RU2359074C1 - Control mode by electron-emitting zone melting and device for its implementation - Google Patents
Control mode by electron-emitting zone melting and device for its implementation Download PDFInfo
- Publication number
- RU2359074C1 RU2359074C1 RU2007145606/02A RU2007145606A RU2359074C1 RU 2359074 C1 RU2359074 C1 RU 2359074C1 RU 2007145606/02 A RU2007145606/02 A RU 2007145606/02A RU 2007145606 A RU2007145606 A RU 2007145606A RU 2359074 C1 RU2359074 C1 RU 2359074C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- melting
- electron
- filament current
- electron source
- zone
- Prior art date
Links
- 238000004857 zone melting Methods 0.000 title claims abstract description 15
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims abstract description 24
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims abstract description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 19
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 14
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 8
- 238000010309 melting process Methods 0.000 claims abstract description 3
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 19
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 claims description 6
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 27
- 230000008859 change Effects 0.000 abstract description 4
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 abstract description 2
- 238000005272 metallurgy Methods 0.000 abstract description 2
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 abstract description 2
- 239000010959 steel Substances 0.000 abstract description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 abstract 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract 1
- 230000009972 noncorrosive effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 abstract 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 abstract 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 5
- 238000007670 refining Methods 0.000 description 5
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 5
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 238000013021 overheating Methods 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003723 Smelting Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 229910001338 liquidmetal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
Description
Изобретение относится к металлургии высокочистых металлов и может быть использовано при выращивании монокристаллов переходных металлов и их сплавов и их вакуумном рафинировании.The invention relates to the metallurgy of high-purity metals and can be used in the cultivation of single crystals of transition metals and their alloys and their vacuum refining.
Известен способ электронно-лучевой зонной плавки, в котором регулирование мощности осуществляется изменением тока накала катодов [1]. Однако в этом способе создание устойчивой расплавленной зоны весьма затруднено из-за возникновения на ее поверхности локальных перегревов.A known method of electron beam zone melting, in which the power is controlled by changing the glow current of the cathodes [1]. However, in this method, the creation of a stable molten zone is very difficult due to the occurrence of local overheating on its surface.
Известен способ управления электронно-лучевой зонной плавкой (Патент РФ №2287023 от 10.11.2006), включающий разогрев источника электронов током накала, приложения разности потенциалов между источником электронов и держателем обрабатываемого материала, расплавление последнего и регулирование мощности потока электронов. В этом способе для устранения локальных перегревов зоны проводят коррекцию положения источника электронов.A known method of controlling electron beam zone melting (RF Patent No. 2287023 from 10.11.2006), comprising heating an electron source with a glow current, applying a potential difference between the electron source and the holder of the processed material, melting the latter and adjusting the electron flow power. In this method, to eliminate local overheating of the zone, the position of the electron source is corrected.
Указанный способ управления обладает существенным недостатком, не позволяющим получить устойчивую зону, так как коррекцию положения катода необходимо проводить в открытой камере, когда возможен доступ к катодной нити электронной пушки. К сожалению, при открытой камере на воздухе жидкую зону металла сформировать невозможно. Поэтому обычно с целью корректировки катода дожидаются полного остывания образца (расплавленной зоны), затем открывают плавильную камеру, производят коррекцию, закрывают камеру, откачивают до приличного вакуума и снова создают на образце жидкую зону. Если коррекция произведена удачно, то перечисленные операции занимают минимум 5-6 часов. Однако чаще всего приходится проводить 2-3 коррекции, что снижает производительность оборудования. В общем случае, даже после нескольких коррекций не удается устранить несимметричность нагрева, что приводит к браку и снижению выхода годных монокристаллов из-за произвольных сливов жидкой зоны, «штопорного» роста кристаллов и перерывов в процессе зонной плавки.The specified control method has a significant drawback that does not allow to obtain a stable zone, since the correction of the cathode position must be carried out in an open chamber when access to the cathode filament of the electron gun is possible. Unfortunately, with an open chamber in air, it is impossible to form a liquid metal zone. Therefore, usually, in order to correct the cathode, they wait for the sample (molten zone) to cool completely, then open the melting chamber, make a correction, close the chamber, pump it to a decent vacuum and again create a liquid zone on the sample. If the correction is successful, then the listed operations take at least 5-6 hours. However, most often it is necessary to carry out 2-3 corrections, which reduces the performance of the equipment. In the general case, even after several corrections, it is not possible to eliminate the asymmetry of heating, which leads to marriage and a decrease in the yield of single crystals due to arbitrary discharge of the liquid zone, “corkscrew” crystal growth and interruptions during zone melting.
