RU2345950C1 - Способ получения кремния или силицида цинка из диоксида кремния - Google Patents
Способ получения кремния или силицида цинка из диоксида кремния Download PDFInfo
- Publication number
- RU2345950C1 RU2345950C1 RU2007127008/15A RU2007127008A RU2345950C1 RU 2345950 C1 RU2345950 C1 RU 2345950C1 RU 2007127008/15 A RU2007127008/15 A RU 2007127008/15A RU 2007127008 A RU2007127008 A RU 2007127008A RU 2345950 C1 RU2345950 C1 RU 2345950C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- zinc
- silicon
- reaction
- mol
- temperature
- Prior art date
Links
- 239000011701 zinc Substances 0.000 title claims abstract description 31
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 26
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 26
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 22
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 22
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 17
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 title claims abstract description 11
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 title claims abstract description 11
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 5
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 42
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims abstract description 21
- JIAARYAFYJHUJI-UHFFFAOYSA-L zinc dichloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Zn+2] JIAARYAFYJHUJI-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims abstract description 16
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 13
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000011592 zinc chloride Substances 0.000 claims abstract description 8
- 235000005074 zinc chloride Nutrition 0.000 claims abstract description 8
- 239000004115 Sodium Silicate Substances 0.000 claims abstract description 6
- 239000002893 slag Substances 0.000 claims abstract description 5
- 235000019351 sodium silicates Nutrition 0.000 claims abstract description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 7
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 4
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 claims description 4
- 239000004110 Zinc silicate Substances 0.000 claims description 3
- ZOIVSVWBENBHNT-UHFFFAOYSA-N dizinc;silicate Chemical compound [Zn+2].[Zn+2].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] ZOIVSVWBENBHNT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N sodium silicate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-][Si]([O-])=O NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052911 sodium silicate Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 235000019352 zinc silicate Nutrition 0.000 claims description 3
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 claims 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 12
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 abstract 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000006722 reduction reaction Methods 0.000 description 7
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 5
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 3
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 2
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 2
- 239000008186 active pharmaceutical agent Substances 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052729 chemical element Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 chloride hydride Chemical compound 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010431 corundum Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000010891 electric arc Methods 0.000 description 1
- 230000005518 electrochemistry Effects 0.000 description 1
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000000156 glass melt Substances 0.000 description 1
- 239000008187 granular material Substances 0.000 description 1
- 231100001261 hazardous Toxicity 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 229910052500 inorganic mineral Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 239000013067 intermediate product Substances 0.000 description 1
- 238000009533 lab test Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000010310 metallurgical process Methods 0.000 description 1
- 238000005272 metallurgy Methods 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 235000010755 mineral Nutrition 0.000 description 1
- 239000011707 mineral Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000006060 molten glass Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- LGERWORIZMAZTA-UHFFFAOYSA-N silicon zinc Chemical compound [Si].[Zn] LGERWORIZMAZTA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
- 231100000331 toxic Toxicity 0.000 description 1
- 230000002588 toxic effect Effects 0.000 description 1
- 238000004857 zone melting Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Silicon Compounds (AREA)
Abstract
Изобретение может быть использовано в химической промышленности. Диоксид кремния восстанавливают цинком с получением кремния или силицида цинка, силикатов натрия и паров хлорида цинка. Реакция проводится в трехкомпонентном расплавленном шлаке, включающем хлорид натрия, диоксид кремния и цинк. Реакцию осуществляют при температуре выше температуры испарения образующегося хлорида цинка, но ниже температуры испарения цинка. Предложенное изобретение позволяет получить кремний без прямого контакта с углеродом. При этом процесс реализуется при температурах, значительно меньших температуры прямого восстановления диоксида кремния углеродом. 2 з.п. ф-лы, 4 табл.
Description
Изобретение относится к области химии металлургических процессов. Кремний - один из наиболее распространенных в природе химических элементов после кислорода. Исключительно велика роль кремния в научно-техническом прогрессе. Поэтому проблема поиска новых способов получения кремния с целью повышения эффективности его производства и улучшения качества, актуальна.
