in this case is 6.3 ± 0.6 m 2 / g. The specific photocurrent flowing through this plate at a potential of -0.6 V relative to the silver chloride reference electrode increases to 15 μA / cm 2 .
Пример 4.Example 4.
Электрохимическую обработку исходной монокристаллической кремниевой пластины осуществляли в трехэлектродной ячейке с использованием платиновых противоэлектрода и электрода сравнения. Для обработки использовали расплав, содержащий K2WO4 - Na2WO4 (1:1) - 35 мол. % WO3, 700°С. Кремниевую пластину погружали в расплав без предварительного прогрева и подавали на нее катодный импульс напряжением -1020 мВ в течение 15 с. При этом на катоде формировались восьмигранные пирамидки (фиг. 4). Площадь удельной поверхности кремниевой пластины при этом составляет 10.7±0.2 м2/г. Удельный фототок, протекающий через эту пластину при потенциале -0.6 В относительно хлоридсеребряного электрода сравнения, увеличивается до 18 мкА/см2.The electrochemical treatment of the initial single-crystal silicon wafer was carried out in a three-electrode cell using a platinum counter electrode and a reference electrode. For processing used a melt containing K 2 WO 4 - Na 2 WO 4 (1: 1) - 35 mol. % WO 3 , 700 ° C. The silicon wafer was immersed in the melt without preliminary heating, and a cathode pulse with a voltage of -1020 mV was applied to it for 15 s. In this case, octahedral pyramids were formed on the cathode (Fig. 4). The specific surface area of the silicon wafer in this case is 10.7 ± 0.2 m 2 / g. The specific photocurrent flowing through this plate at a potential of -0.6 V relative to the silver chloride reference electrode increases to 18 μA / cm 2 .
Таким образом, приведенные данные подтверждают, что модификация монокристаллических кремниевых пластин, изготовленных по методу Чохральского, с помощью электрохимических процедур в поливольфраматном расплаве, позволяет улучшить эксплуатационные характеристики кремния, применяемого в фотоэлементах.Thus, the data presented confirm that the modification of single-crystal silicon wafers made by the Czochralski method using electrochemical procedures in a polytungstate melt makes it possible to improve the performance characteristics of silicon used in photocells.
Источники информации:Information sources:
1. Бердников B.C., Панченко В.И. Некоторые характеристики смешанной конвекции в лабораторной модели метода Чохральского // Теплофизика кристаллизации веществ и материалов: Сб. науч. тр. Новосибирск. - 1987. - С. 5-15.1. Berdnikov B.C., Panchenko V.I. Some characteristics of mixed convection in the laboratory model of the Czochralski method // Thermal physics of crystallization of substances and materials: Sat. scientific. tr. Novosibirsk. - 1987 .-- S. 5-15.
2. Гусев А.И. Наноматериалы, наноструктуры, нанотехнологии. Изд. 2-е, исправленное и дополненное. Москва: Наука-Физматлит, 2007.2. Gusev A.I. Nanomaterials, nanostructures, nanotechnology. Ed. 2nd, corrected and supplemented. Moscow: Nauka-Fizmatlit, 2007.