Целью изобретения является повышение кристаллографического качества и увеличение выхода годных монокристаллов.The aim of the invention is to increase crystallographic quality and increase the yield of single crystals.
Данная цель достигается тем, что в известном способе управления электронно-лучевой зонной плавкой, включающем разогрев источника электронов током накала, приложение разности потенциалов между источником электронов и держателем обрабатываемого материала, расплавление последнего при регулировании мощности потока электронов путем изменения разности потенциалов между источником электронов и держателем обрабатываемого материала, определяют рабочее значение тока накала, соответствующее максимальной равномерности зоны оплавления, путем оплавления поверхности технологического анода за счет приложения разности потенциалов между ним и источником электронов до возникновения видимых следов оплавления и изменения тока накала, затем поддерживают установленное рабочее значение тока накала постоянным, и регулирование мощности потока электронов в процессе плавки осуществляют при постоянном рабочем значении тока накала.This goal is achieved by the fact that in the known method of controlling electron beam zone melting, which includes heating the electron source with a filament current, applying a potential difference between the electron source and the holder of the processed material, melting the latter when controlling the power of the electron flow by changing the potential difference between the electron source and the holder the processed material, determine the operating value of the glow current corresponding to the maximum uniformity of the reflow zone, put The process of reflowing the surface of the technological anode due to the application of the potential difference between it and the electron source until there are visible traces of reflowing and changing the filament current, then the set operating magnitude of the filament current is maintained constant, and the electron flux power during melting is controlled at a constant operating filament current value.
Данная цель достигается тем, что устройство для определения рабочего значения тока накала при электронно-лучевой зонной плавке содержит вакуумную охлаждаемую плавильную камеру, электронно-лучевую пушку, являющуюся катодом, и держатель обрабатываемого металла с установленным на нем технологическим анодом, выполненным в виде трубы из нержавеющей стали, диаметр которой соответствует диаметру обрабатываемого металла.This goal is achieved by the fact that the device for determining the operating value of the glow current in electron beam zone melting contains a vacuum cooled melting chamber, an electron beam gun, which is the cathode, and a holder of the processed metal with a technological anode mounted on it, made in the form of a stainless steel pipe steel, the diameter of which corresponds to the diameter of the metal being processed.
На чертеже представлено устройство для определения рабочего значения тока накала при электронно-лучевой зонной плавке, где 1 - кольцевой катод, 2 - электронная пушка, 3 - выращиваемый кристалл, 4 - обрабатываемый материал, 5 - тепловой экран, 6 - затравочный кристалл, 7 - источник питания, 8 - держатель.The drawing shows a device for determining the operating value of the filament current in electron beam zone melting, where 1 is a ring cathode, 2 is an electron gun, 3 is a grown crystal, 4 is a processed material, 5 is a heat shield, 6 is a seed crystal, 7 is power source, 8 - holder.
Способ реализуется следующим образом.The method is implemented as follows.
В установке для электронно-лучевой зонной плавки вместо обрабатываемого металла в держателе устанавливают технологический анод, оплавляют его поверхность путем приложения разности потенциалов до возникновения видимых следов оплавления. Изменяют ток накала, определяя его рабочее значение, соответствующее максимальной равномерности зоны оплавления. Данное значение тока поддерживают затем постоянным, а уровень мощности электронного луча и, следовательно, температуру и высоту зоны плавления регулируют изменением величины разности потенциалов. Диаметр технологического анода, выполненного в виде трубы из нержавеющей стали, соответствует диаметру выращиваемого монокристалла. Возможность осуществления данного способа объясняется тем, что изменение тока накала косвенно связано с факторами, определяющими симметричность зоны нагрева. Таким образом, изменение тока накала приводит к перераспределению плотности электронного тока на поверхности зоны плавления. Этим самым удается предотвратить известное явление ионной фокусировки луча на поверхности расплава.In the installation for electron beam zone melting, instead of the metal to be processed, a technological anode is installed in the holder, its surface is melted by applying a potential difference until visible traces of melting occur. The glow current is changed, determining its operating value corresponding to the maximum uniformity of the reflow zone. This current value is then kept constant, and the power level of the electron beam and, therefore, the temperature and height of the melting zone are controlled by changing the value of the potential difference. The diameter of the technological anode, made in the form of a stainless steel pipe, corresponds to the diameter of the grown single crystal. The possibility of implementing this method is explained by the fact that the change in the filament current is indirectly associated with factors determining the symmetry of the heating zone. Thus, a change in the filament current leads to a redistribution of the electron current density on the surface of the melting zone. Thereby, it is possible to prevent the known phenomenon of ion focusing of the beam on the surface of the melt.