Одним из наиболее распространенных способов получения кремния является использование хлоридно-гидридной технологии с последующей вертикальной зонной плавкой по методу "плавающей зоны". [Свойства элементов. Справочник под редакцией М.Е.Дрица. - М.: Металлургия, 1985 г., 409 с.] Данный способ является экологически опасным и технологически трудоемким. Исходные и конечные продукты сильно ядовиты.
Наиболее близким к заявленному техническому решению является получение кремния из его диоксида. Кремний может быть восстановлен углеродом при температуре выше 1600°С. [Г.Г.Грибов, К.В.Зиновьев. Получение высокочистого кремния для солнечных элементов. Неорганические материалы. 2003 г., т.39, №7] [В.В.Стендер. Прикладная электрохимия. - Харьков: Изд. Харьковского университета, 1961 г.]. В результате получается кремний технической чистоты. В микроэлектронике требуется кремний высокочистый и в виде монокристаллов. Процесс может быть осуществлен в дуговых электропечах в относительно малых объемах.
Техническая задача, решаемая изобретением, состоит в создании экологически безопасного и энергосберегающего способа получения достаточно чистого кремния и как промежуточного или самостоятельного продукта - силицида цинка.
Для решения поставленной технической задачи получения кремния из диоксида кремния путем самопроизвольной реакции в среде расплавленного шлака, согласно предложению, расплавленный шлак представляет собой трехкомпонентную электролитическую среду, включающую хлорид натрия, диоксид кремния и цинк, а самопроизвольную реакцию осуществляют при температуре выше, чем температура испарения образующегося хлорида цинка, но ниже температуры испарения цинка с образованием кремния, силикатов натрия и паров хлорида цинка, при этом осуществляют дальнейшую реакцию в расплаве хлорида цинка с образовавшимся силикатом натрия и последующее восстановление цинка из образовавшегося силиката цинка с помощью углерода. Дополнительно осуществляют восстановление кремния из его диоксида с помощью углерода при температуре, не выше температуры испарения цинка.
Экспериментально доказана возможность получения Si из SiO2 в расплаве соли NaCl (ж) с помощью Zn - восстановителя при температуре, выше температуры испарения ZnCl2 (733°C), по реакции:
Для термодинамического расчета реакции (1) нами использовались известные термодинамические потенциалы веществ, участвующих в этой реакции [М.Х.Карапетьянц, М.Л.Карапетьянц. Основные термодинамические константы неорганических и органических веществ. - М.: Химия, 1968. 469 с.], и предполагаемые значения потенциалов пара ZnCl2(г) (исходя из аналогии ZnCl2(г) с MgCl2(г) (табл.1).
Исходя из приведенных в табл.1 термодинамических потенциалов веществ получаем следующие величины термодинамических потенциалов реакции (I):
ΔG(20°C)≈+170,53 кДж/моль; ΔН≈+239,77 кДж/моль; ΔS≈+237,99 Дж/(моль·град)
Отсюда следует, что минимальная температура реакции (1) в приближении температурной зависимости ΔG(T) равна:
| Таблица 1 Термодинамические потенциалы веществ, участвующих в реакции (1) |
||||||
| Термодинамические потенциалы | NaCl(ж) | SiO2 | Zn | Si | Na2SiO3 | ZnCl2(г) |
| G (20°С), кДж/моль | -366,21 | -856,98 | -1428,37 | ≈-419(г) | ||
| Н, кДж/моль | -386,47 | -911,32 | -1481,16 | ≈-419(г) | ||
| S, Дж/(моль·град) | 95,193 | 41,9 | 41,65(к) | 18,85 | ≈209,5 | ≈251,4(г) |
Отсутствие термодинамического запрета на восстановление кремния из его диоксида с помощью цинкового восстановителя обусловлено образованием химически "прочного" силиката натрия с малой величиной ДС и парообразного ZnCl2(г) с большой величиной энтропии.
В лабораторных опытах для нейтрализации пара ZnCl2(г) и его регистрации использовался порошок СаО (или СаСО3) в большом корундовом тигле, в котором размещалась емкость с исходной шихтой - смесью NaCl, SiO2 и Zn - гранул. Над ней располагался колпак для образования клапана на известковой засыпке.