Claims (1)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2020135147A RU2749534C1 (en) | 2020-10-27 | 2020-10-27 | Electrochemical method for treatment of single-crystal silicon plates for solar batteries |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2020135147A RU2749534C1 (en) | 2020-10-27 | 2020-10-27 | Electrochemical method for treatment of single-crystal silicon plates for solar batteries |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2749534C1 true RU2749534C1 (en) | 2021-06-11 |
Family
ID=76377518
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2020135147A RU2749534C1 (en) | 2020-10-27 | 2020-10-27 | Electrochemical method for treatment of single-crystal silicon plates for solar batteries |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2749534C1 (en) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2451368C2 (en) * | 2007-07-17 | 2012-05-20 | Нексеон Лимитед | Method to manufacture structured particles containing silicon or silicon-based material and their application in rechargeable lithium batteries |
| RU2491374C1 (en) * | 2012-06-13 | 2013-08-27 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт высокотемпературной электрохимии Уральского отделения Российской Академии наук | Electrochemical method of obtaining continuous layers of silicon |
| RU2501057C1 (en) * | 2012-06-09 | 2013-12-10 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Оренбургский государственный университет" | Method of treating surface of (111) oriented monocrystalline silicon |
-
2020
- 2020-10-27 RU RU2020135147A patent/RU2749534C1/en active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2451368C2 (en) * | 2007-07-17 | 2012-05-20 | Нексеон Лимитед | Method to manufacture structured particles containing silicon or silicon-based material and their application in rechargeable lithium batteries |
| RU2501057C1 (en) * | 2012-06-09 | 2013-12-10 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Оренбургский государственный университет" | Method of treating surface of (111) oriented monocrystalline silicon |
| RU2491374C1 (en) * | 2012-06-13 | 2013-08-27 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт высокотемпературной электрохимии Уральского отделения Российской Академии наук | Electrochemical method of obtaining continuous layers of silicon |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Lai et al. | Preparation and characterization of Sb2Se3 thin films by electrodeposition and annealing treatment | |
| Uosaki et al. | The photoelectrochemical Behaviour of electrochemically deposited CdTe films | |
| Shenouda et al. | Electrodeposition, characterization and photo electrochemical properties of CdSe and CdTe | |
| Parkinson et al. | The reduction of molecular oxygen at single crystal rutile electrodes | |
| Gudage et al. | Photoelectrochemical (PEC) studies on CdSe thin films electrodeposited from non-aqueous bath on different substrates | |
| JPH0685444B2 (en) | Cd-rich solar cell including Hg-lower 1-X Cd-lower x Te layer and method of manufacturing the same | |
| CN114243019A (en) | Zinc anode material with double modified layer on surface, preparation method and application in aqueous zinc ion battery | |
| Jayewardena et al. | Fabrication of n-Cu2O electrodes with higher energy conversion efficiency in a photoelectrochemical cell | |
| El-Shaer et al. | Fabrication of homojunction cuprous oxide solar cell by electrodeposition method | |
| Kokate et al. | Photoelectrochemical properties of electrochemically deposited CdIn2S4 thin films | |
| Syrek et al. | Room-temperature electrochemical deposition of nanostructured ZnO films on FTO substrate and their photoelectrochemical activity | |
| RU2749534C1 (en) | Electrochemical method for treatment of single-crystal silicon plates for solar batteries | |
| CN103594248A (en) | A kind of preparation method of Bi2S3 quantum dot sensitized TiO2 solar cell | |
| Srivastava et al. | Semiconductor-septum photoelectrochemical solar cell for hydrogen production | |
| CN105970247A (en) | Monocrystal semiconductor oxide anode and electrolytic cell for preparing hydrogen peroxide | |
| AR | Cathodic Electrodeposition and Characterization of ni3se2 thin Films | |
| Houston et al. | Optimising the photoelectrochemical performance of electrodeposited CdSe semiconductor electrodes | |
| Morris et al. | Some factors affecting efficiencies of n-CdS/p-CdTe thin film solar cells | |
| CN111575782A (en) | Method for preparing single crystal silicon film and silicon P-N junction by high-temperature molten salt electrodeposition | |
| CN103205800B (en) | Improve the method for casting monocrystalline silicon ingot casting yield rate and efficiency of conversion | |
| binti Mohamad Arifin et al. | Growth mechanism of copper oxide fabricaticated by potentiostatic electrodeposition method | |
| CN102321901B (en) | Heat treatment method for increasing n-type cuprous oxide film carrier concentration | |
| CN105140335A (en) | CZTS film preparation method on transparent conductive substrate through one step | |
| Mohamad et al. | Cu2O-based homostructure fabricated by electrodeposition method | |
| CN114628711A (en) | A kind of photo-assisted magnesium/seawater battery and preparation method thereof |