Пример выращивания монокристаллов молибдена.An example of growing single crystals of molybdenum.
Плавку десяти образцов проводили в электронно-лучевой установке, оборудованной водоохлаждаемым медным катодным узлом с кольцевым катодом. Катод диаметром 55 мм выполнен из вольфрамовой проволоки диаметром 1 мм. На технологическом аноде, представляющем трубу из нержавеющей стали диаметром 20 мм и толщиной стенки 0,5 мм, произвели 21 оплавление при величине разности потенциалов 17 кВ. Правильная кольцевая форма оплавленной поверхности на трубе получалась при токе накала 38 А. При токе накала 38 А ± 0,5% осуществили выращивание пяти монокристаллов молибдена из стержней диаметром 22,5 мм и длиной 300 мм. Все пять выращенных монокристаллов молибдена имели правильную цилиндрическую форму с диаметром 22 мм при среднем отклонении 0,3 мм. Среднее отклонение кристаллографической оси роста от заданного направления составило всего 0,8° при максимальном отклонении 2°, а плотность дислокации составила 3.105 см-2 и практически оставалась неизменной по всей длине монокристаллов. Средняя продолжительность плавки составила 223,2 мин, а выход годных монокристаллов 96,2%.Ten samples were melted in an electron-beam unit equipped with a water-cooled copper cathode assembly with a ring cathode. The cathode with a diameter of 55 mm is made of tungsten wire with a diameter of 1 mm. On the technological anode, representing a stainless steel pipe with a diameter of 20 mm and a wall thickness of 0.5 mm, 21 reflows were performed at a potential difference of 17 kV. The correct annular shape of the melted surface on the pipe was obtained at a glow current of 38 A. At a glow current of 38 A ± 0.5%, five molybdenum single crystals were grown from rods with a diameter of 22.5 mm and a length of 300 mm. All five grown molybdenum single crystals had a regular cylindrical shape with a diameter of 22 mm with an average deviation of 0.3 mm. The average deviation of the crystallographic growth axis from a given direction was only 0.8 ° with a maximum deviation of 2 °, and the dislocation density was 3.10 5 cm -2 and practically remained unchanged over the entire length of single crystals. The average melting time was 223.2 minutes, and the yield of single crystals was 96.2%.
На той же установке было проплавлено пять аналогичных заготовок по известному способу. При этом из двух заготовок вообще не удалось вырастить монокристаллы из-за возникновения «штопорного» роста. Средняя продолжительность плавки составила 268,4 мин. Среднее отклонение кристаллографической оси от заданного направления составило 2° при максимальном отклонении 4°. Плотность дислокации изменялась от 4.105 до 2.106 см-2, отклонение от цилиндричности от 1,3 до 2 мм, а выход годных монокристаллов составил 56,24%. Таким образом, при использовании данного способа выход годных монокристаллов увеличился в 1,7 раза при повышенном кристаллографическом качестве выращенных монокристаллов и уменьшении продолжительности плавки до 20%.At the same installation, five similar preforms were melted by a known method. At the same time, it was not possible to grow single crystals from two blanks due to the appearance of “corkscrew” growth. The average melting time was 268.4 minutes. The average deviation of the crystallographic axis from a given direction was 2 ° with a maximum deviation of 4 °. The dislocation density varied from 4.10 5 to 2.10 6 cm -2 , the deviation from cylindricity was from 1.3 to 2 mm, and the yield of single crystals was 56.24%. Thus, when using this method, the yield of single crystals increased 1.7 times with increased crystallographic quality of the grown single crystals and a decrease in the melting time to 20%.
Пример вакуумного рафинирования вольфрамовых стержней.An example of vacuum refining of tungsten rods.
На аналогичной установке было проплавлено шесть заготовок: три - по данному способу и три - по известному. При этом определенное рабочее значение тока для технологического анода, выполненного из трубы из нержавеющей стали диаметром 18 мм и толщиной стенки 1 мм, составило 40 А. В процессе плавки разность потенциалов изменялась от 18,2 до 20 кВ. Рафинированные прутки вольфрама, полученные в соответствии с данным способом, имели цилиндрическую форму со средним диаметром 17,0 ± 0,4 мм, продолжительность плавки 247 мин, выход годного 95,2%. Прутки вольфрама, рафинирование которых производилось в соответствии с известным способом, имели цилиндрическую форму с диаметром 16,0±1,5 мм, при этом выход годного металла был 78,4% и средняя продолжительность плавки составила 319 мин. Таким образом, при рафинировании вольфрама данный способ позволяет уменьшить временные затраты на 29% и увеличить выход годного на 21%.In a similar installation, six billets were melted: three - according to this method and three - according to the known. At the same time, a certain working current value for the technological anode made of stainless steel pipe with a diameter of 18 mm and a wall thickness of 1 mm was 40 A. During the melting process, the potential difference varied from 18.2 to 20 kV. Refined tungsten rods obtained in accordance with this method had a cylindrical shape with an average diameter of 17.0 ± 0.4 mm, melting time 247 min, yield 95.2%. Tungsten rods, the refining of which was carried out in accordance with the known method, had a cylindrical shape with a diameter of 16.0 ± 1.5 mm, with a suitable metal yield of 78.4% and an average melting time of 319 minutes. Thus, when refining tungsten, this method allows to reduce time costs by 29% and increase yield by 21%.