На практике в качестве поглотителя ZnCl2(г) можно использовать также расплав стекла:
При термодинамическом расчете реакции (2) исходили из следующих величин термодинамических потенциалов веществ:
| Таблица 2 Термодинамические потенциалы веществ, участвующих в реакции (2) |
||||
| Термодинамические потенциалы | ZnCl2(г) | Na2SiO3 | NaCl(ж) | ZnSiO3 |
| G (20°С), кДж/моль |
≈-419(г) -369,01(к) |
-1428,37 | -366,21 | -1150,57 |
| Н, кДж/моль |
≈-419(г) -415,98(к) |
-1481,16 | -386,47 | ≈-1194,15 |
| S, Дж/(моль·град) |
≈251,4(г) 108,02(к) |
≈209,5 | 95,193 | 89,67 |
Отсюда, для термодинамических потенциалов реакции (2) получаем: ΔG(20°С)≈-35,62 кДж/ моль; ΔН≈-77,23 кДж/моль; ΔS≈-180,17 Дж/(моль·град).
Реакция (2) с участием парообразного ZnCl2(г) при температуре выше 733°С является термодинамически запрещенной из-за положительной величины ΔG(733°C):
ΔG(733°С)=-35,62+180,17·10-3(733-20)=93,02 кДж/ моль.
Реакция (2) с участием жидкого ZnCl2(ж) термодинамически разрешена, так как ее термодинамические потенциалы равны:
ΔG(20°С)≈-85,60 кДж/моль; ΔH≈-71,23 кДж/моль; ΔS≈-37,46 Дж/(моль·град).
При Т<733°С расплав стекла не является жидкотекучим. Поэтому взвесь диспергированного стекла в расплаве соли NaCl(ж) может быть исходным поглотителем ZnCl2(ж).
Так как в расплаве соли NaCl растворяются пары ZnCl2(г), то реакция (2) фактически может существовать и при Т>733°С как реакция расплавленного раствора ZnCl2 в NaCl(ж) с Na2SiO3. Образующийся при этом силикат цинка ZnSiO3 является одним из основных природных минералов, используемых в производстве цинка. Он может быть восстановлен по традиционной технологии:
Приведем термодинамический расчет известной реакции (3) для подтверждения используемого приближения линейной температурной зависимости ΔG(T°C) и предположения о значениях термодинамических потенциалов парообразного Zn(г). При термодинамическом расчете этой реакции исходили из известных значений термодинамических потенциалов веществ, участвующих в реакции (3) и гипотетической величины энтропии паров цинка (по аналогии с Mg(г)).
| Таблица 3 Термодинамические потенциалы веществ, участвующих в реакции (3) |
|||||
| Термодинамические потенциалы | ZnSiO3 | С | Zn(г) | СО | SiO2 |
| G (20°C), кДж/моль | -1150,57 | 95,32 | -137,35 | -856,98 | |
| Н, кДж/моль | ≈-1194,15 | 16,55 | 130,92 | -110,68 | -911,32 |
| S, Дж/(моль·град) | 89,67 | 2,3732 | ≈146,65 | 197,85 | 41,9 |
Отсюда для термодинамических потенциалов реакции (3) получаем: ΔG(20°C)≈251,56 кДж/ моль; ΔН≈286,51 кДж/моль; ΔS≈294,36 Дж/(моль·град). В приближении линейной зависимости ΔG(T) получаем минимальную температуру реакции:
Таким образом, рассчитанная температура оказалась близкой к реальной температуре, при которой осуществляется реакция (3) на практике.
Известно, что для разделения Zn(г) и СО, образующихся в реакции (3), используется быстрое охлаждение паров Zn(г):
Материальный баланс предлагаемого нами процесса получения кремния с участием реакций 1-4 формально совпадает с материальным балансом процесса прямого восстановления диоксида кремния углеродом в электропечах по известной реакции:
Расход углерода по реакции (5) равен 0,860 кг на 1 кг кремния.