Устройство для определения рабочего значения тока накала при электронно-лучевой зонной плавке содержит вакуумную охлаждаемую плавильную камеру, электронную пушку 2 с кольцевым вольфрамовым катодом 1, затравочный кристалл 6, выращиваемый кристалл. 3, обрабатываемый металл 4, держатель 8 и источник питания 7.A device for determining the operating value of the glow current in electron beam zone melting comprises a vacuum cooled melting chamber, an electron gun 2 with an annular tungsten cathode 1, a seed crystal 6, and a grown crystal. 3, the processed metal 4, the holder 8 and the power source 7.
Устройство для определения рабочего значения тока накала при электронно-лучевой зонной плавке работает следующим образом.A device for determining the operating value of the glow current in electron beam zone melting works as follows.
На месте затравочного кристалла 6, обрабатываемого металла 4 и выращиваемого кристалла 3 в плавильной камере с помощью держателя 8 размещают технологический анод в виде трубы из нержавеющей стали, диаметр которого соответствует диаметру обрабатываемого металла 4 и выращиваемого кристалла 3. Для создания потока электронов, оплавляющих поверхность технологического анода, с помощью источника питания 7 изменяют ток накала, определяя его рабочее значение, соответствующее максимальной равномерности зоны оплавления. Затем данное значение тока поддерживают постоянным, а мощность электронного луча регулируют изменением величины разности потенциалов. Эти операции проводятся в открытой плавильной камере. После подбора рабочего значения тока накала технологический анод удаляют и в держателе размещают затравочный кристалл 6 и обрабатываемый металл 4, затем плавильную камеру закрывают и после вакуумирования производят электронно-лучевую зонную плавку и выращивание монокристалла по обычной технологии, используя в качестве ключевого элемента определенное с помощью технологического анода рабочее значение тока накала.In place of the seed crystal 6, the metal being processed 4 and the crystal being grown 3, a technological anode in the form of a stainless steel pipe, the diameter of which corresponds to the diameter of the metal being treated 4 and the crystal being grown 3, is placed in the melting chamber using the holder 8. To create a stream of electrons fusing the technological surface anode, using a power source 7 change the filament current, determining its operating value, corresponding to the maximum uniformity of the reflow zone. Then this current value is kept constant, and the power of the electron beam is controlled by changing the value of the potential difference. These operations are carried out in an open smelting chamber. After selecting the operating value of the glow current, the technological anode is removed and the seed crystal 6 and the metal 4 to be treated are placed in the holder, then the melting chamber is closed and after evacuation, electron beam melting and single crystal growth are carried out using conventional technology, using the key element determined using technological anode operating value of the glow current.
Таким образом, предлагаемое устройство для определения рабочего значения тока накала при электронно-лучевой зонной плавке обеспечивает существенное улучшение кристаллографического качества выращиваемых монокристаллов тугоплавких металлов, повышение выхода годных монокристаллов и заметное увеличение производительности ростового вакуумного оборудования.Thus, the proposed device for determining the operating value of the glow current in electron beam zone melting provides a significant improvement in the crystallographic quality of the grown single crystals of refractory metals, an increase in the yield of single crystals and a noticeable increase in the productivity of growth vacuum equipment.
Источники информацииInformation sources
1. Мовчан Б.А. Электронно-лучевая плавка с рафинированием металлов. М.: Энергия, 1974, с.25-31.1. Movchan B.A. Electron beam melting with refining of metals. M .: Energy, 1974, p. 25-31.
2. Патент РФ №2287023 от 10.11.2006. «Способ электронно-лучевой зонной плавки металла и устройство для его осуществления».2. RF patent No. 2287023 from 10.11.2006. "A method of electron beam zone melting of metal and a device for its implementation."
Claims (2)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2007145606/02A RU2359074C1 (en) | 2007-12-11 | 2007-12-11 | Control mode by electron-emitting zone melting and device for its implementation |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2007145606/02A RU2359074C1 (en) | 2007-12-11 | 2007-12-11 | Control mode by electron-emitting zone melting and device for its implementation |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2359074C1 true RU2359074C1 (en) | 2009-06-20 |
Family
ID=41025925
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2007145606/02A RU2359074C1 (en) | 2007-12-11 | 2007-12-11 | Control mode by electron-emitting zone melting and device for its implementation |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2359074C1 (en) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SU1061526A1 (en) * | 1981-07-13 | 1995-04-20 | В.А. Репий | Method of obtaining flat monocrystals of high-melting metals |
| RU2087563C1 (en) * | 1995-09-13 | 1997-08-20 | Владлен Александрович Чернов | Method of electron beam remelting of lump metallic material and device for its embodiment |
| RU2238991C1 (en) * | 2003-03-11 | 2004-10-27 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский научно-исследовательский институт неорганических материалов им. акад. А.А. Бочвара" | Method of electron-beam remelt of metals and alloys |
| US6858059B2 (en) * | 2001-10-26 | 2005-02-22 | Toho Titanium Co., Ltd. | Electron beam melting method for metallic material |
| RU2287023C1 (en) * | 2005-05-05 | 2006-11-10 | Вадим Георгиевич Глебовский | Method of electron-beam zone melting of metal and device for realization of this method |
-
2007
- 2007-12-11 RU RU2007145606/02A patent/RU2359074C1/en active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SU1061526A1 (en) * | 1981-07-13 | 1995-04-20 | В.А. Репий | Method of obtaining flat monocrystals of high-melting metals |
| RU2087563C1 (en) * | 1995-09-13 | 1997-08-20 | Владлен Александрович Чернов | Method of electron beam remelting of lump metallic material and device for its embodiment |
| US6858059B2 (en) * | 2001-10-26 | 2005-02-22 | Toho Titanium Co., Ltd. | Electron beam melting method for metallic material |
| RU2238991C1 (en) * | 2003-03-11 | 2004-10-27 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский научно-исследовательский институт неорганических материалов им. акад. А.А. Бочвара" | Method of electron-beam remelt of metals and alloys |
| RU2287023C1 (en) * | 2005-05-05 | 2006-11-10 | Вадим Георгиевич Глебовский | Method of electron-beam zone melting of metal and device for realization of this method |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US2880483A (en) | Vacuum casting | |
| US6798821B2 (en) | Method and apparatus for solidification-controllable induction melting of alloy with cold copper crucible | |
| JPH01501468A (en) | Equipment for growing single crystals in a predetermined shape | |
| CN113574213B (en) | Single crystal manufacturing equipment | |
| RU92988U1 (en) | PLANT FOR GROWING SILICON-GERMANIUM HETEROSTRUCTURES | |
| GB979711A (en) | Improvements in or relating to the induction melting of metals | |
| RU2359074C1 (en) | Control mode by electron-emitting zone melting and device for its implementation | |
| JP5343272B2 (en) | Single crystal semiconductor manufacturing apparatus and manufacturing method | |
| RU2287023C1 (en) | Method of electron-beam zone melting of metal and device for realization of this method | |
| CN109266863A (en) | A kind of high purity titanium ingot method of purification | |
| KR20110075106A (en) | High purity metal production apparatus and high purity metal production method | |
| KR101751794B1 (en) | Titanium refining furnace and method for refining titanium | |
| RU2370553C1 (en) | Installation of electron-ray zone melting of refractory and transition metals and alloys for growth of mono crystals | |
| RU2370552C1 (en) | Installation of electron-ray zone melting of refractory and transition metals and alloys for growth of mono crystals | |
| RU2364980C1 (en) | Axial electron gun | |
| EP3252006A1 (en) | A method and apparatus for vacuum purification of silicon | |
| Kravtsov | Development of silicon growth techniques from melt with surface heating | |
| RU2762460C1 (en) | Method for producing special copper ingots | |
| JPH09309716A (en) | Silicon purification method | |
| RU2553905C2 (en) | Method of growth of monocrystal disks out of high-melting metals and device for its implementation | |
| RU2374339C1 (en) | Method of growing of flat crystals and device for implementation of this method | |
| RU2381990C1 (en) | Method of vacuum cleaning of silicon | |
| CN1200147C (en) | Method of speeding smelting of polycrystalline material and bottom heater for pulling monocrystal | |
| RU2833304C1 (en) | Method for vacuum arc remelting of pressed consumable electrodes from titanium alloys | |
| KR102531449B1 (en) | The fabricating method of titanium ingot |