Оценим энергетический баланс процесса получения Si из SiO2 по реакциям (1)-(4):
ΔН=(239,77-71,23+286,508-130,92)кДж/моль=324,13 кДж/моль
Отсюда удельный расход энергии -23·103 кДж/1 кг Si или 6,4·103 кВт·ч/1т Si. Для сравнения расход электроэнергии на 1т электролизного алюминия равен (16-17)·103 кВт·ч/1т Al, т.е. в 2,6 раза больше удельного расхода энергии в рассматриваемом процессе с участием реакций (1)-(4). Для реализации последнего нет необходимости в использовании электроэнергии. Расход тепловой энергии на получение кремния при учете 40% к.п.д. тепловых машин в 6 раз меньше расхода тепловой энергии, затрачиваемой ТЭЦ на выработку электроэнергии для производства такого же количества алюминия в существующем электролизном производстве.
Для проверки справедливости используемого приближения линейной температурной зависимости ΔG(T) приведем термодинамический расчет реакции прямого восстановления диоксида кремния углеродом (5), исходя из термодинамических потенциалов веществ табл.4:
| Таблица 4 Термодинамические потенциалы веществ, участвующих в реакции (4) |
||||
| Термодинамические потенциалы | SiO2 | С | Si | CO |
| G (20°С), кДж/ моль | -856,98 | -137,35 | ||
| Н, кДж/ моль | -911,32 | 16,55 | -110,68 | |
| S, Дж/(моль·град) | 41,9 | 2,3732 | 18,84 | 197,85 |
Из данных табл.4 получаем следующие значения термодинамических потенциалов химической реакции прямого восстановления диоксида кремния углеродом:
ΔG(20°C)≈291,14 кДж/моль; ΔН≈328,43 кДж/моль; AS≈183,95 Дж/(моль·град).
Заметим, что в соответствии с известным законом Гесса, получено близкое совпадение ЛИ для реакции прямого восстановления и АН процесса (1) - (4). Из ΔG(20°C) и ΔS определяем минимальную температуру реакции (5):
Таким образом, при температурах предлагаемого процесса реакция (5) является запрещенной. В производстве кремния она реализуется при Т≥1600°С.
Одним из основных преимуществ предложенного в настоящей работе процесса с участием реакций (1)-(4) - более низкие (на 500-600°С) температуры его реализации по сравнению с прямым восстановлением SiO2 углеродом в электропечах.
Другое исключительно важное преимущество для получения чистого кремния преимущество - отсутствие прямого контакта с углеродом. Основные реакции проходят без его участия. Применение углерода связано только с получением Zn из ZnSiO3, являются сырьем. В нашем случае ZnSiO3 является промежуточным продуктом процесса, который может быть использован для получения израсходованного цинка.
В связи с использованием цинка в качестве восстановителя диоксида кремния в расплаве NaCl важно рассмотреть вопрос о химическом взаимодействии кремния с цинком. По данным работы [Диаграммы состояния двойных металлических систем. Справочник в 3-х томах, Т.3, Кн.2, под редакцией академика РАН Н.П.Лякишева, - М.: Машиностроение, 2001. 448 с.] оно отсутствует. Однако при изучении реакции (1) нами был обнаружен ряд химических соединений цинка с кремнием - силицидов цинка ZnmSin.
Claims (3)
1. Способ получения кремния или силицида цинка из диоксида кремния путем осуществления самопроизвольной реакции в среде расплавленного шлака, отличающийся тем, что расплавленный шлак представляет собой трехкомпонентную электролитную среду, включающую хлорид натрия, диоксид кремния и цинк, а самопроизвольную реакцию осуществляют при температуре выше, чем температура испарения образующегося хлорида цинка, но ниже температуры испарения цинка с образованием кремния, силикатов натрия и паров хлорида цинка.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что осуществляют дальнейшую реакцию в расплаве хлорида цинка с образовавшимся силикатом натрия и последующее восстановление цинка из образовавшегося силиката цинка с помощью углерода.
3. Способ по п.2, отличающийся тем, что дополнительно осуществляют восстановление кремния из его диоксида с помощью углерода при температуре не выше температуры испарения цинка.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2007127008/15A RU2345950C1 (ru) | 2007-07-17 | 2007-07-17 | Способ получения кремния или силицида цинка из диоксида кремния |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2007127008/15A RU2345950C1 (ru) | 2007-07-17 | 2007-07-17 | Способ получения кремния или силицида цинка из диоксида кремния |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2345950C1 true RU2345950C1 (ru) | 2009-02-10 |
Family
ID=40546686
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2007127008/15A RU2345950C1 (ru) | 2007-07-17 | 2007-07-17 | Способ получения кремния или силицида цинка из диоксида кремния |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2345950C1 (ru) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SU1416060A3 (ru) * | 1980-05-07 | 1988-08-07 | Металз Технолоджи Энд Инструментейшн Инк (Фирма) | Способ получени металлов |
| SU1546515A1 (ru) * | 1987-12-11 | 1990-02-28 | Сумской Государственный Педагогический Институт Им.А.С.Макаренко | Расплав дл электролитического получени металлического кремни |
| WO2006100114A1 (en) * | 2005-03-24 | 2006-09-28 | Umicore | Process for the production of si by reduction of siclj with liquid zn |
-
2007
- 2007-07-17 RU RU2007127008/15A patent/RU2345950C1/ru not_active IP Right Cessation
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SU1416060A3 (ru) * | 1980-05-07 | 1988-08-07 | Металз Технолоджи Энд Инструментейшн Инк (Фирма) | Способ получени металлов |
| SU1546515A1 (ru) * | 1987-12-11 | 1990-02-28 | Сумской Государственный Педагогический Институт Им.А.С.Макаренко | Расплав дл электролитического получени металлического кремни |
| WO2006100114A1 (en) * | 2005-03-24 | 2006-09-28 | Umicore | Process for the production of si by reduction of siclj with liquid zn |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Kipouros et al. | A thermochemical analysis of the production of anhydrous MgCl2 | |
| RU2633579C9 (ru) | Способы обработки летучей золы | |
| JP2025011121A (ja) | リチウム化学物質及び金属リチウムの製造 | |
| NO123105B (ru) | ||
| CN102165078A (zh) | 从复合矿物中提取金属 | |
| WO2014078908A1 (en) | Process for recovering lithium from a brine with reagent regeneration and low cost process for purifying lithium | |
| CN101160258A (zh) | 产生氢气的装置和方法 | |
| RU2345950C1 (ru) | Способ получения кремния или силицида цинка из диоксида кремния | |
| Zhou et al. | Alumina extraction from high-alumina ladle furnace refining slag | |
| Aghion et al. | Production technologies of magnesium | |
| CN116332127A (zh) | 一种从含锂矿物中生产氢气、金属锂和高纯硅的方法 | |
| JP2018131351A (ja) | 大気中ｃｏ２を回収して炭素を分離する方法 | |
| Liu et al. | Lithium and rubidium extraction from potash feldspar and biotite concentrates: Alkali metal component separation via isomorphous replacement roasting | |
| Ostroushko | Lithium, its chemistry and technology | |
| Kondratev et al. | Review of methods of waste lining processing from aluminum electrolyzers | |
| NO161383B (no) | Fremgangsmaate ved fremstilling av aluminium-siliciumlegeringer. | |
| US2547901A (en) | Process for the manufacture of alkali metal aluminum fluoride | |
| RU2441927C2 (ru) | Способ переработки шламов глиноземного производства | |
| CN104611512A (zh) | 一种预熔型七铝酸钙脱硫剂的制备方法 | |
| CN113044862B (zh) | 一种利用不同铵光卤石物料间的协同耦合作用对其进行脱水的方法 | |
| ES2895598T3 (es) | Inhibidores de sarro resistentes a la degradación | |
| JP4145156B2 (ja) | ガラス製造法 | |
| Park | Review on the Current Status of Magnesium Smelting | |
| Petelin et al. | Possibility of cyanide formation in blast furnaces | |
| JP2025533934A (ja) | 塩化マグネシウム精製システム、デバイス及び方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20170718 |